JPH10215003A - Ｌｅｄチップ - Google Patents
ＬｅｄチップInfo
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- JPH10215003A JPH10215003A JP1880197A JP1880197A JPH10215003A JP H10215003 A JPH10215003 A JP H10215003A JP 1880197 A JP1880197 A JP 1880197A JP 1880197 A JP1880197 A JP 1880197A JP H10215003 A JPH10215003 A JP H10215003A
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- Japan
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- led chip
- layer
- case
- electrode
- protective film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の構成のＬＥＤチップでは、樹脂のケー
スで封止を行った場合、異質部材であるＬＥＤチップと
ケース間の接合強度が不足して剥離による間隙を生じ易
く、湿度が侵入してＬＥＤチップが劣化する問題点を生
じていた。 【解決手段】 本発明により、電極部分３、４を除く部
分であり且つＬＥＤチップ１の外表面の少なくともＰ層
２ａおよびＮ層２ｂが露出する面には透明樹脂による保
護膜５が設けられているＬＥＤチップ１としたことで、
ケース６による封止を行った場合、保護膜５によりケー
ス６とＬＥＤチップ１との密着性を高め、周囲温度の変
化などによっても両者の間に剥離を生じないものとして
湿度の侵入を防ぎ、ＬＥＤチップに劣化を生じることを
防止して課題を解決するものである。
スで封止を行った場合、異質部材であるＬＥＤチップと
ケース間の接合強度が不足して剥離による間隙を生じ易
く、湿度が侵入してＬＥＤチップが劣化する問題点を生
じていた。 【解決手段】 本発明により、電極部分３、４を除く部
分であり且つＬＥＤチップ１の外表面の少なくともＰ層
２ａおよびＮ層２ｂが露出する面には透明樹脂による保
護膜５が設けられているＬＥＤチップ１としたことで、
ケース６による封止を行った場合、保護膜５によりケー
ス６とＬＥＤチップ１との密着性を高め、周囲温度の変
化などによっても両者の間に剥離を生じないものとして
湿度の侵入を防ぎ、ＬＥＤチップに劣化を生じることを
防止して課題を解決するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオードと
も称されているＬＥＤに関するものであり、詳細には、
ケースなどに封止されＬＥＤランプとされるＬＥＤチッ
プの構成に係るものである。
も称されているＬＥＤに関するものであり、詳細には、
ケースなどに封止されＬＥＤランプとされるＬＥＤチッ
プの構成に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種のＬＥＤチップの構成の例
を示すものが図７および図８であり、先ず、図７に示す
ＬＥＤチップ９０においては、チップ基体９１にＰ層９
１ａとＮ層９１ｂとが設けられ、前記Ｐ層９１ａ側には
Ｐ電極９２が設けられ、Ｎ層９１ｂ側にはＮ電極９３が
設けられているものである。
を示すものが図７および図８であり、先ず、図７に示す
ＬＥＤチップ９０においては、チップ基体９１にＰ層９
１ａとＮ層９１ｂとが設けられ、前記Ｐ層９１ａ側には
Ｐ電極９２が設けられ、Ｎ層９１ｂ側にはＮ電極９３が
設けられているものである。
【０００３】このように構成されたＬＥＤチップ９０
は、例えば、リードフレーム７１上に前記Ｎ電極９３で
のマウントが行われ、前記Ｐ電極９２で配線が行われた
後に、透明樹脂によるモールドが行われてケース７２が
形成され、ＬＥＤランプ７０とされるものである。
は、例えば、リードフレーム７１上に前記Ｎ電極９３で
のマウントが行われ、前記Ｐ電極９２で配線が行われた
後に、透明樹脂によるモールドが行われてケース７２が
形成され、ＬＥＤランプ７０とされるものである。
【０００４】従って、ＬＥＤランプ７０として完成され
た後には、ＬＥＤチップ９０は全周を透明樹脂によるケ
ース７２で覆われているものとなるので、湿度による劣
化などは生じないものとされている。尚、ＬＥＤチップ
９０には、例えば使用するウエハの種類などにより、Ｐ
層９１ａとＮ層９１ｂとの位置が反転しているものもあ
る。
た後には、ＬＥＤチップ９０は全周を透明樹脂によるケ
ース７２で覆われているものとなるので、湿度による劣
化などは生じないものとされている。尚、ＬＥＤチップ
９０には、例えば使用するウエハの種類などにより、Ｐ
層９１ａとＮ層９１ｂとの位置が反転しているものもあ
る。
【０００５】また、図８に示すＬＥＤチップ８０におい
ては、基体８１に形成されるＰ層８１ａおよびＮ層８１
ｂの部分が露出していると、湿度などによる劣化を生じ
易く、また、この部分に導電性の異物などが付着してＰ
層８１ａ、Ｎ層８１ｂ間が短絡した場合には発光機能を
失うものとなるので、Ｎ電極８３が敷設された底面を除
き、ＬＥＤチップ８０の側面の特にＰ層８１ａ、Ｎ層８
１ｂが露出する部分とＰ電極８２を除く上面とにわたる
SiO2などによる絶縁膜８４を設けるものである。
ては、基体８１に形成されるＰ層８１ａおよびＮ層８１
ｂの部分が露出していると、湿度などによる劣化を生じ
易く、また、この部分に導電性の異物などが付着してＰ
層８１ａ、Ｎ層８１ｂ間が短絡した場合には発光機能を
失うものとなるので、Ｎ電極８３が敷設された底面を除
き、ＬＥＤチップ８０の側面の特にＰ層８１ａ、Ｎ層８
１ｂが露出する部分とＰ電極８２を除く上面とにわたる
SiO2などによる絶縁膜８４を設けるものである。
【０００６】このようにすることで、ＬＥＤチップ８０
は耐湿性の向上と、塵埃の付着による特性劣化の防止が
期待できるので、上記ＬＥＤランプ７０用として使用さ
れると共に、例えば感光ドラムを用いた電子式印刷機の
書込用光源など、小型化が要求されてケースを設けるこ
とができない用途にも用いられるものと成る。
は耐湿性の向上と、塵埃の付着による特性劣化の防止が
期待できるので、上記ＬＥＤランプ７０用として使用さ
れると共に、例えば感光ドラムを用いた電子式印刷機の
書込用光源など、小型化が要求されてケースを設けるこ
とができない用途にも用いられるものと成る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た従来の構成としたＬＥＤチップにおいて、先ず、図７
に示したＬＥＤチップ９０では、基体９１を構成するGa
As或いはGaP がケース７２を形成するエポキシ樹脂など
透明樹脂との密着性が劣り、ＬＥＤチップ９０とケース
７２との間が剥離して間隙を生じ易いものとなり。この
間隙から湿度が侵入してＬＥＤチップ９０を劣化させ、
信頼性が低下する問題点を生じている。
た従来の構成としたＬＥＤチップにおいて、先ず、図７
に示したＬＥＤチップ９０では、基体９１を構成するGa
As或いはGaP がケース７２を形成するエポキシ樹脂など
透明樹脂との密着性が劣り、ＬＥＤチップ９０とケース
７２との間が剥離して間隙を生じ易いものとなり。この
間隙から湿度が侵入してＬＥＤチップ９０を劣化させ、
信頼性が低下する問題点を生じている。
【０００８】また、図８に示したＬＥＤチップ８０で
は、絶縁膜８４はそれ程に優れた耐湿性を有するもので
はなく、ＬＥＤランプ７０用として使用されるときにも
依然として湿度による劣化の問題点を生じると共に、ケ
ースが設けられない場合には劣化の進行が一層に顕著と
なる問題点を生じるものとなり、これらの点の解決が課
題とされるものとなっている。
は、絶縁膜８４はそれ程に優れた耐湿性を有するもので
はなく、ＬＥＤランプ７０用として使用されるときにも
依然として湿度による劣化の問題点を生じると共に、ケ
ースが設けられない場合には劣化の進行が一層に顕著と
なる問題点を生じるものとなり、これらの点の解決が課
題とされるものとなっている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記した従来
の課題を解決するための具体的手段として、電極を有す
るＬＥＤチップにおいて、前記電極部分を除く部分であ
り且つ前記ＬＥＤチップの外表面の少なくともＰ層およ
びＮ層が露出する面には透明樹脂による保護膜が設けら
れていることを特徴とするＬＥＤチップを提供すること
で課題を解決するものである。
の課題を解決するための具体的手段として、電極を有す
るＬＥＤチップにおいて、前記電極部分を除く部分であ
り且つ前記ＬＥＤチップの外表面の少なくともＰ層およ
びＮ層が露出する面には透明樹脂による保護膜が設けら
れていることを特徴とするＬＥＤチップを提供すること
で課題を解決するものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明を図に示す実施形
態に基づいて詳細に説明する。図１に符号１で示すもの
は本発明に係るＬＥＤチップであり、このＬＥＤチップ
１の基体２はGaAs或いはGaP で構成され、Ｐ層２ａとＮ
層２ｂとが形成されていて、Ｐ層２ａ側にはＰ電極３
が、Ｎ層２ｂ側にはＮ電極４が設けられているものであ
る点は従来例のものと同様である。
態に基づいて詳細に説明する。図１に符号１で示すもの
は本発明に係るＬＥＤチップであり、このＬＥＤチップ
１の基体２はGaAs或いはGaP で構成され、Ｐ層２ａとＮ
層２ｂとが形成されていて、Ｐ層２ａ側にはＰ電極３
が、Ｎ層２ｂ側にはＮ電極４が設けられているものであ
る点は従来例のものと同様である。
【００１１】ここで、本発明では前記Ｐ電極３とＮ電極
４とを除く部分であり、且つ、ＬＥＤチップ１の外表面
に保護膜５を設けるものであり、この保護膜５は、図２
〜図４に示す手順により透明なエポキシ樹脂或いはポリ
イミド樹脂により構成されている。
４とを除く部分であり、且つ、ＬＥＤチップ１の外表面
に保護膜５を設けるものであり、この保護膜５は、図２
〜図４に示す手順により透明なエポキシ樹脂或いはポリ
イミド樹脂により構成されている。
【００１２】尚、このときに前記保護膜５は上記したＰ
電極３とＮ電極４とを除く外表面の全面に設けるのが最
良ではあるが、特に湿度による劣化が著しいとされてい
るＰ層２ａ、Ｎ層２ｂおよび両層の接合面２ｃの範囲に
限定して保護膜５を設けても相当の効果は得られるもの
となるので、ＬＥＤチップ１の形状などによっては設け
る範囲を上記に限定しても良い。
電極３とＮ電極４とを除く外表面の全面に設けるのが最
良ではあるが、特に湿度による劣化が著しいとされてい
るＰ層２ａ、Ｎ層２ｂおよび両層の接合面２ｃの範囲に
限定して保護膜５を設けても相当の効果は得られるもの
となるので、ＬＥＤチップ１の形状などによっては設け
る範囲を上記に限定しても良い。
【００１３】図２は保護膜５を形成するときの最初の工
程を示すものであり、この保護膜５の形成はＬＥＤチッ
プ１が個別に分離される以前のウエハ２Ａの状態で行わ
れる。このときには前記Ｐ電極３およびＮ電極４が設け
られていても良く、また、設けられていなくとも良い
が、この説明ではＰ電極３が設けられてれていないもの
として説明を行う。
程を示すものであり、この保護膜５の形成はＬＥＤチッ
プ１が個別に分離される以前のウエハ２Ａの状態で行わ
れる。このときには前記Ｐ電極３およびＮ電極４が設け
られていても良く、また、設けられていなくとも良い
が、この説明ではＰ電極３が設けられてれていないもの
として説明を行う。
【００１４】先ず、前記ウエハ２ＡのＰ電極３が設けら
れている側の全面を覆い、上記した透明なエポキシ樹脂
などによる膜５Ａがスプレー塗付など適宜な成膜手段に
より形成され、更に前記膜５Ａの全面を覆いホトレジス
ト膜５Ｂが同様な手段で成膜される。
れている側の全面を覆い、上記した透明なエポキシ樹脂
などによる膜５Ａがスプレー塗付など適宜な成膜手段に
より形成され、更に前記膜５Ａの全面を覆いホトレジス
ト膜５Ｂが同様な手段で成膜される。
【００１５】そして、図３に示すように前記Ｐ電極３に
対応する部分をマスク５Ｃで覆い露光し、ホトレジスト
膜５Ｂの現像、および、膜５Ａのエッチングを行い、そ
の後にホトレジスト膜５Ｂの剥離を行えば、膜５Ａは図
４に示すようにＰ電極３に対応する部分が露出するもの
となり、この状態で加熱などによる硬化（キュア）処理
を行った後に、Ｐ層２ａが露出した部分にアルミニウム
の蒸着など適宜な手段でＰ電極３を形成すれば良いもの
となる。
対応する部分をマスク５Ｃで覆い露光し、ホトレジスト
膜５Ｂの現像、および、膜５Ａのエッチングを行い、そ
の後にホトレジスト膜５Ｂの剥離を行えば、膜５Ａは図
４に示すようにＰ電極３に対応する部分が露出するもの
となり、この状態で加熱などによる硬化（キュア）処理
を行った後に、Ｐ層２ａが露出した部分にアルミニウム
の蒸着など適宜な手段でＰ電極３を形成すれば良いもの
となる。
【００１６】尚、前記ウエハ２ＡのＰ電極３が設けられ
るのと反対側の面は、通常にはＮ電極４が全面にわたり
設けられるものであるので、前記保護膜５を設ける必要
はなく、上記のような工程を経ることなく直接にＮ電極
４を形成すれば良い。しかる後にカッテイングを行うこ
とで保護膜５が設けられたＬＥＤチップ１（図１参照）
が得られるものとなる。
るのと反対側の面は、通常にはＮ電極４が全面にわたり
設けられるものであるので、前記保護膜５を設ける必要
はなく、上記のような工程を経ることなく直接にＮ電極
４を形成すれば良い。しかる後にカッテイングを行うこ
とで保護膜５が設けられたＬＥＤチップ１（図１参照）
が得られるものとなる。
【００１７】次いで、上記の構成とした本発明のＬＥＤ
チップ１の作用および効果について説明を行う。図５は
本発明のＬＥＤチップ１を用いてＬＥＤランプ１０を形
成したときの例であり、前記ＬＥＤチップ１はリードフ
レーム１１にＮ電極４でのマウントが行われ、Ｐ電極３
で配線が行われた後に、透明樹脂によるモールドが行わ
れてケース６が形成されている。
チップ１の作用および効果について説明を行う。図５は
本発明のＬＥＤチップ１を用いてＬＥＤランプ１０を形
成したときの例であり、前記ＬＥＤチップ１はリードフ
レーム１１にＮ電極４でのマウントが行われ、Ｐ電極３
で配線が行われた後に、透明樹脂によるモールドが行わ
れてケース６が形成されている。
【００１８】従って、ＬＥＤチップ１はケース６との間
に保護膜５を介して接続されるものと成り、このとき
に、ＬＥＤチップ１と保護膜５との間は例えば加熱によ
る硬化処理が行われているので密着性が高く、また、保
護膜５とケース６との間も樹脂同士と同質の部材で在る
ので密着性が高く、総合してＬＥＤチップ１とケース６
との密着性はきわめて高いものとなる。
に保護膜５を介して接続されるものと成り、このとき
に、ＬＥＤチップ１と保護膜５との間は例えば加熱によ
る硬化処理が行われているので密着性が高く、また、保
護膜５とケース６との間も樹脂同士と同質の部材で在る
ので密着性が高く、総合してＬＥＤチップ１とケース６
との密着性はきわめて高いものとなる。
【００１９】よって、ＬＥＤランプ１０が外気温の変化
などを受けたときにも、ＬＥＤチップ１とケース６とが
剥離し両者に間隙を生じる確率は格段に低下するものと
なり、ケース６はＬＥＤチップ１に対し防湿を行い劣化
を防止すると言う本来の作用を一層確実に行うものとな
る。
などを受けたときにも、ＬＥＤチップ１とケース６とが
剥離し両者に間隙を生じる確率は格段に低下するものと
なり、ケース６はＬＥＤチップ１に対し防湿を行い劣化
を防止すると言う本来の作用を一層確実に行うものとな
る。
【００２０】図６は本発明の別な実施形態であり、前記
ＬＥＤチップ１には予めにSiO2などによる絶縁膜７が設
けられている。この場合にも前の実施形態と同様な手順
で前記絶縁膜７上に保護膜５を設けることが可能であ
り、また、保護膜５を設けることで耐湿性が向上するも
のである点も同様である。
ＬＥＤチップ１には予めにSiO2などによる絶縁膜７が設
けられている。この場合にも前の実施形態と同様な手順
で前記絶縁膜７上に保護膜５を設けることが可能であ
り、また、保護膜５を設けることで耐湿性が向上するも
のである点も同様である。
【００２１】また、特に、この実施形態のときには、Ｌ
ＥＤチップ１の外表面は、SiO2など比較的に硬質な絶縁
膜７と、耐湿性に優れる保護膜５とで二重に保護されて
いるので、例えば、電子式印刷機の書込用光源など、小
型化が要求されてケースを設けることができない用途に
最適なものとなる。
ＥＤチップ１の外表面は、SiO2など比較的に硬質な絶縁
膜７と、耐湿性に優れる保護膜５とで二重に保護されて
いるので、例えば、電子式印刷機の書込用光源など、小
型化が要求されてケースを設けることができない用途に
最適なものとなる。
【００２２】
【発明の効果】以上に説明したように本発明により、電
極部分を除く部分であり且つ前記ＬＥＤチップの外表面
の少なくともＰ層およびＮ層が露出する面には透明樹脂
による保護膜が設けられているＬＥＤチップとしたこと
で、ケースを設ける場合には、該ケースとＬＥＤチップ
との密着性を高め、周囲温度の変化などにより両者の間
が剥離して間隙を生じ、この間隙から湿度が侵入してＬ
ＥＤチップに劣化を生じることを防止するものとし、ま
た、ケースを設けることができない用途に対しては保護
膜の耐湿性によりＬＥＤチップに劣化を生じることを防
止するものとし、もって、この種のＬＥＤチップが使用
される素子或いは機器の信頼性の向上に極めて優れた効
果を奏するものである。
極部分を除く部分であり且つ前記ＬＥＤチップの外表面
の少なくともＰ層およびＮ層が露出する面には透明樹脂
による保護膜が設けられているＬＥＤチップとしたこと
で、ケースを設ける場合には、該ケースとＬＥＤチップ
との密着性を高め、周囲温度の変化などにより両者の間
が剥離して間隙を生じ、この間隙から湿度が侵入してＬ
ＥＤチップに劣化を生じることを防止するものとし、ま
た、ケースを設けることができない用途に対しては保護
膜の耐湿性によりＬＥＤチップに劣化を生じることを防
止するものとし、もって、この種のＬＥＤチップが使用
される素子或いは機器の信頼性の向上に極めて優れた効
果を奏するものである。
【図１】 本発明に係るＬＥＤチップの実施形態を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】 保護膜形成時における成膜工程を示す説明図
である。
である。
【図３】 同じく保護膜形成時における露光工程を示す
説明図である。
説明図である。
【図４】 同じく保護膜形成時におけるエッチングおよ
びレジスト剥離工程を示す説明図である。
びレジスト剥離工程を示す説明図である。
【図５】 本発明に係るＬＥＤチップにより形成したＬ
ＥＤランプの例を示す説明図である。
ＥＤランプの例を示す説明図である。
【図６】 同じく本発明に係るＬＥＤチップの別の実施
形態を示す断面図である。
形態を示す断面図である。
【図７】 従来例を示す断面図である。
【図８】 別の従来例を示す断面図である。
１……ＬＥＤチップ ２……基体 ２ａ……Ｐ層 ２ｂ……Ｎ層 ２ｃ……接合部 ３……Ｐ電極 ４……Ｎ電極 ５……保護膜 ６……ケース ７……絶縁膜
Claims (1)
- 【請求項１】 電極を有するＬＥＤチップにおいて、前
記電極部分を除く部分であり且つ前記ＬＥＤチップの外
表面の少なくともＰ層およびＮ層が露出する面には透明
樹脂による保護膜が設けられていることを特徴とするＬ
ＥＤチップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1880197A JPH10215003A (ja) | 1997-01-31 | 1997-01-31 | Ｌｅｄチップ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1880197A JPH10215003A (ja) | 1997-01-31 | 1997-01-31 | Ｌｅｄチップ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10215003A true JPH10215003A (ja) | 1998-08-11 |
Family
ID=11981702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1880197A Pending JPH10215003A (ja) | 1997-01-31 | 1997-01-31 | Ｌｅｄチップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10215003A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016171141A (ja) * | 2015-03-11 | 2016-09-23 | 旭化成株式会社 | 窒化物発光素子および窒化物発光素子の製造方法 |
| JP2017120840A (ja) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | シャープ株式会社 | 発光素子、発光素子パッケージ体および発光素子の製造方法 |
-
1997
- 1997-01-31 JP JP1880197A patent/JPH10215003A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016171141A (ja) * | 2015-03-11 | 2016-09-23 | 旭化成株式会社 | 窒化物発光素子および窒化物発光素子の製造方法 |
| JP2017120840A (ja) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | シャープ株式会社 | 発光素子、発光素子パッケージ体および発光素子の製造方法 |
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