JP4569221B2 - テトラカルボン酸二無水物、それを原料とする重合体、これらを用いたワニス、配向膜および液晶表示素子 - Google Patents
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(1)液晶分子に適切なプレチルト角を付与すること。しかも、該プレチルト角が、ラビング時の押込み強度や、加熱時の温度条件による影響を受けにくいこと。
(2)液晶分子の配向の欠陥が発生しないこと。
(3)液晶表示素子に適切な電圧保持率(Voltage Holding Ratio:VHR)を与えること。
(4)液晶表示素子に任意の画像を長時間表示させた後、別の画像に変えた時に前の画像が残像として残る「焼き付き」と呼ばれる現象が起きにくいこと。
特にTFT型、IPS型またはVA型の表示素子に用いられる高品質な配向膜には、高い電圧保持率を有し、しかも焼き付き現象を起こしにくいことが要求されている。
[1] 式(101)または式(102)で表されるテトラカルボン酸二無水物。
式(101)および式(102)において、R101およびR102はそれぞれ独立して、水素または炭素数1〜50の有機基であり;Cycleは芳香族環または脂肪族環であり、芳香族環または脂肪族環上の任意の水素は炭素数1〜50の1価の有機基またはハロゲンで置き換えられていてもよい。
[2] 式(102)で表されるテトラカルボン酸二無水物が、Cycleが芳香族環または脂肪族環であり、芳香族環または脂肪族環上の任意の水素が炭素数1〜50の1価の有機基、フッ素、塩素、または臭素で置き換えられていてもよい、[1]項に記載のテトラカルボン酸二無水物。
式(1)、式(2)および式(3)において、R1〜R14はそれぞれ独立して、炭素数1〜50の1価の有機基、水素またはフッ素である。
[5] 式(1)、式(2)および式(3)において、R1〜R14がそれぞれ独立して、任意のメチレンが酸素もしくは硫黄で置き換えられてもよい炭素数1〜20のアルキル、水素またはフッ素である[3]項に記載のテトラカルボン酸二無水物。
[6] 式(1)、式(2)および式(3)において、R1〜R14がそれぞれ独立して、任意のメチレンが酸素もしくは硫黄で置き換えられてもよい炭素数1〜6のアルキル、水素またはフッ素である[3]項に記載のテトラカルボン酸二無水物。
[7] 式(1)、式(2)および式(3)において、R1〜R14がそれぞれ独立して、炭素数1〜6のアルキル、水素またはフッ素である[3]項に記載のテトラカルボン酸二無水物。
[8]式(1)、式(2)および式(3)において、R1〜R14がそれぞれ独立して、炭素数1〜3のアルキルまたは水素である[3]項に記載のテトラカルボン酸二無水物。
[10] [1]〜[8]項のいずれか1項に記載のテトラカルボン酸二無水物およびジカルボン酸もしくはその誘導体をジアミンと反応させて得られる重合体。
本発明のテトラカルボン酸二無水物は、式(101)または式(102)で表されるテトラカルボン酸二無水物である。本発明の好ましい態様のテトラカルボン酸二無水物は、式(1)、式(2)または式(3)で表されるテトラカルボン酸二無水物である。これらの酸二無水物由来の構成単位を有する重合体を含有するワニスから形成される配向膜を用いると、前述の特性(1)〜(4)を満足する液晶表示素子を得ることができる。式(101)、式(102)、式(1)、式(2)、式(3)で表わされる化合物をそれぞれ化合物(101)、化合物(102)、化合物(1)、化合物(2)、化合物(3)と表記することがある。
Rは炭素数1〜50の1価の有機基である。
各パターンとも、Hの代わりにそれぞれ独立してFであってもよい。
Rは炭素数1〜50の1価の有機基である。
各パターンとも、Hの代わりにそれぞれ独立してFであってもよい。
Rは炭素数1〜50の1価の有機基である。
各パターンとも、Hの代わりにそれぞれ独立してFであってもよい。
ポリアミック酸は、本発明のテトラカルボン酸二無水物として化合物(1)、化合物(2)または化合物(3)を溶媒中でジアミンと反応させることによって得られる。ポリイミドは、このポリアミック酸の脱水反応等によって得られる。ポリアミドイミドは、本発明のテトラカルボン酸二無水物として化合物(1)、化合物(2)または化合物(3)、ジアミン、およびトリカルボン酸またはジカルボン酸またはこれらの酸の誘導体とを反応させて得られる。なお、トリカルボン酸またはジカルボン酸の誘導体とは、トリカルボン酸のトリメチルエステル、ジメチルエステル、トリエチルエステル、ジエチルエステル、ジカルボン酸のジメチルエステル、ジエチルエステルなどをいう。反応は通常の公知の反応条件で行えばよい。このとき、本発明のテトラカルボン酸二無水物を単独で使用してもよく、本発明のテトラカルボン酸二無水物を2つ以上組み合わせて使用してもよく、更に本発明のテトラカルボン酸二無水物と公知のテトラカルボン酸二無水物とを組み合わせて使用してもよい。
式(5)において、R15およびR17はそれぞれ独立して、炭素数1〜3のアルキルまたはフェニルであり、R15およびR17は同じ基であっても異なる基であってもよい;R16はメチレン、フェニレンまたはアルキル置換されたフェニレンである;vは1〜6の整数である;wは1〜10の整数である。
本発明のワニスは、化合物(1)、化合物(2)または化合物(3)を原料の一部として反応させて得られる重合体を含有する。本発明のワニスは該反応に用いられた反応混合物そのものであってもよいが反応混合物から溶媒を留去して得られた固形物(以下、反応生成物と略称することがある。)を、該反応に用いたのと異なる溶媒に溶解させた溶液であってもよい。
本発明の反応生成物を有機溶媒に溶解してなるワニスを調製するために使用される溶媒の例は、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)、ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチルアセトアミド(DMAc)、ジメチルスルホキシド(DMSO)、エチレングリコールモノブチルエーテル(BC)、エチレングリコールモノエチルエーテル、およびγ−ブチロラクトンである。これらの2種以上を混合して用いてもよい。また、上記溶媒以外であっても反応生成物が可溶であればこれら以外の溶媒を用いてもよい。
上記ポリアミドイミドを添加して用いる場合のポリアミドイミドのワニスへの添加量は、ワニスに含有される反応生成物固形分に対して、0.01〜30重量%、好ましくは0.01〜10重量%、より好ましくは0.1〜5重量%である。
本発明の配向膜の製造方法は特に限定されるものではないが、具体的にはワニスの総重量の0.1〜30重量%、好ましくは1〜10重量%の濃度となるように、本発明の反応生成物である重合体およびその他の成分を溶媒に溶解し、この溶液(ワニス)を刷毛塗り法、浸漬法、スピンナー法、スプレー法、印刷法等により基板上に塗布する。その後50〜150℃、好ましくは80〜120℃で溶媒を蒸発させた後、150〜400℃、好ましくは180〜280℃で加熱焼成し、成膜する。塗布前に基板表面上をシランカップリング剤で処理し、その上に成膜すれば膜と基板との接着性を改善できる。その後この膜表面を布などで一方向にラビングすると、配向膜が得られる。
本発明のテトラカルボン酸二無水物は、液晶配向膜用重合体の原料以外にも、各種ポリイミドコーティング剤、ポリイミド樹脂の成形品、フィルムまたは繊維等に利用することができる。
本発明の配向膜を使用すれば、公知の全ての液晶表示素子に関し、その特性を改善できるが、特に高い電圧保持率が要求されるTFT用液晶表示素子の焼き付き改善に本発明の配向膜は効果が大きい。このようなTFT用液晶表示素子に使用される液晶組成物の例として、特許第3086228号、特許2635435号、特表平5−501735、および特平開9−255956等に記載された液晶組成物が挙げられる。したがって本発明の配向膜はこれらに記載された液晶組成物と組み合わせて用いることが特に好ましい。
1.プレチルト角
クリスタルローテーション法により測定した。
2.焼き付き(残留DC電圧)
三宅他、信学技報、EID91−111,p19に記載の方法により、残留DC電圧を測定した。この残留DC電圧を焼き付きの指標にした。残留DC電圧が高いほど焼き付きやすいと判定した。測定時液晶セルに印加した電圧は、50mV、1kHzの交流と、周波数0.0036Hzの三角波を重畳させた交流電圧である。
3.電圧保持率
「水嶋他、第14回液晶討論会予稿集 p78」に記載の方法により、ゲート幅69μs、周波数60Hz、波高±4.5Vの矩形波をセルに印加して残留DC電圧を測定した。
実施例中に記載された諸物性の測定値は、特に断りのない限り25℃で測定した値である。
1,2,3,4−テトラヒドロ−1,4−メタノナフタレン−1,2−3,4−テトラカルボン酸二無水物(1−1)の合成
市販のインデン11.6g (100mmol)とヘキサメチル亜燐酸アミド溶液35.8g(200mmol)とを反応容器に仕込み、0℃に冷やしてから、これに窒素雰囲気下でt−ブチルリチウム/ペンタン溶液(130ml、1.6M) を滴下した。室温にて30分反応した後、6時間還流した。室温に冷やしてからクロロギ酸エチル(23.8g、220mmol)をすばやく加え、さらに30分間反応させた。その後、反応混合物を氷水、2N塩酸で処理して、トルエンで抽出した。カラム精製、再結晶を経て、1,3−ジエチルカルボキシインデンを18g、70%の収率で得た。
無水マレイン酸6.86g(70mmol)と1,3−ジエチルカルボキシインデン18g(70mmol)のキシレン溶液(25ml)を窒素雰囲気下で40時間還流した。溶媒を留去し、トルエンにて再結晶した。1,2,3,4−テトラヒドロ−1,4−メタノナフタレン−1,4−ジエチルカルボキシ−2,3−ジカルボン酸二無水物17.9gを得た。
(2)で得られたエステルを6N塩酸20mlとアセトン100mlの混合溶媒にて2時間還流した。室温に戻して、溶媒を留去した。得られた固体を水で再結晶し、1,2,3,4−テトラヒドロ−1,4−メタノナフタレン−1,2−3,4−テトラカルボン酸14.4gを得た。
(3)で得られたテトラカルボン酸の無水酢酸溶液(10ml)を窒素雰囲気下で20時間還流した後、溶媒を留去した。トルエンを用いて再結晶し、1,2,3,4−テトラヒドロ−1,4−メタノナフタレン−1,2−3,4−テトラカルボン酸二無水物12.8gを得た。該化合物の構造は1H−NMRにより確定された。1H−NMRのデータ値は下記のとおりであった。
1H−NMR(ppm):2.91(CH2,d,J=7Hz),3.80(CH,s),6.91−7.30(aromatic H,br).
ポリアミック酸の合成
攪拌機、窒素導入口、温度計、および原料導入口を供えた100mlの4つ口フラスコに、4,4'−ジアミノジフェニルメタン(以下、DDMと略称する。)792mg(4mmol)を入れ、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)10gに溶解した。ここに実施例1で合成した1,2,3,4−テトラヒドロ−1,4−メタノナフタレン−1,2−3,4−テトラカルボン酸二無水物284mg(1mmol)を加え、6時間攪拌した。その後、この反応混合物をNMP30gで希釈することにより、ポリアミック酸約5重量%の透明溶液が得られた。この溶液中の重合体の重量平均分子量をポリスチレン標準のゲルパーミエーションクロマトグラフィー(カラム:Shodex GF−7MHQ、溶媒:DMF、流量:0.5ml/min、測定温度:50℃)で測定したところ、5.7万であった。また、この溶液の25℃での粘度は35mPa・sであった。以下、この溶液をワニスAとする。
実施例2に準じた方法によって、表8に示した原料モル比の酸二無水物およびジアミンを用いて実施例3〜5のワニスを調製した(表8には実施例2も再掲する)。また、本発明の化合物以外の酸二無水物を用いて得られた比較例1〜3のワニスについても、表8に示した。これらのワニス中の重合体の重量平均分子量およびワニスの粘度を表9に示した。
BHTAC:ビシクロ[2,2,1]ヘプタン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物: (表7、No.5−13)
DDM:4,4’−ジアミノジフェニルメタン: (表4、No.4−13)
DDEt:4,4’−ジアミノジフェニルエタン: (表4、No.4−18)
Claims (12)
- 式(1)、式(2)および式(3)において、R1〜R14がそれぞれ独立して、フェニル、シクロヘキシル、任意のメチレンが酸素もしくは硫黄で置き換えられてもよいアルキル、これらの基を有する炭素数1〜50の1価の有機基、水素、またはフッ素である請求項1に記載のテトラカルボン酸二無水物。
- 式(1)、式(2)および式(3)において、R1〜R14がそれぞれ独立して、任意のメチレンが酸素もしくは硫黄で置き換えられてもよい炭素数1〜20のアルキル、水素またはフッ素である請求項1に記載のテトラカルボン酸二無水物。
- 式(1)、式(2)および式(3)において、R1〜R14がそれぞれ独立して、任意のメチレンが酸素もしくは硫黄で置き換えられてもよい炭素数1〜6のアルキル、水素またはフッ素である請求項1に記載のテトラカルボン酸二無水物。
- 式(1)、式(2)および式(3)において、R1〜R14がそれぞれ独立して、炭素数1〜6のアルキル、水素またはフッ素である請求項1に記載のテトラカルボン酸二無水物。
- 式(1)、式(2)および式(3)において、R1〜R14がそれぞれ独立して、炭素数1〜3のアルキルまたは水素である請求項1に記載のテトラカルボン酸二無水物。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載のテトラカルボン酸二無水物をジアミンと反応させて得られるポリアミック酸。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載のテトラカルボン酸二無水物をジアミンと反応させて得られるポリアミック酸の脱水反応によって得られるポリイミド。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載のテトラカルボン酸二無水物およびトリカルボン酸またはジカルボン酸またはこれらの酸の誘導体をジアミンと反応させて得られるポリアミドイミド。
- 請求項7〜9に記載の重合体から選ばれる少なくとも1つの重合体および溶媒を含有するワニス。
- 請求項10に記載のワニスから形成される配向膜。
- 請求項11に記載の配向膜を有する液晶表示素子。
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