TWI728078B - 超純水製造系統 - Google Patents

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Abstract

本發明係提供一種除去水中之粒徑20nm以下，特別是10nm以下之微粒子，可以高效率且高水量製造超純水之超純水製造系統。本發明之超純水製造系統係具備預備處理裝置、及處理該預備處理裝置之處理水的全量過濾裝置。該預備處理裝置係以其處理水中之微粒子數成為800~1200個/mL(粒徑20nm以上)之方式進行處理。全量過濾裝置係具備如下者作為過濾膜：精密過濾膜，其係在膜表面之孔徑0.05~1μm的範圍之細孔的開口率為50~90%，膜厚為0.1~1mm；或，超微過濾膜，其係在膜表面之孔徑0.005~0.05μm的範圍之細孔數為1E13~1E15個/m2，膜厚為0.1~1mm，且滲透流束為10m3/m2/d之時，膜間差壓為0.02~0.10MPa。

Description

超純水製造系統
本發明係有關具備除去水中之微粒子的過濾裝置之超純水製造系統。詳而言之，本發明係有關一種超純水製造系統，其係在使用點(use point)前之次系統或給水系路中，可高度地除去粒徑20nm以下，特別是10nm以下之極微小的微粒子，且可以全量過濾方式進行膜滲透而有效率地製造超純水。
在半導體製造製程等中所使用之超純水的製造/供給系統，一般為圖1所示之構成。該系統係在次系統3之末端具有微粒子除去用之交叉流動型之超微過濾膜(UF膜)裝置17。該系統係以水回收率90~99%運轉，除去奈米大小之微粒子。半導體/電子材料洗淨用之洗淨機前，就使用點精煉機而言，有時設置有微次系統，且在最後段設置有微粒子除去用之UF膜裝置。有時在使用點之洗淨機內的噴嘴前方設置有微粒子除去用之UF膜，高度地除去更小之尺寸的微粒子。
隨半導體製造製程之發展，水中之微粒子管理逐漸變嚴苛起來。國際半導體技術發展藍圖(ITRS： International Technology Roadmap for Semiconductors)中，在2019年係要求為粒徑>11.9nm之保證值<1000個/L。
下述之專利文獻在超純水製造裝置中，揭示用以將水中之微粒子等雜質高度除去而提高純度之技術。
在專利文獻1中，係記載在次系統中，以水回收率為97%~99.9%之範圍以超微過濾膜進行加壓過濾。但，卻記載著若設為水回收率100%之全量過濾，在液中所含之微粒子會逐漸堆積於膜面，招致經時性之滲透液量的降低，難以100%之運轉。
在專利文獻2中記載著在次系統中藉由電性式去離子裝置除去生菌或微粒子。但，為了使電性式去離子裝置連續地運轉，必須所除去之物質通過裝置內之離子交換膜。因微粒子無法通過離子交換膜，故在電性式去離子裝置無法具有除去微粒子之機能。
在專利文獻3中記載著：在構成超純水供給裝置之前處理裝置、一次純水裝置、二次純水裝置(次系統)或回收裝置之任一者設有膜分離手段，在其後段配置施予了胺溶出之降低處理的逆滲透膜。亦可藉逆滲透膜除去微粒子，但從以下之情事，設有逆滲透膜係不佳。亦即，為了使逆滲透膜運轉必須昇壓，而滲透水量亦以0.75MPa之壓力少至1m3/m2/日左右。然而，在使用UF膜之現行系統中，係有以0.1MPa之壓力有7m3/m2/日之50倍以上之水量，為了以逆滲透膜供給可與UF膜匹敵之水量，必須有 龐大之膜面積。藉由驅動昇壓泵，會產生新的微粒子及金屬類。
在專利文獻4中記載著：在超純水管路之UF膜的後段配置具有陰離子官能基之機能性材料或逆滲透膜。該具有陰離子官能基之機能性材料或逆滲透膜係以胺類之降低為目的，不適於除去在本發明設為除去對象之粒徑10nm以下之微粒子。配置逆滲透膜係與上述專利文獻3中同樣地為不佳。
專利文獻5係記載在次系統中於最終段之UF膜裝置之前設有逆滲透膜裝置。於專利文獻5係有與上述專利文獻3同樣之問題。
於專利文獻6中，記載著：在使用於超純水製造管路之膜模組中內藏預過濾器而除去粒子。專利文獻6係以除去粒徑0.01mm以上之粒子為目的。專利文獻6係無法進行除去在本發明設為除去對象之粒徑10nm以下之微粒子。
於專利文獻7中記載著：將電性去離子裝置之處理水以具有未以離子交換基修飾之過濾膜的UF膜過濾裝置過濾處理之後，再以具有以離子交換基修飾過之MF膜的膜過濾裝置進行處理。離子交換基係僅例示如磺酸基或亞胺基二乙酸基等之陽離子交換基。離子交換基之定義係雖亦包含陰離子交換基，但並無有關其種類別或除去對象之記載。
在專利文獻8中係記載著：在次系統中之UF膜 裝置的後段配置陰離子吸附膜裝置。專利文獻8係揭示以除去對象為二氧化矽之實驗結果。專利文獻8係無有關陰離子交換基之種類及微粒子之大小的記載。除去離子狀二氧化矽時，一般已知必須有強陰離子交換基(Diaion 1離子交換樹脂/合成吸附劑手冊、三菱化學股份有限公司、p15)，故即使專利文獻7，亦認為要使用具有強陰離子交換基之膜。
專利文獻9，10係揭示以各種之官能基改質之多酮膜。該膜係電容器或電池等之分離膜用膜。在專利文獻10中亦記載作為水處理用過濾器濾材之用途。然而，在此等之改質多酮膜之中，特別是經弱陽離子性官能基改質之多酮膜，在超純水製造/供給系統中，並無對粒徑10nm以下之極微小微粒子的除去為有效之暗示。
在專利文獻11中係記載：含有選自由1級胺基、2級胺基、3級胺基、及4級銨鹽所構成之群的1個以上之官能基，且陰離子交換容量為0.01~10毫當量/g之多酮多孔膜。該多酮多孔膜係在半導體/電子零件製造、生醫藥品領域、化學品領域、食品工業領域之製造製程中，可有效率地除去微粒子、凝膠、病毒等之雜質。專利文獻11係暗示可除去10nm微粒子或未達多孔膜之孔徑的陰離子粒子。
但，專利文獻11並未揭示將該多酮多孔膜應用於超純水製造製程。在專利文獻11中，作為導入於多酮多孔膜之官能基、強陽離子性之4級銨鹽亦可與弱陽離子 性之胺基同樣地採用。專利文獻11中係未揭示官能基之種類(陽離子強度)對超純水製造所造成之影響。
除去上述微粒子之膜的細孔徑係大於微粒子。可認為微粒子並非被細孔阻止，而是藉由表面之電荷，吸附於膜表面而被除去。
[專利文獻1]日本特開昭59-127611號公報
[專利文獻2]日本特許第3429808號公報
[專利文獻3]日本特許第3906684號公報
[專利文獻4]日本特許第4508469號公報
[專利文獻5]日本特開平5-138167號公報
[專利文獻6]日本特許第3059238號公報
[專利文獻7]日本特開2004-283710號公報
[專利文獻8]日本特開平10-216721號公報
[專利文獻9]日本特開2009-286820號公報
[專利文獻10]日本特開2013-76024號公報
[專利文獻11]日本特開2014-173013號公報
如上述，以往之超純水製造系統係無法高度地除去水中之粒徑20nm以下，特別是10nm以下之極微小的微粒子。亦未進行水回收率100%之全量過濾方式的運轉。因此，無法獲得充分之純度的超純。謀求次系統之高機能化的結果，初始成本會增大。將原本捨棄不需要的混床式離子交換裝置之處理水進行一部分排水，營運成本亦會增加。
本發明之目的在於提供一種超純水製造系統，其係在超純水使用點前之次系統等，除去水中之粒徑20nm以下，尤其10nm以下之微粒子，能夠以高效率且高水量製造超純水。
本發明之超純水製造系統，具備：預備處理裝置、及處理該預備處理裝置之處理水的全量過濾裝置之超純水製造系統，其特徵為：該預備處理裝置係以其處理水中之微粒子數從設置於主配管之取樣栓，朝可以檢測感度5%測定粒徑20nm之微粒子，且可以測定誤差±20%計測之Particle Measuring Systems公司製的線上粒子監視器Ultra-DI20進行送液，並以60min移動平均法所得之計測數為800~1200個/mL(粒徑20nm以上)之方式進行處理者，前述全量過濾裝置係具備如下者作為過濾膜：在膜表面之孔徑0.05~1μm的範圍之細孔開口率為50~90%，膜厚為0.1~1mm之精密過濾膜，或，在膜表面之孔徑0.005~0.05μm的範圍之細孔數為1E13~1E15個/m2，膜厚為0.1~1mm，且滲透流束為10m3/m2/d之時，膜間差壓為0.02~0.10MPa之超微過濾膜。
上述孔徑可藉由細孔徑分布測定器(Perm Porometer)進行測定，為相當於成為最大通氣量的50%之壓力的孔徑。
本發明之一態樣中，前述全量過濾裝置係膜 面積為10~50m2，每1個膜模組之通水流量為10~50m3/h。
本發明之一態樣中，前述全量過濾裝置為外壓型中空絲膜模組。
本發明之一態樣中，前述過濾膜具有陽離子性官能基。
本發明之一態樣中，弱陽離子性官能基佔有之比率為膜全體之50%以上。
本發明之一態樣中，陽離子性官能基載持量係每1g膜為0.01~1毫當量/g。
本發明之一態樣中，預備處理裝置為從上游側起依序具備送水泵及混床式離子交換裝置，前述全量過濾裝置係處理該混床式離子交換裝置之處理水。
本發明之一態樣中，預備處理裝置在送水泵之上游側，從上游側起依序進一步具備UV氧化裝置及觸媒式氧化性物質分解裝置。
本發明人發現對於給水中之微粒子數具有適當之微粒子捕捉能力之膜，係不會招致因膜之孔堵塞所致之滲透水量的降低，以高效率且穩定地生產未洗淨、未交換直接以水回收率100%之全量過濾方式高度地除去粒徑20nm以下，特別是10nm以下之極微小的微粒子之超純水。本發明人發現藉由使在次系統中之單元配置為最適化，可控制膜供給水中之微粒子數。本發明人發現可藉由 使用具有3級胺基作為陽離子性官能基、進而弱陽離子性官能基之精密過濾膜(MF膜)或UF膜，控制來自過濾膜之髒污產生，更長期間穩定地提供超純水。
本發明係依據如此之見解而達成者。
若依據本發明之超純水製造系統，可高度地除去水中之粒徑20nm以下，特別是10nm以下之極微小的微粒子，且以高水量提供超純水。本發明之超純水製造系統係以無膜交換，無膜洗淨而可3年以上穩定進行運轉。
本發明之超純水製造系統特別適宜作為超純水製造/供給系統中之使用點前的次系統及給水系路。
1‧‧‧前處理系統
2‧‧‧一次純水系統
3‧‧‧次系統
4‧‧‧使用點
11‧‧‧次槽
12‧‧‧熱交換器
13‧‧‧UV氧化裝置
15‧‧‧除氣裝置
16‧‧‧混床式離子交換裝置
17‧‧‧膜裝置
P1、P2‧‧‧泵
[圖1]本發明之實施形態之超純水製造系統的流程圖。
[圖2]本發明之實施形態之超純水製造系統的流程圖。
[圖3]比較例之超純水製造系統的流程圖。
本發明之超純水製造系統較佳係至少依序具備送水泵、混床式離子交換裝置、微粒子除去膜裝置。在該超純水製造系統中，源自送水泵之微粒子不會直接成為過濾膜之負荷，故可穩定地進行全量過濾運轉。
混床式離子交換樹脂較佳係平均粒徑具有500~750μm之均勻粒徑。混床式離子交換裝置中之強陽離子性離子交換樹脂、強陰離子性離子交換樹脂的混合比率以1：1~1：8為佳。混床式離子交換裝置係以SV50~120/h運轉時，處理水中所含之粒徑20nm以上的微粒子數係以800~1200個/mL為適宜。
於送水泵之前段配置觸媒式氧化性物質分解裝置，進一步於其前段配置UV氧化裝置為更佳。在UV氧化裝置中，進行分解TOC成分之時，產生過氧化氫作為副生成物，所產生之過氧化氫係與混床式離子交換裝置之離子交換樹脂反應，使離子交換樹脂劣化，產生微粒子之發生(髒污產生)。如此方式產生之微粒子會引起膜表面之細孔的孔堵塞，有可能無法獲得滲透水量。因此，較佳係以UV氧化裝置、觸媒式氧化性物質分解裝置、混床式離子交換裝置、微粒子除去膜裝置之順序配置，且送水泵較混床式離子交換裝置配置於更前段。
於圖2表示本發明之超純水製造系統的流程之一例。
圖2之超純水製造系統係由前處理系統1、一次純水系統2及次系統3所構成。
在由凝集、加壓浮上(沉澱)、過濾裝置等所構成之前處理系統1中，係進行除去原水中之懸浮物質及膠體物質。在具備逆滲透(RO)膜分離裝置、除氣裝置及離子交換裝置(混床式、2床3塔式或4床5塔式)等之一次純水系 統2中，係進行除去原水中之離子及有機成分。在RO膜分離裝置中，在除去鹽類之外，係除去離子性、中性、膠體性之TOC。在離子交換裝置中，在除去鹽類之外，係藉由離子交換樹脂除去被吸附或離子交換之TOC成分。在除氣裝置(氮除氣或真空除氣)中係進行除去溶存氧。
將如此方式所得之一次純水(通常之情形，係TOC濃度2ppb以下之純水)以次系統3進行處理而製造超純水。在圖2中，係將一次純水對次槽(subtank)11、泵P1、熱交換器12、UV氧化裝置13、觸媒式氧化性物質分解裝置14、除氣裝置15、泵P2、混床式離子交換裝置16、及全量過濾式之微粒子除去膜裝置17依序通水，將所得之超純水送至使用點4。次槽11~混床式離子交換裝置16係構成預備處理裝置。
UV氧化裝置13通常係照射於超純水製造裝置所使用之具有185nm附近的波長的UV之UV氧化裝置，例如係使用利用低壓水銀燈之UV氧化裝置。以UV氧化裝置13，一次純水中之TOC被分解成有機酸，進一步分解為CO2。在UV氧化裝置13中，係藉由照射過量之UV，從水中產生H2O2。
UV氧化裝置之處理水係繼而被通入於觸媒式氧化性物質分解裝置14。觸媒式氧化性物質分解裝置14之氧化性物質分解觸媒係已知適合使用作為氧化還原觸媒之貴金屬觸媒、例如金屬鈀、氧化鈀、氫氧化鈀等之鈀(Pd)化合物或鉑(Pt)，其中尤可適合使用還原作用強的鈀觸 媒。
藉由該觸媒式氧化性物質分解裝置14，藉由觸媒可有效率地分解除去在UV氧化裝置13所產生之H2O2、其他之氧化性物質。藉由H2O2之分解，雖生成水，但如陰離子交換樹脂或活性碳般，幾乎不生成氧，不會成為DO增加之原因。
觸媒式氧化性物質分解裝置14之處理水係繼而被通入於除氣裝置15。除氣裝置15可使用真空除氣裝置、氮除氣裝置或膜式除氣裝置。藉由除氣裝置15，可有效率地除去水中之DO及CO2。
除氣裝置15之處理水係繼而經由泵P2而被通入於混床式離子交換裝置16。混床式離子交換裝置16係使用將陰離子交換樹脂及陽離子交換樹脂依照離子負荷而混合充填之非再生型混床式離子交換裝置。藉由該混床式離子交換裝置16，可除去水中之陽離子及陰離子，提高水之純度。
混床式離子交換裝置16之處理水係繼而被通入於全量過濾式之微粒子除去膜裝置17。以該微粒子除去膜裝置17除去水中之微粒子，例如來自混床式離子交換裝置16之離子交換樹脂的流出微粒子等。
本發明之超純水製造系統的構成不被圖2進行任何限定，例如亦可不設置混床式離子交換裝置前段之泵P2(圖1)。亦可省略觸媒式氧化性物質分解裝置14(圖1)。亦可將泵P2配置於混床式離子交換裝置16與微粒子除去膜 裝置17之間(圖3)。但，藉由將混床式離子交換裝置16配置於泵P2之後段，來自泵P2之髒污產生會被混床式離子交換裝置16除去，故較佳。亦可省略觸媒式氧化性物質分解裝置14與除氣裝置15，將來自UV氧化裝置13之UV照射處理水直接導入於混床式離子交換裝置16。亦可設置陰離子交換塔取代觸媒式氧化性物質分解裝置14。
混床式離子交換裝置16之後，亦可設置RO膜分離裝置。亦可將原水在pH4.5以下之酸性下、且氧化劑存在下進行加熱分解處理而分解原水中之尿素及其他之TOC成分後，組入去離子處理之裝置。UV氧化裝置或混床式離子交換裝置、除氣裝置等亦可設置成多段。前處理系統1或一次純水系統2，亦不被前述者任何限定，可採用其他各種之裝置的組合。
<預備處理裝置>
在圖1~3中，係藉由較微粒子除去膜裝置17設置於更前段側之各機器，而構成預備處理裝置。預備處理裝置較佳係膜供給水中之微粒子數從設置於主配管之取樣栓，朝可以檢測感度5%測定粒徑20nm之微粒子，且可以測定誤差±20%進行計測之Particle Measuring Systems公司製的線上粒子監視器Ultra-DI20進行送液，並以60min移動平均法所得之計測數為800~1200個/mL(粒徑20nm以上)之方式進行處理。膜給水中之微粒子數被特定後之膜裝置係不會使前述膜孔堵塞，且可以全量過濾方式穩定地運用，並可 高純度且高效率地生產超純水。
膜表面之孔徑、膜表面之開口率、膜厚，係有關微粒子之捕捉性能。
<微粒子除去膜裝置>
以下，詳細說明有關在本發明之超純水製造系統所使用之全量過濾方式的微粒子除去膜裝置。
<膜材>
使用於微粒子除去膜裝置之過濾膜係如下之精密過濾膜或超微過濾膜。
該精密過濾膜係平均孔徑為1μm以下，特別是孔徑為0.05~1μm，更特別是0.05~0.5μm之範圍的細孔所致之膜表面的開口率為50~90%。該精密過濾膜為膜厚0.1~1mm。
該超微過濾膜係在膜表面之0.005~0.05μm的範圍之細孔數為1013~1015(1E13~1E15)個/m2，且膜厚0.1~1mm。該超微過濾膜係滲透流束為10m3/m2/d之時，膜間差壓為0.02~0.10MPa。
上述過濾膜係即使在相同之公稱孔徑且相同之製造批號，若以掃描型電子顯微鏡確認，在細孔數仍有參差不齊。然而，具有在上述範圍之過濾膜的微粒子除去膜裝置，係長期間無孔堵塞且可穩定運轉。以此以外之條件使用之時，有可能容易發生膜之孔堵塞，或處理水中之微粒子數不會抑制在期待之範圍。
各過濾膜之細孔數係藉由以掃描型電子顯微鏡之直接顯鏡法而計測出者。具體而言，將中空絲膜朝長度方向分割成5份後，對於各分割之部分使用掃描型電子顯微鏡(SEM)取得觀察100個視野時之平均值為較佳。視野數係比100個視野愈多愈佳，為了更達正確，故採取100~10000左右之視野數的平均為較佳。
藉由將前述之全量過濾膜所使用的細孔數及膜厚、及處理水中之微粒子數之關係最佳化，可穩定的全量過濾運轉。
亦可使用陽離子性過濾膜作為過濾膜。對於此陽離子性過濾膜詳述於後。
<膜模組>
上述之過濾膜係被收容於外殼內而為膜模組。膜之形狀較佳係在有限之外殼容積中可有效率地獲得表面積之中空絲型，但亦可為摺疊形狀或平膜。
中空絲膜在紡絲步驟中，中空絲之外側經常曝露於大氣，故易被污染。從此情事，以外壓通水方式為較佳，但藉由預先洗淨中空絲外側，亦可適用作為內壓式。過濾膜之材料一般為聚碸、聚酯、PVDF等，無特別限定。但，精密過濾膜係微粒子容易在處理水側洩漏，故藉由使用後述之具有陽離子性官能基之精密過濾膜，可發揮與超微過濾膜同等之性能。
<膜面積>
每1個模組之膜面積以設為10~50m2為佳，但應採取對配置之工廠整體可最抑制設置面積及成本之形狀，決不受此限定。
<膜間差壓>
每1個模組之膜間差壓係使滲透流束(Flux)設為10m3/m2/d時，以設為0.02~0.10MPa為佳，但依存於適用之工廠的泵揚程，故不被此限定。
<滲透水量>
每1個模組之通水流量(滲透水量)以設為10~50m3/h為佳，但與膜面積同樣地，應設為可抑制設置面積及成本之形狀，決不受此限定。通水流量係依據膜交換頻率及設為目標之處理水水質而異，故不受此限定。
<全量過濾運轉>
在本發明，微粒子除去膜裝置通常在運轉狀態，係以全量過濾方式通水。所謂全量過濾係表示採水時以水回收率100%之條件進行運轉，且不進行對濃縮管路之通水。裝置裝設完成試運轉期間或維護時不在此限。試運轉期間或維護後之裝設完成初期必須進行脫除空氣，故脫除空氣用之排氣口預先設於膜模組之外殼為佳。採水中不小心地混入氣泡時，必須除去氣泡，故進行極微量之排水之案例 亦被想定。所謂極微量係意指調整使水回收率成為99.9%~100%之排水。因此，水回收率為99.9%，且進行0.1%左右之排水時，亦包含於本發明。
<陽離子性過濾膜>
以全量過濾方式獲得滲透水之微粒子除去膜，亦可使用具有陽離子性官能基者。其中，具有弱陽離子性官能基者係可抑制胺溶出，為有效。
有關陽離子性過濾膜之材質無特別限制，可使用多酮膜、纖維素混合酯膜、聚乙烯膜、聚碸膜、聚醚碸膜、聚偏二氟乙烯膜、聚四氟乙烯膜等。由表面開口比大，且即使低壓亦可期待高通量的觀點，如後述，可使弱陽離子性官能基藉化學修飾容易地導入於MF膜或UF膜，故以多酮膜為佳。
多酮膜係含有10~100質量%之一氧化碳與1種以上之烯烴之共聚物之多酮的多酮多孔膜，可藉由公知之方法(例如日本特開2013-76024號公報、國際公開2013-035747號公報)製作。
具有荷電性官能基之MF膜或UF膜係以電性之吸附能力來捕捉除去水中之微粒子。MF膜或UF膜之孔徑可大於除去對象微粒子。若孔徑過大，微粒子除去效率差，反之，若太小，膜過濾時之壓力亦會變高。因此，MF膜之孔徑較佳係0.05~0.2μm左右，UF膜之孔徑較佳係0.005~0.05μm左右。
荷電性官能基亦可為藉由直接化學修飾導入於構成MF膜或UF膜之多酮膜等者。荷電性官能基係可藉由具有荷電性官能基之化合物或離子交換樹脂等被載持於MF膜或UF膜而賦予至MF膜或UF膜。
具有荷電性官能基之MF膜或UF膜的多孔性膜之製造方法，可舉例如以下之方法，但不受以下之方法任何限定。以下之方法可組合2種以上而進行。
(1)藉由化學修飾直接於多孔性膜導入荷電性官能基。
例如，於多酮膜賦予弱陽離子性胺基之化學修飾方法，可舉例如與1級胺之化學反應等。若如乙二胺、1,3-丙二胺、1,4-丁二胺、1,2-環己二胺、N-甲基乙二胺、N-甲基丙二胺、N,N-二甲基乙二胺、N,N-二甲基丙二胺、N-乙醯基乙二胺、異佛酮二胺、N,N-二甲基胺基-1,3-丙二胺等般，為含有1級胺之二胺、三胺、四胺、聚乙亞胺等之多官能化胺，可賦予許多之活性點，故較佳。特別是使用N,N-二甲基乙二胺、N,N-二甲基丙二胺、N,N-二甲基胺基-1,3-丙二胺或聚乙亞胺時，可導入3級胺，故更佳。
Figure 106110001-A0202-12-0017-1
(2)使用2片多孔性膜，在此等之膜之間將離子交換樹脂(例如具有弱陽離子性官能基之樹脂)依需要而敲碎並挾入。
(3)於多孔性膜內填充離子交換樹脂之微粒子。例如，在多孔性膜之製膜溶液添加離子交換樹脂，製造含有離子交換樹脂粒子之膜。
(4)藉由將多孔性膜浸漬於荷電性化合物或高分子電解質溶液，或，將荷電性化合物或高分子電解質溶液通入於多孔性膜，來附著或塗佈荷電性化合物或高分子電解質。3級胺等之含有弱陽離子性官能基的化合物、高分子電解質可舉例如N,N-二甲基乙二胺、N,N-二甲基丙二胺、N,N-二甲基胺基-1,3-丙二胺、聚乙亞胺、含胺基之聚(甲基)丙烯酸酯、含胺基之聚(甲基)丙烯醯胺等。
(5)於聚乙烯製多孔性膜等之多孔性膜以接枝聚合法導入荷電性官能基。
(6)調製具有荷電性之官能基的聚合物或含有高分子電解質之聚合物溶液，以相分離法或電解紡絲法製膜，藉此，獲得具有荷電性官能基之多孔性膜。
具有荷電性官能基之MF膜或UF膜的官能基量無特別限制，但較佳為微粒子除去性能之提升比率成為10~10000之量。
具有弱陽離子性官能基之MF膜或UF膜係以弱陽離子性官能基所致之吸附作用，可高度地除去粒徑20nm以下特別是10nm以下之微粒子。具有弱陽離子性官 能基之MF膜或UF膜幾乎無因弱陽離子性官能基之脫落所致之TOC的溶出問題。因此，具有弱陽離子性官能基之MF膜或UF膜適宜作為在超純水製造/供給系統中之微粒子除去裝置。MF膜或UF膜係可藉具有陽離子性官能基抑制來自過濾器本身之髒污產生。較佳為修飾單體之陽離子性官能基而成之過濾器，特別佳為修飾聚合物之陽離子性官能基而成之過濾器。
〔實施例〕
以下舉出實施例及比較例而更具體說明本發明。
〔實施例1〕
在圖1所示之系統中，作為微粒子除去膜裝置之給水，係使用藉由通入於混床式離子交換裝置，降低微粒子數，以Particle Measuring Systems公司之線上粒子監視器Ultra-DI20、60min移動平均法計測時，粒徑20nm以上之微粒子數為1000個±20%/mL者。將該給水以16.6L/min進行通水，處理。水回收率為100%，以全量過濾方式獲得膜滲透水。
微粒子除去膜裝置17就過濾膜而言，係使用外壓型中空絲膜、材質：聚碸材質、平均孔徑20nm、膜表面之細孔數：平均6.0×1014(6.0E14)個/m2、膜厚0.15mm之超微過濾膜(UF膜)。膜模組係使用1個。膜模組之膜面積為 30m2。
平均孔徑、開口率、及細孔數係使用掃描型電子顯微鏡，在倍率50K之條件下將中空絲朝長度方向分割成5份，進一步將分割成之各部分各觀察100個視野而算出平均值。該測定結果表示於表1中。
計測微粒子除去膜裝置17入口、微粒子除去膜裝置17出口之微粒子數。線上粒子監視器係使用Particle Measuring Systems公司之Ultra-DI20，計測粒徑20nm以上之微粒子數。10nm以上之微粒子數係以計測誤差±30%之離心過濾-SEM法，使用之微粒子測定器而測定求出。結果表示於表2。
〔實施例2〕
在實施例1中，使用中空絲之膜表面的細孔數為平均1.3E13個/m2之過濾膜作為微粒子除去膜。其以外之條件係與實施例1相同。結果表示於表2中。
〔實施例3〕
在實施例1中，使用中空絲之膜表面的細孔數為平均6.4E13個/m2之過濾膜作為微粒子除去膜。其以外之條件係與實施例1相同。結果表示於表2中。
〔實施例4〕
使用圖2所示之系統，以與實施例1同樣之條件處理原 水。計測微粒子除去膜裝置17入口、微粒子除去膜裝置17出口之微粒子數。結果表示於表2中。
又，UV氧化裝置13之後段的觸媒式氧化性物分解裝置14係使用栗田工業股份有限公司製鉑載持觸媒材之Nanosaver。
〔比較例1〕
在實施例1中，使用中空絲之膜表面的細孔數為平均1E12個/m2之UF膜作為微粒子除去膜。其以外之條件係與實施例1相同。結果表示於表2中。
〔比較例2〕
在實施例1中，於微粒子除去膜裝置17設置濃縮管路，使水回收率以90%運轉，計測微粒子除去膜裝置17入口、微粒子除去膜裝置17出口之微粒子數。其以外之條件係與實施例1相同。結果表示於表2中。
〔比較例3〕
在圖3所示之系統中，計測微粒子除去膜裝置17入口、微粒子除去膜裝置17出口之微粒子數。其以外之條件係與實施例1相同。結果表示於表2中。
Figure 106110001-A0202-12-0022-2
Figure 106110001-A0202-12-0022-3
〔考察〕
以線上粒子監視器、離心過濾-SEM法之微粒子數計測結果及膜間差壓之計測結果如表2。
比較例1係過濾出口之微粒子數為與實施例1~3略同等，微粒子數無問題，但可看到後述之膜間差壓的上昇，故不適宜，可知膜表面之細孔數係適宜為1E13~1E15個 /m2。
在實施例1~3與比較例2之結果中，可知因微粒子除去膜出口之微粒子數為相等，故不需要擔心進行全量過濾所致之水質惡化。
從實施例1~3與比較例3之結果，可知過濾膜之入口濃度(微粒子數)會影響過濾膜出口之水質。過濾膜入口微粒子數係使用20nm線上粒子計數器而計測，設為60min.平均值時，以1000個/mL以下(粒徑20nm以上)為較佳。
從實施例1~3與實施例4之結果，可知藉由於UV氧化裝置之後段配置觸媒式氧化性物分解裝置，從UV氧化裝置所生成之過氧化氫在觸媒式氧化性物分解裝置有效地被分解，在後段之混床式離子交換裝置中會抑制離子交換樹脂氧化劣化而產生微粒子髒污，減輕過濾膜之負荷，降低過濾膜處理水中之微粒子數。
〔試驗I(含有二氧化矽奈米粒子之水的過濾試驗)〕
以在上述實施例1~4、及比較例1~3使用之微粒子除去膜裝置過濾含有二氧化矽奈米粒子之水，進行計測差壓上昇之實驗。
在實施例1~4及比較例1~3中，於微粒子除去膜裝置附近設置用以注入藥液之供給口，使用唧筒泵注入粒徑20nm之二氧化矽奈米粒子(Sigma Aldrich公司製「Ludox TMA」)0.02mg/L，獲得以微粒子數計相當於5年份以上之濃度負荷。計測其時之膜間差壓。膜間差壓係使 用長野計器(股)之數位壓力計GC64而計測。
從膜間差壓之測定結果，進行預測經過3年後之膜間差壓的演算，將結果表示於表3中。從表3可知比較例1、比較例3之條件中膜間差壓會上昇。又，該預測演算如下進行。
〔膜面差壓預測演算〕
對於膜表面之平均細孔孔徑為20nm、膜厚為150μm、膜面積30m2/模組之超微過濾膜，以10m3/h滲透含有粒徑20nm之微粒子1000個/mL之超微過濾膜給水3年時，假設微粒子在膜表面之細孔均勻地附著而堵塞，算出膜表面之細孔占有率的變化。此時，使用哈根-泊肅葉(Haggen-Poisuille's)定律式，從滲透各細孔之流速、細孔徑、黏度來預測因微粒子所致之膜間差壓的變化。
膜表面之細孔占有率計算式(式1)
R=(QTCp/N)×100…(式1)
R：膜表面之細孔占有率〔%〕
Q：滲透流量〔m3/h〕
T：滲透時間〔h〕
Cp：微粒子濃度〔個/m3〕
N：模組全體之細孔面積〔m2〕
哈根-泊肅葉(Haggen-Poisuille's)定律之近似式(式2)
△P=32μLu/D2…(式2)
△P：膜間差壓〔Pa〕
μ：黏度〔Pa‧s〕
L：膜厚〔m〕
u：細孔滲透流速〔m/sec〕
D：細孔徑〔m〕
Figure 106110001-A0202-12-0025-4
〔試驗II(含有金膠體之水的過濾試驗)〕
以具備下述膜A，B或C之微粒子除去膜裝置(膜以外之構造係與實施例1之微粒子除去膜裝置相同)過濾含有金膠體之水。
膜A：孔徑0.1μm之多酮膜
膜B：將以公知之方法(日本特開2013-76024號公報、國際公開2013-035747號公報)所得之多酮膜浸漬於含有少量酸之N,N-二甲基胺基-1,3-丙胺水溶液而加熱之後，以水、甲醇洗淨，進一步使其乾燥，藉此，導入二甲基胺基之孔徑0.1μm的多酮膜
膜C：在實施例1使用之超微過濾膜
於微粒子除去膜裝置將粒徑50nm之金膠體(BBInternational公司製「EMGC50(平均粒徑50nm、CV值<8%)」)以0.5L/min通水，測定所得之滲透液的金膠體濃度，求出除去率。將結果表示於表4中。
〔試驗III(含有微細金膠體之水的過濾試驗)〕
在試驗II中，除將粒徑10nm之金膠體(BBInternational公司製「EMGC10(平均粒徑10nm、CV值<10%)」)通水以外，其餘係同樣方式而進行試驗。測定所得之滲透液的金膠體濃度，求出除去率。結果表示於表4中。金膠體濃度係藉由ICP-MS測定。
〔試驗IV(來自膜A~C之髒污產生量的測定)〕
於具備新品之膜A、B或C之微粒子除去膜裝置(構造與實施例1相同)之滲透水取出配管上連接分支配管，於該分支配管設置Particle Measuring Systems公司製之線上粒子監視器Ultra-DI20。於微粒子除去膜裝置以Flux為10m3/m2/日之方式通入超純水，測定來自膜本身之粒徑20nm以上的微粒子之髒污產生量，算出60分平均值。將結果表示於表4中。
Figure 106110001-A0202-12-0027-5
〔考察〕
如表4，膜B(二甲基胺基修飾多酮膜)，即使粒徑為10nm之金膠體，亦顯示99.99%之除去率，可知具有弱陰離子性官能基之膜在微粒子之除去上為有效。若比較來自試驗膜本身之髒污產生量，可知二甲基胺基修飾多酮膜為髒污產生最少。從此結果，藉由對多酮膜賦予二甲基胺基等之弱陰離子性官能基，微粒子之除去性能會提升，進一步，亦抑制來自膜本身之髒污產生，可獲得與未修飾之超微過濾膜同等以上之水質。陽離子性官能基修飾所致之效果當然亦可期待對於超微過濾膜處置之情形。
使用特定之態樣詳細說明了本發明，但不超出本發明之意旨與範圍，可做各種變更係發明所屬技術者很明確可知的。
本申請案係依據2016年3月25日所申請之日本專利申請案2016-062177，藉引用而援用其全部。
1‧‧‧前處理系統
2‧‧‧一次純水系統
3‧‧‧次系統
4‧‧‧使用點
11‧‧‧次槽
12‧‧‧熱交換器
13‧‧‧UV氧化裝置
14‧‧‧氧化性物質分解裝置
15‧‧‧除氣裝置
16‧‧‧混床式離子交換裝置
17‧‧‧膜裝置
P1、P2‧‧‧泵

Claims (7)

  1. 一種超純水製造系統，其係具備：預備處理裝置、及處理該預備處理裝置之處理水的全量過濾裝置的超純水製造系統，其特徵為：該預備處理裝置，從上游側起依序具備送水泵及混床式離子交換裝置，該全量過濾裝置為處理該混床式離子交換裝置之處理水者，該預備處理裝置係以其處理水中之微粒子數從設置於主配管之取樣栓，朝可以檢測感度5%測定粒徑20nm之微粒子，且可以測定誤差±20%計測之Particle Measuring Systems公司製的線上粒子監視器Ultra-DI20進行送液，並以60min移動平均法所得之計測數為800~1200個/mL(粒徑20nm以上)之方式進行處理者，前述全量過濾裝置係具備如下者作為過濾膜：在膜表面之孔徑0.05~1μm的範圍之細孔的開口率為50~90%，膜厚為0.1~1mm之精密過濾膜，或，在膜表面之孔徑0.005~0.05μm的範圍之細孔數為1E13~1E15個/m2，膜厚為0.1~1mm，且滲透流束為10m3/m2/d之時，膜間差壓為0.02~0.10MPa之超微過濾膜。
  2. 如申請專利範圍第1項之超純水製造系統，其中，前述全量過濾裝置係膜面積為10~50m2，且每1個膜模組之通水流量為10~50m3/h。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之超純水製造系統，其中，前述全量過濾裝置為外壓型中空絲膜模組。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之超純水製造系統，其中，前述過濾膜具有陽離子性官能基。
  5. 如申請專利範圍第4項之超純水製造系統，其中，在全部的陽離子性官能基數中，1級胺基、2級胺基及3級胺基的合計數佔有之比率為膜全體之50%以上。
  6. 如申請專利範圍第4項之超純水製造系統，其中，陽離子性官能基載持量係每1g膜為0.01~1毫當量/g。
  7. 如申請專利範圍第1項之超純水製造系統，其中，前述預備處理裝置在送水泵之上游側，從上游側起依序進一步具備UV氧化裝置及觸媒式氧化性物質分解裝置。
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