TWI617704B

TWI617704B - 於顯示裝置中針對含銅金屬層之蝕刻組成物及使用彼之蝕刻方法

Info

Publication number: TWI617704B
Application number: TW102146907A
Authority: TW
Inventors: 許旭煥; 李相國; 朴英薰
Original assignee: 首威公司
Priority date: 2012-12-24
Filing date: 2013-12-18
Publication date: 2018-03-11
Also published as: KR20140082392A; TW201425647A; CN103898508A

Abstract

本發明涉及用於顯示器裝置中的含銅金屬層之蝕刻組合物，該組合物包含至少一種銅離子源、至少一種氟離子源、至少一種無機酸和/或其鹽、一第一含氮有機化合物、一第二含氮有機化合物、以及至少一種有機酸和/或其鹽，該第一含氮有機化合物選自由脂肪胺、芳香胺和其任何組合組成之群組，該第二含氮有機化合物選自由含氮雜環、多負載胺化合物(multi-chargeable amine compounds)和其任何組合組成之群組。根據本發明的蝕刻組合物可以提供優異的蝕刻均勻性，而不會對下麵的半導體層造成損害。

Description

於顯示裝置中針對含銅金屬層之蝕刻組成物及使用彼之蝕刻方法

本發明涉及一種用於顯示器裝置(例如液晶顯示(LCD)裝置)中含銅金屬層的蝕刻組合物，以及一種用該蝕刻組合物蝕刻該金屬層之方法。

液晶顯示器(LCD)作為一用於移動裝置、監視器以及電視的主要的顯示器裝置(除了等離子顯示板(PDP)或場致發射顯示器(FED)之外)，逐漸引起關注。在該等LCD裝置之中，薄膜電晶體(TFT)類型的LCD裝置具有若干導電電極和信號線，例如閘極、源極、汲極、以及因此信號線，它們起到將信號傳輸到裝置之作用。

具體地，構成此類電極和/或信號線的金屬的電阻係導致信號延遲的一主要因素，並且正因為如此，將具有優越的電特性的銅(Cu)而不是其他已知的材料，例如像鉻(Cr)、鉬(Mo)、或鋁(Al)，用作一用於電極和/或信號線的材料。為此目的，典型地，使用一由銅構成的單一的金屬層，或雙金屬層，在該雙金屬層中銅層、以及鈦(Ti)、鈦合金、鉬或鉬合金層被堆疊在一起。

常規地，使用一種除了作為基礎氧化劑的H2O2之外包含氟離子、硫酸、含氮化合物(比如胺)的蝕刻溶液來蝕刻所述一或多個金屬層。

然而，在H2O2作為一氧化劑在該蝕刻溶液中存在的情況下，該蝕刻溶液的壽命和蝕刻能力由於H2O2的自分解而降低，從而導致蝕刻溶液組成上的變化。另外的問題產生於H2O2的不穩定性，這可能引起安全擔憂。這樣，如果一不包含H2O2的蝕刻溶液可以達到所要求的蝕刻能力，則它可以是有利的。

在韓國專利號10-0419071中，揭露了一種用於銅-鈦層的蝕刻溶液，其特徵在於包括0.1wt.%至5wt.%的無機鹽氧化劑；0.5wt.%至10wt.%的無機酸或其鹽；0.05wt.%至0.5wt.%的氟源；0.005wt.%至0.5wt.%的添加劑，該添加劑選自由以下各項組成之群組：吡咯啶、吡咯啉、吡咯、吲哚、吡唑、咪唑、嘧啶、嘌呤、吡啶以及它們的衍生物；以及余量的去離子水(使得總蝕刻溶液係100wt.%)。然而，使用此類蝕刻溶液具有缺點，例如缺少蝕刻均勻性和/或蝕刻速度的減緩。

本發明現在使得一組合物，特別是適用於蝕刻顯示器裝置中的含銅金屬層的蝕刻可用，這種蝕刻組合物沒有示出上述問題。

因此，本發明的目的係提供一蝕刻組合物，這種組合物不具有以上缺點並且具有優越的特性。具體地，本發明的目的係提供穩定的蝕刻組合物，這種組合物使得能夠獲得良好的蝕刻均勻性而不會對顯示器裝置中的基底和/或下面的半導體層造成損害。

因此，本發明涉及一蝕刻組合物，該組合物包含至少一種銅離子源、至少一種氟離子源、至少一種無機酸和/或其鹽、一第一含氮有機化合物、一第二含氮有機化合物、以及至少一種有機酸和/或其鹽，該第一含氮有機化合物選自由脂肪胺、芳香胺和其任何組合組成之群組，該第二含氮有機化合物選自由含氮雜環、多負載胺化合物和其任何組合組成之群組。根據本發明的蝕刻組合物可以有利地用於顯示器裝置中的含銅金屬層。

本發明的諸位發明人已經出人意料地發現了根據本發明的蝕刻組合物示出優異的蝕刻均勻性而不會對基底和/或下面的半導體層造成損害同時保持其隨著時間非常穩定的狀態。此外，當在用於顯示器裝置中的含銅金屬層的蝕刻工藝中使用時，本發明的蝕刻組合物可以提供均勻的和/或快速的蝕刻。還已經出人意料地發現了根據本發明的蝕刻組合物具有優越的蝕刻能力。這使得用某一量值的蝕刻組合物就能夠獲得更有效的蝕刻，這可以導致成本-競爭優勢。

藉由本發明蝕刻組合物可以獲得優異的蝕刻均勻性而不會對基底和/或下面的半導體層造成損害同時保持其隨著時間非常穩定的狀態。此外，當在用於顯示器裝置中的含銅金屬層的蝕刻工藝中使用時，本發明之蝕刻組合物可以提供均勻的和/或快速的蝕刻。額外地，本發明的蝕刻組合物具有優越的蝕刻能力，從而使得能夠用某一量值的蝕刻組合物獲得更有效的蝕刻，並且因此，可以提供成本競爭優勢。

[本發明的模式和效果]

在本發明中，“芳香胺”具體地應理解為指代具有一連接到至少一個芳環上的胺基基團的胺。該等芳香胺可以是一級胺、二級胺以及三級胺，其中一或多個氫原子可以被或者可以不被其他基團如烷基基團、烷氧基基團、芳基基團、或芳氧基基團取代。芳香胺的具體的實例包括苯胺、N-甲基苯胺、以及1,4-苯二胺。

在本發明中，“脂肪胺”具體地應理解為指代具有一連接到至少一種脂肪烴上的胺基基團的胺。該等脂肪胺可以是一級胺、二級胺以及三級胺，其中一或多個氫原子可能被或者可能不被其他基團如烷基基團、烷氧基基團、芳基基團、或芳氧基基團取代。在根據本發明的組合物中有用的脂肪胺的具體實例選自單、二或三烷基胺，例如丙胺、甲胺、二甲胺、三甲胺和環己胺，以及單、二或三烷氧基胺，例如一乙醇胺、二乙醇胺以及三乙醇胺。

在本發明中，“含氮雜環”具體地應理解為指代一環狀化合物，這種環狀化合物具有至少一個氮原子作為它的一或多個環的一成員。該等含氮雜環可以或者是飽和的或者不飽和的，並且可以是，例如，3元環、4元環、5元環、6元環或者7元環。該等雜環的實例包括吡咯啶、吡咯、呱啶、吡啶、吡喃、吡唑、咪唑、以及它們的衍生物。該等雜環可以進一步被其他基團，例如烷基基團、烷氧基基團、芳基基團、或芳氧基基團所取代。

在本發明中，“多負載胺化合物”具體地應理解為指代一具有至少兩個胺基基團的化合物。該多個胺基基團可以是帶正電的例如當在溶液中質子化了時。典型的多負載胺化合物係二胺、三胺、四胺、以及五胺。其具體的實例包括乙二胺、1,6-己二胺、三伸乙基四胺、以及六亞甲基四胺。

不希望受任何具體理論的束縛，據信在本發明的蝕刻組合物中的該第一含氮有機化合物和/或該第二含氮有機化合物至少起到一蝕刻抑制劑的作用，該蝕刻抑制劑防止了顯示器裝置中的含銅金屬層的過度蝕刻。該第一含氮有機化合物和/或該第二含氮有機化合物可以分別單獨使用或以至少兩種不同種類的組合的形式使用。

該第一含氮有機化合物較佳的是選自由脂肪胺(例如環己胺)、一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、以及其任何組合組成之群組。更佳的第一含氮有機化合物係環己胺或三乙醇胺。

較佳的是，該第二含氮有機化合物選自由以下各項組成之群組：吡啶、咪唑、嘧啶、聚乙烯吡咯啶、乙二胺、1,6-己二胺、六亞甲基四胺、二伸乙基三胺、三伸乙基四胺、四伸乙基五胺、胺乙基呱嗪、胺乙基乙醇胺、胺基四唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡咯、吡咯啉、苯並三唑、甲基苯駢三氮唑(tolyltriazole)、以及其任何組合。更佳的第二含氮有機化合物係吡啶或六亞甲基四胺。

該第一含氮有機化合物和該第二含氮有機化合物的含量相對於蝕刻組合物總重量分別較佳的是從0.05wt.%至5wt.%。相對於蝕刻組合物的總重量，這樣的含量的更佳的範圍係從0.2wt.%至1.0wt.%。當含量在上述的範圍內時，可以獲得特別優異的蝕刻速度而不會對有待蝕刻的金屬層造成損害。

在本發明中，含在蝕刻組合物中的銅離子源可以單獨使用或以至少兩種不同種類的組合的形式使用。當它處於一銅錯合物的形式時，銅離子的氧化效果可以增強。已經發現了銅錯合物的形式還可以影響蝕刻的速度。因此，可以藉由選擇銅錯合物的種類來控制氧化效果和/或蝕刻速度。該銅錯合物可以較佳的是藉由適當選擇蝕刻組合物中的其他組分，例如第一含氮有機化合物、第二含氮有機化合物和/或有機酸和/或其鹽來形成。

該銅離子源較佳的是選自由CuCl₂、CuSO₄、 Cu(CH₃COO)₂、Cu(NO₃)₂、以及其任何組合組成之群組。該銅離子源更佳的是CuCl₂。

在本發明的組合物中，銅離子在蝕刻組合物中的濃度總體上是從1,500ppm至20,000ppm。在該蝕刻組合物中的濃度的較佳的範圍係從4,000ppm至15,000ppm。當濃度在以上範圍內時，可以獲得對於含在該含銅金屬層中的銅來說的最佳的蝕刻速度而不會造成含銅金屬層的侵蝕。

不希望受任何具體理論的束縛，據信在本發明的蝕刻組合物中，該氟離子源主要蝕刻顯示器裝置中的含在該含銅金屬層中的除了銅之外的金屬組分。該氟離子源可以單獨使用或以至少兩種不同的氟離子源的一混合物的形式使用。

較佳的是，該氟離子源選自由以下各項組成之群組：氟化銨、氟化鈉、氟化鉀、氟化氫銨、氟化氫鈉、氟化氫鉀、以及其任何組合。較佳的氟離子源係氟化銨。

在根據本發明的蝕刻組合物中，該氟離子的濃度在該蝕刻組合物中總體上是從2,000ppm至15,000ppm。在該蝕刻組合物中濃度的較佳的範圍係從3,000ppm至8,000ppm。當濃度在以上範圍內時，可以獲得對於含在該含銅金屬層中的除了銅之外的其他金屬組分來說的最佳的蝕刻速度而不會對基底和/或下面的半導體層造成損害。

不希望受任何具體理論的束縛，據信在本發明的蝕刻組合物中，該無機酸和/或其鹽可以起到一輔助氧化劑(除了銅離子源和氟離子源之外)的作用。該無機酸的鹽可以是，例如，它的鈉鹽、鉀鹽、或銨鹽。該無機酸和/或其鹽可以單獨使用或以至少兩種不同的種類的組合的形式使用。

較佳的是，該無機酸和/或其鹽選自由以下各項組成之群組：硝酸、硫酸、磷酸、高氯酸、鹽酸、它們的鹽、以及其任何組合。更佳的無機酸係鹽酸。

在根據本發明的組合物中，該無機酸和/或其鹽的含量相對於該蝕刻組合物的總重量總體上是從0.3wt.%至5wt.%。相對於蝕刻組合物的總重量，該含量的較佳的範圍係從1wt.%至3wt.%。當含量在以上範圍內時，可以獲得對於含銅金屬層來說的最佳的蝕刻速度而不會對顯示器裝置中的該含銅金屬層內的銅層造成損害。

不希望受任何具體理論的束縛，據信在本發明的組合物中，該有機酸和/或其鹽至少起到一穩定劑和/或螫合劑的作用，它使得能夠緩衝該蝕刻組合物以便保持溶液的pH以及使得能夠增強潤濕和穩定性，從而導致適當的蝕刻性能。該有機酸和/或其鹽可以單獨使用或以至少兩種不同的種類的組合的形式使用。

較佳的是，該有機酸和/或其鹽選自由以下各項組成之群組：乙酸、丙烯酸、丁酸、檸檬酸、甲酸、乳酸、戊二酸、乙醇酸、丙酸、丙二酸、戊酸(petanoic acid)、草酸、酒石酸、次胺基三乙酸、乙酸銨、乙酸鉀、以及其任何組合。更佳的有機酸和/或其鹽是乙酸、甲酸、次胺基三乙酸、乙酸銨、或其任何組合。該有機酸和/或其鹽可以較佳的是以上述化合物中的不同的兩個種類的組合的形式來使用。

在根據本發明的組合物中，該有機酸和/或其鹽的含量相對於該蝕刻組合物的總重量係從0.1wt.%至8wt.%。相對於該蝕刻組合物的總重量，該含量的較佳的範圍係從5wt.%至7wt.%。當含量在以上的範圍內時，可以獲得蝕刻組合物的優異的穩定性和/或均勻性，而不會隨時間產生特性的變化。此外，可以保持蝕刻組合物的足夠的溶解度，並且因此在該蝕刻設備中不存在不希望的殘餘物。

在一具體的實施方式中，根據本發明的蝕刻組合物進一步包含至少一種膦酸(包含至少一個胺部分)。已經發現了藉由結合此類膦酸，可以移除可能存在於基底的表面上的剩餘的未蝕刻的殘餘銅。並且，這可以穩定蝕刻組合物中的銅離子，並且這樣，可以防止金屬沈積。此類膦酸較佳的是選自由以下各項組成之群組：多胺基聚醚亞甲基膦酸酯、雙(六亞甲基三胺五(亞甲基膦酸))、二伸乙基三胺五(亞甲基膦酸)、以及其任何組合。

與常規蝕刻劑相比，本發明的蝕刻組合物示出了優越的蝕刻能力。根據本發明的蝕刻組合物通常具有從6,000ppm至8,000ppm的蝕刻能力。這個特徵有助於根據本發明的蝕刻組合物的成本競爭優勢。除了上述含在該蝕刻組合物中的組分之外，可以任選地將一或多種添加劑加入根據本發明的蝕刻組合物中。此類添加劑可以選自，例如，由以下各項組成之群組：表面活性劑、螫合劑、腐蝕抑制劑、蝕刻改性劑、pH調節劑、以及其任何組合。

在根據本發明的蝕刻組合物中，水總體上以某一量值包含在該蝕刻組合物中。這個量值經常補足蝕刻組合物的總重量的餘量，除了此處以上討論的它的組分之外。適合的水可以是用於半導體工藝的一種，較佳的是去離子水。

根據本發明的具體的組合物可以較佳的是選自以下各項：

組合物(I)：CuCl₂ 0.7wt.%~1.5wt.%/NH₄F 0.3wt.%~0.7wt.%/HCl 1.5wt.%~2wt.%/三乙醇胺1.5wt.%~2.5wt.%/吡啶0.1wt.%~0.4wt.%/冰乙酸5wt.%~7wt.%/次胺基三乙酸0.1wt.%~0.5wt%/餘量的去離子水

組合物(II)：CuCl₂ 0.6wt.%~1.2wt.%/NH₄F 0.2wt.%~0.6wt.%/HCl 0.5wt.%~1.5wt.%/環己胺0.2wt.%~0.8wt.%/六亞甲基四胺0.05wt.%~0.2wt.%/甲酸2wt.%~4wt.%/乙酸銨0.5wt.%~1.5wt%/餘量的去離子水

組合物(III)：CuCl₂ 0.5wt.%~1.5wt.%/NH₄F 0.2wt.%~0.6wt.%/HCl 0.5wt.%~1.5wt.%/一乙醇胺1.5wt.%~3wt.%/吡啶0.6wt.%~1wt.%/冰乙酸5wt.%~7wt.%/次胺基三乙酸0.3wt.%~0.6wt%/餘量的去離子水

組合物(IV)：CuCl₂ 0.7wt.%~1.2wt.%/NH₄F 0.3wt.%~0.7wt.%/HCl 1wt.%~2wt.%/二乙醇胺2wt.%~3 wt.%/1,6-己二胺0.5wt.%~1wt.%/冰乙酸3wt.%~5wt.%/次胺基三乙酸0.3wt.%~0.6wt%/餘量的去離子水

組合物(V)：CuCl₂ 0.5wt.%~1.5wt.%/NH₄F 0.3wt.%~0.7wt.%/HCl 0.5wt.%~1.5wt.%/環己胺0.5wt.%~1wt.%/1,6-己二胺0.2wt.%~0.5wt.%/甲酸2wt.%~5wt.%/乙酸鈉1wt.%~2wt%/餘量的去離子水組合物(VI)：CuCl₂ 0.7wt.%~1.5wt.%/NH₄F 0.3wt.%~0.5wt.%/HCl 1wt.%~2wt.%/三乙醇胺1wt.%~2wt.%/六亞甲基四胺0.1wt.%~0.3wt.%/甲酸1.5wt.%~5wt.%/乙酸銨1wt.%~2wt.%/多胺基聚醚亞甲基膦酸酯0.5wt.%~1wt.%/餘量的去離子水

組合物(VII)：CuCl₂ 0.5wt.%~1.5wt.%/KF 0.1wt.%~0.3wt.%/HCl 1wt.%~2wt.%/三乙醇胺2wt.%~3wt.%/乙二胺0.5wt.%~1wt.%/吡啶0.3wt.%~0.8wt.%/乙酸5wt.%~7wt.%/乙酸鈉1.5wt.%~2.5wt%/餘量的去離子水

組合物(VIII)：CuCl₂ 0.6wt.%~1.2wt.%/NH₄F 0.2wt.%~0.6wt.%/HCl 0.5wt.%~1.5wt.%/胺乙基呱嗪0.2wt.%~0.8wt.%/六亞甲基四胺0.05wt.%~0.2wt.%/甲酸2wt.%~4wt.%/乙酸銨0.5wt.%~1.5wt%/餘量的去離子水

組合物(IX)：CuCl₂ 0.7wt.%~1.5wt.%/NH₄F 0.3wt.%~0.7wt.%/HCl 1wt.%~2wt.%/三乙醇胺2wt.%~3 wt.%/三伸乙基四胺0.5wt.%~1wt.%/乙酸5wt.%~7wt.%/乙酸鉀1.5wt.%~2.5wt%/二伸乙基三胺五(亞甲基膦酸)0.5wt.%~1wt.%/餘量的去離子水

根據本發明的蝕刻組合物可以用於顯示器裝置中的金屬電極和/或信號線的蝕刻工藝。因此，本發明的另一方面係一種用於蝕刻顯示器裝置中的金屬層之方法，該方法包含使該金屬層的一表面與根據本發明的蝕刻組合物相接觸。

圖1示出了用根據實例1的蝕刻組合物蝕刻的金屬層之掃描電子顯微鏡(SEM)結果。

圖2示出了用根據實例2的蝕刻組合物蝕刻的金屬層之掃描電子顯微鏡(SEM)結果。

為了確認用於顯示器裝置，特別是LCD裝置中的含銅金屬層的蝕刻組合物的蝕刻性能，將鈦和銅以此順序沈積到玻璃基底上，並且在該銅層上形成一光致抗蝕劑(PR)。在該金屬層上進行了光刻工藝之後，製備具有20mm X 20mm尺寸的基底樣品。

實例1：製備蝕刻溶液(1)

製備2L的用於LCD裝置中金屬層的蝕刻溶液(包含下面的組分)。在30℃在0.1MPa的下用噴灑蝕刻設備在藉由上述方法製備的樣品(20mm X 20mm)上進行蝕刻持續35秒。將ISJJX-Y-PP 020Y,IKEUCHI(2L/min在0.2MPa下)用作一噴嘴，並且噴灑距離係100mm。藉由使用掃描電子顯微鏡術(SEM)確定了LCD裝置中的金屬層的蝕刻後的形狀和表面狀態。

用所述蝕刻組合物在LCD裝置中的金屬層上進行蝕刻。將暴露的金屬層選擇性地並且清楚地蝕刻，而不對光致抗蝕劑層造成損害。用SEM來確認被蝕刻的銅的良好的錐角(40°至50°)。銅層的蝕刻速度係0.25~0.30μm/min。在基底樣品上沒有發現剩餘的金屬層並且藉由SEM觀察確認了電極和/或信號線的均勻的蝕刻(圖1)。

在已經用所述蝕刻組合物進行了第一蝕刻後，分別在120小時、240小時、以及360小時的時間流逝後進行第二蝕刻。蝕刻速度沒有改變，從而確認保持了非常穩定的狀態。

實例2：製備蝕刻溶液(2)

製備2L的用於LCD裝置中金屬層的蝕刻溶液(包含下面的組分)。在30℃在0.1MPa下用噴灑蝕刻設備在藉由上述方法製備的樣品(20mm X 20mm)上進行蝕刻持續30秒。將ISJJX-Y-PP 020Y,IKEUCHI(2L/min在0.2MPa下)用作一噴嘴，並且噴灑距離係100mm。藉由使用掃描電子顯微鏡術(SEM)確定了LCD裝置中的金屬層的蝕刻後的形狀和表面狀態。

用所述的蝕刻組合物在LCD裝置中的金屬層上進行蝕刻。將暴露的金屬層選擇性地並且清楚地蝕刻，而不對光致抗蝕劑層造成損害。用SEM確認了被蝕刻的銅的良好的錐角(40°至50°)。銅的蝕刻速度係0.30~0.35 μm/min。在基底樣品上沒有發現剩餘的金屬層並且藉由SEM觀察(圖2)確認了電極和/或信號線的均勻的蝕刻。

在已經用所述蝕刻組合物進行了第一蝕刻後，分別在120小時、240小時、以及360小時的時間流逝後進行第二蝕刻。完全沒有改變蝕刻速度，從而確認保持了非常穩定的狀態。

對比實例1：製備含H ₂ O ₂ 的蝕刻溶液

製備2L的用於LCD裝置中金屬層的蝕刻溶液(包含下面的組分)。在30℃在0.1MPa下用噴灑蝕刻設備在藉由上述方法製備的樣品(20mm X 20mm)上進行蝕刻持續20秒。將ISJJX-Y-PP 020Y,IKEUCHI(2L/min在0.2MPa下)用作一噴嘴，並且噴灑距離係100mm。藉由使用掃描電子顯微鏡術(SEM)確定了LCD裝置中的金屬層的蝕刻後的形狀和表面狀態。

用所述的蝕刻組合物在LCD裝置中的金屬層上進行蝕刻。將暴露的金屬層選擇性地並且清楚地蝕刻，而不對光致抗蝕劑層造成損害。銅層的蝕刻速度係0.40~0.45μm/min。與實例1和2相比，在基底樣品上發現了少量的剩餘金屬層並且電極和/或信號線的蝕刻的均勻性降低，如藉由SEM所觀察的。

在已經用所述蝕刻組合物進行了第一蝕刻後，分別在120小時、240小時、以及360小時的時間流逝後進行第二蝕刻。確認了蝕刻速度上的變化。在120小時後，蝕刻時間增加了10%，在240小時後，蝕刻時間還增加了25%，並且在360小時後，蝕刻時間增加了40%。並且，在玻璃基底樣品的表面上很容易地發現了剩餘的金屬層，並且此外，在光致抗蝕劑層上觀察到部分損害。

該等結果係由H2O2的分解造成的，並且蝕刻溶液組成上的這種變化導致差的可工作性並且降低了蝕刻均勻性。此外，就蝕刻溶液的長期穩定性來說，組成上的這種變化造成缺點，這最終導致高度增加的成本。

Claims

一種用於顯示器裝置中的含銅金屬層之蝕刻組合物，該組合物包含至少一種銅離子源、至少一種氟離子源、至少一種無機酸和/或其鹽、第一含氮有機化合物、第二含氮有機化合物、以及至少一種有機酸和/或其鹽，其中該銅離子源係選自由CuCl₂、CuSO₄、Cu(CH₃COO)₂、Cu(NO₃)₂、以及其任何組合組成之群組，其中該氟離子源係選自由下列所組成之群組：氟化銨、氟化鈉、氟化鉀、氟化氫銨、氟化氫鈉、氟化氫鉀、以及其任何組合，其中該無機酸和/或其鹽係選自由下列所組成之群組：硝酸、硫酸、磷酸、高氯酸、鹽酸、它們的鹽、以及其任何組合，其中該有機酸和/或其鹽係選自由下列所組成之群組：乙酸、丙烯酸、丁酸、檸檬酸、甲酸、乳酸、戊二酸、乙醇酸、丙酸、丙二酸、戊酸、草酸、酒石酸、次胺基三乙酸、乙酸銨、乙酸鉀、以及其任何組合，其中該第一含氮有機化合物係選自由環己胺、一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、以及其任何組合所組成之群組，及其中該第二含氮有機化合物係選自由下列所組成之群組：吡啶、咪唑、嘧啶、聚乙烯吡咯啶、乙二胺、1,6-己二胺、六亞甲基四胺、二伸乙基三胺、三伸乙基四胺、四伸乙基五胺、胺乙基呱嗪、胺乙基乙醇胺、胺基四唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡咯、吡咯啉、苯並三唑、甲基苯駢三氮唑、以及其任何組合。
如申請專利範圍第1項之蝕刻組合物，其中該銅離子在該蝕刻組合物中之濃度係從1,500ppm至20,000ppm。
如申請專利範圍第1項之蝕刻組合物，其中該氟離子在該蝕刻組合物中之濃度係從2,000ppm至15,000ppm。
如申請專利範圍第1項之蝕刻組合物，其中該無機酸和/或其鹽之含量相對於該蝕刻組合物總重量係從0.3wt.%至5wt.%。
如申請專利範圍第1項之蝕刻組合物，其中該第一含氮有機化合物和該第二含氮有機化合物相對於該蝕刻組合物的總重量的含量分別是從0.05wt.%至5wt.%。
如申請專利範圍第1項之蝕刻組合物，其中該有機酸和/或其鹽的含量相對於該蝕刻組合物的總重量係從0.1wt.%至8wt.%。
如申請專利範圍第1項之蝕刻組合物，其進一步包含至少一種膦酸，這種膦酸包含至少一個胺殘基，該胺部分選自由以下各項組成之群組：多胺基聚醚亞甲基膦酸酯、雙(六亞甲基三胺五(亞甲基膦酸))、二伸乙基三胺五(亞甲基膦酸)、以及其任何組合。
如申請專利範圍第1項之蝕刻組合物，其具有從6,000ppm至8,000ppm的蝕刻能力。
一種用於蝕刻顯示器裝置中含銅金屬層之方法，該方法包含使該含銅金屬層的一表面與如申請專利範圍第1至8項中任一項之蝕刻組合物相接觸。