TWI642617B - 微機械裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種微機械裝置及其製造方法。在使用高絕緣性基材的微機械裝置中獲得有效的防黏著對策。
鄰接於第1凸部(105-1)的周圍而形成第2凸部(105-2)，所述第2凸部(105-2)具有比該第1凸部(105-1)的上表面(105a)低的平坦的上表面(105b)。在形成該第2凸部(105-2)之際的曝光時，在正性光刻膠(30)內產生繞射光發生干涉而相長的區域(SB)，由此在第1凸部(105-1)的上表面(105a)以及第2凸部(105-2)的上表面(105b)形成凹部(106)。

Description

微機械裝置及其製造方法
本發明涉及一種配備微細可動部的微機械裝置及其製造方法。
近年來，在開關或傳感器中，使用藉由機械性動作來發揮功能的微機械裝置的MEMS(Micro Electro Mechanical System(微電子機械系統))受到重視。MEMS已作為壓力傳感器或加速度傳感器而加以使用，與LSI一起逐漸成為重要零件。MEMS具有立體結構，所述立體結構藉由使用薄膜形成技術、光刻技術及各種蝕刻技術的微細加工而具備微細的可動結構體。
例如，在靜電電容式壓力傳感器中，如圖8A所示，利用支承部403將由於壓力而發生變位的微細的膜片(可動部)401以隔開的方式支承並配置在基板402上。在基板402與膜片401之間存在空隙404，在面向空隙404的各部位相對配置電極(未圖示)，形成電容。
如圖8B所示，被測定介質的壓力施加至膜片401的形成電容那一面的相反側那一面，在該壓力施加下，膜片401發生變形。上述電極間的距離對應於該變化而發生變化，電極間的電容對應於該變化而發生變化，成為傳感器輸出。若空隙404為真空，則該壓力傳感器可測量絕對壓力。
這種微機械裝置存在如下情況：變形後的可動部的一部分與基板接合，而可動部沒有在由彈性力產生的反彈下復原(參考專利文獻1、2、3、4、5、6)。該現象稱為黏著(sticking)或固著等，在微機械裝置中是一個問題。
例如，就像靜電電容式隔膜真空計那樣測量比大氣壓小的壓力的壓力傳感器而言，由於在搬送、安裝時或維護時會暴露在大氣中，因此會頻繁發生被施加測量範圍以上的過大壓力的狀況。當如此被施加過大壓力時，受壓的膜片401會像圖8C所示那樣超過實際使用範圍而較大程度地彎曲，導致膜片401的一部分接觸到基板402(觸底)。
因膜片401的厚度以及變形區域的大小還有膜片401的材料等設計參數的不同，上述觸底的狀態不一樣，但大多數情況下，觸底會導致黏著的發生。當發生黏著時，即便去除壓力，膜片401也不會復原而給出猶如施加有壓力一樣的輸出，從而導致測定的錯誤。尤其是在隔膜真空計的情況下，由於基板與可動部之間維持為真空狀態，因此存在更容易發生黏著的傾向。
此外，我們知道，在膜片觸底時，除了上述黏著現象以外，還會發生下述那樣的由測量電壓所引起的吸附現象。通常，當像靜電電容式壓力傳感器那樣對隔著某一距離平行相對的2塊電極間施加電壓時，會產生與距離的平方成反比的引力(由電壓引發的引力)。因此，當在被施加壓力時發生了變形的膜片靠近基板到極為接近的距離時，由於膜片與基板之間的距離極窄，因此由電壓引發的引力較大，導致膜片被強力吸引而觸底(吸附)。
此處，剛一觸底，電極間就發生短路，因此由電壓引發的引力消失，使得膜片脫離基板。不過，剛脫離之後便再次被施加由電壓引發的引力，因此膜片被強力吸引而再次觸底。在電極間的距離極小的情況下，這種觸底與脫離會反復發生。
在靜電電容式壓力傳感器的情況下，為了測量電容，必須施加電壓，從而受到隨之而來的由電壓引發的引力的影響而產生吸附現象，結果，反復發生上述觸底與脫離，導致傳感器的輸出與膜片所受到的壓力無關地變得不穩定。該吸附現象在小型且電極間的距離較小、進而基材或電極上的接觸部表面較為平滑的MEMS傳感器中較為明顯。
【現有技術文獻】
【專利文獻】
【專利文獻1】日本專利特表平10-512675號公報
【專利文獻2】日本專利特開平11-340477號公報
【專利文獻3】日本專利特開2000-040830號公報
【專利文獻4】日本專利特開2000-196106號公報
【專利文獻5】日本專利特開2002-299640號公報
【專利文獻6】日本專利特開2007-078439號公報
在以往的微機械裝置中，為了防止上述那樣的由電壓所引起的吸附現象和黏著現象，有在可動部或基板中的至少一方的相對的面上形 成突起等微細結構而減少接觸面積來抑制接觸力。具體而言，使用熟知的半導體裝置的製造技術，在構成微機械裝置的矽等半導體或石英等基材上形成微小的突起。例如，藉由利用公知的光刻技術及蝕刻技術的圖案化，在半導體或石英等基材上形成數μm左右的大小的突起。再者，本說明書中提到的所謂基材，是指對基板及可動部進行統稱的構件。
然而，在隔膜真空計中，為了使裝置應對使用環境而具有耐酸性或耐熱性，使用藍寶石等晶體材料或氧化鋁陶瓷等材料。與矽或玻璃等情況相比，這種具有高絕緣性的材料更容易發生黏著。
即，初期並未帶電的絕緣電阻較大的基板及可動部反復接觸會導致接觸帶電的發生，從而在表面產生靜電。基材的絕緣電阻較大，且接觸的環境也處於真空中，導致這些靜電沒有散逸的地方，因此每當反復接觸時，靜電會被積累，認為在基板與可動部之間會產生靜電引力而發生黏著。
尤其是當變為膜片較薄的結構時，數μm左右的大小的突起並非有效對策。為了抑制這種接觸帶電的發生，進一步減少接觸面積本身是較為有效的對策。因此，例如考慮形成亞μm以下的尺寸的微小凹凸，但藍寶石或氧化鋁陶瓷等材料在具有高機械強度、高耐蝕性、耐化學藥品性的另一方面，比矽或玻璃等材料難加工，而亞μm以下的尺寸的微細加工極為困難。
再者，雖然還有利用使表面穩定的表面覆膜來防止黏著的技術，但在該情況下，表面覆膜大多使用有機材料，在高溫環境下使用的情況下，或者在將膜片與基板之間的空間設為真空的構成中，有機材料無法 使用。
此外，形成亞μm以下的凹凸結構的現有技術通常認為有2種。
1種是噴砂等以機械方式將表面變得粗糙的方法，但粗糙度難以控制，並且會形成基材的破壞起點，對配備可動部的壓力傳感器採用這種方法風險較大。
另1種是利用半導體製造工藝中所使用的步進式曝光機或電子束描繪曝光裝置的方法。但是，根據真空計的使用用途或條件的不同，也有例如像可動部的厚度較厚、要測量的壓力的範圍較大的傳感器等那樣不需要數nm~數百nm的凹凸的產品，若考慮到這一點，則可適用不需要凹凸的產品的步驟或裝置的比例就會降低，在製造成本或生產管理等方面較為不利。
此外，即便利用步進式曝光機或電子束描繪曝光裝置在藍寶石或氧化鋁陶瓷等基材上局部性地形成了數nm~數百nm的凹凸，也難以抑制由電壓所引起的引力。即，在數nm~數百nm的表面粗糙度下，高度最多也只有數nm~數百nm左右，無法防止吸附現象。
出於這種情況，尤其是使用藍寶石或氧化鋁陶瓷等這樣的高絕緣性基材的微機械裝置，處於難以採取有效的防黏著對策的狀況。
本發明是為了解決這種問題而成，其目的在於在使用高絕緣性基材的微機械裝置中獲得有效的防黏著對策。
本發明的微機械裝置的製造方法為包括可動部的微機械裝 置的製造方法，具備有藉由基板上之支承部所支承之可動區域與上述基板隔開配置，且可在上述可動區域朝上述基板方向變位之可動部，其特徵在於，，包括：第1步驟，於在可動區域內相對的基板及可動部中的至少一方的表面形成第1凸部，所述第1凸部具有與基板或可動部中的另一方的表面相對的平坦的上表面；以及第2步驟，鄰接於第1凸部的周圍而形成第2凸部，所述第2凸部具有比該第1凸部的上表面低的平坦的上表面，第2步驟是採用接近式曝光光罩實施使用正性光刻膠的光刻及蝕刻來形成第2凸部，並在形成該第2凸部之際的曝光時在正性光刻膠內產生繞射光發生干涉而相長的區域，由此在第1凸部的上表面以及第2凸部的上表面形成凹部。
此外，本發明的微機械裝置的特徵在於，包括：可動部，藉由基板上之支承部所支承之可動區域與上述基板隔開配置，且可在上述可動區域朝上述基板方向變位；第1凸部，其形成於在可動區域內相對的基板及可動部中的至少一方的表面，具有與基板或可動部中的另一方的表面相對的平坦的上表面；以及第2凸部，其鄰接形成於第1凸部的周圍，具有比該第1凸部的上表面低的平坦的上表面，第2凸部是採用接近式曝光光罩實施使用正性光刻膠的光刻及蝕刻而形成的，第1凸部的上表面以及第2凸部的上表面具有凹部，所述凹部是藉由在形成第2凸部之際的曝光時在正性光刻膠內產生繞射光發生干涉而相長的區域而形成的。
在本發明中，在可動區域內相對的基板及可動部中的至少一方的表面形成第1凸部，所述第1凸部具有與基板或可動部中的另一方的表面相對的平坦的上表面。例如，將基板側那一面設為其中一面，將可動 部側那一面設為另一面，在其中一面(基板側那一面)形成具有與另一面(可動部側那一面)相對的平坦的面的第1凸部。繼而，鄰接於該第1凸部的周圍而形成第2凸部，所述第2凸部具有比第1凸部的上表面低的平坦的上表面。該第2凸部是採用接近式曝光光罩實施使用正性光刻膠的光刻及蝕刻而形成的。在本發明中，在形成該第2凸部之際的曝光時，故意在正性光刻膠內產生繞射光發生干涉而相長的區域，從而在第1凸部的上表面以及第2凸部的上表面形成凹部。例如，在第1凸部的上表面形成1個凹部、在第2凸部的上表面形成複數個凹部。
在本發明中，藉由在形成第2凸部之際的曝光時在正性光刻膠內產生繞射光發生干涉而相長的區域，可在突起(第1凸部及第2凸部)的上表面局部性地形成微小的凹部。例如，可在數μm左右的大小的突起的上表面形成亞μm以下的尺寸的凹部。結果，接觸面積減少，不僅可針對靜電引力，還可針對分子間力等其他引力而降低黏著的概率或程度。此外，突起的上表面上所形成的凹部的角部為帶有弧度的形狀，可消除破壞起點。此外，也可在數μm左右的大小的突起的上表面以無破壞起點的方式形成數nm~數百nm的微細的凹凸，不僅可防止黏著現象，還可防止吸附現象。進而，與利用步進式曝光機或電子束描繪曝光裝置的情況相比，由於能夠適用於不需要凹凸的產品的步驟或裝置的比例較高，因此在製造成本或生產管理等方面具有優勢。
根據本發明，在鄰接於第1凸部的周圍而形成具有比該第1凸部的上表面低的平坦的上表面的第2凸部之際的曝光時，在正性光刻膠 內產生繞射光發生干涉而相長的區域，由此，在第1凸部的上表面以及第2凸部的上表面形成了凹部，因此可在使用高絕緣性基材的微機械裝置中獲得有效的防黏著對策。
10‧‧‧玻璃
20‧‧‧鉻光罩
30‧‧‧正性光刻膠
30-1‧‧‧曝光部分
30-2‧‧‧非曝光部分
100(100A、100B、100C)‧‧‧微機械裝置
101‧‧‧基板
101a‧‧‧面(基板側那一面)
102‧‧‧支承部
103‧‧‧可動部
103a‧‧‧面(可動部側那一面)
104‧‧‧空隙
105‧‧‧突起
105-1‧‧‧小徑部(第1凸部)
105-2‧‧‧大徑部(第2凸部)
105a‧‧‧上表面(第1凸部的上表面)
105b‧‧‧上表面(第2凸部的上表面)
106‧‧‧凹部
121‧‧‧可動區域
SA‧‧‧干涉區域
SB‧‧‧損傷區域
圖1A係表示本發明的實施形態中的微機械裝置的構成例的剖面圖。
圖1B係表示本發明的實施形態中的微機械裝置的局部構成例的剖面圖。
圖2係該微機械裝置中的形成於基板側那一面的突起的俯視圖。
圖3A係表示用以說明本發明的實施形態中微機械裝置的製造方法的、中途步驟(第1步驟)的狀態的剖面圖。
圖3B係表示用以說明本發明的實施形態中微機械裝置的製造方法的、中途步驟(第1步驟)的狀態的剖面圖。
圖3C係表示用以說明本發明的實施形態中微機械裝置的製造方法的、中途步驟(第1步驟)的狀態的剖面圖。
圖3D係表示用以說明本發明的實施形態中微機械裝置的製造方法的、中途步驟(第1步驟)的狀態的剖面圖。
圖4A係表示用以說明本發明的實施形態中微機械裝置的製造方法的、中途步驟(第2步驟)的狀態的剖面圖。
圖4B係表示用以說明本發明的實施形態中微機械裝置的製造方法的、中途步驟(第2步驟)的狀態的剖面圖。
圖4C係表示用以說明本發明的實施形態中微機械裝置的製造方法的、 中途步驟(第2步驟)的狀態的剖面圖。
圖4D係表示用以說明本發明的實施形態中微機械裝置的製造方法的、中途步驟(第2步驟)的狀態的剖面圖。
圖5係表示使用斜側照明、利用電子顯微鏡對第2步驟中所形成的突起的上表面進行觀察而得的結果的照片。
圖6係表示本發明的實施形態中的微機械裝置的另一構成例的剖面圖。
圖7係表示本發明的實施形態中的微機械裝置的另一構成例的剖面圖。
圖8A係表示壓力傳感器的局部構成的剖面立體圖。
圖8B係表示壓力傳感器的局部構成的剖面立體圖。
圖8C係表示壓力傳感器的局部構成的剖面立體圖。
下面，根據附圖，對本發明的實施形態進行詳細說明。圖1A為表示本發明的實施形態中的微機械裝置的構成例的剖面圖。此外，圖1B為表示本發明的實施形態中的微機械裝置的局部構成例的剖面圖。圖1B是對圖1A的一部分進行放大表示。
該微機械裝置100(100A)包括可動部103，所述可動部103藉由支承部102支承在基板101上，在可動區域121內與基板101隔開配置，且能夠在可動區域121內朝基板101方向變位。可動部103固定在支承部102上。
該微機械裝置100A例如為可動部103為膜片的壓力傳感器。例如，基板101及可動部103由藍寶石構成，並且，雖未圖示，但在可動部103及基板101之間的空隙104處的相對的各個面上形成有電極。
在該微機械裝置100A中，受壓的可動部103朝基板101方向變位，由此，各電極的間隔發生變化，從而使得電容發生變化。藉由該電容變化來測定可動部103所受到的壓力。若將電極形成區域設為真空，則可用作能夠測定絕對壓力的壓力傳感器。
在該微機械裝置100A中，於在可動區域121內相對的基板101側那一面101a形成有複數個突起105。該突起105為由設為俯視時圓形的小徑部105-1和大徑部105-2構成的高低差結構的突起，鄰接於小徑部105-1的周圍而形成有大徑部105-2，所述大徑部105-2具有比小徑部105-1的上表面105a低的平坦的上表面105b。
在該例中，小徑部105-1的直徑φ 1設為3μm左右，大徑部105-2的直徑φ 2設為9μm左右，相鄰突起105的間隔L設為0.5mm左右。此外，小徑部105-1與大徑部105-2的高度的差(高低差)h設為0.2μm左右。
在該突起105中，小徑部105-1相當於本發明中提到的第1凸部，大徑部105-2相當於第2凸部。以下，將小徑部105-1稱為第1凸部，將大徑部105-2稱為第2凸部。該突起105是實施採用接近式曝光光罩的光刻及蝕刻而形成的。該突起105的形成過程將於後文敘述。
圖2表示突起105的俯視圖。在本實施形態中，在第1凸部105-1的上表面105a以及第2凸部105-2的上表面105b形成有凹部106。在該例中，在第1凸部105-1的上表面105a的中央形成有1個凹部106，在第2凸部105-2的上表面105b形成有複數個凹部106。此外，這些凹部106的俯視時的直徑及深度設為亞μm以下，第1凸部105-1的上表面105a上所 形成的凹部106的直徑比第2凸部105-2的上表面105b上所形成的凹部106的直徑大一些。
下面，使用圖3A~圖3D以及圖4A~圖4D，對該微機械裝置100A的製造方法進行說明。圖3A~圖3D以及圖4A~圖4D為表示用以說明該微機械裝置100A的製造方法的、中途步驟的狀態的剖面圖。
[第1步驟：第1凸部的形成]
首先，如圖3A~圖3D所示，對基板101實施第1次採用接近式曝光光罩的光刻及蝕刻，在基板101的面101a上形成具有平坦的上表面105a的第1凸部105-1。
再者，在圖3A中，1為玻璃，2為形成於玻璃1的下表面的圓形的鉻光罩(接近式曝光光罩)，3是作為感光層形成在基板101的面101a上的正性光刻膠。
對該第1凸部105-1的形成過程進行具體說明。首先，在基板101的面101a上形成正性光刻膠3作為感光層(圖3A)。
接著，設為使鉻光罩2的下表面接近正性光刻膠3的上表面的狀態，並從玻璃1的上方照射光(紫外線)，進行對正性光刻膠3的曝光(圖3B)。
於是，在正性光刻膠3中形成受到了光的照射的曝光部分3-1、以及在鉻光罩2的陰影下未受到光的照射的非曝光部分3-2。其後，若進行顯影，則非曝光部分3-2留下(圖3C)。
接著，以氣相或液相實施蝕刻，由此，對未被非曝光部分3-2覆蓋的基板101的面101a進行削減。其後，去除非曝光部分3-2，由此， 在基板101的面101a上獲得具有平坦的上表面105a的第1凸部105-1(圖3D)。
[第2步驟：第2凸部的形成]
接著，如圖4A~圖4D所示，對基板101實施第2次採用接近式曝光光罩的光刻及蝕刻，鄰接於基板101的面101a上所形成的第1凸部105-1的周圍而形成第2凸部105-2，所述第2凸部105-2具有比該第1凸部105-1的上表面105a低的平坦的上表面105b。
再者，在圖4A中，10為玻璃，20為形成於玻璃10的下表面的鉻光罩(接近式曝光光罩)，30是作為感光層形成在包括第1凸部105-1的基板101的面101a上的正性光刻膠。在該例中，鉻光罩20的直徑設為如下直徑：比第1凸部105-1的直徑φ 1大，與鄰接於第1凸部105-1的周圍而形成的第2凸部105-2的直徑φ 2一致。此外，正性光刻膠30的厚度d設為1μm左右。
對該第2凸部105-2的形成過程進行具體說明。首先，在形成有第1凸部105-1的基板101的面101a上形成正性光刻膠30作為感光層(圖4A)。
接著，設為使鉻光罩20的下表面接近正性光刻膠30的上表面的狀態，並從玻璃10的上方照射光(紫外線)，進行對正性光刻膠30的曝光(圖4B)。在該例中，使鉻光罩20的下表面與正性光刻膠30的上表面相隔數μm~十幾μm左右來進行曝光。
於是，在正性光刻膠30中形成受到了光的照射的曝光部分30-1、以及在鉻光罩20的陰影下未受到光的照射的非曝光部分30-2，而在 該曝光時，會在第1凸部105-1的壁面(構成第1凸部105-1的面)、光刻膠30、鉻光罩20、基板101的界面等發生光的繞射，從而在非曝光部分30-2內產生繞射光發生干涉而相長的區域。在圖4B中，利用虛線將該繞射光發生干涉而相長的區域圍起來表示為干涉區域SA。
在像本實施形態這樣第1凸部105-1及鉻光罩20的輪廓為圓形的情況下，會在由該鉻光罩20的輪廓圍成的區域內呈斑點狀產生干涉區域SA。由此，無須特別對準就會自動地以亞μm以下的尺寸呈斑點狀在非曝光部分30-2產生光刻膠厚度較薄或者因干涉而受到了影響的區域作為損傷區域。其後，若進行顯影，則非曝光部分30-2留下(圖4C)。再者，在圖4C中，將非曝光部分30-2中所產生的損傷區域表示為SB。
接著，以氣相或液相實施蝕刻，由此，對未被非曝光部分30-2覆蓋的基板101的面101a進行削減。此時，在非曝光部分30-2中所產生的損傷區域SB內，光刻膠從中心開始潰決，在去除光刻膠之後便形成微小的凹坑。該凹坑成為後文使用圖4D而說明的凹部106。
其後，去除非曝光部分30-2，由此，在鄰接於第1凸部105-1的周圍的位置獲得具有比第1凸部105-1的上表面105a低的平坦的上表面105b的第2凸部105-2(圖4D)。即，獲得由第1凸部105-1和第2凸部105-2構成的高低差結構的突起105。
在該突起105中，在第1凸部105-1的上表面105a以及第2凸部105-2的上表面105b，因先前的蝕刻時的非曝光部分30-2中的損傷區域SB內的光刻膠的潰決而形成有微小的凹部106。在該例中，俯視時的直徑及深度為亞μm以下的凹部106是在第1凸部105-1的上表面105a的中央 形成1個，在第2凸部105-2的上表面105b形成複數個。該凹部106的角部並不銳利，為帶有弧度的形狀。
圖5表示該突起105中的凹部106的形成例。圖5為表示使用斜側照明、利用光學顯微鏡對突起105的上表面進行觀察所得的結果的照片。根據該照片也可知道，在突起105的上表面，在其中央形成有1個凹部，且以圍繞該中央的凹部的方式形成有複數個凹部。該凹部在突起105的上表面週期性地形成為斑點狀。
再者，在圖5所示的凹部106的形成例中，光刻膠材料及曝光條件例如設為如下條件。
光刻膠材料：正性光刻膠，OFPR-800LB(東京應化工業(株))，膜厚1~3μm。
曝光條件：使用高壓水銀燈(主波長約365~436nm)。
曝光模式：硬接觸及軟接觸。
曝光量：30~80mJ/cm^2
此外，蝕刻條件設為乾式蝕刻，並且，例如設為如下條件。
蝕刻氣體：BCL3或CL2。
氣體流量：10sccm
功率：天線75W，偏壓5W。
如此，根據本實施形態，在鄰接於第1凸部105-1的周圍形成具有比該第1凸部105-1的上表面低的平坦的上表面105b的第2凸部105-2之際的曝光時，在正性光刻膠30內產生繞射光發生干涉而相長的區域作為干涉區域SA，由此，可在數μm左右的大小的突起105(第1凸部105-1 及第2凸部105-2)的上表面局部性地形成亞μm以下的尺寸的凹部106。
結果，接觸面積降低，不僅可針對靜電引力，還可針對分子間力等其他引力而降低黏著的概率或程度。此外，突起105的上表面上所形成的凹部106的角部為帶有弧度的形狀，可消除破壞起點。此外，也可在數μm左右的大小的突起105的上表面以無破壞起點的方式形成數nm~數百nm的微細的凹凸，不僅可防止黏著現象，還可防止吸附現象。進而，與利用步進式曝光機或電子束描繪曝光裝置的情況相比，由於能夠適用於不需要凹凸的產品的步驟或裝置的比例較高，因此在製造成本或生產管理等方面具有優勢。
再者，在上述實施形態中，是於在可動區域121內相對的基板101側那一面101a形成具有微小的凹部106的、由第1凸部105-1和第2凸部105-2構成的高低差結構的突起105，但也可像圖6所示的微機械裝置100(100B)那樣於在可動區域121內相對的可動部103側那一面103a形成同樣的突起105。此外，也可像圖7所示的微機械裝置100(100C)那樣於在可動區域121內相對的基板101側那一面101a和可動部103側那一面103a兩方形成同樣的突起105。
此外，在上述實施形態中，是將突起105設為數μm左右的大小，但也可設為數十μm左右(1~數十μm)。此外，雖然凹部106的尺寸也是設為亞μm以下，但只要在突起105的大小以下即可，可設為比亞μm大，也可設為例如數μm以下的尺寸。再者，實際的凹部106的俯視尺寸為亞μm~3μm左右。
此外，在上述實施形態中，是鄰接於第1凸部105-1的周圍 而形成具有比該第1凸部105-1的上表面低的平坦的上表面105b的第2凸部105-2，但也能以與第2凸部105-2相同的方式在第2凸部105-2的下層進一步設置與第2凸部105-2相同的凸部。
即，在本發明中，凸部並不僅限於第1凸部和第2凸部，也可設為3層以上的多層(例如，第1凸部也包括在內的合計4~5層)。此外，在本發明中，在將凸部設為3層以上的多層的情況下，雖然至少要在第1凸部和第2凸部上形成凹部，但其他凸部上並非必須形成凹部。
如以上所說明，根據本實施形態，在鄰接於第1凸部105-1的周圍而形成具有比該第1凸部105-1的上表面低的平坦的上表面105b的第2凸部105-2之際的曝光時，在正性光刻膠30內產生繞射光發生干涉而相長的區域作為干涉區域SA，由此，在第1凸部105-1的上表面105a以及第2凸部105-2的上表面105b形成微小的凹部106，因此，可在使用藍寶石或氧化鋁陶瓷等這樣的高絕緣性基材的微機械裝置100中獲得有效的防黏著對策。
例如，使用微細膜片的靜電電容式隔膜真空計被安裝在製造裝置上，進而，該製造裝置被設置在生產現場而成為運轉狀態。在安裝至製造裝置的階段、裝置的維護中等，上述真空計會暴露在大氣中，從真空計的使用來看，是配置在異常的高壓下，為容易發生黏著的狀態。例如，若在維護中發生黏著且不復原，則無法利用真空計實施正常的測定，導致對製造工藝產生不良影響。相對于此，根據本發明，由於不易發生黏著而且為容易自黏著復原的狀態，因此可抑制上述那樣的問題的產生。此外，在測量動作中，還防止產生吸附現象。
[實施形態的擴展]
以上，參考實施形態對本發明進行了說明，但本發明並不限定於上述實施形態。可在本發明的技術思想的範圍內對本發明的構成或詳情進行本領域技術人員可理解的各種變更。

Claims (4)

  1. 一種微機械裝置之製造方法，具備可動部，該可動部藉由支承部而支承於基板上且在可動區域與前述基板隔開配置，且可在前述可動區域朝前述基板方向變位，其特徵在於，包括：第1步驟，於在前述可動區域內相對的前述基板及前述可動部中的至少一方的表面形成第1凸部，該第1凸部具有與前述基板或前述可動部中的另一方的表面相對的平坦的上表面；以及第2步驟，鄰接於前述第1凸部的周圍而形成第2凸部，該第2凸部具有比該第1凸部的上表面低的平坦的上表面，前述第2步驟是採用接近式曝光光罩實施使用正性光刻膠的光刻；以及曝光時使前述正性光刻膠內產生繞射光發生干涉而相長的區域，在前述第1凸部的上表面以及前述第2凸部的上表面形成凹部的蝕刻，來形成前述第2凸部。
  2. 如申請專利範圍第1項之微機械裝置之製造方法，其中，在前述第1凸部的上表面形成1個前述凹部，在前述第2凸部的上表面形成複數個前述凹部。
  3. 一種微機械裝置，其特徵在於，包括：可動部，藉由支承部而支承於基板上且在可動區域與前述基板隔開配置，且可在前述可動區域朝前述基板方向變位；第1凸部，其形成於在前述可動區域內相對的前述基板及前述可動部中的至少一方的表面，具有與前述基板或前述可動部中的另一方的表面相對的平坦的上表面；以及第2凸部，其鄰接形成於前述第1凸部的周圍，具有比該第1凸部的上表面低的平坦的上表面，前述第2凸部是採用接近式曝光光罩實施使用正性光刻膠的光刻；以及，前述第1凸部的上表面以及前述第2凸部的上表面具有凹部，該凹部是藉由在形成前述第2凸部之際的曝光時使前述正性光刻膠內產生繞射光發生干涉而相長的區域而形成的蝕刻，來形成前述第2凸部。
  4. 如申請專利範圍第3項之微機械裝置，其中，在前述第1凸部的上表面形成有1個前述凹部，在前述第2凸部的上表面形成有複數個前述凹部。
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