TWI623000B - Laminated coil parts - Google Patents
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Abstract
本發明之積層線圈零件具備由鐵氧體燒結體構成之坯體、及線圈。線圈包括並列設置於坯體內並且相互電性連接之複數個內部導體。坯體之表面區域之平均結晶粒徑小於坯體中之內部導體間之區域之平均結晶粒徑。坯體之表面由包含絕緣材料之層覆蓋。絕緣材料不存在於坯體之表面區域內之晶粒間。
Description
本發明係關於一種積層線圈零件。
已知有具備由鐵氧體燒結體構成之坯體及線圈之積層線圈零件(例如，參照日本專利特開2010-040860號公報)。線圈包括並列設置於坯體內並且相互電性連接之複數個內部導體。
就積層線圈零件而言，一般藉由以下過程而獲得坯體。首先，準備包含鐵氧體材料之坯片。於所準備之坯片形成用於形成內部導體之導體圖案。將形成有導體圖案之坯片以及未形成導體圖案之坯片按照所期望之順序積層。藉由該等過程而獲得坯片之積層體。其後，將所獲得之坯片之積層體切斷成特定大小之複數個晶片。對所獲得之晶片進行焙燒而獲得坯體。 於積層線圈零件，有時因鐵氧體晶粒之殘留應變或者來自內部導體之應力等而導致於坯體內產生殘留應力。若於坯體內產生殘留應力，則坯體之磁氣特性(例如磁導率)降低。為了緩和坯體內所產生之殘留應力，而考慮藉由使鐵氧體晶粒之燒結性降低而減小坯體之燒結密度。於使坯體(鐵氧體晶粒)之燒結性降低之情形時，鐵氧體晶粒之成長被抑制，而坯體之平均結晶粒徑變小。於坯體之表面區域之平均結晶粒徑較小之情形時，有鐵氧體晶粒自坯體脫落之虞。 本發明之一態樣之目的在於提供一種積層線圈零件，該積層線圈零件即便於使坯體之燒結性降低之情形時亦可防止鐵氧體晶粒自坯體脫落。 本發明之一態樣之積層線圈零件具備由鐵氧體燒結體構成之坯體、及線圈。線圈包括並列設置於坯體內並且相互電性連接之複數個內部導體。坯體之表面區域之平均結晶粒徑小於坯體中之內部導體間之區域之平均結晶粒徑。坯體之表面由包含絕緣材料之層覆蓋。絕緣材料不存在於坯體之表面區域內之晶粒間。 於上述一態樣之積層線圈零件，坯體之表面由包含絕緣材料之層覆蓋。因此，即便於使坯體之燒結性降低之情形時亦可防止鐵氧體晶粒自坯體脫落。 於絕緣材料存在於坯體之表面區域內之晶粒間之情形時，有自絕緣材料對坯體作用應力而坯體之磁氣特性降低之虞。相對於此，於本態樣之積層線圈零件，絕緣材料不存在於坯體之表面區域內之晶粒間，因此，來自絕緣材料之應力不易作用於坯體。其結果，於本態樣之積層線圈零件，坯體之磁氣特性之降低得以抑制。 於積層線圈零件之製造過程中，一般地，為了提高坯片之密接性而對坯片之積層體自坯片之積層方向施加較高之壓力。坯片之積層體中之導體圖案間之區域與其他區域相比，作用有較高之壓力。因此，上述區域中，鐵氧體材料之密度較高，而燒結性提高。因此，即便於使坯體之燒結性降低之情形時，坯體中之內部導體間之區域與坯體之表面區域相比，燒結性亦較高，而燒結密度亦較高。即，坯體之表面區域之平均結晶粒徑小於坯體中之內部導體間之區域之平均結晶粒徑。 坯體之表面區域之平均結晶粒徑可為0.5～1.5 μm。於該情形時，將坯體內產生之殘留應力抑制得較低。 坯體之表面之孔隙率可為10～30%。於該情形時，可確保坯體之強度。 絕緣材料可為玻璃。於該情形時，可獲得較薄且均勻之層。 亦可於包含絕緣材料之層形成貫通孔。於該情形時，藉由存在於包含絕緣材料之層之貫通孔而吸收對包含絕緣材料之層作用之應力。其結果，於本形態中，可抑制包含絕緣材料之層產生損傷。 將由下文提供之詳細描述及隨附圖式變得更完全地理解本發明，該等隨附圖式僅作為說明提供且因此不視為限制本發明。 本發明之適用性之其他範疇將由下文所提供之詳細描述變得顯而易見。然而，應理解，儘管表示本發明之較佳實施例，但詳細描述及特定實例係僅作為說明提供，因為熟習此項技術者將由此詳細描述變得顯而易見於本發明之精神及範疇內之各種變化及修改。
以下，參照隨附圖式對本發明之實施形態進行詳細說明。再者，於說明過程中，對相同要素或者具有相同功能之要素標註相同符號，並省略重複之說明。 參照圖1～圖3對本實施形態之積層線圈零件1之構成進行說明。圖1係表示本實施形態之積層線圈零件之立體圖。圖2係用於說明沿著圖1中之II-II線之剖面構成之圖。圖3係表示線圈導體之構成之立體圖。 如圖1所示，積層線圈零件1具備坯體2、及一對外部電極4、5。外部電極5配置於坯體2之一端部側。外部電極5配置於坯體2之另一端部側。積層線圈零件1例如可應用於磁珠電感器或者功率電感器。 坯體2呈長方體形狀。坯體2係作為其表面而具有相互對向之一對端面2a、2b、相互對向之一對主面2c、2d、以及相互對向之一對側面2e、2f。一對主面2c、2d係以將一對端面2a、2b之間連結之方式延伸。一對側面2e、2f係以將一對主面2c、2d之間連結之方式延伸。 端面2a與端面2b對向之方向、主面2c與主面2d對向之方向、及側面2e與側面2f對向之方向彼此大致正交。長方體形狀包括角部及稜線部經倒角加工之長方體形狀、以及將角部及稜線部弄圓之長方體形狀。主面2c或者主面2d例如於將積層線圈零件1安裝於未圖示之其他電子機器(例如電路基板或者電子零件等)之情形時，規定為與其他電子機器對向之面(安裝面)。 坯體2係藉由將複數個絕緣體層6(參照圖3)積層而構成。各絕緣體層6於主面2c與主面2d對向之方向上積層。即，各絕緣體層6之積層方向與主面2c和主面2d對向之方向一致。以下，亦將主面2c與主面2d對向之方向稱為「積層方向」。各絕緣體層6呈大致矩形形狀。於實際之坯體2中，各絕緣體層6係以無法視認其層間之邊界之程度一體化。 各絕緣體層6係由包含鐵氧體材料(例如Ni-Cu-Zn系鐵氧體材料、Ni-Cu-Zn-Mg系鐵氧體材料、或者Ni-Cu系鐵氧體材料等)之陶瓷坯片之燒結體構成。即，坯體2由鐵氧體燒結體構成。 如圖2所示，積層線圈零件1具備絕緣層3。絕緣層3形成於坯體2之表面(端面2a、2b、主面2c、2d、以及側面2e、2f)。即，坯體2之表面由絕緣層3覆蓋。於本實施形態中，坯體2之表面整體由絕緣層3覆蓋。絕緣層3與坯體2相互接觸。絕緣層3為包含絕緣材料(例如玻璃等)之層。絕緣層3之厚度例如為0.5 μm～10 μm。用於絕緣層3之玻璃較佳為軟化點較高。例如，用於絕緣層3之玻璃之軟化點為600℃以上。於絕緣層3如下所述形成有複數個貫通孔3a。 外部電極4配置於坯體2之端面2a側。外部電極5配置於坯體2之端面2b側。即，各外部電極4、5於端面2a與端面2b對向之方向上相互分離而定位。各外部電極4、5於俯視時呈大致矩形形狀。外部電極4、5之角被弄圓。於本實施形態中，絕緣層3與各外部電極4、5相互接觸。 外部電極4具有基底電極層7、第一鍍覆層8、及第二鍍覆層9。基底電極層7、第一鍍覆層8以及第二鍍覆層9係自坯體2側按照基底電極層7、第一鍍覆層8、第二鍍覆層9之順序配置。基底電極層7包含導電材料。基底電極層7係構成為包含導電性金屬粉末(於本實施形態中為Ag粉末)以及玻璃料之導電性膏之燒結體。即，基底電極層7為燒結金屬層。第一鍍覆層8例如為Ni鍍覆層。第二鍍覆層9例如為Sn鍍覆層。 外部電極4包含位於端面2a上之電極部分4a、位於主面2d上之電極部分4b、位於主面2c上之電極部分4c、位於側面2e上之電極部分4d、及位於側面2f上之電極部分4e。外部電極4包含5個電極部分4a、4b、4c、4d、4e。電極部分4a覆蓋端面2a之整面。電極部分4b覆蓋主面2d之一部分。電極部分4c覆蓋主面2c之一部分。電極部分4d覆蓋側面2e之一部分。電極部分4e覆蓋側面2f之一部分。5個電極部分4a、4b、4c、4d、4e係一體地形成。 外部電極5具有基底電極層10、第一鍍覆層11、及第二鍍覆層12。基底電極層10、第一鍍覆層11以及第二鍍覆層12係自坯體2側按照基底電極層10、第一鍍覆層11、第二鍍覆層12之順序配置。基底電極層10包含導電材料。基底電極層10係構成為包含導電性金屬粉末(於本實施形態中為Ag粉末)以及玻璃料之導電性膏之燒結體。即，基底電極層10為燒結金屬層。第一鍍覆層11例如為Ni鍍覆層。第二鍍覆層12例如為Sn鍍覆層。 外部電極5包含位於端面2b上之電極部分5a、位於主面2d上之電極部分5b、位於主面2c上之電極部分5c、位於側面2e上之電極部分5d、及位於側面2f上之電極部分5e。外部電極5包含5個電極部分5a、5b、5c、5d、5e。電極部分5a覆蓋端面2b之整面。電極部分5b覆蓋主面2d之一部分。電極部分5c覆蓋主面2c之一部分。電極部分5d覆蓋側面2e之一部分。電極部分5e覆蓋側面2f之一部分。5個電極部分5a、5b、5c、5d、5e係一體地形成。 積層線圈零件1具備配置於坯體2內之線圈15。如圖3所示，線圈15包含複數個線圈導體(複數個內部導體)16a、16b、16c、16d、16e、16f。 複數個線圈導體16a～16f係由電阻值小於下述之突出部20、21中包含之金屬(Pd)之材料形成。於本實施形態中，複數個線圈導體16a～16f含有Ag作為導電性材料。複數個線圈導體16a～16f係構成為包含Ag之導電性材料之導電性膏之燒結體。 線圈導體16a具有連接導體17。連接導體17配置於坯體2之端面2b側，將線圈導體16a與外部電極5電性連接。線圈導體16f具有連接導體18。連接導體18配置於坯體2之端面2a側，將線圈導體16f與外部電極4電性連接。連接導體17以及連接導體18係將Ag以及Pd作為導電性材料而形成。於本實施形態中，線圈導體16a之導體圖案與連接導體17之導體圖案係連續形成為一體，線圈導體16f之導體圖案與連接導體18之導體圖案係連續形成為一體。 複數個線圈導體16a～16f係於坯體2內於絕緣體層6之積層方向上並列設置。複數個線圈導體16a～16f係自靠近最外層之側按照線圈導體16a、線圈導體16b、線圈導體16c、線圈導體16d、線圈導體16e、線圈導體16f之順序排列。 線圈導體16a～16f之端部彼此藉由通孔導體19a～19e而連接。線圈導體16a～16f藉由通孔導體19a～19e而相互電性連接。線圈15係藉由將複數個線圈導體16a～16f電性連接而構成。通孔導體19a～19e包含Ag作為導電性材料，且構成為包含導電性材料之導電性膏之燒結體。 如圖2所示，連接導體17具有突出部20。突出部20於連接導體17配置於坯體2之端面2b側。突出部20自坯體2之端面2b向外部電極5側突出。突出部20貫通絕緣層3，且連接於外部電極5之基底電極層10。突出部20包含擴散係數小於形成外部電極5(基底電極層10)之材料之主成分(Ag)之金屬(Pd)。於本實施形態中，突出部20包含Ag以及Pd。 連接導體18具有突出部21。突出部21於連接導體18配置於坯體2之端面2a側。突出部21自坯體2之端面2a向外部電極4側突出。突出部21貫通絕緣層3，且連接於外部電極4之基底電極層7。突出部21包含擴散係數小於形成外部電極4(基底電極層7)之材料之主成分(Ag)之金屬(Pd)。於本實施形態中，突出部21包含Ag以及Pd。突出部20、21中包含之金屬(Pd)與複數個線圈導體16a～16f相比電阻值較大。 其次，參照圖4A、圖4B、圖7A以及圖7B對積層線圈零件1之製造過程進行說明。圖4A、圖4B、圖7A以及圖7B係用於說明積層線圈零件之製造過程之圖。 如圖4A所示，形成包含坯體2與線圈15之構造體30。此處，首先準備坯片(鐵氧體坯片)。坯片係藉由利用刮刀法等將鐵氧體漿料成形為片狀而獲得。鐵氧體漿料係將鐵氧體粉末、有機溶劑、有機黏合劑以及塑化劑混合而獲得。其後，於坯片上形成用於形成線圈導體16a～16f之導體圖案。導體圖案係藉由對含有Ag作為金屬成分之導電膏進行網版印刷而形成。 用於形成連接導體17之導體圖案係藉由含有Ag以及Pd作為金屬成分之導電膏而形成。用於形成連接導體18之導體圖案係藉由含有Ag以及Pd作為金屬成分之導電膏而形成。連接導體17以及連接導體18之導體圖案亦可藉由含有Ag以及Pd作為金屬成分之導電膏而形成於坯片上。連接導體17以及連接導體18之導體圖案亦可藉由在由含有Ag作為金屬成分之導電膏形成之導體圖案上重疊含有Ag以及Pd作為金屬成分之導電膏而形成。 將形成有導體圖案之坯片與未形成導體圖案之坯片按照特定之順序積層，而獲得坯片之積層體。於大氣中對坯片之積層體實施脫黏合劑處理之後，於特定條件下進行焙燒。由此，獲得包含坯體2與線圈15之構造體30。 坯片之積層體係為了提高坯片之密接性而自坯片之積層方向被施加較高之壓力。導體圖案間之區域與其他區域相比，作用有較高之壓力，因此，導體圖案間之區域中，鐵氧體材料之密度較高，而燒結性提高。因此，即便於使坯體2之燒結性降低之情形時，坯體2中之線圈導體16a～16f間之區域與坯體2之表面區域相比，燒結性亦較高，而燒結密度亦較高。 如圖5A以及圖5B所示，因坯體2之表面區域與坯體2中之線圈導體16a～16f間之區域之燒結密度之差異，而導致坯體2之表面區域之鐵氧體之平均結晶粒徑與坯體2中之線圈導體16a～16f間之區域之鐵氧體之平均結晶粒徑不同。坯體2之表面區域之鐵氧體之平均結晶粒徑小於坯體2中之線圈導體16a～16f間之區域之鐵氧體之平均結晶粒徑。 鐵氧體之平均結晶粒徑例如能夠以如下方式求出。首先，將樣品(構造體30)斷裂之後，對剖面進行研磨，並進一步進行化學蝕刻。對蝕刻後之樣品拍攝坯體2之表面區域以及坯體2中之線圈導體16a～16f間之區域之SEM(掃描式電子顯微鏡)照片。藉由軟體對所拍攝到之SEM照片進行圖像處理，判別鐵氧體晶粒之邊界，並計算各鐵氧體晶粒之面積。將所計算出之鐵氧體晶粒之面積換算成近似圓的直徑而算出粒徑。將所獲得之鐵氧體晶粒之粒徑之平均值設為平均結晶粒徑。 圖5A係坯體2之表面區域之SEM照片。圖5B係坯體2中之線圈導體16a～16f間之區域之SEM照片。坯體2之表面區域之鐵氧體之平均結晶粒徑為0.5～1.5 μm。坯體2中之線圈導體16a～16f間之區域之鐵氧體之平均結晶粒徑為2.5～10 μm。 坯體2之表面之孔隙率為10～30%。孔隙率例如能夠以如下方式求出。拍攝樣品(構造體30)之表面之SEM照片。藉由軟體對所拍攝到之SEM照片進行圖像處理，判別孔隙之邊界，並計算孔隙之面積之合計值。將所計算出之合計值除以攝像面積並以百分率表示之值設為孔隙率。 繼而，如圖4B所示，形成用於形成絕緣層3之膜31。於本實施形態中，膜31係藉由將玻璃漿料塗佈於坯體2之整面而形成。玻璃漿料包含玻璃粉末、黏合劑樹脂以及溶劑等。玻璃漿料之塗佈例如利用桶式噴霧法進行。絕緣層3係藉由膜31與用於形成基底電極層7、10之導電性膏之同時燒附而形成。即，絕緣層3於燒附基底電極層7、10時形成。 於絕緣層3，如圖6A以及圖6B所示，形成有複數個貫通孔3a。複數個貫通孔3a於藉由燒附玻璃漿料而形成絕緣層3時形成於絕緣層3。於燒附玻璃漿料時，玻璃進行收縮，並且成為熔融狀態而作用有表面張力。因此，於絕緣層3形成複數個貫通孔3a。貫通孔3a之直徑例如為0.1～1.0 μm。貫通孔3a之數量例如每100 μm2
為1～20個。 圖6A係表示絕緣層3之表面之線圖。圖6B係表示坯體2以及絕緣層3之剖面構成之線圖。於圖6A中，基於積層線圈零件1中之絕緣層3之表面之SEM照片，以線圖之形式表示絕緣層3之表面。於圖6B中，基於積層線圈零件1之剖面之SEM照片，以線圖之形式表示坯體2以及絕緣層3之剖面構成。積層線圈零件1之剖面之SEM照片能夠以如下方式獲得。使樣品(積層線圈零件1)斷裂之後，對剖面進行研磨，並進一步進行化學蝕刻。對蝕刻後之樣品拍攝坯體2以及絕緣層3(表面區域)之SEM照片。 如圖6B所示，絕緣層3位於坯體2之表面上。即，構成絕緣層3之玻璃不存在於坯體2之表面區域內之鐵氧體之晶粒間。 繼而，如圖7A所示，形成基底電極層7、10。具體而言，基底電極層7、10係藉由將包含作為導電性金屬粉末之Ag粉末以及玻璃料之導電性膏塗佈於膜31上並燒附所塗佈之導電性膏而形成。玻璃料之軟化點較佳為低於形成膜31之玻璃粉末之軟化點。若焙燒導電性膏，則藉由科肯德爾效應(Kirkendall effect)而將連接導體17、18與基底電極層7、10電性連接。 詳細而言，如圖8A、圖8B以及圖8C所示，在燒附用於形成基底電極層7、10之導電性膏時，膜31之玻璃漿料中包含之玻璃粒子熔解並進行流動。由於Ag之擴散速度大於Pd之擴散速度，故而藉由科肯德爾效應而將用於形成基底電極層7、10之導電性膏中包含之Ag粒子(Ag離子)牽引至含有Pd之導體圖案(用於形成連接導體17、18之導體圖案)。藉此，連接導體17、18延伸至基底電極層7、10側，並且連接導體17、18與基底電極層7、10接觸。其結果，將連接導體17、18與基底電極層7、10電性連接，且形成貫通絕緣層3之突出部20、21。 繼而，如圖7B所示，形成第一鍍覆層8、11以及第二鍍覆層9、12。第一鍍覆層8、11為Ni鍍覆層。第一鍍覆層8、11例如藉由滾鍍方式使用瓦特浴使Ni析出而形成。第二鍍覆層9、12為Sn鍍覆層。第二鍍覆層9、12例如藉由滾鍍方式使用中性鍍錫浴使Sn析出而形成。藉由以上步驟獲得積層線圈零件1。 如上所述，於本實施形態中，坯體2之表面由絕緣層3覆蓋。因此，即便於使坯體2之燒結性降低之情形時，亦可防止鐵氧體晶粒自坯體2脫落。 於構成絕緣層3之玻璃存在於坯體2之表面區域內之鐵氧體之晶粒間之情形時，有自玻璃對坯體2作用應力而坯體2之磁氣特性降低之虞。相對於此，於積層線圈零件1，玻璃不存在於坯體2之表面區域內之鐵氧體之晶粒間，因此，來自玻璃之應力不易作用於坯體2。其結果，於積層線圈零件1，坯體2之磁氣特性之降低得以抑制。 坯體2之表面區域之平均結晶粒徑為0.5～1.5 μm。藉此，將坯體2中產生之殘留應力抑制得較低。 坯體2之表面之孔隙率為10～30%。藉此，可確保坯體2之強度。於坯體2之表面之孔隙率大於30%之情形時，坯體2之強度降低，於受到衝擊之情形等時，有坯體2因外力而產生損傷之虞。於坯體2之表面之孔隙率小於10%之情形時，有難以緩和坯體2中產生之殘留應力之虞。 於絕緣層3為由玻璃構成之層之情形時，可於同一燒附過程中形成絕緣層3與基底電極層7、10。於該情形時，積層線圈零件1之製造過程簡化。又，於構成絕緣層3之絕緣材料為玻璃之情形時，形成較薄且均勻之絕緣層3。 於絕緣層3形成有複數個貫通孔3a。藉由存在於絕緣層3之複數個貫通孔3a而吸收作用於絕緣層3本身之應力。其結果，於積層線圈零件1，可抑制絕緣層3產生損傷。 以上，對本發明之實施形態進行了說明，但本發明並非必須限定於上述實施形態，可於不脫離其主旨之範圍內進行各種變更。 於上述實施形態中，絕緣層3並不限定於由玻璃構成之層。絕緣層3亦可為包含玻璃以外之絕緣材料、例如環氧樹脂等樹脂材料之層。即便於絕緣層3為包含玻璃以外之絕緣材料之層之情形時，構成絕緣層3之絕緣材料亦不存在於坯體2之表面區域內之鐵氧體之晶粒間。 於上述實施形態中，外部電極4、5包含電極部分4a、4b、電極部分4c、5c、4d、5d、以及電極部分4d、5d、4e、5e。然而，外部電極4、5之形狀並不限定於此。例如，外部電極4亦可僅形成於坯體2之端面2a，外部電極5亦可僅形成於坯體2之端面2b。例如，外部電極4亦可形成於端面2a、與主面2c、2d及側面2e、2f中之至少一面，外部電極5亦可形成於端面2b、與主面2c、2d及側面2e、2f中之至少一面。
1‧‧‧積層線圈零件
2‧‧‧坯體
2a‧‧‧端面
2b‧‧‧端面
2c‧‧‧主面
2d‧‧‧主面
2e‧‧‧側面
2f‧‧‧側面
3‧‧‧絕緣層
3a‧‧‧貫通孔
4‧‧‧外部電極
4a‧‧‧電極部分
4b‧‧‧電極部分
4c‧‧‧電極部分
4d‧‧‧電極部分
4e‧‧‧電極部分
5‧‧‧外部電極
5a‧‧‧電極部分
5b‧‧‧電極部分
5c‧‧‧電極部分
5d‧‧‧電極部分
5e‧‧‧電極部分
6‧‧‧絕緣體層
7‧‧‧基底電極層
8‧‧‧第一鍍覆層
9‧‧‧第二鍍覆層
10‧‧‧基底電極層
11‧‧‧第一鍍覆層
12‧‧‧第二鍍覆層
15‧‧‧線圈
16a‧‧‧線圈導體
16b‧‧‧線圈導體
16c‧‧‧線圈導體
16d‧‧‧線圈導體
16e‧‧‧線圈導體
16f‧‧‧線圈導體
17‧‧‧連接導體
18‧‧‧連接導體
19a～19e‧‧‧通孔導體
20‧‧‧突出部
21‧‧‧突出部
30‧‧‧構造體
31‧‧‧膜
2‧‧‧坯體
2a‧‧‧端面
2b‧‧‧端面
2c‧‧‧主面
2d‧‧‧主面
2e‧‧‧側面
2f‧‧‧側面
3‧‧‧絕緣層
3a‧‧‧貫通孔
4‧‧‧外部電極
4a‧‧‧電極部分
4b‧‧‧電極部分
4c‧‧‧電極部分
4d‧‧‧電極部分
4e‧‧‧電極部分
5‧‧‧外部電極
5a‧‧‧電極部分
5b‧‧‧電極部分
5c‧‧‧電極部分
5d‧‧‧電極部分
5e‧‧‧電極部分
6‧‧‧絕緣體層
7‧‧‧基底電極層
8‧‧‧第一鍍覆層
9‧‧‧第二鍍覆層
10‧‧‧基底電極層
11‧‧‧第一鍍覆層
12‧‧‧第二鍍覆層
15‧‧‧線圈
16a‧‧‧線圈導體
16b‧‧‧線圈導體
16c‧‧‧線圈導體
16d‧‧‧線圈導體
16e‧‧‧線圈導體
16f‧‧‧線圈導體
17‧‧‧連接導體
18‧‧‧連接導體
19a～19e‧‧‧通孔導體
20‧‧‧突出部
21‧‧‧突出部
30‧‧‧構造體
31‧‧‧膜
圖1係表示一實施形態之積層線圈零件之立體圖。 圖2係用於說明沿著圖1中之II-II線之剖面構成之圖。 圖3係表示線圈導體之構成之立體圖。 圖4A及圖4B係用於說明積層線圈零件之製造過程之圖。 圖5A及圖5B係表示坯體之表面區域與坯體中之線圈導體間之區域之各SEM照片的圖。 圖6A及圖6B係表示絕緣層之表面與絕緣層以及坯體之剖面構成之線圖。 圖7A及圖7B係用於說明積層線圈零件之製造過程之圖。 圖8A、圖8B、以及圖8C係用於說明積層線圈零件之製造過程之圖。
Claims (9)
- 一種積層線圈零件，其具備：坯體，其由鐵氧體燒結體構成；及線圈，其包括並列設置於上述坯體內並且相互電性連接之複數個內部導體；上述坯體之表面區域之平均結晶粒徑小於上述坯體中之上述內部導體間之區域之平均結晶粒徑，且上述坯體之表面由包含絕緣材料之層覆蓋，上述絕緣材料不存在於上述坯體之上述表面區域內之晶粒間。
- 如請求項1之積層線圈零件，其中上述坯體之上述表面區域之平均結晶粒徑為0.5~1.5μm。
- 如請求項1或2之積層線圈零件，其中上述坯體之上述表面之孔隙率為10~30%。
- 如請求項3之積層線圈零件，其中上述絕緣材料為玻璃。
- 如請求項4之積層線圈零件，其中於包含上述絕緣材料之上述層形成有貫通孔。
- 如請求項3之積層線圈零件，其中於包含上述絕緣材料之上述層形成有貫通孔。
- 如請求項1或2之積層線圈零件，其中上述絕緣材料為玻璃。
- 如請求項7之積層線圈零件，其中於包含上述絕緣材料之上述層形成有貫通孔。
- 如請求項1或2之積層線圈零件，其中於包含上述絕緣材料之上述層形成有貫通孔。
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