TWI653249B - 環狀烯烴類聚合物與其製備方法 - Google Patents

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Abstract

本發明是關於一種環狀烯烴類二元共聚物及其製備方法。更具體言之，本發明是關於一種以預定比率含有兩種重複單元的環狀烯烴類二元共聚物，且上述共聚物展現較低介電特徵且因此可應用於半導體基板、印刷電路板及其類似物。

Description

環狀烯烴類聚合物與其製備方法
本申請案主張在韓國智慧財產局於2016年7月29日申請之韓國專利申請案第10-2016-0097089號及於2017年7月18日申請之韓國專利申請案第10-2017-0090792號的優先權，其揭露內容以全文引用之方式併入本文中。
本發明是關於一種具有較低介電特徵之環狀烯烴類二元共聚物及一種用於製備所述共聚物之方法。
由於目前對高性能電子裝置之需求增加，故在使用半導體基板及印刷電路板之領域中需要更高頻率。因為電信號在高頻區中之傳輸耗損與介電耗損及頻率成比例，所以傳輸耗損朝向更高頻率區增加，其不利地影響電子裝置之效能、耐久性以及製造良率(production yield)。因此，減少這些缺點需要研發具有較低介電常數之材料。
在習知通信及網路之領域中，亦應用聚苯醚作為較低介電材料，但此處出現因預浸體破碎所致之可操縱性問題，且耐熱性仍尚不足夠。
因此，仍需要研發具有較低介電常數，同時具有較高玻 璃轉化溫度及足夠機械特性(諸如黏著強度)之材料。
本發明之一個目標為提供一種具有較低介電特徵之環狀烯烴類二元共聚物。
本發明之另一個目標為提供一種用於製備環狀烯烴類二元共聚物之方法。
本發明之一個實施例提供一種環狀烯烴類二元共聚物，包括由以下化學式1表示之重複單元及由以下化學式2表示之重複單元，其中所述由化學式1表示之重複單元以相對於所述化學式1及化學式2之所有重複單元的總量計20莫耳%至60莫耳%之量含於其中。
本發明之另一個實施例提供一種用於製備環狀烯烴類二元共聚物之方法，包括以下步驟： 使由以下化學式3表示之單體在含有第10族過渡金屬之預催化劑、與所述預催化劑之所述金屬配位的陰離子助催化劑以及含有第15族元素之配位體存在下聚合；以及 使所述聚合物與過氧酸反應以執行環氧化。
根據本發明，可提供一種環狀烯烴類二元共聚物，所述共聚物展現較高黏著強度及較低介電特徵，且因此可應用於半導體基板、印刷電路板以及其類似物中。
將在下文更詳細地描述根據本發明之一個具體實施例的環狀烯烴類二元共聚物及其製備方法。
根據本發明之一個實施例，可提供一種環狀烯烴類二元共聚物，包括由以下化學式1表示之重複單元及由以下化學式2表示之重複單元，其中所述由化學式1表示之重複單元以相對於所述化學式1及化學式2之所有重複單元的總量計20莫耳%至60莫耳%之量含於其中。
在上式1中，p為0至4之整數，R1至R4各自獨立地為氫或經具有1至4個碳原子之烷基取代或未經取代的環氧基，或由R1及R2以及R3及R4所構成的族群中選出之至少一個組合可彼此連接以形成環氧基，其限制條件為排除其中R1至R4均為氫的情況。
在上式2中，q為0至4之整數，R5至R8各自獨立地為氫或經具有1至4個碳原子之烷基取代或未經取代的乙烯基，或由R5及R6以及R7及R8所構成的族群中選出之至少一個組合可彼此連接以形成亞烷基(alkylidene group)，其限制條件為排除其中R5至R8均為氫的情況。
本發明者已進行用於獲得具有較低介電特徵之材料的密集研究，且經由實驗發現以預定比率含有具有環氧基之環狀烯烴類重複單元及具有乙烯基或亞烷基之環狀烯烴類重複單元的共聚物在10GHz(GHz)下之介電常數為2.7或小於2.7，亦即具有較低介電特徵，由此完成本發明。
更具體言之，環狀烯烴類二元共聚物中由化學式1表示之重複單元包含環氧基。然而，當由化學式1表示之重複單元的比例變高時，玻璃轉化溫度、黏著強度以及固化度增加，且儘管不容易破碎，但較低介電常數特徵可能降低。此外，當由化學式2表示之含有乙烯基或亞烷基之重複單元的比例變高時，可提昇較低介電常數特徵，但玻璃轉化溫度、黏著強度以及固化度可能降低，且可能出現破碎現象。
因此，環狀烯烴類二元共聚物有必要以適當比率調節由化學式1表示之重複單元及由化學式2表示之重複單元，且若所述由化學式1表示之重複單元以相對於由所述化學式1及化學式2表示之所有重複單元的總量計20莫耳%至60莫耳%或30莫耳%至60莫耳%之量含於其中，則所述共聚物可展現較低介電常數特徵及其類似特徵，同時具有足夠機械特性，諸如黏著強度。若由化學式1表示之重複單元的比例超出上文範圍，則介電特徵可能不好，或諸如黏著性及耐久性之物理特性可能不足以應用於通信及網路之領域。
在由化學式1表示之重複單元中，R1至R4各自獨立地 為氫或由表示之官能基，或由R1、R2、R3及R4所構成的族群中選出之至少一個組合可彼此連接以形成環氧基。此處，n為0至4之整數，R為氫或具有1至4個碳原子之烷基，其限制條件為排除其中R1至R4均為氫的情況。
此外，在由化學式2表示之重複單元中，R5至R8各自 獨立地為氫或由表示之官能基，或由R5及R6以及R7及R8所構成的族群中選出之至少一個組合可彼此連接以形成亞烷基。此處，n為0至4之整數，R為氫或具有1至4個碳原子之烷基，其限制條件為排除其中R5至R8均為氫的情況。
此外，環狀烯烴類二元共聚物之重量平均分子量可為約1,000公克/莫耳至100,000公克/莫耳，較佳地約3,000公克/莫耳至50,000公克/莫耳，且更佳地約5,000公克/莫耳至30,000公克/ 莫耳。
如本文所用，重量平均分子量意謂藉由GPC方法相對於聚苯乙烯量測之重量平均分子量。在測定藉由GPC方法相對於聚苯乙烯量測之重量平均分子量的過程中，可使用普遍已知之分析裝置、諸如折射率偵測器之偵測器以及分析型管柱。可使用常用於溫度、溶劑以及流動速率之條件。量測條件之具體實例包含30℃之溫度、四氫呋喃(tetrahydrofuran；THF)以及1mL/min之流動速率。
環狀烯烴類二元共聚物之固化產物在10GHz下的介電常數(Dk)可為約2.7或小於2.7，或約2.3至2.7，或約2.5至2.7。在10GHz之條件下使用向量網路分析儀(安捷倫技術公司(Agilent Technologies))來量測介電常數。當介電常數超過2.7時，絕緣特徵不好，且傳輸耗損在高頻區中增加。因此，其可能不利地影響電子裝置之效能、耐久性以及製造良率。
此外，環狀烯烴類二元共聚物之固化產物在10GHz下的介電損耗因子(dissipation factor；Df)可為約0.008或小於0.008，較佳地0.002至0.008，且更佳地0.003至0.008。介電損耗因子藉由與介電常數量測方法中相同之設備及方法來量測。
另外，環狀烯烴類二元共聚物之固化產物的銅箔黏著強度為0.6kgf/cm或大於0.6kgf/cm，或0.6kgf/cm至1.0kgf/cm，或0.65kgf/cm至1.0kgf/cm。用於量測銅箔黏著強度之方法的實例不受特別限制，但舉例而言，在將環狀烯烴類二元共聚物之固化產物與厚度為35微米之銅箔之間的層合物切割成寬度為10毫米之矩形形狀之後，可藉由量測當使用拉伸強度測試儀(ZWICK) 抓取銅箔切割末端且以90°之角度及50毫米/分鐘之速度將其自基板層剝離掉時所需要的力(剝離強度)來計算銅箔黏著強度。
在環狀烯烴類二元共聚物之固化產物中，當銅箔黏著強度過度降低至小於0.6kgf/cm時，其在使用預浸體及銅箔製備銅包覆層合物(copper clad laminate；CCL)時容易地剝離，由此使其難以製造出產品。即使製造出產品，仍難以確保可靠性。
環狀烯烴類二元共聚物之玻璃轉化溫度可為約250℃或高於250℃，較佳地約270℃或高於270℃，且更佳地約270℃至310℃。因為環狀烯烴類二元共聚物具有此類較高玻璃轉化溫度值，所以其與已用於通信及網路領域中的玻璃轉化溫度為約200℃之聚苯醚相比較具有極佳耐熱性，且因此可應用於各種通信及網路工程(包含高溫過程)中。
可經由DSC量測資料或其類似資料來確認玻璃轉化溫度。舉例而言，可使用藉由以下來量測玻璃轉化溫度之方法：將環狀烯烴類二元共聚物在300℃下維持5分鐘，使其緩慢冷卻至室溫，且以10℃/分鐘之加熱速率對其進行再掃描。咸信環狀烯烴類二元共聚物之玻璃轉化溫度歸因於所述共聚物之化學結構的特徵。隨著共聚物之玻璃轉化溫度增加，CTE值減小，同時增加高溫下之模數。因此，可提昇最後製造之CCL或PCB的熱穩定性。
另一方面，根據本發明之另一個實施例，提供一種用於製備環狀烯烴類二元共聚物之方法，包括以下步驟：使由以下化學式3表示之單體在含有第10族過渡金屬之預催化劑、與所述預催化劑之所述金屬配位的陰離子助催化劑以及含有第15族元素之配位體存在下聚合；及 使所述聚合物與過氧酸反應以執行環氧化。
其中，在上式3中，q為0至4之整數，且R為經具有1至4個碳原子之烷基取代或未經取代的乙烯基或亞烷基。
如上文所描述，本發明者經由實驗確認，根據上文所描述之方法製造的環狀烯烴類二元共聚物以預定比率含有具有環氧基之環狀烯烴類重複單元及具有乙烯基或亞烷基之環狀烯烴類重複單元，且具有較低介電常數特徵。
使由化學式3表示之單體聚合的步驟在含有第10族過渡金屬之預催化劑、與所述預催化劑之所述金屬配位的陰離子助催化劑以及含有第15族元素之配位體存在下進行。第10族過渡金屬預催化劑可包含由以下所構成的族群中選出之至少一種預催化劑：二氯化鈀(PdCl2)、氯化烯丙基鈀二聚體([(烯丙基)Pd(Cl)]2)、乙酸鈀((CH3CO2)2Pd)、乙醯基丙酮酸鈀([CH3COCH=C(O-)CH3]2Pd)、[PdCl(NB)O(CH3)]2、雙(二苯亞甲基丙酮)鈀((二苯亞甲基丙酮)2Pd)、三(二苯亞甲基丙酮)二鈀((二苯亞甲基丙酮)3Pd2)、NiBr(NP(CH3)3)4、硝酸鈀(Pd(NO3)2)以及 溴化鈀(PdBr2)。
能夠與預催化劑之金屬弱配位的陰離子助催化劑可由以下化學式4表示：[化學式4][Cat][Ani]
在上式4中，[Cat]為由以下所構成的族群中選出之任一種：氫陽離子、第1族金屬陽離子、第2族金屬陽離子、過渡金屬陽離子以及含有所述陽離子之有機基團，且[Ani]為由以下所構成的族群中選出之任一種：硼酸根、鋁酸根、[SbF6]-、[PF6]-、[AsF6]-、全氟乙酸根([CF3CO2]-)、全氟丙酸根([C2F5CO2]-)、全氟丁酸根([CF3CF2CF2CO2]-)、過氯酸根([ClO4]-)、對甲苯磺酸根([p-CH3C6H4SO3]-)、[SO3CF3]-、經鹵素取代或未經取代之硼雜苯以及碳硼烷。
含有第15族元素之配位體具有電子穩定化能力，且可起以熱及化學方式使過渡金屬化合物活化之作用。含有第15族元素之配位體的具體實例包含脂族、脂環族或芳族膦或亞磷酸酯，較佳為由以下所構成的族群中選出之一或多種配位體：三苯基膦、三環己基膦、亞磷酸三苯酯、1,2-(二苯基膦基)乙烷、三丁基膦、三苯基膦氧化物以及1,2-(二苯基膦基)丁烷。
此外，使單體聚合之步驟可在50℃至200℃、或70℃至150℃、或90℃至140℃、或100℃至135℃之溫度下進行。
接著，進行使藉由使由化學式3表示之單體聚合而製造的聚合物與過氧酸反應以執行環氧化的步驟。
在此情況下，過氧酸可包含由以下所構成的族群中選出之至少一種過氧酸：過氧苯甲酸、過氧乙酸、過氧甲酸、過氧鄰苯二甲酸、過氧丙酸、過氧丁酸、三氟-過氧乙酸以及過氧化氫。
在執行環氧化之步驟中，聚合物與過氧酸之間的莫耳比可為約1：0.1至1：5，較佳地約1：0.2至1：2。聚合物與過氧酸之間的莫耳比與待製造之環狀烯烴類二元共聚物的各重複單元之比例有關。當使聚合物及過氧酸以上文莫耳比反應時，可製造出含有20莫耳%至60莫耳%由一個實施例之化學式1表示之重複單元的環狀烯烴類二元共聚物。
另外，環氧化反應可在約50℃或低於50℃，較佳地約0℃至40℃之溫度下進行。
下文將藉助於實例更詳細地描述本發明。然而，僅出於說明之目的提供這些實例，且不應解釋為將本發明之範疇限制於這些實例。
<實例及比較實例>
比較實例1
向250毫升施蘭克燒瓶(Schlenk flask)中添加30.0公克(250毫莫耳)5-乙烯基-2-降冰片烯及60.0公克甲苯。使溫度升高至105℃，同時攪拌，且向其中添加溶解於1毫升二氯甲烷中之8.9毫莫耳二氯化鈀(PdCl2)、9.7毫莫耳三環己基膦以及14.0毫莫耳四氟硼酸銀(AgBF4)，且隨後在攪拌下於105℃下反應16小時。在反應之後，將反應混合物傾入過量甲醇中，獲得白色聚合物沈澱。用玻璃漏斗過濾沈澱，且在真空烘箱中於30℃下乾燥所收集之固體持續24小時，獲得聚合物(Mw=5,500公克/莫耳， PDI=2.01，產率48%)。
實例1
將20公克在比較實例1中所獲得之聚合物溶解於60公克二氯甲烷中。在攪拌的同時，使溫度降至0℃，且逐滴緩慢添加8.6公克間氯過氧苯甲酸(mCPBA)。在攪拌1小時之後，使溫度升高至室溫，且隨後反應5小時。在反應之後，過濾反應混合物，且將所獲得之反應溶液傾入過量甲醇中，獲得白色固體沈澱。用玻璃漏斗過濾此沈澱，且在真空烘箱中於30℃下乾燥持續24小時，獲得環氧化物轉化率為30%且化學式1之重複單元：化學式2之重複單元的莫耳比為3：7的共聚物(Mw=5,600公克/莫耳，PDI=1.95，產率80%)。
實例2
除了將間氯過氧苯甲酸(mCPBA)之含量自8.6公克改變為17.2公克之外，以與實例1中相同之方式獲得環氧化物轉化率為60%且化學式1之重複單元：化學式2之重複單元的莫耳比為6：4的共聚物(Mw=5,700公克/莫耳，PDI=1.97，產率82%)。
比較實例2
除了將間氯過氧苯甲酸(mCPBA)之含量自8.6公克改變為25.8公克之外，以與實例1中相同之方式獲得環氧化物轉化率為90%且化學式1之重複單元：化學式2之重複單元的莫耳比為9：1的共聚物(Mw=6,000公克/莫耳，PDI=1.92，產率79%)。
比較實例3
除了將間氯過氧苯甲酸(mCPBA)之含量自8.6公克改變為4.3公克之外，以與實例1中相同之方式獲得環氧化物轉化率 為15%且化學式1之重複單元：化學式2之重複單元的莫耳比為1.5：8.5的共聚物(Mw=5,600公克/莫耳，PDI=2.00，產率78%)。
比較實例4
除了將間氯過氧苯甲酸(mCPBA)之含量自8.6公克改變為22.9公克之外，以與實例1中相同之方式獲得環氧化物轉化率為80%且化學式1之重複單元：化學式2之重複單元的莫耳比為8：2的共聚物(Mw=5,900公克/莫耳，PDI=1.99，產率80%)。
比較實例5
除了將5-乙烯基-2-降冰片烯改變為5-亞乙基-2-降冰片烯之外，以與比較實例1中相同之方式獲得聚合物(Mw=7,500公克/莫耳，PDI=2.04，產率45%)。
實例3
除了將比較實例1之聚合物改變為比較實例5之聚合物之外，以與實例1中相同之方式獲得環氧化物轉化率為30%且化學式1之重複單元：化學式2之重複單元的莫耳比為3：7的共聚物(Mw=7,800公克/莫耳，PDI=2.08，產率80%)。
實例4
除了將比較實例1之聚合物改變為比較實例5之聚合物之外，以與實例2中相同之方式獲得環氧化物轉化率為60%且化學式1之重複單元：化學式2之重複單元的莫耳比為6：4的共聚物(Mw=8,100公克/莫耳，PDI=2.11，產率82%)。
比較實例6
除了將比較實例1之聚合物改變為比較實例5之聚合物之外，以與比較實例2中相同之方式獲得環氧化物轉化率為90% 且化學式1之重複單元：化學式2之重複單元的莫耳比為9：1的聚合物(Mw=8,500公克/莫耳，PDI=2.01，產率78%)。
比較實例7
除了將30公克5-乙烯基-2-降冰片烯改變為33.5公克5-(1'-甲基乙烯基)-2-降冰片烯之外，以與比較實例1中相同之方式獲得聚合物(Mw=6,000公克/莫耳，PDI=2.10，產率46%)。
實例5
除了將比較實例1之聚合物改變為比較實例7之聚合物之外，以與實例1中相同之方式獲得環氧化物轉化率為30%且化學式1之重複單元：化學式2之重複單元的莫耳比為3：7的共聚物(Mw=6,200公克/莫耳，PDI=2.07，產率82%)。
實例6
除了將比較實例1之聚合物改變為比較實例7之聚合物之外，以與實例2中相同之方式獲得環氧化物轉化率為60%且化學式1之重複單元：化學式2之重複單元的莫耳比為6：4的共聚物(Mw=6,500公克/莫耳，PDI=2.13，產率82%)。
比較實例8
除了將比較實例1之聚合物改變為比較實例7之聚合物之外，以與比較實例2中相同之方式獲得環氧化物轉化率為90%且化學式1之重複單元：化學式2之重複單元的莫耳比為9：1的聚合物(Mw=6,700公克/莫耳，PDI=2.15，產率75%)。
<實驗實例>
將40公克實例1至實例2及比較實例1至比較實例4中所製備之環狀烯烴類二元共聚物、60公克氰酸酯樹脂 (Nanozine-375，奈米量子技術公司(Nanoco Technologies))以及0.4公克引發劑(過氧化二異丙苯，西格瑪-奧德里奇公司(Sigma-Aldrich))溶解於環己酮溶劑中以使得固體含量為50%，來製備清漆。
將50公克無機填充劑(SC2050-HMN，雅都瑪技術公司(Admatechs))及21公克環己酮溶劑置放於球磨機中，且球磨2小時以使所述無機填充劑分散。隨後，將經分散之無機填充劑與先前所製備之清漆混合以製備漿料。將由此製備之漿料浸漬在玻璃纖維(L-1067，尤尼吉可集團(UNITIKA))中，且隨後使其經受熱空氣乾燥以製備預浸體。在使兩個由此製備之預浸體層合之後，將厚度為35微米之銅箔置放於兩側。使銅箔層合，且隨後使用壓機在220℃下加熱且按壓90分鐘以製造厚度為170微米之電路板。
隨後，在上文所製造之基板上量測如上文所描述製備之樹脂組合物的玻璃轉化溫度(Tg)、銅箔黏著強度以及介電常數。
使用DSC(TA儀器公司(TA Instruments))來量測玻璃轉化溫度，且以90°剝離強度形式來量測樣本之銅箔黏著強度。具體言之，剝離強度可藉由以下來計算：製備其中依序形成厚度為35微米之銅箔及基板的層合物樣品，藉由物理刺激物將所述層合物樣品切割成寬度為10毫米之矩形形狀，及量測當使用拉伸強度測試儀(ZWICK)抓取經切割銅箔末端且以90°之角度及50毫米/分鐘之速度將其自基板層剝離掉時所需要的力(剝離強度)。
另外，在10GHz之條件下使用向量網路分析儀(安捷倫技術公司)來量測樣本之介電常數(Dk)。隨後，使用各組分之 含量及已知介電常數值來計算實例及比較實例之環狀烯烴類二元共聚物的單一介電常數值。
量測結果概述於下表1中。
如表1中所示，與比較實例2之含有90莫耳%含有環氧基之重複單元的二元共聚物相比較，實例1及實例2之含有20莫耳%至60莫耳%含有環氧基之重複單元的環狀烯烴類二元共聚物展現約0.1或大於0.1之較低介電常數(Dk)，且因此可確認其介電特徵極佳。與比較實例4之含有80莫耳%含有環氧基之重複單元的二元共聚物比較，亦量測預浸體之介電常數為0.05或低於0.05，且介電損耗因子與比較實例4相比較降低至20%或大於20%。因此，可確認實例1及實例2之介電特徵極佳。
在使用預浸體作為絕緣層的情況下，隨著介電常數及介電損耗因子降低，絕緣特徵更佳。隨著介電常數及介電損耗因子增加，絕緣特徵降低。因此，傳輸耗損在高頻區中增加，由此不利地影響電子裝置之效能、耐久性以及製造良率。
另外，可確認與使用比較實例1之VNB均聚物的情況 相比較，使用實例1及實例2之共聚物所製造的電路板展現0.5kgf/cm或大於0.5kgf/cm之較高黏著強度。可確認與使用比較實例3之含有15莫耳%含有環氧基之重複單元的二元共聚物的情況相比較，其具有0.2kgf/cm或大於0.2kgf/cm之較高黏著強度。
當預浸體與厚度為35微米之銅箔的黏著強度小於0.6kgf/cm時，其在使用預浸體及銅箔製備CCL時容易地剝離，由此使其難以製造出產品，且即使製造出產品，仍難以確保可靠性。亦即，本發明之環狀烯烴類二元共聚物含有含有乙烯基或乙基亞乙烯基之重複單元及含有環氧基之重複單元，且含有環氧基之重複單元的含量在相對於所有重複單元之總量計20莫耳%至60莫耳%範圍內。當比率超出上文範圍時，可自實驗實例確認，介電特徵及黏著強度降低。

Claims (10)

  1. 一種環狀烯烴類二元共聚物，包括由化學式1表示之重複單元及由化學式2表示之重複單元，其中由化學式1表示之重複單元以相對於由化學式1及化學式2表示之所有重複單元的總量計20莫耳%至60莫耳%之量含於所述環狀烯烴類二元共聚物中，且其中所述環狀烯烴類二元共聚物之固化產物在10GHz下的介電常數(Dk)為2.7或小於2.7， 其中，在化學式1中，p為0至4之整數，R1至R4各自獨立地為氫或經具有1至4個碳原子之烷基取代或未經取代的環氧基，或由R1及R2以及R3及R4所構成的族群中選出之至少一個組合彼此連接以形成環氧基，其限制條件為排除其中R1至R4均為氫的情況；[化學式2] 其中，在化學式2中，q為0至4之整數，R5至R8各自獨立地為氫或經具有1至4個碳原子之烷基取代或未經取代的乙烯基，或由R5及R6以及R7及R8所構成的族群中選出之至少一個組合彼此連接以形成亞烷基(alkylidene group)，其限制條件為排除其中R5至R8均為氫的情況。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之環狀烯烴類二元共聚物，其中所述環狀烯烴類二元共聚物之重量平均分子量(藉由GPC來量測)為1,000公克/莫耳至100,000公克/莫耳。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之環狀烯烴類二元共聚物，其中所述環狀烯烴類二元共聚物之固化產物在10GHz下的介電耗損因子為0.008或小於0.008。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之環狀烯烴類二元共聚物，其中所述環狀烯烴類二元共聚物之固化產物的銅箔黏著強度為0.6kgf/cm或大於0.6kgf/cm。
  5. 一種用於製備環狀烯烴類二元共聚物之方法，以製備如申請專利範圍第1項所述之環狀烯烴類二元共聚物，包括：使由化學式3表示之單體在含有第10族過渡金屬之預催化劑、與所述預催化劑之金屬配位的陰離子助催化劑以及含有第15 族元素之配位體存在下聚合；以及使聚合物與過氧酸反應以執行環氧化反應， 其中，在上式3中，q為0至4之整數，且R為經具有1至4個碳原子之烷基取代或未經取代的乙烯基或亞烷基。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的用於製備環狀烯烴類二元共聚物之方法，其中所述預催化劑包含由以下所構成的族群中選出之至少一種：二氯化鈀(PdCl2)、氯化烯丙基鈀二聚體([(烯丙基)Pd(Cl)]2)、乙酸鈀((CH3CO2)2Pd)、乙醯基丙酮酸鈀([CH3COCH=C(O-)CH3]2Pd)、[PdCl(NB)O(CH3)]2、雙(二苯亞甲基丙酮)鈀((二苯亞甲基丙酮)2Pd)、三(二苯亞甲基丙酮)二鈀((二苯亞甲基丙酮)3Pd2)、NiBr(NP(CH3)3)4、硝酸鈀(Pd(NO3)2)以及溴化鈀(PdBr2)。
  7. 如申請專利範圍第5項所述的用於製備環狀烯烴類二元共聚物之方法，其中所述含有第15族元素之配位體為有機磷配位體。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的用於製備環狀烯烴類二元共聚物之方法，其中所述有機磷配位體包含由以下所構成的族 群中選出之至少一種：三苯基膦、三環己基膦、亞磷酸三苯酯、1,2-(二苯基膦基)乙烷、三丁基膦、三苯基膦氧化物以及1,2-(二苯基膦基)丁烷。
  9. 如申請專利範圍第5項所述的用於製備環狀烯烴類二元共聚物之方法，其中所述過氧酸包含由以下所構成的族群中選出之至少一種：過氧苯甲酸、過氧乙酸、過氧甲酸、過氧鄰苯二甲酸、過氧丙酸、過氧丁酸、三氟-過氧乙酸以及過氧化氫。
  10. 如申請專利範圍第5項所述的用於製備環狀烯烴類二元共聚物之方法，其中在執行所述環氧化反應之步驟中，所述聚合物與所述過氧酸之間的莫耳比為1：0.1至1：5。
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