JPH0897025A

JPH0897025A - チップトランス用磁性材料及びチップトランス

Info

Publication number: JPH0897025A
Application number: JP6258953A
Authority: JP
Inventors: Tatsuya Chiba; 龍矢千葉
Original assignee: Tokin Corp
Current assignee: Tokin Corp
Priority date: 1994-09-27
Filing date: 1994-09-27
Publication date: 1996-04-12

Abstract

(57)【要約】【目的】ＭＨｚ帯で使用して、コアロスの値が小さ
く、１００℃付近でコアロスが最小となるチップトラン
ス用磁性材料を得る。【構成】主成分として、Ｆｅ₂Ｏ₃が５１.０ｍｏｌ％
〜５２.５ｍｏｌ％、ＭｎＯが３７.０ｍｏｌ％〜４５.
０ｍｏｌ％、残部ＺｎＯからなるＭｎ−Ｚｎフェライト
であって、気孔率が１０％以上２５％以下であり、結晶
粒径が１μｍ以下にしたＭｎ−Ｚｎ系フェライト焼成体
とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電気回路に組み込むチ
ップトランス用磁性材料に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、各種電子機器の小型化、軽量化に
伴い、電子機器において、配線基板への各部品の実装に
ついては、表面実装化が急速に進められている。電源用
トランスにおいても、磁性材と巻線とを一体に焼結して
得られる、いわゆるチップトランスが望まれている。

【０００３】トランスをチップ化しようとする場合、磁
性材としては、ニッケル−銅−亜鉛（Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚ
ｎ）系フェライトと、マンガン−亜鉛（Ｍｎ−Ｚｎ）系
フェライト等が考えられる。しかしながら、Ｎｉ−Ｃｕ
−Ｚｎ系フェライトでは、ＭＨｚ帯で励振した時、コア
ロスが大きくなり、発熱量が大きく、効率が悪く、低パ
ワーで小形のトランスしか作製できず、チップ化しにく
い欠点がある。

【０００４】又、トランスの発熱による暴走を防止する
ため、通常、トランスに用いる磁性材料のコアロスの温
度特性は、トランスの環境温度より高温となる動作時の
温度以上で最小となるように作られている。

【０００５】Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトにおいて
は、材料組成を調整することにより、動作時の磁性材の
温度より高い温度で、コアロスが最小となる材料とする
ことはある程度可能であるが、コアロスを小さくするこ
とと、動作時の温度でコアロスが最小となる特性を同時
に満足するに至っていない。

【０００６】他方、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトでは、従来
のトランス用磁性材料においては、ＭＨｚ帯域でコアロ
スが小さい材料は得られておらず、ＭＨｚ帯で使用する
チップトランス用磁性材料として、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ
系、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトのいずれにおいても、適当
な磁性材料は得られていない。

【０００７】又、チップトランスとして、高性能化を図
るためには、チップインダクターと同様に、磁性材と巻
線を形成する導体とを一体焼成することが可能でなけれ
ばならず、又、磁性材料が巻線を形成する導体となる銀
（Ａｇ）と反応することがなく、磁性材料により導体が
断線する等の不具合がないことが必須条件となる。又、
導体としては、Ａｇ単成分の方が電気抵抗が小さい。こ
のＡｇの融点は、９６０℃と低いため、巻線用導体とフ
ェライトとの反応、又は断線、又は剥離等を生ぜず、高
性能を図るためには、この融点以下の、できるだけ低い
温度で焼成が可能で、チップトランスを形成する条件を
満たす磁性材料とすることが必要となる。

【０００８】Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系材料を磁性材料として
用いる場合、Ａｇより融点の高い、従来使用されている
Ａｇ−Ｐｄ合金を巻線用導体材として使用するか、フェ
ライトの焼結性を向上させる手段として、酸化銅（Ｃｕ
Ｏ）の量を増加することにより、焼成温度の低下を図る
ことが考えられる。

【０００９】しかしながら、前者では、Ａｇに比べ、Ａ
ｇ−Ｐｄ合金では電気抵抗値が高く、銅損を大きくする
という欠点がある。このため、Ａｇ−Ｐｄ合金を使用す
ることは、望ましくない。一方、Ａｇを使用すると、焼
成温度がＡｇの融点以上であるため、Ａｇがフェライト
に固容して、フェライトの磁気特性を劣化させるだけで
なく、短絡等の不具合が生ずるため、Ａｇを容易に使用
できない欠点があった。

【００１０】又、後者では、Ａｇを容易に使用できない
ので、Ａｇを使用する時、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライ
トにＣｕＯを多量に含有せしめることで、焼成温度を低
下させることは、ある程度可能である。しかし、磁気特
性が劣化する問題が生ずる。

【００１１】Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトにおいては、Ａｇ
は使用できない理由として、通常の焼成条件は、１００
０℃〜１４００℃であるため、銀単体を巻線用導体とし
て一体焼成することは困難であることがあげられる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、これ
らの欠点を除去し、巻線用導体としてＡｇが使用でき、
しかも、ＭＨｚ帯における高周波において、良好なコア
ロスと、コアロスが最小となる温度が実用温度範囲であ
る温度特性を有し、磁性層と巻線用導体の短絡等が生ず
ることのない、一体焼成することのできる、トランスと
して優れた性能を発揮できるチップトランス用磁性材料
及びチップトランスを提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、Ａｇの融点以
下の温度範囲で焼成が可能で、しかも、優れたトランス
に用いる磁性材料の特性を有するチップトランス用磁性
材料及びチップトランスを得ることにある。

【００１４】本発明者らは、種々の検討を行った結果、
チップトランス用磁性材料として、酸化鉄（Ｆｅ₂Ｏ₃）
が５１.０ｍｏｌ％〜５２.５ｍｏｌ％、酸化マンガン
（ＭｎＯ）が３７.０ｍｏｌ％〜４５.０ｍｏｌ％、残部
酸化亜鉛（ＺｎＯ）よりなるＭｎ−Ｚｎフェライトであ
って、焼成体の結晶粒径が１μｍ以下であり、かつ、気
孔率が１０％以上２５％以下であり、加えて、トランス
としての構造がＭｎ−Ｚｎフェライトの磁性層、及びＡ
ｇの導体層、及びアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、ジルコニア
（ＺｒＯ₂）、酸化チタン（ＴｉＯ₂）、又は二酸化硅素
（ＳｉＯ₂）の少なくとも１種よりなる絶縁層との三層
積層型のチップトランスとすることで、特に、ＭＨｚ帯
域において優れたコアロスの温度特性を有するチップト
ランスを製造可能とするチップトランス用磁性材料であ
ることを知見した。

【００１５】フェライトのコアロスは、渦電流損、ヒス
テリシス損、その他の損失よりなっており、ＭＨｚ帯で
は、その他の損失が支配的であるといわれている。

【００１６】本発明品は、従来の低周波で動作するトラ
ンス用磁性材料の一般的な組成であるＦｅ₂Ｏ₃が５２.
５ｍｏｌ％〜５３.０ｍｏｌ％、ＭｎＯが３５.０ｍｏｌ
％〜３８.０ｍｏｌ％、残部ＺｎＯの値に比べて、より
低いＦｅ₂Ｏ₃、高いＭｎＯの組成比であることに加え、
低温で焼成するため、焼成体の結晶粒径を微細にするこ
とにより、比透磁率μｉを低減させ、一方、その他の損
失に含まれる共鳴損失を低減でき、全体のコアロスの低
減がなされる。

【００１７】又、トランスの発熱による暴走を防止する
一つの手段として、通常、コアロスの温度特性は、トラ
ンスの使用環境温度より高温で最小となるように設計さ
れる。本発明では、前記したごとく、従来の低周波材と
比較し、低いＦｅ₂Ｏ₃、高いＭｎＯの組成比としてい
る。ヒステリシス損失が最小となる温度が高温側にある
ため、コアロスの温度特性を改善することを可能として
いる。

【００１８】又、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトの比抵抗は、
１〜１０³Ω・ｃｍと、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトと
比較して低く、磁性材料の表面に印刷した導体間で磁性
材を間にした短絡が問題となるが、本発明では、磁性層
と巻線用導体層間に絶縁層として、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｚｒ
Ｏ₂、ＴｉＯ₂、ＳｉＯ₂の少なくとも１種よりなる絶縁
層を積層することにより、高周波域における材料の比抵
抗の値が小さいために生ずるコアロスの増大を防止し、
問題を解決することができ、ＭＨｚ帯におけるコアロス
の値をより小さくしたチップトランス用磁性材料及びチ
ップトランスとすることができ、又、絶縁層の層間に巻
線用導体も形成できる。

【００１９】即ち、本発明は、主成分として、酸化鉄
（Ｆｅ₂Ｏ₃）が５１.０ｍｏｌ％〜５２.５ｍｏｌ％、酸
化マンガン（ＭｎＯ）が３７.０ｍｏｌ％〜４５.０ｍｏ
ｌ％、残部酸化亜鉛（ＺｎＯ）の組成よりなるＭｎ−Ｚ
ｎフェライトからなる焼成体であって、気孔率が１０％
以上２５％以下であり、結晶粒径が１μｍ以下であるこ
とを特徴とするチップトランス用磁性材料である。

【００２０】又、本発明は、主成分として、Ｆｅ₂Ｏ₃が
５１.０ｍｏｌ％〜５２.５ｍｏｌ％、ＭｎＯが３７.０
ｍｏｌ％〜４５.０ｍｏｌ％、残部ＺｎＯの組成比で、
焼成体の気孔率が１０％ないし２５％、結晶粒径が１μ
ｍ以下であるＭｎ−Ｚｎフェライトの磁性層と、アルミ
ナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、ジルコニア（ＺｒＯ₂）、酸化チタン
（ＴｉＯ₂）、又は二酸化硅素（ＳｉＯ₂）の少なくとも
１種を含む絶縁層と、該絶縁層間に巻線用の銀（Ａｇ）
の導体を積層し、一体に構成してなることを特徴とする
チップトランスである。

【００２１】

【作用】本発明において、Ｆｅ₂Ｏ₃を５１.０ｍｏｌ％
〜５２.５ｍｏｌ％、ＭｎＯを３７.０ｍｏｌ％〜４５.
０ｍｏｌ％、残部ＺｎＯとしたのは、Ｆｅ₂Ｏ₃が５２.
５ｍｏｌ％より大きく、もしくは、ＭｎＯが３７.０ｍ
ｏｌ％未満であると、コアロスが最小となる温度が低
く、トランスの発熱による暴走を招くため、好ましくな
い。又、Ｆｅ₂Ｏ₃が５１.０ｍｏｌ％未満、もしくは、
ＭｎＯが４５.０ｍｏｌ％より大きい場合では、コアロ
スの増大を招くため、好ましくない。

【００２２】又、気孔率を２５％以下としたのは、例え
低密度であっても、コアロスの特性上は問題ないが、焼
結体強度が得られないだけではなく、水分の吸収等によ
り、巻線用導体に短絡が発生するためである。気孔率を
１０％以上としたのは、１０％未満となる焼成条件で
は、焼成温度が高すぎ、異常粒が発生し、著しくコアロ
スの増大をもたらすためである。

【００２３】更に、結晶粒径を１.０μｍ以下としたの
は、１.０μｍより大きいと、比透磁率が高くなり、損
失要因である共鳴損失の増大と思われるコアロスの増大
を招くためである。

【００２４】本発明のチップトランス用磁性材料におい
て、ＭＨｚ帯の高周波領域でコアロス特性が良好となる
原因としては、従来のトランス用磁性材として、低周波
域で用いられている材料の一般的な組成が、Ｆｅ₂Ｏ₃の
値が５２.５ｍｏｌ％〜５３.０ｍｏｌ％、ＭｎＯの値が
３５.０ｍｏｌ％〜３８.０ｍｏｌ％、残部ＺｎＯに対
し、より低いＦｅ₂Ｏ₃の組成比と、高いＭｎＯの組成比
であることに加え、低温で焼成するため、焼成体の結晶
粒径は微細であることであり、その結果、比透磁率μｉ
が低減できるため、その他の損失に含まれる共鳴損失を
低減でき、コアロスの低減がなされる。

【００２５】本発明におけるチップトランス用磁性材料
を用いることにより、巻線用導体と磁性材の一体焼成が
可能となり、かつ、磁気特性に優れたチップトランスの
製造が可能となる。

【００２６】

【実施例】以下に、本発明の実施例について詳細に説明
する。

【００２７】（実施例１）主成分として、酸化鉄（Ｆｅ
₂Ｏ₃）の原料粉末を５１.０ｍｏｌ％、酸化マンガン
（ＭｎＯ）の原料粉末を４０.０ｍｏｌ％、酸化亜鉛
（ＺｎＯ）の原料粉末を８.０ｍｏｌ％となるように秤
量し、混合し、７００℃〜９００℃で１時間仮焼した粉
末に、微量添加物として、０.１５ｗｔ％のＳｉＯ₂、及
び０.１０ｗｔ％のＣａＯ、及び０.５ｗｔ％のＨｆＯ₂
を添加した後、粉砕上がりの平均粉末粒径が０.１μｍ
〜０.８μｍとなるようにボールミルで２時間〜２００
時間粉砕し、造粒し、１０ｍｍφ×６ｍｍφ×２ｍｍ厚
のトロイダル形状に２ｔ／ｃｍ²の圧力で成形し、得ら
れた成形体を酸素分圧を制御した窒素気流中で７５０℃
〜９００℃の温度で焼成した。

【００２８】微粉砕後の粉末の粒度分布を測定したとこ
ろ、平均粉末粒径は、０.１μｍ〜０.８μｍであった。
得られた焼成体の結晶粒径、気孔率、コアロスの値を表
１に示す。

【００２９】

【表１】

【００３０】表１に示す通り、得られた焼成体の結晶粒
径の範囲は、０.２μｍ〜１.２５μｍ、気孔率の範囲
は、７〜２９％であった。

【００３１】酸化鉄（Ｆｅ₂Ｏ₃）、酸化ニッケル（Ｎｉ
Ｏ）、酸化銅（ＣｕＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を酸化物
換算組成で、１６ＮｉＯ・５ＣｕＯ・３０ＺｎＯ・４９Ｆ
ｅ₂Ｏ₃となるように秤量し、混合し、大気中８００℃で
仮焼した。更に、この粉末をボールミルにて５時間粉砕
した。次に、これらの粉末を１０ｍｍφ×６ｍｍφ×２
ｍｍ厚のトロイダル形状に２ｔ／ｃｍ²の圧力で成形
し、８００℃で焼成した。

【００３２】表１に、本発明品の平均結晶粒径と気孔
率、及び励振周波数が３ＭＨｚ、磁束密度が８０ガウス
（８×１０^-3Ｔ）、測定温度が１００℃におけるコアロ
ス値を示す。又、図１に、表１で示した試料の平均結晶
粒径と気孔率を変えた時の、コアロス値との特性図を示
す。３ＭＨｚ−８０Ｇ−１００℃のコアロス値は、気孔
率が１０％以上２５％以下で、平均結晶粒径が１μｍ以
下である本発明品のコアロスは、小さくなり、格段に優
れていることがわかる。

【００３３】図２は、励振周波数が３ＭＨｚ、磁束密度
が８×１０^-3Ｔ、温度が１００℃におけるコアロスと、
平均結晶粒径が０.４５μｍ〜０.５０μｍの試料の気孔
率の関係を示した特性図である。気孔率が１０％以下で
あると、コアロスは次第に大きくなり、特性としては著
しく劣化することがわかる。

【００３４】図３は、気孔率が１４〜１６％の試料を選
別し、平均結晶粒径と、励振周波数が３ＭＨｚ、磁束密
度が８×１０^-3Ｔ、温度が１００℃におけるコアロスの
関係を示した特性図である。平均結晶粒径が１μｍ以上
であると、コアロスは著しく劣化することがわかる。

【００３５】（実施例２）主成分として、酸化鉄（Ｆｅ
₂Ｏ₃）の原料粉末が５１.０ｍｏｌ％〜５３.０ｍｏｌ
％、酸化マンガン（ＭｎＯ）の原料粉末が３５.０ｍｏ
ｌ％〜４５.０ｍｏｌ％、残部酸化亜鉛（ＺｎＯ）とな
るように秤量し、混合し、８００℃で１時間仮焼した粉
末に、微量添加物として、０.１５ｗｔ％のＳｉＯ₂、
０.１０ｗｔ％のＣａＯ、０.５ｗｔ％のＨｆＯ₂を添加
した後、粉砕上がりの平均粉末粒径が０.２μｍとなる
ようにボールミルで８０時間粉砕し、造粒し、１０ｍｍ
φ×６ｍｍφ×２ｍｍ厚のトロイダル形状に２ｔ／ｃｍ
²の圧力で成形し、得られた成形体を酸素分圧を制御し
た窒素気流中で８５０℃の温度で焼成した。

【００３６】微粉砕後の粉末の粒度分布を測定したとこ
ろ、平均粉末粒径は、０.２μｍであった。又、焼成体
の平均結晶粒径は、０.３５μｍ、気孔率は１３％であ
った。

【００３７】表２に、本発明品のＭｎ−Ｚｎ系フェライ
トの主成分組成を変化させた時の励振周波数３ＭＨｚ、
磁束密度が８×１０^-3Ｔ（８０ガウス）におけるコアロ
ス値とコアロスが最小となる温度を示す。

【００３８】３ＭＨｚで３×１０^-3Ｔの励振条件の時の
コアロスＰ_Bの値は、５０（ｍＷ／ｃｃ）以下の特性が
好ましく、従って、Ｆｅ₂Ｏ₃が５１.０ｍｏｌ％〜５２.
０ｍｏｌ％、ＭｎＯが３７.０ｍｏｌ％〜４５.０ｍｏｌ
％、残部ＺｎＯの条件で比較例に比べて、コアロスが小
さくなることと、コアロスが最小となる温度の両条件を
満足していることがわかる。

【００３９】図４に、実施例１のＮｏ.１に示す試料の
３ＭＨｚ−８０Ｇ時の温度特性を示す。トランスの使用
環境は、約１００℃以下であることが多く、このことを
考えると、本発明品のコアロスが最小となる温度は、１
００℃以上であるので、発熱によるトランスの暴走を押
さえることができる。このため、優れた温度特性を持っ
て、コアロス値も小さい。

【００４０】なお、表２に示す実施例におけるＮｏ.３
の試料は、結晶粒径が１μｍ、気孔率１５％の焼成体で
あり、１ｋＨｚにおける比透磁率の値は、５００であっ
た。

【００４１】

【表２】

【００４２】（実施例３）磁性層を形成する主成分とし
て、酸化鉄（Ｆｅ₂Ｏ₃）の原料粉末を５２.０ｍｏｌ
％、酸化マンガン（ＭｎＯ）の原料粉末を４０.０ｍｏ
ｌ％、酸化亜鉛（ＺｎＯ）の原料粉末を８.０ｍｏｌ％
となるように秤量し、混合し、７００℃〜９００℃で１
時間仮焼した粉末に、微量添加物として、０.１５ｗｔ
％のＳｉＯ₂、０.１０ｗｔ％のＣａＯ、及び０.５ｗｔ
％のＨｆＯ₂を添加した後、粉砕上がりの平均粉末粒径
が０.１μｍ〜０.８μｍとなるようにボールミルで２時
間〜２００時間粉砕し、乾燥した。

【００４３】乾燥したフェライト粉末が１００ｗｔ％に
対し、バインダーとして、エチルセルロースを５ｗｔ
％、溶剤として、メチルイソブチルケトンを４０ｗｔ％
加え、スパイラルミキサーで３時間混合した。

【００４４】又、巻線の導体層として、Ａｇ粉末を１０
０ｗｔ％に対し、バインダーとして、ポリビニールブチ
ラールを５ｗｔ％、溶剤として、メチルイソブチルケト
ンを４０ｗｔ％加え、スパイラルミキサーで３時間混合
した。

【００４５】同様に、絶縁層として、Ａｌ₂Ｏ₃＝１００
ｗｔ％（１）、ＺｒＯ₂＝１００ｗｔ％（２）、ＴｉＯ₂
＝１００ｗｔ％（３）、ＳｉＯ₂＝１００ｗｔ％
（４）、Ａｌ₂Ｏ₃＋ＺｒＯ₂＝５０＋５０ｗｔ％
（５）、Ａｌ₂Ｏ₃＋ＴｉＯ₂＝５０＋５０ｗｔ％
（６）、Ａｌ₂Ｏ₃＋ＳｉＯ₂＝５０＋５０ｗｔ％（７）
の粉末に対し、バインダーとして、エチルセルロースを
５ｗｔ％、溶剤として、メチルイソブチルケトンを４０
ｗｔ％加え、スパイラルミキサーで３時間混合し、７種
の絶縁層を用意した。

【００４６】これらをドクターブレード法により、３ｍ
×３ｃｍのフィルム上に成膜し、乾燥し、厚さ１００μ
ｍの磁性層と、厚さ５０μｍの絶縁層と、厚さ３０μｍ
の導体層と、厚さ５０μｍの絶縁層とを１ユニットと
し、１０回繰り返し印刷し（最終ユニットはプラス磁性
層とする）、８５０℃で１時間、酸素分圧を制御した窒
素気流中で焼成した。又、比較例としては、前記の絶縁
層を成膜していない試料を焼成した。

【００４７】表３に、厚さ１００μｍの磁性層と厚さ５
０μｍのＡｌ₂Ｏ₃，ＺｒＯ₂，ＴｉＯ₂，ＳｉＯ₂の少な
くとも１種を含む絶縁層と、厚さ５０μｍの導体層と、
前記絶縁層と磁性層とを交互に積層した試料の磁性層の
外側面間で測定した比抵抗値と、絶縁層を成膜していな
い試料を比較品の比抵抗として示す。

【００４８】

【表３】

【００４９】絶縁層を成膜していない試料と比較し、絶
縁層を積層した試料の比抵抗値が著しく高く、巻線用導
体層を間に積層しても高い電気絶縁性を示し、本発明に
よる１μｍ以下の微結晶粒と気孔率が１０％ないし２５
％の特徴を有するＭｎ−Ｚｎフェライトと、Ａｌ₂Ｏ₃，
ＺｒＯ₂，ＴｉＯ₂，ＳｉＯ₂の絶縁層を交互に積層した
チップトランス用フェライトは、高周波域においてのコ
アロスを低減し、チップトランス用磁性材料として有用
である。

【００５０】

【発明の効果】以上、述べたごとく、本発明によれば、
Ｆｅ₂Ｏ₃が５１.０ｍｏｌ％〜５２.５ｍｏｌ％、ＭｎＯ
が３７.０ｍｏｌ％〜４５.０ｍｏｌ％、残部ＺｎＯより
なるＭｎ−Ｚｎフェライトの焼成体の気孔率が１０％以
上ないし２５％以下で、平均結晶粒径が１μｍ以下とな
るように焼成することにより、コアロスを小さくするこ
とと、コアロスが最小となる温度が高温領域にあるとい
う優れた磁気特性を有するチップトランス用磁性材料が
得られ、特に、ＭＨｚ帯域において優れた磁気特性を有
するチップトランスが製造可能である。

【００５１】又、チップトランス用磁性材料を用いてＡ
ｇを巻線用導体として使用することが可能となり、Ａｇ
を使用して巻線用導体とし、Ａｌ₂Ｏ₃，ＺｒＯ₂，Ｔｉ
Ｏ₂，ＳｉＯ₂の少なくとも１種を絶縁層とすることによ
って、磁性層と導体層との一体焼成が可能となり、磁性
材料により導体が断線する等の不具合がない、優れたチ
ップトランスが得られる。よって、優れた性能を発揮で
きるチップトランス用磁性材料及びチップトランスを提
供することが可能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による表１で示した試料の結晶粒径と気
孔率をパラメータとした時の励振周波数３ＭＨｚ、磁束
密度８×１０^-3Ｔ（８０ガウス）、１００℃におけるコ
アロスの特性図。

【図２】本発明による結晶粒径が０.４５μｍ〜０.５０
μｍの試料を選別し、気孔率とコアロスの関係を示した
特性図。但し、励振周波数３ＭＨｚ、磁束密度が８×１
０^-3Ｔ（８０ガウス）、温度１００℃。

【図３】本発明による気孔率が１４％〜１６％の試料を
選別し、結晶粒径とコアロスの関係を示した特性図。但
し、励振周波数３ＭＨｚ、磁束密度が８×１０^-3Ｔ（８
０ガウス）、温度１００℃。

【図４】本発明により特に良好であった試料と比較例の
励振周波数が３ＭＨｚ、磁束密度が８×１０^-3Ｔ（８０
ガウス）の時の温度特性を示す特性図。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】主成分として、酸化鉄（Ｆｅ₂Ｏ₃）が５
１.０ｍｏｌ％〜５２.５ｍｏｌ％、酸化マンガン（Ｍｎ
Ｏ）が３７.０ｍｏｌ％〜４５.０ｍｏｌ％、残部酸化亜
鉛（ＺｎＯ）の組成よりなるＭｎ−Ｚｎフェライトから
なる焼成体であって、気孔率が１０％以上２５％以下で
あり、結晶粒径が１μｍ以下であることを特徴とするチ
ップトランス用磁性材料。
【請求項２】主成分として、Ｆｅ₂Ｏ₃が５１.０ｍｏ
ｌ％〜５２.５ｍｏｌ％、ＭｎＯが３７.０ｍｏｌ％〜４
５.０ｍｏｌ％、残部ＺｎＯの組成比で、焼成体の気孔
率が１０％ないし２５％、結晶粒径が１μｍ以下である
Ｍｎ−Ｚｎフェライトの磁性層と、アルミナ（Ａｌ
₂Ｏ₃）、ジルコニア（ＺｒＯ₂）、酸化チタン（Ｔｉ
Ｏ₂）、又は二酸化硅素（ＳｉＯ₂）の少なくとも１種を
含む絶縁層と、該絶縁層間に巻線用の銀（Ａｇ）の導体
を積層し、一体に構成してなることを特徴とするチップ
トランス。