JP3367859B2 - 基材表面からの炭素の除去 - Google Patents
基材表面からの炭素の除去Info
- Publication number
- JP3367859B2 JP3367859B2 JP09288797A JP9288797A JP3367859B2 JP 3367859 B2 JP3367859 B2 JP 3367859B2 JP 09288797 A JP09288797 A JP 09288797A JP 9288797 A JP9288797 A JP 9288797A JP 3367859 B2 JP3367859 B2 JP 3367859B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- carbon
- photoresist
- steam
- remove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 27
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 26
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 title claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 45
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 21
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 14
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 11
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 7
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 boron ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 1
- 238000005389 semiconductor device fabrication Methods 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229940032330 sulfuric acid Drugs 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02046—Dry cleaning only
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/906—Cleaning of wafer as interim step
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/974—Substrate surface preparation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板表面からの炭
素の除去方法に関するものである。特には、本発明は、
スチーム−塩素ガス熱クリーニングプロセスを使用する
ことにより炭素除去を達成することを可能ならしめる方
法に関する。
素の除去方法に関するものである。特には、本発明は、
スチーム−塩素ガス熱クリーニングプロセスを使用する
ことにより炭素除去を達成することを可能ならしめる方
法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイス作製の現在の方法は、ホ
トレジストとして知られる感光性のポリマの使用と関与
する。ホトレジスト材料の層が半導体基板表面上に約1
ミクロン(10,000Å)の厚さにおいてスピンされ
そしてあらかじめ用意したホトマスクを通してパターン
露光が行われる。ウエハはその後通常の写真技術におけ
るようにして現像される。現像後、作製者の意図に応じ
て、ホトレジストの非露光部分が表面から洗われ、露光
されたすなわち被覆されたウエハの選択された部分を残
す。こうして、ウエハはプロセス段階、例えばシリコン
ウエハ中に電気的性質を変更するためドープ原子を導入
するべくボロンイオンによる表面の衝撃に供される状態
となる。このプロセス段階が完了した後、ホトレジスト
の現像部分は、異なったパターンを使用してプロセス手
順が繰り返されるように除去されねばならない。
トレジストとして知られる感光性のポリマの使用と関与
する。ホトレジスト材料の層が半導体基板表面上に約1
ミクロン(10,000Å)の厚さにおいてスピンされ
そしてあらかじめ用意したホトマスクを通してパターン
露光が行われる。ウエハはその後通常の写真技術におけ
るようにして現像される。現像後、作製者の意図に応じ
て、ホトレジストの非露光部分が表面から洗われ、露光
されたすなわち被覆されたウエハの選択された部分を残
す。こうして、ウエハはプロセス段階、例えばシリコン
ウエハ中に電気的性質を変更するためドープ原子を導入
するべくボロンイオンによる表面の衝撃に供される状態
となる。このプロセス段階が完了した後、ホトレジスト
の現像部分は、異なったパターンを使用してプロセス手
順が繰り返されるように除去されねばならない。
【0003】現在の半導体工業の標準的なストリッピン
グ及びクリーニング(皮膜剥離及び表面洗浄)方法は、
1970年以来の使用において、「SPM」、「SC−
1」及び「SC−2」として知られている、少なくとも
3種の液体薬品溶液の使用と係る。「SPM」は「Sulf
uric acid Peroxide Mix(硫酸過酸化物混合物)」を表
し、そして「SC」は「Standard Clean(標準的な洗浄
液)」を表す。SPMは、濃硫酸と30%過酸化水素の
溶液でありそしてホトレジストのような重質有機物を除
去するのに使用される。SC−1は、29wt/wt%
水酸化アンモニウム、30%過酸化水素及び脱イオン水
の溶液である。これは、表面有機皮膜を酸化しそして幾
種かの金属イオンを除去するために約70〜80℃にお
いて使用される。SC−2は、37wt/wt%塩酸、
30%過酸化水素及び脱イオン水の最終洗浄溶液であ
る。これは約75〜80℃において使用される。これら
溶液は、1960年代中にRCA社により最初に開発さ
れそして時として「RCA洗浄液(RCA cleans)」とし
て知られている。このアプローチは、100℃未満の温
度で達成することができ、これは、おおよそ150〜2
00℃の温度に長時間置かれるとウエハ自体において非
制御下でのドープ元素の拡散が起こるので、重要な考慮
事項である。
グ及びクリーニング(皮膜剥離及び表面洗浄)方法は、
1970年以来の使用において、「SPM」、「SC−
1」及び「SC−2」として知られている、少なくとも
3種の液体薬品溶液の使用と係る。「SPM」は「Sulf
uric acid Peroxide Mix(硫酸過酸化物混合物)」を表
し、そして「SC」は「Standard Clean(標準的な洗浄
液)」を表す。SPMは、濃硫酸と30%過酸化水素の
溶液でありそしてホトレジストのような重質有機物を除
去するのに使用される。SC−1は、29wt/wt%
水酸化アンモニウム、30%過酸化水素及び脱イオン水
の溶液である。これは、表面有機皮膜を酸化しそして幾
種かの金属イオンを除去するために約70〜80℃にお
いて使用される。SC−2は、37wt/wt%塩酸、
30%過酸化水素及び脱イオン水の最終洗浄溶液であ
る。これは約75〜80℃において使用される。これら
溶液は、1960年代中にRCA社により最初に開発さ
れそして時として「RCA洗浄液(RCA cleans)」とし
て知られている。このアプローチは、100℃未満の温
度で達成することができ、これは、おおよそ150〜2
00℃の温度に長時間置かれるとウエハ自体において非
制御下でのドープ元素の拡散が起こるので、重要な考慮
事項である。
【0004】こうした液体プロセスは、廃棄物の安全・
環境上の配慮及び水入手性が主たる欠点である点で満足
しうるものでない。加えて、もっと重要な制約は、これ
ら液体薬品の固有の表面張力から生じる。すなわち、液
体は、おおよそ0.3μmより小さな機能部位に侵入す
るのに困難さを有する。最後に、液体プロセスは、液体
洗浄剤を除去するのに乾燥段階を必要とするので、比較
的時間を食う。これは処理量を低いものとする。デバイ
ス及び機能部位寸法はますます減寸される方向にあるの
で、新たなストリッピング及びクリーニング方法が見い
だされねばならない。
環境上の配慮及び水入手性が主たる欠点である点で満足
しうるものでない。加えて、もっと重要な制約は、これ
ら液体薬品の固有の表面張力から生じる。すなわち、液
体は、おおよそ0.3μmより小さな機能部位に侵入す
るのに困難さを有する。最後に、液体プロセスは、液体
洗浄剤を除去するのに乾燥段階を必要とするので、比較
的時間を食う。これは処理量を低いものとする。デバイ
ス及び機能部位寸法はますます減寸される方向にあるの
で、新たなストリッピング及びクリーニング方法が見い
だされねばならない。
【0005】液体クリーニングと関連する問題に対処す
る最も端的・率直なアプローチは気相方法を開発するこ
とである。気体は、スクラビングにより処分が容易であ
り、処理容量が少なく、乾燥段階を必要とせずそして表
面張力の欠点を有しない。このアプローチは「ドライク
リーニング」として知られている。
る最も端的・率直なアプローチは気相方法を開発するこ
とである。気体は、スクラビングにより処分が容易であ
り、処理容量が少なく、乾燥段階を必要とせずそして表
面張力の欠点を有しない。このアプローチは「ドライク
リーニング」として知られている。
【0006】最初、ダストのような汚染物を除去するの
に使用された方法に類似の気相方法が適用された。これ
ら技術は、大気、酸素或いは不活性ガス雰囲気中汚染物
励起のために適用される熱もしくはUVエネルギーを使
用する。米国特許第5,024,968及び5,09
9,557号を参照されたい。残念ながら、これらシス
テムは、ホトレジストもしくは非常に重質の汚染物を除
去するに十分の力を欠いた。
に使用された方法に類似の気相方法が適用された。これ
ら技術は、大気、酸素或いは不活性ガス雰囲気中汚染物
励起のために適用される熱もしくはUVエネルギーを使
用する。米国特許第5,024,968及び5,09
9,557号を参照されたい。残念ながら、これらシス
テムは、ホトレジストもしくは非常に重質の汚染物を除
去するに十分の力を欠いた。
【0007】この問題は、米国特許第5,114,83
4号においてまたWO9507125号において開示さ
れたような様々のエキシマレーザ・ホトレジスト・スト
リッピング・プロセスの使用により部分的に解決され
た。米国特許第5,114,834号は、ホトレジスト
をアブレーション(溶発、熱により溶かし、気化して除
去すること)により除去するのに半導体表面に垂直な角
度でのレーザの適用を教示する。酸素やオゾンのような
反応性気体がアブレーションを受けた物質と反応させる
のに供給されうる。WO9507125号は、ホトレジ
ストの機能部位縁辺をアブレーション(溶発)により除
去するのに半導体表面に好ましくは15度の角度でのレ
ーザの適用を教示する。第1回と第2回との間でディス
クを90度回転させての2回のレーザ適用を使用すべき
であることが推奨されている。米国特許の場合と同じ
く、酸素やオゾンのような反応性気体がアブレーション
を受けた物質と反応させるのに供給されうる。
4号においてまたWO9507125号において開示さ
れたような様々のエキシマレーザ・ホトレジスト・スト
リッピング・プロセスの使用により部分的に解決され
た。米国特許第5,114,834号は、ホトレジスト
をアブレーション(溶発、熱により溶かし、気化して除
去すること)により除去するのに半導体表面に垂直な角
度でのレーザの適用を教示する。酸素やオゾンのような
反応性気体がアブレーションを受けた物質と反応させる
のに供給されうる。WO9507125号は、ホトレジ
ストの機能部位縁辺をアブレーション(溶発)により除
去するのに半導体表面に好ましくは15度の角度でのレ
ーザの適用を教示する。第1回と第2回との間でディス
クを90度回転させての2回のレーザ適用を使用すべき
であることが推奨されている。米国特許の場合と同じ
く、酸素やオゾンのような反応性気体がアブレーション
を受けた物質と反応させるのに供給されうる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
のプロセスは、それらがウエハ表面上に厚さにおいて1
00Å〜200Åのオーダ(1ミクロンのホトレジスト
層に対して)にある炭素の残渣を残す点で満足すべきも
のでない。Srinivasan等は、「J. Appl. Phys.」61(1)
January, (1987)において、炭素源は部分燃焼したアブ
レーションを受けた炭素の再付着からであるとは思われ
ず、レーザ自体の瞬時的な高温(>1000K)及び圧
力(>100atm)から生成されるある型式の灰化
(ashing)によるものであることを教示している。この
残渣を約4Å未満の厚さまで減じないと、次の作製段階
を行うことはできない。UV光及びオゾンによる処理を
使用して炭素残渣を除去する試みは、UV光がオゾンに
より吸収されるので、部分的に不成功に終わった。加え
て、AlやFeのような金属質汚染物残渣もまた、半導
体作製プロセスから生じる。活性塩素ガスがこれら残渣
を除去するのに使用されたが、これはウエハへの損傷を
もたらす。
のプロセスは、それらがウエハ表面上に厚さにおいて1
00Å〜200Åのオーダ(1ミクロンのホトレジスト
層に対して)にある炭素の残渣を残す点で満足すべきも
のでない。Srinivasan等は、「J. Appl. Phys.」61(1)
January, (1987)において、炭素源は部分燃焼したアブ
レーションを受けた炭素の再付着からであるとは思われ
ず、レーザ自体の瞬時的な高温(>1000K)及び圧
力(>100atm)から生成されるある型式の灰化
(ashing)によるものであることを教示している。この
残渣を約4Å未満の厚さまで減じないと、次の作製段階
を行うことはできない。UV光及びオゾンによる処理を
使用して炭素残渣を除去する試みは、UV光がオゾンに
より吸収されるので、部分的に不成功に終わった。加え
て、AlやFeのような金属質汚染物残渣もまた、半導
体作製プロセスから生じる。活性塩素ガスがこれら残渣
を除去するのに使用されたが、これはウエハへの損傷を
もたらす。
【0009】本発明の課題は、基材表面から基材や半導
体基材表面を変質させることなく所望されざる炭素物質
を除去する方法を開発することである。そうした方法は
低温でなければならず(200℃以下)そしてまた厳密
に気相において行わればならない。本発明の別の課題
は、炭素残渣を半導体デバイスにおける次の作製段階が
実施可能であるような程度まで除去することのできる方
法を提供することである。
体基材表面を変質させることなく所望されざる炭素物質
を除去する方法を開発することである。そうした方法は
低温でなければならず(200℃以下)そしてまた厳密
に気相において行わればならない。本発明の別の課題
は、炭素残渣を半導体デバイスにおける次の作製段階が
実施可能であるような程度まで除去することのできる方
法を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は基材表面から炭
素物質を除去する方法である。本方法は、スチーム及び
分子塩素ガスの雰囲気中で基材を加熱することからな
る。好ましい具体例において、加熱は200℃未満の温
度で行われそしてスチーム及び分子塩素ガスは該雰囲気
中で約12:1の比率にある。また別の好ましい具体例
において、基材材料からホトレジストの除去方法を提供
するために、炭素除去処理はホトレジストレーザアブレ
ーション段階と組み合わされる。すなわち、本発明はま
た、 a)基材表面にレーザビームを適用して該基材表面から
炭素残渣の残留を伴ってホトレジストを除去する段階
と、 b)スチーム及び分子塩素ガスの雰囲気中で基材を加熱
することにより前記基材表面から炭素を除去する段階と
を包含する基材表面からホトレジストを除去する方法を
提供する。
素物質を除去する方法である。本方法は、スチーム及び
分子塩素ガスの雰囲気中で基材を加熱することからな
る。好ましい具体例において、加熱は200℃未満の温
度で行われそしてスチーム及び分子塩素ガスは該雰囲気
中で約12:1の比率にある。また別の好ましい具体例
において、基材材料からホトレジストの除去方法を提供
するために、炭素除去処理はホトレジストレーザアブレ
ーション段階と組み合わされる。すなわち、本発明はま
た、 a)基材表面にレーザビームを適用して該基材表面から
炭素残渣の残留を伴ってホトレジストを除去する段階
と、 b)スチーム及び分子塩素ガスの雰囲気中で基材を加熱
することにより前記基材表面から炭素を除去する段階と
を包含する基材表面からホトレジストを除去する方法を
提供する。
【0011】
【発明の実施の形態】本発明は、レーザアブレーション
によりホトレジストを剥離されたSiやGaAsウエハ
の処理と関係する。上述したように、現在のレーザスト
リッピング方法は、それが基板の表面上に約100Åを
超える厚さを有する炭素層を残す点で効果的でない。こ
の層の厚さは、続いてのデバイス作製段階が可能となる
ような程度まで減少されねばならない。すなわち、残留
するわずかの炭素は、SIMS分析により検知し得ない
ような水準になければならない(例えば、炭素は約4Å
の「バックグランド」水準以下でなければならない)。
本発明者が開発したプロセスは、この結果を達成しそし
てウエハをスチームと分子塩素ガスの雰囲気において加
熱することと関与する。
によりホトレジストを剥離されたSiやGaAsウエハ
の処理と関係する。上述したように、現在のレーザスト
リッピング方法は、それが基板の表面上に約100Åを
超える厚さを有する炭素層を残す点で効果的でない。こ
の層の厚さは、続いてのデバイス作製段階が可能となる
ような程度まで減少されねばならない。すなわち、残留
するわずかの炭素は、SIMS分析により検知し得ない
ような水準になければならない(例えば、炭素は約4Å
の「バックグランド」水準以下でなければならない)。
本発明者が開発したプロセスは、この結果を達成しそし
てウエハをスチームと分子塩素ガスの雰囲気において加
熱することと関与する。
【0012】本方法は、次の化学反応を使用する:
【数1】
2Cl2 + 2H2 O + C → 4HCl + CO2
この気相反応は、200℃より低い温度において約1〜
2Å/分の速度において炭素層を除去する能力をもって
いるが故に、本方法に対して重要でありかつ臨界的でも
ある。反応がもっと高い温度で行われるなら、基板材料
は塩素によりエッチングされる。
2Å/分の速度において炭素層を除去する能力をもって
いるが故に、本方法に対して重要でありかつ臨界的でも
ある。反応がもっと高い温度で行われるなら、基板材料
は塩素によりエッチングされる。
【0013】反応は、レーザアブレーションによりホト
レジストを剥離されたウエハ上で行われる。本方法は、
約1ミクロンまでの任意の厚さの炭素残渣を除去するの
に使用することができる。唯一の制約は時間である。本
方法は、2つの方式のいずれかで実施できる。
レジストを剥離されたウエハ上で行われる。本方法は、
約1ミクロンまでの任意の厚さの炭素残渣を除去するの
に使用することができる。唯一の制約は時間である。本
方法は、2つの方式のいずれかで実施できる。
【0014】第1の方法において、反応はレーザストリ
ッピング装置において行われる。この場合、加湿したア
ルゴン混合物が分子塩素とブレンドされそしてガス反応
ボックスに送給される。ただし、反応室が加熱しえずそ
してスチームと塩素との間での光化学的に誘起された副
反応からガス状のHClが形成されるので、装置内で腐
蝕と係る多くの困難さが生じる。
ッピング装置において行われる。この場合、加湿したア
ルゴン混合物が分子塩素とブレンドされそしてガス反応
ボックスに送給される。ただし、反応室が加熱しえずそ
してスチームと塩素との間での光化学的に誘起された副
反応からガス状のHClが形成されるので、装置内で腐
蝕と係る多くの困難さが生じる。
【0015】第2の方法において、反応は図1に詳細を
示す特別に改良された熱炉において行われる。図1に示
すように、石英管1がリンドベルグ(Lindberg)炉2内
に置かれ、炉は最終的に水源、すなわち脱イオン水溜め
3及び塩素源(塩素ボンベ)4に接続される。炉は、漂
遊UV光がガス状HClの形成をもたらす恐れがあるの
で、外部光源に対して遮蔽される。全般的プロセスにつ
いて説明する。
示す特別に改良された熱炉において行われる。図1に示
すように、石英管1がリンドベルグ(Lindberg)炉2内
に置かれ、炉は最終的に水源、すなわち脱イオン水溜め
3及び塩素源(塩素ボンベ)4に接続される。炉は、漂
遊UV光がガス状HClの形成をもたらす恐れがあるの
で、外部光源に対して遮蔽される。全般的プロセスにつ
いて説明する。
【0016】制御された量の脱イオン水が、脱イオン水
溜め3から弁5を介して3方ニードル弁6に流れる。こ
の点で、脱イオン水は、源7から供給されそして弁8に
より制御された不活性キャリヤガス(窒素)と混合され
る。水がステンレス鋼製コイル9内で蒸発せしめられそ
してキャリヤガスにより3方弁10を経て連行され、そ
して3方弁11を経て調量された、源4からの塩素ガス
とブレンドされる。ブレンドは管路12において起こ
り、従って管路12は腐食を防止するようにテフロン
(デュポン社の商標)製とすべきである。3方弁11の
使用は、3つの理由のために有益である。第1に、それ
は、スチーム発生の確認を可能とする。第2に、それ
は、ウエハ処理プロセスへのスチームの適用を制御す
る。そして、第3に、それは、サンプルウエハを交換す
る時に中断のないスチーム発生を可能ならしめる。
溜め3から弁5を介して3方ニードル弁6に流れる。こ
の点で、脱イオン水は、源7から供給されそして弁8に
より制御された不活性キャリヤガス(窒素)と混合され
る。水がステンレス鋼製コイル9内で蒸発せしめられそ
してキャリヤガスにより3方弁10を経て連行され、そ
して3方弁11を経て調量された、源4からの塩素ガス
とブレンドされる。ブレンドは管路12において起こ
り、従って管路12は腐食を防止するようにテフロン
(デュポン社の商標)製とすべきである。3方弁11の
使用は、3つの理由のために有益である。第1に、それ
は、スチーム発生の確認を可能とする。第2に、それ
は、ウエハ処理プロセスへのスチームの適用を制御す
る。そして、第3に、それは、サンプルウエハを交換す
る時に中断のないスチーム発生を可能ならしめる。
【0017】スチームとの混合に先立って、塩素ガスは
凝縮を防止するために加熱される。これは、温度検出器
13及び可変電流制御器(VARIAC AC controller)14
により制御される。
凝縮を防止するために加熱される。これは、温度検出器
13及び可変電流制御器(VARIAC AC controller)14
により制御される。
【0018】合流された水蒸気/分子塩素ガス流れ15
は、ウエハ16を処理するべく石英管1内に導入され
る。処理後の凝縮液は汚染を回避するためにウエハから
離してドレン17に排出される。この装置の主たる利点
は、第1の方法において記載したレーザストリッピング
装置より格段に安くそして保守が容易なことである。
は、ウエハ16を処理するべく石英管1内に導入され
る。処理後の凝縮液は汚染を回避するためにウエハから
離してドレン17に排出される。この装置の主たる利点
は、第1の方法において記載したレーザストリッピング
装置より格段に安くそして保守が容易なことである。
【0019】スチーム−塩素反応は100℃を超えて2
00℃未満で行われるべきである。100℃以下の温度
では、スチームがウエハを損傷する液体相に凝縮する。
前にも述べたように、200を超える温度では、イオン
ドープ元素(BやAsのような)の基板中への拡散が起
こりうる。
00℃未満で行われるべきである。100℃以下の温度
では、スチームがウエハを損傷する液体相に凝縮する。
前にも述べたように、200を超える温度では、イオン
ドープ元素(BやAsのような)の基板中への拡散が起
こりうる。
【0020】1リットル/分(標準状態)の流量におい
て12:1のスチーム対分子塩素モル比が、最適の結果
を与えることが判明したので、最も好ましい。しかし、
1:1〜15:1の範囲の比率も使用することができる
が、ただし、反応速度の低下をもたらし、処理時間を延
長しそして基板エッチングが起こる量を増大する可能性
がある。12:1の比率が、それを超えると、反応が1
〜2Å/分の炭素が除去されるように至当な速度で進行
するためには大量の過剰の水が必要とされるので最適で
ある。更に、12:1を超える比率では、処理時間が許
容しえない程度にまで塩素が稀釈される。
て12:1のスチーム対分子塩素モル比が、最適の結果
を与えることが判明したので、最も好ましい。しかし、
1:1〜15:1の範囲の比率も使用することができる
が、ただし、反応速度の低下をもたらし、処理時間を延
長しそして基板エッチングが起こる量を増大する可能性
がある。12:1の比率が、それを超えると、反応が1
〜2Å/分の炭素が除去されるように至当な速度で進行
するためには大量の過剰の水が必要とされるので最適で
ある。更に、12:1を超える比率では、処理時間が許
容しえない程度にまで塩素が稀釈される。
【0021】また、最も好ましい流量は約1リットル/
分(標準状態)であるが、もっと低い流量も、除去時間
を増大するが、使用可能である。20リットル/分(標
準状態)までのもっと高い流量は除去速度をある程度ま
で増大するが、維持することが一層困難となる。
分(標準状態)であるが、もっと低い流量も、除去時間
を増大するが、使用可能である。20リットル/分(標
準状態)までのもっと高い流量は除去速度をある程度ま
で増大するが、維持することが一層困難となる。
【0022】最も好ましい条件は次の通りである:
温度:110〜200℃、好ましくは150℃
ブレンド比:1:1〜15:1、好ましくは12:1(モル)スチーム:塩素
流量:100〜30,000cc/分、好ましくは1200cc/分スチーム
50〜1500cc/分、好ましくは100cc/分塩素
50〜1000cc/分、好ましくは50cc/分キャリヤ(N2 )
炭素除去速度:約1〜2Å/分
【0023】キャリヤガスは、炉を通してのスチームの
移動を促進するために使用されそしてN2 、Ar、空気
のようなスチーム/塩素反応に不活性である任意のガス
でありうる。
移動を促進するために使用されそしてN2 、Ar、空気
のようなスチーム/塩素反応に不活性である任意のガス
でありうる。
【0024】この反応の他の可能な用途としてグラファ
イトやダイヤモンド層を有するウエハ並びに全体をこれ
ら材料から成る基板の目的下でのエッチング及び表面調
整を挙げることができることを銘記されたい。これら用
途においては、反応温度は上述した最適範囲に限定され
ない。反応は、基材材料から炭素を基材をエッチングす
るように除去するのに使用される。加えて、プロセス
は、半導体デバイス処理から生じるAlやFeのような
微量の汚染物元素の基材からの除去にも使用することが
できる。
イトやダイヤモンド層を有するウエハ並びに全体をこれ
ら材料から成る基板の目的下でのエッチング及び表面調
整を挙げることができることを銘記されたい。これら用
途においては、反応温度は上述した最適範囲に限定され
ない。反応は、基材材料から炭素を基材をエッチングす
るように除去するのに使用される。加えて、プロセス
は、半導体デバイス処理から生じるAlやFeのような
微量の汚染物元素の基材からの除去にも使用することが
できる。
【0025】
【発明の効果】基材表面から基材や半導体基材表面を変
質させることなく所望されざる炭素物質を除去すること
ができる。基材材料からホトレジストの除去方法を提供
するために、ホトレジストレーザアブレーション段階と
組み合わせることができる。
質させることなく所望されざる炭素物質を除去すること
ができる。基材材料からホトレジストの除去方法を提供
するために、ホトレジストレーザアブレーション段階と
組み合わせることができる。
【0026】本発明の特定の特徴を便宜目的で図面にお
いて例示したが、各特徴は本発明に従う他の特徴と組み
合わせることができる。本発明の範囲内で、別の具体例
も当業者には認識されよう。
いて例示したが、各特徴は本発明に従う他の特徴と組み
合わせることができる。本発明の範囲内で、別の具体例
も当業者には認識されよう。
【図1】ストリッピングプロセスにおいてレーザの適用
後残留する炭素残渣を除去するのに使用される設備の概
略流れ図である。
後残留する炭素残渣を除去するのに使用される設備の概
略流れ図である。
1 石英管
2 リンドベルグ炉
3 水源(脱イオン水溜め)
4 塩素源(塩素ボンベ)
5 弁
6 3方ニードル弁
7 不活性キャリヤガス源
8 弁
9 ステンレス鋼製コイル
10 3方弁
11 3方弁
12 管路
13 温度検出器
14 可変電流制御器
15 水蒸気/分子塩素ガス流れ
16 ウエハ
17 ドレン
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 マイケル・マーク・リットウィン
アメリカ合衆国ニューヨーク州チークト
ワーガ、ジョージ・アーバン・ブールバ
ード346
(72)発明者 ケビン・ブルース・アルボー
アメリカ合衆国テキサス州マッキニー、
クリークベンド・ドライブ2816
(56)参考文献 特開 平2−183528(JP,A)
特開 平6−5563(JP,A)
特開 平5−13386(JP,A)
実開 昭62−128629(JP,U)
国際公開96/6694(WO,A1)
(58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名)
H01L 21/3065
H01L 21/027
H01L 21/304 645
Claims (3)
- 【請求項1】 基材表面から炭素を除去する方法であっ
て、1:1〜15:1のモル比で混合したスチーム及び
分子塩素ガスの雰囲気中で基材を加熱することを包含す
る炭素除去方法。 - 【請求項2】 基材表面からホトレジストを除去する方
法であって、 a)基材表面にレーザビームを適用して該基材表面から
炭素残渣の残留を伴ってホトレジストを除去する段階
と、 b)1:1〜15:1のモル比で混合したスチーム及び
分子塩素ガスの雰囲気中で基材を加熱することにより前
記基材表面から炭素を除去する段階とを包含する基材表
面からホトレジストを除去する方法。 - 【請求項3】 UV光線の不在下に実施される請求項1
又は2の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US625673 | 1996-03-29 | ||
US08/625,673 US5998305A (en) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | Removal of carbon from substrate surfaces |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1032193A JPH1032193A (ja) | 1998-02-03 |
JP3367859B2 true JP3367859B2 (ja) | 2003-01-20 |
Family
ID=24507098
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP09288797A Expired - Fee Related JP3367859B2 (ja) | 1996-03-29 | 1997-03-28 | 基材表面からの炭素の除去 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5998305A (ja) |
EP (1) | EP0798767B1 (ja) |
JP (1) | JP3367859B2 (ja) |
KR (1) | KR100356567B1 (ja) |
CN (1) | CN1113393C (ja) |
DE (1) | DE69726634T2 (ja) |
ID (1) | ID18292A (ja) |
IL (1) | IL120522A (ja) |
Families Citing this family (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6303488B1 (en) | 1997-02-12 | 2001-10-16 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods of forming openings to devices and substrates, exposing material from which photoresist cannot be substantially selectively removed |
US6551409B1 (en) * | 1997-02-14 | 2003-04-22 | Interuniversitair Microelektronica Centrum, Vzw | Method for removing organic contaminants from a semiconductor surface |
US6146541A (en) * | 1997-05-02 | 2000-11-14 | Motorola, Inc. | Method of manufacturing a semiconductor device that uses a calibration standard |
US6465374B1 (en) | 1997-10-21 | 2002-10-15 | Fsi International, Inc. | Method of surface preparation |
CN1071713C (zh) * | 1998-11-11 | 2001-09-26 | 华南师范大学华南量子电子学研究所 | 砷化镓、磷化镓衬底干处理方法 |
US6495468B2 (en) | 1998-12-22 | 2002-12-17 | Micron Technology, Inc. | Laser ablative removal of photoresist |
US6261978B1 (en) * | 1999-02-22 | 2001-07-17 | Motorola, Inc. | Process for forming semiconductor device with thick and thin films |
JP2001252550A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-18 | Yokogawa Electric Corp | 水蒸気供給装置 |
TW465022B (en) * | 2000-10-26 | 2001-11-21 | United Microelectronics Corp | Method for peeling off the dielectric film |
WO2002097864A2 (en) * | 2001-05-30 | 2002-12-05 | Asm America, Inc | Low temperature load and bake |
US6838395B1 (en) * | 2002-12-30 | 2005-01-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating a semiconductor crystal |
KR20090130197A (ko) | 2005-11-23 | 2009-12-18 | 에프 에스 아이 인터내셔날,인코포레이티드 | 기판으로부터의 물질 제거 공정 |
US8278176B2 (en) | 2006-06-07 | 2012-10-02 | Asm America, Inc. | Selective epitaxial formation of semiconductor films |
US7789965B2 (en) | 2006-09-19 | 2010-09-07 | Asm Japan K.K. | Method of cleaning UV irradiation chamber |
US20080078424A1 (en) * | 2006-09-28 | 2008-04-03 | Applied Materials, Inc. | Methods to accelerate photoimageable material stripping from a substrate |
KR101532224B1 (ko) * | 2007-05-18 | 2015-06-30 | 티이엘 에프에스아이, 인코포레이티드 | 수증기 또는 스팀을 이용하여 기판을 처리하는 방법 |
US7759199B2 (en) | 2007-09-19 | 2010-07-20 | Asm America, Inc. | Stressor for engineered strain on channel |
US7871937B2 (en) | 2008-05-16 | 2011-01-18 | Asm America, Inc. | Process and apparatus for treating wafers |
DE102009015712A1 (de) * | 2009-03-31 | 2010-10-14 | Globalfoundries Dresden Module One Llc & Co. Kg | Materialentfernung in Halbleiterbauelementen durch Verdampfen |
US8367528B2 (en) | 2009-11-17 | 2013-02-05 | Asm America, Inc. | Cyclical epitaxial deposition and etch |
US9885123B2 (en) | 2011-03-16 | 2018-02-06 | Asm America, Inc. | Rapid bake of semiconductor substrate with upper linear heating elements perpendicular to horizontal gas flow |
US8809170B2 (en) | 2011-05-19 | 2014-08-19 | Asm America Inc. | High throughput cyclical epitaxial deposition and etch process |
US9169155B2 (en) * | 2012-05-03 | 2015-10-27 | Guardian Industries Corp. | Method and apparatus for making vacuum insulated glass (VIG) window unit including cleaning cavity thereof |
US8871108B2 (en) | 2013-01-22 | 2014-10-28 | Tel Fsi, Inc. | Process for removing carbon material from substrates |
US9017934B2 (en) | 2013-03-08 | 2015-04-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist defect reduction system and method |
US10224224B2 (en) | 2017-03-10 | 2019-03-05 | Micromaterials, LLC | High pressure wafer processing systems and related methods |
US10622214B2 (en) | 2017-05-25 | 2020-04-14 | Applied Materials, Inc. | Tungsten defluorination by high pressure treatment |
US10847360B2 (en) | 2017-05-25 | 2020-11-24 | Applied Materials, Inc. | High pressure treatment of silicon nitride film |
KR102574914B1 (ko) * | 2017-06-02 | 2023-09-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 보론 카바이드 하드마스크의 건식 스트리핑 |
US10269571B2 (en) | 2017-07-12 | 2019-04-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for fabricating nanowire for semiconductor applications |
US10234630B2 (en) | 2017-07-12 | 2019-03-19 | Applied Materials, Inc. | Method for creating a high refractive index wave guide |
US10179941B1 (en) | 2017-07-14 | 2019-01-15 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery system for high pressure processing chamber |
WO2019036157A1 (en) | 2017-08-18 | 2019-02-21 | Applied Materials, Inc. | HIGH PRESSURE AND HIGH TEMPERATURE RECOVERY CHAMBER |
US10276411B2 (en) | 2017-08-18 | 2019-04-30 | Applied Materials, Inc. | High pressure and high temperature anneal chamber |
US11177128B2 (en) | 2017-09-12 | 2021-11-16 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for manufacturing semiconductor structures using protective barrier layer |
US10643867B2 (en) | 2017-11-03 | 2020-05-05 | Applied Materials, Inc. | Annealing system and method |
EP4321649A3 (en) | 2017-11-11 | 2024-05-15 | Micromaterials LLC | Gas delivery system for high pressure processing chamber |
CN111373519B (zh) | 2017-11-16 | 2021-11-23 | 应用材料公司 | 高压蒸气退火处理设备 |
CN111432920A (zh) | 2017-11-17 | 2020-07-17 | 应用材料公司 | 用于高压处理系统的冷凝器系统 |
JP7299898B2 (ja) | 2018-01-24 | 2023-06-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 高圧アニールを用いたシーム修復 |
SG11202008256WA (en) | 2018-03-09 | 2020-09-29 | Applied Materials Inc | High pressure annealing process for metal containing materials |
US10714331B2 (en) | 2018-04-04 | 2020-07-14 | Applied Materials, Inc. | Method to fabricate thermally stable low K-FinFET spacer |
US10950429B2 (en) | 2018-05-08 | 2021-03-16 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming amorphous carbon hard mask layers and hard mask layers formed therefrom |
US10566188B2 (en) | 2018-05-17 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Method to improve film stability |
US10704141B2 (en) | 2018-06-01 | 2020-07-07 | Applied Materials, Inc. | In-situ CVD and ALD coating of chamber to control metal contamination |
US10748783B2 (en) | 2018-07-25 | 2020-08-18 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery module |
US10675581B2 (en) | 2018-08-06 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Gas abatement apparatus |
JP7179172B6 (ja) | 2018-10-30 | 2022-12-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体用途の構造体をエッチングするための方法 |
KR20210077779A (ko) | 2018-11-16 | 2021-06-25 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 강화된 확산 프로세스를 사용한 막 증착 |
WO2020117462A1 (en) | 2018-12-07 | 2020-06-11 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system |
US11901222B2 (en) | 2020-02-17 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Multi-step process for flowable gap-fill film |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4028135A (en) * | 1976-04-22 | 1977-06-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of cleaning surfaces by irradiation with ultraviolet light |
JPS5374373A (en) * | 1976-12-15 | 1978-07-01 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
US5298112A (en) * | 1987-08-28 | 1994-03-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for removing composite attached to material by dry etching |
IL84255A (en) * | 1987-10-23 | 1993-02-21 | Galram Technology Ind Ltd | Process for removal of post- baked photoresist layer |
US5821175A (en) * | 1988-07-08 | 1998-10-13 | Cauldron Limited Partnership | Removal of surface contaminants by irradiation using various methods to achieve desired inert gas flow over treated surface |
US5099557A (en) * | 1988-07-08 | 1992-03-31 | Engelsberg Audrey C | Removal of surface contaminants by irradiation from a high-energy source |
US5024968A (en) * | 1988-07-08 | 1991-06-18 | Engelsberg Audrey C | Removal of surface contaminants by irradiation from a high-energy source |
JP2890432B2 (ja) * | 1989-01-10 | 1999-05-17 | 富士通株式会社 | 有機物の灰化方法 |
EP0396010A3 (en) * | 1989-05-05 | 1991-03-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for monitoring growth and etch rates of materials |
US5151135A (en) * | 1989-09-15 | 1992-09-29 | Amoco Corporation | Method for cleaning surfaces using UV lasers |
US5443942A (en) * | 1990-11-28 | 1995-08-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for removing resist |
US5236512A (en) * | 1991-08-14 | 1993-08-17 | Thiokol Corporation | Method and apparatus for cleaning surfaces with plasma |
US5326426A (en) * | 1991-11-14 | 1994-07-05 | Tam Andrew C | Undercut membrane mask for high energy photon patterning |
JPH07109825B2 (ja) * | 1992-01-13 | 1995-11-22 | 富士通株式会社 | 半導体基板表面もしくは薄膜表面のドライ洗浄法 |
US5254176A (en) * | 1992-02-03 | 1993-10-19 | Tokyo Electron Limited | Method of cleaning a process tube |
JPH05307437A (ja) | 1992-04-28 | 1993-11-19 | Nhk Spring Co Ltd | ポインティングデバイス |
JPH0737807A (ja) * | 1993-07-21 | 1995-02-07 | Hitachi Ltd | 原子、分子線による表面処理方法およびその装置 |
AU7682594A (en) * | 1993-09-08 | 1995-03-27 | Uvtech Systems, Inc. | Surface processing |
-
1996
- 1996-03-29 US US08/625,673 patent/US5998305A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-03-25 IL IL12052297A patent/IL120522A/xx not_active IP Right Cessation
- 1997-03-27 ID IDP971042A patent/ID18292A/id unknown
- 1997-03-28 KR KR1019970011020A patent/KR100356567B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-03-28 DE DE69726634T patent/DE69726634T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-03-28 EP EP97105319A patent/EP0798767B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-03-28 JP JP09288797A patent/JP3367859B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-03-28 CN CN97110296A patent/CN1113393C/zh not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-11-05 US US09/434,307 patent/US6242368B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1032193A (ja) | 1998-02-03 |
EP0798767A2 (en) | 1997-10-01 |
CN1113393C (zh) | 2003-07-02 |
CN1166051A (zh) | 1997-11-26 |
DE69726634T2 (de) | 2004-09-30 |
IL120522A0 (en) | 1997-07-13 |
EP0798767B1 (en) | 2003-12-10 |
KR100356567B1 (ko) | 2002-12-18 |
KR970067682A (ko) | 1997-10-13 |
EP0798767A3 (en) | 1998-03-11 |
IL120522A (en) | 2003-09-17 |
US5998305A (en) | 1999-12-07 |
ID18292A (id) | 1998-03-26 |
US6242368B1 (en) | 2001-06-05 |
DE69726634D1 (de) | 2004-01-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3367859B2 (ja) | 基材表面からの炭素の除去 | |
JP3515521B2 (ja) | 半導体ウェーハなどのワークピースの処理方法および処理装置 | |
JP2731750B2 (ja) | エッチング残留物除去方法 | |
US6692903B2 (en) | Substrate cleaning apparatus and method | |
EP0867924B1 (en) | Method for removing organic contaminants from a semiconductor surface | |
US6242165B1 (en) | Supercritical compositions for removal of organic material and methods of using same | |
US5925577A (en) | Method for forming via contact hole in a semiconductor device | |
JP2000012514A (ja) | 後処理方法 | |
US20060137717A1 (en) | Method for removing impurities grown on a phase shift mask | |
JP2006261685A (ja) | 半導体ウエハ等のワークピースを処理するための方法及び装置 | |
US6277204B1 (en) | Methods for cleaning wafers used in integrated circuit devices | |
JP2002110611A (ja) | 半導体ウェハの洗浄方法及び装置 | |
JP3101975B2 (ja) | シリコンからのSiO2/金属の気相除去 | |
CN100468652C (zh) | 在半导体基底的金属结构表面去除残余物的方法 | |
KR20050032943A (ko) | 반도체의 제조를 위한 세정방법 및 세정장치 | |
JPH01200628A (ja) | ドライエッチング方法 | |
JPH0748481B2 (ja) | シリコン層上の被膜除去方法 | |
JPH0547741A (ja) | 基板表面の酸化膜の除去方法 | |
JPH07153737A (ja) | シリコン自然酸化膜の選択的除去方法 | |
US20070240826A1 (en) | Gas supply device and apparatus for gas etching or cleaning substrates | |
JPH02135732A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
Ruzyllo et al. | Evolution of silicon cleaning technology over the last twenty years | |
KR100220952B1 (ko) | 반도체소자의 세정 방법 | |
JPS61222227A (ja) | 半導体基板の表面処理方法 | |
JPH09270420A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020122 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20021008 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |