TWI631737B - 發光元件、發光元件封裝體以及發光元件的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供高品質且小型化及薄型化的發光元件等。 發光元件(1)，具備發光元件晶片(2)與保護樹脂(3)，發光元件晶片(2)具備基板(2a)與配置在基板(2a)上的發光部；保護樹脂(3)覆蓋包含基板(2a)與發光部(2b)的邊界部的發光部(2b)的側面，且亦覆蓋包含邊界部的基板(2a)的側面的一部分。

Description

發光元件、發光元件封裝體以及發光元件的製造方法
本發明關於使用在複印機、傳真機、印表機等電子機器的光感測器等所具備的發光元件晶片的發光元件、藉由樹脂將發光元件密封的發光元件封裝體、以及發光元件的製造方法。
以往，在複印機或印表機等電子機器使用有以非接觸方式進行物體有無的檢測的光感測器。作為光感測器的一例，有光電遮斷器。光電遮斷器為具備發光元件及受光元件的二個元件並以受光元件測量從發光元件產生的光且掌握元件間的光的變化的感測器。
使用於發光元件的保護的密封樹脂必須為具有光透射性的樹脂。然而，具有光透射性的樹脂，與一般作為密封樹脂使用的黑色環氧樹脂相比，會有應力變高的問題。此外，由於使用環境的溫度變化所產生的密封樹脂的膨脹及收縮的應力大時，會有以GaAs(砷化鎵、galliumarsenide)為材料的發光元件的發光強度隨時間明顯地劣化的問題。
因此，為了緩和由使用環境的溫度變化產生的內部應力，從以往提案使用應力不同的二種樹脂作為保護發光元件的本體部亦即發光元件晶片的樹脂。例如，在專利文獻1揭示如下技術，將由低應力化後的環氧系合成樹脂形成的下層封裝體形成為直接被覆搭載於電路基板的LED半導體晶片，接著，將由環氧系合成樹脂形成的上層封裝體形成為被覆下層封裝體整體。
專利文獻1：日本特開2003-179267號公報(2003年6月27日公開)
此處，為了防止發光元件晶片的發光強度的劣化，必須以樹脂覆蓋的發光元件晶片的區域為發光元件晶片的發光部(PN接合部)中的露出發光元件晶片的外部的部位。然而，在習知技術，直接覆蓋發光元件晶片的保護樹脂的流動性高的情形(例如，矽氧樹脂的黏度為9~15帕斯卡秒(Pa・S))，會有保護樹脂流動而無法覆蓋必須以樹脂覆蓋的發光元件晶片的區域的問題。此外，為了使搭載發光元件晶片的產品小型化，必須使直接覆蓋發光元件晶片的保護樹脂的量變少，當保護樹脂的量過少時，會有無法覆蓋必須以樹脂覆蓋的發光元件晶片的區域的情形。
此外，上述專利文獻1的技術中，會有必須使搭載LED半導體晶片的電路基板的面積變大的問題。此為用於在低應力化後的環氧系合成樹脂形成為覆蓋LED半導體晶片時不使該環氧系合成樹脂從電路基板往外部流出的措施。
本發明有鑑於上述問題點而構成，其目的在於提供高品質且小型化及薄型化的發光元件等。
為了解決上述問題，本發明一形態的發光元件，具備發光元件晶片、及保護該發光元件晶片的保護樹脂，其特徵在於：該發光元件晶片具備基板與配置在該基板上的發光部；該保護樹脂覆蓋包含該基板與該發光部的邊界部的該發光部的側面，且亦覆蓋包含該邊界部的該基板的側面的一部分。
此外，本發明一形態的發光元件的製造方法，從作為具備基板及配置在該基板上的發光部的發光元件晶片的材料的發光元件晶圓製造發光元件，其特徵在於，包含：第1步驟，在夾著該發光部位於與該基板相反側的該發光元件晶圓的上面，形成用以將該發光元件晶圓區分成該發光元件單位的具有到達超過該發光部與該基板的邊界部的位置的深度的槽；第2步驟，以保護樹脂覆蓋在該第1步驟形成的該槽及該發光元件晶圓的該上面；第3步驟，於在該第2步驟覆蓋的該發光元件晶圓的該上面的該保護樹脂，就該發光元件單位分別形成開口部；以及第4步驟，在該第3步驟之後，沿著在該第1步驟形成的該槽，將該發光元件晶圓分割成該發光元件單位。
根據本發明一形態，發光元件具備的保護樹脂覆蓋包含基板與發光部的邊界部的發光部的側面及包含邊界部的基板的側面的一部分。藉此，保護樹脂可確實地覆蓋包含邊界部的發光元件晶片的側面中至少發光部的該側面。另外，由於保護樹脂為覆蓋發光元件晶片的該側面的一部分的構成，因此與保護樹脂覆蓋發光元件晶片的該側面的全部的情形相較，可縮小塗布有保護樹脂的發光元件晶片的區域。因此，能以少量的保護樹脂保護發光部的該側面。其結果，可保持高品質的發光元件，且實現發光元件的小型化及薄型化。另外，由於能使密封發光元件的硬質樹脂的量變少，因此在發光元件由硬質樹脂密封的情形，可實現具備該發光元件與該硬質樹脂的發光元件封裝體的小型化及薄型化。
另外，藉由在打線前以保護樹脂塗布元件的晶片表面及邊緣，成為即使在外部力量造成的金屬線變形、或模具樹脂的填充時產生的金屬線位移導致與晶片邊緣的接觸時亦能以保護樹脂電絕緣的構造。因此，可預防金屬線與晶片元件接觸所引起的缺陷產生。
(實施形態1) 以下，詳細說明本發明的實施形態。此外，為了方便說明，針對與各實施形態所示的構件具有相同功能的構件賦予相同符號，適當地省略其說明。首先，參照圖1~圖5說明實施形態1。
(發光元件1的主要部分構成) 圖1(a)為表示本發明一實施形態的發光元件1的主要部位構成的剖面圖。如圖1(a)所示，發光元件1搭載於由銅等構成的第1引線架31上，被銀糊等導電性接著劑33固定。發光元件1具備發光元件晶片2及保護樹脂3。發光元件晶片2為例如半導體雷射及發光二極體，使n型半導體層(以下，稱為基板2a)與p型半導體層接觸。發光部2b為n型半導體層與p型半導體層相接的PN接合部，當對發光元件晶片2施加順向電壓時，即從發光部2b放出光。在圖1(a)所示的例子，發光部2b配置在基板2a上。
在位於與第1引線架31相反側的發光元件晶片2的面上配置電極墊4，電極墊4與由銅等構成的第2引線架32被由金等構成的金屬線5電連接。此外，以下說明中，配置有電極墊4的發光元件晶片2的面作為發光元件晶片2的上面。另外，發光部2b露出於發光元件晶片2的外部的發光部2b的面(包含基板2a與發光部2b的邊界部的發光部2b的面)作為發光部2b的側面。此外，發光元件晶片2的側面包含發光部2b的側面，基板2a的側面包含於發光元件晶片2的側面。
此處，必須由保護樹脂3覆蓋的發光元件晶片2的區域，如上述，為發光部2b(PN接合部)中露出於發光元件晶片2的外部的部位。因此，如圖1(a)所示，在發光元件晶片2的側面，露出外部的發光部2b的部位被保護樹脂3覆蓋。藉此，可防止發光元件晶片2的發光強度劣化。
圖1(b)為表示作為比較例的發光元件101的概要的側視圖。如圖1(b)所示，保護樹脂103為覆蓋發光元件晶片102整體的構成。另一方面，圖1(a)所示的保護樹脂3為覆蓋發光元件晶片2的上面的一部分及發光元件晶片2的側面的一部分的構成。根據此構成，圖1(a)所示的保護樹脂3的量，相較於圖1(b)所示的保護樹脂103的量可進一步地減少，可實現發光元件1的小型化及薄型化。
另外，圖1(a)所示的保護樹脂3，與圖1(b)所示的保護樹脂103相較，為沿著發光元件晶片2的形狀以一定厚度保護發光元件晶片2的構成。根據此構成，圖1(a)所示的保護樹脂3的量，相較於圖1(b)所示的保護樹脂103的量可進一步地減少，可實現發光元件1的小型化及薄型化。
(發光元件1的製程) 圖2為表示發光元件晶圓20的外形的圖。發光元件晶圓20為具備基板2a及配置在基板2a上的發光部2b的發光元件1的材料。本發明一實施形態的發光元件1，是在藉由保護樹脂3覆蓋發光元件晶圓20後，將發光元件晶圓20裁切成發光元件1的單位而被製造。以下，說明發光元件1的製程。
圖3(a)~(f)為表示從發光元件晶圓20製造發光元件1的步驟的圖。圖3(a)為圖2所示的發光元件晶圓20的A-A’剖面圖。發光元件晶圓20，在基板2a上依序重疊有n型半導體層(未圖示)、發光部2b、p型發光層(未圖示)。
圖3(b)為表示將發光元件晶圓20暫時分割成發光元件1的單位的步驟的圖。首先，將發光元件晶圓20在切割片50上載置成基板2a朝下(基板2a與切割片50相接)。接著，在發光元件晶圓20的上面，沿著厚度H的方向形成具有到達超過發光部2b與基板2a的邊界部的位置的深度的切割槽51(槽)(第1步驟)。切割槽51為用以將發光元件晶圓20區分成發光元件1的單位的槽。例如，從發光元件晶圓20的上面形成具有厚度H的一半的深度的切割槽51(半切斷)。
此處，發光元件晶圓20的上面為夾著發光部2b位於與基板2a相反側的發光元件晶圓20的面，在紙上為發光元件晶圓20上側的面。另外，厚度H的方向為基板2a及發光部2b重疊的方向。
圖3(c)為表示對圖3(b)所示的發光元件晶圓20進行台面蝕刻處理的步驟的圖。台面蝕刻處理為對圖3(b)所示的切割槽51的表面進行加工的處理，為對切割槽51的損傷除去層進行蝕刻的處理。藉由台面蝕刻處理，圖3(b)所示的切割槽51的表面變平滑，形成圖3(c)所示的台面蝕刻槽52。
圖3(d)為表示以保護樹脂3覆蓋(塗布)發光元件晶圓20的步驟的圖。對圖3(c)所示的發光元件晶圓20，以保護樹脂3覆蓋切割槽51及發光部2b的上面(第2步驟)。在實施形態1中的塗布步驟，在圖3(c)所示的發光元件晶圓20的上面塗布保護樹脂3的液體，使塗布有保護樹脂3的液體的發光元件晶圓20高速旋轉，以其離心力形成保護樹脂3的薄膜(旋塗處理)。由於塗布在發光元件晶圓20的上面的保護樹脂3為液體狀態，因此保護樹脂3的膜可藉由塗布步驟以均勻厚度形成在發光元件晶圓20的上面及台面蝕刻槽52的表面。
作為保護樹脂3，例如為矽氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、及聚氨酯樹脂，在密封發光元件的樹脂中，較佳為，使用彈性係數較低的樹脂。藉此，在上述旋塗處理中，能使保護樹脂3的膜成為均勻厚度，且將保護樹脂3的膜形成較薄。其結果，能以更少量的保護樹脂3覆蓋發光部2b。
另外，在發光元件晶圓20形成有切割槽51。因此，在旋塗處理中，在保護樹脂3覆蓋的發光元件晶片2的區域更少的狀態下，能穩定且容易地藉由保護樹脂3覆蓋欲以樹脂保護發光元件晶片2的部位即發光部2b。
此處，較佳為，在圖3(d)所示的塗布步驟前，電極墊4配置在發光元件晶圓20的上面。此外，電極墊4配置在發光元件晶圓20的上面的時序，並不限於圖3(d)所示的塗布步驟前。例如，該時序亦可為在後述除去步驟(參照圖3(e))之後配置。
圖3(e)為表示除去不需要部位的保護樹脂3的步驟的圖。不需要部位的保護樹脂3為電極墊4上的保護樹脂3。在圖3(d)說明的塗布步驟後，在發光元件晶圓20的上面的保護樹脂3，就每一發光元件單位分別形成開口部(第3步驟)。在實施形態1的除去步驟，在不需要部位的保護樹脂3的表面塗布光感光性光阻，由光微影光罩進行曝光及顯影，進行光阻的圖案化。接著，以蝕刻除去電極墊4上的保護樹脂3。
藉由除去步驟，電極墊4成為不被保護樹脂3覆蓋的構成，在電極墊4連接有金屬線5的情形，金屬線5可由一種樹脂加以密封。此外，在發光元件晶圓20的上面藉由除去步驟除去的保護樹脂3，不僅是電極墊4上的保護樹脂3，亦包含電極墊4周圍的保護樹脂3。
圖3(f)為表示將發光元件晶圓20切割分離成發光元件1的單位的步驟的圖。如圖3(f)所示，沿著台面蝕刻槽52切斷圖3(e)所示的發光元件晶圓20，將發光元件晶圓20分割成發光元件1單位(第4步驟)。藉由以上步驟，製造發光元件1。
圖4為表示圖3(f)所示的發光元件晶圓20的俯視圖。圖4所示的切斷痕跡53為沿著圖3(f)所示的台面蝕刻槽52切斷發光元件晶圓20的痕跡。如圖4所示，藉由切割片50被拉伸而擴大，相鄰的發光元件1之間的間隙變大。藉此，可容易地拾取各發光元件1。
(發光元件1的比較) 接著，使用圖5及圖6說明發光元件1的優點。圖5(a)為表示本發明一實施形態的發光元件1搭載於第1引線架31上的狀態的側視圖，圖5(b)為表示發光元件1搭載於第1引線架31上的狀態的俯視圖。藉由在圖3(a)~(f)說明的步驟製造的發光元件1，如圖5所示，搭載於第1引線架31上，電極墊4與第2引線架由金屬線5電連接。
如圖5(a)所示，保護樹脂3的構成為，覆蓋包含基板2a與發光部2b的邊界部的發光部的側面，且亦覆蓋包含邊界部的基板2a的側面的一部分。亦即，保護樹脂3的構成為，在發光元件晶片2的側面，覆蓋從發光元件晶片2的上面至超過發光部2b的位置的區域。藉由此構成，與保護樹脂3覆蓋發光元件晶片2的側面的全部的情形相較，可縮小保護樹脂3覆蓋發光元件晶片2的區域。
另外，如圖5(b)所示，保護樹脂3覆蓋夾著發光部2b位於與基板2a相反側的發光元件晶片2的上面，在發光元件晶片2的上面的保護樹脂3形成有開口部。開口部是為了使配置在發光元件晶片2的上面的電極墊4露出而形成。亦即，保護樹脂3的構成為，在發光元件晶片2的上面，覆蓋配置有電極墊4的發光元件晶片2的區域(相當於上述開口部的區域)以外的發光元件晶片2的上面。此構成的情形，發光元件1被與保護樹脂3不同的模具樹脂(未圖示)密封時，金屬線5可由一種樹脂加以密封。此外，發光元件晶片2的上面的形成在保護樹脂3的開口部的大小，只要為不妨礙之後進行的金屬線5連接至電極墊4的大小，則亦可與電極墊4的大小相同，亦可大於電極墊4的大小。
圖6(a)~(f)為表示發光元件1的比較例的圖。使用習知技術製造的發光元件101，藉由將發光元件晶片102搭載於第1引線架31上之後，以保護樹脂103覆蓋發光元件晶片102而被製造。
圖6(a)為表示保護樹脂103流動至引線架的邊緣的狀態的發光元件101的側視圖，圖6(b)為圖6(a)所示的發光元件101的俯視圖。保護樹脂103的流動性高(例如，矽氧樹脂的黏度為9~15帕斯卡秒(Pa・S))。因此，以保護樹脂103覆蓋發光元件晶片102時，會有保護樹脂103流出至引線架的邊緣的情形。
圖6(c)為表示保護樹脂103流動至引線架的側面的狀態的發光元件101的側視圖，圖6(d)為圖6(b)所示的發光元件101的俯視圖。覆蓋發光元件晶片102的保護樹脂103，從圖6(a)~(b)所示的狀態進一步流出，會有流出至引線架的側面的情形。
圖6(e)為表示保護樹脂103流動至引線架的背面的狀態的發光元件101的側視圖，圖6(f)為圖6(e)所示的發光元件101的俯視圖。覆蓋發光元件晶片102的保護樹脂103，從圖6(c)~(d)所示的狀態進一步流出，會有覆蓋引線架的背面的情形。
如上述，藉由流動性高的保護樹脂103覆蓋發光元件晶片102的情形，會有保護樹脂103的形狀產生變形的危險。因此，在維持一定品質的狀態下提供使用習知技術製造的發光元件101是不容易的。特別是，由於保護樹脂103流出，在圖6(e)的狀態下，在金屬線的球頸部與保護樹脂的界面重疊，應力容易集中在引線的頸部。再者，由於以保護樹脂覆蓋引線架背面，與覆蓋發光元件的模具樹脂的密合性降低，導致品質降低。另外，由於保護樹脂103如圖6所示般流出，發光元件101不易小型化，其結果，搭載發光元件101的產品的小型化亦不容易。
相對於此，本發明一實施形態的發光元件1中，如圖5所示，保護樹脂3的構成為，沿著發光元件晶片2的形狀以一定厚度保護發光元件晶片2。藉由此構成，能減輕發光元件1的光軸偏移、及光軸在多個發光元件1間的偏移不均。其結果，對於與發光元件成對使用的受光元件(未圖示)，能使來自發光元件的光量提升，可最大限地利用發光元件的功能。
再者，保護樹脂3為較圖6所示的保護樹脂103薄的膜，其構成為覆蓋發光元件晶片2的上面的一部分、及發光元件晶片2的側面的一部分。藉由此構成，圖5所示的保護樹脂3的量，相較於圖6所示的保護樹脂103的量可進一步地減少，可實現發光元件1的小型化及薄型化。其結果，可實現搭載發光元件1的產品的小型化及薄型化。
另外，使用習知技術製造的發光元件101，必須將保護樹脂103塗布於每一發光元件晶片102 (參照圖6)。另一方面，本發明一實施形態的發光元件1，如圖3(d)所說明，能以發光元件晶圓20單位塗布保護樹脂3。因此，以一次塗布即能對多個發光元件晶片2塗布保護樹脂3，能簡化發光元件1的製程。
(發光元件封裝體10的製程) 參照圖7說明本發明一實施形態的發光元件封裝體10的製程。圖7(a)為表示在第1引線架31(引線架)搭載發光元件1並藉由接著劑33固定的步驟的俯視圖，圖7(b)為該步驟的側視圖。圖7(c)為表示在圖7(a)~(b)的步驟後以金屬線5將電極墊4與第2引線架32電連接的步驟的俯視圖，圖7(d)為該步驟的側視圖。
圖7(e)為表示在圖7(c)~(d)的步驟後藉由模具樹脂11(硬質樹脂)將發光元件1密封的步驟的圖，圖7(f)為該步驟的側視圖。模具樹脂11為較保護樹脂3硬質的樹脂，將發光元件1及第1引線架31密封。更具體而言，如圖7(f)所示，模具樹脂11密封發光元件1，進一步密封金屬線5整體，亦密封第1引線架31的背面及第2引線架32的背面。
模具樹脂11為較保護樹脂3硬質的樹脂，保護樹脂3與模具樹脂11相較應力較小。例如，作為保護樹脂3，使用矽氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、或聚氨酯樹脂的情形，作為模具樹脂11使用環氧樹脂。藉由以上步驟，製造以模具樹脂11將發光元件1密封的發光元件封裝體10。
(發光元件封裝體10的比較) 圖8(a)~(h)為表示藉由習知技術製造發光元件封裝體110的步驟的圖。在圖8的步驟，塗布保護樹脂103的時序與圖7所示的步驟不同。
圖8(a)為表示在第1引線架31搭載發光元件晶片102並藉由接著劑33固定的步驟的俯視圖，圖8(b)為該步驟的側視圖。此外，圖8(a)~(b)中，由於未以保護樹脂103覆蓋發光元件晶片102，因此發光部102b為在外部露出的狀態。
圖8(c)為表示在圖8(a)~(b)的步驟後，以金屬線5將配置在發光元件晶片102的上面的電極墊4與第2引線架32加以電連接的步驟的俯視圖，圖8(d)為該步驟的側視圖。
圖8(e)為表示在圖8(c)~(d)的步驟後，由保護樹脂103覆蓋發光元件晶片102的步驟的俯視圖，圖8(f)為該步驟的側視圖。如圖8(f)所示，金屬線5為由保護樹脂103覆蓋發光元件晶片102側的部位的狀態。另外，由於覆蓋發光元件晶片102整體，因此保護樹脂103為如山般隆起的形狀。
圖8(g)為表示在圖8(e)~(f)的步驟後，由模具樹脂111密封保護發光元件晶片102的保護樹脂103的步驟的圖，圖8(h)為該步驟的側視圖。如圖8(h)所示，模具樹脂111密封覆蓋發光元件晶片102的保護樹脂103，進一步密封從保護樹脂103至第2引線架32為止的金屬線5的部位。此外，模具樹脂111亦可密封第1引線架31的背面及第2引線架32的背面。藉由上述習知技術的步驟，製造以模具樹脂111密封發光元件晶片102的發光元件封裝體110。
此處，模具樹脂111為較保護樹脂3硬質的樹脂。因此，在圖8(h)所示的發光元件封裝體110中，金屬線5分成由保護樹脂103覆蓋的部位、及由模具樹脂111覆蓋的部位。因此，會有金屬線5因為起因於保護樹脂103與模具樹脂111的線膨脹係數(長度對應溫度上升而變化的比例)不同產生的應力而變得容易斷線的危險。
圖9為表示各種材料的楊氏係數及線膨脹係數的代表值的表。一般而言，模具樹脂111的材料為環氧樹脂，如圖9所示，矽氧樹脂的線膨脹係數為100~300PPM/℃，相對於此，環氧樹脂的線膨脹係數為45~65PPM/℃。另外，以金為材料的金屬線5的線膨脹係數為14.2PPM/℃。如上述，由於線膨脹係數因各材料而不同，因此在由矽氧樹脂構成的保護樹脂103與由環氧樹脂構成的模具樹脂111的邊界部，使用環境下的溫度變化造成的位移量不同，因此在由金構成的金屬線5產生內部應力。其結果，在習知技術所製造的發光元件封裝體110，會有金屬線5變得容易斷線的危險。
另一方面，在本發明一實施形態的發光元件封裝體10中，如圖7(f)所示，金屬線5為僅由模具樹脂11覆蓋的構成。因此，關於由模具樹脂11密封的發光元件1，可藉由起因於保護樹脂3與模具樹脂的線膨脹係數不同產生的應力抑制金屬線5斷線。
另外，圖7(f)所示的保護樹脂3的量，相較於圖8(h)所示的保護樹脂103的量可進一步地減少。因此，能使圖7(f)所示的模具樹脂11的量相較於圖8(h)所示的模具樹脂111的量進一步地減少。另外，搭載發光元件晶片的架體尺寸，相較於圖8的架體，能將圖7的架體做成較小。因此，圖7(f)所示的發光元件封裝體10，與圖8(h)所示的發光元件封裝體110相較，能小型化及薄型化。
(實施形態2) 說明本發明另一實施形態。實施形態2中，作為在實施形態1說明的保護樹脂3的材料，使用低應力的光感光性樹脂。亦即，在圖3(d)說明的塗布步驟使用的保護樹脂3的材料為低應力的光感光性樹脂。因此，在圖3(e)說明的除去步驟，在實施形態2中，可省略塗布光感光性光阻的處理。此外，關於其他步驟，為與實施形態1相同的步驟。如上述，作為保護樹脂3的材料，使用低應力的光感光性樹脂，藉此可簡化製造發光元件1的步驟。
(實施形態3) 說明本發明再一實施形態。實施形態3中，替換在實施形態1說明的使用旋塗的塗布步驟(參照圖3(d))，進行使用網版印刷的塗布步驟。使用於網版印刷的網版遮罩，限制對發光元件晶圓20的上面塗布保護樹脂3的區域，被圖案化以在電極墊4上不塗布保護樹脂3，該電極墊4為不需要塗布保護樹脂3之處。
實施形態3中的塗布步驟，在圖3(c)說明的台面蝕刻處理步驟之後，使用上述網版遮罩進行網版印刷。藉此，保護樹脂3的薄膜形成在包含不需要塗布保護樹脂3的電極墊4上的區域以外的發光元件晶圓20的上面。藉由進行使用此種網版印刷的塗布步驟，可省略在圖3(e)說明的除去步驟(第3步驟)。因此，可簡化製造發光元件1的步驟。此外，關於其他步驟，為與實施形態1相同的步驟。
(變形例) 在塗布步驟，亦可藉由使用上述網版遮罩進行噴塗以進行網版印刷。藉由噴塗進行網版印刷，由塗布步驟形成的保護樹脂3的薄膜可具有沿著發光元件晶圓20的形狀的一定厚度。因此，在發光元件晶片2發出光時，能減輕光軸偏移及該偏移不均。其結果，對於與發光元件成對使用的受光元件，能使來自發光元件晶片2的光量提升，可最大限地利用發光元件晶片2的功能。
(綜合) 本發明形態1的發光元件(1)，具備發光元件晶片(2)、及保護該發光元件晶片的保護樹脂(3)，其特徵在於：該發光元件晶片具備基板(2a)與配置在該基板上的發光部(2b)；該保護樹脂覆蓋包含該基板與該發光部的邊界部的該發光部的側面，且亦覆蓋包含該邊界部的該基板的側面的一部分。
根據上述構成，發光元件所具備的保護樹脂覆蓋包含基板與發光部的邊界部的發光部的側面及包含邊界部的基板的側面的一部分。藉此，保護樹脂可確實地覆蓋包含邊界部的發光元件晶片的側面中至少發光部的該側面。另外，由於保護樹脂為覆蓋發光元件晶片的該側面的一部分的構成，因此與保護樹脂覆蓋發光元件晶片的該側面的全部的情形相較，可縮小塗布有保護樹脂的發光元件晶片的區域。因此，能以少量的保護樹脂保護發光部的該側面。其結果，可保持高品質的發光元件，且實現發光元件的小型化及薄型化。另外，由於能使密封發光元件的硬質樹脂(模具樹脂11)的量變少，因此在發光元件由硬質樹脂密封的情形，可實現具備該發光元件與該硬質樹脂的發光元件封裝體(10)的小型化及薄型化。
另外，藉由在打線前以保護樹脂塗布元件的晶片表面及邊緣，成為即使在外部力量造成的金屬線變形、或模具樹脂的填充時產生的金屬線位移導致與晶片邊緣的接觸時亦能以保護樹脂電絕緣的構造。因此，可預防金屬線與晶片元件接觸所引起的缺陷產生。
本發明形態2的發光元件，亦可在上述形態1中，該保護樹脂覆蓋夾著該發光部位於與該基板相反側的該發光元件晶片的上面；在該發光元件晶片的該上面的該保護樹脂形成有開口部。
根據上述構成，在形成在發光元件晶片的上面的保護樹脂形成有開口部。該開口部用於使配置在發光元件晶片的上面的電極墊(4)露出而形成。因此，在配置在發光部的上面的電極墊(4)連接有金屬線(5)時，金屬線能被一種樹脂(模具樹脂11)密封。因此，藉由起因於溫度變化的樹脂膨脹及收縮，可抑制連接於電極墊的金屬線的斷線。尤其是，電極墊附近的金屬線的部位(金屬線的球頸部分)容易斷線。因此，上述構成在抑制連接於電極墊的金屬線斷線之點是有效的。
本發明形態3的發光元件，亦可在上述形態1或2中，該保護樹脂沿著該發光元件晶片的形狀具有一定厚度。
根據上述構成，發光元件被沿著該發光元件晶片的形狀具有一定厚度的保護樹脂保護。因此，在發光元件晶片發出光時，能減輕光軸偏移及該偏移不均。其結果，對於與發光元件成對使用的受光元件，能使來自發光元件晶片的光量提升，可最大限地利用發光元件晶片的功能。
本發明形態4的發光元件，亦可在上述形態1至3中的任一形態，該保護樹脂為矽氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚氨酯樹脂、或聚碳酸酯樹脂。
根據上述構成，保護樹脂可由樹脂之中應力較低的樹脂構成。因此，能使保護發光部的保護樹脂的量變少，且容易使保護樹脂的厚度成為一定。因此，可實現發光元件的小型化及薄型化。另外，在發光元件晶片發出光時，能減輕光軸偏移及該偏移不均，對於與發光元件成對使用的受光元件，能使來自發光元件晶片的光量提升。
本發明形態5的發光元件封裝體(10)，具備：上述形態1記載的發光元件(1)；引線架(第1引線架31)，搭載有該發光元件；以及硬質樹脂(模具樹脂11)，將該發光元件及該引線架密封；該保護樹脂與該硬質樹脂相較應力較小。
根據上述構成，將發光元件及引線架密封的硬質樹脂，應力較保護發光元件晶片的保護樹脂高，保護樹脂的應力較將發光元件密封的硬質樹脂低。因此，以少量的保護樹脂即可保護發光元件晶片，且能以少量的硬質樹脂將發光元件密封以製造發光元件封裝體。其結果，可實現發光元件封裝體的小型化及薄型化。
本發明形態6的發光元件的製造方法，從作為具備基板(2a)及配置在該基板上的發光部(2b)的發光元件晶片的材料的發光元件晶圓(20)製造發光元件(1)，其特徵在於，包含：第1步驟，在夾著該發光部位於與該基板相反側的該發光元件晶圓的上面，形成用以將該發光元件晶圓區分成該發光元件單位的具有到達超過該發光部與該基板的邊界部的位置的深度的槽(切割槽51)；第2步驟，以保護樹脂(3)覆蓋在該第1步驟形成的該槽及該發光元件晶圓的該上面；第3步驟，於在該第2步驟覆蓋的該發光元件晶圓的該上面的該保護樹脂，就該發光元件單位分別形成開口部；以及第4步驟，在該第3步驟之後，沿著在該第1步驟形成的該槽，將該發光元件晶圓分割成該發光元件單位。
根據上述方法，可達到與上述形態1及上述形態2相同的效果。另外，根據上述方法，在步驟2，對發光元件晶圓塗布保護樹脂3。因此，以一次塗布即可對從發光元件晶圓分割的多個發光元件晶片塗布保護樹脂3。因此，與就從發光元件晶圓分割的發光元件晶片分別塗布保護樹脂的步驟相較，可簡化發光元件的製程。
本發明形態7的發光元件的製造方法，亦可在上述形態6中，在該第2步驟，使用光感光性樹脂作為該保護樹脂。根據上述方法，使用光感光性樹脂作為在第2步驟中的保護樹脂。因此，在第3步驟，可簡化形成開口部的步驟。更具體而言，使用光感光性樹脂作為保護樹脂時，在第3步驟，塗布光感光性光阻，由光微影光罩進行曝光及顯影，進行光阻的圖案化，以蝕刻形成開口部。另一方面，使用光感光性樹脂作為保護樹脂時，在第3步驟，由光微影光罩進行曝光及顯影，形成開口部。如上述，藉由使用光感光性樹脂作為保護樹脂，可省略塗布光感光性光阻的處理。根據上述，可簡化製造發光元件的步驟。
本發明形態8的發光元件的製造方法，從作為具備基板(2a)及配置在該基板上的發光部(2b)的發光元件晶片的材料的發光元件晶圓(20)製造發光元件(1)，其特徵在於，包含：第1步驟，在夾著該發光部位於與該基板相反側的該發光元件晶圓的上面，形成用以將該發光元件晶圓區分成該發光元件單位的具有到達超過該發光部與該基板的邊界部的位置的深度的槽(切割槽51)；第2步驟，以保護樹脂(3)覆蓋在該第1步驟形成的該槽及該發光元件晶圓的該上面；第4步驟，在該第2步驟之後，沿著在該第1步驟形成的該槽，將該發光元件晶圓分割成該發光元件單位；在該第2步驟，藉由進行網版印刷，對該發光元件晶圓的該上面的該保護樹脂，就該發光元件單位分別形成開口部。
根據上述方法，在第2步驟，能以保護樹脂覆蓋發光元件晶圓的上面，且在發光元件晶圓的上面的保護樹脂，就發光元件單位分別形成開口部。因此，可省略在以保護樹脂覆蓋發光元件晶圓的上面後，為了在保護樹脂形成開口部而除去與開口部對應的區域的保護樹脂的步驟。因此，可簡化製造發光元件的步驟。
本發明形態9的發光元件的製造方法，亦可在上述形態8的上述第2步驟中，藉由噴塗進行網版印刷。藉由噴塗進行網版印刷，藉此在第2步驟形成的保護樹脂的薄膜可具有沿著發光元件晶圓的形狀的一定厚度。因此，在發光元件晶片發出光時，能減輕光軸偏移及該偏移不均。其結果，對於與發光元件成對使用的受光元件，能使來自發光元件晶片的光量提升，可最大限地利用發光元件晶片的功能。
(附加事項) 本發明並不限於上述各實施形態，在請求項所示的範圍內可進行各種變更，關於適當地組合在不同實施形態分別揭示的技術手段所得的實施形態，亦包含在本發明的技術範圍。再者，藉由組合在各實施形態分別揭示的技術手段，可形成新的技術特徵。
1‧‧‧發光元件
2‧‧‧發光元件晶片
2a‧‧‧基板
2b‧‧‧發光部
3‧‧‧保護樹脂
4‧‧‧電極墊
5‧‧‧金屬線
10‧‧‧發光元件封裝體
11‧‧‧模具樹脂(硬質樹脂)
20‧‧‧發光元件晶圓
31‧‧‧第1引線架(引線架)
32‧‧‧第2引線架
33‧‧‧接著劑
50‧‧‧切割片
51‧‧‧切割槽
52‧‧‧台面蝕刻槽
53‧‧‧切斷痕跡
圖1(a)為表示本發明一實施形態的發光元件的主要部位構成的剖面圖，圖1(b)為表示作為比較例的發光元件的概要的側視圖。 圖2為表示發光元件晶圓的外形的圖。 圖3(a)~(f)為表示製造本發明一實施形態的發光元件的步驟的圖。 圖4為表示圖3(f)所示的發光元件晶圓的俯視圖。 圖5(a)為表示本發明一實施形態的發光元件搭載於第1引線架上的狀態的側視圖，圖5(b)為表示發光元件搭載於第1引線架的狀態的俯視圖。 圖6(a)~(f)為表示發光元件的比較例的圖。 圖7(a)~(f)為表示製造本發明一實施形態的發光元件封裝體的步驟的圖。 圖8(a)~(h)為表示藉由習知技術製造發光元件封裝體的步驟的圖。 圖9為表示各種材料的楊氏係數與線膨脹係數的代表值的表。

Claims (10)

  1. 一種發光元件，具備發光元件晶片、及保護該發光元件晶片的保護樹脂，其特徵在於： 該發光元件晶片具備基板與配置在該基板上的發光部； 該保護樹脂覆蓋包含該基板與該發光部的邊界部的該發光部的側面，且亦覆蓋包含該邊界部的該基板的側面的一部分。
  2. 如申請專利範圍第1項的發光元件，其中，該保護樹脂覆蓋夾著該發光部位於與該基板相反側的該發光元件晶片的上面； 在該發光元件晶片的該上面的該保護樹脂形成有開口部。
  3. 如申請專利範圍第1項的發光元件，其中，該保護樹脂沿著該發光元件晶片的形狀具有一定厚度。
  4. 如申請專利範圍第2項的發光元件，其中，該保護樹脂沿著該發光元件晶片的形狀具有一定厚度。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項的發光元件，其中，該保護樹脂為矽氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚氨酯樹脂、或聚碳酸酯樹脂。
  6. 一種發光元件封裝體，具備： 申請專利範圍第1項的發光元件； 引線架，搭載有該發光元件；以及 硬質樹脂，將該發光元件及該引線架密封； 該保護樹脂與該硬質樹脂相較應力小。
  7. 一種發光元件的製造方法，從作為具備基板及配置在該基板上的發光部的發光元件晶片的材料的發光元件晶圓製造發光元件，其特徵在於，包含： 第1步驟，在夾著該發光部位於與該基板相反側的該發光元件晶圓的上面，形成用以將該發光元件晶圓區分成該發光元件單位的具有到達超過該發光部與該基板的邊界部的位置的深度的槽； 第2步驟，以保護樹脂覆蓋在該第1步驟形成的該槽及該發光元件晶圓的該上面； 第3步驟，於在該第2步驟覆蓋的該發光元件晶圓的該上面的該保護樹脂，就該發光元件單位分別形成開口部；以及 第4步驟，在該第3步驟之後，沿著在該第1步驟形成的該槽，將該發光元件晶圓分割成該發光元件單位。
  8. 如申請專利範圍第7項的發光元件的製造方法，其中，在該第2步驟，使用光感光性樹脂作為該保護樹脂。
  9. 一種發光元件的製造方法，從作為具備基板及配置在該基板上的發光部的發光元件晶片的材料的發光元件晶圓製造發光元件，其特徵在於，包含： 第1步驟，在夾著該發光部位於與該基板相反側的該發光元件晶圓的上面，形成用以將該發光元件晶圓區分成該發光元件單位的具有到達超過該發光部與該基板的邊界部的位置的深度的槽； 第2步驟，以保護樹脂覆蓋在該第1步驟形成的該槽及該發光元件晶圓的該上面； 第4步驟，在該第2步驟之後，沿著在該第1步驟形成的該槽，將該發光元件晶圓分割成該發光元件單位； 在該第2步驟，藉由進行網版印刷，對該發光元件晶圓的該上面的該保護樹脂，就該發光元件單位分別形成開口部。
  10. 如申請專利範圍第9項的發光元件的製造方法，其中，在該第2步驟，藉由噴塗進行網版印刷。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7010692B2 (ja) * 2017-12-27 2022-01-26 ローム株式会社 半導体発光装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200635084A (en) * 2004-12-20 2006-10-01 Sumitomo Electric Industries Light emitting device
TW201401541A (zh) * 2012-06-20 2014-01-01 Aoi Electronics Co Ltd 光源一體型光感測器

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5542449Y2 (zh) * 1974-05-14 1980-10-04
JPS645079A (en) * 1987-06-26 1989-01-10 Nec Corp Semiconductor light emitting device
JP2668140B2 (ja) * 1989-09-30 1997-10-27 三菱電線工業株式会社 発光モジュール
JPH10215003A (ja) * 1997-01-31 1998-08-11 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄチップ
JP4149677B2 (ja) * 2001-02-09 2008-09-10 株式会社東芝 発光装置及びその製造方法
JP2002241586A (ja) * 2001-02-19 2002-08-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 波長変換ペースト材料、複合発光素子、半導体発光装置及びそれらの製造方法
JP2002314139A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
JP2003078248A (ja) * 2001-08-31 2003-03-14 Noritake Co Ltd ビアホールを有する厚膜多層基板の製造方法
JP4185784B2 (ja) * 2003-02-17 2008-11-26 シャープ株式会社 酸化物半導体発光素子およびその製造方法ならびに酸化物半導体発光素子を用いた半導体発光装置
JP5374810B2 (ja) * 2006-07-18 2013-12-25 株式会社リコー スクリーン印刷版
JP4193905B2 (ja) * 2007-03-20 2008-12-10 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP5321376B2 (ja) * 2009-09-10 2013-10-23 ソニー株式会社 半導体発光素子及びその製造方法、画像表示装置、並びに、電子機器
CN101859759A (zh) * 2010-06-03 2010-10-13 陕西科技大学 一种白色led光源封装
DE102011100028A1 (de) * 2011-04-29 2012-10-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
DE102012201447A1 (de) * 2012-02-01 2013-08-01 Osram Gmbh LED-Modul
JP2014045142A (ja) * 2012-08-28 2014-03-13 Sony Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
CN104752571A (zh) * 2013-12-31 2015-07-01 晶能光电（江西）有限公司 一种晶圆级白光led芯片的切割方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200635084A (en) * 2004-12-20 2006-10-01 Sumitomo Electric Industries Light emitting device
TW201401541A (zh) * 2012-06-20 2014-01-01 Aoi Electronics Co Ltd 光源一體型光感測器

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