TWI663047B - 偏光件及偏光件之製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種偏光件,可實現影像顯示裝置等的電子裝置的多機能化及高機能化。本發明之偏光件之製造方法包括:使含有二色性物質的樹脂薄膜接觸鹼性溶液;及降低此接觸部之中樹脂薄膜所含的鹼金屬及/或鹼土金屬。
Description
本發明關於一種偏光件之製造方法。更詳細而言,本發明關於一種具有非偏光部的偏光件之製造方法。
在行動電話、筆記型個人電腦(PC)等的影像顯示裝置也會搭載相機等的內部電子零件。為了提升這樣的影像顯示裝置的相機性能,有文獻進行了各種檢討(例如專利文獻1~5)。但是,因為智慧型手機、觸控面板式的資訊處理裝置正急速普及,而希望進一步提升相機性能。另外,為了因應影像顯示裝置的形狀多樣化及高機能化,而需要一種部分地具有偏光性能的偏光板。
[專利文獻1]日本特開2011-81315號公報
[專利文獻2]日本特開2007-241314號公報
[專利文獻3]美國專利中請公開第2004/0212555號說明書
[專利文獻4]日本特開2012-137738號公報
[專利文獻5]韓國公開專利第10-2012-0118205號公報
本發明是為了解決上述以往的課題而完成者,其主要目的在於提供一種偏光件,可實現影像顯示裝置等的電子裝置的多機能化及高機能化。
本發明之偏光件之製造方法,包括:使含有二色性物質的樹脂薄膜接觸鹼性溶液;及降低此接觸部之中樹脂薄膜所含的鹼金屬及/或鹼土金屬。
其中一個實施形態,上述鹼性溶液含有鹼金屬及/或鹼土金屬之氫氧化物。
其中一個實施形態,上述樹脂薄膜含有硼酸。
其中一個實施形態,使上述接觸部的鹼金屬及/或鹼土金屬的含量降低至3.6重量%以下。
其中一個實施形態,藉由使上述接觸部接觸處理液來降低鹼金屬鹽及/或鹼土金屬鹽。
其中一個實施形態,上述處理液含有水。
其中一個實施形態,上述處理液溫度為50℃以上。
其中一個實施形態,前述樹脂薄膜係在以其至少一部分露出的方式藉由保護材而被保護的狀態下,進行上述鹼性溶液的接觸與上述鹼金屬及/或鹼土金屬的降低。
依據本發明的另一個考量面,還提供一種偏光件。此偏光件可藉由上述製造方法得到。
依據本發明,可簡便地製作出具有二色性物質含量低於其他部位的低濃度部的偏光件。低濃度部可發揮非偏光部的機能,而且尺寸安定性(例如在加濕環境下的尺寸安定性)極為優異。藉由本發明所得到的偏光件,可實現電子裝置的多機能化及高機能化,適合使用於電子裝置。例如在低濃度部對應於影像顯示裝置的相機部的情況,不僅可確保透光性,還可使攝影時的亮度及色調最佳化,而且可防止影像的變形,有助於提升相機性能。此外,藉由本發明所得到的偏光件,不僅適合使用於映像或監視器等的收訊型電子裝置,還適合使用於LED燈或紅外線偵測器等的發訊型電子裝置、及確保肉眼觀察時的透光性及光線直進性的影像顯示裝置。
1‧‧‧偏光件(樹脂薄膜)
2‧‧‧低濃度部
3‧‧‧其他部位
第1圖為由本發明的一個實施形態所得到的偏光件的平面圖。
第2圖(a)表示加濕測試前實施例1偏光板的透明部的觀察照片,(b)表示加濕測試後實施例1偏光板的透明部的觀察照片。
第3圖(a)表示加濕測試前比較例2偏光板的透明部的觀察照片,(b)表示加濕測試後比較例2偏光板的透明部的觀察照片。
以下對於本發明之實施形態作說明,而本發明不受這些實施形態所限定。
A.偏光件
第1圖為由本發明的一個實施形態所得到的偏光件的平面圖。偏光件1是由含有二色性物質的樹脂薄膜所構成。在偏光件(樹脂薄膜)1形成了二色性物質含量相對低的低濃度部2。具體而言,在偏光件1形成了二色性物質含量低於其他部位3的低濃度部2。低濃度部可發揮非偏光部的機能。只要是這樣的構成,則與以機械的方式(例如藉由使用雕刻刀打孔、繪圖機、水刀等,機械方式挖洞的方法)形成貫通孔的情況相比,較能夠避免龜裂、層間剝離(delamination)、黏膠漏出等的品質上的問題。另外,低濃度部的二色性物質本身的含量低,因此與藉由雷射光等使二色性物質分解而形成非偏光部的情況相比,較能夠良好地維持非偏光部的透明性。
在圖示例中,小圓形低濃度部2是形成在偏光件1的上端中央部,而低濃度部的數目、配置、形狀、尺寸等可適當地設計。例如可因應所搭載的影像顯示裝置的相機部的位置、形狀、尺寸等來設計。具體而言,可設計成低濃度部不對應於影像顯示裝置的相機以外的部分(例如影像顯示部)。
低濃度部的透光率(例如在23℃以波長550nm的
光線所測得的透光率)宜為50%以上,較佳為60%以上,更佳為75%以上,特佳為90%以上。只要是這樣的透光率,即可確保所希望的透明性。例如在低濃度部對應於影像顯示裝置的相機部的情況,可防止對相機的攝影性能造成不良影響。
偏光件(低濃度部除外)宜為在波長380nm~780nm的範圍表現出吸收二色性。偏光件(低濃度部除外)的單體透光率(Ts)宜為39%以上,較佳為39.5%以上,更佳為40%以上,特佳為40.5%以上。此外,單體透光率的理論上限為50%,實際上限為46%。另外,單體透光率(Ts)是依據JIS Z8701的2度視野(C光源)作測定,並且進行能見度校正所得到的Y值,可使用例如顯微分光系統(Lambda-Vision製,LVmicro)來作測定。偏光件(低濃度部除外)的偏光度宜為99.8%以上,較佳為99.9%以上,更佳為99.95%以上。
偏光件(樹脂薄膜)的厚度可設定在任意適當的值。厚度為例如0.5μm以上80μm以下。偏光件的厚度宜為30μm以下,較佳為25μm以下,更佳為18μm以下,特佳為12μm以下,最佳為小於8μm。另一方面,厚度宜為1μm以上。厚度愈薄,愈能夠良好地形成低濃度部。具體而言,在後述與鹼性溶液的接觸,能夠在較短時間形成低濃度部。另外,接觸鹼性溶液的部分的厚度會有低於其他部分的情形。藉由降低厚度,可縮小鹼性溶液的接觸部與其他部位的厚度差,可良好地與保護薄膜等的其他構成構件貼合。
上述二色性物質可列舉例如碘、有機染料等。該等可單獨或組合兩種以上來使用。宜使用碘。這是因為藉由後述與鹼性溶液的接觸,可良好地形成低濃度部。
上述低濃度部是二色性物質含量低於上述其他部位的部分。低濃度部的二色性物質含量宜為1.0重量%以下,較佳為0.5重量%以下,更佳為0.2重量%以下。只要低濃度部的二色性物質含量在這樣的範圍,則可充分對於低濃度部賦予所希望的透明性。例如在使低濃度部對應於影像顯示裝置的相機部的情況,可實現亮度及色調兩者的觀點看來非常優異的攝影性能。另一方面,低濃度部的二色性物質含量的下限值通常為偵測極限值以下。此外,在二色性物質採用碘的情況,碘含量可藉由例如將利用螢光X光分析所測得的X光強度代入預先使用標準試樣所製作出的檢量線而求得。
其他部位的二色性物質含量與低濃度部的二色性物質含量差宜為0.5重量%以上,更佳為1重量%以上。
形成上述樹脂薄膜的樹脂可使用任意適當的樹脂。宜使用聚乙烯醇系樹脂(以下稱為「PVA系樹脂」)。PVA系樹脂可列舉例如聚乙烯醇、乙烯-乙烯醇共聚物。聚乙烯醇可藉由使聚醋酸乙烯酯皂化而得到。乙烯-乙烯醇共聚物可藉由使乙烯-醋酸乙烯酯共聚物皂化而得到。PVA系樹脂的皂化度通常為85莫耳%以上且小於100莫耳%,宜為95.0莫耳%~99.95莫耳%、更佳為99.0莫耳%~99.93莫耳%。皂化度可依據JIS K 6726-1994求得。藉由使用這樣的皂化度
的PVA系樹脂,可得到耐久性優異的偏光件。在皂化度過高的情況,會有膠體化的顧慮。
PVA系樹脂的平均聚合度可因應目的適當地選擇。平均聚合度通常為1000~10000,宜為1200~4500,更佳為1500~4300。此外,平均聚合度可依據JIS K 6726-1994求得。
B.偏光件之製造方法
本發明之偏光件之製造方法包括:使含有二色性物質的樹脂薄膜接觸鹼性溶液;及降低此接觸部之中樹脂薄膜所含的鹼金屬及/或鹼土金屬。
B-1.鹼性溶液的接觸
上述低濃度部可藉由使含有二色性物質的樹脂薄膜接觸鹼性溶液而形成。在二色性物質採用碘的情況,藉由使樹脂薄膜所希望的部位接觸鹼性溶液,可輕易降低接觸部的碘含量。具體而言,藉由接觸,鹼性溶液可滲透至樹脂薄膜內部。樹脂薄膜所含的碘錯合物會被鹼性溶液所含的鹼還原而成為碘離子。藉由使碘錯合物還原成碘離子,可提升接觸部的透光率。而且,成為碘離子的碘會由樹脂薄膜移動到鹼性溶液的溶劑中。以這樣的方式所得到的低濃度部可良好地維持其透明性。具體而言,破壞碘錯合物來提升透光率的情況,隨著偏光件的使用,殘存於樹脂薄膜內的碘也會再度形成碘錯合物,而降低透光率,然而在降低碘含量的情況,可防止這種問題。
鹼性溶液的接觸方法可採用任意適當的方法。可
列舉例如將鹼性溶液滴入,塗佈、噴霧在樹脂薄膜的方法;將樹脂薄膜浸漬於鹼性溶液的方法。
接觸鹼性溶液時,為了使所希望的部位以外不接觸鹼性溶液(為了使二色性物質的濃度不會變低),亦可使用任意適當的保護材來保護樹脂薄膜。具體而言,樹脂薄膜的保護材可列舉例如保護薄膜、表面保護薄膜。保護薄膜可直接利用作為偏光件的保護薄膜。表面保護薄膜是在製造偏光件時暫時使用的物品。為了在任意適當的時機將表面保護薄膜由樹脂薄膜去除,例如可透過黏著劑層貼合在樹脂薄膜。保護材的另一個具體例可列舉光阻等。
上述鹼性化合物可使用任意適當的鹼性化合物。鹼性化合物可列舉例如氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋰等的鹼金屬的氫氧化物、氫氧化鈣等的鹼土金屬的氫氧化物、碳酸鈉等的無機鹼金屬鹽、醋酸鈉等的有機鹼金屬鹽、氨水等。該等之中,宜使用鹼金屬及/或鹼土金屬的氫氧化物,更佳為使用氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋰。可使二色性物質效率良好地離子化,能夠較簡便地形成低濃度部。這些鹼性化合物可單獨使用或將兩種以上組合使用。
鹼性溶液的溶劑可使用任意適當的溶劑。具體而言,可列舉水、乙醇、甲醇等的醇、醚、苯、氯仿、及該等的混合溶劑。該等之中,從離子化的二色性物質可良好地轉移至溶劑的觀點看來,適合使用水、醇。
鹼性溶液的濃度為例如0.01N~5N,宜為0.05N~3N,較佳為0.1N~2.5N。只要濃度在這樣的範圍,即可
良好地形成所希望的低濃度部。
鹼性溶液的液溫為例如20℃~50℃。鹼性溶液之接觸時間可因應例如樹脂薄膜的厚度、鹼性溶液所含的鹼性化合物的種類或濃度而設定。接觸時間為例如5秒鐘~30分鐘,宜為5秒鐘~5分鐘。
其中一個實施形態,在接觸鹼性溶液時,以表面保護薄膜被覆樹脂薄膜表面,並使其至少一部分露出。圖示例的偏光件,可藉由例如將形成小圓形貫通孔的表面保護薄膜貼合在樹脂薄膜,並使其接觸鹼性溶液來製作。此時,宜將樹脂薄膜的另一側(並未配置表面保護薄膜的一側)也加以保護。此外,樹脂薄膜為連續長條狀的情況,樹脂薄膜與保護材的積層宜藉由輥對輥(roll to roll)的方式來進行。此處,「輥對輥」,是指由薄膜輥送出薄膜,同時將彼此的長邊方向對齊,並使其積層。在連續長條狀的表面保護薄膜,例如沿著其長邊方向及/或寬度方向以既定間隔形成貫通孔。
上述表面保護薄膜的厚度代表性的例子為20μm~250μm,宜為30μm~150μm。表面保護薄膜宜為硬度(例如彈性率)高的薄膜。這是因為可防止上述貫通孔的變形。表面保護薄膜的形成材料可列舉聚對酞酸乙二酯系樹脂等的酯系樹脂、降莰烯系樹脂等的環烯烴系樹脂、聚丙烯等的烯烴系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、該等的共聚物樹脂等。宜為酯系樹脂(尤其是聚對酞酸乙二酯系樹脂)。此外,關於保護薄膜的細節,在後段作說明。
接觸鹼性溶液時,樹脂薄膜宜為可作為偏光件使用的狀態。具體而言,宜實施膨潤處理、延伸處理、利用上述二色性物質進行的染色處理、交聯處理、洗淨處理、乾燥處理等的各種處理。此外,在實施各種處理時,樹脂薄膜可為形成於基材上的樹脂層。基材與樹脂層的積層體,可藉由例如將含有上述樹脂薄膜的形成材料塗佈液塗佈於基材的方法;使樹脂薄膜積層於基材的方法等而得到。
上述染色處理例如可藉由吸附二色性物質來進行。該吸附方法可列舉例如將樹脂薄膜浸漬在含有二色性物質的染色液的方法;將該染色液塗佈在樹脂薄膜的方法;將該染色液噴霧在樹脂薄膜的方法等。宜為將樹脂薄膜浸漬在染色液的方法。這是因為可良好地吸附二色性物質。
在二色性物質採用碘的情況,上述染色液適合使用碘水溶液。碘的摻合量相對於水100重量份宜為0.04重量份~5.0重量份。為了提高碘對水的溶解度,宜在碘水溶液中摻合碘化物。碘化物適合使用碘化鉀。碘化物的摻合量相對於水100重量份,宜為0.3重量份~15重量份。
在上述延伸處理之中例如可將樹脂薄膜單軸延伸成3倍~7倍。此外,延伸方向可對應於所得到的偏光件的吸收軸方向。
藉由上述各種處理,可使樹脂薄膜含有硼酸。例如藉由在上述延伸處理、交聯處理時,與硼酸溶液(例如硼酸水溶液)接觸,可使樹脂薄膜含有硼酸。樹脂薄膜的硼酸含量為例如10重量%~30重量%。另外,與鹼性溶液的接觸
部的硼酸含量為例如5重量%~12重量%。
B-2.鹼金屬及/或鹼土金屬的降低
接觸上述鹼性溶液後,在接觸鹼性溶液的接觸部,使樹脂薄膜所含的鹼金屬及/或鹼土金屬降低。藉由降低鹼金屬及/或鹼土金屬,可得到尺寸安定性優異的非偏光部。具體而言,即使在加濕環境下,接觸鹼性溶液所形成的低濃度部的形狀也能夠維持原本的形狀。
因為使樹脂薄膜接觸鹼性溶液,鹼金屬及/或鹼土金屬的氫氧化物會殘存於接觸部。另外,因為使樹脂薄膜接觸鹼性溶液,在接觸部會產生鹼金屬及/或鹼土金屬的金屬鹽。這些物質會產生氫氧化物離子,所產生的氫氧化物離子會與存在於接觸部周圍的二色性物質(例如碘錯合物)發生作用(分解.還原),而使非偏光區域(低濃度區域)擴大。所以認為藉由降低鹼金屬及/或鹼土金屬,可抑制非偏光區域隨著時間經過而擴大,而維持所希望的非偏光部形狀。
可產生上述氫氧化物離子的金屬鹽,可列舉例如硼酸鹽。硼酸鹽可藉由樹脂薄膜所含的硼酸與鹼性溶液(鹼金屬的氫氧化物及/或鹼土金屬的氫氧化物的溶液)中和而產生。此外,硼酸鹽(偏硼酸鹽)會因為例如將偏光件放置在加濕環境下,而如下式所示般發生水解,產生氫氧化物離子。
[化1]
(式中,X表示鹼金屬或鹼土金屬)
接觸部的鹼金屬及/或鹼土金屬的含量宜降低至3.6重量%以下,較佳為2.5重量%以下,更佳為降低至1.0重量%以下。降低率宜為10%以上,較佳為40%以上,更佳為80%以上。此外,如以上所述般,鹼金屬及/或鹼土金屬在接觸部能夠以例如金屬化合物(氫氧化物、金屬鹽)的狀態存在,而上述含量可藉由例如將利用螢光X光分析所測得的X光強度代入預先使用標準試樣所製作出的檢量線而求得。
此外,藉由對樹脂薄膜實施用來製作偏光件的各種處理,可預先含有鹼金屬及/或鹼土金屬。具體而言,藉由與碘化鉀等的碘化物的溶液接觸,可使樹脂薄膜含有鹼金屬及/或鹼土金屬。像這樣通常偏光件所含的鹼金屬及/或鹼土金屬,被認為不會對上述非偏光部的尺寸安定性造成不良影響。
上述降低方法,宜使用使與鹼性溶液的接觸部接觸處理液的方法。只要利用這種方法,即可使鹼金屬及/或鹼土金屬由樹脂薄膜轉移至處理液,能夠降低其含量。
處理液的接觸方法可採用任意適當的方法。可列舉例如將處理液滴入,塗佈、噴霧在與鹼性溶液的接觸部的方法;將與鹼性溶液的接觸部浸漬於鹼性溶液的方法。
接觸鹼性溶液時,在以任意適當的保護材保護樹脂薄膜的情況,宜在原本的狀態下接觸處理液(尤其在處理液溫度為50℃以上的情況)。只要是這樣的形態,在與鹼性溶液的接觸部以外的部位可防止處理液造成偏光特性降低。
上述處理液可含有任意適當的溶劑。溶劑可列舉例如水、乙醇、甲醇等的醇、醚、苯、氯仿、及該等的混合溶劑。該等之中,從有效率地轉移鹼金屬及/或鹼土金屬的觀點看來,適合使用水、醇。水可使用任意適當的水。可列舉例如自來水、純水、去離子水等。
接觸時的處理液溫度為例如20℃以上,宜為50℃以上,較佳為60℃以上,更佳為70℃以上。只要是這樣的溫度,即可有效率地將鹼金屬及/或鹼土金屬轉移至處理液。具體而言,顯著提升樹脂薄膜的膨潤率,而能夠以物理方式除去樹脂薄膜內的鹼金屬及/或鹼土金屬。另一方面,水的溫度實質上為95℃以下。
接觸時間可因應接觸方法、處理液的種類或溫度、樹脂薄膜的厚度等適當地調整。例如在浸漬於溫水(50℃以上)的情況,接觸時間宜為10秒鐘~30分鐘,較佳為30秒鐘~15分鐘、更佳為60秒鐘~10分鐘。
其中一個實施形態,上述處理液可使用酸性溶液。藉由使用酸性溶液,可將殘存於樹脂薄膜的鹼金屬及/或鹼土金屬的氫氧化物中和,能夠以化學方式除去樹脂薄膜內的鹼金屬及/或鹼土金屬。
酸性溶液所含的酸性化合物,可使用任意適當的酸性化合物。酸性化合物可列舉例如鹽酸、硫酸、硝酸、氟化氫、硼酸等的無機酸、蟻酸、草酸、檸檬酸、醋酸、安息香酸等的有機酸等。酸性溶液所含的酸性化合物宜為無機酸,更佳為鹽酸、硫酸、硝酸。這些酸性化合物可單獨使用或將兩種以上組合使用。
理想的情況,上述酸性化合物適合使用酸性高於硼酸的酸性化合物。這是因為也會與上述鹼金屬及/或鹼土金屬的金屬鹽(硼酸鹽)發生作用。具體而言,使硼酸由硼酸鹽游離,而能夠以化學方式除去樹脂薄膜內的鹼金屬及/或鹼土金屬。
上述酸性的指標可列舉例如酸解離常數(pKa),適合使用pKa小於硼酸pKa(9.2)的酸性化合物。具體而言,pKa宜為小於9.2,較佳為5以下。pKa可使用任意適當的測定裝置作測定,亦可參考化學便覧 基礎編 改訂5版(日本化學會編、丸善出版)等的文獻所記載之值。另外,多段解離的酸性化合物在各階段pKa值可改變。在使用這樣的酸性化合物的情況,可使用各階段的pKa值的任一者在上述的範圍內的物質。此外,在本說明書之中,pKa是指在25℃的水溶液中的值。
酸性化合物的pKa與硼酸的pKa的差為例如2.0以上,宜為2.5~15,較佳為2.5~13。只要在這樣的範圍,即可有效率地將鹼金屬及/或鹼土金屬轉移至處理液。
可滿足上述pKa的酸性化合物,可列舉例如鹽酸
(pKa:-3.7)、硫酸(pK2:1.96)、硝酸(pKa:-1.8)、氟化氫(pKa:3.17)、蟻酸(pKa:3.54)、草酸(pK1:1.04、pK2:3.82)、檸檬酸(pK1:3.09、pK2:4.75、pK3:6.41)、醋酸(pKa:4.8)、安息香酸(pKa:4.0)等。
此外,即使在酸性溶液(處理液)的溶劑如上述般,處理液採用酸性溶液的本形態之中,也能夠以物理方式除去上述樹脂薄膜內的鹼金屬及/或鹼土金屬。
酸性溶液的濃度為例如0.01N~5N,宜為0.05N~3N,較佳為0.1N~2.5N。
上述酸性溶液的液溫為例如20℃~50℃。酸性溶液的接觸時間可因應例如樹脂薄膜的厚度、酸性溶液所含的酸性化合物的種類或濃度來設定。接觸時間為例如5秒鐘~30分鐘。
B-3.其他
上述樹脂薄膜可實施任意適當的其他處理。其他處理可列舉例如上述鹼性溶液及/或處理液之除去。除去方法的具體例可列舉洗淨、利用廢布等擦拭除去、吸引除去、自然乾燥、加熱乾燥、送風乾燥、減壓乾燥等。洗淨所使用的洗淨液可列舉例如水(純水)、甲醇、乙醇等的醇、及該等的混合液等。宜使用水。洗淨次數並不受特別限定,可進行多次。在藉由乾燥除去的情況,其乾燥溫度為例如20℃~100℃。
C.偏光板
本發明之偏光板具有上述偏光件。本發明之偏光板例
如至少其在單側積層保護薄膜來使用。保護薄膜的形成材料可列舉例如二乙醯基纖維素、三乙醯基纖維素等的纖維素系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、環烯烴系樹脂、聚丙烯等的烯烴系樹脂、聚對酞酸乙二酯系樹脂等的酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、該等的共重體樹脂等。
亦可對於保護薄膜並未積層偏光件的一面實施硬塗層或抗反射處理、以及目的為擴散或抗眩的處理,以作為表面處理層。
保護薄膜的厚度宜為10μm~100μm。保護薄膜例如透過接著層(具體而言,黏著劑層、黏著劑層)來積層偏光件。黏著劑層例如由PVA系黏著劑或活性化能量射線硬化型黏著劑所形成。黏著劑層例如由丙烯酸系黏著劑所形成。
D.影像顯示裝置
本發明之影像顯示裝置具備上述偏光板。影像顯示裝置可列舉例如液晶顯示裝置、有機EL裝置。具體而言,液晶顯示裝置具備含有液晶槽與配置於此液晶槽單側或兩側的上述偏光件的液晶面板。有機EL裝置具備在辨視側配置上述偏光件的有機EL面板。偏光件是配置成其低濃度部對應於所搭載的影像顯示裝置的相機部。
以下藉由實施例對本發明作具體說明,而本發明並不受這些實施例所限定。
[實施例1]
基材採用連續長條狀、吸水率0.75%、Tg75℃而且為非晶質的異酞酸共聚合聚對酞酸乙二酯(IPA共聚PET)薄膜(厚度:100μm)。對基材的單面實施電暈處理,將以9:1的比例含有聚乙烯醇(聚合度4200、皂化度99.2莫耳%)及乙醯乙醯基變性PVA(聚合度1200、乙醯乙醯基變性度4.6%、皂化度99.0莫耳%以上,日本合成化學工業公司製,商品名「GOHSEFIMER Z200」)的水溶液在25℃下塗佈在此電暈處理面,並使其乾燥,形成厚度11μm的PVA系樹脂層,而製作出積層體。
在120℃的烘箱內使所得到的積層體在轉速不同的輥間往縱方向(長邊方向)自由端單軸延伸成2.0倍(空中補助延伸)。
接下來,將積層體浸漬於液溫30℃的不溶化浴(相對於水100重量份摻合硼酸4重量份,所得到的硼酸水溶液)30秒鐘(不溶化處理)。
接下來,浸漬於液溫30℃的染色浴,並且調整碘濃度、浸漬時間以使偏光板成為既定透光率。在本實施例中,是在相對於水100重量份摻合碘0.2重量份以及摻合碘化鉀1.5重量份所得到的碘水溶液中浸漬60秒鐘(染色處理)。接下來,浸漬於液溫30℃的交聯浴(相對於水100重量份摻合碘化鉀3重量份,摻合硼酸3重量份所得到的硼酸水溶液)30秒鐘(交聯處理)。
然後,將積層體浸漬於液溫70℃的硼酸水溶液(相對於水100重量份摻合硼酸4重量份以及摻合碘化鉀5重量份所
得到的水溶液),同時在轉速不同的輥間往縱方向(長邊方向)進行單軸延伸,使總延伸倍率成為5.5倍(水中延伸)。
然後,將積層體浸漬於液溫30℃的洗淨浴(相對於水100重量份摻合碘化鉀4重量份所得到的水溶液)(洗淨處理)。
接下來,在積層體的PVA系樹脂層表面塗佈PVA系樹脂水溶液(日本合成化學工業公司製,商品名「GOHSEFIMER(註冊商標)Z-200」、樹脂濃度:3重量%),並貼合保護薄膜(厚度25μm),以維持在60℃的烘箱將其加熱5分鐘。然後,將基材由PVA系樹脂層剝離,而得到偏光板(偏光件(透光率42.3%、厚度5μm)/保護薄膜)。
在上述所得到的總厚30μm的偏光板的偏光件側表面滴入常溫的氫氧化鈉水溶液(1.0mol/L(1.0N)),使其直徑成為4mm,放置60秒鐘。然後以廢布除去滴入的氫氧化鈉水溶液。
接下來,將常溫的鹽酸(1.0mol/L(1.0N))滴在與氫氧化鈉水溶液的接觸部,放置30秒鐘。然後,以廢布除去滴入的鹽酸,在偏光件形成透明部。
[實施例2]
將鹽酸的濃度定為0.1mol/L(0.1N),除此之外與實施例1同樣地在偏光件形成透明部。
[實施例3]
在酯系薄膜(厚度38μm)的一面塗佈黏著劑(丙烯酸系黏著劑),使厚度成為10μm。使用蝕刻刀(Pinnacle Die)在此附有黏著劑的酯系薄膜形成直徑4mm的貫通孔。
在實施例1所使用的總厚30μm的偏光板的偏光件側透過黏著劑層貼合酯系薄膜,而得到偏光薄膜積層體。
在所得到的偏光薄膜積層體的由酯系薄膜露出的偏光件的部分滴入常溫的氫氧化鈉水溶液(1.0mol/L(1.0N)),放置60秒鐘。然後以廢布除去滴入的氫氧化鈉水溶液。
接下來,將偏光薄膜積層體在設定於55℃的水浴中浸漬60秒鐘。浸漬後,以廢布除去附著於表面的水,然後將酯系薄膜剝離,在偏光件形成透明部。
[實施例4]
使水浴的溫度成為70℃,除此之外與實施例3同樣地在偏光件形成透明部。
[實施例5]
使水浴的溫度成為40℃、以廢布除去水,然後在偏光件露出的部分滴入鹽酸(1.0mol/L(1.0N)),放置30秒鐘,以廢布將鹽酸除去,除此之外與實施例3同樣地在偏光件形成透明部。
[實施例6]
使水浴的溫度成為70℃,除此之外與實施例5同樣地在偏光件形成透明部。
[實施例7]
將水浴的溫度定為30℃,除此之外與實施例3同樣地在偏光件形成透明部。
[實施例8]
將水浴的溫度定為40℃,除此之外與實施例3同樣地在
偏光件形成透明部。
(比較例1)
使用純水來代替氫氧化鈉水溶液、及並未接觸鹽酸,除此之外與實施例1同樣地嘗試形成透明部。
(比較例2)
並未接觸鹽酸,除此之外與實施例1同樣地在偏光件形成透明部。
對於各實施例及比較例的偏光板,針對以下項目進行評估。將評估結果彙整於表1。
使用分光光度計(村上色彩技術研究所股份有限公司製 製品名「DOT-3」)進行測定。透光率(T)是依據JIS Z 8701-1982的2度視野(C光源)進行能見度校正而得到的Y值。
藉由螢光X光分析求得偏光件的接觸部的碘含量。具體而言,由依照下述條件所測得的X光強度,藉由預先使用標準試樣所製作出的檢量線,求得偏光件的碘含量。
.分析裝置:理學電機工業製 螢光X光分析裝置(XRF)製品名「ZSX100e」
.對陰極:銠
.分光結晶:氟化鋰
.激發光能:40kV-90mA
.碘檢測譜線:I-LA
.定量法:FP法
.2θ角峰:103.078deg(碘)
.測定時間:40秒鐘
藉由螢光X光分析求得偏光件的接觸部的鈉含量。具體而言,由依照下述條件所測得的X光強度,藉由預先使用標準試樣所製作出的檢量線,求得偏光件的鈉含量。
.分析裝置:理學電機工業製 螢光X光分析裝置(XRF)製品名「ZSX100e」
.對陰極:銠
.分光結晶:氟化鋰
.激發光能:40kV-90mA
.鈉檢測譜線:Na-KA
.定量法:FP法
.測定時間:40秒鐘
以廢布除去接觸的氫氧化鈉水溶液,測定接觸剛完成後接觸部的鈉含量。然後,測定最終所得到的偏光件的接觸部(透明部)的鈉含量。使用這些測定值,由下式計算出降低率。
降低率=(接觸剛完成後接觸部的鈉含量)-(所得到的偏光件的接觸部(透明部)的鈉含量)/(接觸剛完成後接觸部的鈉含量)×100
將所得到的偏光板放置在65℃/90%RH的環境下500小
時。測定加濕測試前後的透明部尺寸,使用以下的公式計算出尺寸變化率。
此外,在加濕測試後,使用超高速可撓影像處理系統(Keyence公司製,商品名:XG-7500)進行邊緣偵測,畫出透明部與其他部位的交界線,測定其最大尺寸的部分。
尺寸變化率(%)=100×(加濕測試後的透明部尺寸)/(加濕環測試前的透明部尺寸)
在各實施例及比較例2之中,透明部的碘含量低而被認為是碘的低濃度部。與比較例2相比,各實施例較能夠維持透明部尺寸。如第2、3圖所示般,確認了實施例1~6具有高尺寸安定性。
本發明之偏光件適合使用於智慧型手機等的行動電話、筆記型PC、平板型PC等的附有相機的影像顯示裝置(液晶顯示裝置、有機EL裝置)。
Claims (8)
- 一種偏光件之製造方法,其包括:使含有二色性物質的樹脂薄膜接觸鹼性溶液;及降低前述接觸部之中前述樹脂薄膜所含的鹼金屬及/或鹼土金屬;並且,前述樹脂薄膜係在以其至少一部分露出的方式藉由保護材而被保護的狀態下,進行前述鹼性溶液的接觸與前述鹼金屬及/或鹼土金屬的降低。
- 如請求項1之製造方法,其中前述鹼性溶液含有鹼金屬及/或鹼土金屬的氫氧化物。
- 如請求項1之製造方法,其中前述樹脂薄膜含有硼酸。
- 如請求項1之製造方法,其中使前述接觸部的鹼金屬及/或鹼土金屬的含量降低至3.6重量%以下。
- 如請求項1之製造方法,其中藉由使前述接觸部接觸處理液,降低鹼金屬鹽及/或鹼土金屬鹽。
- 如請求項5之製造方法,其中前述處理液含有水。
- 如請求項5之製造方法,其中前述處理液溫度為50℃以上。
- 一種偏光件,其係藉由如請求項1至7中任一項之製造方法所得到。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014091842 | 2014-04-25 | ||
JP2014-091842 | 2014-04-25 | ||
JP2015-087687 | 2015-04-22 | ||
JP2015087687A JP6215865B2 (ja) | 2014-04-25 | 2015-04-22 | 偏光子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201544303A TW201544303A (zh) | 2015-12-01 |
TWI663047B true TWI663047B (zh) | 2019-06-21 |
Family
ID=54332565
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW104113355A TWI663047B (zh) | 2014-04-25 | 2015-04-24 | 偏光件及偏光件之製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20170052299A1 (zh) |
JP (1) | JP6215865B2 (zh) |
KR (1) | KR101868676B1 (zh) |
CN (1) | CN106233172B (zh) |
TW (1) | TWI663047B (zh) |
WO (1) | WO2015163403A1 (zh) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6215864B2 (ja) | 2014-04-25 | 2017-10-18 | 日東電工株式会社 | 偏光子、偏光板および画像表示装置 |
JP6214594B2 (ja) | 2014-04-25 | 2017-10-18 | 日東電工株式会社 | 偏光子、偏光板および画像表示装置 |
JP6215261B2 (ja) | 2014-06-27 | 2017-10-18 | 日東電工株式会社 | 長尺状の偏光子、長尺状の偏光板および画像表示装置 |
JP7163000B2 (ja) | 2015-06-25 | 2022-10-31 | 日東電工株式会社 | 非偏光部を有する偏光子 |
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-
2015
- 2015-04-22 JP JP2015087687A patent/JP6215865B2/ja active Active
- 2015-04-23 KR KR1020157036600A patent/KR101868676B1/ko active IP Right Grant
- 2015-04-23 US US15/306,316 patent/US20170052299A1/en not_active Abandoned
- 2015-04-23 WO PCT/JP2015/062359 patent/WO2015163403A1/ja active Application Filing
- 2015-04-23 CN CN201580022170.2A patent/CN106233172B/zh active Active
- 2015-04-24 TW TW104113355A patent/TWI663047B/zh active
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20160013172A (ko) | 2016-02-03 |
JP2015215610A (ja) | 2015-12-03 |
CN106233172B (zh) | 2021-05-25 |
KR101868676B1 (ko) | 2018-06-18 |
TW201544303A (zh) | 2015-12-01 |
US20170052299A1 (en) | 2017-02-23 |
JP6215865B2 (ja) | 2017-10-18 |
WO2015163403A1 (ja) | 2015-10-29 |
CN106233172A (zh) | 2016-12-14 |
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