TWI638173B - Detector and probe card tip grinding device - Google Patents

Detector and probe card tip grinding device Download PDF

Info

Publication number
TWI638173B
TWI638173B TW104100940A TW104100940A TWI638173B TW I638173 B TWI638173 B TW I638173B TW 104100940 A TW104100940 A TW 104100940A TW 104100940 A TW104100940 A TW 104100940A TW I638173 B TWI638173 B TW I638173B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
needle tip
contact
opposing surface
probe
contact portion
Prior art date
Application number
TW104100940A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201538999A (zh
Inventor
矢野和哉
秋山収司
Original Assignee
東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東京威力科創股份有限公司 filed Critical 東京威力科創股份有限公司
Publication of TW201538999A publication Critical patent/TW201538999A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI638173B publication Critical patent/TWI638173B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07342—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being at an angle other than perpendicular to test object, e.g. probe card
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B19/00—Single-purpose machines or devices for particular grinding operations not covered by any other main group
    • B24B19/16—Single-purpose machines or devices for particular grinding operations not covered by any other main group for grinding sharp-pointed workpieces, e.g. needles, pens, fish hooks, tweezers or record player styli
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07364—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch
    • G01R1/07371—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch using an intermediate card or back card with apertures through which the probes pass
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • G01R31/2889—Interfaces, e.g. between probe and tester

Abstract

提供一種可將針尖研磨面確實地推壓至探針卡之各探測針的探測器。
具備有探針卡(16)(該探針卡(16)，係具有複數個探測針(17))的探測器(10)，係具備有針尖研磨單元(24)，針尖研磨單元(24)，係具有：WAPP(28)，接觸於針尖；及支持構件(27)，支撐該WAPP(28)，在WAPP(28)的上面，係設置有包裹片(29)，WAPP(28)，係具有形成於底面(30)的複數個凹部(31)，支持構件(27)，係具有形成於頂棚面(32)的複數個凸部(33)，在WAPP(28)往退避位置移動後，各凸部(33)，係嵌合於各凹部(31)，在WAPP(28)往接觸位置移動後，各凸部(33)的頂部，係抵接於未在底面(30)形成凹部(31)的部分。

Description

探測器及探針卡之針尖研磨裝置
本發明，係關於探測器及探針卡之針尖研磨裝置。
已知一種探測器以作為基板檢查裝置，該基板檢查裝置，係檢查形成於作為基板之半導體晶圓(以下，僅稱為「晶圓」。)的半導體元件，例如功率元件或記憶體之電性特性。
探測器，係具備有圓板狀的探針卡(該圓板狀的探針卡，係具有多數個探測針)與平台(該平台，係載置晶圓而在上下左右自由移動)，藉由載置有晶圓之平台朝向探針卡移動的方式，使探針卡之各探測針接觸於半導體元件所具有的電極焊墊或焊錫凸塊，藉由使檢查電流從各探測針流至電極焊墊或焊錫凸塊的方式，檢查半導體元件的電性特性(例如，參閱專利文獻1)。
由於探測器，係使探針卡之各探測針重覆接觸於電極焊墊等，而有針尖磨耗的情形，故必需定期地研磨探測針之針尖。
通常，探測針之針尖研磨，係藉由配置於平台旁邊的針尖研磨裝置來予以進行。具體而言，如圖9(A)所示，藉由撐桿(stay)82將配置於平台80旁邊的針尖研磨裝置81固定於平台80，使平台80往水平方向移動，而使針尖研磨裝置81與探針卡83的各探測針84相對向，藉由針尖研磨裝置81所具備的油壓缸86，使構成針尖研磨裝置81之上部之板狀的廣域研磨板(Wide Area Polish Plate，以下，僅稱為「WAPP」)。85朝向探針卡83移動，並且藉由平台80亦朝向探針卡83移動的方式(圖9(B))，使配置於WAPP85之針尖研磨面的針尖研磨片(包裹片)87抵接於各探測針84的針尖。
然而，探討近年來晶圓的大口徑化，伴隨於此，當探針卡也大型化時，則晶圓或探針卡之起伏增加。在該情況下，為了使探針卡之各探測針確實地抵接於半導體元件的電極焊墊等，而必需進一步使平台推壓晶圓至探針卡的負載增加。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本特開平7-297242號公報
在研磨探測針的針尖之際，如上述，由於平 台亦被利用，故隨著增加平台推壓晶圓至探針卡的負載，為了將WAPP之包裹片推壓至各探測針，而施加至WAPP的負載亦增加。此時，WAPP，雖係各探測針受到與所施加之負載相抵的反作用力，但反作用力係與被施加至WAPP的負載成比例地增加。其結果，存在有下述問題：變得無法與針尖研磨裝置之油壓缸所增加的反作用力抵抗，而油壓缸難以將WAPP之包裹片推壓至各探測針。
本發明之目的，係提供一種可將針尖研磨面確實地推壓至探針卡之各探測針的探測器及探針卡的針尖研磨裝置。
為了達成上述目的，本發明之探測器，係具備有平台(該平台，係載置基板)與探針卡(該探針卡，係與該平台相對向)，而前述探針卡具有朝向前述所載置之基板突出的複數個探測針，該探測器，其特徵係，具備有：針尖研磨裝置，研磨前述複數個探測針的針尖，前述針尖研磨裝置，係具有：針尖接觸部，接觸於前述針尖；及支撐部，支撐該針尖接觸部，在前述針尖接觸部之與前述針尖接觸的部分，係設置有研磨前述針尖的針尖研磨面，前述針尖接觸部，係介於前述探針卡及前述支撐部之間，並且在前述針尖接觸部不與前述針尖接觸的退避位置及前述針尖接觸部接觸於前述針尖的接觸位置之間移動，前述針尖接觸部，係具有與前述支撐部相對向的第1對向 面，前述支撐部，係具有與前述針尖接觸部相對向的第2對向面，前述針尖接觸部與前述支撐部，係具有：卡合部，在前述針尖接觸部往前述接觸位置移動而從前述針尖接受反力時，以維持前述第1對向面及前述第2對向面相互分離之位置的方式，機械地進行卡合。
為了達成上述目的，本發明之針尖研磨裝置，係研磨在探針卡中朝向基板突出之複數個探測針的針尖，該針尖研磨裝置，其特徵係，具有：針尖接觸部，接觸於前述針尖；及支撐部，支撐該針尖接觸部，在前述針尖接觸部之與前述針尖接觸的部分，係設置有研磨前述針尖的針尖研磨面，前述針尖接觸部，係介於前述探針卡及前述支撐部之間，並且在前述針尖接觸部不與前述針尖接觸的退避位置及前述針尖接觸部接觸於前述針尖的接觸位置之間移動，前述針尖接觸部，係具有與前述支撐部相對向的第1對向面，前述支撐部，係具有與前述針尖接觸部相對向的第2對向面，前述針尖接觸部與前述支撐部，係具有：卡合部，在前述針尖接觸部往前述接觸位置移動而從前述針尖接受反力時，以維持前述第1對向面及前述第2對向面相互分離之位置的方式，機械地進行卡合。
根據本發明，由於在針尖研磨裝置中，具有卡合部(該卡合部，係在介於探針卡及支撐部之間的針尖接觸部往接觸位置移動而從針尖接受反力時，以維持針尖 接觸部之第1對向面及支撐部之第2對向面相互分離之位置的方式，機械地進行卡合)，故針尖接觸部不會因來自針尖的反力而從接觸位置被推壓回退避位置。其結果，針尖接觸部，係可保持在接觸位置，且可將針尖研磨面確實地推壓至探針卡之各探測針的針尖。
W‧‧‧晶圓
10‧‧‧探測器
11‧‧‧平台
16‧‧‧探針卡
17‧‧‧探測針
24‧‧‧針尖研磨單元
27‧‧‧支持構件
28‧‧‧WAPP
29‧‧‧包裹片
30、34、40‧‧‧底面
31、37、45、47、48、53‧‧‧凹部
32、36、43‧‧‧頂棚面
33、35、42、46、49、55‧‧‧凸部
38、50‧‧‧下方抵接部
39、51‧‧‧上方抵接部
41、54‧‧‧突起
44、52‧‧‧卡合孔
[圖1]概略地表示關於本發明之第1實施形態之探測器之構成的立體圖。
[圖2]概略地表示圖1之探測器本體之內部構成的立體圖。
[圖3]概略地表示圖2之針尖研磨單元之構成的側視圖。
[圖4]用於說明圖3之針尖研磨單元之支持構件及WAPP之形狀的圖；圖4(A)，係WAPP的底視圖；圖4(B)，係沿著圖4(A)之線B-B的剖面圖；圖4(C)，係支持構件的平面圖；圖4(D)，係沿著圖4(C)之線D-D的剖面圖。
[圖5]表示藉由圖3之針尖研磨單元進行探針卡之各探測針之針尖研磨處理的工程圖。
[圖6]表示藉由圖3之針尖研磨單元之第1變形例進行探針卡之各探測針之針尖研磨處理的工程圖。
[圖7]表示藉由圖3之針尖研磨單元之第2變形例進 行探針卡之各探測針之針尖研磨處理的工程圖。
[圖8]概略地表示圖3之針尖研磨單元之第4~第6變形例之構成的剖面圖；圖8(A)，係表示第4變形例；圖8(B)，係表示第5變形例；圖8(C)，係表示第6變形例。
[圖9]概略地表示以往之針尖研磨單元之構成的側視圖；圖9(A)，係表示針尖研磨單元位於退避位置的情形；圖9(B)，係表示針尖研磨單元位於接觸位置的情形。
以下，參照圖面說明本發明的實施形態。
圖1，係概略地表示關於本實施形態之探測器之構成的立體圖。
在圖1中，探測器10，係具備有：本體12，內建有載置晶圓W的平台11；裝載器13，配置為鄰接於該本體12；及測試頭14，配置為覆蓋本體12，並且對形成於大口徑例如直徑為300mm或450mm之晶圓W之半導體元件的電性特性進行檢查。
本體12，係內部呈空洞之殼體形狀，在頂部12a，係設置有在載置於平台11之晶圓W上方開口的開口部12b，在該開口部12b，係卡合有大致為圓板狀之探針卡夾具(未圖示)，探針卡夾具，係保持圓板狀之探針卡16(參閱後述的圖2)。藉此，探針卡16，係與載置 於平台11的晶圓W相對向。
測試頭14，係呈方體形狀，且構成為可藉由設置於本體12上的鉸鏈機構15，朝上方向轉動。在測試頭14覆蓋本體12時，該測試頭14，係經由接觸環(未圖示)與探針卡16電性連接。又，測試頭14，係具有資料記憶部或判定部，該資料記憶部，係將從探針卡16所傳送之表示半導體元件之電性特性的電信號記憶為測定資料，該判定部，係根據該測定資料來加以判定檢查對象之晶圓W的半導體元件有無電性故障(皆未圖示)。
裝載器13，係取出被收容於作為搬送容器之FOUP(未圖示)且形成有半導體元件的晶圓W，而加以載置到本體12之平台11，又，從平台11去除半導體元件之電性特性檢查已結束的晶圓W，並收容到FOUP。
在探針卡16之平台11的對向面，係集中地配置有多數個探測針17(參閱後述的圖3)。平台11，係調整探針卡16及晶圓W的相對位置，使半導體元件之電極焊墊等抵接於各探測針17。
在將半導體元件的電極焊墊等抵接於各探測針17時，測試頭14，係經由探針卡16之各探測針17，使檢查電流流至半導體元件，然後，探針卡16，係將表示半導體元件之電性特性的電信號傳送至測試頭14的資料記憶部，該資料記憶部，係將所傳送的電信號記憶為測定資料，判定部，係根據所記憶的測定資料來判定檢查對象之半導體元件有無電性故障。
圖2，係概略地表示圖1之探測器本體之內部構成的立體圖。
在圖2中，平台11，係藉由下述者予以支撐，其包括：Y方向移動單元18，沿著圖中所示的Y方向進行移動；X方向移動單元19，沿著圖中所示的X方向進行移動；及Z方向移動單元20，沿著圖中所示的Z方向進行移動，使平台11朝向探針卡16移動。
Y方向移動單元18，係藉由沿著Y方向而配置的滾珠螺桿(未圖示)的旋動，在Y方向高精度地進行驅動，滾珠螺桿，係藉由作為步進馬達的Y方向移動單元用馬達(未圖示)予以旋動。X方向移動單元19，係藉由沿著X方向而配置之滾珠螺桿19a的旋動，在X方向高精度地予以驅動。滾珠螺桿19a，亦藉由作為步進馬達的X方向移動單元用馬達(未圖示)予以旋動。又，平台11，係配置成在Z方向移動單元20上，於圖中所示的θ方向旋轉自如，且在該平台11上載置有晶圓W。
亦即，Y方向移動單元18、X方向移動單元19、Z方向移動單元20，係可使平台11往圖中Y方向、同X方向、同Z方向移動，而使載置晶圓W的平台11與探針卡16相對向。特別是，Z方向移動單元20，係沿著圖中Z方向使平台11朝向探針卡16移動，而使晶圓W之半導體元件的電極焊墊等抵接於各探測針17。
在本體12的內部，係配置有鄰接於平台11之探針卡夾具導引件21。探針卡夾具導引件21，係具有 可支撐探針卡夾具(該探針卡夾具，係保持探針卡16)的二股狀夾盤22，且構成為可在圖中Y方向及同Z方向移動，而進行探針卡16之更換。
又，在本體12之內部，係在平台11及探針卡夾具導引件21之間配置有ASU攝像機23與針尖研磨單元24(針尖研磨裝置)，而且在平台11的上方，係配置有對位架橋25。
ASU攝像機23或針尖研磨單元24，係被固定地連接於平台11，且構成為可在圖中Y方向、同X方向、同Z方向與平台11一起移動，對位架橋25，係構成為可在圖中Y方向移動。
ASU攝像機23，係以與對位架橋25相對向的方式進行移動，檢測設置於該對位架橋25之位置確認用標記(未圖示)，從而確認本體12內部之平台11的正確位置。針尖研磨單元24，係朝向探針卡16移動，而研磨探針卡16之各探測針17的針尖。
圖3，係概略地表示圖2之針尖研磨單元之構成的側視圖。
另外，在下述的說明中，上下方向，係對應於圖2中的Z方向，特別是，上方向，係對應於向探針卡16靠近的方向，下方向，係對應於遠離探針卡16的方向，而且，左右方向，係對應於圖2中的X方向或Y方向。
在圖3中，針尖研磨單元24，係具有：板狀 的撐桿26，配置於平台11旁邊，且被固定地安裝於平台11；支持構件27(支撐部)，被配置於撐桿26的上面；板狀的WAPP28(針尖接觸部)，被配置於支持構件27上；及包裹片29，被配置於WAPP28的上面(針尖研磨面)。撐桿26、支持構件27及WAPP28，係由高剛性的材料例如鋼或鋁所構成。
又，針尖研磨單元24，係具有：升降機構(未圖示)，將WAPP28朝上方舉起，使脫離支持構件27；及致動器(未圖示)，在撐桿26上，使支持構件27往左右方向移動。特別是，升降機構，係以使包裹片29之上面形成為比平台11之上面高的方式，將WAPP28朝上方舉起。
在藉由針尖研磨單元24來研磨探針卡16之各探測針17的針尖時，平台11，係以使針尖研磨單元24之包裹片29與各探測針17相對向的方式，往左右方向移動，當包裹片29與各探測針17相對向時，則Z方向移動單元20舉起平台11的同時，針尖研磨單元24的升降機構舉起WAPP28，WAPP28，係上升至包裹片29接觸於各探測針17之針尖的位置(接觸位置)。
又，在不研磨探針卡16之各探測針17的針尖時，升降機構，係使WAPP28下降，Z方向移動單元20亦使平台11下降，WAPP28，係下降至包裹片29之上面形成為比平台11之上面低的位置(退避位置)。
圖4，係用於說明圖3之針尖研磨單元之支持 構件及WAPP之形狀的圖；圖4(A)，係WAPP的底視圖；圖4(B)，係沿著圖4(A)之線B-B的剖面圖；圖4(C)，係支持構件的平面圖；圖4(D)，係沿著圖4(C)之線D-D的剖面圖。
在圖4(A)及圖4(B)中，WAPP28，係具有：複數個四方形柱狀的凹部31，其係形成於與支持構件27相對向的底面30(第1對向面)，從該底面30向上方凹陷，支持構件27，係具有：複數個四方形柱狀的凸部33，其係形成於與WAPP28相對向的頂棚面32(第2對向面)，從該頂棚面32向上方突出。WAPP28及支持構件27為相對向時，各凸部33，係配置為與各凹部31相對向，各凸部33，係形成為可收容至所對應之各凹部31的大小。
針尖研磨單元24，係在WAPP28下降至退避位置時，各凸部33之頂部，係與所對應之各凹部31的底部抵接，從而防止WAPP28更下降。
圖5，係表示藉由圖3之針尖研磨單元進行探針卡之各探測針之針尖研磨處理的工程圖。
首先，在藉由ASU攝像機23確認平台11甚至針尖研磨單元24的正確位置之後，使具有平台11下降至退避位置之WAPP28的針尖研磨單元24移動，從而使包裹片29與探針卡16之各探測針17相對向(圖5(A))。
接下來，當升降機構將WAPP28朝上方舉起 而使脫離支持構件27(圖5(B))，WAPP28及支持構件27變得不卡合時，致動器，係使支持構件27往左右方向移動，從而使各凸部33的頂部與未在WAPP28之底面30形成凹部31的部分相對向(圖5(C))。
接下來，升降機構，係使WAPP28下降，從而使各凸部33的頂部抵接於未在WAPP28之底面30形成凹部31的部分(圖5(D))。藉此，WAPP28被舉起，且位置被保持。
接下來，在Z方向移動單元20與針尖研磨單元24一起舉起平台11，而WAPP28移動至包裹片29接觸於各探測針17之針尖的接觸位置之後，包裹片29，係研磨各探測針17的針尖(圖5(E))，結束本處理。
根據圖5的針尖研磨處理，在WAPP28往接觸位置移動而從各探測針17之針尖接受反力時，由於凸部33之頂部與未在WAPP28之底面30形成凹部31的部分會抵接，亦即分別由高剛性材料所構成之凸部33的頂部與底面30機械地進行卡合，故可防止WAPP28因來自各探測針17之針尖的反力，從接觸位置被推壓回退避位置的情形。其結果，WAPP28，係可保持在接觸位置，且可將包裹片29確實地推壓至各探測針17的針尖。
圖6，係表示藉由圖3之針尖研磨單元之第1變形例進行探針卡之各探測針之針尖研磨處理的工程圖。
在圖6(A)中，WAPP28，係具有：複數個四方形柱狀的凸部35，其係形成於與支持構件27相對向 的底面34(第1對向面)，從該底面34向下方突出，前端由傾斜面予以形成，支持構件27，係具有：複數個凹部37，其係形成於與WAPP28相對向的頂棚面36(第2對向面)，從該頂棚面36向下方凹陷，底面由傾斜面予以形成。WAPP28及支持構件27為相對向時，各凹部37，係配置為與各凸部35相對向，各凸部35，係形成為可收容於所對應之各凹部37的大小。
各凹部37，係具有：下方抵接部38(第1抵接部)，在底面與所對應之各凸部35的頂部抵接；及上方抵接部39(第2抵接部)，形成於比該下方抵接部38更往上方，而與各凸部35的頂部抵接。
在針尖研磨單元的第1變形例中，係在WAPP28下降至退避位置時，各凸部35之頂部，係與下方抵接部38抵接，從而防止WAPP28更下降。
在藉由針尖研磨單元之第1變形例進行探針卡之各探測針的針尖研磨處理中，係與圖5的針尖研磨處理同樣地，首先，使具有平台11下降至退避位置之WAPP28的針尖研磨單元24移動，從而使包裹片29與探針卡16之各探測針17相對向(圖6(A))。
接下來，當升降機構將WAPP28朝上方舉起而脫離支持構件27(圖6(B))，WAPP28及支持構件27變得不卡合時，致動器，係使支持構件27往左右方向移動，從而使各凸部35的頂部與所對應之各凹部37的上方抵接部39相對向(圖6(C))。
接下來，升降機構，係使WAPP28下降，從而使各凸部35的頂部抵接於所對應的各上方抵接部39(圖6(D))。藉此，WAPP28被舉起，且位置被保持。
接下來，在Z方向移動單元20與針尖研磨單元24一起舉起平台11，而WAPP28移動至包裹片29接觸於各探測針17之針尖的接觸位置之後，包裹片29，係研磨各探測針17的針尖(圖6(E))，結束本處理。
根據圖6的針尖研磨處理，在WAPP28往接觸位置移動而從各探測針17之針尖接受反力時，由於WAPP28之凸部35的頂部，係與比支持構件27之下方抵接部38更往上方的上方抵接部39抵接，亦即分別由高剛性材料所構成之凸部35的頂部與上方抵接部39機械地進行卡合，故可防止WAPP28因來自各探測針17之針尖的反力，從接觸位置被推壓回退避位置的情形。
圖7，係表示藉由圖3之針尖研磨單元之第2變形例進行探針卡之各探測針之針尖研磨處理的工程圖。
在圖7(A)中，WAPP28，係具有：複數個凸部42，其係形成於與支持構件27相對向的底面40(第1對向面)，從該底面40向下方突出，並具有從側方突出的突起41(卡合突起)，支持構件27，係具有：複數個凹部45，其係形成於與WAPP28相對向的頂棚面43(第2對向面)，從該頂棚面43向下方凹陷，在側面形成有卡合孔44。WAPP28及支持構件27為相對向時，各 凹部45，係配置為與各凸部42相對向，各凸部42，係形成為可收容於所對應之各凹部45的大小。
在針尖研磨單元的第2變形例中，係在WAPP28下降至退避位置時，各凸部42雖被收容於所對應的各凹部45，但底面40會與頂棚面43抵接，從而防止WAPP28更下降。此時，卡合孔44，係位於比突起41更往上方。
在藉由針尖研磨單元之第2變形例進行探針卡之各探測針的針尖研磨處理中，係與圖5的針尖研磨處理同樣地，首先，使具有平台11下降至退避位置之WAPP28的針尖研磨單元24移動，從而使包裹片29與探針卡16之各探測針17相對向(圖7(A))。
接下來，當升降機構將WAPP28向上方舉起，而各突起41正對於所對應的各卡合孔44時(圖7(B))，致動器，係使支持構件27往左右方向移動，而使各突起41進入所對應的各卡合孔44。藉此，各突起41，係與各卡合孔44卡合(圖7(C))。藉此，WAPP28被舉起，且位置被保持。
接下來，在Z方向移動單元20與針尖研磨單元24一起舉起平台11，而WAPP28移動至包裹片29接觸於各探測針17之針尖的接觸位置之後，包裹片29，係研磨探測針17的針尖(圖7(D))，結束本處理。
根據圖7的針尖研磨處理，在WAPP28往接觸位置移動而從各探測針17之針尖接受反力時，由於從 WAPP28之凸部42朝向側方突出的突起41，係進入形成於支持構件27之凹部45之側面的卡合孔44而卡合，亦即分別由高剛性材料所構成之凸部42的突起41與凹部45的卡合孔44機械地進行卡合，故可防止WAPP28因來自各探測針17之針尖的反力，從接觸位置被推壓回退避位置的情形。
以上，雖使用上述實施形態說明關於本發明，但本發明並不限定於上述實施形態者。
例如，在針尖研磨單元24中，WAPP28雖係具有複數個凹部31(該凹部31，係形成於底面30上)，且支持構件27具有複數個凸部33(該凸部33，係形成於頂棚面32上)，但如圖8(A)所示，WAPP28亦可具有複數個四方形柱狀的凸部46(該凸部46，係從底面30向下方突出)，且支持構件27亦可具有複數個四方形柱狀的凹部47(該凹部47，係從頂棚面32向下方凹陷)。
在此，當WAPP28下降至退避位置時，各凸部46之頂部，係與所對應之各凹部47的底部抵接，從而防止WAPP28更下降，在WAPP28移動至接觸位置之後，各凸部46之頂部，係抵接於未在頂棚面32形成凹部47的部分，將WAPP28保持於接觸位置。
又，在針尖研磨單元24的第1變形例中，WAPP28雖係具有複數個凸部35(該凸部35，係被形成於底面34上)，且支持構件27具有複數個凹部37(該凹部37，係形成於頂棚面36上)，而各凹部37具有下 方抵接部38及上方抵接部39，但如圖8(B)所示，WAPP28亦可具有複數個凹部48(該凹部48，係形成於底面34上，從該底面34向上方凹陷，底面由傾斜面所形成)，且支持構件27亦可具有複數個四方形柱狀的凸部49(該凸部49，係從頂棚面36向上方突出，前端由傾斜面所形成)，在WAPP28及支持構件27為相對向時，各凹部48，係配置為與各凸部49相對向，各凸部49，係形成為可收容於所對應之各凹部48的大小，各凹部48，係亦可具有：下方抵接部50，在底面與所對應之各凸部49的頂部抵接；及上方抵接部51，形成於比該下方抵接部50更往上方，而與各凸部49的頂部抵接。
在此，當WAPP28下降至退避位置時，各凸部49之頂部，係與上方抵接部51抵接，從而防止WAPP28更下降，在WAPP28移動至接觸位置之後，各凸部49之頂部，係抵接於下方抵接部50，將WAPP28保持於接觸位置。
而且，在針尖研磨單元24的第2變形例中，WAPP28雖係具有複數個凸部42(該凸部42，係形成於底面40上，並具有從側方突出的突起41)，且支持構件27具有複數個凹部45(該凹部45，係從頂棚面43向下方凹陷，在側面形成卡合孔44)，但如圖8(C)所示，WAPP28亦可具有複數個凹部53(該凹部53，係形成於底面40上，從該底面40向上方凹陷，在側面形成有卡合孔52)，且支持構件27亦可具有複數個四方形柱狀的凸 部55(該凸部55，係從頂棚面43向上方突出，並具有從側方突出的突起54)，在WAPP28及支持構件27為相對向時，各凹部53，係配置為與各凸部55相對向，各凸部55，係形成為可收容於所對應之各凹部53的大小。
在此，當WAPP28下降至退避位置時，底面40，係與頂棚面43抵接，從而防止WAPP28更下降，在WAPP28移動至接觸位置之後，各突起54，係卡合於各卡合孔52，將WAPP28保持於接觸位置。

Claims (6)

  1. 一種探測器，係具備有平台(該平台，係載置基板)與探針卡(該探針卡，係與該平台相對向)，而前述探針卡具有朝向前述所載置之基板突出的複數個探測針，該探測器，其特徵係，具備有：針尖研磨裝置，研磨前述複數個探測針的針尖，前述針尖研磨裝置，係具有：針尖接觸部，接觸於前述針尖；及支撐部，支撐該針尖接觸部，在前述針尖接觸部之與前述針尖接觸的部分，係設置有研磨前述針尖的針尖研磨面，前述針尖接觸部，係介於前述探針卡及前述支撐部之間，並且在前述針尖接觸部不與前述針尖接觸的退避位置及前述針尖接觸部接觸於前述針尖的接觸位置之間移動，前述針尖接觸部，係具有與前述支撐部相對向的第1對向面，前述支撐部，係具有與前述針尖接觸部相對向的第2對向面，前述針尖接觸部及前述支撐部，係具有：卡合部，在前述針尖接觸部往前述接觸位置移動而從前述針尖接受反力時，藉由前述針尖接觸部與前述支撐部之相對位置改變而形成，以維持前述第1對向面及前述第2對向面相互分離之位置的方式，機械地進行卡合。
  2. 如申請專利範圍第1項之探測器，其中，前述卡合部，係由凹部與凸部所構成，該凹部，係形 成於前述第1對向面及前述第2對向面的一方，該凸部，係形成於前述第1對向面及前述第2對向面的另一方，在前述針尖接觸部往前述退避位置移動後，前述凸部，係嵌合於前述凹部，在前述針尖接觸部往前述接觸位置移動後，前述凸部之頂部，係抵接於前述第1對向面或前述第2對向面。
  3. 如申請專利範圍第1項之探測器，其中，前述卡合部，係由凹部與凸部所構成，該凹部，係形成於前述第1對向面及前述第2對向面的一方，該凸部，係形成於前述第1對向面及前述第2對向面的另一方，前述凸部，係與前述凹部嵌合，前述凹部，係具有：第1抵接部，與前述凸部的頂部抵接；及第2抵接部，形成於比該第1抵接部更往前述針尖接觸部的附近，與前述凸部的頂部抵接，在前述針尖接觸部往前述退避位置移動後，前述凸部的頂部，係與前述第1抵接部抵接，在前述針尖接觸部往前述接觸位置移動後，前述凸部之頂部，係與前述第2抵接部抵接。
  4. 如申請專利範圍第1項之探測器，其中，前述卡合部，係由凹部與凸部所構成，該凹部，係形成於前述第1對向面及前述第2對向面的一方，該凸部，係形成於前述第1對向面及前述第2對向面的另一方，前述凸部，係與前述凹部嵌合，前述凹部，係具有形成於側面的卡合孔，並且前述凸 部，係具有朝向前述側面突出的卡合突起，在前述針尖接觸部往前述接觸位置移動後，前述卡合突起，係進入前述卡合孔進行卡合。
  5. 如申請專利範圍第1~4項中任一項之探測器，其中，前述針尖研磨裝置，係被固定於前述平台，在前述平台朝向前述探針卡移動時，與前述平台一起朝向前述探針卡移動。
  6. 一種針尖研磨裝置，係研磨在探針卡中朝向基板突出之複數個探測針的針尖，該針尖研磨裝置，其特徵係，具有：針尖接觸部，接觸於前述針尖；及支撐部，支撐該針尖接觸部，在前述針尖接觸部之與前述針尖接觸的部分，係設置有研磨前述針尖的針尖研磨面，前述針尖接觸部，係介於前述探針卡及前述支撐部之間，並且在前述針尖接觸部不與前述針尖接觸的退避位置及前述針尖接觸部接觸於前述針尖的接觸位置之間移動，前述針尖接觸部，係具有與前述支撐部相對向的第1對向面，前述支撐部，係具有與前述針尖接觸部相對向的第2對向面，前述針尖接觸部及前述支撐部，係具有：卡合部，在前述針尖接觸部往前述接觸位置移動而從前述針尖接受反 力時，藉由前述針尖接觸部與前述支撐部之相對位置改變而形成，以維持前述第1對向面及前述第2對向面相互分離之位置的方式，機械地進行卡合。
TW104100940A 2014-01-22 2015-01-12 Detector and probe card tip grinding device TWI638173B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-009725 2014-01-22
JP2014009725A JP6262547B2 (ja) 2014-01-22 2014-01-22 プローバ及びプローブカードの針先研磨装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201538999A TW201538999A (zh) 2015-10-16
TWI638173B true TWI638173B (zh) 2018-10-11

Family

ID=52465181

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104100940A TWI638173B (zh) 2014-01-22 2015-01-12 Detector and probe card tip grinding device

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9383389B2 (zh)
EP (1) EP2899555B1 (zh)
JP (1) JP6262547B2 (zh)
KR (1) KR101663004B1 (zh)
TW (1) TWI638173B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102503282B1 (ko) 2015-11-06 2023-02-24 세메스 주식회사 프로브 스테이션
KR20200065660A (ko) 2018-11-30 2020-06-09 세메스 주식회사 프로브 카드의 탐침 세정 방법
JP2022068992A (ja) 2020-10-23 2022-05-11 東京エレクトロン株式会社 検査装置及びプローブの研磨方法
TWI752749B (zh) * 2020-12-07 2022-01-11 中華精測科技股份有限公司 提高垂直探針卡之微探針研磨效率的方法
KR102251805B1 (ko) 2021-01-21 2021-05-13 주식회사 구비테크 반도체 검사장비 모듈의 강성 테스트기

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW209311B (zh) * 1991-06-12 1993-07-11 Tel Yamanishi Kk
TW432576B (en) * 1997-06-07 2001-05-01 Tokyo Electron Ltd Probe cleaning method, probing method and prober
TW200712501A (en) * 2005-08-02 2007-04-01 Electroglas Inc Method and apparatus for cleaning a probe card

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH028141U (zh) * 1988-06-27 1990-01-19
JP3156192B2 (ja) 1994-04-19 2001-04-16 東京エレクトロン株式会社 プローブ方法及びその装置
JP3462751B2 (ja) * 1997-06-07 2003-11-05 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法及びプローブ装置
JP2000077488A (ja) * 1998-08-31 2000-03-14 Nec Kyushu Ltd プローブ装置
US7202683B2 (en) * 1999-07-30 2007-04-10 International Test Solutions Cleaning system, device and method
JP2003059987A (ja) * 2001-08-16 2003-02-28 Sony Corp 半導体ウェハープローバおよびそれを用いた半導体チップの電気的特性の測定方法
JP3895584B2 (ja) * 2001-11-02 2007-03-22 東京エレクトロン株式会社 針研磨具の認識方法及び針研磨具の認識装置
JP2008294292A (ja) * 2007-05-25 2008-12-04 Tokyo Seimitsu Co Ltd プローバ、プローブ接触方法及びプログラム
JP2011064467A (ja) * 2009-09-15 2011-03-31 Tokyo Electron Ltd ヘッドプレートのレベリング機構及びプローブ装置
JP5970218B2 (ja) * 2012-03-26 2016-08-17 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW209311B (zh) * 1991-06-12 1993-07-11 Tel Yamanishi Kk
TW432576B (en) * 1997-06-07 2001-05-01 Tokyo Electron Ltd Probe cleaning method, probing method and prober
TW200712501A (en) * 2005-08-02 2007-04-01 Electroglas Inc Method and apparatus for cleaning a probe card

Also Published As

Publication number Publication date
US9383389B2 (en) 2016-07-05
TW201538999A (zh) 2015-10-16
KR101663004B1 (ko) 2016-10-06
JP2015138888A (ja) 2015-07-30
KR20150087808A (ko) 2015-07-30
US20150204909A1 (en) 2015-07-23
EP2899555B1 (en) 2016-11-16
JP6262547B2 (ja) 2018-01-17
EP2899555A1 (en) 2015-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI638173B (zh) Detector and probe card tip grinding device
JP6071027B2 (ja) プローバ
TW300954B (en) The probe card used in prober
TWI599783B (zh) Probe card installation method
KR101394362B1 (ko) 웨이퍼 검사 장치
JP6220596B2 (ja) プローバ
KR20100033938A (ko) 프로브 장치
US8525538B2 (en) Apparatus and method for testing a semiconductor device
KR101838604B1 (ko) 프로버
KR20180043814A (ko) 웨이퍼 검사 방법 및 웨이퍼 검사 장치
KR100878211B1 (ko) 프로브스테이션 및 이를 이용한 웨이퍼 검사방법
JP4836684B2 (ja) 検査ステージ及び検査装置
TWI605254B (zh) 測試裝置
TW200935535A (en) Probe device and probe method
TW201615526A (zh) 電子元件運搬裝置及電子元件測試裝置
JP2007227840A (ja) プローブ針のクリーニング装置
JP7267058B2 (ja) 検査装置
JP4246010B2 (ja) 検査装置
JPH0936188A (ja) プローブ装置に用いられるプローブカードデバイス
CN113977121B (zh) 半导体元件焊接设备中用于调节焊接平整度的装置及方法
JP5971902B2 (ja) ワーク保持装置及び、このワーク保持装置を備えた３次元形状測定装置
JPH04355943A (ja) ウエハプローバ
JP2001337131A (ja) 集積回路ハンドラ
JP2007139467A (ja) プローブカード組立体及びプローブ装置
JP2011009561A (ja) デバイスの検査方法