TWI661062B - 蒸鍍用金屬遮罩 - Google Patents
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Abstract
在蒸鍍用金屬遮罩中，劃分各遮罩孔之蒸鍍用金屬遮罩的要素，係由在第1方向上彼此對向的兩個第1遮罩部、與在第2方向上彼此對向的兩個第2遮罩部所構成。在與第1方向正交的剖面中，第1遮罩部的厚度的極小值相對於第2遮罩部的厚度的極大值之比為70%以上。在各遮罩孔中，與第1方向正交的剖面中之遮罩孔的寬度為遮罩孔寬度，第2遮罩部的厚度的極大值相對於從第1開口至第2開口之間的遮罩孔寬度的最小值之比為41%以上。
Description
本發明係關於蒸鍍用金屬遮罩。
作為使用蒸鍍法所製造的顯示裝置之一，已知有有機EL顯示器。有機EL顯示器所具備的有機層係在蒸鍍步驟中昇華之有機分子的沉積物。蒸鍍步驟中所使用的金屬遮罩具有複數個遮罩孔，各遮罩孔係供已昇華的有機分子通過之通路。
各遮罩孔係貫通於金屬遮罩的厚度方向。在與開設有複數個遮罩孔之開口的面對向之俯視圖中，各遮罩孔係劃分長方形區域，複數個遮罩孔係例如排列成交錯配列狀(例如，參照專利文獻1)。
專利文獻1 日本特開2004-281339號公報
彼此相鄰之遮罩孔間的寬度會有在遮罩孔的延伸方向、和與該延伸方向交叉的方向上具有彼此相
異的大小之情況。在遮罩孔間的寬度中相對較小的部分相較於金屬遮罩的其他部分是強度低的脆弱部。在厚度小於1mm的金屬遮罩中，當這樣的脆弱部與遮罩孔沿著一個方向逐一地交替重複時，會有在金屬遮罩產生沿脆弱部排列的方向相連的彎折之情況。
這樣的事情並不限於使用於包含有機EL顯示器之顯示裝置的製造之蒸鍍用金屬遮罩，在使用於各種裝置所具備的配線的形成、或各種裝置所具備之功能層等的蒸鍍之蒸鍍用金屬遮罩中也會有。此外，這樣的事情，在與複數個遮罩孔形成開口的一面對向的平面視圖中，於複數個遮罩孔排列成格子狀的金屬遮罩、或各遮罩孔的開口具有大致正方形的構成中也都會有。
本發明的目的在提供一種能夠抑制沿遮罩孔的排列方向相連的彎折之蒸鍍用金屬遮罩。
用以解決上述課題的蒸鍍用金屬遮罩，係具備沿著第1方向、以及沿著與前述第1方向正交的第2方向排列的複數個遮罩孔之蒸鍍用金屬遮罩。前述蒸鍍用金屬遮罩具備第1面與第2面，前述各遮罩孔具有開設於前述第1面的第1開口、和開設於前述第2面的第2開口。劃分前述各遮罩孔之前述蒸鍍用金屬遮罩的要素，係由在前述第1方向彼此對向的兩個第1遮罩部、與在前述第2方向彼此對向的兩個第2遮罩部所構成。前述第1遮罩部和前述遮罩孔係沿著前述第1方向逐一交替地重複，且前述第2遮罩部和前述遮罩孔係沿著前
述第2方向逐一交替地重複。前述第1遮罩部沿前述第1方向具有的寬度，係小於前述第2遮罩部沿前述第2方向具有的寬度。在與前述第1方向正交的剖面中，前述第1遮罩部的厚度中的極小值相對於前述第2遮罩部的厚度中的極大值之比為70%以上。在前述各遮罩孔中，與前述第1方向正交的剖面中之前述遮罩孔的寬度為遮罩孔寬度，在前述第1開口的前述遮罩孔寬度係小於在前述第2開口的前述遮罩孔寬度。前述第2遮罩部的厚度的前述極大值相對於前述第1開口至前述第2開口之間的前述遮罩孔寬度的最小值之比為41%以上。
根據上述構成，在與第1方向正交的剖面中，係以第2遮罩部的厚度的極大值與第1遮罩部的厚度的極小值之差小於30%的方式，抑制蒸鍍用金屬遮罩內的厚度的偏差。因此，在蒸鍍用金屬遮罩中，第1遮罩部相連的部分、與該相連的部分以外的部分之強度差會被抑制到能抑制第1遮罩部相連的部分中產生彎折的程度。
又，在蒸鍍用金屬遮罩中，遮罩孔寬度越大，沿著第2方向之第1遮罩部的長度就越大。另一方面，第1遮罩部的厚度，係藉由在第2方向上夾著第1遮罩部之第2遮罩部的厚度的極大值大致決定，極大值越大，第1遮罩部的厚度就越大。
因為這理由，根據上述構成，由於第2遮罩部的厚度的極大值相對於遮罩孔寬度的最小值之比為41%以上，故與蒸鍍用金屬遮罩的其他部分相較下，各
第1遮罩部的強度成為彎折不會集中在第1遮罩部之大小。
結果，可抑制沿著遮罩孔排列的方向相連的彎折產生於蒸鍍用金屬遮罩。
在上述蒸鍍用金屬遮罩中，複數個前述遮罩孔係沿著前述第1方向以一定的間距排列，極大值相對於前述間距之比為6%以上，該極大值較佳為與前述第2方向正交的剖面中之前述第1遮罩部的厚度的極大值。
沿第1方向的間距，係構成蒸鍍用金屬遮罩的要素、即第1遮罩部與空間的最小單位。其中，第1遮罩部係為，不論由蒸鍍用金屬遮罩所形成的有機層的大小為何，被大致維持為既定的大小之部分。第1遮罩部的大小係例如由周邊電路等的大小所決定，在提高有機EL顯示器的發光效率方面，係被設為最小限度的大小的部分。另一方面，包含於間距的空間係為依有機EL顯示器所需要的解析度等而改變大小之部分。
因為這理由，在蒸鍍用金屬遮罩中，即使間距的大小改變，即，即使包含於間距的空間之大小改變，第1遮罩部的厚度的極大值亦可維持為既定的大小以上。因此，在蒸鍍用金屬遮罩中，可抑制在第1遮罩部發生彎折。
在上述蒸鍍用金屬遮罩中，前述遮罩孔寬度係沿著前述第2方向的遮罩孔寬度、即第2遮罩孔寬度，在與前述第2方向正交的剖面中之前述遮罩孔的寬度係沿著前述第1方向的遮罩孔寬度、即第1遮罩孔寬
度，在前述第1開口的前述第1遮罩孔寬度係小於在前述第2開口的前述第1遮罩孔寬度，前述第1遮罩部的厚度的極大值相對於前述第1開口至前述第2開口之間的前述第1遮罩孔寬度的最小值之比為7%以上。
在蒸鍍用金屬遮罩中，相對於屬沿第1方向延伸的空間之遮罩孔的寬度，在第1方向劃分遮罩孔之第1遮罩部的厚度的極大值越大，蒸鍍用金屬遮罩的強度越高。
因為這理由，根據上述構成，由於第1遮罩部的厚度的極大值相對於第1遮罩孔寬度的最小值之比為7%以上，故與蒸鍍用金屬遮罩的其他部位相較下，各第1遮罩部的強度成為彎折不會集中在第1遮罩部之大小。
在上述蒸鍍用金屬遮罩中，從與前述蒸鍍用金屬遮罩擴展的方向正交的方向觀看，複數個前述遮罩孔亦可排列成交錯配列狀。
根據上述構成，在複數個遮罩孔排列成交錯配列狀的蒸鍍用金屬遮罩中，可抑制沿遮罩孔排列的方向相連的彎折。
根據本發明，可抑制沿著遮罩孔排列的方向相連的彎折。
10、40、50、60‧‧‧蒸鍍用金屬遮罩
10a、31a、60a‧‧‧第1面
10b、31b‧‧‧第2面
11、43、53、61‧‧‧遮罩孔
11a‧‧‧第1開口
11b‧‧‧第2開口
11c‧‧‧第1孔部
11cp‧‧‧第1內周面
11d‧‧‧第2孔部
11dp‧‧‧第2內周面
11e‧‧‧連續部
21、41、51、62‧‧‧第1遮罩部
22、42、52、63‧‧‧第2遮罩部
31‧‧‧金屬遮罩用基材
32‧‧‧第1阻劑層
33‧‧‧第2阻劑層
34‧‧‧第1阻劑圖案
34a、35a‧‧‧第1圖案部
34b、35b‧‧‧第2圖案部
35‧‧‧第2阻劑圖案
35c‧‧‧間隙
36‧‧‧第2保護層
37‧‧‧第1保護層
cp1、dp1‧‧‧第1弧狀部
dp2‧‧‧第2弧狀部
dp3‧‧‧屈折部
R1‧‧‧遮罩區域
R2‧‧‧周邊區域
圖1為表示將本發明的蒸鍍用金屬遮罩具體化之一實施形態的一部分立體構造之部分立體圖。
圖2為表示與第1面對向之平面視圖中的蒸鍍用金屬遮罩的局部俯視構造之局部俯視圖。
圖3為示意地表示與第1方向正交之剖面的一部分之局部剖面圖。
圖4為示意地表示與第1方向正交之剖面的一部分之局部剖面圖。
圖5為示意地表示與第2方向正交之剖面的一部分之局部剖面圖。
圖6為用以說明蒸鍍用金屬遮罩的製造方法之阻劑層的形成步驟之步驟圖。
圖7為用以說明蒸鍍用金屬遮罩的製造方法之阻劑層的圖案化步驟之步驟圖。
圖8為表示與金屬遮罩用基材的第1面對向之平面視圖中的阻劑圖案的局部俯視構造之局部俯視圖。
圖9為表示與金屬遮罩用基材的第2面對向之平面視圖中的阻劑圖案的局部俯視構造之局部俯視圖。
圖10為用以說明將蒸鍍用金屬遮罩的製造方法中之金屬遮罩用基材從第1面加以蝕刻的步驟之步驟圖。
圖11為表示將蒸鍍用金屬遮罩的製造方法中之金屬遮罩用基材從第2面加以蝕刻的步驟之步驟圖。
圖12為示意地顯示與實施例1至實施例3中的第1方向正交之剖面的一部分之局部剖面圖。
圖13為示意地顯示與比較例1、3、5中的第1方向正交之剖面的一部分之局部剖面圖。
圖14為示意地顯示與比較例2、4、6中的第1方向正交之剖面的一部分之局部剖面圖。
圖15為顯示從與變形例之蒸鍍用金屬遮罩的第1面對向的方向觀看的俯視構造之俯視圖。
參照圖1至圖14，說明將本發明的蒸鍍用金屬遮罩具體化之一實施形態。以下，依序說明蒸鍍用金屬遮罩的構成、蒸鍍用金屬遮罩的製造方法及實施例。此外，以下說明的蒸鍍用金屬遮罩，係使用於具備複數個有機層之有機EL顯示器的製造之蒸鍍用金屬遮罩。
參照圖1至圖5，說明蒸鍍用金屬遮罩的構成。
如圖1所示，蒸鍍用金屬遮罩10具備有第1面10a與第2面10b。蒸鍍用金屬遮罩10係具有沿著第1方向D1延伸，且沿著與第1方向D1正交的第2方向D2具有既定寬度之板狀。
蒸鍍用金屬遮罩10具備有沿著第1方向D1與第2方向D2排列的複數個遮罩孔11。從與第1面10a對向的方向觀看，在第1面10a劃分有：遮罩區域R1，其係形成有複數個遮罩孔11的區域；及周邊區域R2，其包圍遮罩區域R1。遮罩區域R1係實施有用以形成複數個遮罩孔11的加工之區域，周邊區域R2係沒有實施該加工之區域。
在第1面10a，亦可沿著第1方向D1空出既定的間隔劃分有複數個遮罩區域R1，亦可沿著第1方向D1與第2方向D2的每一者隔著既定的間隔劃分有複數個遮罩區域R1。
蒸鍍用金屬遮罩10為金屬製，較佳為不變鋼(invar)製。此外，蒸鍍用金屬遮罩10的形成材料亦可為不變鋼以外的金屬。在蒸鍍用金屬遮罩10中，周邊區域R2的厚度T較佳為例如20μm以上且50μm以下。
圖2係表示從與第1面10a對向的方向觀看之蒸鍍用金屬遮罩10的俯視構造。
如圖2所示，在蒸鍍用金屬遮罩10中，劃分各遮罩孔11之蒸鍍用金屬遮罩10的要素係由在第1方向D1彼此對向的兩個第1遮罩部21、和在第2方向D2彼此對向的兩個第2遮罩部22所構成。
在蒸鍍用金屬遮罩10中，第1遮罩部21和遮罩孔11係沿著第1方向D1逐一交替地重複，且第2遮罩部22和遮罩孔11係沿著第2方向D2逐一交替地重複。
第1遮罩部21沿第1方向D1具有的寬度為第1寬度W1，第2遮罩部22沿第2方向D2具有的寬度為第2寬度W2。第1遮罩部21的第1寬度W1係小於第2遮罩部22的第2寬度W2。
蒸鍍用金屬遮罩10係沿著由第1方向D1和第2方向D2所規定的平面擴展，從與蒸鍍用金屬遮罩10擴展的方向正交之方向來看，複數個遮罩孔11係排
列成交錯配列狀。換言之，從與第1面10a對向的方向來看，複數個遮罩孔11係排列成交錯配列狀。
在與第1面10a對向的平面視圖中，各遮罩孔11劃分矩形狀區域，各遮罩孔11的沿第1方向D1所具有的寬度係大於該遮罩孔11的沿第2方向D2所具有的寬度。複數個遮罩孔11係沿第1方向D1以一定的第1間距P1排列。
複數個遮罩孔11中，沿第1方向D1排列的複數個遮罩孔11係構成一個列。構成各列的複數個遮罩孔11中，在第1方向D1的位置每隔1列彼此重疊。另一方面，在第2方向D2彼此相鄰的列中，相對於構成其中一列的複數個遮罩孔11在第1方向D1的位置，構成其中另一列的複數個遮罩孔11在第1方向D1的位置係偏移1/2間距。複數個遮罩孔11中在第1方向D1的位置重疊的遮罩孔11係沿第2方向D2以一定的第2間距P2排列。第2間距P2係與第1間距P1相等的值。第1間距P1和第2間距P2一般係順應畫素形狀而設為彼此相等的值。
排列成交錯配列狀的複數個遮罩孔11中，位於在第1方向D1相鄰的兩個遮罩孔11之間的一個第1遮罩部21，係具有作為劃分兩個遮罩孔11的每一者之蒸鍍用金屬遮罩10的要素之功能。又，於第2方向D2相鄰的兩個遮罩孔11之間，在蒸鍍用金屬遮罩10中，發揮作為相對於一遮罩孔11的第2遮罩部22之功能的部分的一部分、和發揮作為相對於另一遮罩孔11的第2遮罩部22之功能的部分的一部係相互重疊。
此外，在排列成交錯配列狀的複數個遮罩孔11中，於第2方向D2彼此相鄰的列中，遮罩孔11在第1方向D1的位置的偏移亦可小於1/2間距，亦可大於1/2間距。又，各遮罩孔11中，沿第1方向D1所具有的寬度、與沿第2方向D2所具有的寬度亦可彼此相等。
圖3係在蒸鍍用金屬遮罩10中與第1方向D1正交之剖面構造，表示通過在第1方向D1之第1遮罩部21的中央之剖面構造。圖3係表示沿著圖2的I-I線之剖面構造。
如圖3所示，在與第1方向D1正交的剖面中，第1遮罩部21的厚度具有極小值T1m，第2遮罩部22的厚度具有極大值T2M。
在與第1方向D1正交的剖面中，第1遮罩部21的厚度的極小值T1m係以12.5μm以上較佳。第1遮罩部21的厚度的極小值T1m相對於第2遮罩部22的厚度的極大值T2M之比為70%以上。亦即，第1遮罩部21的厚度的極小值T1m、和第2遮罩部22的厚度的極大值T2M係滿足下式(1)。
T1m/T2M×100≧70...式(1)
根據此種蒸鍍用金屬遮罩10，在與第1方向D1正交的剖面中，第1遮罩部21的厚度確保為12.5μm以上。因此，在蒸鍍用金屬遮罩10中第1遮罩部21相連的部分、與該相連的部分以外的部分之強度差會進一步被抑制到能抑制第1遮罩部21之相連的部分中產生彎折的程度。
再者，以第2遮罩部22的厚度之極大值T2M與第1遮罩部21的厚度之極小值T1m的差小於30%之方式，抑制蒸鍍用金屬遮罩10內之厚度的偏差。
因此，蒸鍍用金屬遮罩10中第1遮罩部21相連的部分、與其以外的部分之強度差會被抑制到能抑制第1遮罩部21相連的部分中產生彎折的程度。結果，可抑制沿遮罩孔11的排列方向相連的彎折，尤其是抑制沿第1遮罩部21排列的方向相連的彎折產生於蒸鍍用金屬遮罩10。
各遮罩孔11具有：開設於第1面10a的第1開口11a；和開設於第2面10b的第2開口11b。各遮罩孔11係由包含第1開口11a的第1孔部11c和包含第2開口11b的第2孔部11d所構成，第1孔部11c和第2孔部11d係在蒸鍍用金屬遮罩10的厚度方向相連。第1孔部11c和第2孔部11d相連的部分為連續部11e。
在各遮罩孔11中，與第1方向D1正交之剖面中的遮罩孔11的寬度、即沿第2方向D2之遮罩孔11的寬度為第2遮罩孔寬度Wm2。第1開口11a的第2遮罩孔寬度Wm2小於第2開口11b的第2遮罩孔寬度Wm2。
第1孔部11c的第2遮罩孔寬度Wm2在第1開口11a最大，朝向連續部11e逐漸變小，第2孔部11d的第2遮罩孔寬度Wm2在第2開口11b最大，朝向連續部11e逐漸變小。亦即，各遮罩孔11中，連續部11e中的第2遮罩孔寬度Wm2最小。又，沿著第1孔部11c
之蒸鍍用金屬遮罩10的厚度方向的長度係小於沿著第2孔部11d之蒸鍍用金屬遮罩10的厚度方向的長度。
第2遮罩部22的厚度之極大值T2M相對於第2遮罩孔寬度Wm2的最小值Wmm2之比為41%以上。亦即，第2遮罩孔寬度Wm2的最小值Wmm2、和第2遮罩部22的厚度的極大值T2M係滿足下式(2)。
T2M/Wmm2×100≧41...式(2)
在蒸鍍用金屬遮罩10中，第2遮罩孔寬度Wm2愈大，沿第2方向D2之第1遮罩部21的長度愈大。另一方面，第1遮罩部21的厚度係由在第2方向D2夾持第1遮罩部21之第2遮罩部22的厚度的極大值T2M大致決定，極大值T2M愈大，第1遮罩部21的厚度愈大。
因為這理由，在上述蒸鍍用金屬遮罩10中，由於第2遮罩部22的厚度的極大值T2M相對於第2遮罩孔寬度Wm2的最小值Wmm2之比為41%以上，所以與蒸鍍用金屬遮罩10的其他部分相較下，各第1遮罩部21的強度成為彎折不會集中在第1遮罩部21之大小。
如圖4所示，劃分第2孔部11d的面為第2內周面11dp，在與第1方向D1正交的剖面中，第2內周面11dp具有第1弧狀部dp1、第2弧狀部dp2、及屈折部dp3。在第2內周面11dp中，兩個第1弧狀部dp1係在第2方向D2對向，兩個第2弧狀部dp2係在第2方向D2對向，且兩個屈折部dp3係在第2方向D2對向。
第1弧狀部dp1含有連續部11e，第2弧狀部dp2含有第2開口11b。第1弧狀部dp1的曲率半徑與第2弧狀部dp2的曲率半徑彼此不同，第1弧狀部dp1的曲率半徑大於第2弧狀部dp2的曲率半徑。屈折部dp3係第1弧狀部dp1與第2弧狀部dp2相連接的部分。以第1弧狀部dp1與第2弧狀部dp2的每一者而言，各弧狀部的曲率的中心具有如位於蒸鍍用金屬遮罩10的外側那樣的曲率。
劃分第1孔部11c的面為第1內周面11cp，在與第1方向D1正交的剖面中，第1內周面11cp具有包含第1開口11a與連續部11e的第1弧狀部cp1。在第1內周面11cp中，兩個第1弧狀部cp1係在第2方向D2對向。關於第1弧狀部cp1，第1弧狀部cp1的曲率的中心具有如位於蒸鍍用金屬遮罩10外側那樣的曲率。
圖5係蒸鍍用金屬遮罩10中與第2方向D2正交的剖面構造，表示通過在第2方向D2之第1遮罩部21的中央的剖面構造。圖5係表示沿著圖2的II-II線之剖面構造。
如圖5所示，在與第2方向D2正交的剖面中，第1遮罩部21具有極大值T1M。第1遮罩部21的厚度的極大值T1M相對於上述之沿第1方向D1的第1間距P1的比為6%以上。亦即，沿著第1方向D1的第1間距P1和第1遮罩部21的極大值T1M係滿足下式(3)。
T1M/P1×100≧6...式(3)
沿第1方向D1的第1間距P1係構成蒸鍍用金屬遮罩10的要素、即第1遮罩部21與空間的最小單位。其中，第1遮罩部21為，不論由蒸鍍用金屬遮罩10形成之有機層的大小為何，均維持為大致既定的大小的部分。第1遮罩部21的大小係例如由周邊電路等的大小所決定，在提高有機EL顯示器的發光效率方面，係設為最小限度的大小之部分。另一方面，第1間距P1所包含的空間，係大小會根據有機EL顯示器所要求的解析度等而改變的部分。
因為這理由，在蒸鍍用金屬遮罩10中，即便第1間距P1的大小改變，即第1間距P1所包含的空間的大小改變，第1遮罩部21的厚度的極大值T1M也會維持既定的大小以上。因此，在蒸鍍用金屬遮罩10中，可抑制第1遮罩部21發生彎折。
在與第2方向D2正交的剖面中，第1遮罩部21具有大致五角形形狀。因此，第1遮罩部21係在與沿第1面10a的邊相距的距離最大的頂點中，具有厚度的極大值T1M。
在各遮罩孔11中，與第2方向D2正交之剖面的遮罩孔11的寬度，即沿第1方向D1之遮罩孔11的寬度為第1遮罩孔寬度Wm1。第1開口11a的第1遮罩孔寬度Wm1小於第2開口11b的第1遮罩孔寬度Wm1。
第1遮罩孔寬度Wm1係在由第1開口11a朝向第2開口11b的方向的中途，具有最小值Wmm1。第1遮罩部21的厚度的極大值T1M相對於第1遮罩孔
寬度Wm1的最小值Wmm1之比為7%以上。亦即，第1遮罩孔寬度Wm1的最小值Wmm1與第1遮罩部21的厚度的極大值T1M係滿足下式(4)。
T1M/Wmm1×100≧7...式(4)
在蒸鍍用金屬遮罩10中，相對於遮罩孔11的寬度，在第1方向D1劃分遮罩孔11之第1遮罩部21的厚度的極大值T1M愈大，則蒸鍍用金屬遮罩10的強度愈高，該遮罩孔11的寬度即沿第1方向D1延伸的空間。
因為這理由，在蒸鍍用金屬遮罩10中，由於第1遮罩部21的厚度的極大值T1M相對於第1遮罩孔寬度Wm1的最小值Wmm1之比為7%以上，所以與蒸鍍用金屬遮罩10的其他部位相較下，各第1遮罩部21的強度成為彎折不會更集中在第1遮罩部21之大小。
此外，使用這種蒸鍍用金屬遮罩10對成膜對象形成有機層係以如下方式進行。以下，使蒸鍍用金屬遮罩10之第1方向D1及第2方向D2與成膜後的成膜對象之第1方向D1及第2方向D2對應來進行說明。
例如，形成有機層時，首先使用蒸鍍用金屬遮罩10，使藍色的有機層形成於成膜對象。接著，使用其他的蒸鍍用金屬遮罩，在第2方向D2之藍色的有機層間，且在第2方向D2與一個藍色的有機層相鄰的部位，使綠色的有機層和紅色的有機層以沿第1方向D1排列的方式形成。
又，例如，首先，使用蒸鍍用金屬遮罩10將藍色的有機層形成於成膜對象。其次，使用其他的蒸鍍用金屬遮罩，在第2方向D2之藍色的有機層間，且在第2方向D2與一個藍色的有機層相鄰的部位，使綠色的有機層和紅色的有機層以沿第2方向D2排列的方式形成。
參照圖6至圖11，說明蒸鍍用金屬遮罩10的製造方法。此外，圖6至圖11的每一者係相對於沿著圖2的I-I線的剖面之剖面構造，且為對應於各製造步驟之剖面構造。
如圖6所示，製造蒸鍍用金屬遮罩10時，首先，準備用以形成蒸鍍用金屬遮罩10的金屬遮罩用基材31。金屬遮罩用基材31較佳為不變鋼製，金屬遮罩用基材31所具有的厚度較佳為例如20μm以上且50μm以下。
金屬遮罩用基材31具有第1面31a及第2面31b，該第2面31b係與第1面31a為相反側的面。金屬遮罩用基材31的第1面31a相對於蒸鍍用金屬遮罩10的第1面10a，金屬遮罩用基材31的第2面31b相對於蒸鍍用金屬遮罩10的第2面10b。
在金屬遮罩用基材31的第1面31a形成第1阻劑層32，在第2面31b形成第2阻劑層33。各阻劑層亦可藉由貼附乾薄膜阻劑(dry film resist)，而形成於金屬遮罩用基材31，亦可藉由將含阻劑層的形成材料之
塗液塗布於表面而形成。阻劑層的形成材料係以負型阻劑材料較佳，亦可為正型阻劑材料。
如圖7所示，藉由將第1阻劑層32的一部分從金屬遮罩用基材31的第1面31a去除，而形成第1阻劑圖案34。又，藉由將第2阻劑層33的一部分從金屬遮罩用基材31的第2面31b去除，而形成第2阻劑圖案35。形成各阻劑圖案時，若為負型阻劑層，則僅對阻劑層中殘留在金屬遮罩用基材31上作為阻劑圖案的部分進行曝光。然後，將曝光後的阻劑層顯影。此外，若為正型阻劑層，只要對阻劑層中從金屬遮罩用基材31去除的部分進行即可。
此外，第1阻劑層32的曝光與第2阻劑層33的曝光可同時進行，也可個別地進行。又，第1阻劑層32的顯影與第2阻劑層33的顯影可同時進行，也可個別地進行。
第1阻劑圖案34具有複數個第1圖案部34a與複數個第2圖案部34b。第1阻劑圖案34係用以將複數個遮罩孔11的第1孔部11c形成於金屬遮罩用基材31的阻劑圖案。其中，各第1圖案部34a係用以在金屬遮罩用基材31劃分第1遮罩部21的圖案部，各第2圖案部34b係用以在金屬遮罩用基材31劃分第2遮罩部22的圖案部。
第2阻劑圖案35具有複數個第1圖案部35a和複數個第2圖案部35b。第2阻劑圖案35係用以將複數個遮罩孔11的第2孔部11d形成於金屬遮罩用基
材31的阻劑圖案。與第1阻劑圖案34同樣，各第1圖案部35a係用以在金屬遮罩用基材31劃分第1遮罩部21的圖案部，各第2圖案部35b係用以在金屬遮罩用基材31劃分第2遮罩部22的圖案部。
圖8係表示與金屬遮罩用基材31的第1面31a對向之平面視圖中的第1阻劑圖案34的俯視構造。此外，圖8中，為使易於理解第1阻劑圖案34的形狀，方便起見，在第1阻劑圖案34上附加點。
如圖8所示，在與金屬遮罩用基材31的第1面31a對向的平面視圖中，第1圖案部34a係沿第2方向D2延伸，且沿第1方向D1空出一定的間隔排列。在第1方向D1，第1圖案部34a重複的間距，係與蒸鍍用金屬遮罩10中第1遮罩部21沿第1方向D1重複的間距大致相等。
第2圖案部34b係沿第1方向D1延伸，在第2方向D2相鄰的兩個第2圖案部34b係彼此以第1圖案部34a的長度的程度分離而設置。第1圖案部34a沿第1方向D1所具有的寬度W34a係小於第2圖案部34b沿第2方向D2所具有的寬度W34b。
圖9係表示與金屬遮罩用基材31的第2面31b對向之平面視圖中的第2阻劑圖案35的俯視構造。此外，圖9中，為使易於理解第2阻劑圖案35的形狀，方便起見，在第2阻劑圖案35上附加點。
如圖9所示，在與金屬遮罩用基材31的第2面31b對向的平面視圖中，第1圖案部35a係沿第2
方向D2延伸，且沿第1方向D1空出一定的間隔排列。在第1方向D1，第1圖案部35a重複的間距，係與蒸鍍用金屬遮罩10中第1遮罩部21沿第1方向D1重複的間距大致相等。
第2圖案部35b係沿第1方向D1延伸，且在第2方向D2相鄰的兩個第2圖案部35b係彼此以第1圖案部35a的長度的程度分離而存在。第2圖案部35b具有沿第1方向D1延伸的間隙35c，間隙35c係位於各第2圖案部35b之第2方向D2的中央。
間隙35c沿第2方向D2所具有的寬度W35c，係小於第2方向D2上之兩個第2圖案部35b間的距離、即第1圖案部35a沿第2方向D2所具有的寬度W35a2。又，第1圖案部35a沿第1方向D1所具有的寬度W35a1，係小於第2圖案部35b沿第2方向D2所具有的寬度W35b。
第1圖案部35a係位於沿第2方向D2相鄰的第2圖案部35b之間，與在第2方向D2上夾著第1圖案部35a的兩個第2圖案部35b連接。
如圖10所示，使用第1阻劑圖案34將金屬遮罩用基材31從第1面31a進行蝕刻。此外，圖10係表示將金屬遮罩用基材31從第1面31a進行蝕刻的中途之金屬遮罩用基材31的狀態。若金屬遮罩用基材31為不變鋼製，則可使用例如氯化鐵液來作為金屬遮罩用基材31的蝕刻溶液。
此外，將金屬遮罩用基材31從第1面31a進行蝕刻時，在開始金屬遮罩用基材31的蝕刻之前，先在第2阻劑圖案35中之與連接於金屬遮罩用基材31的面相反側的那面，形成第2保護層36。
第2保護層36係在將金屬遮罩用基材31從第1面31a進行蝕刻時，用以防止金屬遮罩用基材31從第2面31b被蝕刻之層。第2保護層36的形成材料只要是對金屬遮罩用基材31的蝕刻溶液具有耐受性的材料即可。
結束使用第1阻劑圖案34對金屬遮罩用基材31進行的蝕刻後，將第2保護層36從第2阻劑圖案35剝除，將第1阻劑圖案34從金屬遮罩用基材31的第1面31a剝除。
如圖11所示，使用第2阻劑圖案35將金屬遮罩用基材31從第2面31b進行蝕刻。此外，圖11係表示將金屬遮罩用基材31從第2面31b進行蝕刻的中途之金屬遮罩用基材31的狀態。若金屬遮罩用基材31為不變鋼製，則可使用例如氯化鐵液來作為金屬遮罩用基材31的蝕刻溶液。
此外，將金屬遮罩用基材31從第2面31b進行蝕刻時，在開始金屬遮罩用基材31的蝕刻之前，先在金屬遮罩用基材31的第1面31a，形成第1保護層37。
第1保護層37係在將金屬遮罩用基材31從第2面31b進行蝕刻時，用以防止金屬遮罩用基材31從第1面31a被蝕刻之層。第1保護層37的形成材料只
要是對金屬遮罩用基材31的蝕刻溶液具有耐受性的材料即可。
結束使用第2阻劑圖案35對金屬遮罩用基材31進行的蝕刻後，將第1保護層37從金屬遮罩用基材31的第1面31a剝除，將第2阻劑圖案35從第2面31b剝除。藉此，可得到蒸鍍用金屬遮罩10。
當金屬遮罩用基材31從第2面31b被蝕刻時，金屬遮罩用基材31中從第2阻劑圖案35露出的面積愈大的部分，被蝕刻的速度愈高。因此，於金屬遮罩用基材31的厚度方向上，在金屬遮罩用基材31中相較於與第2圖案部35b的間隙35c重疊的部分之蝕刻速度，位於第2圖案部35b間之部分的蝕刻速度較高。
藉此，可在金屬遮罩用基材31上，形成蝕刻量大的部分與蝕刻量小的部分。結果，可獲得在與第1方向D1正交的剖面中，第1遮罩部21的厚度的極小值T1m相對於第2遮罩部22的厚度的極大值T2M之比為70%以上，且第2遮罩部22的厚度的極大值T2M相對於第2遮罩孔寬度Wm2的最小值Wmm2之比為41%以上之蒸鍍用金屬遮罩10。
參照圖12至圖14，說明實施例及比較例。此外，在以下說明的實施例1至實施例3中，使用於各實施例之蒸鍍用金屬遮罩的製造之金屬遮罩用基材的厚度彼此不同。惟，各蒸鍍用金屬遮罩的極小值T1m相對於極大值T2M之比、極大值T2M相對於第2遮罩孔寬
度Wm2的最小值Wmm2之比、極大值T1M相對於第1間距P1之比、及極大值T1M相對於第1遮罩孔寬度Wm1的最小值Wmm1之比，在實施例間為大致相等的值。因此，方便起見，參照一個圖來說明實施例1至實施例3的蒸鍍用金屬遮罩。
又，在比較例1、3、5中，使用於各比較例之蒸鍍用金屬遮罩的製造之金屬遮罩用基材的厚度彼此不同。惟，各蒸鍍用金屬遮罩的極小值T1m相對於極大值T2M之比、第2遮罩孔寬度Wm2的極大值T2M相對於最小值Wmm2之比、極大值T1M相對於第1間距P1之比、及極大值T1M相對於第1遮罩孔寬度Wm1的最小值Wmm1之比，在比較例間為大致相等的值。因此，比較例1、3、5的蒸鍍用金屬遮罩。
又，在比較例2、4、6中，使用於各比較例之蒸鍍用金屬遮罩的製造之金屬遮罩用基材的厚度彼此不同。惟，各蒸鍍用金屬遮罩的極小值T1m相對於極大值T2M之比、極大值T2M相對於第2遮罩孔寬度Wm2的最小值Wmm2之比、極大值T1M相對於第1間距P1之比、及極大值T1M相對於第1遮罩孔寬度Wm1的最小值Wmm1之比，在比較例間為大致相等的值。因此，方便起見，參照一個圖來說明比較例2、4、6的蒸鍍用金屬遮罩。
準備不變鋼製且具有30μm的厚度之金屬遮罩用基材。藉由將負型的乾薄膜阻劑貼附於金屬遮罩
用基材的第1面，而在金屬遮罩用基材的第1面形成第1阻劑層，藉由將負型的乾薄膜阻劑貼附於金屬遮罩用基材的第2面，而在金屬遮罩用基材的第2面形成第2阻劑層。
將第1阻劑層圖案化，而形成具有以下的形狀之第1阻劑圖案。在第1阻劑圖案中，沿著第1方向存在的第1圖案部之間距為195μm，第1圖案部沿第1方向的長度為30.0μm，第1圖案部沿第2方向的長度為33.5μm。又，在第1阻劑圖案中，第2圖案部沿第2方向的長度為64.0μm。
將第2阻劑層圖案化，而形成具有以下的形狀之第2阻劑圖案。在第2阻劑圖案中，沿著第1方向存在的第1圖案部之間距為195μm，第1圖案部沿第1方向的長度為16.5μm，第1圖案部沿第2方向的長度為58.3μm。又，在第2阻劑圖案中，第2圖案部沿第2方向的長度為39.1μm，第2圖案部所具有的間隙長度為10.3μm。亦即，在第2圖案部中沿第2方向空出間隙而存在的兩個部分的每一者，沿第2方向的長度為14.4μm。
接著，使用氯化鐵液對金屬遮罩用基材進行蝕刻，藉此獲得實施例1的蒸鍍用金屬遮罩。在與第1面對向的平面視圖中，沿著第1方向存在的複數個遮罩孔之第1間距P1、及沿著第2方向存在的複數個遮罩孔之第2間距P2為195μm。
如圖12所示，在與第1方向D1正交的剖面中，確認到第1遮罩部21的厚度具有極小值T1m，第
2遮罩部22的厚度具有極大值T2M，且確認到極小值T1m為12.5μm，極大值T2M為17.7μm。亦即，確認到極小值T1m相對於極大值T2M之比為70.6%。再者，確認到極小值T1m相對於第2間距P2之比為6.4%。
又，確認到第2遮罩孔寬度Wm2的最小值Wmm2為42.6μm，極大值T2M相對於第2遮罩孔寬度Wm2的最小值Wmm2之比為41.5%。
實施例1中，如使用圖5於先前所說明般，確認到在與第2方向D2正交的剖面中，第1遮罩部21具有大致五角形形狀。又，確認到第1遮罩部21具有極大值T1M，極大值T1M為12.5μm。如上述，確認到由於複數個遮罩孔沿第1方向D1排列的第1間距P1為195μm，故極大值T1M相對於第1間距P1之比為6.4%。
再者，在與第2方向D2正交的剖面中，確認到第1遮罩孔寬度Wm1的最小值Wmm1為167.9μm，確認到極大值T1M相對於第1遮罩孔寬度Wm1的最小值Wmm1之比為7.4%。
準備不變鋼製且具有25μm的厚度之金屬遮罩用基材。又，除了將第1阻劑圖案的尺寸及第2阻劑圖案的尺寸變更如下之外，其餘係利用與實施例1相同的方法而獲得實施例2的蒸鍍用金屬遮罩。在與第1面對向的平面視圖中，沿著第1方向存在的複數個遮罩孔之第1間距P1、及沿著第2方向存在的複數個遮罩孔之第2間距P2為162.5μm。
在第1阻劑圖案中，沿著第1方向存在的第1圖案部之間距為162.5μm，沿著第1方向存在的第1圖案部之長度為25μm，第1圖案部沿第2方向的長度為27.9μm。又，在第1阻劑圖案中，第2圖案部沿第2方向的長度為53.3μm。
在第2阻劑圖案中，沿著第1方向存在的第1圖案部之間距為162.5μm，第1圖案部沿第1方向的長度為13.8μm，第1圖案部沿第2方向的長度為48.6μm。又，在第2阻劑圖案中，第2圖案部沿第2方向的長度為32.6μm，第2圖案部所具有的間隙長度為8.6μm。亦即，第2圖案部中沿第2方向空出間隙而存在的兩個部分的每一者，沿第2方向的長度為12.0μm。
如圖12所示，在實施例2的蒸鍍用金屬遮罩10中，在與第1方向D1正交的剖面中，確認到第1遮罩部21的厚度的極小值T1m為10.4μm，第2遮罩部22的厚度的極大值T2M為14.8μm。亦即，確認到極小值T1m相對於極大值T2M之比為70.3%。再者，確認到極小值T1m相對於第2間距P2之比為6.4%。
又，確認到第2遮罩孔寬度Wm2的最小值Wmm2為35.8μm，極大值T2M相對於第2遮罩孔寬度Wm2的最小值Wmm2之比為41.3%。
再者，在實施例2的蒸鍍用金屬遮罩10中，在與第2方向D2正交的剖面中，確認到第1遮罩部21的厚度的極大值T1M為10.4μm。確認到由於複數個遮罩孔11沿第1方向D1排列的第1間距P1為162.5μm，故極大值T1M相對於第1間距P1之比為6.4%。
又，在與第2方向D2正交的剖面中，確認到第1遮罩孔寬度Wm1的最小值Wmm1為139.0μm，確認到極大值T1M相對於第1遮罩孔寬度Wm1的最小值Wmm1之比為7.5%。
準備不變鋼製且具有20μm的厚度之金屬遮罩用基材。又，除了將第1阻劑圖案的尺寸及第2阻劑圖案的尺寸變更如下之外，其餘係利用與實施例1相同的方法而獲得實施例3的蒸鍍用金屬遮罩。在與第1面對向的平面視圖中，沿著第1方向存在的複數個遮罩孔之第1間距P1、及沿著第2方向存在的複數個遮罩孔之第2間距P2為130μm。
在第1阻劑圖案中，沿著第1方向存在的第1圖案部之間距為130μm，第1圖案部沿第1方向的長度為20μm，第1圖案部沿第2方向的長度為22.3μm。又，在第1阻劑圖案中，第2圖案部沿第2方向的長度為42.7μm。
在第2阻劑圖案中，沿著第1方向存在的第1圖案部之間距為130μm，第1圖案部沿第1方向的長度為11μm，第1圖案部沿第2方向的長度為38.9μm。又，在第2阻劑圖案中，第2圖案部沿第2方向的長度為26.1μm，第2圖案部所具有的間隙長度為6.9μm。亦即，在第2圖案部中沿第2方向空出間隙而存在的兩個部分的每一者，沿第2方向的長度為9.6μm。
如圖12所示，在實施例3的蒸鍍用金屬遮罩10中，在與第1方向D1正交的剖面中，確認到第1遮罩部21的厚度的極小值T1m為8.8μm，第2遮罩部22的厚度的極大值T2M為11.9μm。亦即，確認到極小值T1m相對於極大值T2M之比為73.9%。再者，確認到極小值T1m相對於第2間距P2之比為6.8%。
又，確認到第2遮罩孔寬度Wm2的最小值Wmm2為28.4μm，極大值T2M相對於第2遮罩孔寬度Wm2的最小值Wmm2之比為41.9%。
再者，在實施例3的蒸鍍用金屬遮罩10中，在與第2方向D2正交的剖面中，確認到第1遮罩部21的厚度的極大值T1M為8.8μm。確認到由於複數個遮罩孔11沿第1方向D1排列的第1間距P1為130μm，故極大值T2M相對於第1間距P1之比為6.8%。
又，在與第2方向D2正交的剖面中，確認到第1遮罩孔寬度Wm1的最小值Wmm1為112.2μm，確認到極大值T1M相對於第1遮罩孔寬度Wm1的最小值Wmm1之比為7.8%。
準備不變鋼製且具有30μm的厚度之金屬遮罩用基材。又，除了將第1阻劑圖案的尺寸及第2阻劑圖案的尺寸變更如下，且形成具備未有間隙的圖案部作為第2圖案部之第2阻劑圖案之外，其餘係利用與實施例1相同的方法而獲得比較例1的蒸鍍用金屬遮罩。在與第1面對向的平面視圖中，沿著第1方向存在的複
數個遮罩孔之第1間距P1、及沿著第2方向存在的複數個遮罩孔之第2間距P2為195μm。
在第1阻劑圖案中，沿著第1方向存在的第1圖案部之間距為195μm，第1圖案部沿第1方向的長度為27.9μm，第1圖案部沿第2方向的長度為36.6μm。又，在第1阻劑圖案中，第2圖案部沿第2方向的長度為60.9μm。
在第2阻劑圖案中，沿著第1方向存在的第1圖案部之間距為195μm，沿著第1方向存在的第1圖案部之長度為5.2μm，第1圖案部沿第2方向的長度為76.9μm。又，在第2阻劑圖案中，第2圖案部沿第2方向的長度為20.6μm。
如圖13所示，在比較例1的蒸鍍用金屬遮罩40中，在與第1方向D1正交的剖面中，確認到第1遮罩部41的厚度具有極小值T1m，且第2遮罩部42的厚度具有極大值T2M，且確認到極小值T1m為9.7μm，極大值T2M為20.8μm。亦即，確認到極小值T1m相對於極大值T2M之比為46.6%。再者，確認到極小值T1m相對於第2間距P2之比為5.0%。
又，確認到第2遮罩孔寬度Wm2的最小值Wmm2為42.3μm，極大值T2M相對於第2遮罩孔寬度Wm2的最小值Wmm2之比為49.2%。
在比較例1中，與實施例1同樣，在與第2方向D2正交的剖面中，確認到第1遮罩部41具有大致五角形形狀。又，確認到第1遮罩部41具有極大值
T1M，確認到極大值T1M為9.7μm。如上述，確認到由於複數個遮罩孔沿第1方向D1排列的第1間距P1為195μm，故極大值T1M相對於第1間距P1之比為5.0%。
再者，在與第2方向D2正交的剖面中，確認到第1遮罩孔寬度Wm1的最小值Wmm1為165.9μm，確認到極大值T1M相對於第1遮罩孔寬度Wm1的最小值Wmm1之比為5.8%。
準備不變鋼製且具有30μm的厚度之金屬遮罩用基材。又，除了將第2阻劑圖案的尺寸變更如下之外，其餘係利用與實施例1相同的方法而獲得比較例2的蒸鍍用金屬遮罩。在與第1面對向的平面視圖中，沿著第1方向存在的複數個遮罩孔之第1間距P1、及沿著第2方向存在的複數個遮罩孔之第2間距P2為195μm。
亦即，在第2阻劑圖案中，沿著第1方向存在的第1圖案部之間距為195μm，沿著第1方向存在的第1圖案部之長度為16.5μm，沿著第2方向存在的第1圖案部之長度為58.3μm。又，在第2阻劑圖案中，第2圖案部沿第2方向的長度為39.2μm，第2圖案部所具有的間隙長度為14.4μm。亦即，在第2圖案部中沿第2方向空出間隙而存在的兩個部分的每一者，沿第2方向的長度為12.4μm。
如圖14所示，在比較例2的蒸鍍用金屬遮罩50中，在與第1方向D1正交的剖面中，確認到第1遮罩部51的厚度具有極小值T1m，第2遮罩部52的厚
度具有極大值T2M，且確認到極小值T1m為10.4μm，極大值T2M為12.7μm。亦即，確認到極小值T1m相對於極大值T2M之比為81.9%。再者，確認到極小值T1m相對於第2間距P2之比為5.3%。
又，確認到第2遮罩孔寬度Wm2的最小值Wmm2為42.6μm，極大值T2M相對於第2遮罩孔寬度Wm2的最小值Wmm2之比為29.8%。
在比較例2中，與實施例1同樣，在與第2方向D2正交的剖面中，確認到第1遮罩部51具有大致五角形形狀。又，確認到第1遮罩部51具有極大值T1M，確認到極大值T1M為10.4μm。如上述，確認到由於複數個遮罩孔沿第1方向D1排列的第1間距P1為195μm，故極大值T1M相對於第1間距P1之比為5.3%。
又，在與第2方向D2正交的剖面中，確認到第1遮罩孔寬度Wm1的最小值Wmm1為165.6μm，極大值T1M相對於第1遮罩孔寬度Wm1的最小值Wmm1之比為6.3%。
準備不變鋼製且具有25μm的厚度之金屬遮罩用基材。又，除了將第1阻劑圖案的尺寸及第2阻劑圖案的尺寸變更如下，且形成具備未有間隙的圖案部作為第2圖案部之第2阻劑圖案之外，其餘係利用與實施例2相同的方法而獲得比較例3的蒸鍍用金屬遮罩。在與第1面對向的平面視圖中，沿著第1方向存在的複數個遮罩孔之第1間距P1、及沿著第2方向存在的複數個遮罩孔之第2間距P2為162.5μm。
在第1阻劑圖案中，沿著第1方向存在的第1圖案部之間距為162.5μm，第1圖案部沿第1方向的長度為25μm，第1圖案部沿第2方向的長度為30.5μm。又，在第1阻劑圖案中，第2圖案部沿第2方向的長度為50.8μm。
在第2阻劑圖案中，沿著第1方向存在的第1圖案部之間距為162.5μm，第1圖案部沿第1方向的長度為4.3μm，第1圖案部沿第2方向的長度為64.1μm。又，在第2阻劑圖案中，第2圖案部沿第2方向的長度為17.2μm。
如圖13所示，在比較例3的蒸鍍用金屬遮罩40中，在與第1方向D1正交的剖面中，確認到第1遮罩部41的厚度的極小值T1m為8.0μm，第2遮罩部42的厚度的極大值T2M為17.4μm。亦即，確認到極小值T1m相對於極大值T2M之比為46.0%。再者，確認到極小值T1m相對於第2間距P2之比為4.9%。
又，確認到第2遮罩孔寬度Wm2的最小值Wmm2為35.1μm，極大值T2M相對於第2遮罩孔寬度Wm2的最小值Wmm2之比為49.6%。
再者，在比較例3的蒸鍍用金屬遮罩40中，在與第2方向D2正交的剖面中，確認到第1遮罩部41的厚度的極大值T1M為8.0μm。確認到由於複數個遮罩孔43沿第1方向D1排列的第1間距P1為162.5μm，故極大值T1M相對於第1間距P1之比為4.9%。
又，在與第2方向D2正交的剖面中，確認到第1遮罩孔寬度Wm1的最小值Wmm1為138.5μm，確認到極大值T1M相對於第1遮罩孔寬度Wm1的最小值Wmm1之比為5.8%。
準備不變鋼製且具有25μm的厚度之金屬遮罩用基材。又，除了將第2阻劑圖案的尺寸變更如下之外，其餘係利用與實施例2相同的方法而獲得比較例4的蒸鍍用金屬遮罩。在與第1面對向的平面視圖中，沿著第1方向存在的複數個遮罩孔之第1間距P1、及沿著第2方向存在的複數個遮罩孔之第2間距P2為162.5μm。
亦即，在第2阻劑圖案中，沿著第1方向存在的第1圖案部之間距為162.5μm，第1圖案部沿第1方向的長度為13.8μm，第1圖案部沿第2方向的長度為48.6μm。又，在第2阻劑圖案中，第2圖案部沿第2方向的長度為32.7μm，第2圖案部所具有的間隙長度為12.0μm。亦即，在第2圖案部中沿第2方向空出間隙而存在的兩個部分的每一者，沿第2方向的長度為10.3μm。
如圖14所示，在比較例4的蒸鍍用金屬遮罩50中，在與第1方向D1正交的剖面中，確認到第1遮罩部51的厚度的極小值T1m為8.3μm，第2遮罩部52的厚度的極大值T2M為10.4μm。亦即，確認到極小值T1m相對於極大值T2M之比為79.8%。再者，確認到極小值T1m相對於第2間距P2之比為5.1%。
又，確認到第2遮罩孔寬度Wm2的最小值Wmm2是35.2μm，極大值T1M相對於第2遮罩孔寬度Wm2的最小值Wmm2之比是29.5%。
再者，在比較例4的蒸鍍用金屬遮罩50中，在與第2方向D2正交的剖面中，確認到第1遮罩部51的厚度的極大值T1M為8.3μm。確認到由於複數個遮罩孔53沿第1方向D1排列的第1間距P1為162.5μm，故極大值T1M相對於第1間距P1之比為5.1%。
又，在與第2方向D2正交的剖面中，確認到第1遮罩孔寬度Wm1的最小值Wmm1為138.0μm，確認到極大值T1M相對於第1遮罩孔寬度Wm1的最小值Wmm1之比為6.0%。
準備不變鋼製且具有20μm的厚度之金屬遮罩用基材。又，除了將第1阻劑圖案的尺寸及第2阻劑圖案的尺寸變更如下，且形成具有未有間隙的圖案部作為第2圖案部之第2阻劑圖案之外，其餘係利用與實施例3相同的方法獲得比較例5的蒸鍍用金屬遮罩。在與第1面對向的平面視圖中，沿著第1方向存在的複數個遮罩孔之第1間距P1、及沿著第2方向存在的複數個遮罩孔之第2間距P2為130μm。
在第1阻劑圖案中，沿著第1方向存在的第1圖案部之間距為130μm，第1圖案部沿第1方向的長度為20μm，第1圖案部沿第2方向的長度為24.4μm。又，在第1阻劑圖案中，第2圖案部沿第2方向的長度為40.6μm。
在第2阻劑圖案中，沿著第1方向存在的第1圖案部之間距為130μm，第1圖案部沿第1方向的長度為3.5μm，第1圖案部沿第2方向的長度為51.3μm。又，在第2阻劑圖案中，第2圖案部沿第2方向的長度為17.2μm。
如圖13所示，在比較例5的蒸鍍用金屬遮罩40中，在與第1方向D1正交的剖面中，確認到第1遮罩部41的厚度的極小值T1m為7.0μm，第2遮罩部42的厚度的極大值T2M為13.7μm。亦即，確認到極小值T1m相對於極大值T2M之比為51.1%。再者，確認到極小值T1m相對於第2間距P2之比為5.4%。
又，確認到第2遮罩孔寬度Wm2的最小值Wmm2為27.7μm，極大值T2M相對於第2遮罩孔寬度Wm2的最小值Wmm2之比為49.5%。
再者，在實施例5的蒸鍍用金屬遮罩40中，在與第2方向D2正交的剖面中，確認到第1遮罩部41的厚度的極大值T1M為7.0μm。確認到由於複數個遮罩孔43沿第1方向D1排列的第1間距P1為130μm，故極大值T1M相對於第1間距P1之比為5.4%。
又，在與第2方向D2正交的剖面中，確認到第1遮罩孔寬度Wm1的最小值Wmm1為110.6μm，確認到極大值T1M相對於第1遮罩孔寬度Wm1的最小值Wmm1之比為6.3%。
準備不變鋼製且具有20μm的厚度之金屬遮罩用基材。又，除了將第2阻劑圖案的尺寸變更如下之外，其餘係利用與實施例3相同的方法而獲得比較例6的蒸鍍用金屬遮罩。在與第1面對向的平面視圖中，沿著第1方向存在的複數個遮罩孔之第1間距P1、及沿著第2方向存在的複數個遮罩孔之第2間距P2為130μm。
亦即，在第2阻劑圖案中，沿著第1方向存在的第1圖案部之間距為130μm，第1圖案部沿第1方向的長度為11.0μm，第1圖案部沿第2方向的長度為38.9μm。又，在第2阻劑圖案中，第2圖案部沿第2方向的長度為26.1μm，第2圖案部所具有之間隙的長度為9.6μm。亦即，在第2圖案部中沿第2方向空出間隙而存在的兩個部分的每一者，沿第2方向的長度為8.3μm。
如圖14所示，在比較例6的蒸鍍用金屬遮罩50中，在與第1方向D1正交的剖面中，確認到第1遮罩部51的厚度的極小值T1m為7.3μm，第2遮罩部52的厚度的極大值T2M為8.2μm。亦即，確認到極小值T1m相對於極大值T2M之比為89.0%。再者，確認到極小值T1m相對於第2間距P2之比為5.6%。
又，確認到第2遮罩孔寬度Wm2的最小值Wmm2為28.1μm，極大值T1M相對於第2遮罩孔寬度Wm2的最小值Wmm2之比為29.2%。
再者，在比較例6的蒸鍍用金屬遮罩50中，在與第2方向D2正交的剖面中，確認到第2遮罩部52
的極大值T1M為7.3μm。確認到由於複數個遮罩孔53沿第1方向D1排列的第1間距P1為130μm，故極大值T1M相對於第1間距P1之比為5.6%。
又，在與第2方向D2正交的剖面中，確認到第1遮罩孔寬度Wm1的最小值Wmm1為110.0μm，確認到極大值T1M相對於第1遮罩孔寬度Wm1的最小值Wmm1之比為6.6%。
在製造了各蒸鍍用金屬遮罩之後，評價在第1遮罩部相連的方向上的彎折是否產生於蒸鍍用金屬遮罩中。如上述，在各實施例及各比較例中，在與第1方向D1正交之方向的剖面中的極大值T2M、極小值T1m、極小值T1m相對於極大值T2M之比、第2遮罩孔寬度Wm2的最小值Wmm2、極大值T2M相對於第2遮罩孔寬度Wm2的最小值Wmm2之比、及極小值T1m相對於第2間距P2之比係顯示於以下的表1之值。又，在各實施例及各比較例中，在與第2方向D2正交的剖面中的極大值T1M、極大值T1M相對於第1間距P1之比、第1遮罩孔寬度Wm1的最小值Wmm1、及極大值T1M相對於第1遮罩孔寬度Wm1的最小值Wmm1之比係顯示於以下的表1之值。
確認到在實施例1至實施例3的蒸鍍用金屬遮罩10中，未產生在第1遮罩部21相連的方向上的彎折。另一方面，在比較例1的蒸鍍用金屬遮罩40、比較例3的蒸鍍用金屬遮罩40及比較例5的蒸鍍用金屬遮罩40中，確認到在第1遮罩部41相連的方向上的彎折係產生於蒸鍍用金屬遮罩40的大致整體中。又，確認到在比較例2的蒸鍍用金屬遮罩50、比較例4的蒸鍍用金屬遮罩50及比較例6的蒸鍍用金屬遮罩50中，在第1遮罩部51相連的方向上的彎折係產生於蒸鍍用金屬遮罩50的一部分。
如上述，在各實施例的蒸鍍用金屬遮罩10中，確認到只要極小值T1m相對於極大值T2M之比為70%以上，且極大值T2M相對於第2遮罩孔寬度Wm2
的最小值Wmm2之比為41%以上，則可抑制在第1遮罩部21相連的方向上的彎折。
相對地，在比較例1的蒸鍍用金屬遮罩40、比較例3的蒸鍍用金屬遮罩40、及比較例5的蒸鍍用金屬遮罩40中，雖然極大值T2M相對於第2遮罩孔寬度Wm2的最小值Wmm2之比為41%以上，但是極小值T1m相對於極大值T2M之比小於70%。因此，認為各蒸鍍用金屬遮罩40中，與其他部分的強度相較下，在第1遮罩部41相連的部分的強度係變小到彎折集中在第1遮罩部41相連的部分的程度，結果，在蒸鍍用金屬遮罩40的整體產生了彎折。
又，在比較例2的蒸鍍用金屬遮罩50、比較例4的蒸鍍用金屬遮罩50、及比較例6的蒸鍍用金屬遮罩50中，極小值T1m相對於極大值T2M之比為70%以上，雖可抑制在與第1方向D1正交的剖面中之厚度的偏差，但是極大值T2M相對於第2遮罩孔寬度Wm2的最小值Wmm2之比小於41%。因此，認為在各蒸鍍用金屬遮罩50中，部與其他部分的強度相較下，第1遮罩部51相連的部分的強度係變小到彎折集中在第1遮罩部51相連的部分的一部分之程度，結果，在蒸鍍用金屬遮罩50的一部分產生了彎折。
如以上說明，根據蒸鍍用金屬遮罩的一實施形態，可獲得以下列舉之功效。
(1)由於能夠抑制蒸鍍用金屬遮罩10內的厚度的偏差，故在蒸鍍用金屬遮罩10中，第1遮罩部21相連的
部分與其以外的部分之強度差會被抑制到能抑制在第1遮罩部21相連的部分產生彎折的程度。因此，能夠抑制在沿著遮罩孔11排列的方向相連的彎折產生於蒸鍍用金屬遮罩10。
(2)由於第2遮罩部22的厚度的極大值T2M相對於第2遮罩孔寬度Wm2的最小值Wmm2之比為41%以上，故與蒸鍍用金屬遮罩10的其他部分相較下，各第1遮罩部21的強度成為彎折不會集中於第1遮罩部21之大小。
(3)即便第1間距P1的大小改變、亦即即便包含於第1間距P1之空間的大小改變，第1遮罩部21的厚度的極大值T1M亦可維持為既定的大小以上。因此，在蒸鍍用金屬遮罩10中，可抑制在第1遮罩部21中產生彎折。
(4)在第1遮罩部21的厚度確保為12.5μm以上的構成中，在蒸鍍用金屬遮罩10中第1遮罩部21相連的部分與該相連的部分以外的部分之強度差會被抑制到能抑制在第1遮罩部21相連的部分中產生彎折的程度。
(5)由於第1遮罩部21的厚度的極大值T1M相對於第1遮罩孔寬度Wm1的最小值Wmm1之比為7%以上，故與蒸鍍用金屬遮罩10的其他部位相較下，各第1遮罩部21的強度成為彎折不會更集中於第1遮罩部21之大小。
(6)在複數個遮罩孔11排列成交錯配列狀的蒸鍍用金屬遮罩10中，可抑制在沿遮罩孔11排列的方向相連的彎折。
此外，上述實施形態亦可以如下方式適當地變更來實施。
如圖15所示，在蒸鍍用金屬遮罩60中，在與第1面60a對向的平面視圖中，複數個遮罩孔61係沿第1方向D1及第2方向D2以一定的間距排列，且構成各列的複數個遮罩孔61在第1方向D1的位置亦可為在所有的列中都是相同的。亦即，複數個遮罩孔61亦可排列成四方格子狀。
即便是此種構成，只要第1遮罩部62的第1寬度W1小於第2遮罩部63的第2寬度W2即可。且，只要在與第1方向D1正交的剖面中，第1遮罩部62的厚度的極小值T1m相對於第2遮罩部63的厚度的極大值T2M之比為70%以上，且第2遮罩部63的厚度的極大值T2M相對於在第1開口11a的第2遮罩孔寬度Wm2的最小值Wmm2之比為41%以上即可。根據此種蒸鍍用金屬遮罩60，可獲得與上述(1)及(2)相同的功效。
在與第2方向D2正交的剖面中，第1遮罩部21的厚度的極大值T1M相對於第1遮罩孔寬度Wm1的最小值Wmm1之比亦可小於7%。即便是此種構成，只要在與第1方向D1正交的剖面中，第1遮罩部21的極小值T1m相對於第2遮罩部22的極大值T2M之比為70%以上，且第2遮罩部22的厚度的極大值T2M相對於
在第1開口11a的第2遮罩孔寬度Wm2的最小值Wmm2之比為41%以上即可。藉此，可獲得與上述(1)及(2)相同的功效。
在與第1方向D1正交的剖面中，在與第2方向D2正交的剖面中之第1遮罩部21的厚度的極大值T2M相對於第1間距P1之比亦可小於6%。即便是此種構成，在與第1方向D1正交的剖面中，只要第1遮罩部21的極小值T1m相對於第2遮罩部22的極大值T2M之比為70%以上，且第2遮罩部22的厚度的極大值T2M相對於在第1開口11a的第2遮罩孔寬度Wm2的最小值Wmm2之比為41%以上即可。藉此，可獲得與上述(1)及(2)相同的功效。
在與第1方向D1正交的剖面中，第1遮罩部21的厚度的極小值T1m亦可小於12.5μm。即便是此種構成，在與第1方向D1正交的剖面中，只要第1遮罩部21的極小值T1m相對於第2遮罩部22的極大值T2M之比為70%以上，且第2遮罩部22的厚度的極大值T2M相對於在第1開口11a之第2遮罩孔寬度Wm2的最小值Wmm2之比為41%以上即可。藉此，可獲得與上述(1)及(2)相同的功效。
形成構成遮罩孔11之第2孔部11d的步驟並不限於使用第2阻劑圖案35，將以屈折部dp3相連的第1弧狀部dp1和第2弧狀部dp2同時形成之步驟，亦可由以下的步驟構成。例如，在形成第2孔部11d的步驟中，首先，令用以形成夾著一個第1弧狀部dp1的兩
個第2弧狀部dp2的阻劑圖案位於金屬遮罩用基材31後，使用此阻劑圖案來蝕刻金屬遮罩用基材31。其次，將使用於蝕刻的阻劑圖案從金屬遮罩用基材31剝離後，令用以形成第1弧狀部dp1的阻劑圖案位於金屬遮罩用基材31，使用此阻劑圖案來蝕刻金屬遮罩用基材31。藉此，可形成第2孔部11d。如此，藉由將阻劑圖案的形成與金屬遮罩用基材31的蝕刻反覆進行兩次，可形成第2孔部11d。
構成遮罩孔11的第2孔部11d亦可藉由將阻劑圖案的形成與金屬遮罩用基材31的蝕刻反覆進行三次以上來形成。例如，可將構成一個第2孔部11d的一個第1弧狀部dp1及兩個第2弧狀部dp2的每一者，使用個別的阻劑圖案來形成。於此情況，藉由將阻劑圖案的形成與金屬遮罩用基材31的蝕刻反覆進行三次，可形成第2孔部11d。
金屬遮罩用基材31的厚度亦可薄於20μm，例如，亦可為10μm以上且小於20μm。在使用此種金屬遮罩用基材31的情況，僅藉由將金屬遮罩用基材31從第2面31b進行蝕刻，可形成具有所期望的形狀的遮罩孔。此外，具有10μm以上且小於20μm的厚度之金屬遮罩用基材31，在製造比可藉由具有20μm以上的厚度的金屬遮罩用基材31形成的蒸鍍用金屬遮罩10更高精細的蒸鍍用金屬遮罩10方面，是較佳的基材。
在使用此種金屬遮罩用基材31時，可從上述之蒸鍍用金屬遮罩10的製造方法，省略在金屬遮罩用
基材31的第1面31a形成第1阻劑層32及從第1阻劑層32形成第1阻劑圖案34。又，此時，亦可省略使用第1阻劑圖案34來蝕刻金屬遮罩用基材31，藉此，亦可省略形成第2保護層36及形成第1保護層37。
如此，在使用具有10μm以上且小於20μm的厚度之金屬遮罩用基材31的情況，藉由進行以下的步驟，可獲得蒸鍍用金屬遮罩10。亦即，藉由在金屬遮罩用基材31的第2面31b形成阻劑層，從阻劑層形成阻劑圖案，以及使用阻劑圖案蝕刻金屬遮罩用基材，可製造蒸鍍用金屬遮罩10。此外，在將金屬遮罩用基材31加工於蒸鍍用金屬遮罩10的中途，亦可將用於支持金屬遮罩用基材31的支持構件黏貼於金屬遮罩用基材31。
在經由此種步驟所製得的蒸鍍用金屬遮罩10中，在與第1方向D1正交的剖面中，第2開口的第2遮罩孔寬度最大，第1開口的第2遮罩孔寬度最小。且，第2遮罩孔寬度係從第2開口朝向第1開口逐漸變小。因此，只要第2遮罩部22的厚度的極大值T2M相對於第1開口的第2遮罩孔寬度之比為41%以上即可。
蒸鍍用金屬遮罩並不限於使用於有機EL顯示器的製造之蒸鍍用金屬遮罩，亦可為使用於其他顯示裝置的製造之蒸鍍用金屬遮罩、各種裝置所具備的配線的形成、使用於各種裝置所具備的功能層等的蒸鍍之蒸鍍用金屬遮罩。
Claims (5)
- 一種蒸鍍用金屬遮罩，係具備沿著第1方向、以及沿著與前述第1方向正交的第2方向排列的複數個遮罩孔之蒸鍍用金屬遮罩，前述蒸鍍用金屬遮罩具備第1面與第2面，前述各遮罩孔具有開設於前述第1面的第1開口、和開設於前述第2面的第2開口，劃分前述各遮罩孔之前述蒸鍍用金屬遮罩的要素，係由在前述第1方向彼此對向的兩個第1遮罩部、與在前述第2方向彼此對向的兩個第2遮罩部所構成，前述第1遮罩部和前述遮罩孔係沿著前述第1方向逐一交替地重複，且前述第2遮罩部和前述遮罩孔係沿著前述第2方向逐一交替地重複，前述第1遮罩部沿前述第1方向具有的寬度，係小於前述第2遮罩部沿前述第2方向具有的寬度，在與前述第1方向正交的剖面中，前述第1遮罩部的厚度的極小值相對於前述第2遮罩部的厚度的極大值之比為70%以上，在前述各遮罩孔中，與前述第1方向正交的剖面中之前述遮罩孔的寬度為遮罩孔寬度，前述第1開口的前述遮罩孔寬度係小於前述第2開口的前述遮罩孔寬度，前述第2遮罩部的厚度的前述極大值相對於前述第1開口至前述第2開口之間的前述遮罩孔寬度的最小值之比為41%以上，複數個前述遮罩孔係沿著前述第1方向以一定間距排列，與前述第2方向正交的剖面中之前述第1遮罩部的厚度的極大值相對於前述間距的比為6%以上。
- 一種蒸鍍用金屬遮罩，係具備沿著第1方向、以及沿著與前述第1方向正交的第2方向排列的複數個遮罩孔之蒸鍍用金屬遮罩，前述蒸鍍用金屬遮罩具備第1面與第2面，前述各遮罩孔具有包含開設於前述第1面的第1開口之第1孔部、和包含開設於前述第2面的第2開口之第2孔部，劃分前述各遮罩孔之前述蒸鍍用金屬遮罩的要素，係由在前述第1方向彼此對向的兩個第1遮罩部、與在前述第2方向彼此對向的兩個第2遮罩部所構成，前述第1遮罩部和前述遮罩孔係沿著前述第1方向逐一交替地重複，且前述第2遮罩部和前述遮罩孔係沿著前述第2方向逐一交替地重複，前述第1遮罩部沿前述第1方向具有的寬度，係小於前述第2遮罩部沿前述第2方向具有的寬度，在前述各遮罩孔中，與前述第1方向正交的剖面中之前述遮罩孔的寬度為遮罩孔寬度，前述第1開口的前述遮罩孔寬度係小於前述第2開口的前述遮罩孔寬度，前述第1孔部與前述第2孔部相連的部分為連續部，前述第1孔部的前述遮罩孔寬度在前述第1開口最大，朝向前述連續部逐漸變小，且前述第2孔部的前述遮罩孔寬度在前述第2開口最大，朝向前述連續部逐漸變小，劃分前述第2孔部的面為第2內周面，在與前述第1方向正交的剖面中，於前述第2內周面中，屬於前述各第2遮罩部的部分係由第1弧狀部、第2弧狀部、及前述第1弧狀部和前述第2弧狀部相連的屈折部所構成，前述第1弧狀部與第2弧狀部具有各弧狀部的曲率中心位於前述蒸鍍用金屬遮罩的外側之曲率，在與前述第1方向正交的剖面中，前述第1遮罩部的厚度的極小值相對於前述第2遮罩部的厚度的極大值之比為70%以上，前述第2遮罩部的厚度的前述極大值相對於前述第1開口至前述第2開口之間的前述遮罩孔寬度的最小值之比為41%以上。
- 如請求項2之蒸鍍用金屬遮罩，其中複數個前述遮罩孔係沿著前述第1方向以一定的間距排列，與前述第2方向正交的剖面中之前述第1遮罩部的厚度的極大值相對於前述間距之比為6%以上。
- 如請求項1至3中任一項之蒸鍍用金屬遮罩，其中在前述遮罩孔中，前述遮罩孔寬度係沿著前述第2方向的遮罩孔寬度、即第2遮罩孔寬度，在與前述第2方向正交的剖面中之前述遮罩孔的寬度係沿著前述第1方向的遮罩孔寬度、即第1遮罩孔寬度，前述第1開口的前述第1遮罩孔寬度小於前述第2開口的前述第1遮罩孔寬度，前述第1遮罩部的厚度的極大值相對於前述第1開口至前述第2開口之間的前述第1遮罩孔寬度的最小值之比為7%以上。
- 如請求項1至3中任一項之蒸鍍用金屬遮罩，其中從與前述蒸鍍用金屬遮罩擴展的方向正交之方向觀看，複數個前述遮罩孔係排列成交錯配列狀。
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