TWI674632B - 半導體裝置及其製造方法、樹脂膜、以及可撓性樹脂層形成用樹脂組成物 - Google Patents

半導體裝置及其製造方法、樹脂膜、以及可撓性樹脂層形成用樹脂組成物 Download PDF

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Abstract

本發明揭示一種製造半導體裝置的方法，所述半導體裝置包括具有將電路零件密封的可撓性樹脂層的電路基板。該方法可包括：藉由在密封材料中浸漬可撓性基板並進行乾燥而將電路零件以密封材料加以密封的步驟；以及藉由使密封材料硬化而形成可撓性樹脂層的步驟。

Description

半導體裝置及其製造方法、樹脂膜、以及可撓 性樹脂層形成用樹脂組成物
本發明是有關於一種半導體裝置及其製造方法。另外，本發明是有關於一種用於形成可撓性樹脂層的樹脂組成物及樹脂膜、以及使用該些的半導體裝置。
近年來，關於穿戴式設備，除了對小型化的期望以外，為了容易穿著於身體上，要求不僅能夠以沿著如身體之類的曲面而配置的狀態來使用，而且即便穿脫亦難以產生連接不良的柔性及伸縮性。
專利文獻1中揭示有使用安裝有積體電路(integrated circuit，IC)等零件的印刷配線基板、以及長纖維強化樹脂而獲得電子零件構成物內藏模內品的方法。該方法可藉由將多個零件內藏模組內藏於樹脂中而小型化。另外，作為曲面中所使用的穿戴式設備，亦正在開發硬質部與可撓部混合構成的設備。進而，專利文獻2中記載有如下方法：於柔性基板上形成凹部，使用長纖維強化樹脂，將安裝於凹部的內部的電子零件加以密封，獲得柔性的零件內藏模組。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平5-229293號公報
[專利文獻2]日本專利特開2012-134272號公報
於使用長纖維強化樹脂而獲得內藏有電子零件構成物的模內品的情況下，可使電子設備小型化，但難以將電子零件彎曲，因此難以將電子設備沿著曲面配置而使用。另外，使用長纖維強化樹脂來製造的樹脂的透明性劣化，因此不利於要求透明性的用途。進而，於硬質部與可撓部混合構成的電子設備的情況下，存在硬質部所佔的比例大的傾向，因此可使用的曲面有限制，而且若反覆穿脫，則擔憂產生連接不良。進而，於柔性基板上形成凹部而內藏電子零件的方法中，由於需要形成凹部而存在製造步驟數增加的課題。
一方面，本發明的目的在於提供一種能夠高效率地獲得半導體裝置的方法以及利用該方法而獲得的半導體裝置，所述半導體裝置具有不僅可沿著曲面使用，而且即便穿脫亦難以產生連接不良的充分柔性。
另一方面，本發明的主要目的在於提供能夠以良好的階差埋入性來形成可撓性及透明性優異的可撓性樹脂層的樹脂組成物。
本揭示的一方面為提供一種製造半導體裝置的方法，所 述半導體裝置包括如下電路基板，所述電路基板包括：可撓性基板、安裝於所述可撓性基板上的電路零件、以及將所述電路零件密封的可撓性樹脂層(可撓性構件)。該方法包括：藉由將密封材料(密封構件)積層於所述可撓性基板上而將所述電路零件藉由所述密封材料加以密封的步驟；以及藉由使所述密封材料硬化而形成所述可撓性樹脂層(可撓性構件)的步驟。
本揭示的另一方面的方法包括：藉由將密封材料(密封構件)印刷於所述可撓性基板上而將所述電路零件藉由所述密封材料加以密封的步驟；以及藉由使所述密封材料硬化而獲得具有所述可撓性樹脂層(可撓性構件)的所述電路基板的步驟。
本揭示的另一方面的方法包括：藉由在密封材料(密封構件)中浸漬所述可撓性基板並進行乾燥而將所述電路零件藉由所述密封材料加以密封的步驟；以及藉由使所述密封材料硬化而獲得具有所述可撓性構件的所述電路基板的步驟。
該些方法中，可藉由加熱及/或曝光而使密封材料硬化。
利用本揭示的方法而獲得的半導體裝置藉由使用可撓性基板及可撓性樹脂層(可撓性構件)，能夠具有不僅可沿著曲面設置而使用(例如可穿戴於身體等的曲面上)，而且即便穿脫亦難以產生連接不良的柔性。依據本揭示的方法，能夠高效率地獲得此種半導體裝置，例如能夠以少的製造步驟數來獲得半導體裝置。進而，依據若干形態的方法，於使用多個電路零件的情況下，亦可藉由將多個電路零件以可撓性樹脂層(可撓性構件)加以密 封而使電子零件小型化。
本揭示的半導體裝置的製造方法可更包含將所述電路基板切斷的步驟。藉由進行該步驟，能夠一次性大面積地製造多個半導體裝置，可進一步減少製造步驟。
所述可撓性樹脂層(可撓性構件)可包含選自由聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、胺基甲酸酯樹脂、環氧樹脂及聚乙二醇樹脂所組成的組群中的至少一種。
所述可撓性基板以及所述可撓性樹脂層可於可見區域中為透明。藉由可撓性基板及可撓性樹脂層於可見區域中為透明，能夠獲得不會大幅度損及應用器件的設計性的半導體裝置。例如，於使用透明殼體的器件中，特別能夠避免直接看到基板面而大幅度損及設計性的問題。穿戴式設備中使用的電子零件理想為即便將所應用的器件穿戴於身上，亦溶入身體及周圍的自然者。因此，要求不損及器件自身的規劃、以及設計的電子零件。
所述電路零件可為兩種以上。藉由利用兩種以上的電路零件使電路基板中具有多種功能，從而電子零件的小型化容易。
本發明者等人反覆進行銳意研究的結果發現：藉由使用含有(A)包含熱塑性聚胺基甲酸酯和苯乙烯系彈性體中的至少任一者的彈性體、(B)聚合性化合物以及(C)聚合起始劑的樹脂組成物，以及由其製造的樹脂膜，能夠解決與階差埋入性相關的所述課題。即，本發明的另一方面提供所述樹脂組成物、樹脂膜、以及包含使用該些來製作的可撓性樹脂層的半導體裝置。
依據本發明，能夠提供一種半導體裝置的製造方法、以及利用該製造方法而獲得的半導體裝置，所述半導體裝置的製造方法可高效地獲得如下的半導體裝置，所述半導體裝置藉由具有不僅可沿著曲面使用而且即便穿脫亦難以產生連接不良的柔性，並且盡可能使電子零件透明，從而不會大幅損及應用器件的設計性。利用若干形態的方法而獲得的半導體裝置可具有優異的伸縮性。
本發明的樹脂組成物以及樹脂膜能夠以良好的階差埋入性來形成可撓性優異、且具有高透明性的可撓性樹脂層。
1‧‧‧可撓性基板
2‧‧‧電路零件
3‧‧‧可撓性樹脂層(可撓性構件)
100‧‧‧半導體裝置
圖1是示意性表示半導體裝置的一實施形態的剖面圖。
圖2是示意性表示可撓性基板以及電路零件的一實施形態的剖面圖。
圖3是示意性表示獲得多個半導體裝置的步驟的一實施形態的剖面圖。
圖4是表示恢復率的測定例的應力-應變曲線。
以下，視情況，參照圖式來對本發明的實施形態進行詳細說明。但，本發明並不限定於以下的實施形態。圖式中，對相同或者相當部分標註相同符號，且省略重複的說明。只要無特別 說明，則上下左右等的位置關係是基於圖式所示的位置關係。圖式的尺寸比率並不限定於圖示的比率。
<半導體裝置>
圖1是示意性表示本實施形態的半導體裝置的剖面圖。本實施形態的半導體裝置100包括如下的電路基板，所述電路基板包括：具有可撓性的可撓性基板1、電路零件2、以及具有可撓性的可撓性樹脂層(有時亦稱為可撓性層、或者可撓性構件)3。可撓性基板1可於可見區域中為透明。可撓性基板1例如可為於可見區域中為透明的柔性基板。電路零件2安裝於可撓性基板1上。可撓性樹脂層3將可撓性基板1以及電路零件2密封，來保護電路基板的表面。
此處，所謂於可見區域中為透明，是指當換算為50μm厚時，可見光區域400nm~750nm中的光線透過率為90%以上。關於具有硬化性的密封材料的情況，所謂於可見區域中為透明，是指於硬化後的狀態下滿足所述光線透過率。
作為可於可見區域中為透明的可撓性基板1的構成材料，可根據目的來使用聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、胺基甲酸酯樹脂、環氧樹脂、聚乙二醇樹脂等。該些可為於可見區域中透明的材料。就伸縮性更優異的觀點而言，可撓性基板1的構成材料可為選自由具有矽氧烷結構或脂肪族醚結構或二烯結構的聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、胺基甲酸酯樹脂、具有長鏈烷基鏈(例如碳數1~20的烷基鏈)的雙順丁烯二醯亞 胺樹脂、環氧樹脂、以及具有輪烷(rotaxane)結構的聚乙二醇樹脂所組成的組群中的至少一種，亦可為選自由具有矽氧烷結構或脂肪族醚結構或二烯結構的聚醯亞胺樹脂、矽酮樹脂、胺基甲酸酯樹脂、以及具有長鏈烷基鏈的雙順丁烯二醯亞胺樹脂所組成的組群中的至少一種。該些材料可單獨使用一種，或者將兩種以上組合使用。於可撓性基板1具有配線部的情況下，作為配線部的導電材料未必需要於可見區域中為透明。
可撓性基板1的構成材料可為選自由聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、胺基甲酸酯樹脂、雙順丁烯二醯亞胺樹脂、環氧樹脂及聚乙二醇樹脂所組成的組群中的至少一種。其中，就伸縮性更優異的觀點而言，可撓性基板1的構成材料可為選自由具有矽氧烷結構或脂肪族醚結構或二烯結構的聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、胺基甲酸酯樹脂、具有長鏈烷基鏈(例如碳數1~20的烷基鏈)的雙順丁烯二醯亞胺樹脂、環氧樹脂、以及具有輪烷結構的聚乙二醇樹脂所組成的組群中的至少一種。就伸縮性更優異的觀點而言，可撓性基板1的構成材料可為選自由具有矽氧烷結構或脂肪族醚結構或二烯結構的聚醯亞胺樹脂、矽酮樹脂、胺基甲酸酯樹脂、以及具有長鏈烷基鏈的雙順丁烯二醯亞胺樹脂所組成的組群中的至少一種。可撓性基板1的構成材料可單獨使用一種，或者將兩種以上組合使用。
電路零件2例如為：記憶體晶片、發光二極體(light emitting diode，LED)、無線射頻(radio frequency，RF)標籤(無 線射頻辨識系統(radio frequency identification，RFID))、溫度感測器、加速度感測器等包含半導體元件的安裝零件。可安裝一種電路零件2，亦可混合安裝兩種以上的電路零件2。可安裝一個電路零件2，亦可安裝多個電路零件2。
可撓性樹脂層3例如為樹脂硬化物層，是藉由使密封材料硬化而獲得。可撓性樹脂層3例如可藉由使用後述的樹脂組成物或者由其製作的樹脂膜作為密封材料，並使該些硬化而形成。
或者，可撓性樹脂層(可撓性層)3、以及形成可撓性樹脂層3的密封材料的構成材料例如可根據目的來使用聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、胺基甲酸酯樹脂、環氧樹脂、聚乙二醇樹脂等。該些樹脂可為於可見區域中透明的材料。就伸縮性更優異的觀點而言，可撓性樹脂層3的構成材料可為選自由具有矽氧烷結構或脂肪族醚結構或二烯結構的聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、胺基甲酸酯樹脂、具有長鏈烷基鏈(例如碳數1~20的烷基鏈)的雙順丁烯二醯亞胺樹脂、環氧樹脂以及具有輪烷結構的聚乙二醇樹脂所組成的組群中的至少一種，亦可為選自由具有矽氧烷結構或脂肪族醚結構或二烯結構的聚醯亞胺樹脂、矽酮樹脂、胺基甲酸酯樹脂、以及具有長鏈烷基鏈的雙順丁烯二醯亞胺樹脂所組成的組群中的至少一種。該些樹脂可單獨使用一種，或者將兩種以上組合使用。
成為可撓性樹脂層3的密封材料的形狀可列舉膜狀、液狀等。就用以密封的埋入時的操作性、以及埋入階差而形成的可 撓性樹脂層的平坦性優異的觀點而言，密封材料可為膜狀。
硬化後的可撓性樹脂層3顯示出低彈性係數及高伸長特性，另外，亦可具有高的耐彎曲性。藉此，可撓性進一步變得良好，因此更容易獲得不僅可沿著曲面使用，而且即便穿脫亦難以產生連接不良的柔性。就容易穿著於身體上的觀點而言，可撓性樹脂層3理想為耐水性及耐汗性優異。
<製造半導體裝置的方法>
本實施形態的製造半導體裝置的方法例如依次包括安裝步驟、密封步驟、硬化步驟以及切斷步驟。
(步驟1：安裝步驟)
首先，如圖2所示，於可撓性基板1上安裝電路零件2。所安裝的多個電路零件2可為一種，亦可為兩種以上的組合。所安裝的電路零件2可為一個，亦可為多個。
(步驟2：密封步驟)
繼而，將可撓性基板1及電路零件2以作為密封材料的樹脂組成物或者樹脂膜加以密封。可撓性基板1及電路零件2例如可藉由將膜狀的密封材料(樹脂膜)積層於可撓性基板1上，將密封材料(樹脂組成物)印刷於可撓性基板1上，或者於密封材料(樹脂組成物)中浸漬可撓性基板1並進行乾燥而密封。可利用熱壓、輥層壓、真空層壓、印刷法或者浸漬法等來進行密封。其中，輥對輥(Roll to Roll)的製程中可使用的方法可縮短製造步驟。
藉由熱壓、輥層壓、真空層壓等的密封步驟中，較佳為於減壓下積層密封材料(樹脂膜)。用以積層的壓接壓力可為0.1MPa~150MPa左右(1kgf/cm2~1500kgf/cm2左右)。為了密封，可將密封材料(密封樹脂)加熱至50℃~170℃。該些條件並無特別限制。
(步驟3：硬化步驟)
於密封步驟中將可撓性基板1及電路零件2以密封材料加以密封後，藉由使密封材料硬化而形成可撓性樹脂層3，獲得具有可撓性樹脂層3的電路基板。藉此，獲得圖1所示的半導體裝置100。可利用藉由加熱的熱硬化、藉由曝光的光硬化、或者該些的組合，而使密封材料硬化。就電路零件2的耐熱性的觀點而言，密封材料若為熱硬化性，則可為於低溫下硬化的材料(樹脂組成物)。就可於室溫下硬化的觀點而言，密封材料亦可為進行光硬化的材料(樹脂組成物)。
(步驟4：切斷步驟)
半導體裝置的製造方法可視需要而包括如下步驟：例如如圖3所示，藉由將電路基板切斷分離而獲得具有電路零件的多個半導體裝置。藉此，可一次性大面積地製造多個半導體裝置，能夠容易減少製造步驟。
<可撓性樹脂層形成用樹脂組成物>
一實施形態的樹脂組成物含有(A)包含熱塑性聚胺基甲酸酯和苯乙烯系彈性體中的至少一者的彈性體、(B)聚合性化合物 以及(C)聚合起始劑，並且用於形成可撓性樹脂層。該樹脂組成物可藉由光化射線的照射及/或加熱而硬化。
作為熱塑性聚胺基甲酸酯，可使用通常用作彈性體或熱塑性彈性體者。熱塑性聚胺基甲酸酯的市售品例如可列舉：日本巴斯夫(BASF Japan)(股)的「伊拉斯通(Elaston)系列」，東曹(股)的「美拉龍(Miractran)系列」，迪愛生拜耳聚合物(DIC Bayer Polymer)(股)的「潘德克斯(PANDEX)系列」、「德斯莫潘(Desmopan)系列」、「特辛(Texin)系列」。
就耐水性的觀點而言，熱塑性聚胺基甲酸酯亦可為聚醚二醇與二異氰酸酯的反應產物即聚醚系的熱塑性聚胺基甲酸酯。聚醚系的熱塑性聚胺基甲酸酯的市售品的例子可列舉日本巴斯夫(BASF Japan)(股)的「伊拉斯通(Elaston)ET385」。就透明性及耐候性的觀點而言，亦可使用所謂的無黃變類型的熱塑性聚胺基甲酸酯。無黃變類型的熱塑性聚胺基甲酸酯的市售品的例子可列舉六亞甲基二異氰酸酯與聚碳酸酯二醇的反應產物即東曹(股)的「美拉龍(Miractran)XN-2001」。
就塗膜性的觀點而言，熱塑性聚胺基甲酸酯的重量平均分子量可為10,000~200,000、20,000~175,000、或者30,000~150,000。本說明書中，重量平均分子量(Mw)亦可為藉由凝膠滲透層析法(Gel Permeation Chromatography，GPC)的標準聚苯乙烯換算值。
所謂苯乙烯系彈性體為具有如下的共聚物作為基本單 元結構的彈性體，所述共聚物包含作為硬鏈段的聚苯乙烯以及作為軟鏈段的選自聚乙烯、聚丁烯及聚異戊二烯等中的包含不飽和雙鍵的二烯系彈性體。
苯乙烯系彈性體的市售品例如可列舉：JSR(股)的「戴納龍(Dynaron)SEBS系列」、日本科騰聚合物(Kraton polymers Japan)(股)的「科騰(Kraton)D聚合物系列」、阿隆化成(Aronkasei)(股)的「AR系列」。
氫化型苯乙烯系彈性體是使氫與作為軟鏈段的二烯系彈性體的不飽和雙鍵進行加成反應而生成。藉由氫化型苯乙烯系彈性體，可期待耐候性提高等效果。
氫化型苯乙烯系彈性體的市售品例如可列舉：JSR(股)的「戴納龍(Dynaron)HSBR系列」、日本科騰聚合物(Kraton polymers Japan)(股)的「科騰(Kraton)G聚合物系列」、旭化成化學(Asahi Kasei Chemicals)(股)的「圖特克(Tuftec)系列」。
就塗膜性的觀點而言，苯乙烯系彈性體的重量平均分子量可為30,000~200,000、50,000~150,000、或者75,000~125,000。
相對於(A)成分及(B)成分(聚合性化合物)的總量，(A)成分(彈性體)的含量可為50質量%~90質量%。若(A)成分的含量為50質量%以上，則容易獲得特別良好的可撓性。若(A)成分的含量為90質量%以下，則硬化時，彈性體藉由聚合性化合物而容易纏繞，故而能夠特別容易地使樹脂組成物硬化。就相同的觀點而言，(A)成分的含量可為60質量%~85質量%、 或者70質量%~80質量%。
(B)成分的聚合性化合物只要是藉由加熱或紫外線等的照射而聚合的化合物，則並無特別限制，但就材料的選擇性以及獲取的容易度的觀點而言，例如可為具有乙烯性不飽和基等聚合性取代基的化合物。
聚合性化合物的具體例可列舉：(甲基)丙烯酸酯、偏二鹵乙烯、乙烯醚、乙烯酯、乙烯基吡啶、乙烯基醯胺及芳基化乙烯。就透明性的觀點而言，聚合性化合物可包含(甲基)丙烯酸酯及/或芳基化乙烯。(甲基)丙烯酸酯可為單官能、二官能或者多官能(三官能以上)的任一種，但為了容易獲得充分的硬化性，可為二官能或者多官能的(甲基)丙烯酸酯。
單官能(甲基)丙烯酸酯例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸丁氧基乙酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛基庚酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸硬脂基酯、(甲基)丙烯酸山萮基酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-3-氯-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丁酯、甲氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸 酯、甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、丁二酸單(2-(甲基)丙烯醯氧基乙基)酯等脂肪族(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸環戊酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、四氫鄰苯二甲酸單(2-(甲基)丙烯醯氧基乙基)酯、六氫鄰苯二甲酸單(2-(甲基)丙烯醯氧基乙基)酯等脂環式(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸苄基酯、(甲基)丙烯酸苯基酯、(甲基)丙烯酸鄰聯苯基酯、(甲基)丙烯酸-1-萘基酯、(甲基)丙烯酸-2-萘基酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸對枯基苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸鄰苯基苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸-1-萘氧基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-萘氧基乙酯、苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、壬基苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基-3-苯氧基丙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基-3-(鄰苯基苯氧基)丙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基-3-(1-萘氧基)丙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基-3-(2-萘氧基)丙酯等芳香族(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸-2-四氫糠酯、N-(甲基)丙烯醯氧基乙基六氫鄰苯二甲醯亞胺、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基-N-咔唑等雜環式(甲基)丙烯酸酯、該些化合物的己內酯改質體。該些化合物中，脂肪族(甲基)丙烯酸酯以及芳香族(甲基)丙烯酸酯就與熱塑性聚胺基甲酸酯及苯乙烯系彈性體的相容性、透明性及耐熱性的觀點而言特別優異。
二官能(甲基)丙烯酸酯例如可列舉：乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸 酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,3-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、3-甲基-1,5-戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、2-丁基-2-乙基-1,3-丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,10-癸二醇二(甲基)丙烯酸酯、甘油二(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化-2-甲基-1,3-丙二醇二(甲基)丙烯酸酯等脂肪族(甲基)丙烯酸酯；環己烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化環己烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化環己烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化環己烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化三環癸烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化三環癸烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化三環癸烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化氫化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化氫化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化氫化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化氫化雙酚F二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化氫化雙酚F二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化氫化雙酚F二(甲基)丙烯酸酯等脂環式(甲基)丙烯酸酯；乙氧基化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化雙酚F二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化雙酚F 二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化雙酚F二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化雙酚AF二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化雙酚AF二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化雙酚AF二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化茀型二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化茀型二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化茀型二(甲基)丙烯酸酯等芳香族(甲基)丙烯酸酯；乙氧基化異氰脲酸二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化異氰脲酸二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化異氰脲酸二(甲基)丙烯酸酯等雜環式(甲基)丙烯酸酯；該些化合物的己內酯改質體；新戊二醇型環氧基(甲基)丙烯酸酯等脂肪族環氧基(甲基)丙烯酸酯；環己烷二甲醇型環氧基(甲基)丙烯酸酯、氫化雙酚A型環氧基(甲基)丙烯酸酯、氫化雙酚F型環氧基(甲基)丙烯酸酯等脂環式環氧基(甲基)丙烯酸酯；間苯二酚型環氧基(甲基)丙烯酸酯、雙酚A型環氧基(甲基)丙烯酸酯、雙酚F型環氧基(甲基)丙烯酸酯、雙酚AF型環氧基(甲基)丙烯酸酯、茀型環氧基(甲基)丙烯酸酯等芳香族環氧基(甲基)丙烯酸酯等。該些化合物中，脂肪族(甲基)丙烯酸酯及芳香族(甲基)丙烯酸酯就與熱塑性聚胺基甲酸酯及苯乙烯系彈性體的相容性、透明性及耐熱性的觀點而言特別優異。
三官能以上的多官能(甲基)丙烯酸酯例如可列舉：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化季戊四醇三(甲基) 丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等脂肪族(甲基)丙烯酸酯；乙氧基化異氰脲酸三(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化異氰脲酸三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化異氰脲酸三(甲基)丙烯酸酯等雜環式(甲基)丙烯酸酯；該些化合物的己內酯改質體；苯酚酚醛清漆型環氧基(甲基)丙烯酸酯、甲酚酚醛清漆型環氧基(甲基)丙烯酸酯等芳香族環氧基(甲基)丙烯酸酯。該些化合物中，脂肪族(甲基)丙烯酸酯及芳香族(甲基)丙烯酸酯就與熱塑性聚胺基甲酸酯及苯乙烯系彈性體的相容性、透明性及耐熱性的觀點而言特別優異。
該些化合物可單獨使用或者將兩種以上組合使用，亦可與其他的聚合性化合物組合使用。
相對於(A)成分及(B)成分的總量，(B)成分的聚合性化合物的含量可為10質量%~50質量%。若(B)成分的含量為10質量%以上，則特別容易與(A)彈性體一併硬化。若(B)成分的含量為50質量%以下，則容易獲得硬化物的充分的強度及可撓性。就相同的觀點而言，(B)成分的含量可為15質量%~40質量%。
(C)成分的聚合起始劑只要是藉由加熱或者紫外線等的照射而引發聚合的化合物，則並無特別限制。例如於使用具有 乙烯性不飽和基的化合物作為(B)成分的聚合性化合物的情況下，聚合起始劑可為熱自由基聚合起始劑、或者光自由基聚合起始劑。由於硬化速度快且可進行常溫硬化，故而(C)成分亦可包含光自由基聚合起始劑。
熱自由基聚合起始劑例如可列舉：甲基乙基酮過氧化物、環己酮過氧化物、甲基環己酮過氧化物等酮過氧化物；1,1-雙(第三丁基過氧基)環己烷、1,1-雙(第三丁基過氧基)-2-甲基環己烷、1,1-雙(第三丁基過氧基)-3,3,5-三甲基環己烷、1,1-雙(第三己基過氧基)環己烷、1,1-雙(第三己基過氧基)-3,3,5-三甲基環己烷等過氧化縮酮；對薄荷烷氫過氧化物等氫過氧化物；α,α'-雙(第三丁基過氧基)二異丙基苯、二枯基過氧化物、第三丁基枯基過氧化物、二-第三丁基過氧化物等二烷基過氧化物；辛醯基過氧化物、月桂醯基過氧化物、硬脂基過氧化物、苯甲醯基過氧化物等二醯基過氧化物；過氧化二碳酸雙(4-第三丁基環己基)酯、過氧化二碳酸二-2-乙氧基乙酯、過氧化二碳酸二-2-乙基己酯、過氧化碳酸二-3-甲氧基丁酯等過氧化碳酸酯；過氧化三甲基乙酸第三丁酯、過氧化三甲基乙酸第三己酯、過氧化-2-乙基己酸-1,1,3,3-四甲基丁酯、2,5-二甲基-2,5-雙(2-乙基己醯基過氧基)己烷、過氧化-2-乙基己酸第三己酯、過氧化-2-乙基己酸第三丁酯、過氧化異丁酸第三丁酯、過氧化異丙基單碳酸第三己酯、過氧化-3,5,5-三甲基己酸第三丁酯、過氧化月桂酸第三丁酯、過氧化異丙基單碳酸第三丁酯、過氧化-2-乙基己基單碳酸第三丁酯、過氧化苯甲酸第三丁酯、過 氧化苯甲酸第三己酯、2,5-二甲基-2,5-雙(苯甲醯基過氧基)己烷、過氧化乙酸第三丁酯等過氧化酯；2,2'-偶氮雙異丁腈、2,2'-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)、2,2'-偶氮雙(4-甲氧基-2'-二甲基戊腈)等偶氮化合物。該些化合物中，二醯基過氧化物、過氧化酯及偶氮化合物就硬化性、透明性及耐熱性的觀點而言特別優異。
光自由基聚合起始劑例如可列舉：2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等安息香縮酮；1-羥基環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-[4-(2-羥基乙氧基)苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙烷-1-酮等α-羥基酮；2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-丁烷-1-酮、1,2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基丙烷-1-酮等α-胺基酮；1-[(4-苯硫基)苯基]-1,2-辛二酮-2-(苯甲醯基)肟等肟酯；雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦、雙(2,6-二甲氧基苯甲醯基)-2,4,4-三甲基戊基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦等氧化膦；2-(鄰氯苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚體、2-(鄰氯苯基)-4,5-二(甲氧基苯基)咪唑二聚體、2-(鄰氟苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚體、2-(鄰甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚體、2-(對甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚體等2,4,5-三芳基咪唑二聚體；二苯甲酮、N,N'-四甲基-4,4'-二胺基二苯甲酮、N,N'-四乙基-4,4'-二胺基二苯甲酮、4-甲氧基-4'-二甲基胺基二苯甲酮等二苯甲酮化合物；2-乙基蒽醌、菲醌、2-第三丁基蒽醌、八甲基蒽醌、1,2-苯并蒽醌、2,3-苯并蒽醌、2-苯基蒽醌、2,3-二苯基蒽醌、1-氯蒽醌、2-甲基蒽醌、1,4-萘醌、9,10-菲醌、2-甲基-1,4-萘醌、2,3-二甲基蒽醌等醌 化合物；安息香甲醚、安息香乙醚、安息香苯醚等安息香醚；安息香、甲基安息香、乙基安息香等安息香化合物；苄基二甲基縮酮等苄基化合物；9-苯基吖啶、1,7-雙(9,9'-吖啶基庚烷)等吖啶化合物；N-苯基甘胺酸、香豆素等。
所述2,4,5-三芳基咪唑二聚體中，兩個三芳基咪唑部位的芳基的取代基可相同而提供對稱的化合物，亦可不同而提供不對稱的化合物。亦可如二乙基硫雜蒽酮與二甲基胺基苯甲酸的組合般，將硫雜蒽酮化合物與三級胺加以組合。
該些化合物中，α-羥基酮及氧化膦就硬化性、透明性及耐熱性的觀點而言特別優異。
該些熱自由基聚合起始劑及光自由基聚合起始劑可單獨使用或者將兩種以上組合使用。進而，亦可與適當的增感劑加以組合。
相對於(A)成分及(B)成分的總量100質量份，(C)成分的聚合起始劑的含量可為0.1質量份~10質量份。若(C)成分的含量為0.1質量份以上，則存在容易使樹脂組成物充分硬化的傾向。若(C)成分的含量為10質量份以下，則存在容易形成具有充分的光透過性的可撓性樹脂層的傾向。就相同的觀點而言，(B)成分的含量可為0.3質量份~7質量份、或者0.5質量份~5質量份。
除此以外，視需要亦可於樹脂組成物中，於實質上不損及本發明效果的範圍內添加抗氧化劑、黃變防止劑、紫外線吸收 劑、可見光吸收劑、著色劑、塑化劑、穩定劑、填充劑等的所謂添加劑。
亦可使用有機溶劑，將一實施形態的樹脂組成物加以稀釋來用作樹脂清漆。此處使用的有機溶劑只要是可溶解該樹脂組成物者，則並無特別限制。有機溶劑例如可列舉：甲苯、二甲苯、均三甲苯、枯烯、對異丙基甲苯(p-cymene)等芳香族烴；四氫呋喃、1,4-二噁烷等環狀醚；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮、4-羥基-4-甲基-2-戊酮等酮；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、γ-丁內酯等酯；碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯等碳酸酯；N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮等醯胺等。該些化合物中，就溶解性及沸點的觀點而言，可選擇甲苯、以及N,N-二甲基乙醯胺。該些有機溶劑可單獨使用或者將兩種以上組合使用。樹脂清漆中的固體成分濃度可為20質量%~80質量%。
將含有(A)彈性體、(B)聚合性化合物及(C)聚合起始劑的樹脂組成物硬化而形成的可撓性樹脂層的彈性係數可為0.1MPa以上、1000MPa以下。若彈性係數為0.1MPa以上、1000MPa以下，則可獲得作為膜的操作性及可撓性。就該觀點而言，彈性係數可為0.3MPa以上、100MPa以下，或者0.5MPa以上、50MPa以下。
可撓性樹脂層的斷裂伸長率可為100%以上。若斷裂伸長率為100%以上，則可獲得更優異的伸縮性。就相同的觀點而 言，斷裂伸長率可為300%以上、或者500%以上。
於使用可撓性樹脂層的測定樣品的拉伸試驗中，當將第1次拉伸試驗中所施加的應變(位移量)設為X，將繼而返回至初始位置而再次進行拉伸試驗時開始施加負重時的位置設為Y，且將由式：R=Y/X計算的R定義為恢復率時，該恢復率可為80%以上。可將X設為50%來測定恢復率。圖4是表示恢復率的測定例的應力-應變曲線。若恢復率為80%以上，則可進一步提高對於重複使用的耐受性。就相同的觀點而言，恢復率可為85%以上、或者90%以上。
由樹脂組成物形成的可撓性樹脂層可具有選自80%以上的全光線透過率、5.0以下的黃化指數(Yellowness Index)、以及5.0%以下的霧度中的任一種以上的特性。該些特性可使用例如分光霧度計(日本電色工業(股)製造的分光霧度計「SH7000」)來測定。若該些特性在所述範圍內，則容易獲得充分的透明性。就相同的觀點而言，全光線透過率可為85%以上，黃化指數(Yellowness Index)可為4.0以下，霧度可為4.0%以下，全光線透過率亦可為90%以上，黃化指數(Yellowness Index)亦可為3.0以下，霧度亦可為3.0%以下。
一實施形態的樹脂膜包含所述樹脂成物。換言之，樹脂膜可包含(A)彈性體、(B)聚合性化合物及(C)聚合起始劑。該樹脂膜例如可藉由將含有(A)彈性體、(B)聚合性化合物、(C)聚合起始劑、以及將該些溶解的有機溶劑的樹脂清漆塗佈於基材 膜上，自塗膜中去除溶媒而容易地製造。
基材膜並無特別限制，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯；聚乙烯、聚丙烯等聚烯烴；聚碳酸酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醚硫醚、聚醚碸、聚醚酮、聚苯醚、聚苯硫醚、聚芳酯、聚碸或者液晶聚合物的膜。該些膜中，就柔軟性及強韌性的觀點而言，基材膜亦可為聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚苯醚、聚苯硫醚、聚芳酯或者聚碸的膜。
基材膜的厚度可根據作為目標的柔軟性而適當改變，亦可為3μm~250μm。若基材膜的厚度為3μm以上，則容易獲得充分的膜強度，若基材膜的厚度為250μm以下，則容易獲得充分的柔軟性。就相同的觀點而言，基材膜的厚度可為5μm~200μm、或者7μm~150μm。就與樹脂膜的剝離性提高的觀點而言，亦可利用矽酮系化合物、含氟化合物等對基材膜的表面實施脫模處理。
視需要亦可將保護膜貼附於樹脂膜上，形成包含基材膜、樹脂膜及保護膜的3層結構的積層膜。保護膜可列舉：聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯；聚乙烯、聚丙烯等聚烯烴的膜。該些膜中，就柔軟性及強韌性的觀點而言，保護膜亦可為聚對苯二甲酸乙二酯等聚酯；聚乙烯、聚丙烯等聚烯烴的膜。就與樹脂膜的剝離性提高的觀點而言，亦可利用矽酮系化合 物、含氟化合物等對保護膜的表面實施脫模處理。
保護膜的厚度可根據作為目標的柔軟性而適當改變，亦可為10μm~250μm。若保護膜的厚度為10μm以上，則容易獲得充分的膜強度，若保護膜的厚度為250μm以下，則容易獲得充分的柔軟性。就相同的觀點而言，保護膜的厚度可為15μm~200μm、或者20μm~150μm。
樹脂膜的乾燥後的厚度並無特別限定，可為5μm~1000μm。若樹脂膜的厚度為5μm以上，則存在樹脂膜或其硬化物(可撓性樹脂層)容易具有充分的強度的傾向。若樹脂膜的厚度為1000μm以下，則能夠藉由乾燥而容易充分減少樹脂膜中的殘留溶媒量。若殘留溶媒量少，則對樹脂膜的硬化物進行加熱時發泡的情況少。
樹脂膜例如可藉由捲繞為輥狀而容易保存。或者，亦可將輥狀的膜切出為適當的尺寸，以片狀的狀態來保存。
一實施形態的樹脂組成物可作為用以形成穿戴式設備的可撓性密封構件的密封材料來使用。同樣地，一實施形態的樹脂膜可作為用以形成穿戴式設備的可撓性密封構件的樹脂密封膜來使用。
[實施例]
對以下的本發明的實施例進一步進行具體說明，但本發明不受該些實施例的任何限定。
實施例1
[樹脂清漆VU1的調合]
將作為(A)成分的80質量份的聚醚系熱塑性聚胺基甲酸酯(日本巴斯夫(BASF Japan)(股)的「伊拉斯通(Elaston)ET385A」)、作為(B)成分的20質量份的環氧乙烷改質雙酚A型二甲基丙烯酸酯(日立化成(股)製造的「範克力(Fancryl)FA-321M」)、作為(C)成分的1.5質量份的雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦(巴斯夫(BASF)公司製造的「豔佳固(Irgacure)819」)、以及作為溶劑的125質量份的甲苯一邊攪拌一邊混合，獲得樹脂清漆VU1。
[樹脂膜FU1的製作]
準備表面脫模處理PET膜(帝人杜邦膜(Teijin DuPont Films)(股)製造的「普雷克斯(Purex)A31」，厚度為25μm)作為基材膜。於該PET膜的脫模處理面上，使用刮刀塗佈機(康井精機(股)製造的「SNC-350」)來塗佈樹脂清漆VU1。繼而於乾燥機(二葉科學(股)製造的「MSO-80TPS」)中以100℃乾燥20分鐘，形成樹脂膜。於所形成的樹脂膜上，以脫模處理面成為樹脂膜側的方式貼附與基材膜相同的表面脫模處理PET膜，獲得積層膜FU1。此時，樹脂膜的厚度可藉由調節塗敷機的間隙來任意地調整。本實施例中以硬化後的樹脂膜的膜厚成為100μm的方式來調節。
實施例2~實施例5、以及比較例1~比較例2
利用與實施例1相同的方法，依據表1所示的調配比來調合 樹脂清漆VU2~樹脂清漆VU6，製作樹脂膜FU2~樹脂膜FU6。準備矽酮橡膠製的片狀膜FS1(厚度為200μm)作為比較例2。
[彈性係數、伸長率的測定]
對於各樹脂膜，利用紫外線曝光機(米卡薩(Mikasa)(股)的「ML-320FSAT」)照射5000mJ/cm2的紫外線(波長365nm)而使樹脂膜硬化，藉此形成可撓性樹脂層。繼而，切出長40mm、寬10mm的積層膜，去除基材膜及保護膜，獲得可撓性樹脂層的測定用樣品。使用自動繪圖儀(autograph)((股)島津製作所「EZ-S」)，對測定用樣品的應力-應變曲線進行測定，根據該應力-應變曲線來求出彈性係數及伸長率。測定時的夾頭間距離設為20mm，拉伸速度設為50mm/min。此外，此處，測定負重0.5N至1.0N下的值作為彈性係數，且測定樣品斷裂時的值(斷裂伸長率)作為伸長率。
[恢復率的測定]
對於各樹脂膜，利用紫外線曝光機(米卡薩(Mikasa)(股)的「ML-320FSAT」)來照射5000mJ/cm2的紫外線(波長365nm)而使樹脂膜硬化，形成可撓性樹脂層。然後，切出長70mm、寬5mm的積層膜，去除基材膜及保護膜，獲得測定用樣品。使用微力試驗機(microforce tester)(伊利諾斯工具公司(Illinois Tool Works Inc)的「英斯特朗(Instron)5948」)對測定用樣品的恢復率進行測定。
所謂恢復率，是指當將第1次拉伸試驗中施加的位移量 (應變)設為X，將繼而返回至初始位置而再次進行拉伸試驗時對測定樣品開始施加負重時的位置(位移量)設為Y時，以式：R=Y/X計算的R。本測定中將初始長度(夾頭間的距離)設為50mm，將X設為25mm(應變50%)。
[全光線透過率、YI、霧度的測定]
自積層膜上去除保護膜，使用真空加壓式層壓機(日合莫頓(Nichigo Morton)(股)的「V130」)，以壓力0.5MPa、溫度60℃以及加壓時間60秒的條件，將樹脂膜層壓於載玻片(松浪硝子工業(股)的「S1111」)上。對於層壓的樹脂膜，利用所述紫外線曝光機來照射5000mJ/cm2的紫外線(波長365nm)，形成可撓性樹脂層。然後，剝離基材膜，使用分光霧度計(日本電色工業(股)的「SH7000」)來測定可撓性樹脂層的全光線透過率、YI及霧度。
[階差埋入性的評價]
將矽晶圓加工成厚度為0.1mm、10mm×10mm的尺寸，試驗是否可將其由所述實施例及比較例中製作的樹脂膜(實施例1~實施例5及比較例1的厚度為100μm，比較例2的厚度為200μm)來埋入。使用所述真空加壓式層壓機，以壓力0.8MPa、溫度90℃及加壓時間60秒的條件，將樹脂膜層壓於矽晶圓上，觀察此時的埋入的狀態。可於無空隙等的情況下埋入具有100μm高度的階差的情況評價為A，無法埋入的情況評價為C。
將實施例1~實施例5及比較例1~比較例2的評價結果示於表1中。
4)橡膠改質聚醯胺，日本化藥(股)的「卡亞福萊斯(Kayaflex)BPAM-155」，重量平均分子量：3.1×104
5)矽酮橡膠片，泰賀聚合物(Tigers Polymer)(股)的「SR-50」
6)環氧乙烷改質雙酚A型二甲基丙烯酸酯(日立化成(股)的「範克力(Fancryl)FA-321M」)
7)雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦(日本巴斯夫(BASF Japan)(股)的「豔佳固(Irgacure)819」)
可知：由包含熱塑性聚胺基甲酸酯的實施例1~實施例5的樹脂組成物來形成的可撓性樹脂層不僅彈性係數低，具有高的可撓性，而且透明性及階差埋入性優異。另一方面可知：由包含熱塑性聚胺基甲酸酯以外的彈性體的比較例1、比較例2的樹脂組成物來形成的可撓性樹脂層的可撓性、透明性或階差埋入性劣化。
實施例6
[樹脂清漆VA1的調合]
將作為(A)成分的80質量份的苯乙烯異戊二烯共聚合聚合物(日本科騰聚合物(Kraton polymers Japan)(股)的「科騰(Kraton)D1117」)、作為(B)成分的20質量份的丁二醇二丙烯酸酯(日立化成(股)製造的「範克力(Fancryl)FA-124AS」)、作為(C)成分的1.5質量份的雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦(巴斯夫(BASF)公司製造的「豔佳固(Irgacure)819」)、以及作為溶劑的125質量份的甲苯一邊攪拌一邊混合，獲得樹脂清漆VA1。
[樹脂膜FA1的製作]
準備表面脫模處理PET膜(帝人杜邦薄膜(股)製造的「普雷克斯(Purex)A31」，厚度25μm)作為基材膜。於該PET膜的脫模處理面上，使用刮刀塗佈機(康井精機(股)製造的「SNC-350」)來塗佈樹脂清漆VA1。繼而於乾燥機(二葉科學(股)製造的「MSO-80TPS」)中以100℃乾燥20分鐘，形成樹脂膜。於所形成的樹脂膜上，以脫模處理面成為樹脂膜側的朝向貼附與基材膜相同的表面脫模處理PET膜作為保護膜，獲得積層膜FA1。樹脂 膜的厚度可藉由調節塗敷機的間隙來任意地調整。本實施例中，以硬化後的樹脂膜的膜厚成為100μm的方式進行調節。
實施例7~實施例13以及比較例1~比較例2
利用與實施例6相同的方法，依據表2所示的調配比來調合樹脂清漆VA2~樹脂清漆VA8，製作積層膜FA2~積層膜FA8。準備矽酮橡膠製的片狀膜FS1(厚度200μm)作為比較例2。
利用與實施例1~實施例5相同的方法來評價各樹脂膜。將實施例7~實施例13及比較例1~比較例2的評價結果示於表1中。
3)橡膠改質聚醯胺(日本化藥(股)的「卡亞福萊斯(Kayaflex)BPAM-155」)，重量平均分子量：3.1×104
4)矽酮橡膠片，泰賀聚合物(股)的「SR-50」
5)丁二醇二丙烯酸酯(日立化成(股)的「範克力(Fancryl)FA-124AS」)
6)己二醇二丙烯酸酯(日立化成(股)的「範克力(Fancryl)FA-126AS」)
7)壬二醇二丙烯酸酯(日立化成(股)的「範克力(Fancryl)FA-129AS」)
8)環氧乙烷改質雙酚A型二甲基丙烯酸酯(日立化成(股)的「範克力(Fancryl)FA-321M」)
9)雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦(日本巴斯夫(BASF)(股)的「豔佳固(Irgacure)819」)
可知：由包含苯乙烯系彈性體的實施例7~實施例13的樹脂組成物所形成的可撓性樹脂層不僅彈性係數低，具有高的可撓性，而且透明性及階差埋入性優異。另一方面可知：由包含苯乙烯系彈性體以外的彈性體的比較例1、比較例2的樹脂組成物所形成的可撓性樹脂層的可撓性、透明性或階差埋入性劣化。
[產業上之可利用性]
本發明的可撓性樹脂組成物以及樹脂膜的可撓性及透明性、進而階差埋入性優異，該些能夠適合作為用以保護穿戴式設備的電路基板的密封層來使用。

Claims (16)

  1. 一種製造半導體裝置的方法，所述半導體裝置包括電路基板，所述電路基板包括：可撓性基板、安裝於所述可撓性基板上的電路零件、以及將所述電路零件密封的可撓性樹脂層；並且所述製造半導體裝置的方法包括：藉由將密封材料積層於所述可撓性基板而將所述電路零件藉由所述密封材料加以密封的步驟；以及藉由使所述密封材料硬化而形成所述可撓性樹脂層的步驟。
  2. 一種製造半導體裝置的方法，所述半導體裝置包括電路基板，所述電路基板包括：可撓性基板、安裝於所述可撓性基板上的電路零件、以及將所述電路零件密封的可撓性樹脂層；並且所述製造半導體裝置的方法包括：藉由將密封材料印刷於所述可撓性基板而將所述電路零件藉由所述密封材料加以密封的步驟；以及藉由使所述密封材料硬化而形成所述可撓性樹脂層的步驟。
  3. 一種製造半導體裝置的方法，所述半導體裝置包括電路基板，所述電路基板包括：可撓性基板、安裝於所述可撓性基板上的電路零件、以及將所述電路零件密封的可撓性樹脂層；並且所述製造半導體裝置的方法包括：藉由在密封材料中浸漬所述可撓性基板並進行乾燥而將所述電路零件藉由所述密封材料加以密封的步驟；藉由使所述密封材料硬化而形成所述可撓性樹脂層的步驟。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的方法，其更包括將所述電路基板切斷的步驟。
  5. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的方法，其中所述可撓性樹脂層包含選自由聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、胺基甲酸酯樹脂、環氧樹脂及聚乙二醇樹脂所組成的組群中的至少一種。
  6. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的方法，其中所述可撓性基板以及所述可撓性樹脂層於可見區域中為透明。
  7. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的方法，其中所述電路零件為兩種以上。
  8. 一種可撓性樹脂層形成用樹脂組成物，其含有：(A)包含熱塑性聚胺基甲酸酯和苯乙烯系彈性體中的至少任一者的彈性體、(B)聚合性化合物以及(C)聚合起始劑。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的可撓性樹脂層形成用樹脂組成物，其中(A)彈性體包含所述熱塑性聚胺基甲酸酯。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的可撓性樹脂層形成用樹脂組成物，其中(A)彈性體包含所述苯乙烯系彈性體。
  11. 如申請專利範圍第8項至第10項中任一項所述的可撓性樹脂層形成用樹脂組成物，其中(B)聚合性化合物包含乙烯性不飽和基。
  12. 如申請專利範圍第8項至第10項中任一項所述的可撓性樹脂層形成用樹脂組成物，其中(C)聚合起始劑為光自由基聚合起始劑。
  13. 如申請專利範圍第8項至第10項中任一項所述的可撓性樹脂層形成用樹脂組成物，其中(A)彈性體的含量相對於(A)彈性體及(B)聚合性化合物的總量而為50質量%~90質量%，(B)聚合性化合物的含量相對於(A)彈性體及(B)聚合性化合物的總量而為10質量%~50質量%，(C)聚合起始劑的含量相對於(A)彈性體及(B)聚合性化合物的總量100質量份而為0.1質量份~10質量份。
  14. 如申請專利範圍第8項至第10項中任一項所述的可撓性樹脂層形成用樹脂組成物，其中所述樹脂組成物為密封材料。
  15. 一種樹脂膜，其包含如申請專利範圍第8項至第14項中任一項的可撓性樹脂層形成用樹脂組成物。
  16. 一種半導體裝置，其包括電路基板，所述電路基板包括：可撓性基板、安裝於所述可撓性基板上的電路零件、以及將所述電路零件密封的可撓性樹脂層；並且所述可撓性樹脂層是將如申請專利範圍第8項至第13項中任一項所述的可撓性樹脂層形成用樹脂組成物硬化而成的層。
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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102103916B1 (ko) * 2014-07-02 2020-04-24 토요잉크Sc홀딩스주식회사 열 경화성 수지 조성물, 폴리아미드, 접착성 시트, 경화물 및 프린트 배선판
KR102520360B1 (ko) * 2014-11-18 2023-04-11 가부시끼가이샤 레조낙 반도체 장치 및 그 제조 방법, 및 가요성 수지층 형성용 수지 조성물
DE202015007999U1 (de) * 2015-11-17 2017-02-20 Parador Gmbh Plattenkörper
WO2018016535A1 (ja) * 2016-07-19 2018-01-25 デンカ株式会社 接着剤組成物
WO2018079608A1 (ja) * 2016-10-28 2018-05-03 日立化成株式会社 伸縮性樹脂層形成用硬化性組成物
WO2018092329A1 (ja) * 2016-11-15 2018-05-24 日立化成株式会社 配線基板及びその製造方法
WO2018092328A1 (ja) * 2016-11-15 2018-05-24 日立化成株式会社 配線基板及びその製造方法
US11259409B2 (en) 2016-11-15 2022-02-22 Showa Denko Materials Co., Ltd. Conductor substrate, wiring substrate and method for producing wiring substrate
JP2018093026A (ja) * 2016-12-01 2018-06-14 日立化成株式会社 配線基板及びその製造方法
JP7124711B2 (ja) * 2016-12-26 2022-08-24 昭和電工マテリアルズ株式会社 配線基板及びその製造方法、並びにストレッチャブルデバイス
JP7103227B2 (ja) * 2016-12-27 2022-07-20 昭和電工マテリアルズ株式会社 金属箔付伸縮性部材
JP6805821B2 (ja) * 2016-12-28 2020-12-23 昭和電工マテリアルズ株式会社 伸縮性樹脂層形成用樹脂組成物
JP7009819B2 (ja) * 2017-07-31 2022-01-26 昭和電工マテリアルズ株式会社 伸縮性配線基板、及びその製造方法
KR102026469B1 (ko) * 2017-10-13 2019-09-27 한국기계연구원 신축가능한 디바이스 제조방법 및 이에 의해 제조되는 신축가능한 디바이스
JP6849096B2 (ja) * 2017-10-31 2021-03-24 ダイキン工業株式会社 ウェアラブル端末用部材
WO2019106846A1 (ja) * 2017-12-01 2019-06-06 日立化成株式会社 半導体装置の製造方法、仮固定材用樹脂組成物、及び仮固定材用積層フィルム
JP2019160965A (ja) * 2018-03-12 2019-09-19 日立化成株式会社 導体基板、配線基板及びそれらの製造方法
JP7141873B2 (ja) * 2018-03-28 2022-09-26 株式会社日本触媒 共重合体および樹脂組成物
WO2019216352A1 (ja) * 2018-05-11 2019-11-14 日立化成株式会社 導体基板、伸縮性配線基板、及び配線基板用伸縮性樹脂フィルム
JP2019197867A (ja) * 2018-05-11 2019-11-14 日立化成株式会社 導体基板の製造方法、導体基板、伸縮性配線基板及びストレッチャブルデバイス
JP6468392B1 (ja) * 2018-06-08 2019-02-13 住友ベークライト株式会社 エラストマーおよび成形体
US11630239B2 (en) * 2019-10-28 2023-04-18 Skc Co., Ltd. Polyester film and flexible display apparatus comprising same
DE102021202222A1 (de) 2021-03-08 2022-09-08 Schott Ag Verbundmaterial

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0902611B1 (de) * 1997-09-10 2007-05-09 WÜRTH ELEKTRONIK GmbH & Co. KG Recyclingfähige Leiterplatte bestehend aus einem Folien- und Trägersystem
JP2007142247A (ja) * 2005-11-21 2007-06-07 Lintec Corp 樹脂封止型半導体装置の製造方法
DE102008022977A1 (de) * 2008-05-09 2009-04-09 Siemens Medical Instruments Pte. Ltd. Schaltung mit selbsthaftender Kapselung, Herstellungsverfahren und Hörhilfe

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5085697A (en) * 1988-07-06 1992-02-04 Hayakawa Rubber Co., Ltd. Method of forming a tentative surface protective coating
JPH0350758A (ja) * 1989-07-18 1991-03-05 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置
JPH03145886A (ja) 1989-11-01 1991-06-21 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> テレビジョン信号の伝送方式
JPH0434958A (ja) * 1990-05-31 1992-02-05 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JPH05229293A (ja) 1991-12-26 1993-09-07 Kobe Steel Ltd 電子部品構成物内蔵インモールド品及びその製造方法
JP3696900B2 (ja) * 1994-07-06 2005-09-21 イビデン株式会社 電子部品の封止用樹脂を研削するための平面研削装置
JPH0834958A (ja) * 1994-07-25 1996-02-06 Nippon Shokubai Co Ltd プラスティックフィルムの表面改質方法
US6414059B1 (en) 1999-08-27 2002-07-02 Riken Technos Corporation Fire-retardant resin composition and molded part using the same
US6416690B1 (en) * 2000-02-16 2002-07-09 Zms, Llc Precision composite lens
EP1473328B1 (en) * 2002-02-06 2011-05-04 Sekisui Chemical Co., Ltd. Resin composition
JP2004051935A (ja) * 2002-02-06 2004-02-19 Sekisui Chem Co Ltd 樹脂組成物
KR100704320B1 (ko) * 2002-02-06 2007-04-10 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 수지 조성물
KR101096904B1 (ko) * 2003-07-30 2011-12-22 스미토모 덴키 고교 가부시키가이샤 비할로겐계 난연 케이블
JP4754185B2 (ja) * 2004-05-27 2011-08-24 リンテック株式会社 半導体封止用樹脂シートおよびこれを用いた半導体装置の製造方法
WO2007055287A1 (ja) * 2005-11-11 2007-05-18 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. 有機ｅｌ発光ディスプレイ
US20080185705A1 (en) * 2005-12-23 2008-08-07 Tessera, Inc. Microelectronic packages and methods therefor
JP2008145886A (ja) 2006-12-12 2008-06-26 Sharp Corp 液晶表示装置、およびその駆動方法、並びに駆動回路
JP2009036923A (ja) 2007-07-31 2009-02-19 Nitto Denko Corp 光導波路フィルムおよびその製造方法
TW200907222A (en) * 2007-08-14 2009-02-16 Ace T Corp Flexible lamp strip using LED as light source
JP4628416B2 (ja) 2007-11-30 2011-02-09 日東電工株式会社 エラストマー偏在ポリマー層を有する粘弾性部材
JP2010093172A (ja) * 2008-10-10 2010-04-22 Fujifilm Corp 封止デバイス
JP5556183B2 (ja) * 2009-10-06 2014-07-23 住友電気工業株式会社 難燃性樹脂組成物及びそれを用いた絶縁電線、フラットケーブル、成形品
JP5620774B2 (ja) * 2009-10-15 2014-11-05 住友化学株式会社 樹脂組成物
KR101171512B1 (ko) * 2010-06-08 2012-08-06 삼성전기주식회사 반도체 패키지의 제조 방법
DE102010062823A1 (de) * 2010-12-10 2012-06-21 Tesa Se Klebmasse und Verfahren zur Kapselung einer elektronischen Anordnung
JP5636947B2 (ja) 2010-12-21 2014-12-10 日本電気株式会社 部品内蔵モジュール及びこれを備える電子機器
WO2012090356A1 (ja) 2010-12-28 2012-07-05 パナソニック株式会社 発光装置、発光モジュール及びランプ
JP6049252B2 (ja) * 2011-12-01 2016-12-21 矢崎総業株式会社 自動車用フレキシブルフラットケーブル、及び、その製造方法
US8754144B2 (en) * 2012-10-15 2014-06-17 Rohitha Muthumala Jayasuriya Radiation cureable heat seal blister-coating compositions
EP2759514A1 (de) * 2013-01-29 2014-07-30 tesa SE Haftklebemasse enthaltend ein verbundenes Nanopartikelnetzwerk, Verfahren zu ihrer Herstellung sowie die Verwendung derselben
DK3008520T3 (en) * 2013-06-14 2017-10-23 Flint Group Germany Gmbh Process for manufacturing cylindrical flexo printing elements
DE102013222739A1 (de) * 2013-06-17 2014-12-18 Tesa Se Reaktives 2-Komponentenklebesystem in Filmform
JP5433099B1 (ja) * 2013-07-02 2014-03-05 日本電子精機株式会社 改良された赤外線アブレーション層を有するフレキソ印刷版用感光性樹脂積層体
KR102520360B1 (ko) * 2014-11-18 2023-04-11 가부시끼가이샤 레조낙 반도체 장치 및 그 제조 방법, 및 가요성 수지층 형성용 수지 조성물

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0902611B1 (de) * 1997-09-10 2007-05-09 WÜRTH ELEKTRONIK GmbH & Co. KG Recyclingfähige Leiterplatte bestehend aus einem Folien- und Trägersystem
JP2007142247A (ja) * 2005-11-21 2007-06-07 Lintec Corp 樹脂封止型半導体装置の製造方法
DE102008022977A1 (de) * 2008-05-09 2009-04-09 Siemens Medical Instruments Pte. Ltd. Schaltung mit selbsthaftender Kapselung, Herstellungsverfahren und Hörhilfe

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