JP2021033018A - 露光方法及び露光方法を備える蒸着マスク製造方法並びに露光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】レジスト層の一部がマスクに付着することを抑制する。【解決手段】露光方法は、基材６４と、基材の第１面上にある第１レジスト層６５ａと、を少なくとも含む積層体６３を準備する積層体準備工程と、第１方向を有する第１フィルム１１４ａを介して第１マスク１１１を積層体の第１レジスト層に押し付ける工程と、第１マスク及び第１フィルムを介して第１レジスト層に光を照射する工程と、第１フィルムを第１レジスト層から分離させる工程と、を備える。【選択図】図１８

Description

本開示の実施形態は、露光装置及び露光方法に関する。また、本開示の実施形態は、当該露光方法を備える蒸着マスク製造方法に関する。

基材や基材上の層をパターニングする方法として、フォトリソグラフィー技術を用いたエッチング法が利用されている。フォトリソグラフィー技術を用いたエッチング法においては、まず、基材にレジスト層を設け、続いて、露光マスクを用いてレジスト層を露光する。続いて、露光されたレジスト層を現像する。続いて、基材又は基材上の層のうちレジスト層によって覆われていない領域をエッチングして、基材又は基材上の層をパターニングする。

特許第５３８２２５９号公報

露光マスクをレジスト層に接触させた状態でレジスト層を露光する場合、露光マスクをレジスト層から分離させた後にもレジスト層の一部が露光マスクに付着していることがある。レジスト層の一部が付着した状態の露光マスクを用いてその後の露光工程を実施すると、露光の精度が低下することが考えられる。

本開示の一実施形態による露光方法は、基材と、基材の第１面上にある第１レジスト層と、を少なくとも含む積層体を準備する積層体準備工程と、第１方向を有する第１フィルムを介して第１マスクを積層体の第１レジスト層に押し付ける工程と、第１マスク及び第１フィルムを介して第１レジスト層に光を照射する工程と、第１フィルムを第１レジスト層から分離させる工程と、を備える。

本開示の実施形態によれば、レジスト層の一部がマスクに付着することを抑制することができる。

本開示の一実施形態によるマスク装置を備えた蒸着装置を示す図である。 図１に示す蒸着マスク装置を用いて製造した有機ＥＬ表示装置を示す断面図である。 本発明の一実施形態による蒸着マスク装置を示す平面図である。 図３に示された蒸着マスクの有効領域を示す部分平面図である。 図４のV−V線に沿った断面図である。 蒸着マスクの製造方法の一例を全体的に説明するための模式図である。 金属板上にレジスト層を設ける工程を示す図である。 レジスト層を露光する工程を示す図である。 露光されたレジスト層を現像してレジストパターンを形成する工程を示す図である。 第１面エッチング工程を示す図である。 第２面エッチング工程を示す図である。 露光装置の一例を示す図である。 図１２Ａに示す第１マスク、第１フィルム及び積層体を、基材の面方向の法線方向に沿って見た場合の一例を示す図である。 図１２Ａの露光装置を用いて積層体に光を照射する様子を示す図。 図１３に示す工程の後、第１フィルム及び第２フィルムを搬送する様子を示す図。 露光装置の一実施形態を示す図である。 図１５Ａに示す第１マスク、第１フィルム及び積層体を、基材の面方向の法線方向に沿って見た場合の一例を示す図である。 図１５Ａの露光装置を用いて積層体に光を照射する様子を示す図。 図１６に示す工程の後、第１フィルム、第２フィルム及び積層体を搬送する様子を示す図。 露光装置の一実施形態を示す図である。 図１８の露光装置を用いて積層体に光を照射する様子を示す図。 図１９に示す工程の後、第１フィルムを搬送する様子を示す図。 露光装置の一実施形態を示す図である。 図２１の露光装置を用いて積層体に光を照射する様子を示す図。 図２２に示す工程の後、第１フィルム及び積層体を搬送する様子を示す図。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「基板」や「基材」や「板」や「シート」や「フィルム」などの用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、ある部材又はある領域等のある構成が、他の部材又は他の領域等の他の構成の「上に」や「下に」、「上側に」や「下側に」、又は「上方に」や「下方に」とする場合、ある構成が他の構成に直接的に接している場合を含む。さらに、ある構成と他の構成との間に別の構成が含まれている場合、つまり間接的に接している場合も含む。また、特別な説明が無い限りは、「上」や「上側」や「上方」、又は、「下」や「下側」や「下方」という語句は、上下方向が逆転してもよい。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、ある部材又はある領域等のある構成が、他の部材又は他の領域等の他の構成の「上に」や「下に」、「上側に」や「下側に」、又は「上方に」や「下方に」とする場合、ある構成が他の構成に直接的に接している場合を含む。さらに、ある構成と他の構成との間に別の構成が含まれている場合、つまり間接的に接している場合も含む。また、特別な説明が無い限りは、「上」や「上側」や「上方」、又は、「下」や「下側」や「下方」という語句は、上下方向が逆転してもよい。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、本明細書の一実施形態は、矛盾の生じない範囲で、その他の実施形態と組み合わせられ得る。また、その他の実施形態同士も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられ得る。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、製造方法などの方法に関して複数の工程を開示する場合に、開示されている工程の間に、開示されていないその他の工程が実施されてもよい。また、開示されている工程の順序は、矛盾の生じない範囲で任意である。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「〜」という記号によって表現される数値範囲は、「〜」という符号の前後に置かれた数値を含んでいる。例えば、「３４〜３８質量％」という表現によって画定される数値範囲は、「３４質量％以上且つ３８質量％以下」という表現によって画定される数値範囲と同一である。

本実施形態においては、後述する露光方法及び露光装置を用いる製造工程によって製造されるマスクが、蒸着材料を所望のパターンで基板上にパターニングするために用いられる蒸着マスクである例について説明する。蒸着マスクは、例えば、有機ＥＬ表示装置を製造する際に有機材料を所望のパターンで基板上にパターニングするために用いられる。ただし、本開示の露光方法及び露光装置を用いる製造工程によって製造されるマスクの用途が特に限定されることはなく、本開示のマスクを種々の用途において用いることができる。例えば、本開示のマスクを、金属メッシュフィルタやスクリーン印刷版として用いてもよい。

本開示の第１の態様は、露光方法であって、
第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を有する基材と、前記基材の前記第１面上にある第１レジスト層と、を含む積層体を準備する積層体準備工程と、
第１方向を有する第１フィルムを介して第１マスクを前記積層体の前記第１レジスト層に押し付ける押し付け工程と、
前記第１マスク及び前記第１フィルムを介して前記第１レジスト層に光を照射する第１露光工程と、
前記第１フィルムを前記第１レジスト層から分離させる分離工程と、を備える、露光方法である。

本開示の第２の態様は、上述した第１の態様による露光方法において、前記積層体準備工程は、レジストの材料を含む溶液を前記基材の前記第１面側に塗布する工程を備えていてもよい。

本開示の第３の態様は、上述した第１の態様又は上述した第２の態様による露光方法において、前記分離工程の後、前記第１方向において前記第１フィルムを搬送する工程を備えていてもよい。

本開示の第４の態様は、上述した第１の態様から上述した第３の態様のそれぞれによる露光方法において、前記押し付け工程は、前記第１方向において前記第１フィルムに張力を加えた状態で実施されてもよい。

本開示の第５の態様は、上述した第１の態様から上述した第４の態様のそれぞれによる露光方法において、前記押し付け工程は、前記第１フィルムを前記第１マスクに接触させる第１マスク接触工程と、前記第１マスクに接触している前記第１フィルムを介して第１露光マスクを前記第１レジスト層に押し付ける第１レジスト層接触工程と、を含んでいてもよい。

本開示の第６の態様は、上述した第５の態様による露光方法において、前記第１マスク接触工程は、前記第１フィルムと前記第１マスクとの間の空間の圧力を大気圧以下にする工程を含んでいてもよい。

本開示の第７の態様は、上述した第５の態様又は上述した第６の態様による露光方法において、前記第１レジスト層接触工程は、前記第１フィルムと前記第１レジスト層との間の空間の圧力を大気圧以下にする工程を含んでいてもよい。

本開示の第８の態様は、上述した第１の態様から上述した第７の態様のそれぞれによる露光方法において、前記積層体は、前記基材の前記第２面上の第２レジスト層を含み、
前記露光方法は、
前記第１方向を有する第２フィルムを介して第２マスクを前記積層体の前記第２レジスト層に押し付ける工程と、
前記第２マスク及び前記第２フィルムを介して前記第２レジスト層に光を照射する第２露光工程と、を備えていてもよい。

本開示の第９の態様は、上述した第１の態様から上述した第８の態様のそれぞれによる露光方法において、前記積層体の端は、前記第１方向において、前記第１マスクの端よりも内側に位置していてもよい。

本開示の第１０の態様は、上述した第１の態様から上述した第８の態様のそれぞれによる露光方法において、前記積層体準備工程は、前記第１方向において前記積層体に張力を加えながら前記第１方向において前記積層体を搬送する工程を含んでいてもよい。

本開示の第１１の態様は、上述した第１の態様から上述した第１０の態様のそれぞれによる露光方法において、前記第１レジスト層は、ポジ型の感光材を含んでいてもよい。

本開示の第１２の態様は、上述した第１の態様から上述した第１０の態様のそれぞれによる露光方法において、前記第１レジスト層は、ネガ型の感光材を含んでいてもよい。

本開示の第１３の態様は、複数の貫通孔を有する蒸着マスクを製造する方法であって、
金属板からなる基材であって、前記基材の第１面に第１レジスト層がある前記基材を準備する工程と、
上述した第１の態様から上述した第１２の態様のそれぞれによる露光方法で前記第１レジスト層を露光する露光工程と、
露光された前記第１レジスト層を現像する工程と、
前記基材のうち前記第１レジスト層によって覆われていない領域をエッチングする工程と、を備える、蒸着マスクの製造方法である。

本開示の第１４の態様は、積層体に光を照射する露光装置であって、
前記積層体は、第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を有する基材と、前記基材の前記第１面上にある第１レジスト層と、を少なくとも含み、
前記露光装置は、
前記積層体の前記第１レジスト層の少なくとも一部と重なる第１マスクと、
第１フィルムを第１方向において搬送し、前記第１フィルムを前記積層体の前記第１レジスト層と前記第１マスクとの間に供給する第１フィルム供給機構と、
前記第１フィルムを介して前記第１マスクが前記積層体の前記第１レジスト層に押し付けられ、その後、前記第１フィルムが前記第１レジスト層から分離するよう、前記積層体に対して前記第１マスクを相対的に移動させる移動機構と、
前記第１マスク及び前記第１フィルムを介して前記第１レジスト層に光を照射する第１照射機構と、を備える、露光装置である。

本開示の第１５の態様は、上述した第１４の態様による露光装置において、前記移動機構は、前記第１フィルム供給機構が前記第１方向において前記第１フィルムに張力を加えた状態で前記第１フィルムを介して前記第１マスクを前記積層体の前記第１レジスト層に押し付けてもよい。

本開示の第１６態様は、上述した第１４の態様又は上述した第１５の態様による露光装置において、前記移動機構は、前記第１フィルムを前記第１マスクに接触させた状態で、前記第１マスクに接触している前記第１フィルムを介して第１露光マスクを前記第１レジスト層に押し付けてもよい。

本開示の第１７の態様は、上述した第１４の態様から上述した第１６の態様のそれぞれによる露光装置において、前記第１フィルムと前記第１マスクとの間の空間の圧力を大気圧以下にする第１マスク減圧機構を含んでいてもよい。

本開示の第１８の態様は、上述した第１４の態様から上述した第１７の態様のそれぞれによる露光装置において、前記第１フィルムと前記第１レジスト層との間の空間の圧力を大気圧以下にする積層体減圧機構を含んでいてもよい。

本開示の第１９の態様は、上述した第１４の態様から上述した第１８の態様のそれぞれによる露光装置において、前記積層体は、前記基材の前記第２面にある第２レジスト層を含み、
前記露光装置は、
前記積層体の前記第２レジスト層の少なくとも一部と重なる第２マスクと、
第２フィルムを前記第１方向において搬送し、前記第２フィルムを前記積層体の前記第２レジスト層と前記第２マスクとの間に供給する第２フィルム供給機構と、
前記第２マスク及び前記第２フィルムを介して前記第２レジスト層に光を照射する第２照射機構と、を有し、
前記移動機構は、前記第２フィルムを介して前記第２マスクが前記積層体の前記第２レジスト層に押し付けられ、その後、前記第２フィルムが前記第２レジスト層から分離するよう、前記積層体に対して前記第２マスクを相対的に移動させてもよい。

以下、本開示の一実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態のみに限定して解釈されるものではない。

まず、対象物に蒸着材料を蒸着させる蒸着処理を実施する蒸着装置９０について、図１を参照して説明する。図１に示すように、蒸着装置９０は、その内部に、蒸着源（例えばるつぼ９４）、ヒータ９６、及び蒸着マスク装置１０を備えていてもよい。また、蒸着装置９０は、蒸着装置９０の内部を真空雰囲気にするための排気手段を更に備える。るつぼ９４は、有機発光材料などの蒸着材料９８を収容する。ヒータ９６は、るつぼ９４を加熱して、真空雰囲気の下で蒸着材料９８を蒸発させる。蒸着マスク装置１０は、るつぼ９４と対向するよう配置されていてもよい。

以下、蒸着マスク装置１０について説明する。図１に示すように、蒸着マスク装置１０は、蒸着マスク２０と、蒸着マスク２０を支持するフレーム１５と、を備えていてもよい。フレーム１５は、蒸着マスク２０が撓んでしまうことがないように、蒸着マスク２０をその面方向に引っ張った状態で支持していてもよい。蒸着マスク装置１０は、図１に示すように、蒸着マスク２０が、蒸着材料９８を付着させる対象物である基板、例えば有機ＥＬ基板９２に対面するよう、蒸着装置９０内に配置される。以下の説明において、蒸着マスク２０の面のうち、有機ＥＬ基板９２側の面を第１面２０ａと称し、第１面２０ａの反対側に位置する面を第２面２０ｂと称する。

蒸着マスク装置１０は、図１に示すように、有機ＥＬ基板９２の、蒸着マスク２０と反対の側の面に配置された磁石９３を備えていてもよい。磁石９３を設けることにより、磁力によって蒸着マスク２０を磁石９３側に引き寄せて、蒸着マスク２０を有機ＥＬ基板９２に密着させることができる。また、静電気力（クーロン力）を利用する静電チャックを用いて蒸着マスク２０を有機ＥＬ基板９２に密着させてもよい。

図３は、蒸着マスク装置１０を蒸着マスク２０の第１面２０ａ側から見た場合を示す平面図である。図３に示すように、蒸着マスク装置１０は、複数の蒸着マスク２０を備えていてもよい。各蒸着マスク２０は、一対の第１の辺２６及び第１の辺２６に交差する方向を有する一対の第２の辺２７を含んでいてもよく、例えば矩形状の形状を有していてもよい。第２の辺２７は、第１の辺２６よりも短くてもよい。各蒸着マスク２０は、一対の第２の辺２７又はその近傍の部分において、例えば溶接によってフレーム１５に固定されていてもよい。

蒸着マスク２０は、蒸着マスク２０を貫通する複数の貫通孔２５が形成された金属板を含む。るつぼ９４から蒸発して蒸着マスク装置１０に到達した蒸着材料９８は、蒸着マスク２０の貫通孔２５を通って有機ＥＬ基板９２に付着する。これによって、蒸着マスク２０の貫通孔２５の位置に対応した所望のパターンで、蒸着材料９８を有機ＥＬ基板９２の表面に成層することができる。

図２は、図１の蒸着装置９０を用いて製造した有機ＥＬ表示装置１００を示す断面図である。有機ＥＬ表示装置１００は、被蒸着基板（有機ＥＬ基板）９２と、パターン状に設けられた蒸着材料９８を含む蒸着層と、を備えていてもよい。なお、図３の有機ＥＬ表示装置１００においては、蒸着材料９８を含む画素に電圧を印加する電極等が省略されている。また、有機ＥＬ基板９２上に蒸着材料９８をパターン状に設ける蒸着工程の後、図２の有機ＥＬ表示装置１００には、有機ＥＬ表示装置のその他の構成要素が更に設けられ得る。従って、図２の有機ＥＬ表示装置１００は、有機ＥＬ表示装置の中間体と呼ぶこともできる。

なお、複数の色によるカラー表示を行いたい場合には、各色に対応する蒸着マスク２０が搭載された蒸着装置９０をそれぞれ準備し、有機ＥＬ基板９２を各蒸着装置９０に順に投入する。これによって、例えば、赤色用の有機発光材料、緑色用の有機発光材料および青色用の有機発光材料を順に有機ＥＬ基板９２に蒸着させることができる。

ところで、蒸着処理は、高温雰囲気となる蒸着装置９０の内部で実施される場合がある。この場合、蒸着処理の間、蒸着装置９０の内部に保持される蒸着マスク２０、フレーム１５および有機ＥＬ基板９２も加熱される。この際、蒸着マスク２０、フレーム１５および有機ＥＬ基板９２は、各々の熱膨張係数に基づいた寸法変化の挙動を示すことになる。この場合、蒸着マスク２０やフレーム１５と有機ＥＬ基板９２の熱膨張係数が大きく異なっていると、それらの寸法変化の差異に起因した位置ずれが生じ、この結果、有機ＥＬ基板９２上に付着する蒸着材料の寸法精度や位置精度が低下してしまう。

このような課題を解決するため、蒸着マスク２０およびフレーム１５の熱膨張係数が、有機ＥＬ基板９２の熱膨張係数と同等の値であることが好ましい。例えば、有機ＥＬ基板９２としてガラス基板が用いられる場合、蒸着マスク２０およびフレーム１５の主要な材料として、ニッケルを含む鉄合金を用いることができる。鉄合金は、ニッケルに加えてコバルトを更に含んでいてもよい。例えば、蒸着マスク２０を構成する金属板の材料として、ニッケル及びコバルトの含有量が合計で３０質量％以上且つ５４質量％以下であり、且つコバルトの含有量が０質量％以上且つ６質量％以下である鉄合金を用いることができる。ニッケル若しくはニッケル及びコバルトを含む鉄合金の具体例としては、３４質量％以上且つ３８質量％以下のニッケルを含むインバー材、３０質量％以上且つ３４質量％以下のニッケルに加えてさらにコバルトを含むスーパーインバー材、３８質量％以上且つ５４質量％以下のニッケルを含む低熱膨張Ｆｅ−Ｎｉ系めっき合金などを挙げることができる。

なお蒸着処理の際に、蒸着マスク２０、フレーム１５および有機ＥＬ基板９２の温度が高温には達しない場合は、蒸着マスク２０およびフレーム１５の熱膨張係数を、有機ＥＬ基板９２の熱膨張係数と同等の値にする必要は特にない。この場合、蒸着マスク２０を構成する材料として、上述の鉄合金以外の材料を用いてもよい。例えば、クロムを含む鉄合金など、上述のニッケルを含む鉄合金以外の鉄合金を用いてもよい。クロムを含む鉄合金としては、例えば、いわゆるステンレスと称される鉄合金を用いることができる。また、ニッケルやニッケル−コバルト合金など、鉄合金以外の合金を用いてもよい。

次に、蒸着マスク２０について詳細に説明する。図３に示すように、蒸着マスク２０は、蒸着マスク２０の一対の第２の辺２７を含む一対の耳部（第１耳部１７ａ及び第２耳部１７ｂ）と、一対の耳部１７ａ，１７ｂの間に位置する中間部１８と、を備えている。

耳部１７ａ，１７ｂは、蒸着マスク２０のうちフレーム１５に固定される部分である。中間部１８は、第１面２０ａから第２面２０ｂに至る貫通孔２５が形成された、少なくとも１つの有効領域２２と、有効領域２２を取り囲む周囲領域２３と、を含む。有効領域２２は、蒸着マスク２０のうち、有機ＥＬ基板９２の表示領域に対面する領域である。

図３に示す例において、中間部１８は、蒸着マスク２０の第１の辺２６に沿って所定の間隔を空けて配列された複数の有効領域２２を含む。一つの有効領域２２は、一つの有機ＥＬ表示装置１００の表示領域に対応する。このため、図１に示す蒸着マスク装置１０によれば、有機ＥＬ表示装置１００の多面付蒸着が可能である。なお、一つの有効領域２２が複数の表示領域に対応する場合もある。図示はしないが、第２の辺２７が延びる方向においても、所定の間隔を空けて複数の有効領域２２が配列されていてもよい。

図３に示すように、有効領域２２の輪郭は、例えば、平面視において略四角形、さらに正確には平面視において略矩形を有する。なお図示はしないが、各有効領域２２は、有機ＥＬ基板９２の表示領域の形状に応じて、様々な形状の輪郭を有することができる。例えば各有効領域２２の輪郭は、円形を有していてもよい。

以下、有効領域２２について詳細に説明する。図４は、蒸着マスク２０の第２面２０ｂ側から有効領域２２を拡大して示す平面図である。図４に示すように、図示された例において、各有効領域２２に形成された複数の貫通孔２５は、当該有効領域２２において、互いに直交する二方向に沿ってそれぞれ所定のピッチで配列されている。

図５は、図４の有効領域２２のV−V方向に沿った断面図である。図５に示すように、複数の貫通孔２５は、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに沿った一方の側となる第１面２０ａから、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに沿った他方の側となる第２面２０ｂへ貫通している。図示された例では、後に詳述するように、蒸着マスク２０の法線方向Ｎにおける一方の側となる基材６４の第１面６４ａに第１凹部３０がエッチングによって形成され、蒸着マスク２０の法線方向Ｎにおける他方の側となる基材６４の第２面６４ｂに第２凹部３５が形成される。第１凹部３０は、第２凹部３５に接続され、これによって第２凹部３５と第１凹部３０とが互いに通じ合うように形成される。貫通孔２５は、第２凹部３５と、第２凹部３５に接続された第１凹部３０とによって構成されている。図４及び図５に示すように、第１凹部３０の壁面３１と、第２凹部３５の壁面３６とは、周状の接続部４１を介して接続されている。接続部４１は、蒸着マスク２０の平面視において貫通孔２５の開口面積が最小になる貫通部４２を画成する。

図５に示すように、蒸着マスク２０の第１面２０ａ側において、隣り合う二つの貫通孔２５は、基材６４の第１面６４ａに沿って互いから分離している。蒸着マスク２０の第２面２０ｂ側においても、隣り合う二つの第２凹部３５が、基材６４の第２面６４ｂに沿って互いから分離していてもよい。すなわち、隣り合う二つの第２凹部３５の間に基材６４の第２面６４ｂが残存していてもよい。以下の説明において、基材６４の第２面６４ｂの有効領域２２のうちエッチングされずに残っている部分のことを、トップ部４３とも称する。このようなトップ部４３が残るように蒸着マスク２０を作製することにより、蒸着マスク２０に十分な強度を持たせることができる。このことにより、例えば搬送中などに蒸着マスク２０が破損してしまうことを抑制することができる。なおトップ部４３の幅βが大きすぎると、蒸着工程においてシャドーが発生し、これによって蒸着材料９８の利用効率が低下することがある。従って、トップ部４３の幅βが過剰に大きくならないように蒸着マスク２０が作製されることが好ましい。

図１に示すようにして蒸着マスク装置１０が蒸着装置９０に収容された場合、図５に二点鎖線で示すように、蒸着マスク２０の第１面２０ａが、有機ＥＬ基板９２に対面し、蒸着マスク２０の第２面２０ｂが、蒸着材料９８を保持したるつぼ９４側に位置する。したがって、蒸着材料９８は、次第に開口面積が小さくなっていく第２凹部３５を通過して有機ＥＬ基板９２に付着する。図５において第２面２０ｂ側から第１面２０ａへ向かう矢印で示すように、蒸着材料９８は、るつぼ９４から有機ＥＬ基板９２に向けて有機ＥＬ基板９２の法線方向Ｎに沿って移動するだけでなく、有機ＥＬ基板９２の法線方向Ｎに対して大きく傾斜した方向に移動することもある。このとき、蒸着マスク２０の厚みが大きいと、斜めに移動する蒸着材料９８が、トップ部４３、第２凹部３５の壁面３６や第１凹部３０の壁面３１に引っ掛かり易くなり、この結果、貫通孔２５を通過できない蒸着材料９８の比率が多くなる。従って、蒸着材料９８の利用効率を高めるためには、蒸着マスク２０の厚みｔを小さくし、これによって、第２凹部３５の壁面３６や第１凹部３０の壁面３１の高さを小さくすることが好ましいと考えられる。すなわち、蒸着マスク２０を構成するための基材６４として、蒸着マスク２０の強度を確保できる範囲内で可能な限り厚みｔの小さな基材６４を用いることが好ましいと言える。この点を考慮し、本実施の形態において、蒸着マスク２０の厚みｔの上限は、１００μｍ、５０μｍ、４０μｍ、３５μｍ、３０μｍ、２５μｍ、２０μｍからなる第２グループに含まれる値のうちの任意の１つによって定められてもよい。例えば、蒸着マスク２０の厚みｔの上限は、１００μｍ以下であってもよく、５０μｍ以下であってもよく、４０μｍ以下であってもよく、３５μｍ以下であってもよく、３０μｍ以下であってもよく、２５μｍ以下であってもよく、２０μｍ以下であってもよい。一方、蒸着マスク２０の厚みｔが小さくなり過ぎると、蒸着マスク２０の強度が低下し、蒸着マスク２０に損傷や変形が生じやすくなる。この点を考慮し、蒸着マスク２０の厚みｔの下限は、５μｍ、８μｍ、１０μｍ、１２μｍ、１３μｍ、１５μｍからなる第１グループに含まれる値のうちの任意の１つによって定められてもよい。例えば、蒸着マスク２０の厚みｔの下限は、５μｍ以上であってもよく、８μｍ以上であってもよく、１０μｍ以上であってもよく、１２μｍ以上であってもよく、１３μｍ以上であってもよく、１５μｍ以上であってもよい。蒸着マスク２０の厚みｔの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。例えば、蒸着マスク２０の厚みｔの範囲は、５μｍ以上１００μｍ以下であってもよく、８μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、１２μｍ以上３５μｍ以下であってもよく、１３μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上２５μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上２０μｍ以下であってもよい。また、蒸着マスク２０の厚みｔの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、蒸着マスク２０の厚みｔの範囲は、２０μｍ以上１００μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、２５μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。また、蒸着マスク２０の厚みｔの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、蒸着マスク２０の厚みｔの範囲は、５μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、８μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、５μｍ以上１３μｍ以下であってもよい。なお厚みｔは、周囲領域２３の厚み、すなわち蒸着マスク２０のうち第１凹部３０および第２凹部３５が形成されていない部分の厚みである。従って厚みｔは、基材６４の厚みであると言うこともできる。

基材６４及び蒸着マスク２０の厚みを測定する方法としては、接触式の測定方法を採用する。接触式の測定方法としては、ボールブッシュガイド式のプランジャーを備える、ハイデンハイン社製の長さゲージHEIDENHAIM-METROの「MT1271」を用いる。

図５において、貫通孔２５の最小開口面積を持つ部分となる接続部４１と、第２凹部３５の壁面３６の他の任意の位置と、を通過する直線Ｍ１が、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対してなす最小角度が、符号θ１で表されている。斜めに移動する蒸着材料９８を、壁面３６に到達させることなく可能な限り有機ＥＬ基板９２に到達させるためには、角度θ１を大きくすることが有利となる。角度θ１を大きくする上では、蒸着マスク２０の厚みｔを小さくすることの他にも、上述のトップ部４３の幅βを小さくすることも有効である。

図５において、符号αは、基材６４の第１面６４ａの有効領域２２のうちエッチングされずに残っている部分（以下、リブ部とも称する）の幅を表している。リブ部の幅αおよび貫通部４２の寸法ｒは、有機ＥＬ表示装置の寸法および表示画素数に応じて適宜定められる。例えば、リブ部の幅αは５μｍ以上且つ４０μｍ以下であり、貫通部４２の寸法ｒは１０μｍ以上且つ６０μｍ以下である。

なお、図４及び図５においては、隣り合う二つの第２凹部３５の間に基材６４の第２面６４ｂが残存している例を示したが、これに限られることはない。図示はしないが、隣り合う二つの第２凹部３５が接続されるようにエッチングが実施されてもよい。すなわち、隣り合う二つの第２凹部３５の間に、基材６４の第２面６４ｂが残存していない場所が存在していてもよい。

次に、蒸着マスク２０を製造する方法について説明する。図６は、基材６４を用いて蒸着マスク２０を製造する製造装置７０を示す図である。製造装置７０は、レジスト層形成装置７１、露光装置７２、現像装置７３及びエッチング装置７４を少なくとも備える。

まず、金属からなる基材６４を準備する。基材６４は、例えば、３０質量％以上且つ３８質量％以下のニッケルを含む鉄合金を有する。基材６４は、後述する露光装置、現像装置などが１回の処理で処理可能な寸法以下の寸法を有する１枚の金属板であってもよい。また、基材６４は、露光装置、現像装置などが１回の処理で処理可能な寸法を少なくとも１つの方向において有する金属板であってもよい。この場合、基材６４は、露光装置、現像装置などにおける処理が完了するごとに間欠的に搬送される。

レジスト層形成装置７１は、図７に示すように、基材６４の表面にレジスト層を設ける。レジスト層は、例えば、基材６４の第１面６４ａに位置する第１レジスト層６５ａと、基材６４の第２面６４ｂに位置する第２レジスト層６５ｂと、を有する。

第１レジスト層６５ａ及び第２レジスト層６５ｂは、レジストの材料を含む溶液を基材６４の表面に塗布し、固化させることにより形成される層であってもよい。若しくは、第１レジスト層６５ａ及び第２レジスト層６５ｂは、ドライフィルムなどのフィルムを基材６４の表面に貼り付けることにより形成される層であってもよい。なお、第１レジスト層６５ａ及び第２レジスト層６５ｂの厚みを小さくする上では、レジストの材料を含む溶液を塗布し、固化させるタイプ、いわゆる塗布型のレジスト層を採用することが好ましい。

塗布型のレジスト層は、感光材を含む溶液を基材６４の表面に塗布し、固化させることにより形成される。この際、レジスト層を焼成するレジスト層焼成工程を実施してもよい。感光材は、光溶解型、いわゆるポジ型であってもよく、若しくは、光硬化型、いわゆるネガ型であってもよい。

ポジ型の感光材の例としては、ＳＣ５００などのノボラック系ポジレジストなどを挙げることができる。ネガ型の感光材の例としては、カゼインレジストなどを挙げることができる。

感光材としてノボラック系ポジレジストを用いる場合、レジスト層焼成温度の範囲は、４０℃、５０℃、６０℃及び７０℃からなる第１グループ、及び／又は、１５０℃、１６０℃、１７０℃及び１８０℃からなる第２グループによって定められてもよい。レジスト層焼成温度の範囲の下限は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つによって定められてもよい。例えば、レジスト層焼成温度の範囲の下限は、４０℃以上であってもよく、５０℃以上であってもよく、６０℃以上であってもよく、７０℃以上であってもよい。また、レジスト層焼成温度の範囲の上限は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つによって定められてもよい。例えば、レジスト層焼成温度の範囲の上限は、１５０℃以下であってもよく、１６０℃以下であってもよく、１７０℃以下であってもよく、１８０℃以下であってもよい。

感光材としてノボラック系ポジレジストを用いる場合、レジスト層焼成温度の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよく、例えば、４０℃以上１８０℃以下であってもよく、５０℃以上１７０℃以下であってもよく、６０℃以上１６０℃以下であってもよく、７０℃以上１５０℃以下であってもよい。また、レジスト層焼成温度の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、４０℃以上７０℃以下であってもよく、４０℃以上６０℃以下であってもよく、５０℃以上７０℃以下であってもよく、５０℃以上６０℃以下であってもよい。また、レジスト層焼成温度の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、１５０℃以上１８０℃以下であってもよく、１５０℃以上１７０℃以下であってもよく、１６０℃以上１８０℃以下であってもよく、１６０℃以上１７０℃以下であってもよい。

また、感光材としてカゼインレジストを用いる場合、レジスト層焼成温度の範囲は、８０℃、９０℃、１００℃及び１２０℃からなる第１グループ、及び／又は、２００℃、２１０℃、２３０℃及び２５０℃からなる第２グループによって定められてもよい。レジスト層焼成温度の範囲の下限は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つによって定められてもよい。例えば、レジスト層焼成温度の範囲の下限は、８０℃以上であってもよく、９０℃以上であってもよく、１００℃以上であってもよく、１２０℃以上であってもよい。また、レジスト層焼成温度の範囲の上限は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つによって定められてもよい。例えば、レジスト層焼成温度の範囲の上限は、２００℃以下であってもよく、２１０℃以下であってもよく、２３０℃以下であってもよく、２５０℃以下であってもよい。

感光材としてカゼインレジストを用いる場合、レジスト層焼成温度の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよく、例えば、８０℃以上２５０℃以下であってもよく、９０℃以上２３０℃以下であってもよく、１００℃以上２１０℃以下であってもよく、１２０℃以上２００℃以下であってもよい。また、レジスト層焼成温度の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、８０℃以上１２０℃以下であってもよく、８０℃以上１００℃以下であってもよく、９０℃以上１２０℃以下であってもよく、９０℃以上１００℃以下であってもよい。また、レジスト層焼成温度の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、２００℃以上２５０℃以下であってもよく、２００℃以上２３０℃以下であってもよく、２１０℃以上２５０℃以下であってもよく、２１０℃以上２３０℃以下であってもよい。

第１レジスト層６５ａ及び第２レジスト層６５ｂの厚みの範囲は、１．０μｍ、１．２μｍ、１．５μｍ及び１．８μｍからなる第１グループ、及び／又は、２．０μｍ、３．０μｍ、４．０μｍ及び５．０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。第１レジスト層６５ａ及び第２レジスト層６５ｂの厚みの範囲の下限は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つによって定められてもよい。例えば、第１レジスト層６５ａ及び第２レジスト層６５ｂの厚みの範囲の下限は、１．０μｍ以上であってもよく、１．２μｍ以上であってもよく、１．５μｍ以上であってもよく、１．８μｍ以上であってもよい。また、第１レジスト層６５ａ及び第２レジスト層６５ｂの厚みの範囲の上限は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つによって定められてもよい。例えば、第１レジスト層６５ａ及び第２レジスト層６５ｂの厚みの範囲の上限は、２．０μｍ以下であってもよく、３．０μｍ以下であってもよく、４．０μｍ以下であってもよく、５．０μｍ以下であってもよい。第１レジスト層６５ａ及び第２レジスト層６５ｂの厚みを５．０μｍ以下にすることにより、貫通孔２５の貫通部４２の寸法ｒがばらつくことを抑制することができる。

第１レジスト層６５ａ及び第２レジスト層６５ｂの厚みの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよく、例えば、１．０μｍ以上５．０μｍ以下であってもよく、１．２μｍ以上４．０μｍ以下であってもよく、１．５μｍ以上３．０μｍ以下であってもよく、１．８μｍ以上２．０μｍ以下であってもよい。また、第１レジスト層６５ａ及び第２レジスト層６５ｂの厚みの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、１．０μｍ以上１．８μｍ以下であってもよく、１．０μｍ以上１．５μｍ以下であってもよく、１．２μｍ以上１．８μｍ以下であってもよく、１．２μｍ以上１．５μｍ以下であってもよい。また、第１レジスト層６５ａ及び第２レジスト層６５ｂの厚みの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、２．０μｍ以上５．０μｍ以下であってもよく、２．０μｍ以上４．０μｍ以下であってもよく、３．０μｍ以上５．０μｍ以下であってもよく、３．０μｍ以上４．０μｍ以下であってもよい。

続いて、図８に示すように、露光装置７２が、露光マスクを用いてレジスト層を所定のパターンで露光する露光工程を実施する。露光マスクは、例えば、第１レジスト層６５ａを所定のパターンで露光するための第１マスク１１１と、第２レジスト層６５ｂを所定のパターンで露光するための第２マスク１２１と、を有する。

露光工程においては、露光マスクとレジスト層との間に隙間が存在しないことが好ましい。隙間とは、固体又は液体が存在しない空間のことである。露光マスクとレジスト層との間に隙間が存在しないことにより、レジスト層に対する露光マスクの位置を安定に定めることができる。これにより、露光の位置精度を高めることができる。

露光マスクとレジスト層との間に隙間を存在させない方法の一例として、露光マスクをレジスト層に接触させることが考えられる。例えば、第１マスク１１１を第１レジスト層６５ａに接触させ、第２マスク１２１を第２レジスト層６５ｂに接触させることが考えられる。一方、露光マスクをレジスト層に接触させる場合、露光工程の後に露光マスクをレジスト層から分離させた後にも、レジスト層の一部が露光マスクに付着しているという現象が生じ得る。このような現象は、露光マスクとレジスト層との間の密着性が高い場合に生じ易い。例えば、塗布型のレジスト層が用いられる場合は、ドライフィルムが用いられる場合に比べて、露光マスクとレジスト層との間の密着性が高い。このため、露光マスクをレジスト層から分離させる際、レジスト層の一部がレジスト層の基材６４側の本体部から引き剥がされ、露光マスクに付着し易い。以下の説明において、露光マスクをレジスト層から分離させた後に露光マスクに残っているレジスト層の一部のことを、残留レジストとも称する。

露光マスクは、複数回の露光工程において繰り返し用いられる。このため、ある１回の露光工程においてレジスト層の一部が露光マスクに付着すると、その後の露光工程においては、残留レジストが付着した状態の露光マスクが、その後の露光工程における露光の対象のレジスト層に接触することになる。この場合、露光の精度が低下してしまうことが考えられる。例えば、露光の対象のレジスト層に対する光の照射が、残留レジストによって阻害されることが考えられる。

このような課題を考慮し、本実施の形態においては、露光マスクと露光の対象のレジスト層との間にフィルムを介在させることを提案する。例えば図８に示すように、第１マスク１１１と第１レジスト層６５ａとの間に第１フィルム１１４ａを介在させることを提案する。これにより、露光マスクをレジスト層から分離させる際にレジスト層の一部が残留レジストとして露光マスクに付着することを抑制することができる。図示はしないが、第２マスク１２１と第２レジスト層６５ｂとの間にも第２フィルム１２４ａを介在させてもよい。

また、フィルムのうち、ある１回の露光工程において露光マスクと露光の対象のレジスト層との間に介在されていた領域（以下、介在領域とも称する）を、その後の露光工程が始まる前に、少なくとも介在領域の寸法以上の距離以上にわたって搬送することを提案する。これにより、その後の露光工程において、残留レジストが付着した状態のフィルムが露光マスクと露光の対象のレジスト層との間に介在されることを抑制することができる。

図８に示す例においては、第１マスク１１１と第１レジスト層６５ａとの間に第１フィルム１１４ａを介在させた状態で、第１マスク１１１及び第１フィルム１１４ａを介して光Ｌ１を第１レジスト層６５ａに照射する。同様に、第２マスク１２１と第２レジスト層６５ｂとの間に第２フィルム１２４ａを介在させた状態で、第２マスク１２１及び第２フィルム１２４ａを介して光Ｌ２を第２レジスト層６５ｂに照射する。

第１フィルム１１４ａとしては、光Ｌ１を透過させることができるフィルムを用いることができる。第１フィルム１１４ａは、例えば、ＰＥ（ポリエチレン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＴＡＣ（トリアセチルセルロース）、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＰＡ（ポリアミド）、ＰＩ（ポリイミド）、フッ素化ＰＩ（フッ素化ポリイミド）又はＥＴＦＥ（４フッ化エチレン・エチレン共重合樹脂）などのフッ素樹脂、ＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル）、ＡＢＳ（アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン）、ＰＣ（ポリカーボネート）などの樹脂を含む樹脂フィルムである。第１フィルム１１４ａは、これらの樹脂のいずれかを含むとともに互いに積層された２つ以上の樹脂フィルムを備えていてもよい。また、第１フィルム１１４ａは、これらの樹脂のいずれかを含む樹脂フィルムと、樹脂フィルムに積層され、無機材料を含む層とを備えていてもよい。また、第１フィルム１１４ａを構成する樹脂フィルムの表面はコーティングされていてもよい。
第２フィルム１２４ａは、第１フィルム１１４ａで例示した上述の樹脂を含む樹脂フィルムであってもよい。第２フィルム１２４ａは、第１フィルム１１４ａで例示した上述の樹脂のいずれかを含むとともに互いに積層された２つ以上の樹脂フィルムを備えていてもよい。また、第２フィルム１２４ａは、第１フィルム１１４ａで例示した上述の樹脂のいずれかを含む樹脂フィルムと、樹脂フィルムに積層され、無機材料を含む層とを備えていてもよい。また、第２フィルム１２４ａを構成する樹脂フィルムの表面はコーティングされていてもよい。

第１フィルム１１４ａの厚みの範囲は、５μｍ、１０μｍ、１５μｍ及び２０μｍからなる第１グループ、及び／又は、２５μｍ、３０μｍ、３５μｍ及び４０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。第１フィルム１１４ａの厚みの範囲の下限は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つによって定められてもよい。例えば、第１フィルム１１４ａの厚みの範囲の下限は、５μｍであってもよく、１０μｍであってもよく、１５μｍであってもよく、２０μｍであってもよい。また、第１フィルム１１４ａの厚みの範囲の上限は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つによって定められてもよい。例えば、第１フィルム１１４ａの厚みの範囲の上限は、２５μｍであってもよく、３０μｍであってもよく、３５μｍであってもよく、４０μｍであってもよい。第１フィルム１１４ａの厚みの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよく、例えば、５μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上３５μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上２５μｍ以下であってもよい。また、第１フィルム１１４ａの厚みの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、５μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、５μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上１５μｍ以下であってもよい。また、第１フィルム１１４ａの厚みの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、２５μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、２５μｍ以上３５μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上３５μｍ以下であってもよい。

好ましくは、露光工程において、第１マスク１１１のうち基材６４の第１面６４ａに対向する側の周囲の雰囲気を真空雰囲気に制御する。これにより、第１マスク１１１と第１フィルム１１４ａとの間、及び第１フィルム１１４ａと第１レジスト層６５ａとの間に隙間が形成されることを抑制することができる。このことにより、基材６４の第１面６４ａに形成される第１レジストパターン６５ｃの寸法精度及び位置精度を高めることができる。同様に、好ましくは、露光工程において、第２マスク１２１のうち基材６４の第２面６４ｂに対向する側の周囲の雰囲気を真空雰囲気に制御する。真空雰囲気の圧力は、大気圧よりも低く、例えば大気圧の１／１０以下である。

露光マスクとレジスト層との間にフィルムを介在させる露光方法を実施するための露光装置の例については、後に詳細に説明する。

続いて、図９に示すように、現像装置７３が、露光された第１レジスト層６５ａを現像して第１レジストパターン６５ｃを形成し、露光された第２レジスト層６５ｂを現像して第２レジストパターン６５ｄを形成する現像工程を実施する。図９において、符号γは、基材６４の第２面６４ｂのうち蒸着マスク２０の上述のトップ部４３となる部分を覆う第２レジストパターン６５ｄの幅を表す。幅γは、例えば４０μｍ以下である。幅γは、５μｍ以上であってもよい。

続いて、エッチング装置７４が、レジストパターン６５ｃ，６５ｄをマスクとして基材６４をエッチングするエッチング工程を実施する。なお、本実施の形態においては、複数枚の蒸着マスク２０に対応する多数の貫通孔２５を基材６４に形成する。言い換えると、基材６４に複数枚の蒸着マスク２０を割り付ける。例えば、基材６４の幅方向Ｄ２に複数の有効領域２２が並び、且つ、基材６４の搬送方向Ｄ１に複数の蒸着マスク２０用の有効領域２２が並ぶよう、基材６４に多数の貫通孔２５を形成する。

エッチング工程においては、まず、図１０に示すように、基材６４の第１面６４ａのうち第１レジストパターン６５ｃによって覆われていない領域を、第１エッチング液を用いてエッチングする。例えば、第１エッチング液を、搬送される基材６４の第１面６４ａに対面する側に配置されたノズルから、第１レジストパターン６５ｃ越しに基材６４の第１面６４ａに向けて噴射する。この結果、図１０に示すように、基材６４のうちの第１レジストパターン６５ｃによって覆われていない領域で、第１エッチング液による浸食が進む。これによって、基材６４の第１面６４ａに多数の第１凹部３０が形成される。第１エッチング液としては、例えば塩化第２鉄溶液及び塩酸を含むものを用いる。

次に、図１１に示すように、基材６４の第２面６４ｂのうち第２レジストパターン６５ｄによって覆われていない領域をエッチングし、第２面６４ｂに第２凹部３５を形成する。第２面６４ｂのエッチングは、第１凹部３０と第２凹部３５とが互いに通じ合い、これによって貫通孔２５が形成されるようになるまで実施される。第２エッチング液としては、上述の第１エッチング液と同様に、例えば塩化第２鉄溶液及び塩酸を含むものを用いる。なお、第２面６４ｂのエッチングの際、図１１に示すように、第２エッチング液に対する耐性を有した樹脂６９によって第１凹部３０が被覆されていてもよい。

その後、基材６４から樹脂６９を除去する。樹脂６９は、例えばアルカリ系剥離液を用いることによって、除去することができる。アルカリ系剥離液が用いられる場合、樹脂６９と同時にレジストパターン６５ｃ，６５ｄも除去される。なお、樹脂６９を除去した後、樹脂６９を剥離させるための剥離液とは異なる剥離液を用いて、樹脂６９とは別途にレジストパターン６５ｃ，６５ｄを除去してもよい。

このようにして、基材６４に形成された複数の貫通孔２５を有する蒸着マスク２０を作製することができる。なお、基材６４に複数の蒸着マスク２０が割り付けられる場合、基材６４を分離して複数の蒸着マスク２０を１つ１つ取り出す分離工程を実施してもよい。例えば、基材６４のうち１枚分の蒸着マスク２０に対応する複数の貫通孔２５が形成された部分を基材６４のその他の部分から分離する。

次に、上述の露光工程を実施するための露光装置７２の一例について、図１２Ａを参照して説明する。ここでは、基材６４の両面にレジスト層があり、露光装置７２が、基材６４の両面のレジスト層を露光する例について説明する。また、両面にレジスト層が形成されている基材が、露光装置７２が１回の処理で処理可能な寸法以下の寸法を有する１枚の金属板である例について説明する。

以下の説明において、基材６４及びレジスト層を含む構造体のことを積層体６３とも称する。図１２Ａに示す例において、積層体６３は、基材６４と、基材６４の第１面６４ａにレジスト塗工液を塗布することによって形成された第１レジスト層６５ａと、基材６４の第２面６４ｂにレジスト塗工液を塗布することによって形成された第２レジスト層６５ｂと、を含む。

露光装置７２は、第１マスク１１１、第１フィルム供給機構１１４、第１照射機構１１５、第２マスク１２１、第２フィルム供給機構１２４、第２照射機構１２５及び移動機構１３２を少なくとも備える。

第１マスク１１１は、基材６４の面方向の法線方向において積層体６３の第１レジスト層６５ａと重なっている。第１フィルム供給機構１１４は、図１２Ａに示す第１方向Ｄ１において第１フィルム１１４ａを搬送して、第１フィルム１１４ａを積層体６３の第１レジスト層６５ａと第１マスク１１１との間に供給する。第１フィルム供給機構１１４は、第１フィルム１１４ａを送り出す送出ロール１１４ｂと、送出ロール１１４ｂから送り出された第１フィルム１１４ａを巻き取る巻取ロール１１４ｃと、を含んでいてもよい。

第２マスク１２１は、基材６４の面方向の法線方向において積層体６３の第２レジスト層６５ｂと重なっている。第２フィルム供給機構１２４は、図１２Ａに示す第１方向Ｄ１において第２フィルム１２４ａを搬送して、第２フィルム１２４ａを積層体６３の第２レジスト層６５ｂと第２マスク１２１との間に供給する。第２フィルム供給機構１２４は、第２フィルム１２４ａを送り出す送出ロール１２４ｂと、送出ロール１２４ｂから送り出された第２フィルム１２４ａを巻き取る巻取ロール１２４ｃと、を含んでいてもよい。

図１２Ｂは、図１２Ａに示す第１マスク１１１、第１フィルム１１４ａ及び積層体６３を、基材６４の面方向の法線方向に沿って見た場合の一例を示す図である。第１方向Ｄ１において、積層体６３の端６３ａは、第１マスク１１１の端１１１ａよりも内側に位置していてもよい。すなわち、第１方向Ｄ１において、積層体６３の一対の端６３ａは、第１マスク１１１の一対の端１１１ａの間に位置していてもよい。また、第１方向Ｄ１において、積層体６３の一対の端６３ａは、第２マスク１２１の一対の端の間に位置していてもよい。

図１２Ａに示すように、第２フィルム供給機構１２４は、積層体６３を第２フィルム１２４ａの上に載せた状態で第２フィルム１２４ａを搬送してもよい。第２フィルム供給機構１２４は、第２フィルム１２４ａの搬送経路に沿って位置するガイドロール１２４ｄ、第２フィルム１２４ａに加える張力を調整する張力調整ロール１２４ｅなどを有していてもよい。

図示はしないが、第１フィルム供給機構１１４も、第１フィルム１１４ａの搬送経路に沿って位置するガイドロール、第１フィルム１１４ａに加える張力を調整する張力調整ロールなどを有していてもよい。

移動機構１３２は、積層体６３に対して第１マスク１１１又は第２マスク１２１の少なくともいずれかを相対的に移動させる。図１２Ａに示す例において、移動機構１３２は、少なくとも、積層体６３に対して第１マスク１１１を相対的に移送させて、第１フィルム１１４ａを介して第１マスク１１１を積層体６３の第１レジスト層６５ａに押し付けるよう、構成されている。移動機構１３２は、アクチュエータ、エアシリンダーなどの機械要素を含んでいてもよい。

露光装置７２は、第１フィルム１１４ａと積層体６３の第１レジスト層６５ａとの間の空間の圧力を大気圧以下にする第１マスク減圧機構１１３備えていてもよい。第１マスク減圧機構１１３は、例えば、第１マスク１１１に接する第１枠１１３ａ、第１枠１１３ａに形成されている貫通孔を介して第１フィルム１１４ａと第１レジスト層６５ａとの間の気体を排出するポンプ１１３ｂ、第１フィルム１１４ａと第１レジスト層６５ａとの間で貫通孔を囲う封止材１１３ｃなどを含む。

また、露光装置７２は、第２フィルム１２４ａと積層体６３の第２レジスト層６５ｂとの間の空間の圧力を大気圧以下にする第２マスク減圧機構１２３を備えていてもよい。第２マスク減圧機構１２３は、例えば、第２マスク１２１に接する第２枠１２３ａ、第２枠１２３ａに形成されている貫通孔を介して第２フィルム１２４ａと第２レジスト層６５ｂとの間の気体を排出するポンプ、第２フィルム１２４ａと第２レジスト層６５ｂとの間で貫通孔を囲う封止材１２３ｃなどを含む。

また、露光装置７２は、第１フィルム１１４ａと積層体６３の第１レジスト層６５ａとの間の空間、又は第２フィルム１２４ａと積層体６３の第２レジスト層６５ｂとの間の空間の圧力の少なくともいずれかを大気圧以下にする積層体減圧機構１３３を備えていてもよい。積層体減圧機構１３３は、例えば、第１マスク１１１を囲う第３枠１３３ａ、第２マスク１２１を囲う第４枠１３３ｂ、ポンプ１３３ｃ、第３枠１３３ａと第４枠１３３ｂの間に位置する封止材１３３ｄなどを含む。ポンプ１３３ｃは、第１フィルム１１４ａと積層体６３の第１レジスト層６５ａとの間の気体、又は第２フィルム１２４ａと積層体６３の第２レジスト層６５ｂとの間の気体の少なくともいずれかを排出する。図１２Ａに示すように、ポンプ１３３ｃは、第２枠１２３ａ及び第４枠１３３ｂを支持する支持台１３１に形成されている貫通孔を介して気体を排出してもよい。

続いて、露光装置７２を用いて積層体６３の第１レジスト層６５ａ及び第２レジスト層６５ｂを露光する露光方法の一例を詳細に説明する。

積層体６３を準備する積層体準備工程を実施する。また、積層体６３の第１レジスト層６５ａと基材６４の第１面６４ａの法線方向において重なる第１マスク１１１を準備する第１マスク準備工程を実施する。また、積層体６３の第２レジスト層６５ｂと基材６４の第２面６４ｂの法線方向において重なる第２マスク１２１を準備する第２マスク準備工程を実施する。図１２Ａに示す例においては、まず、互いに向かい合う第１マスク１１１及び第２マスク１２１を準備する。また、第２フィルム供給機構１２４が、第１方向Ｄ１において第２フィルム１２４ａに張力を加えることにより、積層体６３が載せられた状態の第２フィルム１２４ａを第１マスク１１１と第２マスク１２１との間に供給する。また、第１フィルム供給機構１１４が、第１方向Ｄ１において第１フィルム１１４ａに張力を加えることにより、第１フィルム１１４ａを第１マスク１１１と積層体６３との間に供給する。

続いて、図１３に示すように、フィルムを介して露光マスクを積層体６３のレジスト層に押し付ける押し付け工程を実施する。具体的には、第１方向Ｄ１を有する第１フィルム１１４ａのうち積層体６３の第１レジスト層６５ａと第１マスク１１１との間に位置する第１介在領域１１４ｘを介して第１マスク１１１を第１レジスト層６５ａに押し付ける。第１介在領域１１４ｘは、基材６４の第１面６４ａの法線方向に沿って見た場合に第１マスク１１１に重なっている。また、第１方向Ｄ１を有する第２フィルム１２４ａのうち積層体６３の第２レジスト層６５ｂと第２マスク１２１との間に位置する第２介在領域１２４ｘを介して第２マスク１２１を第２レジスト層６５ｂに押し付ける。第２介在領域１２４ｘは、基材６４の第２面６４ｂの法線方向に沿って見た場合に第２マスク１２１に重なっている。
押し付け工程は、例えば、移動機構１３２が、第１マスク１１１を支持する第１枠１１３ａ及び第１フィルム１１４ａを支持する第３枠１３３ａを、積層体６３及び第２マスク１２１に向けて相対的に移動させることにより実現される。この際、第１マスク１１１又は第２マスク１２１に形成されているアライメントマークを利用して、第２マスク１２１に対する第１マスク１１１の相対的な位置の調整を実施してもよい。

押し付け工程は、第１方向Ｄ１において第１フィルム１１４ａに張力を加えた状態で第１フィルム１１４ａを第１マスク１１１に接触させる第１マスク接触工程を含んでいてもよい。第１マスク接触工程は、第１マスク減圧機構１１３を用いて第１フィルム１１４ａと第１マスク１１１との間の空間の圧力を大気圧以下にする工程を含んでいてもよい。また、押し付け工程は、第１マスク１１１に接触している第１フィルム１１４ａの第１介在領域１１４ｘを介して第１マスク１１１を第１レジスト層６５ａに押し付ける第１レジスト層接触工程を含んでいてもよい。第１レジスト層接触工程は、積層体減圧機構１３３を用いて第１フィルム１１４ａと第１レジスト層６５ａとの間の空間の圧力を大気圧以下にする工程を含んでいてもよい。

また、押し付け工程は、第１方向Ｄ１において第２フィルム１２４ａに張力を加えた状態で第２フィルム１２４ａを第２マスク１２１に接触させる第２マスク接触工程を含んでいてもよい。第２マスク接触工程は、第２マスク減圧機構１２３を用いて第２フィルム１２４ａと第２マスク１２１との間の空間の圧力を大気圧以下にする工程を含んでいてもよい。また、押し付け工程は、第２マスク１２１に接触している第２フィルム１２４ａの第２介在領域１２４ｘを介して第２マスク１２１を第２レジスト層６５ｂに押し付ける第２レジスト層接触工程を含んでいてもよい。第２レジスト層接触工程は、積層体減圧機構１３３を用いて第２フィルム１２４ａと第２レジスト層６５ｂとの間の空間の圧力を大気圧以下にする工程を含んでいてもよい。

続いて、図１３に示すように、第１マスク１１１及び第１フィルム１１４ａの第１介在領域１１４ｘを介して第１レジスト層６５ａに光Ｌ１を照射する第１露光工程を実施する。また、第２マスク１２１及び第２フィルム１２４ａの第２介在領域１２４ｘを介して第２レジスト層６５ｂに光Ｌ２を照射する第２露光工程を実施する。第１露光工程及び第２露光工程は、同時に実施されてもよく、別々に実施されてもよい。

続いて、図１４に示すように、移動機構１３２を用いて、第１フィルム１１４ａの第１介在領域１１４ｘを第１レジスト層６５ａから分離させる分離工程を実施する。また、第１方向Ｄ１において第１フィルム１１４ａを、少なくとも第１方向Ｄ１における第１介在領域１１４ｘの寸法以上の距離にわたって搬送する第１搬送工程を実施する。これによって、第１フィルム１１４ａのうち第１マスク１１１と重なる領域に、第１レジスト層６５ａの残留レジストが付着している可能性がある第１介在領域１１４ｘが存在しないようになる。また、第１方向Ｄ１において第２フィルム１２４ａを、少なくとも第１方向Ｄ１における第２介在領域１２４ｘの寸法以上の距離にわたって搬送する第２搬送工程を実施する。これによって、第２フィルム１２４ａのうち第２マスク１２１と重なる領域に、第２レジスト層６５ｂの残留レジストが付着している可能性がある第２介在領域１２４ｘが存在しないようになる。

その後、上述の押し付け工程、第１露光工程、第２露光工程、分離工程、第１搬送工程、第２搬送工程を繰り返し実施する。これによって、複数の積層体６３の第１レジスト層６５ａ及び第２レジスト層６５ｂを順次露光することができる。

本実施の形態においては、露光処理の際、第１マスク１１１が第１フィルム１１４ａを介して積層体６３の第１レジスト層６５ａに押し付けられ、また、第２マスク１２１が第２フィルム１２４ａを介して積層体６３の第２レジスト層６５ｂに押し付けられる。このため、露光の際、第１レジスト層６５ａに対する第１マスク１１１の位置、及び第２レジスト層６５ｂに対する第２マスク１２１の位置を安定に定めることができる。これにより、露光の位置精度を高めることができる。

また、本実施の形態においては、第１マスク１１１と第１レジスト層６５ａとの間に第１フィルム１１４ａを介在させることにより、第１レジスト層６５ａの一部が残留レジストとして第１マスク１１１に付着することを抑制することができる。これにより、その後の第１露光工程が残留レジストによって阻害されてしまうことを抑制することができる。同様に、第２マスク１２１と第２レジスト層６５ｂとの間に第２フィルム１２４ａを介在させることにより、その後の第２露光工程が残留レジストによって阻害されてしまうことを抑制することができる。

なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、他の実施形態について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した実施の形態において得られる作用効果が他の実施形態においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。

図１５Ａ乃至図１７を参照して、露光装置７２及び露光方法の一実施形態について説明する。図１５Ａは、露光装置７２の一実施形態を示す図である。図１６は、図１５Ａの露光装置７２を用いて積層体６３に光を照射する様子を示す図である。図１７は、図１６に示す工程の後、第１フィルム１１４ａ、第２フィルム１２４ａ及び積層体６３を搬送する様子を示す図である。

上述の実施の形態においては、露光工程の際に積層体６３の端が、第１方向Ｄ１において第１マスク１１１の端よりも内側に位置している例を示した。言い換えると、第１方向Ｄ１における積層体６３の寸法が、露光装置７２が１回の処理で処理可能な寸法以下の寸法を有する例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図１５Ａに示すように、積層体６３は、第１方向Ｄ１において、露光装置７２が１回の処理で処理可能な寸法を超える寸法を有していてもよい。この場合、積層体準備工程は、第１方向Ｄ１において積層体６３に張力を加えながら第１方向Ｄ１において積層体６３をガイドロール１３５ｃに沿って搬送して積層体６３を第１マスク１１１と第２マスク１２１との間に供給する工程を含む。

図１５Ｂは、図１５Ａに示す第１マスク１１１、第１フィルム１１４ａ及び積層体６３を、基材６４の面方向の法線方向に沿って見た場合の一例を示す図である。第１方向Ｄ１において、積層体６３は、第１マスク１１１の一対の端１１１ａよりも外側にまで延びていてもよい。

図１５Ａに示す露光装置７２を用いる場合も、上述の実施の形態の場合と同様に、第１フィルム供給機構１１４は、第１方向Ｄ１において第１フィルム１１４ａに張力を加えることにより、第１フィルム１１４ａを第１マスク１１１と積層体６３の第１レジスト層６５ａとの間に供給する。また、第２フィルム供給機構１２４は、第１方向Ｄ１において第２フィルム１２４ａに張力を加えることにより、第２フィルム１２４ａを第２マスク１２１と積層体６３の第２レジスト層６５ｂとの間に供給する。

続いて、図１６に示すように、フィルムを介して露光マスクを積層体６３のレジスト層に押し付ける押し付け工程を実施する。具体的には、上述の実施の形態の場合と同様に、第１方向Ｄ１を有する第１フィルム１１４ａのうち積層体６３の第１レジスト層６５ａと第１マスク１１１との間に位置する第１介在領域１１４ｘを介して第１マスク１１１を第１レジスト層６５ａに押し付ける。また、第１方向Ｄ１を有する第２フィルム１２４ａのうち積層体６３の第２レジスト層６５ｂと第２マスク１２１との間に位置する第２介在領域１２４ｘを介して第２マスク１２１を第２レジスト層６５ｂに押し付ける。例えば、移動機構１３２が、第１マスク１１１を支持する第１枠１１３ａ及び第１フィルム１１４ａを支持する第３枠１３３ａを、積層体６３及び第２マスク１２１に向けて相対的に移動させることにより、押し付け工程が実現される。押し付け工程は、上述の実施の形態の場合と同様に、第１マスク接触工程、第１レジスト層接触工程、第２マスク接触工程、第２レジスト層接触工程などを含んでいてもよい。

続いて、図１６に示すように、第１マスク１１１及び第１フィルム１１４ａの第１介在領域１１４ｘを介して第１レジスト層６５ａに光Ｌ１を照射する第１露光工程を実施する。また、第２マスク１２１及び第２フィルム１２４ａの第２介在領域１２４ｘを介して第２レジスト層６５ｂに光Ｌ２を照射する第２露光工程を実施する。

続いて、図１７に示すように、移動機構１３２を用いて、第１フィルム１１４ａを第１レジスト層６５ａから分離させる分離工程を実施する。これにより、図１７に示すように、第２フィルム１２４ａも第２レジスト層６５ｂから分離する。また、第１方向Ｄ１において第１フィルム１１４ａを、少なくとも第１方向Ｄ１における第１介在領域１１４ｘの寸法以上の距離にわたって搬送する第１搬送工程を実施する。また、第１方向Ｄ１において第２フィルム１２４ａを、少なくとも第１方向Ｄ１における第２介在領域１２４ｘの寸法以上の距離にわたって搬送する第２搬送工程を実施する。また、第１方向Ｄ１において積層体６３に張力を加えて、積層体６３のうち１回の露光処理によって露光された領域を、第１マスク１１１と第２マスク１２１の間の位置よりも外側へ搬送する積層体搬送工程を実施する。

その後、上述の押し付け工程、第１露光工程、第２露光工程、分離工程、第１搬送工程、第２搬送工程、積層体搬送工程を繰り返し実施する。これによって、第１方向Ｄ１に沿って延びる積層体６３の第１レジスト層６５ａ及び第２レジスト層６５ｂの各領域を第１方向Ｄ１に沿って順次露光することができる。

本実施形態においても、上述の実施の形態の場合と同様に、露光処理の際、第１マスク１１１が第１フィルム１１４ａを介して積層体６３の第１レジスト層６５ａに押し付けられ、また、第２マスク１２１が第２フィルム１２４ａを介して積層体６３の第２レジスト層６５ｂに押し付けられる。このため、露光の際、第１レジスト層６５ａに対する第１マスク１１１の位置、及び第２レジスト層６５ｂに対する第２マスク１２１の位置を安定に定めることができる。これにより、露光の位置精度を高めることができる。

また、本実施形態においても、第１マスク１１１と第１レジスト層６５ａとの間に第１フィルム１１４ａを介在させることにより、第１レジスト層６５ａの一部が残留レジストとして第１マスク１１１に付着することを抑制することができる。これにより、その後の第１露光工程が残留レジストによって阻害されてしまうことを抑制することができる。同様に、第２マスク１２１と第２レジスト層６５ｂとの間に第２フィルム１２４ａを介在させることにより、その後の第２露光工程が残留レジストによって阻害されてしまうことを抑制することができる。

次に、図１８乃至図２０を参照して、露光装置７２及び露光方法のその他の実施形態について説明する。図１８は、露光装置７２の一実施形態を示す図である。図１９は、図１８の露光装置７２を用いて積層体６３に光を照射する様子を示す図である。図２０は、図１９に示す工程の後、第１フィルム１１４ａを搬送する様子を示す図である。

本実施形態においては、図１８に示すように、基材６４の第１面６４ａには第１レジスト層６５ａが設けられているが、基材６４の第２面６４ｂにはレジスト層が設けられていない。また、基材６４及び第１レジスト層６５ａを含む積層体６３は、１回の処理で処理可能な寸法以下の寸法を有している。

本実施形態においても、上述の実施の形態の場合と同様に、第１フィルム供給機構１１４は、第１方向Ｄ１において第１フィルム１１４ａに張力を加えることにより、第１フィルム１１４ａを第１マスク１１１と積層体６３の第１レジスト層６５ａとの間に供給する。続いて、図１９に示すように、第１方向Ｄ１を有する第１フィルム１１４ａのうち積層体６３の第１レジスト層６５ａと第１マスク１１１との間に位置する第１介在領域１１４ｘを介して、第１マスク１１１を第１レジスト層６５ａに押し付ける押し付け工程を実施する。例えば、移動機構１３２が、積層体６３を支持する支持台１３１を第１フィルム１１４ａ及び第１マスク１１１に向けて相対的に移動させることにより、押し付け工程が実現される。押し付け工程は、上述の実施の形態の場合における第１マスク接触工程、第１レジスト層接触工程などを含んでいてもよい。

続いて、図１９に示すように、第１マスク１１１及び第１フィルム１１４ａの第１介在領域１１４ｘを介して第１レジスト層６５ａに光Ｌ１を照射する第１露光工程を実施する。

続いて、図２０に示すように、移動機構１３２を用いて、第１フィルム１１４ａを第１レジスト層６５ａから分離させる分離工程を実施する。また、第１方向Ｄ１において第１フィルム１１４ａを、少なくとも第１方向Ｄ１における第１介在領域１１４ｘの寸法以上の距離にわたって搬送する第１搬送工程を実施する。

その後、上述の押し付け工程、第１露光工程、分離工程、第１搬送工程を繰り返し実施する。これによって、複数の積層体６３の第１レジスト層６５ａを順次露光することができる。

本実施形態においても、上述の実施の形態の場合と同様に、露光処理の際、第１マスク１１１が第１フィルム１１４ａを介して積層体６３の第１レジスト層６５ａに押し付けられる。また、積層体６３の基材６４の第２面６４ｂ側は、支持台１３１によって支持されている。このため、露光の際、第１レジスト層６５ａに対する第１マスク１１１の位置を安定に定めることができる。これにより、露光の位置精度を高めることができる。

また、本実施形態においても、第１マスク１１１と第１レジスト層６５ａとの間に第１フィルム１１４ａを介在させることにより、第１レジスト層６５ａの一部が残留レジストとして第１マスク１１１に付着することを抑制することができる。これにより、その後の第１露光工程が残留レジストによって阻害されてしまうことを抑制することができる。

次に、図２１乃至図２３を参照して、露光装置７２及び露光方法のその他の実施形態について説明する。図２１は、露光装置７２の一実施形態を示す図である。図２２は、図２１の露光装置７２を用いて積層体６３に光を照射する様子を示す図である。図２３は、図２２に示す工程の後、第１フィルム１１４ａ及び積層体６３を搬送する様子を示す図である。

本実施形態においては、図２１に示すように、基材６４の第１面６４ａには第１レジスト層６５ａが設けられているが、基材６４の第２面６４ｂにはレジスト層が設けられていない。また、基材６４及び第１レジスト層６５ａを含む積層体６３は、第１方向Ｄ１において、露光装置７２が１回の処理で処理可能な寸法を超える寸法を有している。この場合、積層体準備工程は、第１方向Ｄ１において積層体６３に張力を加えながら第１方向Ｄ１において積層体６３をガイドロール１３５ｃに沿って搬送して積層体６３を第１マスク１１１とダイアフラム１３４との間に供給する工程を含む。

本実施形態においても、上述の実施の形態の場合と同様に、第１フィルム供給機構１１４は、第１方向Ｄ１において第１フィルム１１４ａに張力を加えることにより、第１フィルム１１４ａを第１マスク１１１と積層体６３の第１レジスト層６５ａとの間に供給する。続いて、図２２に示すように、第１方向Ｄ１を有する第１フィルム１１４ａのうち積層体６３の第１レジスト層６５ａと第１マスク１１１との間に位置する第１介在領域１１４ｘを介して、第１マスク１１１を第１レジスト層６５ａに押し付ける押し付け工程を実施する。例えば、移動機構１３２が、ダイアフラム１３４及び積層体６３を支持するガイドロール１３５ｃを第１フィルム１１４ａ及び第１マスク１１１に向けて相対的に移動させることにより、押し付け工程が実現される。押し付け工程は、上述の実施の形態の場合における第１マスク接触工程、第１レジスト層接触工程などを含んでいてもよい。

続いて、図２２に示すように、第１マスク１１１及び第１フィルム１１４ａの第１介在領域１１４ｘを介して第１レジスト層６５ａに光Ｌ１を照射する第１露光工程を実施する。

続いて、図２３に示すように、移動機構１３２を用いて、第１フィルム１１４ａを第１レジスト層６５ａから分離させる分離工程を実施する。また、第１方向Ｄ１において第１フィルム１１４ａを、少なくとも第１方向Ｄ１における第１介在領域１１４ｘの寸法以上の距離にわたって搬送する第１搬送工程を実施する。また、第１方向Ｄ１において積層体６３に張力を加えて、積層体６３のうち１回の露光処理によって露光された領域を、第１マスク１１１とダイアフラム１３４の間の位置よりも外側へ搬送する積層体搬送工程を実施する。

その後、上述の押し付け工程、第１露光工程、分離工程、第１搬送工程、積層体搬送工程を繰り返し実施する。これによって、第１方向Ｄ１に沿って延びる積層体６３の第１レジスト層６５ａの各領域を第１方向Ｄ１に沿って順次露光することができる。

本実施形態においても、上述の実施の形態の場合と同様に、露光処理の際、第１マスク１１１が第１フィルム１１４ａを介して積層体６３の第１レジスト層６５ａに押し付けられる。また、積層体６３の基材６４の第２面６４ｂ側は、ダイアフラム１３４によって支持されている。このため、露光の際、第１レジスト層６５ａに対する第１マスク１１１の位置を安定に定めることができる。これにより、露光の位置精度を高めることができる。

また、本実施形態においても、第１マスク１１１と第１レジスト層６５ａとの間に第１フィルム１１４ａを介在させることにより、第１レジスト層６５ａの一部が残留レジストとして第１マスク１１１に付着することを抑制することができる。これにより、その後の第１露光工程が残留レジストによって阻害されてしまうことを抑制することができる。

なお、上述した一実施形態に対するいくつかの他の実施形態を説明してきたが、当然に、複数の実施形態を適宜組み合わせて適用することも可能である。

Claims (19)

1. 露光方法であって、
   第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を有する基材と、前記基材の前記第１面上にある第１レジスト層と、を含む積層体を準備する積層体準備工程と、
   第１方向を有する第１フィルムを介して第１マスクを前記積層体の前記第１レジスト層に押し付ける押し付け工程と、
   前記第１マスク及び前記第１フィルムを介して前記第１レジスト層に光を照射する第１露光工程と、
   前記第１フィルムを前記第１レジスト層から分離させる分離工程と、を備える、露光方法。
2. 前記積層体準備工程は、レジストの材料を含む溶液を前記基材の前記第１面側に塗布する工程を備える、請求項１に記載の露光方法。
3. 前記分離工程の後、前記第１方向において前記第１フィルムを搬送する工程を備える、請求項１又は２に記載の露光方法。
4. 前記押し付け工程は、前記第１方向において前記第１フィルムに張力を加えた状態で実施される、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の露光方法。
5. 前記押し付け工程は、前記第１フィルムを前記第１マスクに接触させる第１マスク接触工程と、前記第１マスクに接触している前記第１フィルムを介して第１露光マスクを前記第１レジスト層に押し付ける第１レジスト層接触工程と、を含む、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の露光方法。
6. 前記第１マスク接触工程は、前記第１フィルムと前記第１マスクとの間の空間の圧力を大気圧以下にする工程を含む、請求項５に記載の露光方法。
7. 前記第１レジスト層接触工程は、前記第１フィルムと前記第１レジスト層との間の空間の圧力を大気圧以下にする工程を含む、請求項５又は６に記載の露光方法。
8. 前記積層体は、前記基材の前記第２面上の第２レジスト層を含み、
   前記露光方法は、
   前記第１方向を有する第２フィルムを介して第２マスクを前記積層体の前記第２レジスト層に押し付ける工程と、
   前記第２マスク及び前記第２フィルムを介して前記第２レジスト層に光を照射する第２露光工程と、を備える、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の露光方法。
9. 前記積層体の端は、前記第１方向において、前記第１マスクの端よりも内側に位置する、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の露光方法。
10. 前記積層体準備工程は、前記第１方向において前記積層体に張力を加えながら前記第１方向において前記積層体を搬送する工程を含む、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の露光方法。
11. 前記第１レジスト層は、ポジ型の感光材を含む、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の露光方法。
12. 前記第１レジスト層は、ネガ型の感光材を含む、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の露光方法。
13. 複数の貫通孔を有する蒸着マスクを製造する方法であって、
    金属板からなる基材であって、前記基材の第１面に第１レジスト層がある前記基材を準備する工程と、
    請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の露光方法で前記第１レジスト層を露光する露光工程と、
    露光された前記第１レジスト層を現像する工程と、
    前記基材のうち前記第１レジスト層によって覆われていない領域をエッチングする工程と、を備える、蒸着マスクの製造方法。
14. 積層体に光を照射する露光装置であって、
    前記積層体は、第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を有する基材と、前記基材の前記第１面上にある第１レジスト層と、を少なくとも含み、
    前記露光装置は、
    前記積層体の前記第１レジスト層の少なくとも一部と重なる第１マスクと、
    第１フィルムを第１方向において搬送し、前記第１フィルムを前記積層体の前記第１レジスト層と前記第１マスクとの間に供給する第１フィルム供給機構と、
    前記第１フィルムを介して前記第１マスクが前記積層体の前記第１レジスト層に押し付けられ、その後、前記第１フィルムが前記第１レジスト層から分離するよう、前記積層体に対して前記第１マスクを相対的に移動させる移動機構と、
    前記第１マスク及び前記第１フィルムを介して前記第１レジスト層に光を照射する第１照射機構と、を備える、露光装置。
15. 前記移動機構は、前記第１フィルム供給機構が前記第１方向において前記第１フィルムに張力を加えた状態で前記第１フィルムを介して前記第１マスクを前記積層体の前記第１レジスト層に押し付ける、請求項１４に記載の露光装置。
16. 前記移動機構は、前記第１フィルムを前記第１マスクに接触させた状態で、前記第１マスクに接触している前記第１フィルムを介して第１露光マスクを前記第１レジスト層に押し付ける、請求項１４又は１５に記載の露光装置。
17. 前記第１フィルムと前記第１マスクとの間の空間の圧力を大気圧以下にする第１マスク減圧機構を含む、請求項１４乃至１６のいずれか一項に記載の露光装置。
18. 前記第１フィルムと前記第１レジスト層との間の空間の圧力を大気圧以下にする積層体減圧機構を含む、請求項１４乃至１７のいずれか一項に記載の露光装置。
19. 前記積層体は、前記基材の前記第２面にある第２レジスト層を含み、
    前記露光装置は、
    前記積層体の前記第２レジスト層の少なくとも一部と重なる第２マスクと、
    第２フィルムを前記第１方向において搬送し、前記第２フィルムを前記積層体の前記第２レジスト層と前記第２マスクとの間に供給する第２フィルム供給機構と、
    前記第２マスク及び前記第２フィルムを介して前記第２レジスト層に光を照射する第２照射機構と、を有し、
    前記移動機構は、前記第２フィルムを介して前記第２マスクが前記積層体の前記第２レジスト層に押し付けられ、その後、前記第２フィルムが前記第２レジスト層から分離するよう、前記積層体に対して前記第２マスクを相対的に移動させる、請求項１４乃至１８のいずれか一項に記載の露光装置。