TWI783447B - 蒸鍍遮罩之製造方法、分割附加有蒸鍍遮罩之中間製品、以及蒸鍍遮罩 - Google Patents

蒸鍍遮罩之製造方法、分割附加有蒸鍍遮罩之中間製品、以及蒸鍍遮罩 Download PDF

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Abstract

[課題]製造一種對於長邊之變形作了抑制的蒸鍍遮罩。 [解決手段]蒸鍍遮罩之製造方法，係具備有：準備金屬板之工程；和將金屬板加工為具備有複數之蒸鍍遮罩部分和支持部分的中間製品之加工工程，其中，該蒸鍍遮罩部分，係包含有一對的長邊以及一對的短邊並且被形成有複數之貫通孔，該支持部分，係包圍複數之蒸鍍遮罩部分並且被與複數之蒸鍍遮罩部分的短邊部分性地作連接；和將蒸鍍遮罩部分從支持部分而分離並得到蒸鍍遮罩之分離工程。在中間製品中，蒸鍍遮罩部分之長邊，係並未被與支持部分作連接。

Description

蒸鍍遮罩之製造方法、分割附加有蒸鍍遮罩之中間製品、以及蒸鍍遮罩
[0001] 本發明，係有關於蒸鍍遮罩及蒸鍍遮罩之製造方法。又，本發明，係有關於用以製作蒸鍍遮罩之中間製品。
[0002] 近年來，對於在智慧型手機或平板型PC等之能夠攜帶的裝置中所使用之顯示裝置，係要求高精細度，例如要求像素密度係為400ppi以上。又，在能夠攜帶的裝置中，對於與超高畫質相對應一事的需求亦係提高，於此情況，係要求顯示裝置之像素密度例如為800ppi以上。 [0003] 在顯示裝置之中，起因於回應性之良好、消耗電力為低以及對比為高的因素，有機EL顯示裝置係備受矚目。作為形成有機EL顯示裝置之像素的方法，係周知有：使用被形成有以所期望之圖案來作了配列的貫通孔之蒸鍍遮罩來以所期望之圖案而形成像素的方法。具體而言，首先，係相對於有機EL顯示裝置用之基板，而使蒸鍍遮罩作密著，接著，將相互密著了的蒸鍍遮罩以及基板一同投入至蒸鍍裝置中，而進行將有機材料蒸鍍在基板上之蒸鍍工程。藉由此，係能夠以與蒸鍍遮罩之貫通孔的圖案相對應之圖案，來在基板上形成包含有機材料之像素。 [0004] 在蒸鍍工程中，蒸鍍遮罩，係被固定在具備有特定之剛性的框架處。例如，當蒸鍍遮罩為具備有一對之長邊以及一對之短邊的情況時，蒸鍍遮罩，係於被朝向長邊之方向作了拉張的狀態下而被固定在框架處。藉由此，來對於蒸鍍遮罩撓折的情形作抑制，而能夠將像素之尺寸精確度及位置精確度提高。 [0005] 作為蒸鍍遮罩之製造方法，例如係如同在專利文獻1中所揭示一般，周知有藉由使用有光微影技術之蝕刻來在金屬板上形成貫通孔的方法。例如，首先，係在金屬板之第1面上，藉由曝光、顯像處理來形成第1光阻圖案，並在金屬板之第2面上，藉由曝光、顯像處理來形成第2光阻圖案。接著，對於金屬板之第1面中的並未被第1光阻圖案所覆蓋之區域進行蝕刻，而在金屬板之第1面上形成第1開口部。之後，對於金屬板之第2面中的並未被第2光阻圖案所覆蓋之區域進行蝕刻，而在金屬板之第2面上形成第2開口部。此時，藉由以使第1開口部會與第2開口部相通的方式來進行蝕刻，係能夠形成貫通金屬板之貫通孔。 [0006] 作為有效率地製造蒸鍍遮罩之方法，係周知有下述之方法：首先，係準備具備有相當於複數之蒸鍍遮罩之面積的金屬板，接著，在金屬板上形成應被形成於複數之蒸鍍遮罩處之多數的貫通孔，之後，將各個的蒸鍍遮罩從金屬板而拔出。例如，在專利文獻1中，係藉由沿著破斷線來將金屬板切斷，而將蒸鍍遮罩從金屬板拔出。在專利文獻1中，破斷線，係為以與蒸鍍遮罩之長邊以及短邊相對應的圖案而被形成於金屬板上之縫線狀痕跡。 [先前技術文獻] [專利文獻] [0007] [專利文獻1]日本特開2015-55007號公報
[發明所欲解決之課題] [0008] 在使縫線狀痕跡破斷時，係將蒸鍍遮罩從金屬板而拉張，起因於此，可以推測到，金屬板係會變形。例如，在蒸鍍遮罩之長邊處，係可能會出現像是波浪起伏等的變形。其結果，通過位置於蒸鍍遮罩之長邊的近旁處之貫通孔而附著在基板上的蒸鍍材料之尺寸精確度和位置精確度係會降低。 [0009] 本發明，係以提供一種能夠有效地解決此種課題的蒸鍍遮罩之製造方法一事作為目的。 [用以解決課題之手段] [0010] 本發明，係為一種蒸鍍遮罩之製造方法，其係為包含有一對的長邊以及一對的短邊並且被形成有複數之貫通孔的蒸鍍遮罩之製造方法，其特徵為，係具備有：準備金屬板之工程；和將前述金屬板加工為具備有複數之蒸鍍遮罩部分和支持部分的中間製品之加工工程，其中，該蒸鍍遮罩部分，係包含有一對的長邊以及一對的短邊並且被形成有複數之貫通孔，該支持部分，係包圍前述複數之蒸鍍遮罩部分並且被與前述複數之蒸鍍遮罩部分的前述短邊部分性地作連接；和將前述蒸鍍遮罩部分從前述支持部分而分離並得到前述蒸鍍遮罩之分離工程，在前述中間製品中，前述蒸鍍遮罩部分之前述長邊，係並未被與前述支持部分作連接。 [0011] 本發明，係為一種蒸鍍遮罩之製造方法，其係為包含有一對的長邊以及一對的短邊並且被形成有複數之貫通孔的蒸鍍遮罩之製造方法，其特徵為，係具備有：準備金屬板之工程；和將前述金屬板加工為具備有複數之蒸鍍遮罩部分和支持部分的中間製品之加工工程，其中，該蒸鍍遮罩部分，係包含有一對的長邊以及一對的短邊並且被形成有複數之貫通孔，該支持部分，係包圍前述複數之蒸鍍遮罩部分並且被與前述複數之蒸鍍遮罩部分部分性地作連接；和將前述蒸鍍遮罩部分從前述支持部分而分離並得到前述蒸鍍遮罩之分離工程，在前述中間製品中，前述蒸鍍遮罩部分之前述長邊中的被與前述支持部分作連接之場所的比例，係較前述蒸鍍遮罩部分之前述短邊中的被與前述支持部分作連接之場所的比例而更小。 係亦可構成為：前述蒸鍍遮罩部分之前述長邊中的被與前述支持部分作連接之場所的比例，係藉由將前述長邊中之被與前述支持部分作連接的部份之寬幅的總和除以前述長邊之長度而算出，前述蒸鍍遮罩部分之前述短邊中的被與前述支持部分作連接之場所的比例，係藉由將前述短邊中之被與前述支持部分作連接的部份之寬幅的總和除以前述短邊之長度而算出。 或者是，係亦可構成為：前述蒸鍍遮罩部分之前述長邊中的被與前述支持部分作連接之場所的比例，係藉由將前述長邊中之被與前述支持部分作連接的部份之個數除以前述長邊之長度而算出，前述蒸鍍遮罩部分之前述短邊中的被與前述支持部分作連接之場所的比例，係藉由將前述短邊中之被與前述支持部分作連接的部份之個數除以前述短邊之長度而算出。 [0012] 在由本發明所致之蒸鍍遮罩之製造方法中，較理想，前述蒸鍍遮罩部分之前述長邊中的在沿著前述中間製品之寬幅方向而對於前述長邊作觀察的情況時會與前述貫通孔相重疊之區域，係並未被與前述支持部分作連接。更理想，前述蒸鍍遮罩部分之前述長邊的全部區域，係並未被與前述支持部分作連接。 [0013] 在由本發明所致之蒸鍍遮罩之製造方法中，係亦可構成為：在前述中間製品中，前述蒸鍍遮罩部分之前述短邊，係包含有朝向前述支持部分而突出並且被與前述支持部分作連接之複數之凸部。 [0014] 在由本發明所致之蒸鍍遮罩之製造方法中，係亦可構成為：在前述中間製品中，前述複數之蒸鍍遮罩部分，係在與前述長邊相交叉之方向上而並排，在相鄰之2個的前述蒸鍍遮罩部分之前述長邊之間，係並不存在有前述支持部分。 [0015] 在由本發明所致之蒸鍍遮罩之製造方法中，係亦可構成為：前述加工工程，係包含有對於前述金屬板進行蝕刻，而形成前述貫通孔、以及前述蒸鍍遮罩部分之前述長邊與前述支持部分之間的間隙之工程。 [0016] 在由本發明所致之蒸鍍遮罩之製造方法中，係亦可構成為：在前述加工工程中，係一面沿著前述蒸鍍遮罩部分之前述長邊之方向來搬送前述金屬板，一面對於前述金屬板進行加工。 [0017] 在由本發明所致之蒸鍍遮罩之製造方法中，係亦可構成為：在前述分離工程中，係藉由將前述蒸鍍遮罩部分之前述短邊中的被與前述支持部分作連接之場所破斷，來將前述蒸鍍遮罩部分從前述支持部分而分離。 [0018] 在由本發明所致之蒸鍍遮罩之製造方法中，係亦可構成為：前述金屬板之厚度，係為50μm以下。 [0019] 本發明，係為一種中間製品，其係為被分割附加有包含一對之長邊以及一對之短邊並且被形成有複數之貫通孔的蒸鍍遮罩之金屬製之板狀之中間製品，其特徵為，係具備有：蒸鍍遮罩部分，係包含有一對的長邊以及一對的短邊並且被形成有複數之貫通孔；和支持部分，係包圍前述蒸鍍遮罩部分並且被與前述蒸鍍遮罩部分的前述短邊部分性地作連接，前述蒸鍍遮罩部分之前述長邊，係並未被與前述支持部分作連接。 [0020] 本發明，係為一種中間製品，其係為被分割附加有包含一對之長邊以及一對之短邊並且被形成有複數之貫通孔的蒸鍍遮罩之金屬製之板狀之中間製品，其特徵為，係具備有：蒸鍍遮罩部分，係包含有一對的長邊以及一對的短邊並且被形成有複數之貫通孔；和支持部分，係包圍前述蒸鍍遮罩部分並且被與前述蒸鍍遮罩部分部分性地作連接，前述蒸鍍遮罩部分之前述長邊中的被與前述支持部分作連接之場所的比例，係較前述蒸鍍遮罩部分之前述短邊中的被與前述支持部分作連接之場所的比例而更小。 係亦可構成為：前述蒸鍍遮罩部分之前述長邊中的被與前述支持部分作連接之場所的比例，係藉由將前述長邊中之被與前述支持部分作連接的部份之寬幅的總和除以前述長邊之長度而算出，前述蒸鍍遮罩部分之前述短邊中的被與前述支持部分作連接之場所的比例，係藉由將前述短邊中之被與前述支持部分作連接的部份之寬幅的總和除以前述短邊之長度而算出。 或者是，係亦可構成為：前述蒸鍍遮罩部分之前述長邊中的被與前述支持部分作連接之場所的比例，係藉由將前述長邊中之被與前述支持部分作連接的部份之個數除以前述長邊之長度而算出，前述蒸鍍遮罩部分之前述短邊中的被與前述支持部分作連接之場所的比例，係藉由將前述短邊中之被與前述支持部分作連接的部份之個數除以前述短邊之長度而算出。 [0021] 在由本發明所致之中間製品中，較理想，前述蒸鍍遮罩部分之前述長邊中的在沿著前述中間製品之寬幅方向而對於前述長邊作觀察的情況時會與前述貫通孔相重疊之區域，係並未被與前述支持部分作連接。更理想，前述蒸鍍遮罩部分之前述長邊的全部區域，係並未被與前述支持部分作連接。 [0022] 在由本發明所致之中間製品中，係亦可構成為：前述蒸鍍遮罩部分之前述短邊，係包含有朝向前述支持部分而突出並且被與前述支持部分作連接之複數之凸部。 [0023] 在由本發明所致之中間製品中，係亦可構成為：前述蒸鍍遮罩部分以及前述支持部分之厚度，係為50μm以下。 [0024] 在由本發明所致之中間製品中，係亦可構成為：前述複數之蒸鍍遮罩部分，係在與前述長邊相交叉之方向上而並排，在相鄰之2個的前述蒸鍍遮罩部分之前述長邊之間，係並不存在有前述支持部分。 [0025] 本發明，係為一種蒸鍍遮罩，其特徵為，係具備有：金屬製之板狀之基材，係包含有一對之長邊以及一對之短邊；和複數之貫通孔，係被形成於前述基材上，在前述基材之前述短邊處，係部分性地存在有破斷面，另一方面，在前述基材之前述長邊處，係並不存在有破斷面。 [0026] 本發明，係為一種蒸鍍遮罩，其特徵為，係具備有：金屬製之板狀之基材，係包含有一對之長邊以及一對之短邊；和複數之貫通孔，係被形成於前述基材上，在前述基材之前述長邊處的破斷面之比例，係較在前述基材之前述短邊處的破斷面之比例而更小。 係亦可構成為：前述基材之前述長邊處的破斷面之比例，係藉由將存在於前述長邊處之前述破斷面之寬幅的總和除以前述長邊之長度而算出，前述基材之前述短邊處的破斷面之比例，係藉由將存在於前述短邊處之前述破斷面之寬幅的總和除以前述短邊之長度而算出。 或者是，係亦可構成為：前述基材之前述長邊處的破斷面之比例，係藉由將存在於前述長邊處之前述破斷面之個數除以前述長邊之長度而算出，前述基材之前述短邊處的破斷面之比例，係藉由將存在於前述短邊處之前述破斷面之個數除以前述短邊之長度而算出。 [0027] 在由本發明所致之蒸鍍遮罩中，較理想，前述破斷面，係並不存在於在沿著前述蒸鍍遮罩之寬幅方向而對於前述長邊作觀察的情況時會與前述貫通孔相重疊之區域處。更理想，在前述基材之前述長邊處，係涵蓋全部區域地而並不存在有破斷面。 [0028] 在由本發明所致之蒸鍍遮罩中，係亦可構成為：前述基材之前述短邊，係包含有朝向外側而突出並且具備前述破斷面之複數之凸部。 [0029] 在由本發明所致之蒸鍍遮罩中，係亦可構成為：從前述基材之前述長邊起直到前述貫通孔為止的在前述基材之面方向上之最短距離，係為50μm以下。 [0030] 在由本發明所致之蒸鍍遮罩中，係亦可構成為：前述基材，係具備有與通過了前述貫通孔的蒸鍍材料所附著之基板相對面之第1面、和位置於前述第1面之相反側處之第2面，前述基材之前述長邊，係具備有在與前述第1面相交之部分處而最為朝向外側突出的剖面形狀。 [0031] 在由本發明所致之蒸鍍遮罩中，係亦可構成為：前述基材之厚度，係為50μm以下。 [發明之效果] [0032] 若依據本發明，則係能夠製造一種對於長邊之變形作了抑制的蒸鍍遮罩。
[0034] 以下，參考圖面，針對本發明之其中一個實施形態作說明。另外，在本說明書所添附的圖面中，為了易於圖示並易於理解，係會適宜將縮尺以及縱橫之尺寸比等相對於實物而作變更並誇張化。 [0035] 圖1～圖22，係為用以對於本發明之其中一個實施形態作說明之圖。在以下之實施形態及其變形例中，係列舉出為了在製造有機EL顯示裝置時將有機材料以所期望之圖案來在基板上進行圖案化所使用的蒸鍍遮罩之製造方法為例，來進行說明。但是，係並不被限定於此種適用，而可對於被使用在各種的用途中之蒸鍍遮罩而適用本發明。 [0036] 另外，在本說明書中，「板」、「薄片」、「薄膜」之用語，係僅在稱呼上有所差異，而並非為相互明確作區別者。例如，「板」，係為亦包含有可被稱作薄片或薄膜之構件的概念。 [0037] 又，所謂「板面(薄片面、薄膜面)」，係指在對於成為對象之板狀(薄片狀、薄膜狀)的構件而全體性且綜觀性地作觀察的情況時之與成為對象之板狀構件(薄片狀構件、薄膜狀構件)的平面方向相互一致之面。又，所謂相對於板狀(薄片狀、薄膜狀)之構件所使用的法線方向，係指相對於該構件之板面(薄片面、薄膜面)的法線方向。 [0038] 進而，關於在本說明書中所使用的形狀與幾何學性之條件及物理性特性以及對於該些之程度作特定的例如「平行」、「正交」、「同一」、「同等」等之用語或者是長度和角度及物理性特性之值等，係並非為被限定於嚴密的定義中者，而係被解釋為亦包含有能夠期待有同樣之功能的範圍者， [0039] (蒸鍍裝置) 首先，針對實施使蒸鍍材料被蒸鍍在對象物上的蒸鍍處理之蒸鍍裝置90，參考圖1來作說明。如同圖1中所示一般，蒸鍍裝置90，係於其之內部，具備有蒸鍍源(例如坩堝94)、加熱器96以及蒸鍍遮罩裝置10。又，蒸鍍裝置90，係更進而具備有用以將蒸鍍裝置90之內部設為真空氛圍之排氣手段。坩堝94，係收容有機發光材料等之蒸鍍材料98。加熱器96，係加熱坩堝94，並在真空氛圍下使蒸鍍材料98蒸發。蒸鍍遮罩裝置10，係以與坩堝94相對向的方式而被作配置。 [0040] (蒸鍍遮罩裝置) 以下，針對蒸鍍遮罩裝置10作說明。如同圖1中所示一般，蒸鍍遮罩裝置10，係具備有蒸鍍遮罩20、和支持蒸鍍遮罩20之框架15。框架15，係以不會使蒸鍍遮罩20撓折的方式，而將蒸鍍遮罩20以朝向其之面方向作了拉張的狀態來作支持。蒸鍍遮罩裝置10，係如同圖1中所示一般，以使蒸鍍遮罩20會與身為使蒸鍍材料98作附著之對象物的基板、例如有機EL基板92相對面的方式，來配置在蒸鍍裝置90內。在以下之說明中，係將蒸鍍遮罩20之面中的有機EL基板92側之面，稱作第1面20a，並將位置於第1面20a之相反側處之面，稱作第2面20b。 [0041] 蒸鍍遮罩裝置10，係如同圖1中所示一般，亦可具備有被配置在有機EL基板92之與蒸鍍遮罩20相反側之面處的磁石93。藉由設置磁石93，來藉由磁力而將蒸鍍遮罩20拉向磁石93側，而能夠使蒸鍍遮罩20密著於有機EL基板92上。 [0042] 圖3，係為對於從蒸鍍遮罩20之第1面20a側來對於蒸鍍遮罩裝置10作了觀察的情況作展示之平面圖。如同圖3中所示一般，蒸鍍遮罩裝置10係具備有複數之蒸鍍遮罩20。各蒸鍍遮罩20，係包含一對之長邊26以及一對之短邊27，而例如具備有矩形狀之形狀。各蒸鍍遮罩20，係在一對之短邊27或者是其之近旁的部份處，例如藉由點熔接而被固定在框架15處。 [0043] 蒸鍍遮罩20，係包含被形成有貫通蒸鍍遮罩20之複數之貫通孔25的金屬製之板狀之基材。從坩堝94而蒸發並到達了蒸鍍遮罩裝置10處之蒸鍍材料98，係通過蒸鍍遮罩20之貫通孔25而附著在有機EL基板92上。藉由此，係能夠以與蒸鍍遮罩20之貫通孔25的位置相對應之所期望之圖案，來將蒸鍍材料98成膜在有機EL基板92之表面上。 [0044] 圖2，係為對於使用圖1之蒸鍍裝置90所製造出的有機EL顯示裝置100作展示之剖面圖。有機EL顯示裝置100，係具備有：有機EL基板92、和包含被設置為圖案狀的蒸鍍材料98之像素。 [0045] 另外，在想要進行由複數之顏色所致之彩色顯示的情況時，係分別準備搭載有與各色相對應之蒸鍍遮罩20之蒸鍍裝置90，並將有機EL基板92依序投入至各蒸鍍裝置90中。藉由此，例如，係能夠將紅色用之有機發光材料、綠色用之有機發光材料以及藍色用之有機發光材料，依序蒸鍍在有機EL基板92上。 [0046] 另外，蒸鍍處理，係會有在成為高溫氛圍之蒸鍍裝置90之內部而被實施的情況。於此情況，在蒸鍍處理的期間中，被保持於蒸鍍裝置90之內部的蒸鍍遮罩20、框架15以及有機EL基板92也會被加熱。此時，蒸鍍遮罩20、框架15以及有機EL基板92，係成為展現有基於各自之熱膨脹係數所致的尺寸變化之行為。於此情況，若是蒸鍍遮罩20和框架15與有機EL基板92之熱膨脹係數有大幅度之差異，則會發生起因於該些之尺寸變化之差異所導致的位置偏移，其結果，附著在有機EL基板92上的蒸鍍材料之尺寸精確度和位置精確度係會降低。 [0047] 為了解決此種課題，蒸鍍遮罩20以及框架15之熱膨脹係數，較理想，係身為與有機EL基板92之熱膨脹係數同等之值。例如，當作為有機EL基板92而使用有玻璃基板的情況時，作為蒸鍍遮罩20以及框架15之主要的材料，係可使用包含有鎳之鐵合金。例如，作為構成蒸鍍遮罩20之基材的材料，係可使用包含有30質量%以上且54質量%以下之鎳的鐵合金。作為包含有鎳之鐵合金的具體例，係可列舉出包含有34質量%以上且38質量%以下之鎳的恆範鋼材、包含有30質量%以上且34質量%以下之鎳並且更進而包含有鈷之超恆範鋼材、包含有38質量%以上且54質量%以下之鎳的低熱膨脹Fe-Ni系電鍍合金等。 [0048] 另外，在進行蒸鍍處理時，當蒸鍍遮罩20、框架15以及有機EL基板92之溫度並不會到達高溫的情況時，係並不特別需要將蒸鍍遮罩20以及框架15之熱膨脹係數設為與有機EL基板92之熱膨脹係數同等之值。於此情況，作為構成蒸鍍遮罩20之材料，係亦可使用上述之鐵合金以外的材料。例如，係亦可使用包含鉻的鐵合金等之上述之包含有鎳之鐵合金以外的鐵合金。作為包含有鉻之鐵合金，例如，係可使用被稱作所謂的不鏽鋼之鐵合金。又，係亦可使用鎳或鎳-鈷合金等之鐵合金以外的合金。 [0049] (蒸鍍遮罩) 接著，針對蒸鍍遮罩20作詳細說明。如同圖3中所示一般，蒸鍍遮罩20，係具備有包含蒸鍍遮罩20之一對之短邊27的一對之耳部(第1耳部17a以及第2耳部17b)、和位置於一對之耳部17a、17b之間之中間部18。 [0050] (耳部) 首先，針對耳部17a、17b作詳細說明。耳部17a、17b，係為蒸鍍遮罩20中之被固定於框架15處的部份。在本實施形態中，耳部17a、17b係被與中間部18作一體性的構成。另外，耳部17a、17b，係亦可藉由與中間部18相異之構件來構成之。於此情況，耳部17a、17b，例如係藉由熔接而被與中間部18作接合。 [0051] (中間部) 接下來，針對中間部18作說明。中間部18，係具備有：被形成有從第1面20a起而至第2面20b的貫通孔25之至少1個的有效區域22、和包圍有效區域22之周圍區域23。有效區域22，係為蒸鍍遮罩20中之與有機EL基板92之顯示區域相對面的區域。 [0052] 在圖3所示之例中，中間部18，係包含有沿著蒸鍍遮罩20之長邊26而空出有特定之間隔地所配列之複數之有效區域22。1個的有效區域22，係對應於1個的有機EL顯示裝置100之顯示區域。因此，若依據圖1中所示之蒸鍍遮罩裝置10，則係能夠進行有機EL顯示裝置100之多面蒸鍍。 [0053] 如同圖3中所示一般，有效區域22，例如，在平面觀察下係具備有略四角形形狀、更正確而言係在平面觀察下具備有略矩形狀的輪廓。另外，雖並未圖示，但是，各有效區域22，係可因應於有機EL基板92之顯示區域的形狀，而具備有各種之形狀的輪廓。例如，各有效區域22，係亦可具備有圓形狀之輪廓。 [0054] 以下，針對有效區域22作詳細說明。圖4，係為從蒸鍍遮罩20之第2面20b側來對於有效區域22作擴大展示之平面圖。如同圖4中所示一般，在圖示之例中，被形成於各有效區域22處的複數之貫通孔25，係在該有效區域22處，沿著相互正交之二個方向而分別以特定之節距被作配列。針對貫通孔25之其中一例，主要參考圖5～圖7來更進一步作詳細敘述。圖5～圖7，係分別為沿著圖4之有效區域22之V-V方向～VII-VII方向的剖面圖。 [0055] 如同圖5～圖7中所示一般，複數之貫通孔25，係從成為沿著蒸鍍遮罩20之法線方向N的其中一側之第1面20a起，朝向成為沿著蒸鍍遮罩20之法線方向N的另外一側之第2面20b作貫通。在圖示之例中，如同於後所詳細敘述一般，在成為蒸鍍遮罩20之法線方向N處的其中一側之基材21之第1面21a處，係藉由蝕刻而被形成有第1凹部30，在成為蒸鍍遮罩20之法線方向N處的另外一側之基材21之第2面21b處，係藉由蝕刻而被形成有第2凹部35。第1凹部30，係被與第2凹部35作連接，藉由此，第2凹部35和第1凹部30係以會相通的方式而被形成。貫通孔25，係藉由第2凹部35、和被與第2凹部35作連接之第1凹部30，而構成之。 [0056] 如同圖5～圖7中所示一般，隨著從蒸鍍遮罩20之第2面20b之側起朝向第1面20a之側，在沿著蒸鍍遮罩20之法線方向N的各位置處之於沿著蒸鍍遮罩20之板面的剖面處之各第2凹部35之開口面積，係逐漸地縮小。同樣的，隨著從蒸鍍遮罩20之第1面20a之側起朝向第2面20b之側，在沿著蒸鍍遮罩20之法線方向N的各位置處之於沿著蒸鍍遮罩20之板面的剖面處之各第1凹部30之開口面積，係逐漸地縮小。 [0057] 如同圖5～圖7中所示一般，第1凹部30之壁面31和第2凹部35之壁面36，係經由周狀之連接部41而被作連接。連接部41，係藉由使相對於蒸鍍遮罩20之法線方向N而有所傾斜的第1凹部30之壁面31和相對於蒸鍍遮罩20之法線方向N而有所傾斜的第2凹部35之壁面36相互匯合而成的膨出部之稜線，而被區劃出來。而，連接部41，係區劃出蒸鍍遮罩20之在平面觀察下而貫通孔25之開口面積會成為最小的貫通部42。 [0058] 如同圖5～圖7中所示一般，在沿著蒸鍍遮罩20之法線方向N的另外一側之面、亦即是在蒸鍍遮罩20之第1面20a上，相鄰之2個的貫通孔25，係沿著蒸鍍遮罩20之板面而彼此相互分離。亦即是，當如同後述之製造方法一般地而從以對應於蒸鍍遮罩20之第1面20a之方式所成的基材21之第1面21a側起來對於該基材21進行蝕刻並製作第1凹部30的情況時，在相鄰之2個的第1凹部30之間係成為殘存有基材21之第1面21a。 [0059] 同樣的，如同圖5～圖7中所示一般，在沿著蒸鍍遮罩20之法線方向N的其中外一側、亦即是在蒸鍍遮罩20之第2面20b之側處，亦同樣的，相鄰之2個的第2凹部35，係亦可沿著蒸鍍遮罩20之板面而彼此相互分離。亦即是，係亦可在相鄰之2個的第2凹部35之間而殘存有基材21之第2面21b。在以下之說明中，係將基材21之第2面21b的有效區域22中之並未被蝕刻而殘留的部份，亦稱作頂部43。藉由以會殘留有此種頂部43的方式來製作蒸鍍遮罩20，係能夠使蒸鍍遮罩20具有充分的強度。藉由此，例如係能夠對於在搬送中等而蒸鍍遮罩20發生破損的情形作抑制。另外，若是頂部43之寬幅β過大，則在蒸鍍工程中會產生陰影部，起因於此，係會有導致蒸鍍材料98之利用效率降低的情形。故而，較理想，係以不會使頂部43之寬幅β過度地變大的方式來製作蒸鍍遮罩20。例如，頂部43之寬幅β，係以身為2μm以下為理想。另外，頂部43之寬幅β，一般而言，係會因應於將蒸鍍遮罩20作切斷之方向而改變。例如，在圖5以及圖7中所示之頂部43之寬幅β，係會有互為相異的情形。於此情況，係亦能夠以不論是以何種之方向來將蒸鍍遮罩20切斷的情況時頂部43之寬幅β均會成為2μm以下的方式，來構成蒸鍍遮罩20。 [0060] 另外，如同圖6中所示一般，依存於場所，係亦能夠以會使相鄰之2個的第2凹部35相互連接的方式，來實施蝕刻。亦即是，係亦可存在有在相鄰之2個的第2凹部35之間而並未殘存有基材21之第2面21b的場所。又，雖並未圖示，但是，係亦能夠以會涵蓋第2面21b之全部區域地而使相鄰之2個的第2凹部35相互連接的方式，來實施蝕刻。 [0061] 在如同圖1中所示一般地將蒸鍍遮罩裝置10收容於蒸鍍裝置90中的情況時，如同在圖5中以二點鍊線所示一般，蒸鍍遮罩20之第1面20a係與有機EL基板92相對面，蒸鍍遮罩20之第2面20b係位置在將蒸鍍材料98作了保持的坩堝94側處。故而，蒸鍍材料98，係通過使開口面積逐漸縮小的第2凹部35而附著在有機EL基板92上。如同在圖5中以從第2面20b側起朝向第1面20a之箭頭所標示一般，蒸鍍材料98，係不僅是從坩堝94而朝向有機EL基板92來沿著有機EL基板92之法線方向N移動，而亦會有朝向相對於有機EL基板92之法線方向N而大幅度地作了傾斜的方向移動的情形。此時，若是蒸鍍遮罩20之厚度為大，則傾斜移動的蒸鍍材料98之多數，係在較通過貫通孔25而到達有機EL基板92處之前，便會到達第2凹部35之壁面36處並附著。故而，為了提高蒸鍍材料98之利用效率，可以推測到，較理想，係將蒸鍍遮罩20之厚度t縮小，藉由此，來將第2凹部35之壁面36和第1凹部30之壁面31的高度縮小。亦即是，可以說，較理想，作為用以構成蒸鍍遮罩20之基材21，係使用在能夠確保蒸鍍遮罩20之強度的範圍內而盡可能使厚度t為小的基材21。考慮到此點，在本實施形態中，較理想，蒸鍍遮罩20之厚度t，係為50μm以下，例如係設定為5μm以上並且50μm以下。另外，厚度t，係為周圍區域23之厚度，亦即是蒸鍍遮罩20中之並未被形成有第1凹部30以及第2凹部35的部份之厚度。故而，厚度t，亦可以說是基材21之厚度。 [0062] 在圖5中，通過「貫通孔25之成為具有最小開口面積之部分的連接部41」和「第2凹部35之壁面36之其他之任意的位置」之直線L1，其之相對於蒸鍍遮罩20之法線方向N所成的最小角度，係以元件符號θ1來作標示。為了使傾斜移動之蒸鍍材料98並不會到達壁面36地來盡可能到達有機EL基板92處，將角度θ1增大一事係為有利。為了將角度θ1增大，除了將蒸鍍遮罩20之厚度t縮小以外，將上述之頂部43之寬幅β縮小一事亦為有效。 [0063] 在圖7中，元件符號α，係代表基材21之第1面21a之有效區域22中的並未被蝕刻而殘留之部分(以下，亦稱作肋部)的寬幅。肋部之寬幅α以及貫通部42之尺寸r2 ，係因應於有機EL顯示裝置之尺寸以及顯示像素數而適宜被制定。例如，肋部之寬幅α，係為5μm以上並且40μm以下，貫通部42之尺寸r2 ，係為10μm以上並且60μm以下。 [0064] 雖並未特別限定，但是，由本實施形態所致之蒸鍍遮罩20，在製作具備有450ppi以上之像素密度之有機EL顯示裝置的情況時，係為特別有效。以下，參考圖8，針對為了製作此種高像素密度之有機EL顯示裝置所要求的蒸鍍遮罩20之尺寸的其中一例作說明。圖8，係為對於圖5中所示之蒸鍍遮罩20的貫通孔25及其近旁之區域作擴大展示之剖面圖。 [0065] 在圖8中，作為關連於貫通孔25之形狀的參數，係將從蒸鍍遮罩20之第1面20a起直到連接部41為止的在沿著蒸鍍遮罩20之法線方向N的方向上之距離、亦即是第1凹部30之壁面31的高度，以元件符號r1 來作標示。進而，係將在第1凹部30與第2凹部35作連接的部分處之第1凹部30之尺寸、亦即是貫通部42之尺寸，以元件符號r2 來作標示。又，在圖8中，係將連結「連接部41」和「在基材21之第1面21a上的第1凹部30之前端緣」的直線L2之相對於基材21之法線方向N所成之角度，以元件符號θ2來作標示。 [0066] 在製作具備有450ppi以上之像素密度之有機EL顯示裝置的情況時，貫通部42之尺寸r2 ，較理想，係設定為10μm以上並且60μm以下。藉由此，係可提供能夠製作高像素密度之有機EL顯示裝置的蒸鍍遮罩20。較理想，第1凹部30之壁面31之高度r1 ，係被設定為6μm以下。 [0067] 接著，針對圖8中所示之上述之角度θ2作說明。角度θ2，係相當於在以相對於基材21之法線方向N而傾斜並且在連接部41之近旁處通過貫通部42的方式所飛來的蒸鍍材料98中之能夠到達有機EL基板92處的蒸鍍材料98之傾斜角度的最大值。此係因為，通過連接部41並以較角度θ2而更大之傾斜角度所飛來的蒸鍍材料98，在到達有機EL基板92處之前便會附著於第1凹部30之壁面31上之故。故而，藉由將角度θ2縮小，係能夠對於以大的傾斜角度而飛來並通過貫通部42的蒸鍍材料98附著於有機EL基板92上之情形作抑制，藉由此，係能夠對於蒸鍍材料98附著在有機EL基板92中之較與貫通部42相重疊之部分而更外側之部分處的情形作抑制。亦即是，將角度θ2縮小一事，係有助於附著在有機EL基板92上之蒸鍍材料98的面積及厚度之參差的抑制。從此種觀點來看，例如，貫通孔25，係以使角度θ2會成為45度以下的方式而被形成。另外，在圖8中，係針對使在第1面21a處之第1凹部30的尺寸(亦即是在第1面21a處之貫通孔25之開口尺寸)成為較在連接部41處之第1凹部30之尺寸r2 而更大的例子作展示。亦即是，係針對角度θ2之值為正值的例子作了展示。然而，雖並未圖示，但是，在連接部41處之第1凹部30之尺寸r2 ，係亦可成為較在第1面21a處之第1凹部30的尺寸而更大。亦即是，角度θ2之值係亦可為負值。 [0068] 蒸鍍遮罩之製造方法 接著，針對製造蒸鍍遮罩20之方法作說明。 [0069] (金屬板之準備) 首先，準備用以製造蒸鍍遮罩之金屬板64。金屬板64，例如，係以藉由將長條狀之金屬板作捲繞所得到的卷之型態來準備之。作為金屬板64，例如，係使用由含有鎳的鐵合金所構成之金屬板。金屬板64之厚度，例如係為3μm，亦可為5μm以上，亦可為10μm以上。又，金屬板64之厚度，例如係為50μm以下，亦可為30μm以下，亦可為20μm以下。作為製作具備有所期望之厚度之金屬板64的方法，係可採用壓延法、電鍍成膜法等。 [0070] 接著，針對使用金屬板64來製造蒸鍍遮罩20之方法，主要參考圖9～圖22來作說明。在以下所說明的蒸鍍遮罩20之製造方法中，係如同圖9中所示一般，對於金屬板64進行加工，而在金屬板64處形成包含有貫通孔25之複數之蒸鍍遮罩部分(加工工程)，之後，將蒸鍍遮罩部分從金屬板64而分離(分離工程)，藉由此，係能夠得到單片狀之蒸鍍遮罩20。 [0071] (加工工程) 對於金屬板64進行加工之工程，係包含有：對於長條之金屬板64，施加使用有光微影技術之蝕刻，而對於金屬板64從第1面64a之側起來形成第1凹部30之工程、和對於金屬板64，施加使用有光微影技術之蝕刻，而對於金屬板64從第2面64b之側起來形成第2凹部35之工程。之後，藉由使被形成於金屬板64處之第1凹部30與第2凹部35相通，在金屬板64處係被製作出貫通孔25。在以下所說明之例中，係在第2凹部35之形成工程之前，實施第1凹部30之形成工程，並且，在第1凹部30之形成工程與第2凹部35之形成工程之間，實施將所製作出的第1凹部30密封之工程。以下，針對各工程之詳細內容作說明。 [0072] 在圖9中，係對於用以製作蒸鍍遮罩20之製造裝置60作展示。如同圖9中所示一般，首先，準備將金屬板64捲繞在芯61上的卷體62。之後，藉由使此芯61旋轉並將卷體62送出，來如同圖9中所示一般地供給延伸為帶狀之金屬板64。 [0073] 被作了供給的金屬板64，係藉由搬送滾輪72而被搬送至加工裝置(蝕刻手段)70處。藉由加工裝置70，而施加於圖10～圖17中所示之各處理。另外，在本實施形態中，係在金屬板64之寬幅方向上分割附加有複數之蒸鍍遮罩20。換言之，係以使從金屬板64而分離並成為蒸鍍遮罩20的後述之蒸鍍遮罩部分會在金屬板64之寬幅方向上作複數並排的方式，來對於金屬板64進行加工。於此情況，較理想，係以使蒸鍍遮罩部分(亦即是蒸鍍遮罩20)之長邊26的方向會與長條狀之金屬板64之長邊方向相互一致的方式，來將複數之蒸鍍遮罩20分割附加於金屬板64處。 [0074] 首先，如同圖10中所示一般，在金屬板64之第1面64a上以及第2面64b上，形成包含有負型之感光性光阻材料的光阻膜65c、65d。例如，在金屬板64之第1面64a上以及第2面64b上，塗佈包含有負型之感光性光阻材料的塗佈液，之後，藉由使塗佈液乾燥，而形成光阻膜65c、65d。 [0075] 接著，準備構成為不會使光透過光阻膜65c、65d中之想要除去之區域的曝光遮罩68a、68b，並將曝光遮罩68a、68b分別如同圖11中所示一般地來配置在光阻膜65c、65d上。作為曝光遮罩68a、68b，例如，係使用構成為不會使光透過光阻膜65c、65d中之想要除去之區域的玻璃乾板。之後，藉由真空密著來使曝光遮罩68a、68b充分地與光阻膜65c、65d相密著。 另外，作為感光性光阻材料，係亦可使用正型之光阻材料。於此情況，作為曝光遮罩，係使用構成為會使光透過光阻膜中之想要除去之區域的曝光遮罩。 [0076] 之後，隔著曝光遮罩68a、68b來對於光阻膜65c、65d進行曝光(曝光工程)。進而，為了在被作了曝光的光阻膜65c、65d上成像，而將光阻膜65c、65d顯像(顯像工程)。如同上述一般，如同圖12中所示一般，係能夠在金屬板64之第1面64a上形成第1光阻圖案65a，並在金屬板64之第2面64b上形成第2光阻圖案65b。另外，顯像工程，係亦可包含有用以將光阻膜65c、65d之硬度提高或者是用以相對於金屬板64而使光阻膜65c、65d更牢固地密著的光阻熱處理工程。光阻熱處理工程，例如係可藉由室溫以上並且400℃以下來實施。 [0077] 接著，如同圖13中所示一般，實施對於金屬板64之第1面64a中的並未被第1光阻圖案65a所覆蓋之區域，而使用第1蝕刻液來進行蝕刻的第1面蝕刻工程。例如，係將第1蝕刻液，從被配置在與所被搬送的金屬板64之第1面64a相對面之側處的噴嘴來隔著第1光阻圖案65a而朝向金屬板64之第1面64a噴射。其結果，如同圖13中所示一般，在金屬板64中之並未被第1光阻圖案65a所覆蓋之區域處，由第1蝕刻液所致之侵蝕係進行。藉由此，在金屬板64處之第1面64a處，係被形成有多數之第1凹部30。作為第1蝕刻液，例如係使用包含有氯化鐵溶液以及鹽酸者。 [0078] 之後，如同圖14中所示一般，藉由相對於在後續之第2面蝕刻工程中所使用的第2蝕刻液而具有耐性的樹脂69，來被覆第1凹部30。亦即是，係藉由具備有相對於第2蝕刻液之耐性的樹脂69，來將第1凹部30作密封。在圖14所示之例中，係將樹脂69之膜，以並不僅是覆蓋所形成的第1凹部30而亦覆蓋第1面64a(第1光阻圖案65a)的方式來形成之。 [0079] 接著，如同圖15中所示一般，實施對於金屬板64之第2面64b中的並未被第2光阻圖案65b所覆蓋之區域進行蝕刻而在第2面64b上形成第2凹部35之第2面蝕刻工程。第2面蝕刻工程，係一直實施直到第1凹部30與第2凹部35相通並藉由此而形成貫通孔25為止。作為第2蝕刻液，係與上述之第1蝕刻液相同的，例如使用包含有氯化鐵溶液以及鹽酸者。 [0080] 另外，由第2蝕刻液所致之侵蝕，係在金屬板64中之被第2蝕刻液所接觸之部分而進行。故而，侵蝕，係並不僅是在金屬板64之法線方向N(厚度方向)上進行，而亦在沿著金屬板64之板面的方向上而進行。於此，較理想，第2面蝕刻工程，係在較使分別被形成於與第2光阻圖案65b之相鄰之2個的孔66a相對面的位置處之2個的第2凹部35於位置在2個的孔66a之間之架橋部67a的裡側而會合之前便結束。藉由此，如同圖16中所示一般，係能夠在金屬板64處之第2面64b處殘留上述之頂部43。 [0081] 而後，如同圖17中所示一般，將樹脂69從金屬板64而除去。樹脂69，例如係能夠藉由使用鹼系剝離液來除去之。在使用有鹼系剝離液的情況時，如同圖17中所示一般，與樹脂69同時地，光阻圖案65a、65b亦被除去。另外，在將樹脂69除去之後，係亦可使用與用以使樹脂69剝離之剝離液相異的剝離液，來與樹脂69相互獨立地而另外將光阻圖案65a、65b除去。 [0082] 圖18，係為對於藉由如同上述一般地對蒸鍍遮罩20進行加工而形成貫通孔25一事所得到的中間製品50作展示之平面圖。在中間製品50處，係被分割附加有蒸鍍遮罩20。換言之，中間製品50，係具備有複數之蒸鍍遮罩部分51和支持部分56。在圖18中，元件符號T1，係代表在蒸鍍遮罩20之製造工程中的金屬板64之搬送方向，元件符號T2，係代表與搬送方向T1相正交之方向(以下，亦稱作寬幅方向)。搬送方向T1，係與長條狀之金屬板64的長邊方向相互一致。 [0083] 蒸鍍遮罩部分51，係身為金屬板64中的藉由被作分離一事而成為蒸鍍遮罩20的部份。蒸鍍遮罩部分51，係包含有與蒸鍍遮罩20之一對之長邊26以及一對之短邊27相對應的一對之長邊52以及一對之短邊53。又，在蒸鍍遮罩部分51處，係被形成有複數之貫通孔25。例如，蒸鍍遮罩部分51，係包含有：被形成有複數之貫通孔25之有效區域22、和包圍有效區域22之周圍區域23。 [0084] 如同圖18中所示一般，複數之蒸鍍遮罩部分51，係在與長邊52相交叉之方向上而並排。例如，長邊52係與搬送方向T1相平行，複數之蒸鍍遮罩部分51所並排的方向係與寬幅方向T2相平行。 [0085] 支持部分56，係為在平面觀察時會包圍複數之蒸鍍遮罩部分51並且被與蒸鍍遮罩部分51部分性地作連接的部份。在圖18所示之例中，支持部分56，係為金屬板64中之蒸鍍遮罩部分51以外的部份。 [0086] 以下，針對蒸鍍遮罩部分51與支持部分56之間之連接場所54作說明。圖19，係為對於圖18之中間製品50中的藉由被附加有元件符號XIX之虛線所包圍的區域作擴大展示之圖。在圖18以及圖19所示之例中，蒸鍍遮罩部分51之短邊53，係被與支持部分56部分性地作連接。例如，如同圖19中所示一般，蒸鍍遮罩部分51之短邊53，係具備有朝向支持部分56而突出並且被與支持部分56作連接的複數之凸部53a。另一方面，蒸鍍遮罩部分51之長邊52，係並未被與支持部分56作連接。換言之，在蒸鍍遮罩部分51之長邊52與支持部分56之間，係涵蓋長邊52之全部區域地而存在有間隙55。又，在相鄰之2個的蒸鍍遮罩部分51之長邊52之間，亦並未存在有支持部分56。換言之，在相鄰之2個的蒸鍍遮罩部分51之長邊52之間，係涵蓋長邊52之全部區域地而存在有間隙55。 [0087] 間隙55，係能夠在上述之加工工程中而與貫通孔25同時地形成。例如，在上述之加工工程中，係以在金屬板64中之應形成間隙55之部分處不會殘留光阻圖案65a、65b的方式，來對於光阻膜65c、65d進行曝光以及顯像。接著，將金屬板64中之並未被光阻圖案65a、65b所覆蓋之區域，藉由蝕刻來除去。藉由此，係能夠與複數之貫通孔25同時地，而在金屬板64處形成圖18以及圖19中所示之間隙55。 [0088] 另外，用以形成間隙55之蝕刻，係可在金屬板64之第1面64a以及第2面64b之兩側處而分別實施(例1)，亦可僅在金屬板64之第1面64a以及第2面64b的其中一側處而實施(例2)。 [0089] 在例1的情況時，係以在金屬板64之第1面64a中之應形成間隙55之部分(以下，亦稱作間隙預定部)處不會殘留光阻圖案65a的方式，來對於光阻膜65c進行曝光以及顯像。又，係以在金屬板64之第2面64b中之間隙預定部處亦不會殘留光阻圖案65b的方式，來對於光阻膜65d進行曝光以及顯像。接著，對於金屬板64而從第1面64a側來進行蝕刻。藉由此，而在金屬板64之第1面64a中的應成為蒸鍍遮罩20之有效區域22的部份處形成第1凹部30，同時，在第1面64a之間隙預定部處形成第1凹部30。接著，藉由樹脂69來將第1凹部30作被覆。之後，對於金屬板64而從第2面64b側來進行蝕刻。藉由此，而在金屬板64之第2面64b中的應成為蒸鍍遮罩20之有效區域22的部份處形成第2凹部35，同時，在第2面64b之間隙預定部處形成第2凹部35。藉由此，係能夠與貫通孔25同時地而形成間隙55。 [0090] 在例2的情況時，例如，係以在金屬板64之第2面64b之間隙預定部處不會殘留光阻圖案65b的方式，來對於光阻膜65d進行曝光以及顯像。另一方面，係以在金屬板64之第1面64a中之間隙預定部處不會殘留光阻圖案65a的方式，來對於光阻膜65c進行曝光以及顯像。接著，對於金屬板64而從第1面64a側進行蝕刻，而在金屬板64中的應成為蒸鍍遮罩20之有效區域22的部份處形成第1凹部30。此時，在第1面64a之間隙預定部處，係並未被形成有第1凹部30。接著，藉由樹脂69來將第1凹部30作被覆。此時，第1面64a之間隙預定部亦係被樹脂69所被覆。之後，對於金屬板64而從第2面64b側來進行蝕刻。藉由此，而在金屬板64之第2面64b中的應成為蒸鍍遮罩20之有效區域22的部份處形成第2凹部35，同時，在第2面64b之間隙預定部處形成第2凹部35。此時，藉由以使第2凹部35會一直到達至第1面64a側處的方式來實施蝕刻，係可在間隙預定部處形成間隙55。 在例2的情況時，於形成第1凹部30之第1蝕刻工程時，在金屬板64之第1面64a的間隙預定部處係並未被施加半蝕刻。因此，就算是在金屬板64之厚度為小的情況時，亦能夠對於在第1蝕刻工程之後而在金屬板64之間隙預定部處發生彎折的情形作抑制。 [0091] 間隙55之尺寸，係設定為在進行中間製品50之搬送等時蒸鍍遮罩部分51不會與支持部分56或其他之蒸鍍遮罩部分51相接觸一般的尺寸。蒸鍍遮罩部分51與支持部分56之間之間隙55的在寬幅方向T2上之尺寸S1，例如係為0.1mm以上並且5mm以下。又，相鄰之2個的蒸鍍遮罩部分51之間之間隙55的在寬幅方向T2上之尺寸S2，例如係為0.1mm以上並且5mm以下。又，蒸鍍遮罩部分51之短邊53與支持部分56之間的在搬送方向T1上之尺寸S3，例如係為30μm以上並且100μm以下。又，在短邊53之方向上的凸部53a之節距P，例如係為200μm以上並且400μm以下。 [0092] (分離工程) 接著，實施在上述之中間製品50處而將蒸鍍遮罩部分51從支持部分56而分離的分離工程。首先，如同圖9中所示一般，將藉由對金屬板64進行加工所得到的中間製品50，搬送至用以實施分離工程之分離裝置73處。例如，係藉由在將中間製品50作了挾持的狀態下而旋轉之搬送滾輪72、72，來搬送至分離裝置73處。另外，當如同上述一般地，在中間製品50處蒸鍍遮罩部分51之長邊52並未被與支持部分56作連接的情況時，可以推測到，在搬送時，蒸鍍遮罩部分51係容易搖晃或撓折。對於此點作考慮，係亦可在中間製品50、搬送滾輪72或者是搬送路徑處，設置對於蒸鍍遮罩部分51之搖晃或撓折作抑制的抑制手段。例如，抑制手段，係包含被設置在中間製品50之第1面側以及第2面側處之一對的薄膜。藉由將中間製品50以藉由一對之薄膜來作了挾持的狀態下而搬送至分離裝置73處，係能夠對於蒸鍍遮罩部分51搖晃或撓折的情形作抑制。 [0093] 圖20，係為對於將蒸鍍遮罩部分51從支持部分56而分離的分離工程作展示之圖。如同上述一般，蒸鍍遮罩部分51之長邊52與支持部分56，係並未被作連接。因此，藉由在短邊53處使蒸鍍遮罩部分51與支持部分56之間的連接場所54破斷，係能夠將蒸鍍遮罩部分51從支持部分56而分離並得到蒸鍍遮罩20。圖21，係為對於從中間製品50所得到的蒸鍍遮罩20作擴大展示之平面圖。 [0094] 分離工程，例如，係包含將蒸鍍遮罩部分51之短邊53中的被與支持部分56作連接之連接場所54破斷的破斷工程。於此情況，如同圖21中所示一般，蒸鍍遮罩20中之使連接場所54被作了破斷的場所，例如短邊53之凸部53a之前端，係成為破斷面27b。如此這般，在蒸鍍遮罩20之短邊27處，係部分性地存在有破斷面27b。圖22，係為對於從圖21之箭頭XXII之方向來對於蒸鍍遮罩20的短邊27之凸部27a之破斷面27b作了觀察的情況作展示之側面圖。 [0095] 在破斷工程中，係藉由將蒸鍍遮罩部分51相對於支持部分56而例如朝向圖22之上方向作拉張，來使蒸鍍遮罩部分51之短邊53與支持部分56之間之連接場所54破斷。於此情況，在凸部27a之破斷面27b處，係如同圖22中所示一般，會有起因於在破斷時從支持部分56所受到之力而產生毛邊27c的情形。毛邊27c，係朝向在破斷時從支持部分56所受到之力的方向(在圖22中係為下方向)而延伸。破斷面27b，係可定義為此種毛邊27c所存在之面。另一方面，由於蒸鍍遮罩部分51之長邊52係並未被與支持部分56作連接，因此在蒸鍍遮罩20之長邊26處係並不存在有破斷面。 [0096] 圖23A以及圖23B，係分別為針對從第1面20a側以及第2面側20b來對於圖22之蒸鍍遮罩20中的藉由被附加有元件符號XXIII之虛線所包圍的長邊26之區域作了觀察的結果作展示之圖。又，圖24A以及圖24B，係分別為針對從第1面20a側以及第2面側20b來對於圖22之蒸鍍遮罩20中的藉由被附加有元件符號XXIV之虛線所包圍的短邊27之區域作了觀察的結果作展示之圖。不論是在圖23A、圖23B、圖24A以及圖24B之何者中，觀察時之倍率均為10倍。 [0097] 如同圖24A中所示一般，在短邊27之凸部27a的前端處，係觀察到看起來變黑的部份(以下，亦稱作暗部)27x。暗部27x之寬幅，係為13.8μm。如同圖24B中所示一般，在從蒸鍍遮罩20之第2面20b側來作了觀察的情況時，亦確認到相同的暗部27y。 [0098] 另一方面，在長邊26之區域中，係並未確認到有暗部，或者是確認到具備有較短邊27的情況時而更小之厚度的暗部。例如，如同在圖23B中所示一般，在從第2面20b側來作了觀察的情況時，係確認到了5.1μm之寬幅的暗部26y。 [0099] 圖25A，係為對於圖22之蒸鍍遮罩20中的藉由被附加有元件符號XXIII之虛線所包圍的區域(亦即是蒸鍍遮罩20之長邊26的剖面形狀)作示意性展示之圖。又，圖25B，係為對於長邊26的剖面形狀之其中一變形例作展示之圖。如同圖25A以及圖25B中所示一般，在蒸鍍遮罩20之長邊26處，起因於在為了形成貫通孔25所實施的蝕刻工程時所產生的側蝕刻，係會有被形成有於內側而成為凸的形狀之彎曲面的情形。圖25A，係為對於當藉由僅從金屬板64之第2面64b所進行的蝕刻來形成間隙55的情況時之長邊26的剖面形狀之其中一例作展示之圖。又，圖25B，係為對於當藉由從金屬板64之第1面64a以及第2面64b之兩側所進行的蝕刻來形成間隙55的情況時之長邊26的剖面形狀之其中一例作展示之圖。與圖23A以及圖23B中所示之平面照片相對應的剖面形狀，係為圖25A的情況。 [0100] 當藉由僅從金屬板64之第2面64b所進行的蝕刻來形成間隙55的情況時，在長邊26處，係如同圖25A中所示一般，被形成有隨著從第2面20b側起朝向第1面20a側而朝向外側擴廣的彎曲面。此彎曲面，當從第2面20b側來對於長邊26作觀察時，係能夠視覺辨認到，但是，當從第1面20a側來對於長邊26作觀察時，係並不會被視覺辨認到。換言之，長邊26，係具備有在與第1面20a相交的部份處而最為朝向外側突出的剖面形狀。可以推測到，在從第2面20b側來對於長邊26作了觀察的情況時所確認到之暗部26y，係為起因於在彎曲面處之光的散射所導致者。 [0101] 當藉由從金屬板64之第1面64a以及第2面64b之兩側所進行的蝕刻來形成間隙55的情況時，在長邊26處，係如同圖25B中所示一般，被形成有位置在第1面20a側處之起因於在形成第1凹部30時的側蝕刻所導致之彎曲面、和位置在第2面20b側處之起因於在形成第2凹部35時的側蝕刻所導致之彎曲面。於此情況，長邊26，係具備有在第1面20a側之彎曲面與第2面20b側之彎曲面相交的部份處而最為朝向外側突出的剖面形狀。由於第2面20b側之第2凹部35的尺寸係較第1面20a側之第1凹部30的尺寸而更大(參考圖5～7)，因此，側蝕刻的程度亦係在第2面20b側而變得更大。因此，被形成於長邊26處之彎曲面，亦係以第2面20b側者會變得更大。故而，可以推測到，當從第2面20b側來對於長邊26作觀察的情況時所確認到之暗部的寬幅，係會成為較當從第1面20a側來對於長邊26作觀察的情況時所確認到之暗部的寬幅而更大。 [0102] 圖25C，係為對於使具備有圖25A中所示之剖面形狀的長邊26之蒸鍍遮罩20與有機EL基板92相對面的模樣作展示之圖。又，圖25D，係為對於使具備有圖25B中所示之剖面形狀的長邊26之蒸鍍遮罩20與有機EL基板92相對面的模樣作展示之圖。在圖25C以及圖25D所示之例中，複數之蒸鍍遮罩20係在短邊27之方向上以空出有特定之間隔M地作並排的方式而被作配列。間隔M，係為了防止相鄰接之2個的蒸鍍遮罩20之長邊26彼此相互接觸，而被設定為特定之分離距離以上。間隔M，係為相鄰接之2個的蒸鍍遮罩20之長邊26中的最為朝向外側突出之部分之間的間隔。在圖25C所示之例中，係以使長邊26中之與第1面20a相交之部分處的間隔M會成為特定之分離距離以上的方式，來將蒸鍍遮罩20作配列。在圖25D所示之例中，係以使長邊26中之第1面20a側之彎曲面與第2面20b側之彎曲面相交之部分處的間隔M會成為特定之分離距離以上的方式，來將蒸鍍遮罩20作配列。 [0103] 若是對於在圖25C中所示之例與在圖25D所示之例作比較，則在圖25C中所示之例的相對於有機EL基板92之接觸面積係會變大。因此，在相對於有機EL基板92之密著性的觀點上，係以圖25C中所示之例為較有利。 [0104] 另外，假設若是想要在圖25D所示之例中將相對於有機EL基板92之蒸鍍遮罩20之第1面20a的接觸面積設為與圖25C中所示之例的情況同等，則相鄰接之2個的蒸鍍遮罩20之長邊26之間之距離係會變小，蒸鍍遮罩20彼此相互接觸的風險係變高。 [0105] 如此這般，相對於有機EL基板92之密著性的提升、和相鄰接之2個的蒸鍍遮罩20彼此相互接觸之風險的降低，係相互存在有取捨(tradeoff)關係。若依據圖25C中所示之例，則相較於圖25D中所示之例的情況，係能夠將身為取捨關係之2個的要求以較高的程度來滿足。 [0106] 另外，若是蒸鍍遮罩20彼此相互接觸，則會發生蒸鍍遮罩20之損傷或變形。若是蒸鍍遮罩20變形，則相對於有機EL基板92之蒸鍍遮罩20之第1面20a的接觸面積係會減少，相對於有機EL基板92之密著性係會降低。如此這般，將相鄰接之2個的蒸鍍遮罩20之間之距離過度縮短一事，係可能會導致相對於有機EL基板92之密著性的降低。 [0107] 圖26，係為對於圖22之蒸鍍遮罩20中的藉由被附加有元件符號XXIV之虛線所包圍的區域作示意性展示之剖面圖。如同圖26中所示一般，在蒸鍍遮罩20之短邊27處，起因於在上述之破斷工程時將短邊27從支持部分26來朝向第1面20a側作拉張一事，在第2面20b側處，係會有被形成有於外側而成為凸的形狀之彎曲面的情形。可以推測到，在從第2面20b側來對於短邊27作了觀察的情況時所確認到之暗部27y，係為起因於在彎曲面處之光的散射所導致者。又，在第1面20a側處，係會有被形成有從第1面20a而突出之毛邊27c的情形。可以推測到，在從第1面20a側來對於短邊27作了觀察的情況時所確認到之暗部27x，係為起因於在毛邊27c處之光的散射所導致者。 [0108] (本實施形態之作用) 在從蒸鍍遮罩20之長邊26起直到貫通孔25為止的於基材21之面方向上之最短距離S4(參考圖21)，一般而言，相較於從短邊27起直到貫通孔25為止的於基材21之面方向上之最短距離，係為較小。因此，若是在長邊26處出現有波浪起伏形狀等之變形，則通過位置於長邊26的近旁處之貫通孔25而附著在有機EL基板92上的蒸鍍材料98之尺寸精確度和位置精確度係會降低。於此，在本實施形態中，中間製品50之蒸鍍遮罩部分51係並未被與支持部分56作連接。因此，在將蒸鍍遮罩部分51從支持部分56而分離的分離工程時，長邊52，由於係並不會受到從支持部分56而來之力，因此，係能夠對於在長邊26處出現波浪起伏形狀等之變形的情形作抑制。藉由此，係能夠使蒸鍍材料98以高尺寸精確度及高位置精確度來附著在有機EL基板92上。 [0109] 另外，係亦可對於上述之實施形態而施加各種的變更。以下，因應於需要，參考圖面來針對變形例作說明。在以下之說明以及於以下之說明所使用的圖面中，針對能夠與上述之實施形態同樣的來構成之部分，係構成為使用與對於在上述之實施形態中之相對應之部分所使用的元件符號相同之元件符號，並省略重複的說明。又，當在上述之實施形態中所能夠得到的作用效果明顯係為在變形例中亦能夠得到者的情況時，係也會有將其之說明省略的情況。 [0110] (連接場所以及破斷面之變形例) 在上述之實施形態中，係針對中間製品50之蒸鍍遮罩部分51之長邊52的全部區域均未被與支持部分56作連接的例子作了展示。然而，係並不被限定於此，在不會對於貫通孔25之位置精確度造成影響的範圍內，係亦可使中間製品50之蒸鍍遮罩部分51之長邊52被與支持部分56作連接。例如，在長邊52中之當沿著中間製品50之寬幅方向T2而對於長邊52作觀察的情況時不會與貫通孔25相重疊之區域處，長邊52係亦可被與支持部分56作連接。換言之，較理想，蒸鍍遮罩部分51之長邊52中之至少當沿著中間製品50之寬幅方向T2而對於長邊52作觀察的情況時會與貫通孔25相重疊之區域，係並未被與支持部分56作連接。於此情況，在當於蒸鍍遮罩20之寬幅方向上而對於長邊26作觀察的情況時會與貫通孔25相重疊之區域處，係並不存在有破斷面。換言之，在當於蒸鍍遮罩20之寬幅方向上而對於長邊26作觀察的情況時不會與貫通孔25相重疊之區域處，係亦可存在有破斷面。藉由並不將蒸鍍遮罩部分51之長邊52中的於寬幅方向T2上而與貫通孔25相重疊之區域與支持部分56作連接，係能夠對於在將蒸鍍遮罩部分51從支持部分56而分離時所於蒸鍍遮罩部分51處產生之變形對於貫通孔25之位置精確度造成影響的情形作抑制。 [0111] 較理想，在中間製品50處，蒸鍍遮罩部分51之長邊52中的被與支持部分56作連接之場所的比例，係設為較蒸鍍遮罩部分51之短邊53中的被與支持部分56作連接之場所的比例而更小。藉由此，係能夠對起因於破斷時之長邊52之變形所導致的蒸鍍工程之精確度降低的情形作抑制。於此情況，在藉由分離工程所得到的蒸鍍遮罩20中，於長邊26處之破斷面的比例係成為較於短邊27處之破斷面的比例而更小。 [0112] 蒸鍍遮罩部分51之短邊53中的被與支持部分56作連接之場所的比例，例如，係藉由將短邊53中的被與支持部分56作連接之部分的寬幅K4(參考圖19)之總和除以短邊53之長度K2(參考圖18)，而被算出。寬幅K4，例如係如同圖19中所示一般，為被與支持部分56作連接的凸部53a中之最為狹窄之部分的寬幅。同樣的，蒸鍍遮罩部分51之長邊52中的被與支持部分56作連接之場所的比例，例如，係藉由將長邊52中的被與支持部分56作連接之部分的寬幅之總和除以長邊52之長度K1(參考圖18)，而被算出。 [0113] 又，在蒸鍍遮罩20之短邊27處的破斷面27b之比例，例如，係藉由將存在於短邊27處的破斷面27b之寬幅K6(參考圖21)之總和除以短邊27之長度K5(參考圖21)，而被算出。同樣的，在蒸鍍遮罩20之長邊26處的破斷面之比例，例如，係藉由將存在於長邊26處的破斷面之寬幅之總和除以長邊26之長度，而被算出。 [0114] 或者是，蒸鍍遮罩部分51之短邊53中的被與支持部分56作連接之場所的比例，係亦可藉由將短邊53中的被與支持部分56作連接之部分的個數除以短邊53之長度K2，而被算出。在圖19所示之例中，短邊53中的被與支持部分56作連接之部分的個數係為4。同樣的，蒸鍍遮罩部分51之長邊52中的被與支持部分56作連接之場所的比例，係亦可藉由將長邊52中的被與支持部分56作連接之部分的個數除以長邊52之長度K1，而被算出。 [0115] 同樣的，在蒸鍍遮罩20之短邊27處的破斷面27b之比例，係亦可藉由將存在於短邊27處的破斷面27b之個數除以短邊27之長度K5，而被算出。同樣的，在蒸鍍遮罩20之長邊26處的破斷面之比例，係亦可藉由將存在於長邊26處的破斷面之個數除以長邊26之長度，而被算出。 [0116] (支持部分之變形例) 在上述之實施形態中，係針對在相鄰之2個的蒸鍍遮罩部分51之長邊52之間並不存在有支持部分56的例子作了展示。然而，係並不被限定於此，如同圖27中所示一般，在相鄰之2個的蒸鍍遮罩部分51之長邊52之間，係亦可存在有朝向搬送方向T1而延伸並且並未被與蒸鍍遮罩部分51之長邊52作連接的支持部分56。
[0117] 10:蒸鍍遮罩裝置 15:框架 20:蒸鍍遮罩 21:基材 22:有效區域 23:周圍區域 25:貫通孔 26:長邊 27:短邊 27a:凸部 27b:破斷面 27c:毛邊 30:第1凹部 31:壁面 35:第2凹部 36:壁面 41:連接部 43:頂部 50:中間製品 51:蒸鍍遮罩部分 52:長邊 53:短邊 53a:凸部 54:連接場所 55:間隙 56:支持部分 64:金屬板 65a:第1光阻圖案 65b:第2光阻圖案 65c:第1光阻膜 65d:第2光阻膜 70:加工裝置 72:搬送滾輪 73:分離裝置 90:蒸鍍裝置 92:有機EL基板 98:蒸鍍材料
[0033] [圖1]係為對於具備有由本發明之其中一種實施形態所致之蒸鍍遮罩裝置的蒸鍍裝置作展示之圖。 [圖2]係為對於使用圖1中所示之蒸鍍遮罩裝置所製造出的有機EL顯示裝置作展示之剖面圖。 [圖3]係為對於由本發明之其中一種實施形態所致之蒸鍍遮罩裝置作展示之平面圖。 [圖4]係為對於圖3中所示之蒸鍍遮罩的有效區域作展示之部分平面圖。 [圖5]係為沿著圖4之V-V線的剖面圖。 [圖6]係為沿著圖4之VI-VI線的剖面圖。 [圖7]係為沿著圖4之VII-VII線的剖面圖。 [圖8]係為對於圖5中所示之貫通孔及其近旁之區域作擴大展示之剖面圖。 [圖9]係為用以對於蒸鍍遮罩之製造方法的其中一例作全體性說明之示意圖。 [圖10]係為對於在金屬板上形成光阻膜的工程作展示之圖。 [圖11]係為對於使曝光遮罩密著於光阻膜的工程作展示之圖。 [圖12]係為對於對光阻膜進行顯像的工程作展示之圖。 [圖13]係為對於第1面蝕刻工程作展示之圖。 [圖14]係為對於將第1凹部藉由樹脂來作被覆的工程作展示之圖。 [圖15]係為對於第2面蝕刻工程作展示之圖。 [圖16]係為接續於圖15而對於第2面蝕刻工程作展示之圖。 [圖17]係為對於從金屬板而將樹脂以及光阻圖案除去的工程作展示之圖。 [圖18]係為對於藉由對金屬板進行加工所得到的中間製品作展示之平面圖。 [圖19]係為對於圖18之中間製品中的藉由被附加有元件符號XIX之虛線所包圍的區域作擴大展示之圖。 [圖20]係為對於將蒸鍍遮罩部分從支持部分而分離的工程作展示之圖。 [圖21]係為對於從中間製品所得到的蒸鍍遮罩作擴大展示之平面圖。 [圖22]係為對於從箭頭XXII之方向來對於圖21之蒸鍍遮罩的短邊作了觀察的情況作展示之側面圖。 [圖23A]係為針對從第1面側來對於圖21之蒸鍍遮罩中的藉由被附加有元件符號XXIII之虛線所包圍的區域作了觀察的結果作展示之圖。 [圖23B]係為針對從第2面側來對於圖21之蒸鍍遮罩中的藉由被附加有元件符號XXIII之虛線所包圍的區域作了觀察的結果作展示之圖。 [圖24A]係為針對從第1面側來對於圖21之蒸鍍遮罩中的藉由被附加有元件符號XXIV之虛線所包圍的區域作了觀察的結果作展示之圖。 [圖24B]係為針對從第2面側來對於圖21之蒸鍍遮罩中的藉由被附加有元件符號XXIV之虛線所包圍的區域作了觀察的結果作展示之圖。 [圖25A]係為對於圖21之蒸鍍遮罩中的藉由被附加有元件符號XXIII之虛線所包圍的區域作示意性展示之剖面圖。 [圖25B]係為對於蒸鍍遮罩之長邊的剖面形狀之其中一變形例作展示之圖。 [圖25C]係為對於使具備有圖25A中所示之剖面形狀的長邊之蒸鍍遮罩與有機EL基板相對面的模樣作展示之圖。 [圖25D]係為對於使具備有圖25B中所示之剖面形狀的長邊之蒸鍍遮罩與有機EL基板相對面的模樣作展示之圖。 [圖26]係為對於圖21之蒸鍍遮罩中的藉由被附加有元件符號XXIV之虛線所包圍的區域作示意性展示之剖面圖。 [圖27]係為對於中間製品之其中一個變形例作展示之平面圖。
22:有效區域
23:周圍區域
50:中間製品
51:蒸鍍遮罩部分
52:長邊
53:短邊
54:連接場所
55:間隙
56:支持部分
K1、K2:長度
T1:金屬板之搬送方向
T2:與T1相正交之方向

Claims (25)

  1. 一種蒸鍍遮罩之製造方法，係為包含有一對的長邊以及一對的短邊並且被形成有複數之貫通孔的蒸鍍遮罩之製造方法，其特徵為，係具備有：準備金屬板之工程；和將前述金屬板加工為具備有複數之蒸鍍遮罩部分和支持部分的中間製品之加工工程，其中，該蒸鍍遮罩部分，係包含有一對的長邊以及一對的短邊並且被形成有複數之貫通孔，該支持部分，係包圍前述複數之蒸鍍遮罩部分並且被與前述複數之蒸鍍遮罩部分的前述短邊部分性地作連接；和將前述蒸鍍遮罩部分從前述支持部分而分離並得到前述蒸鍍遮罩之分離工程，在前述中間製品中，前述蒸鍍遮罩部分之前述長邊，係並未被與前述支持部分作連接，在前述中間製品中，前述蒸鍍遮罩部分之前述短邊，係包含有朝向前述支持部分而突出並且被與前述支持部分作連接之複數之凸部。
  2. 一種蒸鍍遮罩之製造方法，係為包含有一對的長邊以及一對的短邊並且被形成有複數之貫通孔的蒸鍍遮罩之製造方法，其特徵為，係具備有：準備金屬板之工程；和將前述金屬板加工為具備有複數之蒸鍍遮罩部分和支持部分的中間製品之加工工程，其中，該蒸鍍遮罩部分， 係包含有一對的長邊以及一對的短邊並且被形成有複數之貫通孔，該支持部分，係包圍前述複數之蒸鍍遮罩部分並且被與前述複數之蒸鍍遮罩部分部分性地作連接；和將前述蒸鍍遮罩部分從前述支持部分而分離並得到前述蒸鍍遮罩之分離工程，在前述中間製品中，前述蒸鍍遮罩部分之前述長邊中的被與前述支持部分作連接之場所的比例，係較前述蒸鍍遮罩部分之前述短邊中的被與前述支持部分作連接之場所的比例而更小，在前述中間製品中，前述蒸鍍遮罩部分之前述短邊，係包含有朝向前述支持部分而突出並且被與前述支持部分作連接之複數之凸部。
  3. 如申請專利範圍第2項所記載之蒸鍍遮罩之製造方法，其中，前述蒸鍍遮罩部分之前述長邊中的被與前述支持部分作連接之場所的比例，係藉由將前述長邊中之被與前述支持部分作連接的部份之寬幅的總和除以前述長邊之長度而算出，前述蒸鍍遮罩部分之前述短邊中的被與前述支持部分作連接之場所的比例，係藉由將前述短邊中之被與前述支持部分作連接的部份之寬幅的總和除以前述短邊之長度而算出。
  4. 如申請專利範圍第2項所記載之蒸鍍遮罩之製造方法，其中， 前述蒸鍍遮罩部分之前述長邊中的被與前述支持部分作連接之場所的比例，係藉由將前述長邊中之被與前述支持部分作連接的部份之個數除以前述長邊之長度而算出，前述蒸鍍遮罩部分之前述短邊中的被與前述支持部分作連接之場所的比例，係藉由將前述短邊中之被與前述支持部分作連接的部份之個數除以前述短邊之長度而算出。
  5. 如申請專利範圍第2項所記載之蒸鍍遮罩之製造方法，其中，在前述中間製品中，前述蒸鍍遮罩部分之前述長邊中的在沿著前述中間製品之寬幅方向而對於前述長邊作觀察的情況時會與前述貫通孔相重疊之區域，係並未被與前述支持部分作連接。
  6. 如申請專利範圍第1~5項中之任一項所記載之蒸鍍遮罩之製造方法，其中，在前述中間製品中，前述複數之蒸鍍遮罩部分，係在與前述長邊相交叉之方向上而並排，在相鄰之2個的前述蒸鍍遮罩部分之前述長邊之間，係並不存在有前述支持部分。
  7. 如申請專利範圍第1~5項中之任一項所記載之蒸鍍遮罩之製造方法，其中，前述加工工程，係包含有對於前述金屬板進行蝕刻，而形成前述貫通孔、以及前述蒸鍍遮罩部分之前述長邊與前述支持部分之間的間隙之工程。
  8. 如申請專利範圍第1~5項中之任一項所 記載之蒸鍍遮罩之製造方法，其中，在前述加工工程中，係一面沿著前述蒸鍍遮罩部分之前述長邊之方向來搬送前述金屬板，一面對於前述金屬板進行加工。
  9. 如申請專利範圍第1~5項中之任一項所記載之蒸鍍遮罩之製造方法，其中，在前述分離工程中，係藉由將前述蒸鍍遮罩部分之前述短邊中的被與前述支持部分作連接之場所破斷，來將前述蒸鍍遮罩部分從前述支持部分而分離。
  10. 如申請專利範圍第1~5項中之任一項所記載之蒸鍍遮罩之製造方法，其中，前述金屬板之厚度，係為50μm以下。
  11. 一種中間製品，係為被分割附加有包含一對之長邊以及一對之短邊並且被形成有複數之貫通孔的蒸鍍遮罩之金屬製之板狀之中間製品，其特徵為，係具備有：蒸鍍遮罩部分，係包含有一對的長邊以及一對的短邊並且被形成有複數之貫通孔；和支持部分，係包圍前述蒸鍍遮罩部分並且被與前述蒸鍍遮罩部分的前述短邊部分性地作連接，前述蒸鍍遮罩部分之前述長邊，係並未被與前述支持部分作連接，在前述中間製品中，前述蒸鍍遮罩部分之前述短邊，係包含有朝向前述支持部分而突出並且被與前述支持部分 作連接之複數之凸部。
  12. 一種中間製品，係為被分割附加有包含一對之長邊以及一對之短邊並且被形成有複數之貫通孔的蒸鍍遮罩之金屬製之板狀之中間製品，其特徵為，係具備有：蒸鍍遮罩部分，係包含有一對的長邊以及一對的短邊並且被形成有複數之貫通孔；和支持部分，係包圍前述蒸鍍遮罩部分並且被與前述蒸鍍遮罩部分部分性地作連接，前述蒸鍍遮罩部分之前述長邊中的被與前述支持部分作連接之場所的比例，係較前述蒸鍍遮罩部分之前述短邊中的被與前述支持部分作連接之場所的比例而更小，前述蒸鍍遮罩部分之前述短邊，係包含有朝向前述支持部分而突出並且被與前述支持部分作連接之複數之凸部。
  13. 如申請專利範圍第12項所記載之中間製品，其中，前述蒸鍍遮罩部分之前述長邊中的被與前述支持部分作連接之場所的比例，係藉由將前述長邊中之被與前述支持部分作連接的部份之寬幅的總和除以前述長邊之長度而算出，前述蒸鍍遮罩部分之前述短邊中的被與前述支持部分作連接之場所的比例，係藉由將前述短邊中之被與前述支持部分作連接的部份之寬幅的總和除以前述短邊之長度而 算出。
  14. 如申請專利範圍第12項所記載之中間製品，其中，前述蒸鍍遮罩部分之前述長邊中的被與前述支持部分作連接之場所的比例，係藉由將前述長邊中之被與前述支持部分作連接的部份之個數除以前述長邊之長度而算出，前述蒸鍍遮罩部分之前述短邊中的被與前述支持部分作連接之場所的比例，係藉由將前述短邊中之被與前述支持部分作連接的部份之個數除以前述短邊之長度而算出。
  15. 如申請專利範圍第12項所記載之中間製品，其中，前述蒸鍍遮罩部分之前述長邊中的在沿著前述中間製品之寬幅方向而對於前述長邊作觀察的情況時會與前述貫通孔相重疊之區域，係並未被與前述支持部分作連接。
  16. 如申請專利範圍第11~15項中之任一項所記載之中間製品，其中，前述蒸鍍遮罩部分以及前述支持部分之厚度，係為50μm以下。
  17. 如申請專利範圍第11~15項中之任一項所記載之中間製品，其中，前述複數之蒸鍍遮罩部分，係在與前述長邊相交叉之方向上而並排，在相鄰之2個的前述蒸鍍遮罩部分之前述長邊之間，係並不存在有前述支持部分。
  18. 一種蒸鍍遮罩，其特徵為，係具備有：金屬製之板狀之基材，係包含有一對之長邊以及一對之短邊；和複數之貫通孔，係被形成於前述基材上，在前述基材之前述短邊處，係部分性地存在有破斷面，另一方面，在前述基材之前述長邊處，係並不存在有破斷面，前述基材之前述短邊，係包含有朝向外側而突出並且具備前述破斷面之複數之凸部。
  19. 一種蒸鍍遮罩，其特徵為，係具備有：金屬製之板狀之基材，係包含有一對之長邊以及一對之短邊；和複數之貫通孔，係被形成於前述基材上，在前述基材之前述長邊處的破斷面之比例，係較在前述基材之前述短邊處的破斷面之比例而更小，前述基材之前述短邊，係包含有朝向外側而突出並且具備前述破斷面之複數之凸部。
  20. 如申請專利範圍第19項所記載之蒸鍍遮罩，其中，前述基材之前述長邊處的破斷面之比例，係藉由將存在於前述長邊處之前述破斷面之寬幅的總和除以前述長邊之長度而算出，前述基材之前述短邊處的破斷面之比例，係藉由將存在於前述短邊處之前述破斷面之寬幅的總和除以前述短邊 之長度而算出。
  21. 如申請專利範圍第19項所記載之蒸鍍遮罩，其中，前述基材之前述長邊處的破斷面之比例，係藉由將存在於前述長邊處之前述破斷面之個數除以前述長邊之長度而算出，前述基材之前述短邊處的破斷面之比例，係藉由將存在於前述短邊處之前述破斷面之個數除以前述短邊之長度而算出。
  22. 如申請專利範圍第19項所記載之蒸鍍遮罩，其中，前述破斷面，係並不存在於在沿著前述蒸鍍遮罩之寬幅方向而對於前述長邊作觀察的情況時會與前述貫通孔相重疊之區域處。
  23. 如申請專利範圍第18~22項中之任一項所記載之蒸鍍遮罩，其中，從前述基材之前述長邊起直到前述貫通孔為止的在前述基材之面方向上之最短距離，係為50μm以下。
  24. 如申請專利範圍第18~22項中之任一項所記載之蒸鍍遮罩，其中，前述基材，係具備有與通過了前述貫通孔的蒸鍍材料所附著之基板相對面之第1面、和位置於前述第1面之相反側處之第2面，前述基材之前述長邊，係具備有在與前述第1面相交 之部分處而最為朝向外側突出的剖面形狀。
  25. 如申請專利範圍第18~22項中之任一項所記載之蒸鍍遮罩，其中，前述基材之厚度，係為50μm以下。
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