TWI647759B - 半導體製造用部件的再生方法和其再生裝置及再生部件 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及半導體製造用部件的再生方法和其再生裝置及再生部件，根據本發明的一個實施例，提供半導體製造用部件的再生方法，其步驟包括：準備步驟，準備損傷的半導體製造用部件。第一清洗步驟，清洗損傷的半導體製造用部件。遮掩步驟，遮掩包括損傷的半導體製造用部件的非損傷部分領域中至少任何一個。再生部形成步驟，由化學氣相沉積法在損傷的半導體製造用部件形成再生部。後加工步驟，加工形成於損傷的半導體製造用部件的再生部。及第二清洗步驟，清洗形成有再生部的損傷的半導體製造用部件。

Description

半導體製造用部件的再生方法和其再生裝置及再生部件
本發明涉及在半導體製造工程使用的半導體製造用部件的再生方法和其再生裝置及再生部件，更詳細地說，為涉及再生利用電漿的乾式蝕刻裝置的損傷部件，在半導體製造工程可利用的半導體製造用部件的再生方法和其再生裝置及再生部件。
通常，在半導體製造工程使用的電漿處理方法是乾式蝕刻工程中的一個，使用氣體蝕刻對象的方法。這跟隨將蝕刻氣體注入到反應容器內，離子化之後，由晶片表面進行加速，將晶片表面以物理、化學去除的工程。這方法被廣泛地使用於方便蝕刻的調解且生產性高，可進行數十奈米水準的細微圖案形成。
為了電漿處理方法的均勻蝕刻，要考慮的參數(parameter)可舉例要蝕刻層的厚度和密度、蝕刻氣體的能量及溫度、光刻膠的黏附性和晶片表面的狀態及蝕刻氣體的均勻性等。特別地，離子化蝕刻氣體，將離子化的蝕刻氣體由晶片表面加速，執行蝕刻的無線電頻率(RF；Radio frequency)調解，可成為重要的參數。以實際蝕刻形成的晶片為基準時，挑選的無線電頻率適用，是具有對晶片表面整個的均勻能量分佈的必須因素。這不可只由無線電頻率的輸出調解來達到，由無線電頻率電極的階段和陽極的形態及實質性地做固定晶片的功能的聚焦環等，被大地左右。
在電漿存在的殘酷條件的電漿處理裝置的反應室內，聚焦環的作用是防止電漿的擴散，在蝕刻處理形成的晶片周圍限定電漿。因此，聚焦環一直露在電漿，由電漿中的陽離子濺射，蝕刻其表面。因此，在適當的週期沒有形成聚焦環的交替時，對其聚焦環蝕刻的蝕刻副產物的量增加，發生蝕刻工程的順利進行困難的問題。即，聚焦環經過一定的週期交替被蝕刻的，且被蝕刻的聚焦環被全部廢棄處理。
此外，由電漿的殘酷條件，也一同蝕刻電漿處理裝置反應室內的其他露出的部件。為了精密的晶片蝕刻，電漿處理裝置的其他被蝕刻損傷的部件也需要週期性交替，所以，成為增加半導體產品生產費用的原因。這些被交替的部件在交替之後，被完全廢棄處理。
本發明是為了解決上述的問題，本發明的目的是作為一個範例，提供減少如被交替聚焦環的半導體製造用消耗性部件的廢棄，所發生的產業廢棄物，來貢獻環境保護，可減少最終的半導體產品的生產費用的半導體製造用部件的再生方法和其再生裝置及再生部件。
但是，本發明所要解決的課題不限定於上述提及的課題，且沒有提及的其他課題，可從以下記載明確地理解給本領域的技術人員。
根據本發明的一個實施例，提供半導體製造用部件的再生方法，其步驟包括：準備步驟，準備損傷的半導體製造用部件；第一清洗步驟，清洗損傷的半導體製造用部件；遮掩步驟，遮掩包括損傷的半導體製造用部件的非損傷部分領域中至少任何一個；再生部形成步驟，由化學氣相沉積法在損傷的半導體製造用部件形成再生部；後加工步驟，加工形成於損傷的半導體製造用部件的再生部；及第二清洗步驟，清洗形成有再生部的損傷的半導體製造用部件。
根據本發明的一個實施例，其步驟還可包括：前加工步驟，在準備步驟及第一清洗步驟之間。根據本發明的一個實施例，遮掩步驟可由夾具遮掩。
根據本發明的一個實施例，遮掩步驟可遮掩從損傷的半導體製造用部件的底面、外側面及內側面所形成的群組中選擇的至少任何一個非損傷面。
根據本發明的一個實施例，前加工步驟、後加工步驟或兩個步驟都可由金剛石砂輪切割加工。
根據本發明的一個實施例，前加工步驟可將損傷的半導體製造用部件的損傷部，切割0.8毫米(mm)至1.7毫米(mm)厚度進行加工。
根據本發明的一個實施例，後加工步驟可包括從再生部切割獲取剩餘部，且加工剩餘部製造另外的半導體製造用部件。
根據本發明的一個實施例，第二清洗步驟可包括第一物理或化學清洗步驟、熱處理清洗步驟及第二物理或化學清洗步驟。
根據本發明的一個實施例，熱處理清洗步驟的熱處理溫度可以是攝氏800度(℃)至1400度(℃)。
根據本發明的其他一個實施例，提供半導體製造用部件的再生裝置，其包括：化學氣相沉積室；及遮掩部，位於化學氣相沉積室內，遮掩包括損傷的半導體製造用部件的非損傷部分領域。
根據本發明的一個實施例，遮掩部可包括夾具。
根據本發明的一個實施例，夾具可包括：標準夾具，支撐損傷的半導體製造用部件的非損傷面中的一個面，且標準夾具的損傷的半導體製造用部件的非損傷面中一個面的接觸面面積，小於損傷的半導體製造用部件的非損傷面中一個面的面積。
根據本發明的一個實施例，標準夾具可以是點夾具。
根據本發明的一個實施例，夾具還可包括：另一面夾具，支撐除了損傷的半導體製造用部件的非損傷面中一個面的其他面。
根據本發明的一個實施例，另一面夾具可包括：外側面夾具，支撐損傷的半導體製造用部件的外側面；及內側面夾具，支撐損傷的半導體製造用部件的內側面。
根據本發明的一個實施例，標準夾具和另一面夾具可以是一體型。
根據本發明的一個實施例，另一面夾具與損傷的半導體製造用部件的接觸面形狀，可對應於損傷的半導體製造用部件的接觸面形狀。
根據本發明的其他一個實施例，提供半導體製造用再生部件，其包括非再生部和再生部，作為半導體製造用消耗性部件。
根據本發明的一個實施例，非再生部、再生部或兩個步驟都可以是耐電漿性。
根據本發明的一個實施例，非再生部、再生部或兩個步驟都可包括碳化矽(SiC)。
根據本發明的一個實施例，半導體製造用再生部件作為電漿處理裝置部件，可包括從環、電極部及導線所形成的群組中選擇的至少任何一個。
根據本發明的一個實施例，半導體製造用部件的再生方法，可使用任何一個半導體製造用部件的再生裝置被執行。
根據本發明的一個實施例，半導體製造用再生部件，可使用任何一個半導體製造用部件的再生方法被再生。
根據本發明的一個實施例，半導體製造用再生部件，可使用任何一個半導體製造用部件的再生裝置被再生。
根據本發明的一個實施例半導體製造用部件的再生方法，具有在交替後要廢棄的部件形成再生部，由相對少的費用可體現與交替新產品對等或其以上的工程生產效率，最終減少半導體產品的生產費用，可減少產業廢棄物量的效果。根據本發明的其他一個實施例的再生裝置及再生部件，具有由有效的結構及方法可再生損傷的半導體製造用部件的效果。
進一步地，經本發明可期待利用在再生過程發生的沉積剩餘部，可製造另外的半導體製造用部件，提高生產性的效果。
以上關於本發明內容的說明及以下實施方式的說明係用以示範與解釋本發明的原理，並且提供本發明的專利申請範圍更進一步的解釋。
參照以下附圖詳細地說明本發明的半導體製造用部件的再生方法和其再生裝置及再生部件的實施例。在以下說明的實施例及圖，可進行多種變更。此外，與圖符號無關相同的構成要素賦予相同的參照符號，且對此的重複說明給予省略。以下說明的實施例不是限定實施形態，且理解為包括對此的所有變更、均等物至代替物。在說明本發明中，當對有關公知功能或構成的具體說明不必要並模糊本發明要點時，省略其詳細地說明。
此外，在本說明書使用的用語是為了適當地表現本發明的優選實施例被使用的用語，這可根據使用者、運營者的意圖或本發明所屬領域的慣例等不同。因此，對本用語的定義，以本說明書整個內容為基礎做決定。在各圖示出的相同參照符號顯示相同的部件。
在整個說明書，有些部件位於其他部件“上”時，這不僅包括有些部件與其他部件相切的情況，而且也包括在兩個部件之間還存在其他部件的情況。
在整個說明書，有些部分“包括”有些構成要素時，在沒有特別反對的說明時，意味著不排除其他構成要素，而是還可包括其他構成要素。
圖1繪示在半導體生產工程的電漿處理裝置中，被使用的半導體製造裝置部件中一個的聚焦環的立體圖。於圖1中繪示在半導體生產工程的電漿處理裝置，被使用的半導體製造用部件中一個的聚焦環100工程裝置產品的多種結構中一個形態。聚焦環100的斷面具有由上端面和下端面段差的結構，可具有包括連接其段差間的傾斜面的結構。
圖2所繪示為一範例，其為在半導體生產工程的電漿處理裝置中，晶片安裝在圖1之半導體製造裝置部件中一個的聚焦環100結構沿A-A’剖面的斷面圖。在這種情況下，晶片根據工程裝置結構，可跨在聚焦環100下端面104整個或一部分的被安裝。之後安裝的晶片和聚焦環100，在電漿處理裝置的室內，露在電漿被蝕刻。在這種情況下，對聚焦環100的上端面102、傾斜面106及下端面104中的未被晶片遮擋的部分，可集中地進行蝕刻。因此，如聚焦環100的電漿處理裝置室內的，露在電漿的半導體製造用部件被損傷，需要週期性的交替。
根據本發明的一個實施例，提供半導體製造用部件的再生方法，其包括：準備步驟，準備損傷的半導體製造用部件；第一清洗步驟，清洗損傷的半導體製造用部件；遮掩步驟，遮掩包括損傷的半導體製造用部件的非損傷部分領域中至少任何一個；再生部形成步驟，由化學氣相沉積在損傷的半導體製造用部件形成再生部；後加工步驟，加工形成於損傷的半導體製造用部件的再生部；及第二清洗步驟，清洗形成有再生部的損傷的半導體製造用部件。
根據本發明的一個實施例，在準備步驟及第一清洗步驟之間還可包括前加工步驟。前加工步驟勻質地加工損傷的半導體製造用部件的損傷部件，將損傷的不均勻表面，可由損傷的深度以上去除並進行勻質。這是為了防止在損傷不均勻的部分立即沉積再生部時，因不均勻沉積發生再生部件和損傷前部件之間的品質差異。圖3為根據本發明的一個實施例，生成半導體製造用再生部件過程的流程圖。
圖4為根據本發明的一個實施例，生成半導體製造用再生部件過程的工程圖。
在圖4的第一個圖(a)示出了在乾式蝕刻裝置內，包括由電漿被蝕刻損傷的部分112和沒有露在電漿，未被蝕刻的底面114、外側面116及內側面118的損傷聚焦環110的斷面圖。在圖4的第一個圖(a)中，由電漿被蝕刻的損傷的部分112，形成於在圖2繪示出的損傷前聚焦環100的上端面102、傾斜面106及晶片未被遮擋的下端面104的一部分。即，由電漿被損傷的聚焦環110如圖2所示，根據晶片400安放在下端面104，可在電漿未直接接觸的下端面一部分形成非損傷面，根據室內裝置結構可在底面114、外側面116及內側面118也附加地具有非損傷面。
準備損傷的半導體製造用部件的準備步驟，為了去除在損傷的半導體製造用部件表面存在的不純物等，可包括事先清洗的步驟。
之後，如圖4的第一個圖(a)所示，還包括不均勻地被蝕刻整平損傷部分的前加工步驟，可在之後再生部形成步驟誘導選擇的沉積。在圖4的第二個圖(b)繪示出了根據本發明的一個實施例，執行前加工步驟使表面勻質的聚焦環120的斷面圖。以下，根據本發明的一個實施例，由圖符號120指稱的聚焦環意味著執行前加工步驟，使表面勻質狀態的損傷的半導體製造部件。
在本發明，不特別地限定前加工步驟的工程，可包括所有再生部被沉積可均勻地加工形成部分的工程。
之後，在第一清洗步驟，可去除半導體製造用部件的表面不純物。如上述，工程上包括前加工步驟時，在前加工步驟發生的表面不純物，可在第一清洗步驟去除。在本發明，不特別地限定第一清洗步驟的工程，但通過使用摩擦力或超聲波等的物理清洗，或利用酸、鹼溶液的化學清洗等，可去除表面不純物。
在圖4的第二個圖(b)繪示出了完成第一清洗步驟的表面，光滑地形成聚焦環120的斷面圖。如圖4的第一個圖(a)的損傷聚焦環110的損傷的部分112，經過前加工步驟及第一清洗步驟表面變得勻質，聚焦環在後述的再生部形成步驟中，可使再生部被均勻地沉積。
遮掩步驟是為了在後述的再生部形成步驟中，確保由化學氣相沉積再沉積時的加工基準點。由此，在後加工步驟向遮掩部分加工，且加工面到達遮掩部分時，以未被蝕刻的底面114、外側面116及內側面118為基準，確保整個聚焦環110的位置，可加工去除遮掩之後的剩餘部分。
此外，經過再生部形成步驟成為如圖4的第五個圖(e)的沉積團時，為了在圖4的第一圖(a)損傷的聚焦環110的非損傷面，即未被蝕刻的底面114、外側面116及內側面118，儘量不發生沉積。由此，在後加工步驟可避免不必要部分的加工，具有工程效率增加的效果。
根據本發明的一個實施例，再生部形成步驟後去除遮掩的聚焦環的斷面圖，如圖4的第六個圖(f)所示。在這種情況下，如果不存在遮掩，可發生在再生部形成步驟不可確保損傷的半導體製造用部件，成為沉積團之後的加工基準點，且要加工完全新部件形狀的問題。即，包括遮掩步驟可確保由加工難的高耐電漿性沉積物質形成的，再生部的後加工步驟工程的效率。根據如此本發明的一個側面，比起將半導體製造用部件以完成品重新製造，加工面積顯著地減少，可減少半導體製造用部件的生產單價，最終確保半導體產品的低價格，可顯著提高產業上活用度。
作為遮掩材質，包括石墨材質的材料在內，比起沉積物質可使用容易加工的材料。由此，被遮掩的部分與沉積物質不同，在半導體製造用部件可具有容易去除的效果。
根據本發明的一個範例，如圖4的第三個圖(c)所示，遮掩步驟可包括由夾具遮掩。遮掩可由支撐損傷的半導體製造用再生部件的一側部分的夾具被形成。夾具可包括在損傷的聚焦環120未被損傷的面中，支撐一個面的夾具210。此外，還可包括支撐損傷的聚焦環其他面的另一面夾具。
根據本發明的一個範例，遮掩步驟可包括遮掩從損傷的半導體製造用部件的底面、外側面及內側面所形成的群組中選擇的至少任何一個的非損傷面。
圖4的第四個圖(d)繪示出了通過遮掩步驟，在本發明的一個實施例提供的標準夾具和外側面、內側面，進行附加遮掩300的結構斷面圖。由此，只有損傷的半導體製造用部件的損傷部件露在外部，直接由再生部全部覆蓋。損傷的半導體製造用部件的非損傷面部分被遮掩，與再生部不發生直接地接觸。
之後，如圖4的第五個圖(e)所示，再生部400形成在被遮掩的損傷的半導體製造用部件。作為再生部形成步驟的具體方法，在沉積溫度為攝氏溫度1000度(℃)至1500度(℃)中，可將成膜速度為20微米/小時(㎛/hour)至400微米/小時(㎛/hour)，燃料氣體的滯留時間為7至110秒進行。如根據本發明的一個實施例的圖4的第五個圖(e)的聚焦環，包括再生部的半導體製造用再生部件，在整個面沉積形成沉積團，所以，可以是不符合在現場要求的產品規格的未加工的形態。
之後，在後加工步驟，將沉積再生部厚度變厚的半導體製造用再生部件，可由電漿處理裝置來代替損傷部件，進行規格化。在這種情況下，再生部可被沉積加工難的如碳化矽(SiC)物質，所以，在通過後加工步驟的規格化過程中，最小化直接的加工面積，可對確保產品生產性非常重要。在本發明，為了確保後加工步驟的效率，在包括非損傷面的部分可包括遮掩的遮掩步驟。在圖4的第六個圖(f)，繪示出了首先容易地加工做加工基準點作用且加工容易的遮掩部分，並規格化的聚焦環。之後，如圖4的第六個圖(f)所示，最終加工未被遮掩的部分。在第二清洗步驟，可去除後加工步驟生成的表面不純物。在圖4的第七個圖(g)，繪示出了根據本發明的一個實施例，經過後加工步驟及第二清洗步驟的規格化的，半導體製造用再生部件中一個的聚焦環的斷面圖。最終，根據本發明的一個實施例，由高生產效率可確保代替圖2的損傷前聚焦環100的相同規格的再生聚焦環。
根據本發明的一個範例，前加工步驟、後加工步驟或兩個步驟都可以是由金剛石砂輪切割加工。半導體製造用部件及再生部，可以是包括SiC物質的加工困難的物質。因此，前加工步驟、後加工步驟或兩個步驟都比半導體製造用部件及再生部硬度高，由可加工的高硬度物質形成的切割用具，可切割加工。切割用具可包括硬度高的金剛石材質的砂輪。
根據本發明的一個範例，前加工步驟可將損傷的半導體製造用再生部件的損傷部切割成0.8毫米至1.7毫米厚度，進行加工。由顯示在圖4的第一個圖(a)的電漿，損傷的部分112平均高低偏差由0.5毫米內外形成。因此，優選地，將損傷的部分均勻地切割並加工的厚度是0.8毫米至1.7毫米。只是，這可根據損傷的面的狀態不同，且本發明不限定於此。
根據本發明的一個範例，後加工步驟包括從再生部切割獲取剩餘部的步驟，可以是加工剩餘部製造另外的半導體製造用部件。
圖5為根據本發明的一個實施例，在後加工步驟中，從再生部400切割獲取剩餘部410的步驟及加工剩餘部製造另外的半導體製造用部件100過程的工程圖。根據本發明的一個實施例，為了提高生產工程的效率，獲取形成的再生部切割加工後廢棄的剩餘部，加工此可製造另外的半導體製造用部件。再生過程也是由沉積進行，在損傷的面之外沉積由非選擇性地形成，獲取在非損傷面沉積的SiC分離獲取，可用為其他半導體製造裝置等的部件加工前物質。
根據本發明的一個範例，第二清洗步驟可包括第一物理或化學清洗步驟、熱處理清洗步驟及第二物理或化學清洗步驟。第一及第二物理或化學清洗步驟在本發明沒有特別地限定，但可以是使用超聲波的物理清洗或使用包括酸、鹼、蒸餾水的純溶液的化學清洗。這是為了去除在半導體製造用部件表面上的剩餘不純物。熱處理清洗步驟由提高在第一物理或化學清洗步驟尚未清洗的殘留不純物溫度，為了製作通過第二物理或化學清洗步驟可清洗的過程。
根據本發明的一個範例，熱處理清洗步驟的熱處理溫度可以是800℃至1400℃。考慮沉積物質時，形成熱處理溫度，可通過第一物理或化學清洗步驟，將沒有清洗的殘留不純物製作成附加清洗的狀態。熱處理溫度未滿800℃時，可具有殘留不純物未被充分清洗狀態的問題，超過1400℃時，可具有為了形成過高溫度增加工程設計、生產單價的問題。
根據本發明的其他一個實施例，提供一種半導體製造用部件的再生裝置，其包括：化學氣相沉積室；及遮掩部，位於化學氣相沉積室內，遮掩包括損傷的半導體製造用部件的非損傷部分領域。再生裝置可以是由化學氣相沉積方式，在損傷的半導體製造用部件可沉積包括SiC物質的裝置。室是可形成化學氣相沉積空間的封閉結構，其任何形態可都行。
根據本發明的一個範例，遮掩部可包括夾具。夾具支撐包括損傷的半導體製造用部件的非損傷部分領域，露出損傷部分的結構，任何形態都可行。即，損傷的半導體製造用部件安裝在夾具，包括損傷的部分可形成由化學氣相沉積方式覆蓋再生部的結構。夾具為了在化學氣相沉積室內均勻地形成再生部，可包括安裝半導體製造裝置部件的可旋轉結構。
根據本發明的一個範例，夾具包括支撐損傷的半導體製造用部件的非損傷面中一個面的標準夾具，標準夾具的損傷的半導體製造用部件的非損傷面中一個面的接觸面面積，可以是小於損傷的半導體製造用部件的非損傷面中一個面的面積。
如圖6，標準夾具在下部可形成支撐損傷的半導體製造用部件的結構。由此，標準夾具支撐的損傷的半導體製造用部件的一個面接觸部分，在沉積並形成再生部的過程中，可具有被遮蓋未形成沉積的效果。在這種情況下，優選地，與標準夾具的損傷的半導體製造用部件的非損傷面接觸的接觸面面積，小於損傷的半導體製造用部件的非損傷面的面積。標準夾具的接觸面面積超過損傷的半導體製造用部件的一個面面積時，可發生以下問題。首先，由損傷的半導體製造用部件的外部形成的夾具上，也沉積沉積物質，可發生在後加工步驟需要附加地加工，降低工程效率的問題。此外，在損傷的半導體製造用部件和夾具之間的棱部分沒有沉積沉積物質，或未被勻質的沉積，可發生再生部件不可代替損傷前產品的問題。圖6為根據本發明的一個實施例，支撐半導體製造裝置部件中一個的聚焦環120的非損傷面中一個面的標準夾具210的，非損傷面中一個面的接觸面面積小於非損傷面中一個面的面積結構的斷面圖。
根據本發明的一個範例，標準夾具可以是點夾具。在這種情況下，點夾具意味著與損傷的半導體製造用部件的接觸，由線或點形成的夾具。在這種情況下，點夾具在損傷的半導體製造用部件的再生部形成之後加工步驟中，做確保加工基準點的功能。即，在加工相對加工難的再生部物質中，最小化不必要的加工面積，可確認現有損傷的半導體部件的非損傷領域的位置。
圖7為根據本發明的一個實施例，半導體製造裝置部件中一個的聚焦環和支撐其非損傷面中一個面的點夾具212結構的斷面圖。如在圖7示出，點夾具通過由一個以上的線或點形成的接觸，可支撐包括損傷的半導體製造用部件的非損傷部分領域。本發明的點夾具是包括損傷的半導體製造用部件的非損傷部分領域和由線或點接觸，可支撐損傷的半導體製造用部件的結構時，不進行特別地限定。點夾具可與包括由一個線或點損傷的半導體部件的非損傷部分的領域接觸，也可由兩個以上的線或點接觸。圖7根據本發明的一個範例，與包括損傷的半導體部件的非損傷部分領域的接觸，相當於由構成內側和外側兩個圓的線，形成的點夾具212的結構斷面。
根據本發明的一個範例，夾具還可包括支撐損傷的半導體製造用部件的損傷的其他面的另一面夾具。再生裝置包括另一面夾具，在形成再生部的過程中，可更穩定地支撐損傷的半導體製造用部件。此外，將損傷的半導體製造用部件的非損傷面向另一面夾具方向佈置，可附加地防止其他非損傷面的沉積。
根據本發明的一個範例，另一面夾具可包括支撐損傷的半導體製造用部件外側面的外側面夾具；及支撐損傷的半導體製造用部件內側面的內側面夾具。
圖8a及圖8b為根據本發明的一個實施例，標準夾具及另一面夾具被遮掩在屬於損傷的半導體製造用部件中一個範例的聚焦環120結構的斷面圖。圖8a為根據本發明的一個實施例，損傷的半導體製造用部件中一個的聚焦環120下部由標準夾具210，並且外側面由外側面夾具220被遮掩結構的斷面圖。圖8b為根據本發明的一個實施例，損傷的半導體製造用部件中一個的聚焦環下部由標準夾具210、外側面由外側面夾具220，並且內側面由內側面夾具230被遮掩結構的斷面圖。
根據本發明的一個實施例的半導體製造用再生部件的再生裝置的另一面夾具，根據裝置結構上的需求，可將外側面夾具或內側面夾具中一個，由側面夾具具備，也可具備兩個。
根據本發明的一個實施例，半導體製造用部件中，在損傷的聚焦環形成再生部時，如圖8a及圖8b利用夾具支撐非損傷面並遮掩，防止不必要的沉積的同時，形成穩定的支撐結構，可將直接被沉積的面誘導到具有損傷面一側的效果。
根據本發明的一個實施例，標準夾具和另一面夾具可以是一體型。損傷的半導體製造用部件的拆卸是自由結構時，由再生裝置的結構上需求，標準夾具和另一面夾具可以是一體型。
圖9為根據本發明的一個實施例，安裝在屬於損傷的半導體製造用部件中一個範例的聚焦環120的標準夾具和另一面夾具為一體型結構的一體型夾具240的斷面圖。根據本發明的一個實施例，如圖9，標準夾具和外側面夾具可以是一體型，且根據本發明的另一個實施例，下部夾具、外側面夾具及內側面夾具也可以是一體型。
根據本發明的一個範例，接觸另一面夾具損傷的半導體製造用部件的面形狀，可對應於損傷的半導體製造用部件的接觸面形狀。損傷的半導體製造用部件，可根據其功能基作用具有多種形狀。根據本發明的一個實施例，優選地，損傷的半導體製造用部件的接觸面形狀，對應於半導體製造用部件的一個面形狀(相當於相互陰刻及陽刻)被製造，另一面夾具是將從損傷的半導體製造用部件的一個側面，完全地從沉積物質阻斷的結構。由此，在再生部形成過程中，可具有從沉積物質一個側面完全地被阻斷，且後處理加工時減少加工的效果。
圖10為根據本發明的一個實施例，與另一面夾具250的損傷的半導體製造用部件中一個的聚焦環130接觸的接觸面形狀，對應於聚焦環側面形狀的斷面圖。焦距環根據電漿處理裝置產品，可具有外側面下端一部分凸出的形狀。在這種情況下，根據本發明的一個實施例，另一面夾具250使對應於其凸出的形狀，由凸出的形狀陰刻形態形成，可形成與聚焦環完全密切的結構。由此，在再生部形成過程中，由標準夾具210被遮掩遮蓋的底面外，具有附加地從沉積物質完全阻斷一個側面的效果。
根據本發明的另一個實施例，作為半導體製造用消耗性部件，提供半導體製造用再生部件，其包括非再生部和再生部。半導體製造用消耗性部件可包括用於製造半導體用晶片的電漿處理裝置中，由電漿被損傷要求交替的任何部件。
根據本發明的一個範例，非再生部、再生部或兩個步驟都可以是耐電漿性。半導體製造用消耗性部件的非再生部、再生部或兩個步驟都可露在電漿，被蝕刻並損傷。因此，損傷時，必須伴隨交替，但為了減少因頻繁交替的半導體產品的生產費用，優選地，非再生部、再生部或兩個步驟都是耐電漿性材質。
根據本發明的一個範例，非再生部、再生部或兩個步驟都可包括SiC。優選地，非再生部、再生部或兩個步驟都是到現在為止研究多種耐電漿性材質，作為一個範例，包括SiC成分。例如，SiC成分為強的共有結合物質，比其他陶瓷材料保是有優秀的熱傳導率、硬度、耐氧化性、耐磨性、耐腐蝕性的耐電漿性的材質，是在殘酷的條件要求精密工程的半導體製造用材質，保有優秀特性的材料。
此外，非再生部、再生部或兩個步驟都包括SiC，還可包括附加地包括碳氫化合物的其他成分。碳氫化合物具有CxHy的化學式，可使用x是1以上，y是2以上的正數。此外，聚焦環也可以是在碳矽基板塗層矽層的結構。
一方面，非再生部和再生部的成分可相同。非再生部和再生部的成分相同時，可製造能代替最初損傷前的半導體製造裝置部件的產品。此外，再生部的成分與非再生部成分不同，也可包括含有耐電漿性，根據需求比非再生部的物性，具有與其物性更優秀特徵的物質。
此外，非再生部和再生部要生產的晶片和成分元素可相同。再生部包括與製造的晶片完全不同的成分時，由電漿損傷半導體製造裝置部件時，其成分流出到外部可污染晶片。形成再生部前的損傷的半導體製造裝置部件和再生部的構成元素及成分分佈可相同，也可不同。即，非再生部、再生部或兩個步驟都包括SiC，曲折強度可卓越地變高，可確保對電漿的高耐蝕性。
再生部包括化學氣相沉積(CVD)方式，可由多種方法形成。優選地，再生部的厚度是0.5微米(㎛)至5微米(㎛)。再生部的厚度未滿0.5㎛時，可具有形成再生部體現無實質性效果的問題，且再生部的厚度是5㎛以上時，可具有再生工程的經濟性降低的問題。此外，更優選地，再生部的厚度是1㎛至3㎛。
根據本發明的一個範例，半導體製造用再生部件作為電漿處理裝置的部件，可包括從環、電極部及導線所形成的群組中選擇的至少任何一個。作為一個範例，具體地，可以是聚焦環、上部電極部、接地電極部、噴頭、外環等。在電漿處理裝置內中，露在電漿的任何多種部件也包括在本發明的半導體製造用再生部件。其中，聚焦環、上部電極部、接地電極部、噴頭及外環等在電漿處理裝置內，特別作為由電漿被損傷概率高的部件，可屬於本發明意圖的半導體製造用再生部件。
根據本發明的一個實施例，半導體製造用部件的再生方法，可以是使用任何一個半導體製造用部件的再生裝置被執行。通過在本發明的一個實施例提供的再生裝置的結構，可由更有效率的方法執行半導體製造用部件的再生方法個步驟的工程。
根據本發明的一個實施例，半導體製造用再生部件，可以是使用任何一個半導體製造用部件的再生方法被再生。通過在本發明的一個實施例提供的半導體製造用部件的再生方法的個步驟工程執行，可由更有效率的方法提供半導體製造用再生部件。
根據本發明的一個實施例，半導體製造用再生部件可以是使用任何一個半導體製造用部件的再生裝置被再生。通過在本發明的一個實施例提供的再生裝置的結構，可由更有效率的方法提供半導體製造用再生部件。
雖然本發明以前述之較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧聚焦環
102‧‧‧上端面
104‧‧‧下端面
106‧‧‧傾斜面
110‧‧‧聚焦環
112‧‧‧損傷的部分
114‧‧‧底面
116‧‧‧外側面
118‧‧‧內側面
120‧‧‧聚焦環
130‧‧‧聚焦環
210‧‧‧夾具、標準夾具
212‧‧‧點夾具
220‧‧‧外側面夾具
230‧‧‧內側面夾具
240‧‧‧一體型夾具
250‧‧‧另一面夾具
300‧‧‧附加遮掩
400‧‧‧晶片、再生部
410‧‧‧剩餘部
圖1繪示在半導體生產工程的電漿處理裝置中，被使用的半導體製造裝置部件中一個的聚焦環的立體圖。 圖2繪示在半導體生產工程的電漿處理裝置中，晶片安裝在圖1之半導體製造裝置部件中一個的聚焦環結構沿A-A’剖面的斷面圖。 圖3為根據本發明的一個實施例，生成半導體製造用再生部件過程的流程圖。 圖4為根據本發明的一個實施例，生成半導體製造用再生部件過程的工程圖。 圖5為根據本發明的一個實施例，在後加工步驟中，從再生部切割獲取剩餘部的步驟及加工剩餘部，製造另外的半導體製造用部件過程的工程圖。 圖6為根據本發明的一個實施例，支撐半導體製造裝置部件中一個的聚焦環的非損傷面中一個面的標準夾具的，非損傷面中一個面的接觸面面積小於非損傷面中一個面的面積結構的斷面圖。 圖7為根據本發明的一個實施例，半導體製造裝置部件中一個的聚焦環和支撐其非損傷面中一個面的點夾具結構的斷面圖。 圖8a為根據本發明的一個實施例，損傷的半導體製造用部件中一個的聚焦環下部由標準夾具，並且外側面由外側面夾具被遮掩結構的斷面圖。 圖8b為根據本發明的一個實施例，損傷的半導體製造用部件中一個的聚焦環下部由標準夾具、外側面由外側面夾具，並且內側面由內側面夾具被遮掩結構的斷面圖。 圖9為根據本發明的一個實施例，在損傷的半導體製造用部件中一個的聚焦環被遮掩的標準夾具和另一面夾具為一體型結構的斷面圖。 圖10為根據本發明的一個實施例，與另一面夾具的損傷的半導體製造用部件中一個的聚焦環接觸的接觸面形狀，對應於聚焦環側面形狀的斷面圖。

Claims (16)

  1. 一種半導體製造用部件的再生方法，其步驟包括：一準備步驟，準備一損傷的半導體製造用部件；一第一清洗步驟，清洗該損傷的半導體製造用部件；一遮掩步驟，遮掩包括該損傷的半導體製造用部件的至少一非損傷部分領域；一再生部形成步驟，由化學氣相沉積法在該損傷的半導體製造用部件形成一再生部；一後加工步驟，加工形成於該損傷的半導體製造用部件的該再生部；以及一第二清洗步驟，清洗形成有該再生部的該損傷的半導體製造用部件。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體製造用部件的再生方法，其步驟還包括一前加工步驟，在該準備步驟及該第一清洗步驟之間。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之半導體製造用部件的再生方法，其特徵為，該遮掩步驟由一夾具遮掩。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之半導體製造用部件的再生方法，其特徵為，該遮掩步驟遮掩從該損傷的半導體製造用部件的一底面、一外側面及一內側面所形成的群組中選擇的至少一非損傷面。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之半導體製造用部件的再生方法，其特徵為，該前加工步驟、該後加工步驟或兩個步驟都由金剛石砂輪切割加工。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之半導體製造用部件的再生方法，其特徵為，該前加工步驟將該損傷的半導體製造用部件的一損傷部，切割0.8毫米至1.7毫米厚度進行加工。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之半導體製造用部件的再生方法，其特徵為，該後加工步驟包括從該再生部切割獲取一剩餘部，且加工該剩餘部製造一另外的半導體製造用部件。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之半導體製造用部件的再生方法，其特徵為，該第二清洗步驟包括一第一物理或化學清洗步驟、一熱處理清洗步驟及一第二物理或化學清洗步驟。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之半導體製造用部件的再生方法，其特徵為，該熱處理清洗步驟的一熱處理溫度是800℃至1400℃。
  10. 一種半導體製造用部件的再生裝置，其包括：一化學氣相沉積室；以及一遮掩部，位於該化學氣相沉積室內，該遮掩部遮掩包括一損傷的半導體製造用部件的一非損傷部分領域，該遮掩部包括一夾具，該夾具包括一標準夾具，該標準夾具支撐該損傷的半導體製造用部件的至少一非損傷面中的一個面，且該標準夾具與該損傷的半導體製造用部件的該至少一非損傷面中的一個面的一接觸面面積，小於該損傷的半導體製造用部件的該至少一非損傷面中的一個面的一面積。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之半導體製造用部件的再生裝置，其特徵為，該標準夾具是一點夾具。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之半導體製造用部件的再生裝置，其特徵為，該夾具還包括一另一面夾具，支撐除了該損傷的半導體製造用部件的該至少一非損傷面中的一個面的一其他面。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之半導體製造用部件的再生裝置，其特徵為，該另一面夾具包括一外側面夾具及一內側面夾具，該外側面夾具支撐該損傷的半導體製造用部件的一外側面，該內側面夾具支撐該損傷的半導體製造用部件的一內側面。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之半導體製造用部件的再生裝置，其特徵為，該標準夾具和該另一面夾具是一體型。
  15. 如申請專利範圍第12項所述之半導體製造用部件的再生裝置，其特徵為，該另一面夾具與該損傷的半導體製造用部件的接觸面形狀，對應於該損傷的半導體製造用部件的接觸面形狀。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之半導體製造用再生部件的再生方法，其特徵為，該半導體製造用部件的再生方法使用申請專利範圍第10項至第15項中任何一項的該半導體製造用部件的再生裝置被執行。
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