JP2003282953A - 半導体チップ - Google Patents

半導体チップ

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ボンディングワイヤの接合強度を厳重管理し
たり、ボンディングワイヤの材質を特に選択しなくて
も、周囲の急激な温度変化等によってボンディングワイ
ヤの接合部が剥離したり断線が起きたりすることがない
ような半導体チップを提供することである。 【解決手段】 電極２３ａ，２３ｂが形成された基板２
２と、この基板２２上に載置される発光素子２４と、該
発光素子２４と前記電極２３ａ，２３ｂとを接続するボ
ンディングワイヤ２５と、前記発光素子２４及びボンデ
ィングワイヤ２５を密封する中空の封止体２６とを備え
た構造の発光ダイオード２１を形成し、周囲温度等の環
境条件の厳しい場所で長期間使用しても前記ボンディン
グワイヤ２５の接合不良や発光素子２４の劣化等による
電気的トラブルの発生を防止するようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオードや
トランジスタ等の半導体素子を基板上に密封した半導体
チップに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体チップ１は、図３に示すよ
うに、一対の電極３ａ，３ｂが形成されたガラスエポキ
シ等の基板２の上面に半導体素子４を載置し、この半導
体素子４の素子電極部７ａ，７ｂと前記基板２上の電極
３ａ，３ｂとを線材（ボンディングワイヤ５）によって
電気的に接続し、さらに前記半導体素子４の上方を透明
な樹脂体６で封止して全体を薄型四角形状に形成したも
のである。前記半導体素子４としては、発光ダイオード
やトランジスタ等のような単一素子が用いられる場合
や、複数の電子素子を集積した半導体集積回路が用いら
れる場合がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来構造の半導体チップ１にあっては、基板２上に載置し
た半導体素子４及びボンディングワイヤ５が樹脂体６に
よって封止された構造であるため、外部からの衝撃や腐
蝕等に対しては樹脂体６によって確実に保護されるもの
の、急激な温度変化に対しては樹脂体６が変形するおそ
れがあり、内部の半導体素子４やボンディングワイヤ５
に悪影響を及ぼすおそれがあった。
【０００４】ところで、前記樹脂体６の原料には一般的
にエポキシ系の樹脂が使用されているが、このエポキシ
系の樹脂の場合、温度変化に対する長さの変化の割合
（線膨張率）が大きい。したがって、周囲の急激な温度
変化によって樹脂体６が膨張や収縮を繰り返すことで、
ボンディングワイヤ５にも応力が掛かり、電極３ａ，３
ｂや素子電極部７ａ，７ｂのような接合部でボンディン
グワイヤ５が剥離したり、ボンディングワイヤ５自身が
断線する等のおそれがあった。このため、従来にあって
は、ボンディングワイヤ５の接合強度を特に厳重に管理
したり、ボンディングワイヤ５の材質をより強固なもの
に選択して使用するといった方策がとられていたが、製
造・検査工程での作業工数が多く掛かったり、製造コス
トが高騰するなどの問題があった。
【０００５】そこで、本発明の目的は、ボンディングワ
イヤの接合強度を厳重管理したり、ボンディングワイヤ
の材質を特に選択しなくても、周囲の急激な温度変化等
によってボンディングワイヤの接合部が剥離したり断線
が起きたりすることがないような半導体チップを提供す
ることである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の請求項１に係る半導体チップは、電極が形
成された基板と、この基板上に載置される半導体素子
と、該半導体素子と前記電極とを接続する線材と、前記
半導体素子及び線材を密封する中空のカバーケースとを
備えたことを特徴とする。
【０００７】この発明によれば、基板上に載置された半
導体素子や線材を密封する際に、前記半導体素子や線材
に接触しないような中空のカバーケースで封止している
ので、カバーケースが周囲の急激な温度変化によって伸
縮しても内部に密封されている半導体素子や線材に応力
が掛かることがない。また、前記カバーケースに耐熱性
のある材料を使用した場合には、カバーケース自体の変
形も抑えられるので、さらに厳しい条件下においても半
導体素子や線材に影響を及ぼすことがない。このため、
周囲温度等の環境条件の厳しい場所で長期間使用しても
接合不良や半導体素子の劣化等による電気的トラブルの
発生を抑えることができる。また、半導体チップの製造
・検査工程における温度サイクルや吸湿リフロー試験の
耐性が高まり、製品の信頼性が向上する。
【０００８】前記カバーケースとしてはプラスチック材
やガラス材等を用いることができる。この場合、基板上
にカバーケースを接着剤で接合することができる。従っ
て、従来の樹脂封止のように、半導体素子等を載置した
基板上に金型を装着して、エポキシ系の樹脂を充填し硬
化させるといった工程が不要となることから、製造時間
が短縮され、製造工数及びコストの低減化が図られる。
【０００９】また、前記カバーケースにプラスチックや
ガラス等の透明な基材を使用することによって、発光ダ
イオード等の発光素子からなる半導体チップを形成する
ことができる。このような発光素子で構成された半導体
チップでは、カバーケース内に蛍光材、着色材あるいは
散乱材等の発光補助部材を混入することで、白色をはじ
めとする所望の色で発光させることができる。
【００１０】また、前記カバーケースの発光面を除いた
他の面に印刷層あるいは薄膜層からなる遮光手段を設け
ることで、発光面での指向特性を高めることができる。
【００１１】また、前記遮光手段の代わりに銀やアルミ
ニウムといった反射部材を設けることによって、発光面
での指向特性と共に輝度の向上も図ることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明
に係る半導体チップの実施形態を詳細に説明する。図１
は本発明に係る半導体チップの全体形状を示す斜視図、
図２は前記半導体チップの断面図である。
【００１３】図１及び図２は、本発明に係る半導体チッ
プを発光ダイオードに適用した場合を示したものであ
る。図示されるように、この発光ダイオード２１は、ガ
ラスエポキシやＢＴレジン（Bismaleimide Triazine Re
sin）などからなる基板２２と、この基板２２上に載置
される発光素子２４と、該発光素子２４の上方を密封す
るカバーケース（封止体２６）とで構成されている。前
記基板２２には、発光素子２４との導通及びマザーボー
ド等の外部基板に実装するための電極２３ａ，２３ｂが
設けられている。発光素子２４は、上面に一対の素子電
極部２７ａ，２７ｂ（アノード電極，カソード電極）を
備えた微小な四角形状のシリコンチップであり、底部が
前記基板２２上に接着剤を介して固定されると共に、前
記素子電極部２７ａ，２７ｂと基板２２上の電極２３
ａ，２３ｂとがボンディングワイヤ２５によって接続さ
れている。
【００１４】封止体２６は、発光素子２４、ボンディン
グワイヤ２５及び基板２２上に露出している一対の電極
２３ａ，２３ｂの上方を覆う内部が中空の透明なプラス
チック材で形成されている。この封止体２６の内部は、
前記発光素子２４やボンディングワイヤ２５が接触しな
いように十分余裕を持たせた空間サイズで形成される。
【００１５】前記封止体２６は、発光素子２４から発せ
られる光をそのまま透過させる場合は、着色のない透明
なプラスチックやガラス等の基材が使用されるが、発光
色や輝度を変化させたい場合は、前記基材の内部に微粒
状のＹＡＧ等の蛍光材や各色の着色材を適量混入させて
形成される。前記蛍光材を混入した場合は、白色発光
し、着色材を混入した場合は、所望の色の発光が得られ
る。また、封止体２６の表面にＳｉＯ２やＴｉＯ２のよ
うな有機膜を形成した場合は、特定の波長を選択的に通
過させるといったフィルタ効果を得ることができる。
【００１６】また、本実施形態の発光ダイオード２１に
発光の指向性を持たせる場合は、前記封止体２６の発光
面を除いた他の面に遮光手段が設けられる。例えば、前
記封止体２６の上面２６ａを発光面とすれば、この上面
２６ａを除いた他の側面２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６
ｅに印刷層あるいは薄膜層からなる遮光層を設けること
で、発光素子２４からの光を損失なく有効に上面２６ａ
に照射される。なお、前記印刷層は、高反射率を有する
白色系塗料又は樹脂によって形成され、薄膜層は蒸着、
スパッタリング、ＣＶＤ（Chemical Ｖapor Ｄepositio
n）あるいはメッキのいずれかによって形成することが
できる。
【００１７】また、前記遮光手段の代わりに銀やアルミ
ニウム等からなる薄膜や薄板のような反射部材を貼着す
れば、輝度の高い状態の指向特性を得ることができる。
【００１８】また、前記封止体２６の基板２２上面への
装着は、接着剤２８を用いて通常の大気圧の下で行われ
るが、電極２３ａ，２３ｂや発光素子２４、ボンディン
グワイヤ２５の腐蝕等による劣化を防止する目的であれ
ば、装着作業を真空中又は不活性ガス中で行うのが好ま
しい。
【００１９】以上の構成からなる発光ダイオード２１に
よれば、ボンディングワイヤ２５のような微細な線材が
従来のような樹脂体で固定されていないので、周囲の急
激な温度変化等に伴い封止体２６の伸縮が発生しても内
部に密封されている発光素子２４やボンディングワイヤ
２５自体に応力が発生することがない。このため、ボン
ディングワイヤ２５が発光素子２４の素子電極部２７
ａ，２７ｂや電極２３ａ，２３ｂから剥離したり、断線
するといった接合不良等を引き起こすことがない。
【００２０】また、前記封止体２６を構成する部材とし
ては、上述したプラスチック材以外にガラス材を用いる
ことができる。このようなプラスチック材及びガラス材
に耐熱性のものを用いることで、周囲温度等の環境の変
化が激しい場所等でも使用可能な発光ダイオードを構成
することが可能となる。
【００２１】なお、前記実施形態では半導体チップとし
て発光ダイオードに適用した場合を説明したが、基板２
２に載置する半導体素子がトランジスタをはじめとする
各種の電子素子を集積した集積回路の場合もあり、ボン
ディングワイヤもその素子電極部に応じた本数によって
基板の電極と接続される。このような発光ダイオード以
外の半導体チップを形成する場合は、封止体２６が透光
性を備えたプラスチック材やガラス材に限らずセラミッ
クなども使用することができる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体チップによれば、基板上に実装された半導体素子や接
続用の線材等を密封する封止体にプラスチックやガラス
等で形成された内部が中空のカバーケースを使用し、こ
のカバーケースを半導体素子や線材が接触しないように
して基板面に装着したので、周囲の急激な温度変化によ
って前記カバーケースが収縮した場合にも半導体素子や
ボンディングワイヤ自体に外部からの応力が生じない。
また、カバーケース自体が熱等の影響を受けにくい耐熱
性のプラスチック材やガラス材を使用しているので、半
導体チップ全体の耐熱性を高められ、長期間に亘って安
定した状態で使用することができ、製品の信頼性も向上
する。
【００２３】前記半導体チップの内部では、周囲の環境
変化による影響が少ないので、従来のようにボンディン
グワイヤの材質や接合強度を厳密に管理しなくても実使
用上問題がない。
【００２４】また、従来のように半導体素子を載置した
基板上に金型を装着して、エポキシ系の樹脂を充填し硬
化させるといった作業工程が不要となるので、製造時間
が短縮され、製造工数及びコストの低減化が図られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体チップ（発光ダイオード）
の全体形状を示す斜視図である。
【図２】上記図１の発光ダイオードの断面図である。
【図３】従来の半導体チップ（発光ダイオード）の断面
図である。
【符号の説明】
２１ 発光ダイオード（半導体チップ） ２２ 基板 ２３ａ，２３ｂ 電極 ２４ 発光素子（半導体素子） ２５ ボンディングワイヤ（線材） ２６ 封止体（カバーケース） ２６ａ 上面 ２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ 側面 ２７ａ，２７ｂ 素子電極部

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電極が形成された基板と、この基板上に
    載置される半導体素子と、該半導体素子と前記電極とを
    接続する線材と、前記半導体素子及び線材を密封する中
    空のカバーケースとを備えたことを特徴とする半導体チ
    ップ。
  2. 【請求項２】 前記半導体素子が発光ダイオードである
    請求項１記載の半導体チップ。
  3. 【請求項３】 前記カバーケースは、発光補助部材が混
    入されている請求項１記載の半導体チップ。
  4. 【請求項４】 前記発光補助部材は、蛍光剤、着色剤及
    び散乱剤のいずれかである請求項３記載の半導体チッ
    プ。
  5. 【請求項５】 前記カバーケースには、発光面を除いた
    他の面に遮光手段を設けた請求項１記載の半導体チッ
    プ。
  6. 【請求項６】 前記遮光手段は、印刷層及び薄膜層のい
    ずれかで形成されてなる請求項５記載の半導体チップ。
  7. 【請求項７】 前記印刷層は、高反射率を有する白色系
    塗料又は樹脂によって形成されている請求項６記載の半
    導体チップ。
  8. 【請求項８】 前記薄膜層は、蒸着、スパッタリング、
    ＣＶＤ、メッキのいずれかで形成されている請求項７記
    載の半導体チップ。
  9. 【請求項９】 前記カバーケースには、発光面を除いた
    他の面に反射部材が設けられている請求項１記載の半導
    体チップ。
  10. 【請求項１０】 前記反射部材は、銀及びアルミニウム
    のいずれかで形成されている請求項９記載の半導体チッ
    プ。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006093372A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置
JP2006303122A (ja) * 2005-04-19 2006-11-02 Citizen Electronics Co Ltd チップ型ｌｅｄ
JP2007049019A (ja) * 2005-08-11 2007-02-22 Koha Co Ltd 発光装置
EP2128905A2 (en) 2008-05-29 2009-12-02 Nichia Corporation Semiconductor light emitting device
CN102133668A (zh) * 2010-12-14 2011-07-27 浙江名芯半导体科技有限公司 一种led光源散热模组焊接方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5038271U (ja) * 1973-08-06 1975-04-21
JPH0278102A (ja) * 1987-12-24 1990-03-19 Mitsubishi Cable Ind Ltd 発光ダイオード照明具
JPH0927642A (ja) * 1995-07-13 1997-01-28 Clarion Co Ltd 照明装置
JPH10233532A (ja) * 1997-02-21 1998-09-02 Houshin Kagaku Sangiyoushiyo:Kk 発光ダイオード

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5038271U (ja) * 1973-08-06 1975-04-21
JPH0278102A (ja) * 1987-12-24 1990-03-19 Mitsubishi Cable Ind Ltd 発光ダイオード照明具
JPH0927642A (ja) * 1995-07-13 1997-01-28 Clarion Co Ltd 照明装置
JPH10233532A (ja) * 1997-02-21 1998-09-02 Houshin Kagaku Sangiyoushiyo:Kk 発光ダイオード

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006093372A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置
JP4661147B2 (ja) * 2004-09-24 2011-03-30 日亜化学工業株式会社 半導体装置
JP2006303122A (ja) * 2005-04-19 2006-11-02 Citizen Electronics Co Ltd チップ型ｌｅｄ
JP2007049019A (ja) * 2005-08-11 2007-02-22 Koha Co Ltd 発光装置
EP2128905A2 (en) 2008-05-29 2009-12-02 Nichia Corporation Semiconductor light emitting device
US8049318B2 (en) 2008-05-29 2011-11-01 Nichia Corporation Semiconductor light emitting device
CN102133668A (zh) * 2010-12-14 2011-07-27 浙江名芯半导体科技有限公司 一种led光源散热模组焊接方法

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