TW201311453A - 積層板之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的積層板(100)之製造方法，係連續進行在單面或雙面具有電路形成面(103)的核心層(102)之電路形成面(103)，於加熱加壓下，積層由含有熱硬化性樹脂的樹脂組成物所形成之增層用預浸體(200)，而獲得積層體的積層步驟；及將所積層的增層用預浸體(200)之表面施行平滑化的平滑化步驟；然後，對積層體加熱而使熱硬化性樹脂更進一步進行硬化的硬化步驟；其中，將在積層步驟完成的階段，增層用預浸體利用動態黏彈性試驗，依測定範圍50~200℃、升溫速度3℃/min、頻率62.83rad/sec所測得複數動態黏度的極小值設為η1時，η1係20Pa‧s以上且300Pa‧s以下。

Description

積層板之製造方法
本發明係關於積層板之製造方法。
多層印刷佈線板用積層板之製造方法，已知有在屬於核心層的電路基板上，由絕緣層與導體層交錯重疊的增層方式之製造方法。根據該方法，在絕緣層形成時，主要係使用在塑膠薄膜上形成熱硬化性樹脂層的接著薄膜。將該接著薄膜積層(laminate)於核心層上，經剝離塑膠薄膜之後，藉由將熱硬化性樹脂施行熱硬化，形成絕緣層。
另一方面，隨近年對電子機器與電子零件的小型化需求，就多層印刷佈線板有要求，例如核心層薄型化或省略化等越益薄型化的傾向。依此在朝多層印刷佈線板薄型化中，為能維持多層印刷佈線板的機械強度，就形成絕緣層的材料，取代上述接著薄膜，改為使用具備薄片狀纖維基材與熱硬化性樹脂的預浸體係屬有效。
例如專利文獻1(日本專利特開2009-231240)有記載：將在薄片狀纖維基材中含浸有熱硬化性樹脂組成物的預浸體，施行壓縮及熱硬化之硬化預浸體層，以及具有在硬化預浸體層雙面所形成熱硬化性樹脂層的絕緣樹脂薄片，使用於多層印刷佈線板之製造。若使用此種絕緣樹脂薄片，即便將所形成絕緣層表面施行粗糙化的情況，仍可抑制薄片狀纖維基材露 出。
再者，專利文獻2(國際公開第2009/035014)有記載：將在支撐體薄膜上形成預浸體的接著薄片積層於電路基板上之後，在未剝離支撐體薄膜情況下，使預浸體進行熱硬化而形成絕緣層。若使用此種接著薄片，即便將具有僅埋藏電路凹凸之流動性的熱硬化性樹脂組成物，使用於預浸體中的情況，在熱硬化步驟中，仍可在樹脂不會從預浸體滲出情況下形成絕緣層。
[先行技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2009-231240號公報
專利文獻2：國際公開第2009/035014號小冊
然而，如專利文獻1、2，若絕緣層係使用預浸體，則因為在預浸體中會含有諸如玻璃纖維布等彈性模數較大的纖維基材，因而在對積層體表面施行平滑化的步驟中，會有無法充分平滑化的情況。因而，在平滑化步驟之後，會有源自纖維基材的凹凸殘留於積層體表面上的情況，此情況即便經過平滑化步驟，亦會有所獲得積層板厚度出現變動的情況。
本發明係有鑑於上述實情而完成，且提供一種可安定生產表面平滑性優異的積層板之積層板製造方法。
根據本發明所提供的積層板之製造方法，係連續進行：在單面或雙面具有電路形成面的核心層之上述電路形成面上，於加熱加壓下，積層由含有熱硬化性樹脂的樹脂組成物所形成之增層用預浸體，而獲得積層體的積層步驟；及將所積層的上述增層用預浸體之表面施行平滑化的平滑化步驟；然後，對上述積層體加熱而使上述熱硬化性樹脂更進一步進行硬化的硬化步驟；其中，將在上述積層步驟完成的階段，上述增層用預浸體利用動態黏彈性試驗，依測定範圍50~200℃、升溫速度3℃/min、頻率62.83rad/sec所測得複數動態黏度的極小值設為η1時，η1係20Pa‧s以上且300Pa‧s以下。
根據此發明，藉由將積層步驟完成階段的增層用預浸體之複數動態黏度η1設為20Pa‧s以上，便不會使預浸體中的熱硬化性樹脂流動性變為過大，因而可抑制平滑化步驟中的熱硬化性樹脂滲出，俾可安定地將積層體予以平滑化。
再者，藉由將積層步驟完成階段的增層用預浸體之複數動態黏度η1設為300Pa‧s以下，而可確保預浸體中的熱硬化性樹脂之適度流動性，俾使源自纖維基材的凹凸不會殘留於積層體表面上，而可安定地將積層體予以平滑化。
所以，本發明中，可安定地生產沒有殘留源自纖維基材之凹凸的表面平滑性優異積層板。
根據本發明，可提供能安定地生產表面平滑性優異之積層板的積層板之製造方法。
上述目的、以及其他目的、特徵及優點，藉由以下所述較佳實施形態、及所附示的以下圖式便可更加清楚明白。
以下，針對本發明實施形態使用圖式進行說明。另外，所有圖式均係就同樣的構成要件賦予相同元件符號並省略適當說明。
(積層板之製造方法)
針對本實施形態的積層板之製造方法概要進行說明。圖1所示係本實施形態的積層板100之製造步驟剖視圖。
首先，在單面或雙面已形成電路101的核心層102之電路形成面103，於加熱加壓下，積層具備有：熱硬化性樹脂層201、纖維基材202及熱硬化性樹脂層203的增層用預浸體200，而獲得積層體(積層步驟)。接著，例如透過呈對向的一對金屬構件之熱壓，藉此進行所積層增層用預浸體200表面的平滑化(平滑化步驟)。然後，加熱積層體，使熱硬化性樹脂更進一步硬化(硬化步驟)，而可獲得本實施形態的積層板100。
此處，積層步驟完成階段的增層用預浸體200係利用動態黏彈性試驗，依測定範圍50~200℃、升溫速度3℃/min、頻率62.83rad/sec所獲得複數動態黏度的極小值η1為20Pa‧s以上、較佳為30Pa‧s以上、更佳為40Pa‧s以上。藉由將複數動態黏度η1設為上述下限值以上，因為預浸體中的熱硬化性樹脂流動性便不會變為過大，因而在平滑化步驟中可抑制熱硬化性樹脂滲出，俾可安定地將積層體予以平滑化。
再者，積層步驟完成階段的增層用預浸體200係利用動態黏彈性試驗，依測定範圍50~200℃、升溫速度3℃/min、頻率62.83rad/sec所獲得複數動態黏度的極小值η1為300Pa‧s以下、較佳為200Pa‧s以下、更佳為100Pa‧s以下。藉由將複數動態黏度η1設為上述上限值以下，而可確保預浸體中的熱硬化性樹脂流動性，源自纖維基材202的凹凸不會殘留於積層體表面上，而可安定地將積層體予以平滑化。
另外，在積層步驟完成後且於施行平滑化步驟之前的期間，亦會有增層用預浸體200因積層體中所殘留的熱而進行反應之情況。所以，上述所謂「積層步驟完成階段」係指剛要進入平滑化步驟前的狀態。所以，增層用預浸體200不需要在剛完成積層步驟之後即滿足上述複數動態黏度η1，亦可為直到正要進行平滑化步驟之前滿足上述複數動態黏度η1。
另外，複數動態黏度η1係從積層體表面的增層層300中， 切取出含有熱硬化性樹脂的樹脂組成物(未含纖維基材)並當作測定樣品，再使用動態黏彈性測定裝置即可進行測定。
接著，針對構成本實施形態積層板100的各材料進行說明。
(核心層)
核心層102係指諸如玻璃環氧基板、金屬基板、聚酯基板、聚醯亞胺基板、BT樹脂基板、熱硬化型聚苯醚基板等基板的單面或雙面，設有經圖案加工過之電路形成面103的薄片狀者。又，核心層102亦涵蓋更進一步應形成增層層300及電路101的中間製造物之內層電路基板。
核心層102之製造方法並無特別的限定，例如使用雙面設有金屬箔的核心層，利用鑽床機對既定地方鑿孔，再利用無電解電鍍達成核心層的雙面導通。然後，藉由對金屬箔施行蝕刻而形成電路101。另外，內層電路部分最好施行諸如黑化處理等粗糙化處理。又，開口部係可利用諸如導體糊膏或樹脂糊膏予以適當埋藏。
(增層用預浸體)
圖2所示係本實施形態增層用預浸體200的構造剖視圖。預浸體200係具備有：纖維基材202、在纖維基材202的雙面所設置之熱硬化性樹脂層201及熱硬化性樹脂層203。預浸體200係使樹脂組成物P含浸於纖維基材202而可形成。
以下，針對預浸體200所使用的樹脂組成物P進行說明， 惟在纖維基材202的雙面所設置之熱硬化性樹脂層201及熱硬化性樹脂層203，係可互為相同、亦可各自不同。
預浸體200所使用的樹脂組成物P係含有(A)環氧樹脂。(A)環氧樹脂係可舉例如：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚E型環氧樹脂、雙酚M型環氧樹脂、雙酚P型環氧樹脂、雙酚Z型環氧樹脂等雙酚型環氧樹脂；酚酚醛型環氧樹脂、甲酚酚醛型環氧樹脂等酚醛型環氧樹脂；聯苯基型環氧樹脂、聯苯芳烷型環氧樹脂等芳伸烷型環氧樹脂；萘型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、苯氧基型環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂、降烯型環氧樹脂、金剛烷型環氧樹脂、茀型環氧樹脂等環氧樹脂等。可單獨使用該等中之1種，亦可併用2種以上。
(A)環氧樹脂的含有量並無特別的限定，較佳係佔樹脂組成物P全體的15質量%以上且80質量%以下。更佳係25質量%以上且50質量%以下。又，若併用液狀的雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂等液狀環氧樹脂，則可提升對纖維基材202的含浸性，故屬較佳。液狀環氧樹脂的含有量更佳係佔樹脂組成物P全體的2質量%以上且18質量%以下。又，若併用固態的雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂，則可提升對導體的密接性。
再者，樹脂組成物P中亦可含有諸如三聚氰胺樹脂、脲樹脂、氰酸酯樹脂等除環氧樹脂以外的熱硬化性樹脂，較佳係 併用氰酸酯樹脂。氰酸酯樹脂的種類並無特別的限定，可舉例如：酚醛型氰酸酯樹脂、雙酚A型氰酸酯樹脂、雙酚E型氰酸酯樹脂、四甲基雙酚F型氰酸酯樹脂等雙酚型氰酸酯樹脂等。該等之中，就從低熱膨脹性的觀點，較佳係酚酚醛型氰酸酯樹脂。又，更可併用其他的氰酸酯樹脂1種或2種以上，並無特別的限定。氰酸酯樹脂較佳係佔樹脂組成物P全體的8質量%以上且20質量%以下。
樹脂組成物P較佳係含有(B)無機填充材。(B)無機填充材係可舉例如：滑石、煅燒黏土、未煅燒黏土、雲母、玻璃等矽酸鹽；氧化鈦、氧化鋁、二氧化矽、熔融二氧化矽等氧化物；碳酸鈣、碳酸鎂、水滑石等碳酸鹽；氫氧化鋁、氫氧化鎂、氫氧化鈣等氫氧化物；硫酸鋇、硫酸鈣、亞硫酸鈣等硫酸鹽或亞硫酸鹽；硼酸鋅、偏硼酸鋇、硼酸鋁、硼酸鈣、硼酸鈉等硼酸鹽；氮化鋁、氮化硼、氮化矽、氮化碳等氮化物；鈦酸鍶、鈦酸鋇等鈦酸鹽等。可單獨使用該等中之1種，亦可併用2種以上。
該等之中，特佳係二氧化矽，就從低熱膨脹性優異的觀點，較佳係熔融二氧化矽(特別係球狀熔融二氧化矽)。就形狀係有破碎狀、球狀，但為確保對纖維基材的含浸性，且為降低樹脂組成物P的熔融黏度，可使用諸如球狀二氧化矽等，並採用配合目的之使用方法。
(B)無機填充材的平均粒徑並無特別的限定，較佳係 0.01μm以上且3μm以下、更佳係0.02μm以上且1μm以下。藉由將(B)無機填充材的粒徑設為0.01μm以上，而可使清漆呈低黏度，可使樹脂組成物P良好地含浸於纖維基材中。又，藉由設為3μm以下，而可清漆中發生(B)無機填充劑沉澱等。該平均粒徑係可利用例如粒度分佈計(島津製作所公司製、製品名：雷射繞射式粒度分佈測定裝置SALD系列)進行測定。
又，(B)無機填充材並無特別的限定，亦可使用平均粒徑為單分散的無機填充材，亦可使用平均粒徑為多分散的無機填充材。又，亦可併用平均粒徑為單分散及/或多分散的無機填充材之1種或2種以上。
再者，較佳係平均粒徑3μm以下的球狀二氧化矽(特別係球狀熔融二氧化矽)、更佳係平均粒徑0.02μm以上且1μm以下的球狀熔融二氧化矽。藉此，可提升(B)無機填充劑的填充性。
(B)無機填充材的含有量並無特別的限定，較佳係佔樹脂組成物P全體的2質量%以上且70質量%以下、更佳係5質量%以上且65質量%以下。若含有量在上述範圍內，特別係可成為低熱膨脹、低吸水。又，視需要藉由熱硬化性樹脂層201與熱硬化性樹脂層203改變(B)無機填充材的含有量，亦可達兼顧與導體間之密接及低熱膨脹。
預浸體200所使用的樹脂組成物P並無特別的限定，較佳 係使用(C)偶合劑。(C)偶合劑係藉由提升與(A)環氧樹脂及(B)無機填充材間之界面濕潤性，而可使(A)環氧樹脂與(B)無機填充材均勻地固定於纖維基材，俾可改善耐熱性、特別係吸濕後的焊錫耐熱性。
(C)偶合劑係可使用通常使用者均可任意使用，具體較佳係使用從環氧矽烷偶合劑、陽離子矽烷偶合劑、胺基矽烷偶合劑、鈦酸酯系偶合劑及聚矽氧油型偶合劑之中選擇1種以上的偶合劑。藉此可提高與(B)無機填充材的界面間之濕潤性，且藉此可更加提升耐熱性。
(C)偶合劑的添加量係依存於(B)無機填充材的比表面積，因而無特別的限定，相對於(B)無機填充材100質量份，較佳係0.05質量%以上且3質量%以下、更佳係0.1質量%以上且2質量%以下。藉由將含有量設為0.05質量%以上，而可充分被覆(B)無機填充材，俾可提升耐熱性。藉由設為3質量%以下，而可良好地進行反應，並可防止彎曲強度等降低。
樹脂組成物P可更進一步使用(D)酚系硬化劑。酚系硬化劑係可舉例如：酚酚醛樹脂、烷基酚酚醛樹脂、雙酚A酚醛樹脂、雙環戊二烯型酚樹脂、XYLOK型酚樹脂、萜烯改質酚樹脂、聚乙烯酚類等公知慣用者，該等係可單獨使用、或組合使用2種以上。
(D)酚硬化劑的調配量較佳係與(A)環氧樹脂的當量比(酚 性羥基當量/環氧基當量)為0.1以上且1.0以下。藉此，不會有未反應的酚硬化劑殘留，俾提升吸濕耐熱性。當樹脂組成物P係併用環氧樹脂與氰酸酯樹脂的情況，更佳係0.2以上且0.5以下的範圍。理由係酚樹脂不僅作為硬化劑的作用，可會促進氰酸酯基與環氧基間之硬化。
在樹脂組成物P中視需要亦可使用(E)硬化觸媒。(E)硬化觸媒係可使用公知物。可例如：環烷酸鋅、環烷酸鈷、辛酸錫、辛酸鈷、雙乙醯丙酮酸鈷(II)、參乙醯丙酮酸鈷(III)等有機金屬鹽；三乙胺、三丁胺、二氮雜雙環[2,2,2]辛烷等三級胺類；2-苯基-4-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-乙基-4-乙基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基咪唑等咪唑類；酚、雙酚A、壬基酚等酚化合物；醋酸、苯甲酸、水楊酸、對甲苯磺酸等有機酸等等、或其混合物。硬化觸媒係可涵蓋該等中之衍生物單獨使用1種，亦可涵蓋該等中之衍生物併用2種以上。
(E)硬化觸媒的含有量並無特別的限定，較佳係佔樹脂組成物P全體的0.05質量%以上、更佳係0.08質量%以上。藉由將硬化觸媒的含有量設為上述下限值以上，則可效率更佳地獲得依動態黏彈性試驗所測得複數動態黏度η1達20Pa‧s以上的增層用預浸體。又，可充分促進硬化。
再者，硬化觸媒的含有量並無特別的限定，較佳係佔樹脂組成物P全體的5質量%以下、更佳係2質量%以下。藉由 設為上述上限值以下，便可效率更佳地獲得依動態黏彈性試驗所測得複數動態黏度η1在300Pa‧s以下的增層用預浸體。又，可防止預浸體200的保存性降低。
樹脂組成物P亦可併用諸如：苯氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚伸苯醚樹脂、聚醚碸樹脂、聚酯樹脂、聚乙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂等熱可塑性樹脂；苯乙烯-丁二烯共聚合體、苯乙烯-異戊二烯共聚合體等聚苯乙烯系熱可塑性彈性體；聚烯烴系熱可塑性彈性體、聚醯胺系彈性體、聚酯系彈性體等熱可塑性彈性體；聚丁二烯、環氧改質聚丁二烯、丙烯酸改質聚丁二烯、甲基丙烯酸改質聚丁二烯等二烯系彈性體。該等之中，較佳係苯氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚伸苯醚樹脂、聚醚碸樹脂等耐熱性高分子樹脂。藉此，可使預浸體的厚度均勻性優異，作為佈線基板時的耐熱性及細微佈線絕緣性均優異。
再者，該樹脂組成物P中，視需要亦可添加諸如：顏料、染料、消泡劑、均塗劑、紫外線吸收劑、發泡劑、抗氧化劑、難燃劑、離子捕捉劑等除上述成分以外的添加物。
含浸有樹脂組成物P的纖維基材202並無特別的限定，可舉例如：玻璃織布、玻璃不織布等玻璃纖維基材(玻璃纖維布)；或由以諸如：聚醯胺樹脂纖維、芳香族聚醯胺樹脂纖維、全芳香族聚醯胺樹脂纖維等聚醯胺系樹脂纖維；聚酯樹 脂纖維、芳香族聚酯樹脂纖維、全芳香族聚酯樹脂纖維等聚酯系樹脂纖維、聚醯亞胺樹脂纖維、氟樹脂纖維等為主成分的織布或不織布所構成之合成纖維基材；或以諸如：牛皮紙、棉短絨紙、短毛纖與牛皮紙漿的混抄紙等為主成分的紙基材等有機纖維基材等。
該等之中，較佳係玻璃纖維基材(玻璃纖維布)。藉此，可獲得低吸水性、且高強度、低熱膨脹性的預浸體。
構成玻璃纖維布的玻璃係可舉例如：E玻璃、C玻璃、A玻璃、S玻璃、D玻璃、NE玻璃、T玻璃、H玻璃等。該等之中，較佳係E玻璃或T玻璃。藉此，可達成預浸體的高彈性化，且可降低預浸體的熱膨脹係數。
使樹脂組成物P含浸於纖維基材202中的方法，係例如使用樹脂組成物P調製樹脂清漆V，再將纖維基材202浸漬於樹脂清漆V中的方法；利用各種塗佈機施行塗佈的方法；利用噴霧施行吹抵的方法；將樹脂清漆V塗佈於基材上，經乾燥而製得樹脂薄片，再依將該樹脂薄片依樹脂層接觸纖維織布202的方式配置並施行壓接的方法等。該等之中，較佳係將纖維基材202浸漬於樹脂清漆V中的方法。藉此，可提升樹脂組成物P對纖維基材202的含浸性。另外，將纖維基材202浸漬於樹脂清漆V中之時，可使用通常的含浸塗佈設備。
樹脂清漆V中所使用的溶劑最好對樹脂組成物P中的樹 脂成分呈良好溶解性，在不致造成不良影響的範圍內，亦可使用貧溶劑。呈良好溶解性的溶劑係可例如：丙酮、甲乙酮、甲基異丁酮、環己酮、環戊酮、四氫呋喃、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、二甲亞碸、乙二醇、賽珞蘇系、卡必醇系等。
樹脂清漆V的固形份並無特別的限定，較佳係樹脂組成物P的固形份20質量%以上且80質量%以下、更佳係50質量%以上且65質量%以下。藉此可更加提升樹脂清漆V對纖維基材202的含浸性。使樹脂組成物P含浸於纖維基材202中的既定溫度並無特別的限定，例如依90℃以上且220℃以下施行乾燥即可獲得預浸體200。預浸體200的厚度較佳係20μm以上且100μm以下。
預浸體200係以纖維基材202為中心，熱硬化性樹脂層201與熱硬化性樹脂層203的厚度，可與以纖維基材202為中心呈實質相同、亦可為不同。換言之，預浸體200亦可纖維基材的厚度方向中心、與預浸體的厚度方向中心呈偏移。
預浸體200亦可透過金屬箔或薄膜進行複數片積層。金屬箔係可例如：銅及銅系合金、鋁及鋁系合金、銀及銀系合金、金及金系合金、鋅及鋅系合金、鎳及鎳系合金、錫及錫系合金、鐵及鐵系合金等金屬箔。該等之中，較佳係銅箔。
隔著金屬箔或薄膜進行複數片積層之後，亦可施行加熱、加壓。加熱的溫度並無特別的限定，較佳係120℃以上且230℃以下、更佳係150℃以上且210℃以下。又，加壓的壓 力並無特別的限定，較佳係1MPa以上且5MPa以下、更佳係2MPa以上且4MPa以下。藉由使用此種預浸體200，則可獲得介電特性、高溫多濕化的機械性、電氣式耦接可靠度均優異的積層板。
預浸體200亦可捲繞積層成捲筒狀。此時，亦可在單面或雙面上設置支撐基材，並於透過該支撐基材的狀態下施行捲繞積層。將預浸體200捲繞積層呈捲筒狀的方法係可例如下述。
使樹脂組成物P含浸於纖維基材202中之後，與支撐基材一起搬送至輥式積層裝置，再利用金屬輥或彈性材輥將支撐基材利用連續施行加壓及加熱，積層於預浸體200上。然後，藉由捲取成捲筒狀，可使預浸體200捲繞積層成捲筒狀。
再者，亦可將已捲取成捲筒狀的薄片狀纖維基材202，利用輥進行連續搬送，並施行對樹脂清漆V的含浸及乾燥，而可製得捲繞積層成捲筒狀的預浸體200。
支撐基材係可使用塑膠薄膜，例如：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)等聚酯；聚碳酸酯(PC)、丙烯酸樹脂(PMMA)、環狀聚烯烴、三醋酸纖維素(TAC)、聚醚碸(PES)、聚醚酮、聚醯亞胺等。該等之中，較佳係PET薄膜、PEN薄膜，更佳係PET薄膜。針對支撐基材，亦可對熱硬化性樹脂層201及203的積層面施行消光處理、電暈處理。預浸體200經熱硬化後，為將支撐基材予以剝離，亦 可在鄰接預浸體200之一面上設置離型層。
再者，當單面設有支撐基材的情況，亦可在另一面上設置保護材。此情況，依第二面S2鄰接支撐基材、第一面S1鄰接保護材的方式，搬送於輥式積層裝置，再藉由從支撐基材及保護材雙方的面，利用金屬輥或彈性材輥施行加壓及加熱而可使其積層。保護材係可使用例如：聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯等聚烯烴；PET、PEN等聚酯；PC、聚醯亞胺等塑膠薄膜。保護材的厚度較佳係5μm以上且30μm以下的範圍。
接著，針對積層板之製造方法的各步驟分別進行詳細說明。
(積層步驟)
首先，較佳係準備已捲繞成捲筒狀的預浸體200，並與薄片狀核心層102一起搬送至積層機。積層機較佳係例如具備有呈對向的一對彈性構件，並依核心層102與預浸體200被彈性構件夾置的狀態，透過彈性構件施行加熱及加壓而積層。
此時，較佳係使用更具備有絕熱橡膠等彈性構件的積層機，並透過彈性構件施行壓製。彈性構件係具有柔軟性，因為可追蹤在核心層上所形成電路101的凹凸形狀，因而能使核心層102與預浸體200更加密接。
積層機較佳係使用在真空下施行加熱及加壓的積層機(真 空積層機)。彈性構件係可使用例如板狀或捲筒狀橡膠。
加熱溫度並無特別的限定，較佳係80℃以上、更佳係90℃以上。藉由設為上述下限值以上，即可效率更佳地獲得依動態黏彈性試驗所測得複數動態黏度的極小值η1達20Pa‧s以上之增層用預浸體。又，加熱溫度較佳係150℃以下、更佳係140℃以下。藉由設為上述上限值以下，而可效率更佳地獲得依動態黏彈性試驗所測得之複數動態黏度的極小值η1在300Pa‧s以下之增層用預浸體。
加熱時間並無特別的限定，較佳係10秒以上、更佳係30秒以上。藉由設為上述下限值以上，而可效率更佳地獲得依動態黏彈性試驗所測得之複數動態黏度η1達20Pa‧s以上之增層用預浸體。又，加熱時間並無特別的限定，較佳係500秒以下、更佳係300秒以下。藉由設為上述上限值以下，而可效率更佳地獲得依動態黏彈性試驗所測得之複數動態黏度η1在300Pa‧s以下的增層用預浸體。
壓力較佳係依0.4MPa以上且1.5MPa以下的範圍實施。
上述積層步驟係可使用市售真空積層機實施。例如可使用Nichigo Morton公司製CPV300所具備的真空加壓式積層機、或其同等物。
(平滑化步驟)
在積層步驟之後，形成預浸體200的熱硬化性樹脂層201及熱硬化性樹脂層203會軟化，並追蹤在核心層102上所形 成電路101變形為凹凸。在此將所積層的增層層300與核心層102，藉由透過呈對向的一對金屬構件施行熱壓，而執行經積層之積層體的平滑化。
平滑化步驟係在大氣壓下，對積層體透過金屬構件利用加熱及加壓而實施。
此處，平滑化步驟完成階段的增層用預浸體200，利用動態黏彈性試驗，依測定範圍50~200℃、升溫速度3℃/min、頻率62.83rad/sec所獲得複數動態黏度的極小值η2(以下有簡稱「複數動態黏度η2」的情況)，較佳係滿足η2≧η1×1.1。藉由滿足上述關係，在後續的硬化步驟中不易引發積層體的膨脹等，可獲得表面平滑性更優異的積層板。又，藉由滿足上述關係，可效率更佳地執行硬化步驟。
再者，平滑化步驟完成階段的增層用預浸體200，依動態黏彈性試驗所測得之複數動態黏度的極小值η2較佳係350Pa‧s以上、更佳係400Pa‧s以上、特佳係500Pa‧s以上。藉由將複數動態黏度η2設為上述下限值以上，在後續的硬化步驟中不易引發積層體的膨脹等，可獲得表面平滑性更優異的積層板。又，藉由滿足上述關係，可效率更佳地執行硬化步驟。
再者，平滑化步驟完成階段的增層用預浸體200，依動態黏彈性試驗所測得之複數動態黏度的極小值η2較佳係50,000Pa‧s以下、更佳係10,000Pa‧s以下。藉由將複數 動態黏度η2設為上述上限值以下，因為依應力應變較少的狀態施行硬化步驟，因而可獲得不易引發膨脹的積層板。
另外，複數動態黏度η2係從積層體表面的增層層300中，切取出含有熱硬化性樹脂的樹脂組成物(未含有纖維基材)並當作測定樣品，再使用動態黏彈性測定裝置便可進行測定。
此種平滑化步驟係可使用市售熱壓裝置實施，例如可使用Nichigo Morton公司製CPV300所具備的熱壓裝置、或其同等物。
加熱溫度並無特別的限定，較佳係80℃以上、更佳係90℃以上。藉由設為上述下限值以上，而可效率更佳地獲得平滑化步驟完成階段，依動態黏彈性試驗所測得之複數動態黏度η2達350Pa‧s以上的增層用預浸體。又，加熱溫度較佳係180℃以下、更佳係170℃以下。藉由設為上述上限值以下，而可效率更佳地獲得依動態黏彈性試驗所測得複數動態黏度η2在50,000Pa‧s以下的增層用預浸體。
加熱時間並無特別的限定，較佳係10秒以上、更佳係30秒以上。藉由設為上述下限值以上，而可效率更佳地獲得平滑化步驟完成階段，依動態黏彈性試驗所測得之複數動態黏度η2達350Pa‧s以上的增層用預浸體。又，加熱時間並無特別的限定，較佳係500秒以下、更佳係300秒以下。藉由設為上述上限值以下，而可效率更佳地獲得平滑化步驟完成 階段，依動態黏彈性試驗所測得之複數動態黏度η2在50,000Pa‧s以下的增層用預浸體。
壓力較佳係依0.4MPa以上且1.5MPa以下的範圍實施。
再者，較佳係抽真空與加壓時間的合計積層步驟時間、與平滑化步驟時間係相等。依此因為可將搬送積層體的線速度呈一定，因而可連續地效率佳施行積層步驟與平滑化步驟。
(第二平滑化步驟)
本實施形態的積層板之製造方法，亦可在上述平滑化步驟(以下亦稱「第一平滑化步驟」)、與上述硬化步驟之間，更進一步施行第二平滑化步驟，一邊使更進一步進行熱硬化性樹脂的反應，一邊使增層用預浸體200的表面更加平滑化。藉此，可使熱硬化性樹脂的反應更進一步進行，俾可抑制因後續步驟的未反應成分揮發等，而造成積層板100表面發生膨脹。
再者，藉由分開施行平滑化步驟，則不需要將加熱溫度與壓力設定為會引發熱硬化性樹脂急遽硬化的嚴苛條件。因而，可依適度條件，一邊抑制積層體的殘留應力生成，一邊施行積層體表面的平滑化。藉此，可抑制殘留應力的生成量，亦可抑制耐熱與耐濕可靠度惡化。
再者，因殘留應力的生成量會導致積層板發生翹曲，特別係在施行雷射介層形成步驟之後，該翹曲會明顯發生。若積層板發生翹曲，半導體封裝的翹曲會變大，導致安裝良率降 低。又，藉由分開施行平滑化步驟，便可更加抑制在積層板中生成的殘留應力，因而可抑制翹曲，俾可獲得可靠度更優異的積層板。
第二平滑化步驟的次數並無特別的限定，可配合積層體的表面狀態施行2次以上。藉由施行2次以上，即可獲得表面平滑性更優異的積層板。
第二平滑化步驟亦可在維持著第一平滑化步驟之際對積層體施加壓力的狀態下，更進一步改變壓力或溫度等條件實施，亦可在第一平滑化步驟之後，於經解除對積層體所施加壓力之後才實施。特別係較佳在第一平滑化步驟後經解除對積層體所施加壓力之後，才實施第二平滑化步驟。
第二平滑化步驟並無特別的限定，可依照與第一平滑化步驟同樣的方法實施，亦可依不同的方法實施。不同的方法係有如使用以下所示皮帶式輸送機的方法。
首先，使第一平滑化步驟後的積層體載置於皮帶式輸送機上。接著，在積層體上放置金屬構件等錘，俾使積層體呈加壓狀態。接著，運轉皮帶式輸送機，藉由使通過乾燥爐內，便一邊加壓積層體一邊施行加熱。
載置於積層體上的金屬構件係在具有能加壓積層體之質量的前提下，其餘並無特別的限定，就從耐蝕性、取得容易度的觀點，較佳係不銹鋼製板等。
載置於積層體上的金屬構件每單位面積之質量並無特別 的限定，較佳係0.01kg/cm2以上且15kg/cm2以下。若屬於上述範圍的質量，便可獲得表面平滑性更優異的積層體。
再者，每單位面積的質量係可利用金屬構件的厚度與片數進行調節，亦可在金屬構件上進而放置錘而進行調節。
第二平滑化步驟的加熱溫度並無特別的限定，較佳係第一平滑化步驟高出10℃以上且100℃以下範圍的溫度。藉由設定為較高於第一平滑化步驟的溫度，可一邊更促進熱硬化性樹脂的反應，一邊更有效率地將增層用預浸體200的表面施行平滑化。
此種第二平滑化步驟係可使用市售裝置執行，可使用例如：北川精機公司製的熱成形壓機、名機製作所公司製的熱壓裝置、MIKADO TECHNOS公司製的加熱壓製裝置、Held公司的壓帶機裝置、Sandvik公司製的壓帶機裝置、或該等的同等物。
(硬化步驟)
在平滑化步驟後，藉由對形成增層用預浸體200的熱硬化性樹脂層201及熱硬化性樹脂層203更進一步施行加熱，使其硬化。使硬化的溫度並無特別的限定，例如100℃以上且250℃以下範圍而可使硬化，較佳係依150℃以上且200℃以下而可使硬化。硬化時間較佳係設為30分鐘以上且75分鐘以下程度。
硬化步驟通常係藉由在大氣壓下對積層體施行加熱而實施。
本實施形態的硬化步驟，較佳係使積層體的溫度從初期溫度逐漸升溫至最高到達溫度。依此的話，可一邊抑制積層體表面發生膨脹與積層體生成殘留應力，一邊使形成增層用預浸體200的熱硬化性樹脂層201與熱硬化性樹脂層203進行硬化。藉由抑制積層體表面上發生膨脹，而可獲得表面平滑性更優異的積層板。
再者，依照殘留應力的生成量會導致積層板發生翹曲，特別係在施行雷射介層形成步驟之後，該翹曲會明顯產生。若積層板發生翹曲，則半導體封裝的翹曲會變大，導致安裝良率降低。在硬化步驟中，藉由使積層體的溫度從初期溫度起逐漸升溫至最高到達溫度，而可抑制積層板產生殘留應力，故可抑制翹曲，並可獲得可靠度更優異的積層板。
初期溫度係在不會引發急遽硬化反應之溫度的前提下，其餘並無特別的限定。在平滑化步驟後，當將積層體溫度冷卻至室溫附近之後才施行硬化步驟的情況，初期溫度較佳係在室溫附近。例如0℃以上且40℃以下。
當在平滑化步驟後，接著施行硬化步驟的情況，亦可在積層體溫度冷卻至室溫附近之後才開始施行硬化步驟。此情況，較佳係40℃以上、更佳係60℃以上。藉由設為上述下限值以上，而可一邊抑制積層體表面發生膨脹與積層體生成殘留應力，一邊效率更佳地進行熱硬化性樹脂層的硬化。
再者，初期溫度並無特別的限定，較佳係90℃以下、更 佳係80℃以下。藉由設為上述上限值以下，則不易引發積層體的急遽升溫，並可一邊更加抑制積層體表面發生膨脹與積層體生成殘留應力，一邊促進熱硬化性樹脂層的硬化。
最高到達溫度並無特別的限定，較佳係90℃以上、更佳係120℃以上。藉由設為上述下限值以上，而可充分促進硬化。
再者，最高到達溫度並無特別的限定，較佳係230℃以下、更佳係200℃以下。藉由設為上述上限值以下，而可一邊抑制積層體表面發生膨脹與積層體生成殘留應力，一邊效率更佳地進行熱硬化性樹脂層的硬化。
從初期溫度起至最高到達溫度的平均升溫速度，係在屬於不會引發急遽硬化反應之速度的前提下，其餘並無特別的限定，較佳係1℃/min以上、更佳係3℃/min以上。藉由設為上述下限值以上，而可效率更佳地促進硬化反應。
再者，從初期溫度起至最高到達溫度的平均升溫速度並無特別的限定，較佳係15℃/min以下、更佳係12℃/min以下。藉由設為上述上限值以下，而可一邊抑制積層體表面發生膨脹與積層體生成殘留應力，且可效率更佳地促進熱硬化性樹脂層的硬化。
另外，從初期溫度起至最高到達溫度的平均升溫速度，係可從積層體表面溫度到達最高到達溫度的時間、及最高到達溫度與初期溫度之差計算出。此處，積層體的表面溫度係可 例如將熱電偶埋藏於積層體中來測定。
另外，從初期溫度起至最高到達溫度的升溫速度係可為一定，亦可設置至少2階段以上的改變。為了一邊抑制積層體表面發生膨脹與積層體生成殘留應力，一邊更有效率地促進硬化步驟，較佳係將硬化步驟的初期升溫速度設為較慢，且隨硬化的進行使升溫速度每次少許加速。
硬化步驟中的積層體之加熱裝置並無特別的限定，可使用公知的加熱方法。可使用例如：熱風乾燥、遠紅外線加熱、高頻感應加熱等加熱乾燥裝置或該等的同等物。
積層體的加熱方法並無特別的限定，可將積層體通過橫搬送型加熱乾燥裝置內進行連續式加熱，亦可將積層體靜置於加熱乾燥裝置內並依批次式進行加熱。
使積層體溫度從初期溫度起逐漸升溫至最高到達溫度的方法並無特別的限定，可例如以下的方法。例如將積層體通過橫搬送型加熱乾燥裝置內並進行連續式加熱的情況，便可使用具有2以上單元的加熱乾燥裝置實施。藉由從積層體所通過的最先單元起依序提高溫度，便可使加熱積層體的溫度呈階段性變化。所以，可使積層體的溫度從初期溫度起階段性變化至最高到達溫度。
再者，當將積層體靜置於加熱乾燥裝置內並依批次式加熱的情況，例如藉由設定加熱乾燥裝置的升溫分佈，可使積層體的溫度從初期溫度起逐漸升溫至最高到達溫度。又，即便 將初期溫度狀態的積層體，在預先設定為最高到達溫度的加熱乾燥裝置內，依積層體全體被均等加熱狀態配置，亦可使積層體的溫度從初期溫度起逐漸升溫最高到達溫度。
硬化時間並無特別的限定，較佳係30分鐘以上、更佳係45分鐘以上。藉由設為上述下限值以上，而可充分促進硬化。
再者，硬化時間並無特別的限定，較佳75分鐘以下、更佳係60分鐘以下。藉由設為上述上限值以下，而可一邊抑制積層體表面發生膨脹與積層體生成殘留應力，一邊效率更佳地促進熱硬化性樹脂層的硬化。
再者，使積層體溫度降低的步驟亦是較佳使積層體溫度從最高到達溫度起逐漸降溫。依此，可一邊抑制積層體生成殘留應力，一邊使積層體的溫度回復至室溫。
(雷射介層形成步驟)
接著，對呈硬化的增層層300照設諸如碳酸氣體雷射、YAG雷射等雷射，而形成介層孔。雷射照射後的樹脂殘渣等較佳係利用諸如過錳酸鹽、重鉻酸鹽等氧化劑等予以除去。又，可同時將平滑增層層300的表面施行粗糙化，俾提升接著利用金屬鍍敷所形成電路101的密接性。增層層300係在上述粗糙化處理中可均勻施行細微的凹凸形狀。又，因為提高增層層300表面的平滑性，所以可精度佳形成細微的佈線電路101。然後，在最外層形成防焊劑，再利用曝光‧ 顯影，使為能安裝半導體元件用的連接用電極部露出，再施行鎳鍍金處理，經切斷呈既定大小而可獲得積層板。
若使用本實施形態的積層板之製造方法，因為積層板中所生成的殘留應力受抑制，因而即便施行雷射介層形成步驟，所獲得之積層板仍不易發生翹曲。所以，可獲得經抑制翹曲的積層板。
(半導體封裝)
接著，針對半導體封裝進行說明。
該半導體封裝係在上述積層板安裝半導體元件而可製得。半導體元件的安裝方法、密封方法並無特別的限定。例如可依照如下方法進行製造。
首先使用諸如倒裝晶片接合器(flip chip bonder)等，施行積層佈線板上的連接用電極部、與半導體元件的焊錫凸塊間之對位。接著，使用諸如IR迴焊裝置、熱板、其他加熱裝置，將焊錫凸塊加熱至熔點以上，並將多層印刷佈線板與焊錫凸塊利用熔融接合而相連接。最後，在積層佈線板與半導體元件之間填充液狀密封樹脂，再使硬化而可獲得半導體封裝。
以上，參照圖式針對本發明實施形態進行敘述，惟該等僅止於本發明例示而已，亦可採用除上述以外的各種構造。
例如圖1雖圖示增層層為單層的情況，但增層層亦可採用在核心層的單面或雙面上積層2層以上的構造。又，圖1 與圖2雖圖示增層用預浸體含有單層薄片狀纖維基材的情況，但亦可採用預浸體所含有的纖維基材為2層以上之構造。又，圖1與圖2雖圖示熱硬化性樹脂層201與熱硬化性樹脂層203的厚度係相等的情況，但亦可採用熱硬化性樹脂層201與熱硬化性樹脂層203的厚度為不同的構造。
(實施例)
以下，針對本發明利用實施例及比較例進行說明，惟本發明並不僅侷限於該等。
實施例及比較例中所使用的原材料係如下。
無機填充材：球狀二氧化矽(Admatechs公司製SO-25R、平均粒徑0.5μm)
環氧樹脂：聯苯芳烷型酚醛環氧樹脂(日本化藥公司製NC-3000)
環氧樹脂：雙環戊二烯型酚醛環氧樹脂(DIC公司製、HP-7200)
環氧樹脂：雙酚A型液狀環氧樹脂(三菱化學公司製、jER-828)
環氧樹脂：雙酚F型液狀環氧樹脂(三菱化學公司製、jER-807)
氰酸酯樹脂：酚醛型氰酸酯樹脂(LONZA公司製Primaset PT-30)
酚硬化劑：酚醛型酚樹脂(DIC公司製、TD-2090-60M、 60%(w/v)甲乙酮(Anon)溶液)
苯氧樹脂：(三菱化學公司製、YX6954BH30、30%(w/v)甲乙酮/環己酮溶液)
聚乙烯縮醛樹脂：(積水化學公司製、KS-10(羥基25mol%))硬化觸媒：2-乙基-4-甲基咪唑(四國化成公司製、2E4MZ)
偶合劑：N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷(信越化學工業公司製、KBM-573)
(實施例1) (1)樹脂清漆A之調製
將環氧樹脂的雙環戊二烯型環氧樹脂(DIC公司製、HP-7200)30質量份、雙酚F型液狀環氧樹脂(三菱化學公司製、jER807)3質量份、氰酸酯樹脂的酚酚醛型氰酸酯樹脂(LONZA公司製、Primaset PT-30)14質量份、苯氧樹脂的三菱化學公司製YX6954BH30依固形份換算計為3質量份、以及硬化觸媒的咪唑(四國化成公司製、2E4MZ)0.2質量份，利用甲乙酮與環己酮之混合溶劑施行60分鐘攪拌而使其溶解。又，添加偶合劑的N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷(信越化學工業公司製、KBM-573)0.1質量份、與無機填充材的球狀二氧化矽(Admatechs公司製SO25R、平均粒徑0.5μm)49.7質量份，利用高速攪拌裝置施行10分鐘攪拌，而製得固形份65%的樹脂清漆。
(2)樹脂薄片A之製作
將所獲得樹脂清漆在厚度36μm的PET(聚對苯二甲酸乙二酯)薄膜單面上，使用間歇滾筒塗佈機裝置施行塗佈。將其利用160℃的乾燥裝置施行3分鐘乾燥，而製得具有樹脂厚度17.5μm基材的樹脂薄片A。
(3)預浸體A之製作
纖維基材係使用玻璃織布(Unitika公司製、布類型#1017、寬530mm、厚度15μm、基重12g/m2)，利用真空積層裝置及熱風乾燥裝置製造預浸體。
具體而言，準備2片樹脂薄片A(設為A1、A2)，並在玻璃織布的雙面上，依樹脂薄片A1與樹脂薄片A2位於玻璃織布的寬度方向中心方式，每次分別重疊1片，再於0.1MPa(750Torr)減壓條件下，使用80℃積層輥施行接合。
此處，在玻璃織布的寬度方向尺寸之內側區域，使樹脂薄片A1與樹脂薄片A2的樹脂層分別接合於纖維布雙面側，且在玻璃織布的寬度方向尺寸之外側區域，使樹脂薄片A1與樹脂薄片A2的樹脂層彼此間相接合。
接著，將經上述接合者通過設定成120℃的橫搬送型熱風乾燥裝置內計2分鐘，在無作用壓力的情況下施行加熱處理，而獲得厚度40μm的預浸體。
(4)積層步驟
使用Nichigo Morton公司製的兩階段增層積層機CVP300，從具PET基材的預浸體製造積層體。具體而言， 使用厚度200μm的ELC-4785GS-B(SUMITOMO BAKELITE公司製、銅箔12μm)，利用鑽床機對既定地方施行鑿孔，再利用無電解電鍍達成導通，再對銅箔施行蝕刻，便製得具有電路形成面的核心層。又，將上述預浸體裁剪為單片，安裝於上述CVP300而暫時黏貼於上述核心層上，再於真空積層機內依120℃、0.7MPa、60秒鐘施行真空積層。
(5)平滑化步驟
然後，使用Nichigo Morton公司製CPV300所具備的熱壓裝置，依120℃、0.6MPa、60秒鐘施行熱壓而平滑化。
(6)硬化步驟
然後，依170℃施行60分鐘熱處理，使增層用預浸體中的熱硬化性樹脂硬化便獲得積層板。
實施例2~8、比較例1~3係除將樹脂清漆的組成、積層步驟及平滑化步驟之條件，改變為表1所示值之外，其餘均依與實施例1同樣的方法製作積層板。
[評估] (1)依動態黏彈性試驗所測得複數動態黏度η1之測定
在完成積層步驟之後，從積層體表面的增層用預浸體中，切取含有熱硬化性樹脂的樹脂組成物(未含有纖維基材)並當作測定樣品，使用動態黏彈性測定裝置(Anton Paar公司製、裝置名Physica MCR-301)，下述條件施行複數動態黏度η1的測定。
頻率：62.83rad/sec
測定範圍50~200℃
升溫速度3℃/min
幾何(geometry)：平行板
板直徑：10mm
板間隔：0.1mm
荷重(法向力)：ON(一定)
應變：0.3%
測定環境：氮
(2)依動態黏彈性試驗所測得之複數動態黏度η2之測定
在完成平滑化步驟之後，從積層體表面的增層用預浸體中，切取含有熱硬化性樹脂的樹脂組成物(未含有纖維基材)並當作測定樣品，依照與上述複數動態黏度η1同樣的條件施行複數動態黏度η2的測定。
(3)厚度變動
利用掃描式電子顯微鏡(SEM)觀察積層板的截面，測定相鄰接有銅佈線部分與無銅佈線部分間之厚度差。
依n=10測定厚度差，將平均未滿0.8μm者評為合格並記為「◎」；將平均0.8μm以上且未滿1.2μm者評為合格並記為「○」；將平均1.2μm以上者評為不合格並記為「×」。結果如表1所示。
(實施例9)
除硬化步驟係依如下述實施之外，其餘均依照與實施例1同樣的方法製造積層板。
在溫度分佈係設定為初期溫度25℃、最高到達溫度160℃、升溫速度3℃/min、硬化時間60分鐘的熱風乾燥裝置中，放入所獲得之積層體，進行增層用預浸體的熱硬化性樹脂之硬化反應。
另外，此處所謂「硬化時間」係指從積層體配置於設定為初期溫度的熱風乾燥裝置內開始起，至取出為止的時間。在裝置內到達最高到達溫度之後，於保持最高到達溫度的狀態下，施行剩餘時間的硬化反應。又，積層體的溫度係利用將熱電偶埋藏於積層體中進行測定，確認到積層體的升溫速度、與熱風乾燥裝置的升溫速度係大致呈一致。
(7)電路基板之製成
接著，在所獲得之積層板上利用碳酸雷射形成介層洞。將介層內及樹脂層表面在60℃膨潤液(Atotech Japan公司製、Swelling Dip Securiganth P)中浸漬5分鐘，更在80℃過錳酸鉀水溶液(Atotech Japan公司製、Concentrate Compact CP)中浸漬10分鐘後，經中和再施行粗糙化處理。
將其經脫脂、賦予觸媒、活化的步驟之後，形成約0.5μm的無電解鍍銅皮膜，並形成電鍍光阻，將無電解鍍銅皮膜當作供電層並形成圖案電鍍銅10μm，施行L/S=50/50μm的細 微電路加工。接著，利用熱風乾燥裝置依200℃施行60分鐘退火處理後，利用快速蝕刻去除供電層。
接著，在依上述所獲得的積層板上形成防焊劑層，再依露出半導體元件搭載墊等的方式，利用碳酸雷射形成盲介層孔(非貫通孔)。
最後，從露出防焊劑層的電路層上形成由無電解鍍鎳層3μm、與更在其上的無電解鍍金層0.1μm所構成鍍敷層，再將所獲得之基板裁剪為50mm×50mm尺寸，而獲得半導體封裝用電路基板。
(8)半導體封裝之製造
在半導體封裝用電路基板上，將具有焊錫凸塊的半導體元件(TEG晶片、尺寸20mm×20mm、厚度725μm)，使用倒裝晶片接合器裝置，利用加熱壓接進行搭載。接著，利用IR迴焊爐將焊錫凸塊予以熔融接合後，填充入液狀密封樹脂(SUMITOMO BAKELITE公司製、CRP-X4800B)，再藉由使該液狀密封樹脂硬化而獲得半導體封裝。另外，液狀密封樹脂係依溫度150℃、120分鐘的條件進行硬化。又，半導體元件的焊錫凸塊係使用由Sn/Ag/Cu組成的無鉛焊錫形成者。
(實施例10)
除將升溫速度設為10℃/min之外，其餘依照均與實施例9同樣的方法製造積層板、電路基板、半導體封裝。
(實施例11)
在硬化步驟中，除預先將熱風乾燥裝置的溫度設為100℃之後，依對積層體全體施行均等加熱的方式，將積層體配置於熱風乾燥裝置支撐台上，施行硬化步驟，並將硬化時間設為30分鐘之外，其餘均依照與實施例9同樣的方法製造積層板、電路基板、半導體封裝。另外，積層體的表面溫度係利用將熱電偶埋藏於積層體中進行測定，從積層體到達屬於設定溫度100℃的前後5℃範圍內之最高溫度為止之時間，計算出平均升溫速度。升溫速度係11℃/min。
(實施例12)
除將樹脂清漆的各成分調配量設為如表2所記載，並將升溫速度設為5℃/min之外，其餘依照均與實施例9同樣的方法製造積層板、電路基板、半導體封裝。
(實施例13)
除在硬化步驟中，預先將熱風乾燥裝置的溫度設為160℃後，再將積層板配置於熱風乾燥裝置內施行硬化步驟，並將硬化時間設為30分鐘之外，其餘均依照與實施例12同樣的方法製作積層板、電路基板、半導體封裝。依照與實施例11同樣方法所計算出的平均升溫速度係32℃/min。
(實施例14)
除將樹脂清漆的各成分調配量設為如表2所記載之外，其餘均依照與實施例13同樣的方法製造積層板、電路基板、 半導體封裝。依照與實施例11同樣方法所計算出的平均升溫速度係30℃/min。
(實施例15)
除將升溫速度設為20℃/min、並將硬化時間設為30分鐘之外，其餘依照均與實施例9同樣的方法製造積層板、電路基板、半導體封裝。
[評估] (4)耐濕耐熱可靠度
將經電解鍍敷、退火處理後的電路基板切取成50mm方塊，於85℃、85%的吸濕條件下施行168小時處理後，利用IR迴焊爐(尖峰溫度260℃)施行3次處理(相當於MSL等級1的處理)，確認有無膨脹。
○：無膨脹
×：有膨脹
(實施例16)
除在平滑化步驟與硬化步驟之間，施行當作第二平滑化步驟之與第一平滑化步驟同樣操作計2次之外，其餘均依照與實施例1同樣的方法製造積層板。又，依照與實施例9同樣的方法製造電路基板、半導體封裝。
(實施例17)
除將第二平滑化步驟變更為依140℃、0.6MPa、60秒鐘熱壓計1次施行平滑化之外，其餘均依照與實施例16同樣的方法製造積層板、電路基板、半導體封裝。
(實施例18)
除將第二平滑化步驟變更為使用多段式熱壓，依升溫速度3℃/min、初期溫度25℃、最高到達溫度120℃、0.6MPa施行60分鐘而施行平滑化的方法，且未施行硬化步驟之外，其餘均依照與實施例16同樣的方法製造積層板、電路基板、半導體封裝。另外，到達最高到達溫度後，於保持最高到達溫度的狀態，施行剩餘時間的平滑化。
(實施例19)
除將樹脂清漆的各成分調配量變更為如表3所記載之外，其餘均依照與實施例18同樣的方法製造積層板、電路基板、半導體封裝。
(實施例20)
除將第二平滑化步驟變更為如下述方法，且未施行硬化 步驟之外，其餘均依照與實施例16同樣的方法製造積層板、電路基板、半導體封裝。
首先，將經第一平滑化步驟後的積層體搭載於皮帶式輸送機上。接著，在積層體上重疊搭載每單位面積的質量為0.01kg/cm2之不銹鋼製彈性體計10片，使積層體呈加壓狀態。接著，運轉皮帶式輸送機，依速度0.05m/min使通過溫度120℃的乾燥爐內，對積層體施行加熱及加壓而平滑化。
(實施例21)
除未施行第二平滑化步驟之外，其餘均依照與實施例16同樣的方法製造積層板、電路基板、半導體封裝。
本發明亦可採取以下的態樣。
[1]
一種積層板之製造方法，係連續進行：在單面或雙面具有電路形成面的核心層之上述電路形成面，於加熱加壓下，積層著由含有熱硬化性樹脂的樹脂組成物所形成之增層用預浸體，而獲得積層體的積層步驟；及將所積層的上述增層用預浸體之表面施行平滑化的平滑化步驟；然後，對上述積層體加熱而使上述熱硬化性樹脂更進一步進行硬化的硬化步驟；其中，將在上述積層步驟完成的階段，上述增層用預浸體利用動態黏彈性試驗，依測定範圍50~200℃、升溫速度3℃/min、頻率62.83rad/sec所測得複數動態黏度的極小值設為η1時，η1係20Pa‧s以上且300Pa‧s以下。
[2]
如上述[1]所記載的積層板之製造方法，其中，將在上述平滑化步驟完成的階段，上述增層用預浸體利用動態黏彈性試驗，依測定範圍50~200℃、升溫速度3℃/min、頻率62.83rad/sec所獲得複數動態黏度的極小值設為η2時，滿足η2≧η1×1.1。
[3]
如上述[2]所記載的積層板之製造方法，其中，上述η2係350Pa‧s以上。
[4]
如上述[1]至[3]中任一項所記載的積層板之製造方法，其中，上述增層用預浸體係使上述樹脂組成物含浸於纖維基材中而形成者。
[5]
如上述[4]所記載的積層板之製造方法，其中，上述纖維基材係玻璃纖維基材。
[6]
如上述[1]至[5]中任一項所記載的積層板之製造方法，其中，上述硬化步驟中，使上述積層體的溫度從初期溫度起逐漸升溫至最高到達溫度。
[7]
如上述[6]所記載的積層板之製造方法，其中，上述硬化步驟中，從上述初期溫度起至上述最高到達溫度的升溫速度係一定。
[8]
如上述[6]所記載的積層板之製造方法，其中，上述硬化步驟中，從上述初期溫度起至上述最高到達溫度的升溫速度係設為至少2階段以上。
[9]
如上述[6]至[8]中任一項所記載的積層板之製造方法，其中，上述硬化步驟中，從上述初期溫度起至上述最高到達溫 度的平均升溫速度係1℃/min以上且15℃/min以下。
[10]
如上述[6]至[9]中任一項所記載的積層板之製造方法，其中，上述硬化步驟中，上述最高到達溫度係90℃以上且230℃以下。
[11]
如上述[1]至[10]中任一項所記載的積層板之製造方法，其中，在上述平滑化步驟與上述硬化步驟之間，進而進行對上述增層用預浸體表面施行更進一步平滑化的第二平滑化步驟。
[12]
如上述[11]所記載的積層板之製造方法，其中，上述平滑化步驟後經解除對上述積層體所施加的壓力後，再進行上述第二平滑化步驟。
[13]
如上述[11]或[12]所記載的積層板之製造方法，其中，經將加熱溫度提高至高於上述平滑化步驟之後，再進行上述第二平滑化步驟。
[14]
如上述[13]所記載的積層板之製造方法，其中，上述平滑化步驟與上述第二平滑化步驟的加熱溫度差係10℃以上且100℃以下。
[15]
如上述[11]至[14]中任一項所記載的積層板之製造方法，其中，上述第二平滑化步驟中，使上述積層體搭載於皮帶式輸送機上，一邊進行搬送一邊施行加熱與加壓。
[16]
如上述[15]所記載的積層板之製造方法，其中，上述加壓係藉由在上述積層體上搭載著金屬構件而實施。
[17]
如上述[16]所記載的積層板之製造方法，其中，上述金屬構件每單位面積的質量係0.01kg/cm2以上且1kg/cm2以下。
[18]
如上述[16]或[17]所記載的積層板之製造方法，其中，上述金屬構件係由不銹鋼構成。
[19]
如上述[11]至[18]中任一項所記載的積層板之製造方法，其中，上述第二平滑化步驟進行2次以上。
[20]
如上述[1]至[19]中任一項所記載的積層板之製造方法，其中，上述積層步驟中，在利用呈對向的一對彈性構件夾置上述核心層與上述增層用預浸體之狀態下施行加熱與加壓。
[21]
如上述[1]至[20]中任一項所記載的積層板之製造方法，其 中，上述增層用預浸體係捲繞積層成捲筒狀；將已捲繞積層的上述增層用預浸體進行搬送，同時搬送薄片狀的上述核心層，並連續地進行上述積層步驟與上述平滑化步驟。
[22]
如上述[1]至[21]中任一項所記載的積層板之製造方法，其中，上述平滑化步驟中，於利用呈對向的一對金屬構件夾置上述核心層與上述增層用預浸體之狀態下施行加熱與加壓。
[23]
如上述[1]至[22]中任一項所記載的積層板之製造方法，其中，在上述硬化步驟之後，更進一步施行雷射介層形成步驟。
[24]
如上述[1]至[23]中任一項所記載的積層板之製造方法，其中，抽真空與加壓時間合計的上述積層步驟之時間、與上述平滑化步驟之時間係相等。
本申請案係以2011年6月21日提出申請的日本專利申請案特願2011-137593號為基礎主張優先權，其所揭示的全部內容均融入本案中。
100‧‧‧積層板
101‧‧‧電路
102‧‧‧核心層
103‧‧‧電路形成面
200‧‧‧增層用預浸體
201‧‧‧熱硬化性樹脂層
202‧‧‧纖維基材
203‧‧‧熱硬化性樹脂層
300‧‧‧增層層
P‧‧‧樹脂組成物
S1‧‧‧第一面
S2‧‧‧第二面
V‧‧‧樹脂清漆
圖1係本實施形態的積層板之製造步驟剖視圖。
圖2係本實施形態的增層用預浸體構造剖視圖。
100‧‧‧積層板
101‧‧‧電路
102‧‧‧核心層
103‧‧‧電路形成面
200‧‧‧增層用預浸體
201‧‧‧熱硬化性樹脂層
202‧‧‧纖維基材
203‧‧‧熱硬化性樹脂層
300‧‧‧增層層

Claims (17)

  1. 一種積層板之製造方法，係連續進行：在單面或雙面具有電路形成面的核心層之上述電路形成面上，於加熱加壓下，積層由含有熱硬化性樹脂的樹脂組成物所形成之增層用預浸體，而獲得積層體的積層步驟；及將所積層的上述增層用預浸體之表面施行平滑化的平滑化步驟；然後，對上述積層體加熱而使上述熱硬化性樹脂更進一步進行硬化的硬化步驟；其中，將在上述積層步驟完成的階段，上述增層用預浸體利用動態黏彈性試驗，依測定範圍50~200℃、升溫速度3℃/min、頻率62.83rad/sec所測得複數動態黏度的極小值設為η1時，η1係20Pa‧s以上且300Pa‧s以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之積層板之製造方法，其中，將在上述平滑化步驟完成的階段，上述增層用預浸體利用動態黏彈性試驗，依測定範圍50~200℃、升溫速度3℃/min、頻率62.83rad/sec所獲得複數動態黏度的極小值設為η2時，滿足η2≧η1×1.1。
  3. 如申請專利範圍第2項之積層板之製造方法，其中，上述η2係350Pa‧s以上。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之積層板之製造方法，其中，上述增層用預浸體係使上述樹脂組成物含浸於纖維基材中而形成者。
  5. 如申請專利範圍第4項之積層板之製造方法，其中，上述纖維基材係玻璃纖維基材。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之積層板之製造方法，其中，上述硬化步驟中，使上述積層體的溫度從初期溫度起逐漸升溫至最高到達溫度。
  7. 如申請專利範圍第6項之積層板之製造方法，其中，上述硬化步驟中，從上述初期溫度起至上述最高到達溫度的升溫速度係設為至少2階段以上。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之積層板之製造方法，其中，在上述平滑化步驟與上述硬化步驟之間，進而進行對上述增層用預浸體表面施行更進一步平滑化的第二平滑化步驟。
  9. 如申請專利範圍第8項之積層板之製造方法，其中，上述平滑化步驟後經解除對上述積層體所施加的壓力後，再進行上述第二平滑化步驟。
  10. 如申請專利範圍第8項之積層板之製造方法，其中，經將加熱溫度提高至高於上述平滑化步驟之後，再進行上述第二平滑化步驟。
  11. 如申請專利範圍第10項之積層板之製造方法，其中， 上述平滑化步驟與上述第二平滑化步驟的加熱溫度差係10℃以上且100℃以下。
  12. 如申請專利範圍第8項之積層板之製造方法，其中，上述第二平滑化步驟係進行2次以上。
  13. 如申請專利範圍第1或2項之積層板之製造方法，其中，上述積層步驟中，在利用呈對向的一對彈性構件夾置有上述核心層與上述增層用預浸體之狀態下施行加熱與加壓。
  14. 如申請專利範圍第1或2項之積層板之製造方法，其中，上述增層用預浸體係捲繞積層成捲筒狀；將已捲繞積層的上述增層用預浸體進行搬送，同時搬送薄片狀的上述核心層，並連續地進行上述積層步驟與上述平滑化步驟。
  15. 如申請專利範圍第1或2項之積層板之製造方法，其中，上述平滑化步驟中，於利用呈對向的一對金屬構件夾置有上述核心層與上述增層用預浸體之狀態下施行加熱與加壓。
  16. 如申請專利範圍第1或2項之積層板之製造方法，其中，在上述硬化步驟之後，更進一步進行雷射介層形成步驟。
  17. 如申請專利範圍第1或2項之積層板之製造方法，其中，抽真空與加壓時間合計的上述積層步驟之時間、與上述平滑化步驟之時間係相等。
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