JP2021181593A - 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法、蒸着方法、有機半導体素子の製造方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】樹脂マスクと金属層とが積層された蒸着マスクを安定して製造することが可能な蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法、有機ＥＬ表示装置の製造方法及び蒸着方法を提供する。【解決手段】蒸着マスクの製造方法は、支持基板５１を準備する工程と、支持基板５１上に樹脂層３０Ａを形成する工程と、樹脂層３０Ａ上にシード層５３を形成する工程と、シード層５３上に、レジスト開口部５６ｂを有するめっき用レジスト層５６を形成する工程と、めっき用レジスト層５６に覆われた樹脂層３０Ａに対して電解めっきを施すことにより、シード層５３上であってレジスト開口部５６ｂの内部に金属を析出させ、金属層２０を形成する工程と、を備えている。金属層２０の中央部２２の厚みＴ１ａは、めっき用レジスト層５６の厚みＴ５未満であり、金属層２０の外周部２３の厚みＴ１ｂは、めっき用レジスト層５６の厚みＴ５以下である。【選択図】図７

Description

本実施の形態は、蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法、蒸着方法、有機半導体素子の製造方法及び有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。

有機ＥＬ素子を用いた製品の大型化あるいは基板サイズの大型化にともない、蒸着マスクに対しても大型化の要請が高まりつつある。そして、金属から構成される蒸着マスクの製造に用いられる金属板も大型化している。

このような状況下、特許文献１には、樹脂マスクと金属マスクとが積層された積層型の蒸着マスクが提案されている。

特開２０１３−２４５３９２号公報

本開示は、樹脂マスクと金属層とが積層された蒸着マスクを安定して製造することが可能な蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法、有機ＥＬ表示装置の製造方法及び蒸着方法を提供する。

本実施の形態による蒸着マスクの製造方法は、支持基板を準備する工程と、前記支持基板上に樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層上にシード層を形成する工程と、前記シード層上に、レジスト開口部を有するめっき用レジスト層を形成する工程と、前記めっき用レジスト層に覆われた前記樹脂層に対して電解めっきを施すことにより、前記シード層上であって前記レジスト開口部の内部に金属を析出させ、金属層を形成する工程と、を備え、前記金属層の中央部の厚みは、前記めっき用レジスト層の厚み未満であり、前記金属層の外周部の厚みは、前記めっき用レジスト層の厚み以下である。

本実施の形態による蒸着マスクの製造方法において、前記電解めっきを施す際、前記金属層を析出するための通電部は、互いに対向する位置に複数設けられてもよい。

本実施の形態による蒸着マスクの製造方法において、前記電解めっきを施す際、前記金属層を析出するための通電部の位置を、処理時間の経過とともに変更してもよい。

本実施の形態による蒸着マスクの製造方法において、前記電解めっきを施す際、パルスめっき又はパルスリバースめっきが用いられてもよい。

本実施の形態による蒸着マスクの製造方法において、前記電解めっきを施す際、前記レジスト開口部の上を通過するように電解めっき液中で噴流を生じさせてもよい。

本実施の形態による蒸着マスクの製造方法において、前記シード層はニッケルを含み、かつ前記シード層のリンの含有率が１質量％以上５質量％以下であってもよい。

本実施の形態による蒸着マスクの製造方法において、前記金属層の前記中央部の厚みは、前記金属層の前記外周部の厚みの８０％以上であり、かつ前記金属層の前記外周部の厚みよりも薄くてもよい。

本実施の形態による蒸着マスクの製造方法において、前記樹脂層を構成する樹脂層形成用組成物は、シリカ粒子を含んでもよい。

本実施の形態による蒸着マスクの製造方法は、支持基板を準備する工程と、前記支持基板上に樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層上にシード層を形成する工程と、前記シード層上に、レジスト開口部を有するめっき用レジスト層を形成する工程と、前記めっき用レジスト層に覆われた前記樹脂層に対して電解めっきを施すことにより、前記シード層上であって前記レジスト開口部の内部に金属を析出させ、金属層を形成する工程と、支持体を前記金属層に固定する工程と、前記樹脂層から前記支持基板を除去する工程と、前記樹脂層に、蒸着作製するパターンに対応した複数の開口部を形成する工程と、を備えている。

本実施の形態による蒸着マスクの製造方法において、前記樹脂層に存在する樹脂の不要物を除去する工程を更に備えてもよい。

本実施の形態による蒸着マスクの製造方法において、前記支持体を前記金属層に固定する際、複数の溶接ヘッドを備えるレーザー溶接装置を用いて前記支持体を前記金属層に溶接してもよい。

本実施の形態による蒸着マスクの製造方法において、前記樹脂層から前記支持基板を除去する際、前記支持基板の、前記樹脂層が形成されていない側から前記支持基板の一部に選択的にレーザー光を照射することにより、前記支持基板と前記樹脂層とを分離してもよい。

本実施の形態による蒸着マスクの製造方法において、前記金属層を前記支持体に接合した後、前記支持体の内側に支持部材を設け、前記支持部材によって前記金属層及び前記樹脂層を支持してもよい。

本実施の形態による蒸着マスクは、金属層と、前記金属層に積層され、蒸着作製するパターンに対応した複数の開口部が設けられた樹脂マスクと、を備え、前記金属層の中央部の厚みは、前記金属層の外周部の厚みの８０％以上であり、かつ前記金属層の前記外周部の厚みよりも薄い。

本実施の形態による蒸着マスクにおいて、前記金属層の前記外周部の厚みは、１５μｍ以下であり、前記金属層の中央部の厚みは、１２μｍ以下であり、前記樹脂マスクの厚みは、５μｍ以下であり、前記金属層及び前記樹脂マスクの合計の厚みは、２０μｍ以下であってもよい。

本実施の形態による蒸着方法は、本実施の形態による蒸着マスクを準備する工程と、蒸着対象物を準備する工程と、前記蒸着対象物を前記蒸着マスク上に設置する工程と、前記蒸着マスク上に設置された前記蒸着対象物に蒸着材料を蒸着させる工程と、を備えている。

本実施の形態による蒸着方法は、本実施の形態による蒸着マスクの製造方法によって製造された蒸着マスクを準備する工程と、蒸着対象物を準備する工程と、前記蒸着対象物を前記蒸着マスク上に設置する工程と、前記蒸着マスク上に設置された前記蒸着対象物に蒸着材料を蒸着させる工程と、を備えている。

本実施の形態による蒸着方法において、前記蒸着マスクを溶剤により洗浄する工程と、洗浄後の前記蒸着マスクを真空乾燥する工程と、を更に備えてもよい。

本実施の形態による蒸着方法において、乾燥後の前記蒸着マスクの精度を測定する工程を更に備えてもよい。

本実施の形態による有機ＥＬ表示装置の製造方法は、有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、本実施の形態による蒸着マスクを用いて蒸着対象物に蒸着パターンを形成する工程を備えている。

本実施の形態による有機ＥＬ表示装置の製造方法は、有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、本実施の形態による蒸着マスクの製造方法によって製造された蒸着マスクを用いて蒸着対象物に蒸着パターンを形成する工程を備えている。

本実施の形態による有機半導体素子の製造方法は、有機半導体素子の製造方法であって、本実施の形態による蒸着マスクを用いて蒸着対象物に蒸着パターンを形成する工程を備えている。

本実施の形態による有機半導体素子の製造方法は、有機半導体素子の製造方法であって、本実施の形態による蒸着マスクの製造方法によって製造された蒸着マスクを用いて蒸着対象物に蒸着パターンを形成する工程を備えている。

本実施の形態によれば、樹脂マスクと金属層とが積層された蒸着マスクを安定して製造することができる。

図１は、一実施の形態による蒸着マスクを示す平面図である。 図２は、一実施の形態による蒸着マスクを示す断面図（図１のII−II線断面図）である。 図３（ａ）−（ｃ）は、金属層の各変形例を示す部分拡大平面図である。 図４は、一実施の形態による蒸着マスクにおける膜厚の測定点を示す平面図である。 図５（ａ）−（ｃ）は、蒸着マスクの周縁の各変形例を示す部分拡大断面図である。 図６（ａ）、（ｂ）は、支持体の各変形例を示す平面図である。 図７（ａ）−（ｆ）は、一実施の形態による蒸着マスクの製造方法の一部を示す断面図である。 図８（ａ）−（ｅ）は、一実施の形態による蒸着マスクの製造方法の一部を示す断面図である。 図９は、樹脂層形成工程の変形例を示す断面図である。 図１０（ａ）、（ｂ）は、無電解めっき工程の変形例を示す断面図である。 図１１（ａ）−（ｄ）は、電解めっき工程の変形例を示す平面図である。 図１２（ａ）−（ｄ）は、電解めっき工程における各種パルスの変形例を示すグラフである。 図１３は、電解めっき工程におけるめっき用レジスト層のレジスト開口部を示す部分拡大断面図である。 図１４（ａ）、（ｂ）は、それぞれ支持体接合工程の変形例を示す平面図及び断面図（図１４（ａ）のXIVB−XIVB線断面図）である。 図１５は、デスミア工程における樹脂層の第２開口部を示す部分拡大断面図である。 図１６は、蒸着装置を示す概略図である。 図１７は、蒸着マスクを用いて作製された有機ＥＬ表示装置を示す概略図である。 図１８（ａ）−（ｃ）は、蒸着マスクを用いた有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す概略図である。

以下、図面を参照しながら各実施の形態について説明する。以下に示す各図は、模式的に示したものである。そのため、各部の大きさ、形状は理解を容易にするために、適宜誇張している。また、技術思想を逸脱しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。なお、以下に示す各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。また、本明細書中に記載する各部材の寸法等の数値及び材料名は、実施の形態としての一例であり、これに限定されるものではなく、適宜選択して使用することができる。本明細書において、形状や幾何学的条件を特定する用語、例えば平行や直交、垂直等の用語については、厳密に意味するところに加え、実質的に同じ状態も含むものとする。

本明細書中、Ｘ方向、Ｙ方向とは、蒸着マスク１０の各辺に平行な二方向であり、Ｘ方向とＹ方向とは互いに直交している。また、Ｚ方向は、Ｘ方向及びＹ方向の両方に対して垂直な方向である。また、「内」、「内側」とは、蒸着マスク１０の中心方向を向く側をいい、「外」、「外側」とは、蒸着マスク１０の中心から離れる側をいう。

まず、図１乃至図１８により、一実施の形態について説明する。図１乃至図１８は本実施の形態を示す図である。

（蒸着マスクの構成）
本実施の形態による蒸着マスクの構成について、図１及び図２を用いて説明する。なお、ここで説明する蒸着マスクは、以下で説明する形態に限定されるものではなく、金属層と、金属層に積層され、蒸着作製するパターンに対応する開口部（第２開口部）が形成された樹脂マスクとが積層されているものであれば、いかなる形態であってもよい。この蒸着マスクは、後述する蒸着マスクの製造方法によって製造されていてもよく、他の方法で製造されていてもよい。

図１及び図２に示すように、本実施の形態による蒸着マスク１０は、複数画面分の蒸着パターンを同時に形成するための蒸着マスクである。この蒸着マスク１０は、第１開口部２１が設けられた金属層２０と、金属層２０に積層され、蒸着作製するパターンに対応した複数の第２開口部３１が設けられた樹脂マスク３０とを備えている。金属層２０には、支持体４０が固定されている。

この蒸着マスク１０は、複数画面分の蒸着パターンを同時に形成するために用いられるものであり、１つの蒸着マスク１０で、複数の製品に対応する蒸着パターンを同時に形成することができる。ここで「第２開口部」とは、蒸着マスク１０を用いて作製しようとするパターンを意味し、例えば、当該蒸着マスクを有機ＥＬディスプレイにおける有機層の形成に用いる場合には、第２開口部３１の形状は当該有機層の形状となる。また、「１画面」とは、１つの製品に対応する第２開口部３１の集合体からなり、当該１つの製品が有機ＥＬディスプレイである場合には、１つの有機ＥＬディスプレイを形成するのに必要な有機層の集合体、つまり、有機層となる第２開口部３１の集合体が「１画面」となる。なお、１画面となる領域のことを「有効部」ともいう。そして、蒸着マスク１０は、複数画面分の蒸着パターンを同時に形成すべく、樹脂マスク３０には、上記「１画面」が、所定の間隔を空けて複数画面分配置されている。すなわち、樹脂マスク３０には、複数画面を構成するために必要な第２開口部３１が設けられている。

蒸着マスク１０の各辺の長さは、特に制限はないが、例えば５００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下としても良く、８００ｍｍ以上１６００ｍｍ以下としても良い。

金属層２０は、中央部２２と外周部２３とを有している。中央部２２は、蒸着マスク１０の内側に位置する領域であり、平面視で支持体４０よりも内側に位置する領域をいう。この場合、中央部２２は、その各辺がＸ方向及びＹ方向にそれぞれ延びる長方形形状を有している。外周部２３は、中央部２２の外周に位置する領域であり、平面視で枠状（四角い環状）に形成されている。外周部２３は、平面視で支持体４０と重なる領域、及び（存在する場合には）支持体４０よりも外側に位置する領域をいう。なお、図１において、中央部２２と外周部２３との境界を二点鎖線で示している。

金属層２０は、樹脂マスク３０の一方の面（Ｚ方向マイナス側の面）に設けられている。この金属層２０は、マスクとしての機能を有する金属マスクであっても良く、マスクとしての機能を有していないものであってもよい。金属層２０は、その各辺がＸ方向及びＹ方向にそれぞれ延びる長方形形状を有している。また金属層２０には、Ｘ方向及び／又はＹ方向に延びる複数の第１開口部２１が形成されている。第１開口部２１は、樹脂マスク３０と重なる位置に設けられている。この場合、平面視で、１つの第１開口部２１の内側に１つの第２開口部３１が配置されている。

第１開口部２１の配置例については特に限定はなく、第１開口部２１が、Ｘ方向及びＹ方向に複数列配置されていてもよく、Ｘ方向に延びる第１開口部２１が、Ｙ方向に複数列配置されていてもよく、Ｙ方向に延びる第１開口部２１がＸ方向に複数列配置されていてもよい。また、第１開口部２１が、Ｘ方向あるいはＹ方向に１列のみ配置されていてもよい。第１開口部２１及び第２開口部３１が千鳥状に配置されていても良い（図３（ａ）参照）。また平面視で、１つの第１開口部２１の内側に複数の第２開口部３１が配置されていても良い。例えば、第１開口部２１は細長いスリット状に形成され、第１開口部２１に複数の第２開口部３１が配置されていても良い（図３（ｂ）参照）。また金属層２０は、第２開口部３１を有していなくても良く、例えば金属層２０を樹脂マスク３０上で点在するように設けることにより、蒸着マスク１０の剛性を調整可能となるように構成してもよい（図３（ｃ）参照）。

各第１開口部２１は、その各辺がＸ方向及びＹ方向に延びる長方形形状を有している。各第１開口部２１は、それぞれ少なくとも１画面全体と重なる位置に設けられている。各第１開口部２１の辺の長さＬ１は、２μｍ以上２５μｍ以下としても良く、２μｍ以上８μｍ以下としても良い。各第１開口部２１を構成する四角形の角部が丸みを帯びていても良い。

金属層２０の材料について特に限定はなく、蒸着マスクの分野で従来公知のものを適宜選択して用いることができ、例えば、ステンレス鋼、鉄ニッケル合金、アルミニウム合金などの金属材料を挙げることができる。中でも、鉄ニッケル合金であるインバー材は熱による変形が少ないので好適に用いることができる。なお、図１及び図２には示していないが、金属層２０には、後述するニッケル等の金属層からなるシード層５３が含まれていても良い。

次に、金属層２０の厚みＴ１について説明する。面内における金属層２０の厚みＴ１の差は、蒸着マスク１０の剛性の面内均一性に影響する。金属層２０の厚みＴ１が小さい部分と大きい部分とで例えば３μｍを超える差があると、蒸着時に蒸着マスク１０が被蒸着基板９１（図１６参照）へ追従する度合いに差が生じてしまう。このことから、金属成長の面内分布を考慮すると、金属層２０の厚みＴ１が１５μｍ以下であってもよく、１４μｍ以下であってもよく、１３μｍ以下であってもよく、１２μｍ以下であってもよく、さらに１０μｍ以下としてもよい。なお、金属層２０の下限は、樹脂マスク３０を支持するという観点から樹脂マスク３０の厚みＴ２と同様かそれよりも厚くするとよく、５μｍ、６μｍ、７μｍ、８μｍであってもよい。なお、金属層２０の厚みＴ１の範囲は、上記の上限及び下限の値の中から組み合わせて設定することができる。

なお、シャドウを抑制するという観点から金属層２０及び樹脂マスク３０の合計の厚みＴ４が２０μｍ以下とすることが好ましく、１５μｍ以下とすることが好ましく、さらに１２μｍ以下であることが好ましい。シャドウとは、蒸着源から放出された蒸着材料の一部が、金属層２０の第１開口部２１の内壁面に衝突して蒸着対象物へ到達しないことにより、目的とする蒸着膜厚よりも薄い膜厚となる未蒸着部分が生ずる現象のことをいう。特に、第２開口部３１の形状を微細化していくことにともない、シャドウによる影響は大きくなる。

本実施の形態において、金属層２０の厚みＴ１は、中央部２２と外周部２３とで互いに異なっていても良い。例えば金属層２０の厚みＴ１は、中央部２２（厚みＴ１ａ）よりも外周部２３（厚みＴ１ｂ）の方が厚くても良い。具体的には、中央部２２の厚みＴ１ａは、外周部２３の厚みＴ１ｂの８０％以上であってもよく、８５％以上であってもよく、９０％以上としてもよい。また中央部２２の厚みＴ１ａは、外周部２３の厚みＴ１ｂの１００％未満であってもよく、９７％以下であってもよく、９５％以下であってもよい。なお、外周部２３の厚みＴ１ｂに対する中央部２２の厚みＴ１ａの割合の範囲は、上述した上限及び下限の値の中から組み合わせて設定することができる。

また、中央部２２の厚みＴ１ａ及び外周部２３の厚みＴ１ｂの実際の値は、上述した金属層２０の厚みＴ１の範囲から設定することができる。すなわち、中央部２２の厚みＴ１ａ及び外周部２３の厚みＴ１ｂは、それぞれ１５μｍ以下であってもよく、１４μｍ以下であってもよく、１３μｍ以下であってもよく、１２μｍ以下であってもよく、さらに１０μｍ以下としてもよい。また中央部２２の厚みＴ１ａ及び外周部２３の厚みＴ１ｂは、それぞれ５μｍ以上としても良く、６μｍ以上としても良く、７μｍ以上としても良く、８μｍ以上としても良い。なお、上述したように、中央部２２の厚みＴ１ａと外周部２３の厚みＴ１ｂとの差が３μｍ未満となるようにすることが好ましい。

一例として、中央部２２の厚みＴ１ａが外周部２３の厚みＴ１ｂの９０％となる場合、中央部２２の厚みＴ１ａと外周部２３の厚みＴ１ｂとの差が３μｍを超えないようにする。上記差から決まる金属層２０の厚みＴ１の上限は３０μｍとなるが、この場合、金属層２０が厚すぎてシャドウの影響が大きくなるおそれがある。仮に外周部２３の厚みＴ１ｂの上限を１５μｍとすると、中央部２２の厚みＴ１ａは１３．５μｍが上限となる。この場合、中央部２２の厚みＴ１ａと外周部２３の厚みＴ１ｂとの差が１．５μｍである。さらに金属層２０及び樹脂マスク３０の合計の厚みＴ４が２０μｍを超えないように、樹脂マスク３０の厚みＴ２を５μｍ以下とする。なお、樹脂マスク３０の厚みの面内均一性は、金属層２０の厚みの面内均一性に比べると極めて高いため、樹脂マスク３０の厚さは面内で均一であるとみなせる。

また、他の一例として、中央部２２の厚みＴ１ａが外周部２３の厚みＴ１ｂの８０％となる場合、中央部２２の厚みＴ１ａと外周部２３の厚みＴ１ｂとの差が３μｍを超えないようにする。仮に外周部２３の厚みＴ１ｂの上限を１５μｍとすると、中央部２２の厚みＴ１ａは１２μｍが上限となる。この場合、中央部２２の厚みＴ１ａと外周部２３の厚みＴ１ｂとの差が３μｍである。さらに金属層２０及び樹脂マスク３０の合計の厚みＴ４が２０μｍを超えないように、樹脂マスク３０の厚みＴ２を５μｍ以下とする。

中央部２２の厚みＴ１ａ及び外周部２３の厚みＴ１ｂは、それぞれ中央部２２及び外周部２３の少なくとも１箇所で測定した値であっても良い。あるいは、中央部２２の厚みＴ１ａ及び外周部２３の厚みＴ１ｂは、それぞれ中央部２２及び外周部２３の平均厚みとしても良い。この場合、中央部２２及び外周部２３の平均厚みは、厳密には、中央部２２及び外周部２３に含まれるすべての点においてそれぞれその厚みを測定し、その平均値を算出することになる。しかしながら、中央部２２及び外周部２３の大きさ等を考慮して、中央部２２及び外周部２３のそれぞれの厚みの全体的な傾向を表し得ると期待される数の箇所で厚みを測定し、その平均値を中央部２２及び外周部２３の平均厚みとしてもよい。

例えば、中央部２２の厚みＴ１ａを次のように特定してもよい。図４に示すように、蒸着マスク１０の図形上の重心Ｇ及び重心Ｇからおよそ１つの有効領域３２の分だけ離れた点Ｐａを膜厚の測定点（計５点）とし、それらの算術平均の値を中央部２２の厚みＴ１ａとしてもよい。例えば、外周部２３の厚みＴ１ｂを次のように特定してもよい。図４に示すように、外周部２３の幅の二等分線の交点Ｐｂ（計４点）を膜厚の測定点とし、それらの算術平均の値を外周部２３の厚みＴ１ｂとしてもよい。

なお、図２に示すように、中央部２２と外周部２３との境界部に段差２４が設けられ、これにより中央部２２の厚みＴ１ａが外周部２３の厚みＴ１ｂよりも薄くなっていても良い。あるいは、図５（ａ）に示すように、外周部２３から最も外側に位置する第１開口部２１に向けて、傾斜面２４ａが形成されていても良い。また図５（ｂ）に示すように、中央部２２と外周部２３との境界部よりも内側の位置に、段差２４ｂが設けられていても良い。さらに図５（ｃ）に示すように、外周部２３から最も外側に位置する第１開口部２１まで外周部２３と同一の厚み（Ｔ１ｂ）を有していても良い。

再度図１及び図２を参照すると、樹脂マスク３０は、金属層２０の他方の面（Ｚ方向プラス側の面）に設けられている。樹脂マスク３０は、その各辺がＸ方向及びＹ方向にそれぞれ延びる長方形形状を有している。樹脂マスク３０は、第１面３０ａと、第１面３０ａの反対側に位置する第２面３０ｂとを有している。第１面３０ａは、金属層２０側（Ｚ方向プラス側）を向く面であり、第２面３０ｂは、支持体４０側（Ｚ方向マイナス側）を向く面である。この場合、樹脂マスク３０は金属層２０と同一の外形形状を有しているが、これに限らず、樹脂マスク３０と金属層２０とが互いに異なる外形形状を有していても良い。

樹脂マスク３０には、樹脂マスク３０の厚み方向に貫通する複数の第２開口部３１が設けられている。各第２開口部３１は、金属層２０と樹脂マスク３０とを積層したときに、金属層２０の第１開口部２１と重なる位置にそれぞれ設けられている。各第２開口部３１の中心は、各第１開口部２１の中心と略一致していても良い。各第２開口部３１の形状は、四角形形状であり、具体的には、その各辺がＸ方向及びＹ方向に延びる長方形形状を有している。なお、第２開口部３１を構成する四角形の角部が丸みを帯びていても良い。

樹脂マスク３０は、規則的な配列で第２開口部３１が形成された有効領域３２と、有効領域３２を取り囲む周囲領域３３とを含んでいる。周囲領域３３は、有効領域３２を支持するための領域であり、被蒸着基板９１へ蒸着されることを意図された蒸着材料９２（図１６参照）が通過する領域ではない。一方、有効領域３２は、有機発光材料の蒸着に用いられる蒸着マスク１０においては、有機発光材料が蒸着して画素を形成するようになる被蒸着基板９１の表示領域となる区域に対面する、蒸着マスク１０内の領域となる。ただし、種々の目的から、周囲領域３３に貫通孔や凹部が形成されていてもよい。図１に示された例において、各有効領域３２は、平面視において略四角形形状、さらに正確には平面視において略矩形状の輪郭を有していてもよい。なお、図示はしないが、各有効領域３２は、被蒸着基板９１の表示領域の形状に応じて、様々な形状の輪郭を有することができる。例えば各有効領域３２は、円形状の輪郭を有していてもよい。

図１に示すように、蒸着マスク１０の複数の有効領域３２は、互いに直交する二方向に沿って所定の間隔を空けて配列されている。図示された例では、一つの有効領域３２が一つの有機ＥＬ表示装置に対応するようになっている。すなわち、本実施の形態による蒸着マスク１０によれば、多面付蒸着が可能となっている。また、各有効領域３２に形成された複数の第２開口部３１は、当該有効領域３２において、互いに直交するＸ方向及びＹ方向に沿ってそれぞれ所定のピッチで配列されていてもよい。

複数の第２開口部３１は、Ｘ方向及びＹ方向に整列されており、互いに同一の形状を有していても良い。各第２開口部３１の一辺の長さ（Ｘ方向及びＹ方向の長さ）Ｌ２は、例えば５μｍ以上１２０μｍ以下としても良い。具体的には、長さＬ２は、低解像度（２００ｐｐｉ）の場合、例えば１００μｍ以上１２０μｍ以下としても良く、高解像度（１０００ｐｐｉ以上３０００ｐｐｉ以下）の場合、例えば５μｍ以上２０μｍ以下としても良い。また、各第２開口部３１のピッチ（Ｘ方向及びＹ方向における第２開口部３１の中心間距離）Ｐ１は、例えば６μｍ以上４００μｍ以下としても良い。具体的には、ピッチＰ１は、低解像度（２００ｐｐｉ）の場合、例えば１１０μｍ以上４００μｍ以下としても良く、高解像度（１０００ｐｐｉ以上３０００ｐｐｉ以下）の場合、例えば６μｍ以上１００μｍ以下としても良い。

平面視において、支持体４０と第２開口部３１の最小間隔は、１ｍｍ以上としてもよい。これにより、蒸着マスク１０の製造工程にマージンを残しつつ、蒸着パターンの形成領域を広く取ることができる。

図２に示すように、各第２開口部３１の周縁は、テーパー状に形成されていても良い。この場合、各第２開口部３１は、第１面３０ａ側（Ｚ方向プラス側）から第２面３０ｂ側（Ｚ方向マイナス側）に向けて徐々に開口面積が拡大する形状を有している。各第２開口部３１の周縁は、断面視で樹脂マスク３０の法線方向（Ｚ方向）に対して傾斜している。各第２開口部３１の周縁は、断面視で直線状に傾斜していても良く、湾曲した曲線状に傾斜していても良い。なお、上述した各第２開口部３１の一辺の長さＬ２、及び各第２開口部３１のピッチＰ１は、各第２開口部３１の面積が狭い側（第１面３０ａ側）において測定された長さをいう。

樹脂マスク３０は、従来公知の樹脂材料を適宜選択して用いることができ、その材料について特に限定されない。樹脂マスク３０は、レーザー加工等によって高精細な第２開口部３１の形成が可能であり、熱や経時での寸法変化率や吸湿率が小さく、軽量な材料を用いることが好ましい。このような材料としては、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合体樹脂、エチレン−ビニルアルコール共重合体樹脂、エチレン−メタクリル酸共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、セロファン、アイオノマー樹脂等を挙げることができる。上記に例示した材料の中でも、その熱膨張係数が１６ｐｐｍ／℃以下である樹脂材料が好ましく、吸湿率が１．０％以下である樹脂材料が好ましく、この双方の条件を備える樹脂材料が特に好ましい。この樹脂材料を用いた樹脂マスクとすることで、第２開口部３１の寸法精度を向上させることができ、かつ熱や経時での寸法変化率や吸湿率を小さくすることができる。また、支持体４０を構成する材料の熱膨張係数との差が１５ｐｐｍ／℃以下である樹脂材料を用いることが好ましく、さらにその差が１０ｐｐｍ／℃以下であってもよい。これにより、支持体４０との熱膨張率の差に起因して樹脂マスク３０にしわが発生することを抑えることができる。なお、樹脂マスク３０には樹脂材料以外に充填剤が含まれていてもよい。充填剤として顔料や無機材料の粒子等が含まれていてもよい。

樹脂マスク３０の厚みＴ２についても特に限定はないが、１μｍ以上１０μｍ以下であっても良く、１μｍ以上５μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上３μｍ以下であることがさらに好ましい。樹脂マスク３０の厚みＴ２をこの範囲内とすることで、ピンホール等の欠陥や変形等のリスクを低減でき、かつシャドウの発生を効果的に防止することができる。特に、樹脂マスク３０の厚みＴ２を、１μｍ以上５μｍ以下とすることで、１０００ｐｐｉを超える高精細パターンを形成することができる。

支持体４０は、金属層２０の一方の面（Ｚ方向マイナス側の面）に接合されている。支持体４０は、樹脂マスク３０及び金属層２０を支持するフレームであっても良い。支持体４０は、樹脂マスク３０と金属層２０とが撓んでしまうことがないように、樹脂マスク３０と金属層２０とを、その面方向に引っ張った状態で支持する。この支持体４０は、略長方形形状の枠部材であり、樹脂マスク３０に設けられた第２開口部３１を蒸着源側に露出させるための貫通孔４１を有する。すなわち複数の第２開口部３１は、平面視で貫通孔４１の内側に位置している。また支持体４０の外周は、樹脂マスク３０の外周よりも大きくなっている。しかしながら、これに限らず、支持体４０の外周は樹脂マスク３０の外周よりも小さい形状を有していても良く、樹脂マスク３０の外周と支持体４０の外周とが同一の形状を有していても良い。支持体４０は、その内側に１つの貫通孔４１を有していても良い（図６（ａ）参照）。また、支持体４０はオープンマスクと呼ばれる開口を有する金属部材であっても良く、この場合、支持体４０は、それぞれが有効領域３２に対応する複数の貫通孔４１を有しても良い（図６（ｂ）参照）。貫通孔４１は１つの有効領域３２を包含する例に限らず、複数の有効領域３２を包含していてもよい。支持体４０の材料について特に限定はないが、剛性が大きい金属材料、例えば、ＳＵＳ、インバー材、セラミック材料や、樹脂材料、シリコン等の半導体材料などを用いることができる。この中でも、金属製の支持体４０は、金属層２０との溶接が容易であり、変形等の影響が小さい点で好ましい。

支持体４０の厚みＴ３についても特に限定はないが、剛性等の点から１０ｍｍ以上３０ｍｍ以下程度であることが好ましい。支持体４０の貫通孔４１の外周端面と、支持体４０の外周端面間の幅Ｗ１は、当該支持体４０と金属層２０とを固定することができる幅であれば特に限定はなく、例えば、１０ｍｍ以上２５０ｍｍ以下程度の幅を例示することができる。

なお、支持体４０が設けられているか否かは任意であり、必ずしも支持体４０が設けられていなくても良い。本実施の形態において、蒸着マスク１０は、支持体４０を含むもの（蒸着マスク装置とも呼ばれる）であっても良く、支持体４０を含まないものであっても良い。

（蒸着マスクの製造方法）
次に、本実施の形態による蒸着マスクの製造方法について、図７乃至図１５を用いて説明する。図７乃至図１５は、本実施の形態による蒸着マスクの製造方法を説明するための図である。以下に説明する蒸着マスクの製造方法によって作製される蒸着マスクは、上述した蒸着マスク１０であるが、これに限らず他の蒸着マスクであってもよい。

（１）支持基板準備工程
まず、図７（ａ）に示すように、支持基板５１を準備する。この支持基板５１は、後述する樹脂層３０Ａを構成する樹脂層形成用組成物（例えばポリイミドワニスやポリイミドの前駆体であるポリアミック酸溶液等の樹脂溶液）を供給するためのものである。支持基板５１の表面、特に後述する樹脂層３０Ａを形成する面は、表面粗さが小さいことが好ましい。例えば、支持基板５１の表面の粗さを算術平均高さＳａが１μｍ以下となるようにしても良い。「算術平均高さ（Ｓａ）」とは、線の算術平均高さ（Ｒａ）を面に拡張したパラメータであり、測定対象となる表面の平均面に対して、各点の高さの絶対値の平均により算出される値である。当該算術平均高さ（Ｓａ）を算出するにあっては、例えば、形状解析レーザー顕微鏡を用いて、支持基板５１の表面を測定し、ＩＳＯ ２５１７８に準じた方法で算出できる。支持基板５１の材料としては、例えばガラス、石英、樹脂、シリコン、ＳＵＳ等の金属等を挙げることができる。とりわけ、表面の平坦性や後述するレーザー溶接及びレーザーリフトオフ法による剥離を考慮すると、透明なガラスを用いることが望ましい。例えば、透明なガラスとして、後述するレーザー溶接工程（図８（ｂ）参照）に用いるレーザー光の波長（第１の波長）と、後述するレーザーリフトオフ工程（図８（ｃ）参照）に用いるレーザー光の波長（第２の波長）に対してそれぞれ透過性があってもよい。支持基板５１の厚みは、例えば０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下としても良い。

（２）樹脂層形成工程
次に、図７（ｂ）に示すように、支持基板５１上に、蒸着パターンが形成される樹脂層３０Ａを形成する。この樹脂層３０Ａは、上述した蒸着マスク１０の樹脂マスク３０を作製するためのものである。具体的には、支持基板５１の表面の略全域に例えばポリイミドの前駆体であるポリアミック酸溶液等の樹脂層形成用組成物を塗布し、これを熱処理することにより、樹脂層３０Ａが得られる。あるいは、例えばポリイミドワニス等の樹脂層形成用組成物を塗布し、これを加熱して乾燥することにより、樹脂層３０Ａを得ても良い。樹脂層形成用組成物を塗布する方法としては、例えば、スピンコート法、ダイコート法、スリットコート法、ディップコート法、スプレーコート法等を挙げることができる。硬化後の樹脂層３０Ａの膜厚は、特に制限されないが、例えば１μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、好ましくは１μｍ以上５μｍ以下としてもよい。パターン寸法の高精細化やシャドウ抑制のためには、樹脂層３０Ａの膜厚は可能な限り薄いことが望まれるが、薄くなりすぎるとレーザアブレーション加工での断面形状の制御等が難しくなる恐れがある。また、樹脂層３０Ａの材料はポリイミドに限らず、熱膨張係数の小さい材料を好適に用いることができる。樹脂製のフィルムを支持基板５１の表面に貼り合わせて樹脂層３０Ａを形成してもよい。なお、樹脂層３０Ａは、単層構造であってもよく、複数の層が積層された多層構造であってもよい。また、樹脂層３０Ａは、上記第２の波長に対する吸収帯を有することが好ましい。図９に示すように、支持基板５１と樹脂層３０Ａの間に、上記第２の波長を吸収する剥離層５２を予め形成しておいてもよい。このような剥離層５２としては、例えば、熱や光で気体が発生する非晶質シリコン（例えば、水素を発生する非晶質シリコン）や樹脂を挙げることができる。剥離層５２を形成する方法としては、その材料が非晶質シリコン等であればプラズマＣＶＤ法等の化学気相成長法、樹脂であれば塗布法等を挙げることができる。剥離層５２の膜厚は、特に制限されないが、例えば５０ｎｍ以上３μｍ以下であってもよく、好ましくは１００ｎｍ以上１μｍ以下としてもよい。

なお、樹脂層３０Ａを構成する樹脂層形成用組成物は、充填剤としてナノサイズのシリカ粒子を含んでいてもよい。この場合、ポリイミド等の樹脂層形成用組成物の熱膨張係数を調整することができる。また、後述する無電解めっき工程で、樹脂層３０Ａに触媒を付与するための空隙を形成することができる。

（３−１）無電解めっき工程
次に、図７（ｃ）に示すように、無電解めっき法により樹脂層３０Ａ上にシード層５３を形成する。この場合、まず支持基板５１及び樹脂層３０Ａを脱脂した後、樹脂層３０Ａ上にパラジウム等の触媒を付与する。その後、支持基板５１及び樹脂層３０Ａを、無電解めっきを行うための無電解めっき浴槽に投入する。これにより、樹脂層３０Ａ上にニッケル等のシード層５３が形成される。例えば、無電解めっき液はニッケル（Ｎｉ）とリン（Ｐ）を含む。樹脂層３０Ａとシード層５３との密着性を向上させるために、シード層５３がニッケルを含み、かつシード層５３中のリン（Ｐ）含有率が１質量％以上５質量％以下程度となるように無電解めっきを行ってもよい。このようなシード層５３を形成するには、例えば、中性浴を用いて無電解めっき液のｐＨの値を約５〜約８の範囲とし、液温度を約６０℃〜約９０℃となるように設定する。無電解めっき処理の後、純水等の液体を用いて支持基板５１を洗浄し、触媒を除去したり、無電解めっき液を除去したりすることが好ましい。これにより、シード層５３と電解めっきにより形成される金属層２０との密着性を向上させることができる。シード層５３の厚みは、例えば２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下としてもよく、３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下としてもよく、３５ｎｍ以上１００ｎｍ以下としてもよい。

なお、図１０（ａ）に示すように、樹脂層３０Ａとシード層５３との間に密着層５４を予め設けておいてもよい。このような密着層５４としては、例えば、チタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）等、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化クロム（ＣｒＮ）等の無機窒化物、酸化亜鉛等の無機酸化物を用いることができる。密着層５４を形成する方法としてはゾル―ゲル法、スパッタリング法、真空蒸着法等を挙げることができる。例えば、ゾル―ゲル法を用いる場合、金属アルコキシドを原料として含む溶液をスピンコート法、ディップコート法等によって樹脂層３０Ａ上に塗布してもよい。密着層５４の膜厚は、特に限定されないが、例えば５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であってもよく、好ましくは５ｎｍ以上１５ｎｍ以下としてもよい。あるいは、電解めっきにより形成される金属層２０との密着性を高めるために、シード層５３の表面を粗化する処理を行ってもよい。このようにシード層５３と金属層２０との間の密着性を上げる目的は、蒸着時に蒸着マスク１０は高温に曝されるため、金属層２０中に残留した気体や水分がアウトガスとして放出され、アウトガスがシード層５３と金属層２０の界面を広げてしまい剥がれにつながる虞があることを抑制するためである。

上述したように樹脂層３０Ａ中に充填剤としてのシリカ粒子等が含まれる場合、樹脂層３０Ａの表面に存在するシリカ粒子の一部を溶解する表面処理工程を行った後、無電解めっき工程を行うことが好ましい。これにより、樹脂層３０Ａの表面に空孔が形成される。この空孔に触媒（例えばパラジウム等）が付着することにより、シード層５３と樹脂層３０Ａとの密着性を向上させることができる。

また図１０（ｂ）に示すように、シード層５３の面内での導通性を均一にするために、シード層５３上に貴金属めっき層５５をさらに形成しても良い。シード層５３がニッケルめっき層からなる場合、貴金属めっき層５５としては、例えば金めっき層を用いてもよい。貴金属めっき層５５の膜厚は、特に制限されないが、例えば０．１μｍ以上１μｍ以下であってもよく、好ましくは０．１μｍ以上０．５μｍ以下としてもよい。

シード層５３の形成方法は無電解めっき法に限らず、例えばスパッタリング法や真空蒸着法等を用いてもよい。

（３−２）めっき用レジスト層形成工程
続いて、シード層５３上に、所定のパターン形状を有するめっき用レジスト層５６を形成する。この場合、まず図７（ｄ）に示すように、シード層５３の表面の全面に、感光性レジスト５６ａを形成する。感光性レジスト５６ａは、液状レジストを塗布し、乾燥することによって形成されてもよいし、フィルムレジストを貼り付けることによって形成されてもよい。感光性レジスト５６ａとしては、ポジ型、ネガ型のいずれを用いてもよい。

次に、図７（ｅ）に示すように、感光性レジスト５６ａに対してフォトマスクを介して露光する。露光は、コンタクト露光、プロキシミティ露光のいずれで行ってもよい。その後、感光性レジスト５６ａを現像することにより、所望パターンを有するめっき用レジスト層５６を形成する。めっき用レジスト層５６には、金属層２０の形成部位に相当する箇所にレジスト開口部５６ｂが形成され、このレジスト開口部５６ｂからはシード層５３が露出している。金属層２０の形成部位以外に対応する位置のシード層５３は、めっき用レジスト層５６で被覆された状態となっている。なお、めっき用レジスト層５６の厚みＴ５は、要求される金属層２０の厚み（ターゲット膜厚）よりも厚くなっている。すなわち、めっき用レジスト層５６の厚みＴ５は、金属層２０の外周部２３の厚みＴ１ｂ以上かつ中央部２２の厚みＴ１ａよりも厚くなっている。例えば、金属層２０の中央部２２の厚みＴ１ａ（ターゲット膜厚）を１０μｍとしたとき、金属層２０の外周部２３における金属成長が中央部２２のそれよりも１０％以上２０％以下程度速いことがある。このような領域による金属成長の差は、蒸着マスク１０が大型化するにつれ顕著に見られる。このため、めっき用レジスト層５６の厚みＴ５を１２μｍ以上１５μｍ以下（ターゲット膜厚よりも２０％以上高い）としても良い。これにより、外周部２３において金属層２０がめっき用レジスト層５６に乗り上げてしまうことを抑制することができる。

図示の都合上、めっき用レジスト層５６の断面が略垂直となっているが、これに限定されない。シャドウを抑制するために金属層２０の断面は、テーパー状に形成されていても良く、この場合、めっき用レジスト層５６の断面は相補的な形状（いわゆる逆テーパー状）となるようにしてもよい。めっき用レジスト層５６の断面形状は、レジストの種類を適宜選択したり、露光量を適宜調整したりすることにより制御することができる。

（３−３）電解めっき工程
次に、図７（ｆ）に示すように、めっき用レジスト層５６に覆われた樹脂層３０Ａに対して電解めっきを施す。これによりシード層５３上であってレジスト開口部５６ｂの内部に金属（例えばインバー材）を析出させ、金属層２０を形成する。この際、対向電極が配置されためっき浴槽の中にシード層５３が形成された支持基板５１を浸す。この状態でシード層５３に給電して電解めっきを行い、レジスト開口部５６ｂの内部で露出したシード層５３の部分に対して金属成長を促す。

このとき、金属層２０の中央部２２の厚みＴ１ａが、外周部２３の厚みＴ１ｂよりも薄くなるようにしても良い。例えば金属層２０の中央部２２の厚みＴ１ａは、外周部２３の厚みＴ１ｂの８０％以上であってもよく、８５％以上であってもよく、９０％以上であってもよい。また金属層２０の中央部２２の厚みＴ１ａは、外周部２３の厚みＴ１ｂの１００％未満であってもよく、９７％以下であってもよく、ｈ＜９５％以下であってもよい。また、金属層２０の中央部２２の厚みＴ１ａは、めっき用レジスト層５６の厚みＴ５未満であっても良く（Ｔ１ａ＜Ｔ５）、外周部２３の厚みＴ１ｂは、めっき用レジスト層５６の厚みＴ５以下であっても良い（Ｔ１ｂ≦Ｔ５）。

給電用の電極をシード層５３の一部と電気的に接続するように配置する。図１１（ａ）−（ｄ）に示すように、金属層２０を析出するための通電部５７は、外周部２３に対応する領域にあるシード層５３に位置しても良い。通電部５７は、外周部２３のうち支持体４０と接合する領域に設けてもよい。この通電部５７に例えばクリップ状、へら状の電極５８を取り付けることにより、シード層５３にめっき成長用の電流が付与される。

図１１（ａ）に示すように、通電部５７は、加工対象物（支持基板５１）に対して１つ（１か所）設けてもよい。また図１１（ｂ）に示すように、通電部５７は、互いに対向する位置に複数（例えば２つ又は４つ）設けてもよい。この場合、通電部５７は、矩形の加工対象物（支持基板５１）の各辺や各頂点の位置に設けてもよい。これにより、通電部５７に付与される電流を面内で均一にし、析出する金属層２０の厚みの面内均一性を高めることができる。さらに、図１１（ｃ）に示すように、矩形の加工対象物（支持基板５１）に設ける通電部５７の数を矩形の短辺と長辺とで互いに異ならせてもよい。例えば、長辺に設ける通電部５７の数を短辺に設ける通電部５７の数よりも多くしてもよい。これにより、析出する金属層２０の厚みの面内均一性を高めることができる。あるいは、図１１（ｄ）に示すように、外周部２３における金属層２０の成長の均一性を高め、中央部２２における金属層２０の成長速度に大きな差を作らないように、通電部５７の位置を処理時間の経過とともに変更してもよい。

このように電解めっきを施す際、直流めっきを用いても良く（図１２（ａ））、処理時間の経過とともに電流又は電圧を変化させるパルスめっきを用いてもよい。パルスめっきを用いる場合、パルス形状としては矩形波（図１２（ｂ））又は正弦波（図１２（ｃ））を用いてもよい。また、パルスリバースめっき（図１２（ｄ））を用いてもよい。また、金属層２０の形成を行うにあたり、金属層２０の頂部を形成する手前まで直流めっき（図１２（ａ））を用い、その後、金属層２０の頂部の形成（金属成長の終了段階）する際にパルスめっき（図１２（ｂ）、（ｃ））又はパルスリバースめっき（図１２（ｄ））を用いてもよい。金属成長が速いと金属層２０の頂部が丸まった形状となることがあるので、パルスめっきを導入して金属成長の速度を調整してもよい。このように金属層２０の頂部を平坦にすることにより、金属層２０の頂部が丸まっている場合よりも支持体４０との接合をしやすくすることができる。また、他の例として、金属層２０に発生する空隙を抑制したり、金属層２０の膜厚の面内均一性を高めたりするために、シード層５３の近傍（金属層２０の形成の初期段階）でパルスめっき（特にパルスリバースめっき）を用い、その後、直流めっきを単独で用いるか、あるいは直流めっきとパルスめっきとを組み合わせて用いてもよい。このように、金属層２０に外部につながる空隙が存在しないようにすることにより、蒸着マスク１０の使用時に、蒸着マスク１０を洗浄した後の金属層２０に溶剤が残留することを抑制することができる。

図１３に示すように、加工対象物（支持基板５１及び樹脂層３０Ａ）と対向電極５９とは、互いに対向する関係となるように配置しても良い。また、加工対象物（支持基板５１及び樹脂層３０Ａ）と対向電極５９との間に、めっき用レジスト層５６のレジスト開口部５６ｂの上を通過するように電解めっき液中で噴流を生じさせながら電解めっきを行ってもよい。これにより、レジスト開口部５６ｂの内部に収容されためっき液の成分が、複数のレジスト開口部５６ｂ間でばらつくことを抑え、金属層２０の成長の均一性を向上することができる。

面内における金属層２０の厚みの差は、蒸着マスク１０の剛性の面内均一性に影響する。金属層２０の膜厚が小さい部分と大きい部分とで例えば３μｍを超える差があると、蒸着時に蒸着マスク１０が被蒸着基板９１へ追従する度合いに差が生じてしまう。このことから、金属成長の面内分布を考慮すると、上述したように、金属層２０の中央部２２の厚みＴ１ａ及び外周部２３の厚みＴ１ｂは、それぞれ１５μｍ以下であってもよく、１４μｍ以下であってもよく、１３μｍ以下であってもよく、１２μｍ以下であってもよく、さらに１０μｍ以下としてもよい。また中央部２２の厚みＴ１ａ及び外周部２３の厚みＴ１ｂは、それぞれ５μｍ以上としても良く、６μｍ以上としても良く、７μｍ以上としても良く、８μｍ以上としても良い。

金属層２０の中央部２２の厚みＴ１ａ及び外周部２３の厚みＴ１ｂは、電解めっきの条件を適宜設定することにより調整することができる。例えば、電解めっきの実施時間、上述した通電部５７の位置、パルスめっきの使用の有無、噴流の使用の有無等により、金属層２０の中央部２２の厚みＴ１ａ及び外周部２３の厚みＴ１ｂを制御することができる。

（３−４）めっき用レジスト層及びシード層除去工程
次に、図８（ａ）に示すように、めっき用レジスト層５６を例えば剥離除去し、次いで、めっき用レジスト層５６に覆われていた部分に位置するシード層５３を除去する。めっき用レジスト層５６が除去されることにより、めっき用レジスト層５６が存在していた部分に第１開口部２１が形成される。またシード層５３は、例えばウェットエッチングやドライエッチングによって除去しても良い。このエッチング液やエッチングガスによるサイドエッチングにより金属層２０にアンダーカットの影響が生じないように、金属層２０の断面形状は、樹脂層３０Ａから遠ざかるに従って広がるような形状であってもよい。このようにして、金属層２０と樹脂層３０Ａが積層した蒸着マスク準備体が作成される。なお、このときシード層５３は必ずしも除去しなくてもよい。この場合、後述するレーザアブレーション工程でシード層５３も除去してもよい。

（４）支持体接合工程
次に、図８（ｂ）に示すように、支持体４０を準備するとともに、支持体４０を金属層２０に固定する。このとき、金属層２０は、架張された状態で支持体４０に溶接されても良い。この際、金属層２０の外周部２３が支持体４０に固定され、金属層２０の中央部２２が支持体４０に取り囲まれる領域に配置される。本実施の形態において、この工程は任意の工程であるが、通常の蒸着装置において蒸着マスク１０を用いる場合、支持体４０が固定されたものを用いることが多いため、当該工程をこのタイミングで行うことが好ましい。

支持体４０を金属層２０に固定する方法については特に限定されることはなく、例えば、支持体４０が金属を含む場合にはスポット溶接などの方法を適宜採用すればよい。具体的には、金属層２０と支持体４０とを押し当てながら、支持基板５１側から、支持基板５１を介してレーザー光を照射してレーザー溶接を行う。これにより支持体４０の一部をレーザー光の照射により生じた熱で融解させて、金属層２０と支持体４０とを溶接により互いに接合する。レーザー光は、上述した第１の波長を有する。このようなレーザー光としては、例えば、ＹＡＧレーザー装置によって生成されるＹＡＧレーザー光（波長３５５ｎｍ、５３２ｎｍ、１０６４ｎｍ）を用いることができる。ＹＡＧレーザー装置としては、例えば、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）にＮｄ（ネオジム）を添加した結晶を発振用媒質として備えたものを用いることができる。

本実施の形態において、金属層２０の外周部２３は中央部２２に比べて金属層２０の厚みが厚いので、支持体４０との接合作業が行い易い。また、この段階で支持基板５１を樹脂層３０Ａから取り外していないので、溶接作業による樹脂層３０Ａの表面へのダメージが低減されている。

支持体４０が略長方形形状の枠部材である場合（図６（ａ）参照）、支持体４０は、貫通孔４１の外周に沿って並ぶ複数の点状の溶接痕６１を含んでも良い。また支持体４０がオープンマスクと呼ばれる開口をもつ金属部材であり、それぞれが有効領域３２に対応する複数の貫通孔４１を含む場合（図６（ｂ）参照）、支持体４０は、各貫通孔４１の外周に沿って並ぶ複数の点状の溶接痕６１を含んでも良い。

金属層２０を支持体４０に溶接する際、１つの溶接ヘッド６２を備えるレーザー溶接装置６０を用いてもよい。あるいは、複数の溶接ヘッド（第１溶接ヘッド及び第２溶接ヘッド）６２を備えるレーザー溶接装置６０を用いてもよい。この場合、第１溶接ヘッドによる溶接位置と第２溶接ヘッドによる溶接位置とが互いに近接した位置（有効領域３２程度の範囲）となるようにしてもよいし、第１溶接ヘッドによる溶接位置と第２溶接ヘッドによる溶接位置とが互いに離れた位置（有効領域３２よりも遠い範囲）となるようにしてもよい。第１溶接ヘッドによる溶接位置と第２溶接ヘッドによる溶接位置とが互いに近接した位置となるようにすることにより、蒸着マスク１０が大型化した場合であっても樹脂マスク３０にしわや撓みが発生するのを抑制することができる。

また、支持体４０を金属層２０に接合した後、支持体４０の内側に位置する金属層２０及び樹脂層３０Ａの部分に撓みが生じる可能性がある。このため、支持体４０の内側にライン状又は格子状の支持部材（例えばセラミック製の線状部材）６３を設け、金属層２０及び樹脂層３０Ａを支えてもよい（図１４（ａ）（ｂ）参照）。図１４（ａ）（ｂ）において、支持部材６３は、互いに直交する複数の棒状部材を含む格子状に形成されている。支持部材６３は、支持体４０の貫通孔４１内に配置されるとともに、支持体４０に固定されている。また支持部材６３は、有効領域３２を除く位置に設けられている。このように、支持体４０の内側に位置する支持部材６３によって金属層２０及び樹脂層３０Ａを支持することにより、金属層２０及び樹脂層３０Ａが自重によって撓むことを抑制することができる。

（５）支持基板剥離工程
次いで、図８（ｃ）に示すように、樹脂層３０Ａから支持基板５１を除去する。これにより、樹脂層３０Ａと、樹脂層３０Ａ上の金属層２０と、金属層２０上の支持体４０とを有する中間体（蒸着マスク準備体とも呼ばれる）が得られる。

樹脂層３０Ａから支持基板５１を除去する方法としては、レーザーリフトオフ法等を用いることができる。この場合、支持基板５１の、樹脂層３０Ａが形成されていない側からレーザー光（図８（ｃ）の矢印参照）を照射することにより、支持基板５１と樹脂層３０Ａとを互いに分離する。レーザー光は、紫外線レーザーやエキシマ―レーザーを用いることができる。このレーザー光は、例えば、波長（上述した第２の波長）が３０８ｎｍでエネルギー密度が２００ｍＪ以上のものを用いてもよい。レーザー光の照射領域の形状は可変であり、スポット（丸い形状）状、ライン状、矩形状としてもよい。レーザー光は、必ずしも支持基板５１の全面に照射する必要はなく、支持基板５１の一部に選択的に照射されても良い。例えば、レーザー光は、各有効領域３２の外周に沿って走査しながら照射しても良い。レーザー光がライン状である場合、ライン長さは、２５０ｍｍであってもよいし、５００ｍｍであってもよいし、７５０ｍｍであってもよいし、それ以上であってもよい。ライン幅は、０．１ｍｍであってもよいし、０．２ｍｍであってもよいし、０．４ｍｍであってもよい。レーザーはパルスレーザであってもよく、パルス幅（時間）が１０ｎｓ以上１００ｎｓ以下であってもよいし、２０ｎｓ以上５０ｎｓ以下であってもよい。レーザー照射は被加工物に対して選択的に行われるため、第１の照射位置から次の第２の照射位置にステージが移動している間はレーザーをオフにしてもよい。これによりパルス発生にかかる装置負荷を軽減することができる。

（６）第２開口部形成工程
次に、図８（ｄ）に示すように、樹脂層３０Ａに対して金属層２０側からレーザー光（図８（ｄ）の矢印参照）を照射し、樹脂層３０Ａに、蒸着作製するパターンに対応した第２開口部３１を形成する（レーザアブレーション工程）。このレーザーとしては、例えば波長２４８ｎｍのＫｒＦのエキシマレーザーや波長３５５ｎｍのＹＡＧレーザーを使用することができる。このとき、樹脂層３０Ａのうち金属層２０の反対側の面に保護フィルム６４を貼着し、この状態で金属層２０側からレーザー光を照射して第２開口部３１を形成しても良い。この場合、蒸着作製するパターンに対応した図示しないレーザー用マスクを用い、このレーザー用マスクと樹脂層３０Ａとの間に集光レンズを設置して、いわゆる縮小投影光学系を用いたレーザー加工法によって第２開口部３１を形成してもよい。なお、第２開口部３１は、レーザー照射のほか、エッチング法等によって形成されても良い。

（７）デスミア工程
次いで、図１５に示すように、樹脂層３０Ａに存在する樹脂の不要物（スミア）Ｓを除去する。このようなスミアＳとしては、例えば加工した樹脂が樹脂層３０Ａ上の意図しない部分に付着したものや、第２開口部３１の縁部に形成されたバリ状のものを挙げることができる。具体的には、レーザアブレーションで生じた樹脂のスミアＳを過マンガン酸処理やプラズマ処理等によって除去しても良い。このデスミア工程では、樹脂層３０Ａの第２開口部３１の大きさを広げたり、樹脂層３０Ａの第２開口部３１近傍の膜厚を減らしたりしないという観点から、酸素等の反応ガスを励起状態としたプラズマ処理を行うことが好ましい。

このようにして、図８（ｅ）に示すように、第１開口部２１が設けられた金属層２０と、蒸着作製するパターンに対応した複数の第２開口部３１が設けられた樹脂マスク３０と備えた蒸着マスク１０（図１及び図２参照）が得られる。また、金属層２０には支持体４０が接合されている。

（蒸着装置の構成）
次に、上述した蒸着マスク１０を用いて蒸着対象物に蒸着材料を蒸着させる蒸着装置について、図１６を参照して説明する。

図１６に示すように、蒸着装置８０は、その内部に配置された、蒸着源（例えばるつぼ８１）、ヒータ８２、及び蒸着マスク１０を有している。また、蒸着装置８０は、蒸着装置８０の内部を真空雰囲気にするための排気手段（図示せず）を更に有する。るつぼ８１は、有機発光材料などの蒸着材料９２を収容する。ヒータ８２は、るつぼ８１を加熱して、真空雰囲気の下で蒸着材料９２を蒸発させる。蒸着マスク１０は、るつぼ８１と対向するよう配置されている。すなわち蒸着マスク１０は、樹脂マスク３０が蒸着材料９２を付着させる蒸着対象物である被蒸着基板（例えば有機ＥＬ基板）９１に対面するよう、蒸着装置８０内に配置される。また、蒸着装置８０は、被蒸着基板９１の、樹脂マスク３０と反対の側の面に配置された磁石８３を有していてもよい。この磁石８３を設けることにより、磁力によって蒸着マスク１０を磁石８３側に引き寄せて、蒸着マスク１０を被蒸着基板９１に密着させることができる。

図１７は、図１６に示す蒸着装置８０を用いて製造された有機ＥＬ表示装置９０を示す断面図である。図１７に示すように、有機ＥＬ表示装置９０は、被蒸着基板（例えば有機ＥＬ基板）９１と、被蒸着基板９１上にパターン状に設けられた蒸着材料９２を含む画素と、を備えている。

なお、複数の色によるカラー表示を行いたい場合には、各色に対応する蒸着マスク１０が搭載された蒸着装置８０をそれぞれ準備し、被蒸着基板９１を各蒸着装置８０に順に投入する。これによって、例えば、赤色用の有機発光材料、緑色用の有機発光材料及び青色用の有機発光材料を順に被蒸着基板９１に蒸着させることができる。

（有機ＥＬ表示装置の製造方法）
次に、本実施の形態による有機ＥＬ表示装置の製造方法について、図１８（ａ）−（ｃ）を参照して説明する。本実施の形態による有機ＥＬ表示装置の製造方法は、上述した蒸着マスク１０を用いた蒸着方法により蒸着対象物である被蒸着基板９１に蒸着材料９２を蒸着し、蒸着パターンを形成するものである。

まず、図１８（ａ）に示すように、図１及び図２に示す蒸着マスク１０と、蒸着材料９２が収容されたるつぼ８１及びヒータ８２とを備えた蒸着装置８０を準備する。

次に、図１８（ｂ）に示すように、被蒸着基板９１を蒸着マスク１０の樹脂マスク３０上に設置する。この際、例えば被蒸着基板９１の図示しないアライメントマークと、蒸着マスク１０の図示しないアライメントマークとを直接観察し、当該アライメントマーク同士が重なるように被蒸着基板９１の位置決めを行いながら、被蒸着基板９１を蒸着マスク１０に設置しても良い。

次いで、蒸着マスク１０の樹脂マスク３０上に設置された被蒸着基板９１に蒸着材料９２を蒸着させる。この際、例えば、図１８（ｃ）に示すように、被蒸着基板９１の、蒸着マスク１０と反対の側の面に磁石８３が配置される。このように磁石８３を設けることにより、磁力によって蒸着マスク１０を磁石８３側に引き寄せて、樹脂マスク３０を被蒸着基板９１に密着させることができる。次に、ヒータ８２が、るつぼ８１を加熱して蒸着材料９２を蒸発させる。そして、るつぼ８１から蒸発して蒸着マスク１０に到達した蒸着材料９２は、金属層２０の第１開口部２１及び樹脂マスク３０の第２開口部３１を通って被蒸着基板９１に付着する。

このようにして、樹脂マスク３０の第２開口部３１の位置に対応した所望のパターンで、蒸着材料９２が被蒸着基板９１に蒸着される。すなわち蒸着材料９２は、樹脂マスク３０の複数の第２開口部３１に対応する形状に形成される。このようにして、被蒸着基板（例えば有機ＥＬ基板）９１と、パターン状に設けられた蒸着材料９２を含む画素と、を備えた有機ＥＬ表示装置９０が得られる（図１７参照）。

ところで、このようにして蒸着マスク１０を用いて有機ＥＬ表示装置９０を繰り返し作製する間、蒸着マスク１０には有機物等が付着する。このような有機物等を除去するため、蒸着マスク１０は、使用後に洗浄される。例えば、蒸着マスク１０は、純水等の洗浄液に浸漬され超音波洗浄により洗浄する洗浄法、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）等の極性溶媒やＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）等の低沸点溶媒を用いた洗浄法等により、付着した有機物が除去されてもよい。洗浄後は、残留溶剤を除去するために蒸着マスク１０を乾燥する。乾燥は、樹脂マスク３０に熱を加えないよう、例えば真空乾燥により行ってもよい。

このように乾燥した後の蒸着マスク１０に対して、樹脂マスク３０の第２開口部３１のサイズ測定や位置精度測定を行い、例えば、洗浄の影響で樹脂マスク３０が膨潤し第２開口部３１のサイズ変更や位置ずれが起きていないかを検査する。このような検査は、走査ステージを備えた光学顕微鏡等を用いて行うことができる。第２開口部３１のサイズの変更や位置ずれが生じていても所定の閾値未満である場合には、その蒸着マスク１０を次回の蒸着に使用できると判断する。

（有機半導体素子の製造方法）
次に、本実施の形態による有機半導体素子の製造方法について説明する。本実施の形態による有機半導体素子の製造方法は、上述した蒸着マスク１０を用いて蒸着対象物に蒸着パターンを形成する工程、あるいは上述した蒸着マスク１０の製造方法によって製造された蒸着マスク１０を用いて蒸着対象物に蒸着パターンを形成する工程を有する。蒸着対象物に蒸着パターンを形成する工程についていかなる限定もされることはなく、例えば、反応性スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング、電子ビーム蒸着法等の物理的気相成長法（Physical Vapor Deposition）、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ法等の化学気相成長法（Chemical Vapor Deposition）等を挙げることができる。

蒸着対象物に蒸着パターンを形成する工程を有する一実施の形態による有機半導体素子の製造方法は、基板上に電極を形成する電極形成工程、有機層形成工程、対向電極形成工程、封止層形成工程等を有し、各任意の工程において蒸着マスク１０を用いた蒸着法により基板上に蒸着パターンが形成されても良い。例えば、有機ＥＬデバイスのＲ、Ｇ、Ｂ各色の発光層形成工程に、蒸着マスク１０を用いた蒸着法をそれぞれ適用する場合には、基板上に各色発光層の蒸着パターンが形成される。なお、本実施の形態による有機半導体素子の製造方法は、これらの工程に限定されるものではなく、蒸着法を用いる従来公知の有機半導体素子の任意の工程に適用可能である。

蒸着マスク１０については、上述した本実施の形態による蒸着マスク１０をそのまま用いることができ、ここでの詳細な説明は省略する。上述した本実施の形態による蒸着マスク１０によれば、高精細なパターンを有する有機半導体素子を形成することができる。本実施の形態による製造方法で製造される有機半導体素子としては、例えば、有機ＥＬ素子の有機層、発光層や、カソード電極等を挙げることができる。特に、本実施の形態による有機半導体素子の製造方法は、高精細なパターン精度が要求される有機ＥＬ素子のＲ、Ｇ、Ｂ発光層の製造に好適に用いることができる。

以上説明したように、本実施の形態によれば、蒸着マスク１０を製造する際、金属層２０の中央部２２の厚みＴ１ａは、めっき用レジスト層５６の厚みＴ５未満となり、金属層２０の外周部２３の厚みＴ１ｂは、めっき用レジスト層５６の厚みＴ５以下となっている。これにより、めっき用レジスト層５６の厚みＴ５に対して金属層２０の厚みＴ１が厚くなりすぎることを抑え、金属層２０の厚みＴ１の面内均一性を高めることができる。

すなわち蒸着マスク１０が大型化すると、蒸着マスク１０の面内での加工ばらつきが目立つようになる。金属層２０を電解めっきで形成する場合、面内での外周部２３の電流が面内での中央部２２の電流よりも高くなる傾向があるため、外周部２３の金属成長が中央部２２の金属成長よりも速くなる傾向がある。このような傾向が生じるのには種々の原因が考えられるが、樹脂層３０Ａの端部に近い部分に電流が集中しやすかったり、金属成長する領域と通電部の距離によって電流値が変わってしまったり、中央部２２と外周部２３とで金属イオン濃度に差が生じてしまったりすることが原因であると推定される。仮に中央部２２のターゲット膜厚をめっき用レジスト層５６の厚みＴ５に一致するように設定している場合、ターゲット膜厚に到達する前に外周部２３の金属がめっき用レジスト層５６上に乗り上げてしまう。このような不要に成長した金属（めっき用レジスト層５６上にオーバーハングした金属）は、めっき用レジスト層５６をリフトオフすることで除去することが難しい。オーバーハングした金属をエッチングや研磨で除去しようとした場合、他の部分の金属も同様に減少してしまう。オーバーハングした金属が後の工程において異物の原因になる虞がある。これに対して本実施の形態においては、金属層２０のターゲット膜厚よりも膜厚の大きいめっき用レジスト層５６を予め形成しておく。そして中央部２２の金属成長をめっき用レジスト層５６の高さ未満とし、外周部２３の金属成長をめっき用レジスト層５６の高さ以下となるように電解めっきを終了させる。これにより、めっき用レジスト層５６上に金属がオーバーハングすることがなく、金属層２０の厚みの面内均一性を高めることができる。この結果、樹脂マスク３０と金属層２０とが積層された蒸着マスク１０を安定して製造することが可能となる。

上記実施の形態及び変形例に開示されている複数の構成要素を必要に応じて適宜組合せることも可能である。あるいは、上記実施の形態及び変形例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。

１０ 蒸着マスク
２０ 金属層
２１ 第１開口部
２２ 中央部
２３ 外周部
２４ 段差
３０ 樹脂マスク
３０Ａ 樹脂層
３１ 第２開口部
３２ 有効領域
３３ 周囲領域
４０ 支持体
４１ 貫通孔
５１ 支持基板
５３ シード層
５６ めっき用レジスト層

Claims (23)

1. 支持基板を準備する工程と、
   前記支持基板上に樹脂層を形成する工程と、
   前記樹脂層上にシード層を形成する工程と、
   前記シード層上に、レジスト開口部を有するめっき用レジスト層を形成する工程と、
   前記めっき用レジスト層に覆われた前記樹脂層に対して電解めっきを施すことにより、前記シード層上であって前記レジスト開口部の内部に金属を析出させ、金属層を形成する工程と、を備え、
   前記金属層の中央部の厚みは、前記めっき用レジスト層の厚み未満であり、
   前記金属層の外周部の厚みは、前記めっき用レジスト層の厚み以下である、蒸着マスクの製造方法。
2. 前記電解めっきを施す際、前記金属層を析出するための通電部は、互いに対向する位置に複数設けられる、請求項１に記載の蒸着マスクの製造方法。
3. 前記電解めっきを施す際、前記金属層を析出するための通電部の位置を、処理時間の経過とともに変更する、請求項１に記載の蒸着マスクの製造方法。
4. 前記電解めっきを施す際、パルスめっき又はパルスリバースめっきが用いられる、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の蒸着マスクの製造方法。
5. 前記電解めっきを施す際、前記レジスト開口部の上を通過するように電解めっき液中で噴流を生じさせる、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の蒸着マスクの製造方法。
6. 前記シード層はニッケルを含み、かつ前記シード層のリンの含有率が１質量％以上５質量％以下である、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の蒸着マスクの製造方法。
7. 前記金属層の前記中央部の厚みは、前記金属層の前記外周部の厚みの８０％以上であり、かつ前記金属層の前記外周部の厚みよりも薄い、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の蒸着マスクの製造方法。
8. 前記樹脂層を構成する樹脂層形成用組成物は、シリカ粒子を含む、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の蒸着マスクの製造方法。
9. 支持基板を準備する工程と、
   前記支持基板上に樹脂層を形成する工程と、
   前記樹脂層上にシード層を形成する工程と、
   前記シード層上に、レジスト開口部を有するめっき用レジスト層を形成する工程と、
   前記めっき用レジスト層に覆われた前記樹脂層に対して電解めっきを施すことにより、前記シード層上であって前記レジスト開口部の内部に金属を析出させ、金属層を形成する工程と、
   支持体を前記金属層に固定する工程と、
   前記樹脂層から前記支持基板を除去する工程と、
   前記樹脂層に、蒸着作製するパターンに対応した複数の開口部を形成する工程と、を備えた、蒸着マスクの製造方法。
10. 前記樹脂層に存在する樹脂の不要物を除去する工程を更に備えた、請求項９に記載の蒸着マスクの製造方法。
11. 前記支持体を前記金属層に固定する際、複数の溶接ヘッドを備えるレーザー溶接装置を用いて前記支持体を前記金属層に溶接する、請求項９又は１０に記載の蒸着マスクの製造方法。
12. 前記樹脂層から前記支持基板を除去する際、前記支持基板の、前記樹脂層が形成されていない側から前記支持基板の一部に選択的にレーザー光を照射することにより、前記支持基板と前記樹脂層とを分離する、請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の蒸着マスクの製造方法。
13. 前記金属層を前記支持体に接合した後、前記支持体の内側に支持部材を設け、前記支持部材によって前記金属層及び前記樹脂層を支持する、請求項９乃至１２のいずれか一項に記載の蒸着マスクの製造方法。
14. 金属層と、
    前記金属層に積層され、蒸着作製するパターンに対応した複数の開口部が設けられた樹脂マスクと、を備え、
    前記金属層の中央部の厚みは、前記金属層の外周部の厚みの８０％以上であり、かつ前記金属層の前記外周部の厚みよりも薄い、蒸着マスク。
15. 前記金属層の前記外周部の厚みは、１５μｍ以下であり、前記金属層の中央部の厚みは、１２μｍ以下であり、前記樹脂マスクの厚みは、５μｍ以下であり、前記金属層及び前記樹脂マスクの合計の厚みは、２０μｍ以下である、請求項１４に記載の蒸着マスク。
16. 請求項１４又は１５に記載の蒸着マスクを準備する工程と、
    蒸着対象物を準備する工程と、
    前記蒸着対象物を前記蒸着マスク上に設置する工程と、
    前記蒸着マスク上に設置された前記蒸着対象物に蒸着材料を蒸着させる工程と、を備えた、蒸着方法。
17. 請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の蒸着マスクの製造方法によって製造された蒸着マスクを準備する工程と、
    蒸着対象物を準備する工程と、
    前記蒸着対象物を前記蒸着マスク上に設置する工程と、
    前記蒸着マスク上に設置された前記蒸着対象物に蒸着材料を蒸着させる工程と、を備えた、蒸着方法。
18. 前記蒸着マスクを溶剤により洗浄する工程と、
    洗浄後の前記蒸着マスクを真空乾燥する工程と、を更に備えた、請求項１６又は１７に記載の蒸着方法。
19. 乾燥後の前記蒸着マスクの精度を測定する工程を更に備えた、請求項１８に記載の蒸着方法。
20. 有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
    請求項１４又は１５に記載の蒸着マスクを用いて蒸着対象物に蒸着パターンを形成する工程を備えた、有機ＥＬ表示装置の製造方法。
21. 有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
    請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の蒸着マスクの製造方法によって製造された蒸着マスクを用いて蒸着対象物に蒸着パターンを形成する工程を備えた、有機ＥＬ表示装置の製造方法。
22. 有機半導体素子の製造方法であって、
    請求項１４又は１５に記載の蒸着マスクを用いて蒸着対象物に蒸着パターンを形成する工程を備えた、有機半導体素子の製造方法。
23. 有機半導体素子の製造方法であって、
    請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の蒸着マスクの製造方法によって製造された蒸着マスクを用いて蒸着対象物に蒸着パターンを形成する工程を備えた、有機半導体素子の製造方法。

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