TWI664754B - 接合體以及彈性波元件 - Google Patents

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Abstract

在由陶瓷所構成支撐基板上設置接合層，並將接合層與壓電性單晶基板進行接合之際，提升壓電性單晶基板與接合層間之接合強度，且防止接合層與支撐基板間發生剝離。
接合體8係設有由陶瓷所構成支撐基板1、以及在支撐基板1的表面1a上設置之接合層3A；包括有：由從高鋁紅柱石、氧化鋁、五氧化鉭、氧化鈦及五氧化鈮所構成群組中選擇一種以上材質構成的接合層3A、以及接合於接合層3A的壓電性單晶基板6A。支撐基板1的表面1a之算術平均粗糙度Ra係0.5nm以上且5.0nm以下。

Description

接合體以及彈性波元件
本發明係關於壓電性單晶基板、與由陶瓷所構成支撐基板的接合體，以及利用其之彈性波元件。
已知有：行動電話等所使用能發揮濾波器元件、振盪器功能的表面彈性波裝置、使用壓電薄膜的藍姆波元件、薄膜共振器(FBAR：Film Bulk Acoustic Resonator)等彈性波裝置。已知此種彈性波裝置係使支撐基板、與傳播表面彈性波的壓電基板相貼合，並在壓電基板表面上設置能激發表面彈性波的梳齒形電極。依此藉由將熱膨脹係數小於壓電基板的支撐基板，黏貼於壓電基板上，便可抑制當溫度變化時的壓電基板大小變化，俾抑制當作表面彈性波裝置用時的頻率特性變化。
例如專利文獻1所提案的表面彈性波裝置，係將壓電基板與矽基板，利用由環氧接著劑所構成接著層進行貼合的構造。
此處在將壓電基板與矽基板予以接合之際，已知有在壓電基板表面上形成氧化矽膜，經由氧化矽膜將壓電基板與矽基板予以直接接合(專利文獻2)。在此項接合之際，對氧化矽膜表面與矽基板表面施行電漿束照射使表面活化，而施行直接接合。
再者，已知有將壓電基板的表面形成粗面，並在 該粗面上設置填充層且施行平坦化，再將該填充層經由接著層接著於矽基板(專利文獻3)。該方法中，填充層、接著層係使用環氧系、丙烯酸系的樹脂，藉由將壓電基板的接合面形成粗面，便抑制體波反射，俾降低亂真。
再者，已知有所謂FAB(Fast Atom Beam，快速原子束)方式的直接接合法(專利文獻4)。該方法係在常溫下將中性化原子束照射各接合面使活化，而直接接合。
另一方面，專利文獻5有記載：將壓電性單晶基板，不是對矽基板，而是對由陶瓷(氧化鋁、氮化鋁、氮化矽)構成的支撐基板，經由中間層直接接合。該中間層的材質係設為矽、氧化矽、氮化矽、氮化鋁。
另一方面，專利文獻6所記載的複合基板，係在利用有機接著層將壓電基板與支撐基板進行接著之際，藉由將支撐基板對壓電基板的接著面之Rt(粗糙度曲線之最大截面高度)設為5nm以上且50nm以下，便可獲得利用應力緩和而防止龜裂的效果。
再者，專利文獻3有揭示：將壓電基板與支撐基板經由接著層進行貼合的表面彈性波元件、其中，在壓電基板的接合面上形成凹凸，並在該接合面上塗佈填充劑而形成填充層，再將該填充層與支撐基板予以接著。此情況，藉由在壓電基板的接合面上設置微小凹凸，藉由將算術平均粗糙度Ra設為0.1μm，便可抑制因體波反射而造成的亂真。又，藉由將支撐基板的接合面之Ra設為10nm，便可提高支撐基板與填充層的接合強度。
先行技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2010-187373
專利文獻2：美國專利第7213314B2
專利文獻3：日本專利特許第5814727
專利文獻4：日本專利特開2014-086400
專利文獻5：日本專利特許第3774782
專利文獻6：實用新案登錄第3184763
但是，將壓電性單晶基板直接接合於由陶瓷所構成支撐基板時，在接合後施行加熱之際，會因壓電性單晶基板與陶瓷的熱膨脹差而有造成龜裂的可能性。如專利文獻5所記載，在由陶瓷所構成支撐基板的表面上設置既定接合層，將離子化光束照射接合層而活化，再直接接合於壓電性單晶基板的方法。但是，經本發明者實際嘗試試製接合體，但接合強度仍嫌不足，在後續的加工步驟中，於壓電性單晶基板與接合層之間會發生剝離。
所以，本發明者針對接合層的材質、壓電性單晶基板的表面處理方法等進行檢討，就更進一步改善接合層與壓電性單晶基板間之接合強度進行檢討。但是，在將接合體提供給後續步驟時，會沿支撐基板與接合層的界面發生剝離。
本發明的課題係在由陶瓷所構成支撐基板上設置 接合層，並將接合層與壓電性單晶基板進行接合之際，提升壓電性單晶基板與接合層間之接合強度，且防止接合層與支撐基板間發生剝離。
本發明的接合體，係包括有：支撐基板，其乃由陶瓷所構成；接合層，其乃在上述支撐基板表面上設置的接合層，由從高鋁紅柱石、氧化鋁、五氧化鉭、氧化鈦及五氧化鈮所構成群組中選擇一種以上的材質構成；以及壓電性單晶基板，其乃接合於上述接合層；其中，上述支撐基板的上述表面之算術平均粗糙度Ra係0.5nm以上且5.0nm以下。
再者，本發明的彈性波元件，係包括有：上述接合體；以及電極，其乃設置於上述壓電性單晶基板上。
根據本發明，在將壓電性單晶基板、與由陶瓷所構成支撐基板進行接合之際，藉由設置由從高鋁紅柱石、氧化鋁、五氧化鉭、氧化鈦及五氧化鈮所構成群組中選擇材質構成的接合層，便可提高壓電性單晶基板與接合層間之接合強度。同時，藉由將支撐基板表面的算術平均粗糙度Ra設為0.5nm以上且5.0nm以下，便可防止支撐基板與特定接合層間之界面處發生剝離。雖即便支撐基板表面的Ra超過5.0nm，仍可謂屬極平滑的狀態，但即便如此仍頗難預測在支撐基板與特定接 合層間之界面處容易明顯發生剝離。
1‧‧‧支撐基板
1a‧‧‧表面
1b‧‧‧表面
2‧‧‧接合層
2a‧‧‧表面
3‧‧‧接合層
3a‧‧‧表面
3A‧‧‧接合層
4‧‧‧平坦面
4‧‧‧活化面
6‧‧‧壓電性單晶基板
6a‧‧‧活化面
6A‧‧‧壓電性單晶基板
6b‧‧‧表面
6c‧‧‧研磨面
7‧‧‧接合體
8‧‧‧接合體
9‧‧‧表面彈性波元件
10‧‧‧電極
11‧‧‧壓電性單晶基板
11a‧‧‧表面
11A‧‧‧壓電性單晶基板
11b‧‧‧表面
11c‧‧‧研磨面
12‧‧‧中間層
12a‧‧‧表面
13‧‧‧中間層
13a‧‧‧表面
13a‧‧‧平坦面
14‧‧‧平坦面
14‧‧‧活化面
17‧‧‧接合體
18‧‧‧接合體
19‧‧‧表面彈性波元件
A‧‧‧中性化光束
圖1中，(a)係在由陶瓷所構成支撐基板1上設置接合層2的狀態；(b)係接合層3的表面3a經施行平坦化加工的狀態；(c)係平坦面4利用中性化光束A施行活化的狀態。
圖2中，(a)係將壓電性單晶基板6與支撐基板1予以接合的狀態；(b)係將壓電性單晶基板6A利用加工而削薄的狀態；(c)係在壓電性單晶基板6A上設置電極10的狀態。
圖3中，(a)係將壓電性單晶基板11的表面11a形成粗面的狀態；(b)係在粗面11a上設置中間層12的狀態；(c)係將中間層13的表面13a施行平坦化加工的狀態；(d)係平坦面14利用中性化光束A施行活化的狀態。
圖4中，(a)係將壓電性單晶基板11與支撐基板1予以接合的狀態；(b)係將壓電性單晶基板11A利用加工而削薄的狀態；(c)係在壓電性單晶基板11A上設置電極10的狀態。
以下，參照適當圖式，針對本發明進行詳細說明。
圖1、圖2係相關在支撐基板上設置接合層，再將其直接接合於壓電性單晶基板表面上的實施形態。
如圖1(a)所示，在由陶瓷所構成支撐基板1的表面1a上設置接合層2。1b係背後側的表面。在此時點，接合層2的表面2a上亦可有凹凸。
其次，較佳實施形態係藉由對接合層2的表面2a 施行平坦化加工，而形成平坦面3a。藉由該平坦化加工，通常接合層2的厚度會變小，成為更薄的接合層3(參照圖1(b))。惟，平坦化加工並非必要。
其次，如圖1(c)所示，對平坦面3a依箭頭A所示照射中性化光束，將接合層3A的表面予以活化而成為活化面4。
另一方面，如圖2(a)所示，藉由對壓電性單晶基板6的表面照射中性化光束而活化，成為活化面6a。然後，藉由將壓電性單晶基板6的活化面6a、與接合層3A的活化面4直接接合，便獲得接合體7。
較佳實施形態係對接合體7的壓電性單晶基板表面6b更進一步施行研磨加工，如圖2(b)所示縮小壓電性單晶基板6A的厚度，獲得接合體8。6c係研磨面。
圖2(c)中，藉由在壓電性單晶基板6A的研磨面6c上形成既定電極10，便製得表面彈性波元件9。
圖3、圖4所示係將壓電性單晶基板表面形成粗面的實施形態。
如圖3(a)所示，對壓電性單晶基板11的表面11a施行加工，而形成粗面11a。11b係背後側的表面。其次，如圖3(b)所示，在粗面11a上設置中間層12。在此時點，在中間層12的表面12a上亦有轉印粗面形成凹凸。
其次，較佳實施形態係藉由對中間層12的表面12a施行平坦化加工，如圖3(c)所示形成平坦面13a。藉由該平坦化加工，通常中間層12的厚度會變小，成為更薄的中間層13。接著，如圖3(d)所示，對平坦面13a如箭頭A所示照射中性化 光束，而將中間層13A的表面活化成為活化面14。
另一方面，如圖1(c)所示，藉由對支撐基板1上的接合層3A之平坦面照射中性化光束而活化成為活化面4。然後，藉由將接合層3A的活化面4、與中間層13A的活化面14直接接合，而獲得接合體17(圖4(a))。
較佳實施形態係對接合體17的壓電性單晶基板表面11b更進一步施行研磨加工，而如圖4(b)所示減少壓電性材料基板11A的厚度，獲得接合體18。11c係研磨面。
另外，圖4(c)所示表面彈性波元件19的情況，在壓電性材料基板11A的研磨面11c上形成既定電極10。
以下，針對本發明各構成要件更進一步說明。
支撐基板的材質係陶瓷。構成支撐基板的陶瓷較佳係從高鋁紅柱石、菫青石及矽鋁氮氧化物(Sialon)所構成群組中選擇的材質。
本發明係在支撐基板的表面上設置接合層。接合層的材質係由從高鋁紅柱石、氧化鋁、五氧化鉭、氧化鈦及五氧化鈮所構成群組中選擇一種以上材質構成。藉此可提高接合層與壓電性單晶基板間之接合強度。又，接合層的成膜方法並無限定，可例示如：濺鍍(sputtering)法、化學氣相沉積法(CVD)、蒸鍍。
壓電性單晶基板的材質具體係可例示如：鉭酸鋰(LT)單晶、鈮酸鋰(LN)單晶、鈮酸鋰-鉭酸鋰固溶體單晶、水晶、硼酸鋰。其中較佳係LT或LN。因為LT、LN係表面彈性波的傳播速度快、機電耦合係數大，因而頗適用為高頻率且寬 帶域頻率用的表面彈性波裝置。又，壓電性單晶基板主面的法線方向並無特別的限定，例如壓電性單晶基板係由LT構成時，若使用以表面彈性波傳播方向的X軸為中心，從Y軸朝Z軸旋轉36~47°(例如42°)方向者，因為傳播損失較小，故較佳。若壓電性材料基板係由LN構成時，若使用以表面彈性波傳播方向的X軸為中心，從Y軸朝Z軸旋轉60~68°(例如64°)方向者，因為傳播損失較小，故較佳。又，壓電性單晶基板的大小並無特別的限定，例如直徑50~150mm、厚度0.2~60μm。
本發明中，支撐基板表面的算術平均粗糙度Ra係0.5nm以上且5.0nm以下。藉此，可明顯抑制沿支撐基板與接合層間之界面的剝離。就從此觀點，支撐基板表面的算術平均粗糙度Ra更較佳係0.8nm以上，且更佳係3.0nm以下。另外，算術平均粗糙度Ra係使用AFM(Atomic Force Microscope：原子力顯微鏡)，依照測定範圍10μm×10μm測定的數值。
較佳實施形態，支撐基板表面的PV值係10nm以上且50nm以下。藉此，可更加改善支撐基板與接合層間之界面的密接強度。就從此觀點，支撐基板表面的PV值更佳係20nm以上、且30nm以下。另外，PV值係使用AFM(Atomic Force Microscope：原子力顯微鏡)，依照測定範圍10μm×10μm測定的數值。
較佳實施形態，接合層的表面與壓電性單晶基板的表面係直接接合。此情況，接合層表面的算術平均粗糙度Ra較佳係1nm以下、更佳係0.3nm以下。又，壓電性單晶基板的上述表面之算術平均粗糙度Ra較佳係1nm以下、更佳係 0.3nm以下。藉此可更加提升壓電性單晶基板與接合層間之接合強度。
將接合層的表面、壓電性單晶基板的表面施行平坦化之方法，係有如：研磨機(Lap)研磨、化學機械研磨加工(CMP)等。
較佳實施形態，在壓電性單晶基板與接合層之間設有中間層，中間層係由從高鋁紅柱石、氧化鋁、五氧化鉭、氧化鈦及五氧化鈮所構成群組中選擇一種以上材質構成，接合層的表面與上述中間層的表面係相接合。此情況，壓電性單晶基板的表面與中間層較佳係直接接合。
本實施形態係對壓電性單晶基板的表面係面內均勻形成週期性凹凸的面，算術平均粗糙度Ra係0.05μm以上且0.5μm以下。藉此可抑制體波界面處因反射而造成的亂真。較佳實施形態，壓電性單晶基板表面的最低波谷距最大波頂的高度Ry係0.5μm以上且5.0μm。具體的粗糙度係依存於彈性波的波長，依能抑制體波反射的方式適當選擇。
再者，粗面化加工的方法係有如：研削、研磨、蝕刻、噴砂等。
再者，中間層的材質係由從高鋁紅柱石、氧化鋁、五氧化鉭、氧化鈦及五氧化鈮所構成群組中選擇一種以上材質構成。中間層的成膜方法並無限定，可例示如：濺鍍、化學氣相沉積法(CVD)、蒸鍍。
較佳實施形態，中間層的表面之算術平均粗糙度Ra較佳係1nm以下、更佳係0.3nm以下。藉此可更加提升接 合層與中間層間之接合強度。將中間層的表面施行平坦化的方法係有如：研磨機(Lap)研磨、化學機械研磨加工(CMP)等。
較佳實施形態，利用中性化光束便可將壓電性單晶基板的表面活化。特別係當壓電性單晶基板的表面呈平坦面的情況，可將該表面對接合層進行直接接合。但是，當壓電性單晶基板表面被粗面化的情況，較佳係設置中間層並將其表面平坦化，再利用中性化光束施行活化。該壓電性單晶基板上的中間層被活化之平坦面，係可直接接合於支撐基板上的接合層。
再者，藉較佳實施形態係藉由對接合層的平坦面照射中性化光束，而將接合層的平坦面活化。
當利用中性化光束施行表面活化時，最好使用如專利文獻4所記載的裝置產生中性化光束並施行照射。即，光束源係使用鞍形場(saddle-field)式快速原子束源。然後，將惰性氣體導入腔中，從直流電源朝電極施加高電壓。藉此，藉由在電極(正極)與框體(負極)之間產生鞍形場式的電場，電子e會運動，便利用惰性氣體生成原子與離子的光束。到達柵極的光束中，因為離子光束在柵極會被中和，因而從快速原子束源射出中性原子的光束。構成光束的原子種類較佳係惰性氣體(氬、氮等)。
利用光束照射進行活化時，電壓較佳係設為0.5~2.0kV，電流較佳係設為50~200mA。
其次，在真空環境下，使活化面彼此間進行接觸而接合。此時的溫度係常溫，具體較佳係40℃以下、更佳係 30℃以下。又，接合時的溫度係20℃以上、更佳係25℃以下。接合時的壓力較佳係100~20000N。
本發明接合體的用途並無特別的限定，可較佳適用於例如彈性波元件、光學元件等。
已知彈性波元件係有如：表面彈性波裝置、藍姆波元件、薄膜共振器(FBAR)等。例如表面彈性波裝置係在壓電性材料基板的表面上，設置：激發表面彈性波的輸入側IDT(Interdigital Transducer，指叉狀電極)電極(亦稱「梳齒形電極」、「簾狀電極」)、與接收表面彈性波的輸出側IDT電極。若對輸入側IDT電極施加高頻訊號，便在電極間產生電場，而激發表面彈性波並在壓電基板上傳播。然後，從傳播方向上所設置的輸出側IDT電極，依電氣訊號形式取出所傳播至的表面彈性波。
壓電性單晶基板的底面亦可設有金屬膜。金屬膜係當所製造彈性波裝置為藍姆波元件時，發揮增加壓電基板背面附近之機電耦合係數的功用。此情況，藍姆波元件係在壓電基板表面形成梳齒電極，利用支撐基板上所設置空腔成為露出壓電基板之金屬膜的構造。此種金屬膜的材質係可舉例如：鋁、鋁合金、銅、金等。另外，製造藍姆波元件時，亦可使用包括有底面未設金屬膜之壓電性單晶基板的複合基板。
再者，壓電性單晶基板的底面亦可設有金屬膜與絕緣膜。金屬膜係當所製造彈性波裝置為薄膜共振器時，便發揮電極的功用。此情況，薄膜共振器係在壓電基板的表背面形成電極，藉由將絕緣膜形成空腔而成為露出壓電基板之金屬膜的構造。此種金屬膜的材質係可舉例如：鉬、釕、鎢、鉻、鋁 等。又，絕緣膜的材質係可舉例如：二氧化矽、磷矽玻璃、硼磷矽玻璃(boro-phospho-silicate-glass，BPSG)等。
再者，光學元件係可例示如：光開關元件、波長轉換元件、光調變元件。又，可在壓電性材料基板中形成週期極化反轉構造。
將本發明使用於光學元件時，可達光學元件的小型化，又特別係形成週期極化反轉構造的情況，可防止因加熱處理造成的週期極化反轉構造劣化。又，因為本發明的接合層材料係屬於高絕緣材料，因而在接合前利用中性化光束施行處理時，可抑制發生極化反轉，且幾乎不會打亂在壓電性單晶基板上所形成週期極化反轉構造的形狀。
實施例
(實施例A1)
根據參照圖1~圖2所說明的方法製作接合體。
具體而言，將設有定向平面部(OF部)、且直徑4吋、厚度250μm的鉭酸鋰基板(LT基板)，使用為壓電性單晶基板6。LT基板係使用將表面彈性波(SAW)的傳播方向設為X，截角為旋轉Y切割板的46°Y切割X傳播LT基板。壓電性單晶基板6的表面6a係依算術平均粗糙度Ra成為0.3nm的方式施行鏡面研磨。
再者，支撐基板1係準備設有OF部、且直徑4吋、厚度230μm的高鋁紅柱石基板。由高鋁紅柱石所構成支撐基板1的表面1a之算術平均粗糙度Ra係0.5nm，PV值係10nm。算術平均粗糙度係利用原子力顯微鏡(AFM)評價長10μm×寬 10μm的正方形視野。
接著，在支撐基板1的表面1a上利用CVD法形成1.0μm之由高鋁紅柱石構成的接合層2。成膜後的Ra係2.0nm。接著，對接合層2施行化學機械研磨加工(CMP)，形成膜厚0.1μm、Ra：0.3nm。
其次，將接合層3的平坦面3a、與壓電性單晶基板6的表面6a施行洗淨，經去除髒污後，導入真空室中。施行抽真空至10-6Pa左右之後，再對各基板的接合面照射快速原子束(加速電壓1kV、Ar流量27sccm)120sec。接著，使接合層3A的光束照射面(活化面)4、與壓電性單晶基板6的活化面6a相接觸後，依10000N加壓2分鐘而將二基板接合。
其次，將壓電性單晶基板6的表面6b，依厚度從當初的250μm變為20μm的方式施行研削及研磨(參照圖2(b))。在研削及研磨步驟中並沒有發現到接合部分有剝離。又，經利用裂縫啟開法評價接合強度，結果為1.4J/m2。
再者，經施行膠帶剝離試驗，結果在壓電性單晶基板與接合層的界面、以及接合層與支撐基板的界面處並沒有觀察到剝離。其中，膠帶剝離試驗係依如下述實施。
在晶圓上形成2×2mm的正方形狹縫。狹縫係貫穿壓電單晶，深達進入至支撐基板途中的深度。將試驗用膠帶黏貼於壓電單晶基板上。試驗用膠帶係使用JIS Z1522規定的黏著膠帶。經手指頭按壓5秒鐘後，將膠帶朝基板的垂直方向強力拉扯撕開。
(實施例A2~A4及比較例A1~A4)
在實施例A1中，藉由變更支撐基板表面的加工時所使用的砥石，而將支撐基板表面的Ra與PV值變更為如表1所示，獲得實施例A2~A4及比較例A1~A4的接合體。但，比較例A4係將接合層的厚度變更為300nm。
針對所獲得各接合體，施行接合強度測定與膠帶剝離試驗。結果如表1所示。
(實施例B)
在實施例A1~A4、比較例A1~A3中，接合層2的材質係使用氧化鋁，且接合層2的成膜係採用濺鍍法。其餘均依照與實施例A1同樣地製造各接合體。
結果，壓電性單晶基板在研削及研磨步驟中並沒有發現到接合部分有剝離。又，利用裂縫啟開法測定接合強度、及施行膠帶剝離試驗的結果，係與實施例A1~A4、比較例A1~A3同等級。
(實施例C)
在實施例A1~A4、比較例A1~A3中，接合層2的材質係使用五氧化鉭，且接合層2的成膜係採用濺鍍法。其餘均依照 與實施例A1同樣地製造各接合體。
結果，壓電性單晶基板在研削及研磨步驟中並沒有發現到接合部分有剝離。又，利用裂縫啟開法測定接合強度、及施行膠帶剝離試驗的結果，係與實施例A1~A4、比較例A1~A3同等級。
(實施例D)
在實施例A1~A4、比較例A1~A3中，接合層2的材質係使用氧化鈦，且接合層2的成膜係採用濺鍍法。其餘均依照與實施例A1同樣地製造各接合體。
結果，壓電性單晶基板在研削及研磨步驟中並沒有發現到接合部分有剝離。又，利用裂縫啟開法測定接合強度、及施行膠帶剝離試驗的結果，係與實施例A1~A4、比較例A1~A3同等級。
(實施例E)
在實施例A1~A4、比較例A1~A3中，接合層2的材質係使用五氧化鈮，且接合層2的成膜係採用濺鍍法。其餘均依照與實施例A1同樣地製造各接合體。
結果，壓電性單晶基板在研削及研磨步驟中並沒有發現到接合部分有剝離。又，利用裂縫啟開法測定接合強度、及施行膠帶剝離試驗的結果，係與實施例A1~A4、比較例A1~A3同等級。
(比較例F1)
在實施例A1中，將接合層2的材質設為氮化矽，且接合層2的成膜係採用濺鍍法。其餘均依照與實施例A1同樣地製 造接合體。
結果，壓電性單晶基板在研削及研磨步驟中有發現到接合部分出現剝離。又，經利用裂縫啟開法評價接合強度，結果為0.6J/m2。
(比較例F2)
在實施例A1中，將接合層2的材質設為氮化鋁，且接合層2的成膜係採用濺鍍法。其餘均依照與實施例A1同樣地製造接合體。
結果，壓電性單晶基板在研削及研磨步驟中有發現到接合部分出現剝離。又，經利用裂縫啟開法評價接合強度，結果為0.5J/m2。
(比較例F3)
在實施例A1中，將接合層2的材質設為氧化矽，且接合層2的成膜係採用濺鍍法。其餘均依照與實施例A1同樣地製造接合體。
結果，壓電性單晶基板在研削及研磨步驟中有發現到接合部分出現剝離。又，經利用裂縫啟開法評價接合強度，結果為0.1J/m2。

Claims (6)

  1. 一種接合體，係包括有：支撐基板，其乃由陶瓷所構成；接合層，其乃在上述支撐基板表面上設置的接合層，由從高鋁紅柱石、氧化鋁、五氧化鉭、氧化鈦及五氧化鈮所構成群組中選擇一種以上的材質構成；壓電性單晶基板，其乃接合於上述接合層；以及中間層，其乃在上述壓電性單晶基板與上述接合層之間設置的中間層，上述中間層係由從高鋁紅柱石、氧化鋁、五氧化鉭、氧化鈦及五氧化鈮所構成群組織中選擇一種以上的材質構成；其中，上述支撐基板的上述表面之算術平均粗糙度Ra係0.5nm以上且5.0nm以下，上述接合層的表面與上述中間層的表面係相接合。
  2. 如申請專利範圍第1項之接合體，其中，上述支撐基板係由從高鋁紅柱石、菫青石及矽鋁氮氧化物(Sialon)所構成群組中選擇的材質構成。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之接合體，其中，在上述壓電性單晶基板的表面上設有上述中間層；上述壓電性單晶基板的上述表面之算術平均粗糙度Ra係0.05μm以上且0.5μm以下。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之接合體，其中，上述接合層的上述表面之算術平均粗糙度Ra係1nm以下；上述中間層的上述表面之算術平均粗糙度Ra係1nm以下。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之接合體，其中，上述壓電性單晶基板係由鈮酸鋰、鉭酸鋰或鈮酸鋰-鉭酸鋰固溶體構成。
  6. 一種彈性波元件，係包括有：接合體，其乃申請專利範圍第1至5項中任一項之接合體；以及電極，其乃設置於上述壓電性單晶基板上。
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180337657A1 (en) * 2015-09-25 2018-11-22 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic wave resonator having antiresonant cavity
US20180241374A1 (en) * 2015-09-25 2018-08-23 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd Acoustic wave resonator having antiresonant cavity
KR20190134827A (ko) * 2016-03-25 2019-12-04 엔지케이 인슐레이터 엘티디 접합체 및 탄성파 소자
KR20180107212A (ko) * 2016-03-25 2018-10-01 엔지케이 인슐레이터 엘티디 접합 방법
TWI737811B (zh) * 2016-11-25 2021-09-01 日商日本碍子股份有限公司 接合體
TWI780103B (zh) * 2017-05-02 2022-10-11 日商日本碍子股份有限公司 彈性波元件及其製造方法
DE112018000207B4 (de) 2017-09-15 2024-02-22 Ngk Insulators, Ltd. Akustikwellenvorrichtung und ein Verfahren zu deren Herstellung
CN111512549B (zh) * 2017-12-28 2023-10-17 日本碍子株式会社 压电性材料基板与支撑基板的接合体及其制造方法
JP6648338B2 (ja) * 2017-12-28 2020-02-14 日本碍子株式会社 圧電性材料基板と支持基板との接合体およびその製造方法
KR102434081B1 (ko) * 2018-01-22 2022-08-18 엔지케이 인슐레이터 엘티디 압전성 재료 기판과 지지 기판의 접합체 및 그 제조 방법
FR3079666B1 (fr) * 2018-03-30 2020-04-03 Soitec Structure hybride pour dispositif a ondes acoustiques de surface et procede de fabrication associe
WO2019220721A1 (ja) 2018-05-16 2019-11-21 日本碍子株式会社 圧電性材料基板と支持基板との接合体
DE102019212548A1 (de) * 2018-08-22 2020-02-27 Skyworks Solutions, Inc. Mehrschichtiges piezoelektrisches substrat
WO2020079958A1 (ja) * 2018-10-17 2020-04-23 日本碍子株式会社 接合体および弾性波素子
JP2020091144A (ja) * 2018-12-04 2020-06-11 浜松ホトニクス株式会社 シンチレータモジュール、放射線撮像装置、及びシンチレータモジュールの製造方法
CN109855592B (zh) * 2019-01-08 2020-07-28 湘潭大学 基体结合面粗糙度确定方法及装置、复合材料加工方法
WO2021002382A1 (ja) * 2019-07-01 2021-01-07 株式会社村田製作所 弾性波装置
US11183987B2 (en) * 2019-09-26 2021-11-23 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Acoustic resonator device
KR20220041200A (ko) * 2020-09-10 2022-03-31 엔지케이 인슐레이터 엘티디 탄성파 디바이스용 복합 기판
WO2022071605A1 (ja) * 2020-10-02 2022-04-07 株式会社村田製作所 弾性波装置及び弾性波装置の製造方法
CN112320897B (zh) * 2020-10-09 2022-07-22 新昌中国计量大学企业创新研究院有限公司 一种球状铁碳微电解填料及其制备方法
WO2022158249A1 (ja) * 2021-01-19 2022-07-28 株式会社村田製作所 弾性波装置、フィルタ装置及び弾性波装置の製造方法
EP4117180A4 (en) * 2021-03-10 2024-06-12 NGK Insulators, Ltd. CONNECTED STRUCTURE
ES2936907B2 (es) 2021-09-14 2023-08-11 Quim Tecnica Ecologica S L U Metodo y equipos para la produccion de polihidroxialcanoatos y bioestimulante radicular a partir de residuos organicos
KR20240050493A (ko) 2022-10-11 2024-04-19 (재)한국나노기술원 이종 기판의 접합 구조체 및 그 제조방법 그리고 이를 이용한 탄성파 소자

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH027480A (ja) * 1988-06-24 1990-01-11 Nissha Printing Co Ltd 圧電磁器の製造方法
US20020070639A1 (en) * 2000-09-11 2002-06-13 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric/electrostrictive element
JP2005045086A (ja) * 2003-07-24 2005-02-17 Nec Tokin Corp インジェクタ装置用積層型圧電素子
JP2008244135A (ja) * 2007-03-27 2008-10-09 Kyocera Corp 液体吐出ヘッド用積層圧電アクチュエータおよびその製造方法ならびに液体吐出ヘッド
US20090203163A1 (en) * 2005-05-03 2009-08-13 Odd Harald Steen Eriksen Method for making a transducer
US20150303832A1 (en) * 2010-05-31 2015-10-22 Canon Kabushiki Kaisha Vibration element, manufacturing method thereof, and vibration wave actuator

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5814727B2 (ja) 1974-09-25 1983-03-22 富士写真フイルム株式会社 キヨウジセイサンカテツノ セイホウ
JPS5814727A (ja) 1981-07-17 1983-01-27 Polyurethan Eng:Kk 板状品の連続成形機におけるコンベア駆動方法
JP3814763B2 (ja) 1995-03-31 2006-08-30 東レフィルム加工株式会社 コーティングフィルムの製造方法
JP3512379B2 (ja) * 2000-09-20 2004-03-29 日本碍子株式会社 圧電体素子、及びその製造方法
US7105980B2 (en) 2002-07-03 2006-09-12 Sawtek, Inc. Saw filter device and method employing normal temperature bonding for producing desirable filter production and performance characteristics
JP3774782B2 (ja) 2003-05-14 2006-05-17 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波素子の製造方法
JP2005349714A (ja) * 2004-06-11 2005-12-22 Canon Inc 液体吐出ヘッドの製造方法および液体吐出ヘッド
FR2896618B1 (fr) 2006-01-23 2008-05-23 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'un substrat composite
JP4720808B2 (ja) 2007-09-21 2011-07-13 セイコーエプソン株式会社 接着シート、接合方法および接合体
JP4442671B2 (ja) * 2007-09-21 2010-03-31 セイコーエプソン株式会社 接合膜付き基材、接合方法および接合体
JP4348454B2 (ja) 2007-11-08 2009-10-21 三菱重工業株式会社 デバイスおよびデバイス製造方法
JP2010187373A (ja) 2009-01-19 2010-08-26 Ngk Insulators Ltd 複合基板及びそれを用いた弾性波デバイス
JP5569537B2 (ja) * 2009-11-26 2014-08-13 株式会社村田製作所 圧電デバイスの製造方法
CN203014754U (zh) 2010-06-15 2013-06-19 日本碍子株式会社 复合基板
CN102624352B (zh) * 2010-10-06 2015-12-09 日本碍子株式会社 复合基板的制造方法以及复合基板
JP2013214954A (ja) * 2012-03-07 2013-10-17 Taiyo Yuden Co Ltd 共振子、周波数フィルタ、デュプレクサ、電子機器及び共振子の製造方法
WO2013146374A1 (ja) * 2012-03-26 2013-10-03 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
KR101636220B1 (ko) 2012-07-12 2016-07-04 엔지케이 인슐레이터 엘티디 복합 기판, 압전 디바이스 및 복합 기판의 제법
KR101443015B1 (ko) 2012-08-17 2014-09-22 엔지케이 인슐레이터 엘티디 복합 기판, 탄성 표면파 디바이스 및 복합 기판의 제조방법
JP2014086400A (ja) 2012-10-26 2014-05-12 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 高速原子ビーム源およびそれを用いた常温接合装置
JP5668179B1 (ja) 2013-03-21 2015-02-12 日本碍子株式会社 弾性波素子用複合基板および弾性波素子
WO2014192597A1 (ja) * 2013-05-31 2014-12-04 日本碍子株式会社 複合基板用支持基板および複合基板
JP6220279B2 (ja) * 2014-02-04 2017-10-25 日本碍子株式会社 複合基板の研磨方法
US10530327B2 (en) * 2015-08-25 2020-01-07 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Surface acoustic wave (SAW) resonator
US10541667B2 (en) * 2015-08-25 2020-01-21 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Surface acoustic wave (SAW) resonator having trap-rich region
US10177734B2 (en) * 2015-08-25 2019-01-08 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Surface acoustic wave (SAW) resonator
WO2017068828A1 (ja) * 2015-10-23 2017-04-27 株式会社村田製作所 弾性波装置
KR20180107212A (ko) * 2016-03-25 2018-10-01 엔지케이 인슐레이터 엘티디 접합 방법
KR20190134827A (ko) * 2016-03-25 2019-12-04 엔지케이 인슐레이터 엘티디 접합체 및 탄성파 소자
KR101972728B1 (ko) * 2017-03-31 2019-04-25 엔지케이 인슐레이터 엘티디 접합체 및 탄성파 소자

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH027480A (ja) * 1988-06-24 1990-01-11 Nissha Printing Co Ltd 圧電磁器の製造方法
US20020070639A1 (en) * 2000-09-11 2002-06-13 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric/electrostrictive element
JP2005045086A (ja) * 2003-07-24 2005-02-17 Nec Tokin Corp インジェクタ装置用積層型圧電素子
US20090203163A1 (en) * 2005-05-03 2009-08-13 Odd Harald Steen Eriksen Method for making a transducer
JP2008244135A (ja) * 2007-03-27 2008-10-09 Kyocera Corp 液体吐出ヘッド用積層圧電アクチュエータおよびその製造方法ならびに液体吐出ヘッド
US20150303832A1 (en) * 2010-05-31 2015-10-22 Canon Kabushiki Kaisha Vibration element, manufacturing method thereof, and vibration wave actuator

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