KR19990074646A - 반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비 - Google Patents

반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비 Download PDF

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Abstract

식각설비 중 웨이퍼 저장챔버에 진공형성시 잔류가스가 원활히 배출되도록 하고, 퍼지가스가 일정한 온도를 유지하면서 골고루 공급되도록 하는 반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비에 관한 것이다.
본 발명은, 프로세스 챔버와 카세트 챔버 사이에 연결된 로드로크 챔버와 대기의 흐름이 자유롭게 이루어진 웨이퍼 저장챔버가 구비된 반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비에 있어서, 상기 웨이퍼 저장챔버의 일측에 설치되어서 퍼지가스가 공급되는 가스공급부 및 상기 웨이퍼 저장챔버의 다른 일측에 설치되고, 진공펌프에 연결되어 상기 웨이퍼 저장챔버 내부의 불순물 배출 및 진공형성을 위한 진공배관을 구비하여 이루어진다.
따라서, 본 발명에 의하면 챔버에 진공을 형성하는 데 있어서 배관을 더 형성함으로써 진공형성이 빠르게 이루어지고, 유독성 가스를 강제송풍에 의해 배출되며, 또한 퍼지가스가 온도가 상승된 분위기에서 골고루 공급되는 효과가 있다.

Description

반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비
본 발명은 반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 식각설비 중 웨이퍼 저장챔버에 진공형성시 잔류가스가 원활히 배출되도록 하고, 퍼지가스가 일정한 온도를 유지하면서 골고루 공급되도록 하는 반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비에 관한 것이다.
통상, 플라즈마 식각은 웨이퍼를 가공하는 공정 중 건식식각의 일례로써, 플라즈마 가스는 전기적 파괴에 의해 생성되며 가스의 종류에 따라서 웨이퍼의 표면을 이루는 물질과 강한 화학 반응을 일으킬 수 있다.
일반적인 웨이퍼 가공을 위하여 적용되는 플라즈마 식각은 다음과 같이 진행된다.
먼저, 식각될 웨이퍼가 보트에 실려서 반응실로 이송되고, 그 후 반응실 내부가 진공상태로 된 후 특수 가스가 반응실로 유입된다. 반응실에 특수 가스가 유입된 후 고주파 전력이 혼합 가스에 가해짐으로써 플라즈마 가스가 생성되고, 플라즈마 가스에 의하여 웨이퍼의 식각이 진행된다.
종래의 식각설비는 도1에서 보는 바와 같이 카세트 챔버(1)와 로드로크 챔버(2) 및 프로세스 챔버(3)로 이루어져 있다.
카세트 챔버(1)에는 카세트 출입문(10)과 카세트 인덱스(12)가 구비되어서 카세트에 장착된 웨이퍼가 낱장 단위로 로드로크 챔버(2)로 이송된다. 카세트 챔버(1)와 로드로크 챔버(2)는 슬릿밸브에 의해 웨이퍼가 이동되고, 기밀이 유지된다.
로드로크 챔버(2)는 웨이퍼를 중간단계에 저장하는 보트(20)를 구비하는 웨이퍼 저장챔버(4)를 포함하는데, 웨이퍼 저장챔버(4)의 하부에는 퍼지가스가 공급되는 가스공급관(22)이 형성되어 있다.
로드로크 챔버(2)에는 웨이퍼를 이송하는 수단으로 아암구동부(24)가 설치되어 있고, 프로세스 챔버(3)와는 슬릿밸브(26)를 통해 웨이퍼 이송 및 기밀이 유지된다. 로드로크 챔버(2)의 하측에는 퍼지가스가 공급되는 가스공급관(28) 및 진공형성을 위한 진공펌프(30)가 연결되어 있다. 진공펌프(30)는 로드로크 챔버(2)의 하측에 두 개의 배관(32, 33)에 연결된 밸브(34)를 통해 연결된다.
그리고, 프로세스 챔버(3)의 내부에는 고주파전원이 인가되는 캐소드(36)가 설치되어 있고, 외부에는 밸브(38)를 통해 고진공펌프(40)가 진공펌프(42)에 연결되어서 이루어진다.
전술한 바와 같이 구성된 종래의 플라즈마 식각설비는, 식각공정이 진행될 다수의 웨이퍼가 적재된 카세트가 카세트 출입문(10)을 통해서 카세트 챔버(14) 내부의 카세트 인덱스(12) 상에 위치하면, 카세트 내부에 적재된 웨이퍼는 슬릿밸브(14)를 통하여 보트(20)에 순차적으로 이송된다.
이후, 슬릿밸브(14)는 닫히고, 로드로크 챔버(2)의 기압상태는 진공펌프(30)의 펌핑동작에 의해서 진공상태로 변환된다. 그리고, 웨이퍼는 다시 개방된 슬릿밸브(26)를 통해서 프로세스 챔버(3)로 이송되어 진공펌프(42) 및 고진공펌프(40)의 작동에 의해 고진공이 형성되면 식각가스를 사용한 식각공정이 진행된다.
그리고, 식각공정이 진행된 웨이퍼는, 카세트 출입문(10)을 통해서 다시 진공상태의 로드로크 챔버(2)로 이송된다. 이후, 로드로크 챔버(2)의 기압상태가 가스공급관(28)을 통해 질소가스가 공급되면서 대기압 상태로 전환되면, 웨이퍼는 슬릿밸브(14)를 통하여 대기압 상태의 카세트 챔버(14)로 이송되어 카세트에 적재되며, 카세트에 적재된 웨이퍼는 카세트 출입문(10)을 통해서 외부로 반송된다.
이때, 로드로크 챔버(2) 내부로는 질소가스 등의 퍼지가스가 로드로크 챔버(2) 일측 하부에 설치된 가스공급관(28)을 통해서 400 내지 500 mTorr 정도의 압력으로 공급된다. 이는, 슬릿밸브(26)의 개폐동작시, 프로세스 챔버(3)와 로드로크 챔버(2) 사이의 기압차에 의해서 발생된 와류에 의해서 프로세스 챔버(3) 내부에서 식각공정 진행 후, 발생된 공정부산물 및 부식성, 유독성 식각가스 등이 로드로크 챔버(2) 내부로 유입되는 것을 방지하기 위함이다.
그러나, 로드로크 챔버(2) 내부로 퍼지가스를 공급하여 프로세스 챔버(3) 내부에서 발생된 공정부산물 및 부식성, 유독성의 식각가스 등이 로드로크 챔버(2) 내부로 유입됨이 방지되나 여러가지 원인에 의해서 카세트 출입문(10)을 통해서 공정부산물 및 식각가스 등이 웨이퍼 저장챔버(4) 내부로 유입되었다.
이에 따라, 공정부산물은 웨이퍼 저장챔버(4)의 하부에 축적되고, 축적된 공정부산물은 하부에 형성된 가스공급관(22)을 통해서 공급되는 퍼지가스의 공급압력에 의해서 상부로 부유되어 보트(20)에 적재된 웨이퍼를 오염시키는 문제점이 있었다.
그리고, 슬릿밸브(14)가 개폐동작을 수행할 때, 프로세스 챔버(3)에서 로드로크 챔버(2)로 유입된 부식성, 유독성 등의 성질을 가지고 있는 식각가스 등은 카세트 챔버(1) 내부로 유입되어 카세트 챔버(1)를 오염시키고, 카세트 출입문(10) 개폐동작시 다시 외부로 방출되어 식각설비 주변부를 오염시키는 문제점이 있었다.
또한, 가스공급관(22)으로부터 공급되는 퍼지가스는 빠른 속도로 웨이퍼 저장챔버(4)로 유입되었고, 퍼지가스의 온도는 챔버 내부의 온도보다 낮아서 파티클이 발생되는 요인으로 작용하는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은, 웨이퍼 저장챔버의 하부에 축적되는 공정부산물 등을 배출하기 위한 배관을 더 형성하고, 퍼지가스가 공급되는 부위에 필터를 설치하여 온도에 의한 파티클 발생을 방지하도록 하는 반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비를 제공하는 데 있다.
도1은 종래의 건식식각 설비를 나타내는 도면이다.
도2는 본 발명에 따른 반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비의 실시예를 나타내는 도면이다.
도3은 도2를 이루는 각각의 챔버의 하부를 개략적으로 나타내는 도면이다.
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1, 5 : 카세트챔버 2, 6 : 로드로크 챔버
3, 7 : 프로세스 챔버 4, 8 : 웨이퍼 저장챔버
10, 50 : 카세트 출입문 12, 52 : 카세트 인덱스
14, 26, 54, 88 : 슬릿밸브(Slit Valve) 20, 62 : 보트(Boat)
22, 28, 32, 33, 38, 56, 66, 70, 84, 92 : 연결관
24, 78 : 아암구동부 30, 42, 64, 98 : 진공펌프
34, 38, 68, 72, 94 : 밸브 36, 90 : 캐소드(Cathode)
42 : 고진공펌프 58, 86 : 필터
60 : 플레이트(Plate) 74 : 송풍기
76 : 배기덕트
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비는, 프로세스 챔버와 카세트 챔버 사이에 연결된 로드로크 챔버와 대기의 흐름이 자유롭게 이루어진 웨이퍼 저장챔버가 구비된 반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비에 있어서, 상기 웨이퍼 저장챔버의 일측에 설치되어서 진공형성을 위한 진공펌프에 연결되는 진공배관을 구비함으로써 진공형성 및 불순물이 배출되도록 이루어진다.
그리고, 상기 진공배관은 상기 웨이퍼 저장챔버의 하부 일측면에 설치되고, 상기 진공배관과 상기 진공펌프 사이에 밸브가 더 설치됨이 바람직하다.
그리고, 상기 웨이퍼 저장챔버에는 상기 진공배관과 별도로 일측에 다른 배출관이 더 설치되고, 상기 배출관은 상기 웨이퍼 저장챔버의 하부 일측에 설치되어 있다.
또한, 상기 배출관에는 중간에 밸브가 설치되고, 상기 웨이퍼 저장챔버 내부에 침전되는 불순물을 강제 배기할 수 있는 송풍기(Blower)가 연결되어 있다.
그리고, 상기 배출관은 상기 웨이퍼 저장챔버에 연결된 상기 진공배관에 분기되어서 설치됨이 바람직하다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비는, 프로세스 챔버와 카세트 챔버 사이에 연결된 로드로크 챔버와 대기의 흐름이 자유롭게 이루어진 웨이퍼 저장챔버가 구비된 반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비에 있어서, 상기 웨이퍼 저장챔버의 일측에 설치되어서 퍼지가스가 공급되는 가스공급부 및 상기 웨이퍼 저장챔버의 다른 일측에 설치되고, 진공펌프에 연결되어 상기 웨이퍼 저장챔버 내부의 불순물 배출 및 진공형성을 위한 진공배관을 구비하여 이루어진다.
그리고, 상기 가스공급부는 상기 웨이퍼 저장챔버의 상부에 형성되어서 상기 퍼지가스가 공급됨이 바람직하다.
그리고, 상기 가스공급부는 소정 가스공급원에 연결되고, 밸브를 구비한 가스공급관, 상기 가스공급관에 연결되어 상기 퍼지가스가 감압되는 필터 및 상기 필터를 둘러싸는 구조로 이루어지고, 상기 퍼지가스가 배출되는 소정의 개구가 형성되어 있는 플레이트를 구비하여 이루어진다.
그리고, 상기 필터는 상기 웨이퍼 저장챔버의 내부에 설치되어서 상기 퍼지가스가 공급되는 압력을 감쇠시킨다.
그리고, 상기 플레이트는 무정전 재질로 이루어지고, 둥근 디스크(Disk) 형상으로 되어 있다.
그리고, 상기 진공배관은 상기 웨이퍼 저장챔버의 하부에 설치되고, 상기 진공배관과 상기 진공펌프 사이에는 개폐용 밸브가 더 설치됨이 바람직하다.
그리고, 상기 웨이퍼 저장챔버에는 강제배기를 위한 송풍기가 연결된 배기관이 더 설치되고, 상기 배기관은 상기 웨이퍼 저장챔버의 하부에 설치되어 있다.
또한, 상기 배기관은 상기 진공배관에서 분기되게 설치되어 있다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비는 도2에 의하면, 크게 카세트 챔버(5), 로드로크 챔버(6) 및 프로세스 챔버(7) 등의 세 부분으로 나뉘어 진다.
카세트 챔버(5)는 웨이퍼를 장착한 카세트가 출입하는 카세트 출입문(50)이 구비되고, 카세트가 놓여 승강하는 카세트 인덱스(52)가 설치된다. 카세트 챔버(5)와 웨이퍼 저장챔버(4) 사이는 슬릿밸브(54)가 설치되어 있어서 웨이퍼 이동 및 기밀이 유지된다.
로드로크 챔버(6)는 웨이퍼 저장챔버(4)를 포함하여 이루어지며, 이들은 서로 개방되어 있다. 웨이퍼 저장챔버(4)에는 일측 상부에 퍼지가스가 공급되는 가스공급관(56)이 필터(58)에 연결되어 있고, 필터(58)는 플레이트(60)에 둘러 싸여 있다. 하부로부터 슬릿밸브(54) 높이 정도까지 승강하는 보트(62)가 수직으로 형성되어 있고, 일측 하부에는 진공펌프(64)에 연결되어 있는 진공배관(66)이 연결되는데, 진공배관(66)은 포웨이밸브(Four Way Valve)(68)의 일 연결부에 연결되어서 결국 진공펌프(64)에 연결되어 있다.
또한, 웨이퍼 저장챔버(4)의 하부에는 진공배관(66)에 분기되어 배기관(70)이 연결되며, 배기관(70)에는 밸브(72)를 통해 송풍기(74)가 연결되고, 송풍기(74)는 배기덕트(76)에 연결되어 있다.
로드로크 챔버(6)는 중앙저면에 아암구동부(78)가 설치되어 있고, 저면에는 두 개의 배관(80, 82)이 외부로 유도되어서 포웨이밸브(68)에 각각 결합되어 있다. 또한, 저면의 일면에는 외부로부터 질소가스가 공급되는 가스공급관(84)이 필터(86)를 구비하여 설치되어 있다.
그리고, 프로세스 챔버(7)는 로드로크 챔버(6) 사이에 웨이퍼 이송 및 기밀이 유지되도록 하는 슬릿밸브(88)가 설치되어 있고, 저면에는 웨이퍼에 고주파전력이 인가되는 캐소드(90)가 설치되어 있다. 또한 캐소드(90) 부근에는 고진공을 형성하기 위한 배관(92)이 형성되어서 밸브(94)를 통해 고진공펌프(96)에 연결되고, 고진공펌프(96)는 다시 진공펌프(98)에 연결되어 구성된다.
이와 같은 배관(70, 80, 82, 84)들의 형성된 부위를 도3을 참조하여 살펴보면, 로드로크 챔버(6)의 저면에 두 개의 배관(80, 82)이 형성되고, 한 개의 퍼지가스 공급관(84)이 형성되어 있으며, 웨이퍼 저장챔버(4)의 하부에는 배기관(66)이 형성되어 있음을 볼 수 있다.
전술한 바와 같이 구성된 본 발명에 따른 실시예는 식각공정이 이루어지는 단계로 로드로크 챔버(6)의 하부에 설치된 진공배관(66)을 통해서 내부에 잔류하는 불순물 등이 배출되면서 진공이 형성되고, 식각공정이 완료되면, 웨이퍼 저장챔버(8)의 가스공급관(56)으로부터 퍼지가스가 필터(58)와 플레이트(60)를 통하면서 온도가 상승되어 균일하게 공급된다.
구체적으로, 식각공정이 진행될 다수의 웨이퍼가 적재된 카세트가 카세트 출입문(50)을 통해서 카세트 챔버(5) 내부의 카세트 인덱스(52)위에 이송되면, 카세트 인덱스(52)는 슬릿밸브(54) 위치까지 상승하게 된다.
그리고, 카세트 내부에 적재된 웨이퍼는 로봇아암 등에 의해서 슬릿밸브(54)를 통하여 보트(62)에 순차적으로 이송된다.
이때, 슬릿밸브(54)가 개방되면, 배기관(70)의 밸브(72)가 개방되고, 송풍기(74)가 동작됨에 따라 선행된 공정의 진행에 의해서 프로세스 챔버(7)에서 로드로크 챔버(6)로 유입된 부식성, 유독성 등의 성질을 가진 식각가스 등은 배기관(70)을 통한 배기덕트(76)를 통해서 외부로 배기된다.
이후, 슬릿밸브(54)가 닫히면, 배기관(70) 상에 설치된 밸브(72)도 닫히고, 진공펌프(64)의 펌핑동작에 의해서 로드로크 챔버(6)는 진공상태로 변환된다.
그리고, 로드로크 챔버(6)의 기압상태가 진공상태로 변환되면, 로봇아암 등에 의해서 웨이퍼는 슬릿밸브(88)를 통해서 프로세스 챔버(7)로 이송되어 식각가스를 사용한 식각공정이 진행된다.
그리고, 공정이 진행된 웨이퍼는, 슬릿밸브(88)를 통해 진공상태의 로드로크 챔버(6)로 다시 이송된다. 이후, 로드로크 챔버(6)의 기압상태가 가스공급관(84)으로부터 질소가스가 공급되어 대기압상태로 전환되면, 공정이 진행된 웨이퍼는, 아암구동부(78)를 통하여 카세트 저장챔버(4)의 보트(62)를 통해 카세트 챔버(5)에서 대기하는 카세트에 적재되고, 카세트에 적재된 웨이퍼는 다시 카세트 출입문(50)을 통해서 외부로 방출된다.
슬릿밸브(54)가 개방될 때, 배기관(70)에 설치된 밸브(72)는 개방되고, 송풍기(74)가 작동된다. 이에 따라, 카세트 출입문(50) 개폐동작시, 프로세스 챔버(7)에서 로드로크 챔버(6)로 유입된 식각가스 등은 배기관(70)을 통해 배기덕트(76)를 통해서 외부로 방출되며, 또한, 진공배관(66)을 통해서도 진공펌프(64)의 작동으로 외부로 방출된다.
그리고, 로드로크 챔버(6) 내부로는 항상 가스공급관(56)을 통해 질소가스 등의 퍼지가스가 웨이퍼 저장챔버(8) 상부에 설치된 필터(58)를 통과하며 퍼지가스의 공급압력이 저하되고, 다시 필터(58)와 이격된 플레이트(60)를 통과하면서 웨이퍼 저장챔버(4) 내부의 온도보다 낮게 공급되는 퍼지가스는 소정 수준으로 온도가 상승되어 공급된다.
상기와 같이, 카세트 출입문(50)의 개폐동작시, 프로세스 챔버(7)와 로드로크 챔버(6) 사이의 기압차에 의해서 발생된 와류에 의해서 식각공정 진행에 발생된 공정부산물이 프로세스 챔버(7)에서 로드로크 챔버(6)로 유입되는 것이 방지되며, 로드로크 챔버(6) 내부에 축적된 공정부산물이 퍼지가스의 공급압력에 의해서 부유되어 보트(62)에 적재된 웨이퍼를 오염시키는 것이 방지된다.
전술한 바와 같이 본 발명에 따른 실시예에 의하면, 웨이퍼 저장챔버(4)의 하부에 침전되는 공정부산물이 배출되며, 퍼지가스 공급압력이 감쇠되어서 공급되며, 특히 온도가 소정 수준으로 상승되어 공급됨으로써 파티클 발생이 감소되는 이점이 있다.
따라서, 본 발명에 의하면 챔버에 진공을 형성하는 데 있어서 배관을 더 형성함으로써 진공형성이 빠르게 이루어지고, 유독성 가스를 강제송풍에 의해 배출되며, 또한 퍼지가스가 온도가 상승된 분위기에서 골고루 공급되는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (18)

  1. 프로세스 챔버(Process Chamber)와 카세트(Cassette) 챔버 사이에 연결된 로드로크(Loadlock) 챔버와 대기의 흐름이 자유롭게 이루어진 웨이퍼 저장챔버가 구비된 반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비에 있어서,
    상기 웨이퍼 저장챔버의 일측에 설치되어서 진공형성을 위한 진공펌프에 연결되는 진공배관을 구비함으로써 진공형성 및 불순물이 배출되도록 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 진공배관은,
    상기 웨이퍼 저장챔버의 하부 일측면에 설치됨을 특징으로 하는 상기 반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 진공배관과 상기 진공펌프 사이에 밸브가 더 설치됨을 특징으로 하는 상기 반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼 저장챔버에는,
    상기 진공배관과 별도로 일측에 다른 배출관이 더 설치됨을 특징으로 하는 상기 반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 배출관은,
    상기 웨이퍼 저장챔버의 하부 일측에 설치됨을 특징으로 하는 상기 반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 배출관에는,
    중간에 밸브가 설치되고, 상기 웨이퍼 저장챔버 내부에 침전되는 불순물을 강제 배기할 수 있는 송풍기(Blower)가 연결됨을 특징으로 하는 상기 반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비.
  7. 제 4 항에 있어서, 상기 배출관은,
    상기 웨이퍼 저장챔버에 연결된 상기 진공배관에 분기되어서 설치됨을 특징으로 하는 상기 반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비.
  8. 프로세스 챔버와 카세트 챔버 사이에 연결된 로드로크 챔버와 대기의 흐름이 자유롭게 이루어진 웨이퍼 저장챔버가 구비된 반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비에 있어서,
    상기 웨이퍼 저장챔버의 일측에 설치되어서 퍼지가스가 공급되는 가스공급부; 및
    상기 웨이퍼 저장챔버의 다른 일측에 설치되고, 진공펌프에 연결되어 상기 웨이퍼 저장챔버 내부의 불순물 배출 및 진공형성을 위한 진공배관;
    을 구비함을 특징으로 하는 반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 가스공급부는,
    상기 웨이퍼 저장챔버의 상부에 형성되어서 상기 퍼지가스가 공급됨을 특징으로 하는 상기 반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 가스공급부는,
    소정 가스공급원에 연결되고, 밸브를 구비한 가스공급관;
    상기 가스공급관에 연결되어 상기 퍼지가스가 감압되는 필터; 및
    상기 필터를 둘러싸는 구조로 이루어지고, 상기 퍼지가스가 배출되는 소정의 개구가 형성되어 있는 플레이트;
    를 구비함을 특징으로 하는 상기 반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 필터는,
    상기 웨이퍼 저장챔버의 내부에 설치되어서 상기 퍼지가스가 공급되는 압력을 감쇠시키도록 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비.
  12. 제 10 항에 있어서, 상기 플레이트는,
    무정전 재질로 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비.
  13. 제 10 항에 있어서, 상기 플레이트는,
    둥근 디스크(Disk) 형상으로 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비.
  14. 제 8 항에 있어서, 상기 진공배관은,
    상기 웨이퍼 저장챔버의 하부에 설치됨을 특징으로 하는 상기 반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비.
  15. 제 8 항에 있어서,
    상기 진공배관과 상기 진공펌프 사이에는 개폐용 밸브가 더 설치됨을 특징으로 하는 상기 반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비.
  16. 제 8 항에 있어서, 상기 웨이퍼 저장챔버에는,
    강제배기를 위한 송풍기가 연결된 배기관이 더 설치됨을 특징으로 하는 상기 반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 배기관은,
    상기 웨이퍼 저장챔버의 하부에 설치됨을 특징으로 하는 상기 반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비.
  18. 제 16 항에 있어서, 상기 배기관은,
    상기 진공배관에서 분기되게 설치됨을 특징으로 하는 상기 반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비.
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