CN109518189A

CN109518189A - 蚀刻液组合物

Info

Publication number: CN109518189A
Application number: CN201811083417.3A
Authority: CN
Inventors: 朴相*; 朴相; 吴陈*; 吴陈; 金益俊; 金希泰; 尹景湖; 金世训
Original assignee: ENF Technology CO Ltd
Current assignee: ENF Technology CO Ltd
Priority date: 2017-09-18
Filing date: 2018-09-14
Publication date: 2019-03-26
Anticipated expiration: 2038-09-14
Also published as: KR20190031698A; CN109518189B; KR102096403B1

Abstract

本发明涉及一种包含过氧化氢、蚀刻抑制剂、螯合剂、蚀刻添加剂及双氧水稳定剂的蚀刻液组合物，通过不包含氟系化合物，且即使不使用pH值调节剂，也形成4以上的高pH值，从而在铜膜及含钼膜的蚀刻工序中，防止玻璃基板及半导体结构物被蚀刻，使在蚀刻工序中可能产生的不良达到最小。

Description

蚀刻液组合物

技术领域

本发明涉及一种铜膜、钼或钼合金膜的蚀刻液组合物(ETCHING COMPOSITION)，尤其涉及一种对用作薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的电极的铜膜及含钼膜进行选择性蚀刻的蚀刻液组合物。

背景技术

半导体装置、薄膜晶体管液晶显示器及有机发光二极管(OLED)等的微电路经过如下的一系列光刻工序来完成：在形成于基板上的铝、铝合金、铜及铜合金等导电性金属膜，或硅氧化膜、硅氮化膜等绝缘膜，或铟镓锌氧化膜、铟锌氧化膜及铟锡氧化膜等透明导电膜上均匀地涂布光刻胶之后，通过刻有图案的掩模照射光之后，通过显影来形成所希望图案的光刻胶，并通过干法蚀刻或湿法蚀刻，将图案转印于位于光刻胶下部的金属膜或绝缘膜上后，通过剥离工序去除多余的光刻胶。

与现有的铝及铬配线相比，大型显示器的栅极及数据金属配线使用电阻低且无环境问题的铜金属。由于铜存在与玻璃基板、透明导电膜及硅绝缘膜的粘结力低，向氧化物半导体膜或硅膜扩散的问题，因此将钛、钼等用作下部势垒金属。

关于可在同时蚀刻铜膜和含钼膜时使用的蚀刻液组合物的技术，韩国专利公开公报第2003-0082375号、专利公开公报第2004-0051502号、专利公开公报第2006-0064881号、专利公开公报第2006-0099089号、专利授权号10-1173901等中公开有以过氧化氢为基础的铜/含钼膜的蚀刻液。

所述现有的铜/含钼膜的蚀刻液的pH值低至2至3。这是为了以高分辨率为目的，增加开口率，而薄薄地形成配线时，为了维持电气特性，随着增加铜膜的厚度，高效且快速地蚀刻铜而适用该蚀刻液。另外，蚀刻液组合物含氟系化合物。所述氟系化合物在同时蚀刻铜/含钼膜时，提高钼或钼合金的蚀刻速度，去除可能在2至3的低pH值范围内产生的钼或钼合金的残留。

然而，由于所述蚀刻液组合物含氟系化合物，存在除了所述栅极电极、源电极及漏电极以外，一同蚀刻形成于所述电极下部的玻璃膜或硅氧化膜、硅氮化膜等绝缘膜，或铟镓锌氧化膜、铟锌氧化膜、铟锡氧化膜等透明导电膜等的问题。这样，因使用氟系化合物导致下部膜一同被蚀刻的情况下，玻璃基板被损坏，在工序过程中出现不良时，难以通过重工(Re-work)工序重新使用基板，且随着绝缘膜及透明导电膜氧化，薄膜晶体管的电气特性可能变化，并且因下部膜损坏，可能在高温、高湿环境下产生不良。因为这样，为了抑制所述下部膜的蚀刻而不使用氟系化合物的情况下，钼或钼合金的蚀刻速度下降，会导致钼残留。

为了控制这种下部膜的损坏，虽然可以增加pH值，但将pH值增加至6以上，来抑制下部膜蚀刻的情况下，铜蚀刻速度下降而不能将配线宽度蚀刻得充分薄，而且为了制造相同的配线宽度，而增加配线在蚀刻液中的时间，会导致配线被浸蚀。另外，作为增加pH值的情况下可能发生的另一问题，作为蚀刻液主要组分的过氧化氢的芬顿反应(Fentonreaction)增加，因此存在蚀刻液过热和爆炸的危险性。

现有专利文献

专利文献

专利文献1：专利公开公报第2003-0082375号

专利文献2：专利公开公报第2004-0051502号

专利文献3：专利公开公报第2006-0064881号

专利文献4：专利公开公报第2006-0099089号

专利文献5：专利授权号10-1173901

发明内容

本发明的目的在于，提供一种蚀刻液组合物，所述蚀刻液组合物在蚀刻铜膜、钼或钼合金膜的工序中，防止玻璃基板、硅绝缘膜及透明导电膜被蚀刻的同时，对铜膜、钼或钼合金膜具有适宜的蚀刻速度，从而在蚀刻工序中，使因下部膜蚀刻导致的不良和可能因钼或钼合金的残留而产生的电气故障达到最小。

本发明为了达到上述目的，提供一种蚀刻液组合物，所述蚀刻液组合物包含过氧化氢、蚀刻抑制剂、螯合剂、蚀刻添加剂、双氧水稳定剂及水，以过氧化氢系为基础。本发明作为一种不包含氟系化合物，且即使不使用pH值调节剂，pH值也为4至6的蚀刻液组合物，为了有效地控制铜的蚀刻速度和钼或钼合金膜的蚀刻速度，作为蚀刻添加剂，可与有机酸一同包含一种以上的无机铵盐，为了高pH值下的组合物的稳定性，作为双氧水稳定剂，可包含烷基胺。

根据本发明的一方案，所述蚀刻液组合物相对于组合物的总重量，包含18至25重量％的过氧化氢、0.1至5重量％的蚀刻抑制剂、0.1至4重量％的螯合剂、0.01至15重量％的蚀刻添加剂、0.01至5重量％的双氧水稳定剂以及使组合物的总重量成为100重量％的水。在另一方案中，所述蚀刻抑制剂可包含0.1至1.0重量％的芳香族环状化合物。在又一方案中，所述蚀刻添加剂可包含0.01至5重量％的具有一个以上的羧基并且不含氮原子的有机酸及2至10重量％的一种以上的无机铵盐化合物，有机蚀刻添加剂与无机蚀刻添加剂的磷酸盐或硫酸盐的摩尔比可以为1∶1.5至1∶5.5。

在又一方案中，所述双氧水稳定剂可以为0.01至5重量％的烷基胺，双氧水稳定剂与蚀刻液内的铵离子的摩尔比可以为1∶10至1∶16。

根据本发明的又一方案，所述蚀刻液组合物相对于组合物的总重量，包含18至25重量％的过氧化氢、作为蚀刻抑制剂的0.1至5.0重量％的芳香族环状化合物、作为螯合剂的0.1至4重量％的含氮原子的有机酸、作为蚀刻添加剂的0.01至5重量％的具有一个以上的羧基并且不含氮原子的有机酸及2至10重量％的一种以上的无机铵盐化合物、作为双氧水稳定剂的0.01至5重量％的烷基胺以及使组合物的总重量成为100重量％的水。

另外，所述蚀刻液组合物除了上述的成分外，还可包含通常的添加剂。

本发明的蚀刻液组合物能够维持4以上的pH值，在对铜膜及含钼膜进行湿法蚀刻的工序中，防止玻璃基板、硅绝缘膜及透明导电膜等被蚀刻，有效地去除钼或钼合金膜的残留，从而能够进行重工工序，使可能在蚀刻工序中发生的电气不良、物理性不良达到最小，由此能够确保稳定的薄膜晶体管液晶显示器特性及节约成本技术。

附图说明

图1是表示使用实施例1及比较例5的蚀刻液组合物来测试透明导电膜(ITO)基板的蚀刻性能的结果的，观察样品平面的扫描电子显微镜照片。

具体实施方式

本发明可施加多样变化，可具有多种实施例，附图中例示了特定的实施例，并在详细的说明中进行详细说明。然而，应理解为，这并非由特定的实施方式限定本发明，而是包含本发明的思想及技术范围中所含的所有变化、等同物乃至代替物。在对本发明进行说明时，当判断为对相关公知技术的具体说明混淆本发明的要旨的情况下，省略该详细的说明。

以下，对发明的实施例的铜膜及含钼膜的蚀刻液组合物进行更详细的说明。

本发明的蚀刻液组合物能够对铜膜、含钼膜、铜膜/含钼双重膜及含钼膜/铜双重膜进行同时蚀刻。在这里，含钼膜作为钼与多种金属的合金，优选与钛、钽、铬、钕、镍、铟或锡的合金，最优选与钛的合金。

本发明的蚀刻液组合物可包含过氧化氢、蚀刻抑制剂、螯合剂、蚀刻添加剂、双氧水稳定剂及使组合物的总重量成为100重量％的水。所述蚀刻液组合物作为一种不包含氟系化合物，且即使不使用pH值调节剂，pH值也为4以上，或pH值为4至6的蚀刻液组合物，为了有效地控制铜膜、含钼膜的蚀刻速度，作为蚀刻添加剂，可与有机酸一同包含一种以上的无机铵盐，为了高pH值下的过氧化氢系蚀刻组合物的稳定化，作为双氧水稳定剂，可包含烷基胺。

根据本发明的优选实施例，所述蚀刻液组合物相对于组合物的总重量，包含18至25重量％的过氧化氢、0.1至5.0重量％的蚀刻抑制剂、0.1至4重量％的螯合剂、作为蚀刻添加剂的0.01至5重量％的具有一个以上的羧基并且不含氮原子的有机酸和2至10重量％的一种以上的无机铵化合物、0.01至5重量％的双氧水稳定剂以及使组合物的总重量成为100重量％的水。更优选地，所述蚀刻抑制剂为芳香族环状化合物，所述螯合剂为在化学结构内含一个以上的氮原子的有机酸，所述双氧水稳定剂为烷基胺，不含氮原子的有机酸与无机铵盐的磷酸盐或者硫酸盐的摩尔比为1∶1.5至1∶5.5，烷基胺与铵离子的摩尔比为1∶10至1∶16。

另外，本发明一实施例的蚀刻液组合物不含氟系化合物和用于调节pH值的强碱类。

以下，对本发明一实施例的铜膜及含钼膜的蚀刻液组合物的各组分进行更详细的说明。

a)过氧化氢

在本发明的蚀刻液组合物中，过氧化氢作用为铜、钼或钼合金的主要氧化剂。相对于组合物的总重量，可包含18至25重量％的过氧化氢。包含不到18重量％的过氧化氢的情况下，铜和钼合金的氧化能力不充分，而不能进行蚀刻，在包含超过25重量％的情况下，蚀刻速度过快而存在难于控制工序的问题。由于本发明的蚀刻液组合物能够实现适当的蚀刻速度，因此能够防止蚀刻残留及蚀刻不良，减少关键尺寸损失(CD loss)，容易进行工序调节。

b)蚀刻抑制剂

在本发明的蚀刻液组合物中，蚀刻抑制剂调节铜、钼或钼合金的蚀刻速度，从而减少图案的关键尺寸损失，增加工序利润，实现具有适宜的锥度角的蚀刻轮廓。

具体地，所述蚀刻抑制剂可以为分子内包含选自氧、硫及氮中一种以上的杂原子的单环杂环化合物，或具有所述单环杂环和苯环的缩聚结构的杂环化合物。所述单环杂环化合物可以是具有碳原子数1至10的单环结构的杂环芳香族化合物或杂环脂肪族化合物，作为具体例，可举出呋喃(furan)、噻吩(thiophene)、吡咯(pyrrole)、恶唑(oxazole)、咪唑(imidazole)、吡唑(pyrazole)、三唑(triazole)、四唑(tetrazole)、5-氨基四唑(5-aminotetrazole)或甲基四唑(methyltetrazole)等杂环芳香族化合物；以及哌嗪(piperazine)、甲基哌嗪(methylpiperazine)、羟乙基哌嗪(hydroxyethyl piperazine)、吡咯烷(pyrrolidine)或四氧嘧啶(alloxan)等杂环脂肪族化合物，但不限定于这些化合物。另外，在所述分子内包含选自氧、硫及氮中一种以上的杂原子的具有单环杂环和苯的缩聚结构的杂环化合物，可举出苯并呋喃(benzofurane)、苯并噻吩(benzothiophene)、吲哚(indole)、苯并咪唑(benzimidazole)、苯并吡唑(benzpyrazole)、甲苯三唑(tolutriazole)、氢甲基苯并三唑(hydrotolutriazole)或羟基甲基苯并三唑(hydroxytolutriazole)等，但不限定于这些化合物。可单独地使用所述化合物中的一种，或混合两种以上来使用。

所述蚀刻抑制剂相对于蚀刻液组合物总重量，可包含0.1至5.0重量％，优选地，可包含0.1至1.0重量％。在包含不到0.1重量％的蚀刻抑制剂的情况下，难于调节蚀刻速度，且可调节锥度角的能力下降，因工序利润低，存在量产性降低的问题，在包含超过5重量％的情况下，蚀刻速度下降，存在低效率的问题。

c)螯合剂

在本发明的蚀刻液组合物中，螯合剂与在进行蚀刻的期间产生的铜离子、钼或其合金离子等金属离子形成螯合物，而使该金属离子失活，从而防止因这些金属离子产生副反应，其结果，即使在反复的蚀刻工序中，也能够维持蚀刻特性。尤其在铜层的情况下，蚀刻液组合物中残存大量铜离子的情况下，形成钝化膜而被氧化，而存在不能进行蚀刻问题，但投入螯合剂时，能够防止形成铜离子的钝化膜。另外，螯合剂防止过氧化氢自身的芬顿反应，能够增加蚀刻液的稳定性。因此，在蚀刻液组合物中不添加螯合剂的情况下，在进行蚀刻的期间被氧化的金属离子活化，容易改变蚀刻液的蚀刻特性，且促进过氧化氢的芬顿反应而可能产生发热和爆炸。

所述螯合剂作为含氮原子的有机酸，可以为分子内与氨基一同包含羧酸基或磷酸基的化合物。作为具体例，可举出亚氨基二乙酸(iminodiacetic acid)、次氮基三乙酸(nitrilotriacetic acid)、乙二胺四乙酸(ethylenediaminetetraacetic acid)、二乙烯三苯腈五乙酸(diethylenetrinitrilacetic acid)、氨基三(亚甲基膦酸)(aminotris(methylenephosphonic acid))、(1-羟基乙烷-1，1-二基)双(膦酸)((1-hydroxyethane-1，1-diyl)bis(phosphonic acid))、乙二胺四(亚甲基膦酸)(ethylenediamine tetra(methylenephosphonic acid))、二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)(Diethylenetriaminepenta(methylene phosphonic acid)、丙氨酸(alanine)、谷氨酸(glutamic acid)、氨基丁酸(aminobutyric acid)或甘氨酸(glycin)等，可单独地使用所述化合物中的一种，或混合两种以上来使用。

相对于蚀刻液组合物总重量，可包含0.1至4重量％的所述螯合剂，优选地，可包含0.1至2重量％。在包含不到0.1重量％的螯合剂的情况下，可失活的金属粒子量过少，因此控制过氧化氢的芬顿反应的能力下降，在包含超过4重量％的情况下，因追加形成螯合物而不能期待使金属失活的作用，存在低效率的问题。

d)蚀刻添加剂

作为所述蚀刻添加剂，可使用有机酸或与有机酸的盐一同使用一种以上的无机铵盐。

具体地，所述有机酸作为具有一个以上的羧基并且不含氮原子的有机酸，可以为乙酸、甲酸、丁酸、柠檬酸、乙醇酸、草酸、丙二酸、戊酸、丙酸、酒石酸、葡萄糖酸、乙醇酸或琥珀酸等。另外，所述盐是指上述的有机酸的盐。

相对于蚀刻液组合物总重量，可包含0.01至5重量％的所述有机酸或有机酸的盐，在另一方案中，可包含0.02至3重量％。包含不到0.01重量％的有机酸或有机酸的盐的情况下，使用蚀刻添加剂改善锥形轮廓的效果微乎其微，铜蚀刻速度下降，工序整体时间增加。在包含超过5重量％的情况下，因过量的蚀刻添加剂，反而存在蚀刻特性下降的危险，因此不优选。

一方面，为了改善含钼膜的蚀刻速度，添加无机铵盐，从而能够增加含钼膜的蚀刻速度。通过这种方法，能够去除可能残存于玻璃基板、硅绝缘膜及透明导电膜中的含钼残留。为了有效地改善含钼残留，可使用一种以上的无机铵盐。所述无机铵盐可以为磷酸一铵、磷酸氢二铵、磷酸铵、重硫酸铵、硫酸二铵等的磷酸或者硫酸系无机铵盐，还可混用硝酸铵、氯化铵、溴化铵、醋酸铵、碳酸铵及碳酸二铵等无机铵盐。

相对于蚀刻液组合物总重量，可包含2至10重量％的所述无机铵盐，另一方案中，可包含3至9重量％。在包含不到2重量％的所述无机铵盐的情况下，使用蚀刻添加剂改善锥形轮廓的效果微乎其微，铜蚀刻速度下降，工序整体时间增加，在包含超过10重量％的情况下，铜蚀刻速度相对于含钼膜的蚀刻速度急剧增加，而锥度角增加，随着整体蚀刻时间减少，基于同一过蚀刻(OE)的蚀刻时间减少，可能产生含钼残留，因此不优选。

为了适宜控制这种铜膜的蚀刻速度，有机酸系蚀刻添加剂与无机铵盐的磷酸盐或者硫酸盐的摩尔比应满足1∶1.5至1∶5.5的范围。

e)双氧水稳定剂

在本发明的蚀刻液组合物中，双氧水稳定剂在反复进行蚀刻工序而蚀刻液内的金属离子含量高的情况下，发挥控制过氧化氢的芬顿反应的作用。具体地，所述双氧水稳定剂可使用胺类或它们的混合物等。根据另一方案，所述双氧水稳定剂可使用二羟基醇化合物，所述二羟基醇化合物可以为选自由乙二醇、丙二醇、聚二羟基醇及聚丙二醇组成的组中的一个以上化合物。

优选地，所述双氧水稳定剂可以为烷基胺化合物。例如，可以为丁胺、戊胺、辛胺、2-乙基-1-丁烷胺、2-己胺、2-乙基己胺、庚胺、己胺或环己胺等化合物。

在蚀刻液组合物中包含所述双氧水稳定剂的情况下，相对于组合物的总重量，可包含0.01至5重量％的所述双氧水稳定剂，优选地，可包含0.1至5重量％，更优选地，可包含0.5至3重量％。包含不到0.01重量％的双氧水稳定剂的情况下，对过氧化氢的芬顿反应的控制效果微乎其微，在包含超过5重量％的情况下，存在蚀刻性能下降的可能性。另外，为了较有效地控制含钼膜的蚀刻速度，双氧水稳定剂与蚀刻液整体的铵离子的摩尔比应满足1∶10至1∶16的范围。

f)水

虽然未特别限定包含在所述蚀刻液组合物中的水，但是优选使用去离子水。具体地，更优选使用水中去除离子的程度即电阻率为18MΩ/cm以上的去离子水。可以以使蚀刻液组合物总重量成为100重量％的量包含所述水。

g)其它添加剂

本发明的铜/含钼膜的蚀刻液组合物为了提高蚀刻性能，还可包含通常用于蚀刻液组合物的任意添加剂。作为所述添加剂，可举出蚀刻稳定剂、表面活性剂等。可单独使用其中的一种，或混合两种以上来使用。

具有如上所述的组成的本发明的蚀刻液组合物，在对用作液晶显示装置或有机电致发光显示装置等的电极的铜膜及含钼膜进行蚀刻时，使下部膜的蚀刻达到最小，能够有效地去除存在于下部膜的钼残留，因此能够防止电气故障及适用于重工工序中。具体地，所述下部膜可以为玻璃基板、硅绝缘膜及透明导电膜。进一步地，在蚀刻铜/含钼膜时，使铜膜的蚀刻速度成为40至使下部含钼膜的蚀刻速度成为15至缩短工序时间，从而能够改善锥度角、关键尺寸损失及蚀刻直线度等蚀刻特性。另外，在常温下，使所述蚀刻液组合物与硅绝缘膜及透明导电膜等下部膜之间的接触角呈60至70°，防止过量的有机物吸附于下部膜的表面而增加临界电压的现象，能够使因此引起的电气故障。由此，所述蚀刻液组合物作为应用于液晶显示装置的构成薄膜晶体管的栅极、源电极或漏电极用金属配线材料，使用铜膜及含钼膜的情况下，能够有效地用作用于形成金属配线图案的蚀刻液组合物。

利用所述蚀刻液组合物的铜膜及含钼膜的蚀刻方法，可根据通常的方法来实施。具体地，可通过铜膜及含钼膜的蚀刻方法来实施，所述蚀刻方法包括：在基板上蒸渡铜膜及含钼膜的步骤；在所述铜膜及含钼膜上形成光刻胶膜之后进行图案化的步骤；以及使用所述蚀刻液组合物，对形成有所述图案化的光刻胶膜的铜膜及含钼膜进行蚀刻的步骤。

另外，所述蚀刻方法可包括如下步骤：在基板与铜膜及含钼膜之间，即，基板与铜膜之间，或基板与含钼膜之间形成半导体结构物。所述半导体结构物可以是液晶显示装置、等离子体显示器面版等显示装置用半导体结构物。具体地，所述半导体结构物可以包括一层以上的选自介电膜、导电膜及非晶或多晶等硅膜中的膜，这些半导体结构物可通过通常的方法来制造。

以下，为了使本发明所属技术领域的技术人员能够容易地实施，对本发明的实施例进行详细的说明。但是，本发明可通过多种不同的方式实现，不限定于这里所说明的实施例。

<实施例1至17及比较例1至9>

以下述表1中所记载的成分含量混合各成分，来制备本发明的实施例1至17及比较例1至9的组合物。

在所述表1中，ATZ：5-氨基四唑(5-aminotetrazole)、IDA：亚氨基二乙酸(iminodiacetic acid)、MA：丙二酸(malonic acid)、GA：乙醇酸(glycolic acid)、CA：柠檬酸(Citric acid)、GuA：戊二酸(Glutaric acid)、SuA：琥珀酸(Succinic acid)、AP1：磷酸一铵(Ammonium phosphate monobasic)、AP2：磷酸氢二铵(Ammonium phosphatedibasic)、AP3：磷酸铵(Ammonium phosphate tribasic)、AS1：硫酸氢铵(Ammoniumhydrogen sulfate)、AS2：硫酸铵(Ammonium sulfate)、AN：硝酸铵(Ammonium nitrate)、AC：碳酸铵(Ammonium carbonate)、AHC：碳酸氢铵(Ammonium bicarbonate)、ACl：氯化铵(Ammonium chloride)、BA：丁胺(butylamine)、PA：戊胺(pentylamine)、OA：辛胺(octylamine)、EBA：2-乙基-1-丁烷胺(2-ethyl-1-butanamine)、HxA：2-己胺(2-hexanamine)、EHA：2-乙基己胺(2-ethyl hexylamine)、HpA：庚胺(Heptylamine)、HA：己胺(hexylamine)、CHA：环己胺(Cyclohexylamine)、Na2H2P2O7：焦磷酸二钠(Disodiumpyrophosphate)、PU：苯脲(Phenylurea)、EA：乙醇胺(Ethanolamine)、APOH：1-氨基-2-丙醇(1-amino-2-propanol)、NH₄HF₂：氟化铵(Ammonium fluoride)，各成分的含量单位是重量份。

<蚀刻性能测试>

为了评价本发明的蚀刻液的效果，对玻璃基板(SiO₂)、以的厚度蒸渡的硅绝缘膜(SiN_x)、透明导电膜(ITO、IZO及IGZO)以及以的厚度蒸渡的铜及钼合金膜进行光刻工序来形成图案，来制造样品。

利用实施例1至17的蚀刻液组合物及比较例1至9的蚀刻液组合物，在可喷雾的装备(Mini-etcher ME-001)中进行蚀刻。蚀刻之后，利用扫描电子显微镜(日立公司制造，S-4800)，观察铜及钼合金膜的蚀刻特性和玻璃基板、硅绝缘膜及透明导电膜的蚀刻。为了确认蚀刻特性，进行了30％过蚀刻(Over Etch)，为了确认玻璃基板、硅绝缘膜及透明导电膜的蚀刻，进行了300秒的蚀刻。

为了评价稳定性，在各组合物蚀刻液中溶解5,000ppm的铜粉末之后，在32度下维持24小时，测定了温度变化。

该实验结果示于下述表2中。

由表2可知，在本发明的实施例1至17的组合物中，包含适度含量的蚀刻添加剂和双氧水稳定剂的组合物在pH值为4的条件下，适宜量产的蚀刻速度、蚀刻偏差、温度稳定性等优异，且大幅减小对玻璃基板、硅绝缘膜及透明导电膜的蚀刻，或将这些蚀刻抑制到观察不到的水平。

图1是表示使用实施例1及比较例5的蚀刻液组合物来测试透明导电膜(ITO)基板的蚀刻性能的结果的，观察样品的平面的扫描电子显微镜照片。可确认到，实施例1的蚀刻液组合物不损坏硅绝缘膜及透明导电膜，而比较例5的组合物对硅绝缘膜及透明导电膜引起蚀刻。从如上所述的多个实验结果可确认到，本发明的蚀刻液组合物在铜/含钼膜的蚀刻时，使下部膜的蚀刻达到最小，从而能够使所述玻璃基板、硅绝缘膜及透明导电膜的不良达到最小。

以上，详细地说明了本发明内容的特定部分，对于本领域技术人员而言，明确可知这些具体的技术仅为优选实施方式，并非由此限定本发明的范围。因此，本发明的实质范围应由附加的权利要求和其等同物定义。

Claims

1.一种蚀刻液组合物，其特征在于，

包含过氧化氢、蚀刻抑制剂、螯合剂、蚀刻添加剂及双氧水稳定剂，

所述蚀刻添加剂，相对于组合物的总重量，包含0.01至5重量％的具有一个以上的羧基并且不含氮原子的有机酸和2至10重量％的一种以上的无机铵盐，

相对于组合物的总重量，所述双氧水稳定剂为0.01至5重量％，

所述蚀刻液组合物的pH值为4至6。

2.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，

所述不含氮原子的有机酸与无机铵盐的磷酸盐或硫酸盐的摩尔比满足1∶1.5至1∶5.5，所述双氧水稳定剂与铵离子的摩尔比满足1∶10至1∶16。

3.一种蚀刻液组合物，其特征在于，

所述蚀刻液组合物对铜膜的蚀刻速度为40至对含钼膜的蚀刻速度为15至对玻璃基板、硅绝缘膜及透明导电膜的蚀刻速度为0至

4.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，

相对于所述蚀刻液组合物的总重量包含：

18至25重量％的过氧化氢；

0.1至5.0重量％的蚀刻抑制剂；

0.1至4重量％的螯合剂；

蚀刻添加剂，包含0.01至2.5重量％的具有一个以上的羧基并且不含氮原子的有机酸和2至10重量％的一种以上的无机铵盐；

0.01至5重量％的双氧水稳定剂；以及

使组合物的总重量成为100重量％的水。

5.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，

所述蚀刻抑制剂为碳原子数为1至10杂环化合物，所述杂环化合物包含选自氧、硫或氮中的一个以上的杂原子。

6.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，

所述螯合剂为同时具有氨基和羧基的化合物。

7.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，

所述双氧水稳定剂为烷基胺。

8.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，

所述有机酸选自由乙酸、甲酸、丁酸、柠檬酸、乙醇酸、草酸、丙二酸、戊酸、丙酸、酒石酸、葡萄糖酸、乙醇酸及琥珀酸、它们的盐及它们的混合物组成的组。

9.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，

所述无机铵盐选自由磷酸一铵、磷酸氢二铵、磷酸铵、重硫酸铵及硫酸二铵组成的组。

10.根据权利要求8所述的蚀刻液组合物，其特征在于，

可进一步混用的无机铵盐选自由硝酸铵、氯化铵、溴化铵、碳酸铵及碳酸二铵组成的组。

11.一种蚀刻液组合物，其特征在于，

所述蚀刻液组合物相对于硅绝缘膜及透明导电膜的接触角为60至70°。