TWI675934B - 氟氧化金屬之處理方法及清潔方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之氟氧化金屬之處理方法之特徵在於：使通式MO(6-x)/2 Fx (0＜x＜6、M＝W或Mo)所表示之氟氧化金屬於溫度0℃以上且未達400℃下與含氟氣體接觸，藉由化學反應轉換為通式MF6 (M＝W或Mo)所表示之六氟化金屬。於本處理方法中，能夠不使用電漿產生裝置而將氟氧化金屬轉換為高蒸氣壓之物質，能夠用於氟化金屬製造裝置之清潔或成膜裝置之清潔。

Description

氟氧化金屬之處理方法及清潔方法
本發明係關於一種使氟氧化金屬MO(6-x)/2 Fx (0＜x＜6、M＝W或Mo)與含氟氣體進行化學反應而轉換為MF6 之處理方法及使用該處理方法去除氟氧化金屬之沉積物等之清潔方法。
作為化學氣相蒸鍍鎢(W)及鎢化合物、鉬(Mo)或鉬化合物時之前驅物，已知有六氟化鎢或六氟化鉬。作為該等前驅物之工業製造方法，已知有如反應式(1-1)～(1-2)、反應式(2-1)～(2-2)所示，使金屬鎢與氟或三氟化氮、使金屬鉬與氟或三氟化氮接觸之方法。 W(s)＋3F2 (g)→WF6 (g) 反應式(1-1) W(s)＋2NF3 (g)→WF6 (g)＋N2 (g) 反應式(1-2) Mo(s)＋3F2 (g)→MoF6 (g) 反應式(2-1) Mo(s)＋2NF3 (g)→MoF6 (g)＋N2 (g) 反應式(2-2)
六氟化鎢與六氟化鉬於工業製造方法中使用金屬鎢或金屬鉬，但於金屬鎢或金屬鉬中包含氧化物、及表面氧化物作為雜質，原料之氟或三氟化氮與該等氧化物反應，生成WOF4 或MoOF4 等氟氧化金屬MO(6-x)/2 Fx (0＜x＜6、M＝W或Mo)作為雜質。 WO3 (s)＋2F2 (g)→WOF4 ＋O2 (g) 反應式(3-1) WO3 (s)＋4/3NF3 (g)→WOF4 ＋O2 (g)＋2/3N2 (g) 反應式(3-2) MoO3 (s)＋2F2 (g)→MoOF4 ＋O2 (g) 反應式(4-1) MoO3 (s)＋4/3NF3 (g)→MoOF4 ＋O2 (g)＋2/3N2 (g) 反應式(4-2)
氟氧化金屬亦會因作為產物之六氟化鎢或六氟化鉬與金屬氧化物接觸而生成。 WO3 (s)＋2WF6 (g)→3WOF4 反應式(3-3) WO3 (s)＋2WF6 (g)→3WOF4 反應式(4-3)
進而，氟氧化金屬亦會因作為產物之六氟化鎢或六氟化鉬與水(H2 O)進行接觸而生成。 H2 O＋WF6 (g)→WOF4 ＋2HF 反應式(3-4) H2 O＋MoF6 (g)→MoOF4 ＋2HF 反應式(4-4)
又，於將六氟化鎢或六氟化鉬用作化學氣相蒸鍍鎢或鎢化合物、鉬或鉬化合物時之前驅物之情形時，使用與成為被處理基板之Si晶圓之Si進行反應之方法(反應式(5-1))、或與添加之H2 進行反應之方法(反應式(5-2))等。但於成為被處理基板之Si晶圓因自然氧化膜等而存在SiO2 之情形時，生成氟氧化金屬(反應式(5-3))。又，亦會因腔室內之水分而根據上述之反應式(3-4)生成氟氧化金屬。再者，使用六氟化鉬之情形亦會因相同之反應生成氟氧化金屬。 2WF6 ＋3Si→2W＋3SiF4 反應式(5-1) WF6 ＋3H2 →W＋6HF 反應式(5-2) 2WF6 ＋SiO2 →2WOF4 ＋3SiF4 反應式(5-3) 2MoF6 ＋3Si→2Mo＋3SiF4 反應式(6-1) MoF6 ＋3H2 →Mo＋6HF 反應式(6-2) 2MoF6 ＋SiO2 →2MoOF4 ＋3SiF4 反應式(6-3)。
表1表示1個大氣壓下之氟氧化金屬之沸點及熔點。 [表1]
氟氧化金屬由於沸點及熔點較高，常溫常壓下為固體，故而於裝置內容易析出為白色固體，成為裝置或配管之堵塞等故障之原因。該等氟氧化金屬MO(6-x)/2 Fx (0＜x＜6、M＝W或Mo；例如MOF4 )吸濕性較高，例如於大氣開放或嘗試利用含水之濕式洗淨進行去除之情形時，如反應式(7-1)～(7-2)、反應式(8-1)～(8-2)所示，因水解而生成氟氧化金屬(MO(6-y)/2 Fy (0＜y＜6，其中，y小於反應前之氟氧化金屬之通式中之x；M＝W或Mo；例如MO2 F2 )及氟化氫，並最終變為難以去除之氧化物。於變為氧化物之情形時，需要利用鹼性水溶液進行濕式洗淨。 WOF4 ＋H2 O→WO2 F2 ＋2HF 反應式(7-1) WO2 F2 ＋H2 O→WO3 ＋2HF 反應式(7-2) MoOF4 ＋H2 O→MoO2 F2 ＋2HF 反應式(8-1) MoO2 F2 ＋H2 O→MoO3 ＋2HF 反應式(8-2)
作為乾式去除氟氧化金屬之析出之方法，考慮有藉由對裝置進行加熱使氟氧化金屬氣化而去除之方法。例如，於專利文獻1中，作為於化學氣相蒸鍍裝置內防止由WOF4 所導致之排氣系統之堵塞之方法，揭示有以10～300 L/min(標準狀態)通入20～260℃之加熱氣體(乾燥空氣、氮氣、惰性氣體)之方法。或於專利文獻2中，揭示有藉由將於化學氣相蒸鍍裝置內作為使用WF6 成膜鎢膜時之副產物的WOF4 等於成膜步驟後加熱至300～600℃而去除之方法。
作為用於乾式去除氟氧化金屬之其他方法，考慮有藉由使氟氧化金屬轉化為蒸氣壓較高之化合物而去除之方法。例如，於專利文獻3中，作為使於鎢之製膜步驟中沉積於化學氣相蒸鍍裝置內之副產物變為氣體物質而去除之方法，揭示有於電漿支援下使用碳氟化合物氣體(C3 F8 )，一面檢測WF5 ＋ 、WOF4 ＋ 、及CO＋ 之至少一種之離子波峰強度一面去除之方法。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：美國專利第6090208號說明書 專利文獻2：日本專利特開昭63-241185號公報 專利文獻3：日本專利特開2004-137556號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，專利文獻1中記載之方法由於將大量加熱氣體用於去除WOF4 ，故而於導入至進行工業規模之連續製造之裝置之情形時，需要停止製造、或增加製程壓力中之惰性氣體之濃度，故而難以應用。又，專利文獻2中記載之方法由於裝置之加熱及冷卻花費時間，需要加熱至裝置後段之排出地點，故而難以應用於工業規模之裝置。又，專利文獻3中記載之方法於六氟化金屬之製造裝置中，存在碳氟化合物作為雜質混入之問題，並且需要於製造裝置全域設置電漿產生裝置，故而難以導入至進行工業規模之連續製造之裝置。
本發明之課題在於提供一種能夠不使用電漿產生裝置而將氟氧化金屬轉換為高蒸氣壓之物質之氟氧化金屬之處理方法及使用該處理方法乾式去除氟氧化金屬之清潔方法。 [解決問題之技術手段]
本發明者等人為了解決上述課題進行了銳意研究，結果著眼於若使氟氧化金屬與含氟氣體接觸，則能夠轉化為蒸氣壓較高之六氟化金屬，從而完成了本發明。即，發現如反應式(9-1)～(9-4)所示，藉由使氟氧化鎢或氟氧化鉬與含氟氣體接觸而進行反應，轉換為六氟化鎢(熔點2.3℃、沸點17.1℃)或六氟化鉬(熔點17.5℃、沸點34.0℃)，藉此能夠解決上述課題。 MOF4 ＋2F2 (g)→MF6 (g)＋1/2O2 (g) 反應式(9-1) MOF4 ＋2/3NF3 (g)→MF6 (g)＋1/2O2 (g)＋1/3N2 (g) 反應式(9-2) MOF4 ＋ClF3 (g)→MF6 (g)＋1/2O2 (g)＋ClF(g) 反應式(9-3) MOF4 ＋IF7 (g)→MF6 (g)＋1/2O2 (g)＋IF5 (g) 反應式(9-4) 其中，M為鎢或鉬。
即，本發明之氟氧化金屬之處理方法之特徵在於：使通式MO(6-x)/2 Fx (0＜x＜6、M＝W或Mo)所表示之氟氧化金屬於溫度0℃以上且未達400℃下與含氟氣體接觸，轉換為通式MF6 (M＝W或Mo)所表示之六氟化金屬。
又，本發明之氟化金屬製造裝置之清潔方法之特徵在於：將製造通式MF6 (M＝W或Mo)所表示之六氟化金屬之氟化金屬製造裝置之內表面上沉積的通式MO(6-x)/2 Fx (0＜x＜6、M＝W或Mo)所表示之氟氧化金屬藉由上述之處理方法轉換為六氟化金屬而去除。
又，本發明之成膜裝置之清潔方法之特徵在於：將使用通式MF6 (M＝W或Mo)所表示之六氟化金屬之成膜裝置之內表面上沉積的通式MO(6-x)/2 Fx (0＜x＜6、M＝W或Mo)所表示之氟氧化金屬藉由上述之處理方法轉換為六氟化金屬而去除。 [發明之效果]
根據使用本發明之氟氧化金屬之處理方法去除沉積物之方法，即便不使用大量加熱氣體或電漿產生裝置，亦能夠去除沉積之氟氧化金屬。
詳細說明本發明之氟氧化金屬之處理方法及去除方法之實施形態。但本發明並不限定於以下所示之實施形態。
本發明之氟氧化金屬之處理方法及去除方法之特徵在於：使通式MO(6-x)/2 Fx (0＜x＜6、M＝W或Mo)所表示之氟氧化金屬於溫度0℃以上且未達400℃下與含氟氣體接觸，藉由化學反應轉換為通式MF6 (M＝W或Mo)所表示之六氟化金屬。
若使氟氧化金屬與含氟氣體接觸，則如上述之反應式(9-1)～(9-4)所示，能夠藉由化學反應轉換為六氟化金屬。藉由將作為氟氧化金屬之WOF4 (熔點106℃、沸點187℃)及MoF4 (熔點98℃、沸點186℃)轉化為作為六氟化金屬之六氟化鎢(熔點2.3℃、沸點17.1℃)或六氟化鉬(熔點17.5℃、沸點34.0℃)，蒸氣壓變高。因此，藉由將沉積於裝置內之氟氧化金屬轉換為六氟化金屬，可進行乾式清潔。
含氟氣體較佳為F2 氣體、NF3 氣體、ClF3 氣體、IF7 氣體之任一者。F2 氣體及NF3 氣體就僅產生作為氣體而言容易分離之氧氣、氮氣之方面而言較佳。又，ClF3 氣體及IF7 氣體由於與氟氧化金屬之反應較快，故而能夠迅速轉換為氟氧化金屬之六氟化金屬並去除。
又，使氟氧化金屬與含氟氣體接觸進行化學反應時之溫度較佳為0℃以上且400℃以下，更佳為10℃以上且200℃以下，進而較佳為50℃以上且200℃以下。若為0℃以下，則生成之六氟化金屬MF6 (M＝W或Mo)於氟氧化金屬上液化或固化，無法高效率地進行含氟氣體與氟氧化金屬之接觸，故而不佳。又，若為50℃以下，則存在使用ClF3 氣體作為含氟氣體時產生ClO2 F作為副產物，使用IF7 氣體作為含氟氣體時產生IOF5 作為副產物之情況，但於實施本發明之方面無礙。若為400℃以上，則有裝置由於含氟氣體而腐蝕之虞，故而不佳。本發明中特別是藉由使用含氟氣體使氟氧化金屬進行氟化，從而即便為沸點以下之低溫亦能夠去除氟氧化金屬。
又，使氟氧化金屬與含氟氣體接觸時之壓力以絕對壓計較佳為0.01 kPa以上且300 kPa以下，以絕對壓計更佳為0.01 kPa以上且100 kPa以下。若絕對壓未達0.01 kPa，則用於保持壓力之設備之負荷變大，故而不佳。若為300 kPa以上，則有自裝置洩漏含氟氣體之虞，故而不佳。
為了降低含氟氣體、氟氧化金屬及六氟化金屬之分壓，防止該等氣體之液化及固化，及為了平穩地進行含氟氣體與氟氧化金屬之反應，亦可藉由惰性氣體稀釋含氟氣體。作為惰性氣體，較佳為不與含氟氣體、氟氧化金屬及六氟化金屬反應之氣體，例如氮氣、氬氣、氦氣等，就廉價之方面而言，特佳為氮氣。
氣體中之水分由於與氟氧化金屬反應而轉化為氧化物，故而較佳為含氟氣體及惰性氣體中之水分較少，例如較佳為未達100體積ppm。又，作為供給含氟氣體之方法，可為連續式、批次式之任一者，適當選擇即可。
本發明之氟氧化金屬之處理方法及去除方法由於能夠不使用電漿而乾式去除氟氧化金屬，故而能夠以低成本去除氟氧化金屬，亦能夠去除難以設置電漿產生裝置之部位之氟氧化物。
本發明之氟氧化金屬之處理方法及去除方法與如專利文獻1記載之方法般使用大量加熱氣體而不利用化學反應去除氟氧化金屬之方法不同，使用利用化學反應藉由含氟氣體將氟氧化金屬轉換為六氟化金屬後作為六氟化金屬去除之方法，故而含氟氣體之使用量較少，通入裝置之氣體之總量亦較少即可，對應用本發明之處理方法及去除方法之裝置之負擔較少。
(氟化金屬製造裝置之清潔方法) 使用圖1說明使用本發明之氟氧化金屬之處理方法的氟化金屬製造裝置之清潔方法。
圖1所示之氟化金屬製造裝置11具有反應器13。於製造氟化金屬時，向反應器13內填充粉末狀、粒狀或塊狀之金屬鎢或金屬鉬，向反應器13內供給氟氣或三氟化氮氣體等，獲得六氟化金屬等氣體狀之氟化金屬。此時，由於根據上述之反應式(3-1)等生成氟氧化金屬，故而於反應器13或配管之內表面作為附著物17附著。以下說明具有反應器13之內表面之附著物17的氟化金屬製造裝置11之清潔方法。
於反應器13中，周圍設置有加熱器15，能夠對反應器之內部進行加熱。又，於反應器13中，自含氟氣體供給部21供給含氟氣體，自惰性氣體供給部31供給惰性氣體，通過氣體排出裝置45自氣體排出管線41排氣。
於進行清潔時，視需要藉由加熱器15將反應器13之內表面加熱至特定之溫度，或保持常溫不變，向反應器13供給含氟氣體及視需要之惰性氣體。含氟氣體與附著物17之氟氧化金屬反應，將氟氧化金屬轉換為六氟化金屬，作為揮發性氣體去除。
藉由本發明，能夠不使用電漿產生裝置等且不打開反應器13而乾式去除氟化金屬之製造裝置11之內部之附著物17。
(成膜裝置之清潔方法) 使用圖2說明使用本發明之氟氧化金屬之處理方法的成膜裝置之清潔方法。
圖2所示之成膜裝置51具有腔室53。於使用成膜裝置時，於位於腔室53之內部之載台57載置矽晶圓等被處理物，向其供給六氟化鎢氣體或六氟化鉬氣體，亦視需要供給H2 等，使鎢、鉬或該等之化合物成膜於被處理物。此時，由於因水或氧化物之影響而生成氟氧化金屬，故而於腔室53或配管之內表面、載台57之表面作為附著物59附著。以下說明於腔室53之內表面與載台57之表面具有附著物59之成膜裝置51之清潔方法。
於腔室53之周圍或載台57設置有加熱器55，能夠對反應器之內部進行加熱。又，於腔室53中，自含氟氣體供給部61供給含氟氣體，自惰性氣體供給部71供給惰性氣體，通過氣體排出裝置85自氣體排出管線81排氣。
於進行清潔時，視需要藉由加熱器55將腔室53之內表面與載台57之表面加熱至特定之溫度，或保持常溫不變，向腔室53供給含氟氣體及視需要之惰性氣體。含氟氣體與附著物59之氟氧化金屬反應，將氟氧化金屬轉換為六氟化金屬，作為揮發性氣體去除。又，於連接於腔室53之氣體排出管線81等配管之內表面存在附著物之情形時，於配管之周圍設置加熱器進行加熱，或於常溫之狀態下，向配管供給含氟氣體及視需要之惰性氣體。
藉由本發明，能夠不使用電漿產生裝置等且不打開腔室53而乾式去除成膜裝置51之內部之附著物59。 實施例
藉由具體之實施例說明本發明之氟氧化金屬之處理方法。將評價實施例中之氟氧化金屬之處理方法之實驗裝置示於圖3。但本發明之氟氧化金屬之處理方法並不由以下之實施例所限定。
[實施例1] 向容積100 cm3 之容器103填充33 g鎢氟氧化物作為氟氧化金屬105。自惰性氣體供給部102供給氮氣，利用氣體排出裝置104藉由真空脫氣進行置換。自含氟氣體供給部101導入氟氣直至未圖示之壓力計變為絕對壓100 kPa為止，使之與氟氧化金屬105接觸。將相對於含氟氣體之氟氧化金屬之莫耳比設為30。藉由加熱器106將容器103設為20℃，靜置2小時後，抽取反應器103中之氣體之一部分，利用紅外分光光度計測定六氟化鎢之濃度，算出含氟氣體之轉化率。轉化率表示導入至容器內之氟氣之中，於2小時之反應時間內被六氟化鎢之轉化消耗之氟氣體之比率。其結果，氟之轉化率為1%。但若更為延長反應時間，則轉化率變得更高。
[實施例2] 除了將含氟氣體設為三氟化氮以外，與實施例1同樣地使含氟氣體與氟氧化金屬接觸。其結果，三氟化氮之轉化率為1%。
[實施例3] 除了將含氟氣體設為三氟化氯以外，與實施例1同樣地使含氟氣體與氟氧化金屬接觸。其結果，三氟化氯之轉化率為53%。
[實施例4] 除了將含氟氣體設為七氟化碘以外，與實施例1同樣地使含氟氣體與氟氧化金屬接觸。其結果，七氟化碘之轉化率為43%。
[實施例5] 除了將氟氧化金屬設為鉬氟氧化物以外，與實施例1同樣地使含氟氣體與氟氧化金屬接觸。其結果，氟之轉化率為1%。
[實施例6] 除了將氟氧化金屬設為鉬氟氧化物以外，與實施例2同樣地使含氟氣體與氟氧化金屬接觸。其結果，三氟化氮之轉化率為1%。
[實施例7] 除了將氟氧化金屬設為鉬氟氧化物以外，與實施例3同樣地使含氟氣體與氟氧化金屬接觸。其結果，三氟化氯之轉化率為65%。
[實施例8] 除了將氟氧化金屬設為鉬氟氧化物以外，與實施例4同樣地使含氟氣體與氟氧化金屬接觸。其結果，七氟化碘之轉化率為57%。
[實施例9] 除了藉由加熱器106將容器103設為150℃以外，與實施例1同樣地使含氟氣體與氟氧化金屬接觸。其結果，氟之轉化率為19%。
[實施例10] 除了藉由加熱器106將容器103設為150℃以外，與實施例2同樣地使含氟氣體與氟氧化金屬接觸。其結果，三氟化氮之轉化率為14%。
[實施例11] 除了藉由加熱器106將容器103設為150℃以外，與實施例3同樣地使含氟氣體與氟氧化金屬接觸。其結果，三氟化氮之轉化率為86%。
[實施例12] 除了藉由加熱器106將容器103設為150℃以外，與實施例9同樣地使含氟氣體與氟氧化金屬接觸。其結果，七氟化碘之轉化率為78%。
[實施例13] 除了將氟氧化金屬設為鉬氟氧化物以外，與實施例10同樣地使含氟氣體與氟氧化金屬接觸。其結果，氟之轉化率為25%。
[實施例14] 除了將氟氧化金屬設為鉬氟氧化物以外，與實施例11同樣地使含氟氣體與氟氧化金屬接觸。其結果，三氟化氮之轉化率為16%。
[實施例15] 除了將氟氧化金屬設為鉬氟氧化物以外，與實施例12同樣地使含氟氣體與氟氧化金屬接觸。其結果，三氟化氯之轉化率為89%。
[實施例16] 除了將氟氧化金屬設為鉬氟氧化物以外，與實施例13同樣地使含氟氣體與氟氧化金屬接觸。其結果，七氟化碘之轉化率為80%。
[比較例1] 除了自惰性氣體供給部供給氮氣代替含氟氣體以外，與實施例1同樣地使氮氣與氟氧化金屬接觸。其結果，未確認到六氟化鎢之生成，無法算出轉化率。
[比較例2] 除了自惰性氣體供給部供給氮氣代替含氟氣體以外，與實施例5同樣地使氮氣與氟氧化金屬接觸。其結果，未確認到六氟化鉬之生成，無法算出轉化率。
[比較例3] 除了藉由加熱器106將容器103設為150℃以外，與比較例1同樣地使氮氣與氟氧化金屬接觸。其結果，未確認到六氟化鎢之生成，無法算出轉化率。
[比較例4] 除了藉由加熱器106將容器103設為150℃以外，與比較例2同樣地使氮氣與氟氧化金屬接觸。其結果，未確認到六氟化鉬之生成，無法算出轉化率。
將以上之實施例、比較例彙總於以下之表。 [表2]
如上所述，F2 氣體、NF3 氣體、ClF3 氣體及IF7 氣體即便於20℃下亦與鎢氟氧化物及鉬氟氧化物反應，而N2 氣體即便於150℃下亦不與鎢氟氧化物及鉬氟氧化物反應。即，藉由F2 氣體等含氟氣體，能夠將該等金屬氟氧化物轉化為六氟化金屬而去除。特別是若加熱至150℃，則與20℃之情形相比，轉化率較高，反應速度較快。再者，若使用ClF3 氣體或IF7 氣體，則與使用F2 氣體或NF3 氣體之情形相比，轉化率較高，反應速度較快。
11‧‧‧氟化金屬製造裝置
13‧‧‧反應器
15‧‧‧加熱器
17‧‧‧附著物
21‧‧‧含氟氣體供給部
23‧‧‧閥
31‧‧‧惰性氣體供給部
33‧‧‧閥
41‧‧‧氣體排出管線
43‧‧‧閥
45‧‧‧氣體排出裝置
51‧‧‧成膜裝置
53‧‧‧腔室
55‧‧‧加熱器
57‧‧‧載台
59‧‧‧附著物
61‧‧‧含氟氣體供給部
63‧‧‧閥
71‧‧‧惰性氣體供給部
73‧‧‧閥
81‧‧‧氣體排出管線
83‧‧‧閥
85‧‧‧氣體排出裝置
100‧‧‧實驗裝置
101‧‧‧含氟氣體供給部
102‧‧‧惰性氣體供給部
103‧‧‧容器
104‧‧‧氣體排出裝置
105‧‧‧氟氧化金屬
106‧‧‧加熱器
111‧‧‧閥
112‧‧‧閥
113‧‧‧閥
圖1係表示本發明之實施形態之氟化金屬之製造裝置之清潔方法的說明圖。 圖2係表示本發明之實施形態之成膜裝置之清潔方法的說明圖。 圖3係表示評價實施例中之氟氧化金屬之處理方法之實驗裝置的說明圖。

Claims (6)

  1. 一種氟氧化金屬之處理方法，其特徵在於：使通式MO(6-x)/2Fx(0＜x＜6、M＝W或Mo)所表示之氟氧化金屬於溫度0℃以上且未達400℃下與含氟氣體接觸，藉由化學反應轉換為通式MF6(M＝W或Mo)所表示之六氟化金屬。
  2. 如請求項1之氟氧化金屬之處理方法，其中上述含氟氣體係選自由F2氣體、NF3氣體、ClF3氣體、及IF7氣體所組成之群中之至少一種氣體。
  3. 如請求項1或2之氟氧化金屬之處理方法，其中上述反應溫度為10℃以上且200℃以下。
  4. 如請求項1之氟氧化金屬之處理方法，其中上述含氟氣體係選自由F2氣體、NF3氣體、ClF3氣體、及IF7氣體所組成之群中之至少一種氣體， 上述反應溫度為10℃以上200℃以下，且 使上述氟氧化金屬與上述含氟氣體接觸時之壓力以絕對壓計為0.01 kPa以上且300 kPa以下。
  5. 一種氟化金屬製造裝置之清潔方法，其特徵在於：將製造通式MF6(M＝W或Mo)所表示之六氟化金屬之氟化金屬製造裝置之內表面上沉積的通式MO(6-x)/2Fx(0＜x＜6、M＝W或Mo)所表示之氟氧化金屬藉由如請求項1之處理方法轉換為六氟化金屬而去除。
  6. 一種成膜裝置之清潔方法，其特徵在於：將使用通式MF6(M＝W或Mo)所表示之六氟化金屬之成膜裝置之內表面上沉積的通式MO(6-x)/2Fx(0＜x＜6、M＝W或Mo)所表示之氟氧化金屬藉由如請求項1之處理方法轉換為六氟化金屬而去除。
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