TWI695448B - 真空處理裝置的運轉方法 - Google Patents

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磯村僚一
小川恵太郎
櫻木崇弘
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日商日立全球先端科技股份有限公司
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Abstract

[課題]提供可以提升處理之良率的真空處理裝置的運轉方法。 [解決手段]一種真空處理裝置的運轉方法，該真空處理裝置具備：經由中間室連結的複數個真空搬送室；及在該真空搬送室分別被連結的複數個真空處理室；該真空處理裝置的運轉方法中，經由中間室連通複數個真空搬送室，裝置被配置的狀況下可以控制成為最適合的氣體流向。

Description

真空處理裝置的運轉方法
本發明關於具備複數個處理單元的真空處理裝置及其運轉方法，該處理單元係在真空容器內部所配置的處理室內使用該處理室內生成的電漿對處理對象之試料進行處理者，特別是，在經由可以收納試料的中間室被連結的複數個真空搬送室的各個連結有上述複數個處理單元之各個的真空處理裝置及其運用方法。
作為此種真空處理裝置之習知技術之例，特開2014-179431號公報(專利文獻1)所記載者為已知。該習知技術中揭示的真空處理裝置，係具備：第1及第2真空搬送容器，具有在減壓的內側進行晶圓之搬送的真空搬送室；第1及第2真空處理容器，與彼等真空搬送容器之各個連結，且於各個之內側具備與該連結的真空搬送室連通之處理室；中間室容器，在第1與第2真空搬送容器之間與彼等連結而配置，且於其內部具有可以收納晶圓的收納室；鎖載室(lock chamber)，係與第1、第2真空搬送容器之中配置於真空處理裝置之前方側的第1真空搬送容器連結，且其內部的晶圓收納用之空間可與第1真空搬送容器內的真空搬送室連通而構成；複數個閘閥，配置於第1、第2真空搬送容器和與彼等的各個連結的真空處理容器、中間室容器及鎖載室的各個之間，開啟彼等之間之連通或使氣密地閉塞。
特別是，該習知技術中，經由中間室容器來連通第1及第2真空搬送室而一邊對彼等之內部的真空搬送室之中與鎖載室連結的第1真空搬送容器內的真空搬送室供給作為潔淨氣體的惰性氣體(稀有氣體)，一邊對配置於遠離鎖載室之位置的第2真空搬送容器內的真空搬送室之內部進行減壓排氣。進而，相比於第1或第2真空搬送容器內的真空搬送室內部的壓力，藉由將與彼等各個連通而配置的複數個真空處理室內之壓力設為較低，據此來抑制在真空搬送室與處理室之間開啟連通時，處理室內之粒子流出至真空搬送室內並經由中間室容器內部亦流入與該真空搬送室連通之另一真空搬送室內，因而在任意之一個處理容器內的處理室生成的高附著性或反應性之粒子到達另一真空搬送室所連結的其他處理容器內的處理室內，導致對內部的構件之表面或在內部進行處理的半導體晶圓等的處理對象的基板狀之試料造成污染之所謂交叉污染之產生，並實現提高每一設置面積之生產性。
上述習知技術中，於搬送室內藉由真空搬送機器人搬送晶圓之情況下，將配置於搬送晶圓的搬送室與其他搬送室之間的閥設為開放狀態，對與鎖載室連結的真空搬送室供給潔淨氣體，對遠離鎖載室的真空搬送室之搬送室內進行減壓排氣，據此，作成對連通之搬送室整體之氣體流動，可以防止來自處理室的氛圍之流出引起的裝置或晶圓之二次污染，並且可以達成基於閥動作時間之削減來提升真空處理裝置之每一設置面積之生產性。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]特開2014-179431號公報
[發明所欲解決之課題]
但是，上述習知技術中未考慮以下問題點。
亦即，真空搬送室內具備的真空搬送機器人之容積與真空搬送室之容積之比例不小。因此，真空搬送室內具備的真空搬送機器人為了搬送試料而正在動作的時候對真空搬送室內導入潔淨氣體之情況下，潔淨氣體在該真空搬送室內之流動受到不少的阻礙。
產生此種阻礙時，無法有效地藉由潔淨氣體將由浮遊在真空搬送室內的異物或試料放出的氣體等成為造成試料污染之原因的物質排出真空搬送室外，而滯留在真空搬送室內之潔淨氣體之流向未到達的空間，潔淨氣體供給之目的亦即抑制試料之污染的作用受到阻礙。進而，為了抑制此種污染之生成需要在更短期間進行真空搬送室內部的清掃，有損該期間之真空處理裝置之試料之處理效率。
如上述般，關於在真空處理裝置中使成為試料污染之原因的物質不附著於試料而選擇作出可以有效地輸送的氣體之流向並未充分加以考慮，關於真空處理裝置之處理效率受損之點，在上述習知技術中並未充分考慮。
本發明之目的在於提供提升處理效率的真空處理裝置的運轉方法。 [解決課題之手段]
上述目的，藉由具備以下構成的真空處理裝置的運用方法來達成，該真空處理裝置具備：與大氣搬送部連結而配置的鎖載室；與該鎖載室連結而配置，且在減壓的內部的搬送室內進行試料之搬送的第1真空搬送容器；對該第1真空搬送容器供給惰性氣體的第1惰性氣體供給裝置；與第1真空搬送容器連結的第1真空排氣裝置；與第1真空搬送容器連結而配置，且在減壓的內部的處理室內進行試料之處理的第1處理容器；與第1真空搬送容器連結而配置的第1中間室；與該第1中間室連結而配置，且在減壓的內部的搬送室內進行試料之搬送的第2真空搬送容器；對該第2真空搬送容器供給惰性氣體的第2惰性氣體供給裝置；與第2真空搬送容器連結的第2真空排氣裝置；及與第2真空搬送容器連結而配置，且在減壓的內部的處理室內進行試料之處理的第2處理容器；於該運用方法中，針對各個真空搬送室所具備的潔淨氣體導入口與排氣口，藉由指令裝置針對裝置被配置的狀況以在該狀況下應作成最適合的氣體流向的方式對各個導入口與排氣口之開/關進行選擇控制，據此而作出氣體流動而達成發明之目的。
例如，真空搬送容器內具備的真空搬送機器人，對上述真空搬送容器所連結的複數個真空處理容器進行基板之搬送之動作之情況下，經由中間室連通複數個真空搬送室，指令裝置以經由中間室使潔淨氣體導入口與排氣口成為最短距離的方式對各個進行開/關控制並作成氣體流動，據此而達成。另一方面，在真空搬送容器內具備的真空搬送機器人，上述真空搬送容器所連結的複數個真空處理容器不進行基板之搬送動作之情況下，經由中間室連通複數個真空搬送室，指令裝置以經由中間室使潔淨氣體導入口與排氣口成為最長距離的方式對各個進行開/關控制並作成氣體流動，據此而達成。
以下參照圖面詳細說明本發明的真空處理裝置之實施例。 [實施例]
參照圖1至圖9說明本發明之實施例的真空處理裝置。圖1至圖3係本發明實施例的真空處理裝置之構成之概略表示圖。圖1係從上方觀察橫剖面的橫剖面圖，圖2係圖1所示實施例的真空處理裝置之斜視圖，圖3係圖1所示實施例的真空處理裝置之從橫向觀察縱剖面的縱剖面圖。
圖1至圖3所示本發明實施例的真空處理裝置100，大致區分由大氣側區塊101與真空側區塊102構成。大氣側區塊101係在大氣壓下對被處理物亦即半導體晶圓等的基板狀之試料進行搬送、收納定位等的部分，真空側區塊102，係在從大氣壓減壓的壓力下對晶圓等的基板狀之試料進行搬送，在預定的真空處理室內進行處理的區塊。在進行真空側區塊102之前述搬送或處理的真空側區塊102之部位與大氣側區塊101之間，配置有將彼等連結而配置且在內部具有試料之狀態下使壓力在大氣壓與真空壓之間變動之部分。
大氣側區塊101具有在內部具備大氣側搬送機器人109的大致長方體形狀之框體106，還具備安裝於該框體106之前面側，其上載置有卡匣(載具)的複數個卡匣載台107，於該卡匣收納有處理用或清潔用之被處理對象之半導體晶圓等的基板狀之試料(以下稱為晶圓126)。
真空側區塊102具備：第1真空搬送室104及第2真空搬送室110；及一個或複數個配置於與大氣側區塊101之間，在內部具有在大氣側與真空側之間進行傳遞之晶圓126之狀態下使壓力在大氣壓與真空壓之間變化的鎖載室105。該鎖載室，係內部的空間可以調節成為上述壓力的真空容器，在連結的部位配設有將晶圓126通過內部而搬送的通路與其設為開啟、閉塞而可以氣密地密封之閥120，在大氣側與真空側之間進行氣密地分割。又，於內部的空間具備將複數片晶圓126在上下隔開間隙收納可以保持的收納部，在收納有彼等晶圓126之狀態下藉由閥120進行閉塞而氣密地分割。
第1真空搬送室104、第2真空搬送室110係包含各自之平面形狀具有大致矩形狀之真空容器的單元，彼等係實質上為相同僅具有外觀程度之構成上之差異的2個單元。於彼等第1真空搬送室104、第2真空搬送室110分別具備潔淨管123。又，構成為，在與具備上述潔淨管123的面位處於對角之面上具備排氣配管122，依據來自未圖示的真空處理裝置100之控制部之指令信號，一邊將流量已被調節的惰性氣體等之潔淨氣體導入真空搬送室內，一邊對該真空搬送室內進行排氣，據此，相比於其他真空處理室103、真空搬送中間室111可以調節成為相對低的壓力之值或同一，或視為程度上與其近似的壓力之值，或者與彼等比較為相對高的壓力之值。
真空搬送中間室111係內部可以減壓至比其他真空處理室相對高的壓力之真空容器，將真空搬送室彼此連結，使內部的室連通。在與真空搬送室之間配置有，將內部的室連通而在內側開啟、切斷搬送晶圓126之通路而進行分割的閥120，藉由閉塞彼等之閥120使真空搬送中間室與真空搬送室之間被氣密地密封。在本實施例之真空搬送中間室111不具備對其內部的收納晶圓126之空間進行潔淨的機構或者排氣的機構，真空搬送中間室111係將隔著其而被連結的一方的真空搬送室與另一方的真空搬送室之間設為進行晶圓126搬送時之路徑而發揮功能的室。
又，在真空搬送中間室111之內部的室配設有，複數片晶圓126以彼等各個之兩端部被載置且在上面與下面之間隔開間隙被水平保持的收納部，具備在第一、第2真空搬送室104、110之間進行晶圓126之傳遞時，暫時收納的中繼室之功能。亦即，藉由一方的真空搬送室內之真空搬送機器人108之任一被搬入而載置於上述收納部的晶圓126，係藉由另一方的真空搬送室內之真空搬送機器人108之任一被搬出並搬送至與該真空搬送室連結的真空處理室103或鎖載室105。
在和位處第1真空搬送室104與第2真空搬送室110之對面的一面相當的彼此之側壁之間配置有真空搬送中間室111將兩者連結。又，在另一面連接有內部被減壓且於其內部搬送晶圓126處理晶圓126的真空處理室103。本實施例中，真空處理室103係表示單元整體，其包含包含真空容器而構成的電場、磁場之產生手段、包含對容器內部的減壓的空間實施排氣的真空泵之排氣手段，在內部的處理室中實施蝕刻處理、灰化處理或對其他半導體晶圓126之處理。
又，於各真空處理室103連結有供作為與實施的處理對應而被供給的處理氣體流通之管路。各真空處理室103可以減壓至比起其他的真空搬送室及真空搬送中間室之壓力為相對低的壓力，藉由在各個真空處理室實施的處理，接收來自未圖示的指令裝置之指令，可以進行各個內部的壓力調整。亦即，複數個真空處理室中，對晶圓126實施的處理之種類設定為不同之情況下，各個真空處理室內部的壓力並非全部為同一壓力，而是調整成為最適合各個處理之壓力，真空處理室內部的壓力可以不同。
構成為在第1真空搬送室104及第2真空搬送室110分別可以連結2個真空處理室103，本實施例中於第1真空搬送室104及第2真空搬送室112連結有2個真空處理室103。
第1真空搬送室104及第2真空搬送室110之內部被設為搬送室，於第1真空搬送室104在其內部的空間之中央部分配置有真空搬送機器人108，真空搬送機器人108係在真空下在鎖載室105與真空處理室103或真空搬送中間室111之任一之間進行晶圓126之搬送。第2真空搬送室110亦和上述同樣在內部的中央部分配置有真空搬送機器人108，在真空處理室103與真空搬送中間室111之任一之間進行晶圓126之搬送。彼等真空搬送機器人108之構成分別為同一。
上述真空搬送機器人108係於其手臂上載置晶圓126，在第1真空搬送室104中在配置於真空處理室103的晶圓126台上與鎖載室105或第1真空搬送中間室111之任一之間進行晶圓126之搬入、搬出。在彼等真空處理室103、鎖載室105、真空搬送中間室111、第1真空搬送室104與第2真空搬送室110之間設置有藉由分別可以氣密地開啟/閉塞的閥120進行連通的通路，該通路係藉由閥120進行開/關。
以下，本實施例中示出，與大氣側區塊101內之搬送時間比較，將處理前之晶圓126從鎖載室105搬出並被搬入實施處理的部位亦即預定的真空處理單元之真空處理室103直至該真空處理室103被密封為止在真空區塊102內進行搬送所要的時間(搬送時間)設為較長，減少晶圓126在經由構成彼等區塊的真空搬送室、中間室或真空處理室的搬送路徑上搬送之搬送時間並提升處理效率，同時使在各真空處理室103內處理晶圓126時使用的處理氣體等之氛圍，不流入其他真空處理室103內或者不與在其他真空處理室103內處理晶圓126時使用的處理氣體等之氛圍接觸(以下稱為污染)，而且可以提升裝置之每一單位時間之生產效率之例。
以下說明此種真空處理裝置100中對晶圓126進行處理的動作。
載置於卡匣載台107之任一之上的卡匣內所收納的複數片晶圓126，係藉由對真空處理裝置100之動作進行調節的任一通信手段接收來自與上述真空處理裝置100連接的未圖示的指令裝置之指令，或接收來自設置真空處理裝置100之製造線之指令裝置等之指令，開始其處理。接受到來自指令裝置之指令的大氣側搬送機器人110，係將卡匣內之特定之晶圓126從卡匣取出，將取出的晶圓126搬送至鎖載室105。
例如，在晶圓126被搬送並儲存的鎖載室105中，在收納有搬送的晶圓126之狀態下閥120被關閉密封減壓至規定之壓力。之後，鎖載室105中面臨第1真空搬送室104之側之閥120被開啟，使第1鎖載室105與真空搬送室104之搬送室連通。
真空搬送機器人108將其手臂伸展至鎖載室105內，在其手臂前端部之晶圓126支撐部上受取鎖載室105內之晶圓126並搬出至第1真空搬送室104內。另外，第1真空搬送機器人108，將其手臂載置的晶圓126，沿著該晶圓126從卡匣取出時指令裝置事先指定的搬送之路徑，搬入與第1真空搬送室104連接的真空處理室103或真空搬送中間室111之任一。例如，搬送至真空搬送中間室111的晶圓126，之後係藉由第2真空搬送室110具備的真空搬送機器人108從真空搬送中間室111搬出至第2真空搬送室110，被搬入上述預定的搬送路徑之目的地亦即任一之真空處理室103。
晶圓126被搬送至一方之真空處理室103之後，在與該真空處理室103連接之第1真空搬送室104之間進行開/關的閥120被關閉該真空處理室被密封。之後，對該處理室內導入處理用之氣體該真空處理室內被調整成為適合處理的壓力。對該真空處理室供給電場或磁場藉此激發處理用氣體於該處理室內形成電漿進行晶圓126之處理。
在晶圓126被處理的一方之真空處理室103和與其連結的真空搬送室之間進行開/關的閥120，係接受來自指令裝置之指令，並在對包含該真空搬送室及與其連結連通的空間可以進行開/關之其他之閥120被關閉之狀態下被開啟。例如，指令裝置，係在區隔一方之真空處理室103和其所連結的真空搬送室之間的閥120之開啟前，以使該真空處理室與其他真空處理室不連通的方式，指令將對各個真空處理室之晶圓126通過內部而被搬送的通路上所配置的閘門進行開/關的閥120之任一關閉或進行關閉之確認動作，在確認該指令之後將密封一方之真空處理室103的閥120開啟。
在檢測出晶圓126之處理結束時，確認其他真空處理室103與第2真空搬送室110之間之閥120被關閉且兩者之間被氣密密封之後，開啟在與一方之真空處理室103連接的第2真空搬送室110之間進行開/關的閥120，真空搬送機器人108將處理完畢之晶圓126從其內部搬出，經由和該晶圓126被搬入處理室內之情況下相反之搬送路徑被搬送至鎖載室105。
晶圓126被搬送至鎖載室105後，將對連通鎖載室105與第1真空搬送室104之搬送室的通路進行開/關的閥120關閉，使鎖載室105內之壓力上升至大氣壓。之後，開啟區隔與框體106之內側之間的閥120，使鎖載室105之內部與框體106之內部連通，大氣側搬送機器人109從鎖載室105將晶圓126搬送至原來之卡匣返回卡匣內之原來之位置。
以下，關於真空處理裝置100之前後方向(圖1上之上下方向)，針對配置於真空搬送中間室111之兩端部的閘閥120對真空搬送中間室111內部的晶圓126收納用空間與第1真空搬送室104或第2真空搬送室110之間之連通進行開/關的動作之流程進行說明。
本實施例中，關於真空處理裝置100之前後方向，真空搬送中間室111之兩側之各個端部所配置的閘閥120，除了以下之情況以外均維持於開啟狀態。亦即，在維護等之情況下，僅在從隔著真空搬送中間室111而在其前後方向被連結的複數個真空搬送室之中的一方的真空搬送室所連接且其內部具有開口的潔淨管123將惰性氣體導入該真空搬送室內，使該真空搬送室內之壓力回復大氣狀態之情況下，以使開放大氣之側所具備的真空搬送中間室111之閘閥120關閉的方式進行動作之調節。
例如，第2真空搬送室110基於維護而開放大氣之情況下，首先第2真空搬送室110具備的與真空搬送中間室111連接之側之閘閥120經由未圖示的指令裝置被關閉。藉由未圖示的指令裝置確認上述閘閥120被關閉之後，從第2真空搬送室110具備的潔淨管123導入惰性氣體。
如上述般，真空搬送中間室111不具備潔淨或者排氣的機構，因此在晶圓126進行處理的運轉中配置於真空搬送中間室111之前後方向之兩端部的閘閥120，以使彼等不同時關閉真空搬送中間室111的狀態的方式對其動作進行調節。此係為了避開兩方為狀態之情況下真空搬送中間室111內之壓力成為無法控制之狀態。亦即，假設關閉真空搬送中間室111之兩端所配置的閘閥而進行控制之情況下，在將晶圓126搬送至真空搬送中間室111內之後，以關閉真空搬送中間室111之兩端所配置的閘閥120之任一，並開啟一方的方式進行動作之調節。
於此，若任一之真空處理室103之壓力之值，和第1真空搬送室104、第2真空搬送室110、真空搬送中間室111之壓力之值比較為相對高、或相等或程度上視為與其近似之值之情況下，有可能真空處理室103之氛圍從各真空搬送室流出而污染搬送中之晶圓126或其他真空處理室。在藉由未圖示的真空處理裝置100之控制部檢測出存在此種條件之情況下，在以下之條件下，對第1真空搬送中間室111至第3真空搬送中間室113之兩端所具備的閘閥120如以下般進行動作之調節。
例如，在與第1真空搬送室104連接的真空處理室103和與第2真空搬送室110連接的真空處理室103中並行進行晶圓126之搬入或搬出之動作，控制部檢測出在同一時刻中第1真空搬送室104及第2真空搬送室110之各個側壁所連結的真空處理室103之間呈連通之情況下，為了抑制從彼等2個真空處理室103之一方之內部流出的氛圍流入另一方之真空處理室103內部，因此以使第1真空搬送室104及第2真空搬送室110之間之經由真空搬送中間室111之連通被氣密地關閉的方式，以使真空搬送中間室111之兩端所具備的閘閥120之至少任一方被關閉的方式進行動作之調節。另一方面，當真空處理室103之壓力和真空搬送中間室111內部或者經由其連結的另一方的真空搬送室內部的壓力比較相對低之情況下，抑制真空處理室103內之粒子之由與該真空處理室103之側壁連結的真空搬送室的流出，因此在晶圓126對真空處理室103進行搬入或搬出之間，真空搬送中間室111之兩端側之部位具備的閘閥120在開啟真空搬送中間室111之兩端之開口之狀態下以維持該開度之位置的方式被調節。
本實施例中，在作為製造半導體元件的工程而處理晶圓126的運轉中之真空處理裝置100中，係以真空處理室103之壓力和第1真空搬送室104及第2真空搬送室110、真空搬送中間室111之壓力比較成為相對低值的方式依據來自未圖示的控制部之指令信號進行調節。各個真空處理室103之內部的壓力在各個實施的晶圓126之處理之結果之誤差之容許範圍內可以存在範圍之差。如此般藉由將壓力控制成為比起第1真空搬送室104及第2真空搬送室110、真空搬送中間室111之壓力相對低，可以抑制真空處理室103內之氣體或生成物之粒子由該真空處理室103流出。
於第1真空搬送室104及第2真空搬送室110各具備潔淨管123。彼等潔淨管123各具備未圖示的閥，在真空處理室103中晶圓126被處理期間及大氣開放期間之雙方發揮功能而依據來自未圖示的控制部之指令信號進行動作之調節。
又，第1真空搬送室104及第2真空搬送室110具備排氣管路，該排氣管路具備與排氣配管122或與排氣配管122連結的乾式泵121。排氣配管122各具備未圖示的閥，在晶圓126之處理期間及大氣開放期間之雙方發揮功能而依據來自未圖示的控制部之指令信號進行動作之調節。
以下，參照圖4及圖5說明真空處理室103之壓力和真空搬送室及真空搬送中間室111比較成為相對低之情況下的本實施例中的真空處理裝置100之動作進行說明。在真空處理室103內部的壓力和真空搬送室及真空搬送中間室111比較成為相對低之情況下，可以抑制該真空處理室103內部的粒子經由與該真空處理室103之側壁連結的真空搬送室流出至其他的真空搬送室，可以抑制流出至與該其他真空搬送室連結的其他真空處理室103內部。
為了實現此種動作，因此本實施例之真空處理裝置100中，在真空搬送室內部進行晶圓126搬送之期間，真空搬送中間室111之兩端側部分具備的閘閥120被維持開啟之狀態，複數個真空搬送室所具備的複數個潔淨管123及排氣配管122之開/關，係對應於真空處理裝置100之運轉之狀態以抑制該污染之生成而成為較佳之氣體流動的方式依據來自控制部之指令信號進行驅動。藉由進行此種動作，可以提升真空處理裝置100之半導體元件之製造效率，可以提升真空處理裝置100之每一設置面積之晶圓126之處理能力。
圖4中示出，第1真空搬送室104及第2真空搬送室110具備的各個真空搬送機器人108，在1個至複數個真空處理室103處理晶圓126而進行搬送動作之狀態下來自第1真空搬送室104或第2真空搬送室111之排氣之氣體，或供給至彼等至少任一的潔淨氣體之流向。圖4為圖1所示實施例的真空處理裝置的真空側區塊內部的氣體之流向之示意表示的橫剖面圖。
本實施例之真空處理裝置100中，真空搬送中間室111之收納空間內部，係依據來自未圖示的控制部之指令信號，滯留有確定被搬送至事先與第2真空搬送室110連結的真空處理室103進行處理的處理前之晶圓126，或者於該真空處理裝置103進行處理後的晶圓126。本實施例中，真空處理裝置100中晶圓126滯留在該收納空間內之時間較其他真空搬送室為長。此乃因為在真空處理室103進行處理的晶圓126被處理並搬出為止之間，第1真空搬送機器人108至第2真空搬送機器人108對與第2真空搬送室110連結的真空處理室103中進行處理之前或者處理之後之晶圓126進行搬入待機的所謂成為搬送等待之狀態的時間產生之故。
另一方面，在與第2真空搬送室110側壁面連結的2個真空處理室103之任一中進行處理之後之處理完畢之晶圓126之表面之附近滯留的反應性高的物質之粒子或附著於表面的生成物由表面放出而生成的粒子所形成之氣體，會滯留於真空搬送中間室111內部。因此，可以推測和第1真空搬送室104及第2真空搬送室110比較，真空搬送中間室111中滯留更多成為引起其他晶圓126之污染原因的物質。
又，配置於第1真空搬送室104或第2真空搬送室110之內部的真空搬送機器人108，其容積相對於彼等真空搬送室內部的容積佔有無法忽視之程度之比例。因此，在真空搬送機器人108進行晶圓126之搬送時之動作中即使對連通之第1真空搬送室104或第2真空搬送室110供給潔淨氣體並藉由在彼等之間經由真空搬送中間室111流動的潔淨氣體之氣流對成為上述污染之原因的物質之粒子進行排氣，基於在導入至第1真空搬送室104或第2真空搬送室110內的潔淨氣體之氣流之中存在有真空搬送機器人108之故搬送晶圓126時之手臂之移動或旋轉等之動作會阻礙上述氣體之流向。因此，從真空處理室103內部進入或從晶圓126之表面或其附近殘留並滯留於該真空搬送室內的成為污染之原因的物質之粒子無法有效地從第1真空搬送室104或第2真空搬送室110進行排氣。
為了解決此種問題點，本實施例之真空處理裝置100中，依據來自控制部之指令信號，在真空搬送機器人108之任一進行動作期間，將與第1真空搬送室104連結而對真空搬送中間室111之晶圓126進行搬出入的開口之水平方向中之左右任一側(圖上右側)或該開口之上方側之第1真空搬送室104之內壁面之部位上配置在具有氣體導入孔的潔淨管123之配管上之閥開啟使該潔淨管開啟而將潔淨氣體供給至第1真空搬送室104內，第2真空搬送室110具備的潔淨管123之配管上所配置的閥被關閉該潔淨管123被關閉而停止或減少對第2真空搬送室110之潔淨氣體之供給。又，與此並行地，第1真空搬送室104具備的排氣配管122上所配置的閥被關閉該排氣管路被關閉，第2真空搬送室110之真空搬送中間室111之開口之水平方向中的左右任一側(圖上左側)或該開口之下方側之第2真空搬送室110之內壁面之部位所具備的排氣配管122上之閥被開啟該排氣管路被開啟，以此方式進行動作之調節。
此時隔著真空搬送中間室111而連通之第1真空搬送室104與第2真空搬送室110內部的潔淨氣體之流向，係如圖4所示箭頭般構成為，在第1真空搬送室104內部從真空搬送中間室111之前方看時從右側被導入，通過該真空搬送中間室111而在第2真空搬送室110內部從真空搬送中間室111之前方看時向左側向排氣口125流出。此種氣體之流向成為經由真空搬送中間室111之相對短的距離。如此般形成的氣體流動，真空搬送機器人108不會對氣體流動帶來阻礙且可以積極地將滯留於真空搬送中間室111之內部的異物等之污染物質輸送，可以保持真空搬送中間室111內部之清淨。
本實施例之第1真空搬送室104及第2真空搬送室110，係在具備同一或實質上視為同一程度之近似之尺寸或形狀、材質等之構成的真空容器之內部所配置的空間。又，構成第1真空搬送室104及第2真空搬送室110的2個真空容器從上方看時具有視為方形或矩形的平面形狀，在與各邊相當的4個側壁上連結有真空處理室103或真空搬送中間室111或鎖載室105，在彼等被連結的狀態下內部彼此被連通而配置有晶圓126被搬送通過之通路亦即閘門。
另外，在彼等2個真空容器內之第1真空搬送室104及第2真空搬送室110，在從上方看時同一或程度上實質視為同一近似的部位具備有與潔淨管123連通的氣體導入口124及與排氣配管122連通的排氣口125。各個真空搬送室之內部所配置的各個真空搬送機器人108之形狀、尺寸或構造、材料等，同樣地具備同一或外觀程度上視為與其近似的構成，配置於各個真空搬送室內部的中央部。亦即，本實施例之真空處理裝置100中，真空搬送室及構成其的真空容器以及包含真空搬送機器人108等配置於其內部的構造體的真空搬送單元之複數個，係構成為可以將任一方置換為另一方來達成進行同一視為同樣動作之功能，以此方式經由真空搬送中間室111在前後方向被連結。
亦即，從上方看時具有同一或程度上視為同一之近似的形狀的第1真空搬送室104及第2真空搬送室110的各個，係在從上方看時包圍該真空搬送室之周圍的真空容器之圖上上下左右各個方向之側壁上形成的閘門和與該側壁鄰接的2個側壁之各個上所形成的閘門之間之內壁上之部位，具備上述潔淨管123之氣體導入口124或排氣配管122之排氣口125。亦即，本實施例中，在第1真空搬送室104及第2真空搬送室110之角部或隅部配置有潔淨氣體之氣體導入口124或排氣口125。該位置從上方看時係位於真空搬送機器人108旋轉伸縮手臂之動作中該機器人之構件専有的空間從上方投影的區域之外側。因此，配置於各個真空搬送室內壁的氣體導入口124及排氣口125中的氣體之流向係拉開彼等與真空搬送機器人108之間之距離，氣體導入口124及排氣口125之氣體之流向受到構成真空搬送機器人108的構件之阻礙可以被抑制。
本實施例之真空處理裝置100中，如圖4所示，在真空搬送中間室111經由閘閥被連接的第1真空搬送室104之側壁之端部的該真空搬送室之隅部，亦即在與真空搬送中間室111之間之閘門之圖上右側之天井面或者內側壁面或者兩者連通的角部，配置有從潔淨管123導入潔淨氣體的氣體導入口124，在真空搬送中間室111經由閘閥連接的第2真空搬送室110之側壁之端部的該真空搬送室之隅部，亦即在與真空搬送中間室111之間之閘門之圖上左側之底面或者內側壁面或者兩者連通的角部，配置有與排氣配管122連通且用於排出第2真空搬送室110內部的粒子的排氣口125。另外，關於從上方看時具有方形或矩形或者程度上視為與其近似之形狀的第1真空搬送室104及第2真空搬送室110各個之中心所配置的真空搬送機器人108之上下方向延伸的旋轉軸，相對於前後方向及左右方向之水平軸成為對稱的4個隅部之位置上配置的氣體導入口124及排氣口125，當從水平方向看真空處理裝置100時，一方係位於通過與4邊相當的側壁4部位上的各個所形成的閘門之內側之空間之中心的水平方向之軸之上方，另一方係位於下方而被配置。
實施例中，在第1真空搬送室104與第2真空搬送室110之間經由真空搬送中間室111形成潔淨氣體之流向時，第1真空搬送室104及第2真空搬送室110之一方之至少1個氣體導入口124，係位於隔著與真空搬送中間室111連通的閘門之上方，另一方係位於下方。圖4所示例中，第1真空搬送室104內之包含潔淨氣體的粒子，係從真空搬送中間室111之上導入並通過真空搬送中間室而在第2真空搬送室110內部向下流動而構成。依據該構成，2個真空搬送室經由真空搬送中間室111連結的真空側區塊102內滯留的造成晶圓126之污染之原因的粒子可以有效地排出至外部。
又，本實施例之氣體導入口124及排氣口125之位置不限定於上述，在形成可以抑制污染的氣體之流向的方式之下可以選擇彼等位置。針對從上方看時真空搬送機器人108之中心之軸配置成為前後或左右不對稱亦可，不在4個隅部之全部配置氣體導入口124及排氣口125亦可，少於或多於4部位亦可。另外，使用第2真空搬送室110之氣體導入口124與第1真空搬送室104之排氣口125之組亦可，又，關於氣體導入口124之高度方向從閘門之中心之軸偏下方而排氣口125偏上方配置亦可。
又，本實施例之真空處理裝置100之複數個真空搬送室中，從上下方向看時在4部位各個隅部之內壁面上相對於閘門之高度方向之中心在上下之位置所配置的氣體導入口124與排氣口125之對，如後述說明般，係依據來自真空處理裝置100之未圖示的控制部之指令信號，使經由真空搬送中間室連通之複數個真空搬送室之集合中，2個真空搬送室之各個中至少1個隅部之彼此之組合被選擇。另外，依據來自控制部之指令信號，在各個真空搬送室之被選擇的隅部之一方使與氣體導入口124連通的潔淨管123被開啟並使與排氣口125連通的排氣管路被關閉，而在隅部之另一方使潔淨管123被關閉並使排氣管路被開啟，以此種控制方式在彼等2個真空搬送室之間形成包含潔淨氣體的粒子之流動來進行潔淨及排氣之動作之調節。
另一方面，如本實施例之真空處理裝置100般，在半導體元件之量產運轉中任一之真空處理室103之內部的壓力相比於與其連結的真空搬送室及真空搬送中間室111係被設為相對較低之情況下，在真空處理室103和與其連結的第1真空搬送室104或第2真空搬送室110之間所配置的閘閥120，若在真空處理室103與彼等真空搬送室之間進行晶圓126搬送時依據來自控制部之信號被調節其動作而成為閘門被開啟之狀態時，從第1真空搬送室104之潔淨管123導入的潔淨氣體之粒子有可能被吸引進入真空處理室103內部。該情況下，真空搬送機器人108進行晶圓126之搬送動作之期間，在真空搬送中間室111之內部無法形成足夠強的基於潔淨氣體之氣流，引起晶圓126之污染的物質有可能滯留於內部。
因此，本實施例中，如上述說明，使第1真空搬送室104之圖上右上之隅部所具備的氣體導入口124及第2真空搬送室110之圖上左下之隅部所具備且與排氣配管122連通的排氣口125成為開啟的方式依據來自控制部之指令信號進行潔淨管123及排氣管路之選擇及彼等之開/關之調節。於該狀態下，第1真空搬送室104、第2真空搬送室110、及配置於彼等之間的真空搬送中間室111藉由構成彼等的真空容器之連結被連通而作為1個真空搬送單元成為1個空間被密閉且與外部氣密地區隔。據此，形成經由真空搬送中間室111的前後的真空搬送室間之氣體之流向，在一個真空搬送室內部或在與其側壁連結的真空處理室103之間之流向被遮蔽而產生所謂切短現象(short)可以被抑制。
又，上述例，係僅從與第1真空搬送室104具備的潔淨管123連通的4個隅部之氣體導入口124之中被開啟的1部位導入潔淨氣體之構成，但從其他氣體導入口124之中從加上較靠近真空搬送中間室111之閘門的部位上所配置的氣體導入口124的2部位同時或並行導入潔淨氣體來進行動作調節亦可。該情況下，通過真空搬送中間室111內部的氣體流量變大，因此可以提高將生成內部污染的粒子包含於潔淨氣體之氣流中進行排出之效果。
以下，使用圖5說明本實施例之真空處理裝置100的第1真空搬送室104及第2真空搬送室110所具備的各個真空搬送機器人108不進行晶圓126之搬送動作之情況下(以下稱為待機狀態)的真空側區塊102內部的氣體之流向。圖5表示圖1所示實施例的真空處理裝置的真空側區塊內部的氣體之流向之示意橫剖面圖。
本實施例中，作為真空搬送機器人108成為待機狀態之情況下，係考慮控制部可以判定，卡匣載台107載置的至少1個卡匣內部所收納的實質上按同一條件在真空處理室103內部進行處理的一組片數之晶圓126(以下稱為批次)之處理結束後另一批次之晶圓126之處理開始前，在複數個真空處理室103全部之內部未進行晶圓126之處理不需要基於真空搬送機器人108之晶圓126之搬送的期間。
本例中，考慮真空搬送機器人108不進行為了晶圓126之搬送之旋轉或手臂之伸縮等之動作，因為該動作致使潔淨氣體被導入而在配置有真空搬送機器人108的真空搬送室內部形成氣體流動，或者形成的氣流使內部的粒子載置於該氣流被搬送之作用受到阻礙之此情況，和圖4之情況比較相對被抑制。而且，不進行閘閥120之開/關動作之狀態下，因此導入真空搬送室內部的潔淨氣體或粒子被引入真空處理室103內部之此情況減低。
本實施例中，若不進行基於真空搬送機器人108的晶圓126之搬送動作的狀態由控制部接收來自設置於真空搬送機器人108的檢測器之信號而檢測出，或於控制部從預定的真空處理裝置100之運轉排程檢測出未進行搬送之時間帶時，該控制部發出指令信號以使與第1真空搬送室104連結的任一潔淨管123上之閥關閉，使與第2真空搬送室110連結的任一至少1個潔淨管123上之閥開啟。另外，亦發出指令信號以使第1真空搬送室104具備的任一至少1個排氣配管122上之閥開啟，使第2真空搬送室110具備的任一排氣配管122上之閥關閉。
圖5所示例中，於第1真空搬送室104中，關於鎖載室105經由閘閥120而連結的側壁從前方看時與配置於左側(圖上左下側)之隅部的排氣口125連通的排氣配管122上之閥被開啟，與其他3部位之隅部之排氣口125連通的排氣配管122上之閥被關閉。另外，於第2真空搬送室110中，關於和真空搬送中間室111經由閘閥120連接的側壁呈對向之位置之側壁(最裡面之側壁)從前方看時配置於右側(圖上右上側)之隅部的氣體導入口124所連通的潔淨管123上之閥被開啟，而其他3部位之隅部之氣體導入口124所連通的潔淨管123上之閥被關閉。該狀態下，第1真空搬送室104、第2真空搬送室110、以及配置於彼等之間的真空搬送中間室111被連結而構成的真空容器，係作為1個密閉的空間且內外被氣密地區隔。
如此般選擇潔淨管123及排氣配管122之開/關的狀態下之本實施例之真空處理裝置100內部的氣體之流向，係如圖5之示意所示箭頭般，關於真空處理裝置100之前後方向，在真空搬送單元內部的空間基於開口的氣體導入口124及排氣口125的潔淨氣體之吸排氣之組合之中成為從最裡面之氣體導入口124經由真空搬送中間室111至最前方之排氣口125為止流動的所謂流過最長之距離者。圖上之箭頭係示意表示其流向者，這樣的氣體或粒子之流向正確地並非沿著該線上流動者，而是通過停止的各個真空搬送機器人108之上下及周圍之內側壁之間之間隙之空間，而對第1真空搬送室104及第2真空搬送室110、真空搬送中間室111之內部形成流向。特別是，在不與第1真空搬送室104及第2真空搬送室110之開啟的潔淨管123連通不導入潔淨氣體的氣體導入口124或者不與開啟的排氣配管122連通不進行排氣的排氣口125所配置的隅部以及其周圍之間隙形成氣體之流向。藉由使用這樣的流向，可以使滯留於間隙的生成污染的物質之粒子順著氣體流向積極的輸送排出。
圖5所示例中，第1真空搬送室104所具備的位於圖上左下側的排氣口125所連通的排氣配管122及第2真空搬送室110具備的位於圖上右上側之隅部的氣體導入口124所連通的潔淨管123被開啟並形成於彼等之間之氣體之流向。本發明不限定於此，在複數個真空搬送室各個內部的真空搬送機器人108之動作停止期間中，選擇能夠形成有效排出生成污染的物質之氣體流向的潔淨管123及排氣配管122即可。亦即，形成從第1真空搬送室104朝向第2真空搬送室104之氣體流向亦可。
又，上述例構成為僅從第1真空搬送室104具備的潔淨管123所連通的4個隅部之氣體導入口124之中被開啟的1部位導入潔淨氣體，但是其他氣體導入口124之中加上更靠近真空搬送中間室111之閘門之部位上所配置的氣體導入口124之從2部位同時或並行導入潔淨氣體而進行動作調節亦可。該情況下，通過真空搬送中間室111內部的氣體流量變大，可以提高將生成內部污染的粒子包含於潔淨氣體之氣流中排出之效果。
圖4所示氣體之流向之例與圖5所示例係藉由以下之2個圖案依據來自未圖示的控制部之指令信號進行切換實施。第1圖案為，在真空搬送中間室111內部的清掃成為必要之前，可以將真空搬送機器人108切換為待機狀態之情況。在該圖案中，在真空搬送中間室111內部的清掃成為必要之前，若控制部檢測出任意之真空處理單元103之清掃等之成為維護、進行檢測之基準的規定之累積之處理時間或者到達晶圓126之處理片數，則藉由控制部之指令信號將真空搬送機器人設為待機狀態，第1真空搬送室104及第2真空搬送室110所具備的潔淨氣體管123與排氣配管122之選擇被進行切換，對由第1真空搬送室104、第2真空搬送室110及真空搬送中間室111構成真空側區塊102之真空容器內部進行潔淨氣體之導入及排氣而形成的粒子之流向之圖案，係由圖4所示真空搬送機器人108動作中者被切換為圖5所示待機狀態者。
第2圖案為，包含未達到預定的應進行真空搬送中間室111內部的清掃的污染之界限而且預定繼續真空處理裝置100之運轉或晶圓126之處理之情況者。此係控制部檢測出用於表示使用者事先設定的進行真空搬送中間室111之清掃的污染或者生成污染的物質之量的參數(例如密度或附著或堆積之量)之值未達到限度之狀態下，關於任一真空處理單元103即使達到預定的累積之處理時間乃至晶圓126之處理片數時亦使卡匣載台107上載置的卡匣內部收納的全部之未處理之晶圓126經由任一真空處理室103進行處理為止繼續基於該晶圓126之處理的半導體元件之製造之運轉之後，依據來自控制部之指令信號將真空側區塊102中的潔淨管123及排氣配管122之選擇與基於該選擇的流向之圖案從圖4所示者切換為圖5所示者並在預定的時間內繼續保持。
控制部，係在卡匣載台107上載置的各卡匣內部收納的全部之晶圓126之處理結束後，在另一卡匣內之晶圓126之處理開始前，判定是否達到上述使用者事先設定的真空處理單元103之累積之處理時間或者晶圓126之片數。控制部中判定為達到之情況下，在該另一卡匣內之晶圓126之處理前，將真空側區塊102中的潔淨管123及排氣配管122之選擇及基於該選擇的流向之圖案從圖4所示者切換為圖5所示者並在預定的時間內繼續保持。
圖6係本發明實施例的真空處理裝置100的真空側區塊102之真空容器內部的氣體之排氣及潔淨氣體之導入的另一氣體之流向之示意表示圖。本圖所示例中，真空側區塊102之真空容器內部的氣體之排氣及潔淨氣體之導入係藉由控制部選擇真空側區塊102中的潔淨管123及排氣配管122而將第1真空搬送室104及第2真空搬送室110的各個具備的潔淨管123及排氣配管122各個上之閥設為開啟之結果，在第1真空搬送室104與第2真空搬送室110的各個內部，形成從導入有潔淨氣體之氣體導入口124朝向隔著真空搬送機器人108而位於氣體導入口124之相反側的排氣口125使粒子移動而進行排氣的流向。
在真空搬送機器人108動作之狀態下形成圖6之流向之圖案，在處於待機狀態之狀態下形成圖5所示圖案，以此方式藉由控制部選擇潔淨管123及排氣配管122的情況下，在圖6之圖案中因為真空搬送機器人108使各個真空搬送室內部的氣體之流向受到阻礙，另外在真空搬送中間室111內部作成積極的氣體流向變為困難。
又，真空搬送機器人108動作之狀態下形成圖4所示圖案之流向而在處於待機狀態之狀態下形成圖6所示氣體流向的情況下，在真空搬送中間室111內部會繼續滯留成為生成污染的原因之物質。因此短期間內必須進行真空搬送中間室111之清掃，降低裝置之生產性。因此，本實施例中，依據來自控制部之指令信號，在真空搬送機器人108處於待機狀態中選擇潔淨管123及排氣配管122，在複數個待機狀態之每一期間僅於規定之期間形成圖5所示氣體流向，或者在1個待機狀態中在規定之期間內重複形成圖5之氣體之流向。
圖7至圖10係圖1所示實施例之變形例。彼等圖7至圖10係表示對圖1至圖3所示上述實施例經由第2真空搬送中間室113連結有第3真空搬送室112的真空處理裝置700。第3真空搬送室112，如圖所示係在和第2真空搬送中間室113對面之位置可以連結未圖示的第3真空搬送中間室乃至真空搬送處理室103，和上述第1真空搬送室104、第2真空搬送室110及真空搬送中間室111之間並無功能上的差異及構成機器上之差異。
圖10係圖7至圖9所示變形例的真空處理裝置之概略表示之縱剖面圖。本圖所示變形例的真空處理裝置700中，在第3真空搬送室112僅示出一個真空處理室103。又，在真空搬送中間室111之內部，晶圓126在未圖示的晶圓126支撐台上被保持於上下偏置的位置。又，於第1真空搬送室104連接有2個真空處理室103。
又，第2真空搬送中間室113及第3真空搬送室112，和構成真空處理裝置700的其他真空搬送容器比較，在構成及達成的功能上實質上無差異。任意之真空處理室103內部的壓力和真空搬送室及真空搬送中間室比較成為相對低之情況下，該真空處理室103內部的氣體或生成物等之粒子從經由閘閥120而連通於該真空處理室103之真空搬送室之流出被抑制晶圓126被搬送期間第1真空搬送中間室111之兩端所具備的閘閥120維持於開啟狀態而被控制之情況下，針對裝置具備的複數個真空搬送室的各個潔淨管123及排氣配管122之開/關，針對裝置被配置的複數個狀況下使最適合的氣體流向在由3個真空搬送室與連結彼等之間的真空搬送中間室所構成的真空容器內部形成的構成進行說明。
圖7及圖8係圖1所示本發明實施例之變形例的真空處理裝置之構成之概略之示意表示的橫剖面圖。本圖亦和圖3同樣，以上下作為真空處理裝置700之前後方向而示出從上方觀察到的圖。本例中，和圖3之實施例同樣地，亦在第1真空搬送中間室111及第2真空搬送中間室113之內部，容易滯留在真空處理室103處理之後之晶圓126帶入的具有反應性之氣體或生成物或附著性高的粒子、由處理後之晶圓126放出的氣體之粒子等之成為污染處理前之晶圓126之原因的物質之粒子，和真空搬送室比較為容易生成晶圓126之污染的部位。又，和上述實施例同樣地，各真空搬送室內真空搬送機器人108之容積相對於真空搬送室內部的容積佔有無法忽視之程度之比例，在進行晶圓126之搬送動作之期間因為其動作使從各真空搬送室具備的潔淨氣體管123供給至內部的潔淨氣體之流向受到阻礙。
本例中，第1真空搬送室104、第2真空搬送室110、第3真空搬送室112具備的潔淨管123及排氣配管122上所配置的閥之開/關，係依據控制部發送的指令信號被選擇而動作。該結果，本變形例之圖7所示例中，依據來自控制部之指令信號，第1真空搬送室104及第2真空搬送室110所具備的潔淨管123上之閥被開啟，第3真空搬送室112具備的潔淨管123上之閥被關閉。又，第1真空搬送室104及第3真空搬送室112具備的排氣配管122上之閥被開啟，第2真空搬送室110所具備的排氣配管122上之閥被關閉。
圖7之例中，於第1真空搬送室104中從真空搬送中間室111經由閘閥120被連結的側壁之前方看時水平方向右側之隅部(圖上右內側之隅部)上配置的氣體供給口所連通之潔淨氣體管123上之閥被開啟，而且從鎖載室105經由閘閥120被連結的側壁之前方看時水平方向左側之隅部(圖上左前側之隅部)上配置的排氣口125所連通之排氣配管122上之閥被開啟。另外，其他隅部上配置的氣體導入口124所連通之潔淨氣體管123及排氣口125所連通之排氣配管122上之閥被關閉。
又，於第2真空搬送室110中從真空搬送中間室113經由閘閥120被連結的側壁之前方看時水平方向右側之隅部(圖上右內側之隅部)上配置的氣體供給口所連通之潔淨氣體管123上之閥被開啟，而且從鎖載室105經由閘閥120被連結的側壁之前方看時水平方向左側之隅部(圖上左前側之隅部)上配置的排氣口125所連通之排氣配管122上之閥被開啟。另外，第2真空搬送室110及第3真空搬送室112之其他隅部上配置的氣體導入口124所連通之潔淨氣體管123及排氣口125所連通之排氣配管122上之閥被關閉。
進行了這樣的潔淨氣體管123及排氣配管122之開/關之選擇的真空處理裝置700之潔淨氣體之流向，係如圖所示箭頭般，從在第1真空搬送室104內部開口設置的潔淨管123之氣體供給口向該第1真空搬送室104內流入且朝向隔著真空搬送機器人108配置於相反側的排氣配管122所連通的排氣口125流出而被排出。另一方面，於第2真空搬送室110及第3真空搬送室112中，在第2真空搬送室110內部從真空搬送中間室113之前方看時從右側被導入，通過真空搬送中間室113而在第3真空搬送室112內部從真空搬送中間室112之前方看時向左側向排氣口125流出而構成。該情況下，第1真空搬送室104中，真空搬送機器人108進行晶圓126之搬送動作之情況下上述氣體之流向受到阻礙，滯留於第1真空搬送室104內部的成為生成污染的原因之物質無法有效地進行輸送。另外，在第1真空搬送中間室111內部作成氣體流向變為困難，在第1真空搬送中間室111之內部滯留有成為上述污染之原因的物質。
另一方面，圖8所示例中，第1真空搬送室104及第3真空搬送室112具備的潔淨管123上之閥被開啟，第2真空搬送室110所具備的潔淨管123上之閥被關閉。又，第2真空搬送室110及第3真空搬送室112具備的排氣配管122上之閥被開啟，第1真空搬送室104具備的排氣配管122上之閥被關閉。
圖8之例中，於第3真空搬送室112中從真空處理裝置700之最內側之真空處理室103經由閘閥120被連結的側壁之前方看時水平方向右側之隅部(圖上右內側之隅部)上配置的氣體供給口所連通之潔淨氣體管123上之閥被開啟，而且從真空搬送中間室113經由閘閥120被連結的側壁之前方看時水平方向左側之隅部(圖上左前側之隅部)上配置的排氣口125所連通之排氣配管122上之閥被開啟。另外，其他隅部上配置的氣體導入口124所連通之潔淨氣體管123及排氣口125所連通之排氣配管122上之閥被關閉。
又，第1真空搬送室104中從真空搬送中間室111經由閘閥120被連結的側壁之前方看時水平方向右側之隅部(圖上右內側之隅部)上配置的氣體供給口所連通之潔淨氣體管123上之閥被開啟，而且從真空搬送中間室111經由閘閥120被連結的側壁之前方看時水平方向左側之隅部(圖上左前側之隅部)上配置的排氣口125所連通之排氣配管122上之閥被開啟。另外，第2真空搬送室110及第3真空搬送室112之其他隅部上配置的氣體導入口124所連通之潔淨氣體管123及排氣口125所連通之排氣配管122上之閥被關閉。
選擇了這樣的潔淨氣體管123及排氣配管122之開/關之真空處理裝置700之潔淨氣體之流向，如圖所示箭頭般，從第3真空搬送室112內部開口的潔淨管123之氣體供給口流入該第3真空搬送室112內並向隔著真空搬送機器人108配置於相反側的排氣配管122所連通的排氣口125流向被排出。另一方面，第1真空搬送室104及第2真空搬送室110中，在第1真空搬送室104內部從真空搬送中間室111之前方看時從右側被導入，通過真空搬送中間室111而在第2真空搬送室110內部從真空搬送中間室111之前方看時向左側向排氣口125流出而構成。
該情況下，第3真空搬送室112中，真空搬送機器人108進行搬送動作之情況下，氣體之流向受到阻礙，無法有效地從滯留於第3真空搬送室112內部的污染物質輸送。而且，在第2真空搬送中間室113內部無法作成氣體流向，第2真空搬送中間室113之內部會滯留污染物質。
因此，本例之真空處理裝置700中，依據來自控制部之指令信號，如以下般進行動作。亦即，依據預定的排程之資訊，關於任意之一組之片數之晶圓126，在到達該一組之晶圓126之最初之一片之處理運轉開始至最後之一片處理為止所要的時間之一半之時間為止，以成為圖7所示氣體流向的方式，來選擇真空側區塊102之第1真空搬送室104、第2真空搬送室110、第3真空搬送室112所具備的潔淨管123及排氣配管122的各個閥及其開/關。接著，在藉由控制部檢測出到達該一半之時間之後，直至最後之一片之處理為止以成為圖8所示氣體之流向的方式，來選擇該潔淨管123及排氣配管122的各個閥及其之開/關。又，不限定於上述一半之時間，按每4分之1之時間切換圖7及圖8之氣體之流向亦可，最初選擇之流向可以是圖7、8所示者之任一。
藉由進行這樣的運轉，可以將在稼動狀態期間滯留於複數個真空搬送室及真空搬送中間室之成為生成污染的原因之物質積極的輸送排出，可以將第1真空搬送中間室111及第2真空搬送中間室113內部保持清淨。又，和圖3所示實施例同樣，從複數個潔淨管123所連通的氣體導入口124在真空搬送中間室內部形成基於氣體的粒子之流向亦可，以藉由指令裝置成為開啟的方式被控制的真空搬送室所具備的潔淨管123，係被控制成為每一真空搬送室僅1部位成為開啟，但若是在具備上述潔淨管123的面之對面而且在與真空搬送中間室接近的真空搬送室之面亦具備潔淨管123之情況下，控制成為2部位同時開啟亦可。
另一方面，以從某一真空搬送室具備的潔淨管123使氣體直接流向同一真空搬送室具備的排氣配管122的方式進行控制，亦即圖7之第1真空搬送室104中的狀況下，若從複數個部位將潔淨氣體導入，則不僅氣體流向受到真空搬送機器人108阻礙，在該真空搬送室之內部氣體碰撞而有可能產生亂流。該亂流不僅阻礙生成上述污染的物質之輸送，亦將滯留之該物質向上捲起而促進對晶圓126之附著並成為降低處理良率之原因，因此較不好。
以下，圖7及圖8中示出製造半導體元件的運轉被進行且至少1個真空搬送機器人108動作之運轉中的真空側區塊102內之氣體之流向。使用圖9表示任一真空搬送機器人處於待機狀態之情況下，在真空側區塊102內形成的氣體之流向。圖9係示意表示圖1所示本發明實施例之變形例的真空處理裝置之構成之概略的橫剖面圖。
圖9之構成中，真空搬送機器人108之任一不進行晶圓126之搬送動作而停止，因此該動作對配置有真空搬送機器人108的真空搬送室內之氣體之流向造成的阻礙被減低。又，可以推測因為未進行晶圓126之搬送，閘閥120未進行開/關動作，因此在真空處理室103內部透過開啟的閘門而使真空搬送室內之氣體或生成物等之粒子被引入之可能性變小。
在這樣的待機狀態中，依據來自控制部之指令信號，第1真空搬送室104及第2真空搬送室110所具備的全部之潔淨管123上之閥被關閉，第3真空搬送室112具備的至少1個潔淨管123上之閥被開啟。又，同時，第1真空搬送室104具備的至少1個排氣配管122上之閥被開啟，第2真空搬送室110及第3真空搬送室112具備的全部之排氣配管122上之閥被關閉。特別是，圖9之例中，第3真空搬送室112之最內側之真空處理室103透過閘閥120被連接的側壁之閘門之從真空處理裝置700之前方看時右側(圖上右上側)之隅部上配置的氣體導入口124所連通的潔淨氣體管123上之閥被開啟，第1真空搬送室104之鎖載室105透過閘閥120被連接的側壁之閘門之從真空處理裝置700之前方看時左側(圖上左下側)之隅部上配置的排氣口125所連通的排氣配管122上之閥被開啟。另外，該狀態下，第1真空搬送室104、第2真空搬送室110、第3真空搬送室112及配置於彼等之間的真空搬送中間室111、113中構成彼等的真空容器被連結、連通而作為真空搬送單元之構成，成為內部的1個密閉的空間且內外被氣密地區隔。
該狀態下之氣體之流向，係如圖9之示意所示箭頭般，成為在第3真空搬送室112與第1真空搬送室104之間，在經由第1真空搬送中間室111及第2真空搬送室110、第2真空搬送中間室113的真空搬送單元內部的氣體導入口124及排氣口125之組合之中，從前方看真空處理裝置700時相對於在前後方向通過彼等空間的中心之軸在水平方向左右之側各自被配置的最長之距離者。該流向係流向真空搬送單元內部的空間，流向第1真空搬送室104、第2真空搬送室110及第3真空搬送室內配置的各真空搬送機器人108之周圍之無側壁之間之空間而在第1真空搬送中間室111及第2真空搬送中間室113作成氣體流向，可以有效地將容易滯留於彼等內部的成為生成晶圓126之污染的原因之粒子輸送至排氣口125。可以積極地將圖5A及圖5B所示氣體流向中無法輸送的滯留於上述搬送容器之內部的污染物質輸送排出，可以將上述搬送容器全部保持保持清淨。
本實施例中，圖7所示第1真空搬送室104具備的排氣配管122及第3真空搬送室112具備的潔淨管123被開啟而形成氣體之流向，但相反地，面向第1真空搬送室104的氣體導入口124及面向第3真空搬送室112的排氣口125在上述前後方向之中心軸之水平方向左右側被配置，以從第1真空搬送室104所連通之潔淨管123經由第1真空搬送中間室111、第2真空搬送室110及第2真空搬送中間室113至第3真空搬送室112之排氣配管122為止之流向般，依據來自控制部之指令信號對各潔淨管123及排氣配管122上之閥進行調節亦可。
又，圖9之第3真空搬送室112具備的潔淨管123之氣體導入口124僅1部位被開啟，但從第3真空搬送室112具備的潔淨管123之複數個氣體導入口124導入潔淨氣體亦可。該情況下，在本例之前後方向之中心軸之左右側配置有氣體導入口124與排氣口125之其中任一個，複數個氣體導入口124在上述軸之左右方向之一方之側被配置為較好。這樣的構成之情況下，在真空搬送單元內沿著前後方向通過其內部的氣體之量變大，因此粒子之輸送效果進一步被提高。
圖7至圖9所示氣體之流向之例，係藉由以下2個圖案依據來自未圖示的控制部之指令信號進行切換實施。第1圖案為，在真空搬送中間室111或真空搬送中間室113內部的清掃成為必要之前，真空搬送機器人108可以切換為待機狀態之情況下。該圖案中，在真空搬送中間室111或真空搬送中間室113之任一之內部的清掃成為必要之前，若藉由控制部檢測出達到成為進行任意之真空處理單元103之清掃等之維護、檢測之基準的規定之累積處理時間或者晶圓126之處理片數時，藉由控制部之指令信號將真空搬送機器人設為待機狀態，對第1真空搬送室104及第2真空搬送室110、第3真空搬送室112具備的潔淨氣體管123與排氣配管122之選擇進行切換，使由第1真空搬送室104、第2真空搬送室110、第3真空搬送室112及真空搬送中間室111、真空搬送中間室113構成的真空搬送單元內部之潔淨氣體之導入及排氣亦即所謂潔淨氣體之吸排氣所形成的粒子之流向之圖案，從目前為止的圖7或圖8所示至少任一個真空搬送機器人108進行動作中者切換為圖9所示之任一真空搬送機器人108成為待機狀態者。
第2圖案為，包含未達到預定的應進行真空搬送中間室111或真空搬送中間室113內部的清掃的污染之界限而且預定繼續真空處理裝置700之運轉或晶圓126之處理之情況者。此係控制部藉由來自感測器之信號檢測出用於表示使用者事先設定的進行真空搬送中間室111或真空搬送中間室113之清掃的污染或者生成污染的物質之量的參數(例如密度或附著或堆積之量)之值未達到限度之狀態下，關於任一真空處理單元103即使達到預定的累積之處理時間乃至晶圓126之處理片數時亦使卡匣載台107上載置的卡匣內部收納的全部之未處理之晶圓126藉由任一真空處理室103進行處理為止繼續基於該晶圓126之處理的半導體元件之製造之運轉之後，依據來自控制部之指令信號將真空搬送單元中的潔淨管123及排氣配管122之選擇與基於該選擇的由潔淨氣體之吸排氣形成的流向之圖案從圖7或8所示者切換為圖9所示者並在預定的時間內繼續保持該待機狀態之潔淨氣體之吸排氣。
控制部，係在卡匣載台107上載置的各卡匣內部收納的全部之晶圓126之處理結束後，在另一卡匣內之晶圓126之處理開始前，判定是否達到上述使用者事先設定的真空處理單元103之累積之處理時間或者晶圓126之片數。控制部中判定為達到之情況下，在該另一卡匣內之晶圓126之處理前，將潔淨氣體之真空搬送單元中的潔淨管123及排氣配管122之選擇及基於該選擇的由潔淨氣體之吸排氣形成的流向之圖案從圖7或8所示者切換為圖9所示者並在預定的時間內繼續保持。
上述例中，配置於真空搬送單元內的氣體導入口124及排氣口125之配置位置，亦受到彼等開口之中心軸之方向影響。亦即，潔淨氣體從彼等氣體導入口124被導入之方向及流入排氣口125的粒子之流向，係考慮真空搬送機器人108之周圍的真空搬送室內之間隙及真空搬送中間室內之載置晶圓126的收納空間內之流向而進行選擇。另一方面，本實施例中，構成各真空搬送室的真空容器至少從上方看時各個具備同一或程度上視為同等的近似之構成，且從真空搬送機器人108之中心之旋轉軸之上下方向看時在通過該軸的真空處理裝置100、700之前後方向及水平方向呈對稱，或繞上述上下之旋轉軸呈軸對稱被配置。
但是，真空搬送機器人108相對於上述上下軸並非構成對稱，因此任意之真空搬送機器人108即使處於待機狀態下供給至配置有該真空搬送機器人108的真空搬送室內的氣體之流向，在通過真空搬送單元之各閘門之中心的前後方向之軸之水平方向左右側難以成為對稱。因此，相對於上述前後方向之軸在左右方向之任一側之真空搬送單元內之空間，有可能因為氣體或反應生成物之粒子滯留而致產生晶圓126之污染。
為了解決該課題，上述實施例或變形例中，氣體導入口124及排氣口125之至少任一相對於上述前後方向之軸係呈左右對稱配置，或者，至少配置於軸之兩側的氣體導入口124及排氣口125之至少任一從上方看時朝向該軸之側被配置。特別是，各真空搬送室之4個隅部之內壁面上配置的氣體導入口124，從上方看時相對於通過各閘門之中心或真空搬送機器人108之中心的左右方向及前後方向的各個軸以成45度之同角度的方式被配置。亦即，排氣口125特別是氣體導入口124之開口之中心之軸朝向真空搬送單元108之中心之旋轉軸所在之方向而被配置，潔淨氣體朝向該方向被導入，或真空搬送室內之粒子從該方向流入排氣口125。又，在上述前後方向之軸之任一側配置氣體導入口124，在另一側配置排氣口125來形成氣體之流向的圖5或9之例，及相對於前後方向之軸以相反之圖案、亦即，形成在真空搬送單元內部從各個前後方向之軸之左側導入潔淨氣體從右側進行排氣的圖案亦可，另外，形成從靠前側向裡面側流向之圖案亦可。
亦即，上述本實施例、變形例中構成為，真空搬送單元內部的基於潔淨氣體之吸排氣的流向橫切前後方向之軸的圖案大致區分可以在前後左右之側形成4個。彼等潔淨氣體之吸排氣在真空搬送機器人108之待機狀態中適當地選擇，或者按規定之時間進行切換而形成亦可，藉由上述構成，真空處理裝置100、700的真空側區塊102內之造成晶圓126污染之原因的物質之粒子更能有效地排出，可以提升處理之良率。可以減低裝置內部的清掃之頻度，可以提升真空處理裝置100、700之運轉效率。
100‧‧‧真空處理裝置 101‧‧‧大氣側區塊 102‧‧‧真空側區塊 103‧‧‧真空處理室 104‧‧‧第1真空搬送室 105‧‧‧鎖載室 106‧‧‧框體 107‧‧‧卡匣載台 108‧‧‧真空搬送機器人 109‧‧‧大氣搬送機器人 110‧‧‧第2真空搬送室 111‧‧‧第1真空搬送中間室 112‧‧‧第3真空搬送室 113‧‧‧第2真空搬送中間室 120‧‧‧閘閥 121‧‧‧乾式泵 122‧‧‧排氣配管 123‧‧‧潔淨管 124‧‧‧氣體導入口 125‧‧‧排氣口 126‧‧‧晶圓
[圖1]本發明之實施例的真空處理裝置之構成之概略表示圖。 [圖2]圖1所示實施例的真空處理裝置之斜視圖。 [圖3]圖1所示實施例的真空處理裝置之縱剖面從橫向觀察到的縱剖面圖。 [圖4]圖1所示實施例的真空處理裝置的真空側區塊內部的氣體之流向之示意表示的橫剖面圖。 [圖5]圖1所示實施例的真空處理裝置的真空側區塊內部的氣體之流向之示意表示的橫剖面圖。 [圖6]本發明之實施例的真空處理裝置100的真空側區塊102之真空容器內部的氣體之排氣及潔淨氣體之導入引起的另一氣體之流向之示意表示圖。 [圖7]圖1所示本發明之實施例之變形例的真空處理裝置之構成之概略之示意表示的橫剖面圖。 [圖8]圖1所示本發明之實施例之變形例的真空處理裝置之構成之概略之示意表示的橫剖面圖。 [圖9]圖1所示本發明之實施例之變形例的真空處理裝置之構成之概略之示意表示的橫剖面圖。 [圖10]圖7所示變形例的真空處理裝置之構成之概略表示之縱剖面圖。 本發明之一實施例。
100‧‧‧真空處理裝置
101‧‧‧大氣側區塊
102‧‧‧真空側區塊
103-1~103-4‧‧‧真空處理室
105‧‧‧鎖載室
106‧‧‧框體
107‧‧‧卡匣載台
108-1~108-2‧‧‧真空搬送機器人
109‧‧‧大氣搬送機器人
111‧‧‧第1真空搬送中間室

Claims (5)

  1. 一種真空處理裝置的運轉方法，該真空處理裝置，係具備：2個真空搬送容器，分別具備在減壓的內部進行處理對象之晶圓之搬送的搬送室，且在前後方向並列被配置；中間室容器，在彼等真空搬送容器之間被連結而配置，且內部具備與各個真空搬送室彼此連通的中間室；及複數個真空處理容器，分別具備與上述2個真空搬送容器的各個連結且在內部進行上述晶圓之搬送並使用電漿進行處理的處理室；且在上述複數個真空處理容器的各個進行上述晶圓之搬送、處理的真空處理裝置的運轉方法，上述真空搬送容器之中，在前方之真空搬送容器的真空搬送室之內部具備：對上述晶圓進行搬送的第1搬送機器人；及相對於前後方向在上述第1搬送機器人之後方之該真空搬送室之內壁具有開口且朝向該真空搬送室之中心側供給氣體的第1供給口及在上述搬送機器人之前方之該真空搬送室之內壁具有開口且進行上述氣體之排氣的至少第1排氣口，係相對於通過上述中間室之中心的前後之軸方向在左右之任一側各自被配置的氣體之第1供給孔及排氣口；上述真空搬送容器之中，在後方之真空搬送容器的真空搬送室之內部具備：對上述晶圓進行搬送的第2搬送機器人；及相對於前後方向在上述第2搬送機器人之後方之該真空搬送室之內壁具有開口且朝向該真空搬送室之中心 側供給氣體的第2供給口及在上述搬送機器人之前方之該真空搬送室之內壁具有開口且進行上述氣體之排氣的至少第2排氣口，係相對於通過上述中間室之中心的前後之軸方向在左右之任一側各自被配置的氣體之第2供給孔及排氣口；該真空處理裝置的運轉方法，係重複進行以下運轉：在上述第1供給口與第2排氣口之對之間進行氣體之供給並通過上述中間室進行排氣的第1運轉；及在上述第1及第2搬送機器人之動作停止期間在上述第2供給口及第1排氣口之對之間進行氣體之供給並通過上述中間室進行排氣的第2運轉。
  2. 如申請專利範圍第1項之真空處理裝置的運轉方法，其中上述2個真空搬送容器之各個，從上方看上述供給口及排氣口時係隔著各個上述搬送機器人而配置於各個真空搬送室之對角之角部。
  3. 如申請專利範圍第1項之真空處理裝置的運轉方法，其中於上述第1及第2運轉中係使用和上述排氣口之數目相同或較大數目的上述氣體之供給口。
  4. 如申請專利範圍第1項之真空處理裝置的運轉方法， 其中於上述第1及第2運轉中和上述2個真空搬送室之各個連結的上述真空處理容器之間係被氣密地密封而使該2個真空搬送室及上述中間室被連結作為1個室被區隔。
  5. 如申請專利範圍第1項之真空處理裝置的運轉方法，其中上述第2運轉，係在上述真空處理容器之內部的維護中被實施。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW202215562A (zh) * 2020-09-17 2022-04-16 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置、吹淨氣體之控制方法及真空搬運室之清洗方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140271049A1 (en) * 2013-03-14 2014-09-18 Hitachi High-Technologies Corporation Vacuum processing apparatus and operating method thereof

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0794489A (ja) * 1993-09-20 1995-04-07 Tokyo Electron Ltd 処理装置のクリーニング方法
JP2003045947A (ja) 2001-07-27 2003-02-14 Canon Inc 基板処理装置及び露光装置
KR101050275B1 (ko) 2002-05-21 2011-07-19 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 반도체 프로세싱 도구 내 챔버 간의 상호 오염 감소 방법
US8029226B2 (en) 2003-11-10 2011-10-04 Brooks Automation, Inc. Semiconductor manufacturing systems
US10086511B2 (en) 2003-11-10 2018-10-02 Brooks Automation, Inc. Semiconductor manufacturing systems
JP2007258347A (ja) 2006-03-22 2007-10-04 Nitto Koki Kk 化合物半導体の製造方法及び化合物半導体の製造装置
KR100847888B1 (ko) 2006-12-12 2008-07-23 세메스 주식회사 반도체 소자 제조 장치
JP4825689B2 (ja) 2007-01-12 2011-11-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
JP2009123723A (ja) 2007-11-12 2009-06-04 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置または真空処理方法
JP5295808B2 (ja) 2009-02-09 2013-09-18 東京エレクトロン株式会社 パーティクル付着防止方法及び被処理基板の搬送方法
TW201123340A (en) 2009-11-12 2011-07-01 Hitachi High Tech Corp Vacuum processing system and vacuum processing method of semiconductor processing substrate
JP2012028659A (ja) 2010-07-27 2012-02-09 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置
JP5562189B2 (ja) * 2010-09-22 2014-07-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5710194B2 (ja) 2010-09-28 2015-04-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
JP5785712B2 (ja) 2010-12-28 2015-09-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
JP6718755B2 (ja) * 2016-06-22 2020-07-08 株式会社日立ハイテク 真空処理装置およびその運転方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140271049A1 (en) * 2013-03-14 2014-09-18 Hitachi High-Technologies Corporation Vacuum processing apparatus and operating method thereof

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