TW201832642A - 蒸鍍遮罩及蒸鍍遮罩的製造方法 - Google Patents

蒸鍍遮罩及蒸鍍遮罩的製造方法 Download PDF

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Abstract

蒸鍍遮罩係具備： 　　第1面及第2面，該等係形成有貫通孔； 　　一對的長側面，該等係被連接至第1面及第2面，劃定蒸鍍遮罩的長度方向之蒸鍍遮罩的輪廓；及 　　一對的短側面，該等係被連接至第1面及第2面，劃定蒸鍍遮罩的寬度方向之蒸鍍遮罩的輪廓。 　　長側面係含有位於第1面側的第1端部，及位於第2面側且位於比第1端部更內側的第2端部，且具有朝內側凹陷的第1部分。貫通孔係含有被形成於第1面側的第1凹部，及被形成於第2面側，在孔連接部中被連接至第1凹部的第2凹部。長側面的第1部分的第1端部係位於比孔連接部更第1面側。

Description

蒸鍍遮罩及蒸鍍遮罩的製造方法
[0001] 本案的實施形態是有關蒸鍍遮罩及蒸鍍遮罩的製造方法。
[0002] 近年來，被使用在智慧型手機或平板PC等可攜式的裝置之顯示裝置，被要求高精細，例如像素密度為400ppi以上。並且，在可攜式的裝置中，對應於超高清(Ultra Full-HD)的需要也變高，此情況，顯示裝置的像素密度被要求例如800ppi以上。 　　[0003] 顯示裝置之中，為了響應性佳、消費電力低或對比高，有機EL顯示裝置亦受注目。作為形成有機EL顯示裝置的像素的方法，有使用形成有以所望的圖案來配列的貫通孔之蒸鍍遮罩，以所望的圖案來形成像素的方法為人所知。具體而言，使蒸鍍遮罩對於有機EL顯示裝置用的基板緊貼，其次將使緊貼的蒸鍍遮罩及基板一起投入至蒸鍍裝置，進行使有機材料蒸鍍於基板的蒸鍍工程。藉此，可以對應於蒸鍍遮罩的貫通孔的圖案之圖案，在基板上形成含有機材料的像素。 　　[0004] 在蒸鍍工程中，蒸鍍遮罩是例如專利文獻1所揭示般，被固定於具有預定的剛性之框架。例如，蒸鍍遮罩為具有包含一對的長邊及一對的短邊的矩形狀的形狀時，蒸鍍遮罩是在被拉伸於長邊的方向的狀態下固定於框架。藉此，抑制蒸鍍遮罩彎曲，可提高像素的尺寸精度或位置精度。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[0005] 　　[專利文獻1]日本特許第5382259號公報
(發明所欲解決的課題) 　　[0006] 作為決定被形成於基板的像素的位置精度的要因，可舉蒸鍍遮罩對於基板或框架的對位的精度。作為對位時的蒸鍍遮罩的基準位置，例如可使用蒸鍍遮罩的外形的輪廓。蒸鍍遮罩的輪廓的位置是例如藉由使用攝影機等來攝取蒸鍍遮罩而檢測出。 　　[0007] 在根據使用攝影機等攝影的畫像來檢測出蒸鍍遮罩的輪廓的位置之工程中，最好蒸鍍遮罩的領域與其他的領域的境界被明確地表示於畫像。然而，若在劃定蒸鍍遮罩的輪廓的部分中產生光的散射，則在畫像中蒸鍍遮罩的領域與其他的領域的境界會模糊。 　　[0008] 本案的實施形態是以提供一種可有效地解決如此的課題的蒸鍍遮罩及蒸鍍遮罩的製造方法為目的。 　　 (用以解決課題的手段) 　　[0009] 本案的第1的實施形態，係形成有複數的貫通孔的蒸鍍遮罩，其係具備： 　　第1面及第2面，該等係形成有前述貫通孔； 　　一對的長側面，該等係被連接至前述第1面及前述第2面，劃定前述蒸鍍遮罩的長度方向之前述蒸鍍遮罩的輪廓；及 　　一對的短側面，該等係被連接至前述第1面及前述第2面，劃定前述蒸鍍遮罩的寬度方向之前述蒸鍍遮罩的輪廓， 　　前述長側面，係具有含有位於前述第1面側的第1端部，及位於前述第2面側且位於比前述第1端部更內側的第2端部，且朝內側凹陷的第1部分， 　　前述貫通孔，係含有被形成於前述第1面側的第1凹部，及被形成於前述第2面側，在孔連接部被連接至前述第1凹部的第2凹部， 　　前述長側面的前述第1部分的前述第1端部，係位於比前述孔連接部更靠前述第1面側。 　　前述第1端部為連接前述第1面與前述長側面的第1連接部，亦可與位於和前述第1面同一平面上的第1連接部一致。 　　或者，前述第1端部為連接前述第1面與前述長側面的第1連接部，亦可位於比位於和前述第1面同一平面上的第1連接部更外側。 　　[0010] 本案的第2實施形態，係形成有複數的貫通孔的蒸鍍遮罩，其係具備： 　　第1面及第2面，該等係形成有前述貫通孔； 　　一對的長側面，該等係被連接至前述第1面及前述第2面，劃定前述蒸鍍遮罩的長度方向之前述蒸鍍遮罩的輪廓；及 　　一對的短側面，該等係被連接至前述第1面及前述第2面，劃定前述蒸鍍遮罩的寬度方向之前述蒸鍍遮罩的輪廓， 　　前述長側面，係具有含有位於前述第1面側的第1端部，及位於前述第2面側且位於比前述第1端部更內側的第2端部，且朝內側凹陷的第1部分， 　　前述第1端部為連接前述第1面與前述長側面的第1連接部，與位於和前述第1面同一平面上的第1連接部一致。 　　[0011] 在根據本案的實施形態之蒸鍍遮罩中，連接前述第1面與前述長側面的第1連接部，即位於和前述第1面同一平面上的第1連接部與前述長側面的前述第1部分的前述第1端部之間的前述第1面的面方向的距離亦可為3.5μm以下。 　　[0012] 在根據本案的第1及第2實施形態之蒸鍍遮罩中，前述第1部分，係位於比通過前述第1端部及前述第2端部的假想性的平面或直線更內側。 　　[0013] 在根據本案的第1及第2實施形態之蒸鍍遮罩中，前述蒸鍍遮罩的厚度亦可為50μm以下。 　　[0014] 在根據本案的第1及第2實施形態之蒸鍍遮罩中，前述第2端部為連接前述第2面與前述長側面的第2連接部，亦可與位於和前述第2面同一平面上的第2連接部一致。 　　[0015] 本案的第3實施形態，係形成有複數的貫通孔之蒸鍍遮罩的製造方法，其係具備： 　　準備含有第1面及位於前述第1面的相反側的第2面的金屬板之工程；及 　　加工前述金屬板而取得具有前述第1面及前述第2面、一對的長側面以及一對的短側面的前述蒸鍍遮罩之加工工程， 　　該等第1面及第2面，係形成有前述貫通孔， 　　該等一對的長側面，係被連接至前述第1面及前述第2面，劃定前述蒸鍍遮罩的長度方向的前述蒸鍍遮罩的輪廓， 　　該等一對的短側面，係被連接至前述第1面及前述第2面，劃定前述蒸鍍遮罩的寬度方向的前述蒸鍍遮罩的輪廓， 　　又，前述長側面，係具有含有位於前述第1面側的第1端部，及位於前述第2面側且位於比前述第1端部更內側的第2端部，且朝內側凹陷的第1部分， 　　前述貫通孔，係含有被形成於前述第1面側的第1凹部，及被形成於前述第2面側，在孔連接部被連接至前述第1凹部的第2凹部， 　　前述長側面的前述第1部分的前述第1端部，係位於比前述孔連接部更靠前述第1面側。 　　前述加工工程，係具有第2面蝕刻工程，其係從前述第2面側蝕刻前述金屬板而形成前述長側面的前述第1部分， 　　前述第2面蝕刻工程，係亦可被實施成為：前述第1部分的前述第1端部為連接前述第1面與前述長側面的第1連接部，與位於和前述第1面同一平面上的第1連接部一致。 　　或者，前述加工工程，係具有第2面蝕刻工程，其係從前述第2面側蝕刻前述金屬板而形成前述長側面的前述第1部分， 　　前述加工工程，係亦可更具有第1面蝕刻工程，其係從前述第1面側蝕刻前述金屬板，而形成位於前述長側面之中前述第1部分的前述第1端部與前述金屬板的前述第1面之間的面。 　　[0016] 本案的第4實施形態，係形成有複數的貫通孔之蒸鍍遮罩的製造方法，其係具備： 　　準備含有第1面及位於前述第1面的相反側的第2面的金屬板之工程；及 　　加工前述金屬板而取得具有前述第1面及前述第2面、一對的長側面以及一對的短側面的前述蒸鍍遮罩之加工工程， 　　該等第1面及第2面，係形成有前述貫通孔， 　　該等一對的長側面，係被連接至前述第1面及前述第2面，劃定前述蒸鍍遮罩的長度方向的前述蒸鍍遮罩的輪廓， 　　該等一對的短側面，係被連接至前述第1面及前述第2面，劃定前述蒸鍍遮罩的寬度方向的前述蒸鍍遮罩的輪廓， 　　又，前述長側面，係具有含有位於前述第1面側的第1端部，及位於前述第2面側且位於比前述第1端部更內側的第2端部，且朝內側凹陷的第1部分， 　　前述加工工程，係具有第2面蝕刻工程，其係從前述第2面側蝕刻前述金屬板而形成前述長側面的前述第1部分， 　　前述第2面蝕刻工程，係被實施成為：前述第1部分的前述第1端部為連接前述第1面與前述長側面的第1連接部，與位於和前述第1面同一平面上的第1連接部一致。 　　[0017] 在本案的第3及第4實施形態的蒸鍍遮罩的製造方法中，連接前述第1面與前述長側面的第1連接部，即位於和前述第1面同一平面上的第1連接部與前述長側面的前述第1部分的前述第1端部之間的前述第1面的面方向的距離亦可為3.5μm以下。 　　 [發明的效果] 　　[0018] 若根據本案的實施形態，則可精度佳檢測出蒸鍍遮罩的輪廓。
[0020] 以下，參照圖面來說明有關本案的一實施形態。另外，在本件說明書所附的圖面中，基於圖示及理解的容易度，適當將比例尺及縱橫的尺寸比等由實物的該等誇張變更。 　　[0021] 圖1~圖25是用以說明本案的一實施形態的圖。以下的實施形態及其變形例是舉在製造有機EL顯示裝置時為了使有機材料以所望的圖案來圖案化於基板上而使用的蒸鍍遮罩的製造方法為例進行說明。但，並非限於如此的適用，可對於被使用在各種的用途的蒸鍍遮罩適用本案的實施形態。 　　[0022] 另外，在本說明書中，「板」、「薄板」、「薄膜」的用語，不是只根據名稱的不同來互相區別。例如，「板」是被稱為薄板或薄膜之類的構件也包含的概念。 　　[0023] 又，所謂「板面(薄板面、薄膜面)」是指全體地且大局地看成為對象的板狀(薄板狀、薄膜狀)的構件時，與成為對象的板狀構件(薄板狀構件、薄膜狀構件)的平面方向一致的面。又，對於板狀(薄板狀、薄膜狀)的構件使用的所謂法線方向是指對於該構件的板面(薄板面、薄膜面)的法線方向。 　　[0024] 而且，在本說明書中使用之形狀或幾何學的條件及物理的特性以及特定該等的程度，例如「平行」、「正交」、「同一」、「同等」等的用語或長度或角度以及物理的特性的值等，不是拘束於嚴謹的意思，包含可期待同樣的機能的程度的範圍來解釋。 　　[0025] (蒸鍍裝置) 　　首先，參照圖1來說明有關實施使蒸鍍材料蒸鍍於對象物的蒸鍍處理的蒸鍍裝置90。如圖1所示般，蒸鍍裝置90是在其內部具備蒸鍍源(例如坩堝94)、加熱器96及蒸鍍遮罩裝置10。並且，蒸鍍裝置90是更具備用以將蒸鍍裝置90的內部形成真空環境的排氣手段。坩堝94是收容有機發光材料等的蒸鍍材料98。加熱器96是加熱坩堝94，在真空環境之下使蒸鍍材料98蒸發。蒸鍍遮罩裝置10是被配置成為與坩堝94對向。 　　[0026] (蒸鍍遮罩裝置) 　　以下，說明有關蒸鍍遮罩裝置10。如圖1所示般，蒸鍍遮罩裝置10是具備蒸鍍遮罩20，及支撐蒸鍍遮罩20的框架15。框架15是以蒸鍍遮罩20不會有彎曲的情形之方式，在將蒸鍍遮罩20拉伸於其面方向的狀態下支撐。蒸鍍遮罩裝置10是如圖1所示般，以蒸鍍遮罩20會與使蒸鍍材料98附著的對象物之基板例如有機EL基板92對面之方式，被配置於蒸鍍裝置90內。在以下的說明中，蒸鍍遮罩20的面之中，將有機EL基板92側的面稱為第1面20a，將位於第1面20a的相反側的面稱為第2面20b進行說明，但並非限於此。 　　[0027] 蒸鍍遮罩裝置10是如圖1所示般，亦可具備被配置於有機EL基板92之與蒸鍍遮罩20相反的側的面的磁石93。藉由設置磁石93，可藉由磁力來將蒸鍍遮罩20吸引至磁石93側，使蒸鍍遮罩20緊貼於有機EL基板92。藉此，在蒸鍍工程中可抑制陰影(Shadow)發生，可提高附著於EL基板92的蒸鍍材料98的尺寸精度或位置精度。 　　[0028] 圖3是從蒸鍍遮罩20的第1面20a側看蒸鍍遮罩裝置10時的平面圖。如圖3所示般，蒸鍍遮罩裝置10是具備複數的蒸鍍遮罩20。在本實施形態中，各蒸鍍遮罩20是具有延伸於長度方向D1的矩形狀的形狀。在蒸鍍遮罩裝置10中，複數的蒸鍍遮罩20是排列於與蒸鍍遮罩20的長度方向D1交差的寬度方向D2。各蒸鍍遮罩20是在蒸鍍遮罩20的長度方向D1的兩端部，例如藉由焊接來固定於框架15。 　　[0029] 圖4是表示蒸鍍遮罩20的立體圖。蒸鍍遮罩20是具備：金屬製的板狀的基材21，及貫通基材21的複數的貫通孔25。從坩堝94蒸發而到達蒸鍍遮罩裝置10的蒸鍍材料98是通過蒸鍍遮罩20的貫通孔25來附著於有機EL基板92。藉此，可以對應於蒸鍍遮罩20的貫通孔25的位置之所望的圖案來將蒸鍍材料98成膜於有機EL基板92的表面。 　　[0030] 圖2是表示利用圖1的蒸鍍裝置90來製造的有機EL顯示裝置100的剖面圖。有機EL顯示裝置100是具備：有機EL基板92，及含有被設成圖案狀的蒸鍍材料98的像素。 　　[0031] 另外，所欲進行複數的色之彩色顯示時，分別準備搭載有對應於各色的蒸鍍遮罩20之蒸鍍裝置90，將有機EL基板92依序投入至各蒸鍍裝置90。藉此，例如，可使紅色用的有機發光材料、綠色用的有機發光材料及藍色用的有機發光材料依序蒸鍍於有機EL基板92。 　　[0032] 可是，蒸鍍處理是有在成為高溫環境的蒸鍍裝置90的內部被實施的情況。此情況，蒸鍍處理的期間，被保持於蒸鍍裝置90的內部之蒸鍍遮罩20、框架15及有機EL基板92也被加熱。此時，蒸鍍遮罩20、框架15及有機EL基板92是顯示根據各個的熱膨脹係數之尺寸變化的舉動。此情況，若蒸鍍遮罩20或框架15與有機EL基板92的熱膨脹係數大不同，則起因於該等的尺寸變化的差異之位移會發生，此結果，附著於有機EL基板92上的蒸鍍材料的尺寸精度或位置精度會降低。 　　[0033] 為了解決如此的課題，最好蒸鍍遮罩20及框架15的熱膨脹係數與有機EL基板92的熱膨脹係數為同等的值。例如，使用玻璃基板作為有機EL基板92時，可使用含鎳的鐵合金，作為蒸鍍遮罩20及框架15的主要的材料。例如，可使用含30質量%以上且54質量%以下的鎳之鐵合金，作為構成蒸鍍遮罩20的基材的材料。作為含鎳的鐵合金的具體例，可舉含34質量%以上且38質量%以下的鎳之殷鋼材(inver)材，除30質量%以上且34質量%以下的鎳之外更含鈷的超級殷鋼材，含38質量%以上且54質量%以下的鎳之低熱膨脹Fe-Ni系電鍍合金等。 　　[0034] 另外，在蒸鍍處理時，蒸鍍遮罩20、框架15及有機EL基板92的溫度不會達高溫的情況，不必特別將蒸鍍遮罩20及框架15的熱膨脹係數形成與有機EL基板92的熱膨脹係數同等的值。此情況，亦可使用上述的鐵合金以外的材料，作為構成蒸鍍遮罩20的材料。例如，亦可使用含鉻的鐵合金等，上述含鎳的鐵合金以外的鐵合金。作為含鉻的鐵合金是例如可使用被稱為所謂的不鏽鋼的鐵合金。又，亦可使用鎳或鎳-鈷合金等，鐵合金以外的合金。 　　[0035] (蒸鍍遮罩) 　　其次，詳細說明有關蒸鍍遮罩20。首先，說明有關蒸鍍遮罩20的外形。如圖3及圖4所示般，蒸鍍遮罩20是具備：形成有貫通孔25的上述的第1面20a及第2面20b，及被連接至第1面20a及第2面20b的一對的長側面26及一對的短側面27。一對的長側面26是延伸於蒸鍍遮罩20的長度方向D1。一對的長側面26會劃定沿著第1面20a的法線方向來看蒸鍍遮罩20時的長度方向D1的蒸鍍遮罩20的輪廓。一對的短側面27是延伸於蒸鍍遮罩20的寬度方向D2。一對的短側面27會劃定沿著第1面20a的法線方向來看蒸鍍遮罩20時的寬度方向D2的蒸鍍遮罩20的輪廓。在圖3及圖4所示的例子中，寬度方向D2是與長度方向D1正交。在以下的說明中，將連接第1面20a與長側面26的部分稱為第1連接部20e，將連接第2面20b與長側面26的部分稱為第2連接部20f。第1連接部20e是位於與第1面20a同一平面上。第2連接部20f是位於與第2面20b同一平面上。 　　[0036] 其次，說明有關與貫通孔25關聯的蒸鍍遮罩20的構成。 　　如圖3及圖4所示般，蒸鍍遮罩20包含： 　　至少1個的有效領域22，其係形成有從第1面20a到第2面20b的貫通孔25；及 　　周圍領域23，其係包圍有效領域22。 　　有效領域22是蒸鍍遮罩20之中與有機EL基板92的顯示領域對面的領域。 　　[0037] 在圖3及圖4所示的例子中，蒸鍍遮罩20是包含沿著蒸鍍遮罩20的長度方向D1來取預定的間隔而配列的複數的有效領域22。一個的有效領域22是對應於一個的有機EL顯示裝置100的顯示領域。因此，有機EL顯示裝置100的附多面蒸鍍為可能。亦即，可使用一片的蒸鍍遮罩20，在一片的有機EL基板92上形成對應於複數的有機EL顯示裝置100的蒸鍍材料98的圖案。 　　[0038] 如圖3及圖4所示般，有效領域22是例如平面視大略四角形形狀，更正確是具有平面視大略矩形狀的輪廓。另外，雖未圖示，但實際各有效領域22是可按照有機EL基板92的顯示領域的形狀來具有各種的形狀的輪廓。例如各有效領域22是亦可具有圓形狀的輪廓。 　　[0039] [有效領域] 　　以下，詳細說明有關有效領域22的剖面形狀。圖5是擴大表示從蒸鍍遮罩20的第2面20b側看時的有效領域22的平面圖。如圖5所示般，在被圖示的例子中，被形成於各有效領域22的複數的貫通孔25是在該有效領域22中，沿著彼此正交的二方向來分別以預定的間距配列。主要參照圖6~圖8來更詳述有關貫通孔25的一例。圖6~圖8是分別沿著圖5的有效領域22的VI-VI方向~VIII-VIII方向的剖面圖。 　　[0040] 如圖6~圖8所示般，複數的貫通孔25是從成為沿著蒸鍍遮罩20的法線方向N的一方的側之第1面20a貫通至成為沿著蒸鍍遮罩20的法線方向N的另一方的側之第2面20b。在被圖示的例子中，如之後詳述般，第1凹部30會藉由蝕刻來形成於蒸鍍遮罩20的第1面20a，第2凹部35會被形成於蒸鍍遮罩20的第2面20b。第1凹部30是被連接至第2凹部35，藉此第2凹部35與第1凹部30會被形成為彼此互通。貫通孔25是藉由第2凹部35及被連接至第2凹部35的第1凹部30來構成。 　　[0041] 如圖6~圖8所示般，從蒸鍍遮罩20的第2面20b的側朝向第1面20a的側，在沿著蒸鍍遮罩20的法線方向N的各位置的蒸鍍遮罩20的板面的剖面的各第2凹部35的開口面積是逐漸地變小。同樣，在沿著蒸鍍遮罩20的法線方向N的各位置的蒸鍍遮罩20的板面的剖面的各第1凹部30的開口面積是從蒸鍍遮罩20的第1面20a的側朝向第2面20b的側來逐漸地變小。 　　[0042] 如圖6~圖8所示般，第1凹部30的壁面31與第2凹部35的壁面36是經由周狀的孔連接部41來連接。孔連接部41是藉由對於蒸鍍遮罩20的法線方向N傾斜的第1凹部30的壁面31與對於蒸鍍遮罩20的法線方向N傾斜的第2凹部35的壁面36所合流的突出部的稜線來劃成。然後，孔連接部41是劃成蒸鍍遮罩20的平面視貫通孔25的開口面積形成最小的貫通部42。 　　[0043] 如圖6~圖8所示般，在蒸鍍遮罩20第1面20a上，相鄰的二個的貫通孔25是沿著蒸鍍遮罩20的板面來彼此離間。亦即，如後述的製造方法般，從蒸鍍遮罩20的第1面20a側來蝕刻基材21而製作第1凹部30時，第1面20a會殘存於相鄰的二個的第1凹部30之間。 　　[0044] 同樣，如圖6及圖8所示般，在蒸鍍遮罩20的第2面20b側，也是相鄰的二個的第2凹部35亦可沿著蒸鍍遮罩20的板面來彼此離間。亦即，蒸鍍遮罩20的第2面20b亦可殘存於相鄰的二個的第2凹部35之間。在以下的說明中，亦將蒸鍍遮罩20的第2面20b的有效領域22之中未被蝕刻殘留的部分稱為頂部43。藉由如此的頂部43殘留的方式製作蒸鍍遮罩20，可使蒸鍍遮罩20具有充分的強度。藉此，可抑制例如在搬送中等蒸鍍遮罩20破損。另外，若頂部43的寬度β過大，則在蒸鍍工程中產生陰影，因此蒸鍍材料98的利用效率會降低。所以，最好以頂部43的寬度β不會過大的方式製作蒸鍍遮罩20。例如，最好頂部43的寬度β為2μm以下。另外，頂部43的寬度β是一般按照切斷蒸鍍遮罩20的方向來變化。例如，圖6及圖8所示的頂部43的寬度β是有彼此相異的情形。此情況，不管在哪個的方向切斷蒸鍍遮罩20時，亦可以頂部43的寬度β變成2μm以下的方式，構成蒸鍍遮罩20。另外，所謂陰影是從蒸鍍源到達蒸鍍遮罩20的蒸鍍材料98的一部分會衝突於蒸鍍遮罩20的第1凹部30的壁面31或第2凹部35的壁面36，因此無法到達有機EL基板92等的基板，因而為基板上的蒸鍍材料98的層的面積或厚度不足的現象。 　　[0045] 另外，如圖7所示般，依場所，亦可以相鄰的二個的第2凹部35會被連接的方式實施蝕刻。亦即，亦可存在第2面20b未殘存於相鄰的二個的第2凹部35之間的場所。又，雖未圖示，但實際亦可在第2面20b的全域以相鄰的二個的第2凹部35會被連接的方式實施蝕刻。 　　[0046] 如圖1所示般，蒸鍍遮罩裝置10被收容於蒸鍍裝置90時，蒸鍍遮罩20的第1面20a會與有機EL基板92對面，蒸鍍遮罩20的第2面20b會位於保持蒸鍍材料98的坩堝94側。因此，蒸鍍材料98是通過開口面積逐漸變小的第2凹部35來附著於有機EL基板92。在圖6中如以從第2面20b側朝向第1面20a的箭號所示般，蒸鍍材料98不只是從坩堝94朝向有機EL基板92來沿著有機EL基板92的法線方向N而移動，也有移動於對於有機EL基板92的法線方向N大幅度傾斜的方向的情形。此時，若蒸鍍遮罩20的厚度大，則大多傾斜移動的蒸鍍材料98是在比通過貫通孔25來到達有機EL基板92更之前，到達第2凹部35的壁面36而附著。因此，為了提高蒸鍍材料98的利用效率，最好縮小蒸鍍遮罩20的厚度t，藉此縮小第2凹部35的壁面36或第1凹部30的壁面31的高度。亦即，作為用以構成蒸鍍遮罩20的基材21，可謂在可確保蒸鍍遮罩20的強度的範圍內儘可能縮小厚度t為理想。考慮此點，在本實施形態中，最好蒸鍍遮罩20的厚度t是在50μm以下，例如設定於5μm以上且50μm以下。蒸鍍遮罩20的厚度t是可為30μm以下，或25μm以下，或20μm以下，或18μm以下，或15μm以下，或13μm以下。藉由縮小蒸鍍遮罩20的厚度t，在蒸鍍工程中可抑制蒸鍍材料98衝突於第1凹部30的壁面31或第2凹部35的壁面36，因此可抑制產生陰影。又，金屬板64的厚度可為2μm以上，或5μm以上，或10μm以上，或15μm以上。另外，厚度t是周圍領域23的厚度，亦即蒸鍍遮罩20之中未形成有第1凹部30及第2凹部35的部分的厚度。因此，厚度t是亦可為基材21的厚度。又，厚度t是亦可謂構成蒸鍍遮罩20的基材21的金屬板64的厚度。 　　[0047] 在圖6中，通過成為具有貫通孔25的最小開口面積的部分的孔連接部41及第2凹部35的壁面36的其他的任意的位置之直線L1對於蒸鍍遮罩20的法線方向N所成的最小角度是以符號θ1來表示。為了使傾斜移動的蒸鍍材料98不到達壁面36，儘可能使到達有機EL基板92，而擴大角度θ1為有利。在擴大角度θ1方面，除了縮小蒸鍍遮罩20的厚度t之外，縮小上述的頂部43的寬度β也有效。 　　[0048] 在圖8中，符號α是表示蒸鍍遮罩20的第1面20a的有效領域22之中未被蝕刻殘留的部分(以下亦稱為肋部)的寬度。肋部的寬度α及貫通部42的尺寸r2 是按照有機EL顯示裝置的尺寸及顯示像素數來適當決定。例如，肋部的寬度α是5μm以上且40μm以下，貫通部42的尺寸r2 是10μm以上且60μm以下。 　　[0049] 雖未被限定，但本實施形態的蒸鍍遮罩20是在製作450ppi以上的像素密度的有機EL顯示裝置時特別有效。以下，參照圖9來說明有關為了製作如此高的像素密度的有機EL顯示裝置而被要求的蒸鍍遮罩20的尺寸的一例。圖9是擴大表示圖6所示的蒸鍍遮罩20的貫通孔25及其附近的領域的剖面圖。 　　[0050] 在圖9中，作為與貫通孔25的形狀關聯的參數，從蒸鍍遮罩20的第1面20a到孔連接部41之沿著蒸鍍遮罩20的法線方向N的方向的距離，亦即第1凹部30的壁面31的高度是以符號r1 來表示。而且，第1凹部30連接至第2凹部35的部分的第1凹部30的尺寸，亦即貫通部42的尺寸是以符號r2 來表示。並且，在圖9中，連結孔連接部41與蒸鍍遮罩20的第1面20a上的第1凹部30的前端緣之直線L2對於基材21的法線方向N所成的角度是以符號θ2來表示。 　　[0051] 製作450ppi以上的像素密度的有機EL顯示裝置時，貫通部42的尺寸r2 是最好被設定於10μm以上且60μm以下。藉此，可提供能夠製作高的像素密度的有機EL顯示裝置之蒸鍍遮罩20。最好第1凹部30的壁面31的高度r1 是被設定於6μm以下。 　　[0052] 其次，說明有關圖9所示的上述的角度θ2。角度θ2是對於基材21的法線方向N傾斜且相當於以能在孔連接部41附近通過貫通部42的方式飛來的蒸鍍材料98之中可到達有機EL基板92的蒸鍍材料98的傾斜角度的最大值。原因是通過孔連接部41來以比角度θ2更大的傾斜角度飛來的蒸鍍材料98會在比到達有機EL基板92更之前附著於第1凹部30的壁面31。因此，藉由縮小角度θ2，可抑制以大的傾斜角度飛來而通過貫通部42的蒸鍍材料98附著於有機EL基板92，藉此，可抑制蒸鍍材料98附著於比有機EL基板92之中重疊於貫通部42的部分更外側的部分。亦即，縮小角度θ2是引導抑制附著於有機EL基板92的蒸鍍材料98的面積或厚度的偏差。基於如此的觀點，例如貫通孔25是被形成為角度θ2為45度以下。另外，在圖9中是表示第1面20a的第1凹部30的尺寸，亦即第1面20a的貫通孔25的開口尺寸會比孔連接部41的第1凹部30的尺寸r2 更大的例子。亦即，表示角度θ2的值為正的值的例子。然而，雖未圖示，但實際孔連接部41的第1凹部30的尺寸r2 亦可為比第1面20a的第1凹部30的尺寸更大。亦即，角度θ2的值是亦可為負的值。 　　[0053] [周圍領域] 　　其次，詳細說明有關周圍領域23的剖面形狀。圖10是沿著圖4的X-X線來切斷蒸鍍遮罩20時的剖面圖。如圖10所示般，構成周圍領域23的端部的長側面26是具有朝內側凹陷的面之第1部分261。在本實施形態中，第1部分261是彎曲成為朝內側凹陷的彎曲面。第1部分261是包含：沿著第1面20a的面方向，從外側看長側面26時，決定第1部分261的第1面20a側的輪廓之第1端部261a及決定第1部分261的第2面20b側的輪廓之第2端部261b。有關長側面26，使用「內側」的用語時，所謂「內側」是如在圖10及後述的圖22B中以箭號A1所表示般，意思蒸鍍遮罩20的寬度方向D2的中心側。所謂「中心側」是如圖4及圖10所示般，意思通過寬度方向D2的蒸鍍遮罩20的中間點的中心線C的側。又，所謂「外側」是如在圖10及後述的圖22B中以箭號A2所表般，意思在蒸鍍遮罩20的寬度方向D2遠離蒸鍍遮罩20的中心線C的側。又，所謂「朝內側凹陷」是意思第1部分261要比連結第1部分261的第1面20a側的第1端部261a與第2面20b側的第2端部261b的假想性的直線或平面更位於內側。另外，雖未圖示，但實際第1部分261是亦可包圍平坦面。亦即，第1部分261是亦可不只以彎曲面構成。又，第1部分261是亦可局部性地含有曲折等的凹凸面。 　　[0054] 如圖10所示般，第1部分261的第1端部261a是位於比第2端部261b更外側。如此的第1部分261是如後述般，藉由從第2面20b側蝕刻構成基材21的金屬板來形成。第1端部261a與第2端部261b之間的寬度方向D2的距離γ是例如5μm以上且50μm以下。 　　[0055] 在圖10所示的例子中，第1部分261的第2端部261b是與連接第2面20b與長側面26的第2連接部20f一致。換言之，第1部分261會擴展至第2面20b。並且，在圖10所示的例子中，第1部分261的第1端部261a是與連接第1面20a和長側面26的第1連接部20e一致。換言之，第1部分261會擴展至第1面20a。 　　[0056] 其次，說明有關平面視的長側面26的形狀。圖11是表示沿著第1面20a的法線方向來從第1面20a側看長側面26時的平面圖。又，圖12是表示沿著第2面20b的法線方向來從第2面20b側看長側面26時的平面圖。 　　[0057] 如圖11所示般，從第1面20a側看長側面26時，第1部分261是不被視認。此情況，長度方向D1的蒸鍍遮罩20的輪廓是藉由連接第1面20a與長側面26的第1連接部20e來劃定。此情況，第1連接部20e的附近的領域是藉由平坦的第1面20a來構成。因此，可容易檢測出長度方向D1的蒸鍍遮罩20的輪廓的位置。 　　[0058] 另一方面，由圖12所示般可明確，從第2面20b側看長側面26時，第1部分261會被視認。在第1部分261中，光會被散射至各種的方向。因此，在圖12所示的例子中，第1部分261是被視認為看起來比第2面20b黑的部分，或出現於畫像。並且，第1部分261是具有相當於圖10的距離γ的寬度。因此，在從第2面20b側看時的蒸鍍遮罩20的輪廓的位置是存在有相當於第1部分261的寬度的不明確度。因此，從第2面20b側看時的長度方向D1的蒸鍍遮罩20的輪廓的位置的檢測是比從第1面20a側看時困難。因此，在進行蒸鍍遮罩20對於有機EL基板92或框架15的對位之工程中，藉由根據從第1面20a側攝取蒸鍍遮罩20的結果來調整蒸鍍遮罩20的位置，調整會變容易，對位的精度會提升。 　　[0059] 蒸鍍遮罩的製造方法 　　其次，說明有關製造蒸鍍遮罩20的方法。 　　[0060] (金屬板的準備) 　　首先，準備用以製造蒸鍍遮罩的金屬板64。金屬板64是例如在藉由捲繞長尺狀的金屬板所取得的滾輪的形態下被準備。例如使用由含鎳的鐵合金所構成的金屬板，作為金屬板64。金屬板64的厚度是例如5μm以上且50μm以下。作為製作具有所望的厚度的金屬板64的方法，可採用滾軋法、電鍍成膜法等。 　　[0061] 其次，主要參照圖13~圖24來說明有關使用金屬板64來製造蒸鍍遮罩20的方法。在以下說明的蒸鍍遮罩20的製造方法中，如圖13所示般，加工金屬板64，在金屬板64形成含有貫通孔25的複數的蒸鍍遮罩部分(加工工程)，然後從金屬板64分離蒸鍍遮罩部分(分離工程)，藉此可取得單片狀的蒸鍍遮罩20。 　　[0062] (加工工程) 　　加工金屬板64的工程是包含：對長尺的金屬板64實施使用光微影(photolithography)技術的蝕刻，而在金屬板64從第1面64a的側形成第1凹部30的工程，及對金屬板64實施使用光微影技術的蝕刻，在金屬板64從第2面64b的側形成第2凹部35的工程。然後，藉由被形成於金屬板64的第1凹部30與第2凹部35彼此互通，在金屬板64製作貫通孔25。在以下說明的例子中，將第1凹部30的形成工程實施於第2凹部35的形成工程之前，且在第1凹部30的形成工程與第2凹部35的形成工程之間實施密封所被製作的第1凹部30的工程。以下，說明各工程的詳細。 　　[0063] 在圖13是表示用以製作蒸鍍遮罩20的製造裝置60。如圖13所示般，首先，準備將金屬板64捲繞於核心(core)61的捲體62。然後，使此核心61旋轉來將捲體62捲出，藉此如圖13所示般供給延伸成帶狀的金屬板64。 　　[0064] 被供給的金屬板64是藉由搬送滾輪72來搬送至加工裝置(蝕刻手段)70。藉由加工裝置70來實施圖14~圖21所示的各處理。另外，在本實施形態中，在金屬板64的寬度方向分配複數的蒸鍍遮罩20。換言之，以從金屬板64分離而成為蒸鍍遮罩20的後述的蒸鍍遮罩部分會複數排列於金屬板64的寬度方向之方式加工金屬板64。此情況，最好是以蒸鍍遮罩部分亦即蒸鍍遮罩20的長側面26的方向能夠與長尺狀的金屬板64的長度方向一致的方式，將複數的蒸鍍遮罩20分配於金屬板64。 　　[0065] 首先，如圖14所示般，在金屬板64的第1面64a上及第2面64b上形成含有負型的感光性抗蝕材料的抗蝕膜(resist film)65c、65d。例如，在金屬板64的第1面64a上及第2面64b上塗佈含有負型的感光性抗蝕材料的塗佈液，然後使塗佈液乾燥，藉此形成抗蝕膜65c、65d。 　　[0066] 其次，準備：使光不會透過至抗蝕膜65c、65d之中的所欲除去的領域之曝光遮罩68a、68b，將曝光遮罩68a、68b分別如圖15所示般配置於抗蝕膜65c、65d上。曝光遮罩68a、68b是例如使用不使光透過至抗蝕膜65c、65d之中的所欲除去的領域之玻璃乾板。然後，藉由真空緊貼來使曝光遮罩68a、68b充分地緊貼於抗蝕膜65c、65d。 　　另外，感光性抗蝕材料亦可使用正型者。此情況，曝光遮罩是使用使光透過至抗蝕膜之中的所欲除去的領域之曝光遮罩。 　　[0067] 然後，將抗蝕膜65c、65d隔著曝光遮罩68a、68b曝光(曝光工程)。而且，為了在被曝光的抗蝕膜65c、65d形成像，而將抗蝕膜65c、65d顯像(顯像工程)。以上，如圖16所示般，可在金屬板64的第1面64a上形成第1抗蝕圖案65a，在金屬板64的第2面64b上形成第2抗蝕圖案65b。另外，顯像工程是亦可包含抗蝕膜熱處理工程，用以提高抗蝕膜65c、65d的硬度，或用以使抗蝕膜65c、65d對於金屬板64更牢固地緊貼。抗蝕膜熱處理工程是例如可在室溫以上且400℃以下被實施。在圖16及後述的圖17乃至圖21中，在右側顯示有效領域22的製造工程，在左側顯示周圍領域23的製造工程。 　　[0068] 如圖16所示般，被設在有效領域22的第1抗蝕圖案65a是具有位於第1面64a之中之後形成有第1凹部30的部分之孔66a。另一方面，被設在周圍領域23的第1抗蝕圖案65a是覆蓋第1面64a之中之後形成長側面26的部分。並且，第2抗蝕圖案65b是具有位於有效領域22的第2面64b之中之後形成有第2凹部35的部分之孔66b，且具有位於周圍領域23的第2面64b之中之後形成長側面26的部分之開口部66d。開口部66d的尺寸M2是比孔66b的尺寸M1更大。開口部66d的尺寸M2是例如50μm以上。 　　[0069] 其次，如圖17所示般，實施第1面蝕刻工程，其係利用第1蝕刻液來蝕刻金屬板64的第1面64a之中未藉由第1抗蝕圖案65a來覆蓋的領域。例如，從被配置於與被搬送的金屬板64的第1面64a對面的側之噴嘴，將第1蝕刻液經過第1抗蝕圖案65a來朝金屬板64的第1面64a噴射。此結果，如圖17所示般，在金屬板64的第1面64a之中對應於孔66a的領域，藉由第1蝕刻液的浸蝕會進展。藉此，在金屬板64的第1面64a形成多數的第1凹部30。第1蝕刻液是例如可使用包含氯化鐵溶液及鹽酸者。另外，如上述般，被設在周圍領域23的第1抗蝕圖案65a是覆蓋第1面64a之中之後形成長側面26的部分。因此，第1凹部30是在第1面64a之中之後形成長側面26的部分未被形成。 　　[0070] 然後，如圖18所示般，藉由對於在之後的第2面蝕刻工程中所被使用的第2蝕刻液具有耐性的樹脂69來被覆第1凹部30。亦即，藉由對於第2蝕刻液具有耐性的樹脂69來密封第1凹部30。在圖18所示的例子中，將樹脂69的膜形成為：不僅所被形成的第1凹部30，連第1面64a(第1抗蝕圖案65a)也覆蓋。 　　[0071] 其次，如圖19所示般，實施第2面蝕刻工程，其係蝕刻金屬板64的第2面64b之中對應於孔66b及開口部66d的領域，在第2面64b形成第2凹部35。圖20是表示第2面蝕刻工程更進展的狀態的圖。如圖20所示般，在金屬板64之中對應於有效領域22的領域中，第2面蝕刻工程是被實施至第1凹部30與第2凹部35彼此相通，藉此形成貫通孔25為止。另一方面，在金屬板64之中對應於周圍領域23的領域中，第2面蝕刻工程是被實施至第2凹部35到達第1面64a為止。如上述般，位於周圍領域23的第2抗蝕圖案65b的開口部66d的尺寸M2是比位於有效領域22的第2抗蝕圖案65b的孔66b的尺寸M1更大。因此，如圖20所示般，可使金屬板64的厚度方向的蝕刻在周圍領域23中比有效領域22更快進展。第2蝕刻液是與上述的第1蝕刻液同樣，例如可使用包含氯化鐵溶液及鹽酸者。 　　[0072] 另外，藉由第2蝕刻液的浸蝕是在金屬板64之中的接觸於第2蝕刻液的部分進展。因此，浸蝕不是只在金屬板64的法線方向N(厚度方向)進展，在沿著金屬板64的板面的方向也進展。在此最好是在金屬板64之中對應於有效領域22的領域中，第2面蝕刻工程是在比分別形成於與第2抗蝕圖案65b的相鄰的二個的孔66a對面的位置之二個的第2凹部35在位於二個的孔66a之間的第2抗蝕圖案65b的背側合流更之前終了。藉此，如圖20所示般，可在金屬板64的第2面64b留下上述的頂部43。 　　[0073] 然後，如圖21所示般，從金屬板64除去樹脂69。樹脂69是可藉由使用例如鹼(alkali)系剝離液來除去。使用鹼系剝離液時，如圖21所示般，與樹脂69同時，抗蝕圖案65a，65b也被除去。另外，除去樹脂69之後，亦可使用與用以使樹脂69剝離的剝離液不同的剝離液，與樹脂69另行除去抗蝕圖案65a，65b。 　　[0074] 如圖21所示般，在金屬板64之中對應於周圍領域23的領域中，藉由第2凹部35到達第1面64a，可形成在寬度方向D2從其他的金屬板64的部分分離的長側面26。長側面26是包含根據第2凹部35的第1部分261，該第2凹部35是對應於第2抗蝕圖案65b的開口部66d來形成於金屬板64的第2面64b。此情況，第1部分261的第1端部261a會與連接長側面26和第1面64a(第1面20a)的第1連接部20e一致。 　　[0075] 圖22A是表示如上述般藉由加工蒸鍍遮罩20來形成貫通孔25而取得的中間製品50的平面圖。中間製品50是具備複數的蒸鍍遮罩部分51及支撐部分56。蒸鍍遮罩20的製造工程的金屬板64的搬送方向是與長度方向D1一致。 　　[0076] 蒸鍍遮罩部分51是藉由金屬板64之中被分離而成為蒸鍍遮罩20的部分。如圖22A所示般，複數的蒸鍍遮罩部分51是排列於寬度方向D2。 　　[0077] 支撐部分56是平面視包圍複數的蒸鍍遮罩部分51且部分地被連接至蒸鍍遮罩部分51的部分。在圖22A所示的例子中，支撐部分56是金屬板64之中蒸鍍遮罩部分51以外的部分。如圖22A所示般，蒸鍍遮罩部分51是在短側面27經由連接處54來連接至支撐部分56。 　　[0078] 圖22B是擴大表示圖22A的中間製品50之中附有符號XXIIB之以虛線所包圍的領域的圖。在上述的連接處54，蒸鍍遮罩部分51的短側面27是含有朝向支撐部分56突出，且被連接至支撐部分56的複數的凸部53a。例如，在中間製品50之中短側面27與支撐部分56之間，貫通金屬板64的複數的第2貫通部55b會沿著短側面27所延伸的方向來排列。寬度方向D2的第2貫通部55b的尺寸K是例如30μm以上，又，例如100μm以下。凸部53a是位於在短側面27所延伸的方向鄰接的2個的第2貫通部55b之間。另一方面，蒸鍍遮罩部分51的長側面26是未被連接至支撐部分56。換言之，在中間製品50之中蒸鍍遮罩部分51的長側面26與支撐部分56之間，貫通金屬板64的第1貫通部55a會沿著長側面26所延伸的方向來延伸。寬度方向D2的第1貫通部55a的尺寸S是例如0.1mm以上，又，例如5mm以下。 　　[0079] 構成長側面26的第1貫通部55a是如上述般，藉由將第2面蝕刻工程實施至第2凹部35到達第1面64a為止來形成。此情況，藉由第2面蝕刻工程來形成的長側面26中所含的上述的第1部分261的第1端部261a會位於金屬板64的第1面64a上。亦即，第1部分261的第1端部261a會與連接蒸鍍遮罩20的第1面20a和長側面26的第1連接部20e一致。 　　[0080] 構成短側面27的第2貫通部55b也與構成長側面26的第1貫通部55a同樣，可藉由將第2面蝕刻工程實施至第2凹部35到達第1面64a為止來形成。 　　[0081] 所謂第1貫通部55a或第2貫通部55b藉由將第2面蝕刻工程實施至第2凹部35到達第1面64a為止來形成，是意思第1貫通部55a或第2貫通部55b不含被連接至第2凹部35的第1凹部30。以下。說明有關第1貫通部55a或第2貫通部55b不含第1凹部30的優點。 　　[0082] 第1面蝕刻工程之後，金屬板64是被搬送至第2面蝕刻工程所被實施的場所。此時，在第1面蝕刻工程中，若金屬板64之中在之後形成有長側面26或短側面27的部分形成第1凹部30，則會有在搬送時以第1凹部30作為起點在金屬板64發生折斷的情形。被形成於形成有長側面26的部分之第1凹部30是具有在長度方向D1與蒸鍍遮罩20同等的尺寸，因此特別容易形成折斷的起點。 　　[0083] 相對於此，在本實施形態中，第1貫通部55a或第2貫通部55b不含第1凹部30。因此，在第1面蝕刻工程中，金屬板64之中在之後形成有長側面26或短側面27的部分是未形成有第1凹部30。藉此，第1面蝕刻工程之後，將金屬板64搬送至第2面蝕刻工程所被實施的場所時，可抑制在金屬板64發生折斷等的搬送不良的情形。 　　[0084] 並且，所謂未形成有第1凹部30的情形是意思以樹脂69來被覆第1凹部30的工程也不需要。假設在形成有長側面26的部分形成第1凹部30時，由於其尺寸是比構成貫通孔25的第1凹部30的尺寸大，因此以樹脂69來被覆所要的成本或勞力也大。相對於此，若根據本實施形態，則藉由第1貫通部55a或第2貫通部55b不含第1凹部30，可減少以樹脂69來被覆所要的成本或勞力。 　　[0085] (分離工程) 　　接著，實施在上述的中間製品50中從支撐部分56分離蒸鍍遮罩部分51的分離工程。首先，如圖13所示般，將藉由加工金屬板64而取得的中間製品50朝用以實施分離工程的分離裝置73搬送。例如，藉由在夾持中間製品50的狀態下旋轉的搬送滾輪72，72來朝分離裝置73搬送。可是，在中間製品50中蒸鍍遮罩部分51的長側面26未被連接至支撐部分56時，在搬送時，蒸鍍遮罩部分51容易搖晃或彎曲。考慮此點，亦可在中間製品50、搬送滾輪72或搬送路設置抑制蒸鍍遮罩部分51的搖晃或彎曲的抑制手段。例如，抑制手段是包含被設在中間製品50的第1面側及第2面側的一對的薄膜。在以一對的薄膜來夾著中間製品50的狀態下，將中間製品50朝分離裝置73搬送，藉此可抑制蒸鍍遮罩部分51搖晃或彎曲。 　　[0086] 圖23是表示從支撐部分56分離蒸鍍遮罩部分51的分離工程的圖。如上述般，蒸鍍遮罩部分51的長側面26與支撐部分56是未被連接。因此，藉由在短側面27使蒸鍍遮罩部分51與支撐部分56之間的連接處54破斷，可從支撐部分56分離蒸鍍遮罩部分51來取得蒸鍍遮罩20。圖24是擴大表示從中間製品50取得的蒸鍍遮罩20的平面圖。 　　[0087] 分離工程是例如包含使蒸鍍遮罩部分51的短側面27之中被連接至支撐部分56的連接處54破斷的破斷工程。此情況，如圖24所示般，蒸鍍遮罩20之中連接處54被破斷之處，例如短側面27的凸部27a的前端會成為破剖面27b。所謂破剖面27b是存在破斷時從支撐部分56接受的力量所引起的毛邊的面。另一方面，在長側面26是不存在破剖面。 　　[0088] 在圖24中，符號ε是表示從連接長側面26與第1面20a的第1連接部20e到貫通孔25之基材21的面方向的最短距離。距離ε是比從連接短側面27與第1面20a的連接部到貫通孔25之基材21的面方向的最短距離還小。因此，一旦在長側面26出現波浪形狀等的變形，則通過位於長側面26的附近的貫通孔25來附著於有機EL基板92的蒸鍍材料98的尺寸精度或位置精度會降低。在此，在本實施形態中是長側面26未被連接至支撐部分56。因此，在將蒸鍍遮罩部分51從支撐部分56分離的分離工程時，長側面26是不受來自支撐部分56的力，因此可抑制在長側面26出現波浪形狀等的變形。藉此，可以高的尺寸精度或位置精度來使有機EL基板92附著於蒸鍍材料98。 　　[0089] 蒸鍍遮罩裝置的製造方法 　　其次，說明有關組合蒸鍍遮罩20與框架15來製造蒸鍍遮罩裝置10的方法。首先，準備框架15。接著，如圖25所示般，藉由焊接等來將蒸鍍遮罩20的第2面20b固定於框架15。例如，首先，在重疊框架15與蒸鍍遮罩20的狀態下，從第1面20a側利用攝影機等來攝取蒸鍍遮罩20。此時，在蒸鍍遮罩20是亦可被賦予張力。接著，根據藉由攝影所取得的畫像，檢測出蒸鍍遮罩20相對於框架15的蒸鍍遮罩20的位置。例如，檢測出長度方向D1的蒸鍍遮罩20的輪廓的位置。接著，以蒸鍍遮罩20相對於框架15的位置能夠形成預定的位置之方式，調整蒸鍍遮罩20的位置。 　　[0090] 在此，若根據本實施形態，則如上述般，從第1面20a側看長側面26時，第1部分261未被視認。又，由於第1部分261會擴展至第1面20a，亦即第1部分261的第1端部261a會與第1連接部20e一致，因此從第1面20a側看長側面26時，第1部分261以外的長側面26的面也未被視認。因此，長度方向D1的蒸鍍遮罩20的輪廓是藉由第1面20a與長側面26的第1連接部20e來明確地被劃定。因此，可容易檢測出長度方向D1的蒸鍍遮罩20的輪廓的位置。藉此，相對於框架15可更正確地調整長度方向D1的蒸鍍遮罩20的輪廓的位置。 　　[0091] 蒸鍍方法 　　其次，說明有關利用蒸鍍遮罩20來使蒸鍍材料98蒸鍍於有機EL基板92等的基板上的蒸鍍方法。首先，以蒸鍍遮罩20會與有機EL基板92對向的方式配置蒸鍍遮罩裝置10。並且，利用磁石93來使蒸鍍遮罩20緊貼於有機EL基板92。在此狀態下，使蒸鍍材料98蒸發而經由蒸鍍遮罩20來飛往有機EL基板92，藉此可以對應於蒸鍍遮罩20的貫通孔25之圖案來使蒸鍍材料98附著於有機EL基板92。在此，在本實施形態中是如上述般，可容易檢測出長度方向D1的蒸鍍遮罩20的輪廓的位置。因此，可對於有機EL基板92更正確地調整長度方向D1的蒸鍍遮罩20的輪廓的位置。藉此，可以高的位置精度來使蒸鍍材料98附著於有機EL基板92。 　　[0092] 另外，可對於上述的實施形態加諸各種的變更。以下，因應所需，一邊參照圖面，一邊說明有關變形例。在以下的說明及使用在以下的說明的圖面中，有關與上述實施形態同樣構成的部分，是使用與對於對應於上述實施形態的部分使用的符號同一符號，省略重複的說明。並且，在上述實施形態中取得的作用效果在變形例中也明確可取得時，省略其說明。 　　[0093] (長側面的變形例) 　　在上述的實施形態的圖20中是表示使形成於金屬板64的第2面64b之第2凹部35到達第1面64a，藉此形成從其他的金屬板64的部分分離的長側面26之例。在本變形例中是說明有關使形成於金屬板64的第1面64a之第1凹部30與形成於第2面64b之第2凹部35連通，藉此形成從其他的金屬板64的部分分離的長側面26之例。 　　[0094] 圖26是表示本變形例的蒸鍍遮罩20的長側面26的剖面圖。長側面26是包含：第1部分261，及被連接至第1部分261的第1端部261a且到達第1面20a的第2部分262。第2部分262是藉由在第1面蝕刻工程中蝕刻金屬板64的第1面64a來形成的第1凹部30的一部分，朝內側凹陷。若根據本變形例，則藉由在金屬板64的第1面64a之中成為長側面26的部分形成第1凹部30，即使金屬板64具有大的厚度時，例如具有20μm以上或30μm以上的厚度時，也可藉由蝕刻來形成長側面26。雖未圖示，但短側面27也同樣亦可包含：藉由第1凹部30所構成的第2部分，及藉由第2凹部35所構成的第1部分。 　　[0095] 長側面26或短側面27為包含第1面64a側的第2部分時，最好第1面蝕刻工程是被實施成為：在金屬板64的第1面64a之中成為長側面26或短側面27的部分所被形成的第1凹部30之寬度方向D2的尺寸要比在金屬板64的第1面64a之中成為貫通孔25的部分所被形成的第1凹部30之寬度方向D2的尺寸更小。藉此，第1面蝕刻工程之後，將金屬板64搬送至第2面蝕刻工程被實施的場所時，可抑制對應於長側面26或短側面27的第1凹部30成為金屬板64的折斷的起點。 　　[0096] 如圖26所示般，第1部分261的第1端部261a是位於比連接蒸鍍遮罩20的第1面20a與長側面26的第2部分262之第1連接部20e更外側。因此，從第1面20a側看蒸鍍遮罩20時，第2部分262被視認，但第1部分261不被視認。在第2部分262中，光會朝各種的方向散射。因此，在圖26所示的例子中，第2部分262是被視認為看起來比第1面20a黑的部分，或出現於畫像。因此，在從第1面20a側看時被視認的第2部分262的寬度是最好為小。藉此，可正確地檢測出從第1面20a側看時之長度方向D1的蒸鍍遮罩20的輪廓，亦即長側面26的輪廓。 　　[0097] 在圖26中，符號δ是表示第1端部261a與第1連接部20e之間的第1面20a的面方向的距離。距離δ是相當於從第1面20a側看時被視認的第2部分262的寬度。距離δ是例如3.5μm以下，更理想是1.0μm以下。 　　[0098] 在圖26中，符號r3 是表示從第1面20a到第1端部261a之蒸鍍遮罩20的法線方向的距離。距離r3 是例如2μm以上且5μm以下。藉此，第2部分262的面積會變小，起因於第2部分262之光的散射會被抑制，因此可更正確地檢測出從第2部分262第1面20a側看時之長度方向D1的蒸鍍遮罩20的輪廓，亦即長側面26的輪廓。又，最好距離r3 是比構成貫通孔25的第1凹部30的壁面31的高度r1 更小。換言之，長側面26的第1端部261a是位於比貫通孔25的孔連接部41更第1面20a側。 　　[0099] (短側面的變形例) 　　在上述的實施形態中是表示在蒸鍍遮罩20的長側面26，連接第1面20a和長側面26的第1連接部20e與第1部分261的第1端部261a為一致，或兩者之間的距離為3.5μm以下之例。藉此，可容易檢測出從第1面20a看時之延伸於長度方向D1的蒸鍍遮罩20的輪廓。如此的技術性思想是加上長側面26或替換長側面26，適用於短側面27。亦即，雖未圖示，但實際連接第1面20a和短側面27的連接部與在短側面27朝內側凹陷的面的第1面20a側的端部亦可為一致，若兩者之間的距離為3.5μm以下。藉此，可容易檢測出從第1面20a看時之延伸於寬度方向D2的蒸鍍遮罩20的輪廓，亦即短側面27的輪廓。 　　[0100] 並且，在上述的實施形態中是表示在中間製品50的短側面27使蒸鍍遮罩部分51與支撐部分56之間的連接處54破斷，藉此從支撐部分56分離蒸鍍遮罩部分51之例。然而，在短側面27從支撐部分56分離蒸鍍遮罩部分51之例無特別限制。例如，亦可使用雷射加工裝置等的加工裝置，切斷中間製品50之中成為短側面27的部分，藉此從支撐部分56分離蒸鍍遮罩部分51。此情況，在金屬板64之中成為短側面27的部分是亦可未形成有上述的複數的第2貫通部55b。或，亦可在金屬板64之中成為短側面27的部分的第1面64a或第2面64b形成具有不貫通金屬板64的深度的溝。此情況，藉由沿著溝來對金屬板64照射雷射光，可縮小起因於雷射加工而產生的毛邊，或減少在雷射加工時產生的切削殘渣的量。 　　 [實施例] 　　[0101] 其次，藉由實施例來更具體地說明本案的實施形態，但本案的實施形態是只要不超過其主旨範圍，並非限於以下的實施例的記載。 　　[0102] (實施例1) 　　首先，準備具有25μm的厚度的金屬板64。其次，實施上述的加工工程，在金屬板64形成藉由第1凹部30及第2凹部35來構成的複數的貫通孔25。並且，在金屬板64的第2面64b之中對應於長側面26的部分形成到達至第1面64a的第2凹部35。在圖27顯示長側面26的剖面的觀察結果。並且，將從第1面20a側觀察具有圖27所示的長側面26的蒸鍍遮罩20的結果顯示於圖28A，將從第2面20b側觀察的結果顯示於圖28B。 　　[0103] 如圖28B所示般，從第2面20b側觀察蒸鍍遮罩20時，第1部分261會被視認。另一方面，從第1面20a側觀察蒸鍍遮罩20時，第1部分261不會被視認。因此，可容易檢測出長度方向D1的蒸鍍遮罩20的輪廓的位置。 　　[0104] (實施例2) 　　首先，準備具有30μm的厚度的金屬板64。其次，實施上述的加工工程，在金屬板64形成藉由第1凹部30及第2凹部35所構成的複數的貫通孔25。並且，在金屬板64的第1面64a之中對應於長側面26的部分形成第1凹部30，在第2面64b之中對應於長側面26的部分形成連通至第1凹部30的第2凹部35。在圖29A顯示長側面26的剖面的觀察結果。長側面26是包含：由第2凹部35的一部分所成的第1部分261，及由第1凹部30的一部分所成的第2部分262。 　　[0105] 圖29B是擴大表示圖29A的長側面26的第2部分262的剖面圖。第1端部261a與第1連接部20e之間的距離δ為0.7μm。 　　[0106] 從第2面20b側觀察具有圖29A及圖29B所示的長側面26的蒸鍍遮罩20時，第1部分261會被視認。另一方面，從第1面20a側觀察同一的蒸鍍遮罩20時，第1部分261未被視認，取而代之，第2部分262會被視認。第1端部261a與第1連接部20e之間的距離δ是0.7μm，因此，從第1面20a側觀察蒸鍍遮罩20時被視認的第2部分262的寬度也是0.7μm。因此，即使是在擴大成為寬度方向D2的攝影機的視野大小形成3.5μm程度的狀態下從第1面20a側使用攝影機來觀察蒸鍍遮罩20時，還是可確認第1端部261a及第1連接部20e的雙方。因此，可容易檢測出蒸鍍遮罩20的輪廓。 　　[0107] (實施例3) 　　使用具有15μm的厚度的金屬板64以外，與上述的實施例1的情況同樣製作蒸鍍遮罩20。在圖30顯示長側面26的剖面的觀察結果。如圖27所示般，在本實施例中也與實施例1的情況同樣，由彎曲成朝內側凹陷的彎曲面所成的第1部分261會從第2面20b擴展至第1面20a。此情況，由於第1部分261的第1端部261a與第1連接部20e一致，因此從第1面20a側看蒸鍍遮罩20時，第1部分261不被視認。因此，可容易檢測出沿著第1面20a的法線方向來看蒸鍍遮罩20時之長度方向D1的蒸鍍遮罩20的輪廓的位置。
[0108]
10‧‧‧蒸鍍遮罩裝置
15‧‧‧框架
20‧‧‧蒸鍍遮罩
20a‧‧‧第1面
20b‧‧‧第2面
21‧‧‧基材
22‧‧‧有效領域
23‧‧‧周圍領域
25‧‧‧貫通孔
26‧‧‧長側面
261‧‧‧第1部分
262‧‧‧第2部分
27‧‧‧短側面
30‧‧‧第1凹部
31‧‧‧壁面
35‧‧‧第2凹部
36‧‧‧壁面
41‧‧‧孔連接部
43‧‧‧頂部
50‧‧‧中間製品
51‧‧‧蒸鍍遮罩部分
54‧‧‧連接處
55‧‧‧隙間
56‧‧‧支撐部分
64‧‧‧金屬板
65a‧‧‧第1抗蝕圖案
65b‧‧‧第2抗蝕圖案
65c‧‧‧第1抗蝕膜
65d‧‧‧第2抗蝕膜
70‧‧‧加工裝置
72‧‧‧搬送滾輪
73‧‧‧分離裝置
90‧‧‧蒸鍍裝置
92‧‧‧有機EL基板
98‧‧‧蒸鍍材料
[0019] 　　圖1是表示具備本案的一實施形態的蒸鍍遮罩裝置之蒸鍍裝置的圖。 　　圖2是表示利用圖1所示的蒸鍍遮罩裝置來製造的有機EL顯示裝置的剖面圖。 　　圖3是表示本案的一實施形態的蒸鍍遮罩裝置的平面圖。 　　圖4是表示蒸鍍遮罩的立體圖。 　　圖5是表示圖3所示的蒸鍍遮罩的有效領域的部分平面圖。 　　圖6是沿著圖5的VI-VI線的剖面圖。 　　圖7是沿著圖5的VII-VII線的剖面圖。 　　圖8是沿著圖5的VIII-VIII線的剖面圖。 　　圖9是擴大表示圖5所示的貫通孔及其附近的領域的剖面圖。 　　圖10是沿著圖4的X-X線的剖面圖。 　　圖11是由第1面側來看蒸鍍遮罩時的平面圖。 　　圖12是由第2面側來看蒸鍍遮罩時的平面圖。 　　圖13是用以全體性地說明蒸鍍遮罩的製造方法的一例的模式圖。 　　圖14是表示在金屬板上形成抗蝕膜的工程的圖。 　　圖15是表示使曝光遮罩緊貼於抗蝕膜的工程的圖。 　　圖16是將抗蝕膜顯像的工程的圖。 　　圖17是表示第1面蝕刻工程的圖。 　　圖18是表示藉由樹脂來被覆第1凹部的工程的圖。 　　圖19是表示第2面蝕刻工程的圖。 　　圖20是表示接續於圖19的第2面蝕刻工程的圖。 　　圖21是表示從金屬板除去樹脂及抗蝕圖案的工程的圖。 　　圖22A是表示藉由加工金屬板而取得的中間製品的平面圖。 　　圖22B是擴大表示圖22A的中間製品之中附有符號XXIIB之以虛線所包圍的領域的圖。 　　圖23是表示從支撐部分分離蒸鍍遮罩部分的工程的圖。 　　圖24是擴大表示從中間製品取得的蒸鍍遮罩的平面圖。 　　圖25是表示製作蒸鍍遮罩裝置的工程的圖。 　　圖26是表示蒸鍍遮罩的長側面的一變形例的剖面圖。 　　圖27是表示實施例1的蒸鍍遮罩的長側面的剖面的觀察結果的圖。 　　圖28A是表示由第1面側來觀察圖27所示的蒸鍍遮罩的結果的圖。 　　圖28B是表示由第2面側來觀察圖27所示的蒸鍍遮罩的結果的圖。 　　圖29A是表示實施例2的蒸鍍遮罩的長側面的剖面的觀察結果的圖。 　　圖29B是擴大表示圖29A所示的長側面的第2部分的剖面圖。 　　圖30是表示實施例3的蒸鍍遮罩的長側面的剖面的觀察結果的圖。

Claims (13)

  1. 一種蒸鍍遮罩，係形成有複數的貫通孔的蒸鍍遮罩，其特徵為具備： 　　第1面及第2面，該等係形成有前述貫通孔； 　　一對的長側面，該等係被連接至前述第1面及前述第2面，劃定前述蒸鍍遮罩的長度方向之前述蒸鍍遮罩的輪廓；及 　　一對的短側面，該等係被連接至前述第1面及前述第2面，劃定前述蒸鍍遮罩的寬度方向之前述蒸鍍遮罩的輪廓， 　　前述長側面，係具有含有位於前述第1面側的第1端部，及位於前述第2面側且位於比前述第1端部更內側的第2端部，且朝內側凹陷的第1部分， 　　前述貫通孔，係含有被形成於前述第1面側的第1凹部，及被形成於前述第2面側，在孔連接部被連接至前述第1凹部的第2凹部， 　　前述長側面的前述第1部分的前述第1端部，係位於比前述孔連接部更靠前述第1面側。
  2. 如申請專利範圍第1項之蒸鍍遮罩，其中，前述第1端部為連接前述第1面與前述長側面的第1連接部，與位於和前述第1面同一平面上的第1連接部一致。
  3. 如申請專利範圍第1項之蒸鍍遮罩，其中，前述第1端部為連接前述第1面與前述長側面的第1連接部，位於比位於和前述第1面同一平面上的第1連接部更外側。
  4. 一種蒸鍍遮罩，係形成有複數的貫通孔的蒸鍍遮罩，其特徵為具備： 　　第1面及第2面，該等係形成有前述貫通孔； 　　一對的長側面，該等係被連接至前述第1面及前述第2面，劃定前述蒸鍍遮罩的長度方向之前述蒸鍍遮罩的輪廓；及 　　一對的短側面，該等係被連接至前述第1面及前述第2面，劃定前述蒸鍍遮罩的寬度方向之前述蒸鍍遮罩的輪廓， 　　前述長側面，係具有含有位於前述第1面側的第1端部，及位於前述第2面側且位於比前述第1端部更內側的第2端部，且朝內側凹陷的第1部分， 　　前述第1端部為連接前述第1面與前述長側面的第1連接部，與位於和前述第1面同一平面上的第1連接部一致。
  5. 如申請專利範圍第1~4項中的任一項所記載之蒸鍍遮罩，其中，連接前述第1面與前述長側面的第1連接部，即位於和前述第1面同一平面上的第1連接部與前述長側面的前述第1部分的前述第1端部之間的前述第1面的面方向的距離為3.5μm以下。
  6. 如申請專利範圍第1~4項中的任一項所記載之蒸鍍遮罩，其中，前述第1部分，係位於比通過前述第1端部及前述第2端部的假想性的平面或直線更內側。
  7. 如申請專利範圍第1~4項中的任一項所記載之蒸鍍遮罩，其中，前述蒸鍍遮罩的厚度為50μm以下。
  8. 如申請專利範圍第1~4項中的任一項所記載之蒸鍍遮罩，其中，前述第2端部為連接前述第2面與前述長側面的第2連接部，與位於和前述第2面同一平面上的第2連接部一致。
  9. 一種蒸鍍遮罩的製造方法，係形成有複數的貫通孔之蒸鍍遮罩的製造方法，其特徵為具備： 　　準備含有第1面及位於前述第1面的相反側的第2面的金屬板之工程；及 　　加工前述金屬板而取得具有前述第1面及前述第2面、一對的長側面以及一對的短側面的前述蒸鍍遮罩之加工工程， 　　該等第1面及第2面，係形成有前述貫通孔， 　　該等一對的長側面，係被連接至前述第1面及前述第2面，劃定前述蒸鍍遮罩的長度方向的前述蒸鍍遮罩的輪廓， 　　該等一對的短側面，係被連接至前述第1面及前述第2面，劃定前述蒸鍍遮罩的寬度方向的前述蒸鍍遮罩的輪廓， 　　又，前述長側面，係具有含有位於前述第1面側的第1端部，及位於前述第2面側且位於比前述第1端部更內側的第2端部，且朝內側凹陷的第1部分， 　　前述貫通孔，係含有被形成於前述第1面側的第1凹部，及被形成於前述第2面側，在孔連接部被連接至前述第1凹部的第2凹部， 　　前述長側面的前述第1部分的前述第1端部，係位於比前述孔連接部更靠前述第1面側。
  10. 如申請專利範圍第9項之蒸鍍遮罩的製造方法，其中，前述加工工程，係具有第2面蝕刻工程，其係從前述第2面側蝕刻前述金屬板而形成前述長側面的前述第1部分， 　　前述第2面蝕刻工程，係被實施成為：前述第1部分的前述第1端部為連接前述第1面與前述長側面的第1連接部，與位於和前述第1面同一平面上的第1連接部一致。
  11. 如申請專利範圍第9項之蒸鍍遮罩的製造方法，其中，前述加工工程，係具有第2面蝕刻工程，其係從前述第2面側蝕刻前述金屬板而形成前述長側面的前述第1部分， 　　前述加工工程，係更具有第1面蝕刻工程，其係從前述第1面側蝕刻前述金屬板，而形成位於前述長側面之中前述第1部分的前述第1端部與前述金屬板的前述第1面之間的面。
  12. 一種蒸鍍遮罩的製造方法，係形成有複數的貫通孔之蒸鍍遮罩的製造方法，其特徵為具備： 　　準備含有第1面及位於前述第1面的相反側的第2面的金屬板之工程；及 　　加工前述金屬板而取得具有前述第1面及前述第2面、一對的長側面以及一對的短側面的前述蒸鍍遮罩之加工工程， 　　該等第1面及第2面，係形成有前述貫通孔， 　　該等一對的長側面，係被連接至前述第1面及前述第2面，劃定前述蒸鍍遮罩的長度方向的前述蒸鍍遮罩的輪廓， 　　該等一對的短側面，係被連接至前述第1面及前述第2面，劃定前述蒸鍍遮罩的寬度方向的前述蒸鍍遮罩的輪廓， 　　又，前述長側面，係具有含有位於前述第1面側的第1端部，及位於前述第2面側且位於比前述第1端部更內側的第2端部，且朝內側凹陷的第1部分， 　　前述加工工程，係具有第2面蝕刻工程，其係從前述第2面側蝕刻前述金屬板而形成前述長側面的前述第1部分， 　　前述第2面蝕刻工程，係被實施成為：前述第1部分的前述第1端部為連接前述第1面與前述長側面的第1連接部，與位於和前述第1面同一平面上的第1連接部一致。
  13. 如申請專利範圍第8~12項中的任一項所記載之蒸鍍遮罩的製造方法，其中，連接前述第1面與前述長側面的第1連接部，即位於和前述第1面同一平面上的第1連接部與前述長側面的前述第1部分的前述第1端部之間的前述第1面的面方向的距離為3.5μm以下。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220116074A (ko) * 2017-01-17 2022-08-19 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크 및 증착 마스크의 제조 방법
KR20200096877A (ko) 2019-02-06 2020-08-14 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크 장치, 마스크 지지 기구 및 증착 마스크 장치의 제조 방법
JP7449485B2 (ja) 2019-03-28 2024-03-14 大日本印刷株式会社 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
JP2021033018A (ja) * 2019-08-22 2021-03-01 大日本印刷株式会社 露光方法及び露光方法を備える蒸着マスク製造方法並びに露光装置
TWI819236B (zh) * 2019-09-06 2023-10-21 日商凸版印刷股份有限公司 蒸鍍遮罩中間體、蒸鍍遮罩及蒸鍍遮罩的製造方法
CN110699637B (zh) * 2019-10-17 2021-03-23 昆山国显光电有限公司 掩膜版的制作方法、掩膜版和显示面板的制作方法
US20220372615A1 (en) * 2019-11-12 2022-11-24 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Mask
US11805678B2 (en) 2019-11-21 2023-10-31 Samsung Display Co., Ltd. Display device, mask assembly, method of manufacturing the mask assembly, apparatus for manufacturing the display device, and method of manufacturing the display device
JP2021175824A (ja) * 2020-03-13 2021-11-04 大日本印刷株式会社 有機デバイスの製造装置の蒸着室の評価方法、評価方法で用いられる標準マスク装置及び標準基板、標準マスク装置の製造方法、評価方法で評価された蒸着室を備える有機デバイスの製造装置、評価方法で評価された蒸着室において形成された蒸着層を備える有機デバイス、並びに有機デバイスの製造装置の蒸着室のメンテナンス方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63255380A (ja) * 1987-04-09 1988-10-21 Dainippon Printing Co Ltd シヤドウマスクの製造方法
US6955726B2 (en) * 2002-06-03 2005-10-18 Samsung Sdi Co., Ltd. Mask and mask frame assembly for evaporation
JP4832160B2 (ja) * 2006-05-19 2011-12-07 トッキ株式会社 有機ｅｌ素子形成用マスク，アライメント方法並びに有機ｅｌ素子形成装置
WO2010047101A1 (ja) * 2008-10-21 2010-04-29 株式会社アルバック マスク及びマスクを用いた成膜方法
KR101182440B1 (ko) * 2010-01-11 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착용 마스크 프레임 조립체
KR101274718B1 (ko) * 2010-01-28 2013-06-12 엘지디스플레이 주식회사 증착마스크 및 그를 포함하는 마스크 어셈블리
JP2013110072A (ja) * 2011-11-24 2013-06-06 Canon Inc 有機ｅｌ発光装置の製造方法及び製造装置
TWI601838B (zh) * 2012-01-12 2017-10-11 大日本印刷股份有限公司 A method of manufacturing a vapor deposition mask, and a method of manufacturing an organic semiconductor element
JP6050642B2 (ja) 2012-09-19 2016-12-21 矢崎総業株式会社 コネクタの製造方法
KR102002494B1 (ko) * 2012-11-30 2019-07-23 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착용 마스크 프레임 어셈블리
JP5382259B1 (ja) * 2013-01-10 2014-01-08 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法
CN103149790B (zh) 2013-02-22 2014-10-08 京东方科技集团股份有限公司 掩模板
KR102160695B1 (ko) * 2013-05-10 2020-09-29 삼성디스플레이 주식회사 마스크
JP6127834B2 (ja) * 2013-08-27 2017-05-17 トヨタ自動車株式会社 アライメント方法及びパターニング用マスク
JP5516816B1 (ja) * 2013-10-15 2014-06-11 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法
JP6515520B2 (ja) 2014-12-15 2019-05-22 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスクを作製するために用いられる金属板および蒸着マスク
KR20170030685A (ko) * 2015-09-09 2017-03-20 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크 및 그 제조 방법

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EP3572553B1 (en) 2023-02-08
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TW202024366A (zh) 2020-07-01
JP2018115390A (ja) 2018-07-26
US11136664B2 (en) 2021-10-05
US11649540B2 (en) 2023-05-16

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