TWI703373B - 液晶顯示裝置及液晶顯示裝置的製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明的液晶顯示裝置是如下的液晶顯示裝置：自視認側起依序具有第1基板、液晶層及第2基板，並且第1基板具備基材及配向保護層，第2基板具備基材、薄膜電晶體、顯示電極及配向膜，配向保護層具有與液晶層接觸的面，配向保護層具有經由共價鍵而相互連結的配向性基及交聯結構，關於藉由飛行時間二次離子質譜法所檢測出的源自配向性基的片段，配向保護層的與液晶層接觸的面中片段的強度ELq、與配向保護層的基材側的面中片段的強度ESub滿足既定的關係，且交聯結構由既定的結構式表示。

Description

液晶顯示裝置及液晶顯示裝置的製造方法

本發明是有關於一種液晶顯示裝置及液晶顯示裝置的製造方法。

液晶顯示裝置(liquid crystal display：LCD)由於電壓低及功耗低且可小型化及薄膜化等各種優點，因此廣泛地用於個人電腦(personal computer)或智慧型電話(smartphone)等的監視器(monitor)、電視機用途中。

此種液晶顯示裝置具有液晶單元及配置於液晶單元的兩側的兩片偏光板，另外，液晶單元具有液晶層及夾持液晶層而彼此對向地配置的兩片基板，該兩片基板中通常設置有用以使構成液晶層的液晶配向的配向膜。

作為形成此種配向膜的材料，例如，於專利文獻1中記載有「一種光配向性高分子組成物，其含有：作為第一成分的具有矽酮基或氟取代烷基及光配向性基的聚合物；及作為第2成分的將包含選自由甲基丙烯酸及甲基丙烯酸酯所組成的群組中的至少一種的單量體聚合而獲得的非光配向性聚合物」([請求項1]、[請 求項28])。

[現有技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2013-177561號公報

且說，於液晶顯示裝置中，通常會於視認側設置彩色濾光片，另外，已知就防止來自彩色濾光片的雜質的透過的觀點或使彩色濾光片的階差平坦化的觀點而言，會於該彩色濾光片中設置保護層(外塗層)。

此處，本發明者等人對以下情況進行了研究，即設置：於在視認側設置有彩色濾光片的情形時不需要保護層的配向膜、即具有保護層與配向膜的功能的配向保護層。

另外，作為此種配向保護層，本發明者等人對專利文獻1所記載的配向膜進行了研究，結果明確了存在如下問題：根據光配向性高分子組成物的配向劑的不同，有時平坦性差，另外，於液晶顯示裝置暴露於高溫高濕下的情形時，顯示性能差。

因此，本發明的課題在於提供一種於在視認側設置有彩色濾光片的情形時亦維持優異的平坦性，且於暴露於高溫高濕下的情形時顯示性能亦良好的液晶顯示裝置及其製造方法。

本發明者等人為了達成所述課題而進行了努力研究，結 果發現，藉由設置具有經由共價鍵而相互連結的配向性基及交聯結構的配向保護層，且使配向性基偏向存在於與液晶層接觸的面側，而於在視認側設置有彩色濾光片的情形時亦維持優異的平坦性，且於暴露於高溫高濕下的情形時顯示性能亦變得良好，從而完成了本發明。

即，發現藉由以下構成可達成所述課題。

[1]一種液晶顯示裝置，自視認側起依序具有第1基板、液晶層及第2基板，並且第1基板具備基材及配向保護層，第2基板具備基材、薄膜電晶體、顯示電極及配向膜，配向保護層具有與液晶層接觸的面，配向保護層具有經由共價鍵而相互連結的配向性基及交聯結構，關於藉由飛行時間二次離子質譜法所檢測出的源自配向性基的片段(fragment)，配向保護層的與液晶層接觸的面中源自配向性基的片段的質譜的強度ELq、與配向保護層的基材側的面中源自配向性基的片段的質譜的強度ESub滿足下述條件1或條件2，且交聯結構包含後述的式(A-1)~式(A-3)所表示的任一種結構，條件1：強度ELq為強度ESub的2倍~20倍。

條件2：強度ELq有效地測定，強度ESub為測定界限以下。

[2]如[1]所記載的液晶顯示裝置，其中強度ELq為強度ESub的5倍~20倍。

[3]如[1]或[2]所記載的液晶顯示裝置，其中配向性基是使光配向性基光反應而成的基團。

[4]如[1]至[3]中任一項所記載的液晶顯示裝置，其中配向保護層的膜厚為1μm~4μm。

[5]如[1]至[4]中任一項所記載的液晶顯示裝置，其中構成液晶層的液晶為水平配向液晶。

[6]如[1]至[5]中任一項所記載的液晶顯示裝置，其中源自配向性基的片段為源自選自由肉桂酸酯基及查耳酮基所組成的群組中的至少一種光配向性基的片段。

[7]一種液晶顯示裝置的製造方法，其包括： 第1步驟，使用含有聚合物P及聚合物A的配向保護層形成用組成物於基材上形成保護層後，對保護層實施配向處理而形成配向保護層，製作第1基板，所述聚合物P包含具有配向性基的構成單元，所述聚合物A不含具有配向性基的構成單元；以及 第2步驟，將具備基材、薄膜電晶體、顯示電極及配向膜的第2基板與第1基板黏合並封入液晶，於第1基板與第2基板之間形成液晶層，製作液晶顯示裝置。

[8]如[7]所記載的液晶顯示裝置的製造方法，其中聚合物P包含下述s1所示的構成單元作為具有配向性基的構成單元， 聚合物P及聚合物A滿足下述條件3或條件4， s1：具有選自由氟取代烴基、矽氧烷骨架及碳數10~30的烷基所組成的組群中的至少一種部分結構的構成單元，以及具有光配向性基的構成單元

條件3：聚合物P包含具有交聯性基的構成單元a2，且聚合物A包含具有酸基的構成單元a3。

條件4：聚合物P包含具有酸基的構成單元a3，且聚合物A包含具有交聯性基的構成單元a2。

[9]如[8]所記載的液晶顯示裝置的製造方法，其中交聯性基是選自由氧雜環丙基(oxiranyl)、3,4-環氧環己基、及氧雜環丁基(oxetanyl)所組成的群組中的至少一種。

[10]如[7]至[9]中任一項所記載的液晶顯示裝置的製造方法，其中聚合物P相對於聚合物P及聚合物A的合計質量的質量比例小於10質量%。

[11]如[7]至[10]中任一項所記載的液晶顯示裝置的製造方法，其中配向保護層形成用組成物更含有分子量5000以下的交聯劑B。

[12]如[11]所記載的液晶顯示裝置的製造方法，其中交聯劑B包含具有環氧基的交聯劑， 交聯劑B相對於交聯劑B、聚合物P及聚合物A的合計質量的質量比例為30質量%以下。

[13]如[7]至[12]中任一項所記載的液晶顯示裝置的製造方法，其中配向性基為光配向性基， 配向處理是使用波長365nm以下的光的光配向處理。

[14]如[7]至[13]中任一項所記載的液晶顯示裝置的製造方法，其中第1步驟於配向處理之前或之後包含實施熱處理的步驟。

根據本發明，可提供一種於在視認側設置有彩色濾光片的情形時亦維持優異的平坦性，且於暴露於高溫高濕下的情形時顯示性能亦良好的液晶顯示裝置及其製造方法。

10:液晶顯示裝置

12:背光單元

14、15:基材

16:薄膜電晶體

17:硬化膜

18:接觸孔

19:ITO透明電極

20:液晶層

21:配向保護層

22:彩色濾光片

23:配向膜

30:第1基板

40:第2基板

圖1是表示本發明的液晶顯示裝置的實施方式的一例的示意剖面圖。

以下，對本發明加以詳細說明。

以下記載的構成要件的說明有時是根據本發明的具代表性的實施方式來進行，但本發明不限定於此種實施方式。

再者，於本說明書中，使用「~」來表示的數值範圍是指包含「~」的前後所記載的數值作為下限值及上限值的範圍。

於本說明書中的基團(原子團)的表述中，未記載經取代及未經取代的表述包含不具有取代基的基團(原子團)，並且亦包含具有取代基的基團(原子團)。例如所謂「烷基」，不僅包含不具有取代基的烷基(未經取代的烷基)，而且亦包含具有取代基的烷基(經取代的烷基)。

於本說明書中，「(甲基)丙烯酸酯」是表示「丙烯酸酯」或「甲基丙烯酸酯」的表述，「(甲基)丙烯酸」是表示「丙烯酸」或「甲基丙烯酸」的表述，「(甲基)丙烯醯基」是表示「丙烯醯基」或「甲基丙烯醯基」的表述。

[液晶顯示裝置]

本發明的液晶顯示裝置是自視認側起依序具有第1基板、液晶層及第2基板的液晶顯示裝置，並且第1基板具備基材及配向保護層，第2基板具備基材、薄膜電晶體、顯示電極及配向膜。

另外，於本發明的液晶顯示裝置中，配向保護層具有與液晶層接觸的面，另外，具有配向性基及包含後述的式(A-1)~式(A-3)所表示的任一種結構的交聯結構，進而，具有配向性基及交聯結構經由共價鍵而相互連結的結構。

進而，於本發明的液晶顯示裝置中，關於藉由飛行時間二次離子質譜法(Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry：TOF-SIMS)所檢測出的源自配向性基的片段，配向保護層的與液晶層接觸的面中源自配向性基的片段的質譜的強度ELq、與配向保護層的基材側的面中源自配向性基的片段的質譜的強度ESub滿足下述條件1或條件2。

條件1：強度ELq為強度ESub的2倍~20倍。

條件2：強度ELq有效地測定，強度ESub為測定界限以下。

<TOF-SIMS的測定條件>

本發明中的藉由TOF-SIMS進行的測定是如下所示般進行測 定。

(1)於將配向保護層及與配向保護層鄰接的鄰接層剝離，而可使配向保護層的表面(稱為與液晶層接觸的面。以下相同)及配向保護層的背面(稱為與基材或基材側的鄰接層接觸的面。以下相同)露出的情形時，於下述(3)所示的裝置及條件下，對配向保護層的表面中源自配向性基的片段的質譜的強度ELq、及配向保護層的背面中源自配向性基的片段的質譜的強度ESub進行測定。

(2)於無法使配向保護層的表面及背面露出的情形時，對於具有配向保護層及鄰接層的積層體，使用薩伊卡斯法(表面及界面切割分析系統(Surface and Interfacial Cutting Analysis System)：SAICAS)，以切削面到達配向保護層的表面及背面的方式於傾斜方向上切削，使配向保護層的剖面露出。

關於所露出的剖面，將於下述(3)所示的裝置及條件下，對自配向保護層的表面起深度(厚度)方向上10nm的區域進行測定而得的源自配向性基的片段的質譜的強度設為強度ELq，將於下述(3)所示的裝置及條件下，對自配向保護層的背面起深度(厚度)方向上2000nm的區域進行測定而得的源自配向性基的片段的質譜的強度設為強度ESub。

(3)於以下的裝置及條件下進行測定。

．裝置：TOF-SIMS IV(ION-TOF公司製造)

．一次離子：Bi³⁺(光束直徑2μm)

．測定範圍：於一方向及其正交方向上各對256點進行光柵掃描(raster scan)

．極性：正(posi)、負(nega)

本發明的液晶顯示裝置藉由設置所述配向保護層，於在視認側設置有彩色濾光片的情形時亦維持優異的平坦性，且於暴露於高溫高濕下的情形時顯示性能亦變得良好。

其詳細情況雖不明確，但本發明者等人如下般推測。

即，配向保護層具有配向性基及包含後述的式(A-1)~式(A-3)所表示的任一種結構的交聯結構，另外，具有配向性基及交聯結構經由共價鍵而相互連結的結構，進而，藉由TOF-SIMS測定而得的強度ELq及強度ESub滿足所述條件1或條件2，藉此而認為配向性基偏向存在於配向保護層的表面，且配向性基與構成配向保護層的聚合物牢固地結合。

因此，認為於在配向保護層的背面側設置有彩色濾光片的情形時，配向性基亦無損平坦性，另外，於暴露於高溫高濕下的情形時配向性基亦可維持液晶層的配向，因此顯示性能變得良好。

於本發明中，就於暴露於高溫高濕下的情形時顯示性能亦變得更良好的理由而言，較佳為藉由TOF-SIMS測定而得的強度ELq為強度ESub的5倍~20倍。

其次，於使用圖1對本發明的液晶顯示裝置的構成的概要進行說明後，對本發明的液晶顯示裝置具有的第1基板、液晶層及第2基板進行詳細說明。

圖1是表示本發明的液晶顯示裝置的實施方式的一例的示意剖面圖。

圖1所示的液晶顯示裝置10自視認側起依序具有第1基板30、液晶層20及第2基板40。

另外，第1基板30設置有：貼附有偏光膜的基材15、配置有黑矩陣的RGB彩色濾光片22、及具有與液晶層20接觸的面的配向保護層21。

另外，第2基板40配置有：貼附有偏光膜的基材14、及薄膜電晶體16的元件。於基材14上所形成的各元件中，通過硬化膜17中所形成的接觸孔18而配線有形成顯示電極的氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)透明電極19，於ITO透明電極19上設置有配向膜23。

另外，圖1所示的液晶顯示裝置10於背面具有背光單元(backlight unit)12，背光的光源並無特別限定，可使用公知的光源。例如，可列舉：白色發光二極體(Light Emitting Diode，LED)，藍色、紅色、綠色等多色LED，螢光燈(冷陰極管)、有機電致發光(electroluminescence)等。

另外，液晶顯示裝置亦可設為三維(three dimensional，3D)(立體視)型裝置，或者設為觸控面板型裝置。進而亦可設為可撓型，並可用作日本專利特開2011-145686號公報的第2層間絕緣膜(48)、或日本專利特開2009-258758號公報的層間絕緣膜(520)。

[第1基板]

本發明的液晶顯示裝置具有的第1基板是較後述的液晶層更靠視認側而設置的基板，具備基材及配向保護層。再者，配向保護層具有與後述的液晶層接觸的面，因此第1基板自視認側起依序具備基材及配向保護層。

另外，於本發明的液晶顯示裝置於視認側設置任意的彩色濾光片的情形時，第1基板依序具備基材、彩色濾光片及配向保護層。

<基材>

作為所述基材，可使用現有公知的液晶顯示裝置的液晶單元中所使用的透明基板，例如可使用玻璃基板、石英基板、透明樹脂基板等。其中，較佳為使用玻璃基板。

<配向保護層>

如上所述，所述配向保護層具有與後述的液晶層接觸的面，另外，具有配向性基及包含後述的式(A-1)~式(A-3)所表示的任一種結構的交聯結構，進而，具有配向性基及交聯結構經由共價鍵而相互連結的結構。

(配向性基)

所述配向保護層具有的配向性基只要是使具有使液晶性化合物配向的功能的官能基配向的基團，則並無特別限定，於本發明中，就於配向保護層的形成時不與表面接觸而能夠防止表面狀態惡化的理由而言，較佳為使光配向性基光反應而成的基團。

此處，所謂光配向性基，是指藉由光二聚化反應、光異構化反應及光分解反應的任一種而賦予配向性的光反應性基。

另外，作為藉由光二聚化反應而賦予配向性的基團，例如可列舉自選自由馬來醯亞胺衍生物、肉桂酸衍生物及香豆素衍生物所組成的組群中的至少一種衍生物導入的基團等，具體而言，可適宜地列舉肉桂酸酯基(cinnamate)、查耳酮基(chalcone)。

再者，作為肉桂酸酯基、及查耳酮基，例如可導入以下的結構(下述式中，*表示對聚合物鏈的連結部位，R表示氫原子或一價的有機基)，另外，*所表示的對聚合物鏈的連結部位可直接鍵結於聚合物的主鏈，亦可經由二價的連結基而鍵結。作為R所表示的一價的有機基，較佳為烷基或芳基。另外，R所表示的一價的有機基的碳數較佳為1~10，更佳為1~7。

另一方面，作為藉由光的作用而異構化的反應性基，具體而言，例如可適宜地列舉包含選自由偶氮苯化合物、二苯乙烯化合物及螺吡喃化合物所組成的組群中的至少一種化合物的骨架的基團等。

另外，作為藉由光的作用而分解的反應性基，具體而言，例 如可適宜地列舉包含環丁烷化合物的骨架的基團等。

該些中，就反應的不可逆性的理由而言，較佳為藉由以更短波光反應的光二聚化反應來賦予配向性的基團，更佳為選自由肉桂酸酯基及查耳酮基所組成的群組中的至少一種。

(交聯結構)

所述配向保護層具有的交聯結構是包含下述式(A-1)~式(A-3)所表示的任一種結構的交聯結構。

所述式(A-1)~式(A-3)中，*表示鍵結位置，所述式(A-3)中，R¹分別獨立地表示氫原子或碳數1~6的烷基。

作為烷基，可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、己基等。

此處，作為包含所述式(A-1)~式(A-3)所表示的結構的交聯結構，例如可列舉藉由交聯性基(例如環氧基、氧雜環丁基等)與酸基(例如羧基等)的反應而生成的交聯結構，具體可列舉下述式(A-1-1)、式(A-2-1)及式(A-3-1)所表示的交聯結構。

再者，下述式(A-1-1)、式(A-2-1)及式(A-3-1)中，*表示鍵結位置，下述式(A-3-1)中，R¹分別獨立地表示氫原子或碳數1~6的烷基。

如上所述，所述配向保護層具有所述配向性基及所述交聯結構經由共價鍵而相互連結的結構。

因此，於本發明中，較佳為包含後述的具有交聯性基(例如環氧基、氧雜環丁基等)的構成單元的聚合物、及/或包含後述的具有酸基(例如羧基等)的構成單元的聚合物更包含具有所述配向性基的構成單元。

於本發明中，所述配向保護層的膜厚較佳為1μm~4μm，更佳為2μm~3μm。

<彩色濾光片>

本發明的液晶顯示裝置具有的第1基板亦可於所述基材與配向保護層之間具備彩色濾光片。

所述彩色濾光片並無特別限定，例如可使用通常作為液晶顯 示裝置的彩色濾光片而公知者。

此種彩色濾光片通常包含紅色、綠色及藍色的各色的透明著色圖案，該些各透明著色圖案包含溶解或分散有著色劑，較佳為分散有顏料微粒子的樹脂組成物。

再者，所述彩色濾光片的形成可藉由製備著色為既定顏色的墨水組成物，並對每個著色圖案進行印刷來進行，更佳為使用含有既定顏色的著色劑的塗料類型的感光性樹脂組成物，藉由光微影(photolithography)法來進行。

[液晶層]

本發明的液晶顯示裝置具有的液晶層是所述第1基板與後述的第2基板所夾持的液晶層。

另外，如上所述，該液晶層是以與所述第1基板具備的配向保護層接觸的方式設置。

作為本發明的液晶顯示裝置可利用的用以驅動液晶層的驅動方式，可列舉：扭轉向列(Twisted Nematic，TN)方式、垂直配向(Vertical Alignment，VA)方式、共面切換(In-Plane-Switching，IPS)方式、邊緣場切換(Fringe Field Switching，FFS)方式、光學補償彎曲(Optically Compensated Bend，OCB)方式等。

該些驅動方式中，較佳為IPS方式。

IPS方式的液晶單元中，棒狀液晶分子相對於基板而實質上平行地配向，藉由於基板面施加平行的電場，液晶分子平面地響 應。即，於IPS方式中，構成液晶層的液晶為水平配向液晶。IPS方式於未施加電場的狀態下顯黑，上下一對偏光板的吸收軸正交。

[第2基板]

本發明的液晶顯示裝置具有的第2基板是設置於所述液晶層的與第1基板相反之側(背光側)的基板，具備基材、薄膜電晶體、顯示裝置、及配向膜。

<基材>

作為第2基板具備的基材，可與所述第1基板同樣地，使用現有公知的液晶顯示裝置的液晶單元中所使用的透明基板，例如可使用玻璃基板、石英基板、透明樹脂基板等。其中，較佳為使用玻璃基板。

<薄膜電晶體>

作為第2基板具備的薄膜電晶體(thin film transistor：TFT)，可適宜利用公知的液晶顯示裝置中所使用者，其構成並無特別限定，可為頂部閘極型，亦可為底部閘極型。

作為所述薄膜電晶體的具體例，可列舉非晶矽-TFT、低溫多晶矽-TFT、氧化物半導體TFT等。

<顯示電極>

作為第2基板具備的顯示電極，可適宜利用公知的液晶顯示裝置中所使用者，作為其構成材料，例如可使用氧化銦錫(Indium Tin Oxide：ITO)、氧化鋅鋁(摻鋁氧化鋅(Aluminum doped Zinc Oxide：AZO))、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide：IZO)等透明的 導電材料。

<配向膜>

作為第2基板具備的配向膜，通常可適宜利用以聚合物為主成分的公知的液晶顯示裝置中所使用者。

作為配向膜用聚合物材料，於許多文獻中有記載，可獲取許多市售品。

本發明中所利用的聚合物材料較佳為聚乙烯醇或聚醯胺、及其衍生物。尤其較佳為改質或未改質的聚乙烯醇。

關於本發明中可使用的配向膜，例如可列舉：國際公開第01/88574號的43頁24行~49頁8行所記載的配向膜；日本專利第3907735號公報的段落[0071]~段落[0095]中記載的改質聚乙烯醇；日本專利特開2012-155308號公報所記載的藉由液晶配向劑而形成的液晶配向膜等。

關於液晶顯示裝置的其他構成(例如偏光板、背光等)，可參考日本專利特開2007-328210號公報及日本專利特開2014-238438號公報的記載，將其內容併入至本說明書中。

[液晶顯示裝置的製造方法]

本發明的液晶顯示裝置的製造方法包括第1步驟：使用含有聚合物P及聚合物A的配向保護層形成用組成物於基材上形成保護層後，對保護層實施配向處理而形成配向保護層，製作第1基板，所述聚合物P包含具有配向性基的構成單元，所述聚合物A不含具有配向性基的構成單元。

另外，本發明的液晶顯示裝置的製造方法包括第2步驟：將具備基材、薄膜電晶體、顯示電極及配向膜的第2基板與第1基板黏合並封入液晶，於第1基板與第2基板之間形成液晶層，製作液晶顯示裝置。

[第1步驟]

第1步驟是使用含有聚合物P及聚合物A的配向保護層形成用組成物於基材上形成保護層後，對保護層實施配向處理而形成配向保護層，製作第1基板的步驟，所述聚合物P包含具有配向性基的構成單元，所述聚合物A不含具有配向性基的構成單元。

再者，第1步驟中的基材與本發明的液晶顯示裝置的第1基板具備的基材相同。

<配向保護層形成用組成物>

就降低配向保護層的相位差、提高透明性、於配向保護層中所述交聯結構容易形成的理由而言，所述配向保護層形成用組成物較佳為所述聚合物P包含下述s1所示的構成單元作為所述具有配向性基的構成單元，且所述聚合物P及所述聚合物A滿足下述條件3或條件4。

s1：具有選自由氟取代烴基、矽氧烷骨架及碳數10~30的烷基所組成的組群中的至少一種部分結構的構成單元，以及具有光配向性基的構成單元

條件3：聚合物P包含具有交聯性基的構成單元a2，且聚合物A包含具有酸基的構成單元a3。

條件4：聚合物P包含具有酸基的構成單元a3，且聚合物A包含具有交聯性基的構成單元a2。

於本發明中，就於配向保護層中所述交聯結構更容易形成的理由而言，較佳為所述聚合物P及/或所述聚合物A具有的交聯性基是選自由氧雜環丙基、3,4-環氧環己基、及氧雜環丁基所組成的群組中的至少一種。

以下，對所述配向保護層形成用組成物含有的聚合物P及聚合物A的具體例以及任意的添加劑等進行詳述。

(聚合物P)

作為所述聚合物P，如上所述，可較佳地列舉包含下述s1所示的構成單元(以下亦稱為「構成單元s1」)的聚合物。

s1：具有選自由氟取代烴基、矽氧烷骨架及碳數10~30的烷基所組成的組群中的至少一種部分結構(以下亦稱為「偏向存在性基」)的構成單元，以及具有光配向性基的構成單元

<<具有氟取代烴基部分結構的構成單元>>

氟取代烴基只要是經至少一個氟原子取代的烴基即可，可列舉烷基或伸烷基(以下，於本段落中簡稱為「烷基等」)中的至少一個氫原子取代為氟原子的烷基等，更佳為烷基等的全部氫原子取代為氟原子的烷基等。

就偏向存在性的觀點而言，此種氟取代烴基較佳為下述式(I)所表示的基團。

所述式(I)中，R²表示氫原子或碳數1個~4個的烷基，*表示對聚合物鏈的連結部位。X表示單鍵或二價的連結基，m表示1~3的整數，n表示1以上的整數，r表示0或1~2的整數。再者，於m為1的情形時，多個R²分別可相同亦可不同。

所述式(I)中的m表示1~3的整數，較佳為1或2。

所述式(I)中的n表示1以上的整數，較佳為1~10的整數，更佳為1~4的整數，特佳為1或2。

所述式(I)中的r表示0或1~2的整數，較佳為1或2，更佳為2。

另外，*所表示的對聚合物鏈的連結部位可直接鍵結於所述聚合物A1-1等聚合物的主鏈，亦可經由聚氧伸烷基、伸烷基、酯基、胺基甲酸酯基、亦可包含雜原子的環狀伸烷基、聚(己內酯)、胺基等二價的連結基而鍵結。較佳為經由聚氧伸烷基而鍵結。

於所述式(I)中，作為R²所表示的碳數1個~4個的烷基，可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基等，較佳為氫原子、或甲基，更佳為氫原子。

於所述式(I)中，X為單鍵的情形是指聚合物主鏈與鍵結有R²的碳原子直接連結。

另外，於X為二價的連結基的情形時，作為該連結基，可列舉-O-、-S-、-N(R⁴)-、-CO-等。該些中更佳為-O-。此處，R⁴表示氫原子或碳數1個~4個的烷基。作為烷基，可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基等，較佳為氫原子、甲基。

作為將氟取代烴基導入至聚合物的方法，可列舉：藉由高分子反應將氟取代烴基導入至聚合物的方法；將具有氟取代烴基的單體(以下稱為「含有氟取代烴基的單體」)共聚合，而於聚合物中導入具有氟取代烴基的構成單元的方法等。

作為將含有氟取代烴基的單體共聚合，而於聚合物中導入具有氟取代烴基的構成單元的方法中的含有氟取代烴基的單體，可列舉下述式(II)所表示的單體作為較佳者。

所述式(II)中，R¹表示氫原子、鹵素原子、亦可具有取代基的甲基、或亦可具有取代基的乙基。另外，R²、X、m、n及r均與所述式(I)中的R²、X、m、n及r為相同含義，較佳例亦相同。

再者，於所述式(II)中，作為R¹所表示的鹵素原子，例如 可列舉氟原子、氯原子、溴原子。

再者，關於此種含有氟取代烴基的單體的製造法，例如於「氟化合物的合成與功能」(主編：石川延男，發行：CMC股份有限公司，1987)的117頁~118頁、或「有機氟化合物化學II(Chemistry of Organic Fluorine Compounds II)」(專論(Monograph)187，米洛斯豪迪克(Milos Hudlicky)與阿提拉E.帕弗拉特(Attila E.Pavlath)著，美國化學學會(American Chemical Society)1995)的747頁~752頁中有所記載。

另外，作為所述式(II)所表示的單體的具體例，可列舉下述式(IIa)所表示的甲基丙烯酸四氟異丙酯、下述式(IIb)所表示的甲基丙烯酸六氟異丙酯等。

另外，作為其他具體例，可列舉日本專利特開2010-18728號公報的段落編號[0058]~段落編號[0061]中記載的化合物。該些中較佳為氟取代烴基鍵結於聚氧伸烷基的結構。

<<具有矽氧烷骨架部分結構的構成單元>>

矽氧烷骨架只要具有「-Si-O-Si-」，則並無特別限制，較佳為 包含聚氧伸烷基。

於本發明中，關於矽氧烷骨架，就偏向存在性的觀點而言，較佳為將具有(甲基)丙烯醯氧基與烷氧基矽烷基的化合物共聚合，而於聚合物中導入具有矽氧烷骨架部分結構的構成單元。

此處，作為烷氧基矽烷基，例如較佳為下述式(X)所表示的基團。

所述式(X)中，R³~R⁵分別獨立地表示氫原子、羥基、鹵素原子、烷基、或烷氧基，且至少一個為烷氧基。*表示鍵結位置。

所述式(X)中，R³~R⁵中的至少一個為烷氧基，作為烷氧基，較佳為碳數1~15的烷氧基，更佳為碳數1~8的烷氧基，進而佳為碳數1~4的烷氧基，特佳為乙氧基或甲氧基。

於本發明中，較佳為R³~R⁵中的兩個為烷氧基及一個為烷基的情形、或者三個為烷氧基的情形。其中，更佳為三個為烷氧基的態樣、即三烷氧基矽烷基。

作為此種具有烷氧基矽烷基與(甲基)丙烯醯氧基的化合物，具體而言，例如可列舉：3-(甲基)丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽 烷等。

另外，於本發明中，關於矽氧烷骨架，就偏向存在性的觀點而言，較佳為將下述結構式(A)所表示的化合物(以下亦稱為「特定矽氧烷化合物」)聚合，而將矽氧烷骨架導入至聚合物。

所述結構式(A)中，R⁷表示可具有羥基、胺基、鹵素原子等取代基的碳數為2~6的直鏈或分支的伸烷基，或下述結構式(B)所表示的二價的連結基。

所述結構式(B)中，R⁴表示氫原子、甲基、乙基。n1、n2、及n3分別獨立地為0~100的整數。此處，R⁴於結構式(B)中存在兩個以上，可分別不同，另外亦可相同。

所述結構式(A)中，x1、x2、及x3為該些的合計滿足1~100的整數。

另外，y1為1~30的整數。

所述結構式(A)中，X²為單鍵、或下述結構式(C)所表示的二價的基團。

所述結構式(C)中，R⁸表示可具有羥基、胺基、鹵素原子等取代基的碳數為1~6的直鏈或分支的伸烷基，Q¹、及Q²表示氧原子、硫原子、或-NRB-，Q¹、Q²可分別不同，另外亦可相同。RB表示氫原子、或碳數1~4的烷基。

所述結構式(C)中，Q²鍵結於所述結構式(A)中的R⁷。

所述結構式(A)中，Y²表示下述結構式(D)~下述結構式(F)所表示的一價的基團。

所述結構式(D)~結構式(F)中，R⁵表示氫原子、或碳數1~6的直鏈狀或分支鏈狀的烷基。

所述結構式(A)中，Z¹、Z²、Z³分別獨立地表示下述結構式(G)所表示的一價的基團。

所述結構式(G)中，R⁶表示碳數1~4的未經取代的烷基，y²表示1~100的整數，較佳為1~50的整數，更佳為1~20的整數。

另外，作為矽氧烷骨架，可列舉日本專利特開2010-18728號公報的段落編號[0092]~段落編號[0094]中記載的結構作為所述式(A)的具體例，但並不限定於該些。

該些中較佳為矽氧烷結構經由聚氧伸烷基而鍵結於聚合物的結構。

<<具有碳數10~30的烷基部分結構的構成單元>>

碳數10~30的烷基亦可包含分支結構或環狀結構，較佳為直鏈結構部分的碳數處於10~30的範圍，更佳為全部為直鏈結構。

另外，烷基的碳數較佳為10~20。

具體而言，較佳為於聚合物的側鏈具有下述通式(a3-1)所表示的基團。

於所述通式(a3-1)中，n_a3表示10~30的整數，*表示與聚合物的主鏈或側鏈連結的位置。n_a3較佳為10~20的整數。

將所述通式(a3-1)的結構導入至聚合物的主鏈或側鏈 的方法並無特別限定，例如只要於合成時適當地選擇應用具有(a3-1)的結構的單體，則可於所得聚合物的重複單元中導入(a3-1)的結構。

另外，具有所述通式(a3-1)的結構的單體可使用市售的化合物，亦可對不具有(a3-1)的結構的市售的單體適當地導入(a3-1)中所含的所需結構而使用。於市售的單體中導入(a3-1)的結構的方法並無限定，只要適當地應用公知的方法即可。

具有所述通式(a3-1)的結構的單體可根據聚合物的主鏈結構適當選擇，例如若為於主鏈上具有(甲基)丙烯酸結構的聚合物，則較佳為使用下述通式(a3-2)所表示的單體。

所述通式(a3-2)中，R³²表示氫原子、甲基、乙基、或鹵素原子，X³¹表示二價的連結基、R³³表示單鍵、或伸烷氧基。 另外，n_a3與所述通式(a3-1)亦包含較佳範圍在內均為相同含義。

於所述通式(a3-2)中，R³²為氫原子、甲基、乙基、或鹵素原子，更佳為氫原子、或甲基，進而佳為甲基。

於所述通式(a3-2)中，作為X³¹的二價的連結基可列舉-O-、-S-、-N(R⁴)-等。該些中更佳為-O-。

此處，R⁴表示氫原子、或碳數1個~4個的烷基。作為烷基， 可為直鏈結構，亦可為分支結構，可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基等，較佳為氫原子、甲基。

另外，作為R³³的伸烷氧基，較佳為碳數1~4。伸烷氧基亦可具有分支結構。另外，可具有取代基，亦可未經取代。作為亦可具有的取代基，可列舉鹵素原子等。作為伸烷氧基的具體例，可例示：亞甲氧基、伸乙氧基、伸丙氧基、伸丁氧基等。

該些中，R³³較佳為碳數1~4的未經取代的直鏈伸烷氧基、或單鍵，更佳為單鍵。

藉由使用所述通式(a3-2)所表示的單體，可獲得具有下述通式(U-a3-1)所表示的重複單元的聚合物。

關於此種聚合物，較佳形態之一為具有通式(U-a3-1)所表示的重複單元。

於所述通式(U-a3-1)中，n_a3與所述通式(a3-1)亦包含較佳範圍在內均為相同含義，R³²、X³¹、及R³³與所述通式(a3-2)亦包含較佳範圍在內均為相同含義。

以下示出所述通式(a3-2)所表示的單體的具體例。其中，本發明並不限定於該些具體例。

<<具有光配向性基的構成單元>>

聚合物P是包含所述具有選自由氟取代烴基、矽氧烷骨架及碳數10~30的烷基所組成的組群中的至少一種部分結構的構成單元，並且包含具有光配向性基的構成單元的聚合物。

此處，光配向性基與所述配向性基中所說明者相同。

關於包含具有光配向性基的構成單元的聚合物，其主鏈骨架並無特別限定，就側鏈的分子設計多樣，利用乙烯性不飽和化合物的自由基聚合反應的主鏈形成簡便的理由而言，較佳為具有下述式(III)所表示的重複單元的聚合物。

此處，所述式(III)中，R¹表示氫原子或烷基。X表示伸芳基、-(C=O)-O-、或-(C=O)-NR-(R表示氫原子或碳數1個~4個的烷基)。L表示單鍵或二價的連結基，P表示光配向性基。

所述式(III)中，R¹表示氫原子或烷基，作為烷基，較佳為碳數1~4的烷基(例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基等)。R¹較佳為氫原子或甲基。

另外，所述式(III)中，L表示單鍵或二價的連結基，作為二價的連結基，較佳為-O-、-S-、伸烷基、伸芳基、或將該些組合多個而成的基團。作為L所表示的伸烷基，可為直鏈、分支、或環狀結構，較佳為直鏈結構。L所表示的伸烷基的碳數較佳為1~10，更佳為1~6，進而佳為2~4。另外，作為L所表示的伸芳基，可列舉伸苯基、甲伸苯基、伸二甲苯基等，較佳為伸苯基。

所述式(III)中，P表示光配向性基，作為其具體例，可適宜地列舉查耳酮基、肉桂酸酯基、二苯乙烯基、馬來醯亞胺基、偶氮苄基。其中，更佳為查耳酮基、肉桂酸酯基。另外，P所表示的光配向性基只要不失去光配向性，則亦可具有取代基。作為具體的取代基，例如可列舉鹵基、烷基、芳基等，較佳為烷基或芳基。所述烷基或芳基的碳數較佳為1~10，更佳為1~7。

以下示出具有所述式(III)所表示的重複單元的聚合物的較佳的具體例，但本發明並不限定於該些具體例。

具有所述式(III)所表示的重複單元的聚合物可藉由(a) 使對應的單體聚合而直接導入光反應性基的方法來合成，亦可藉由(b)利用高分子反應將光反應性基導入至將具有任意官能基的單體聚合而得的聚合物的方法來合成。另外，亦可將(a)及(b)的方法加以組合來進行合成。

此處，作為所述(a)及(b)的方法中可利用的聚合反應，可列舉自由基聚合、陽離子聚合及陰離子聚合等。

另外，具有所述式(III)所表示的重複單元的聚合物亦可為包含多種所述式(III)所表示的重複單元的共聚物，另外，亦可為包含所述式(III)以外的重複單元(例如不含乙烯性不飽和基的重複單元)的共聚物。

{構成單元s1的較佳態樣}

相對於所有聚合物成分的構成單元，所述構成單元s1較佳為0.01莫耳%~10莫耳%，更佳為0.1莫耳%~10莫耳%，進而佳為0.1莫耳%~5莫耳%，特佳為0.1莫耳%~3莫耳%，最佳為0.5莫耳%~3莫耳%。

另外，於所述構成單元s1中，具有偏向存在性基的構成單元的含量較佳為0.01莫耳%~3莫耳%，更佳為0.1莫耳%~3莫耳%，進而佳為0.5莫耳%~3莫耳%。

另外，於所述構成單元s1中，具有光配向性基的構成單元的含量較佳為0.01莫耳%~5莫耳%，更佳為0.1莫耳%~5莫耳%，進而佳為1莫耳%~3莫耳%。

於所述具有構成單元s1的聚合物中，相對於所述聚合物的所 有構成單元，構成單元s1的含量較佳為20莫耳%~90莫耳%，更佳為20莫耳%~80莫耳%，進而佳為20莫耳%~70莫耳%。於該情形時，具有偏向存在性基的構成單元的含量較佳為1莫耳%~50莫耳%，更佳為5莫耳%~30莫耳%，進而佳為10莫耳%~20莫耳%。另外，具有光配向性基的構成單元的含量較佳為1莫耳%~70莫耳%，更佳為10莫耳%~60莫耳%，進而佳為20莫耳%~50莫耳%。

再者，於本發明中，於以莫耳比來規定「構成單元」的含量的情形時，「構成單元」與「單體單元」為相同含義。另外，於本發明中，「單體單元」亦可藉由高分子反應等而於聚合後加以修飾。以下亦相同。

<<其他構成單元>>

作為所述聚合物P，除了所述構成單元s1以外，亦可含有具有酸基由酸分解性基保護的基團的構成單元a1、具有交聯性基的的構成單元a2、具有酸基的構成單元a3、該些以外的構成單元a4。

該些構成單元中，如上所述，就於配向保護層中容易形成所述交聯結構的理由而言，較佳為包含具有交聯性基的構成單元a2及/或具有酸基的構成單元a3。

<<<構成單元a1>>>

構成單元a1為具有酸基由酸分解性基保護的基團的構成單元(以下亦稱為構成單元a1)。

本發明中的「酸基由酸分解性基所保護的基團」是指以酸作 為觸媒(或者起始劑)而引起去保護反應，產生酸基及再生的酸以及分解的結構的基團。

關於本發明中的「酸基經酸分解性基保護的基團」，可使用作為酸基及酸分解性基而公知者，並無特別限定。

作為酸基，例如可較佳地列舉羧基、酚性羥基等。

另外，作為酸分解性基，可列舉比較容易因酸而分解的基團(例如酯結構、四氫吡喃基酯基、或四氫呋喃基酯基等縮醛系官能基)、或比較難以因酸而分解的基團(例如第三丁基酯基等三級烷基酯基、第三丁基碳酸酯基等三級烷基碳酸酯基)等。

具有酸基經酸分解性基保護的基團的構成單元a1較佳為具有羧基經酸分解性基保護的保護羧基的構成單元(以下亦稱為「具有經酸分解性基保護的保護羧基的構成單元」)，或具有酚性羥基經酸分解性基保護的保護酚性羥基的構成單元(以下亦稱為「具有經酸分解性基保護的保護酚性羥基的構成單元」)。

以下，依序對具有經酸分解性基保護的保護羧基的構成單元a1-1、與具有經酸分解性基保護的保護酚性羥基的構成單元a1-2分別加以說明。

{具有經酸分解性基保護的保護羧基的構成單元a1-1}

所述具有經酸分解性基保護的保護羧基的構成單元a1-1是包含具有羧基的構成單元的羧基由以下所詳細說明的酸分解性基保護的保護羧基的構成單元。

作為可用於所述具有經酸分解性基保護的保護羧基的構成單 元a1-1的所述具有羧基的構成單元，可並無特別限制地使用公知的構成單元。例如可列舉源自不飽和單羧酸、不飽和二羧酸、不飽和三羧酸等分子中具有至少一個羧基的不飽和羧酸等的構成單元a1-1-1，或同時具有乙烯性不飽和基與源自酸酐的結構的構成單元a1-1-2。

以下，依序對用作所述具有羧基的構成單元的a1-1-1源自分子中具有至少一個羧基的不飽和羧酸等的構成單元、及a-1-1-2同時具有乙烯性不飽和基與源自酸酐的結構的構成單元分別加以說明。

{{源自分子中具有至少一個羧基的不飽和羧酸等的構成單元a1-1-1}}

作為關於所述源自分子中具有至少一個羧基的不飽和羧酸等的構成單元a1-1-1的本發明中所用的不飽和羧酸，例如可列舉日本專利特開2014-238438號公報的段落0043中記載的化合物。

其中，就顯影性的觀點而言，為了形成所述構成單元a1-1-1，較佳為使用丙烯酸、甲基丙烯酸、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基-琥珀酸、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基六氫鄰苯二甲酸、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基-鄰苯二甲酸、或不飽和多元羧酸的酸酐等，更佳為使用丙烯酸、甲基丙烯酸、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基六氫鄰苯二甲酸。

所述源自分子中具有至少一個羧基的不飽和羧酸等的構成單元a1-1-1可包含單獨一種，亦可包含兩種以上。

{{同時具有乙烯性不飽和基與源自酸酐的結構的構成 單元a1-1-2}}

同時具有乙烯性不飽和基與源自酸酐的結構的構成單元a1-1-2較佳為源自使存在於具有乙烯性不飽和基的構成單元中的羥基與酸酐反應而得的單體的單元。

作為所述酸酐，可使用公知者，具體可列舉：馬來酸酐、琥珀酸酐、衣康酸酐、鄰苯二甲酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐、六氫鄰苯二甲酸酐、氯橋酸酐等二元酸酐；偏苯三甲酸酐、均苯四甲酸酐、二苯甲酮四羧酸酐、聯苯四羧酸酐等酸酐。該些酸酐中，就顯影性的觀點而言，較佳為鄰苯二甲酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐、或琥珀酸酐。

就顯影性的觀點而言，所述酸酐對羥基的反應率較佳為10莫耳%~100莫耳%，更佳為30莫耳%~100莫耳%。

(可用於構成單元a1-1的酸分解性基)

作為可用於所述具有經酸分解性基保護的保護羧基的構成單元a1-1的所述酸分解性基，可使用所述酸分解性基。

該些酸分解性基中，就樹脂組成物的基本物性、特別是就感度或圖案形狀、接觸孔的形成性、樹脂組成物的保存穩定性的觀點而言，較佳為羧基以縮醛的形式受到保護的保護羧基。進而就感度的觀點而言，於酸分解性基中，更佳為羧基為下述式(a1-10)所表示的以縮醛的形式受到保護的保護羧基。再者，於羧基為下述式(a1-10)所表示的以縮醛的形式受到保護的保護羧基的情形時，保護羧基的整體成為-(C=O)-O-CR¹⁰¹R¹⁰²(OR¹⁰³)的結構。

所述式(a1-10)中，R¹⁰¹及R¹⁰²分別獨立地表示氫原子或烴基，其中，R¹⁰¹與R¹⁰²同時為氫原子的情形除外。R¹⁰³表示烷基。R¹⁰¹或R¹⁰²、與R¹⁰³亦可連結而形成環狀醚。

所述式(a1-10)中，R¹⁰¹及R¹⁰²分別獨立地表示氫原子或烷基，所述烷基可為直鏈狀、分支鏈狀、環狀的任一種。此處，不存在R¹⁰¹及R¹⁰²的兩者表示氫原子的情況，R¹⁰¹及R¹⁰²的至少一者表示烷基。

所述式(a1-10)中，於R¹⁰¹、R¹⁰²及R¹⁰³表示烷基的情形時，所述烷基可為直鏈狀、分支鏈狀或環狀的任一種。

作為所述直鏈狀的烷基，較佳為碳數1~12，更佳為碳數1~6，進而佳為碳數1~4。作為分支鏈狀的烷基，較佳為碳數3~6，更佳為碳數3或4。具體可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、新戊基、正己基、第三己基(thexyl)(2,3-二甲基-2-丁基)、正庚基、正辛基、2-乙基己基、正壬基、正癸基等。

作為所述環狀烷基，較佳為碳數3~12，更佳為碳數4~8，進而佳為碳數4~6。作為所述環狀烷基，例如可列舉：環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、降冰片基、異冰片基等。

所述烷基亦可具有取代基，作為取代基，可例示鹵素原子、芳基、烷氧基。於具有鹵素原子作為取代基的情形時，R¹⁰¹、R¹⁰²、R¹⁰³為鹵代烷基，於具有芳基作為取代基的情形時，R¹⁰¹、R¹⁰²、R¹⁰³為芳烷基。

作為所述鹵素原子，可例示氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。該些鹵素原子中，較佳為氟原子或氯原子。

另外，作為所述芳基，較佳為碳數6~20的芳基，更佳為碳數6~12的芳基。具體可例示苯基、α-甲基苯基、萘基等，作為經芳基取代的烷基整體、即芳烷基，可例示苄基、α-甲基苄基、苯乙基、萘基甲基等。

作為所述烷氧基，較佳為碳數1~6的烷氧基，更佳為碳數1~4的烷氧基，進而佳為甲氧基或乙氧基。

另外，於所述烷基為環烷基的情形時，所述環烷基亦可具有碳數1~10的直鏈狀或分支鏈狀的烷基作為取代基，於烷基為直鏈狀或分支鏈狀的烷基的情形時，亦可具有碳數3~12的環烷基作為取代基。

該些取代基亦可經所述取代基進一步取代。

所述式(a1-10)中，於R¹⁰¹、R¹⁰²及R¹⁰³表示芳基的情形時，所述芳基較佳為碳數6~12，更佳為碳數6~10。所述芳基亦可具有取代基，作為所述取代基，可較佳地例示碳數1~6的烷基。作為芳基，例如可例示苯基、甲苯基、二甲苯基、枯烯基、1-萘基等。

另外，R¹⁰¹、R¹⁰²及R¹⁰³可相互鍵結而與該些所鍵結的碳原子一起形成環。作為R¹⁰¹與R¹⁰²、R¹⁰¹與R¹⁰³或者R¹⁰²與R¹⁰³鍵結的情形時的環結構，例如可列舉：環丁基、環戊基、環己基、環庚基、四氫呋喃基、金剛烷基及四氫吡喃基等。

再者，所述式(a1-10)中，較佳為R¹⁰¹及R¹⁰²的任一者為氫原子或甲基。

用以形成具有所述式(a1-10)所表示的保護羧基的構成單元的自由基聚合性單量體可使用市售品，亦可使用藉由公知的方法而合成者。例如可藉由日本專利特開2011-221494號公報的段落0037~段落0040中記載的合成方法等來合成。

所述具有經酸分解性基保護的保護羧基的構成單元a1-1的第一較佳態樣為下述式所表示的構成單元。

式中，R¹及R²分別獨立地表示氫原子、烷基或芳基，且至少R¹及R²的任一者為烷基或芳基，R³表示烷基或芳基，R¹或R²、與R³亦可連結而形成環狀醚，R⁴表示氫原子或甲基，X表示單鍵或伸芳基。

於R¹及R²為烷基的情形時，較佳為碳數為1~10的烷基。於R¹及R²為芳基的情形時，較佳為苯基。R¹及R²較佳為分 別獨立地為氫原子或碳數1~4的烷基。

R³表示烷基或芳基，較佳為碳數1~10的烷基，更佳為碳數1~6的烷基。

X表示單鍵或伸芳基，較佳為單鍵。

所述具有經酸分解性基保護的保護羧基的構成單元a1-1的第二較佳態樣為下述式所表示的構成單元。

式中，R¹²¹表示氫原子或甲基，L¹表示羰基，R¹²²~R¹²⁸分別獨立地表示氫原子或碳數1~4的烷基，較佳為氫原子。

作為所述具有經酸分解性基保護的保護羧基的構成單元a1-1的較佳的具體例，可例示下述構成單元。再者，R表示氫原子或甲基。

{具有經酸分解性基保護的保護酚性羥基的構成單元a1-2}

作為所述具有經酸分解性基保護的保護酚性羥基的構成單元a1-2，可列舉羥基苯乙烯系構成單元或酚醛清漆系的樹脂中的構成單元。

該些構成單元中，就感度的觀點而言，較佳為源自羥基苯乙烯、或α-甲基羥基苯乙烯的構成單元。

另外，作為具有酚性羥基的構成單元，就感度的觀點而言，亦較佳為日本專利特開2014-238438號公報的段落0065~段落0073中記載的構成單元。

<<<構成單元a2>>>

構成單元a2為具有交聯性基的構成單元(以下亦稱為構成單元a2)。

所述交聯性基只要是藉由加熱處理而引起硬化反應的基團，則並無特別限定。

作為較佳的具有交聯性基的構成單元的態樣，可列舉包含選自由環氧基(例如氧雜環丙基、3,4-環氧環己基等)、氧雜環丁基、-NH-CH₂-O-R(R表示氫原子或碳數1~20的烷基)所表示的基團、乙烯性不飽和基、及封閉異氰酸酯基所組成的組群中的至少一種的構成單元，較佳為包含選自由環氧基、氧雜環丁基、-NH-CH₂-O-R(R表示氫原子或碳數1~20的烷基)所表示的基團、(甲基)丙烯醯基、及封閉異氰酸酯基所組成的組群中的至少一 種的構成單元，更佳為包含選自由環氧基、氧雜環丁基、及-NH-CH₂-O-R(R表示氫原子或碳數1~20的烷基)所表示的基團所組成的組群中的至少一種的構成單元。

{具有環氧基及/或氧雜環丁基的構成單元a2-1}

聚合物成分A1較佳為含有如下聚合物，所述聚合物包含具有環氧基及/或氧雜環丁基的構成單元a2-1。再者，三員環的環狀醚基亦被稱為環氧基、四員環的環狀醚基亦被稱為氧雜環丁基。

所述具有環氧基及/或氧雜環丁基的構成單元a2-1只要於1個構成單元中具有至少一個環氧基或氧雜環丁基即可，亦可具有1個以上的環氧基及1個以上的氧雜環丁基、2個以上的環氧基、或2個以上的氧雜環丁基，並無特別限定，較佳為具有合計1個~3個環氧基及/或氧雜環丁基，更佳為具有合計1個或2個環氧基及/或氧雜環丁基，進而佳為具有1個環氧基或氧雜環丁基。

作為用以形成具有環氧基的構成單元的自由基聚合性單量體的具體例，例如可列舉：丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、α-乙基丙烯酸縮水甘油酯、α-正丙基丙烯酸縮水甘油酯、α-正丁基丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸-3,4-環氧丁酯、甲基丙烯酸-3,4-環氧丁酯、丙烯酸-3,4-環氧環己基甲酯、甲基丙烯酸-3,4-環氧環己基甲酯、α-乙基丙烯酸-3,4-環氧環己基甲酯、鄰乙烯基苄基縮水甘油醚、間乙烯基苄基縮水甘油醚、對乙烯基苄基縮水甘油醚、日本專利第4168443號公報的段落0031~段落0035中記載的含有脂環式環氧骨架的化合物等，將該些內容併入至本申請 案說明書中。

作為用以形成具有氧雜環丁基的構成單元的自由基聚合性單量體的具體例，例如可列舉日本專利特開2001-330953號公報的段落0011~段落0016中記載的具有氧雜環丁基的(甲基)丙烯酸酯等，將該些內容併入至本申請案說明書中。

作為用以形成所述具有環氧基及/或氧雜環丁基的構成單元a2-1的自由基聚合性單量體的具體例，較佳為含有甲基丙烯酸酯結構的單體、含有丙烯酸酯結構的單體。

該些中，較佳者為甲基丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸-3,4-環氧環己基甲酯、甲基丙烯酸-3,4-環氧環己基甲酯、丙烯酸(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲酯、及甲基丙烯酸(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲酯。該些構成單元可單獨使用一種或將兩種以上組合使用。

作為具有環氧基及/或氧雜環丁基的構成單元a2-1的較佳的具體例，可例示下述構成單元。再者，R表示氫原子或甲基。

{具有乙烯性不飽和基的構成單元a2-2}

作為所述具有交聯性基的構成單元a2的其他例，可列舉具有乙烯性不飽和基的構成單元a2-2。作為所述具有乙烯性不飽和基 的構成單元a2-2，較佳為於側鏈上具有乙烯性不飽和基的構成單元，更佳為於末端具有乙烯性不飽和基、且具有碳數3~16的側鏈的構成單元。

此外，關於具有乙烯性不飽和基的構成單元a2-2，可參照日本專利特開2011-215580號公報的段落0072~段落0090的記載、及日本專利特開2008-256974號公報的段落0013~段落0031的記載，將該些內容併入至本申請案說明書中。

{具有-NH-CH₂-O-R(R表示氫原子或碳數1~20的烷基)所表示的基團的構成單元a2-3}

作為所述具有交聯性基的構成單元a2的其他例，亦較佳為具有-NH-CH₂-O-R(R表示氫原子或碳數1~20的烷基)所表示的基團的構成單元a2-3。藉由具有構成單元a2-3，可利用緩慢的加熱處理來引起硬化反應，可獲得諸特性優異的硬化膜。此處，R較佳為碳數1~20的烷基，更佳為碳數1~9的烷基，進而佳為碳數1~4的烷基。另外，烷基可為直鏈、分支或環狀的烷基的任一種，較佳為直鏈或分支的烷基。構成單元a2-3更佳為具有下述式(a2-30)所表示的基團的構成單元。

所述式(a2-30)中，R³¹表示氫原子或甲基，R³²表示碳數1~20的烷基。

R³²較佳為碳數1~9的烷基，進而佳為碳數1~4的烷基。另外，烷基可為直鏈、分支或環狀的烷基的任一種，較佳為直鏈或分支的烷基。

作為R³²的具體例，可列舉：甲基、乙基、正丁基、異丁基、環己基、及正己基。其中，較佳為異丁基、正丁基、甲基。

<<<構成單元a3>>>

構成單元a3為具有酸基的構成單元(以下亦稱為構成單元a3)。

本發明中的所謂酸基是指pKa小於11的質子解離性基。

作為本發明中所用的酸基，可例示：羧酸基、磺醯胺基、膦酸基、磺酸基、酚性羥基、磺醯基醯亞胺基、以及該些酸基的酸酐基、及將該些酸基中和而製成鹽結構的基團等，較佳為羧酸基及/或酚性羥基。所述鹽並無特別限制，可較佳地例示鹼金屬鹽、鹼土金屬鹽、及有機銨鹽。

本發明中所用的包含酸基的構成單元更佳為源自苯乙烯的構成單元、或源自乙烯基化合物的構成單元、源自(甲基)丙烯酸及/或其酯的構成單元。例如可使用日本專利特開2012-88459號公報的段落0021~段落0023及段落0029~段落0044記載的化合物，將該內容併入至本申請案說明書中。其中，較佳為源自對羥基苯乙烯、(甲基)丙烯酸、馬來酸、馬來酸酐的構成單元。

作為具有酸基的構成單元a3，就感度的觀點而言，較佳為具有羧基的構成單元、或具有酚性羥基的構成單元，更佳為具有羧基的構成單元。

作為具有酸基的構成單元a3，具體可列舉所述源自分子中具有至少一個羧基的不飽和羧酸等的構成單元a1-1-1、同時具有乙烯性不飽和基與源自酸酐的結構的構成單元a1-1-2、具有酚性羥基的構成單元a1-2-1，較佳態樣亦相同。

其中，作為具有酸基的構成單元a3，較佳為源自選自由甲基丙烯酸、丙烯酸及對羥基苯乙烯所組成的組群中的化合物的構成單元[下述式(a3-1)~式(a3-3)的任一者所表示的構成單元]，更佳為源自甲基丙烯酸的構成單元[下述式(a3-1)所表示的構成單元]或源自丙烯酸的構成單元[下述式(a3-2)所表示的構成單元]，進而佳為源自甲基丙烯酸的構成單元[下述式(a3-1)所表示的構成單元]。

<<<構成單元a4>>>

作為成為所述構成單元s1、構成單元a1、構成單元a2及構 成單元a3以外的構成單元a4的單體，並無特別限制，例如可列舉：苯乙烯類、(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環狀烷基酯、(甲基)丙烯酸芳基酯、不飽和二羧酸二酯、雙環不飽和化合物類、馬來醯亞胺化合物類、不飽和芳香族化合物。

形成其他構成單元a4的單體可單獨使用一種或將兩種以上組合使用。

其他構成單元a4具體可列舉由苯乙烯、甲基苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙醯氧基苯乙烯、甲氧基苯乙烯、乙氧基苯乙烯、氯苯乙烯、乙烯基苯甲酸甲酯、乙烯基苯甲酸乙酯、4-羥基苯甲酸(3-甲基丙烯醯氧基丙基)酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、丙烯腈、單乙醯乙酸單(甲基)丙烯酸乙二醇酯等而來的構成單元。除此以外，可列舉日本專利特開2004-264623號公報的段落0021~段落0024中記載的化合物。

另外，作為其他構成單元a4，就電氣特性的觀點而言，較佳為源自苯乙烯類、或具有脂肪族環式骨架的單體的構成單元。具體可列舉：苯乙烯、甲基苯乙烯、α-甲基苯乙烯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸苄酯等。

進而另外，作為其他構成單元a4，就密接性的觀點而言，較佳為源自(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元。具體可列舉：(甲 基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯等，更佳為(甲基)丙烯酸甲酯。構成聚合物的所有構成單元中，所述構成單元a4的含有率較佳為60莫耳%以下，更佳為50莫耳%以下，進而佳為40莫耳%以下。作為下限值，亦可為0莫耳%，但例如較佳為設為1莫耳%以上，更佳為設為5莫耳%以上。若為所述數值的範圍內，則由樹脂組成物所得的硬化膜的諸特性良好。

(聚合物A)

作為所述聚合物A，例如可列舉不含所述構成單元s1且含有所述構成單元a1~構成單元a4的任一種以上的聚合物，其中，如上所述，就於配向保護層中容易形成所述交聯結構的理由而言，較佳為包含具有交聯性基的構成單元a2及/或具有酸基的構成單元a3的聚合物。

<<分子量>>

所述聚合物P及聚合物A的分子量以聚苯乙烯換算重量平均分子量計，較佳為1,000~200,000、更佳為2,000~50,000、進而佳為10,000~20,000的範圍。若為所述數值的範圍內，則諸特性良好。數量平均分子量Mn與重量平均分子量Mw之比(分散度，Mw/Mn)較佳為1.0~5.0，更佳為1.5~3.5。

再者，本發明中的重量平均分子量或數量平均分子量的測定較佳為藉由凝膠滲透層析(Gel Permeation Chromatography，GPC)法來進行測定。關於本發明中的利用凝膠滲透層析法的測定，較 佳為使用HLC-8020GPC(東曹(Tosoh)(股)製造)，並使用TSKgel Super HZ M-H、TSKgel Super HZ4000、TSKgel Super HZ200(東曹(Tosoh)(股)製造，4.6mmID×15cm)作為管柱，使用THF(四氫呋喃(tetrahydrofuran))作為溶離液。

<<製備方法>>

關於所述聚合物P及聚合物A的合成法，亦已知有各種方法，若列舉一例，可藉由使用自由基聚合起始劑使包含用以形成所述各構成單元的自由基聚合性單量體的自由基聚合性單量體混合物於有機溶劑中發生聚合來合成。另外，亦可藉由所謂的高分子反應來合成。

於本發明中，就將厚度方向的延遲(Rth)保持為低的理由而言，聚合物P相對於所述聚合物P及聚合物A的合計質量的質量比例較佳為小於10質量%，更佳為0.1質量%~5質量%。

(交聯劑B)

於本發明中，就提高於視認側設置有彩色濾光片的情形時的平坦性，且暴露於高溫高濕下後的顯示性能亦變得更良好的理由而言，所述配向保護層較佳為含有分子量5000以下的交聯劑B。

作為交聯劑B，只要是藉由熱而引起交聯反應者，則可無限制地使用。

例如，較佳為選自由以下敘述的分子內具有兩個以上的環氧基或氧雜環丁基的化合物、封閉異氰酸酯化合物(具有經保護的異氰酸酯基的化合物)、含烷氧基甲基的化合物、或具有至少一個 乙烯性不飽和雙鍵(乙烯性不飽和基)的化合物所組成的組群中的至少一種，更佳為選自由分子內具有兩個以上的環氧基或氧雜環丁基的化合物、封閉異氰酸酯化合物所組成的組群中的至少一種。

以下，對本發明中可較佳地使用的交聯劑B加以說明。

<<分子內具有兩個以上的環氧基或氧雜環丁基的化合物>>

作為交聯劑B，例如可列舉多官能的小環環狀醚化合物。

即，是指一分子內具有兩個以上的環氧基及/或氧雜環丁基的化合物。

作為分子內具有兩個以上的環氧基的化合物的具體例，可列舉脂肪族環氧化合物等。

該些可作為市售品而獲取。例如可列舉：代那考爾(Denacol)EX-611、代那考爾(Denacol)EX-612、代那考爾(Denacol)EX-614、代那考爾(Denacol)EX-614B、代那考爾(Denacol)EX-622、代那考爾(Denacol)EX-512、代那考爾(Denacol)EX-521、代那考爾(Denacol)EX-411、代那考爾(Denacol)EX-421、代那考爾(Denacol)EX-313、代那考爾(Denacol)EX-314、代那考爾(Denacol)EX-321、代那考爾(Denacol)EX-211、代那考爾(Denacol)EX-212、代那考爾(Denacol)EX-810、代那考爾(Denacol)EX-811、代那考爾(Denacol)EX-850、代那考爾(Denacol)EX-851、代那考爾(Denacol)EX-821、代那考爾 (Denacol)EX-830、代那考爾(Denacol)EX-832、代那考爾(Denacol)EX-841、代那考爾(Denacol)EX-911、代那考爾(Denacol)EX-941、代那考爾(Denacol)EX-920、代那考爾(Denacol)EX-931、代那考爾(Denacol)EX-212L、代那考爾(Denacol)EX-214L、代那考爾(Denacol)EX-216L、代那考爾(Denacol)EX-321L、代那考爾(Denacol)EX-850L、代那考爾(Denacol)DLC-201、代那考爾(Denacol)DLC-203、代那考爾(Denacol)DLC-204、代那考爾(Denacol)DLC-205、代那考爾(Denacol)DLC-206、代那考爾(Denacol)DLC-301、代那考爾(Denacol)DLC-402(以上為長瀨化成(Nagase ChemteX)(股)製造)，賽羅西德(Celloxide)2021P、賽羅西德(Celloxide)2081、賽羅西德(Celloxide)3000、賽羅西德(Celloxide)EHPE3150、艾波利得(EPOLEAD)GT400、賽比納斯(Serubinasu)B0134、賽比納斯(Serubinasu)B0177(大賽璐(Daicel)(股)製造)等。

該些可單獨使用一種或將兩種以上組合使用。

作為分子內具有兩個以上的氧雜環丁基的化合物的具體例，可使用亞龍氧雜環丁烷(Aron Oxetane)OXT-121、亞龍氧雜環丁烷(Aron Oxetane)OXT-221、亞龍氧雜環丁烷(Aron Oxetane)OX-SQ、亞龍氧雜環丁烷(Aron Oxetane)PNOX(以上為東亞合成(股)製造)。

另外，包含氧雜環丁基的化合物較佳為單獨使用或與包含環氧基的化合物混合使用。

<<封閉異氰酸酯化合物>>

作為交聯劑B，亦可較佳地採用封閉異氰酸酯系化合物。

封閉異氰酸酯化合物只要是具有異氰酸酯基經化學性保護的封閉異氰酸酯基的化合物，則並無特別限制，就硬化性的觀點而言，較佳為一分子內具有兩個以上的封閉異氰酸酯基的化合物。

再者，本發明中的所謂封閉異氰酸酯基是指可藉由熱而生成異氰酸酯基的基團，例如可較佳地例示使封閉劑與異氰酸酯基反應而對異氰酸酯基進行了保護的基團。另外，所述封閉異氰酸酯基較佳為可藉由90℃~250℃的熱而生成異氰酸酯基的基團。

另外，作為封閉異氰酸酯化合物，其骨架並無特別限定，只要於一分子中具有兩個異氰酸酯基，則可為任意化合物，可為脂肪族、脂環族或芳香族的聚異氰酸酯，例如可適宜地使用2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、1,6-六亞甲基二異氰酸酯、1,3-三亞甲基二異氰酸酯、1,4-四亞甲基二異氰酸酯、2,2,4-三甲基六亞甲基二異氰酸酯、2,4,4-三甲基六亞甲基二異氰酸酯、1,9-九亞甲基二異氰酸酯、1,10-十亞甲基二異氰酸酯、1,4-環己烷二異氰酸酯、2,2'-二乙基醚二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4'-二異氰酸酯、鄰二甲苯二異氰酸酯、間二甲苯二異氰酸酯、對二甲苯二異氰酸酯、亞甲基雙(環己基異氰酸酯)、環己烷-1,3-二亞甲基二異氰酸酯、環己烷-1,4-二亞甲基二異氰酸酯、1,5-萘二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、3,3'-亞甲基二甲苯-4,4'-二異氰酸酯、4.4'-二苯基醚二異氰酸酯、四氯苯二異氰酸酯、降冰片烷二異氰 酸酯、氫化1,3-二甲苯二異氰酸酯、氫化1,4-二甲苯二異氰酸酯等異氰酸酯化合物及由該些化合物衍生的預聚物型的骨架的化合物。該些中，特佳為甲苯二異氰酸酯(tolylene diisocyanate，TDI)或二苯基甲烷二異氰酸酯(diphenylmethane diisocyanate，MDI)、六亞甲基二異氰酸酯(hexamethylene diisocyanate，HDI)、異佛爾酮二異氰酸酯(isophorone diisocyanate，IPDI)。

作為封閉異氰酸酯化合物的母結構，可列舉：縮二脲型、異三聚氰酸酯型、加合物型、二官能預聚物型等。

作為形成所述封閉異氰酸酯化合物的封閉結構的封閉劑，可列舉：肟化合物、內醯胺化合物、酚化合物、醇化合物、胺化合物、活性亞甲基化合物、吡唑化合物、硫醇化合物、咪唑系化合物、醯亞胺系化合物等。該些中，特佳為選自肟化合物、內醯胺化合物、酚化合物、醇化合物、胺化合物、活性亞甲基化合物、吡唑化合物中的封閉劑。

作為所述肟化合物，可列舉肟、及酮肟，具體可例示：丙酮肟(acetoxime)、甲醛肟(formaldoxime)、環己烷肟、甲基乙基酮肟、環己酮肟、二苯甲酮肟等。

作為所述內醯胺化合物，可例示：ε-己內醯胺、γ-丁內醯胺等。

作為所述酚化合物，可例示：苯酚、萘酚、甲酚、二甲苯酚、鹵素取代苯酚等。

作為所述醇化合物，可例示：甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、環己醇、乙二醇單烷基醚、丙二醇單烷基醚、乳酸烷基酯等。

作為所述胺化合物，可列舉一級胺及二級胺，可為芳香族胺、脂肪族胺、脂環族胺的任一種，可例示：苯胺、二苯基胺、伸乙基亞胺、聚伸乙基亞胺等。

作為所述活性亞甲基化合物，可例示：丙二酸二乙酯、丙二酸二甲酯、乙醯乙酸乙酯、乙醯乙酸甲酯等。作為所述吡唑化合物，可例示：吡唑、甲基吡唑、二甲基吡唑等。

作為所述硫醇化合物，可例示：烷基硫醇、芳基硫醇等。

封閉異氰酸酯化合物可作為市售品而獲取，例如可較佳地使用克羅奈特(Coronate)AP穩定(stable)M、克羅奈特(Coronate)2503、克羅奈特(Coronate)2515、克羅奈特(Coronate)2507、克羅奈特(Coronate)2513、克羅奈特(Coronate)2555、米利奧(Millionate)MS-50(以上為日本聚胺酯工業(股)製造)，塔克奈特(Takenate)B-830、塔克奈特(Takenate)B-815N、塔克奈特(Takenate)B-820NSU、塔克奈特(Takenate)B-842N、塔克奈特(Takenate)B-846N、塔克奈特(Takenate)B-870N、塔克奈特(Takenate)B-874N、塔克奈特(Takenate)B-882N(以上為三井化學(股)製造)，杜拉奈特(Duranate)17B-60PX、杜拉奈特(Duranate)17B-60P、杜拉奈特(Duranate)TPA-B80X、杜拉奈特(Duranate)TPA-B80E、杜拉奈特(Duranate)MF-B60X、杜拉奈特(Duranate)MF-B60B、杜拉奈特(Duranate)MF-K60X、杜拉奈特(Duranate)MF-K60B、杜拉奈特(Duranate)E402-B80B、杜拉奈特(Duranate)SBN-70D、杜拉奈特(Duranate)SBB-70P、 杜拉奈特(Duranate)K6000(以上為旭化成化學(股)製造)，德斯莫(Desmodule)BL1100、德斯莫(Desmodule)BL1265 MPA/X、德斯莫(Desmodule)BL3575/1、德斯莫(Desmodule)BL3272MPA、德斯莫(Desmodule)BL3370MPA、德斯莫(Desmodule)BL3475BA/SN、德斯莫(Desmodule)BL5375MPA、德斯莫(Desmodule)VPLS2078/2、德斯莫(Desmodule)BL4265SN、德斯莫(Desmodule)PL340、德斯莫(Desmodule)PL350、蘇米度(Sumidule)BL3175(以上為住化拜耳胺酯(股)製造)等。

<<含烷氧基甲基的交聯劑>>

作為含烷氧基甲基的化合物，較佳為烷氧基甲基化三聚氰胺、烷氧基甲基化苯并胍胺、烷氧基甲基化甘脲及烷氧基甲基化脲等。該些分別藉由將羥甲基化三聚氰胺、羥甲基化苯并胍胺、羥甲基化甘脲、或羥甲基化脲的羥甲基轉換為烷氧基甲基而獲得。關於該烷氧基甲基的種類並無特別限定，例如可列舉：甲氧基甲基、乙氧基甲基、丙氧基甲基、丁氧基甲基等，就排氣(out gas)的產生量的觀點而言，特佳為甲氧基甲基。

該些化合物中，可列舉烷氧基甲基化三聚氰胺、烷氧基甲基化苯并胍胺、烷氧基甲基化甘脲作為較佳的化合物，就透明性的觀點而言，特佳為烷氧基甲基化甘脲。

關於含烷氧基甲基的交聯劑，亦將其分子量為1,000以下的化合物用於硬化性組成物。

該些含烷氧基甲基的化合物可作為市售品而獲取，例如可較 佳地使用塞梅爾(CYMEL)300、塞梅爾(CYMEL)301、塞梅爾(CYMEL)303、塞梅爾(CYMEL)370、塞梅爾(CYMEL)325、塞梅爾(CYMEL)327、塞梅爾(CYMEL)701、塞梅爾(CYMEL)266、塞梅爾(CYMEL)267、塞梅爾(CYMEL)238、塞梅爾(CYMEL)1141、塞梅爾(CYMEL)272、塞梅爾(CYMEL)202、塞梅爾(CYMEL)1156、塞梅爾(CYMEL)1158、塞梅爾(CYMEL)1123、塞梅爾(CYMEL)1170、塞梅爾(CYMEL)1174、塞梅爾(CYMEL)UFR65、塞梅爾(CYMEL)300(以上為三井氰胺(Mitsui Cyanamid)製造)，尼卡拉克(Nikalac)MX-750、尼卡拉克(Nikalac)MX-032、尼卡拉克(Nikalac)MX-706、尼卡拉克(Nikalac)MX-708、尼卡拉克(Nikalac)MX-40、尼卡拉克(Nikalac)MX-31、尼卡拉克(Nikalac)MX-270、尼卡拉克(Nikalac)MX-280、尼卡拉克(Nikalac)MX-290、尼卡拉克(Nikalac)MS-11、尼卡拉克(Nikalac)MW-30HM、尼卡拉克(Nikalac)MW-100LM、尼卡拉克(Nikalac)MW-390(以上為三和化學(股)製造)等。

於本發明中，作為交聯劑B，較佳為使用具有環氧基的交聯劑。

另外，相對於交聯劑B、聚合物P及聚合物A的合計質量，含有交聯劑B的情形時的含量較佳為30質量%以下，更佳為10質量%~30質量%。

(有機溶劑)

所述保護層形成用組成物較佳為除了所述聚合物以外亦含有 有機溶劑。

作為有機溶劑，可使用公知的有機溶劑，可例示：乙二醇單烷基醚類、乙二醇二烷基醚類、乙二醇單烷基醚乙酸酯類、丙二醇單烷基醚類、丙二醇二烷基醚類、丙二醇單烷基醚乙酸酯類、二乙二醇二烷基醚類、二乙二醇單烷基醚乙酸酯類、二丙二醇單烷基醚類、丁二醇二乙酸酯類、二丙二醇二烷基醚類、二丙二醇單烷基醚乙酸酯類、醇類、酯類、酮類、醯胺類、內酯類等。作為該些有機溶劑的具體例，可參照日本專利特開2009-098616號公報的段落0062。

較佳的具體例可列舉：丙二醇單甲基醚乙酸酯、二乙二醇二乙基醚、二乙二醇乙基甲基醚、丙二醇單甲基醚、1,3-丁二醇二乙酸酯、甲氧基丙基乙酸酯、環己醇乙酸酯、丙二醇二乙酸酯、四氫糠基醇。

就塗佈性的觀點而言，有機溶劑的沸點較佳為100℃~300℃，更佳為120℃~250℃。

可用於本發明的有機溶劑可單獨使用一種或併用兩種以上。 亦較佳為併用沸點不同的溶劑。

就調整為適於塗佈的粘度的觀點而言，相對於組成物的總固體成分100質量份，含有有機溶劑的情形時的含量較佳為100質量份~3,000質量份，更佳為200質量份~2,000質量份，進而佳為250質量份~1,000質量份。

作為組成物的固體成分濃度，較佳為3質量%~50質量%， 更佳為20質量%~40質量%。

(界面活性劑)

所述保護層形成用組成物亦可含有界面活性劑。

作為界面活性劑，可使用陰離子系、陽離子系、非離子系、或兩性的任一種，較佳的界面活性劑為非離子系界面活性劑。作為界面活性劑，較佳為非離子系界面活性劑，更佳為氟系界面活性劑。

作為可用於第1態樣的界面活性劑，例如可列舉：作為市售品的美佳法(Megafac)F142D、美佳法(Megafac)F172、美佳法(Megafac)F173、美佳法(Megafac)F176、美佳法(Megafac)F177、美佳法(Megafac)F183、美佳法(Megafac)F479、美佳法(Megafac)F482、美佳法(Megafac)F554、美佳法(Megafac)F780、美佳法(Megafac)F781、美佳法(Megafac)F781-F、美佳法(Megafac)R30、美佳法(Megafac)R08、美佳法(Megafac)F-472SF、美佳法(Megafac)BL20、美佳法(Megafac)R-61、美佳法(Megafac)R-90(迪愛生(DIC)(股)製造)，弗洛德(Fluorad)FC-135、弗洛德(Fluorad)FC-170C、弗洛德(Fluorad)FC-430、弗洛德(Fluorad)FC-431、諾瓦克(Novec)FC-4430(住友3M(股)製造)，旭嘉德(Asahi Guard)AG7105、旭嘉德(Asahi Guard)AG7000、旭嘉德(Asahi Guard)AG950、旭嘉德(Asahi Guard)AG7600、沙福隆(Surflon)S-112、沙福隆(Surflon)S-113、沙福隆(Surflon)S-131、沙福隆(Surflon)S-141、沙福隆(Surflon) S-145、沙福隆(Surflon)S-382、沙福隆(Surflon)SC-101、沙福隆(Surflon)SC-102、沙福隆(Surflon)SC-103、沙福隆(Surflon)SC-104、沙福隆(Surflon)SC-105、沙福隆(Surflon)SC-106(旭硝子(股)製造)，艾福拓(Eftop)EF351、艾福拓(Eftop)EF352、艾福拓(Eftop)EF801、艾福拓(Eftop)EF802(三菱材料電子化成(股)製造)，福吉特(Ftergent)250(尼奧斯(NEOS)(股)製造)。另外，除了所述以外，亦可列舉KP(信越化學工業(股)製造)，波利弗洛(Polyflow)(共榮社化學(股)製造)，艾福拓(Eftop)(三菱材料電子化成(股)製造)，美佳法(Megafac)(迪愛生(DIC)(股)製造)，弗洛德(Fluorad)(住友3M(股)製造)，旭嘉德(Asahi Guard)、沙福隆(Surflon)(旭硝子(股)製造)，寶理福斯(PolyFox)(歐諾瓦(OMNOVA)製造)等各系列。

另外，作為界面活性劑，亦可列舉日本專利特開2014-238438號公報的段落0151~段落0155中記載的化合物作為較佳例。

相對於組成物的總固體成分100質量份，含有界面活性劑的情形時的含量較佳為0.001質量份~5.0質量份，更佳為0.01質量份~2.0質量份。

界面活性劑可僅包含一種，亦可包含兩種以上。於包含兩種以上的情形時，較佳為其合計量成為所述範圍。

(密接改良劑)

所述保護層形成用組成物亦可含有密接改良劑。

作為密接改良劑，可列舉烷氧基矽烷化合物等。

烷氧基矽烷化合物較佳為使成為基材的無機物例如矽、氧化矽、氮化矽等矽化合物、金、銅、鉬、鈦、鋁等金屬與絕緣膜的密接性提高的化合物。

作為密接改良劑的具體例，例如可列舉：γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、γ-氯丙基三甲氧基矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷等。該些中，較佳為γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷，更佳為γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷。該些可單獨使用一種或將兩種以上組合使用。

相對於組成物的總固體成分100質量份，密接改良劑的含量較佳為0.001質量份~15質量份，更佳為0.005質量份~10質量份。密接改良劑可僅使用一種，亦可使用兩種以上。於使用兩種以上的情形時，較佳為合計量成為所述範圍。

(感光劑)

所述保護層形成用組成物亦可含有感光劑。

作為感光劑，例如可列舉光酸產生劑、醌二疊氮化合物、光自由基起始劑等。

<保護層的形成>

於基材上形成保護層的方法並無特別限制，例如可列舉於基材上塗佈所述保護層形成用組成物的方法。

(塗佈)

將保護層形成用組成物塗佈於基材上的方法並無特別限定，具體而言，例如可列舉：印刷法(例如凹版印刷法、網版印刷法、柔版印刷法、噴墨印刷法、壓印法等)、旋轉塗佈法、狹縫塗佈法、狹縫及旋轉塗佈法、浸漬塗佈法、簾幕式塗佈法等。

(溶媒去除)

於本發明中，亦可於所述塗佈之後且後述配向處理步驟之前，包括將保護層形成用組成物所含的任意的溶媒自皮膜去除的溶媒去除步驟。

溶媒去除步驟根據溶媒的種類或量而處理條件不同，例如於使用N-甲基吡咯啶酮(N-methyl pyrrolidone，NMP)作為溶媒的情形時，較佳為於80℃~150℃左右加熱0.5分鐘~3分鐘左右的步驟，更佳為於90℃~120℃左右加熱0.5分鐘~2分鐘左右的步驟。

<配向保護層的形成(配向處理)>

作為配向處理，例如可列舉摩擦處理法、光配向處理、磁場配向等非接觸型配向法等。

(光配向處理)

於本發明中，於配向性基為光配向性基的情形時，配向處理 較佳為使用波長365nm以下的光的光配向處理。

光配向處理除了使用波長365nm以下的光以外並無特別限定，就獲得均勻的配向的方面而言，較佳為使用偏光的紫外線。 於該情形時，照射偏光的紫外線的方法並無特別限定。再者，作為偏光並無特別限制，例如可列舉直線偏光、圓偏光、橢圓偏光等，其中較佳為直線偏光。

另外，只要實質上獲得偏光即可，亦可自薄膜的法線傾斜一定角度地照射無偏光的光。換言之，亦可自薄膜表面的傾斜方向照射非偏光。所謂「傾斜地照射」，只要是相對於薄膜表面的法線方向而傾斜極角θ(0°<θ<90°)的方向，則並無特別限制，可根據目的來適當地選擇，θ較佳為20°~80°。

作為所使用的光的光源，例如可列舉：氙燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、金屬鹵化物燈等。

藉由對由此種光源所得的紫外線使用干涉濾波器或濾色器等，可限制照射的波長範圍。另外，藉由對來自該些光源的光使用偏光濾波器或偏光稜鏡，可獲得直線偏光。

<熱處理>

於本發明中，就提高薄膜電晶體的可靠性的觀點而言，較佳為第1步驟是於所述配向處理之前或之後實施熱處理的步驟。

作為實施熱處理的方法，例如可適宜列舉：於180℃~350℃的溫度、較佳為200℃~300℃的溫度下將保護層或實施了配向處理的配向保護層加熱20分鐘~60分鐘的方法等。

另外，熱處理較佳為使用加熱板或烘箱等加熱裝置來進行。另外，藉由於氮氣環境下進行熱處理，亦可進一步提高透明性。

[第2步驟]

第2步驟包括將具備基材、薄膜電晶體、顯示電極及配向膜的第2基板與第1基板黏合並封入液晶，於第1基板與第2基板之間形成液晶層，製作液晶顯示裝置的步驟。

再者，第2步驟中的第2基板與本發明的液晶顯示裝置的第2基板相同，其製作方法並無特別限定。

第2步驟中的液晶的封入方法並無特別限定，例如可列舉：於在所述第1基板及第2基板之間夾入間隔物而形成空間後，將液晶封入所形成的空間的方法。

[實施例]

以下，基於實施例對本發明進一步加以詳細說明。以下的實施例中所示的材料、使用量、比例、處理內容、處理順序等只要不偏離本發明的主旨，則可適當變更。因而，本發明的範圍不應受以下所示的實施例限定性的解釋。再者，只要未作特別說明，則「份」、「%」為質量基準。

[具有光配向性基的構成單元(單體a-1)的合成]

使反式-4-羥基肉桂酸甲酯(東京化成工業(股)製造、12.5g、0.07mol)與三乙胺(和光純藥工業(股)製造、7.79g、0.07mol)預先溶解於四氫呋喃(以下簡稱為「THF」)100mL中，於冷卻至0℃後緩慢地滴加甲基丙烯醯氯(東京化成工業(股)製造、7.33g、 0.07mol)。

繼而，對變得渾濁的反應系統加入水500g，攪拌1小時後，進行過濾，獲得14g的具有肉桂酸酯基作為光配向性基的單體a-1。藉由核磁共振(nuclear magnetic resonance，NMR)對結構進行確認。

[具有光配向性基的構成單元(單體a-2)的合成]

使4-羥基-3-甲氧基肉桂酸乙酯(東京化成工業(股)製造、22.2g、0.1mol)預先溶解於二甲基乙醯胺150mL中，添加碳酸鉀(和光純藥工業(股)製造、30g、0.22mol)，並將溫度提昇至90℃。

繼而，滴加4-氯丁醇(和光純藥工業(股)製造、21.6g、0.2mol)，並攪拌3小時。

其後，將反應溶液注入至水1L中，利用2N的HCl加以中和後，利用乙酸乙酯700mL進行萃取，利用飽和食鹽水進行清洗，並進行濃縮。

繼而，藉由矽膠管柱層析法來進行分取，獲得23g的中間體化合物。

使該中間體化合物15g(0.05mol)與三乙胺(和光純藥工業(股)製造、5.6g、0.056mol)溶解於THF 100mL中，並冷卻至0℃。

繼而，滴加甲基丙烯醯氯(東京化成工業(股)製造、5.8g、0.056mol)，攪拌3小時後，將反應溶液注入至水500g中，利用 乙酸乙酯進行萃取後，進行濃縮。

繼而，藉由矽膠管柱層析法進行分取，獲得20g的具有肉桂酸酯基作為光配向性基的單體a-2。

[具有光配向性基的構成單元(單體a-3)的合成]

使對苯二酚(和光純藥工業(股)製造、63.8g、0.58mol)預先溶解於二甲基乙醯胺500mL中，添加碳酸鉀(和光純藥工業(股)製造、40g、0.29mol)，並將溫度提昇至90℃。

繼而，滴加甲基丙烯酸4-氯丁酯(和光純藥工業(股)製造、25.6g、0.145mol)，並攪拌3小時。

其後，將反應溶液注入至水1L中，利用2N的HCl加以中和後，利用乙酸乙酯700mL進行萃取，利用飽和食鹽水進行清洗，並進行濃縮。將粗結晶取出，藉由矽膠管柱層析法進行分取，獲得中間體化合物18g。

使該中間體化合物18g與三乙胺(和光純藥工業(股)製造、7.79g、0.07mol)溶解於THF 100mL中，並冷卻至0℃。

繼而，滴加肉桂醯氯(東京化成工業(股)製造、13.1g、0.07mol)，攪拌3小時後，將反應溶液倒入500g的水中，利用乙酸乙酯進行萃取後，進行濃縮。

繼而，藉由矽膠管柱層析法進行分取，獲得22g的具有查耳酮基作為光配向性基的單體a-3。

[具有光配向性基的構成單元(單體a-4)的合成]

以與「大分子(Macromolecules)」(2004,Vol.37,#7,p.2572) 相同的方式來合成具有偶氮基作為光配向性基的單體a-4。

[具有光配向性基的構成單元(單體a-5)的合成]

以與「聚合物科學雜誌(Journal of Polymer Science)，A輯(Part A)：聚合物化學(Polymer Chemistry)」(2010,Vol.48,#19,4323)相同的方式來合成具有香豆素基作為光配向性基的單體a-5。

[酸基經酸分解性基保護的構成單元(單體e-1)的合成]

將甲基丙烯酸(和光純藥工業(股)製造、86g、1mol)預先冷卻至15℃，添加樟腦磺酸(東京化成工業(股)製造、4.6g、0.02mol)。

繼而，於反應溶液中滴加2-二氫呋喃(川研精細化學(Kawaken Fine Chemicals)(股)製造)、71g、1mol、1.0當量)。

攪拌1小時後，添加飽和碳酸氫鈉(500mL)，利用乙酸乙酯(500mL)進行萃取。

繼而，利用硫酸鎂加以乾燥後，將不溶物過濾，然後於40℃以下進行減壓濃縮，進而對作為殘渣的黃色油狀物進行減壓蒸餾，藉此以無色油狀物的形態獲得125g的沸點(bp.)54℃~56℃/3.5mmHg餾分的甲基丙烯酸四氫-2H-呋喃-2-基酯作為單體e-1(收率80%)。

[具有構成單元s1的聚合物(P1)的合成]

於氮氣流下將二乙二醇甲基乙基醚(以下簡稱為「HS-EDM」)22g加熱攪拌至70℃。歷經2小時滴加所合成的單體a-1(11.1g、 45mol%)、甲基丙烯酸六氟異丙酯(以下簡稱為「HFIP」)(東京化成工業(股)製造、3.5g、15mol%)、甲基丙烯酸(以下簡稱為「MAA」)(和光純藥工業(股)製造、1.7g、20mol%)、甲基丙烯酸縮水甘油酯(以下簡稱為「GMA」)(和光純藥工業(股)製造、2.8g、20mol%)、自由基聚合起始劑(V-65，和光純藥工業(股)製造)497mg(2mol%)、及PGMEA(30g)的混合溶液。滴加結束後，進而於70℃下反應4小時，藉此獲得具有構成單元s1的聚合物P1的PGMEA溶液(固體成分濃度：27%)。

[具有構成單元s1的聚合物(P2~P11)的合成]

除了依據下述第1表來變更單體、起始劑及溶媒的種類以外，以與聚合物P1相同的方法來合成聚合物P2~聚合物P11。再者，下述第1表的各單量體成分一欄中記載的數值是各單量體相對於單量體成分的總量的使用量(mol%)。另外，聚合起始劑一欄中記載的數值是將單量體成分的總量設為100mol%的情形時的mol%。另外，實施例中所用的簡稱為如下敘述。

<簡稱>

．HFIP：甲基丙烯酸六氟異丙酯(東京化成工業(股)製造)

．6FM：甲基丙烯酸三氟乙酯(大阪有機化學工業(股)製造)

．KBM-503：3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷(信越化學工業(股)製造)

．C18MA：甲基丙烯酸十八烷酯(東京化成工業(股)製造)

．MAA：甲基丙烯酸(和光純藥工業(股)製造)

．MMA：甲基丙烯酸甲酯(和光純藥工業(股)製造)

．St：苯乙烯(和光純藥工業(股)製造)

．AA：丙烯酸(和光純藥工業(股)製造)

．GMA：甲基丙烯酸縮水甘油酯(東京化成工業(股)製造)

．OXE-30：(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲基丙烯酸甲酯(大阪有機化學工業(股)製造)

．沙克馬(Cyclomer)M-100：甲基丙烯酸(3,4-環氧環己基)甲酯(大賽璐化學工業(股)製造)

．DCPM：甲基丙烯酸二環戊酯(範克力(Fancryl)FA-513M，日立化成(股)製造)

．NBMA：N-丁氧基甲基丙烯醯胺(三菱麗陽(Mitsubishi Rayon)(股)製造)

．V-601：自由基聚合起始劑(和光純藥工業(股)製造)

．V-65：自由基聚合起始劑(和光純藥工業(股)製造)

．PGMEA：甲氧基丙二醇乙酸酯(大賽璐(Daicel)(股)製造)

．HS-EDM：二乙二醇甲基乙基醚(東邦化學工業(股)製造)

[其他光配向性聚合物的合成]

<聚合物P12的合成>

以與日本專利特開2013-177561號公報的[0161]段落(製備例1)中所記載的光配向性聚合物(A-1)相同的方法來合成聚合物P12。

<聚合物P13的合成>

以與WO2010/150748的[0084]段落(合成例1)中所記載的特定共聚物P1相同的方法來合成聚合物P13。

[具有其他構成單元的聚合物A的製備]

<包含具有酸基經酸分解性基保護的基團的構成單元a1及 具有交聯性基的構成單元a2的聚合物A-1的合成>

於氮氣流下將HS-EDM(82份)加熱攪拌至90℃。

繼而，歷經2小時滴加作為單體e-1而合成的甲基丙烯酸四氫-2H-呋喃-2-基酯(43份(相當於所有單量體成分中的40.5mol%))、OXE-30(48份(相當於所有單量體成分中的37.5mol%))、MAA(6份(相當於所有單量體成分中的9.5mol%))、甲基丙烯酸羥基乙酯(和光純藥工業(股)製造，11份(相當於所有單量體成分中的12.5mol%))、自由基聚合起始劑V-601(4.3份)、及PGMEA(82份)的混合溶液，進而於90℃下反應2小時，藉此獲得聚合物A-1的溶液(固體成分濃度：40%)。

再者，所得的聚合物A-1的利用凝膠滲透層析(GPC)而測定的重量平均分子量為15,000。

<包含具有酸基經酸分解性基保護的基團的構成單元a1的聚合物A-2的合成>

於氮氣流下將PGMEA(238g)加熱攪拌至90℃。

繼而，歷經2小時滴加作為單體e-1而合成的甲基丙烯酸四氫-2H-呋喃-2-基酯(240g(相當於所有單量體成分中的61.1mol%))、MAA(50.4g(相當於所有單量體成分中的17.6mol%))、MMA(27.9g(相當於所有單量體成分中的21.3mol%))、自由基聚合起始劑V-601(14.7g)、及PGMEA(238g)的混合溶液，進而於90℃下反應2小時，冷卻後追加PGMEA(42g)，藉此獲得聚合物A-2的溶液(固體成分濃度：38%)。

所得的聚合物A-2的利用凝膠滲透層析(GPC)而測定的重量平均分子量為15,000。

<包含具有交聯性基的構成單元a2的聚合物A-3的合成>

於氮氣流下將HS-EDM(145g)加熱攪拌至70℃。

繼而，歷經2小時滴加GMA(144.7g(67.9mol%))、MAA(16.7g(12.9mol%))、St(28.1g(18.0mol%))、DCPM(3.87g(1.17mol%))、自由基聚合起始劑V-65(20.8g(5.6mol%單體量換算))、及HS-EDM(145g)的混合溶液。

滴加結束後，於70℃下反應4小時，藉此獲得聚合物A-3的PGMEA溶液(固體成分濃度：35%)。

<包含具有酸基的構成單元a3及具有交聯性基的構成單元a2的聚合物A-4>

於氮氣流下將PGMEA(268份)加熱攪拌至90℃。

繼而，歷經2小時滴加作為單體e-1而合成的甲基丙烯酸四氫-2H-呋喃-2-基酯(143.4份(相當於所有單量體成分中的40.1mol%))、Cyclomer M-100(168.4份(相當於所有單量體成分中的37.5mol%))、MAA(19.5份(相當於所有單量體成分中的9.9mol%))、甲基丙烯酸羥基乙酯(和光純藥工業(股)製造，37.2份(相當於所有單量體成分中的12.5mol%))、自由基聚合起始劑V-601(5.5份)、及PGMEA(268份)的混合溶液，進而於90℃下反應2小時，藉此獲得聚合物A-4的溶液(固體成分濃度：40%)。

再者，所得的聚合物A-4的利用凝膠滲透層析(GPC)而測定的重量平均分子量為16,000。

<包含具有酸基的構成單元a3及具有交聯性基的構成單元a2的聚合物A-5>

對燒瓶內進行氮氣置換後，投入459.0g的溶解有2,2'-偶氮雙異丁腈9.0g的二乙二醇二甲基醚溶液。

繼而，投入St(22.5g)、MAA(45.0g)、DCPM(67.5g)、及GMA(90.0g)後，開始緩緩地攪拌。

繼而，使溶液的溫度上昇至80℃，將該溫度保持5小時後，以90℃加熱1小時而使聚合結束。

其後，將反應生成溶液滴加至大量的水中而使反應物凝固。 對該凝固物進行水洗後，再溶解於THF(200g)，利用大量的水再次使其凝固。

累計進行3次所述再溶解及凝固的操作後，於60℃下對所得的凝固物進行48小時減壓乾燥，獲得聚合物A-5。其後，以固體成分濃度成為25質量%的方式使用二乙二醇製成聚合物A-5的溶液。

<聚合物A-6>

以與日本專利特開2013-177561號公報的[0165]段落(製備例5)中所記載的非配向性聚合物(E-1)相同的方法來合成聚合物A-6。

[交聯劑B]

使用以下所示者作為交聯劑B。

<B-1>

使用多官能環氧化合物(奧古索爾(OGSOL)EG，大阪氣體(股)製造)作為分子量5,000以下的交聯劑B-1。

<B-2>

使用多官能環氧化合物(EX-321L，長瀨化成(Nagase ChemteX)(股)製造)作為分子量5,000以下的交聯劑B-2。

<B-3>

使用多官能環氧化合物(JER57S65，日本環氧樹脂(Japan Epoxy Resin)(股)製造)作為分子量5,000以下的交聯劑B-3。

[其他成分]

<F-554>

使用含全氟烷基的非離子界面活性劑(F-554，迪愛生(DIC)(股)製造)作為界面活性劑。

<KBM-403>

使用γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷(KBM-403，信越化學工業(股)製造)作為密接改良劑。

[實施例1~實施例24及比較例1~比較例6]

將下述第2表所示的各成分溶解混合於溶劑(PGMEA)中直至固體成分濃度成為18質量%為止，利用口徑0.2μm的聚四氟乙烯製過濾器進行過濾，製備各實施例及比較例的樹脂組成物。再者，表中的添加量表示以各成分的固體成分計的添加量，單位為 質量份。

藉由旋轉塗佈法將所得的樹脂組成物塗佈於玻璃基板上，於80℃的加熱板上進行1分鐘預乾燥後，於230℃的潔淨烘箱中進行60分鐘煅燒，形成3μm的外塗層的硬化膜。

藉由表面．界面切削裝置(DN-20S型、戴普拉溫特斯(Daipla Wintes)公司製造)對所形成的硬化膜進行斜向切削，使剖面露出。

對於露出的剖面，藉由所述測定裝置及條件測定源自配向性基的片段的質譜的強度ELq、及強度ESub，測定該些的強度比(強度ELq/強度ESub)，藉由以下基準進行評價。將結果示於下述第2表。再者，於製作後述的顯示裝置後對配向保護層進行相同的試驗，結果相同。

A：強度比為10倍以上或強度ESub為測定界限以下

B：強度比為8倍以上~小於10倍

C：強度比為5倍以上~小於8倍

D：強度比為2倍以上~小於5倍

E：強度比小於2倍

F：無片段峰值

[評價]

<配向性>

於無鹼玻璃基板上，藉由旋轉塗佈機(旋塗器(spinner))塗佈所製備的各樹脂組成物後，於100℃的加熱板上進行2分鐘預烘 烤，藉此形成膜厚4.0μm的塗膜。

繼而，使用高壓水銀燈，將曝光量設為1000J/m²來對所得的塗膜進行放射線照射，繼而，於烘箱中以230℃的硬化溫度及30分鐘的硬化時間進行後烘烤，藉此形成保護層。

對於所形成的保護層，使用紫外線偏光曝光裝置(HC-2150PUFM，蘭技術服務(LAN TECHNICAL SERVICE)(股)製造)照射750mJ/cm²的偏向光，實施光配向處理而形成配向保護層。

其後，塗佈水平配向液晶，利用偏光顯微鏡以倍率20倍來觀察配向狀態。變換場所，於5個視野(約1平方μm)進行觀察，藉由以下基準進行評價。將結果示於下述第3表。

A：不存在問題。

B：看得到濃淡，但為實用上無問題的水準。

C：存在缺陷，觀察到亮點。

D：完全未配向。

<延遲(Rth)>

於無鹼玻璃基板上，藉由旋轉塗佈機塗佈所製備的各樹脂組成物後，於100℃的加熱板上進行2分鐘預烘烤，藉此形成膜厚4.0μm的塗膜。

繼而，使用高壓水銀燈，將曝光量設為1000J/m²來對所得的塗膜進行放射線照射，繼而，於烘箱中以230℃的硬化溫度及30分鐘的硬化時間進行後烘烤，藉此形成保護層。

對於該保護層，使用相位差測定裝置KOBRA-WFD(王子計測機器股份有限公司製造)來評價雙折射。將結果示於第3表。再者，雙折射是由顯示的角度偏差而引起，因此只要未超過30nm，則實用上無問題，較佳為數值低。

<平坦性>

製作高1μm、寬10μm的L/S圖案(L/S寬的比為1：1)，自其上藉由旋轉塗佈機而塗佈樹脂組成物，以90℃/120秒進行預烘烤後，於烘箱中以230℃/30分鐘使其熱硬化，獲得2μm的硬化膜。

藉由下述式來定義、計算所得的硬化膜的平坦性。將結果示於下述第3表。再者，關於平坦性，數值越接近100則平坦化能力越高，實用上要求為70%以上。

平坦性(%)=(1-△d/H)×100

此處，所述式中，△d是指L/S圖案上部的硬化膜的膜厚與硬化膜的膜厚(2μm)的差分(μm)，H是指基底的L/S圖案的膜厚(μm)。

<顯示特性>

(1)陣列基板的製造

依據國際公開(WO)2009/025386號手冊的實施例42的記載，於陣列基板上形成形成有接觸孔的絕緣膜。

繼而，對於形成有絕緣膜的基板，使用濺鍍法於絕緣膜上形成包含ITO的透明導電層。其次，利用光微影法對透明導電層進行蝕刻，於絕緣膜上形成公用電極。

其後，使用濺鍍法形成SiN的絕緣層。其次，利用光微影法對SiN層進行蝕刻，於形成有公用電極的基板的表面形成經圖案化的SiN的絕緣膜。

其次，使用濺鍍法，於層間絕緣膜上形成包含ITO的透明導電層。繼而，利用光微影法對該透明導電層進行蝕刻，於無機絕緣膜上形成梳齒形狀的畫素電極。

如上所述般製造本實施例的陣列基板。所得的本實施例的陣列基板中，於絕緣膜的所期望的位置形成有所期望的尺寸的接觸孔，實現了畫素電極與主動元件的源極-汲極電極的電性連接。

於陣列基板的透明電極上，藉由旋塗器而塗佈國際公開(WO)2009/025386號手冊的實施例6中記載的液晶配向劑A-1作為包含具有光配向性基的感放射線性聚合物的液晶配向劑。繼而，藉由80℃的加熱板進行1分鐘預烘烤後，於對內部進行了氮氣置換的烘箱中，以180℃加熱1小時而形成膜厚80nm的塗膜。繼而，對該塗膜表面，使用Hg-Xe燈及格蘭．泰勒稜鏡(Glan Taylor Prism)，自相對於與基板表面垂直的方向而傾斜40°的方向照射包含313nm的明線的偏光紫外線200J/m²，從而製造具有液晶配向膜的陣列基板。

(2)對向基板的製造

首先，準備藉由公知的方法所製造的彩色濾光片基板。該彩色濾光片基板中，紅色、綠色及藍色的三色的微小著色圖案、與黑矩陣呈格子狀地配置於透明基板上。其次，於彩色濾光片基板的著色圖案與黑矩陣上，使用所述第2表所示的實施例1~實施例24及比較例1~比較例6的樹脂組成物來形成塗膜，以90℃/120秒進行預烘烤後，於烘箱中以230℃/30分鐘使其熱硬化而製作保護膜。繼而，對於保護膜，使用紫外線偏光曝光裝置(HC-2150PUFM，蘭技術服務(股)製造)實施照射750mJ/cm²的偏向光的光配向處理而形成2μm的配向保護膜，從而製造對向基板。

(3)顯示裝置的製造

藉由所得的帶有配向保護膜的對向基板、及陣列基板來夾持液晶層，製造彩色液晶顯示元件。作為液晶層，使用包含向列液晶且與基板面平行地進行配向者。對該些液晶顯示元件評價顯示特性與可靠性。

(4)評價

將液晶顯示元件於溫度60℃/濕度90%的烘箱中靜置一週，進行再次驅動的評價。將結果示於下述第3表。

A：完全未產生顯示不良者

B：畫素的1%以上~小於10%產生了顯示不良，但實用上無問題者

C：畫素的10%以上產生了顯示不良者

D：剛製造不久後便無法顯示者

根據第1表~第3表所示的結果，可知於配向保護層不具有配向性基的情形時，無法檢測出源自配向性基的片段，即便為剛製作不久後的液晶顯示元件，顯示特性亦差(比較例1~比較 例2)。

另外，可知於比較例3及比較例4中，雖然配向保護層的源自配向性基的片段的強度ELq為強度ESub的2倍以上，但不具有經由共價鍵而相互連結的配向性基及交聯結構，因此暴露於高溫高濕下後的顯示特性差(比較例3~比較例4)。

進而，可知於使用不具有用以使配向性基偏向存在的偏向存在性基的聚合物的情形時，所形成的配向保護層的源自配向性基的片段的強度ELq小於強度ESub的2倍，即便為剛製作不久後的液晶顯示元件，顯示特性亦差(比較例5~比較例6)。

另一方面，可知於使用具有構成單元s1及構成單元a2等的聚合物、以及不具有構成單元s1而具有構成單元a3等的聚合物的情形時，若所形成的配向保護層具有經由共價鍵而相互連結的配向性基及交聯結構，另外，源自配向性基的片段的質譜的強度ELq及強度ESub的強度比(強度ELq/強度ESub)滿足既定的條件，則維持優異的平坦性，且於暴露於高溫高濕下的情形時顯示性能亦良好(實施例1~實施例24)。

尤其，根據實施例1與實施例24的對比，可知若調配分子量5000以下的交聯劑B，則平坦性提高，另外，顯示性能亦變得更良好。

Claims (13)

1. 一種液晶顯示裝置，自視認側起依序具有第1基板、液晶層及第2基板，並且所述第1基板具備基材、彩色濾光片及配向保護層，所述第2基板具備基材、薄膜電晶體、顯示電極及配向膜，所述配向保護層具有與所述液晶層接觸的面，所述配向保護層具有經由共價鍵而相互連結的配向性基及交聯結構，關於藉由飛行時間二次離子質譜法所檢測出的源自所述配向性基的片段，所述配向保護層的與所述液晶層接觸的面中源自所述配向性基的片段的質譜的強度ELq、與所述配向保護層的所述基材側的面中源自所述配向性基的片段的質譜的強度ESub滿足下述條件1或條件2，且所述交聯結構包含由下述式(A-1)~式(A-3)所表示的任一種結構，所述源自配向性基的片段為源自選自由肉桂酸酯基及查耳酮基所組成的群組中的至少一種光配向性基的片段，條件1：強度ELq為強度ESub的2倍~20倍；條件2：強度ELq有效地測定，強度ESub為測定界限以下；

   

   此處，所述式(A-1)~式(A-3)中，*表示鍵結位置，所述式(A-3)中，R¹表示氫原子或碳數1~6的烷基。
2. 如申請專利範圍第1項所述的液晶顯示裝置，其中所述強度ELq為所述強度ESub的5倍~20倍。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的液晶顯示裝置，其中所述配向性基是使光配向性基光反應而成的基團。
4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的液晶顯示裝置，其中所述配向保護層的膜厚為1μm~4μm。
5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的液晶顯示裝置，其中構成所述液晶層的液晶為水平配向液晶。
6. 一種液晶顯示裝置的製造方法，其包括：第1步驟，使用含有聚合物P及聚合物A的配向保護層形成用組成物於具有彩色濾光片的基材上形成保護層後，對所述保護層實施配向處理而形成配向保護層，以製作第1基板，所述聚合物P包含具有配向性基的構成單元，所述聚合物A不含具有配向性基的構成單元，所述配向性基為選自由肉桂酸酯基及查耳酮基所組成的群組中的至少一種光配向性基；以及第2步驟，將具備基材、薄膜電晶體、顯示電極及配向膜的第2基板與所述第1基板黏合並封入液晶，於所述第1基板與所述第2基板之間形成液晶層，以製作液晶顯示裝置。
7. 如申請專利範圍第6項所述的液晶顯示裝置的製造方法，其中所述聚合物P包含下述s1所示的構成單元作為所述具有 配向性基的構成單元，所述聚合物P及所述聚合物A滿足下述條件3或條件4，s1：具有選自由氟取代烴基、矽氧烷骨架及碳數10~30的烷基所組成的組群中的至少一種部分結構的構成單元，以及具有光配向性基的構成單元條件3：所述聚合物P包含具有交聯性基的構成單元a2，且所述聚合物A包含具有酸基的構成單元a3；條件4：所述聚合物P包含具有酸基的構成單元a3，且所述聚合物A包含具有交聯性基的構成單元a2。
8. 如申請專利範圍第7項所述的液晶顯示裝置的製造方法，其中所述交聯性基是選自由氧雜環丙基、3,4-環氧環己基、及氧雜環丁基所組成的群組中的至少一種。
9. 如申請專利範圍第6項至第8項中任一項所述的液晶顯示裝置的製造方法，其中所述聚合物P相對於所述聚合物P及所述聚合物A的合計質量的質量比例小於10質量%。
10. 如申請專利範圍第6項至第8項中任一項所述的液晶顯示裝置的製造方法，其中所述配向保護層形成用組成物更含有分子量5000以下的交聯劑B。
11. 如申請專利範圍第10項所述的液晶顯示裝置的製造方法，其中所述交聯劑B包含具有環氧基的交聯劑，所述交聯劑B相對於所述交聯劑B、所述聚合物P及所述聚合物A的合計質量的質量比例為30質量%以下。
12. 如申請專利範圍第6項至第8項中任一項所述的液晶顯示裝置的製造方法，其中所述配向性基為光配向性基，所述配向處理是使用波長365nm以下的光的光配向處理。
13. 如申請專利範圍第6項至第8項中任一項所述的液晶顯示裝置的製造方法，其中所述第1步驟於所述配向處理之前或之後包含實施熱處理的步驟。

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