TWI620613B - Manufacturing method of component mounting substrate, thermosetting resin composition, prepreg, multilayer printed wiring board, and component mounting substrate - Google Patents

Manufacturing method of component mounting substrate, thermosetting resin composition, prepreg, multilayer printed wiring board, and component mounting substrate Download PDF

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Abstract

本發明提供一種可對應於零件安裝基板之進一步薄型化，且即使經歷回焊步驟之零件安裝之高溫後，亦不易產生基板翹曲之零件安裝基板之製造方法，及適於薄型之零件安裝基板之絕緣層形成之熱硬化性樹脂組成物。
本發明之零件安裝基板之製造方法之特徵係包含下列步驟：使形成於內層基板上之熱硬化性樹脂組成物層加熱硬化而形成硬化物層之熱硬化步驟，及利用回焊將零件安裝於具有該硬化物層之基板上之回焊步驟；且熱硬化性樹脂組成物層之熱硬化步驟後之x-y方向之收縮率(S1)為0.35%以下，硬化物層之回焊步驟後之x-y方向之收縮率(S2)為0.4%以下，且S1與S2滿足S2-S1≦0.08之關係；且本發明之熱硬化性樹脂組成物係用以形成絕緣層之熱硬化性樹脂組成物，其特徵係以熱硬化後之x-y方向之收縮率(S1)成為0.35%以下之條件下熱硬化之該熱硬化性樹脂組成物之硬化物，在依據IPC/JEDEC J-STD-020C之回焊溫度分佈加熱後之x-y方向之收縮率(S2)為0.4%以下，且S1與S2滿足S2-S1≦0.08之關係。

Description

零件安裝基板之製造方法、熱硬化性樹脂組成物、預浸體、多層印刷配線板、及零件安裝基板
本發明係關於零件安裝基板之製造方法及用於形成零件安裝基板之絕緣層之熱硬化性樹脂組成物。
多層印刷基板之製造技術已知有利用於芯基板上交互重疊絕緣層與導體層而成之增層方式之製造方法。利用增層方式之製造方法中，一般絕緣層係使樹脂組成物硬化而形成。作為該樹脂組成物已知係使用環氧樹脂組成物(專利文獻1)。
近年來，製造多層印刷基板時，為防止因絕緣層與導體層之熱膨脹差造成之龜裂或電路變形，而傾向於將二氧化矽粒子等無機填充材大量調配於樹脂組成物中(專利文獻2)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2007-254709號公報
[專利文獻2]日本特開2010-202865號公報
在多層印刷基板中期望進而薄型化中，芯基板或絕緣層之厚度有逐漸變薄之傾向。然而，因芯基板或絕緣層之薄型化，絕緣層容易受到因熱收縮之影響。本發明人等於利用回焊步驟將零件安裝於基板上而製造零件安裝基板時，發現尤其關於薄型基板，因高溫下之絕緣層收縮，使基板之翹曲容易顯現化之問題。
據此，本發明之課題為了對應於零件安裝基板之進而薄型化，而提供即使經歷利用回焊步驟之零件安裝之高溫後，亦不易產生基板翹曲之零件安裝基板之製造方法。再者本發明之課題係提供一種適於薄型之零件安裝基板之絕緣層形成之熱硬化性樹脂組成物。
本發明人等鑒於上述課題而積極檢討之結果，著眼於零件安裝基板之絕緣層形成所使用之熱硬化性樹脂組成物中，於內層基板上形成之熱硬化性樹脂組成物層之熱硬化步驟後之收縮率，與因熱硬化形成之硬化物層(絕緣層)之回焊步驟後之收縮率及該等之差，發現該等各收縮率、及該等收縮率之差成為一定值以下時，即使是薄型基板亦可抑制回焊步驟後之基板之翹曲，因而完成本發明。亦即本發明包含以下之內容。
[1]一種零件安裝基板之製造方法，其特徵係包含下述步驟：使形成於內層基板上之熱硬化性樹脂組成物層加熱硬化，形成硬化物層之熱硬化步驟，及利用回焊將零件安裝於具有該硬化物層之基板上之回焊步驟；且熱硬化性樹脂組成物層之熱硬化步驟後之x-y方向之收縮率(S1)為0.35%以下，硬化物層之回焊步驟後之x-y方向之收縮率(S2)為0.4%以下，且S1與S2滿足S2-S1≦0.08之關係。
[2]如[1]所記載之方法，其中熱硬化性樹脂組成物含有環氧樹脂、硬化劑及無機填充材。
[3]如[2]所記載之方法，其含有二氧化矽作為無機填充材。
[4]如[2]所記載之方法，其含有摻雜鈦之二氧化矽作為無機填充材。
[5]如[2]~[4]中任一項所記載之方法，其中將熱硬化性樹脂組成物中之不揮發性成分設為100質量%時，熱硬化性樹脂組成物中之無機填充材之含量為40質量%以上。
[6]如[1]~[5]中任一項所記載之方法，其中熱硬化步驟中之加熱溫度為120℃~240℃。
[7]如[1]~[6]中任一項所記載之方法，其中回焊步驟中之峰值溫度為210℃~330℃。
[8]如[1]~[7]中任一項所記載之方法，其中熱硬化性樹脂組成物層係藉由將熱硬化性樹脂組成物含浸於纖維基 材中所成之預浸體而形成。
[9]如[1]~[8]中任一項所記載之方法，其中熱硬化性樹脂組成物層係於內層基板上層合接著薄膜所形成者，該接著薄膜係在載體薄膜上形成有熱硬化性樹脂粗組成物層而成。
[10]如[1]~[8]中任一項所記載之方法，其中熱硬化性樹脂組成物層係於內層基板上層合附載體之預浸體所形成者，該附載體之預浸體係在載體薄膜上形成有將熱硬化性樹脂組成物含浸於纖維基材上而成之預浸體者。
[11]如[1]~[10]中任一項所記載之方法，其中硬化物層之厚度為3~200μm。
[12]如[1]~[11]中任一項所記載之方法，其中零件為半導體晶片、中介片(Interposer)或被動元件。
[13]如[12]所記載之方法，其中零件為半導體晶片。
[14]一種熱硬化性樹脂組成物，其係用以形成絕緣層之熱硬化性樹脂組成物，其特徵為在使熱硬化後之x-y方向之收縮率(S1)成為0.35%以下之條件下熱硬化之該熱硬化性樹脂組成物之硬化物，依據IPC/JEDEC J-STD-020C之回焊溫度分佈加熱後之x-y方向之收縮率(S2)為0.4%以下，且S1與S2滿足S2-S1≦0.08之關係。
[15]如[14]所記載之熱硬化性樹脂組成物，其中回焊之峰值溫度為260℃。
[16]如[15]所記載之熱硬化性樹脂組成物，其中熱硬 化性樹脂組成物含有環氧樹脂、硬化劑及無機填充材。
[17]如[16]所記載之熱硬化性樹脂組成物，其含有二氧化矽作為無機填充材。
[18]如[16]所記載之熱硬化性樹脂組成物，其含有摻雜鈦之二氧化矽作為無機填充材。
[19]如[16]~[18]中任一項所記載之熱硬化性樹脂組成物，其中將熱硬化性樹脂組成物中之不揮發性成分設為100質量%時，熱硬化性樹脂組成物中之無機填充材之含量為40質量%以上。
[20]一種預浸體，其係將如[15]~[19]中任一項所記載之熱硬化性樹脂組成物含浸於纖維基材中而成。
[21]一種多層印刷配線板，其係由如[15]~[19]中任一項所記載之熱硬化性樹脂組成物之硬化物形成絕緣層而成。
[22]一種零件安裝基板，其係由如[15]~[19]中任一項所記載之熱硬化性樹脂組成物之硬化物形成絕緣層而成。
[23]如[22]所記載之零件安裝基板，其中零件為半導體晶片、中介片或被動元件。
[24]如[23]所記載之零件安裝基板，其中零件為半導體晶片。
依據本發明，係提供一種即使經歷因回焊步 驟之零件安裝之高溫後，亦不易產生基板翹曲之零件安裝基板之製造方法。再者依據本發明，係提供一種適於薄型之零件安裝基板之絕緣層形成之熱硬化性樹脂組成物。本發明尤其可適當地使用於容易產生基板翹曲之薄形零件安裝基板之製造。
圖1係顯示計算S1及S2時之A、B、C、D各點間之稱呼之圖。
圖2係說明IPC/JEDEC J-STD-020C所記載之回焊溫度分佈之圖。
以下，依據本發明之較佳實施形態詳細說明本發明。
本發明之一實施形態係一種零件安裝基板之製造方法，其特徵係包含使形成於內層基板上之熱硬化性樹脂組成物層加熱硬化，形成硬化物層之熱硬化步驟，及利用回焊將零件安裝於具有該硬化物層之基板上之回焊步驟，且熱硬化性樹脂組成物層之熱硬化步驟後之x-y方向之收縮率(S1)為0.35%以下，硬化物層之回焊步驟後之x-y方向之收縮率(S2)為0.4%以下，且S1與S2滿足S2-S1≦0.08之關係。
〈熱硬化步驟〉
本發明之製造方法包含熱硬化步驟，熱硬化步驟係使形成於內層基板上之熱硬化性樹脂組成物層加熱硬化而形成硬化物層。
熱硬化之溫度具體而言可隨使用之熱硬化性樹脂組成物之組成而不同，但基於硬化時間之縮短化與基板之耐熱性均衡之觀點，一般為120℃~240℃，較好為140℃~210℃，更好為150℃~200℃。
本發明中所謂「內層基板」係製造零件內建基板等之印刷基板時成為中間製造物之基板，係指於內層基板上進而形成絕緣層及/或導體層，且構成印刷基板之內層之基板。內層基板之一面或兩面亦可具有經圖形加工之電路配線。內層基板所用之基板列舉為例如玻璃環氧基板、金屬基板、聚酯基板、聚醯亞胺基板、BT樹脂基板、熱硬化型聚苯醚基板、無芯基板等。
基板之一面或兩面具有電路配線時，該電路配線之厚度並無特別限制，但基於層之薄型化之觀點，較好為70μm以下，更好為30μm以下，又更好為20μm以下。電路配線厚度之下限並無特別限制，較好為1μm以上，更好為3μm以上，又更好為5μm以上。
電路配線之線/間隔比並無特別限制，但為了抑制硬化體表面之起伏，較好為200/200μm以下，更好為100/100μm以下，又更好為40/40μm以下，再更好為 20/20μm以下，最好為8/8μm。電路配線之線/間隔比之下限並無特別限制，但為了使樹脂對間隔間之埋入良好，故較好為0.5/0.5μm以上，更好為1/1μm以上。
本發明之熱硬化性樹脂組成物層所用之熱硬化性樹脂組成物並無特別限制，只要以其硬化物作為絕緣層，具有充分硬度與絕緣性者即可。較好使用例如含有環氧樹脂、硬化劑及無機填充材之熱硬化性樹脂組成物。
(環氧樹脂)
本發明中使用之環氧樹脂並無特別限制，列舉為雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、酚酚醛清漆型環氧樹脂、第三丁基-兒茶酚型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、萘醚型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、線狀脂肪族環氧樹脂、具有丁二烯構造之環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、雜環式環氧樹脂、含螺環之環氧樹脂、環己烷二甲醇型環氧樹脂、三羥甲基型環氧樹脂、鹵化環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂等。該等可使用1種或組合2種以上使用。
該等中，基於提高耐熱性、提高絕緣信賴性、提高與金屬箔之密著性之觀點，以雙酚A型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、藥型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、萘醚型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、具有丁二烯構造之環氧 樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂較佳。具體而言，列舉為雙酚A型環氧樹脂(三菱化學(股)製之「EPICOTE 828EL」、「YL980」)、雙酚F型環氧樹脂(三菱化學(股)製之「jER 806H」、「YL983U」)、雙酚A型與雙酚F型之1：1混合物(新日鐵化學(股)製之「ZX1059」)、萘型2官能環氧樹脂(DIC(股)製之「HP4032」、「HP4032D」、「HP4032SS」、「EXA4032SS」)、萘型4官能環氧樹脂(DIC(股)製之「HP4700」、「HP4710」)、萘酚型環氧樹脂(東都化成(股)製之「ESN-475V」)、具有丁二烯構造之環氧樹脂(Daicel化學工業(股)製之「PB-3600」)、具有聯苯構造之環氧樹脂(日本化藥(股)製之「NC3000H」、「NC3000L」、「NC3100」、三菱化學(股)製之「YX4000」、「YX4000H」、「YX4000HK」、「YL6121」)、蒽型環氧樹脂(三菱化學(股)製之「YX8800」)、萘醚型環氧樹脂(DIC(股)製之「EXA-7310」、「EXA-7311」、「EXA-7311L」、「EXA-7311-G3」)、二環戊二烯型環氧樹脂(DIC(股)製之「HP-7200H」)等。
環氧樹脂亦可併用2種以上，但以1分子中含有具有2個以上環氧基之環氧樹脂較佳。其中，更好為含有1分子中具有2個以上環氧基、在溫度20℃為液狀之芳香族系環氧樹脂(以下，稱為「液狀環氧樹脂」)、與1分子中具有3個以上環氧樹脂、在溫度20℃為固體狀之芳香族系環氧樹脂(以下稱為「固體狀環氧樹脂」)之樣 態。又，本發明中所謂芳香族系環氧樹脂係指其分子內具有芳香環構造之環氧樹脂。併用液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂作為環氧樹脂時，就以接著薄膜形態使用樹脂組成物時具有適度可撓性方面或樹脂組成物之硬化物具有適度破裂強度方面而言，其調配比例(液狀環氧樹脂：固體狀環氧樹脂)以質量比計，較好為1：0.1~1：2之範圍，更好為1：0.3~1：1.8之範圍，又更好為1：0.6~1：1.5之範圍。
至於液狀環氧樹脂，較好為雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、酚酚醛清漆型環氧樹脂及萘型環氧樹脂，更好為雙酚A型環氧樹脂及萘型環氧樹脂。該等可使用1種或組合2種以上使用。
至於固體狀環氧樹脂較好為4官能萘型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、三酚環氧樹脂、萘酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂或萘醚型環氧樹脂，更好為4官能萘型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂及萘醚型環氧樹脂。該等可使用1種或組合2種以上使用。
適於本發明之製造方法之樹脂組成物中，基於提高樹脂組成物之硬化物之機械強度或耐水性之觀點，將樹脂組成物中之不揮發成分設為100質量%時，環氧樹脂之含量較好為3~35質量%，更好為5~40質量%，又更好為10~45質量%。
(硬化劑)
本發明所使用之硬化劑並無特別限制，列舉為例如酚系硬化劑、萘酚系硬化劑、活性酯系硬化劑、苯并噁嗪系硬化劑、氰酸酯系硬化劑、酸酐系硬化劑等，其中以酚系硬化劑、萘酚系硬化劑、活性酯系硬化劑較佳。該等可使用1種，或組合2種以上使用。
酚系硬化劑、萘酚系硬化劑並無特別限制，列舉為例如具有酚醛清漆構造之酚系硬化劑或具有酚醛清漆構造之萘酚系硬化劑，較好為酚酚醛清漆樹脂、含三嗪骨架之酚酚醛清漆樹脂、萘酚酚醛清漆樹脂、萘酚芳烷基型樹脂、含三嗪骨架之萘酚樹脂、聯苯芳烷基型酚樹脂。作為，於市售品聯苯芳烷基型酚樹脂為「MEH-7700」、「MEH-7810」、「MEH-7851」、「MEH-7851-4H」(明和化成(股)製)、「GPH」(日本化藥(股)製)，於萘酚酚醛清漆樹脂為「NHN」、「CBN」(日本化藥(股)製)，於萘酚芳烷基型樹脂為「SN170」、「SN180」、「SN190」、「SN475」、「SN485」、「SN495」、「SN395」、「SN375」(東都化成(股)製)，於酚酚醛清漆樹脂為「TD2090」(DIC(股)製)、含三嗪骨架之酚酚醛清漆樹脂「LA3018」、「LA7052」、「LA7054」、「LA1356」(DIC(股)製)等。該等可使用1種或併用2種以上。
活性酯系硬化劑雖無特別限制，但較好使用一般之酚酯類、硫酚酯類、N-羥基胺酯類、雜環羥基化合物之酯類等之1分子中具有2個以上反應活性高的酯基之 化合物。該活性酯系硬化劑較好係藉由使羧酸化合物及/或硫代羧酸化合物與羥基化合物及/或硫醇化合物之縮合反應而得者。尤其就提高耐熱性之觀點而言，較好為由羧酸化合物與羥基化合物獲得之活性酯系硬化劑，更好為由羧酸化合物與酚化合物及/或萘酚化合物獲得之活性酯系硬化劑。至於羧酸化合物列舉為例如苯甲酸、乙酸、琥珀酸、馬來酸、衣康酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、連苯四酸等。酚化合物或萘酚化合物列舉為例如氫醌、間苯二酚、雙酚A、雙酚F、雙酚S、酚酞、甲基化雙酚A、甲基化雙酚F、甲基化雙酚S、苯酚、鄰-甲酚、間-甲酚、對-甲酚、兒茶酚、α-萘酚、β-萘酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二羥基二苯甲酮、三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、均苯三酚(phloroglucin)、苯三酚、二環戊二烯型之二酚化合物(聚環戊二烯型之二酚化合物)、酚酚醛清漆等。活性酯系硬化劑可使用1種或2種以上。活性酯系硬化劑亦可使用日本特開2004-277460號公報中揭示之活性酯系硬化劑，另亦可使用市售者。市售之活性酯系硬化劑較好為含二環戊二烯型二酚縮合構造者、酚酚醛清漆之乙醯化物、酚酚醛清漆之苯甲醯化物等，其中更好為含二環戊二烯型二酚縮合構造者。具體而言，作為含二環戊二烯型二酚縮合構造者列舉為EXB9451、EXB9460、EXB9460S-65T、HPC-8000-65T」(DIC(股)製，活性基當量約223)，作為酚酚醛清漆之乙醯化物列舉為DC808(三菱化學(股)製，活性基當 量約149)，作為酚酚醛清漆之苯甲醯化物列舉為YLH1026(三菱化學(股)製，活性基當量約200)、YLH1030(三菱化學(股)製，活性基當量約201)、YLH1048(三菱化學(股)製，活性基當量約245)等，其中基於漆料之保存安定性、硬化物之熱膨脹率之觀點，以HPC-8000-65T較佳。
至於含二環戊二烯型二酚縮合構造之活性酯系硬化劑更具體列舉為下式之化合物。
(式中，R為苯基、萘基，k表示0或1，n以重複單位之平均計為0.05~2.5)。
就降低介電正切、提高耐熱性之觀點而言，R較好為萘基，另一方面，k較好為0，且n較好為0.25~1.5。
至於苯并噁嗪系硬化劑並無特別限制，具體例列舉為F-a、P-d(四國化成工業(股)製)、HFB2006M(昭和高分子(股)製)。
至於氰酸酯系硬化劑並無特別限制，列舉為例如酚醛清漆型(酚酚醛清漆型、烷基酚酚醛清漆型等)氰 酸酯系硬化劑、二環戊二烯型氰酸酯系硬化劑、雙酚型(雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型等)氰酸酯系硬化劑、及該等經部分三嗪化之預聚物等。氰酸酯系硬化劑之重量平均分子量並無特別限制，較好為500~4500，更好為600~3000。氰酸酯系硬化劑之具體例舉例有例如雙酚A二氰酸酯、多酚氰酸酯(寡聚(3-亞甲基-1,5-伸苯基氰酸酯))、4,4'-亞甲基雙(2,6-二甲基苯基氰酸酯)、4,4’-亞乙基二苯基二氰酸酯、六氟雙酚A二氰酸酯、2,2-雙(4-氰酸酯基)苯基丙烷、1,1-雙(4-氰酸酯基苯基甲烷)、雙(4-氰酸酯基-3,5-二甲基苯基)甲烷、1,3-雙(4-氰酸酯基苯基-1-(甲基亞乙基))苯、雙(4-氰酸酯基苯基)硫醚、雙(4-氰酸酯基苯基)醚等之2官能氰酸酯樹脂，由酚酚醛清漆、甲酚酚醛清漆、含二環戊二烯構造之酚樹脂等衍生之多官能氰酸酯樹脂，該等氰酸酯樹脂一部分經三嗪化之預聚物等。該等可使用1種或組合2種以上使用。
市售之氰酸酯樹脂列舉為以下式等表示之酚酚醛清漆型多官能氰酸酯樹脂(日本LONZA(股)製之PT30S、氰酸酯當量124)等
[式中，n作為平均值，表示任意之數(較好為0~20)]。
以下式表示之雙酚A二氰酸酯之一部分或全部經三嗪化之三聚物之預聚物(日本LONZA(股)製之BA230、氰酸酯當量232)，
以下式表示之含有二環戊二烯構造之氰酸酯樹脂(日本LONZA(股)製之DT-4000、DT-7000)，
(式中，n作為平均值，表示0~5之數)。
酸酐系硬化劑並無特別限制，列舉為例如鄰苯二甲酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐、六氫鄰苯二甲酸酐、甲基四氫鄰苯二甲酸酐、甲基六氫鄰苯二甲酸酐、甲基納迪克酸(nadic acid)酐、氫化甲基納迪克酸酐、三烷基四氫鄰苯二甲酸酐、十二碳烯基琥珀酸酐、5-(2,5-二羧酸四氫-3-呋喃基)-3-甲基-3-環己烯-1,2-二羧酸酐、偏苯三酸酐、均苯四酸酐、二苯甲酮四羧酸酐、聯苯四羧酸二酐、萘四羧酸二酐、氧基二鄰苯二甲酸二酐、3,3’,4,4’-二苯基碸四羧酸二酐、1,3,3a,4,5,9b-六氫-5-(四氫-2,5-二氧代-3-呋喃基)-萘并[1,2-C]呋喃-1,3-二酮、乙二醇雙(偏苯三酸酐)、苯乙烯與馬來酸共聚合之苯乙烯．馬來酸樹脂等聚合物型酸酐等。
熱硬化性樹脂組成物中，基於提高樹脂組成物之硬化物之機械強度或耐水性之觀點，(A)環氧樹脂之環氧基之合計數，與(B)硬化劑之反應基之合計數之比，較好為1：0.2~1：2，更好為1：0.3~1：1.5，又更好為1：0.4~1：1。又所謂樹脂組成物中存在之環氧樹脂之環氧基合計數係針對各環氧樹脂之固體成分質量除以環氧當量之值之所有環氧樹脂合計之值，所謂硬化劑之反應基之合計數係針對各硬化劑之固體成分質量除以反應基當量之值之所有硬化劑合計之值。
上述樹脂組成物中，基於提高樹脂組成物之硬化物之機械強度或耐水性之觀點，將樹脂組成物中之不 揮發成分設為100質量%時，硬化劑之含量較好為3~30質量%，更好為5~25質量%，又更好為10~20質量%。
(無機填充材)
本發明之熱硬化性樹脂組成物基於降低熱膨脹率之觀點，較好含有無機填充材。使用之無機填充材並無特別限制，列舉為例如二氧化矽、氧化鋁、硫酸鋇、滑石、黏土、雲母粉、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、氧化鎂、氮化硼、硼酸鋁、鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鈦酸鉍、氧化鈦、鋯酸鋇、鋯酸鈣等。該等中以二氧化矽較佳。另外，以無定形二氧化矽、粉碎二氧化矽、熔融二氧化矽、結晶二氧化矽、合成二氧化矽、中空二氧化矽、球形二氧化矽、摻雜鈦之二氧化矽等之二氧化矽較佳。且二氧化矽較好為球狀者。球狀二氧化矽之例列舉為Admatechs(股)製之「SOC1」、「SOC2」。無機填充材可使用1種或組合2種以上使用。本發明中熱膨脹率之調整可藉由調整熱硬化性樹脂組成物中所含成分之種類、量而進行，但由於尤其是無機填充材大有助於熱硬化樹脂組成物之低熱膨脹化，故藉由調整無機填充材之種類、量，可較好地地進行熱膨脹率之調整。又摻雜鈦之二氧化矽在無機填充材中由於特別有低熱膨脹傾向，故在本發明中特別適用以調整熱膨脹率之值。
所謂「摻雜鈦之二氧化矽」為例如使TiO2-SiO2玻璃之玻璃形成原料的TiCl4與SiCl4各自氣化後混 合，在氧氫火焰中加熱水解(火焰加熱水解)所得之TiO2-SiO2玻璃微粒子。摻雜鈦之二氧化矽為習知，作為市售品之例，列舉為旭硝子(股)製之「AZ Filler」。無機填充材中調配摻雜鈦之二氧化矽時，將樹脂組成物中所含無機填充材之量設為100質量%，無機填充材中摻雜鈦之二氧化矽調配量較好為10質量%以上，更好為20質量%以上，又更好為30質量%以上，再更好為40質量%以上，又更好50質量%以上，又再更好為60質量%以上，又更好為70質量%以上，再更好為80質量%以上，再更好為90質量%以上，最好為100質量%。
又，作為無機填充材，為了提高耐濕性、分散性，較好為以矽烷偶合劑(環氧基矽烷系偶合劑、胺基矽烷系偶合劑、巰基矽烷系偶合劑等)、鈦酸酯系偶合劑、矽氮烷化合物等表面處理劑進行表面處理者。該等可使用1種或組合2種以上使用。
環氧基矽烷系偶合劑列舉為例如縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、縮水甘油基丁基三甲氧基矽烷、(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷等，至於胺基矽烷系偶合劑列舉為例如胺基丙基甲氧基矽烷、胺基丙基三乙氧基矽烷、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)胺基丙基三甲氧基矽烷等。巰基矽烷系偶合劑列舉為例如巰基丙基三甲氧基矽烷、巰基丙基三乙氧基矽烷等。該等可使用1種或組合2種以上使用。市 售之偶合劑列舉為例如信越化學工業(股)製之「KBM403」(3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業(股)製之「KBM803」(3-巰基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業(股)製之「KBE903」(3-胺基丙基三乙氧基矽烷)、信越化學工業(股)製之「KBM573」(N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷)等。
無機填充材之平均粒徑並無特別限制，但無機填充材之平均粒徑上限值，基於絕緣層上進行微細配線形成之觀點，較好為5μm以下，更好為3μm以下，又更好為1μm以下，再更好為0.7μm以下，又再更好為0.5μm以下，最好為0.4μm以下，又最好為0.3μm以下。另一方面，無機填充材之平均粒徑之下限值，在將環氧樹脂組成物作成樹脂組成物漆料時，基於防止漆料黏度上升、操作性降低之觀點，較好為0.01μm以上，更好為0.03μm以上，又更好為0.05μm以上，再更好為0.07μm以上，最好為0.1μm以上。上述無機填充材之平均粒徑可基於Mie散射理論，藉由雷射繞射．散射法測定。具體而言，可藉由雷射繞射散射式粒度分佈測定裝置，以體積基準作成無機填充材之粒度分佈，以其中值直徑作為平均粒徑而測定。測定樣品可較好地使用以超音波將無機填充材分散於水中者。雷射繞射散射式粒度分佈測定裝置可使用堀場製作所股份有限公司製之LA-500、750、950等。
調配無機填充材時之含量，基於降低熱膨脹率之觀點，將樹脂組成物中之不揮發成分設為100質量% 時，較好為40質量%以上，更好為50質量%以上，又更好為60質量%。無機填充材之含量太少時，有硬化物之熱膨脹率變高之傾向。無機填充材之含量過大時有硬化物變脆之傾向或剝離強度降低之傾向，故無機填充材之最大含量較好為90質量%以下，更好為85質量%以下。
本發明之樹脂組成物中可進一步調配其他成分(例如，熱可塑性樹脂、硬化促進劑、難燃劑等添加劑)。
-熱可塑性樹脂-
熱可塑性樹脂列舉為例如苯氧樹脂、聚乙烯乙縮醛樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醚碸樹脂、及聚碸樹脂等。熱可塑性樹脂可單獨使用1種，或亦可併用2種以上。
熱可塑性樹脂之聚苯乙烯換算之重量平均分子量較好為8,000~70,000之範圍，更好為10,000~60,000之範圍，又更好為20,000~60,000之範圍。熱可塑性樹脂之聚苯乙烯換算之重量平均分子量係以凝膠滲透層析(GPC)法測定。具體而言，熱可塑性樹脂之聚苯乙烯換算之重量平均分子量可使用島津製作所(股)製之LC-9A/RID-6A作為測定裝置，使用昭和電工(股)製之Shodex K-800P/K-804L/K-804L作為管柱，使用氯仿作為移動相，以管柱溫度40℃進行測定，且使用標準聚苯乙烯之校正線算出。
至於苯氧樹脂列舉為例如具有由雙酚A骨架、雙酚F骨架、雙酚S骨架、雙酚苯乙酮骨架、酚醛清漆骨架、聯苯骨架、茀骨架、二環戊二烯骨架、降冰片烯骨架、萘骨架、蒽骨架、金剛烷骨架、萜烯骨架、及三甲基環己烷骨架所組成群組選出之1種以上之骨架的苯氧樹脂。苯氧樹脂之末端可為酚性羥基、環氧基等之任一官能基。苯氧樹脂可單獨使用1種，或亦可併用2種以上。苯氧樹脂之具體例列舉為三菱化學(股)製之「1256」及「4250」(均為含雙酚A骨架之苯氧樹脂)、「YX8100」(含雙酚S骨架之苯氧樹脂)、及「YX6954」(含雙酚苯乙酮骨架之苯氧樹脂)，此外列舉為東都化成(股)製之「FX280」及「FX293」、三菱化學(股)製之「YL7553」、「YL6794」、「YL7213」、「YL7290」及「YL7482」等。
聚乙烯乙縮醛樹脂之具體例列舉為電化學工業(股)製之電化丁醛4000-2、5000-A、6000-C、6000-EP，積水化學工業(股)製之S-LEC BH系列、BX系列、KS系列、BL系列、BM系列等。
聚醯亞胺樹脂之具體例列舉為新日本理化(股)製之「RIKACOAT SN20」及「RIKACOAT PN20」。聚醯亞胺樹脂之具體例又列舉為使2官能性羥基末端聚丁二烯、二異氰酸酯化合物及四元酸酐反應獲得之線狀聚醯亞胺(日本特開2006-37083號公報記載者)、含聚矽氧烷骨架之聚醯亞胺(日本特開2002-12667號公報及日本特開 2000-319386號公報等所記載者)等之改質聚醯亞胺。
聚醯胺醯亞胺樹脂之具體例列舉為東洋紡績(股)製之「VYLOMAX HR11NN」及「VYLOMAX HR16NN」。聚醯胺醯亞胺樹脂之具體例另列舉為日立化成工業(股)製之含有聚矽氧烷骨架之聚醯胺醯亞胺「KS9100」、「KS9300」等之改質聚醯胺醯亞胺。
聚醚碸樹脂之具體例列舉為住友化學(股)製之「PES5003P」等。
聚碸樹脂之具體例列舉為Solvay Advanced Polymers(股)製之聚碸「P1700」、「P3500」等。
將樹脂組成物中之不揮發成分之含量設為100%時，樹脂組成物中之熱可塑性樹脂之含量較好為0.1質量%~20質量%。藉由使熱可塑性樹脂之含量成為該範圍，可使樹脂組成物之黏度適度，可形成厚度或塊性狀之均一樹脂組成物。將樹脂組成物中之不揮發成分之含量設為100%時，樹脂組成物中之熱可塑性樹脂含量更好為1質量%~10質量%。
-硬化促進劑-
作為硬化促進劑，列舉為例如磷系硬化促進劑、胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、胍系硬化促進劑、金屬系硬化促進劑等，較好為胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、金屬系硬化促進劑。
磷系硬化促進劑列舉為例如三苯膦、硼酸鏻 化合物、四苯基鏻四苯基硼酸鹽、正丁基鏻四苯基硼酸鹽、四丁基鏻癸酸鹽、(4-甲基苯基)三苯基鏻硫代氰酸鹽、四苯基鏻硫代氰酸鹽、丁基三苯基鏻硫代氰酸鹽等，較好為三苯膦、四丁基鏻癸酸鹽。
胺系硬化促進劑列舉為例如三乙胺、三丁胺等之三烷胺，4-二甲胺基吡啶、苄基二甲胺、2,4,6-參(二甲胺基甲基)苯酚、1,8-二氮雜雙環[5.4.0]-十一碳烯等，較好為4-二甲胺基吡啶、1,8-二氮雜雙環[5.4.0]-十一碳烯。
咪唑系硬化促進劑列舉為例如2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-甲基咪唑、1-氰乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-十一烷基咪唑鎓偏苯三酸鹽、1-氰乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸鹽、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-十一烷基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2'-乙基-4'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪異氰尿酸加成物、2-苯基咪唑異氰尿酸加成物、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑、2,3-二氫-1H-吡咯并[1,2-a]苯并咪唑、1-十二烷基-2-甲基-3-苄基咪唑鎓氯化物、2-甲基咪唑啉、2-苯基咪唑 啉等咪唑化合物及咪唑化合物與環氧樹脂之加成物，較好為2-乙基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑。
胍系硬化促進劑列舉為例如二氰二醯胺、1-甲基胍、1-乙基胍、1-環己基胍、1-苯基胍、1-(鄰-甲苯基)胍、二甲基胍、二苯基胍、三甲基胍、四甲基胍、五甲基胍、1,5,7-三氮雜雙環[4.4.0]癸-5-烯、7-甲基-1,5,7-三氮雜雙環[4.4.0]癸-5-烯、1-甲基雙胍、1-乙基雙胍、1-正丁基雙胍、1-正十八烷基雙胍、1,1-二甲基雙胍、1,1-二乙基雙胍、1-環己基雙胍、1-烯丙基雙胍、1-苯基雙胍、1-(鄰-甲苯基)雙胍等，較好為二氰二醯胺、1,5,7-三氮雜雙環[4.4.0]癸-5-烯。
金屬系硬化促進劑並無特別限制，列舉為例如鈷、銅、鋅、鐵、鎳、錳、錫等之金屬之有機金屬錯合物或有機金屬鹽。有機金屬錯合物之具體例列舉為乙醯基丙酮酸鈷(II)、乙醯基丙酮酸鈷(III)等有機鈷錯合物、乙醯基丙酮酸銅(II)等之有機銅錯合物、乙醯基丙酮酸鋅(II)等有機鋅錯合物、乙醯基丙酮酸鐵(III)等有機鐵錯合物、乙醯基丙酮酸鎳(II)等有機鎳錯合物、乙醯基丙酮酸錳(II)等有機錳錯合物等。有機金屬鹽列舉為辛酸鋅、辛酸錫、環烷酸鋅(zinc naphthenate)、環烷酸鈷、硬脂酸錫、硬脂酸鋅等。該等可使用1種或亦可組合2種以上使用。
本發明之樹脂組成物中，金屬系硬化促進劑較好使用有機鈷錯合物，最好使用乙醯基丙酮酸鈷(III)。金屬系硬化促進劑之含量以樹脂組成物中不揮發成分作為 100質量%時，基於金屬系硬化觸媒之金屬含量較好為25ppm~500ppm之範圍，更好為30ppm~200ppm之範圍。
硬化促進劑可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。樹脂組成物中之硬化促進劑含量，以樹脂組成物中之不揮發成分作為100質量%時，較好為0.01質量%~1質量%，更好為0.02質量%~0.5質量%，又更好為0.03質量%~0.1質量%。
-難燃劑-
難燃劑列舉為例如有機磷系難燃劑、有機系含氮磷化合物、氮化合物、聚矽氧系難燃劑、金屬氫氧化物等。較好為10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物(例如，三光(股)製之「HCA-HQ」)。難燃劑可單獨使用1種，或亦可併用2種以上。樹脂組成物層中之難燃劑之含量並無特別限制，但將樹脂組成物中之不揮發成分設為100質量%時，較好為0.5質量%~10質量%，更好為1質量%~5質量%，又更好為1.5質量%~3質量%。
〈回焊步驟〉
本發明之製造方法包含回焊步驟，回焊步驟係藉由回焊將零件安裝於利用上述熱硬化步驟製造之具有硬化物層之基板上。
安裝之零件並無特別限制，列舉為例如半導體、中介片、被動元件等，但本發明之製造方法可特別較好地用於 半導體之安裝。
回焊步驟中之加熱溫度可能隨使用之焊料種類或安裝之零件種類等之條件而異，但一般為210℃~330℃，較好為220℃~300℃，更好為230℃~280℃。本發明之製造方法更適於使用無鉛焊料作為焊料之情況。
本發明之製造方法包含上述熱硬化步驟及上述回焊步驟。
本發明之零件安裝基板之製造方法之特徵係熱硬化性樹脂組成物層之熱硬化步驟後之x-y方向之收縮率(S1)相較於熱硬化步驟前之熱硬化性樹脂組成物層，為0.35%以下，較好為0.3%以下，更好為0.2%以下，回焊步驟後之硬化物層之x-y方向之收縮率(S2)相較於熱硬化步驟前之熱硬化性樹脂組成物層，為0.4%以下，較好為0.3%以下，更好為0.2%以下，且S1與S2滿足S2-S1≦0.08，較好S2-S1≦0.05，更好S2-S1≦0.04之關係。
上述S1及S2之測定係如下般進行。
〈S1之測定〉
(1-1)初期長度之測定
利用沖壓而於熱硬化性樹脂組成物層(厚度40μm)之200mm方形樹脂之距離4角20mm左右之部分形成貫穿孔(孔依順時針方向暫稱為A、B、C、D)，且以非接觸型圖像測定器測定所形成之各孔之中央間之長度L(LAB、LBC、LCD、LDA、LAC、LBD)(參照圖1)。
(1-2)熱硬化性樹脂組成物層之熱硬化
對測定長度結束之熱硬化性樹脂組成物層加熱，使之熱硬化。
(1-3)熱硬化收縮率之測定
熱硬化後，於已硬化之熱可塑性樹脂組成物層中，以與L相同之方式以非接觸型圖像測定器測定(1-1)中形成之各孔之中央間之硬化後之長度L’(L’AB、L’BC、L’CD、L’DA、L’AC、L’BD)。且算出 s1AB=(LAB-L’AB)/LAB
同樣地，針對LBC與L'BC、LCD與L’CD、LDA與L’DA、LAC與L’AC、LBD與L’BD算出s1BC、s1CD、s1DA、s1AC、s1DA。
以下式算出熱硬化收縮率。
熱硬化收縮率[x-y方向之收縮率：S1](%)={(s1AB+s1BC+s1CD+s1DA+s1AC+s1DA)/6}×100
〈S2之測定〉
(1-4)回焊步驟
使完成(1-3)步驟之基材進行回焊。
(1-5)回焊收縮率之測定
回焊步驟後，與(1-3)完全相同，以與L相同之方式以非接觸型圖像測定器測定(1-1)中形成之各孔之中央間之回焊後之長度L”(L”AB、L”BC、L”CD、L”DA、L”AC、L”BD)。且算出s2AB=(LAB-L”AB)/LAB
同樣地，針對LBC與L”BC、LCD與L”CD、LDA與L”DA、LAC與L”AC、LBD與L”BD算出s2BC、s2CD、s2DA、s2AC、s2DA。
以下式算出回焊收縮率。
回焊收縮率[x-y方向之收縮率：S2](%)={(s2AB+s2BC+s2CD+s2DA+s2AC+s2DA)/6}×100
上述參數較好可藉由使用先前記載之含有環氧樹脂、硬化劑及無機填充材之熱硬化性樹脂組成物而滿足。依據該熱硬化性樹脂組成物，可抑制絕緣層之收縮且抑制翹曲，可獲得適於不易產生基板變形之絕緣層之硬化物。該熱硬化性樹脂組成物之硬化物適於零件安裝基板(尤其半導體安裝基板)之製造，尤其適於形成基板之絕緣層。一硬化物層(一絕緣層)之厚度通常為3~200μm左右，但多層化時，絕緣層整體之厚度係比其厚，通常為10~300μm左右。
〈熱硬化性樹脂組成物〉
本發明之一實施形態係提供用於形成絕緣層之熱硬化性樹脂組成物。
上述熱硬化性樹脂組成物於以使熱硬化後之x-y方向之收縮率(S1)成為0.35%以下之條件熱硬化之該熱硬化性樹脂組成物之硬化物，依據IPC/JEDEC J-STD-020C，以回焊溫度分佈加熱後之x-y方向之收縮率(S2)為0.4%以下，且S1與S2滿足S2-S1≦0.08之關係。
若以使熱硬化後之x-y方向之收縮率(S1)成為0.35%以下之條件熱硬化之該熱硬化性樹脂組成物之硬化物，依據IPC/JEDEC J-STD-020C，以回焊溫度分佈加熱後之x-y方向之收縮率(S2)為0.4%以下，且S1與S2滿足S2-S1≦0.08之關係，則該熱可塑性樹脂組成物即使經歷利用回焊步驟之零件安裝之高溫後，亦不易產生基板之翹曲，而為適於薄型之零件安裝基板之絕緣層形成者。
可使用於熱可塑性樹脂組成物中之原料之較佳例係如上述。
S1及S2之測定方法係如上述。
IPC/JEDEC J-STD-020C所記載之回焊溫度分佈引用於圖2及表1~3中。時間可為表中所記載之範圍之任一條件，列舉為例如若Sn-Pb共晶焊料，則設為tS=90秒、tL=105秒、tP=20秒之條件，若為無Pb焊料，則設為tS=120秒、tL=105秒、tP=30秒之條件。且此處所稱之封裝在本發明中，相當於利用回焊進行零件安裝前之基板。 封裝之厚度若為Sn-Pb共晶焊料，則較好未達2.5mm，若為無Pb焊料則較好未達2.5mm，更好為未達2.5mm~1.6mm，又更好未達1.6mm。
上述熱硬化性樹脂組成物可較好地使用作為用以形成多層印刷配線板之絕緣層之樹脂組成物(內層基板上之絕緣層用樹脂組成物)。藉由使用上述熱硬化性樹脂組成物形成多層印刷配線板之絕緣層，可抑制絕緣層之收縮，可實現不易產生基板變形之絕緣層，使基板翹曲之問題獲得顯著改善。其中，可較好地使用作為利用增層方式製造多層印刷配線板中用以形成絕緣層之樹脂組成物(多層印刷配線板之增層絕緣層用樹脂組成物)，進而更較好地使用作為用於形成於其上藉由鍍敷形成導體層之絕緣層之樹脂組成物(藉鍍敷形成導體層之多層印刷配線板之增層絕緣層用樹脂組成物)。此外，上述熱硬化性樹脂組成物亦可較好地使用於多層印刷配線板係零件內建電路板之情況。亦即，本發明之樹脂組成物可較好地使用作為用於埋填零件內建電路板之零件之樹脂組成物(零件埋填用樹脂組成物)。關於零件內建電路板之製造所使用之芯基板，具有用於內建零件之孔穴，且基於零件內建電路板本身之小型化之要求而有提高該孔穴密度之傾向，且有起因於芯基板之剛性不足所致之翹曲問題更加深刻之傾向，但藉由使用上述熱硬化性樹脂組成物作為零件埋填用樹脂組 成物，即使使用孔穴密度高且薄的芯基板之情況，仍可顯著緩和翹曲問題。
〈預浸體〉
上述熱硬化性樹脂組成物亦可含浸於薄片狀纖維基材中作成預浸體。預浸體係將上述熱硬化性樹脂組成物含浸於薄片狀纖維基材中而成者。
預浸體所用之薄片狀纖維基材並無特別限制，可使用作為玻璃布、芳醯胺不織布、液晶聚合物不織布等預浸體用基材而常用者。用於多層印刷配線板之絕緣層形成時，較好使用厚度50μm以下之薄型薄片狀纖維基材，最好係厚度為10μm~40μm之薄片狀纖維基材，更好為10μm~30μm之薄片狀纖維基材，又更好為10~20μm之薄片狀纖維基材。作為薄片狀纖維基材使用之玻璃布基材之具體例列舉為Asahi-Schwebel(股)製之「Style 1027MS」(經絲密度75條/25mm，緯絲密度75條/25mm，布重量20g/m2，厚度19μm)、Asahi-Schwebel(股)製之「Style 1037MS」(經絲密度70條/25mm，緯絲密度73條/25mm，布重量24g/m2，厚度28μm)、有澤製作所(股)製之「1078」(經絲密度54條/25mm，緯絲密度54條/25mm，布重量48g/m2，厚度43μm)、有澤製作所(股)製之「1037NS」(經絲密度72條/25mm，緯絲密度69條/25mm，布重量23g/m2，厚度21μm)、有澤製作所(股)製之「1027NS」(經絲密度75條/25mm，緯絲密度75條 /25mm，布重量19.5g/m2，厚度16μm)、有澤製作所(股)製之「1015NS」(經絲密度95條/25mm，緯絲密度95條/25mm，布重量17.5g/m2，厚度15μm)、有澤製作所(股)製之「1000NS」(經絲密度85條/25mm，緯絲密度85條/25mm，布重量11g/m2，厚度10μm)等。且液晶聚合物不織布之具體例列舉為KURARAY(股)製之芳香族聚酯不織布之以熔融吹塑法製造之「VECRUS」(單位面積量6~15g/m2)或「VECTRAN」等。
預浸體較好以熱熔融法、溶劑法等習知方法製造。
本發明之一實施形態，熱硬化性樹脂組成物層係於內層基板上層合在載體薄膜上形成將上述熱硬化性樹脂組成物含浸於纖維基材上而成之預浸體之附載體之預浸體所形成之零件安裝基板。
〈使用預浸體之多層印刷配線板〉
接著，說明使用如上述製造之預浸體製造多層印刷配線板之方法之一例。將1片或視需要多片之本發明之預浸體重疊在電路基板上，且介隔脫模薄膜以金屬板夾持，在加壓．加熱之條件下真空加壓層合。加壓．加熱條件較好係壓力為5~40kgf/cm2(49×104~392×104N/m2)、溫度為120~200℃歷時20~100分鐘。且亦可與接著薄膜同樣，以真空層合法將預浸體層合於電路基板上後，加熱硬化。隨後，與上述記載之方法同樣，使硬化之預浸體表面粗化 後，以鍍敷形成導體層而製造多層印刷配線板。
〈接著薄膜〉
使用上述熱硬化性樹脂組成物可形成接著薄膜。
於一實施形態中，本發明之接著薄膜包含支撐體、與該支撐體接合之樹脂組成物層，且樹脂組成物層係由上述熱硬化性樹脂組成物所成。
接著薄膜可藉由使上述熱硬化性樹脂組成物溶解於有機溶劑中調製樹脂漆料，使用模嘴塗佈器等將該樹脂漆料塗佈於支撐體上，且使樹脂漆料經乾燥而形成。
有機溶劑可列舉為例如丙酮、甲基乙基酮(以下亦稱為「MEK」)及環己酮等酮類，乙酸乙酯、乙酸丁酯、溶纖素乙酸酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯及卡必醇乙酸酯等乙酸酯類，溶纖素及丁基卡必醇等卡必醇類、甲苯及二甲苯等芳香族烴類、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺及N-甲基吡咯啶酮等之醯胺系溶劑等。有機溶劑可單獨使用1種，或亦可併用2種以上。
樹脂漆料之乾燥可藉加熱、吹熱風等習知之乾燥方法實施。隨著樹脂漆料中之有機溶劑之沸點亦異，但例如使用含30質量%~60質量%之有機溶劑之樹脂漆料時，可藉由在50℃~150℃乾燥3分鐘~10分鐘，形成接著薄膜。
接著薄膜之形成所使用之支撐體可較好地使用由塑膠材料所成之薄膜、金屬箔(銅箔、鋁箔等)、脫模 紙，較好使用由塑膠材料所成之薄膜。至於塑膠材料列舉為例如聚對苯二甲酸乙二酯(以下有時簡稱為「PET」)、聚萘二甲酸乙二酯(以下有時簡稱為「PEN」)等聚酯，聚碳酸酯(以下有時簡稱為「PC」)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等之丙烯酸、環狀聚烯烴、三乙醯基纖維素(TAC)、聚醚硫醚(PES)、聚醚酮、聚醯亞胺等。其中，較好為聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯，最好為便宜之聚對苯二甲酸乙二酯。較佳之一實施形態中，支撐體為聚對苯二甲酸乙二酯薄膜。
支撐體亦可對與樹脂組成物層接合之面施以霧面處理、電暈處理。
且，作為支撐體，亦可使用與樹脂組成物層接合之面具有脫模層之附脫模層之支撐體。附脫模層之支撐體之脫模層中使用之脫模劑列舉為例如選自由醇酸樹脂、聚烯烴樹脂、胺基甲酸酯樹脂及聚矽氧樹脂所組成之群之一種以上之脫模劑。
本發明中，附脫模層之支撐體亦可使用市售品。市售品列舉為例如具有以醇酸樹脂系脫模劑作為主成分之脫模層之PET薄膜、LINTEC(股)製之「SK-1」、「AL-5」、「AL-7」等。
支撐體之厚度並未特別限制，較好為5μm~75μm，更好為10μm~60μm。又，支撐體為附脫模層之支撐體時，附脫模層之支撐體之整體厚度較好為上述範圍。
如上述使用上述熱硬化性樹脂組成物製造之接著薄膜中，樹脂組成物層之厚度並未特別限制，但基於多層印刷配線板之薄型化之觀點，較好為100μm以下，更好為80μm以下，又更好為60μm以下，再更好為50μm以下。樹脂組成物層之厚度下限通常為15μm以上。
如上述使用上述熱硬化性樹脂組成物製造之接著薄膜中，樹脂組成物層之未與支撐體接合之面(亦即，與支撐體相反側之面)上可進一步根據支撐體而積層保護薄膜。保護薄膜之厚度並無特別限制，但可為例如1μm~40μm。藉由積層保護薄膜，可防止污垢等附著於樹脂組成物層之表面或防止傷痕。接著薄膜可捲成滾筒狀保存，且於製造多層印刷配線板中形成絕緣層時，可藉由剝離保護薄膜而使用。
本發明之一實施形態中，較好為熱硬化性樹脂組成物層係於內層基板上層合於載體薄膜上形成熱硬化性樹脂組成物層而成之接著薄膜而形成之零件安裝基板。
〈使用接著薄膜之多層印刷配線板〉
說明使用如上述製造之接著薄膜製造多層印刷配線板之方法之一例。
首先，使用真空層合機將接著薄膜層合於電路基板之一面或兩面上。電路基板所用之基板列舉為例如玻璃環氧樹脂基板、金屬基板、聚酯基板、聚醯亞胺基板、BT樹脂基板、熱硬化型聚苯醚板等。又，此處所謂 的電路基板係指於如上述之基板之一面或兩面上形成經圖型加工之導體層(電路)者。且交互層合導體層與絕緣層而成之多層印刷配線板中，於該多層印刷配線板之最外層之一面或兩面成為經圖型加工之導體層(電路)者亦包含於此處所稱之電路基板中。又，導體層表面上亦可藉由黑化處理、銅蝕刻處理等施以預粗化處理。
上述層合中，接著薄膜具有保護薄膜時在去除該保護薄膜後，可視需要預加熱接著薄膜及電路基板，且邊加壓及加熱將接著薄膜壓著於電路基板上。本發明之接著薄膜中，較好使用以真空層合法在減壓下層合於電路基板之方法。層合條件並未特別限制，但較好在將壓著溫度(層合溫度)較好設為70~140℃、壓著壓力較好設為1~11kgf/cm2(9.8×104~107.9×104N/m2)，空氣壓力20mmHg(26.7hPa)以下之減壓下進行層合。且層合方法可為批式，亦可為利用輥之連續式。此外，真空層合亦可使用市售之真空層合機進行。市售之真空層合機列舉為例如Nichigo Morton(股)製之真空塗佈機、名機製作所(股)製之真空加壓式層合機、日立工業(股)製之輥式乾燥塗佈器、日立AIC(股)製之真空層合機等。
此外，在減壓下進行加熱及加壓之積層步驟亦可使用一般之真空熱壓機進行。例如，可藉由自支撐體層側加壓經加熱之SUS板等金屬板而進行。加壓條件係將減壓度設為1×10-2MPa以下，較好為1×10-3MPa以下之減壓下。加熱及加壓亦可以一階段進行，但就控制樹脂滲 出之觀點而言較好分成2階段以上之條件進行。例如，較好以第一階段之加壓為溫度70~150℃、壓力1~15kgf/cm2之範圍，第2階段之加壓為溫度150~200℃、壓力1~40kgf/cm2之範圍進行。各階段之時間較好以30~120分鐘進行。市售之真空熱壓機列舉為例如MNPC-V-750-5-200(名機製作所(股)製)、VH1-1603(北川精機(股)製)等。
熱硬化性樹脂組成物層較好為於內層基板上層合於載體薄膜上形成熱硬化性樹脂組成物層而成之接著薄膜所形成者。於電路基板上層合接著薄膜後，冷卻至室溫附近後，剝離支撐體時可藉剝離、熱硬化而於電路基板上形成絕緣層。熱硬化條件只要依據樹脂組成物中之樹脂成分種類、含量等適當選擇即可，但較好為在150℃~220℃歷時20分鐘~180分鐘，更好為在160℃~210℃歷時30~120分鐘之範圍。
形成絕緣層後，於硬化前不剝離支撐體之情況則於此時剝離。接著視需要，在形成於電路基板上之絕緣層上進行開孔而形成通孔、貫通孔。開孔可藉由鑽孔機、雷射、電漿等習知方法，且視需要組合該等方法進行，但利用二氧化碳氣體雷射、YAG雷射等雷射進行開孔為最一般之方法。
接著，藉由乾式鍍敷或濕式鍍敷於絕緣層上形成導體層。作為乾式鍍敷可使用蒸鍍、濺鍍、離子電鍍等習知方法。濕式鍍敷時，係藉由依序進行利用膨潤液之膨潤處理、利用氧化劑之粗化處理及利用中和液之中和處 理，使絕緣層表面形成凹凸之投錨。利用膨潤液之膨潤處理係將絕緣層浸漬於50~80℃之膨潤液中5~20分鐘而進行。至於膨潤液可列舉為鹼溶液、界面活性劑溶液等，較佳為鹼溶液，至於該鹼溶液列舉為氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液等。市售之膨潤液列舉為例如日本ATOTECH(股)製之Swelling Dip Securiganth P、Swelling Dip Securiganth SBU等。利用氧化劑之粗化處理係使絕緣層浸漬於60~80℃之氧化劑溶液中10分鐘~30分鐘而進行。至於氧化劑列舉為例如將過錳酸鉀或過錳酸鈉溶解於氫氧化鈉之水溶液中而成之鹼性過錳酸溶液、重鉻酸鹽、臭氧、過氧化氫/硫酸、硝酸等。且，鹼性過錳酸溶液中之過錳酸鹽之濃度較好為5~10重量%。市售之氧化劑列舉為例如日本ATOTECH(股)製之Concentrate．Compact CP、Doesing Solution Securiganth P等之鹼性過錳酸溶液。利用中和液之中和處理係浸漬於30~50℃之中和液中3~10分鐘而進行。中和液較好為酸性水溶液，市售品列舉為例如日本ATOTECH(股)製之Reduction Solution Securigant P。
接著，組合無電解鍍敷與電解鍍敷形成導體層。又所謂導體層係形成相反圖型之鍍敷抗蝕層，亦可僅以無電解鍍敷形成導體層。至於隨後之圖型形成方法可使用例如本技藝者習知之減去法、半添加法等。
藉由利用使用上述熱硬化性樹脂組成物製造之多層印刷配線板，可製造安裝半導體晶片、中介片、被 動元件等零件之基板。
例示半導體安裝基板之製造方法之一例。
〈半導體安裝基板〉
藉由將半導體晶片安裝於使用上述熱硬化性樹脂組成物製造之多層印刷配線板之導通部位，可製造半導體安裝基板。所謂「導通部位」係「多層印刷配線板中之傳送電訊號之部位」，該場所為表面，亦可為埋填之部位均可。此外，半導體晶片只要是以半導體作為材料之電路元件即無特別限制。
製造上述半導體安裝基板時之半導體晶片之安裝方法只要能使半導體晶片有效發揮功能即可，並無特別限制，具體列舉為線黏合安裝方法、覆晶安裝方法、利用凸塊之增層(BBUL)之安裝方法、利用異向性導電薄膜(ACF)之安裝方法、利用非導電性薄膜(NCF)之安裝方法等。
[實施例]
以下，以實施例及比較例具體說明本發明，但本發明並不受限於以下實施例。又，以下記載中之「份」意指「質量份」。
首先針對本說明書之物性評價中之測定方法．評價方法加以說明。
[收縮率之測定]
(1-1)附樹脂之聚醯亞胺薄膜之調製
使用批式真空加壓層合機(Nichigo Morton(股)製 2階增層層合機CVP700)，以使樹脂組成物層與聚醯亞胺薄膜(宇部興產(股)製造之UPILEX 25S、25μm厚、240mm見方)之平滑面之中央接觸之方式，將下述製作例所製作之樹脂薄片(200mm見方)層合於單面上。層合係藉由減壓30秒使氣壓成為13hPa以下後，以100℃、壓力0.74MPa下壓著30秒而進行。
(1-2)初期長度之測定
使所得附樹脂之聚醯亞胺薄膜自樹脂薄片之支撐體上，利用沖壓於200mm見方狀樹脂之距4個角20mm左右之部分形成4個貫穿孔(直徑約6mm)(孔依順時針方向暫稱為A、B、C、D)，剝離樹脂薄片之支撐體後，以非接觸型圖像測定器(MitsuToyo(股)製，Quick Vision型號：QVH1X606-PRO III_BHU2G)測定所形成之各孔之中央間之長度L(LAB、LBC、LCD、LDA、LAC、LBD)(參照圖1)。
(1-3)樹脂組成物層之熱硬化
將完成測定長度之附樹脂之聚醯亞胺薄膜之聚醯亞胺薄膜面設置於255mm×255mm大小之玻璃布基材環氧樹脂兩面貼銅層合板(0.7mm厚，松下電工(股)製之 「R5715ES」)上，且四邊以聚醯亞胺接著膠帶(寬度10mm)固定，在150℃加熱90分鐘，使樹脂組成物層熱硬化，獲得硬化物層。同樣地，在190℃加熱90分鐘、在200℃加熱90分鐘，分別獲得硬化物層。
(1-4)熱硬化收縮率之測定
熱硬化後，剝離聚醯亞胺接著膠帶，自層合板卸下附硬化物層之聚醯亞胺薄膜，進而自聚醯亞胺薄膜剝離硬化物層，且以與L相同之方式以非接觸型圖像測定器測定(1-2)中形成之各孔之中央間之硬化後長度L’(L’AB、L’BC、L’CD、L’DA、L’AC、L’BD)。且算出s1AB=(LAB-L’AB)/LAB
同樣地，針對LBC與L'BC、LCD與L’CD、LDA與L’DA、LAC與L’AC、LBD與L’BD算出s1BC、s1CD、s1DA、s1AC、s1DA。
以下式算出熱硬化收縮率。
熱硬化收縮率[x-y方向之收縮率：S1](%)={(s1AB+s1BC+s1CD+s1DA+s1AC+s1DA)/6}×100
(1-5)回焊步驟
使結束(1-3)步驟之基材通過峰值溫度260℃之回焊裝置(日本ANTOM(股)製之「HAS-6116」，溫度分佈係依據 IPC/JEDEC J-STD-020C)進行一次。
(1-6)回焊收縮率之測定
回焊步驟後，與(1-4)完全相同，以與L相同之方式以非接觸型圖像測定器測定(1-2)中形成之各孔之中央間之回焊後之長度L”(L”AB、L”BC、L”CD、L”DA、L”AC、L”BD)。且算出s2AB=(LAB-L”AB)/LAB
同樣地，針對LBC與L”BC、LCD與L”CD、LDA與L”DA、LAC與L”AC、LBD與L”BD算出s2BC、s2CD、s2DA、s2AC、s2DA。
以下式算出回焊收縮率。
回焊收縮率[x-y方向之收縮率：S2](%)={(s2AB+s2BC+s2CD+s2DA+s2AC+s2DA)/6}×100
[回焊行為評價用基板之調製]
(2-1)內層基板之準備
準備玻璃布基材環氧樹脂層合板[已蝕刻除銅箔之未貼銅板(unclad-board)，0.06mm厚、SUMITOMO BAKELITE(股)製之「LaXY-4785TH-B」]作為內層基板。
(2-2)樹脂薄片之層合
使用批式真空加壓層合機(Nichigo Morton(股)製 2階增層層合機CVP700)，以使樹脂組成物層與內層基板接觸之方式，將下述製作例製作之樹脂薄片層合於內層基板之兩面上。層合係藉由減壓30秒使氣壓成為13hPa以下後，藉由以100℃、壓力0.74MPa下壓著30秒而實施。接著，以100℃、壓力0.5MPa進行熱加壓60秒，
(2-3)樹脂組成物層之熱硬化
自經層合樹脂薄片之基板剝離樹脂薄片之支撐體後，在150℃加熱90分鐘，使樹脂組成物層熱硬化，獲得硬化物層。同樣地，在190℃加熱90分鐘、在200℃加熱90分鐘，分別獲得硬化物層。
(2-4)回焊行為之評價
切出45mm見正之單片後(n=5)，通過一次峰值溫度260℃之回焊裝置(日本ANTOM(股)製之「HAS-6116」(該條件亦依據IPC/JEDEC J-STD-020C)。接著，使用平坦/翹曲度量測儀(shadow moire)裝置(Akrometrix製之TherMoire AXP)，依據IPC/JEDEC J-STD-020C(峰值溫度260℃)以溫度分佈自基板下部加熱，測定基板中央之10mm見方部分之翹曲行為。
所得位移數據之最大高度與最少高度之差異在全部溫度範圍內於1樣品中即成為40μm以上者評價為×，全部樣品均未達40μm者評價為○。
實施例及比較例中使用之樹脂薄片1、2、3及4係以下述順序製作。
〈製作例1(樹脂薄片1之製作)〉
將雙酚A型環氧樹脂(三菱化學(股)製之「828EL」，環氧當量約185)12份、萘型環氧樹脂(DIC(股)製之「HP4032SS」，環氧當量約144)3份、聯苯型環氧樹脂(三菱化學(股)製之「YX4000HK」，環氧當量約185)6份、聯苯型環氧樹脂(日本化藥(股)製之「NC3000H」，環氧當量約288)25份、及苯氧樹脂(三菱化學(股)製之「YX6954BH30」、固體成分30質量%之MEK/環己酮=1/1溶液)20份於溶劑石油腦(solvent naphtha)15份中邊攪拌邊加熱溶解。冷卻至室溫後，於其中混合含三嗪之酚酚醛清漆系硬化劑(DIC(股)製之「LA-7054」，羥基當量125、固體成分60%之MEK溶液)20份、萘酚系硬化劑(新日鐵化學(股)製之「SN485」，羥基當量215、固體成分60%之MEK溶液)10份、硬化促進劑(4-二甲胺基吡啶(DMAP)、固體成分5質量%之MEK溶液)0.4份、難燃劑(三光(股)製之「HCA-HQ」、10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物、平均粒徑2μm)3份、以胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業(股)製之「KBM573」)進行表面處理之球形二氧化矽(平均粒徑0.25μm，ADMATECHS(股)製之「SOC1」，每單位表面積之碳量為0.36mg/m2)40份、以胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業(股) 製之「KBM573」)進行表面處理之球形玻璃填料(平均粒徑0.2μm，旭硝子(股)製之「AZ Filler」，每單位表面積之碳量為0.38mg/m2)10份，以高速旋轉混練機均勻分散，調製樹脂漆料1。
接著，於附醇酸樹脂系脫模層之PET薄膜(LINTEC(股)製之「AL5」，厚度38μm)之脫模層側，以使乾燥後之樹脂組成物層之厚度成為40μm之方式均勻塗佈樹脂漆料1，在80~120℃(平均100℃)乾燥5分鐘，製作樹脂薄片1。
〈製作例2(樹脂薄片2之製作)〉
將雙酚型環氧樹脂(新日鐵化學(股)製之「ZX1059」，雙酚A型與雙酚F型之1：1混合品，環氧當量約169)5份、聯苯型環氧樹脂(三菱化學(股)製之「YX4000HK」，環氧當量約185)12份、二環戊二烯型環氧樹脂(DIC(股)製之「HP-7200H」，環氧當量約275)9份、苯氧樹脂(三菱化學(股)製之「YL7553BH30」、固體成分30質量%之MEK/環己酮=1/1溶液)16份於溶劑石油腦30份中邊攪拌邊加熱溶解。冷卻至室溫後，於其中混合活性酯系硬化劑(DIC(股)製之「HPC8000-65T」，活性基當量約223、不揮發分65質量%之甲苯溶液)40份、硬化促進劑(4-二甲胺基吡啶、固體成分5質量%之MEK溶液)3份、以胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業(股)製之「KBM573」)進行表面處理之球形二氧化矽(平均粒徑 0.5μm，ADMATECHS(股)製之「SOC2」，每單位表面積之碳量為0.39mg/m2)100份、以胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業(股)製之「KBM573」)進行表面處理之球形玻璃填料(平均粒徑0.2μm，旭硝子(股)製之「AZ Filler」，每單位表面積之碳量為0.38mg/m2)40份，以高速旋轉混練機均勻分散，調製樹脂漆料2。
接著，使用樹脂漆料2，以與製造例1相同之順序製作樹脂薄片2。
〈製作例3(樹脂薄片3之製作)〉
將萘型環氧樹脂(DIC(股)製之「HP4032SS」，環氧當量約144)6份、聯苯型環氧樹脂(三菱化學(股)製造之「YX4000HK」，環氧當量約185)6份、聯苯型環氧樹脂(日本化藥(股)製之「NC3000H」，環氧當量約288)20份、及苯氧樹脂(三菱化學(股)製之「YL7553BH30」、固體成分30質量%之MEK溶液)8份於溶劑石油腦15份中邊攪拌邊加熱溶解。冷卻至室溫後，於其中混合雙酚A二氰酸酯之預聚物(日本LONZA(股)製之「BA230S75」、氰酸酯當量約232、不揮發分75質量%之MEK溶液)20份、酚酚醛清漆型多官能氰酸酯樹脂(日本LONZA(股)製之「PT30S」，氰酸酯當量約133，不揮發分85質量%之MEK溶液)8份、活性酯系硬化劑(DIC(股)製之「HPC8000-65T」，活性基當量約223之不揮發分65質量%之甲苯溶液)8份、硬化促進劑(4-二甲胺基吡啶，固 體成分5質量%之MEK溶液)0.4份、硬化促進劑(東京化成(股)製之乙醯基丙酮酸鈷(III)，固體成分1質量%之MEK溶液)3份、難燃劑(三光(股)製之「HCA-HQ」、10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物、平均粒徑2μm)3份、以胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業(股)製之「KBM573」)進行表面處理之球形二氧化矽(平均粒徑0.5μm，ADMATECHS(股)製之「SOC2」，每單位表面積之碳量為0.39mg/m2)50份、以胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業(股)製之「KBM573」)進行表面處理之球形玻璃填料(平均粒徑0.2μm，旭硝子(股)製之「AZ Filler」，每單位表面積之碳量為0.38mg/m2)50份，以高速旋轉混練機均勻分散，調製樹脂漆料3。
接著，使用樹脂漆料3，以與製造例1相同之順序製作樹脂薄片3。
〈製作例4(樹脂薄片4之製作)〉
將雙酚A型環氧樹脂(三菱化學(股)製之「828EL」，環氧當量約185)12份、萘型環氧樹脂(DIC(股)製之「HP4032SS」，環氧當量約144)3份、聯苯型環氧樹脂(三菱化學(股)製之「YX4000HK」，環氧當量約185)6份、聯苯型環氧樹脂(日本化藥(股)製之「NC3000H」，環氧當量約288)25份、苯氧樹脂(三菱化學(股)製之「YX6954BH30」、固體成分30質量%之MEK/環己酮=1/1溶液)20份於溶劑石油腦10份中邊攪拌邊加熱溶 解。冷卻至室溫後，於其中混合含三嗪骨架之酚酚醛清漆系硬化劑(DIC(股)製之「LA-7054」，羥基當量125、固體成分60%之MEK溶液)20份、萘酚系硬化劑(新日鐵化學(股)製之「SN485」，羥基當量215、固體成分60%之MEK溶液)10份、硬化促進劑(4-二甲胺基吡啶(DMAP)、固體成分5質量%之MEK溶液)0.4份、難燃劑(三光(股)製之「HCA-HQ」、10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物、平均粒徑2μm)3份、以胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業(股)製之「KBM573」)進行表面處理之球形二氧化矽(平均粒徑0.25μm，ADMATECHS(股)製之「SOC1」，每單位表面積之碳量為0.36mg/m2)40份，以高速旋轉混練機均勻分散，調製樹脂漆料4。
接著，使用樹脂漆料4，以與製造例1相同之順序製作樹脂薄片4。
〈製作例5(樹脂薄片5之製作)〉
將萘型環氧樹脂(DIC(股)製之「HP4032SS」，環氧當量約144)6份、聯苯型環氧樹脂(三菱化學(股)製之「YX4000HK」，環氧當量約185)6份、聯苯型環氧樹脂(日本化藥(股)製之「NC3000H」，環氧當量約288)20份、苯氧樹脂(三菱化學(股)製之「YL7553BH30」、固體成分30質量%之MEK溶液)16份於溶劑石油腦5份中邊攪拌邊加熱溶解。冷卻至室溫後，於其中混合雙酚A二氰酸酯之預聚物(日本LONZA(股)製之「BA230S75」、氰酸 酯當量約232、不揮發分75質量%之MEK溶液)20份、酚酚醛清漆型多官能氰酸酯樹脂(日本LONZA(股)製之「PT30S」，氰酸酯當量約133，不揮發分85質量%之MEK溶液)8份、活性酯系硬化劑(DIC(股)製之「HPC8000-65T」，活性基當量約223之不揮發分65質量%之甲苯溶液)8份、硬化促進劑(4-二甲胺基吡啶、固體成分5質量%之MEK溶液)0.4份、硬化促進劑(東京化成(股)製之乙醯基丙酮酸鈷(III)，固體成分1質量%之MEK溶液)3份、難燃劑(三光(股)製之「HCA-HQ」、10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物、平均粒徑2μm)3份、以胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業(股)製之「KBM573」)進行表面處理之球形二氧化矽(平均粒徑0.25μm，ADMATECHS(股)製之「SOC1」，每單位表面積之碳量為0.36mg/m2)40份，以高速旋轉混練機均勻分散，調製樹脂漆料5。
接著，使用樹脂漆料5，以與製造例1相同之順序製作樹脂薄片5。
樹脂薄片1至5之樹脂組成物層之組成示於表4。
評價結果示於表5。
如由表2之結果所了解，即使使用相同樹脂薄片1，於熱硬化步驟之溫度為190℃(試驗例1)×90分鐘時，可獲得滿足本發明規定之組成物，相對於此，於150℃(試驗例5)×90分鐘時，無法獲得滿足本發明規定之組成物。且，使用相同樹脂薄片2亦同樣，熱硬化步驟之溫度為200℃(試驗例2)×90分鐘時，獲得滿足本發明規定之組成物，相對於此，於150℃(試驗例6)×90分鐘時，無法獲得滿足本發明規定之組成物。
樹脂薄片1與樹脂薄片4具有類似組成，但儘管熱硬化步驟為相同條件，試驗例1係AZ Filler而能獲得滿足本發明規定之組成物，相對於此，試驗例4之情況下，無法獲得滿足本發明規定之組成物。
樹脂薄片3與樹脂薄片5具有類似組成，但儘管熱硬化步驟為相同條件，樹脂薄片3(試驗例3)仍能獲得滿足本發明規定之組成物，相對於此，樹脂薄片5(試驗例7)之情況下，無法獲得滿足本發明規定之組成物。此外，樹脂薄片5之情況，即使改變熱硬化步驟之溫度，仍無法獲得滿足本發明規定之組成物(試驗例8)。

Claims (24)

  1. 一種零件安裝基板之製造方法，其特徵為包含下述步驟：使形成於內層基板上之熱硬化性樹脂組成物層加熱硬化而形成硬化物層之熱硬化步驟，及利用回焊將零件安裝於具有該硬化物層之基板上之回焊步驟；前述熱硬化性樹脂組成物層係由熱硬化性樹脂組成物所構成，或係藉由將熱硬化性樹脂組成物含浸於纖維基材中所成之預浸體而形成；前述熱硬化性樹脂組成物係以在使熱硬化後之x-y方向之收縮率(S1)成為0.35%以下之條件下熱硬化之該熱硬化性樹脂組成物之硬化物，依據IPC/JEDEC J-STD-020C之回焊溫度分佈加熱後之x-y方向之收縮率(S2)為0.4%以下，且S1與S2滿足S2-S1≦0.08之關係。
  2. 如請求項1之方法，其中熱硬化性樹脂組成物含有環氧樹脂、硬化劑及無機填充材。
  3. 如請求項2之方法，其含有二氧化矽作為無機填充材。
  4. 如請求項2之方法，其含有摻雜鈦之二氧化矽作為無機填充材。
  5. 如請求項2之方法，其中將熱硬化性樹脂組成物中之不揮發性成分設為100質量%時，熱硬化性樹脂組成物中之無機填充材之含量為40質量%以上。
  6. 如請求項1之方法，其中熱硬化步驟中之加熱溫度為120℃~240℃。
  7. 如請求項1之方法，其中回焊步驟中之峰值溫度為210℃~330℃。
  8. 如請求項1之方法，其中熱硬化性樹脂組成物層係藉由前述預浸體而形成。
  9. 如請求項1之方法，其中熱硬化性樹脂組成物層係於內層基板上層合接著薄膜所形成者，該接著薄膜係在載體薄膜上形成有熱硬化性樹脂粗組成物層者。
  10. 如請求項1之方法，其中熱硬化性樹脂組成物層係於內層基板上層合附載體之預浸體所形成者，該附載體之預浸體係在載體薄膜上形成有將熱硬化性樹脂組成物含浸於纖維基材上而成之預浸體者。
  11. 如請求項1之方法，其中硬化物層之厚度為3~200μm。
  12. 如請求項1之方法，其中零件為半導體晶片、中介片(Interposer)或被動元件。
  13. 如請求項12之方法，其中零件為半導體晶片。
  14. 一種熱硬化性樹脂組成物，其係用以形成絕緣層之熱硬化性樹脂組成物，其特徵為 在使熱硬化後之x-y方向之收縮率(S1)成為0.35%以下之條件下熱硬化之該熱硬化性樹脂組成物之硬化物，依據IPC/JEDEC J-STD-020C之回焊溫度分佈加熱後之x-y方向之收縮率(S2)為0.4%以下，且S1與S2滿足S2-S1≦0.08之關係。
  15. 如請求項14之熱硬化性樹脂組成物，其中回焊 之峰值溫度為260℃。
  16. 如請求項15之熱硬化性樹脂組成物，其中熱硬化性樹脂組成物含有環氧樹脂、硬化劑及無機填充材。
  17. 如請求項16之熱硬化性樹脂組成物，其含有二氧化矽作為無機填充材。
  18. 如請求項16之熱硬化性樹脂組成物，其含有摻雜鈦之二氧化矽作為無機填充材。
  19. 如請求項16之熱硬化性樹脂組成物，其中將熱硬化性樹脂組成物中之不揮發性成分設為100質量%時，熱硬化性樹脂組成物中之無機填充材之含量為40質量%以上。
  20. 一種預浸體，其係將如請求項15~19中任一項之熱硬化性樹脂組成物含浸於纖維基材中而成。
  21. 一種多層印刷配線板，其係由如請求項15~19中任一項之熱硬化性樹脂組成物之硬化物形成絕緣層而成。
  22. 一種零件安裝基板，其係由如請求項15~19中任一項之熱硬化性樹脂組成物之硬化物形成絕緣層而成。
  23. 如請求項22之零件安裝基板，其中零件為半導體晶片、中介片或被動元件。
  24. 如請求項23之零件安裝基板，其中零件為半導體晶片。
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