TW201311810A - 樹脂組成物 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種樹脂組成物，其維持了玻璃轉移溫度、熱膨脹率，同時於濕式粗化步驟中之絕緣層表面之算術平均粗糙度、均方平方根粗糙度小，而可於其上形成具有充分剝離強度之鍍敷導體層。藉由含有環氧樹脂、特定之烷氧矽烷改質樹脂、無機填充材之樹脂組成物而完成本發明。

Description

樹脂組成物
本發明係關於一種樹脂組成物。另外本發明係關於含有該樹脂組成物之接著薄膜、預浸片、多層印刷配線板、半導體裝置。
近年來，隨著電子設備之小型化、高性能化進展，多層印刷配線板中要求增層板層之多層化、配線之微細化及高密度化。
相對於此而有各式各樣的組合。例如，專利文獻1中揭示含有烷氧基矽烷改質樹脂之樹脂組成物。記載有由該等組成物形成之絕緣材料具備耐熱性、低熱膨脹性、難燃性。然而，其性能並非必定令人滿意者。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]特開2001-261776號公報
本發明欲解決之課題係提供一種維持了玻璃轉移溫度、熱膨脹率，同時濕式粗化步驟中絕緣層表面之算術平均粗糙度、均方平方根粗糙度小，而可於其上形成具有充分剝離強度之鍍敷導體層之樹脂組成物。
本發明人等為解決上述課題而積極檢討之結果，發現特徵為含有環氧樹脂、特定之烷氧基矽烷改質樹脂及無機填充材之樹脂組成物，而完成本發明。
亦即，本發明為包含以下內容者。
[1]一種樹脂組成物，其特徵為含有(A)環氧樹脂、(B)三官能性烷氧基矽烷改質樹脂及(C)無機填充材。
[2]如上述[1]項所記載之樹脂組成物，其中(B)三官能性烷氧基矽烷改質樹脂之至少一部分與(C)無機填充材反應形成反應物。
[3]如上述[2]項所記載之樹脂組成物，其係使(B)三官能性烷氧基矽烷改質樹脂與(C)無機填充材預先反應後，添加於(A)環氧樹脂中。
[4]如上述[1]~[3]項中任一項之樹脂組成物，其中以(C)無機填充材為100質量%時，(B)三官能性烷氧基矽烷改質樹脂為0.1~5質量%。
[5]如上述[1]~[4]項中任一項所記載之樹脂組成物，其中(B)三官能性烷氧基矽烷改質樹脂為含有羥基之環氧樹脂中之羥基經矽烷改質之三官能性烷氧基矽烷改質環氧樹脂及/或酚樹脂之酚性羥基經矽烷改質而成之三官能性烷氧基矽烷改質酚樹脂。
[6]如上述[1]~[5]項中任一項所記載之樹脂組成物，其中(B)三官能性烷氧基矽烷改質樹脂為下述式(1)： 式(1)中，R3為碳數1~10之直鏈或分支鏈之烷基，或烯丙基，R4、R5各獨立為氫、碳數1~10之直鏈或分支鏈烷基，式(1)中，m表示1~10，式(1)中，X係選自環氧樹脂或酚樹脂。
[7]如上述[1]~[6]項中任一項所記載之樹脂組成物，其中(B)三官能性烷氧基矽烷改質樹脂為下述式(1)： 式(1)中，R3為碳數1~10之直鏈或分支鏈之烷基，或烯丙基，R4、R5各獨立為氫、碳數1~10之直鏈或分支鏈烷基，式(1)中，m表示1~10，式(1)中，X係選自雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、酚醛清漆酚樹脂。
[8]如上述[1]~[7]項中任一項所記載之樹脂組成物，其中使樹脂組成物硬化形成絕緣層，且使其絕緣層表面經 粗糙化處理，並經鍍敷獲得之導體層與絕緣層之剝離強度為0.43 kgf/cm~1.0 kgf/cm，使樹脂組成物硬化形成絕緣層，且使其絕緣層表面經粗糙化處理後之算術平均粗糙度為10nm~300nm，均方平方根粗糙度為10nm~520nm。
[9]一種接著薄膜，其係使如上述[1]~[8]項中任一項所記載之樹脂組成物於支撐體上層形成而成。
[10]一種預浸片，其係將如上述[1]~[8]項中任一項所記載之樹脂組成物含浸於薄片狀補強基材中而成。
[11]一種多層印刷配線板，其係由如上述[1]~[8]項中任一項所記載之樹脂組成物之硬化物形成絕緣層而成。
[12]一種半導體裝置，其特徵係使用如上述[11]項所記載之多層印刷配線板。
藉由使用含有環氧樹脂、特定之烷氧基矽烷改質樹脂及無機填充材之樹脂組成物，而可提供維持了玻璃轉移溫度、熱膨脹率，同時濕式粗化步驟中絕緣層表面之算術平均粗糙度、均方平方根粗糙度小，而可於其上形成具有充分剝離強度之鍍敷導體層之樹脂組成物。
本發明係一種樹脂組成物，其特徵為含有(A)環氧樹脂、(B)三官能性烷氧基矽烷改質樹脂及(C)無機填充材。本發明中使用之所謂「三官能性烷氧基矽烷」意指「至少 一個矽原子上三取代有烷基及含烷氧基之氧基之矽烷化合物」。
〈(A)環氧樹脂〉
本發明中使用之環氧樹脂並無特別限制，列舉為雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、酚酚醛氫漆型環氧樹脂、第三丁基兒茶酚型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、萘醚型環氧樹脂、縮水甘油基胺型環氧樹脂、縮水甘油酯型環氧樹脂、甲酚酚醛氫漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、線狀脂肪族環氧樹脂、具有丁二烯構造之環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、雜環式環氧樹脂、含有螺環之環氧樹脂、環己烷二甲醇型環氧樹脂、三羥甲基型環氧樹脂、鹵化環氧樹脂等。該等可以一種或兩種以上組合使用。
該等中，就提高耐熱性、提高絕緣信賴性、提高與金屬箔之密著性之觀點而言，較好為雙酚A型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、萘醚型環氧樹脂、具有丁二烯構造之環氧樹脂。具體而言，列舉為例如雙酚A型環氧樹脂(三菱化學(股)製造之「Epicoat 828EL」、「YL980」)、雙酚F型環氧樹脂(三菱化學(股)製造之「jER806H」、「YL983U」)、萘型二官能環氧樹脂(DIC(股)製造之「HP4032」、「HP4032D」、「HP4032SS」、「EXA4032SS」)、萘型四官能環氧樹脂(DIC(股)製造之「HP4700」、「HP4710」)、萘酚型環氧樹脂(東都化成( 股)製造之「ESN-475V」)、具有丁二烯構造之環氧樹脂(Daicel化學工業(股)製造之「PB-3600」)、具有聯苯構造之環氧樹脂(日本化藥(股)製造之「NC3000H」、「NC3000L」、「NC3100」，三菱化學(股)製造之「YX4000」、「YX4000H」、「YX4000HK」、「YL6121」)、蒽型環氧樹脂(三菱化學(股)製造之「YX8800」)、萘醚型環氧樹脂(DIC(股)製造之「EXA-7310」、「EXA-7311」、「EXA-7311L」、「EXA7311-G3」)等。
環氧樹脂亦可併用兩種以上，但較好含有一分子中具有兩個以上環氧基之環氧樹脂。且，更好為含有一分子中具有兩個以上之環氧基，且在溫度20℃下為液狀之芳香族系環氧樹脂的環氧樹脂、及一分子中具有三個以上之環氧基，且在溫度20℃下為固體狀之芳香族系環氧樹脂之樣態。又，本發明中所稱之芳香族系環氧樹脂意指其分子內具有芳香環構造之環氧樹脂。併用液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂作為環氧樹脂時，就以接著薄膜形態使用樹脂組成物時具有適度可撓性方面，或樹脂組成物之硬化物具有適度之斷裂強度方面而言，其調配比例(液狀環氧樹脂：固體狀環氧樹脂)以質量比計，較好為1：0.1~2之範圍，更好為1：0.3~1.8之範圍，又更好為1：0.6~1.5之範圍。
本發明之樹脂組成物中，就提高樹脂組成物之硬化物之機械強度或耐水性之觀點而言，以樹脂組成物中之不揮發成分作為100質量%時，環氧樹脂之含量較好為3~40質量%，更好為5~35質量%，又更好為10~30質量%。
〈(B)三官能性烷氧基矽烷改質樹脂〉
本發明中使用之(B)三官能性烷氧基矽烷改質樹脂中，所謂「三官能性烷氧基矽烷」只要是「至少一個矽原子上三取代有烷基、及含烷氧基之氧基之矽烷化合物」即無特別限制。具體而言，以R1-Si-(OR2)3表示。此處之R1為低級烷基(較好為碳數1~10之直鏈或分支鏈之烷基，更好為碳數1~8之直鏈或分支鏈之烷基，又更好為碳數1~6之直鏈或分支鏈之烷基，又更好為碳數1~4之直鏈或分支鏈之烷基，又再更好為甲基、乙基、丙基，最好為甲基)，或者烯丙基。R2為氫、低級烷基(較好為碳數1~10之直鏈或分支鏈之烷基，更好為碳數1~8之直鏈或分支鏈之烷基，又更好為碳數1~6之直鏈或分支鏈之烷基，又更好為碳數1~4之直鏈或分支鏈之烷基，又再更好為甲基、乙基、丙基，最好為甲基)、烯丙基，或矽烷基。據此，(B)三官能性烷氧基矽烷改質樹脂並無特別限制，但較好為使於至少一個矽原子上三取代有烷基、及含烷氧基之氧基之矽烷化合物予以改質而成之樹脂。因此，更好為含有羥基之環氧樹脂中之羥基經矽烷改質之三官能性烷氧基矽烷改質環氧樹脂，或酚樹脂之酚性羥基經矽烷改質之三官能性烷氧基矽烷改質之酚樹脂。
前述含有羥基之環氧樹脂可使用各種雙酚型環氧樹脂。雙酚型環氧樹脂為雙酚類與表氯醇或β-甲基表氯醇等之鹵環氧化物之反應而獲得者。至於雙酚類列舉為酚或2,6- 二鹵酚與甲醛、乙醛、丙酮、苯乙酮、環己酮、二苯甲酮等醛類或酮類之反應物，以及利用二羥基苯基硫醚之過氧進行氧化，藉由氫醌彼此之醚化反應等而獲得者，或使該等氫化獲得之氫化雙酚。另外，前述雙酚類亦可為使4,4’-二羥基聯苯、三羥基二苯基二甲基乙烷、長鏈型雙酚類、間苯二甲酚、水楊醇(saligenin)等經部分取代而成者。該等雙酚型環氧樹脂中，就提高相溶性之觀點而言，較好為雙酚A型環氧樹脂。
至於前述酚樹脂較好為在酸觸媒存在下，使酚類與醛類反應獲得之酚醛清漆酚樹脂。至於酚類列舉為例如苯酚、鄰-甲酚、間-甲酚、對-甲酚、2,3-二甲苯酚、2,4-二甲苯酚、2,5-二甲苯酚、2,6-二甲苯酚、3,4-二甲苯酚、3,5-二甲苯酚、對-乙基酚、對-異丙基酚、對-第三丁基酚、對-氯酚、對-溴酚等各種者。至於醛類除福馬林以外，亦可使用仲甲醛、三噁烷、四噁烷等之甲醛產生源物質。
(B)三官能性烷氧基矽烷改質樹脂為上述之含羥基之環氧樹脂中之羥基經矽烷改質之三官能性烷氧基矽烷改質環氧樹脂，或酚樹脂之酚性羥基經矽烷改質之三官能性烷氧基矽烷改質之酚樹脂時，官能基當量(環氧當量或酚性羥基當量)較好為150~350。
更具體而言，(B)三官能性烷氧基矽烷改質樹脂可以下述通式(1)之構造表示。
式(1)中，R3為碳數1~10之直鏈或分支鏈之烷基，或烯丙基，較好為碳數1~5之直鏈或分支鏈之烷基，更好為碳數1~4之直鏈或分支鏈之烷基，又更好為甲基、乙基、丙基、烯丙基，又更好為甲基。R4、R5各獨立為氫、碳數1~10之直鏈或分支鏈之烷基，較好為碳數1~5之直鏈或分支鏈之烷基，更好為碳數1~4之直鏈或分支鏈，又更好為甲基、乙基、丙基、烯丙基，又再更好為甲基。
式(1)中，m表示1~10。
式(1)中，X選自環氧樹脂或酚樹脂，更好選自雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、酚醛清漆酚樹脂。X更具體表示時，列舉為下式(2)或下式(3)。
(式中，n表示1~10，R6各獨立表示氫、甲基、苯基、三氟甲基，＊部與O原子鍵結)。
(式中，＊部與O原子鍵結)。
市售三官能性烷氧基矽烷改質樹脂列舉為以下式(4)表示之「E201」(荒川化學工業(股)製造，環氧當量285)、以下式(5)表示之「P501」(荒川化學工業(股)製造，酚性羥基當量275)等。
(式中，n表示1~10，m表示1~10)。
(式中，m表示1~10)。
〈(C)無機填充材〉
本發明中使用之(C)無機填充材並無特別限制，列舉為例如二氧化矽、氧化鋁、硫酸鋇、滑石、黏土、雲母粉、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、氧化鎂、氮化硼、硼酸鋁、鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鈦酸鉍、氧化鈦、鋯酸鋇、鋯酸鈣等。其中，以二氧化矽較佳。另外，較好為無定形二氧化矽、粉碎二氧化矽、熔融二氧化矽、結晶二氧化矽、合成二氧化矽、中空二氧化矽等二氧化矽，更好為熔融二氧化矽。另外，二氧化矽較好為球狀者。該等可使用一種亦可以兩種以上組合使用。市售之球狀熔融二氧化矽列舉為Advantex(股)製造之「SOC2」、「SOC1」。
無機填充材之平均粒徑並無特別限制，但無機填充材之平均粒徑之上限值，就於絕緣層上進行微細配線形成之 觀點而言，較好為5μm以下，更好為3μm以下，又更好為1μm以下，再更好為0.7μm以下，又再更好為0.5μm以下，最好為0.4μm以下，又最好為0.3m以下。另一方面，無機填充材之平均粒徑之下限值，於以環氧樹脂組成物作為樹脂組成物漆料時，就防止漆料之黏度上升，使作業性降低之觀點而言，較好為0.01μm以上，更好為0.03μm以上，又更好為0.05μm以上，再更好為0.07μm以上，最好為0.1μm以上。上述無機填充材之平均粒徑可依據米氏(Mie)散射理論，以雷射繞射．散射法測定。具體而言可以雷射繞射式粒度分佈測定裝置，以體積基準製作無機填充材之粒度分佈，以其中值直徑作為平均粒徑而測定。測定樣品可較好地使用以超音波使無機填充材分散於水中而成者。至於雷射繞射式粒度分佈測定裝置可使用堀場製作所(股)製造之LA-500、750、950等。本發明使用LA-750。
調配無機填充材時之含量，以樹脂組成物中之不揮發成分作為100質量%時，雖依據樹脂組成物所要求之特性而異，但較好為20~85質量%，更好為30~80質量%，又更好為40~75質量%，又再更好為50~70質量%。無機填充材之含量太少時，會有硬化物之熱膨脹率變高之傾向，含量太大時會有硬化物變脆之傾向或剝離強度下降之傾向。
本發明之樹脂組成物中，(B)三官能性烷氧基矽烷改質樹脂之至少一部份亦可與(C)無機填充材反應，形成反應 物。
本說明書中之(B)三官能性烷氧基矽烷改質樹脂與(C)無機填充材之所謂「反應」係表示(B)三官能性烷氧基矽烷改質樹脂之烷氧基與(C)無機填充材之表面羥基之間之縮合反應，具體而言係表示水解．脫水縮合反應、脫醇縮合反應。據此，(B)三官能性烷氧基矽烷改質樹脂與(C)無機填充材反應形成之所謂「反應物」係表示(B)三官能性烷氧基矽烷改質樹脂與(C)無機填充材之縮合物。該縮合物中，(B)三官能性烷氧基矽烷改質樹脂係共價鍵結於(C)無機填充材之表面。
本發明之(C)無機填充材、或者與(B)三官能性烷氧基矽烷改質樹脂之至少一部分反應而形成反應物之(C)無機填充材，在不損及本發明效果之範圍內，較好為以環氧基矽烷系偶合劑、胺基矽烷系偶合劑、巰基矽烷系偶合劑、矽烷系偶合劑、有機矽氮烷化合物、鈦酸酯系偶合劑等表面處理劑進行表面處理以提高其耐濕性者。該等可使用一種或組合兩種以上使用。具體之表面處理劑列舉為胺基丙基甲氧基矽烷、胺基丙基三乙氧基矽烷、脲基丙基三乙氧基矽烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-2(胺基乙基)胺基丙基三甲氧基矽烷等胺基矽烷系偶合劑，縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、縮水甘油基丁基三甲氧基矽烷、(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷等環氧基矽烷系偶合劑，巰基丙基三甲氧基矽烷、巰基丙基三 乙氧基矽烷等巰基矽烷系偶合劑、甲基三甲氧基矽烷、十八烷基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、咪唑基矽烷、三嗪矽烷等矽烷系偶合劑，六甲基二矽氮烷、六苯基二矽氮烷、三矽氮烷、環三矽氮烷、1,1,3,3,5,5-六甲基環三矽氮烷等有機矽氮烷化合物，鈦酸丁酯二聚物、辛二醇酸鈦、二異丙氧基鈦雙(三乙醇戊酸酯)、二羥基雙乳酸鈦、二羥基雙(乳酸銨)鈦、雙(二辛基焦磷酸酯)伸乙基鈦酸酯、雙(二辛基焦磷酸酯)氧基乙酸酯鈦酸酯、三正丁氧基單硬脂酸鈦、鈦酸四正丁酯、鈦酸四(2-乙基己酯)、四異丙基雙(二辛基磷酸酯)鈦酸酯、四辛基雙(二-十三烷基磷酸酯)鈦酸酯、四(2,2-二烯丙氧基甲基-1-丁基)雙(二-十三烷基)磷酸酯鈦酸酯、異丙基三辛醯基鈦酸酯、異丙基三枯基苯基鈦酸酯、異丙基三異硬脂醯基鈦酸酯、異丙基異硬脂醯基二丙烯醯基鈦酸酯、異丙基二甲基丙烯醯基異硬脂醯基鈦酸酯、異丙基三(二辛基磷酸酯)鈦酸酯、異丙基三-十二烷基苯磺醯基鈦酸酯、異丙基三(二辛基焦磷酸酯)鈦酸酯、異丙基三(N-醯胺基乙基．胺基乙基)鈦酸酯等鈦酸酯矽偶合劑等。
該等中，使用以有機矽氮烷化合物對(C)無機填充材進行表面處理者時，就提高樹脂漆料之分散性、提高以三官能性烷氧基矽烷改質樹脂對無機填充材之被覆率之觀點而言較為有利。尤其，以六甲基二矽氮烷較佳。又，使用以表面處理劑處理之(C)無機填充材時，(B)三官能性烷氧基矽烷改質樹脂亦可透過該表面處理劑共價鍵結於(C)無 機填充材之表面。
本發明之樹脂組成物中，(B)三官能性烷氧基矽烷改質樹脂與(C)無機填充材可直接添加於樹脂組成物中，亦可使(B)三官能性烷氧基矽烷改質樹脂與(C)無機填充材預先反應後添加。就提高在樹脂組成物中之分散性之觀點而言，以使(B)三官能性烷氧基矽烷改質樹脂與(C)無機填充材預先反應後再添加於樹脂組成物中較佳。又藉由使(B)三官能性烷氧基矽烷改質樹脂與(C)無機填充材預先反應後添加於樹脂組成物中，如上述般可適當地獲得使(B)三官能性烷氧基矽烷改質樹脂之至少一部分與(C)無機填充材反應而形成反應物之樹脂組成物。(B)三官能性烷氧基矽烷改質樹脂與(C)無機填充材預先反應之方法列舉為例如以下之方法。
將(C)無機填充材投入旋轉混練機中，且一邊噴霧使(B)三官能性烷氧基矽烷改質樹脂預先與MEK混合而成者，一邊攪拌(C)無機填充材5~30分鐘，接著在50~150℃攪拌0.5~3小時，進行預先反應。更好在55~130℃攪拌0.5~3小時，又更好在60~110℃攪拌0.5~3小時，再更好在70~80℃攪拌1~3小時。隨後，列舉為餾除揮發成分之方法。除旋轉混練機以外，亦可使用滾筒式混練機、搖滾混練機、振動流動層、粉體乾燥機等，但就進行較簡便之觀點而言，以旋轉混練機較佳。旋轉混練機列舉為亨歇爾型混粉機。
(B)三官能性烷氧基矽烷改質樹脂之含量，就防止熔 融黏度上升之觀點而言，相對於(C)無機填充材100質量%，較好為5質量%以下，更好為4質量%以下，又更好為3質量%以下。又，就提高樹脂漆料之分散性之觀點而言，較好為0.1質量%以上，更好為0.5質量%以上，又更好為1質量%以上。
使本發明之樹脂組成物硬化形成絕緣層，對其絕緣層表面進行粗化處理，並經鍍敷獲得之導體層與絕緣層之剝離強度可利用後述之<鍍敷導體層之拉伸剝離強度(剝離強度)之測定>中所記載之測定方法掌握。
剝離強度之上限值較好為0.7kgf/cm以下，更好為0.8 kgf/cm以下，又更好為0.9kgf/cm以下，再更好為1.0kgf/cm以下。剝離強度之下限值較好為0.43kgf/cm以上，更好為0.48 kgf/cm以上，又更好為0.53 kgf/cm以上。
使本發明之樹脂組成物硬化形成絕緣層，對其絕緣層表面進行粗化處理後之算術平均粗糙度(Ra值)、均方平方根粗糙度(Rq值)可利用後述之<粗化後之算術平均粗糙度(Ra值)、均方平方根粗糙度(Rq值)之測定>中所記載之測定方法掌握。
算術平均粗糙度(Ra值)之上限值較好為300nm以下，更好為250nm以下，又更好為220nm以下，再更好為200nm以下，又再更好為190nm以下，最好為170nm以下，又最好為150nm以下。算術平均粗糙度(Ra值)之下限值較好為50nm以上，更好為30nm以上，又更好為10nm以上。
均方平方根粗糙度(Rq值)之上限值較好為520nm以下，更好為450nm以下，又更好為400nm以下，再更好為380nm以下，又再更好為350nm以下，最好為330nm以下，又最好為300nm以下，又在最好為250nm以下。均方平方根粗糙度(Rq值)之下限值較好為90nm以上，更好為70nm以上，又更好為50nm以上，再更好為30nm以上，又再更好為10nm以上。
〈(D)硬化促進劑〉
本發明之樹脂組成物藉由進一步含有硬化促進劑，可使環氧樹脂與硬化劑有效的硬化。至於硬化促進劑並無特別限制，列舉為胺系硬化促進劑、胍系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、鏻系硬化促進劑、金屬系硬化促進劑等。該等可以一種使用或亦可組合兩種以上使用。
胺系硬化促進劑並無特別限制，列舉為三乙基胺、三丁基胺等三烷基胺，4-二甲胺基吡啶、苄基二甲基胺、2,4,6-參(二甲胺基甲基)酚、1,8-二氮雜雙環(5,4,0)-十一碳烯(以下簡稱為DBU)等胺化合物等。該等可以一種使用或亦可組合兩種以上使用。
胍系硬化促進劑並無特別限制，列舉為例如二氰二醯胺、1-甲基胍、1-乙基胍、1-環己基胍、1-苯基胍、1-(鄰-甲苯基)胍、二甲基胍、二苯基胍、三甲基胍、四甲基胍、五甲基胍、1,5,7-三氮雜雙環[4.4.0]癸-5-烯、7-甲基-1,5,7-三氮雜雙環[4.4.0]癸-5-烯、1-甲基雙胍、1-乙基雙 胍、1-正丁基雙胍、1-正十八烷基雙胍、1,1-二甲基雙胍、1,1-二乙基雙胍、1-環己基雙胍、1-烯丙基雙胍、1-苯基雙胍、1-(鄰-甲苯基)雙胍等。該等可使用一種或亦可組合兩種以上使用。
咪唑系硬化促進劑並無特別限制，但可列舉為2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-甲基咪唑、1-氰乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-十一烷基咪唑鎓偏苯三酸鹽、1-氰乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸鹽、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-十一烷基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪異氰尿酸加成物、2-苯基咪唑異氰尿酸加成物、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑、2,3-二氫-1H-吡咯并[1,2-a]苯并咪唑、1-十二烷基-2-甲基-3-苯并咪唑鎓氯化物、2-甲基咪唑啉、2-苯基咪唑啉等咪唑化合物、及咪唑化合物與環氧樹脂之加成物。該等可使用一種或組合兩種以上使用。
鏻系硬化促進劑並無特別限制，列舉為三苯基膦、硼酸鏻化合物、四苯基鏻四苯基硼酸鹽、正丁基鏻四苯基硼酸鹽、四丁基鏻癸酸鹽、(4-甲基苯基)三苯基鏻硫代氰酸 鹽、四苯基鏻硫代氰酸鹽、丁基三苯基鏻硫代氰酸鹽等。該等可使用一種或組合兩種以上使用。
本發明之樹脂組成物中，硬化促進劑(金屬系氧化促進劑除外)之含量以樹脂組成物中之不揮發成分作為100質量%時，較好為0.005~1質量%之範圍，更好為0.01~0.5質量%之範圍。未達0.005質量%時，會有硬化變慢而需拉長熱硬化時間之傾向，超過1質量%時，會有樹脂組成物之儲存安定性下降之傾向。
作為金屬系硬化促進劑並無特別限制，列舉為鈷、銅、鋅、鐵、鎳、錳、錫等金屬之有機金屬錯合物或有機金屬鹽。有機金屬錯合物之具體例列舉為乙醯基丙酮酸鈷(II)、乙醯基丙酮酸鈷(III)等有機鈷錯合物，乙醯基丙酮酸銅(II)等有機銅錯合物，乙醯基丙酮酸鋅(II)等有機鋅錯合物，乙醯基丙酮酸鐵(III)等有機鐵錯合物，乙醯基丙酮酸鎳(II)等有機鎳錯合物，乙醯基丙酮酸錳(II)等有機錳錯合物等。至於有機金屬鹽列舉為辛酸鋅、辛酸錫、環烷酸鋅、環烷酸鈷、硬脂酸錫、硬脂酸鋅等。該等可使用一種或組合兩種以上使用。
本發明之樹脂組成物中，金屬系硬化促進劑之添加量以樹脂組成物中之不揮發成分作為100質量%時，基於金屬系硬化觸媒之量之金屬含量較好在25~500ppm之範圍，更好在40~200ppm之範圍。未達25ppm時，會有難以形成對於低算術平均粗糙度之絕緣層表面之密著性優異之導體層之傾向，超過500ppm時，會有樹脂組成物之儲存 安定性、絕緣性下降之傾向。
〈(E)硬化劑〉
本發明之樹脂組成物藉由進而含有硬化劑，可提高絕緣性或機械特性。至於(E)硬化劑並無特別限制，列舉為酚系硬化劑、萘酚系硬化劑、活性酯系硬化劑、苯并噁嗪系硬化劑、氰酸酯系硬化劑、酸酐系硬化劑等，就進一步降低算術平均粗糙度(Ra值)之觀點而言，以酚系硬化劑、萘酚系硬化劑、活性酯系硬化劑較佳。該等可使用一種或組合兩種以上使用。
酚系硬化劑、萘酚系硬化劑並無特別限制，列舉為具有酚醛清漆構造之酚系硬化劑或具有酚醛清漆構造之萘酚系硬化劑，較好為酚酚醛清漆樹脂、含有三嗪骨架之酚酚醛清漆樹脂、萘酚酚醛清漆樹脂、萘酚芳烷基型樹脂、含有三嗪骨架之萘酚樹脂、聯苯芳烷基型酚樹脂。至於市售品，作為聯苯芳烷基型酚樹脂列舉為「MEH-7700」、「MEH-7810」、「MEH-7851」；「MEH-7851-4H」(明和化成(股)製)，「GPH」(日本化藥(股)製)，作為萘酚酚醛清漆樹脂，列舉為「NHN」、「CBN」(日本化藥(股)製)、作為萘酚芳烷基型樹脂列舉為「SN170」、「SN180」、「SN190」、「SN475」、「SN485」、「SN495」、「SN395」、「SN375」(東都化成(股)製)，作為酚酚醛清漆樹脂列舉為「TD2090」(DIC(股)製)，含有三嗪骨架之酚酚醛清漆樹脂列舉為「LA3018」、「LA7052」、「 LA7054」、「LA1356」(DIC(股)製)等。該等可使用一種或併用兩種以上。
活性酯系硬化劑並無特別限制，一般較好使用酚酯類、噻吩酯類、N-羥基胺酯類、雜環羥基化合物之酯類等之一分子中具有兩個以上反應活性高之酯基之化合物。該活性酯系硬化劑較好為藉由以羧酸化合物及/或硫代羧酸化合物與羥基化合物及/或硫醇化合物之縮合反應獲得者。尤其就提高耐熱性之觀點而言，較好為由羧酸化合物與羥基化合物獲得之活性酯系硬化劑，更好為由羧酸化合物與酚化合物及/或萘酚化合物獲得之活性酯系硬化劑。至於羧酸化合物列舉為例如苯甲酸、乙酸、琥珀酸、馬來酸、衣康酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、均苯四酸等。至於酚化合物或萘酚化合物列舉為氫醌、間苯二甲酚、雙酚A、雙酚F、雙酚S、酚酞啉(phenylphthalin)、甲基化雙酚A、甲基化雙酚F、甲基化雙酚S、酚、鄰-甲酚、間-甲酚、對-甲酚、兒茶酚、α-萘酚、β-萘酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二羥基二苯甲酮、三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、間苯三酚(phloroglucin)、苯三醇、二環戊二烯基二苯酚、酚酚醛清漆樹脂等。活性酯系硬化劑可使用一種或兩種以上。至於活性酯系硬化劑亦可使用特開2004-277460號公報中揭示之活性酯系硬化劑，另亦可使用市售者。市售之活性酯系硬化劑以含二環戊二烯二苯酚構造者、酚酚醛清漆樹脂之乙醯化物、酚酚醛清漆樹脂之苯甲醯化物等較佳。具體而言， 含二環戊二烯基二苯酚構造者列舉為EXB9451、EXB9460、EXB9460S-65T、HPC-8000-65T(DIC(股)製，活性基當量約223)，酚酚醛清漆樹脂之乙醯化物列舉為DC808(日本環氧樹脂(股)製，活性基當量約149)，酚酚醛清漆樹脂之苯甲醯化物列舉為YLH1026(日本環氧樹脂(股)製，活性基當量約200)、YLH1030(日本環氧樹脂(股)製，活性基當量約201)、YLH1048(日本環氧樹脂(股)製，活性基當量約245)等，其中就漆料之儲存安定性、硬化物之熱膨脹率之觀點而言，以EXB9460S較佳。
含有二環戊二烯基二苯酚構造之活性酯系硬化劑更具體而言列舉為下式(6)者。
(式中，R為苯基、萘基，k表示0或1，n為重複單位之平均，為0.05~2.5)。
就降低介電正切、提高耐熱性之觀點而言，R較好為萘基，另一方面，k較好為0，且，n較好為0.25~1.5。
至於苯并噁嗪系硬化劑並無特別限制，具體而言列舉為F-a、P-d(四國化成(股)製)、HFB2006M(昭和高分子(股)製造)等。
氰酸酯系硬化劑並無特別限制，列舉為酚醛清漆型( 酚酚醛清漆型、烷基酚酚醛清漆型等)氰酸酯系硬化劑、二環戊二烯型氰酸酯系硬化劑、雙酚型(雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型等)氰酸酯系硬化劑，及該等之一部分經三嗪化而成之預聚物等。氰酸酯系硬化劑之重量平均分子量並無特別限制，較好為500~4500，更好為600~3000。氰酸酯系硬化劑之具體例列舉為例如雙酚A二氰酸酯、多酚氰酸酯(寡聚(3-亞甲基-1,5-伸苯基氰酸酯)、4,4’-亞甲基雙(2,6-二甲基苯基氰酸酯)、4,4’-亞乙基二苯基二氰酸酯、六氟雙酚A二氰酸酯、2,2-雙(4-氰酸酯基)苯基丙烷、1,1-雙(4-氰酸酯基苯基甲烷)、雙(4-氰酸酯基-3,5-二甲基苯基)甲烷、1,3-雙(4-氰酸酯基苯基-1-(甲基亞乙基))苯、雙(4-氰酸酯基苯基)硫醚、雙(4-氰酸酯基苯基)醚等二官能氰酸酯樹脂，由酚酚醛清漆、甲酚酚醛清漆、含有二環戊二烯構造之酚樹脂等衍生之多官能氰酸酯樹脂，該等氰酸酯樹脂一部分經三嗪化之預聚物等。該等可使用一種或組合兩種以上使用。市售之氰酸酯樹脂列舉為以下式(7)表示之酚酚醛清漆型多官能氰酸酯樹脂(日本LONZA(股)製，PT30，氰酸酯當量124)，以下式(8)表示之雙酚A二氰酸酯之一部分或全部經三嗪化三聚物之預聚物(日本LONZA(股)製，BA230，氰酸酯當量232)，以下式(9)表示之含有二環戊二烯構造之氰酸酯樹脂(日本LONZA(股)製，DT-4000、DT-7000)等。
[式中，n表示平均值而為任意數(較好為0~20)]。
(式中，n表示平均值而為0~5之數)。
酸酐系硬化劑並無特別限制，但可列舉為苯二甲酸酐、四氫苯二甲酸酐、六氫苯二甲酸酐、甲基四氫苯二甲酸酐、甲基六氫苯二甲酸酐、甲基納地酸(nadic acid)酐、氫化甲基納地酸酐、三烷基四氫苯二甲酸酐、十二碳烯基琥珀酸酐、5-(2,5-二氧代四氫-3-呋喃基)-3-甲基-3-環己烯-1,2-二羧酸酐、偏苯三酸酐、均苯四酸酐、二苯甲酮四羧酸二酐、聯苯四羧酸二酐、萘四羧酸二酐、氧基二苯二甲酸酐、3,3’,4,4’-二苯基碸四羧酸二酐、1,3,3a,4,5,9b-六氫-5-(四氫-2,5-二氧代-3-呋喃基)-萘并[1,2-C]呋喃-1,3-二酮、乙二醇雙(偏苯三酸酐)、苯乙烯與馬來酸共聚合而成之苯乙烯．馬來酸樹脂等之聚合物型酸酐等。
本發明之樹脂組成物中，就提高樹脂組成物之硬化物之機械強度或耐水性之觀點而言，(A)環氧樹脂之環氧基之合計與(E)硬化劑之反應基之合計數之比，較好為1：0.2~2，更好為1：0.3~1.5，又更好為1：0.4~1。又樹脂組成物中存在之環氧樹脂之環氧基之合計數為針對全部之環氧樹脂，將各環氧樹脂之固體成分質量除以環氧當量之值合計而得之值，所謂硬化劑之反應基之合計數為針對所有硬化劑，將各硬化劑之固體成分質量除以反應基當量之值合計而得之值。
〈(F)熱可塑性樹脂〉
本發明之樹脂組成物中，可藉由進而含有(F)熱可塑 性樹脂而提高硬化物之機械強度，另外亦可提高以接著薄膜之形態使用時之薄膜成型能。至於該熱可塑性樹脂可列舉為苯氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚碸樹脂、聚醚碸樹脂、聚苯醚樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醚醚酮樹脂、聚酯樹脂。該等熱可塑性樹脂可個別單獨使用，亦可組合兩種以上使用。熱可塑性樹脂之重量平均分子量較好為5000~200000之範圍。小於該範圍時會有無法充分發揮薄膜成型能或機械強度提高之效果，大於該範圍時氰酸酯樹脂及萘酚型環氧樹脂之相溶性不足，硬化後之表面凹凸變大，會有難以形成高密度微細配線之傾向。又本發明中之重量平均分子量係以凝膠滲透層析(GPC)法(換算聚苯乙烯)測定。以GPC法測定之重量平均分子量具體而言可使用島津製作所(股)製之LC-9A/RID-6A作為測定裝置，使用昭和電工(股)公司製造之Shodex K-800P/K-804L/K-804L作為管柱，使用氯仿作為移動相，在管柱溫度40℃下測定，使用標準聚苯乙烯之校正線算出。
本發明之樹脂組成物中調配(F)熱可塑性樹脂時，樹脂組成物中之熱可塑性樹脂之含量並無特別限制，但相對於樹脂組成物中之不揮發分100質量%，較好為0.1~10質量%，更好為1~5質量%。熱可塑性樹脂之含量太少時會有無法發揮薄膜成型能或提高機械強度之效果之傾向，太多時熔融黏度上升時，會有濕式粗化步驟後之絕緣層表面之算術平均粗糙度增大之傾向。
〈(G)橡膠粒子〉
本發明之樹脂組成物可藉由進而含有(G)橡膠粒子，而提高鍍敷剝離強度，亦可獲得鑽孔加工性之提高、介電正切之下降、應力緩和效果。本發明中可使用之橡膠粒子為例如不溶解於調製該樹脂組成物之漆料時使用之有機溶劑中，且與必要成分氰酸酯樹脂或環氧樹脂等亦不相溶者。據此，該橡膠粒子係以分散狀態存在於本發明之樹脂組成物之漆料中。該橡膠粒子一般係使橡膠成分之分子量大到無法溶解於有機溶劑或樹脂中之程度，成為粒子狀而調製。
本發明中可使用之橡膠粒子之較佳例列舉為蕊殼型橡膠粒子、交聯丙烯腈丁二烯橡膠粒子、交聯苯乙烯丁二烯橡膠粒子、丙烯酸橡膠粒子等。蕊殼型橡膠粒子為具有蕊層與殼層之橡膠粒子，列舉為例如外層之殼層以玻璃狀聚合物構成，內層之蕊層以橡膠狀聚合物構成之二層構造，或外層之殼層以玻璃狀聚合物構成，中間層以橡膠狀聚合物構成，蕊層以玻璃狀聚合物構成之三層構造者等。玻璃狀聚合物層為例如以甲基丙烯酸甲酯之聚合物等構成，橡膠狀聚合物層為例如以丙烯酸丁酯聚合物(丁基橡膠)等構成。橡膠粒子亦可組合兩種以上使用。蕊殼型橡膠粒子之具體例列舉為STAFILOID AC3832、AC3816N、IM-401改1、IM-401改7-17(商品名，GANTZ化成(股)製)、METAPLENE KW-4426(商品名，三菱縲縈(股)製)。交聯丙烯腈丁二烯橡膠(NBR)粒子之具體例列舉 為XER-91(平均粒徑0.5μm，JSR(股)製)等。交聯苯乙烯丁二烯橡膠(SBR)粒子之具體例列舉為XSK-500(平均粒徑0.5μm，JSR(股)製)等。丙烯酸橡膠粒子之具體例可列舉為METAPLENE W300A(平均粒徑0.1μm)、W450A(平均粒徑0.2μm)(三菱縲縈(股)製造)。
調配之橡膠粒子之平均粒徑較好為0.005~1μm之範圍，更好為0.2~0.6μm之範圍。本發明中使用之橡膠粒子之平均粒徑可使用動態光散射法測定。例如，利用超音波等將橡膠粒子均勻分散於適當有機溶劑中，使用濃厚系粒徑分析儀(FPAR-1000；大塚電子(股)製造)，以質量基準作成橡膠粒子之粒度分佈，且將其中值直徑作為平均粒徑予以測定。
橡膠粒子之含量相對於樹脂組成物中之不揮發分100質量%，較好為1~10質量%，更好為2~5質量%。
〈(H)難燃劑〉
本發明之樹脂組成物可藉由進而含有(H)難燃劑，而賦予難燃性。至於難燃劑列舉為例如有機磷系難燃劑、有機系含氮之磷化合物、氮化合物、矽系難燃劑、金屬氧化物等。有機磷系難燃劑列舉為三光(股)製造之HCA、HCA-HQ、HCA-NQ等菲型磷化合物，昭和高分子(股)製造之HFB-2006M等含磷之苯并噁嗪化合物、味之素精密技術(股)製造之REOFOS 30、50、65、90、110、TPP、RPD、BAPP、CPD、TCP、TXP、TBP、TOP、KP140、TIBP，北興化 學工業(股)製造之TPPO、PPQ，CLARIANT(股)製造之OP930，大八化學(股)製造之PX200等之磷酸酯化合物，東都化成(股)製造之FX289、FX305、TX0712等之含磷之環氧樹脂，東都化成(股)製造之ERF001等之含有磷之苯氧樹脂，日本環氧樹脂(股)製造之YL7613等之含有磷之環氧樹脂等。有機系含氮之磷化合物列舉為四國化成工業(股)製造之SP670、SP703等磷酸酯醯胺化合物、大塚化學(股)公司製造之SPB100、SPE100，伏見製藥所(股)製造之FP-系列等之磷腈(phosphazene)化合物等。金屬氫氧化物列舉為宇都材料(股)製造之UD65、UD650、UD653等之氫氧化鎂，巴工業(股)公司製造之B-30、B-325、B-315、B-308、B-303、UFH-20等之氫氧化鋁等。
難燃劑之含量相對於樹脂組成物中之不揮發分100質量%，較好為0.5~10質量%，更好為1~5質量%。
〈其他成分〉
本發明之樹脂組成物在不妨礙本發明效果之範圍內，可視需要調配其他成分。至於其他成分可列舉為如乙烯基苯化合物、丙烯酸化合物、馬來醯亞胺化合物、嵌段異氰酸酯化合物之熱硬化性樹脂，矽粉、尼龍粉、氟粉等有機填充劑，Oluben、Benton等增黏劑，聚矽氧系、氟系、高分子系消泡劑或平流劑，咪唑系、噻唑系、三唑系、矽烷系偶合劑等密著性賦予劑，酞菁．藍、酞菁．綠、碘．綠、順式偶氮黃、碳黑等著色劑等。
本發明之樹脂組成物之調製方法並無特別限制，列舉為例如將調配之成分添加視需要之溶劑等，且使用旋轉混練機等混合之方法等。
本發明之樹脂組成物之用途並無特別限制，但可使用於接著薄膜、預浸片等之絕緣樹脂薄片，電路基板(層合板、多層印刷配線板等)、抗焊劑、底部填充材、黏晶材、半導體封裝材、埋孔樹脂、零件埋入樹脂等之以樹脂組成物為必要之用途之廣範圍中。其中，在多層印刷配線板之製造中，可較好地使用作為用以形成絕緣層之樹脂組成物(多層印刷配線板之絕緣層用樹脂組成物)，可較好地使用作為用以藉由鍍敷形成導體層之樹脂組成物(藉由鍍敷形成導體層之多層印刷配線板之絕緣層用樹脂組成物)，可更好地使用作為用以形成增層之樹脂組成物(多層印刷配線板之增層用樹脂組成物)。本發明之樹脂組成物亦可以漆料狀態塗佈於電路基板上而形成絕緣層，但工業上一般較好以接著薄膜、預浸片等薄片狀層合材料之形態使用。樹脂組成物之軟化點就薄片狀層合材料之層合性之觀點而言較好為40~150℃。
〈接著薄膜〉
本發明之接著薄膜可藉本技藝者公知之方法，例如，將樹脂組成物溶解於有機溶劑中調製樹脂漆料，使用模嘴塗佈器等，將該樹脂漆料塗佈於支撐體上，再經加熱，或者以熱風吹拂等將有機溶劑乾燥，形成樹脂組成物層而製 造。
有機溶劑列舉為例如丙酮、甲基乙基酮、環己酮等酮類，乙酸乙酯、乙酸丁酯、溶纖素乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、卡必醇乙酸酯等乙酸酯類，溶纖素、丁基卡必醇等卡必醇類，甲苯、二甲苯等芳香族烴類，二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯烷酮等醯胺系溶劑等。有機溶劑亦可組合兩種以上使用。
乾燥條件並無特別限制，但以使有機溶劑對樹脂組成物層之含量成為10質量%以下，較好成為5質量%以下之方式乾燥。漆料中之有機溶劑量雖因有機溶劑之沸點而有不同，但例如藉由使含有30~60質量%之有機溶劑之漆料在50~150℃乾燥3~10分鐘左右，可形成樹脂組成物層。
接著薄膜中形成之樹脂組成物層之厚度較好為導體層之厚度以上。電路基板所具有之導體層之厚度通常為5~70μm之範圍，故樹脂組成物層較好具有10~100μm之厚度。
支撐體列舉為聚乙烯、聚丙烯、聚氯化乙烯等聚烯烴之薄膜、聚對苯二甲酸乙二酯(以下有時簡稱為「PET」)、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯之薄膜，聚碳酸酯薄膜、聚醯亞胺薄膜等各種塑膠薄膜。且亦可使用脫模紙或銅箔、鋁箔等之金屬箔等。支撐體及後述之保護薄膜亦可施以消光處理、電暈處理等表面處理。且，亦可藉聚矽氧樹脂系脫模劑、醇酸樹脂系脫模劑、氟樹脂系脫模劑等脫模劑施以脫模處理。
支撐體之厚度並無特別限制，較好為10~150μm，更好為25~50μm。
樹脂組成物層之未密著支撐體之面可依照支撐體進而層合保護薄膜。保護薄膜之厚度並無特別限制，但可為例如1~40 μm。藉由層合保護薄膜，可防止於樹脂組成物層表面附著塵埃或傷痕。接著薄膜亦可捲繞成輥狀貯存。
〈使用接著薄膜之多層印刷配線板〉
接著，說明使用如上述製造之接著薄膜製造多層印刷配線板之方法之一例。
首先，使用真空層合機，將接著薄膜層合於電路基板之單面或兩面上。電路基板上使用之基板列舉為例如玻璃環氧基板、金屬基板、聚酯基板、聚醯亞胺基板、BT樹脂基板、熱硬化型聚苯醚基板等。又，此處所謂電路基板意指在如上述之基板之單面或兩面上形成經圖型加工之導體層(電路)者。且在交互層合導體層與絕緣層之多層印刷配線板中，該多層印刷配線板之最外層之單面或兩面亦可經圖型加工成為導體層(電路)者，且包含於此處所稱之電路基板中。有導體層表面亦可藉由黑化處理、銅蝕刻處理等施以預粗化處理。
上述層合中，接著薄膜具有保護薄膜時，在去除該保護薄膜後，可視需要預加熱接著薄膜及電路基板，且邊加壓及加熱接著薄膜邊壓著電路基板。本發明之接著薄膜中，較好使用以真空層合法在減壓下層合於電路基板上之方 法。層合條件並無特別限制，例如壓著溫度(層合溫度)較好為70~140℃，壓著壓力較好為1~11kgf/cm2(9.8×104~107.9×104N/m2)，且較好在空氣壓20mmHg(26.7hPa)以下之減壓下層合。另外，層合方法可為批式亦可為輥的連續式。真空層合可使用市售之真空層合機。市售之真空層合機可列舉為例如NICHIGO MORTON(股)製之真空塗佈機、名機製作所(股)製造之真空加壓式層合機、日立工業(股)製造之輥式乾燥塗佈、日立AIC(股)製造之真空層合機等。
且，在減壓下進行加熱及加壓之層合步驟亦可使用一般真空熱壓機進行。例如，可藉由自支撐體層側壓製經加熱之SUS等金屬板進行。壓製條件係使減壓度通常為1×10-2MPa以下，較好為1×10-3MPa以下之減壓下。加熱及加壓可以一階段進行，但就控制樹脂滲入之觀點而言，較好分成兩階段以上之條件進行。例如，以第一階段之壓製在溫度70~150℃，壓力在1~15kgf/cm2之範圍，第二階段之壓製在溫度150~200℃，壓力在1~40kgf/cm2之範圍進行較佳。各階段之時間較好進行30~120分鐘。市售之真空熱壓機列舉為例如MNPC-V-750-5-200(名機製作所(股)製)、VH1-1603(北川精機(股)製)等。
將接著薄膜層合於電路基板上後，冷卻至室溫附近後，剝離支撐體之情況下，可藉由剝離、熱硬化而於電路基板上形成絕緣層。熱硬化之條件只要依據樹脂組成物中之樹脂成分種類、含量等適當選擇即可，但較好在150℃~220℃下20分鐘~180分鐘，更好在160℃~210℃下30~ 120分鐘之範圍內選擇。
形成絕緣層後，在硬化前未剝離支撐體之情況下，則在此時剝離。接著視需要，對在電路基板上形成之絕緣層上進行開孔，形成通孔、貫穿孔。開孔可利用例如鑽孔、雷射、電漿等習知方法，且可視需要組合該等方法進行，但最一般方法為利用二氧化碳氣體雷射、YAG雷射等雷射進行開孔。
接著，利用乾式鍍敷或濕式鍍敷在絕緣層上形成導體層。乾式鍍敷可使用蒸鍍、濺鍍、離子電鍍等習知方法。濕式鍍敷之情況係藉由絕緣層表面依序進行以膨潤液進行膨潤處理，以氧化劑進行粗化處理及以中和液進行中和處理，形成凹凸之投錨。以膨潤液進行之膨潤處理係使絕緣層在50~80℃膨潤液中浸漬5~20分鐘進行。至於膨潤液列舉為鹼性溶液、界面活性劑溶液等，較好為鹼性溶液，至於該鹼性溶液列舉為例如氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液等。市售膨潤液可列舉為例如日本ATOTECH(股)製造之Swelling Dip Securiganth P、Swelling Dip Securiganth SBU等。利用氧化劑進行之粗化處理係使絕緣層在60~80℃氧化劑溶液中浸漬10分鐘~30分鐘進行。氧化劑可列舉為例如使過錳酸鉀或過錳酸鈉溶解於氫氧化鈉之水溶液中而成之鹼性過錳酸溶液、重鉻酸鹽、臭氧、過氧化氫/硫酸、硝酸等。且，鹼性過錳酸溶液中之過錳酸鹽濃度較好為5~10重量%。市售之氧化劑列舉為例如日本ATOTECH(股)製造之CONCENTRATE．COMPACT CP、 DOSING SOLUTION SECURIGANTH P等鹼性過錳酸溶液。以中和液進行之中和處理係在30~50℃中和液中浸漬3~10分鐘進行。至於中和液較好為酸性水溶液，市售品列舉為日本ATOTECH(股)製造之REDUCTION SOLUTION SECURIGANTH P。
接著，組合無電解鍍敷與電解鍍敷形成導體層。且亦可形成與導體層相反圖型之鍍敷抗蝕劑，僅以無電解鍍敷形成導體層。至於隨後之圖型形成方法，可使用例如本技藝者已知之削減法、半加成法等。
〈預浸片〉
本發明之預浸片可利用熱熔融法或溶劑法將本發明之樹脂組成物含浸於由纖維組成之薄片狀補強基材中，藉由加熱半硬化而製造。亦即，成為使本發明之樹脂組成物含浸於由纖維組成之薄片狀補強基材中之狀態之預浸片。由纖維組成之薄片狀補強基材可使用例如由玻璃布或芳醯胺纖維等之作為預浸片用纖維常用之纖維所成者。
熱熔融法為不使樹脂溶解於有機溶劑中，而是暫時塗佈於與該樹脂之剝離性良好之塗佈紙上，使之層合於薄片狀補強基材，或者不使樹脂溶解於有機溶劑中，而藉模嘴塗佈器直接塗佈於薄片狀補強基材上，而製造預浸片之方法。且溶劑法係與接著薄膜同樣使樹脂溶解於有機溶劑中，調製樹脂漆料，將薄片狀補強基材浸漬於該漆料中，使樹脂漆料含浸於薄片狀補強基材中，隨後經乾燥之方法。
〈使用預浸片之多層印刷配線板〉
接著，說明使用如上述製造之預浸片製造多層印刷配線板方法之一例。將一片或視需要之多片本發明之預浸片重疊在電路基板上，透過脫模薄膜以金屬壓板夾持，在加壓.加熱條件下真空壓製層合。加壓.加熱條件較好為壓力係5~40kgf/cm2(49×104~392×104N/m2)，溫度為120~200℃下20~100分鐘。且與接著薄膜同樣，亦可藉真空層合法將預浸片層合於電路基板上後，經加熱硬化。隨後，以與上述記載之方法同樣地，使硬化後之預浸片表面經粗化後，以鍍敷形成導體層，可製造多層印刷配線板。
〈半導體裝置〉
藉由使用本發明之多層印刷配線板可製造半導體裝置。藉由將半導體晶粒安裝於本發明之多層印刷配線板之導通部位，可製造半導體裝置。所謂「導通部位」為「多層印刷配線板中傳導電訊號之部位」，其位置可為表面，亦可為埋入之部位均無妨。且，半導體晶粒只要是以半導體作為材料之電性電路元件即無特別限制。
製造本發明之半導體裝置時之半導體晶粒之安裝方法只要是使半導體晶粒發揮有效功能即無特別限制。具體而言，為打線接合安裝方法、覆晶安裝方法、利用無凸塊式增層(Bumpless Build Up Layer,BBUL)之安裝方法、利用異向性導電薄膜(ACF)之安裝方法、利用非導電性薄膜 (NCF)之安裝方法等。
所謂「利用無凸塊式增層(BBUL)之安裝方法」為「將半導體晶粒直接埋入於多層印刷配線板之凹部中，將半導體晶粒與印刷配線板上之配線連接之安裝方法」，進而，大致區分為以下之BBUL方法1)、BBUL方法2)之安裝方法。
BBUL方法1)使用底部填充劑將半導體晶粒安裝在多層印刷配線板凹部中之安裝方法。
BBUL方法2)使用接著薄膜或預浸片，將半導體晶粒安裝在多層印刷配線板凹部中之安裝方法。
BBUL方法1)具體包含以下步驟。
步驟1)設置自多層印刷配線板之兩面去除導體層者，以雷射、機械鑽孔形成貫穿孔。
步驟2)於多層印刷配線板之單面貼合黏著膠帶，以在貫穿孔之中將半導體晶粒之底面固定於黏著膠帶上之方式配置。此時之半導體晶粒較好比貫穿孔之高度低。
步驟3)將底部填充劑注入、填充於貫穿孔與半導體晶粒之間隙，將半導體晶粒固定於貫穿孔內。
步驟4)隨後剝離黏著膠帶，使半導體晶粒之底面露出。
步驟5)於半導體晶粒之底面側層合本發明之接著薄膜或預浸片，被覆半導體晶粒。
步驟6)使接著薄膜或預浸片硬化後，以雷射進行穿孔，使半導體晶粒底面之黏合墊露出，經上述所示之粗化 處理，進行無電解鍍敷、電解鍍敷，而與配線連接。亦可視需要進一步層合接著薄膜或預浸片。
BBUL方法2)具體包含以下步驟。
步驟1)於多層印刷配線板兩面之導體層上形成光阻膜，以光微影法僅在光阻膜之單面形成開口部。
步驟2)以蝕刻液去除於開口部露出之導體層，使絕緣層露出，隨後去除兩面之光阻膜。
步驟3)使用雷射或鑽孔機，完全去除露出之絕緣層，進行開孔，形成凹部。較好為雷射能量可以使銅之雷射吸收率降低、使絕緣層之雷射吸收率增高之方式調整能量之雷射，更好為二氧化碳雷射。藉由使用該種雷射，可使雷射不會貫穿導體層之開口部之對面之導體層，而僅去除絕緣層。
步驟4)使半導體晶粒之底面朝向開口部側配置於凹部，自開口部側層合本發明之接著薄膜或預浸片，被覆半導體晶粒，並埋入半導體晶粒與凹部之間隙。此時之半導體晶粒較好比凹部之高度低。
步驟5)使接著薄膜或預浸片硬化後，以雷射進行開孔，使半導體晶粒之底面之黏合墊露出。
步驟6)藉由進行上述所示之粗化處理、無電解鍍敷、電解鍍敷，而連接配線，視需要再層合接著薄膜或預浸片。
半導體晶粒之安裝方法中，就半導體裝置之小型化、傳送損失減輕之觀點、或由於不使用焊料而無須對半導體 晶粒施加熱履歷，進而將來不會產生焊料與樹脂變形之觀點而言，較好利用無凸塊式增層(BBUL)之安裝方法，更好為BBUL方法1)、BBUL方法2)，又更好為BBUL方法2)。
[實施例]
以下，以實施例具體說明本發明，但本發明並不受限於該等實施例。
〈測定方法．評價方法〉
首先針對各種測定方法．評價方法加以說明。
〈剝離強度及算術平均粗糙度(Ra值)、均方平方根粗糙度(Rq值)測定用樣品之調製〉 (1)內層電路基板之底層處理
以MEC(股)製造之CZ8100，將形成內層電路之玻璃布基材環氧樹脂兩面貼銅層合板(銅箔厚度18μm，基板厚0.3mm，松下電工(股)製R5715ES)之兩面蝕刻1μm，進行銅表面之粗化處理。
(2)接著薄膜之層合
使用批式真空加壓層合機MVLP-500(名機(股)製造之商品名)，將實施例及比較例中製作之接著薄膜層合於內層電路基板之兩面上。層合係減壓30秒使氣壓成為13hPa 以下，隨後30秒鐘，在100℃、壓力0.74MPa下予以壓製而進行。
(3)樹脂組成物之粗化
經層合之接著薄膜，在實施例1~4中係剝離PET薄膜後，在100℃、30分鐘，接著在180℃、30分鐘之硬化條件下使樹脂組成物硬化，於實施例5中係以相同條件熱硬化後剝離PET薄膜，形成絕緣層。
(4)粗化處理
將形成絕緣層之內層電路基板浸漬於膨潤液之日本ATOTECH(股)製造之含有二乙二醇單丁醚之Swelling Dip Securiganth P(二醇醚類，氫氧化鈉之水溶液)中，實施例1~4中係在60℃下浸漬5分鐘，實施例5係在60℃下浸漬10分鐘，接著，浸漬於作為粗化液之日本ATOTECH(股)之CONCENTRATE COMPACT P(KMnO4：60g/L。NaOH：40g/L之水溶液)中，於實施例1~4中係在80℃浸漬15分鐘，實施例5係在80℃浸漬20分鐘，最後在40℃下浸漬於作為中和液之日本ATOTECH(股)製造之REDUCTION SOLUTION SECURIGANTH P(戊二醛，硫酸之水溶液)中5分鐘。在80℃乾燥30分鐘後，針對該粗化處理後之絕緣層表面，進行算術平均粗糙度(Ra值)、均方平方根粗糙度(Rq值)之測定。
(5)利用半加成製程進行之鍍敷
為了在絕緣層表面形成電路，而將內層電路基板在40℃下浸漬於含有PdCl2之無電解鍍敷用溶液中5分鐘，接著在25℃下浸漬於無電解銅鍍敷液中20分鐘。在150℃加熱30分鐘進行退火處理後，形成蝕刻抗蝕劑，利用蝕刻形成圖型後，進行硫酸銅電解鍍敷，形成35±5μm厚之導體層。接著，在200℃進行退火處理60分鐘。針對該電路基板進行鍍敷導體層之拉伸剝離強度(剝離強度)之測定。
〈鍍敷導體層之拉伸剝離強度(剝離強度)之測定〉
於電路基板之導體層中切出寬度10mm、長度100mm之部分的切痕，剝離其一端並以治具(TSE股份有限公司，AUTOCOM型試驗機AC-50C-SL)夾住，在室溫下，測定以50mm/分鐘之速度朝垂直方向拉伸剝離35mm時之荷重(kgf/cm)。
〈粗化後之算術平均粗糙度(Ra值)、均方平方根粗糙度(Rq值)之測定〉
使用非接觸型表面粗糙度計(VEECO儀器公司製造之WYKO NT3300)，利用VSI接觸模式、50倍透鏡，以測定範圍作為121μm×92μm所得之數值求得Ra值、Rq值。接著，分別求得10點之平均值測定。
〈平均熱膨脹率及玻璃轉移溫度之測定〉
使實施例及比較例中獲得之接著薄膜在200℃加熱90分鐘進行熱硬化，剝離PET薄膜而獲得薄片狀之硬化物。將該硬化物切斷成寬度約5mm、長度約15mm之試驗片，使用熱機械分析裝置Thermo Plus TMA8310(Rigaku(股)製)，以拉伸加重法進行熱機械分析。將試驗片安裝於前述裝置上後，以荷重1g、升溫速度5℃/分鐘之測定條件連續測定兩次。算出第二次測定之自25℃至150℃之平均熱膨脹率(ppm)。又由第二次測定之尺寸變化訊號之斜率產生變化之點，算出玻璃轉移溫度(℃)。
〈製造例1〉
將球狀二氧化矽(ADMATECHS(股)製之「SOC2」，平均粒徑0.5μm)100質量份投入亨歇爾型混粉機中，邊噴霧使3官能性烷氧基矽烷改質樹脂(荒川化學工業(股)製之「E201」，環氧當量285)1.8質量份預先與MEK 1.8質量份混合而成之溶液邊攪拌球狀二氧化矽10分鐘，再於75℃攪拌1小時後，餾除揮發成分，製作製造物1。
〈製造例2〉
將球狀二氧化矽(ADMATECHS(股)製之「SOC2」，平均粒徑0.5μm)100質量份投入亨歇爾型混粉機中，邊噴霧使3官能性烷氧基矽烷改質樹脂(荒川化學工業(股)製之「P501」，酚性羥基當量275)1.8質量份預先與MEK 1.8質量份混合而成之溶液邊攪拌球狀二氧化矽10分鐘，再於 75℃攪拌1小時後，餾除揮發成分，製作製造物2。
〈製造例3〉
將球狀二氧化矽(ADMATECHS(股)製之「SOC2」，平均粒徑0.5μm)100質量份投入亨歇爾型混粉機中，邊噴霧使4官能性烷氧基矽烷改質樹脂(荒川化學工業(股)製之「E202C」(下式(10))，環氧當量285)1.8質量份預先與MEK 1.8質量份混合而成之溶液邊攪拌球狀二氧化矽10分鐘，再於75℃攪拌1小時後，餾除揮發成分，製作製造物3。
(式中，n表示1~10，m表示1~10)。
〈製造例4〉
將球狀二氧化矽(ADMATECHS(股)製之「SOC2」，平均粒徑0.5μm)100質量份投入亨歇爾型混粉機中，邊噴霧使4官能性烷氧基矽烷改質樹脂(荒川化學工業(股)製之「P502」(下式(11))，酚性羥基當量300)1.8質量份預先與MEK 1.8質量份混合而成之溶液邊攪拌球狀二氧化矽10 分鐘，再於75℃攪拌1小時後，餾除揮發成分，製作製造物4。
(式中，m表示1~10)。
〈實施例1〉
邊將萘型環氧樹脂(環氧當量144，DIC(股)製造之「HP4700」)5質量份、液狀雙酚A型環氧樹脂(環氧當量180，三菱化學(股)製造之「jER828EL」)14質量份、聯苯型環氧樹脂(環氧當量269，日本化藥(股)製造之「NC3000H」)14質量份於溶劑石油腦30質量份中攪拌邊加熱溶解，隨後冷卻至室溫，製作混合物1。接著，將橡膠粒子(GANTZ化成(股)製造，STAFILOID AC3816N)1.5質量份在室溫下於溶劑石油腦6質量份中靜置膨潤12小時，製作混合物2。於混合物1中直接添加混合物2、球狀二氧化矽(ADMATECHS(股)製之「SOC2」，平均粒徑 0.5μm)100質量份、3官能性烷氧基矽烷改質樹脂(荒川化學工業(股)製之「E201」，環氧當量285)1.8質量份，接著添加難燃劑(三光(股)製造之「HCA-HQ」，10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物，平均粒徑1μm)5質量份，以三根輥混練且分散。接著，混合酚酚醛清漆系硬化劑(DIC(股)製造之「LA-7054」，酚性羥基當量124之不揮發分60質量%之甲基乙基酮(以下簡稱為「MEK」)溶液)10質量份、萘系酚樹脂(酚性羥基當量215，新日鐵化學(股)製之「SN485」，不揮發分60質量%之MEK溶液)10質量份、苯氧樹脂(重量平均分子量35000，三菱化學(股)製造之「YL7553」不揮發分30質量%之MEK與環己酮之1：1溶液)7質量份、作為硬化促進劑之4-二甲胺基吡啶之5質量%MEK溶液2質量份、甲基乙基酮(MEK)4質量份，以旋轉混練機均勻分散，製作樹脂漆料。接著，將該樹脂漆料以乾燥後之樹脂組成物層厚度成為40μm之方式，以模嘴塗佈器均勻塗佈於施加醇酸系脫模處理之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(厚度38μm)之脫模面上，再80~110℃(平均95℃)乾燥5分鐘(樹脂組成物層中之殘留溶劑量：約2質量%)。接著，邊於樹脂組成物層之表面貼合厚度15μm之聚丙烯薄膜，邊捲成輥狀。將輥狀接著薄膜切成寬度507mm，獲得507×336mm尺寸之薄片狀接著薄膜。
〈實施例2〉
除將實施例1之3官能性烷氧基矽烷改質樹脂(荒川化學工業(股)製之「E201」，環氧當量285)1.8質量份變更為3官能性烷氧基矽烷改質樹脂(荒川化學工業(股)製之「P501」，酚性羥基當量275)1.8質量份，餘均相同，製作樹脂漆料。接著使用該樹脂漆料，與實施例1全部同樣地獲得接著薄膜。
〈實施例3〉
除添加製造物1代替直接添加實施例1之球狀二氧化矽(ADMATECHS(股)製之「SOC2」，平均粒徑0.5μm)100質量份與3官能性烷氧基矽烷改質樹脂(荒川化學工業(股)製造之「E201」，環氧當量285)1.8質量份以外，餘均相同，製作樹脂漆料。接著使用該樹脂漆料，與實施例1全部同樣地獲得接著薄膜。
〈實施例4〉
除添加製造物2代替直接添加實施例1之球狀二氧化矽(ADMATECHS(股)製之「SOC2」，平均粒徑0.5μm)100質量份與3官能性烷氧基矽烷改質樹脂(荒川化學工業(股)製之「E201」，環氧當量285)1.8質量份以外，餘均相同，製作樹脂漆料。接著使用該樹脂漆料，與實施例1全部同樣地獲得接著薄膜。
〈實施例5〉
邊將萘型環氧樹脂(環氧當量144，DIC(股)製造之「EXA4032SS」)8質量份、聯二甲酚型環氧樹脂(環氧當量190，三菱化學(股)製之「YX4000HK」)10質量份、改質萘型環氧樹脂(環氧當量約330，新日鐵化學(股)製造之「ESN-475V」)9質量份於溶劑石油腦33質量份中攪拌邊加熱溶解。冷卻至室溫後，接著，添加將作為橡膠粒子之STAFILOID(GANTZ化成(股)製，AC3816N)1.5質量份在室溫下於溶劑石油腦6質量份中靜置膨潤12小時而成者、及球狀二氧化矽(ADMATECHS(股)製之「SOC2」，平均粒徑0.5μm)140質量份，再添加1.4質量份之3官能性烷氧基矽烷改質樹脂(荒川化學工業(股)製之「P501」，酚性羥基當量275)，以三根輥混練且分散。接著，混合活性酯硬化劑(DIC(股)製造之「HPC-8000-65T」，活性基當量約223之不揮發分65質量%之甲苯溶液)45質量份、苯氧樹脂(重量平均分子量35000，三菱化學(股)製之「YL7553」不揮發分30質量%之MEK與環己酮之1：1溶液)5質量份、作為硬化促進劑之4-二甲胺基吡啶之5質量%MEK溶液4質量份、甲基乙基酮(MEK)4質量份，以旋轉混練機均勻分散，製作樹脂漆料。接著使用該樹脂漆料，與實施例1完全相同，獲得接著薄膜。
〈比較例1〉
除未添加實施例1之3官能性烷氧基矽烷改質樹脂(荒川化學工業(股)製之「E201」，環氧當量285)以外，餘 全部相同，製作樹脂漆料。接著使用該樹脂漆料，與實施例1完全相同，獲得接著薄膜。
〈比較例2〉
除將實施例1之3官能性烷氧基矽烷改質樹脂(荒川化學工業(股)製之「E201」，環氧當量285)1.8質量份變更為4官能烷氧基矽烷改質樹脂(荒川化學工業(股)製之「E202C」(上式(10))，環氧當量285)1.8質量份以外，餘全部相同，製作樹脂漆料。接著使用該樹脂漆料，與實施例1完全相同，獲得接著薄膜。
〈比較例3〉
除將實施例1之3官能性烷氧基矽烷改質樹脂(環氧當量285，荒川化學工業(股)製造之E201)1.8質量份變更為4官能烷氧基矽烷改質樹脂(荒川化學工業(股)製之「P502」(上式(11))，酚性羥基當量300)1.8質量份以外，餘全部相同，製作樹脂漆料。接著使用該樹脂漆料，與實施例1完全相同，獲得接著薄膜。
〈比較例4〉
除添加製造物3代替直接添加實施例1之球狀二氧化矽(ADMATECHS(股)製之「SOC2」，平均粒徑0.5μm)100質量份與3官能性烷氧基矽烷改質樹脂(荒川化學工業(股)製之「E201」，環氧當量285)1.8質量份以外，餘均相同 ，製作樹脂漆料。接著使用該樹脂漆料，與實施例1全部同樣地獲得接著薄膜。
〈比較例5〉
除添加製造物4代替直接添加實施例1之球狀二氧化矽(ADMATECHS(股)製之「SOC2」，平均粒徑0.5μm)100質量份與3官能性烷氧基矽烷改質樹脂(荒川化學工業(股)製之「E201」，環氧當量285)1.8質量份以外，餘均相同，製作樹脂漆料。接著使用該樹脂漆料，與實施例1全部同樣地獲得接著薄膜。
〈比較例6〉
除將實施例1之3官能性烷氧基矽烷改質樹脂(荒川化學工業(股)製之「E201」，環氧當量285)1.8質量份變更為環氧系矽烷偶合劑(信越化學工業(股)製之「KBM403」)0.6質量份以外，餘全部相同，製作樹脂漆料。接著使用該樹脂漆料，與實施例1完全相同，獲得接著薄膜。
結果示於表1。
由表1之結果，可知實施例1~5之樹脂組成物為低算術平均粗糙度、低均方平方根粗糙度且可獲得剝離強度充分之值。另一方面，比較例1由於未含有(B)成分，故算術平均粗糙度、均方平方根粗糙度變大，剝離強度亦低。比較例2~6中，不含(B)成分，算術平均粗糙度、均方平方根粗糙度變大，於鍍敷時鼓起而使剝離強度成為顯著較小之值。
[產業上之可能利用性]
本發明可提供一種一方面維持玻璃轉移溫度、熱膨脹率，一方面使濕式粗化步驟中絕緣層表面之算術平均粗糙度、均方平方根粗糙度小，且可於其上形成具有充分強度之鍍敷導體層之樹脂組成物。進而可提供使用該等之接著薄膜、預浸片、多層印刷配線板、半導體裝置。進而亦可提供搭載該等之電腦、行動電話、數位相機、電視等電器製品，或電動自行車、汽車、電車、船舶、飛機等乘載工具。

Claims (12)

  1. 一種樹脂組成物，其特徵為含有(A)環氧樹脂、(B)三官能性烷氧基矽烷改質樹脂及(C)無機填充材。
  2. 如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中(B)三官能性烷氧基矽烷改質樹脂之至少一部分與(C)無機填充材反應形成反應物。
  3. 如申請專利範圍第2項之樹脂組成物，其係使(B)三官能性烷氧基矽烷改質樹脂與(C)無機填充材預先反應後，添加於(A)環氧樹脂中。
  4. 如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中以(C)無機填充材為100質量%時，(B)三官能性烷氧基矽烷改質樹脂為0.1~5質量%。
  5. 如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中(B)三官能性烷氧基矽烷改質樹脂為含有羥基之環氧樹脂中之羥基經矽烷改質之三官能性烷氧基矽烷改質環氧樹脂及/或酚樹脂之酚性羥基經矽烷改質而成之三官能性烷氧基矽烷改質酚樹脂。
  6. 如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中(B)三官能性烷氧基矽烷改質樹脂為下述式(1)： 式(1)中，R3為碳數1~10之直鏈或分支鏈之烷基，或烯丙基，R4、R5各獨立為氫、碳數1~10之直鏈或分支鏈烷基，式(1)中，m表示1~10，式(1)中，X係選自環氧樹脂或酚樹脂。
  7. 如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中(B)三官能性烷氧基矽烷改質樹脂為下述式(1)： 式(1)中，R3為碳數1~10之直鏈或分支鏈之烷基，或烯丙基，R4、R5各獨立為氫、碳數1~10之直鏈或分支鏈烷基，式(1)中，m表示1~10，式(1)中，X係選自雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、酚醛清漆酚樹脂。
  8. 如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中使樹脂組成物硬化形成絕緣層，且使其絕緣層表面經粗糙化處理，並經鍍敷獲得之導體層與絕緣層之剝離強度為0.43 kgf/cm~1.0kgf/cm，使樹脂組成物硬化形成絕緣層，且使其絕緣層表面經粗糙化處理後之算術平均粗糙度為10nm~300nm，均方平方根粗糙度為10nm~520nm。
  9. 一種接著薄膜，其係使如申請專利範圍第1~8項中任一項之樹脂組成物於支撐體上層形成而成。
  10. 一種預浸片，其係將如申請專利範圍第1~8項中任一項之樹脂組成物含浸於薄片狀補強基材中而成。
  11. 一種多層印刷配線板，其係由如申請專利範圍第1~8項中任一項之樹脂組成物之硬化物形成絕緣層而成。
  12. 一種半導體裝置，其特徵係使用如申請專利範圍第11項之多層印刷配線板。
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