TW201518545A - 液晶顯示器用陣列基板的製造方法 - Google Patents
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Abstract
一種製造液晶顯示器用陣列基板的方法，該方法包括：a)在基板上形成柵線；b)在具有柵線的基板上形成柵絕緣層；c)在柵絕緣層上形成半導體層；d)在半導體層上形成源極和漏極；以及e)形成與漏極連接的像素電極，其中，a)或d)步驟包括：在基板或半導體層上形成Cu基金屬膜，和藉由使用蝕刻劑組合物蝕刻Cu基金屬膜來形成柵線或源極和漏極，並且蝕刻劑組合物是用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物，基於組合物的總重量，包括：5~25重量%的過氧化氫(H2O2)；0.1~5重量%的亞磷酸；0.01~1.0重量%的含氟化合物；0.1~5重量%的唑化合物；0.1~5重量%的在分子中具有N原子和羧基的水溶性化合物；0.1~5重量%的硫酸鹽化合物；以及餘量的水，以使得組合物的總重量為100重量%。
Description
本申請主張2013年11月4日提交的韓國專利申請KR10-2013-0132820的權益，在此將其全文藉由引用的方式併入本申請中。
本發明係關於一種液晶顯示器用陣列基板的製造方法。
在半導體裝置中，在基板上形成金屬佈線的步驟通常包括：使用濺射等形成金屬膜、塗覆光刻膠、進行曝光和顯影以便在選擇性區域上形成光刻膠，以及進行蝕刻，其中，在其每個單獨的步驟之前或之後進行清洗步驟。蝕刻步驟是使用光刻膠作為掩模來使得金屬膜能夠留在選擇性區域的步驟，並且蝕刻步驟通常包括：使用等離子體等的乾法蝕刻或者使用蝕刻劑組合物的濕法蝕刻。
通常，對於柵線和資料線的材料，所使用的是包括導電性良好且電阻低的銅的銅膜層或銅合金膜層或者與上述層的介面粘合性良好的金屬氧化物層。
在這點上，韓國專利申請公開10-2007-0055259公開
了一種用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物，該組合物包括用於蝕刻銅-鉬合金膜層的過氧化氫、有機酸、磷酸鹽化合物等。
然而，如果蝕刻劑組合物被應用於Cu基金屬膜的厚膜，那麼該組合物因由磷酸二氫鹽(phosphate monobasic)引起的高錐度而可能在隨後的步驟中出現缺陷問題。
同時，韓國專利申請公開10-2010-0090538公開了一種用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物，包括：過氧化氫(H2O2)、有機酸、磷酸鹽化合物等。
當使用蝕刻劑組合物對銅-鉬膜層進行蝕刻時，形成了線性良好的錐形剖面。然而，當進行鉬-鈮(Mo-Nb)的鉬基金屬膜和Cu基金屬膜的批量蝕刻時，蝕刻速率變得緩慢，鉬-鈮(Mo-Nb)的鉬基金屬膜未被蝕刻，或者產生了殘留物，因而蝕刻性能不好。
(專利文獻1)韓國專利申請公開10-2007-0055259 A。
(專利文獻2)韓國專利申請公開10-2010-0090538 A。
為了解決上述問題，本發明的一個目的是提供一種製造由Cu基金屬膜組成的液晶顯示器用陣列基板的方法。
為了解決上述問題，本發明的另一目的是使用本發明的用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物來進行Cu基金屬膜的批量蝕刻。
本發明的再一個目的是提供一種用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物以蝕刻多層膜而不產生殘留物。
為了達到上述目的，本發明提供了一種製造液晶顯示器用陣列基板的方法，該方法包括：a)在基板上形成柵線(gate wiring)；b)在具有該柵線的該基板上形成柵絕緣層；c)在該柵絕緣層上形成半導體層；d)在該半導體層上形成源極和漏極；以及e)形成與該漏極連接的像素電極，其中，a)或d)步驟包括：在該基板或該半導體層上形成Cu基金屬膜，以及藉由使用蝕刻劑組合物蝕刻該Cu基金屬膜來形成該柵線或該源極和該漏極，並且該蝕刻劑組合物是用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物，基於該組合物的總重量，包括：5~25重量%的過氧化氫(H2O2)；0.1~5重量%的亞磷酸；0.01~1重量%的含氟化合物；0.1~5重量%的唑化合物；0.1~5重量%的在分子中具有N原子和羧基的水溶性化合物；0.1~5重量%的硫酸鹽化合物；以及餘量的水，以使得該組合物的總重量為100重量%。
此外，本發明提供了一種用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物，基於該組合物的總重量，包括：5~25重量%的過
氧化氫(H2O2)；0.1~5重量%的亞磷酸；0.01~1重量%的含氟化合物；0.1~5重量%的唑化合物；0.1~5重量%的在分子中具有N原子和羧基的水溶性化合物；0.1~5重量%的硫酸鹽化合物；以及餘量的水，以使得該組合物的總重量為100重量%。
此外，本發明提供了一種液晶顯示器用陣列基板，該液晶顯示器用陣列基板包括：選自柵線、源極和漏極中的至少一個，藉由使用用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物來蝕刻該柵線、該源極和該漏極。
用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物具有以下優點：提高蝕刻速率、蝕刻其它金屬膜的多層膜而不產生殘留物，並且不斷地保持側蝕的變化量。
以下結合附圖進行詳細描述，將更清楚地理解本發明的上述和其它目的、特徵和優點。
圖1顯示當在300ppm的銅的條件下使用實施例3的用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物時，蝕刻剖面的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像；圖2顯示當在3000ppm的銅的條件下使用實施例3的用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物時，蝕刻剖面的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像；以及圖3顯示當在5000ppm的銅的條件下使用實施例3的用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物時，蝕刻剖面的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像。
在下文中，將對本發明進行詳細描述。
本發明涉及一種使用用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物來製造液晶顯示器用陣列基板的方法，並且製造的方法如下。
製造的方法包括：a)在基板上形成柵線；b)在具有柵線的基板上形成柵絕緣層；c)在柵絕緣層上形成半導體層；d)在半導體層上形成源極和漏極；以及e)形成與漏極連接的像素電極，其中，a)或d)步驟包括：在基板或半導體層上形成Cu基金屬膜，以及藉由使用蝕刻劑組合物蝕刻Cu基金屬膜來形成柵線或源極和漏極。
蝕刻劑組合物是用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物，基於組合物的總重量，包括：5~25重量%的過氧化氫(H2O2)；0.1~5重量%的亞磷酸；0.01~1重量%的含氟化合物；0.1~5重量%的唑化合物；0.1~5重量%的在分子中具有N原子和羧基的水溶性化合物；0.1~5重量%的硫酸鹽化合物；以及餘量的水，以使得該組合物的總重量為100重量%。
上述液晶顯示器用陣列基板是薄膜電晶體(TFT)陣列基板。
另外，本發明涉及一種用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組
合物，基於該組合物的總重量，包括：
5~25重量%的過氧化氫(H2O2)；0.1~5重量%的亞磷酸；0.01~1重量%的含氟化合物；0.1~5重量%的唑化合物；0.1~5重量%的在分子中具有N原子和羧基的水溶性化合物；0.1~5重量%的硫酸鹽化合物；以及餘量的水，以使得該組合物的總重量為100重量%。
根據上述組成，本發明的用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物可以提高蝕刻速率並且可以蝕刻由銅和其它金屬層(例如，鉬-鈮(Mo-Nb)合金)構成的多層膜，而不產生殘留物。
Cu基金屬膜包括作為組成的銅，並且包括銅或銅合金的單層膜以及多層膜，多層膜包括：選自銅膜和銅合金膜中的至少一種膜，以及選自鉬膜和鉬合金膜、鈦膜和鈦合金膜中的至少一種膜。上述合金膜包括氮化物或氧化物。
多層膜的實例包括雙層膜或三層膜，諸如：銅/鉬膜、銅/鉬合金膜、銅合金/鉬合金膜、銅/鈦膜等。
銅/鉬膜是指包括鉬膜和形成在鉬膜上的銅膜的膜；銅/鉬合金膜是指包括鉬合金膜和形成在鉬合金膜上的銅膜的膜；銅合金/鉬合金膜是指包括鉬合金膜和在鉬合金膜上的銅合金膜的膜；並且，銅/鈦膜是指包括鈦膜和形成在鈦膜上的銅膜的膜。
本發明的用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物的Cu基金屬膜較佳是多層膜，包括：選自銅膜和銅合金膜中的至少一種膜和選自鉬膜和鉬合金膜中的至少一種膜。
此外，鉬合金膜較佳由選自鈦(Ti)、鈮(Nb)和鎢(W)中的至少一種金屬和鉬(Mo)組成。
此外，本發明的用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物可另外包括多元醇表面活性劑。
在下文中，將對本發明的用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物進行詳細描述。
(A)過氧化氫(H2O2)
包括在本發明的用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物內的過氧化氫(H2O2)是對Cu基金屬膜的蝕刻具有影響的主要氧化劑，該Cu基金屬膜是：包括鉬膜和形成在鉬膜上的銅膜的銅-鉬膜，或者包括鉬合金膜和形成在鉬合金膜上的銅膜的銅-鉬合金膜。
基於用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物的總重量，過氧化氫(H2O2)被設定為5~25重量%，較佳為15~23重量%。
在低於5重量%的上述量的範圍中，蝕刻因缺乏Cu基金屬膜的蝕刻能力而可能不足。
另外，在高於25重量%的上述量的範圍中，熱穩定性隨著銅離子的增加而大幅降低。
(B)亞磷酸(H3PO3)
包括在本發明的用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物內的亞磷酸藉由調節pH來增強蝕刻速率。如果亞磷酸未包括在本發明的用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物內，那麼蝕刻速率非常緩慢並且蝕刻剖面因蝕刻速率非常緩慢而可
能是差的。
基於用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物的總重量，亞磷酸被設定為0.1~5重量%，較佳為0.3~3重量%。
在低於0.1重量%的上述量的範圍中，蝕刻剖面可能是差的。
另外，在高於5重量%的上述量的範圍中，可能出現銅或銅合金膜的蝕刻速率變得太快或者鉬或鉬合金膜的蝕刻速率變得太慢的問題。
(C)含氟化合物
含氟化合物是指在水中解離時可產生氟化物離子的化合物。含氟化合物是對鉬合金膜的蝕刻速率具有影響的輔助氧化劑，並且它調節鉬合金膜的蝕刻速率。
含氟化合物並不沒有特別限制，只要它被用於相關領域，但是較佳選自HF、NaF、NH4F、NH4BF4、NH4FHF、NH4F2、KF、KHF2、AlF3和HBF4中的至少一種，並且更佳為NH4F2。
基於用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物的總重量，含氟化合物被設定為0.01~1重量%，較佳為0.1~1重量%。
在低於0.01重量%的上述量的範圍中，鉬合金膜的蝕刻速率變慢。
另外，在高於1重量%的上述量的範圍中，蝕刻剖面得到改善，而總蝕刻速率也得到改善，並且下層(n+a-Si：H，a-Si：G)的下切或蝕刻所造成的損害因而過大。
(D)唑化合物
包括在本發明的用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物內的唑化合物用於調節Cu基金屬膜的蝕刻速率、降低圖案的CD損失並且藉由減少蝕刻剖面變化來提高步驟餘量。
上述唑化合物可包括，例如，吡咯、吡唑(pyrazol)、咪唑、三唑、四唑、五唑、噁唑(oxazole)、異噁唑(isoxazole)、噻唑、異噻唑等，並且它可單獨使用或以兩種或更多種的組合使用。在該唑化合物中，較佳為三唑或四唑化合物，並且更佳是選自3-胺基三唑、4-胺基三唑、5-甲基四唑和5-胺基四唑中的至少一種。
如果在本發明中可以混合並使用3-胺基三唑、4-胺基三唑、5-甲基四唑和5-胺基四唑，那麼較佳根據步驟條件進行計算和應用混合比，因為根據待處理的片材數調節蝕刻速率並減少蝕刻剖面變化的能力隨著化合物不同而不同。
基於用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物的總重量，唑化合物被設定為0.1~5重量%，較佳為0.5~1.5重量%。
在低於0.1重量%的上述量的範圍中，CD損失可能過大。
另外，在高於5重量%的上述量的範圍中，用於Cu基金屬膜的蝕刻速率太慢並且步驟時間因而延長，並且因金屬氧化物層的蝕刻速率的相對加速而可能產生下切。
(E)在分子中具有N原子和羧基的水溶性化合物
包括在本發明的用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物內的在分子中具有N原子和羧基的水溶性化合物防止在貯存
蝕刻劑組合物時可能出現的過氧化氫的自分解，並且也防止當蝕刻大量的基板時蝕刻特性的變化。
通常地，在使用過氧化氫的蝕刻劑組合物的情況中，貯藏期因過氧化氫在貯存時的自分解並且它具有容器可能爆炸的危險因素而不長。
然而，如果包含了在分子中具有N原子和羧基的水溶性化合物，那麼長的貯存期和穩定性因過氧化氫的分解率下降接近10倍而可以得到保證。
具體地，在銅層的情況中，如果銅離子被大量地保留在蝕刻劑組合物中，那麼形成鈍化，並且在如燒焦的氧化後而不能進一步蝕刻。然而，這可藉由添加上述化合物進行防止。
在分子中具有N原子和羧基的水溶性化合物可選自丙胺酸、胺基丁酸、麩胺酸、甘胺酸、亞胺基二乙酸、乙二胺四乙酸、胺三乙酸(nitrilotriacetic acid)和肌胺酸。在這些中，較佳為亞胺基二乙酸。
基於用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物的總重量，在分子中具有N原子和羧基的水溶性化合物被設定為0.1~5重量%，較佳為1.0~3重量%。
在低於0.1重量%的上述量的範圍中，因在蝕刻大量的基板(約500片)之後形成鈍化而難以得到足夠的步驟餘量。
另外，在高於5重量%的上述量的範圍中，在銅-鉬膜或銅-鉬合金膜的情況中，因鉬膜或鉬合金膜的蝕刻速率緩
慢而可能出現對鉬膜或鉬合金膜產生殘留物的問題。
(F)硫酸鹽化合物
包括在本發明的用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物內的硫酸鹽化合物調節上部Cu膜的錐度並調節包括Cu的膜的蝕刻速率，因而它可以調節所需的側蝕。
如果硫酸鹽化合物未包括在用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物內，那麼因蝕刻速率緩慢而可能出現製造性能變差的問題。
硫酸鹽化合物並沒有特別限制，只要它選自一個或兩個氫被銨、鹼金屬或鹼土金屬取代的硫酸鹽，並且較佳是選自硫酸氫銨、硫酸氫鈉、硫酸氫鉀、硫酸銨、硫酸鈉和硫酸鉀，並且更佳為硫酸鈉和硫酸銨。
基於用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物的總重量，硫酸鹽化合物被設定為0.1~5重量%，較佳為0.5~3重量%。
在低於0.1重量%的上述量的範圍中，製造性能因蝕刻速率緩慢而變差。
另外，在高於5.0重量%的上述量的範圍中，因部分過度蝕刻而可能出現蝕刻剖面變差的問題。
(G)水
根據本發明的用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物的水以餘量的方式使用，使得用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物的總重量變為100重量%。
水並沒有特別限制，但較佳包括去離子水(DIW)。特別有用的是電阻率(即，從水中除去離子的程度)為至
少18MΩ．cm的去離子水。
(H)多元醇表面活性劑
可額外地包括在本發明的用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物內的多元醇表面活性劑用於藉由降低表面張力來提高蝕刻的均勻性。
另外，多元醇表面活性劑藉由在蝕刻Cu膜之後包封溶解在蝕刻劑組合物中的銅離子來抑制過氧化氫的分解反應，並且因而抑制銅離子的活性。
當如上抑制銅離子的活性時，能夠在使用蝕刻劑組合物期間穩定地繼續進行步驟。
對於多元醇表面活性劑，可較佳選自甘油、三乙二醇和聚乙二醇中的至少一種。在這些中，較佳三乙二醇。
基於用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物的總重量，多元醇表面活性劑被設定為0.001~5重量%，較佳為0.1~3重量%。
在低於0.001重量%的上述量的範圍中，可能出現蝕刻均勻度降低和過氧化氫的分解加速的問題。
另外，在高於5重量%的上述量的範圍中，可能出現生成大量氣泡的不利。
本發明的用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物可包括除了上述成分以外的添加劑，並且該添加劑可包括金屬離子封閉劑(metal ion containment)、腐蝕抑制劑等。
本發明中使用的用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物的組成可藉由通常已知的方法製備，並且較佳用於Cu基金
屬膜的蝕刻劑組合具有用於半導體加工的純度。
另外，本發明提供了一種液晶顯示器用陣列基板，液晶顯示器用陣列基板包括：柵線，源極和漏極中的至少一種，柵線，源極和漏極藉由使用上述用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物進行蝕刻。
在下面，藉由下面的實施例對本發明進行更詳細的描述，這些實施例用於說明而提出，並不應被理解為限制本發明。本發明的範圍已經示出在權利要求書中，並且，含有等同於權利要求書的記載和其範圍內的所有變型的含義。
藉由使用下面的表1中所示的成分，製備180kg的實施例1至4和比較例1至4的用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物。
ABF：二氟化銨
5-ATZ：5-胺基四唑
IDA：亞胺基二乙酸
藉由使用實施例1至4和比較例1至4的用於Cu基金屬膜的各個蝕刻劑組合物來進行蝕刻步驟。使用噴霧型蝕刻機(ETCHER(TFT)，購自SEMES)，並且將蝕刻步驟中的用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物的溫度設定為大約33℃。蝕刻的時間可隨著蝕刻的溫度不同而不同，並且LCD蝕刻步驟通常進行約30~80秒。使用SEM(S-4700，購自HITACHI)觀察蝕刻步驟中蝕刻的Cu基金屬膜的切割側和剖面。結果在下面的表2中給出。
將Cu/Mo-Nb 3000/300Å薄膜基板用作蝕刻步驟中的Cu基金屬膜。
(○：良好，△：普通，X：不好，未蝕刻(Unetch)：不能蝕刻)
實施例1至4中的用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物都具有良好的蝕刻剖面和平直度，並且不產生鉬(Mo)和鈮(Nb)的殘留物。另外，待處理的片材數的變化量(側蝕的變化量)滿足±0.1μm的條件，並因而可以證實上述組合物具有優異的蝕刻性能。在實施例1至4中，實施例3的用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物具有最好的蝕刻性能。
然而，不包含亞磷酸的比較例1具有非常低的蝕刻速率，並因而引起未蝕刻。
另外，在包含低於0.1重量%的亞磷酸的比較例3的情況中，待處理的片材的數量的變化量滿足0.1μm的條件，但蝕刻剖面和平直度因蝕刻速率非常緩慢而是正常的。
在包含大於5重量%的亞磷酸的比較例4中，因過度的蝕刻速率而引起圖案出界。
另外，在不包含硫酸鉀的比較例2的情況中，待處理的片材的數量的變化量滿足0.1μm的條件，但蝕刻剖面和
平直度都正常，並因而比較例2的組合物不具有優異的蝕刻性能。
使用實施例3和比較例1至2的用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物評價根據Cu濃度的蝕刻特性。
將Cu/Mo-Nb 3000/300Å的薄膜基板用作蝕刻步驟中的Cu基金屬膜。
測得根據Cu濃度變化的側蝕(μm)的變化量。側蝕是指蝕刻後測得的光刻膠的端部和下面金屬的端部之間的距離。如果側蝕的量變化，那麼因為當驅動TFT時信號傳輸速率變化而可能出現污點。因而，較佳最小化側蝕的變化量。
在此評價中，進行實驗以使得：具有±0.1μm的側蝕的變化量的蝕刻劑組合物能夠在蝕刻步驟中連續使用。
結果在下面的表3中給出。
實施例3，本發明的用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物，即使在高的Cu濃度下也滿足±0.1μm的條件，因而
具有優異的蝕刻性能。
然而，不包含亞磷酸的比較例1不能蝕刻。
不包含硫酸鉀的比較例2能夠蝕刻，但是它隨著Cu濃度的增加而變得超過0.1μm的條件的範圍。
因此，本發明的用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物具有優異的蝕刻剖面和平直度，並且也具有根據Cu濃度的變化而保持側蝕的變化量為恒定水準的優異性能。
Claims (13)
- 一種製造液晶顯示器用陣列基板的方法，該方法包括：a)在基板上形成柵線；b)在具有該柵線的該基板上形成柵絕緣層；c)在該柵絕緣層上形成半導體層；d)在該半導體層上形成源極和漏極；以及e)形成與該漏極連接的像素電極，其中，a)或d)步驟包括：在該基板或該半導體層上形成Cu基金屬膜，以及藉由使用蝕刻劑組合物蝕刻該Cu基金屬膜來形成該柵線或該源極和該漏極，並且該蝕刻劑組合物是用於該Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物，基於該組合物的總重量，包括：5~25重量%的過氧化氫(H2O2)；0.1~5重量%的亞磷酸；0.01~1重量%的含氟化合物；0.1~5重量%的唑化合物；0.1~5重量%的在分子中具有N原子和羧基的水溶性化合物；0.1~5.0重量%的硫酸鹽化合物；以及餘量的水，以使得該組合物的總重量為100重量%。
- 如請求項1之方法，其中，該液晶顯示器用陣列基板是膜電晶體(TFT)陣列基板。
- 一種用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物，基於該組合物的總重量，包括：5~25重量%的過氧化氫(H2O2)；0.1~5重量%的亞磷酸；0.01~1重量%的含氟化合物；0.1~5重量%的唑化合物； 0.1~5重量%的在分子中具有N原子和羧基的水溶性化合物；0.1~5重量%的硫酸鹽化合物；以及餘量的水，以使得該組合物的總重量為100重量%。
- 如請求項3之蝕刻劑組合物，其更包括多元醇表面活性劑。
- 如請求項3之蝕刻劑組合物，其中，該Cu基金屬膜是多層膜，該多層膜包括：選自銅膜和銅合金膜中的至少一種膜；以及選自鉬膜和鉬合金膜中的至少一種膜。
- 如請求項5之蝕刻劑組合物，其中，該鉬合金膜是由選自鈦(Ti)、鈮(Nb)和鎢(W)中的至少一種金屬和鉬組成。
- 如請求項3之蝕刻劑組合物，其中，該含氟化合物是選自HF、NaF、NH4F、NH4BF4、NH4FHF、NH4F2、KF、KHF2、AlF3和HBF4中的至少一種。
- 如請求項3之蝕刻劑組合物，其中，該唑化合物是選自吡咯、吡唑、咪唑、三唑、四唑、五唑、噁唑、異噁唑、二唑和異二唑中的至少一種。
- 如請求項8之蝕刻劑組合物，其中，該三唑和四唑是選自3-胺基三唑、4-胺基三唑、5-甲基四唑和5-胺基四唑中的至少一種。
- 如請求項3之蝕刻劑組合物，其中，在分子中具有N原子和羧基的該水溶性化合物是選自丙胺酸、胺基丁酸、麩胺酸、甘胺酸、亞胺基二乙酸、乙二胺四乙酸，胺三乙酸和肌胺酸中的至少一種。
- 如請求項3之蝕刻劑組合物，其中，該硫酸鹽化合物是選自硫酸二氫銨、硫酸二氫鈉、硫酸二氫鉀、硫酸銨、硫酸鈉和硫酸鉀中的至少一種。
- 如請求項4之蝕刻劑組合物，其中，該多元醇表面活性劑是選自甘油、三乙二醇和聚乙二醇中的至少一種。
- 一種液晶顯示器用陣列基板，該液晶顯示器用陣列基板包括：選自柵線、源極和漏極中的至少一種，藉由使用如請求項3之用於Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物來蝕刻該柵線、該源極和該漏極。
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