WO2023145950A1

WO2023145950A1 - 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法、有機デバイスの製造方法及びフレーム付き蒸着マスクの製造方法

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Publication number: WO2023145950A1
Application number: PCT/JP2023/002941
Authority: WO
Inventors: 知加雄池永
Original assignee: 大日本印刷株式会社
Priority date: 2022-01-31
Filing date: 2023-01-30
Publication date: 2023-08-03
Also published as: CN118647753A; JPWO2023145950A1; TW202346618A

Abstract

本開示による蒸着マスクは、シリコンを含むマスク基板と、第１面と、第１面とは反対側に位置するとともにマスク基板に対向する第２面と、を有するマスク層と、マスク層を貫通する貫通孔と、を備えている。マスク基板は、基板開口を有している。平面視において、基板開口内に貫通孔が位置している。マスク層は、第１面をなすマスク本体層と、マスク本体層とマスク基板との間に位置するマスク中間層と、を有している。マスク本体層は、樹脂材料を含んでいる。

Description

蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法、有機デバイスの製造方法及びフレーム付き蒸着マスクの製造方法

　本開示は、蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法、有機デバイスの製造方法及びフレーム付き蒸着マスクの製造方法に関する。

　スマートフォンやタブレット等の持ち運びできるデバイスで用いられる表示装置は、高精細であることが好ましく、例えば画素密度が４００ｐｐｉ以上であることが好ましい。また、持ち運びできるデバイスにおいても、ウルトラハイディフィニション（ＵＨＤ）に対応することへの需要が高まっており、この場合、表示装置の画素密度は、例えば８００ｐｐｉ以上であることが好ましい。

　表示装置の中でも、応答性の良さ、消費電力の低さやコントラストの高さのため、有機デバイスの一例としての有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置の画素を形成する方法として、所望のパターンで配列された貫通孔が形成された蒸着マスクを用いて、所望のパターンで画素を形成する方法が知られている。具体的には、まず、有機ＥＬ表示装置用の蒸着基板に蒸着マスクを組み合わせる。続いて、有機材料を含む蒸着材料を、蒸着マスクの貫通孔を通すことによって、蒸着基板に蒸着させる。このことにより、蒸着マスクの貫通孔と同様のパターンで、蒸着材料を含む蒸着層（又は有機ＥＬ表示装置の発光層）を画素として蒸着基板上に形成できる（例えば、特許文献１～３参照）。

　このような蒸着マスクの製造方法の一例としては、フォトリソグラフィー技術を用いたエッチング処理によって板部材に貫通孔を形成する方法が知られている。

特許第５３８２２５９号公報韓国登録特許第１０－１８１２７７２号公報特開２０１０－１１６５７９号公報

　本開示は、精細度を向上できる蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法、有機デバイスの製造方法及びフレーム付き蒸着マスクの製造方法を提供することを目的とする。

　本開示によるフレーム付き蒸着マスクは、上述の蒸着マスクと、蒸着マスクのマスク基板を支持するフレームと、を備えている。

　本開示による蒸着マスクの製造方法は、シリコンを含むマスク基板を準備する基板準備工程と、マスク層形成工程と、基板開口形成工程と、貫通孔形成工程と、を備えている。マスク層形成工程においては、マスク基板に、第１面と、第１面とは反対側に位置するとともにマスク基板に対向する第２面と、を有するマスク層を形成する。基板開口形成工程においては、マスク基板に、基板開口を形成する。貫通孔形成工程においては、マスク層を貫通する貫通孔を形成する。平面視において、基板開口内に貫通孔が位置している。マスク層形成工程は、マスク基板のマスク層に対向する面にマスク中間層を形成するマスク中間層形成工程と、マスク中間層のマスク基板とは反対側の面にマスク本体層を形成するマスク本体層形成工程と、を有している。マスク本体層は、樹脂材料を含んでいる。

　本開示による有機ＥＬデバイスの製造方法は、上述の蒸着マスクの製造方法によって蒸着マスクを準備する蒸着マスク準備工程と、密着工程と、蒸着工程と、を備えている。密着工程においては、蒸着マスクのマスク層のうち第１面を蒸着基板に密着させる。蒸着工程においては、蒸着マスクの貫通孔を通して蒸着材料を蒸着基板に蒸着させることによって、蒸着層を形成する。

　本開示によるフレーム付き蒸着マスクの製造方法は、上述の蒸着マスクの製造方法によって蒸着マスクを準備する蒸着マスク準備工程と、蒸着マスクのマスク基板にフレームを取り付けるフレーム取付工程と、を備えている。

　本開示によれば、精細度を向上できる。

本開示の実施形態による蒸着マスクを備えた蒸着装置を示す図である。本開示の実施形態による蒸着マスクを示す平面図である。図２のＡ－Ａ線に沿った断面を模式的に示す図である。図２の蒸着マスクの部分拡大平面図である。図４の蒸着マスクの貫通孔群を示す部分拡大平面図である。図５Ａの貫通孔群の一変形例を示す部分拡大平面図である。本開示の実施形態による蒸着マスクの製造方法において、基板準備工程を示す図である。本開示の実施形態による蒸着マスクの製造方法において、マスク中間層形成工程を示す図である。本開示の実施形態による蒸着マスクの製造方法において、樹脂層形成工程を示す図である。本開示の実施形態による蒸着マスクの製造方法において、マスク保護層形成工程を示す図である。本開示の実施形態による蒸着マスクの製造方法の基板開口形成工程において、レジスト層形成工程を示す図である。本開示の実施形態による蒸着マスクの製造方法の基板開口形成工程において、基板エッチング工程を示す図である。図１１の基板エッチング工程において、第１凹部を形成する工程を示す図である。図１１の基板エッチング工程において、第１保護層を形成する工程を示す図である。図１１の基板エッチング工程において、第２凹部を形成する工程を示す図である。図１１の基板エッチング工程において、第２保護層を形成する工程を示す図である。図１１の基板エッチング工程において、第４凹部を形成する工程を示す図である。本開示の実施形態による蒸着マスクの製造方法の基板開口形成工程において、レジスト層除去工程を示す図である。本開示の実施形態による蒸着マスクの製造方法において、マスク層開口形成工程及びマスク保護層除去工程を示す図である。本開示の実施形態による蒸着マスクの製造方法において、貫通孔形成工程のうち樹脂層にレーザ光を照射する状態を示す図である。図１５Ａの変形例を示す図である。図１５Ｂのレーザ光発生装置を示す概略図である。本開示の実施形態による蒸着マスクの製造方法において、貫通孔形成工程において貫通孔が形成された状態を示す図である。本開示の実施形態において、蒸着マスクを用いて作製された有機ＥＬ表示装置の一例を示す平面図であって、蒸着工程において蒸着された有機層を示す平面図である。図１７Ａの有機ＥＬ表示装置をＢ－Ｂ方向から見た断面図である。図３に示す蒸着マスクの変形例を示す断面模式図である。図２に示す蒸着マスクの変形例を示す平面図である。図４に示す蒸着マスクの変形例を示す部分拡大平面図である。図２に示す蒸着マスクの変形例を示す平面図である。図２１のＣ－Ｃ線に沿った断面を模式的に示す図である。図２１に示す蒸着マスクの変形例を示す平面図である。図２１に示す蒸着マスクの変形例を示す平面図である。本開示の実施形態による蒸着マスクの基板開口の変形例を示す拡大平面図である。本開示の実施形態による蒸着マスクの基板開口の他の変形例を示す拡大平面図である。本開示の実施形態による蒸着マスクの基板開口の他の変形例を示す拡大平面図である。図２１に示す蒸着マスクの変形例を示す平面図である。図２８のＤ－Ｄ線に沿った断面を模式的に示す図である。図３に示す蒸着マスクの他の変形例を示す断面模式図である。図２１に示す蒸着マスクの他の変形例を示す平面図である。図３１のＥ－Ｅ線に沿った断面を模式的に示す図である。

　本明細書及び本図面において、特別な説明が無い限りは、「基板」や「基材」や「板」や「シート」や「フィルム」などのある構成の基礎となる物質を意味する用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。

　本明細書及び本図面において、特別な説明が無い限りは、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。

　本明細書及び本図面において、特別な説明が無い限りは、ある部材又はある領域等のある構成が、他の部材又は他の領域等の他の構成の「上に」や「下に」、「上側に」や「下側に」、又は「上方に」や「下方に」とする場合、ある構成が他の構成に直接的に接している場合を含む。さらに、ある構成と他の構成との間に別の構成が含まれている場合、つまり間接的に接している場合も含む。また、特別な説明が無い限りは、「上」や「上側」や「上方」、又は、「下」や「下側」や「下方」という語句は、上下方向が逆転してもよい。

　本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、要素Ａの面が要素Ｂの面に「対向する」という状態は、要素Ａの面が要素Ｂの面に接している場合だけでなく、要素Ａの面と要素Ｂの面の間に要素Ｃが位置している場合も含む。すなわち、「対向する」という用語は、２つの面の向きを表す用語である。

　本明細書及び本図面において、特別な説明が無い限りは、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号又は類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。

　本明細書及び本図面において、特別な説明が無い限りは、矛盾の生じない範囲で、その他の実施形態や変形例と組み合わせられ得る。また、その他の実施形態同士や、その他の実施形態と変形例も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられ得る。また、変形例同士も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられ得る。

　本明細書及び本図面において、特別な説明が無い限りは、製造方法などの方法に関して複数の工程を開示する場合に、開示されている工程の間に、開示されていないその他の工程が実施されてもよい。また、開示されている工程の順序は、矛盾の生じない範囲で任意である。

　本明細書及び本図面において、特別な説明が無い限りは、「～」という記号によって表現される数値範囲は、「～」という符号の前後に置かれた数値を含んでいる。例えば、「３４～３８質量％」という表現によって画定される数値範囲は、「３４質量％以上且つ３８質量％以下」という表現によって画定される数値範囲と同一である。

　本明細書及び本図面において、特別な説明が無い限りは、本明細書の一実施形態において、有機デバイスを製造する際に有機材料を所望のパターンで基板上にパターニングするために用いられる蒸着マスクやその製造方法に関した例をあげて説明する。ただし、このような適用に限定されることなく、種々の用途に用いられる蒸着マスクに対し、本実施形態を適用できる。

　以下、本開示の一実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態のみに限定して解釈されるものではない。

　本開示の第１の態様は、
　シリコンを含むマスク基板と、
　第１面と、前記第１面とは反対側に位置するとともに前記マスク基板に対向する第２面と、を有するマスク層と、
　前記マスク層を貫通する貫通孔と、を備え、
　前記マスク基板は、基板開口を有し、
　平面視において、前記基板開口内に前記貫通孔が位置し、
　前記マスク層は、前記第１面をなすマスク本体層と、前記マスク本体層と前記マスク基板との間に位置するマスク中間層と、を有し、
　前記マスク本体層は、樹脂材料を含む、蒸着マスク、
である。

　本開示の第２の態様として、上述した第１の態様による蒸着マスクにおいて、
　前記マスク中間層の厚みは、前記マスク本体層の厚みよりも小さい、
ようにしてもよい。

　本開示の第３の態様として、上述した第１の態様又は第２の態様による蒸着マスクにおいて、
　前記マスク中間層は、金、アルミニウム、クロム、ニッケル、チタン、窒化チタン、ネオジムを含むアルミニウム合金、酸化珪素又は二酸化珪素を含み、
　前記マスク中間層は、前記マスク本体層に接するとともに、前記マスク基板に接している、
ようにしてもよい。

　本開示の第４の態様として、上述した第１の態様から上述した第３の態様のそれぞれによる蒸着マスクにおいて、
　前記マスク本体層の前記樹脂材料は、ポリイミドを含む、
ようにしてもよい。

　本開示の第５の態様として、上述した第１の態様から上述した第４の態様のそれぞれによる蒸着マスクにおいて、
　前記マスク基板は、前記基板開口を画定する基板本体を有し、
　前記マスク中間層は、前記マスク本体層と前記基板本体との間に位置する本体領域部と、平面視において前記基板開口に沿って形成されたマスク層開口と、を含み、
　前記貫通孔は、前記マスク本体層を貫通している、
ようにしてもよい。

　本開示の第６の態様として、上述した第５の態様による蒸着マスクにおいて、
　前記マスク本体層の前記マスク基板に対向する面における前記貫通孔の所定方向の開口寸法が、前記第１面における前記貫通孔の前記所定方向の開口寸法よりも大きい、
ようにしてもよい。

　本開示の第７の態様として、上述した第１の態様から上述した第４の態様のそれぞれによる蒸着マスクにおいて、
　前記マスク基板は、前記基板開口を画定する基板本体を有し、
　前記マスク中間層は、前記マスク本体層と前記基板本体との間に位置する本体領域部と、平面視において前記基板開口内に位置する開口領域部と、を含み、
　前記貫通孔は、前記マスク本体層及び前記開口領域部を貫通している、
ようにしてもよい。

　本開示の第８の態様として、上述した第７の態様による蒸着マスクにおいて、
　前記第２面における前記貫通孔の所定方向の開口寸法が、前記第１面における前記貫通孔の前記所定方向の開口寸法よりも大きい、
ようにしてもよい。

　本開示の第９の態様として、上述した第１の態様から上述した第８の態様のそれぞれによる蒸着マスクにおいて、
　前記マスク層は、２つ以上の前記貫通孔を有し、
　平面視において、前記基板開口内に、２つ以上の前記貫通孔が位置している、
ようにしてもよい。

　本開示の第１０の態様として、上述した第９の態様による蒸着マスクにおいて、
　前記マスク層は、２つ以上の前記貫通孔で構成された２つ以上の貫通孔群を有し、
　平面視において、前記基板開口内に２つ以上の前記貫通孔群が位置している、
ようにしてもよい。

　本開示の第１１の態様として、上述した第９の態様による蒸着マスクにおいて、
　前記マスク基板は、２つ以上の前記基板開口を有し、
　前記マスク層は、２つ以上の前記貫通孔で構成された２つ以上の貫通孔群を有し、
　平面視において、各々の前記基板開口内に、２つ以上の前記貫通孔群が位置している、ようにしてもよい。

　本開示の第１２の態様として、上述した第９の態様による蒸着マスクにおいて、
　前記マスク基板は、２つ以上の前記基板開口を有し、
　前記マスク層は、２つ以上の前記貫通孔で構成された２つ以上の貫通孔群を有し、
　平面視において、各々の前記基板開口内に１つの前記貫通孔群が位置している、
ようにしてもよい。

　本開示の第１３の態様として、上述した第１の態様から上述した第１２の態様のそれぞれによる蒸着マスクにおいて、
　前記基板開口は、平面視で矩形状に形成され、
　平面視における前記基板開口の輪郭のうちの四隅に、湾曲部が設けられている、
ようにしてもよい。

　本開示の第１４の態様として、上述した第１の態様から第４の態様のそれぞれによる蒸着マスクにおいて、
　前記マスク基板の前記マスク層とは反対側の面に、第１アライメントマークが設けられている、
ようにしてもよい。

　本開示の第１５の態様として、上述した第１４の態様による蒸着マスクにおいて、
　前記マスク基板は、前記基板開口を画定する基板本体と、平面視において前記基板本体から内側に突出する内側突出部と、を有し、
　前記第１アライメントマークは、前記内側突出部に位置している、
ようにしてもよい。

　本開示の第１６の態様として、上述した第１４の態様又は上述した第１５の態様による蒸着マスクにおいて、
　前記第１アライメントマークよりも前記貫通孔に近い位置に、第２アライメントマークが設けられている、
ようにしてもよい。

　本開示の第１７の態様として、上述した第１６の態様による蒸着マスクにおいて、
　前記マスク層は、２つ以上の前記貫通孔と、２つ以上の前記貫通孔で構成された２つ以上の貫通孔群と、互いに隣り合う前記貫通孔群の間に設けられたマスク桟と、を有し、
　前記第２アライメントマークは、前記マスク桟に位置している、
ようにしてもよい。

　本開示の第１８の態様として、上述した第１７の態様による蒸着マスクにおいて、
　前記マスク桟は、平面視において、互いに直交する方向に延びる第１マスク桟及び第２マスク桟、を含み、
　前記第２アライメントマークは、前記第１マスク桟と前記第２マスク桟とが交差する交差部に位置している、
ようにしてもよい。

　本開示の第１９の態様として、上述した第１の態様から第１８の態様のそれぞれによる蒸着マスクにおいて、
　平面視において、前記マスク本体層の外縁は、前記マスク中間層の外縁よりも内側に位置している、
ようにしてもよい。

　本開示の第２０の態様として、上述した第１の態様から第１９の態様のそれぞれによる蒸着マスクにおいて、
　前記マスク本体層は、２つ以上の本体アイランドを含み、
　互いに隣り合う２つの前記本体アイランドの間に、前記マスク本体層を貫通する溝が位置している、
ようにしてもよい。

　本開示の第２１の態様は、
　上述した第１の態様から第２０の態様のそれぞれによる蒸着マスクと、
　前記蒸着マスクの前記マスク基板を支持するフレームと、を備えた、フレーム付き蒸着マスク、
である。

　本開示の第２２の態様は、
　シリコンを含むマスク基板を準備する基板準備工程と、
　前記マスク基板に、第１面と、前記第１面とは反対側に位置するとともに前記マスク基板に対向する第２面と、を有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、
　前記マスク基板に、基板開口を形成する基板開口形成工程と、
　前記マスク層を貫通する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、を備え、
　平面視において、前記基板開口内に前記貫通孔が位置し、
　マスク層形成工程は、前記マスク基板の前記マスク層に対向する面にマスク中間層を形成するマスク中間層形成工程と、前記マスク中間層の前記マスク基板とは反対側の面にマスク本体層を形成するマスク本体層形成工程と、を有し、
　前記マスク本体層は、樹脂材料を含む、蒸着マスクの製造方法、
である。

　本開示の第２３の態様として、上述した第２２の態様による蒸着マスクの製造方法において、
　前記貫通孔形成工程において、前記貫通孔は、前記マスク層にレーザ光を照射することによって形成される、
ようにしてもよい。

　本開示の第２４の態様として、上述した第２３の態様による蒸着マスクの製造方法において、
　前記基板開口形成工程の後に前記貫通孔形成工程が行われ、
　前記レーザ光は、前記基板開口を通して前記マスク層に照射される、
ようにしてもよい。

　本開示の第２５の態様として、上述した第２３の態様又は上述した第２４の態様による蒸着マスクの製造方法において、
　前記貫通孔形成工程において、前記レーザ光は、フォトマスクの前記貫通孔に対応するマスク孔を通して前記マスク層に照射される、
ようにしてもよい。

　本開示の第２６の態様として、上述した第２５の態様による蒸着マスクの製造方法において、
　前記フォトマスクは複数の前記マスク孔を有し、
　前記貫通孔形成工程において、前記レーザ光は、前記フォトマスクの複数の前記マスク孔を通して前記マスク層に照射される、
ようにしてもよい。

　本開示の第２７の態様として、上述した第２２の態様から上述した第２６の態様のそれぞれによる蒸着マスクの製造方法において、
　前記基板開口形成工程の後に、前記マスク中間層に、平面視において前記基板開口に沿ってマスク層開口を形成するマスク層開口形成工程を備え、
　前記貫通孔形成工程において、前記貫通孔は、前記マスク本体層を貫通するように形成される、
ようにしてもよい。

　本開示の第２８の態様として、上述した第２７の態様による蒸着マスクの製造方法において、
　前記マスク本体層の前記マスク基板に対向する面における前記貫通孔の所定方向の開口寸法が、前記第１面における前記貫通孔の前記所定方向の開口寸法よりも大きい、
ようにしてもよい。

　本開示の第２９の態様として、上述した第２２の態様から上述した第２６の態様のそれぞれによる蒸着マスクの製造方法において、
　前記マスク基板は、前記基板開口を画定する基板本体を有し、
　前記マスク中間層は、前記マスク本体層と前記基板本体との間に位置する本体領域部と、平面視において前記基板開口内に位置する開口領域部と、を含み、
　前記貫通孔形成工程において、前記貫通孔は、前記マスク本体層及び前記開口領域部を貫通するように形成される、
ようにしてもよい。

　本開示の第３０の態様として、上述した第２９の態様による蒸着マスクの製造方法において、
　前記第２面における前記貫通孔の所定方向の開口寸法が、前記第１面における前記貫通孔の前記所定方向の開口寸法よりも大きい、
ようにしてもよい。

　本開示の第３１の態様として、上述した第２２の態様から上述した第３０の態様のそれぞれによる蒸着マスクの製造方法において、
　前記マスク本体層の前記樹脂材料は、ポリイミドを含む、
ようにしてもよい。

　本開示の第３２の態様として、上述した第２２の態様から上述した第３１の態様のそれぞれによる蒸着マスクの製造方法において、
　前記基板開口形成工程において、前記マスク層の前記マスク基板とは反対側の面に、マスク保護層が設けられている、
ようにしてもよい。

　本開示の第３３の態様として、上述した第３２の態様による蒸着マスクの製造方法において、
　前記マスク層形成工程の後であって前記基板開口形成工程の前に、前記マスク層の前記マスク基板とは反対側の面に前記マスク保護層を形成するマスク保護層形成工程と、
　前記基板開口形成工程の後であって前記貫通孔形成工程の前に、前記マスク保護層を除去するマスク保護層除去工程と、を備えた、
ようにしてもよい。

　本開示の第３４の態様として、上述した第２２の態様から上述した第３３の態様のそれぞれによる蒸着マスクの製造方法において、
　前記マスク中間層の厚みは、前記マスク本体層の厚みよりも小さい、
ようにしてもよい。

　本開示の第３５の態様として、上述した第２２の態様から上述した第３４の態様のそれぞれによる蒸着マスクの製造方法において、
　前記基板開口形成工程は、前記マスク基板の前記マスク層とは反対側の面に、レジスト開口を有するレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、前記レジスト開口を通して前記マスク基板をエッチングして前記基板開口を形成する基板エッチング工程と、を有している、
ようにしてもよい。

　本開示の第３６の態様として、上述した第３５の態様による蒸着マスクの製造方法において、
　前記マスク中間層は、前記マスク基板との密着性を確保できるとともに、前記基板エッチング工程において用いられるエッチング媒体に対する耐性を有する材料を含む、
ようにしてもよい。

　本開示の第３７の態様として、上述した第３６の態様による蒸着マスクの製造方法において、
　前記マスク中間層は、前記マスク本体層に接するとともに、前記マスク基板に接している、ようにしてもよい。

　本開示の第３８の態様として、上述した第２２の態様から上述した第３７の態様のそれぞれによる蒸着マスクの製造方法において、
　前記マスク層形成工程において、前記マスク中間層は、スパッタリング処理によって形成される、
ようにしてもよい。

　本開示の第３９の態様として、上述した第２２の態様から上述した第３７の態様のそれぞれによる蒸着マスクの製造方法において、
　前記マスク層形成工程において、前記マスク中間層は、蒸着処理によって形成される、
ようにしてもよい。

　本開示の第４０の態様として、上述した第２２の態様から上述した第３９の態様のそれぞれによる蒸着マスクの製造方法において、
　前記マスク層は、２つ以上の前記貫通孔を有し、
　平面視において、前記基板開口内に、２つ以上の前記貫通孔が位置している、
ようにしてもよい。

　本開示の第４１の態様として、上述した第４０の態様による蒸着マスクの製造方法において、
　前記マスク層は、２つ以上の前記貫通孔で構成された２つ以上の貫通孔群を有し、
平面視において、前記基板開口内に２つ以上の前記貫通孔群が位置している　、
ようにしてもよい。

　本開示の第４２の態様として、上述した第４０の態様による蒸着マスクの製造方法において、
　前記マスク基板は、２つ以上の前記基板開口を有し、
　前記マスク層は、２つ以上の前記貫通孔で構成された２つ以上の貫通孔群を有し、
　平面視において、各々の前記基板開口内に、２つ以上の前記貫通孔群が位置している、ようにしてもよい。

　本開示の第４３の態様として、上述した第４０の態様による蒸着マスクの製造方法において、
　前記マスク基板は、２つ以上の前記基板開口を有し、
　前記マスク層は、２つ以上の前記貫通孔で構成された２つ以上の貫通孔群を有し、
　平面視において、各々の前記基板開口内に１つの前記貫通孔群が位置している、
ようにしてもよい。

　本開示の第４４の態様として、上述した第２２の態様から上述した第４３の態様のそれぞれによる蒸着マスクの製造方法において、
　前記基板開口は、平面視で矩形状に形成され、
　平面視における前記基板開口の輪郭のうちの四隅に、湾曲部が設けられている、
ようにしてもよい。

　本開示の第４５の態様として、上述した第２２の態様から上述した第４４の態様のそれぞれによる蒸着マスクの製造方法において、
　前記マスク基板の前記マスク層とは反対側の面に、第１アライメントマークを形成する工程を備えた、
ようにしてもよい。

　本開示の第４６の態様として、上述した第４５の態様による蒸着マスクの製造方法において、
　前記マスク基板は、前記基板開口を画定する基板本体と、平面視において前記基板本体から内側に突出する内側突出部と、を有し、
　前記第１アライメントマークは、前記内側突出部に位置している、
ようにしてもよい。

　本開示の第４７の態様として、上述した第４５の態様又は上述した第４６の態様による蒸着マスクの製造方法において、
　前記第１アライメントマークよりも前記貫通孔に近い位置に、第２アライメントマークを形成する工程を備えた、
ようにしてもよい。

　本開示の第４８の態様として、上述した第４４の態様による蒸着マスクの製造方法において、
　前記マスク層は、２つ以上の前記貫通孔と、２つ以上の前記貫通孔で構成された２つ以上の貫通孔群と、互いに隣り合う前記貫通孔群の間に設けられたマスク桟と、を有し、
　前記第２アライメントマークは、前記マスク桟に位置している、
ようにしてもよい。

　本開示の第４９の態様として、上述した第４８の態様による蒸着マスクの製造方法において、
　前記マスク桟は、平面視において、互いに直交する方向に延びる第１マスク桟及び第２マスク桟を含み、
　前記第２アライメントマークは、前記第１マスク桟と前記第２マスク桟とが交差する交差部に位置している、
ようにしてもよい。

　本開示の第５０の態様として、上述した第２２の態様から上述した第４９の態様のそれぞれによる蒸着マスクの製造方法において、
　平面視において、前記マスク本体層の外縁は、前記マスク中間層の外縁よりも内側に位置している、
ようにしてもよい。

　本開示の第５１の態様として、上述した第２２の態様から上述した第５０の態様のそれぞれによる蒸着マスクの製造方法において、
　前記マスク本体層は、２つ以上の本体アイランドを含み、
　互いに隣り合う２つの前記本体アイランドの間に、前記マスク本体層を貫通する溝が位置している、
ようにしてもよい。

　上述した第２２の態様から上述した第５１の態様はそれぞれ、第２２の態様から第５１の態様のそれぞれの蒸着マスクの製造方法によって製造された蒸着マスクであってもよい。

　本開示の第５２の態様は、
　上述した第２２の態様から上述した第５１の態様のそれぞれによる蒸着マスクの製造方法によって前記蒸着マスクを準備する蒸着マスク準備工程と、
　前記蒸着マスクの前記マスク層のうち前記第１面を蒸着基板に密着させる密着工程と、
　前記蒸着マスクの前記貫通孔を通して蒸着材料を前記蒸着基板に蒸着させて蒸着層を形成する蒸着工程と、を備えた有機デバイスの製造方法、
である。

　上述した第５２の態様は、第５２の態様の有機デバイスの製造方法によって製造された有機デバイスであってもよい。

　本開示の第５３の態様は、
　上述した第２２の態様から上述した第５１の態様のそれぞれによる蒸着マスクの製造方法によって前記蒸着マスクを準備する蒸着マスク準備工程と、
　前記蒸着マスクの前記マスク基板にフレームを取り付けるフレーム取付工程と、を備えた、フレーム付き蒸着マスクの製造方法、
である。

　上述した第５３の態様は、第５３の態様のフレーム付き蒸着マスクの製造方法によって製造されたフレーム付き蒸着マスクであってもよい。

　以下、本開示の一実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。

　まず、対象物に蒸着材料を蒸着させる蒸着処理を実施する蒸着装置８０について、図１を参照して説明する。図１に示すように、蒸着装置８０は、蒸着源（例えばるつぼ８１）と、ヒータ８３と、蒸着マスク１０と、を備えていてもよい。また、蒸着装置８０は、排気手段（図示せず）を更に備えていてもよい。排気手段は、蒸着装置８０の内部の圧力を真空雰囲気まで低下できる。るつぼ８１は、蒸着装置８０の内部に設けられており、有機発光材料などの蒸着材料８２を収容するように構成されている。ヒータ８３は、るつぼ８１を加熱するように構成されている。真空雰囲気でるつぼ８１を加熱することによって、蒸着材料８２が蒸発する。

　蒸着マスク１０は、るつぼ８１に対向するように蒸着装置８０内に配置されている。蒸着マスク１０は、るつぼ８１の上方に配置されていてもよい。この蒸着マスク１０に対面するように蒸着基板１１０が配置されている。蒸着基板１１０は、蒸着材料８２を付着させる対象物である。蒸着基板１１０は、蒸着マスク１０の上方に配置されていてもよい。るつぼ８１から飛来した蒸着材料は、蒸着マスク１０の後述する貫通孔４０を通って、蒸着基板１１０に付着する。

　図１に示すように、蒸着装置８０は、蒸着基板１１０の、蒸着マスク１０とは反対側の面に配置された磁石８５を備えていてもよい。磁石８５の磁力によって蒸着マスク１０を磁石８５に向かう方向に引き寄せて、蒸着マスク１０を蒸着基板１１０に密着できる。これにより、蒸着工程においてシャドー（後述）が発生することを抑制できる。このため、蒸着基板１１０に付着した蒸着材料８２によって形成される蒸着層（又は後述する有機デバイス１００の有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃ、図１７Ａ及び図１７Ｂ参照）の形状精度や位置精度を向上できる。蒸着基板１１０と磁石８５との間には、蒸着時に蒸着基板１１０を冷却する冷却板（図示せず）が介在されていてもよい。

　次に、本実施形態による蒸着マスク１０について、図１～図５Ｂを参照して、より詳細に説明する。

　図１～図３に示すように、蒸着マスク１０は、後述する貫通孔４０が設けられたマスク層２０と、マスク層２０を支持するマスク基板１５と、を備えていてもよい。マスク基板１５は、マスク層２０の後述する第２面２０ｂに位置していてもよい。

　図２に示すように、本実施形態による蒸着マスク１０は、後述する第１面２０ａに垂直な方向で見たときに（以下、平面視と記す）、半導体製造で用いられるシリコンウエハと同様の平面形状を有していてもよい。この場合、マスク層２０及びマスク基板１５の両者がともにシリコンウエハと同様の形状を有していてもよい。シリコンウエハは、一般的なウエハ形状と同様に、オリエンテーションフラット（orientation flat）と称される円形の一部が直線状に切り欠かれた平面形状（図２参照）を有していてもよい。あるいは、シリコンウエハは、ノッチと称される円形の一部が凹状に切り欠かれた平面形状を有していてもよい。

　図３に示すように、マスク基板１５は、マスク層２０に対向する第１基板面１５ａと、第１基板面１５ａとは反対側に位置する第２基板面１５ｂと、を有していてもよい。第１基板面１５ａに、マスク層２０（より詳細には、後述するマスク中間層２２）が付着されていてもよく、固定されていてもよい。マスク層２０とマスク基板１５とは、マスク層２０を後述するスパッタリング処理や蒸着処理などで形成された層（例えば、後述するマスク中間層２２）によって、分離不能に互いに付着されていてもよい。図３は、図２のＡ－Ａ線断面を模式的に示した図であり、図面をわかりやすくするために、貫通孔群３０の個数及び貫通孔４０の個数を少なくしている。

　図２及び図３に示すように、マスク基板１５は、マスク層２０の貫通孔４０を露出する基板開口１６を有していてもよい。基板開口１６は、第１基板面１５ａから第２基板面１５ｂに延びて、マスク基板１５を貫通している。平面視において、基板開口１６内に貫通孔４０が位置していてもよく、複数の貫通孔４０が位置していてもよい。一実施形態において、マスク基板１５は、平面視で枠形状を有していてもよい。図２に示すように、マスク基板１５は、貫通孔群３０の外側に位置する、マスク基板１５の外縁１５ｃに沿うような平面形状を有する基板枠体１７を有していてもよい。この基板枠体１７は、基板本体の一例である。基板枠体１７の内側に基板開口１６が画定されていてもよい。基板開口１６は、図２に示すように、平面視においてマスク基板１５の外縁１５ｃと相似形の輪郭を有していてもよく、又は円形状の輪郭を有していてもよい。

　マスク基板１５の直径は、特に限られることはないが、例えば、１５０ｍｍ（６インチ）、２００ｍｍ（８インチ）、３００ｍｍ（１２インチ）、又は４５０ｍｍ（１８インチ）であってもよい。

　マスク基板１５の厚みＨ１は、特に限られることはないが、直径が１５０ｍｍの場合には０．６２５ｍｍであってもよく、直径が２００ｍｍの場合には、０．７２５ｍｍであってもよい。また、厚みＨ１は、直径が３００ｍｍの場合には、０．７７５ｍｍであってもよい。

　マスク基板１５は、シリコンを含んでいてもよい。例えば、蒸着基板１１０としてガラス基板が用いられる場合に、マスク基板１５の熱膨張係数を、ガラス基板と等しい値か近い値に調整できる。蒸着工程の際、蒸着基板１１０に形成される有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃの形状精度や位置精度が、マスク層２０を備える蒸着マスク１０と蒸着基板１１０との間の熱膨張係数の差に起因して低下する場合がある。以下、この低下を精度低下と称する場合もある。マスク基板１５の熱膨張係数を、ガラス基板と等しい値か近い値に調整することによって、精度低下を抑制できる。また、蒸着基板１１０としてシリコン基板が用いられる場合には、マスク基板１５を蒸着基板１１０と同種材料又は同じ材料で構成できる。この場合、マスク基板１５の熱膨張係数と蒸着基板１１０の熱膨張係数との差を小さくできる。また、マスク基板１５の熱膨張係数と蒸着基板１１０の熱膨張係数を等しくできる。これにより、精度低下をより一層抑制できる。

　図３に示すように、マスク層２０は、第１面２０ａと、第１面２０ａとは反対側に位置するとともにマスク基板１５に対向する第２面２０ｂと、を有していてもよい。第１面２０ａは、蒸着時に蒸着基板１１０が密着する面であってもよい。第２面２０ｂは、マスク基板１５に付着されていてもよい。

　マスク層２０の厚みＨ２は、例えば、２μｍ以上であってもよく、３μｍ以上であってもよく、４μｍ以上であってもよく、５μｍ以上であってもよい。厚みＨ２を２μｍ以上とすることによって、マスク層２０の機械的強度を確保できるとともにハンドリング中の変形又は破損を抑制できる。また、厚みＨ２は、例えば、６μｍ以下であってもよく、７μｍ以下であってもよく、８μｍ以下であってもよく、９μｍ以下であってもよい。厚みＨ２を９μｍ以下とすることによって、シャドーの発生を抑制できる。厚みＨ２の範囲は、２μｍ、３μｍ、４μｍ及び５μｍからなる第１グループ、及び／又は、６μｍ、７μｍ、８μｍ及び９μｍからなる第２グループによって定められてもよい。厚みＨ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。厚みＨ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。厚みＨ２の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、２μｍ以上９μｍ以下であってもよく、２μｍ以上８μｍ以下であってもよく、２μｍ以上７μｍ以下であってもよく、２μｍ以上６μｍ以下であってもよく、２μｍ以上５μｍ以下であってもよく、２μｍ以上４μｍ以下であってもよく、２μｍ以上３μｍ以下であってもよく、３μｍ以上９μｍ以下であってもよく、３μｍ以上８μｍ以下であってもよく、３μｍ以上７μｍ以下であってもよく、３μｍ以上６μｍ以下であってもよく、３μｍ以上５μｍ以下であってもよく、３μｍ以上４μｍ以下であってもよく、４μｍ以上９μｍ以下であってもよく、４μｍ以上８μｍ以下であってもよく、４μｍ以上７μｍ以下であってもよく、４μｍ以上６μｍ以下であってもよく、４μｍ以上５μｍ以下であってもよく、５μｍ以上９μｍ以下であってもよく、５μｍ以上８μｍ以下であってもよく、５μｍ以上７μｍ以下であってもよく、５μｍ以上６μｍ以下であってもよく、６μｍ以上９μｍ以下であってもよく、６μｍ以上８μｍ以下であってもよく、６μｍ以上７μｍ以下であってもよく、７μｍ以上９μｍ以下であってもよく、７μｍ以上８μｍ以下であってもよく、８μｍ以上９μｍ以下であってもよい。

　一実施形態において、マスク層２０は、第１面２０ａの側に位置する樹脂層２１と、樹脂層２１よりも第２面２０ｂの側に位置するマスク中間層２２と、を有していてもよい。樹脂層２１は、第１面２０ａをなす層であってもよい。樹脂層２１は、マスク本体層の一例であり、樹脂本体層と称してもよい。樹脂層２１は、マスク中間層２２に付着して積層されていてもよい。樹脂層２１は、樹脂材料を含んでいてもよい。樹脂層２１を構成する材料としては、特に限られることはないが、例えば、ポリイミド（ＰＩ）を用いてもよい。マスク中間層２２は、樹脂層２１とマスク基板１５との間に位置している。マスク中間層２２の厚みＨ４は、樹脂層２１の厚みＨ３よりも小さくてもよい。樹脂層２１は、後述するように液状の樹脂材料を塗布して乾燥させることにより形成されていてもよい。マスク中間層２２は、後述するようにスパッタリング処理により形成されていてもよい。

　樹脂層２１は、第１面２０ａの側に位置する第１樹脂層面２１ａと、第２面２０ｂの側に位置する第２樹脂層面２１ｂと、を含んでいてもよい。第１樹脂層面２１ａは、第１面２０ａをなす面であってもよい。第２樹脂層面２１ｂは、マスク中間層２２に対向する面であってもよい。貫通孔４０は、樹脂層２１を貫通している。

　マスク中間層２２は、樹脂層２１と基板枠体１７との間に位置する本体領域部２２ａと、平面視において基板開口１６に沿って形成されたマスク層開口２２ｄと、を含んでいてもよい。マスク層開口２２ｄは、マスク中間層２２を貫通していてもよい。マスク層開口２２ｄは、基板開口１６と同一の平面形状を有していてもよい。

　図３に示すように、平面視において、樹脂層２１の外縁２１ｃは、マスク中間層２２の外縁２２ｃと重なる位置に位置していてもよい。樹脂層２１の外縁２１ｃは、全体的に、マスク中間層２２の外縁２２ｃと重なる位置に位置していてもよい。平面視において、樹脂層２１の外縁２１ｃ及びマスク中間層２２の外縁２２ｃは、上述したマスク基板１５の外縁１５ｃと重なる位置に位置していてもよい。樹脂層２１の外縁２１ｃ及びマスク中間層２２の外縁２２ｃは、全体的に、マスク基板１５の外縁１５ｃと重なる位置に位置していてもよい。

　マスク中間層２２は、例えば、樹脂層２１とマスク基板１５との密着性を確保できる層であってもよい。また、マスク中間層２２は、後述する基板エッチング工程において用いられるエッチング媒体に対する耐性を有する層であってもよい。より具体的には、マスク中間層２２は、エッチング媒体による浸食を抑制できる層であってもよい。

　樹脂層２１の厚みＨ３は、例えば、０．５μｍ以上であってもよく、１．０μｍ以上であってもよく、１．５μｍ以上であってもよく、２．０μｍ以上であってもよい。厚みＨ３を０．５μｍ以上とすることによって、機械的強度を確保できるとともにハンドリング中の変形又は破損を抑制できる樹脂層２１を、後述するめっき処理によって安定的に形成できる。また、厚みＨ３は、例えば、４．２μｍ以下であってもよく、４．４μｍ以下であってもよく、４．６μｍ以下であってもよく、４．８μｍ以下であってもよい。厚みＨ３を４．８μｍ以下とすることによって、樹脂層２１を効率良く形成できる。厚みＨ３の範囲は、０．５μｍ、１．０μｍ、１．５μｍ及び２．０μｍからなる第１グループ、及び／又は、４．２μｍ、４．４μｍ、４．６μｍ及び４．８μｍからなる第２グループによって定められてもよい。厚みＨ３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。厚みＨ３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。厚みＨ３の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、０．５μｍ以上４．８μｍ以下であってもよく、０．５μｍ以上４．６μｍ以下であってもよく、０．５μｍ以上４．４μｍ以下であってもよく、０．５μｍ以上４．２μｍ以下であってもよく、０．５μｍ以上２．０μｍ以下であってもよく、０．５μｍ以上１．５μｍ以下であってもよく、０．５μｍ以上１．０μｍ以下であってもよく、１．０μｍ以上４．８μｍ以下であってもよく、１．０μｍ以上４．６μｍ以下であってもよく、１．０μｍ以上４．４μｍ以下であってもよく、１．０μｍ以上４．２μｍ以下であってもよく、１．０μｍ以上２．０μｍ以下であってもよく、１．０μｍ以上１．５μｍ以下であってもよく、１．５μｍ以上４．８μｍ以下であってもよく、１．５μｍ以上４．６μｍ以下であってもよく、１．５μｍ以上４．４μｍ以下であってもよく、１．５μｍ以上４．２μｍ以下であってもよく、１．５μｍ以上２．０μｍ以下であってもよく、２．０μｍ以上４．８μｍ以下であってもよく、２．０μｍ以上４．６μｍ以下であってもよく、２．０μｍ以上４．４μｍ以下であってもよく、２．０μｍ以上４．２μｍ以下であってもよく、４．２μｍ以上４．８μｍ以下であってもよく、４．２μｍ以上４．６μｍ以下であってもよく、４．２μｍ以上４．４μｍ以下であってもよく、４．４μｍ以上４．８μｍ以下であってもよく、４．４μｍ以上４．６μｍ以下であってもよく、４．６μｍ以上４．８μｍ以下であってもよい。

　あるいは、樹脂層２１の厚みＨ３は、例えば、３．２μｍ以上であってもよく、３．４μｍ以上であってもよく、３．６μｍ以上であってもよく、３．８μｍ以上であってもよい。厚みＨ３を３．２μｍ以上とすることによって、機械的強度を確保できるとともにハンドリング中の変形又は破損を抑制できる樹脂層２１を、後述するめっき処理によってより一層安定的に形成できる。また、厚みＨ３は、例えば、４．２μｍ以下であってもよく、４．４μｍ以下であってもよく、４．６μｍ以下であってもよく、４．８μｍ以下であってもよい。厚みＨ３を４．８μｍ以下とすることによって、樹脂層２１を効率良く形成できる。厚みＨ３の範囲は、３．２μｍ、３．４μｍ、３．６μｍ及び３．８μｍからなる第１グループ、及び／又は、４．２μｍ、４．４μｍ、４．６μｍ及び４．８μｍからなる第２グループによって定められてもよい。厚みＨ３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。厚みＨ３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。厚みＨ３の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、３．２μｍ以上４．８μｍ以下であってもよく、３．２μｍ以上４．６μｍ以下であってもよく、３．２μｍ以上４．４μｍ以下であってもよく、３．２μｍ以上４．２μｍ以下であってもよく、３．２μｍ以上３．８μｍ以下であってもよく、３．２μｍ以上３．６μｍ以下であってもよく、３．２μｍ以上３．４μｍ以下であってもよく、３．４μｍ以上４．８μｍ以下であってもよく、３．４μｍ以上４．６μｍ以下であってもよく、３．４μｍ以上４．４μｍ以下であってもよく、３．４μｍ以上４．２μｍ以下であってもよく、３．４μｍ以上３．８μｍ以下であってもよく、３．４μｍ以上３．６μｍ以下であってもよく、３．６μｍ以上４．８μｍ以下であってもよく、３．６μｍ以上４．６μｍ以下であってもよく、３．６μｍ以上４．４μｍ以下であってもよく、３．６μｍ以上４．２μｍ以下であってもよく、３．６μｍ以上３．８μｍ以下であってもよく、３．８μｍ以上４．８μｍ以下であってもよく、３．８μｍ以上４．６μｍ以下であってもよく、３．８μｍ以上４．４μｍ以下であってもよく、３．８μｍ以上４．２μｍ以下であってもよく、４．２μｍ以上４．８μｍ以下であってもよく、４．２μｍ以上４．６μｍ以下であってもよく、４．２μｍ以上４．４μｍ以下であってもよく、４．４μｍ以上４．８μｍ以下であってもよく、４．４μｍ以上４．６μｍ以下であってもよく、４．６μｍ以上４．８μｍ以下であってもよい。

　マスク中間層２２の厚みＨ４は、例えば、５０ｎｍ以上であってもよく、６０ｎｍ以上であってもよく、７０ｎｍ以上であってもよく、８０ｎｍ以上であってもよい。厚みＨ４を５０ｎｍ以上とすることによって、後述するスパッタリング処理によってマスク中間層２２を安定的に形成できる。また、厚みＨ４は、例えば、１０４ｎｍ以下であってもよく、１０６ｎｍ以下であってもよく、１０８ｎｍ以下であってもよく、１１０ｎｍ以下であってもよい。厚みＨ４を１１０ｎｍ以下とすることによって、マスク中間層２２を効率良く形成できる。厚みＨ４の範囲は、５０ｎｍ、６０ｎｍ、７０ｎｍ及び８０ｎｍからなる第１グループ、及び／又は、１０４ｎｍ、１０６ｎｍ、１０８ｎｍ及び１１０ｎｍからなる第２グループによって定められてもよい。厚みＨ４の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。厚みＨ４の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。厚みＨ４の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、５０ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であってもよく、５０ｎｍ以上１０８ｎｍ以下であってもよく、５０ｎｍ以上１０６ｎｍ以下であってもよく、５０ｎｍ以上１０４ｎｍ以下であってもよく、５０ｎｍ以上８０ｎｍ以下であってもよく、５０ｎｍ以上７０ｎｍ以下であってもよく、５０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であってもよく、６０ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であってもよく、６０ｎｍ以上１０８ｎｍ以下であってもよく、６０ｎｍ以上１０６ｎｍ以下であってもよく、６０ｎｍ以上１０４ｎｍ以下であってもよく、６０ｎｍ以上８０ｎｍ以下であってもよく、６０ｎｍ以上７０ｎｍ以下であってもよく、７０ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であってもよく、７０ｎｍ以上１０８ｎｍ以下であってもよく、７０ｎｍ以上１０６ｎｍ以下であってもよく、７０ｎｍ以上１０４ｎｍ以下であってもよく、７０ｎｍ以上８０ｎｍ以下であってもよく、８０ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であってもよく、８０ｎｍ以上１０８ｎｍ以下であってもよく、８０ｎｍ以上１０６ｎｍ以下であってもよく、８０ｎｍ以上１０４ｎｍ以下であってもよく、１０４ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であってもよく、１０４ｎｍ以上１０８ｎｍ以下であってもよく、１０４ｎｍ以上１０６ｎｍ以下であってもよく、１０６ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であってもよく、１０６ｎｍ以上１０８ｎｍ以下であってもよく、１０８ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であってもよい。

　あるいは、マスク中間層２２の厚みＨ４は、例えば、９０ｎｍ以上であってもよく、９２ｎｍ以上であってもよく、９４ｎｍ以上であってもよく、９６ｎｍ以上であってもよい。厚みＨ４を９０ｎｍ以上とすることによって、後述するスパッタリング処理によってマスク中間層２２をより一層安定的に形成できる。また、厚みＨ４は、例えば、１０４ｎｍ以下であってもよく、１０６ｎｍ以下であってもよく、１０８ｎｍ以下であってもよく、１１０ｎｍ以下であってもよい。厚みＨ４を１１０ｎｍ以下とすることによって、マスク中間層２２を効率良く形成できる。厚みＨ４の範囲は、９０ｎｍ、９２ｎｍ、９４ｎｍ及び９６ｎｍからなる第１グループ、及び／又は、１０４ｎｍ、１０６ｎｍ、１０８ｎｍ及び１１０ｎｍからなる第２グループによって定められてもよい。厚みＨ４の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。厚みＨ４の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。厚みＨ４の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、９０ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であってもよく、９０ｎｍ以上１０８ｎｍ以下であってもよく、９０ｎｍ以上１０６ｎｍ以下であってもよく、９０ｎｍ以上１０４ｎｍ以下であってもよく、９０ｎｍ以上９６ｎｍ以下であってもよく、９０ｎｍ以上９４ｎｍ以下であってもよく、９０ｎｍ以上９２ｎｍ以下であってもよく、９２ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であってもよく、９２ｎｍ以上１０８ｎｍ以下であってもよく、９２ｎｍ以上１０６ｎｍ以下であってもよく、９２ｎｍ以上１０４ｎｍ以下であってもよく、９２ｎｍ以上９６ｎｍ以下であってもよく、９２ｎｍ以上９４ｎｍ以下であってもよく、９４ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であってもよく、９４ｎｍ以上１０８ｎｍ以下であってもよく、９４ｎｍ以上１０６ｎｍ以下であってもよく、９４ｎｍ以上１０４ｎｍ以下であってもよく、９４ｎｍ以上９６ｎｍ以下であってもよく、９６ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であってもよく、９６ｎｍ以上１０８ｎｍ以下であってもよく、９６ｎｍ以上１０６ｎｍ以下であってもよく、９６ｎｍ以上１０４ｎｍ以下であってもよく、１０４ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であってもよく、１０４ｎｍ以上１０８ｎｍ以下であってもよく、１０４ｎｍ以上１０６ｎｍ以下であってもよく、１０６ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であってもよく、１０６ｎｍ以上１０８ｎｍ以下であってもよく、１０８ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であってもよい。

　樹脂層２１は、樹脂材料を含んでいてもよい。樹脂材料としては、特に限られることはないが、例えば、ポリイミド（ＰＩ）を用いてもよい。

　マスク中間層２２を構成する材料としては、樹脂層２１とマスク基板１５との密着性を確保できる材料であるとともに、後述する基板エッチング工程において用いられるエッチング媒体による浸食を抑制できる材料であれば、特に限られることはない。例えば、マスク中間層２２は、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、ネオジムを含むアルミニウム合金（Ａｌ－Ｎｄ）、酸化珪素（ＳｉＯ）又は二酸化珪素（ＳｉＯ_２）を含んでいてもよい。マスク中間層２２が、ネオジムを含むアルミニウム合金で構成される場合、ネオジムの含有量が、０．５アトミック％以上且つ２アトミック％以下であるアルミニウム合金を用いてもよい。ここで、アトミック％は、ＸＰＳ法を用いてマスク中間層２２を組成分析することによって得られる。ＸＰＳ法とは、Ｘ線を試料に照射することによって試料から放出される光電子のエネルギー分布を測定する結果として、試料の表面から数ｎｍの範囲内の領域における構成元素の種類や存在量に関する知見を得る方法である。この場合、各構成元素の存在量は、Ｘ線光電子分光法によって測定されたスペクトルにおいて、各構成元素に対応するピークの面積を積分することによって算出されるピーク面積値に比例する。従って、はじめに、各構成元素に対応するピーク面積値を算出する。次に、各構成元素のピーク面積値の合計値を算出し、その後、対象とする構成元素のピーク面積値を合計値で割り、かつ１００を掛けることによって、対象とする構成元素のアトミック％を算出できる。構成元素の存在量とピーク面積値との関係は、Ｘ線に対する感度等に応じて構成元素ごとに異なる場合がある。この場合、感度の差を補正するための相対感度係数を各構成元素のピーク面積値に掛けて補正ピーク面積値を算出し、その後、上述の合計値及びアトミック％を算出してもよい。

　マスク層２０には、貫通孔４０が設けられていてもよい。マスク層２０には、２つ以上の貫通孔４０が設けられていてもよい。貫通孔４０は、マスク層２０を貫通していてもよい。本実施形態においては、貫通孔４０は、樹脂層２１を貫通している。すなわち、貫通孔４０は、第１樹脂層面２１ａ（又は第１面２０ａ）から第２樹脂層面２１ｂに延びて樹脂層２１を貫通している。

　第２樹脂層面２１ｂにおける貫通孔４０の所定方向（例えば、後述する第１方向Ｄ１１又は第２方向Ｄ１２）の開口寸法は、第１樹脂層面２１ａにおける貫通孔４０の当該所定方向の開口寸法よりも大きくなっていてもよい。一実施形態では、第１樹脂層面２１ａに平行な方向における貫通孔４０の断面開口は、第１樹脂層面２１ａから第２樹脂層面２１ｂに向かって徐々に大きくなっていてもよい。言い換えると、マスク層２０の法線方向に沿った各位置における第１樹脂層面２１ａに平行な断面での各貫通孔４０の断面積は、第１樹脂層面２１ａから第２樹脂層面２１ｂに向かって徐々に大きくなっていてもよい。この場合、貫通孔４０は、第１樹脂層面２１ａから第２樹脂層面２１ｂに向かって、貫通孔４０の中心軸線ＣＬから遠ざかるように形成された壁面４１を有していてもよい。図３においては、貫通孔４０の壁面４１が、第１樹脂層面２１ａから第２樹脂層面２１ｂに向かって中心軸線ＣＬから遠ざかるように中心軸線ＣＬに対して直線状に傾斜している例が示されている。

　図２及び図４に示すように、貫通孔４０は、２つ以上の貫通孔群３０をなしていてもよい。各貫通孔群３０は、平面視で、マスク基板１５の基板開口１６内に位置している。すなわち、基板開口１６に、貫通孔群３０（又は後述する有効領域２３）が位置していてもよく、複数の貫通孔群３０（又は複数の有効領域２３）が位置していてもよい。更には、１つの基板開口１６内に、全ての貫通孔群３０が位置していてもよい。図４に示すように、各貫通孔群３０は、２つ以上の貫通孔４０が群をなすように構成されていてもよい。貫通孔群３０とは、規則的に配列された複数の貫通孔４０の集合体を意味する用語として用いている。１つの貫通孔群３０を構成する外縁の貫通孔４０は、同様に規則的に配列されている複数の貫通孔４０のうち最も外側に位置する貫通孔４０である。１つの貫通孔群３０において最も外側に位置する貫通孔４０の更に外側には、同様に規則的に配列されて蒸着材料８２の通過を意図する貫通孔４０は存在していなくてもよい。

　図２及び図４に示すように、互いに隣り合う貫通孔群３０同士の間には、マスク桟２８ａ、２８ｂが設けられていてもよい。マスク桟２８ａ、２８ｂには、蒸着材料８２の通過を意図する貫通孔４０は配置されていなくてもよい。マスク桟２８ａ、２８ｂは、互いに直交する方向に延びる第１マスク桟２８ａ及び第２マスク桟２８ｂを含んでいてもよい。第１マスク桟２８ａは、第２方向Ｄ１２に延びていてもよく、第２マスク桟２８ｂは、第１方向Ｄ１１に延びていてもよい。複数の第１マスク桟２８ａが、第１方向Ｄ１１に配列されていてもよい。複数の第２マスク桟２８ｂが、第２方向Ｄ１２に配列されていてもよい。第１マスク桟２８ａと第２マスク桟２８ｂとが交差部２９において交差している。マスク桟２８ａ、２８ｂには、他の用途の貫通孔や凹部（いずれも図示せず）が配置されていてもよい。これらの他の用途の貫通孔や凹部は、貫通孔４０の配列の規則性を持たずに配置されていてもよく、貫通孔群３０には属していないと考えてもよい。マスク桟２８ａ、２８ｂは、後述する周囲領域２４の一部を構成していてもよい。

　図４に示すように、複数の貫通孔群３０は、所定の間隔を開けて（所定のピッチで）配列されていてもよい。貫通孔群３０は、第１方向Ｄ１１において所定の間隔を開けて配列されるとともに、第２方向Ｄ１２において所定の間隔を開けて配列されていてもよい。貫通孔群３０は、第１方向Ｄ１１において第１マスク桟２８ａを介して配列され、第２方向Ｄ１２において第２マスク桟２８ｂを介して配列されていてもよい。貫通孔群３０の配列ピッチは、第１方向Ｄ１１及び第２方向Ｄ１２で異なっていてもよいが、等しくてもよい。図４においては、第１方向Ｄ１１の配列ピッチと第２方向Ｄ１２の配列ピッチが等しい例を示している。図４に示すように、貫通孔群３０は、並列配列されていてもよい。すなわち、第１方向Ｄ１１に沿った１つの列を構成する各貫通孔群３０と、当該列と第２方向Ｄ１２において隣り合う他の列を構成する各貫通孔群３０とは、第２方向Ｄ１２において整列されていてもよい。

　図４に、第１方向Ｄ１１において互いに隣り合う貫通孔群３０の間の距離がＣ１で示されている。距離Ｃ１は、第１マスク桟２８ａの幅に相当している。また、第２方向Ｄ１２において互いに隣り合う貫通孔群３０の間の距離がＣ２で示されている。距離Ｃ２は、第２マスク桟２８ｂの幅に相当している。距離Ｃ１と距離Ｃ２は異なっていてもよいが、図４に示す例では、距離Ｃ１と距離Ｃ２が等しい例を示している。距離Ｃ１、Ｃ２は、有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃ等を含む複数の有機デバイス１００が蒸着された蒸着基板１１０（図１７Ａ参照）を有機デバイス１００毎に裁断する際に用いられるダイシングソーの幅に応じて設定されてもよい。蒸着基板１１０の裁断は、互いに隣り合う有機デバイス１００の間の領域を１回の裁断で蒸着基板１１０を分割するシングルソーイングで行ってもよい。シングルソーイングは、１回の裁断で蒸着基板１１０を分割できる点で、蒸着基板１１０を効率良く分割できる。シングルソーイングは、距離Ｃ１及び距離Ｃ２が比較的小さい場合に適用されてもよい。シングルソーイングを適用する場合には、距離Ｃ１及び距離Ｃ２をダイシングソーの幅は等しい値か近い値にしてもよい。蒸着基板１１０の裁断は、シングルソーイングの代わりに、互いに隣り合う有機デバイス１００の間の領域を２回の裁断で蒸着基板１１０を分割するダブルソーイングで行ってもよい。例えば、一方の有機デバイス１００の縁に沿う位置の裁断と、他方の有機デバイス１００の縁に沿う位置の裁断と、２回の裁断が行われる。このようなダブルソーイングは、距離Ｃ１及び距離Ｃ２が比較的大きい場合又はダイシングソーの幅が比較的小さい場合に適用されてもよい。ダブルソーイングを適用する場合には、小さい幅のダブルソーイングを適用することによって、蒸着基板１１０の裁断時間を短縮できる。

　距離Ｃ１、Ｃ２は、例えば、３０μｍ以上であってもよく、５０μｍ以上であってもよく、１００μｍ以上であってもよく、１５０μｍ以上であってもよい。距離Ｃ１、Ｃ２を３０μｍ以上とすることによって、ダイシングソーを用いたシングルソーイングで蒸着基板１１０を裁断するための裁断幅を確保できるとともに、蒸着マスク１０の強度を向上できる。また、距離Ｃ１、Ｃ２は、例えば、２４０μｍ以下であってもよく、２６０μｍ以下であってもよく、２８０μｍ以下であってもよく、３００μｍ以下であってもよい。距離Ｃ１、Ｃ２を３００μｍ以下とすることによって、蒸着基板１１０への面付効率を向上できる。距離Ｃ１、Ｃ２の範囲は、３０μｍ、５０μｍ、１００μｍ及び１５０μｍからなる第１グループ、及び／又は、２４０μｍ、２６０μｍ、２８０μｍ及び３００μｍからなる第２グループによって定められてもよい。距離Ｃ１、Ｃ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。距離Ｃ１、Ｃ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。距離Ｃ１、Ｃ２の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、３０μｍ以上３００μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上２８０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上２６０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上２４０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上１５０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上１００μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、５０μｍ以上３００μｍ以下であってもよく、５０μｍ以上２８０μｍ以下であってもよく、５０μｍ以上２６０μｍ以下であってもよく、５０μｍ以上２４０μｍ以下であってもよく、５０μｍ以上１５０μｍ以下であってもよく、５０μｍ以上１００μｍ以下であってもよく、１００μｍ以上３００μｍ以下であってもよく、１００μｍ以上２８０μｍ以下であってもよく、１００μｍ以上２６０μｍ以下であってもよく、１００μｍ以上２４０μｍ以下であってもよく、１００μｍ以上１５０μｍ以下であってもよく、１５０μｍ以上３００μｍ以下であってもよく、１５０μｍ以上２８０μｍ以下であってもよく、１５０μｍ以上２６０μｍ以下であってもよく、１５０μｍ以上２４０μｍ以下であってもよく、２４０μｍ以上３００μｍ以下であってもよく、２４０μｍ以上２８０μｍ以下であってもよく、２４０μｍ以上２６０μｍ以下であってもよく、２６０μｍ以上３００μｍ以下であってもよく、２６０μｍ以上２８０μｍ以下であってもよく、２８０μｍ以上３００μｍ以下であってもよい。

　図４及び図５Ａに示すように、１つの貫通孔群３０において、複数の貫通孔４０は、所定の間隔を開けて、又は所定のピッチで配列されていてもよい。貫通孔４０は、第１方向Ｄ１１において所定のピッチ（図５Ａに示す符号Ｃ３）で配列されると共に、第２方向Ｄ１２において所定のピッチ（図５Ａに示す符号Ｃ４）で配列されていてもよい。貫通孔４０の配列ピッチＣ３、Ｃ４は、第１方向Ｄ１１及び第２方向Ｄ１２で異なっていてもよいが、等しくてもよい。図５Ａにおいては、第１方向Ｄ１１の配列ピッチＣ３と第２方向Ｄ１２の配列ピッチＣ４が等しい例を示している。図５Ａに示すように、貫通孔４０は、並列配列されていてもよい。すなわち、第１方向Ｄ１１に沿った１つの列を構成する各貫通孔４０と、当該列と第２方向Ｄ１２において隣り合う他の列を構成する各貫通孔４０とは、第２方向Ｄ１２において整列されていてもよい。貫通孔４０の配列ピッチＣ３、Ｃ４は、表示装置又は投影装置の画素密度に応じて、例えば以下のように定められていてもよい。
・画素密度が６００ｐｐｉ以上の場合：ピッチは４２．３μｍ以下
・画素密度が１２００ｐｐｉ以上の場合：ピッチは２１．２μｍ以下
・画素密度が３０００ｐｐｉ以上の場合：ピッチは８．５μｍ以下
・画素密度が５０００ｐｐｉ以上の場合：ピッチは５．１μｍ以下
　画素密度が６００ｐｐｉの表示装置又は投影装置は、眼球から１５ｃｍ程度の距離で画像や映像を表示するように用いられてもよく、例えば、スマートフォンに用いられてもよい。画素密度が１２００ｐｐｉの表示装置又は投影装置は、眼球から８ｃｍ程度の距離で画像や映像を表示するように用いられてもよく、例えば、仮想現実（いわゆるＶＲ）を表現するための画像や映像を表示又は投影するために用いられてもよい。画素密度が３０００ｐｐｉの表示装置又は投影装置は、眼球から３ｃｍ程度の距離で画像や映像を表示するように用いられてもよく、例えば、拡張現実（いわゆるＡＲ）を表現するための画像や映像を表示又は投影するために用いられてもよい。画素密度が５０００ｐｐｉの表示装置又は投影装置は、眼球から２ｃｍ程度の距離で画像や映像を表示するように用いられてもよく、例えば、拡張現実を表現するための画像や映像を表示又は投影するために用いられてもよい。

　１つの貫通孔群３０における貫通孔４０は、並列配列ではなく、図５Ｂに示すように、千鳥配列されていてもよい。すなわち、第１方向Ｄ１１に沿った１つの列を構成する各貫通孔４０と、当該列と第２方向Ｄ１２において隣り合う他の列を構成する各貫通孔４０とは、第２方向Ｄ１２において整列されていなくてもよい。図５Ｂに示す例では、１つの列を構成する各貫通孔４０と、隣り合う他の列を構成する各貫通孔４０とは、第１方向Ｄ１１においてずれて配列されており、そのずれ量が、第１方向における配列ピッチＣ３の半分になっている。しかしながら、本開示は、このことに限られることはなく、上記ずれ量は、配列ピッチＣ３の半分であることに限られない。また、図５Ｂでは、第２方向Ｄ１２において隣り合う２つの貫通孔４０の列が第１方向Ｄ１１においてずれて配列されている例が示されているが、第１方向Ｄ１１において隣り合う２つの貫通孔４０の列が第２方向Ｄ１２においてずれて配列されていてもよい。

　図５Ａに示すように、貫通孔４０は、平面視において、略矩形形状の輪郭を有していてもよい。この場合、貫通孔４０の輪郭のうちの四隅は湾曲していてもよい。輪郭の形状は、画素の形状に応じて任意に定められ得る。例えば、六角形、八角形などのその他の多角形の形状を有していてもよく、円形状を有していてもよい。また、輪郭の形状は、複数の形状の組み合わせであってもよい。また、貫通孔４０はそれぞれ、互いに異なる輪郭の形状を有していてもよい。貫通孔４０の第１方向Ｄ１１の開口寸法は、開口の中心点Ｏを通って第１方向Ｄ１１に延びる直線（図５Ａでは、後述する第１中間直線ＭＬ１に相当）が当該開口の輪郭と交わる２つの交点間の寸法であってもよい。貫通孔４０の第２方向Ｄ１２の開口寸法は、開口の中心点Ｏを通って第２方向Ｄ１２に延びる直線（図５Ａでは、後述する第２中間直線ＭＬ２に相当）が当該開口の輪郭と交わる２つの交点間の寸法であってもよい。第１樹脂層面２１ａ及び第２樹脂層面２１ｂにおける貫通孔４０の開口の中心点Ｏは、第１中間直線ＭＬ１と第２中間直線ＭＬ２との交点としてもよい。第１中間直線ＭＬ１は、第１方向Ｄ１１に延びて当該開口の輪郭に外接する２つの直線から等しい距離に位置する直線であってもよい。第２中間直線ＭＬ２は、第２方向Ｄ１２に延びて当該開口の輪郭に外接する２つの直線から等しい距離に位置する直線であってもよい。貫通孔４０が、偶数個の頂点を有する多角形形状の輪郭を有する場合、貫通孔４０の開口寸法は、図５Ａに示すように、多角形において対向する一対の辺の間の間隔としてもよい。

　図５Ａにおいて、第１樹脂層面２１ａにおける貫通孔４０の開口寸法が、符号Ｓ１で示されている。また、第２樹脂層面２１ｂにおける貫通孔４０の開口寸法が、符号Ｓ２で示されている。開口寸法Ｓ２は、開口寸法Ｓ１よりも大きくなっている。図５Ａにおいては、貫通孔４０の平面形状は正方形としているため、貫通孔４０の第１方向Ｄ１１の開口寸法と貫通孔４０の第２方向Ｄ１２の開口寸法は等しくなっている。代表的に第２方向Ｄ１２における貫通孔４０の寸法を、符号Ｓ１、Ｓ２で示している。符号Ｓ３は、第1樹脂層面２１ａにおける互いに隣り合う貫通孔４０同士の間の距離を示している。

　寸法Ｓ１、寸法Ｓ２及び寸法Ｓ３は、表示装置又は投影装置の画素密度に応じて例えば以下の表１のように定められていてもよい。

　図３に示すように、上述した貫通孔４０の壁面４１は、第１樹脂層面２１ａに対して角度θ１で傾斜していてもよい。

　角度θ１は、例えば、６０°以上であってもよく、６５°以上であってもよく、７０°以上であってもよく、７５°以上であってもよい。角度θ１を６０°以上とすることによって、後述するように、貫通孔４０の配列ピッチＣ３、Ｃ４を小さくできる。また、角度θ１は、例えば、８０°以下であってもよく、８３°以下であってもよく、８５°以下であってもよく、９０°以下であってもよい。角度θ１を９０°以下とすることによって、シャドーの発生を抑制できる。角度θ１の範囲は、６０°、６５°、７０°及び７５°からなる第１グループ、及び／又は、８０°、８３°、８５°及び９０°からなる第２グループによって定められてもよい。角度θ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。角度θ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。角度θ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、６０°以上９０°以下であってもよく、６０°以上８５°以下であってもよく、６０°以上８３°以下であってもよく、６０°以上８０°以下であってもよく、６０°以上７５°以下であってもよく、６０°以上７０°以下であってもよく、６０°以上６５°以下であってもよく、６５°以上９０°以下であってもよく、６５°以上８５°以下であってもよく、６５°以上８３°以下であってもよく、６５°以上８０°以下であってもよく、６５°以上７５°以下であってもよく、６５°以上７０°以下であってもよく、７０°以上９０°以下であってもよく、７０°以上８５°以下であってもよく、７０°以上８３°以下であってもよく、７０°以上８０°以下であってもよく、７０°以上７５°以下であってもよく、７５°以上９０°以下であってもよく、７５°以上８５°以下であってもよく、７５°以上８３°以下であってもよく、７５°以上８０°以下であってもよく、８０°以上９０°以下であってもよく、８０°以上８５°以下であってもよく、８０°以上８３°以下であってもよく、８３°以上９０°以下であってもよく、８３°以上８５°以下であってもよく、８５°以上９０°以下であってもよい。

　以下、角度θ１の技術的意味について説明する。蒸着マスク１０を用いて蒸着材料８２を蒸着基板１１０に蒸着させる蒸着工程における蒸着材料８２の飛来する方向成分について説明する。図１に示するつぼ８１の構成次第では、蒸着材料８２は、蒸着源（るつぼ８１）から蒸着基板１１０に向かって蒸着マスク１０の厚み方向Ｄ２に沿って飛来する成分に加えて、蒸着マスク１０の厚み方向Ｄ２に対して傾斜した方向に沿って飛来する成分を含む場合がある。この場合、傾斜した方向に沿って飛来する蒸着材料８２の一部は、蒸着基板１１０に到達する前に樹脂層２１の第２樹脂層面２１ｂや貫通孔４０の壁面４１に付着する。このため、蒸着基板１１０に形成される蒸着層（又は後述する有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃ）の厚みは、貫通孔４０の壁面４１に近いほど薄くなり易い。このような、蒸着基板１１０への蒸着材料８２の付着が貫通孔４０の壁面４１によって阻害される現象のことを、シャドーとも称する。シャドーの発生を抑制するための対策としては、上述の角度θ１を小さくすることと、樹脂層２１の厚みＨ３を小さくすることが考えられる。

　角度θ１を小さくすることは、第２樹脂層面２１ｂにおける貫通孔４０の開口が大きくなることを意味する。この場合、第２樹脂層面２１ｂにおいて互いに隣り合う貫通孔４０の壁面４１が接続されて、これらの貫通孔４０の間に第２樹脂層面２１ｂが存在しなくなる。すなわち、第２樹脂層面２１ｂにおいて互いに隣り合う貫通孔４０同士の間の材料が、後述する貫通孔形成工程時のレーザ光照射によって除去される。このため、角度θ１は小さくし過ぎなくてもよい。この場合、樹脂層２１の機械的強度を確保しつつ、貫通孔４０の配列ピッチＣ３、Ｃ４を小さくできる。

　角度θ１を小さくし過ぎることを抑制する場合には、樹脂層２１の厚みＨ３を小さくしてもよい。このことにより、シャドーの発生を抑制できる。しかしながら、厚みＨ３を単に小さくすることは、樹脂層２１の機械的強度の低下を意味する。このため、厚みＨ３は小さくし過ぎなくてもよい。この場合、樹脂層２１の機械的強度を確保できる。

　そこで、本実施形態においては、角度θ１が比較的大きく、例えば、６０°以上となっている。この角度θ１は、従来の、例えば、５０°以下になっている蒸着マスクの場合に比べて大きい。このため、貫通孔４０の壁面４１を、樹脂層２１の第１樹脂層面２１ａ及び第２樹脂層面２１ｂに垂直に近い形状で形成でき、貫通孔４０の周辺に、樹脂層２１の材料を残存できる。従って、樹脂層２１の機械的強度を向上できる。また、角度θ１を大きくしていることによって、貫通孔４０の配列ピッチＣ３、Ｃ４を小さくできる。

　このように本実施形態による蒸着マスク１０の角度θ１が、６０°以上９０°以下である。このため、本実施形態による蒸着マスク１０が、９０°又は９０°に近い蒸着角度（例えば、６０°以上且つ９０°以下）を有するるつぼ８１を備えた蒸着装置８０に用いてもよく、あるいは、面蒸着式の蒸着装置（図示せず）に用いてもよい。図１に示すようなるつぼ８１を備えた蒸着装置８０では、蒸着材料８２は、厚み方向Ｄ２に対して傾斜した方向に沿って飛来する成分を含む場合がある。これに対して、面蒸着式の蒸着装置では、蒸着基板１１０の下方に配置された蒸着源が、蒸着マスク１０に対向するように平面上の広がりを有している。このことにより、蒸着材料８２は、厚み方向Ｄ２に沿って蒸着基板１１０に飛来できる。このため、蒸着材料８２は、第１方向Ｄ１１及び第２方向Ｄ１２のそれぞれにおいて均等に飛来できる。その蒸着角度は、９０°又は９０°に近くなる。

　ところで、１つの貫通孔群３０は、１つの有効領域２３と称する場合がある。有効領域２３の周囲に位置する領域は周囲領域２４と称する場合がある。この場合、周囲領域２４は、複数の有効領域２３を囲んでいる。

　蒸着マスク１０を用いて有機デバイス１００（後述）などの表示装置を作製する場合、１つの有効領域２３は、１つの有機デバイス１００の表示領域に対応する。このため、図２に示す蒸着マスク１０によれば、１つの蒸着基板１１０に複数の有機デバイス１００を蒸着できる。このような蒸着は、多面付蒸着とも称する。１つの有効領域２３が複数の有機デバイス１００の表示領域に対応する場合もある。

　有効領域２３は、例えば、図４に示すように、平面視において略矩形状の輪郭を有していてもよい。有効領域２３の輪郭は、対応する貫通孔群３０のうち最も外側に位置する貫通孔４０に外側から接する線によって画定されてもよい。より詳細には、有効領域２３の輪郭は、貫通孔４０の開口に接する線によって画定されていてもよい。図４に示す例では、貫通孔４０が並列配列されていることから、有効領域２３の輪郭は、略矩形状の輪郭となっている。図示はしないが、各有効領域２３は、有機デバイス１００の表示領域の形状に応じて、様々な形状の輪郭を有していてもよい。例えば各有効領域２３は、円形状の輪郭を有していてもよい。

　また、図２及び図３に示すように、マスク基板１５に、蒸着基板１１０と位置合わせするための第１アライメントマーク４５が設けられていてもよい。第１アライメントマーク４５は、蒸着マスク１０の貫通孔４０と蒸着基板１１０とを位置合わせできれば、任意の位置に配置できる。例えば、図２及び図３に示すように、マスク基板１５の第２基板面１５ｂのうち基板枠体１７に、第１アライメントマーク４５が形成されていてもよい。蒸着基板１１０が可視光を透過させる性質を意味する光透過性を有している場合には、蒸着基板１１０を介してマスク基板１５に設けられた第１アライメントマーク４５を視認でき、蒸着基板１１０と蒸着マスク１０の貫通孔４０とを容易に位置合わせできる。蒸着基板１１０が光透過性を有していない場合には、例えば、蒸着基板１１０を介して赤外線を照射して第１アライメントマーク４５を視認するようにしてもよい。第１アライメントマーク４５の平面形状は、図２では、円形状である例を示しているが、これに限られることはなく、矩形形状や十字形状など、任意の形状であってもよい。また、第１アライメントマーク４５は、後述する基板エッチング工程においてマスク基板１５の第２基板面１５ｂをエッチングすることで凹状に形成されていてもよい。

　また、図３及び図４に示すように、マスク層２０の第１面２０ａに、蒸着基板１１０と位置合わせするための第２アライメントマーク４６が設けられていてもよい。第２アライメントマーク４６は、蒸着マスク１０の貫通孔４０と蒸着基板１１０とを位置合わせできれば、任意の位置に配置できる。例えば、第２アライメントマーク４６は、第１アライメントマーク４５よりも貫通孔４０に近い位置に配置されていてもよい。例えば、図３及び図４に示すように、平面視においてマスク層２０の第１面２０ａのうちマスク基板１５の基板開口１６内に、第２アライメントマーク４６が形成されていてもよい。例えば、第２アライメントマーク４６は、互いに隣り合う貫通孔群３０の間に形成されたマスク桟２８ａ、２８ｂに位置していてもよい。例えば、第２アライメントマーク４６は、第１マスク桟２８ａと第２マスク桟２８ｂとが交差する交差部２９に位置していてもよい。図４では、各第１マスク桟２８ａと各第２マスク桟２８ｂとが交差する各交差部２９に、第２アライメントマーク４６が設けられている。言い換えると、各第１マスク桟２８ａに第２アライメントマーク４６が配置されるとともに、各第２マスク桟２８ｂに第２アライメントマーク４６が配置される。この場合、各貫通孔群３０の各角部に対応する位置に、第２アライメントマーク４６が配置される。

　蒸着基板１１０が可視光についての光透過性を有している場合には、蒸着基板１１０を介してマスク層２０に設けられた第２アライメントマーク４６を視認でき、蒸着基板１１０と蒸着マスク１０の貫通孔４０とを容易に位置合わせできる。蒸着基板１１０が光透過性を有していない場合には、例えば、蒸着基板１１０を介して赤外線を照射して第２アライメントマーク４６を視認するようにしてもよい。第２アライメントマーク４６の平面形状は、図４では、円形状である例を示しているが、これに限られることはなく、矩形形状や十字形状など、任意の形状に形成できる。また、第２アライメントマーク４６は、例えば、樹脂層２１の第１樹脂層面２１ａにレーザ光を照射することによって凹状に形成されていてもよい。

　次に、このような構成からなる蒸着マスク１０の製造方法について、図６～図１６を参照して説明する。ここでは、マスク基板１５が、シリコン基板である例について説明する。本実施形態による蒸着マスク１０の製造方法は、基板準備工程と、マスク層形成工程と、マスク保護層形成工程と、基板開口形成工程と、マスク保護層除去工程と、貫通孔形成工程と、を備えていてもよい。図１５及び図１６においては、図面をわかりやすくするために、図３よりも貫通孔４０の個数を少なくしている。

　まず、図６に示すように、基板準備工程として、第１基板面１５ａと第２基板面１５ｂとを有するマスク基板１５を準備してもよい。例えば、マスク基板１５として、第１基板面１５ａ及び第２基板面１５ｂが鏡面状に研磨された面方位（１１０）のシリコンウエハが用いられてもよい。

　基板準備工程の後、マスク層形成工程として、マスク基板１５上に、第１面２０ａと第２面２０ｂとを有するマスク層２０が形成されてもよい。マスク層２０の第２面２０ｂは、マスク基板１５に対向し、マスク基板１５の第１基板面１５ａに付着する。本実施形態によるマスク層形成工程では、まず、マスク中間層２２を形成するマスク中間層形成工程が行われ、その後、樹脂層２１を形成する樹脂層形成工程が行われる。樹脂層形成工程は、マスク本体層形成工程の一例である。

　マスク中間層形成工程においては、図７に示すように、マスク基板１５の第１基板面１５ａに、マスク中間層２２が形成される。
マスク中間層２２は、マスク基板１５の第１基板面１５ａの全体に形成されてもよい。マスク中間層２２は、例えば、マスク中間層２２の材料で構成されたスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング処理によって形成されてもよい。形成されたマスク中間層２２は、マスク基板１５に付着される。

　樹脂層形成工程においては、図８に示すように、マスク中間層２２のマスク基板１５とは反対側の面に、樹脂層２１が形成されてもよい。例えば、マスク中間層２２のマスク基板１５とは反対側の面に、樹脂層２１を構成する液状の樹脂材料を塗布する。樹脂材料の塗布には、例えば、スピンコーターが用いられてもよい。あるいは、樹脂材料の塗布には、例えば、キャピラリ-コーターが用いられてもよい。この場合、樹脂層２１の厚みの均質化を図ることができ、蒸着マスク１０と蒸着基板１１０との密着性を向上できる。キャピラリーコーターを用いて樹脂材料を塗布する場合には、毛細管作用でダイヘッドの先端まで供給される液状の樹脂材料が垂れないようにした状態で、マスク中間層２２のうちダイヘッドと接触した領域に樹脂材料を塗布できる。樹脂材料は、塗布後に、加熱乾燥して硬化させてもよい。このようにして樹脂層２１が形成されてもよい。

　マスク層形成工程の後、マスク保護層形成工程として、図９に示すように、樹脂層２１の第１樹脂層面２１ａに、マスク保護層５５が形成されてもよい。マスク保護層５５は、樹脂層２１の第１樹脂層面２１ａの全体に形成されてもよい。マスク保護層５５は、例えば、基板エッチング工程においてマスク層２０が載置されるステージ（図示せず）などから損傷を受けることを抑制できる層であってもよく、異物が樹脂層２１に付着することを抑制できる層であってもよい。マスク保護層５５の厚みは、マスク中間層２２の厚みＨ４と同様であってもよい。マスク保護層５５を構成する材料としては、マスク中間層２２と同様の材料を用いてもよい。マスク保護層５５は、上述したマスク中間層２２と同様にスパッタリング処理によって形成されてもよい。

　マスク保護層形成工程の後、基板開口形成工程として、マスク基板１５に、マスク層２０の第２面２０ｂを露出する基板開口１６が形成されてもよい。本実施形態による基板開口形成工程では、レジスト層形成工程と、基板エッチング工程と、レジスト層除去工程とが、この順番で行われる。この間、樹脂層２１の第１樹脂層面２１ａに、マスク保護層５５が存在しており、樹脂層２１が、マスク基板１５をエッチングするためのエッチング媒体から保護される。

　レジスト層形成工程においては、図１０に示すように、マスク基板１５の第２基板面１５ｂに、レジスト層５０が形成される。レジスト層５０は、基板開口１６に対応するレジスト開口５１を有している。より具体的には、まず、マスク基板１５の第２基板面１５ｂに、スピンナーによって液状レジストが塗布されて、乾燥及び硬化させることでレジスト層５０が形成される。レジスト層５０は、第２基板面１５ｂの全体に形成されてもよい。続いて、フォトリソグラフィー処理によって、レジスト層５０がパターニングされる。例えば、レジスト層５０がネガ型レジストである場合、レジスト層５０のうちレジスト開口５１に相当する部分に光を照射させないような露光マスク（図示せず）がレジスト層５０上に配置される。その後、この露光マスクを介してレジスト層５０が露光される。そして、露光されたレジスト層５０が現像され、レジスト層５０のうち露光されていない部分が除去されて、レジスト開口５１が形成される。現像後、レジスト層５０を加熱して、マスク基板１５に対するレジスト層５０の密着性を向上させてもよい。ネガ型レジストには、例えば、ノボラック系のレジストを用いてもよい。レジスト層５０としては、ポジ型レジストが用いられてもよい。また、レジスト層５０としてドライフィルムレジストをマスク基板１５に貼り付けてもよい。

　レジスト層５０の厚みＨ５は、例えば、０．１μｍ以上であってもよく、０．５μｍ以上であってもよく、１．０μｍ以上であってもよく、１．５μｍ以上であってもよい。厚みＨ５を０．１μｍ以上とすることによって、後述する基板エッチング工程においてレジスト層５０が覆っている部分がエッチングされることを抑制できる。また、厚みＨ５は、例えば、２０．０μｍ以下であってもよく、３０．０μｍ以下であってもよく、４０．０μｍ以下であってもよく、５０．０μｍ以下であってもよい。厚みＨ５を５０．０μｍ以下とすることによって、ドライフィルムレジストの場合には、入手性を確保でき、液状レジストの場合には、レジスト層５０を効率良く形成できる。厚みＨ５の範囲は、０．１μｍ、０．５μｍ、１．０μｍ及び１．５μｍからなる第１グループ、及び／又は、２０．０μｍ、３０．０μｍ、４０．０μｍ及び５０．０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。厚みＨ５の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。厚みＨ５の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。厚みＨ５の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、０．１μｍ以上５０．０μｍ以下であってもよく、０．１μｍ以上４０．０μｍ以下であってもよく、０．１μｍ以上３０．０μｍ以下であってもよく、０．１μｍ以上２０．０μｍ以下であってもよく、０．１μｍ以上１．５μｍ以下であってもよく、０．１μｍ以上１．０μｍ以下であってもよく、０．１μｍ以上０．５μｍ以下であってもよく、０．５μｍ以上５０．０μｍ以下であってもよく、０．５μｍ以上４０．０μｍ以下であってもよく、０．５μｍ以上３０．０μｍ以下であってもよく、０．５μｍ以上２０．０μｍ以下であってもよく、０．５μｍ以上１．５μｍ以下であってもよく、０．５μｍ以上１．０μｍ以下であってもよく、１．０μｍ以上５０．０μｍ以下であってもよく、１．０μｍ以上４０．０μｍ以下であってもよく、１．０μｍ以上３０．０μｍ以下であってもよく、１．０μｍ以上２０．０μｍ以下であってもよく、１．０μｍ以上１．５μｍ以下であってもよく、１．５μｍ以上５０．０μｍ以下であってもよく、１．５μｍ以上４０．０μｍ以下であってもよく、１．５μｍ以上３０．０μｍ以下であってもよく、１．５μｍ以上２０．０μｍ以下であってもよく、２０．０μｍ以上５０．０μｍ以下であってもよく、２０．０μｍ以上４０．０μｍ以下であってもよく、２０．０μｍ以上３０．０μｍ以下であってもよく、３０．０μｍ以上５０．０μｍ以下であってもよく、３０．０μｍ以上４０．０μｍ以下であってもよく、４０．０μｍ以上５０．０μｍ以下であってもよい。

　あるいは、レジスト層５０の厚みＨ５は、例えば、０．１μｍ以上であってもよく、０．２μｍ以上であってもよく、０．３μｍ以上であってもよく、０．４μｍ以上であってもよい。厚みＨ５を０．１μｍ以上とすることによって、後述する基板エッチング工程においてレジスト層５０が覆っている部分がエッチングされることを抑制できる。また、Ｈ５は、例えば、０．６μｍ以下であってもよく、０．７μｍ以下であってもよく、０．８μｍ以下であってもよく、０．９μｍ以下であってもよい。厚みＨ５を０．９μｍ以下とすることによって、ドライフィルムレジストの場合には、入手性をより一層確保でき、液状レジストの場合には、レジスト層５０をより一層効率良く形成できる。Ｈ５の範囲は、０．１μｍ、０．２μｍ、０．３μｍ及び０．４μｍからなる第１グループ、及び／又は、０．６μｍ、０．７μｍ、０．８μｍ及び０．９μｍからなる第２グループによって定められてもよい。Ｈ５の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。Ｈ５の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｈ５の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、０．１μｍ以上０．９μｍ以下であってもよく、０．１μｍ以上０．８μｍ以下であってもよく、０．１μｍ以上０．７μｍ以下であってもよく、０．１μｍ以上０．６μｍ以下であってもよく、０．１μｍ以上０．４μｍ以下であってもよく、０．１μｍ以上０．３μｍ以下であってもよく、０．１μｍ以上０．２μｍ以下であってもよく、０．２μｍ以上０．９μｍ以下であってもよく、０．２μｍ以上０．８μｍ以下であってもよく、０．２μｍ以上０．７μｍ以下であってもよく、０．２μｍ以上０．６μｍ以下であってもよく、０．２μｍ以上０．４μｍ以下であってもよく、０．２μｍ以上０．３μｍ以下であってもよく、０．３μｍ以上０．９μｍ以下であってもよく、０．３μｍ以上０．８μｍ以下であってもよく、０．３μｍ以上０．７μｍ以下であってもよく、０．３μｍ以上０．６μｍ以下であってもよく、０．３μｍ以上０．４μｍ以下であってもよく、０．４μｍ以上０．９μｍ以下であってもよく、０．４μｍ以上０．８μｍ以下であってもよく、０．４μｍ以上０．７μｍ以下であってもよく、０．４μｍ以上０．６μｍ以下であってもよく、０．６μｍ以上０．９μｍ以下であってもよく、０．６μｍ以上０．８μｍ以下であってもよく、０．６μｍ以上０．７μｍ以下であってもよく、０．７μｍ以上０．９μｍ以下であってもよく、０．７μｍ以上０．８μｍ以下であってもよく、０．８μｍ以上０．９μｍ以下であってもよい。

　基板エッチング工程においては、図１１に示すように、レジスト開口５１を介してマスク基板１５がエッチングされて、基板開口１６が形成される。このことにより、基板開口１６にマスク層２０の第２面２０ｂの一部が露出される。マスク基板１５のエッチング処理は、エッチングガスを用いたドライエッチング処理であってもよい。エッチングガスは、エッチング媒体の一例である。この場合、例えば、ＤＥＥＰ－ＲＩＥ、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）、ＳＦ_６ガス、ＣＦ系ガス、又は塩素系ガス等のエッチングガスを用いることで、マスク基板１５がエッチングされてもよい。ドライエッチング処理を行う場合には、エッチング速度を高くできるとともに、基板開口１６の壁面を第１基板面１５ａに実質的に垂直に形成できる。マスク中間層２２が、エッチング媒体による浸食を抑制できる材料で形成されている場合には、エッチングをストップさせるストッパ層として機能する。マスク基板１５のエッチングは、エッチング液を用いたウェットエッチング処理であってもよい。エッチング液は、エッチング媒体の一例である。例えば、８０℃の３５重量％の水酸化カリウム水溶液をエッチング液として用いて当該エッチング液に所定時間、マスク基板１５を浸漬させてもよい。マスク基板１５のうちレジスト層５０から露出されている部分が、面方位（又は結晶方位）に依存するように異方性エッチングされてもよい。

　基板エッチング工程について、より詳細に説明する。ここでは、図３に示す基板開口１６を、いわゆる深掘りＲＩＥ（深掘り反応性イオンエッチング）によって形成する例について、図１２Ａ～図１２Ｅを用いて説明する。図１２Ａ～図１２Ｅは、図３に示す基板開口１６を模式的に示す部分拡大断面を示している。

　まず、図１２Ａに示すように、レジスト層５０のうちレジスト開口５１によって露出された部分が異方性エッチングされる。このことにより、第２基板面１５ｂに第１凹部１６ａ１が形成される。第１凹部１６ａ１は、レジスト開口５１から第１基板面１５ａに向かって延びる壁面１６ｂ１と、端面１６ｃ１と、を含んでいる。壁面１６ｂ１は、第１基板面１５ａに向かって広がるように形成される。すなわち、図１２Ａに示すように、壁面１６ｂ１と第１基板面１５ａとがなす角度θ２は、９０°よりも若干大きくなり得る。

　異方性ドライエッチングにおいては、マスク基板１５が配置された蒸着室（図示せず）の内部において、エッチング用のガスのプラズマを発生させ、プラズマをマスク基板１５の第２基板面１５ｂに照射する。プラズマを生成するためのエッチングガスとしては、上述したエッチングガスを用いてもよい。エッチングは、マスク基板１５の厚み方向に進行するだけでなく、第２基板面１５ｂに沿う方向にも若干進行する。しかしながら、エッチング時間を短く設定することによって、第２基板面１５ｂに沿う方向のエッチングの進行を抑制できる。

　第１凹部１６ａ１が形成された後、図１２Ｂに示すように、第１凹部１６ａ１の壁面１６ｂ１及び端面１６ｃ１に、第１保護層１６ｄ１が形成される。この第１保護層１６ｄ１は、Ｃ_４Ｆ_８ガスなどの原料ガスを第１凹部１６ａ１に供給することによって、壁面１６ｂ１及び端面１６ｃ１に形成される。

　第１保護層１６ｄ１が形成された後、図１２Ｃに示すように、第１凹部１６ａ１が異方性ドライエッチングされる。このことにより、第１保護層１６ｄ１のうち端面１６ｃ１に位置する部分が除去されて、第２凹部１６ａ２が形成される。より具体的には、第１凹部１６ａ１の端面１６ｃ１に対して、第１凹部１６ａ１を形成する工程と同様に異方性ドライエッチングを行い、第１凹部１６ａ１に接続された第２凹部１６ａ２が形成される。この際、上述した第１凹部１６ａ１の壁面１６ｂ１と同様に、第２凹部１６ａ２の壁面１６ｂ２も、第１基板面１５ａに向かって広がるように形成される。

　第１凹部１６ａ１の壁面１６ｂ１に形成された第１保護層１６ｄ１は、第２凹部１６ａ２を形成するための異方性ドライエッチングによって除去されてもよく、又は除去されなくてもよい。第１保護層１６ｄ１が除去された場合であっても、第１保護層１６ｄ１が除去されるまで、第１凹部１６ａ１の壁面１６ｂ１がエッチングで浸食されることを抑制できる。また、第１保護層１６ｄ１が除去されずに残存する場合には、第１凹部１６ａ１の壁面１６ｂがエッチングで浸食されることをより一層抑制できる。第１保護層１６ｄ１が除去されない場合であっても、第１保護層１６ｄ１がエッチングで部分的に除去されてもよい。

　そして、図１２Ｄに示すように、第２凹部１６ａ２の壁面１６ｂ２及び端面１６ｃ２に、第２保護層１６ｄ２が形成される。第２保護層１６ｄ２は、第１保護層１６ｄ１と同様に形成できる。

　このような凹部の形成と保護層の形成とを、図１２Ｅに示すように、マスク基板１５のエッチングがマスク中間層２２に達するまで多数回繰り返される。図１２Ｅでは、説明を簡略化するために、第２凹部１６ａ２に続けて、壁面１６ｂ３を含む第３凹部１６ａ３と、壁面１６ｂ４を含む第４凹部１６ａ４とが形成される例を示している。第４凹部１６ａ４が、エッチングのストッパ層として機能するマスク中間層２２に達している。本実施形態によるマスク中間層２２は、エッチングガスによる浸食を抑制できる材料で形成されている。このため、マスク中間層２２は、エッチングのストッパ層として機能でき、エッチングされずに残存している。壁面１６ｂ３には、第３保護層１６ｄ３が形成されているが、壁面１６ｂ４には、保護層は形成されていない。

　その後、各凹部１６ａ１～１６ａ３の壁面１６ｂ１～１６ｂ３に残存している保護層１６ｄ１～１６ｄ３は、処理液を用いて除去される。処理液には、例えば、ハイドロフルオロエーテル（ＨＦＥ）を用いてもよい。保護層１６ｄ１～１６ｄ３を、例えば、常温（例えば、２５℃程度）～７０℃の処理液に３０分間浸漬させてもよい。処理液は、原液を薄めずに使用してもよい。

　このようにして、マスク基板１５に、図１１に示すような基板開口１６が形成される。基板開口１６の壁面は、各凹部１６ａ１～１６ａ４の壁面１６ｂ１～１６ｂ４によって構成されている。凹部１６ａ１～１６ａ４を形成するためのドライエッチングの時間を短くして、凹部１６ａ１～１６ａ４の形成と保護膜の形成を繰り返す回数を増やしてもよい。この場合、各凹部１６ａ１～１６ａ４の壁面１６ｂ１～１６ｂ４によって構成される基板開口１６の壁面を、第２基板面１５ｂに対して実質的に垂直に形成できる。また、互いに隣り合う凹部１６ａ１～１６ａ４の壁面１６ｂ１～１６ｂ４には微小な段差が生じ得るが、上述した保護層１６ｄ１～１６ｄ３の厚みを小さくすることによって、この段差を小さくできる。この場合、図１１に示すような断面において、基板開口１６の壁面を、実質的に、第１基板面１５ａに対して垂直な直線をなすように形成できる。

　基板エッチング工程において、図２及び図３に示す第１アライメントマーク４５を形成する工程が行われてもよい。すなわち、基板エッチング工程において、第１アライメントマーク４５が形成されてもよい。

　レジスト層除去工程においては、図１３に示すように、マスク基板１５からレジスト層５０が除去される。例えば、アルカリ系剥離液を用いることによって、レジスト層５０をマスク基板１５から除去してもよい。

　基板開口形成工程の後、マスク層開口形成工程及びマスク保護層除去工程として、図１４に示すように、マスク層開口２２ｄが形成されるとともにマスク保護層５５が除去される。例えば、エッチングによって、マスク中間層２２のうち平面視において基板開口１６内に位置する部分が除去されてもよい。このことにより、マスク層開口２２ｄを形成できる。また、このエッチングによって、マスク保護層５５が除去されてもよい。マスク保護層５５の全体が、樹脂層２１の第１樹脂層面２１ａから除去されてもよい。マスク層開口形成工程において用いられるエッチング液には、例えば、混酸アルミエッチング液を用いてもよい。マスク中間層２２及びマスク保護層５５は、例えば、常温の混酸アルミエッチング液に浸漬させてもよい。例えばマスク中間層２２及びマスク保護層５５の厚みが１００ｎｍの場合には、マスク中間層２２及びマスク保護層５５を２分間混酸アルミエッチング液に浸漬させてもよい。混酸アルミエッチング液は、原液を薄めずに使用してもよい。

　このようにして、図１４に示すように、基板開口１６が形成されたマスク基板１５が得られる。

　基板開口形成工程は、上述した工程で行われることに限られることはない。例えば、基板開口形成工程において、マスク基板１５の第２基板面１５ｂに、酸化シリコン層や窒化シリコン層、炭化シリコン層などの耐性層（図示せず）を形成してもよい。この場合、耐性層に耐性層開口を形成し、その後、耐性層開口を介してマスク基板１５をエッチングするようにしてもよい。耐性層開口は、フォトリソグラフィー処理を用いて、レジスト開口を有するレジスト層が耐性層に形成されて、レジスト開口を介して耐性層がエッチングされることによって形成されてもよい。そして、耐性層開口を介して、マスク基板１５がエッチングされて、基板開口１６が形成されるようにしてもよい。基板開口１６が形成された後、耐性層は除去されるようにしてもよい。

　マスク層開口形成工程とマスク保護層除去工程は、同時に行われずに、別々に行われてもよい。

　マスク層開口形成工程及びマスク保護層除去工程の後、貫通孔形成工程として、基板開口１６に露出するように、樹脂層２１に複数の貫通孔４０が形成されてもよい。貫通孔４０は、樹脂層２１にレーザ光Ｌを照射することによって形成されてもよい。貫通孔４０は、樹脂層２１を貫通するように形成されてもよい。

　例えば、図１５Ａに示すように、レーザ光Ｌの照射によって貫通孔４０を１つずつ形成してもよい。

　より具体的には、まず、図１５Ａに示すように、上述のようにして得られたマスク基板１５及びマスク層２０が、移動ステージ６０に載置される。

　続いて、貫通孔４０の形成と移動ステージ６０の移動とを繰り返すことによって、多数の貫通孔４０を形成するようにしてもよい。この場合、照射ヘッドＨは、移動させなくてもよい。

　例えば、貫通孔４０を形成すべき位置（当該貫通孔４０の中心）を照射ヘッドＨに対向させる。次に、マスク基板１５から樹脂層２１に向かう方向に、基板開口１６を通して樹脂層２１の第２樹脂層面２１ｂにレーザ光Ｌが照射される。このことにより、樹脂層２１のうちレーザ光Ｌが照射された部分の材料が昇華して除去され、図１５Ａに示すように、貫通孔４０が形成される。この場合、貫通孔４０の壁面４１は、第２樹脂層面２１ｂに垂直に形成される傾向にある。しかしながら、レーザ光Ｌの強度やパルス幅、樹脂層２１の厚みによっては、図１５Ａに示すように、貫通孔４０の壁面４１は、傾斜し得る。

　樹脂層２１に照射されるレーザ光Ｌは、ＹＡＧレーザ光であってもよい。ＹＡＧレーザ光は、ネオジムが添加されたＹＡＧの結晶を用いてもよい。ＹＡＧレーザ光は、キセノンロングアークフラッシュランプ励起式レーザ光であってもよい。ＹＡＧレーザ光Ｌの出力は、例えば、２００ｍＪであってもよい。パルス幅は、２０ｎｓ以下であってもよい。波長は、３５５ｎｍであってもよい。発振周波数は、６０Ｈｚであってもよい。１つの貫通孔４０を形成するためのレーザ光Ｌの照射回数は、１回でもよく、複数回照射して１つの貫通孔４０を形成してもよいが、例えば、４０回であってもよい。

　１つの貫通孔４０が形成された後、レーザ光Ｌの照射を停止する。そして、移動ステージ６０を移動させて、次に貫通孔４０を形成すべき位置（当該貫通孔４０の中心）を照射ヘッドＨに対向させる。そして、上述と同様にしてレーザ光Ｌを照射する。これを繰り返すことによって、本実施形態による蒸着マスク１０に、多数の貫通孔４０が形成される。

　上述したように、レーザ光Ｌを照射して貫通孔４０を形成する場合に、移動ステージ６０を移動させることなく、照射ヘッドＨを移動させてもよい。

　貫通孔４０をレーザ光Ｌで形成する場合には、図１５Ａに示すように、樹脂層２１の第２樹脂層面２１ｂのうち基板開口１６に露出している部分に粘着層５６を貼り付けてもよい。このことにより、貫通孔４０の形状精度及び位置精度を向上できるとともに、第２樹脂層面２１ｂにバリが形成されることを抑制できる。この場合、粘着層５６を構成する材料としては、特に限られることはない。粘着層５６には、例えば、フジコピアン株式会社製のＦＩＸＦＩＬＭＨＧ１－５０を用いてもよい。

　貫通孔４０の形成方法はこれに限られることはない。例えば、図１５Ｂに示すように、レーザ光Ｌの照射によって複数の貫通孔４０を並行して形成するようにしてもよい。例えば、図１５Ｂ及び図１５Ｃに示すように、レーザ光発生装置６１からレーザ光Ｌを照射してもよい。

　図１５Ｃに示すレーザ光発生装置６１は、レーザ光発生源６２と、第１レンズ６３と、第２レンズ６４（コリメータレンズとも称する）と、フォトマスク６５と、第３レンズ６６（集光レンズとも称される）と、ミラー６７と、を含んでいる。レーザ光発生源６２から発生したレーザ光Ｌは、第１レンズ６３によって拡大されて、第２レンズ６４によって平行光となる。平行光となったレーザ光Ｌは、フォトマスク６５のマスク孔６５ａを通過し、第３レンズ６６で集光される。集光されたレーザ光Ｌは、ミラー６７に反射して方向転換し、樹脂層２１の第２樹脂層面２１ｂに照射される。図１５Ｃでは簡略化されているが、フォトマスク６５及び第３レンズ６６を通過したレーザ光Ｌは、図１５Ｂに示すように貫通孔４０に対応するようなパターン状の光になっている。

　フォトマスク６５は、複数の貫通孔４０に対応する位置に複数のマスク孔６５ａを有している。図１５Ｂに示す例では、１つのマスク孔６５ａを通ったレーザ光Ｌによって、対応する１つの貫通孔４０が形成される。この場合、１つの貫通孔４０に対して、１つのマスク孔６５ａが割り当てられていてもよい。フォトマスク６５は、ガラスなどの光透過性を有する基板と、この基板に、クロムなどの金属材料がパターン状に形成された層であって、上述したマスク孔６５ａを有する層と、を含んでいてもよい。図１５Ｃでは、図面を簡略化するために、上述した基板は省略している。

　続いて、移動ステージ６０を移動させて、レーザ光Ｌの照射位置を調整してもよい。レーザ光発生装置６１が移動可能な場合には、レーザ光発生装置６１を移動させてもよい。

　次に、レーザ光発生装置６１から樹脂層２１の第２樹脂層面２１ｂにレーザ光Ｌが照射される。このことにより、樹脂層２１のうちレーザ光Ｌが照射された複数の部分の材料が昇華して除去され、図１５Ｂに示すように、複数の貫通孔４０が並行して形成される。各貫通孔４０は、割り当てられた１つのマスク孔６５ａを通ったレーザ光Ｌによってそれぞれ形成される。各貫通孔４０を形成するためのレーザ光Ｌの照射回数は１回でもよく、複数回照射して各貫通孔４０を形成してもよい。また、フォトマスク６５は、複数の貫通孔４０を並行して形成する場合に用いられることに限られることはなく、レーザ光Ｌを１つのマスク孔６５ａを通して貫通孔４０を１つずつ形成する場合に用いられてもよい。この場合、レーザ光Ｌの照射によって貫通孔４０が１つずつ形成される。

　１つの貫通孔４０に対して、複数のマスク孔６５ａが割り当てられていてもよい。この場合、貫通孔４０の中央に比較的大きな平面形状を有するマスク孔６５ａが配置されていてもよい。さらに、その周囲に比較的小さな平面形状を有するマスク孔６５ａが配置されてもよい。そして、貫通孔４０の中央から外側に向かってマスク孔６５ａの平面形状が徐々に小さくなっていてもよい。このようなマスク孔６５ａのパターンを、ハーフトーンパターンと称したり、グラデーションパターンと称したりする場合がある。すなわち、貫通孔４０の中央に比較的大きな平面形状を有するマスク孔６５ａが割り当てられて、当該マスク孔６５ａの周囲に、比較的小さな平面形状を有するマスク孔６５ａが割り当てられていてもよい。この場合、中央の大きなマスク孔６５ａを通ったレーザ光Ｌは、比較的高い強度で樹脂層２１に照射される。このため、当該マスク孔６５ａを通ったレーザ光Ｌによって、樹脂層２１を貫通する孔を形成できる。周囲の小さなマスク孔６５ａを通ったレーザ光Ｌは、比較的低い強度で樹脂層２１に照射される。このため、当該マスク孔６５ａを通ったレーザ光Ｌが照射される位置では、樹脂層２１を貫通することなく、凹状に材料が除去される。１つの貫通孔４０に割り当てられるマスク孔６５ａの平面形状を、中央から外側に向かって徐々に小さくすることによって、図３に示すような、壁面４１が傾斜した複数の貫通孔４０が並行して形成できる。

　図１５Ｂにおいては、フォトマスク６５を用いて、レーザ光Ｌの照射によって複数の貫通孔４０を並行して形成する例について説明した。しかしながら、本開示は、このことに限られることはなく、フォトマスク６５の複数のマスク孔６５ａを通してレーザ光Ｌを照射することによって貫通孔４０を１つずつ形成するようにしてもよい。すなわち、１つの貫通孔４０に対して、複数のマスク孔６５ａが割り当てられている場合、これらのマスク孔６５ａのみにレーザ光Ｌを照射させてもよい。この場合、傾斜した壁面４１を有する貫通孔４０を１つずつ形成できる。

　貫通孔形成工程において、図３及び図４に示す第２アライメントマーク４６を形成する工程が行われてもよい。すなわち、蒸着マスク１０を上下方向に反転させて、第１樹脂層面２１ａを照射ヘッドＨに対向させる。そして、第１樹脂層面２１ａにレーザ光を照射して、凹状の第２アライメントマーク４６が形成されてもよい。

　このようにして、図１６に示すような、本実施形態による蒸着マスク１０が得られる。

　次に、本実施形態による蒸着マスク１０を用いた有機ＥＬ表示装置の製造方法について、図１、図１７Ａ及び図１７Ｂを参照して説明する。

　有機デバイス１００の構成要素及び表示領域について詳細に説明する。図１７Ａは、有機デバイス１００の一例を示す平面図であって、蒸着工程において蒸着された有機層を示す平面図である。図１７Ｂは、図１７Ａの有機デバイス１００をＢ－Ｂ線に沿った断面図である。図１７Ａは、蒸着工程において蒸着された有機層を示す平面図であり、蒸着工程の後に形成される、後述する第２電極１４０を省略している。有機デバイス１００の一例としては、有機ＥＬ表示装置が挙げられる。有機デバイス１００は、上述した本実施形態による蒸着マスク１０を用いることによって、後述する蒸着基板１１０に形成された発光層を備えている。１つの有機デバイス１００は、１つの表示領域に相当していてもよい。

　図１７Ａ及び図１７Ｂに示すように、有機デバイス１００は、蒸着基板１１０と、蒸着基板１１０上に位置する素子１１５と、を備える。素子１１５は、第１電極１２０と、第１電極１２０上に位置する有機層１３０と、有機層１３０上に位置する第２電極１４０と、を有していてもよい。

　有機デバイス１００は、平面視において隣り合う２つの第１電極１２０の間に位置する絶縁層１６０を備えていてもよい。絶縁層１６０は、例えばポリイミドを含んでいる。絶縁層１６０は、第１電極１２０の端部に重なっていてもよい。

　有機デバイス１００は、アクティブ・マトリクス型であってもよい。例えば、図示はしないが、有機デバイス１００は、複数の素子１１５のそれぞれに電気的に接続されているスイッチを備えていてもよい。スイッチは、例えばトランジスタである。スイッチは、対応する素子１１５に対する電圧又は電流のＯＮ／ＯＦＦを制御できる。

　蒸着基板１１０は、第１電極１２０が形成される第１面１１０ａと、第１面１１０ａとは反対側に位置する第２面１１０ｂと、を有していてもよい。蒸着基板１１０は、絶縁性を有する板状の部材であってもよい。蒸着基板１１０は、可視光を透過させる光透過性を有していてもよい。

　蒸着基板１１０が、所定の光透過性を有する場合、蒸着基板１１０の光透過性は、有機層１３０からの発光を透過させて表示できる光透過性であってもよい。例えば、可視光領域における蒸着基板１１０の透過率が８０％以上であってもよく、９０％以上であってもよい。蒸着基板１１０の透過率は、ＪＩＳ　Ｋ７３６１－１に準ずるプラスチック－透明材料の全光透過率の試験方法によって測定できる。

　蒸着基板１１０は、可撓性を有していてもよく、又は有していなくてもよい。有機デバイス１００の用途に応じて蒸着基板１１０を適宜選択できる。

　蒸着基板１１０は、例えばシリコンを含み、例えばシリコン基板であってもよい。あるいは、蒸着基板１１０は、ガラスを含み、例えばガラス基板であってもよい。更には、蒸着基板１１０の材料には、例えば、石英ガラス、パイレックス（登録商標）ガラス、又は合成石英板等の可撓性を有していないリジッド材等を用いてもよい。あるいは、蒸着基板１１０の材料には、樹脂フィルム（例えばポリイミドフィルム、若しくは液晶ポリマー）、光学用樹脂板、薄ガラス等の可撓性を有するフレキシブル材等を用いてもよい。また、蒸着基板１１０は、樹脂フィルムの片面又は両面にバリア層を有する積層体であってもよい。

　蒸着基板１１０の厚みは、シリコン基板以外の材料で蒸着基板１１０を構成する場合には、蒸着基板１１０に用いられる材料や有機デバイス１００の用途等に応じて適宜選択できる。この場合の蒸着基板１１０の厚みは、例えば、０．００５ｍｍ以上であってもよい。また、蒸着基板１１０の厚みは、５ｍｍ以下であってもよい。

　素子１１５は、第１電極１２０と第２電極１４０との間に電圧が印加されることによって、又は、第１電極１２０と第２電極１４０との間に電流が流れることによって、何らかの機能を実現するよう構成されている。例えば、素子１１５が、有機ＥＬ表示装置の画素である場合、素子１１５は、映像を構成する光を放出できる。

　第１電極１２０は、導電性を有する材料を含む。例えば、第１電極１２０は、金属、導電性を有する金属酸化物や、その他の導電性を有する無機材料などを含む。第１電極１２０は、インジウム・スズ酸化物などの、光透過性及び導電性を有する金属酸化物を含んでいてもよい。

　第１電極１２０を構成する材料には、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｇ又はＭｇ等の金属等を用いてもよい。あるいは、第１電極１２０を構成する材料には、ＩＴＯと称される酸化インジウム錫、ＩＺＯと称される酸化インジウム亜鉛、又は、酸化亜鉛若しくは酸化インジウム等の無機酸化物等を用いてもよい。あるいは、第１電極１２０を構成する材料には、金属ドープされたポリチオフェン等の導電性高分子等を用いてもよい。これらの導電性材料は、単独で用いても、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。２種類以上を用いる場合には、導電性材料に、各材料からなる層を積層してもよい。また、導電性材料に、２種類以上の材料を含む合金を用いてもよい。例えば、導電性材料に、ＭｇＡｇ等のマグネシウム合金等を用いてもよい。

　有機層１３０は、有機材料を含む。有機層１３０に通電されると、有機層１３０は、何らかの機能を発揮できる。通電とは、有機層１３０に電圧が印加されること、又は有機層１３０に電流が流れることを意味する。有機層１３０には、通電によって光を放出する発光層、通電によって光の透過率や屈折率が変化する層などを用いてもよい。有機層１３０は、有機半導体材料を含んでいてもよい。

　図１７Ｂに示すように、有機層１３０は、第１有機層１３０Ａ及び第２有機層１３０Ｂを含んでいてもよい。また、図１７Ａに示すように、有機層１３０は、第３有機層１３０Ｃを更に含んでいてもよい。第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層１３０Ｃは、例えば、赤色発光層、青色発光層及び緑色発光層である。以下の説明において、有機層の構成のうち、第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層１３０Ｃに共通する構成を説明する場合には、「有機層１３０」という用語及び符号を用いる。

　第１電極１２０、第１有機層１３０Ａ及び第２電極１４０を含む積層構造のことを、第１素子１１５Ａとも称する。第１電極１２０、第２有機層１３０Ｂ及び第２電極１４０を含む積層構造のことを、第２素子１１５Ｂとも称する。第１電極１２０、第３有機層１３０Ｃ及び第２電極１４０を含む積層構造のことを、第３素子１１５Ｃとも称する。有機デバイス１００が有機ＥＬ表示装置である場合、第１素子１１５Ａ、第２素子１１５Ｂ及び第３素子１１５Ｃはそれぞれサブ画素である。

　以下の説明において、素子の構成のうち、第１素子１１５Ａ、第２素子１１５Ｂ及び第３素子１１５Ｃに共通する構成を説明する場合には、「素子１１５」という用語及び符号を用いる。図１７Ａのような平面図において、素子１１５の輪郭は、平面視において第１電極１２０及び第２電極１４０と重なる有機層１３０の輪郭であってもよい。有機デバイス１００が絶縁層１６０を備える場合、素子１１５の輪郭は平面視において第１電極１２０及び第２電極１４０と重なるとともに絶縁層１６０と重ならない有機層１３０の輪郭であってもよい。

　第１素子１１５Ａ、第２素子１１５Ｂ及び第３素子１１５Ｃそれぞれの配列について説明する。図１７Ａに示すように、第１素子１１５Ａ、第２素子１１５Ｂ及び第３素子１１５Ｃはそれぞれ、素子第１方向Ｆ１に沿って並んでいてもよい。第１素子１１５Ａ、第２素子１１５Ｂ及び第３素子１１５Ｃはそれぞれ、素子第２方向Ｆ２に沿って並んでいてもよい。

　第１電極１２０と第２電極１４０との間に電圧を印加すると、両者の間に位置する有機層１３０が駆動される。有機層１３０が発光層である場合、有機層１３０から光が放出され、光が第２電極１４０側又は第１電極１２０側から外部へ取り出される。

　有機層１３０が、通電によって光を放出する発光層を含む場合、有機層１３０は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを更に含んでいてもよい。

　例えば、第１電極１２０が陽極である場合、有機層１３０は、発光層と第１電極１２０との間に正孔注入輸送層を有していてもよい。正孔注入輸送層は、正孔注入機能を有する正孔注入層であってもよく、正孔輸送機能を有する正孔輸送層であってもよく、正孔注入機能及び正孔輸送機能の両機能を有するものであってもよい。また、正孔注入輸送層は、正孔注入層及び正孔輸送層が積層されたものであってもよい。

　第２電極１４０が陰極である場合、有機層１３０は、発光層と第２電極１４０との間に電子注入輸送層を有していてもよい。電子注入輸送層は、電子注入機能を有する電子注入層であってもよく、電子輸送機能を有する電子輸送層であってもよく、電子注入機能及び電子輸送機能の両機能を有するものであってもよい。また、電子注入輸送層は、電子注入層及び電子輸送層が積層されたものであってもよい。

　発光層は、発光材料を含む。発光層は、レベリング性を良くする添加剤を含んでいてもよい。

　発光材料には、公知の材料を用いてもよく、例えば、色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料等の発光材料を用いてもよい。

　発光層の膜厚は、電子と正孔との再結合の場を提供して発光する機能を発現できる膜厚であれば特に限定されるものではない。発光層の膜厚は、例えば１ｎｍ以上であってもよい。また、発光層の膜厚は、５００ｎｍ以下であってもよい。

　第２電極１４０は、金属などの、導電性を有する材料を含む。第２電極１４０は、後述するマスクを用いる蒸着法によって有機層１３０の上に形成される。第２電極１４０を構成する材料には、白金、金、銀、銅、鉄、錫、クロム、アルミニウム、インジウム、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム、クロム、炭素等を用いてもよい。これらの導電性材料は、単独で用いても、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。２種類以上を用いる場合には、導電性材料に、各材料からなる層を積層してもよい。また、導電性材料に、２種類以上の材料を含む合金を用いてもよい。例えば、導電性材料に、ＭｇＡｇ等のマグネシウム合金、ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等のアルミニウム合金、アルカリ金属類及びアルカリ土類金属類の合金等を用いてもよい。

　図１７Ｂに示すように、有機デバイス１００は、有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃなどの蒸着基板１１０上の要素を覆う封止層（図示せず）を備えていてもよい。封止層は、有機デバイス１００の外部の水蒸気などが有機デバイス１００の内部に入ることを抑制できる。これにより、有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃなどが水分に起因して劣化することを抑制できる。封止層は、例えば有機材料で構成された層を含んでいてもよい。有機材料は、封止層で光の屈折が生じることを抑制するために、有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃと等しい屈折率か近い屈折率を有していてもよい。有機材料は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）等の無機材料で封止されていてもよい。この場合、封止層は、有機材料の層と無機材料の層とが積層された積層構造を有していてもよい。第２電極１４０と封止層との間には、平坦化層（図示せず）が介在されていてもよい。平坦化層は、蒸着基板１１０上の要素の凹凸に入り込んで、封止層の密着性を向上させるための層であってもよい。

　このような有機デバイス１００の製造方法は、蒸着マスク１０を用いて蒸着基板１１０に蒸着材料８２を付着させて有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃを形成する工程を備えていてもよい。より具体的には、本実施形態による有機ＥＬ表示装置の製造方法は、蒸着マスク準備工程と、位置合わせ工程と、密着工程と、蒸着工程と、裁断工程と、を備えていてもよい。

　まず、蒸着マスク準備工程として、上述した蒸着マスク１０を準備してもよい。

　蒸着マスク準備工程の後、位置合わせ工程として、蒸着マスク１０が蒸着基板１１０に対して位置合わせされる。位置合わせ工程においては、蒸着基板１１０に対する蒸着マスク１０の貫通孔４０の位置が確認される。この際、蒸着基板１１０に対する蒸着マスク１０の貫通孔４０の位置が調整されてもよい。例えば、マスク基板１５の基板枠体１７に設けられた第１アライメントマーク４５と、蒸着基板１１０の対応する基板アライメントマーク１１１（図３参照）とが位置合わせされる。また、マスク層２０のマスク桟２８ａ、２８ｂに設けられた第２アライメントマーク４６と、蒸着基板１１０の対応するアライメントマーク（図示せず）とが位置合わせされる。例えば、まず、第１アライメントマーク４５を用いて、蒸着基板１１０と貫通孔４０との大まかな位置合わせを行い、その後、第２アライメントマーク４６を用いて、蒸着基板１１０と貫通孔４０との細かな位置合わせを行ってもよい。このことにより、蒸着基板１１０に対する蒸着マスク１０の貫通孔４０の位置を精度良く調整できる。

　位置合わせ工程の後、密着工程として、蒸着マスク１０のマスク層２０のうち第１面２０ａを、蒸着基板１１０に密着させてもよい。より具体的には、蒸着装置８０内において、蒸着マスク１０のマスク層２０の第１面２０ａが、位置合わせされた状態で蒸着基板１１０の第１面１１０ａ（図３参照）に密着される。この際、蒸着基板１１０を、蒸着マスク１０と磁石８５との間に介在させて、磁石８５の磁力で蒸着マスク１０を蒸着基板１１０に引き寄せる。このことにより、蒸着マスク１０の第１面２０ａに、蒸着基板１１０が密着する。

　密着工程において、樹脂層２１の第１樹脂層面２１ａが、蒸着基板１１０の第１面１１０ａに密着する。樹脂層２１を構成する樹脂材料がポリイミドであるとともに蒸着基板１１０がシリコン基板である場合、ポリイミドとシリコンとの間で作用するファンデルワールス力によって、蒸着基板１１０をポリイミドに密着できる。このため、蒸着基板１１０と蒸着マスク１０との密着性を向上できる。このため、蒸着基板１１０に形成される有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃの位置精度及び形状精度を向上できる。この結果、有機デバイス１００の精細度を向上できる。

　密着工程の後、蒸着工程として、蒸着マスク１０の貫通孔４０を通して蒸着材料８２を蒸着基板１１０上に形成された第１電極１２０に蒸着させて有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃが形成されてもよい（図１７Ｂ参照）。有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃは、対応する正孔輸送層上に形成される。より具体的には、蒸着装置８０の内部の圧力を真空雰囲気まで低下する。その後、蒸着材料８２を蒸発させて正孔輸送層に飛来させる。飛来した蒸着材料８２は、蒸着マスク１０の各貫通孔４０を通って、所望の正孔輸送層に付着する。このことにより、第１電極１２０及び絶縁層１６０に、貫通孔４０のパターンに対応したパターンで有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃが形成される。

　ここで、有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃは、第１電極１２０と当該第１電極１２０に隣接する絶縁層１６０に跨がるように形成される。図示しないが、絶縁層１６０上において隣り合う有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃは、重なり合っていてもよい。

　上述したように、本実施形態では、貫通孔４０が各有効領域２３において所定のパターンで配置されている。複数の色を用いて表示する場合には、各色の有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃに対応するパターンで形成された貫通孔４０を有する蒸着マスク１０を準備する。各蒸着マスク１０で、対応する正孔輸送層に各色の蒸着材料８２を付着させる。これにより、例えば、赤色用の有機発光材料、緑色用の有機発光材料及び青色用の有機発光材料を１つの蒸着基板１１０にそれぞれ蒸着でき、有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃをそれぞれ形成できる。

　有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃが形成された後、有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃ上に、電子輸送層及び電子注入層が形成される。その後、第２電極１４０が形成される。第２電極１４０は、各有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃを覆うように形成され、有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃ上において、第１電極１２０と当該第１電極１２０に隣接する絶縁層１６０に跨がるように形成される。例えば、第２電極１４０は、平面視において隣り合う２つの有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃに跨がるように連続的に形成されてもよい。

　形成された第２電極１４０に、上述した平坦化層及び封止層が形成される。このようにして、蒸着基板１１０に設けられた有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃ等の要素が、封止層で封止される。

　蒸着工程の後、裁断工程として、有機デバイス１００毎に蒸着基板１１０が裁断される。この場合、例えば、互いに隣り合う有機デバイス１００の間で、ダイシングソーを用いて蒸着基板１１０が裁断される。互いに隣り合う有機デバイス１００の距離とダイシングソーの幅とに応じて、シングルソーイングを適用して蒸着基板１１０を裁断してもよく、ダブルソーイングを適用して蒸着基板１１０を裁断してもよい。

　このようにして、蒸着基板１１０に、各色の有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃが形成された有機デバイス１００が得られる。

　このように本実施形態によれば、蒸着マスク１０が、貫通孔４０を有するマスク層２０と、マスク層２０の第２面２０ｂに位置したマスク基板１５と、を備えている。このようにマスク基板１５がマスク層２０に位置していることによって、蒸着マスク１０の強度を向上でき、この状態で、蒸着基板１１０に密着できる。このことにより、マスク層２０の貫通孔４０の形状精度及び位置精度を、貫通孔４０が形成された時点での形状精度及び位置精度に維持でき、貫通孔４０の精細度を向上できる。貫通孔４０の高精細化を図ることもできる。また、貫通孔４０の形状精度及び位置精度を高めた状態で蒸着基板１１０に蒸着材料８２を付着できる。このため、有機デバイス１００の有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃの精細度を向上できる。この場合、有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃを含む素子によって構成される画素の高精細化を図ることもできる。

　また、本実施形態によれば、マスク基板１５は、シリコンを含んでいる。蒸着基板１１０がシリコン基板である場合には、マスク基板１５を蒸着基板１１０と同種材料又は同じ材料で構成できる。このことにより、マスク基板１５の熱膨張係数と蒸着基板１１０の熱膨張係数との差を小さくできる。このため、精度低下を抑制できる。ここで、例えば、有機デバイス１００の画素密度が高い場合には、貫通孔４０の形状精度や位置精度を高めることが要求される。本実施形態によるマスク基板１５はシリコンを含んでいるため、上述したように蒸着基板１１０との熱膨張係数の差を小さくできる。このことにより、蒸着基板１１０に対して精度良く位置合わせした蒸着マスク１０が熱膨張した場合であっても、蒸着基板１１０に対する貫通孔４０の位置がずれることを抑制できる。このため、蒸着基板１１０に形成される有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃの形状精度及び位置精度を向上できる。この結果、高精細の有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃを備える有機デバイス１００を容易に作製できる。

　また、本実施形態によれば、マスク層２０の第２面２０ｂが、マスク基板１５に付着されている。このことにより、蒸着マスク１０の強度をより一層向上できる。ここで、マスク層２０を、マスク基板１５とは別体で単独で作製した場合には、マスク基板１５等のフレームにマスク層２０を張力を付与した状態で架張し、その後溶接等で固定している。しかしながら、本実施形態による蒸着マスク１０は、マスク層２０がマスク基板１５に付着されているため、そのような架張を不要にできる。このことにより、マスク基板１５に付着されたマスク層２０の貫通孔４０の形状精度及び位置精度を、貫通孔４０が形成された時点での形状精度及び位置精度に維持できる。このため、貫通孔４０の精細度をより一層向上できる。

　また、本実施形態によれば、マスク層２０は、第１面２０ａをなす樹脂層２１と、樹脂層２１とマスク基板１５との間に位置するマスク中間層２２と、を有している。このことにより、マスク中間層２２は、固有の目的を有する層として構成できる。例えば、マスク中間層２２を、樹脂層２１とマスク基板１５との密着性を確保できる材料で形成できる。この場合、蒸着マスク１０をマスク基板１５に付着でき、蒸着マスク１０の強度をより一層向上できる。あるいは、マスク中間層２２を、基板エッチング工程において用いられるエッチング媒体に対する耐性を有する材料で形成できる。この場合、基板エッチング工程において、樹脂層２１がエッチング媒体によってエッチングされることを抑制できる。

　また、本実施形態によれば、マスク層２０の第１面２０ａをなす樹脂層２１は、樹脂材料を含んでいる。このことにより、蒸着マスク１０を蒸着基板１１０に密着させる際、樹脂層２１と蒸着基板１１０との密着性を向上できる。このため、蒸着基板１１０に形成される有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃの位置精度及び形状精度を向上でき、有機デバイス１００の精細度を向上できる。

　また、本実施形態によれば、マスク層２０の第２面２０ｂをなすマスク中間層２２の厚みが、第１面２０ａをなす樹脂層２１の厚みよりも小さくなっている。このことにより、マスク中間層２２を、固有の目的を有する層として構成できる。すなわち、マスク中間層２２を、固有の目的を有する層として構成する場合、熱膨張係数を小さくすることが困難な場合が考えられる。例えば、マスク中間層２２の目的としては、樹脂層２１との密着性を確保する目的、マスク基板１５との密着性を確保する目的、又は基板エッチング工程において用いられるエッチング媒体による浸食を抑制する目的等が挙げられる。このような目的を達成するための材料は、熱膨張係数が大きくなる場合が考えられる。しかしながら、この場合であっても、マスク中間層２２の厚みを小さくすることにより、マスク中間層２２の熱膨張の影響を抑制できる。このため、精度低下を抑制できる。

　また、本実施形態によれば、マスク中間層２２が、樹脂層２１と基板枠体１７との間に位置する本体領域部２２ａと、平面視において基板開口１６に沿って形成されたマスク層開口２２ｄと、を含んでいる。このことにより、マスク層２０のうち貫通孔４０が形成されている部分の厚みを小さくできる。このため、シャドーの発生を抑制できる。

　また、本実施形態によれば、第２樹脂層面２１ｂにおける貫通孔４０の所定方向の開口寸法が、第１樹脂層面２１ａにおける貫通孔４０の当該所定方向の開口寸法よりも大きくなっている。このことにより、蒸着時に第１樹脂層面２１ａに蒸着基板１１０を密着させる場合には、シャドーの発生を抑制できる。このため、蒸着基板１１０に付着した蒸着材料８２によって形成される有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃの形状精度及び位置精度を向上でき、有機デバイス１００の精細度を向上できる。

　また、本実施形態によれば、マスク基板１５の基板開口１６内に、２つ以上の貫通孔４０が位置している。このことにより、蒸着時に、マスク基板１５がシャドーを発生させることを抑制できる。このため、蒸着基板１１０に付着した蒸着材料８２によって形成される有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃの形状精度及び位置精度を向上でき、有機デバイス１００の精細度を向上できる。また、本実施形態によれば、基板開口１６内に、複数の貫通孔群３０が位置しているため、シャドーの発生をより一層抑制できる。

　また、本実施形態によれば、マスク基板１５のマスク層２０とは反対側の面に、第１アライメントマーク４５が設けられている。このことにより、蒸着マスク１０を蒸着基板１１０に対して位置合わせする位置合わせ工程において、第１アライメントマーク４５を用いて、蒸着マスク１０と蒸着基板１１０とを位置合わせできる。第１アライメントマーク４５がマスク基板１５に設けられていることから、蒸着マスク１０を全体的に蒸着基板１１０に位置合わせできる。

　また、本実施形態によれば、第１アライメントマーク４５よりも貫通孔４０に近い位置に、第２アライメントマーク４６が設けられている。このことにより、蒸着マスク１０を蒸着基板１１０に対して位置合わせする位置合わせ工程において、第２アライメントマーク４６を用いて、蒸着マスク１０と蒸着基板１１０とを位置合わせできる。また、第２アライメントマーク４６は、第１アライメントマーク４５よりも貫通孔４０に近い位置に配置されるため、蒸着マスク１０と蒸着基板１１０との位置合わせ精度を向上できる。また、第２アライメントマーク４６が、マスク層２０の第１面２０ａに設けられていることによって、樹脂層２１が光透過性を有していない場合であっても、第２アライメントマーク４６を、蒸着基板１１０を介して視認できる。

　また、本実施形態によれば、第２アライメントマーク４６は、互いに隣り合う貫通孔群３０の間に設けられたマスク桟２８ａ、２８ｂに位置している。このことにより、第２アライメントマーク４６を、貫通孔４０により一層近い位置に配置できる。このため、蒸着マスク１０と蒸着基板１１０との位置合わせ精度をより一層向上できる。また、本実施形態によれば、第２アライメントマーク４６を、第１マスク桟２８ａと第２マスク桟２８ｂとが交差する交差部２９に位置している。このことにより、近接する貫通孔群３０の貫通孔４０を、効率良く位置合わせできる。

　また、本実施形態によれば、貫通孔４０は、マスク層２０にレーザ光Ｌを照射することによって形成される。このことにより、貫通孔４０の形状精度及び位置精度を向上できる。このため、蒸着マスク１０の精細度を向上できる。

　また、本実施形態によれば、基板開口１６が形成された後に、レーザ光Ｌは、基板開口１６を通して樹脂層２１の第２樹脂層面２１ｂに照射される。このことにより、第２樹脂層面２１ｂにおける貫通孔４０の所定方向の開口寸法を、第１樹脂層面２１ａにおける貫通孔４０の当該所定方向の開口寸法よりも容易に大きくできる。このことにより、蒸着時に第１樹脂層面２１ａに蒸着基板１１０を密着させる場合には、シャドーの発生を抑制できる貫通孔４０を容易に形成できる。このため、蒸着基板１１０に付着した蒸着材料８２によって形成される有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃの形状精度及び位置精度を向上でき、有機デバイス１００の精細度を向上できる。

　上述した一実施形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明及び以下の説明で用いる図面では、上述した一実施形態と同様に構成され得る部分について、上述の一実施形態において対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した一実施形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。

　次に、第１変形例について説明する。

　上述した本実施形態においては、マスク中間層２２が、平面視において基板開口１６に沿って形成されたマスク層開口２２ｄを含んでいる例について説明した。しかしながら、本開示は、このことに限られることはない。

　例えば、図１８に示すように、マスク中間層２２は、マスク層開口２２ｄを含んでいなくてもよい。この場合、マスク中間層２２は、樹脂層２１と基板枠体１７との間に位置する本体領域部２２ａと、平面視において基板開口１６内に位置する開口領域部２２ｂと、を含んでいてもよい。図１８に示す例では、樹脂層２１の第２樹脂層面２１ｂの全体に、マスク中間層２２が形成されている。このようなマスク中間層２２は、例えば、上述したマスク保護層除去工程（図１４参照）において、マスク中間層２２のうち平面視において基板開口１６内に位置する部分にレジスト層（図示せず）が形成されてもよい。図１８に示す例では、貫通孔４０は、マスク層２０を貫通している。すなわち、貫通孔４０は、第１面２０ａから第２面２０ｂに延びている。

　マスク層２０の第２面２０ｂにおける貫通孔４０の所定方向（例えば、第１方向Ｄ１１又は第２方向Ｄ１２）の開口寸法は、第１面２０ａにおける貫通孔４０の当該所定方向の開口寸法よりも大きくなっていてもよい。一実施形態では、第１面２０ａに平行な方向における貫通孔４０の断面開口は、第１面２０ａから、第２面２０ｂに向かって徐々に大きくなっていてもよい。言い換えると、マスク層２０の法線方向に沿った各位置における第１面２０ａに平行な断面での各貫通孔４０の断面積は、第１面２０ａから第２面２０ｂに向かって徐々に大きくなっていてもよい。この場合、貫通孔４０は、第１面２０ａから第２面２０ｂに向かって、貫通孔４０の中心軸線ＣＬから遠ざかるように形成された壁面４１を有していてもよい。図１８においては、貫通孔４０の壁面４１が、第１面２０ａから第２面２０ｂに向かって中心軸線ＣＬから遠ざかるように中心軸線ＣＬに対して直線状に傾斜している例が示されている。例えば、マスク層２０の第１面２０ａにおける貫通孔４０の開口寸法は、図５Ａに示す符号Ｓ１であってもよい。第２面２０ｂにおける貫通孔４０の開口寸法は、図５Ａに示す符号Ｓ２であってもよい。

　マスク保護層除去工程の後に、貫通孔形成工程が行われてもよい。この場合の貫通孔形成工程においては、レーザ光Ｌは基板開口１６を通して、マスク層２０の第２面２０ｂに照射される。このことにより、マスク中間層２２及び樹脂層２１に、マスク中間層２２及び樹脂層２１を貫通する貫通孔４０が形成される。

　このように第１変形例によれば、マスク中間層２２が開口領域部２２ｂを含んでいる。このことにより、開口領域部２２ｂを除去することを不要にできるとともに、マスク層２０の強度を向上させることができる。

　次に、第２変形例について説明する。

　上述した本実施形態においては、マスク中間層２２が、スパッタリング処理によってマスク基板１５に形成される例について説明した。しかしながら、本開示は、このことに限られることはなく、マスク中間層２２は、物理蒸着（ＰＶＤ）や化学蒸着（ＣＶＤ）などの蒸着処理によってそれぞれ形成されるようにしてもよい。

　次に、第３変形例について説明する。

　上述した本実施形態においては、蒸着基板１１０と位置合わせするための第１アライメントマーク４５が、マスク基板１５の基板枠体１７に設けられている例について説明した。しかしながら、本開示は、このことに限られることはない。例えば、図１９に示すように、マスク基板１５が、平面視において基板枠体１７から内側に延びる内側突出部１９を含み、内側突出部１９に、第１アライメントマーク４５が位置していてもよい。内側突出部１９は、第１方向Ｄ１１において隣り合う貫通孔群３０に対向する側壁１９ａと、第２方向Ｄ１２にいて隣り合う貫通孔群３０に対向する側壁１９ｂと、を含んでいてもよい。平面視において、側壁１９ａは第２方向Ｄ１２に延び、側壁１９ｂは第１方向Ｄ１１に延びていてもよい。内側突出部１９に第１アライメントマーク４５を設けることによって、第１アライメントマーク４５を、貫通孔群３０に近い位置に配置でき、貫通孔４０の位置合わせ精度を向上できる。

　次に、第４変形例について説明する。

　上述した本実施形態においては、蒸着基板１１０と位置合わせするための第２アライメントマーク４６が、マスク層２０の第１マスク桟２８ａと第２マスク桟２８ｂとが交差する各交差部２９に設けられている例について説明した。しかしながら、本開示は、このことに限られることはなく、図２０に示すように、第２アライメントマーク４６は、全ての交差部２９に設けられていなくてもよい。例えば、第１方向Ｄ１１において複数の貫通孔群３０毎に第２アライメントマーク４６が配置されていてもよい。図２０においては、第１方向Ｄ１１及び第２方向Ｄ１２のそれぞれにおいて、２つの貫通孔群３０毎に第２アライメントマーク４６が配置されている。より具体的には、第１方向Ｄ１１において互いに隣り合う２つの第１マスク桟２８ａのうちの一方に第２アライメントマーク４６が配置され、他方には第２アライメントマーク４６が配置されていなくてもよい。第２方向Ｄ１２において互いに隣り合う２つの第２マスク桟２８ｂのうちの一方に第２アライメントマーク４６が配置され、他方には第２アライメントマーク４６が配置されていなくてもよい。この場合、４つの貫通孔群３０の角部に対応する位置に、第２アライメントマーク４６が配置される。

　図示しないが、第２アライメントマーク４６は、マスク層２０ではなく、マスク基板１５の後述する基板桟１８ａ、１８ｂ（図２１及び図２２参照）に設けられていてもよい。第２アライメントマーク４６を凹状に形成する場合には、基板桟１８ａ、１８ｂにおける第２基板面１５ｂに形成されていてもよい。この場合、赤外線を照射することによって、蒸着基板１１０及びマスク層２０を介して第２アライメントマーク４６を視認できる。第２アライメントマーク４６は、平面視において、図３に示す第２アライメントマーク４６と同様の位置に配置されていてもよく、図２０に示す第２アライメントマーク４６と同様の位置に配置されていてもよく、任意である。このような凹状の第２アライメントマーク４６は、基板エッチング工程において、基板桟１８ａ、１８ｂにおいて第２基板面１５ｂをエッチングすることにより形成されていてもよい。

　次に、第５変形例について説明する。

　上述した本実施形態においては、マスク基板１５の１つの基板開口１６内に、全ての貫通孔群３０が位置している例について説明した。しかしながら、本開示は、このことに限られることはなく、マスク基板１５は、複数の基板開口１６を有していてもよい。例えば、図２１及び図２２に示すように、互いに隣り合う基板開口１６の間に基板桟１８ａ、１８ｂが設けられていてもよい。基板桟１８ａ、１８ｂは、第１方向Ｄ１１に配列された第１基板桟１８ａと、第２方向Ｄ１２に配列された第２基板桟１８ｂと、を含んでいてもよい。第１基板桟１８ａは、第２方向Ｄ１２に延びていてもよい。第１基板桟１８ａは、上述した第１マスク桟２８ａと平面視で重なっていてもよい。第２基板桟１８ｂは、第１方向Ｄ１１に延びていてもよい。第２基板桟１８ｂは、上述した第２マスク桟２８ｂと平面視で重なっていてもよい。マスク中間層２２は、本体領域部２２ａと、複数のマスク層開口２２ｄと、マスク中間層桟２２ｅと、を含んでいてもよい。各マスク層開口２２ｄは、対応する基板開口１６に沿って形成されている。マスク中間層桟２２ｅは、基板桟１８ａ、１８ｂに沿って形成されている。図２２は、図２１のＣ－Ｃ線断面を模式的に示した図であり、図面をわかりやすくするために、貫通孔群３０の個数及び貫通孔４０の個数は少なくしている。

　図２１及び図２２に示す例では、各基板開口１６内に、対応する１つの貫通孔群３０（又は有効領域２３）が位置している。図２１及び図２２に示す基板開口１６は、対応する１つの貫通孔群３０（又は対応する有効領域２３）の輪郭に沿った形状を有していてもよい。基板桟１８ａ、１８ｂは、基板枠体１７に接続されており、平面視で、互いに隣り合う貫通孔群３０の間に位置している。図２２には、第１基板桟１８ａが示されており、第１基板桟１８ａは、紙面に垂直な方向に延びている。第１基板桟１８ａの両端は、基板枠体１７に連続状に接続されている。図２２には示されていないが、図２２における左右方向には第２基板桟１８ｂが延びている。第２基板桟１８ｂの両端は、基板枠体１７に連続状に接続されている。このようにして、平面視で、第２方向Ｄ１２に延びる第１基板桟１８ａと、第１方向Ｄ１１に延びる第２基板桟１８ｂとで、複数の基板開口１６が区画されている。

　図２１に示す例では、基板開口１６は、平面視において略矩形状の輪郭を有している。ここでは、基板開口１６の輪郭のうちの四隅は、基板開口１６の輪郭をなす第１方向Ｄ１１に延びる辺１６ｆ（図２３参照）と第２方向Ｄ１２に延びる辺１６ｇとが直接的に交わって角部を形成してもよい。しかしながら、これらの辺の間には、意図的ではなく形成された微小な湾曲形状の輪郭が介在されていてもよい。しかしながら、本開示は、このことに限られることはない。

　例えば、基板開口１６は、図２３に示すように、平面視において、略矩形状の基板開口１６の輪郭のうちの四隅に、湾曲部１６ｅが設けられていてもよい。湾曲部１６ｅは、基板開口１６の輪郭のうち第１方向Ｄ１１に延びる辺１６ｆと第２方向Ｄ１２に延びる辺１６ｇとを湾曲状に接続する部分である。湾曲部１６ｅは、意図的に湾曲形状の輪郭をなすように形成されていてもよい。湾曲部１６ｅは、例えば、円弧状に形成されていてもよい。このような湾曲部１６ｅは、図２５～図２７に示す基板開口１６に含まれていてもよい。

　図２３に示す湾曲部１６ｅの半径Ｒは、例えば、０．３ｍｍ以上であってもよく、０．６ｍｍ以上であってもよく、０．９ｍｍ以上であってもよく、１．２ｍｍ以上であってもよい。半径Ｒを０．３ｍｍ以上とすることによって、基板開口１６の四隅における応力の集中を抑制できる。また、半径Ｒは、例えば、１．５ｍｍ以下であってもよく、２．０ｍｍ以下であってもよく、２．５ｍｍ以下であってもよく、３．０ｍｍ以下であってもよい。半径Ｒを３．０ｍｍ以下とすることによって、基板開口１６内に配置できる貫通孔４０の個数が制限されることを抑制できる。半径Ｒの範囲は、０．３ｍｍ、０．６ｍｍ、０．９ｍｍ及び１．２ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、１．５ｍｍ、２．０ｍｍ、２．５ｍｍ及び３．０ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。半径Ｒの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。半径Ｒの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。半径Ｒの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、０．３ｍｍ以上３．０ｍｍ以下であってもよく、０．３ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であってもよく、０．３ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であってもよく、０．３ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であってもよく、０．３ｍｍ以上１．２ｍｍ以下であってもよく、０．３ｍｍ以上０．９ｍｍ以下であってもよく、０．３ｍｍ以上０．６ｍｍ以下であってもよく、０．６ｍｍ以上３．０ｍｍ以下であってもよく、０．６ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であってもよく、０．６ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であってもよく、０．６ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であってもよく、０．６ｍｍ以上１．２ｍｍ以下であってもよく、０．６ｍｍ以上０．９ｍｍ以下であってもよく、０．９ｍｍ以上３．０ｍｍ以下であってもよく、０．９ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であってもよく、０．９ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であってもよく、０．９ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であってもよく、０．９ｍｍ以上１．２ｍｍ以下であってもよく、１．２ｍｍ以上３．０ｍｍ以下であってもよく、１．２ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であってもよく、１．２ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であってもよく、１．２ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であってもよく、１．５ｍｍ以上３．０ｍｍ以下であってもよく、１．５ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であってもよく、１．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であってもよく、２．０ｍｍ以上３．０ｍｍ以下であってもよく、２．０ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であってもよく、２．５ｍｍ以上３．０ｍｍ以下であってもよい。

　また、基板開口１６は、図２４に示すように、平面視において円形状の輪郭を有していてもよい。図１１に示す基板エッチング工程において、マスク基板１５のうち基板桟１８ａ、１８ｂに相当する部分をエッチングさせずに残すことによって、基板桟１８ａ、１８ｂを形成できる。

　このようにマスク基板１５が複数の基板開口１６を有していることによって、基板開口１６の間に残存するマスク基板１５の材料（基板桟１８ａ、１８ｂ）によってマスク層２０を支持できる。このため、蒸着マスク１０の機械的強度を向上できる。

　また、マスク基板１５が複数の基板開口１６を有している場合、図２１～図２４に示すように、１つの基板開口１６内に、１つの貫通孔群３０が位置していることに限られることはない。例えば、図２５に示すように、１つの基板開口１６内に、２つ以上の貫通孔群３０（又は有効領域２３）が位置していてもよい。図２５においては、１つの基板開口１６内に、４つの貫通孔群３０が位置している例を示している。あるいは、１つの貫通孔群３０を構成する貫通孔４０の全てが、１つの基板開口１６内に位置していることに限られることはない。例えば、１つの貫通孔群３０が、平面視において、２つ以上の基板開口１６に跨がっていてもよい。例えば、図２６に示すように、１つの基板開口１６内に、１つの貫通孔４０が位置していてもよい。図２６に示す例においては、貫通孔４０毎に、基板開口１６が設けられている。また、図２７に示すように、１つの基板開口１６内に、２つ以上の貫通孔４０が位置していてもよい。図２７に示す例においては、１つの基板開口１６内に、２つの貫通孔４０が位置している例を示している。

　次に、第６変形例について説明する。

　上述した本実施形態においては、蒸着マスク１０が、マスク層２０と、マスク基板１５と、を備えている例について説明した。しかしながら、本開示は、このことに限られることはない。例えば、図２８及び図２９に示すように、マスク基板１５が、フレーム２０１によって支持されていてもよい。この場合、蒸着マスク１０とフレーム２０１とによりフレーム付き蒸着マスク２００が構成されていてもよい。

　より具体的には、フレーム付き蒸着マスク２００は、蒸着マスク１０と、蒸着マスク１０のマスク基板１５を支持するフレーム２０１と、を備えている。フレーム２０１は、蒸着マスク１０を取り扱う際、例えば蒸着マスク１０を移動させる際に把持されることを目的として、蒸着マスク１０のマスク基板１５に取り付けられていてもよい。このことにより、フレーム２０１を把持しながら蒸着マスク１０を取り扱うことができ、蒸着マスク１０の破損を抑制できる。この結果、蒸着マスク１０のハンドリングを向上できる。

　フレーム２０１は、第１フレーム面２０１ａと、第２フレーム面２０１ｂと、を含んでいてもよい。第１フレーム面２０１ａは、マスク基板１５に対向し、マスク基板１５の第２基板面１５ｂに対向している。第２フレーム面２０１ｂは、第１フレーム面２０１ａとは反対側に位置している。第１フレーム面２０１ａは、マスク基板１５の基板枠体１７に接続されている。平面視において、フレーム２０１は、基板開口１６に重なっていない。平面視において、フレーム２０１の少なくとも一部は、マスク基板１５の外縁１５ｃを越えて外側に延びている。このことにより、蒸着マスク１０を取り扱う際にフレーム２０１を把持するための領域が形成されている。図２８に示す例では、フレーム２０１が、全体的に、マスク基板１５の外縁１５ｃを越えて外側に延びている。

　フレーム２０１は、ガラス材料又は金属材料を含んでいてもよい。ガラス材料は、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス又はソーダガラス等であってもよい。金属材料は、インバー材、アルミニウム、又はＳＵＳ４３０若しくはＳＵＳ３０４等のステンレスであってもよい。このような材料をフレーム２０１に用いることにより、フレーム２０１の剛性をマスク基板１５よりも高くできる。フレーム２０１は、シリコン又は樹脂材料を含んでいてもよい。フレーム２０１の材料は、フレーム付き蒸着マスク２００を取り扱う作業者、又はロボットハンドの把持力を考慮して、フレーム２０１が必要な剛性を有するように決定されていてもよい。

　フレーム２０１の熱膨張係数は、マスク基板１５の熱膨張係数と等しい値か、近い値であってもよい。このことにより、フレーム付き蒸着マスク２００が加熱された際の、フレーム２０１及びマスク基板１５の伸び率を同程度にすることができる。この結果、マスク基板１５が破損することを抑制できる。また、貫通孔４０の位置精度を向上でき、蒸着精度を向上できる。より具体的には、フレーム２０１の熱膨張係数とマスク基板１５の熱膨張係数との差の絶対値が、１５ｐｐｍ／℃以下であってもよく、１０ｐｐｍ／℃以下であってもよく、５．０ｐｐｍ／℃以下であってもよい。フレーム２０１の材料は、熱伝導率が高い材料であってもよい。この場合、蒸着マスク１０を効率良く冷却できる。

　図示された例では、フレーム２０１は、環状に形成されている。フレーム２０１は、平面視においてマスク基板１５の外縁１５ｃの外側に位置する部分を環状に形成できる。このことにより、蒸着マスク１０を取り扱う際にマスク基板１５の基板枠体１７が破損することを効果的に抑制できる。より具体的には、フレーム２０１の中央には、第１フレーム面２０１ａから第２フレーム面２０１ｂに延びてフレーム２０１を貫通するフレーム開口２０２が形成されている。図示された例では、フレーム開口２０２の平面形状は、マスク基板１５の外縁１５ｃの平面形状と相似している。平面視において、フレーム開口２０２は、マスク基板１５の各基板開口１６に重なっている。図示された例では、マスク基板１５は、図２１及び図２２に示す例と同様にして、上述した第１基板桟１８ａ及び第２基板桟１８ｂを含んでおり、各基板桟１８ａ、１８ｂによって、複数の基板開口１６が区画されている。平面視において、フレーム開口２０２は、マスク基板１５の第１基板桟１８ａ及び第２基板桟１８ｂに重なっている。

　フレーム２０１の外縁２０１ｃの平面形状は任意である。図示された例では、平面視において、フレーム２０１の外縁２０１ｃは、矩形状に形成されているが、他の多角形状又は円形状などで形成されていてもよい。

　上述した第６変形例においては、図２１及び図２２に示す第５変形例による蒸着マスク１０のマスク基板１５がフレーム２０１に支持されている例について説明した。しかしながら、本開示は、このことに限られることはない。図３に示す蒸着マスク１０のマスク基板１５がフレーム２０１に支持されてもよく、他の変形例に示す蒸着マスク１０のマスク基板１５がフレーム２０１に支持されてもよい。例えば、図２９に示すマスク中間層２２に、マスク層開口２２ｄは形成されていなくてもよく、マスク中間層２２が、開口領域部２２ｂ（図１８参照）を含んでいてもよい。

　次に、第７変形例について説明する。

　上述した本実施形態においては、平面視において、樹脂層２１の外縁２１ｃが、マスク中間層２２の外縁２２ｃと重なる位置に位置している例について説明した。しかしながら、本開示は、このことに限られることはない。例えば、図３０に示すように、樹脂層２１の外縁２１ｃが、マスク中間層２２の外縁２２ｃよりも内側に位置していてもよい。言い換えると、マスク中間層２２が、樹脂層２１の外縁２１ｃを越えて外側に延びており、露出されている。このことにより、樹脂層２１とマスク中間層２２とにより段差を形成でき、樹脂層２１の厚みＨ３（図３参照）を容易に測定できる。平面視において、マスク中間層２２の一部が、樹脂等２１の外縁２１ｃを越えて外側に延びていてもよい。この場合、平面視における樹脂層２１の外縁２１ｃの一部において、段差を形成できる。しかしながら、平面視において、マスク中間層２２が、全体的に、樹脂層２１の外縁２１ｃを越えて外側に延びていてもよい。この場合、平面視における樹脂層２１の外縁２１ｃの全周にわたって、段差を形成できる。

　このような樹脂層２１を形成する樹脂層形成工程においては、マスク中間層２２のマスク基板１５とは反対側の面に、図示しないレジスト層が予め形成されていてもよい。このレジスト層は、マスク中間層２２の外縁２２ｃの近接した領域に位置する。このことにより、上述した外縁２１ｃを含む樹脂層２１を形成できる。

　このように樹脂層２１の外縁２１ｃが、マスク中間層２２の外縁２２ｃよりも内側に位置することにより、樹脂層２１の厚みＨ３を容易に測定できる。

　上述した第７変形例においては、図２１及び図２２に示す第５変形例による蒸着マスク１０の樹脂層２１の外縁２１ｃがマスク中間層２２の外縁２２ｃよりも内側に位置している例について説明した。しかしながら、本開示は、このことに限られることはない。例えば、図３に示す蒸着マスク１０の樹脂層２１の外縁２１ｃが、マスク中間層２２の外縁２２ｃよりも内側に位置してもよく、他の変形例に示す蒸着マスク１０の樹脂層２１の外縁２１ｃが、マスク中間層２２の外縁２２ｃよりも内側に位置してもよい。例えば、図３０に示すマスク中間層２２に、マスク層開口２２ｄは形成されていなくてもよく、マスク中間層２２が、開口領域部２２ｂ（図１８参照）を含んでいてもよい。

　次に、第８変形例について説明する。

　上述した本実施形態においては、マスク基板１５の第１基板桟１８ａ及び第２基板桟１８ｂ上に樹脂層２１のマスク桟２８ａ、２８ｂが形成されている例について説明した。しかしながら、本開示は、このことに限られることはない。例えば、図３１及び図３２に示すように、樹脂層２１のマスク桟２８ａ、２８ｂに、樹脂溝２１０ａ、２１０ｂが形成されていてもよい。樹脂溝２１０ａ、２１０ｂは、樹脂層２１を貫通していてもよい。樹脂溝２１０ａ、２１０ｂは、マスク中間層２２には形成されていなくてもよい。

　図３１及び図３２に示すように、樹脂層２１に、複数の第１樹脂溝２１０ａ及び複数の第２樹脂溝２１０ｂが形成されていてもよい。第１樹脂溝２１０ａは、第１マスク桟２８ａに形成されていてもよく、平面視において、第１基板桟１８ａに重なる位置に位置していてもよい。第１樹脂溝２１０ａは、第２方向Ｄ１２に延びていてもよく、第１方向Ｄ１１に配列されていてもよい。第２樹脂溝２１０ｂは、第２マスク桟２８ｂに形成されていてもよく、平面視において、第２基板桟１８ｂに重なる位置に位置していてもよい。第２樹脂溝２１０ｂは、第１方向Ｄ１１に延びていてもよく、第２方向Ｄ１２に配列されていてもよい。

　図３１及び図３２に示す例では、樹脂層２１は、複数の樹脂アイランド２１１を含んでいてもよい。樹脂アイランド２１１は、本体アイランドの一例である。樹脂アイランド２１１は、第１樹脂溝２１０ａ及び第２樹脂溝２１０ｂによって区画されていてもよい。樹脂アイランド２１１は、貫通孔群３０（又は有効領域２３）毎に形成されていてもよい。１つの樹脂アイランド２１１に１つの貫通孔群３０が形成されていてもよい。あるいは、１つの樹脂アイランド２１１に、２つ以上の貫通孔群３０が位置していてもよい。樹脂アイランド２１１は、平面視で矩形状に形成されていてもよい。図３１に示す例では、マスク中間層２２上に、複数の樹脂アイランド２１１が形成されている。複数の樹脂アイランド２１１のうちの平面視で最も外側に位置する樹脂アイランド２１１の更に外側に、樹脂層２１は形成されていなくてもよい。この場合、マスク中間層２２が露出されて、樹脂層２１とマスク中間層２２により、図３０と同様な段差が形成されている。

　樹脂溝２１０ａ、２１０ｂは、樹脂層２１に、レーザ光を照射することによって形成されてもよい。

　このように、樹脂層２１に樹脂溝２１０ａ、２１０ｂが形成されることにより、樹脂層２１を分断できる。このため、樹脂層２１に発生する反りを分断でき、蒸着マスク１０の反りの発生を抑制できる。

　上述した第８変形例においては、図２１及び図２２に示す第５変形例による蒸着マスク１０の樹脂層２１に樹脂溝２１０ａ、２１０ｂを形成する例について説明した。しかしながら、本開示は、このことに限られることはない。例えば、図３に示す蒸着マスク１０の樹脂層２１に樹脂溝２１０ａ、２１０ｂを形成してもよく、他の変形例に示す蒸着マスク１０の樹脂層２１に樹脂溝２１０ａ、２１０ｂを形成してもよい。例えば、図３２に示すマスク中間層２２に、マスク層開口２２ｄは形成されていなくてもよく、マスク中間層２２が、開口領域部２２ｂ（図１８参照）を含んでいてもよい。

　上述した実施形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。

Claims

　シリコンを含むマスク基板と、
　第１面と、前記第１面とは反対側に位置するとともに前記マスク基板に対向する第２面と、を有するマスク層と、
　前記マスク層を貫通する貫通孔と、を備え、
　前記マスク基板は、基板開口を有し、
　平面視において、前記基板開口内に前記貫通孔が位置し、
　前記マスク層は、前記第１面をなすマスク本体層と、前記マスク本体層と前記マスク基板との間に位置するマスク中間層と、を有し、
　前記マスク本体層は、樹脂材料を含む、蒸着マスク。
　前記マスク中間層の厚みは、前記マスク本体層の厚みよりも小さい、請求項１に記載の蒸着マスク。
　前記マスク中間層は、金、アルミニウム、クロム、ニッケル、チタン、窒化チタン、ネオジムを含むアルミニウム合金、酸化珪素又は二酸化珪素を含み、
　前記マスク中間層は、前記マスク本体層に接するとともに、前記マスク基板に接している、請求項１又は２に記載の蒸着マスク。
　前記マスク本体層の前記樹脂材料は、ポリイミドを含む、請求項１又は２に記載の蒸着マスク。
　前記マスク基板は、前記基板開口を画定する基板本体を有し、
　前記マスク中間層は、前記マスク本体層と前記基板本体との間に位置する本体領域部と、平面視において前記基板開口に沿って形成されたマスク層開口と、を含み、
　前記貫通孔は、前記マスク本体層を貫通している、請求項１又は２に記載の蒸着マスク。
　前記マスク本体層の前記マスク基板に対向する面における前記貫通孔の所定方向の開口寸法が、前記第１面における前記貫通孔の前記所定方向の開口寸法よりも大きい、請求項５に記載の蒸着マスク。
　前記マスク基板は、前記基板開口を画定する基板本体を有し、
　前記マスク中間層は、前記マスク本体層と前記基板本体との間に位置する本体領域部と、平面視において前記基板開口内に位置する開口領域部と、を含み、
　前記貫通孔は、前記マスク本体層及び前記開口領域部を貫通している、請求項１又は２に記載の蒸着マスク。
　前記第２面における前記貫通孔の所定方向の開口寸法が、前記第１面における前記貫通孔の前記所定方向の開口寸法よりも大きい、請求項７に記載の蒸着マスク。
　前記マスク層は、２つ以上の前記貫通孔を有し、
　平面視において、前記基板開口内に、２つ以上の前記貫通孔が位置している、請求項１又は２に記載の蒸着マスク。
　前記マスク層は、２つ以上の前記貫通孔で構成された２つ以上の貫通孔群を有し、
　平面視において、前記基板開口内に２つ以上の前記貫通孔群が位置している、請求項９に記載の蒸着マスク。
　前記マスク基板は、２つ以上の前記基板開口を有し、
　前記マスク層は、２つ以上の前記貫通孔で構成された２つ以上の貫通孔群を有し、
　平面視において、各々の前記基板開口内に、２つ以上の前記貫通孔群が位置している、請求項９に記載の蒸着マスク。
　前記マスク基板は、２つ以上の前記基板開口を有し、
　前記マスク層は、２つ以上の前記貫通孔で構成された２つ以上の貫通孔群を有し、
　平面視において、各々の前記基板開口内に１つの前記貫通孔群が位置している、請求項９に記載の蒸着マスク。
　前記基板開口は、平面視で矩形状に形成され、
　平面視における前記基板開口の輪郭のうちの四隅に、湾曲部が設けられている、請求項１又は２に記載の蒸着マスク。
　前記マスク基板の前記マスク層とは反対側の面に、第１アライメントマークが設けられている、請求項１又は２に記載の蒸着マスク。
　前記マスク基板は、前記基板開口を画定する基板本体と、平面視において前記基板本体から内側に突出する内側突出部と、を有し、
　前記第１アライメントマークは、前記内側突出部に位置している、請求項１４に記載の蒸着マスク。
　前記第１アライメントマークよりも前記貫通孔に近い位置に、第２アライメントマークが設けられている、請求項１４に記載の蒸着マスク。
　前記マスク層は、２つ以上の前記貫通孔と、２つ以上の前記貫通孔で構成された２つ以上の貫通孔群と、互いに隣り合う前記貫通孔群の間に設けられたマスク桟と、を有し、
　前記第２アライメントマークは、前記マスク桟に位置している、請求項１６に記載の蒸着マスク。
　前記マスク桟は、平面視において、互いに直交する方向に延びる第１マスク桟及び第２マスク桟、を含み、
　前記第２アライメントマークは、前記第１マスク桟と前記第２マスク桟とが交差する交差部に位置している、請求項１７に記載の蒸着マスク。
　平面視において、前記マスク本体層の外縁は、前記マスク中間層の外縁よりも内側に位置している、請求項１又は２に記載の蒸着マスク。
　前記マスク本体層は、２つ以上の本体アイランドを含み、
　互いに隣り合う２つの前記本体アイランドの間に、前記マスク本体層を貫通する溝が位置している、請求項１又は２に記載の蒸着マスク。
　請求項１又は２に記載の蒸着マスクと、
　前記蒸着マスクの前記マスク基板を支持するフレームと、を備えた、フレーム付き蒸着マスク。
　シリコンを含むマスク基板を準備する基板準備工程と、
　前記マスク基板に、第１面と、前記第１面とは反対側に位置するとともに前記マスク基板に対向する第２面と、を有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、
　前記マスク基板に、基板開口を形成する基板開口形成工程と、
　前記マスク層を貫通する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、を備え、
　平面視において、前記基板開口内に前記貫通孔が位置し、
　マスク層形成工程は、前記マスク基板の前記マスク層に対向する面にマスク中間層を形成するマスク中間層形成工程と、前記マスク中間層の前記マスク基板とは反対側の面にマスク本体層を形成するマスク本体層形成工程と、を有し、
　前記マスク本体層は、樹脂材料を含む、蒸着マスクの製造方法。
　前記貫通孔形成工程において、前記貫通孔は、前記マスク層にレーザ光を照射することによって形成される、請求項２２に記載の蒸着マスクの製造方法。
　前記基板開口形成工程の後に前記貫通孔形成工程が行われ、
　前記レーザ光は、前記基板開口を通して前記マスク層に照射される、請求項２３に記載の蒸着マスクの製造方法。
　前記貫通孔形成工程において、前記レーザ光は、フォトマスクの前記貫通孔に対応するマスク孔を通して前記マスク層に照射される、請求項２３又は２４に記載の蒸着マスクの製造方法。
　前記フォトマスクは複数の前記マスク孔を有し、
　前記貫通孔形成工程において、前記レーザ光は、前記フォトマスクの複数の前記マスク孔を通して前記マスク層に照射される、請求項２５に記載の蒸着マスクの製造方法。
　前記基板開口形成工程の後に、前記マスク中間層に、平面視において前記基板開口に沿ってマスク層開口を形成するマスク層開口形成工程を備え、
　前記貫通孔形成工程において、前記貫通孔は、前記マスク本体層を貫通するように形成される、請求項２２～２４のいずれか一項に記載の蒸着マスクの製造方法。
　前記マスク本体層の前記マスク基板に対向する面における前記貫通孔の所定方向の開口寸法が、前記第１面における前記貫通孔の前記所定方向の開口寸法よりも大きい、請求項２７に記載の蒸着マスクの製造方法。
　前記マスク基板は、前記基板開口を画定する基板本体を有し、
　前記マスク中間層は、前記マスク本体層と前記基板本体との間に位置する本体領域部と、平面視において前記基板開口内に位置する開口領域部と、を含み、
　前記貫通孔形成工程において、前記貫通孔は、前記マスク本体層及び前記開口領域部を貫通するように形成される、請求項２２～２４のいずれか一項に記載の蒸着マスクの製造方法。
　前記第２面における前記貫通孔の所定方向の開口寸法が、前記第１面における前記貫通孔の前記所定方向の開口寸法よりも大きい、請求項２９に記載の蒸着マスクの製造方法。
　前記マスク本体層の前記樹脂材料は、ポリイミドを含む、請求項２２～２４のいずれか一項に記載の蒸着マスクの製造方法。
　前記基板開口形成工程において、前記マスク層の前記マスク基板とは反対側の面に、マスク保護層が設けられている、請求項２２～２４のいずれか一項に記載の蒸着マスクの製造方法。
　前記マスク層形成工程の後であって前記基板開口形成工程の前に、前記マスク層の前記マスク基板とは反対側の面に前記マスク保護層を形成するマスク保護層形成工程と、
　前記基板開口形成工程の後であって前記貫通孔形成工程の前に、前記マスク保護層を除去するマスク保護層除去工程と、を備えた、請求項３２に記載の蒸着マスクの製造方法。
　前記マスク中間層の厚みは、前記マスク本体層の厚みよりも小さい、請求項２２～２４のいずれか一項に記載の蒸着マスクの製造方法。
　前記基板開口形成工程は、前記マスク基板の前記マスク層とは反対側の面に、レジスト開口を有するレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、前記レジスト開口を通して前記マスク基板をエッチングして前記基板開口を形成する基板エッチング工程と、を有している、請求項２２～２４のいずれか一項に記載の蒸着マスクの製造方法。
　前記マスク中間層は、前記マスク基板との密着性を確保できるとともに、前記基板エッチング工程において用いられるエッチング媒体に対する耐性を有する材料を含む、請求項３５に記載の蒸着マスクの製造方法。
　前記マスク中間層は、前記マスク本体層に接するとともに、前記マスク基板に接している、請求項３６に記載の蒸着マスクの製造方法。
　前記マスク層形成工程において、前記マスク中間層は、スパッタリング処理によって形成される、請求項２２～２４のいずれか一項に記載の蒸着マスクの製造方法。
　前記マスク層形成工程において、前記マスク中間層は、蒸着処理によって形成される、請求項２２～２４のいずれか一項に記載の蒸着マスクの製造方法。
　前記マスク層は、２つ以上の前記貫通孔を有し、
　平面視において、前記基板開口内に、２つ以上の前記貫通孔が位置している、請求項２２～２４のいずれか一項に記載の蒸着マスクの製造方法。
　前記マスク層は、２つ以上の前記貫通孔で構成された２つ以上の貫通孔群を有し、
　平面視において、前記基板開口内に２つ以上の前記貫通孔群が位置している、請求項４０に記載の蒸着マスクの製造方法。
　前記マスク基板は、２つ以上の前記基板開口を有し、
　前記マスク層は、２つ以上の前記貫通孔で構成された２つ以上の貫通孔群を有し、
　平面視において、各々の前記基板開口内に、２つ以上の前記貫通孔群が位置している、請求項４０に記載の蒸着マスクの製造方法。
　前記マスク基板は、２つ以上の前記基板開口を有し、
　前記マスク層は、２つ以上の前記貫通孔で構成された２つ以上の貫通孔群を有し、
　平面視において、各々の前記基板開口内に１つの前記貫通孔群が位置している、請求項４０に記載の蒸着マスクの製造方法。
　前記基板開口は、平面視で矩形状に形成され、
　平面視における前記基板開口の輪郭のうちの四隅に、湾曲部が設けられている、請求項２２～２４のいずれか一項に記載の蒸着マスクの製造方法。
　前記マスク基板の前記マスク層とは反対側の面に、第１アライメントマークを形成する工程を備えた、請求項２２～２４のいずれか一項に記載の蒸着マスクの製造方法。
　前記マスク基板は、前記基板開口を画定する基板本体と、平面視において前記基板本体から内側に突出する内側突出部と、を有し、
　前記第１アライメントマークは、前記内側突出部に位置している、請求項４５に記載の蒸着マスクの製造方法。
　前記第１アライメントマークよりも前記貫通孔に近い位置に、第２アライメントマークを形成する工程を備えた、請求項４５に記載の蒸着マスクの製造方法。
　前記マスク層は、２つ以上の前記貫通孔と、２つ以上の前記貫通孔で構成された２つ以上の貫通孔群と、互いに隣り合う前記貫通孔群の間に設けられたマスク桟と、を有し、
　前記第２アライメントマークは、前記マスク桟に位置している、請求項４７に記載の蒸着マスクの製造方法。
　前記マスク桟は、平面視において、互いに直交する方向に延びる第１マスク桟及び第２マスク桟を含み、
　前記第２アライメントマークは、前記第１マスク桟と前記第２マスク桟とが交差する交差部に位置している、請求項４８に記載の蒸着マスクの製造方法。
　平面視において、前記マスク本体層の外縁は、前記マスク中間層の外縁よりも内側に位置している、請求項２２～２４のいずれか一項に記載の蒸着マスクの製造方法。
　前記マスク本体層は、２つ以上の本体アイランドを含み、
　互いに隣り合う２つの前記本体アイランドの間に、前記マスク本体層を貫通する溝が位置している、請求項２２～２４のいずれか一項に記載の蒸着マスクの製造方法。
　請求項２２～２４のいずれか一項に記載の蒸着マスクの製造方法によって前記蒸着マスクを準備する蒸着マスク準備工程と、
　前記蒸着マスクの前記マスク層のうち前記第１面を蒸着基板に密着させる密着工程と、
　前記蒸着マスクの前記貫通孔を通して蒸着材料を前記蒸着基板に蒸着させて蒸着層を形成する蒸着工程と、を備えた有機デバイスの製造方法。
　請求項２２～２４のいずれか一項に記載の蒸着マスクの製造方法によって前記蒸着マスクを準備する蒸着マスク準備工程と、
　前記蒸着マスクの前記マスク基板にフレームを取り付けるフレーム取付工程と、を備えた、フレーム付き蒸着マスクの製造方法。