JPH08314120A - マスクパターンの修正方法 - Google Patents
マスクパターンの修正方法Info
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- JPH08314120A JPH08314120A JP8758696A JP8758696A JPH08314120A JP H08314120 A JPH08314120 A JP H08314120A JP 8758696 A JP8758696 A JP 8758696A JP 8758696 A JP8758696 A JP 8758696A JP H08314120 A JPH08314120 A JP H08314120A
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- mask pattern
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 下地ガラスとの付着強度が強く、下地ガラス
にダメージを与えたり修正膜にクラックを生じさせるこ
となく、耐薬品性に優れ、膜剥れの生じない修正膜を形
成できるマスクパターンの修正方法を提供する。 【解決手段】 マスクパターンの白欠陥の修正を、レー
ザＣＶＤにより、Ｍｏ（ＣＯ）6およびＣｒ（ＣＯ）6を
原材料として一層目の修正膜２４を形成し、この一層目
の修正膜を覆うように、Ｃｒ（ＣＯ）6を原材料として
二層目の修正膜２６を形成して行う。
にダメージを与えたり修正膜にクラックを生じさせるこ
となく、耐薬品性に優れ、膜剥れの生じない修正膜を形
成できるマスクパターンの修正方法を提供する。 【解決手段】 マスクパターンの白欠陥の修正を、レー
ザＣＶＤにより、Ｍｏ（ＣＯ）6およびＣｒ（ＣＯ）6を
原材料として一層目の修正膜２４を形成し、この一層目
の修正膜を覆うように、Ｃｒ（ＣＯ）6を原材料として
二層目の修正膜２６を形成して行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路などの
パターン転写に用いられるフォトマスク上の欠陥を修正
する技術に関する。
パターン転写に用いられるフォトマスク上の欠陥を修正
する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、超ＬＳＩなどの半導体集積回路の
製造には、ウエハ上に光露光によりパターン転写を行う
ためのフォトマスクが大量に使用されている。
製造には、ウエハ上に光露光によりパターン転写を行う
ためのフォトマスクが大量に使用されている。
【０００３】このフォトマスクはガラス基板上にクロム
等の遮光膜を形成し、この遮光膜にＬＳＩの配線パター
ンをパターンニングして作製されるが、フォトマスク製
造の際に、あるいはＬＳＩ製造において繰り返し洗浄さ
れて使用される際に、本来遮光膜があるべき部分の遮光
膜が欠落する白欠陥が生ずることがある。白欠陥には、
遮光膜に穴があくピンホール、遮光膜のエッジが欠ける
欠け（凹欠陥）、遮光膜にひびが入るクラックなどの欠
陥があるが、この白欠陥が生ずると、白欠陥の部分から
光が透過してしまいウエハに転写されてＬＳＩの欠陥に
つながるため、マスクとして使用できなくなる。このよ
うに、フォトマスクの白欠陥は、フォトマスク製造の歩
留りやフォトマスクの寿命を左右し、コスト上昇の原因
となるため、フォトリソグラフィー用に用いるフォトマ
スクとしては重大な欠陥となる。
等の遮光膜を形成し、この遮光膜にＬＳＩの配線パター
ンをパターンニングして作製されるが、フォトマスク製
造の際に、あるいはＬＳＩ製造において繰り返し洗浄さ
れて使用される際に、本来遮光膜があるべき部分の遮光
膜が欠落する白欠陥が生ずることがある。白欠陥には、
遮光膜に穴があくピンホール、遮光膜のエッジが欠ける
欠け（凹欠陥）、遮光膜にひびが入るクラックなどの欠
陥があるが、この白欠陥が生ずると、白欠陥の部分から
光が透過してしまいウエハに転写されてＬＳＩの欠陥に
つながるため、マスクとして使用できなくなる。このよ
うに、フォトマスクの白欠陥は、フォトマスク製造の歩
留りやフォトマスクの寿命を左右し、コスト上昇の原因
となるため、フォトリソグラフィー用に用いるフォトマ
スクとしては重大な欠陥となる。
【０００４】そこで、従来よりフォトマスクの白欠陥部
分に部分的に遮光膜を形成して欠陥修正する方法が各種
検討されている。
分に部分的に遮光膜を形成して欠陥修正する方法が各種
検討されている。
【０００５】例えば、図３（ａ）および（ｂ）に示すよ
うに、Ｃｒ（ＣＯ）6蒸気をＣＶＤ原料ガスとし、Ｑス
イッチＹＡＧレーザ（波長２６６ｎｍ）を光源としたレ
ーザＣＶＤにより石英基板上にミクロンオーダー（１２
μｍ□）の局所Ｃｒ膜を堆積させてフォトマスクの白欠
陥を修正する技術が報告されている（１９８５年春応用
物理学会予稿集、３０ａ−ＺＥ−８）（従来例１とす
る）。
うに、Ｃｒ（ＣＯ）6蒸気をＣＶＤ原料ガスとし、Ｑス
イッチＹＡＧレーザ（波長２６６ｎｍ）を光源としたレ
ーザＣＶＤにより石英基板上にミクロンオーダー（１２
μｍ□）の局所Ｃｒ膜を堆積させてフォトマスクの白欠
陥を修正する技術が報告されている（１９８５年春応用
物理学会予稿集、３０ａ−ＺＥ−８）（従来例１とす
る）。
【０００６】また、図４（ａ）〜（ｅ）に示すように、
Ｍｏ（ＣＯ）6蒸気をＣＶＤ原料ガスとし、Ａｒレーザ
（波長２５７ｎｍ）を光源としたレーザＣＶＤによりＭ
ｏ（ＣＯ）6を光化学的に分解して石英基板上にスポッ
ト状のＭｏ膜を堆積させて核（種）を形成し、この核に
Ａｒレーザ光を吸収させて熱ＣＶＤを誘起させ、Ａｒレ
ーザ（波長５１５ｎｍ）の基板への集光照射による熱Ｃ
ＶＤを利用して、基板を移動して石英基板上にＭｏ線を
描画する技術が報告されている（１９８５年春応用物理
学会予稿集、３０ａ−ＺＥ−９）（従来例２とする）。
Ｍｏ（ＣＯ）6蒸気をＣＶＤ原料ガスとし、Ａｒレーザ
（波長２５７ｎｍ）を光源としたレーザＣＶＤによりＭ
ｏ（ＣＯ）6を光化学的に分解して石英基板上にスポッ
ト状のＭｏ膜を堆積させて核（種）を形成し、この核に
Ａｒレーザ光を吸収させて熱ＣＶＤを誘起させ、Ａｒレ
ーザ（波長５１５ｎｍ）の基板への集光照射による熱Ｃ
ＶＤを利用して、基板を移動して石英基板上にＭｏ線を
描画する技術が報告されている（１９８５年春応用物理
学会予稿集、３０ａ−ＺＥ−９）（従来例２とする）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のフォトマスクの白欠陥を修正する技術には、次
に示すような問題がある。
た従来のフォトマスクの白欠陥を修正する技術には、次
に示すような問題がある。
【０００８】すなわち、従来例１の技術にあっては、Ｃ
ｒ（ＣＯ）6からレーザＣＶＤによりＣｒ膜を堆積させ
るためには、強力なレーザを照射する光ＣＶＤによらね
ばならず、さらにレーザの照射時間が１０秒と長く、基
板の修正部を高温にしなければならないため、修正部の
下地のガラスにダメージが生じ修正膜の膜剥がれ等の原
因となったり、成膜されたＣｒ修正膜にクラックが生じ
るという問題がある。
ｒ（ＣＯ）6からレーザＣＶＤによりＣｒ膜を堆積させ
るためには、強力なレーザを照射する光ＣＶＤによらね
ばならず、さらにレーザの照射時間が１０秒と長く、基
板の修正部を高温にしなければならないため、修正部の
下地のガラスにダメージが生じ修正膜の膜剥がれ等の原
因となったり、成膜されたＣｒ修正膜にクラックが生じ
るという問題がある。
【０００９】また、従来例２の技術にあっては、得られ
るＭｏ膜の耐薬品性が悪く、フォトマスクの洗浄に使用
される熱硫酸や水酸化ナトリウム水溶液に溶けてしまう
という問題がある。さらに、光ＣＶＤによるＭｏ核の形
成には強いレーザ照射強度（ビーム密度）が必要である
ため、下地ガラスにダメージを与えるとともに、光ＣＶ
ＤによるＭｏ核の部分は下地ガラスとの付着強度が弱く
剥離して異物の原因となるという問題がある。
るＭｏ膜の耐薬品性が悪く、フォトマスクの洗浄に使用
される熱硫酸や水酸化ナトリウム水溶液に溶けてしまう
という問題がある。さらに、光ＣＶＤによるＭｏ核の形
成には強いレーザ照射強度（ビーム密度）が必要である
ため、下地ガラスにダメージを与えるとともに、光ＣＶ
ＤによるＭｏ核の部分は下地ガラスとの付着強度が弱く
剥離して異物の原因となるという問題がある。
【００１０】なお、剥離した修正膜はマスク洗浄の際に
フォトマスクの正常部分や他の正常なにフォトマスクに
付着し、これを除去することは困難であるため、修正膜
の付着強度が弱く剥離してしまうようでは実用的でな
い。
フォトマスクの正常部分や他の正常なにフォトマスクに
付着し、これを除去することは困難であるため、修正膜
の付着強度が弱く剥離してしまうようでは実用的でな
い。
【００１１】本発明は上述した問題点にかんがみてなさ
れたものであり、下地ガラスとの付着強度が強く、下地
ガラスにダメージを与えたり修正膜にクラックを生じさ
せることがなく、また膜剥れが生じない修正膜を形成で
きるマスクパターンの修正方法の提供を第一の目的とす
る。
れたものであり、下地ガラスとの付着強度が強く、下地
ガラスにダメージを与えたり修正膜にクラックを生じさ
せることがなく、また膜剥れが生じない修正膜を形成で
きるマスクパターンの修正方法の提供を第一の目的とす
る。
【００１２】また、耐薬品性に優れた修正膜を形成でき
るマスクパターンの修正方法の提供を第二の目的とす
る。
るマスクパターンの修正方法の提供を第二の目的とす
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のマスクパターンの修正方法は、レーザＣＶＤ
によるマスクパターンの白欠陥の修正方法において、修
正膜の原材料としてＭｏ（ＣＯ）6およびＣｒ（ＣＯ）6
を用いる構成としてある。
に本発明のマスクパターンの修正方法は、レーザＣＶＤ
によるマスクパターンの白欠陥の修正方法において、修
正膜の原材料としてＭｏ（ＣＯ）6およびＣｒ（ＣＯ）6
を用いる構成としてある。
【００１４】また、本発明の他のマスクパターンの修正
方法は、レーザＣＶＤによるマスクパターンの白欠陥の
修正方法において、Ｍｏ（ＣＯ）6およびＣｒ（ＣＯ）6
を原材料として一層目の修正膜を形成し、この一層目の
修正膜を覆うように、Ｃｒ（ＣＯ）6を原材料として二
層目の修正膜を形成する構成としてある。
方法は、レーザＣＶＤによるマスクパターンの白欠陥の
修正方法において、Ｍｏ（ＣＯ）6およびＣｒ（ＣＯ）6
を原材料として一層目の修正膜を形成し、この一層目の
修正膜を覆うように、Ｃｒ（ＣＯ）6を原材料として二
層目の修正膜を形成する構成としてある。
【００１５】さらに、本発明の他のマスクパターンの修
正方法は、白欠陥の近傍のマスクパターン上にレーザ光
を照射してＣＶＤ修正膜の核を形成した後、マスクを移
動させつつ白欠陥部分にレーザ光を照射して、白欠陥を
覆うように修正膜を形成する構成としてある。
正方法は、白欠陥の近傍のマスクパターン上にレーザ光
を照射してＣＶＤ修正膜の核を形成した後、マスクを移
動させつつ白欠陥部分にレーザ光を照射して、白欠陥を
覆うように修正膜を形成する構成としてある。
【００１６】なお、本発明の態様として、上記方法にお
いて、レーザＣＶＤによる熱ＣＶＤ反応により修正膜を
形成する構成とすることができる。
いて、レーザＣＶＤによる熱ＣＶＤ反応により修正膜を
形成する構成とすることができる。
【００１７】
【作用】本発明のマスクパターンの修正方法は、修正膜
の原材料としてＭｏ（ＣＯ）6およびＣｒ（ＣＯ）6を用
いるとともに、ダメージの少ない熱ＣＶＤ反応等を利用
してＭｏＣｒ修正膜を形成する構成としてあるので、Ｍ
ｏＣｒ修正膜の下地ガラスとの付着強度が強く、修正膜
の膜剥れが生じない。
の原材料としてＭｏ（ＣＯ）6およびＣｒ（ＣＯ）6を用
いるとともに、ダメージの少ない熱ＣＶＤ反応等を利用
してＭｏＣｒ修正膜を形成する構成としてあるので、Ｍ
ｏＣｒ修正膜の下地ガラスとの付着強度が強く、修正膜
の膜剥れが生じない。
【００１８】また、一層目の修正膜がＭｏＣｒ膜である
ためＭｏ単体膜より耐薬品性がよく、さらにこの一層目
の修正膜を覆うように耐薬品性の非常によい二層目のＣ
ｒ修正膜を形成しているので、修正部の耐薬品性が非常
によい。
ためＭｏ単体膜より耐薬品性がよく、さらにこの一層目
の修正膜を覆うように耐薬品性の非常によい二層目のＣ
ｒ修正膜を形成しているので、修正部の耐薬品性が非常
によい。
【００１９】さらに、白欠陥の近傍のマスクパターン上
にレーザ光を照射してＣＶＤ修正膜の核を形成するよう
にしてあり、このマスクパターン部分はガラスとの付着
強度が強く熱によりクラック等が生じにくいため、核形
成に際して修正部の下地のガラスにダメージを与えた
り、成膜される修正膜にクラックを生じさせない。ま
た、ガラス上では核ＭｏＣｒをもとに成膜できるのでレ
ーザ光が弱くて済み、修正部の下地のガラスにダメージ
を与えず、成膜された修正膜にクラックを生じさせな
い。
にレーザ光を照射してＣＶＤ修正膜の核を形成するよう
にしてあり、このマスクパターン部分はガラスとの付着
強度が強く熱によりクラック等が生じにくいため、核形
成に際して修正部の下地のガラスにダメージを与えた
り、成膜される修正膜にクラックを生じさせない。ま
た、ガラス上では核ＭｏＣｒをもとに成膜できるのでレ
ーザ光が弱くて済み、修正部の下地のガラスにダメージ
を与えず、成膜された修正膜にクラックを生じさせな
い。
【００２０】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
マスクパターンの修正方法においては、レーザＣＶＤに
より修正膜を形成する。
マスクパターンの修正方法においては、レーザＣＶＤに
より修正膜を形成する。
【００２１】ここで、レーザＣＶＤは、光のエネルギー
を利用した気相成長（chemical vapor deposition）法
をいい、気相原料ガスの電子状態や振動状態を励起して
気相反応を促進させる光ＣＶＤと、光を基板加熱の熱源
として使う熱ＣＶＤに大別され、さらに光ＣＶＤと熱Ｃ
ＶＤの作用が複雑に関係し光によって表面反応を促進さ
せる場合（光・熱ＣＶＤ）がある。
を利用した気相成長（chemical vapor deposition）法
をいい、気相原料ガスの電子状態や振動状態を励起して
気相反応を促進させる光ＣＶＤと、光を基板加熱の熱源
として使う熱ＣＶＤに大別され、さらに光ＣＶＤと熱Ｃ
ＶＤの作用が複雑に関係し光によって表面反応を促進さ
せる場合（光・熱ＣＶＤ）がある。
【００２２】レーザ源としては、Ａｒレーザなどが利用
できる。
できる。
【００２３】レーザの照射強度（パワー密度）として
は、加工点におけるガラスに損傷を与えないという観点
から、１ｋＷ／ｃｍ2〜１０ｋＷ／ｃｍ2程度が適当であ
る。
は、加工点におけるガラスに損傷を与えないという観点
から、１ｋＷ／ｃｍ2〜１０ｋＷ／ｃｍ2程度が適当であ
る。
【００２４】レーザの照射時間としては、同様の観点か
ら、０．１秒〜３秒程度が適当である。
ら、０．１秒〜３秒程度が適当である。
【００２５】なお、上記条件に関し、レーザの照射強度
（ビーム径含む）、レーザ光の波長（振動数）およびレ
ーザの照射時間（基板移動速度含む）を調整してガラス
にダメージを与えない程度のレーザ光とし、熱ＣＶＤあ
るいは光・熱ＣＶＤを利用して修正膜の成膜を行うこと
が好ましい。
（ビーム径含む）、レーザ光の波長（振動数）およびレ
ーザの照射時間（基板移動速度含む）を調整してガラス
にダメージを与えない程度のレーザ光とし、熱ＣＶＤあ
るいは光・熱ＣＶＤを利用して修正膜の成膜を行うこと
が好ましい。
【００２６】本発明では、修正膜の原材料としてＭｏ
（ＣＯ）6およびＣｒ（ＣＯ）6（金属カルボニル）を用
いる。
（ＣＯ）6およびＣｒ（ＣＯ）6（金属カルボニル）を用
いる。
【００２７】なお、修正膜を二層構造とする場合には、
一層目の修正膜の原材料としてＭｏ（ＣＯ）6およびＣ
ｒ（ＣＯ）6を用い、二層目の修正膜の原材料としてＣ
ｒ（ＣＯ）6を用いる。
一層目の修正膜の原材料としてＭｏ（ＣＯ）6およびＣ
ｒ（ＣＯ）6を用い、二層目の修正膜の原材料としてＣ
ｒ（ＣＯ）6を用いる。
【００２８】上記修正膜の原材料は、Ａｒなどのキャリ
アガスでバブリングしたり加熱したりして蒸発させてガ
ス状とし、反応系に送り込まれ、レーザＣＶＤにより成
膜され修正膜を形成する。
アガスでバブリングしたり加熱したりして蒸発させてガ
ス状とし、反応系に送り込まれ、レーザＣＶＤにより成
膜され修正膜を形成する。
【００２９】得られるＭｏＣｒ修正膜の組成は、特に制
限されず、修正膜の特性を最適化するため適宜調整でき
る。
限されず、修正膜の特性を最適化するため適宜調整でき
る。
【００３０】なお、キャリアガスにはＭｏ（ＣＯ）6お
よびＣｒ（ＣＯ）6の他に、他成分としてＯ2、Ｎ2など
を添加してもよく、あるいは、Ｍｏ（ＣＯ）6の代わり
にＷ（ＣＯ）6などの他の金属カルボニル等を用いても
よい。
よびＣｒ（ＣＯ）6の他に、他成分としてＯ2、Ｎ2など
を添加してもよく、あるいは、Ｍｏ（ＣＯ）6の代わり
にＷ（ＣＯ）6などの他の金属カルボニル等を用いても
よい。
【００３１】基板温度は、熱ＣＶＤ反応を安定的に行わ
せるために、昇温し安定させることが好ましい。
せるために、昇温し安定させることが好ましい。
【００３２】修正膜の厚さは、修正されるマスクの遮光
部分の光学濃度と同等以上の光学濃度となる厚さとする
ことが好ましく、コンタクト露光、プロキシミティー露
光においてワークに損傷を与えるのを避けるという観点
から、数百オングストローム〜１μｍ程度、より好まし
くは１０００〜３０００オングストローム程度以下が適
当である。
部分の光学濃度と同等以上の光学濃度となる厚さとする
ことが好ましく、コンタクト露光、プロキシミティー露
光においてワークに損傷を与えるのを避けるという観点
から、数百オングストローム〜１μｍ程度、より好まし
くは１０００〜３０００オングストローム程度以下が適
当である。
【００３３】修正膜の形成は、白欠陥の近傍のマスクパ
ターン上にレーザ光を照射してＣＶＤ修正膜の核を形成
した後、マスクを移動させつつ白欠陥部分にレーザ光を
照射して、白欠陥を覆うように修正膜を形成することが
好ましい。
ターン上にレーザ光を照射してＣＶＤ修正膜の核を形成
した後、マスクを移動させつつ白欠陥部分にレーザ光を
照射して、白欠陥を覆うように修正膜を形成することが
好ましい。
【００３４】マスクパターン上に修正膜の核を形成する
のは、修正部の下地のガラスにダメージを与えるのを避
けるためである。また、マスクを移動させつつ核ＭｏＣ
ｒをもとに成膜するのは、レーザ光が弱くて済むととも
に照射時間が短くて済むため、修正部の下地のガラスに
ダメージを与えず、成膜された修正膜にクラックが生じ
ないためである。
のは、修正部の下地のガラスにダメージを与えるのを避
けるためである。また、マスクを移動させつつ核ＭｏＣ
ｒをもとに成膜するのは、レーザ光が弱くて済むととも
に照射時間が短くて済むため、修正部の下地のガラスに
ダメージを与えず、成膜された修正膜にクラックが生じ
ないためである。
【００３５】修正膜の層構成としては、Ｍｏ（ＣＯ）6
およびＣｒ（ＣＯ）6を原材料として一層目の修正膜を
形成し、この一層目の修正膜を覆うように、Ｃｒ（Ｃ
Ｏ）6を原材料として二層目の修正膜を形成することが
好ましい。
およびＣｒ（ＣＯ）6を原材料として一層目の修正膜を
形成し、この一層目の修正膜を覆うように、Ｃｒ（Ｃ
Ｏ）6を原材料として二層目の修正膜を形成することが
好ましい。
【００３６】これは、一層目のＭｏＣｒ修正膜を覆うよ
うに耐薬品性の非常によい二層目のＣｒ修正膜を形成
し、修正部の耐薬品性を向上させるためである。
うに耐薬品性の非常によい二層目のＣｒ修正膜を形成
し、修正部の耐薬品性を向上させるためである。
【００３７】この場合キャリアガスにはＣｒ蒸気の他
に、他成分としてＯ2、Ｎ2などを添加してもよく、ある
いは、Ｃｒ蒸気に多少のＭｏ蒸気が混入していてもよ
い。また、修正膜を三層以上の層構成とすることもでき
る。
に、他成分としてＯ2、Ｎ2などを添加してもよく、ある
いは、Ｃｒ蒸気に多少のＭｏ蒸気が混入していてもよ
い。また、修正膜を三層以上の層構成とすることもでき
る。
【００３８】修正されるフォトマスクのガラス基板や遮
光膜の材質は特に制限されない。ガラス基板としては、
石英ガラス、低膨脹ガラス（アルミナシリケート、アル
ミナボロシリケートなど）、ソーダライムガラス等が挙
げられる。遮光膜の材質としては、クロム、酸化クロ
ム、窒化クロム、酸窒化クロム、モリブデンシリサイ
ド、酸化シリコン、酸化鉄、タンタルなどの金属または
金属間化合物等が挙げられる。
光膜の材質は特に制限されない。ガラス基板としては、
石英ガラス、低膨脹ガラス（アルミナシリケート、アル
ミナボロシリケートなど）、ソーダライムガラス等が挙
げられる。遮光膜の材質としては、クロム、酸化クロ
ム、窒化クロム、酸窒化クロム、モリブデンシリサイ
ド、酸化シリコン、酸化鉄、タンタルなどの金属または
金属間化合物等が挙げられる。
【００３９】
【実施例】以下、実施例にもとづき本発明をさらに詳細
に説明する。
に説明する。
【００４０】実施例１ 図１は本発明のマスクパターンの修正方法に用いるレー
ザ加熱ＣＶＤ装置の基本的な構成を示す図である。
ザ加熱ＣＶＤ装置の基本的な構成を示す図である。
【００４１】図１に示すように、プロセスチャンバー１
内に配置されたＸ−Ｙステージ２上の基板ヒータ３の上
に、Ｃｒを主成分とする遮光性パターンが形成されたガ
ラス基板からなるクロムマスク４を載置し、このクロム
マスク４を３５〜４５℃に昇温し安定させる。クロムマ
スク４を昇温するのは熱ＣＶＤ反応を安定的に行なわせ
るためである。なお、クロムマスク４の遮光性パターン
上にはピンホールが存在している。
内に配置されたＸ−Ｙステージ２上の基板ヒータ３の上
に、Ｃｒを主成分とする遮光性パターンが形成されたガ
ラス基板からなるクロムマスク４を載置し、このクロム
マスク４を３５〜４５℃に昇温し安定させる。クロムマ
スク４を昇温するのは熱ＣＶＤ反応を安定的に行なわせ
るためである。なお、クロムマスク４の遮光性パターン
上にはピンホールが存在している。
【００４２】容器５にＭｏ（ＣＯ）6の粉末５ａを入
れ、ガス導入管５ｂを通してＡｒガスをＭｏ（ＣＯ）6
粉末５ａ中を通過させ、Ｍｏ（ＣＯ）6を昇華させる。
Ｍｏ（ＣＯ）6の飽和蒸気を含んだＡｒガスは導入管５
ｃを介してプロセスチャンバー１内に導入される。この
Ｍｏ（ＣＯ）6の蒸気量はＡｒガスの導入量にほぼ比例
し、表１および図５に示すように、導入するＡｒガスや
Ｍｏ（ＣＯ）6粉末の温度により飽和蒸気圧が決定され
るため、Ａｒガス流量とＡｒガスやＭｏ（ＣＯ）6粉末
の温度の調整によりプロセスチャンバー１内に導入され
るＡｒガス流量およびＭｏ（ＣＯ）6の蒸気量をコント
ロールできる。
れ、ガス導入管５ｂを通してＡｒガスをＭｏ（ＣＯ）6
粉末５ａ中を通過させ、Ｍｏ（ＣＯ）6を昇華させる。
Ｍｏ（ＣＯ）6の飽和蒸気を含んだＡｒガスは導入管５
ｃを介してプロセスチャンバー１内に導入される。この
Ｍｏ（ＣＯ）6の蒸気量はＡｒガスの導入量にほぼ比例
し、表１および図５に示すように、導入するＡｒガスや
Ｍｏ（ＣＯ）6粉末の温度により飽和蒸気圧が決定され
るため、Ａｒガス流量とＡｒガスやＭｏ（ＣＯ）6粉末
の温度の調整によりプロセスチャンバー１内に導入され
るＡｒガス流量およびＭｏ（ＣＯ）6の蒸気量をコント
ロールできる。
【００４３】同様にして、容器６にＣｒ（ＣＯ）6の粉
末６ａを入れ、Ａｒガス流量とＡｒガスやＣｒ（ＣＯ）
6粉末の温度の調整によりプロセスチャンバー１内に導
入されるＡｒガス流量およびＣｒ（ＣＯ）6の蒸気量を
コントロールできる。
末６ａを入れ、Ａｒガス流量とＡｒガスやＣｒ（ＣＯ）
6粉末の温度の調整によりプロセスチャンバー１内に導
入されるＡｒガス流量およびＣｒ（ＣＯ）6の蒸気量を
コントロールできる。
【００４４】
【表１】
【００４５】このようにしてＭｏ（ＣＯ）6を０．６ｔ
ｏｒｒ、Ｃｒ（ＣＯ）6を０．４ｔｏｒｒ含むＡｒガス
をプロセスチャンバー１内に０．７リットル／分で導入
し、排ガス処理装置１１を通して排出する。このときプ
ロセスチャンバー１内の圧力は大気の圧力とほぼ等し
い。
ｏｒｒ、Ｃｒ（ＣＯ）6を０．４ｔｏｒｒ含むＡｒガス
をプロセスチャンバー１内に０．７リットル／分で導入
し、排ガス処理装置１１を通して排出する。このときプ
ロセスチャンバー１内の圧力は大気の圧力とほぼ等し
い。
【００４６】プロセスチャンバー１の内部を上記混合ガ
スで充分置換した後、レーザ光源７から発せられた波長
５３２ｎｍのレーザビームをスリット８を通して矩形に
し、光学系で集光してビームのサイズを調整し、レーザ
導入窓１０を通して３．０μｍ幅のレーザビームをクロ
ムマスクのピンホール近傍のＣｒ遮光膜上に照射する。
スで充分置換した後、レーザ光源７から発せられた波長
５３２ｎｍのレーザビームをスリット８を通して矩形に
し、光学系で集光してビームのサイズを調整し、レーザ
導入窓１０を通して３．０μｍ幅のレーザビームをクロ
ムマスクのピンホール近傍のＣｒ遮光膜上に照射する。
【００４７】図２はクロムマスクのピンホール部分に修
正膜を形成していく様子を説明するための図である。
正膜を形成していく様子を説明するための図である。
【００４８】図２に示すように、レーザビーム２０をク
ロムマスクのピンホール２１に隣接したＣｒ遮光膜２２
上に０．５秒間照射し（図２（ａ））、これによりレー
ザビーム２０が照射された部分の遮光膜の表面温度が上
昇しＭｏとＣｒの合金膜（核）２３が析出する（図２
（ｂ））。
ロムマスクのピンホール２１に隣接したＣｒ遮光膜２２
上に０．５秒間照射し（図２（ａ））、これによりレー
ザビーム２０が照射された部分の遮光膜の表面温度が上
昇しＭｏとＣｒの合金膜（核）２３が析出する（図２
（ｂ））。
【００４９】その後、クロムマスクを図示Ａ方向に３．
０μｍ／ｓの速度で移動しつつ、ＭｏＣｒ合金膜２４を
成膜していき（図２（ｃ））、ピンホール全体を覆う
（図２（ｄ））。
０μｍ／ｓの速度で移動しつつ、ＭｏＣｒ合金膜２４を
成膜していき（図２（ｃ））、ピンホール全体を覆う
（図２（ｄ））。
【００５０】次いで、Ｍｏ（ＣＯ）6蒸気を含むＡｒガ
スの供給を止め数十分間放置してＭｏ（ＣＯ）6蒸気を
プロセスチャンバー１内から排出し、再びレーザビーム
をＣｒ遮光膜上に照射してＣｒ２５を析出させ（図２
（ｅ））、クロムマスクを図示Ｂ方向に５．０μｍ／ｓ
の速度で移動しつつ、Ｃｒ膜２６を成膜していき、、Ｍ
ｏＣｒ合金膜全体を覆う（図２（ｆ））。
スの供給を止め数十分間放置してＭｏ（ＣＯ）6蒸気を
プロセスチャンバー１内から排出し、再びレーザビーム
をＣｒ遮光膜上に照射してＣｒ２５を析出させ（図２
（ｅ））、クロムマスクを図示Ｂ方向に５．０μｍ／ｓ
の速度で移動しつつ、Ｃｒ膜２６を成膜していき、、Ｍ
ｏＣｒ合金膜全体を覆う（図２（ｆ））。
【００５１】以上のようにして、クロムマスクの欠陥で
あるピンホールを遮光性のあるＭｏＣｒ合金膜／Ｃｒ膜
で覆い欠陥を修正した。
あるピンホールを遮光性のあるＭｏＣｒ合金膜／Ｃｒ膜
で覆い欠陥を修正した。
【００５２】上記のようにしてピンホール修正を施した
クロムマスクを、熱濃硫酸および１０％程度のＮａＯＨ
水溶液で洗浄して耐薬品性を調べたところ、いずれの場
合もピンホール上の修正膜が溶解したり剥離することは
なかった。
クロムマスクを、熱濃硫酸および１０％程度のＮａＯＨ
水溶液で洗浄して耐薬品性を調べたところ、いずれの場
合もピンホール上の修正膜が溶解したり剥離することは
なかった。
【００５３】また、修正膜の付着強度を引っかき試験、
テープ引き剥がし試験、スクラブ洗浄、高圧水洗浄によ
り調べたところ、修正膜が剥離することはなかった。
テープ引き剥がし試験、スクラブ洗浄、高圧水洗浄によ
り調べたところ、修正膜が剥離することはなかった。
【００５４】実施例２ 二層目のＣｒ膜を形成しなかったこと以外は実施例１と
同様にしてクロムマスクのピンホールを修正した。
同様にしてクロムマスクのピンホールを修正した。
【００５５】得られたＭｏＣｒ修正膜は、遮光性が十分
あり、付着強度や耐薬品性もＭｏ単体修正膜に比べ高い
ことが確認された。
あり、付着強度や耐薬品性もＭｏ単体修正膜に比べ高い
ことが確認された。
【００５６】比較例１ 最初に形成するＭｏＣｒ修正膜の核２３（図２（ｂ））
をレーザビーム（波長２５７ｎｍ）を用いて光ＣＶＤで
形成し、二層目のＣｒ膜を形成しなかったこと以外は実
施例１と同様にしてクロムマスクのピンホールを修正し
た。
をレーザビーム（波長２５７ｎｍ）を用いて光ＣＶＤで
形成し、二層目のＣｒ膜を形成しなかったこと以外は実
施例１と同様にしてクロムマスクのピンホールを修正し
た。
【００５７】得られた修正膜は、ＭｏＣｒ修正膜の核の
部分の耐薬品性が悪く、この部分が熱濃硫酸および１０
％程度のＮａＯＨ水溶液のそれぞれに溶解し、核の部分
のダメージが原因で修正膜の膜剥がれが生じた。
部分の耐薬品性が悪く、この部分が熱濃硫酸および１０
％程度のＮａＯＨ水溶液のそれぞれに溶解し、核の部分
のダメージが原因で修正膜の膜剥がれが生じた。
【００５８】比較例２ 一層目をＭｏ単体修正膜とし、二層目のＣｒ膜を形成し
なかったこと以外は実施例１と同様にしてクロムマスク
のピンホールを修正した。
なかったこと以外は実施例１と同様にしてクロムマスク
のピンホールを修正した。
【００５９】得られたＭｏ単体修正膜は、耐薬品性が悪
く、熱濃硫酸および１０％程度のＮａＯＨ水溶液のそれ
ぞれに溶解した。なお、レーザビーム（波長２５７ｎ
ｍ）を用いて光ＣＶＤでＭｏ単体修正膜を形成したとこ
ろ、付着強度が不十分であり修正膜の膜剥がれが生じ
た。
く、熱濃硫酸および１０％程度のＮａＯＨ水溶液のそれ
ぞれに溶解した。なお、レーザビーム（波長２５７ｎ
ｍ）を用いて光ＣＶＤでＭｏ単体修正膜を形成したとこ
ろ、付着強度が不十分であり修正膜の膜剥がれが生じ
た。
【００６０】以上好ましい実施例をあげて本発明を説明
したが、本発明は必ずしも上記実施例に限定されるもの
ではない。
したが、本発明は必ずしも上記実施例に限定されるもの
ではない。
【００６１】例えば、クロムマスクの代わりにクロム／
酸化クロムの二層構造の遮光膜を有するマスクを用いて
も同様の結果が得られた。
酸化クロムの二層構造の遮光膜を有するマスクを用いて
も同様の結果が得られた。
【００６２】また、ピンホールの修正の他、欠けやクラ
ックの修正も同様に行うことができた。
ックの修正も同様に行うことができた。
【００６３】さらに、ＳＲ（シンクロトロン放射光）Ｃ
ＶＤにより修正膜を形成することも可能である。
ＶＤにより修正膜を形成することも可能である。
【００６４】
【発明の効果】以上説明したように本発明のマスクパタ
ーンの修正方法によれば、下地ガラスとの付着強度が強
く、下地ガラスにダメージを与えたり修正膜にクラック
を生じさせることなく、膜剥れの生じない修正膜を形成
できる。
ーンの修正方法によれば、下地ガラスとの付着強度が強
く、下地ガラスにダメージを与えたり修正膜にクラック
を生じさせることなく、膜剥れの生じない修正膜を形成
できる。
【００６５】また、耐薬品性に優れた修正膜を形成でき
る。
る。
【図１】本発明のマスクパターンの修正方法に用いるレ
ーザ加熱ＣＶＤ装置の基本的な構成を示す図である。
ーザ加熱ＣＶＤ装置の基本的な構成を示す図である。
【図２】本発明によりクロムマスクのピンホール部分に
修正膜を形成していく様子を説明するための図である。
修正膜を形成していく様子を説明するための図である。
【図３】従来の白欠陥の修正方法を説明するための図で
ある。
ある。
【図４】従来の他の白欠陥の修正方法を説明するための
図である。
図である。
【図５】蒸気圧と温度の関係を示すグラフである。
５ａ Ｍｏ（ＣＯ）6 ６ａ Ｃｒ（ＣＯ）6 ７ レーザ光源 ２０ レーザビーム ２１ ピンホール ２２ 遮光膜 ２３ ＭｏＣｒ合金膜（核） ２４ ＭｏＣｒ合金膜 ２６ Ｃｒ膜
Claims (3)
- 【請求項１】 レーザＣＶＤによるマスクパターンの白
欠陥の修正方法において、 Ｍｏ（ＣＯ）6およびＣｒ（ＣＯ）6を原材料として一層
目の修正膜を形成し、この一層目の修正膜を覆うよう
に、Ｃｒ（ＣＯ）6を原材料として二層目の修正膜を形
成することを特徴とするマスクパターンの修正方法。 - 【請求項２】 白欠陥の近傍のマスクパターン上にレー
ザ光を照射してＣＶＤ修正膜の核を形成した後、マスク
を移動させつつレーザ光を照射して、白欠陥を覆うよう
に修正膜を形成することを特徴とするマスクパターンの
修正方法。 - 【請求項３】 レーザＣＶＤによる熱ＣＶＤ反応により
修正膜を形成することを特徴とする請求項１又は２記載
のマスクパターンの修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8758696A JPH08314120A (ja) | 1995-03-16 | 1996-03-15 | マスクパターンの修正方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-84731 | 1995-03-16 | ||
| JP8473195 | 1995-03-16 | ||
| JP8758696A JPH08314120A (ja) | 1995-03-16 | 1996-03-15 | マスクパターンの修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08314120A true JPH08314120A (ja) | 1996-11-29 |
Family
ID=26425719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8758696A Pending JPH08314120A (ja) | 1995-03-16 | 1996-03-15 | マスクパターンの修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08314120A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011040653A (ja) * | 2009-08-17 | 2011-02-24 | Asahi Glass Co Ltd | フォトマスクブランクスの洗浄方法 |
| KR20200013601A (ko) * | 2018-07-30 | 2020-02-07 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크 수정 방법, 포토마스크의 제조 방법, 포토마스크, 및 표시 장치용 디바이스의 제조 방법 |
| CN111665681A (zh) * | 2019-03-05 | 2020-09-15 | Hoya株式会社 | 光掩模的修正方法及修正装置、带保护膜的光掩模的制造方法、显示装置的制造方法 |
-
1996
- 1996-03-15 JP JP8758696A patent/JPH08314120A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011040653A (ja) * | 2009-08-17 | 2011-02-24 | Asahi Glass Co Ltd | フォトマスクブランクスの洗浄方法 |
| KR20200013601A (ko) * | 2018-07-30 | 2020-02-07 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크 수정 방법, 포토마스크의 제조 방법, 포토마스크, 및 표시 장치용 디바이스의 제조 방법 |
| JP2020024406A (ja) * | 2018-07-30 | 2020-02-13 | Hoya株式会社 | フォトマスク修正方法、フォトマスクの製造方法、フォトマスク、及び表示装置用デバイスの製造方法 |
| KR20210058792A (ko) * | 2018-07-30 | 2021-05-24 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크의 제조 방법, 포토마스크, 및 표시 장치용 디바이스의 제조 방법 |
| CN111665681A (zh) * | 2019-03-05 | 2020-09-15 | Hoya株式会社 | 光掩模的修正方法及修正装置、带保护膜的光掩模的制造方法、显示装置的制造方法 |
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