TWI633125B - 具有半結晶嵌段之嵌段共聚物及得自其之組合物與由其製造之物件 - Google Patents

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Abstract

已發現具有優良物理性質與耐溶劑性之組合之具有半結晶剛性嵌段及共聚物柔性嵌段之經選擇性氫化之嵌段共聚物。該嵌段共聚物包含至少一個經氫化之聚合1,3-丁二烯之A嵌段及至少一個為共軛二烯與單乙烯基芳香族單體之隨機共聚物或受控分佈共聚物之B嵌段，其中該等共軛二烯單體單元經選擇性氫化。亦揭示該等嵌段共聚物之極性官能化嵌段實施例。亦已發現包含該嵌段共聚物之組合物及由該嵌段共聚物製造之物件。揭示提供嵌段共聚物之高度各向同性、高強度熔融澆注膜之方法。

Description

具有半結晶嵌段之嵌段共聚物及得自其之組合物與由其製造之物件
本揭示內容係關於經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物及產生嵌段共聚物之高度各向同性、高強度熔融澆注膜之方法。
具有半結晶嵌段之嵌段共聚物已揭示於頒予De La Mare等人之美國專利第3,670,054號中。De La Mare等人揭示具有半結晶末端嵌段之線性五嵌段共聚物，其包含具有高乙烯基含量之經氫化聚丁二烯。該五嵌段之剩餘嵌段係均聚苯乙烯嵌段及具有高乙烯基含量之橡膠態、經氫化聚丁二烯或聚異戊二烯嵌段。末端半結晶嵌段與橡膠共軛二烯嵌段之減小之末端嵌段大小及化學相似性導致該等嵌段相分離之趨勢降低且從而限制優異物理性質之發展。 頒予Naylor等人之美國專利第4107,236號揭示具有衍生自經氫化之聚丁二烯之半結晶嵌段且缺少單乙烯基芳香族嵌段之嵌段共聚物。具體而言，該等氫化嵌段共聚物具有末端半結晶經氫化之乙烯基丁二烯嵌段及內部非結晶經氫化之橡膠狀乙烯基丁二烯嵌段。在該等嵌段共聚物中，末端及內部嵌段相分離之趨勢大為降低，從而限制優異物理性質之發展。 具有半結晶嵌段及經氫化之隨機苯乙烯/丁二烯嵌段之嵌段共聚物已揭示於Sasagawa等人之美國公開案第2008/0188580號中。為展示撓性及耐磨性，Sasagawa等人之嵌段共聚物在其柔性嵌段中具有單乙烯基芳香族共聚單體。具體而言，揭示55%至90%之單乙烯基芳香族含量。此外，僅在過氧化物交聯之後展示物理性質。因此，由半結晶剛性嵌段所致之任何物理交聯不足以產生具有有用物理性質之材料。 具有經選擇性氫化之受控分佈柔性嵌段之嵌段共聚物已揭示於頒予Bening等人之美國專利第7,169,848號中。該等嵌段共聚物不具有半結晶嵌段。單乙烯基芳香族嵌段、尤其聚苯乙烯嵌段之存在提供物理交聯並產生可用於眾多種應用之材料。具體而言，該等材料具有新穎「伸展剛度」特性。單乙烯基芳香族嵌段易受溶劑侵蝕且在此等環境中溶解或造成較差物理性質。 業內仍需要強力且耐溶劑之可熱處理之橡膠材料。具體而言，期望可易於熔融處理同時能夠在固態下產生強度及耐溶劑性之可熱處理之嵌段共聚物。強度與耐溶劑性之此組合將容許其在暴露於一定程度之溶劑蒸氣或液體之眾多種環境中之實際應用。此外，此等嵌段共聚物將可用於製備其中需要耐溶劑性、高加工性及強度之組合物。另外，業內仍需要高度各向同性之彈性膜。本揭示內容解決該等需要。
本揭示內容提供經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物，其包含至少一個A嵌段及至少一個B嵌段，其中該A嵌段係乙烯基含量為20%或更少之聚合1,3-丁二烯之氫化嵌段，且該B嵌段係共軛二烯與單乙烯基芳香族單體單元之共聚合嵌段，其中該嵌段共聚物之總單乙烯基芳香族含量係約10 wt.%至約55 wt.%。 在另一態樣中，提供經選擇性氫化之嵌段共聚物，其包含至少一個A嵌段及至少一個B嵌段，其中該A嵌段係乙烯基含量為20%或更少之聚合1,3-丁二烯之氫化嵌段，且該B嵌段係共軛二烯與單乙烯基芳香族單體單元之受控分佈共聚合嵌段，其中該等共軛二烯單體單元經氫化，單乙烯基芳香族單體之量係約10 wt.%至約55 wt.%，且單乙烯基芳香族嵌段度(blockiness)小於40%。經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物呈現以峰值溫度高於50℃為特徵之熔點。 在另一態樣中，本揭示內容提供經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物，其包含至少一個A嵌段及至少一個B嵌段，其中該A嵌段係乙烯基含量為20%或更少之聚合1,3-丁二烯之氫化嵌段，且該B嵌段係共軛二烯對單乙烯基芳香族單體單元之重量比為90/10至60/40之隨機共聚合嵌段。經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物呈現以峰值溫度高於50℃為特徵之熔點。 在另一態樣中，本揭示內容提供經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物，其在後聚合反應中已接枝極性官能基。此等基團包括馬來酸酐、馬來酸或富馬酸及其衍生物、含矽或含硼之化合物、烷氧基矽烷化合物、環氧乙烷、二氧化碳、鹼金屬烷基化合物及磺酸化合物。 本文中所闡述之嵌段共聚物展現包括高的彈性、拉伸強度及模數之性質，同時在甚至低於200℃下具有高熔體流動及加工性。重要的是，嵌段共聚物由於其藉由活性陰離子聚合之製備而產生之化學組成及其窄分子量分佈，顯示顯著程度之耐溶劑性且具有低量之可提取組份。嵌段共聚物之半結晶性質亦賦予嵌段共聚物非黏性表面特性。 在第四態樣中，本揭示內容提供組合物，其包含經選擇性氫化之嵌段共聚物及至少一種選自以下之組份：熱塑性樹脂、增黏劑、塑化劑及蠟。 在另一態樣中，本揭示內容提供包含經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物之物件，其為熔融擠出或溶劑澆注膜、共擠出多層膜、熔融吹塑膜、熔融吹塑多層膜、注射模製件、塗層、發泡型件、纖維、雙組份纖維、多組份纖維、熔融吹塑纖維、纖維墊、纖維束、粉末、各種形狀之膠體、擠出管、擠出型材、注射模製件、凝塑模製件或旋轉模製件。 在另一態樣中，本揭示內容提供產生熔融澆注嵌段共聚物之高度各向同性之高強度膜之新穎方法。 在本文中所闡述之實施例中，半結晶A嵌段類似於聚乙烯嵌段。
本申請案主張於2016年3月24日提出申請之美國臨時申請案第62/312,743號之優先權，其全部內容係以引用的方式併入本文中。 術語「包含」及其派生詞不意欲排除任何額外組份、步驟或程序之存在，無論其是否在本文中揭示。為避免任何疑問，除非說明相反之情形，否則在本文中藉助使用術語「包含」所闡述及主張之所有組合物可包括任何額外添加劑或化合物。相比之下，若本文中出現術語「基本上由......組成」，則自任何隨後敘述之範圍排除任何其他組份、步驟或程序(對可操作性並非必要之彼等除外)，且若使用術語「由......組成」，則排除未明確描繪或列示之任何組份、步驟或程序。 如本文中所使用之術語「約」意指近似、在......左右、大致或大約。當術語「約」結合數值範圍使用時，其藉由將邊界延伸至高於及低於所述數值來修改該範圍。通常，本文中使用術語「約」將數值修改為在所述數值上下變動10%。 ASTM D 1238之標題為「Test Method for Melt Flow Rates of Thermoplastics by Extrusion Plastometer」。如本文中所使用之術語「ASTM D 1238」係指藉由擠出塑性計測定熱塑性塑膠之熔體流動速率之標準測試方法。通常，此測試方法涵蓋使用擠出塑性計測定熔融熱塑性樹脂之擠出速率。在指定之預熱時間後，將樹脂在溫度、載量及料筒中之活塞位置之規定條件下擠出穿過具有指定長度及孔口直徑之模具。此測試方法於2013年8月1日發表，其內容係以全文引用的方式併入本文中。關於參考ASTM標準，請訪問ASTM網站www.astm.org，或在service@astm.org聯繫ASTM客戶服務。 ASTM D 412之標題為「Standard Test Methods for Vulcanized Rubber and Thermoplastic Elastomers - Tension」。如本文中所使用之術語「ASTM D 412」係指用於測定熱塑性塑膠之拉伸性質之標準測試方法。通常，此測試方法涵蓋模數、拉伸強度及斷裂伸長率之測定。量測及測試結果係根據ASTM D 412計算。此測試方法發表於2015年12月1日，其內容係以全文引用的方式併入本文中。關於參考ASTM標準，請訪問ASTM網站www.astm.org，或在service@astm.org聯繫ASTM客戶服務。 本文中所呈現實施例之聚合物可由已知產生具有類聚乙烯嵌段之嵌段共聚物之任何適宜方法製造。較佳者係陰離子聚合方法。熟知利用鋰起始劑陰離子聚合單烯基芳烴及共軛二烯，如美國專利第4,039,593號及Re 27,145中所闡述。聚合以單鋰、二鋰或多鋰起始劑開始，此在每一鋰位點處構建活性聚合物主鏈。 通常，可用於本揭示內容情形中之聚合物可藉由使一或多種單體與有機鹼金屬化合物在-150℃至300℃之溫度範圍下、較佳地在0℃至100℃之溫度範圍下在適宜溶劑中接觸來製備。尤其有效之聚合起始劑係具有通式RLi之有機鋰化合物，其中R係具有1至20個碳原子之脂肪族基團、脂環族基團或經烷基取代之脂環族基團。適宜溶劑包括脂肪族烴(例如丁烷、戊烷、己烷、庚烷或環己烷或環庚烷)、苯、甲苯及二甲苯及醚(例如四氫呋喃或二乙醚)。 適宜共軛二烯之實例包括(但不限於) 1,3-丁二烯(在本文中亦稱為「丁二烯」)、異戊二烯、1,3-戊二烯、1,3-己二烯、月桂烯、金合歡烯或其混合物。 適宜單乙烯基芳香族單體之實例包括(但不限於)苯乙烯及經取代之苯乙烯，例如甲基苯乙烯、對第三丁基苯乙烯、二甲基苯乙烯、α-甲基苯乙烯、二苯基乙烯及諸如此類，包括該等之混合物，但較佳者係苯乙烯。基於嵌段共聚物之總單體含量，嵌段共聚物中單乙烯基芳香族單體之總量係10 wt.%至55 wt.%。 共軛二烯單體可由(C1 =C2 -C3 =C4 )表示。共軛二烯之陰離子聚合可產生其中所有四個該等碳均併入聚合物主鏈中，或者僅兩個該等碳(C1 -C2 或C3 -C4 )併入聚合物主鏈中之聚合物。在丁二烯之情形下，藉助1,4-加成將所有四個碳皆併入聚合物主鏈中。或者，對於丁二烯而言，藉由1,2-加成僅將兩個碳併入聚合物主鏈中。在異戊二烯之情形下，藉由3,4-加成僅將兩個碳併入聚合物主鏈中。丁二烯及異戊二烯之1,2-加成或3,4-加成分別產生作為聚合物主鏈之側基且出於本揭示內容之目的將其稱為乙烯基。類似地，其他共軛二烯可以產生側鏈雙鍵或乙烯基之方式聚合。存於共軛二烯嵌段中之此乙烯基之量稱為乙烯基含量。 A嵌段中之乙烯基含量之量係在A嵌段中聚合單體之0 mol%至20 mol%範圍內，其中mol%係基於A嵌段之總聚合單體含量之mol%。在乙烯基含量高於20 mol%時，A嵌段之熔點有害地降低至低於50℃。在一些實施例中，基於A嵌段之總單體含量之mol%，乙烯基含量可在0 mol%至15 mol%範圍內。在其他實施例中，基於A嵌段之總單體含量之mol%，乙烯基含量可在0 mol%至10 mol%範圍內。 在一個實施例中，B嵌段係受控分佈共聚物嵌段。共聚單體之受控分佈既非隨機亦非漸縮的。(1)共聚單體添加之獨特控制及(2) 使用極性聚合改質劑作為溶劑之組份(將其稱為「分佈劑」)之組合導致兩種單體之特徵分佈(本文中稱為「受控分佈」聚合，即產生「受控分佈」結構之聚合)，且亦導致共聚物嵌段中存在單乙烯基芳香族富集區及共軛二烯富集區。出於本發明之目的，「受控分佈」係指包含具有相對較低嵌段度之總體結構之分子結構。受控分佈(「B」)嵌段之嵌段度可由在使用差示掃描量熱法(「DSC」) (熱)方法或經由機械方法分析時任一單體單獨之Tg之間之僅單一(「Tg」)中間值之存在顯示，或如經由質子核磁共振(「H1 -NMR」)方法顯示。亦可在B嵌段之聚合期間在適於檢測聚苯乙烯基鋰末端基團之波長範圍中自UV-可見吸光度之量測來推斷可能之嵌段度，例如當苯乙烯係單乙烯基芳香族共聚單體時。此值增加指示聚苯乙烯基鋰鏈末端之顯著增加。在此方法中，此僅將在共軛二烯濃度下降至低於為維持受控分佈聚合所必需之臨界濃度時才會發生。在此點存在之任何苯乙烯單體將以嵌段形式添加。術語「苯乙烯嵌段度」可使用質子NMR來量測，且定義為在聚合物鏈上具有兩個單乙烯基芳香族(S)最鄰近者之聚合物中S單元之比例。在使用H1 -NMR量測兩個實驗量之後測定苯乙烯嵌段度，如下： 首先，藉由將H1 -NMR光譜中自7.5 ppm至6.2 ppm之總苯乙烯芳香族信號積分並將此量除以5以計及每一苯乙烯芳香族環上之5個芳香族氫來測定苯乙烯單元之總數量(即當求比率時消除任意儀器單位)。 其次，藉由將H1 -NMR光譜中自6.88 ppm與6.80 ppm間之信號最小值至6.2 ppm之芳香族信號部分積分並將此量除以2以計及每一嵌段苯乙烯芳香族環上之2個鄰位氫來測定嵌段苯乙烯單元。F. A. Bovey，High Resolution NMR of Macromolecules (Academic Press, New York and London, 1972), 第6章中已報導將此信號指派給具有兩個苯乙烯最鄰近者之彼等苯乙烯單元環上之兩個鄰位氫。 苯乙烯嵌段度簡單地係嵌段苯乙烯對總苯乙烯單元之百分比： 嵌段%= 100 × (嵌段苯乙烯單元/總苯乙烯單元) 由此表達聚合物-Bd-S-(S)n-S-Bd-聚合物(其中n大於0)定義為嵌段苯乙烯。舉例而言，若在上文實例中n等於8，則嵌段度指數將係80%。較佳地，嵌段度指數小於約40。對於單乙烯基芳香族化合物含量為10 wt.%至40 wt.% (其中wt%係基於嵌段聚合物之總重量)之一些聚合物而言，嵌段度指數較佳小於約10。 當B嵌段係受控分佈嵌段時，單乙烯基芳香族單體之量係在10 wt.%至55 wt.%範圍內，其中wt.%係基於B嵌段之總重量。當單乙烯基芳香族單體之量少於10 wt.%時，A與B嵌段之相分離強度不會足夠強至維持固態下之物理強度及耐油性。當單乙烯基芳香族單體之量多於55 wt.%時，則犧牲材料之橡膠特性。因此，嵌段共聚物之可量測之總單乙烯基芳香族單體含量將在約10 wt.%至約55 wt.%範圍內，其中wt%係基於嵌段共聚物之總重量。 根據另一實施例，B嵌段係共軛二烯與單乙烯基芳香族單體之隨機共聚物。熟知製造此等隨機共聚物之方法，如頒予Miki等人之美國專利第4,089,913號及頒予Miki等人之美國專利第4,122,134號中所揭示。一般而言，此等方法在活性陰離子共聚步驟及/或連續計量添加共聚單體期間使用路易斯鹼(Lewis base)隨機化劑。當B嵌段係隨機共聚物時，控制單乙烯基芳香族單體之量以維持彈性性質尤為重要。隨機度使得B嵌段看起來均勻尤為重要。舉例而言，在動態機械分析中，對於此嵌段僅觀察到單一玻璃轉換。單獨的Tg可不與共軛二烯或單乙烯基芳香族片段相關。當B嵌段係隨機共聚物時，單乙烯基芳香族單體對共軛二烯之比率係90/10至60/40。單乙烯基芳香族單體含量較高時，共聚物之柔性及彈性不足。單乙烯基芳香族單體含量較低時，共聚物不具有足夠的用於A與B嵌段相分離之熱力學驅動力且造成機械性質不足。 A嵌段之分子量為大於10 kg/mol至100 kg/mol、或者大於15 kg/mol至80 kg/mol且更佳地22 kg/mol至50 kg/mol。總嵌段共聚物中之A嵌段含量係15 wt.%至50 wt.%，其中wt.%係基於嵌段共聚物之總重量。A嵌段之較佳量係20 wt.%至45 wt.%，且更佳係25 wt.%至40 wt.%，其中wt.%係基於嵌段共聚物之總重量。B嵌段之分子量為20 kg/mol至200 kg/mol，且更佳地30 kg/mol至120 kg/mol。總嵌段共聚物中之B嵌段含量係40 wt.%至80 wt.%，其中wt.%係基於嵌段共聚物之總重量。B嵌段之較佳量係50 wt%至80 wt%，且更佳係60 wt.%至75 wt.%，其中wt.%係基於嵌段共聚物之總重量。 本揭示內容進一步係關於嵌段共聚物，其具有至少一個聚合1,3-丁二烯之聚合物嵌段(A)及至少一個單乙烯基芳香族單體與共軛二烯之經選擇性氫化之共聚物嵌段(B)，該經選擇性氫化之共聚物嵌段(B)係以二嵌段、三嵌段、輻射狀或星形嵌段結構形成。三嵌段共聚物包含兩個末端聚丁二烯嵌段及一個共聚物嵌段。此等二嵌段可藉由依序聚合製程製造，其中第一步驟包含利用有機鋰起始劑使1,3-丁二烯聚合直至1,3-丁二烯之聚合實質上完成為止。然後，在第二步驟中，自第一步驟產生之聚丁二烯之活性聚合物嵌段共聚合單乙烯基芳香族單體與共軛二烯單體。聚合自發發生，且容許進行直至實質上所有共聚單體已聚合形成聚丁二烯-聚(單乙烯基芳香族/共軛二烯)共聚物二嵌段為止。活性二嵌段可經終止以形成二嵌段產物或可與偶合劑反應以形成輻射狀或星形嵌段共聚物結構。 A與B嵌段可毗鄰或在嵌段共聚物結構不為二嵌段時其可由其他嵌段分離。 輻射狀、具支鏈嵌段共聚物(有時稱為「星形」嵌段共聚物)或線性偶合嵌段共聚物之製備需要稱為「偶合」之後聚合步驟。舉例而言，在輻射狀嵌段共聚物之式(A-B)n X中，A係聚合1,3-丁二烯之嵌段，B係包含單乙烯基芳香族單體及共軛二烯單體之共聚物嵌段，其中n係在2至約30、較佳地約2至約5範圍內之整數，且X係偶合劑之殘餘部分或殘基。A-B嵌段共聚物係藉由如上文所闡述之依序聚合形成。在適宜條件下，當「n」等於2時，活性二嵌段A-B共聚物「臂」偶合在一起形成三嵌段共聚物(意指二嵌段共聚物之2個臂偶合在一起)或當「n」大於2時形成輻射狀共聚物。 本文中所闡述之實施例並不限於對稱偶合之嵌段共聚物。偶合臂可相同從而產生對稱之偶合聚合物，或其可不同從而產生不對稱之偶合聚合物。在不對稱實施例中，一些臂可不含聚丁二烯嵌段或共聚物嵌段。此外，不對稱偶合之嵌段共聚物可含有其中A與B嵌段之分子量及A與B嵌段之組成可變化之臂。 在本文所闡述之一些實施例中，嵌段共聚物具有根據以下通式之結構：A-B、(A-B)n X、(A-B)n X-(A)m 或(A-B)n X-(B)m ，其中X係偶合劑之殘基，n及m獨立地變化且係整數且在1至30範圍內，A表示1,3-丁二烯之聚合物嵌段，B表示共軛二烯與單乙烯基芳香族單體單元之共聚物嵌段。在任何偶合結構中，(A-B)臂之組成及/或大小可獨立地變化。舉例而言，熟習此項技術者將理解式(A-B)n X表示使(A-B)、(A’-B)、(A-B’)、(A’B’)、(A’’-B)、(A’’-B’)、(A-B’’)、(A’-B’’)、(A’’-B’’)等活性臂之混合物偶合之可能性，其中A、A’及A’’具有不同大小且B、B’及B’’具有不同大小及/或共聚單體組成或分佈。n之較佳範圍係2至10且更佳範圍係2至6。m之較佳範圍係1至10且更佳範圍係1至6。本揭示內容之嵌段共聚物結構並不限於此處所列示之彼等。嵌段之眾多種配置可藉由依序及偶合聚合程序製造。用於構築輻射狀嵌段共聚物之偶合方法係統計學方法且n及m表示任何材料中之偶合分子之總集合之平均值。 偶合劑可包括(例如)二鹵基烷烴、鹵化矽、矽氧烷、多官能環氧化物、二氧化矽化合物、一元醇與羧酸之酯(例如己二酸二甲酯)及環氧化油。星形聚合物係利用如(例如)美國專利第3,985,830號、第4,391,949號及第4,444,953號及加拿大專利第716,645號中所揭示之多烯基偶合劑來製備。適宜多烯基偶合劑包括二乙烯基苯，且較佳地間-二乙烯基苯。較佳者係四-烷氧基矽烷，例如四-乙氧基矽烷(TEOS)及四-甲氧基矽烷；烷基-三烷氧基矽烷，例如甲基三甲氧基矽烷(MTMS)；脂肪族二酯，例如己二酸二甲酯及己二酸二乙酯；及二縮水甘油基芳香族環氧化合物，例如衍生自雙酚A與表氯醇之反應之二縮水甘油基醚。 偶合效率(「CE」)取決於所期望之結構，且定義為在偶合反應完成時之經由偶合劑之殘基連接之聚合物鏈末端對在聚合結束且在偶合之前之活性聚合物-鋰鏈之總數量之比例。本文中所闡述之嵌段共聚物之偶合效率為約20%至100%，包括中間之所有點。偶合效率之較佳範圍係70%或更大，更佳係80%或更大，且甚至更佳係90%或更大。在實踐中，使用GPC數據來計算聚合物產物之偶合效率。 氫化可經由先前技術中已知之若干種氫化或選擇性氫化製程之任一者實施。舉例而言，氫化可使用(例如)揭示於(例如)美國專利第3,595,942號、第3,634,549號、第3,670,054號、第3,700,633號及Re.27,145中之彼等方法來完成。該等方法操作以氫化含有芳香族或烯系不飽和部分之聚合物且係基於適宜觸媒之操作。此觸媒或觸媒前體較佳地包含與適宜還原劑(例如烷基鋁或選自元素週期表第I-A族、第II-A族及第III-B族之金屬、尤其鋰、鎂或鋁之氫化物)組合之第VIII族金屬(例如鎳或鈷)。此製備可在適宜溶劑或稀釋劑中在約20℃至約80℃之溫度下完成。其他可用觸媒包括基於鈦之觸媒系統。 對於本文中所闡述之選擇性氫化，尤其期望A嵌段中之共軛二烯高度氫化。A嵌段中之高度氫化產生高結晶度。相反地，未氫化之共軛二烯單元破壞A嵌段中之結晶度。亦期望實現最小程度之單乙烯基芳香族雙鍵之氫化。預期芳香族雙鍵之還原導致B嵌段之脂肪族特性增加且用於A與B嵌段相分離之驅動力降低。本文中所呈現之固態下嵌段共聚物之相分離之特性對於結晶度、耐溶劑性及物理強度之產生係必需的。 選擇性氫化之實施條件使得90 mol%或更多之共軛二烯雙鍵已還原，且介於0 mol%與10 mol%之間之存在於聚合單乙烯基芳香族單元中之芳香族雙鍵已還原。較佳範圍係95 mol%或更多之共軛二烯雙鍵經還原，且更佳地97 mol%或更多之共軛二烯雙鍵經還原，且最佳地99 mol%或更多。在較佳實施例中，小於5 mol%之芳香族雙鍵已還原且更佳小於1 mol%之芳香族雙鍵已還原。 A嵌段係包含經氫化之聚丁二烯之半結晶嵌段，且因此係嵌段共聚物中之剛性嵌段。在氫化之前，其具有較低之乙烯基含量。A嵌段中之乙烯基含量係20 mol%或更少，其中mol%係基於A嵌段之總聚合物含量。較佳地，乙烯基含量為15 mol%或更少且更佳地其為10%或更少，其中mol%係基於A嵌段之總聚合物含量。在氫化之後，A嵌段可結晶且具有可觀察到之熔點，如藉由DSC量測。此外，A嵌段相與B嵌段分離，且係A嵌段之結晶為嵌段共聚物給出其物理強度及對溶劑之耐受性。 如本文中所闡述，熔點之範圍係50℃至120℃。在較佳實施例中，熔點係80℃至120℃，在更佳實施例中係90℃至120℃，且在最佳實施例中係105℃至120℃。 B嵌段包含經選擇性氫化之聚合共軛二烯單體。然而，在B嵌段形成期間所使用之聚合條件導致此嵌段中共軛二烯之乙烯基含量相對較高。B嵌段中共軛二烯之乙烯基含量為30%或更多。較佳地，此嵌段中之乙烯基含量係30 mol%至90 mol%，更佳地30 mol%至55 mol%，且甚至更佳30 mol%至50 mol%，其中乙烯基含量之mol%係基於B嵌段之總單體含量之mol%。除乙烯基含量以外，單乙烯基芳香族單體之存在進一步破壞B嵌段中任何結晶度之形成。因此，B嵌段基本上係非結晶之柔性橡膠狀嵌段。若在B嵌段中存在任何結晶度，則其將以小於B嵌段之5 wt.%存在且熔點將遠低於50℃。在較佳實施例中，B嵌段中結晶度之量小於1 wt.%，且藉由DSC可觀察到之任何熔點將小於25℃。 在係偶合之本揭示內容之一些實施例中，在偶合之前將少量共軛二烯添加至活性鏈以增強偶合反應。用於此增強之較佳共軛二烯係丁二烯。此共軛二烯之額外嵌段之分子量小於10 kg/mol、較佳地小於5 kg/mol且甚至更佳地小於1 kg/mol。此共軛二烯嵌段之乙烯基含量係30 mol%至90 mol%、更佳地30 mol%至55 mol%且甚至更佳地30 mol%至50 mol%。 本揭示內容之一個態樣係熔融狀態下之易於加工性及固態下之強度及耐溶劑性之物理性質之組合。嵌段共聚物通常藉由其不同嵌段之相分離產生固態下之強度。雖然在固態下相分離係重要的，但其可在熔融狀態下保持並導致高熔融彈性及低加工性。相分離消散之溫度係有序-無序轉換溫度或ODT。高於ODT，嵌段共聚物經歷均勻狀態，且因此具有低熔融彈性及良好加工性。出於本揭示內容之目的，期望高熔融加工性。為達成所期望之熔融加工性，ODT較佳係150℃或更低。當ODT高於150℃時，在低熔融溫度下之高加工性之優點將丟失。在更佳實施例中，ODT係140℃或更低，且在最佳實施例中，其係130℃或更低。在一些實施例中，經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物之ODT為50℃至150℃。在一些實施例中，經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物之ODT為75℃至120℃。 在一些實施例中，經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物之熔體流動速率為0.01 g/10 min至500 g/10 min，如藉由ASTM D 1238在190℃/2.16 kg下所量測。在一些實施例中，經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物之熔體流動速率係在1 g/10 min至25 g/10 min範圍內，如藉由ASTM D 1238在190℃/2.16 kg下所量測。在一些實施例中，經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物具有自1 MPa至15 MPa之100%模數，如藉由ASTM D 412所量測。在一些實施例中，經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物之斷裂伸長率為至少300%。在一些實施例中，經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物之斷裂伸長率係在300%至2000%範圍內，如藉由ASTM D 412所量測。在一些實施例中，經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物之拉伸強度為至少6 MPa，如根據ASTM D 412所量測。在一些實施例中，經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物之拉伸強度係在6 MPa至40 MPa範圍內，如根據ASTM D 412所量測。在一些實施例中，經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物之拉伸強度根據ASTM D 412所量測係在10 MPa至30 MPa範圍內。在一些實施例中，經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物於甲苯中浸漬8小時後之溶脹度為小於150 wt.%。在一些實施例中，經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物於甲苯中浸漬8小時之後展現25 wt.%至150 wt.%之溶脹度，其中wt.%係基於嵌段共聚物之總wt.%。在一些實施例中，經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物於甲苯中浸漬8小時之後展現1 wt.%至150 wt.%之溶脹度，其中wt.%係基於嵌段共聚物之總wt.%。在一些實施例中，經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物於石蠟油中浸漬兩週後之溶脹度為小於40 wt.%。在一些實施例中，經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物於石蠟油中浸漬兩週之後展現1 wt.%至40 wt.%範圍內之溶脹度，其中wt.%係基於嵌段共聚物之總wt.%。在一些實施例中，經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物於環己烷中浸漬8小時後之溶脹度為小於150 wt.%。在一些實施例中，經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物於環己烷中浸漬8小時之後顯示25 wt.%至150 wt.%之溶脹度，其中wt.%係基於嵌段共聚物之總wt.%。在一些實施例中，嵌段共聚物於石蠟油中浸漬8小時之後展現1 wt.%至40 wt.%之溶脹度，wt.%係基於嵌段共聚物之總wt.%。 如本文中所使用，術語「分子量」係指共聚物之聚合物或嵌段之表觀分子量(kg/mol)。此說明書及申請專利範圍中所提及之分子量可利用凝膠滲透層析(GPC)使用聚苯乙烯校準標準品來量測，例如根據ASTM D5296所實施。GPC係眾所周知之方法，其中聚合物根據分子大小分離，最大的分子首先溶析出。層析儀使用市售聚苯乙烯分子量標準品校準。使用GPC如以上校準量測之共聚物之分子量係苯乙烯等效分子量且稱為表觀分子量。當藉助GPC管柱溶析之聚合物之組成與聚苯乙烯之組成不同時，表觀分子量與絕對或真實分子量不同。然而，與模型聚合物相比容許自表觀分子量轉換為真實或絕對分子量(若需要)。所使用之檢測方法較佳係紫外線與折射率檢測器之組合。本文中所表達之分子量係在GPC跡線之峰處量測，且通常稱為「峰分子量」(Mp)。 重要的是，本文中所呈現之共聚物之特徵係在不存在化學交聯劑(例如過氧化物或光起始劑)下達成。此外，聚合物不藉由(例如)通常使用電子束所進行之輻射來交聯。本文中所呈現之嵌段共聚物不含交聯劑且不交聯。 在另一實施例中，經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物在用馬來酸酐接枝之後併入極性官能基。接枝反應係在聚合及氫化之後實施，且可藉由業內已知之任何方法進行。此等方法在可在溶液中或熔融狀態下實施。較佳方法係熔融擠出反應。欲接枝至嵌段共聚物上之較佳單體係馬來酸酐、馬來酸、富馬酸及其衍生物。使此等嵌段共聚物官能化之進一步描述揭示於Gergen等人，美國專利第4,578,429號中及美國專利第5,506,299號中。本文中所呈現之經選擇性氫化之嵌段共聚物可藉由將含矽或含硼之化合物接枝至聚合物(如美國專利第4,882,384號中所揭示)以及將乙烯基矽烷化合物接枝至聚合物來官能化。以另一種方式，本文中所呈現之嵌段共聚物可與烷氧基-矽烷化合物接觸以形成矽烷改質之嵌段共聚物。以另一種方式，本揭示內容之嵌段共聚物可藉由將至少一個環氧乙烷分子接枝至聚合物(如美國專利第4,898,914號中所揭示)或藉由使聚合物與二氧化碳反應(如美國專利第4,970,265中所揭示)來官能化。此外，本揭示內容之嵌段共聚物可如美國專利第5,206,300號及第5,276,101號中所揭示進行金屬化，其中聚合物與烷基鹼金屬(例如烷基鋰)接觸。且此外，本揭示內容之嵌段共聚物可藉由將磺酸基接枝至聚合物來官能化，如美國專利第5,516,831號中所揭示。 在另一實施例中，製造包含經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物之組合物。該等組合物包括嵌段共聚物及至少一種其他組份。經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物之量係在組合物中之2%至98%範圍內。額外組份可係熱塑性樹脂、增黏劑、塑化劑及蠟。例示性熱塑性樹脂可包括聚烯烴、共聚酯彈性體、熱塑性彈性體、聚苯乙烯、苯乙烯共聚物及聚(伸苯基醚)。額外聚烯烴可較佳包括聚乙烯、聚丙烯及乙烯/α-烯烴及丙烯/α-烯烴共聚物。額外熱塑性彈性體可較佳包括苯乙烯系嵌段共聚物、不飽和熱塑性聚胺基甲酸酯及氫化熱塑性聚胺基甲酸酯兩者及共聚酯彈性體。苯乙烯共聚物包含耐衝擊聚苯乙烯(HIPS)。 在一些實施例中，包含經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物之組合物可具有自1.5 MPa至15 MPa範圍內之模數100%，如根據ASTM D 412所量測；自6 MPa至35 MPa範圍內之拉伸強度，如根據ASTM D 412所量測；於甲苯中浸漬8小時後1 wt.%至150 wt.%範圍內之溶脹度。在一些實施例中，基於浸漬於甲苯中之組合物之原始質量，在甲苯浸漬及乾燥之後所回收組合物之量大於95 wt.%。在一些實施例中，基於浸漬於甲苯中之組合物之原始質量，在甲苯浸漬及乾燥之後所回收組合物之量大於98 wt.%。 代表性聚乙烯包括(但不限於)諸如以下：實質上線性之乙烯聚合物；均勻支化之線性乙烯聚合物；非均勻支化之線性乙烯聚合物，其包括線性低密度聚乙烯(LLDPE)、超低密度聚乙烯或極低密度聚乙烯(ULDPE或VLDPE)、中密度聚乙烯(MDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)及高壓低密度聚乙烯(LDPE)。當熱塑性聚合物為聚乙烯時，根據ASTM D1238，熔體流動速率(亦稱為熔體流動指數)在190℃及2.16 kg重量下必須係至少0.1 g/10 min。聚乙烯之較佳類型係熔體流動速率為大於1 g/10 min (190℃/2.16 kg)之低密度聚乙烯。 代表性聚丙烯包括(但不限於)諸如以下：實質上全同立構之丙烯均聚物；隨機α烯烴/丙烯共聚物，其中基於莫耳丙烯係主要組份；及聚丙烯耐衝擊共聚物，其中聚合物基質主要係聚丙烯均聚物或隨機共聚物且橡膠相係α-烯烴/丙烯隨機共聚物。根據ASTM D1238，聚丙烯之適宜熔體流動速率在230℃及2.16 kg下為至少1 g/10 min。更佳者係熔體流動速率為至少2 g/10 min。最佳者係熔體流動速率為至少3 g/10 min。聚丙烯均聚物係聚丙烯之較佳類型。 乙烯/α-烯烴共聚物及丙烯/α-烯烴共聚物之實例包括(但不限於)來自Dow Chemical之AFFINITY、ENGAGE及VERSIFY聚合物及來自Exxon Mobil之EXACT及VISTAMAXX聚合物。根據ASTM D1238，此等共聚物之適宜熔體流動速率在230℃及2.16 kg重量下必須為至少1 g/10 min。較佳熔體流動速率係至少2 g/10 min，且最佳者係熔體流動速率為至少3 g/10 min。 共聚酯彈性體(COPE)包括(例如)聚(對苯二甲酸丁二酯)剛性片段及由聚酯或聚醚(例如聚四亞甲基醚二醇)構成之柔性片段之共聚物。適宜共聚酯彈性體之實例包括可自DSM獲得之Arnitel®樹脂、可自DuPont獲得之Hytrel®樹脂、可自Eastman Chemical獲得之Eastar®樹脂及可自Evonik獲得之Dynapol®樹脂。 適宜增黏劑可選自以下之群：相容性C5 、C9 或C5 /C9 烴樹脂、氫化或部分地氫化之C5 或C9 烴樹脂或苯乙烯化C5 或C9 樹脂。另外，適宜增黏劑包括萜烯、苯乙烯化萜烯樹脂、完全氫化或部分地氫化之萜烯樹脂、松香酯、松香衍生物及其混合物。適宜之市售增黏樹脂可包括Piccotac 1095-N (其係脂肪族樹脂)或Piccotac 8590 (其係脂肪族/芳香族樹脂)。亦適宜者係市售Regalrez™系列之烴增黏樹脂，例如Regalrez™ 1018、Regalrez™ 1085或Regalrez™ 6108，及以商標名「Regalite」、「Escorez」、「Wingtack」及「Arkon」出售之其他樹脂。 額外輔助組份可包括一或多種塑化劑。適宜塑化劑包括塑化油，例如適合的石蠟油或環烷油。諸如該等之產品可自Shell Oil Company以商標名SHELLFLEX®、亦以商標名CATENEX™及EDELEX™及ONDINA®及Drake油獲得。EDELEX® N956闡述於實例中。不同於其強度來源於聚苯乙烯結構域之物理交聯之嵌段共聚物，聚合物可利用酯(例如鄰苯二甲酸二辛基酯(DOP)及諸如此類)進行塑化，而不降低聚合物之強度。 額外組份可包括一或多種穩定劑，例如抗氧化劑。抗氧化劑可作為主要抗氧化劑(例如位阻酚)或次要抗氧化劑(例如亞磷酸鹽衍生物)或其摻合物使用。可接受之穩定劑係Irganox® 565、1010、1076或1726或Irgafos® 168 (所有皆來自BASF)或來自Sumitomo之Sumilizer® GS或T-PD，或來自Albemare之Ethanox 330。 無機填充劑之併入在嵌段共聚物及其組合物之終端用途應用中可係重要的。具體而言，填充劑對於增加意欲作為振動阻尼組合物之物件之質量及密度係重要的。存在於阻尼組合物中之無機填充劑之性質及量對阻尼之程度及對振動傳播如何受溫度及頻率影響具有重要效應。可使用不同形態之無機填充劑。舉例而言，可使用具有小片形式之填充劑或彼等具有非小片形式者。呈小片形式之無機填充劑之實例係雲母、滑石、片狀鋁、片狀鉛及石墨。已發現雲母尤其有效。可採用各種非小片填充劑，例如，黏土、碳酸鈣、重晶石(硫酸鋇)、二氧化矽及鐵粉末。可在小片與非小片填充劑之間實現協同效應。一些填充劑(例如Mg(OH)2 及Al(OH)3 )可賦予組合物阻燃劑性質。所採用填充劑之總量可較高。隨著量增加，阻尼有所改良。藉由最終組合物所需之物理及機械性質(例如撓性、撕裂強度及可模製性)確定填充劑含量之上限。 當期望發泡時，可將發泡劑併入組合物中。此等發泡劑之實例係物理或化學發泡劑。物理發泡劑包含氣體(例如N2 、CO2 )及液體(例如水、戊烷)。化學發泡劑係放熱及吸熱發泡劑。其在某一溫度以上分解，藉此釋放氣體(例如氮、二氧化碳)或水，此使得反應物料之體積增加。化學或物理發泡劑通常與成核劑組合使用。在物理發泡劑中，二氧化碳以及氮係較佳發泡劑。 在化學發泡劑中，較佳發泡劑係HydrocerolTM BIH40 (其然後亦用作成核劑)。該等發泡劑係以相對於總組合物之重量0.5 wt.%至10 wt.%之量進行使用。 滑爽劑可係本文中所呈現之組合物之組份且增強化合物之加工性並降低其黏性。適宜滑爽劑包括低分子量醯胺、金屬硬脂酸鹽(例如硬脂酸鈣及硬脂酸鋅及諸如此類)、聚矽氧、氟化烴、丙烯酸系樹脂、蠟及諸如此類。適宜一級醯胺之實例係山崳酸醯胺(可自Croda作為Crodamide BR且自Akzo Nobel作為ARMOSLIP® B獲得)、芥酸醯胺(可自Croda作為Crodamide E、自Akzo Nobel作為ARMOSLIP E及自Uniqema作為ATMER® SA 1753獲得)、油酸醯胺(可自Croda作為Crodamide VRX、自Akzo Nobel作為ARMOSLIP CP及自Uniqema作為ATMER SA 1758獲得)及硬脂醯胺(可自Croda作為Crodamide SR、自Akzo Nobel作為ARMOSLIP 18 LF及自Uniqema作為ATMER SA 1750獲得)。適宜二級胺之實例係油基棕櫚醯胺(可自Croda作為Crodamide 203獲得)及硬脂醯基芥酸醯胺(可自Croda作為Crodamide 212獲得)。飽和及不飽和醯胺兩者均適宜。 本文中所呈現之經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物可用於寬範圍之物件。此等物件可包含純淨聚合物或可包含諸如本文中所闡述之聚合物之複合物。物件可係溶劑或熔融澆注膜、共擠出多層膜、熔融吹塑膜、熔融吹塑多層膜、注射模製件、澆注或噴霧塗層、絲條、粉末、各種形狀之膠體、纖維、雙組份纖維或多組份纖維、熔融吹塑纖維、纖維墊或束、發泡型件、擠出管、注射模製物件、冷凝及旋轉模製件、各種形狀之擠出型材及諸如此類。 實例 出於本揭示內容之目的，術語「熔體流動速率」係根據ASTM D1238在230℃及2.16 kg重量或190℃及2.16 kg下或如另外所指定之聚合物之熔體流動之量度。其係以10分鐘內經過熔體流變儀孔口之聚合物之克數為單位來表示。 使用2 mm壓縮模製板進行黏著性(黏性)量測。黏著性測試係藉由以下來進行：放置兩個壓縮模製板在室溫下在1.2 kg之重量下接觸24小時。然後，將板手動分離並藉由定性觀察評估其黏著性或黏性。當不黏時，板自由分離。當板有黏性時，則需要可量測之力來將該等板分離。 根據ASTMD2240，以10秒在3個壓縮模製板(各自2 mm厚)之堆疊上量測硬度並報告為肖氏(Shore) A硬度。 根據ISO37使用自2 mm厚之壓縮模製板切割之2型啞鈴或藉由薄壓縮模製膜之熔融澆注膜製備之ASTM D412 D型啞鈴進行拉伸測試。 使用自2mm厚之壓縮模製板切割之2型啞鈴進行滯後測試。在拉伸測試裝置中將啞鈴夾持在50 mm之固定距離處。樣品以500 mm/min伸長以達到100伸長率(即，夾持距離為100 mm)，且然後立即以500 mm/min鬆弛至零力。在第一循環後設定零力時之殘餘變形。在第一循環完成後立即以相同延伸速率起始第二循環。總計實施5個循環。 耐溶劑性係藉由將2 mm厚之壓縮模製試樣在室溫下浸漬於(例如但不限於)甲苯之溶劑中持續特定時間來量測。在浸漬之前、在浸漬之後立即且在一些情形下如所指示完全乾燥之後測定樣品之重量。 透射率及霧度之光學性質係使用ASTM D1003來量測。實例 1 所有聚合物均係藉由在環己烷溶劑中之分批陰離子聚合來製備。本揭示內容之聚合物係藉由以下來聚合：首先合成A嵌段。將純化之無水環己烷溶劑添加至封閉之氮吹掃批式反應器。溶劑之進一步純化係藉由滴定丁基鋰或藉由添加一定量之第二丁基鋰至對應於預期雜質量之起始量來進行。然後將起始聚合所需量之丁基鋰添加至經攪拌之環己烷。然後將足以達成特定分子量目標之量之丁二烯添加至反應器。聚合丁二烯以形成A嵌段係在40℃至70℃範圍內之溫度下持續足以消耗基本上所有丁二烯單體之時間來進行。然後，根據美國專利第7,169,848號中所揭示之方法進行受控分佈B嵌段之聚合。然後，藉由添加等量之偶合劑使如此聚合之活性臂偶合。除非另有說明，否則偶合劑係甲基-三甲氧基-矽烷(MTMS)。偶合後，藉由添加醇終止任何剩餘之陰離子。 然後，將如此聚合之嵌段共聚物在壓力容器中使用辛酸鈷/三乙基鋁觸媒及氫氣來氫化。控制氫化溫度使得溫度保持在50℃以上。一旦達成目標氫化程度，則終止反應並用熱酸性水洗滌所得經選擇性氫化之聚合物以去除殘餘觸媒。然後，藉由在熱水中凝結來分離嵌段共聚物並然後乾燥。 聚合物1係具有結構(A-B)n X之輻射狀嵌段共聚物。其係具有87 wt.%線性(A-B)2 X結構、8 wt.%未偶合之A-B或單臂嵌段共聚物、4 wt.%三臂輻射狀嵌段共聚物及1 wt.% 四臂輻射狀嵌段共聚物之主要線性之嵌段共聚物。因此，其平均臂數(nave )為1.99。A嵌段之表觀峰值分子量(MWA)為28.5 kg/mol且其乙烯基含量(VCA)為8.1%。B嵌段係苯乙烯及丁二烯之受控分佈共聚物嵌段且在偶合之前具有60 kg/mol之表觀峰值分子量(MWB)，其乙烯基含量(VCB)為36.5%、苯乙烯含量(PSCB)為26.5 wt.%且嵌段度為9.7。在偶合之前，B嵌段已經大約9個重複單元之丁二烯封端。選擇性氫化A嵌段及受控分佈嵌段B兩者中之共軛二烯單體單元使得大於99 mol%之共軛二烯單元經氫化。聚合物1之總單乙烯基芳香族化合物含量為22 wt.%，且熔點特徵在於峰值溫度為102℃，且熔化熱(ΔHf )為19 J/g。單乙烯基芳香族單元未氫化至任何可量測之程度。聚合物1之ODT小於150℃。 聚合物2係具有結構(A-B)n X之輻射狀嵌段共聚物，且nave 結果為2.14。A係經氫化之聚丁二烯嵌段，且B係共聚合苯乙烯與1,3-丁二烯之經選擇性氫化之受控分佈嵌段。在偶合之前，B嵌段已經大約9個重複單元之丁二烯封端。A嵌段之分子量為28.3 kg/mol，其乙烯基含量為8.6 mol%，且其質量(MA)佔整個嵌段共聚物之28 wt.%。受控分佈嵌段B之乙烯基含量為36 mol%，苯乙烯含量為29 wt.%，且嵌段度為5.9%。選擇性氫化A嵌段及受控分佈嵌段兩者中之共軛二烯單體單元使得大於98 mol%之共軛二烯單元經氫化。單乙烯基芳香族單元未氫化至任何可量測之程度。聚合物2之總單乙烯基芳香族化合物含量為21.2 wt.%，且熔點特徵在於峰值溫度為101℃。聚合物2之ODT小於150℃。 聚合物3係具有結構(A-B)n X之輻射狀嵌段共聚物，且nave 結果為1.99。A嵌段之分子量為28.7 kg/mol且其乙烯基含量為9%。受控分佈嵌段B在偶合之前分子量為66 kg/mol，其乙烯基含量為34%，苯乙烯含量為30% wt.，且嵌段度為1.6%。在偶合之前，B嵌段已經大約9個重複單元之丁二烯封端。選擇性氫化A嵌段及受控分佈嵌段兩者中之共軛二烯單體單元使得大於99 mol%之共軛二烯單元經氫化。單乙烯基芳香族單元未氫化至任何可量測之程度。聚合物3之總單乙烯基芳香族化合物含量為21.2 wt.%，且熔點特徵在於峰值溫度為100℃，且熔化熱(ΔHf )為26 J/g。聚合物3之熔體流動速率(MFR)為5.7 g/10 min (230℃/2.16 kg)。聚合物3之ODT小於150℃。 聚合物4係具有結構(A-B)n X之輻射狀嵌段共聚物且nave 結果為1.96。A係經氫化之聚丁二烯嵌段且B嵌段係共聚合苯乙烯與1,3-丁二烯之經選擇性氫化之受控分佈嵌段。在偶合之前，B嵌段已經大約18個重複單元之丁二烯封端。A嵌段之分子量為46 kg/mol，其乙烯基含量為8.1 mol%，且其佔整個嵌段共聚物之40 wt.%。受控分佈嵌段B之乙烯基含量為60 mol%，苯乙烯含量為36.6 wt.%，且嵌段度為9%。選擇性氫化A嵌段及受控分佈嵌段兩者中之共軛二烯單體單元使得大於98 mol%之共軛二烯單元經氫化。單乙烯基芳香族單元未氫化至任何可量測之程度。聚合物4之總單乙烯基芳香族化合物含量為21 wt.%，且熔點特徵在於峰值溫度為102℃且熔化熱(ΔHf )為26.8 J/g。聚合物4之熔體流動速率(MFR)為1.9 g/10 min (230℃/2.16 kg)。聚合物4之ODT小於150℃。 聚合物5係具有結構(A-B)n X之輻射狀嵌段共聚物且nave 結果為2.64。A係經氫化之聚丁二烯嵌段且B嵌段係共聚合苯乙烯與1,3-丁二烯之經選擇性氫化之受控分佈嵌段。在偶合之前，B嵌段已經大約18個重複單元之丁二烯封端。A嵌段之分子量為21.9 kg/mol，其乙烯基含量為9 mol%，且其佔整個嵌段共聚物之26 wt.%。受控分佈嵌段B之乙烯基含量為38 mol%，苯乙烯含量為30 wt.%，且嵌段度為3.6。選擇性氫化A嵌段及受控分佈嵌段兩者中之共軛二烯單體單元使得大於99 mol%之共軛二烯單元經氫化。單乙烯基芳香族單元未氫化至任何可量測之程度。聚合物5之總單乙烯基芳香族化合物含量為22 wt.%，且熔點特徵在於峰值溫度為101℃且熔化熱(ΔHf )為21.8 J/g。聚合物5之熔體流動速率(MFR)為2.7 g/10 min (190℃/2.16 kg)及6.6 g/10 min (230℃/2.16 kg)。聚合物5之ODT小於150℃。 聚合物6係具有結構(A-B-e/b)n X之輻射狀嵌段共聚物且nave 結果為1.97。A係經氫化之聚丁二烯嵌段且B係共聚合苯乙烯與1,3-丁二烯之經選擇性氫化之受控分佈嵌段。在偶合之前，B嵌段已經大約18個重複單元之丁二烯封端。A嵌段之分子量為24.3 kg/mol，其乙烯基含量為8.6 mol%，且其佔整個嵌段共聚物之30 wt.%。受控分佈嵌段B之乙烯基含量為70 mol%，苯乙烯含量為32 wt.%，且嵌段度為9.5。選擇性氫化A嵌段及受控分佈嵌段B兩者中之共軛二烯單體單元使得大於99 mol%之共軛二烯單元經氫化。單乙烯基芳香族單元未氫化至任何可量測之程度。聚合物6之總單乙烯基芳香族化合物含量為22 wt.%，且熔點特徵在於峰值溫度為102℃且熔化熱(ΔHf )為21.5 J/g。聚合物6之熔體流動速率(MFR)為19 g/10 min (190℃/2.16 kg)及46 g/10 min (230℃/2.16 kg)。聚合物6之ODT小於150℃。 聚合物7係具有結構(A-B)n X之輻射狀嵌段共聚物且nave 結果為2.12。A係經氫化之聚丁二烯嵌段且B係共聚合苯乙烯與1,3-丁二烯之經選擇性氫化之受控分佈嵌段。在偶合之前，B嵌段已經大約18個重複單元之丁二烯封端。A嵌段之分子量為35.2 kg/mol，其乙烯基含量為大約9 mol%，且其佔整個嵌段共聚物之28 wt.%。受控分佈嵌段B之乙烯基含量為35 mol%，苯乙烯含量為32 wt.%，且嵌段度為1%。選擇性氫化A嵌段及受控分佈嵌段兩者中之共軛二烯單體單元使得90 mol%之共軛二烯單元經氫化。單乙烯基芳香族單元未氫化至任何可量測之程度。聚合物7之總單乙烯基芳香族化合物含量為23 wt.%，且熔點特徵在於峰值溫度為99℃且熔化熱(ΔHf )為25.4 J/g。聚合物7之熔體流動速率(MFR)為1.7 g/10 min (230℃/2.16 kg)。聚合物7之ODT小於150℃。 聚合物8係具有結構(A-B-eb)n X之輻射狀嵌段共聚物且nave 結果為1.93。A係經氫化之聚丁二烯嵌段，B係共聚合苯乙烯與1,3-丁二烯之經選擇性氫化之受控分佈嵌段，且eb係具有36%乙烯基之相對較大之經氫化之聚丁二烯片段且佔總嵌段共聚物之19.1%。A嵌段之分子量為24.1 kg/mol，其乙烯基含量為大約9 mol%，且其佔整個嵌段共聚物之26.7 wt.%。受控分佈嵌段B之乙烯基含量為36 mol%，苯乙烯含量為29.5 wt.%，且嵌段度為1%。選擇性氫化A嵌段、B受控分佈嵌段及eb嵌段中之共軛二烯單體單元使得大於99 mol%之共軛二烯單元經氫化。單乙烯基芳香族單元未氫化至任何可量測之程度。聚合物8之總單乙烯基芳香族化合物含量為16 wt.%，且熔點特徵在於峰值溫度為102℃且熔化熱(ΔHf )為24.5 J/g。聚合物8之熔體流動速率(MFR)為5 g/10 min (230℃/2.16 kg)。聚合物8之ODT小於150℃。 聚合物9係具有結構(A-B)n X之輻射狀嵌段共聚物且nave 結果為2.33。A係經氫化之聚丁二烯嵌段且B係共聚合苯乙烯與1,3-丁二烯之經選擇性氫化之受控分佈嵌段。在偶合之前，B嵌段已經大約18個重複單元之丁二烯封端。A嵌段之分子量為31 kg/mol，其乙烯基含量為大約10 mol%，且其佔整個嵌段共聚物之36 wt.%。受控分佈嵌段B之乙烯基含量為40 mol%，苯乙烯含量為32 wt.%，且嵌段度為3.6%。選擇性氫化A嵌段及受控分佈嵌段兩者中之共軛二烯單體單元使得大於99 mol%之共軛二烯單元經氫化。單乙烯基芳香族單元未氫化至任何可量測之程度。聚合物9之總單乙烯基芳香族化合物含量為20 wt.%，且熔點特徵在於峰值溫度為99℃且熔化熱(ΔHf )為20 J/g。聚合物9之熔體流動速率(MFR)為10 g/10 min (230℃/2.16 kg)。聚合物9之ODT小於150℃。 聚合物10係不具半結晶嵌段之受控分佈嵌段共聚物。其係具有結構(PS - B)n X (n = 2種構成大部分材料之物質)之線性聚合物。PS係聚苯乙烯嵌段且B係共聚合苯乙烯與1,3-丁二烯之經選擇性氫化之受控分佈嵌段。在偶合之前，B嵌段已經大約18個重複單元之丁二烯封端。PS嵌段佔整個嵌段共聚物之21 wt.%。受控分佈嵌段之聚苯乙烯含量為26 wt.%，且乙烯基含量為38%。丁二烯單體單元已氫化至大於99 mol%之程度。聚合物10之總單乙烯基芳香族化合物含量為42 wt%且在DSC分析期間在50℃以上未觀察到熔融。其MFR為0.8 g/10 min (230℃/2.16 kg)。聚合物10之ODT大於250℃。 聚合物11係具有不同乙烯基含量之聚合共軛二烯嵌段之經氫化之共軛二烯嵌段共聚物，且具有由(A - B)n X表示之結構且nave 結果為2.04。在氫化之前，A嵌段係乙烯基含量為9.3 mol%、分子量為28.5 kg/mol之聚丁二烯之聚合嵌段，且佔整個嵌段共聚物之30 wt.%。在氫化之前，B嵌段係乙烯基含量為49 mol%之聚丁二烯之聚合嵌段。聚合物11之總單乙烯基芳香族化合物含量為0 wt.%，且熔點特徵在於峰值溫度為99℃且熔化熱(ΔHf )為11 J/g。其熔體流動速率(MFR)為8.4 g/10 min (230℃/2.16 kg)。聚合物11之ODT小於150℃。 聚合物12係具有結構(A-B)n X之輻射狀嵌段共聚物且nave 結果為2.0。A係經氫化之聚丁二烯嵌段且B係共聚合苯乙烯與1,3-丁二烯之經選擇性氫化之受控分佈嵌段。在偶合之前，B嵌段已經大約18個重複單元之丁二烯封端。A嵌段之分子量為14 kg/mol，其乙烯基含量為9 mol%，且其佔整個嵌段共聚物之23 wt.%。受控分佈嵌段B之乙烯基含量為60 mol%，苯乙烯含量為31 wt.%，且嵌段度為2.9%。選擇性氫化A嵌段及受控分佈嵌段兩者中之共軛二烯單體單元使得大於99 mol%之共軛二烯單元經氫化。單乙烯基芳香族單元未氫化至任何可量測之程度。聚合物12之總單乙烯基芳香族化合物含量為23 wt.%，且熔點特徵在於峰值溫度為102℃且熔化熱(ΔHf )為22.1 J/g。其熔體流動速率(MFR)為68 g/10 min (190℃/2.16 kg)及163 g/10 min (230℃/2.16 kg)。聚合物12之ODT小於150℃。 聚合物13係具有結構(A-B)n X之輻射狀嵌段共聚物且nave 結果為2.43。A係經氫化之聚丁二烯嵌段，B係共聚合苯乙烯與1,3-丁二烯之經選擇性氫化之受控分佈嵌段。在偶合之前，B嵌段已經大約18個重複單元之丁二烯封端。A嵌段之分子量為14.9 kg/mol，其乙烯基含量為大約9 mol%，且其佔整個嵌段共聚物之19 wt.%。受控分佈嵌段B之乙烯基含量為37 mol%，苯乙烯含量為8 wt.%，且嵌段度為1%。選擇性氫化A嵌段及受控分佈嵌段兩者中之共軛二烯單體單元使得98 mol%之共軛二烯單元經氫化。單乙烯基芳香族單元未氫化至任何可量測之程度。聚合物13之總單乙烯基芳香族化合物含量為6 wt.%，且熔點特徵在於峰值溫度為99℃且熔化熱(ΔHf )為20.3 J/g。其熔體流動速率(MFR)為10 g/10min (230℃/2.16 kg)。聚合物13之ODT小於150℃。 聚合物14係聚合物3之非氫化前體。其未經選擇性氫化且不展現任何熔融或結晶行為。 聚合物之結構特徵匯總於表1中。實例 2 使用差示掃描量熱法(DSC)表徵本文中所呈現之聚合物3之熔融行為。此與聚合物10之熔融行為進行比較。在98℃之熔點峰值及在72℃之相應結晶峰值清楚地展示聚合物3中存在半結晶嵌段。相比之下，在聚合物10中未見顯著結晶度。該兩種材料之DSC曲線於圖1中進行比較。實例 3 藉由壓縮模製製備聚合物之樣品且然後測試其物理性質。2 mm厚之壓縮模製板係藉由在200℃之溫度下及在足以產生無缺陷板之壓力及時間下模製來製備。純淨聚合物之物理性質及耐化學性性質列示於表2中。 此實例顯示半結晶嵌段存在之重要性。當無半結晶嵌段時，聚合物溶解。舉例而言，聚合物10係僅具有均聚苯乙烯端嵌段及苯乙烯與丁二烯之非結晶受控分佈橡膠嵌段之苯乙烯系嵌段共聚物。儘管在暴露於溶劑之前具有可量測之拉伸性質，但其缺少結晶度導致在環己烷中及在甲苯中完全溶解。同樣地，聚合物14由於其丁二烯嵌段未氫化而缺少結晶度。其在環己烷中及在甲苯中亦溶解。 本文中所呈現之聚合物3及4顯示優異之耐溶劑性及優異之耐油溶脹性。油係石蠟油(來自ExxonMobil之Primol® 352)。其各自具有半結晶嵌段且熔點分別為100℃及101℃。聚合物11確實具有半結晶嵌段，其中Tm為101℃。然而，橡膠嵌段係無單乙烯基芳香族含量之相對較高乙烯基丁二烯嵌段且因此具有減小之相分離驅動力。在石蠟油中產生之溶脹度相對較高。實例 4 藉由壓縮模製製備聚合物之樣品且然後測試其物理性質。將聚合物在小型Brabender密閉混合器(40 g載量)中與0.2% wt. Irgafos 168一起在200℃下在100 rpm下熔融均質化5分鐘。壓縮模製成2 mm板係在220℃下(在20 kN下15分鐘，隨後在100 kN下5分鐘)進行且樣品在壓力下冷卻。純淨聚合物之物理性質及耐化學品性質列示於表3中。 聚合物5及聚合物6係具有半結晶A嵌段之嵌段共聚物。該等聚合物之晶體熔點分別為101℃及102℃，且在甲苯及石蠟油中具有極佳之耐溶脹性。具體而言，該等實例展示B嵌段中廣度之乙烯基含量。聚合物5及聚合物6之乙烯基含量分別為38 mol%及70 mol%。聚合物12亦係具有受控分佈B嵌段並具有60 mol%之升高乙烯基含量之半結晶嵌段共聚物，其中mol%係基於B嵌段之總單體含量。然而，與聚合物5 (21.9 kg/mol)及聚合物6 (24.3 kg/mol)之分子量相比，半結晶A嵌段具有14 kg/mol之相對較低之分子量。聚合物12不能經受在甲苯中之浸漬並溶解。實例 5 熔融澆注膜中之純淨聚合物性質：聚合物之樣品係藉由使用熔融擠出之澆注膜製備且然後測試其物理性質。使用具有直徑為1英吋且30英吋長之單螺桿之Davis- Standard/Killion擠出機制備熔融澆注膜。使用12英吋寬之衣架式設計模具。純淨聚合物之物理性質列示於表4中。 本文中所呈現之聚合物7、8及9容易地藉由熔融擠出澆注，且具有高模數、低形變及高彈性，如由高斷裂伸長率及高回收能量所表示。尤其值得注意的是，聚合物7之總二烯氫化程度僅為90%。聚合物13係具有受控分佈橡膠嵌段B及半結晶A嵌段之嵌段共聚物。然而，A嵌段之低分子量(14.9 kg/mol)與B嵌段中單乙烯基芳香族之低量(6 wt.%)之組合使得材料拉伸強度不足。實例 6 牽伸膜係藉由擠出熔融澆注來製備。使用Goettfert單一螺桿擠出機熔融並輸送聚合物，並藉由控制澆注膜之取出速率來影響牽伸比。當澆注膜之單一螺桿擠出良好確立並在穩定狀態下運行時，量測對應於澆注膜模具處之熔融速度之取出速度並設定為伸展比1。然後逐步增加所施加之擠出膜之取出速度。施加增加之膜取出速度以達到伸展比為1、3.5、7及27。聚合物在熔體中展現極佳之可牽伸性，如所達成之高牽伸比所指示。本文中所呈現之聚合物當經受中等至較高之牽伸比時，展現出較高之各向同性及100%下之極佳滯後。牽伸後達成優異之拉伸性質，如增加之拉伸強度以及增加之牽伸比所指示。 表5列示熔融擠出條件及所得之經量測之物理性質。聚合物3在熔體中展現極佳之可牽伸性，如所達成之高牽伸比所指示。其亦展現較高之各向同性，如在機器方向(MD)或牽伸方向及橫向(TD)或垂直於拉伸之方向上所量測之拉伸強度及拉伸模數結果之比較所指示。聚合物在100%下亦展現極佳滯後。尤其值得注意的是，聚合物性質之比率(MD/TD)展示藉由此處理方法達成之非同一般之各向同性。 亦以27之牽伸比來製備膜。連續膜係在此條件下產生而不經歷膜斷裂。然而，在所採用之設備下，膜在模具處經歷振盪行為且因此所產生之膜之性質不能與在1、3.5及7之牽伸比下所製備之膜相比。實例 7 複合物係藉由使用在220℃下操作之Brabender密閉混合器以各種比率摻和聚合物2與LDPE (Dow 621L)來製造。測試件係藉由自摻合組合物壓縮模製 2 mm厚之板來製備。所得性質列示於表6中。 純淨LDPE (即，0 wt.%聚合物2)具有不足之光學性質：高霧度及低透射率。含有至多30 wt.%聚合物2之複合物展現改良之光學及拉伸性質之組合。因此，包括半結晶嵌段共聚物及LDPE之本揭示內容之組合物展現高及令人驚訝之相容性程度。不相容之摻合物將必然具有降低之光學及機械性質兩者。實例 8 複合物係藉由摻和聚合物3與LDPE (LD 105, MFR 2.0 g/10 min (190℃/2.16 kg)，來自ExxonMobil)來製造。首先藉由乾摻和聚合物3與LDPE之糰粒來製造預摻合物。然後，自此乾摻合物使用具有直徑為1英吋且長度為30英吋之單螺桿之Davis-Standard/Killion擠出機來製備熔融澆注膜。使用12英吋寬之衣架式設計模具。在機器方向(MD)上及在橫向(TD，即垂直於MD)上在熔融澆注膜上量測拉伸及拉伸滯後性質。結果列示於表7中。如壓縮模製板一樣，複合物之該等熔融澆注膜展現高相容度及極佳之機械性質。實例 9 複合物係藉由以50/50之重量比摻和聚合物與Arnitel® EM400來製造。Arnitel EM400係可自DSM獲得之熔體流速為33 cm3 /10 min (230℃/2.16 kg)之共聚酯熱塑性彈性體。實驗聚合物與Arnitel EM400以50/50比率(具有0.2% wt. Irganox 1010及0.2% wt. Irgafos 168)之複合物係在Brabender密閉混合器(40 g載量)中在200℃下以100 rpm之轉子速度持續6分鐘來產生。壓縮模製為2 mm板係在220℃下(在20 kN下15分鐘，隨後在100 kN下5分鐘)進行且樣品在壓力下冷卻。所得性質列示於表8中。 複合物展示極佳之流動與優異之拉伸強度、優異之耐甲苯溶解性及耐油溶脹性。尤其值得注意的係甲苯浸漬之後之材料回收。複合物保留其原始質量之98 wt.%以上。相比之下，利用聚合物10製備之組合物顯示僅保留60 wt.%，由於共聚酯組份不溶於甲苯此對應於嵌段共聚物組份80%溶解。實例 10 複合物係藉由摻和本文中所闡述之聚合物與聚丙烯樹脂(PP BI995, MFR = 100，來自Samsung Total)、聚烯烴彈性體(Vistamaxx VM6202, MFR = 9.1 g/10 min (190℃/2.16 kg)，來自ExxonMobil)及HDPE樹脂(M60200, MFR = 20 g/10 min (190℃/2.16 kg)，來自Reliance Polymers)來製造。HSBC1 係經選擇性氫化之苯乙烯系嵌段共聚物，其具有結構S -EB - S，其中S係峰值分子量為28 kg/mol之均聚苯乙烯嵌段且EB係乙烯基含量為69 mol%之經選擇性氫化之均聚丁二烯嵌段。HSBC1 之總苯乙烯含量為33 wt.%。摻和係使用雙螺桿擠出機進行，其係在入口處170℃、混合區中230℃且模具處190℃之料筒溫度下操作。擠出之絲條粒化。測試件係藉由在230℃下注射模製以製備2 mm及1.2 mm厚之板來製備。提取測試係根據GB4806來進行：80℃，正己烷回流30 min，2 ml 己烷/cm2 樣品。所得性質列示於表9中。 本揭示內容之複合物即使在回流條件下亦顯示優異之流動及對正己烷提取之耐受性。相比之下，利用HSBC1 (非結晶苯乙烯系嵌段共聚物)製備之複合物展現過度之己烷提取，此指示耐溶劑性不足。 本揭示內容提供完全滿足上文所述之目標、目的及優點之經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物、利用此嵌段共聚物製造之複合物及由此嵌段共聚物製造之物件。雖然本文中已闡述一些例示性實施例，但鑒於前述揭示內容顯然可進行許多替代、修改及變化。因此，本發明意欲包含歸屬於隨附申請專利範圍之精神及寬廣範圍內之所有此等替代、修改及變化。表 1 表 2 表 3 表 4 表 5 N.M.意指「未量測」表 6 表 7 表 8 N.M.意指「未量測」。表 9
圖1顯示聚合物3及聚合物1之DSC掃描。

Claims (25)

  1. 一種經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物，其包含至少一個A嵌段及至少一個B嵌段，其中該A嵌段係乙烯基含量為15mol%或更少之聚合1,3-丁二烯之氫化嵌段，且該B嵌段係共軛二烯與單乙烯基芳香族單體單元之共聚物嵌段，其中該嵌段共聚物中單乙烯基芳香族單體之總量係10wt.%至55wt.%，其中該B嵌段係共軛二烯與單乙烯基芳香族單體單元之受控分佈共聚物嵌段，其中i.該等聚合共軛二烯單體單元經氫化；ii.聚合單乙烯基芳香族化物之量係介於約10wt%與約55wt.%之間；且iii.單乙烯基芳香族嵌段度小於40%；且其中該B嵌段之該等單乙烯基芳香族單體單元氫化至小於10mol%之程度。
  2. 如請求項1之經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物，其中該B嵌段係共軛二烯對單乙烯基芳香族單體單元之重量比為90/10至60/40之隨機共聚物嵌段。
  3. 如請求項1之經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物，其中該嵌段共聚物具有以下結構：A-B、(A-B)nX、(A-B)nX-(A)m或(A-B)nX-(B)m，其中n係2至10且m係1至10。
  4. 如請求項1之經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物，其中該B嵌段中之該等共軛二烯單元之乙烯基含量係30mol%至90mol%。
  5. 如請求項1之經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物，其中該A嵌段中之該聚合1,3-丁二烯氫化至90mol%或更高之程度。
  6. 如請求項1之經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物，其中該B嵌段之該等共軛二烯單體單元氫化至90mol%或更高之程度。
  7. 如請求項1之經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物，其中該A嵌段之分子量係10kg/mol至100kg/mol。
  8. 如請求項1之經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物，其中該B嵌段之分子量係20kg/mol至200kg/mol。
  9. 如請求項1之經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物，其中該A嵌段之熔點係在50℃至120℃範圍內。
  10. 如請求項1之經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物，其中ODT係150℃或更低。
  11. 如請求項1之經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物，其中拉伸強度為至少6MPa。
  12. 如請求項1之經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物，其中斷裂伸長率為至少300%。
  13. 如請求項1之經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物，其中拉伸強度為6MPa或更大，且於甲苯中8小時浸漬後之溶脹度小於150wt.%。
  14. 如請求項1之經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物，其中於環己烷中8小時浸漬後之溶脹度小於150wt.%。
  15. 如請求項1之經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物，其中於石蠟油中浸漬2週後之溶脹度小於40wt.%。
  16. 如請求項1之經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物，其不含化學交聯。
  17. 如請求項1之經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物，其已經以下各項接枝：馬來酸酐、馬來酸或富馬酸及其衍生物、含矽或含硼之化合物、乙烯基矽烷化合物、烷氧基矽烷化合物、環氧乙烷、二氧化碳、鹼金屬烷基化合物或磺酸化合物。
  18. 如請求項17之經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物，其中該嵌段共聚物已經以下各項接枝：馬來酸酐、馬來酸、富馬酸或其衍生物。
  19. 一種組合物，其包含如請求項1之經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物及至少一種選自以下各項之組份：熱塑性樹脂、增黏劑、塑化劑及蠟。
  20. 如請求項19之組合物，其中該經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物佔該組合物之2wt.%至98wt.%。
  21. 一種包含如請求項1之經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物之物件，其係熔融擠出或溶劑澆注膜、共擠出多層膜、熔融吹塑膜、熔融吹塑多層膜、注射模製件、塗層、發泡型件、纖維、雙組份纖維、多組份纖維、熔融吹塑纖維、纖維墊、纖維束、粉末、各種形狀之膠體、擠出管、擠出型材、注射模製件、凝塑模製件或旋轉模製件。
  22. 一種製備具有高度各向同性強度之如請求項1之經選擇性氫化之半結晶嵌段共聚物之膜之方法，其包含：a.熔融擠出該嵌段共聚物之膜，b.藉助以大於擠出速率之速率牽伸該擠出膜來使該膜伸展，及c.將經伸展之該膜冷卻至室溫。
  23. 如請求項22之方法，其中機器方向上之拉伸強度對垂直於該機器方向上之拉伸強度之比率小於1.1。
  24. 如請求項22之方法，其中機器方向上伸長率高達500%之彈性模數對垂直於該機器方向上伸長率高達500%之彈性模數之比率小於1.05。
  25. 如請求項22之方法，其中牽伸比為1.0至30。
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