TWI613075B - 具有封裝阻隔膜之光伏打裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明係關於一種封裝裝置，其包括光伏打電池及覆蓋於該光伏打電池之至少一部分上的複合膜，該複合膜進一步包括：基板；該基板之主要表面上之基底(共)聚合物層；該基底(共)聚合物層上之氧化物層；及該氧化物層上之衍生自矽烷前驅化合物之保護性(共)聚合物層。
Description
根據能源部(Department of Energy)授予的第DE-EE0004739(批號3053)號合約之條款，美國政府可擁有本發明之某些權利。
本發明係關於包括封裝複合膜之光伏打裝置。更特定言之，本發明係關於包括多層阻隔膜之光伏打裝置，該多層阻隔膜具有氣相沈積保護性(共)聚合物層。
無機層或混合無機/有機層已用於電氣、封裝及裝飾應用之薄膜中。此等層可提供所需的特性，諸如機械強度、耐熱性、耐化學性、耐磨性、防濕及阻氧。亦已開發出防止敏感材料因水蒸氣而受損的高度透明多層阻隔塗層。濕敏材料可為電子組件，諸如有機、無機及混合有機/無機半導體裝置。多層阻隔塗層可直接沈積於濕敏材料上，或可沈積於可撓性透明基板(諸如(共)聚合物膜)上。
多層阻隔塗層可藉由多種生產方法製備。此等方法包括液體塗佈技術，諸如溶液塗佈、滾塗、浸塗、噴塗、旋塗；及乾式塗佈技術，諸如化學氣相沈積(CVD)、電漿增強式化學氣相沈積(PECVD)、濺鍍及用於熱蒸發固體材料之真空法。一種用於多層阻隔塗層之方法為生產與薄(共)聚合物膜保護層交替配置之多層氧化物塗層，諸如氧
化鋁或氧化矽。各氧化物/(共)聚合物膜對通常被稱作「二元體」，且交替的氧化物/(共)聚合物多層構造可含有若干二元體以充分地防止濕氣及氧氣。該等透明多層阻隔塗層及方法之實例可見於例如美國專利第5,440,446號(Shaw等人)、第5,877,895號(Shaw等人)、第6,010,751號(Shaw等人)、第7,018,713號(Padiyath等人)及第6,413,645號(Graff等人)中。
在一個態樣中，本發明特徵為一種封裝裝置，該封裝裝置包括光伏打電池及覆蓋於該光伏打電池之至少一部分上之複合膜，該複合膜進一步包括：基板；該基板之主要表面上之基底(共)聚合物層；該基底(共)聚合物層上之氧化物層；及該氧化物層上之保護性(共)聚合物層。
在一些例示性實施例中，該保護性(共)聚合物層包括至少一種式RS-N(R5)-C(O)-N(H)-RA之尿素(多)-(甲基)丙烯酸酯(多)-矽烷前驅化合物之反應產物。RS為式-R1-[Si(Yp)(R2)3-p]q之含有矽烷之基團，其中R1為多價伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基，該伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基視情況含有一個或多個成鏈氧原子，各Y為可水解基團，R2為單價烷基或芳基，p為1、2或3，且q為1至5。另外，RA為式R11-(A)n之含有(甲基)丙烯醯基之基團，其中R11為多價伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基，該伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基視情況含有一個或多個成鏈氧原子，A為具有式X2-C(O)-C(R3)=CH2之(甲基)丙烯醯基，其中X2為-O、-S或-NR3，R3為H或C1-C4，且n=1至5。R5為H、C1至C6烷基或環烷基或RS，其限制條件為至少一個以下條件適用：n為2至5，R5為RS，或q為2至5。
在其他例示性實施例中，該保護性(共)聚合物層包括至少一種式RS1-N(R4)-C(O)-N(H)-RA1之尿素(多)-(甲基)丙烯酸酯(多)-矽烷前驅化
合物之反應產物。RS1為式-R1d-Si(Yp)(R2)3-p之含有矽烷之基團，其中R1d為多價伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基，該伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基視情況含有一個或多個成鏈氧原子，各Y為可水解基團，R2為單價烷基或芳基，且p為1、2或3。另外，R4為H、C1至C6烷基或C1至C6環烷基。RA1為式R11d-(A)之含有(甲基)丙烯醯基之基團，其中R11d為二價伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基，該伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基視情況含有一個或多個成鏈氧原子，且A為具有式X2-C(O)-C(R3)=CH2之(甲基)丙烯醯基，其中X2為-O、-S或-NR3，且R3為H或C1-C4。
在其他例示性實施例中，該保護性(共)聚合物層包括至少一種式RS-N(H)-C(O)-O-RA或RS-O-C(O)-N(H)-RA之胺基甲酸酯(多)-(甲基)丙烯酸酯(多)-矽烷前驅化合物之反應產物。RS為式-R1-[Si(Yp)(R2)3-p]q之含有矽烷之基團，其中R1為多價伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基，該伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基視情況含有一個或多個成鏈氧原子，各Y為可水解基團，R2為單價烷基或芳基；p為1、2或3，且q為1至5。另外，RA為式R11-(A)n之含有(甲基)丙烯醯基之基團，其中R11為多價伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基，該伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基視情況含有一個或多個成鏈氧原子，A為包含式X2-C(O)-C(R3)=CH2之(甲基)丙烯醯基，其中X2為-O、-S或-NR3，R3為H或C1-C4，且n=1至5。
在其他例示性實施例中，該保護性(共)聚合物層包括至少一種式RA-NH-C(O)-N(R4)-R11-[O-C(O)NH-RS]n之尿素(多)-胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-矽烷前驅化合物之反應產物。RA為式R11-(A)n之含有(甲基)丙烯醯基之基團，其中R11為多價伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基，該伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基視情況含有一個或多個成鏈氧原子，A為包含式X2-C(O)-C(R3)=CH2之(甲基)丙烯醯基，其
中X2為-O、-S或-NR3，R3獨立地為H或C1-C4，且n=1至5。另外，R4為H、C1至C6烷基或C1至C6環烷基。RS為式-R1-Si(Yp)(R2)3-p之含有矽烷之基團，其中R1為多價伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基，該伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基視情況含有一個或多個成鏈氧原子，各Y為可水解基團，R2為單價烷基或芳基，且p為1、2或3。
在其他例示性實施例中，該保護性(共)聚合物層包括至少一種式RS-NH-C(O)-N(R4)-R11-[O-C(O)NH-RA]n之尿素(多)-胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-矽烷前驅化合物之反應產物。RS為式-R1-Si(Yp)(R2)3-p之含有矽烷之基團，其中R1為多價伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基，該伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基視情況含有一個或多個成鏈氧原子，Y為可水解基團，R2為單價烷基或芳基，且p為1、2或3。另外，R4為H、C1至C6烷基或C1至C6環烷基。RA為式R11-(A)n之含有(甲基)丙烯醯基之基團，其中R11為多價伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基，該伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基視情況含有一個或多個成鏈氧原子，A為式X2-C(O)-C(R3)=CH2之含有(甲基)丙烯醯基之基團，其中X2為-O、-S或-NR3，R3獨立地為H或C1-C4；且n=1至5。
在另一個例示性實施例中，該保護性(共)聚合物層包括至少一種式RS-N(H)-C(O)-O-RA或RS-O-C(O)-N(H)-RA之胺基甲酸酯(多)-(甲基)丙烯酸酯(多)-矽烷前驅化合物之反應產物。RS為式-R1-[Si(Yp)(R2)3-p]q之含有矽烷之基團，其中R1為多價伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基，該伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基視情況含有一個或多個成鏈氧原子，各Y為可水解基團，R2為單價烷基或芳基，p為1、2或3，且q為1至5。另外，RA為式R11-(A)n之含有(甲基)丙烯醯基之基團，其中R11為多價伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基，該伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基視情況含有一個或多個成鏈氧原
子，A為包含式X2-C(O)-C(R3)=CH2之(甲基)丙烯醯基，其中X2為-O、-S或-NR3，R3為H或C1-C4，且n=1至5。
在任一前述例示性實施例中，各可水解基團Y係獨立地選自烷氧基、乙酸酯基、芳氧基及鹵素。在任一前述例示性實施例中，至少一些可水解基團Y為烷氧基。在任一前述實施例之其他例示性實施例中，至少一些可水解基團Y為氯。
在任一前述實施例中，複合膜可在基底(共)聚合物層上包括氧化物層與保護性(共)聚合物層之許多交替層。在任一前述例示性實施例中，基板包括可撓性透明(共)聚合膜，視情況其中該基板包含聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、熱穩定PET、熱穩定PEN、聚甲醛、聚乙烯萘、聚醚醚酮、含氟(共)聚合物、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚α-甲基苯乙烯、聚碸、聚苯醚、聚醚醯亞胺、聚醚碸、聚醯胺醯亞胺、聚醯亞胺、聚鄰苯二甲醯胺或其組合。
在任一前述實施例中，基底(共)聚合物層可包括(甲基)丙烯酸酯平滑層。在任一前述實施例中，氧化物層可包括選自以下之原子元素之氧化物、氮化物、碳化物或硼化物：IIA族、IIIA族、IVA族、VA族、VIA族、VIIA族、IB族或IIB族；IIIB族、IVB族或VB族之金屬；稀土金屬；或其組合。在任一前述實施例中，複合膜可進一步包括塗覆至保護性(共)聚合物層之氧化物層，視情況其中該氧化物層包含氧化矽鋁。
本發明之例示性實施例提供包括封裝複合膜之光伏打裝置，當用於高濕氣(例如高濕度)應用中時展現改良之耐濕性。本發明之例示性實施例能夠形成展現優良機械特性，諸如彈性及可撓性，但仍具有較低氧或水蒸氣穿透率的封裝光伏打裝置。
根據本發明之包括阻隔膜之光伏打裝置之例示性實施例較佳對可見光及紅外光均有透射性。根據本發明之例示性阻隔膜典型地具有
可撓性。根據本發明之例示性阻隔膜通常不展現多層結構中由於熱應力或收縮而引起的分層或捲曲。即使在高溫及濕度老化之後，典型地仍維持本文中所揭示之阻隔膜之例示性實施例之特性。
已概述本發明之例示性實施例之各種態樣及優勢。以上發明內容並不意欲描述本發明之各說明性實施例或每種實現方式。以下圖式及實施方式使用本文所揭示之原理更特定地舉例說明某些較佳實施例。
10‧‧‧阻隔膜/膜
11‧‧‧光伏打裝置
12‧‧‧基板
14‧‧‧基底(共)聚合物層
16‧‧‧氧化物層
18‧‧‧保護性(共)聚合物層
20‧‧‧氧化物層
22‧‧‧系統
24‧‧‧冷滾筒/滾筒
25‧‧‧箭頭
26‧‧‧膜
28‧‧‧蒸發器
30‧‧‧固化單元
32‧‧‧氧化物濺鍍單元
34‧‧‧蒸發器
36‧‧‧蒸發器
40‧‧‧氮電漿處理單元
附圖併入且構成本說明書之一部分，並與說明一起解釋本發明之例示性實施例之優勢及原理。
圖1為說明根據本發明之一個例示性實施例之包括例示性耐濕性阻隔膜之光伏打裝置之圖，該阻隔膜具有氣相沈積之促黏塗層；及
圖2為說明根據本發明之一個例示性實施例製造阻隔膜之一種例示性方法及設備之圖。
圖式中相同元件符號表示相同元件。本文中圖式未按比例繪製，且在圖式中，所說明之元件經定尺寸以強調所選擇之特徵。
說明書及申請專利範圍中通篇使用某些術語，儘管其大部分已熟知，但可能需要一些解釋。應瞭解，如本文所使用，「一(「a」、「an」)」及「該(the)」一詞可互換使用，且「至少一個」意謂一個或多個所描述之元件。
在所揭示之塗佈物件中針對不同元件之位置使用取向詞，諸如「頂上」、「之上」、「覆蓋」、「最上」、「下伏」及其類似詞，係指元件相對於面朝上水平安置之基板之相對位置。不希望基板或物件在製造期間或之後具有任何特定之空間取向。
使用術語「外塗」(overcoated)描述層相對於本發明阻隔膜之基板或其他元件之位置，係指位於基板或其他元件頂上、但不必與基板或另一元件鄰接的層。
使用術語「分隔」描述(共)聚合物層相對於兩個無機阻隔層之位置，係指(共)聚合物層介於無機阻隔層之間，但不必與任一無機阻隔層鄰接。
術語「阻隔膜」或「阻隔層」係指經設計而針對蒸氣、氣體或香氣遷移具不透性之膜或層。例示性可隔絕氣體及蒸氣包括氧氣及/或水蒸氣。
關於單體、寡聚物或化合物之術語「(甲基)丙烯酸酯」意謂作為醇與丙烯酸或甲基丙烯酸之反應產物形成之乙烯基官能基烷基酯。
術語「聚合物」或「(共)聚合物」包括均聚物及共聚物，以及例如藉由共擠壓或藉由包括例如酯基轉移之反應、以可混溶性摻合物形式形成之均聚物或共聚物。術語「共聚物」包括無規共聚物及嵌段共聚物。
術語「固化」係指一種引起化學變化(例如經由消耗水之反應)以凝固膜層或提高其黏度之製程。
術語「交聯」(共)聚合物係指一種(共)聚合物，其(共)聚合物鏈藉由共價化學鍵，通常經由交聯分子或基團連接在一起，而形成網狀(共)聚合物。交聯(共)聚合物之特徵通常在於不可溶性，但在適當溶劑存在下可膨脹。
術語「固化(共)聚合物」包括交聯及未交聯(共)聚合物。
術語「Tg」係指當以塊狀形式而非以薄膜形式評估時，固化(共)聚合物之玻璃轉移溫度。在(共)聚合物僅可以薄膜形式檢查之情況下，通常可以合理精確性估算塊狀形式Tg。通常藉由使用差示掃描熱量測定(DSC)評估熱流速率相對於溫度來確定塊狀形式Tg值，以確定
(共)聚合物之節段性遷移率之起始及反曲點(通常為二階轉變)，在該反曲點，可稱(共)聚合物自玻璃態變化為橡膠態。亦可使用動態機械熱分析(DMTA)技術估算塊狀形式Tg值，該技術量測(共)聚合物之模數隨溫度及振動頻率而發生之變化。
使用術語「可見光透射性」支撐物、層、組合件或裝置，意謂該支撐物、層、組合件或裝置在光譜之可見光部分範圍內具有沿法線軸量測之至少約20%之平均透射率Tvis。
術語「金屬」包括純金屬(亦即呈元素形式之金屬，例如銀、金、鉑及其類似物)或金屬合金。
術語「氣相塗佈」或「氣相沈積」意謂塗層自氣相塗覆至基板表面，例如藉由將該塗層或塗層材料自身之前驅體材料蒸發且隨後沈積至基板表面上。例示性氣相塗佈方法包括例如物理氣相沈積(PVD)、化學氣相沈積(CVD)及其組合。
現將特定參考圖式描述本發明之各種例示性實施例。本發明之例示性實施例可呈現各種修改及更改形式而不脫離本發明之精神及範疇。因此，應理解本發明之實施例不限於下述例示性實施例，而係由申請專利範圍及其任何等效物中所闡述之限制來控制。
組件對水蒸氣之進入敏感的電子裝置(諸如光伏打裝置)需要可撓性阻隔塗層或膜。多層阻隔塗層或膜可提供優於玻璃的優勢，因為其具有可撓性、輕質性、持久性，且實現低成本連續捲軸式加工。
各種生產多層阻隔塗層或膜之已知方法均具有侷限性。化學沈積法(CVD及PECVD)形成氣化金屬醇鹽前驅體，當該等氣化金屬醇鹽前驅體吸附在基板上時經歷反應，形成無機塗層。此等方法通常受限於低沈積速率(及因此低線速度)，且造成醇鹽前驅體之低效使用(許多醇鹽蒸氣未併入塗層中)。CVD方法亦需要高的基板溫度，通常在
300℃至500℃的範圍內，其可能不適合於(共)聚合物基板。
諸如熱蒸發固體材料之真空法(例如電阻加熱或電子束加熱)亦提供較低的金屬氧化物沈積速率。對於需要極均勻塗層(例如光學塗層)之捲筒寬腹板應用而言，熱蒸發難以按比例增加，且其可能需要加熱基板以獲得優質塗層。另外，蒸發/昇華製程可能需要通常限制在較小區域之離子輔助以改良塗層品質。
濺鍍亦已用於形成金屬氧化物層。儘管用於形成阻隔氧化物層之濺鍍法之沈積能量通常較高，但涉及沈積(甲基)丙烯酸酯層之能量通常較低。因此，(甲基)丙烯酸酯層與其下方層(例如無機氧化物阻隔子層)之間典型地不具有良好黏著特性。為提高保護性(甲基)丙烯酸酯層對氧化物阻隔層之黏著力程度，已知次氧化矽之薄濺鍍層適用於此項技術中。若次氧化矽層不包括於堆疊中，則保護性(甲基)丙烯酸酯層對氧化物阻隔層具有不佳的初始黏著力。次氧化矽層濺鍍法必須在精確的功率及氣流設定下進行以維持黏著效能。此沈積法歷史上易受雜訊影響，導致保護性(甲基)丙烯酸酯層之黏著力改變及較低。因此需要消除最終阻隔構造中對次氧化矽層之需要以提高黏著穩固性且減小方法複雜度。
即使標準阻隔堆疊之「沈積態」黏著力起初可接受，次氧化物及保護性(甲基)丙烯酸酯層在暴露於85℃/85%相對濕度(RH)之加速老化條件時仍展示出弱化。此層間弱化可導致阻隔膜過早分層而脫離希望保護之裝置。當在85℃及85% RH中老化時，需要多層構造改良且維持初始的黏著力程度。
此問題之一種解決方案為使用特定元素(諸如鉻、鋯、鈦、矽及其類似元素)之所謂「連接」層，其通常以元素形式或在少量氧氣存在下濺鍍沈積為材料之單層或薄層。連接層元素可隨後與基板層(氧化物)及覆蓋層((共)聚合物)形成化學鍵。
連接層通常用於真空塗佈工業以在不同材料層之間獲得黏著力。用於沈積層之方法通常需要精細調整以獲得連接層原子之正確層濃度。在真空塗佈法中，沈積可受輕微變化影響，諸如真空壓力波動、釋氣及導致產物中黏著力程度變化之其他方法之交叉污染。此外，在暴露於水蒸氣之後，連接層通常不保留其初始黏著力程度。改良阻隔膜中之黏著力需要更穩固的解決方案。
已意外地發現，光伏打裝置包括包含含有至少一種如下文進一步描述之矽烷前驅化合物之反應產物之保護性(共)聚合物層的複合膜可改良多層複合阻隔膜之黏著力及防濕效能。此等多層複合阻隔膜可靈活地替代玻璃封裝材料而在光伏打、顯示、照明及電子裝置市場中具有多種應用。
在本發明之例示性實施例中，為獲得改良之多層複合阻隔膜之技術問題之所需技術效果及解決方案藉由化學修飾組合物獲得，該等組合物用於塗覆(例如藉由氣相塗佈)保護性(共)聚合物層至多層複合阻隔膜之方法中，以在一些例示性實施例中達成：1)與無機氧化物表面之穩固化學鍵，2)經由(共)聚合而與(甲基)丙烯酸酯塗層之穩固化學鍵，及3)維持所修飾分子之一些物理特性(例如沸點、蒸氣壓及其類似特性)，使得其可與塊狀(甲基)丙烯酸酯材料共蒸發。
因此，在例示性實施例中，本發明描述多層複合阻隔膜，該多層複合阻隔膜包含基板、該基板之主要表面上之基底(共)聚合物層、該基底(共)聚合物層上之氧化物層；及該氧化物層上之保護性(共)聚合物層，該保護性(共)聚合物層包含矽烷前驅化合物之反應產物，如下文中進一步描述。
轉向圖式，圖1為光伏打裝置11之圖，該光伏打裝置被具有包含單個二元體之耐濕性塗層之例示性阻隔膜10覆蓋。膜10包括依以下順序配置之層：基板12；基底(共)聚合物層14；氧化物層16；保護性(共)聚合物層18，其包含至少一種如本文所描述之尿素(多)-(甲基)丙烯酸酯(多)-矽烷前驅化合物之反應產物；及視情況存在之氧化物層20。氧化物層16與保護性(共)聚合物層18一起形成二元體，且儘管僅顯示一個二元體，但膜10可在基板10與最上的二元體之間包括交替氧化物層16與保護性(共)聚合物層18之其他二元體。
在某些例示性實施例中，複合阻隔膜在基底(共)聚合物層上包含氧化物層與保護性(共)聚合物層之複數個交替層。氧化物層與保護性(共)聚合物一起形成「二元體」，且在一個例示性實施例中，阻隔膜可包括一個以上二元體，形成多層阻隔膜。多層阻隔膜(亦即包括一個以上二元體)中之各氧化物層及/或保護性(共)聚合物層均可為相同的或不同的。視情況存在之無機層(較佳為氧化物層)可塗覆於複數個交替層或二元體上。
在一些例示性實施例中，包含至少矽烷前驅化合物之反應產物之保護性(共)聚合物層18改良膜10之耐濕性及保護性(共)聚合物層18對下伏氧化物層之剝落強度黏著力，使得其他阻隔堆疊層內之黏著力及抗分層性改良，如下文進一步解釋。用於阻隔膜10中之本發明較佳材料亦進一步鑑別於下文中及實例中。
本發明描述用於複合膜(亦即作為阻隔膜)中之保護性(共)聚合物層，該等複合膜當用作封裝材料(例如用於封裝電子裝置)時適用於降低氧氣及/或水蒸氣阻隔穿透率。各保護性(共)聚合物層在其製造中包括至少一種本文中描述為矽烷前驅化合物之組合物，其反應產物形成(共)聚合物，如下文中進一步描述。
包含矽烷前驅化合物之反應產物之合適的保護性(共)聚合物層，以及合適的矽烷前驅化合物，包括該等(共)聚合物層之多層複合阻隔膜，使用該等矽烷前驅化合物形成適用作光伏打裝置之封裝多層複合阻隔膜之複合膜之方法，及其實例描述於同在申請中之美國臨時專利申請案第61/681,023號、第61/681,008號、第61/681,003號及第61/680,995號中，全部該等臨時專利申請案均於2012年8月8日申請。
本發明描述保護性(共)聚合物層，其包含至少矽烷前驅化合物與至少一種(甲基)丙烯酸酯單體或寡聚物及/或水之反應產物。
基板12可為可撓性、可透射可見光之基板，諸如可撓性透光(共)聚合膜。在一個本發明較佳例示性實施例中，基板為實質上透明的，且在550nm可具有至少約50%、60%、70%、80%、90%或甚至高達約100%之可見光透射率。
例示性可撓性透光基板包括熱塑性(共)聚合膜，包括例如聚酯、聚丙烯酸酯(例如聚甲基丙烯酸甲酯)、聚碳酸酯、聚丙烯、高或低密度聚乙烯、聚碸、聚醚碸、聚胺基甲酸酯、聚醯胺、聚乙烯醇縮丁醛、聚氯乙烯、含氟(共)聚合物(例如聚偏二氟乙烯、乙烯四氟乙烯(ETFE)(共)聚合物、四氟乙烯(共)聚合物、六氟丙烯(共)聚合物、聚四氟乙烯及其共聚合物)、聚環硫乙烷；環烯烴(共)聚合物；及熱固性膜，諸如環氧樹脂、纖維素衍生物、聚醯亞胺、聚醯亞胺苯并噁唑及聚苯并噁唑。
本發明較佳聚合膜包含聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、熱穩定PET、熱穩定PEN、聚甲醛、聚乙烯基萘、聚醚醚酮、含氟聚合物、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚α-甲基苯乙烯、聚碸、聚苯醚、聚醚醯亞胺、聚醚碸、聚醯胺醯亞胺、聚醯亞
胺、聚鄰苯二甲醯胺或其組合。
在一些例示性實施例中，基板亦可為多層光學膜(「MOF」)，諸如美國專利申請公開案第US 2004/0032658 A1號中所述者。在一個例示性實施例中，膜可於包括PET之基板上製備。
基板可具有多種厚度，例如約0.01mm至約1mm。然而，例如當需要自支撐物件時，基板可顯著地更厚。該等物件亦可宜藉由層壓或以其他方式將使用可撓性基板製得之所揭示之膜連接至更厚的、不可撓的或可撓性較小的補充支撐物製得。
當(共)聚合膜不受約束時，(共)聚合膜可使用熱定型、拉伸下退火或阻礙收縮直至至少熱穩定溫度之其他技術達成熱穩定。
返回圖1，基底(共)聚合物層14可包括適合於以薄膜形式沈積之任何(共)聚合物。在一個態樣中，舉例而言，基底(共)聚合物層14可由各種前驅體形成，例如(甲基)丙烯酸酯單體及/或寡聚物，包括丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯，諸如胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、二異戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、摻合有苯乙烯之環氧(甲基)丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,3-丁烯二醇二(甲基)丙烯酸酯、五(甲基)丙烯酸酯、異戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、異戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化(3)三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化(3)三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、烷氧基化三官能(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化(4)雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、環己烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、環狀二(甲基)丙烯酸酯及三(2-羥基乙基)異氰尿酸酯三(甲基)丙烯酸酯、由前述丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯形成之(甲基)丙烯酸酯(例如寡聚物或聚合物)。基底(共)聚合物前驅體較佳包含
(甲基)丙烯酸酯單體。
基底(共)聚合物層14可如下形成：塗覆單體或寡聚物層至基板且使層交聯以原位形成(共)聚合物，例如藉由閃蒸及氣相沈積輻射可交聯單體，接著使用例如電子束裝置、UV光源、放電裝置或其他合適裝置交聯。塗佈效率可藉由冷卻基板來改良。
亦可使用習知塗佈方法，諸如滾塗(例如凹板滾塗)或噴塗(例如靜電噴塗)，將單體或寡聚物塗覆至基板12，隨後如上文所述交聯。基底(共)聚合物層14亦可如下形成：塗覆溶劑中含有寡聚物或(共)聚合物之層且乾燥由此塗覆之層以移除溶劑。在某些狀況下亦可採用電漿增強型化學氣相沈積(PECVD)。
基底(共)聚合物層14較佳藉由閃蒸及氣相沈積接著原位交聯而形成，例如以下文獻中所描述：美國專利第4,696,719號(Bischoff)、第4,722,515號(Ham)、第4,842,893號(Yializis等人)、第4,954,371號(Yializis)、第5,018,048號(Shaw等人)、第5,032,461號(Shaw等人)、第5,097,800號(Shaw等人)、第5,125,138號(Shaw等人)、第5,440,446號(Shaw等人)、第5,547,908號(Furuzawa等人)、第6,045,864號(Lyons等人)、第6,231,939號(Shaw等人)及第6,214,422號(Yializis)；PCT國際公開案第WO 00/26973號(Delta V Technologies,Inc.)；D.G.Shaw及M.G.Langlois,「A New Vapor Deposition Process for Coating Paper and polymer Webs」,6th International Vacuum Coating Conference(1992)；D.G.Shaw及M.G.Langlois,「A New High Speed Process for Vapor Depositing Acrylate Thin Films：An Update」,Society of Vacuum Coaters 36th Annual Technical Conference Proceedings(1993)；D.G.Shaw及M.G.Langlois,「Use of Vapor Deposited Acrylate Coatings to Improve the Barrier Properties of Metallized Film」,Society of Vacuum Coaters 37th Annual Technical Conference Proceedings(1994)；D.G.
Shaw,M.Roehrig、M.G.Langlois及C.Sheehan,「Use of Evaporated Acrylate Coatings to Smooth the Surface of Polyester and Polypropylene Film Substrates」,RadTech(1996)；J.Affinito、P.Martin、M.Gross、C.Coronado及E.Greenwell,「Vacuum Deposited Polymer/Metal Multilayer Films for Optical Application」,Thin Solid Films 270,43-48(1995)；及J.D.Affinito、M.E.Gross、C.A.Coronado、G.L.Graff、E.N.Greenwell及P.M.Martin,「Polymer-Oxide Transparent Barrier Layers」,Society of Vacuum Coaters 39th Annual Technical Conference Proceedings(1996)。
在一些例示性實施例中，基底(共)聚合物層14(以及各氧化物層16及保護性(共)聚合物層18)之光滑度及連續性及其對下伏基板或層之黏著力可藉由適當的預處理增強。合適預處理方案之實例包括：在合適的反應性或非反應性氛圍存在下放電(例如電漿、輝光放電、電暈放電、介電質阻隔層放電或大氣壓放電)；化學預處理或火焰預處理。此等預處理有助於使下伏層表面更容易形成隨後經塗覆之(共)聚合(或無機)層。電漿預處理可為尤其適用的。
在一些例示性實施例中，可具有與基底(共)聚合物層14不同組成之各別促黏層亦可用於基板或下伏層之頂上以改良黏著力。促黏層可為例如各別(共)聚合層或含有金屬之層，諸如金屬層、金屬氧化物層、金屬氮化物層或金屬氮氧化物層。促黏層可具有幾奈米(例如1nm或2nm)至約50nm之厚度，且若需要可更厚。
基底(共)聚合物層之所需化學組成及厚度將部分取決於基板之性質及表面構形。厚度較佳足以提供隨後可供氧化物層塗覆的平滑無缺陷表面。舉例而言，基底(共)聚合物層可具有幾奈米(例如2nm或3nm)至約5微米之厚度，且若需要可更厚。
如其他處所描述，阻隔膜可包括直接沈積於包括濕敏裝置之基
板上之氧化物層，一種通常被稱作直接封裝之方法。濕敏裝置可為例如光伏打裝置，諸如二硒化銅銦鎵(CIGS)光伏打裝置。可撓性光伏打裝置可用梯度組成氧化物層直接封裝。舉例而言，可將裝置附接至可撓性載體基板上，且可沈積遮罩以保護電連接不受氧化物層沈積影響。可如下文中進一步描述沈積基底(共)聚合物層14、氧化物層16及保護性(共)聚合物層18，且可隨後移除遮罩，暴露電連接。
改良之阻隔膜包括至少一個氧化物層16。氧化物層較佳包含至少一種無機材料。合適的無機材料包括不同原子元素之氧化物、氮化物、碳化物或硼化物。包括於氧化物層中之本發明較佳無機材料包含選自以下之原子元素之氧化物、氮化物、碳化物或硼化物：IIA族、IIIA族、IVA族、VA族、VIA族、VIIA族、IB族或IIB族；IIIB族、IVB族或VB族之金屬；稀土金屬；或其組合。在一些特定例示性實施例中，無機層，更佳為無機氧化物層，可塗覆於最上的保護性(共)聚合物層。氧化物層較佳包含氧化矽鋁或氧化銦錫。
在一些例示性實施例中，氧化物層之組成可在層之厚度方向上變化，亦即梯度組成。在該等例示性實施例中，氧化物層較佳包括至少兩種無機材料，且兩種無機材料之比率在氧化物層之整個厚度中變化。兩種無機材料之比率係指各無機材料之相對比例。比率可為例如質量比、體積比、濃度比、莫耳比、表面積比或原子比。
所得梯度氧化物層為在均質單一組分層之改良。當與真空沈積保護性(共)聚合物薄層組合時，亦可實現阻隔及光學特性方面之其他益處。可製造多層梯度無機(共)聚合物阻隔堆疊以提高光學特性以及阻隔特性。
阻隔膜可藉由在捲軸式真空室中使各種層沈積至基板上來製造，該捲軸式真空室與描述於美國專利第5,440,446號(Shaw等人)及第
7,018,713號(Padiyath等人)中之系統類似。層之沈積可為連續式的且單程通過系統。在某些狀況下，阻隔膜可通過系統若干次，以形成具有若干二元體之多層阻隔膜。
第一及第二無機材料可為金屬或非金屬原子元素，或金屬或非金屬原子元素組合之氧化物、氮化物、碳化物或硼化物。「金屬或非金屬」原子元素意謂選自以下之原子元素：週期表IIA族、IIIA族、IVA族、VA族、VIA族、VIIA族、IB族或IIB族，IIIB族、IVB族或VB族之金屬，稀土金屬，或其組合。合適的無機材料包括例如金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、金屬氮氧化物、金屬硼氧化物及其組合，例如矽氧化物(諸如二氧化矽)、鋁氧化物(諸如氧化鋁)、鈦氧化物(諸如二氧化鈦)、銦氧化物、錫氧化物、氧化銦錫(「ITO」)、氧化鉭、氧化鋯、氧化鈮、氮化鋁、氮化矽、氮化硼、氮氧化鋁、氮氧化矽、氮氧化硼、硼氧化鋯、硼氧化鈦及其組合。ITO為特定類別之陶瓷材料之實例，其在適當選擇各元素組分之相對比例之情況下可變成導電的。氧化矽鋁及氧化銦錫為形成氧化物層16之本發明較佳無機材料。
出於清晰性之目的，以下討論中所述之氧化物層16係有關氧化物之組合物；然而，應理解，組合物可包括上文所描述之氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、氮氧化物、硼氧化物及其類似物中之任一者。
在氧化物層16之一個實施例中，第一無機材料為氧化矽，且第二無機材料為氧化鋁。在此實施例中，矽與鋁之原子比在氧化物層之整個厚度中變化，例如，接近氧化物層之第一表面處矽比鋁多，隨著離第一表面之距離增大，逐漸變成鋁比矽多。在一個實施例中，隨著離第一表面之距離增大，矽與鋁之原子比可單調變化，亦即，隨著離第一表面之距離增大，比率增大或減小，但隨著離第一表面之距離增
大，比率不會既增大又減小。在另一實施例中，比率並不單調性增大或減小，亦即隨著離第一表面之距離增大，比率可在第一部分中增大，在第二部分中減小。在此實施例中，隨著離第一表面之距離增大，比率可有若干增大及減小，且比率為非單調的。如藉由水蒸氣穿透率所量測，氧化物層16之整個厚度中一種氧化物質至另一種氧化物質之無機氧化物濃度之變化使得阻隔效能改良。
除改良之阻隔特性外，在保持改良之阻隔特性的同時，可實現梯度組成以展現其他獨特的光學特性。層之組成的梯度變化使整個層之折射率產生相應變化。可選擇材料以使得折射率自高變為低，或反之亦然。舉例而言，自高折射率變為低折射率可使光以一個方向傳播，以易於穿過層，而以相反方向傳播之光可被層反射。折射率變化可用於設計層以增強層所保護之發光裝置的光提取。折射率變化可改用於使光穿過層且進入光捕獲裝置(諸如太陽能電池)。在保持經改良之阻隔特性的同時，亦可將其他光學構造(諸如帶通濾波器)併入層中。
為了促進矽烷鍵結至氧化物表面，可能需要在新濺鍍沈積之二氧化矽(SiO2)層上形成羥基矽烷醇(Si-OH)基團。可充分控制存在於多製程真空室中之水蒸氣的量以促進Si-OH基團以足夠高之表面濃度形成，從而提供增加的鍵結位點。在殘氣監測及使用水蒸氣源之情況下，可控制真空室中之水蒸氣之量以確保Si-OH基團之充分產生。
本發明亦描述一種製造複合膜之方法，該方法包含：(a)塗覆基底(共)聚合物層至基板之主要表面，(b)在該基底(共)聚合物層上塗覆氧化物層，及(c)在該氧化物層上沈積保護性(共)聚合物層，其中該保護性(共)聚合物層包括作為前述矽烷前驅化合物中之至少一者之反應產物形成的(共)聚合物。
在該方法之一些例示性實施例中，矽烷前驅化合物經歷化學反應以至少部分在氧化物層上形成保護性(共)聚合物層。視情況而定，該化學反應係選自自由基聚合反應及水解反應。在任一前述實施例中，各可水解基團Y係獨立地選自烷氧基、乙酸酯基、芳氧基及鹵素。在前述複合膜實施例之一些特定例示性實施例中，至少一些可水解基團Y為氯及/或烷氧基。
在一個例示性本發明較佳實施例中，本發明描述一種用於製備複合阻隔膜之方法，該方法包括：(a)使基底(共)聚合物層氣相沈積至基板之主要表面上且固化；(b)在該基底(共)聚合物層上氣相沈積氧化物層；及(c)使保護性(共)聚合物層氣相沈積至該氧化物層上且固化，該保護性(共)聚合物層包含作為前述式RS-N(R5)-C(O)-N(H)-RA或RS1-N(R4)-C(O)-N(H)-RA1之尿素(多)-(甲基)丙烯酸酯(多)-矽烷前驅化合物中之至少一者之反應產物形成的(共)聚合物，如先前所描述。
氣相沈積方法通常限於可抽吸(具有可接受黏度之液相)；可霧化(形成小液滴)、閃蒸(在真空條件下足夠高的蒸氣壓)、可冷凝(蒸氣壓、分子量)且可在真空中交聯(分子量範圍、反應性、官能基)之組合物。
圖2為系統22之圖，說明製造阻隔膜10之方法。系統22包含於惰性環境內且包括冷滾筒24用於接收及移動基板12(圖1)，如膜26所表示，從而提供其上形成有阻隔層之移動腹板。視情況存在之氮電漿處理單元40較佳可用於電漿處理或底塗膜26以改良基底(共)聚合物層14(圖1)對基板12(圖1)之黏著力。蒸發器28塗覆基底(共)聚合物前驅體，當滾筒24依箭頭25所示之方向推進膜26時，該基底(共)聚合物前驅體經固化單元30固化以形成基底(共)聚合物層14(圖1)。當滾筒24推
進膜26時，氧化物濺鍍單元32塗覆氧化物以形成層16(圖1)。
對於其他交替氧化物層16及保護性(共)聚合物層18而言，滾筒24可依與箭頭25相反之反向旋轉，且隨後再次推進膜26以塗覆其他交替基底(共)聚合物及氧化物層，且可重複該子方法用於需要或必需之多個交替層。一旦基底(共)聚合物及氧化物完成，則滾筒24進一步推進膜，且蒸發器36使矽烷前驅化合物(如上文所描述)沈積於氧化物層16上，該矽烷前驅化合物反應或固化以形成保護性(共)聚合物層18(圖1)。在某些本發明較佳實施例中，矽烷前驅化合物反應而在氧化物層16上形成保護性(共)聚合物層18係至少部分地發生在氧化物層16上。
視情況存在之蒸發器34另外可用以提供其他共反應物或共單體(例如其他保護性(共)聚合物化合物)，該等其他共反應物或共單體可適用於形成保護性(共)聚合物層18(圖1)。對於其他交替氧化物層16及保護性(共)聚合物層18而言，滾筒24可依與箭頭25相反之反向旋轉，且隨後再次推進膜26以塗覆其他交替氧化物層16及保護性(共)聚合物層18，且可重複該子方法用於需要或必需之多個交替層或二元體。
氧化物層16可使用膜金屬化技術中所採用之技術形成，諸如濺鍍(例如陰極或平面磁控濺鍍)、蒸發(例如電阻或電子束蒸發)、化學氣相沈積、電鍍及其類似技術。在一個態樣中，氧化物層16係使用濺鍍(例如反應性濺鍍)形成。相比於較低能量技術(諸如習知化學氣相沈積方法)，當藉由高能量沈積技術(諸如濺鍍)形成氧化物層時，觀測到增強之阻隔特性。不受理論所束縛，咸信該等增強特性係由於到達基板之冷凝物質具有如濺鍍中發生之較大動能，作為壓縮之結果而得到較低空隙分率。
在一些例示性實施例中，濺鍍沈積方法可在分別具有惰性及反應性氣體(例如氬氣及氧氣)之氣態氛圍中使用由交流電(AC)電源提供電力的雙靶。AC電源使雙靶中之每一者之極性交替，使得對一半AC
循環而言，一個靶為陰極且另一個靶為陽極。隨後循環時，極性在雙靶之間轉換。此轉換在設定頻率下發生，例如約40kHz，但亦可使用其他頻率。引入方法中之氧氣在接收無機組合物之基板上且亦在靶表面上形成氧化物層。介電氧化物在濺鍍期間可帶電，從而中斷濺鍍沈積方法。極性轉換可中和自靶所濺鍍之表面材料，且可提供所沈積材料之均一性及更好控制。
在其他例示性實施例中，用於雙AC濺鍍之各靶可包括單一金屬或非金屬元素，或金屬及/或非金屬元素之混合物。使用第一組濺鍍靶沈積最接近移動基板之氧化物層之第一部分。基板隨後移動而接近第二組濺鍍靶，且使用第二組濺鍍靶在第一部分之頂部上沈積氧化物層之第二部分。氧化物層之組成在整個層之厚度方向上變化。
在其他例示性實施例中，濺鍍沈積方法可在分別具有惰性及反應性氣體(例如氬氣及氧氣)之氣態氛圍存在下使用由直流電(DC)電源提供電力之靶。DC電源獨立於其他電源而向各陰極靶供應電力(例如脈衝電力)。在此態樣中，可在不同電力水準下濺鍍各個別陰極靶及相應材料，從而在整個層厚度中對組成進行額外控制。DC電源之脈衝態樣與AC濺鍍之頻率態樣類似，從而在反應性氣體物質(諸如氧氣)存在下控制高速濺鍍。脈衝DC電源允許控制極性轉換，可中和自靶所濺鍍之表面材料，且可提供所沈積材料之均一性及更好控制。
在一個特定例示性實施例中，可藉由在各靶中使用元素之混合物或原子組合物(例如靶可包括鋁及矽之混合物)實現在濺鍍期間之改良控制。在另一實施例中，各靶中元素之相對比例可為不同的，以容易在整個氧化物層中提供不同原子比。舉例而言，在一個實施例中，第一組雙AC濺鍍靶可包括矽與鋁之90/10混合物，且第二組雙AC濺鍍靶可包括鋁與矽之75/25混合物。在此實施例中，可使用90% Si/10% Al靶沈積氧化物層之第一部分，且可使用75% Al/25% Si靶沈積第二
部分。所得氧化物層具有梯度組成，在整個氧化物層厚度中，其自約90% Si變為約25% Si(且反之為自約10% Al變為約75% Al)。
在典型雙AC濺鍍中，形成均質氧化物層，且此等均質氧化物層之阻隔效能由於層中之微米及奈米尺度之層中缺陷而受損。此等小尺度缺陷之一個原因本質上係由於氧化物生長成晶界結構、隨後在整個膜厚度中傳播之方式。不受理論所束縛，咸信若干效應有助於改良本文中所描述之梯度組成阻隔之阻隔特性。一個效應可為，在梯度區域中，混合氧化物更緻密，且水蒸氣可通過氧化物之任何路徑藉由此緻密作用阻斷。另一個效應可為，藉由改變氧化物材料之組成可中斷晶界形成，從而使得膜的微觀結構在氧化物層之整個厚度中亦變化。另一個效應可為，在整個厚度中，一種氧化物濃度逐漸降低，同時另一種氧化物濃度升高，從而降低形成小尺度缺陷位點之機率。缺陷位點之減少可產生具有水滲透之穿透率減小的塗層。
在一些例示性實施例中，例示性膜可經歷後處理，諸如熱處理、紫外(UV)或真空UV(VUV)處理或電漿處理。可藉由使膜通過烘箱或在塗佈裝置中直接加熱膜(例如使用紅外加熱器或直接在滾筒上加熱)進行熱處理。熱處理可例如在約30℃至約200℃、約35℃至約150℃或約40℃至約70℃之溫度下進行。
可添加至無機或混合膜中之其他功能層或塗層包括使膜更具剛性之視情況存在之層。膜之最上層為視情況存在之適合保護層，諸如視情況存在之無機層20。若須要，則保護層可使用習知塗佈方法塗覆，諸如滾塗(例如凹板滾塗)或噴塗(例如靜電噴塗)，隨後使用例如UV輻射進行交聯。保護層亦可藉由如上文所描述由單體經閃蒸、氣相沈積及交聯而形成。可揮發(甲基)丙烯酸酯單體適合用於此類保護層。在一個特定實施例中，採用可揮發(甲基)丙烯酸酯單體。
本發明之包括阻隔膜之例示性光伏打裝置可靈活地替代玻璃封裝材料而在顯示、照明及電子裝置市場中具有多種應用及優勢。因此，本發明之某些例示性實施例提供的阻隔膜，當用於防濕應用時展現改良的耐濕性。在一些例示性實施例中，阻隔膜可直接沈積於包括濕敏光伏打裝置的基板上，一種通常被稱作直接封裝之方法。
濕敏光伏打裝置可為例如有機、無機或混合有機/無機光伏打裝置，諸如CIGS。可撓性光伏打裝置可用梯度組成氧化物層直接封裝。舉例而言，可將裝置附接至可撓性載體基板上，且可沈積遮罩以保護電連接不受氧化物層沈積影響。可如上文所描述沈積基底(共)聚合物層及氧化物層，且可隨後移除遮罩，暴露電連接。
所揭示方法之例示性實施例能夠形成展現優良機械特性，諸如彈性及可撓性，但仍具有較低氧氣或水蒸氣穿透率的包括複合多層阻隔膜的光伏打裝置。膜具有至少一個無機或混合有機/氧化物層，或可具有其他無機或混合有機/氧化物層。在一個實施例中，所揭示之膜可具有與有機化合物(例如(共)聚合物層)交替之無機層或混合層。在另一實施例中，膜可具有包括無機或混合材料及有機化合物之膜。具有使用所揭示之方法形成之阻隔膜之基板可具有小於每天約1cc/m2、小於每天約0.5cc/m2或小於每天約0.1cc/m2之透氧率(OTR)。具有使用所揭示之方法形成之阻隔膜之基板可具有小於每天約10cc/m2、小於每天約5cc/m2或小於每天約1cc/m2之水蒸氣穿透率(WVTR)。
根據本發明之具有阻隔膜之光伏打裝置之例示性實施例較佳對可見光及紅外光均有透射性。如本文中所使用之術語「對可見光及紅外光有透射性」可意謂，在光譜之可見及紅外部分範圍內具有至少約75%(在一些實施例中至少約80%、85%、90%、92%、95%、97%或98%)之沿法線軸量測之平均透射率。在一些實施例中，可見光及紅
外光可透射之阻隔組合件在400nm至1400nm範圍內具有至少約75%(在一些實施例中至少約80%、85%、90%、92%、95%、97%或98%)之平均透射率。可見光及紅外光可透射之組合件為不干擾例如光伏電池吸收可見光及紅外光之彼等物。
在一些實施例中，可見光及紅外光可透射之阻隔組合件在適用於光伏電池之光波長範圍內具有至少約75%(在一些實施例中至少約80%、85%、90%、92%、95%、97%或98%)之平均透射率。可基於折射率及厚度選擇第一及第二(共)聚合膜基板、壓敏黏著層及阻隔膜以提高對可見光及紅外光之透射率。
根據本發明之包括多層複合阻隔膜之例示性光伏打裝置典型地具有可撓性。如本文中使用之術語「可撓性」係指能夠形成捲筒。在一些實施例中，術語「可撓性」係指能夠圍繞曲率半徑高達7.6公分(cm)(3吋)、在一些實施例中高達6.4cm(2.5吋)、5cm(2吋)、3.8cm(1.5吋)或2.5cm(1吋)之捲筒核心彎曲。在一些實施例中，可撓性組合件可圍繞至少0.635cm(1/4吋)、1.3cm(1/2吋)或1.9cm(3/4吋)之曲率半徑彎曲。
根據本發明之包括多層複合阻隔膜之例示性光伏打裝置通常不展現多層結構中由於熱應力或收縮而引起的分層或捲曲。本文中，使用描述於Ronald P.Swanson之「Measurement of Web Curl」中之捲曲量計量測捲曲，該文章呈現於2006 AWEB會議錄(Association of Industrial Metallizers,Coaters and Laminators,Applied Web Handling Conference Proceedings,2006)中。根據此方法，可以0.25m-1曲率之解析度量測捲曲。在一些實施例中，根據本發明之阻隔組合件及阻隔膜展現高達7m-1、6m-1、5m-1、4m-1或3m-1之捲曲。根據固體力學，橫樑之曲率已知與施加於其上之彎曲力矩成比例。彎曲應力之量值已知又與彎曲力矩成比例。根據此等關係，相對而言，可使用樣品
之捲曲度來比較殘餘應力。即使在高溫及濕度老化之後，典型地仍維持本文中所揭示之阻隔膜之特性。
儘管本說明書已詳細描述某些例示性實施例，但應瞭解，熟習此項技術者當達成對前述內容之理解時，可容易想像此等實施例之更改、變化及等效物。因此，應理解，本發明不應過度限制於上文所闡述之說明性實施例。此外，本文中所參考之所有公開案、所公開之專利申請案及所頒予之專利均以全文引用之方式併入本文中，併入的程度如同各個別公開案或專利經特定且個別地指示以引用之方式併入一般。
已描述各種例示性實施例。此等及其他實施例處於所揭示之實施例及申請專利範圍之以下清單之範疇內。
10‧‧‧阻隔膜/膜
11‧‧‧光伏打裝置
12‧‧‧基板
14‧‧‧基底(共)聚合物層
16‧‧‧氧化物層
18‧‧‧保護性(共)聚合物層
20‧‧‧氧化物層
Claims (14)
- 一種封裝裝置，其包含：光伏打電池；及覆蓋於該光伏打電池之至少一部分上之複合膜，該複合膜進一步包含：基板；該基板之主要表面上之基底(共)聚合物層；該基底(共)聚合物層上之氧化物層；及該氧化物層上之保護性(共)聚合物層，其中該保護性(共)聚合物層包含至少一種式RS-N(R5)-C(O)-N(H)-RA之尿素(多)-(甲基)丙烯酸酯(多)-矽烷前驅化合物之反應產物，其中：RS為式-R1-[Si(Yp)(R2)3-p]q之含有矽烷之基團，其中：R1為多價伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基，該伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基視情況含有一個或多個成鏈氧原子，各Y為可水解基團，R2為單價烷基或芳基；p為1、2或3，且q為1至5；RA為式R11-(A)n之含有(甲基)丙烯醯基之基團，其中：R11為多價伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基，該伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基視情況含有一個或多個成鏈氧原子，A為包含式X2-C(O)-C(R3)=CH2之(甲基)丙烯醯基，此外其中：X2為-O、-S或-NR3， R3為H或C1-C4，且n=1至5；且R5為H、C1至C6烷基或環烷基或RS，其限制條件為至少一個以下條件適用：n為2至5，R5為RS，或q為2至5。
- 一種封裝裝置，其包含：光伏打電池；及覆蓋該光伏打電池之至少一部分上的複合膜，該複合膜進一步包含：基板；該基板之主要表面上之基底(共)聚合物層；該基底(共)聚合物層上之氧化物層；及該氧化物層上之保護性(共)聚合物層，其中該保護性(共)聚合物層包含至少一種式RS1-N(R4)-C(O)-N(H)-RA1之尿素(多)-(甲基)丙烯酸酯(多)-矽烷前驅化合物之反應產物，其中：RS1為式-R1d-Si(Yp)(R2)3-p之含有矽烷之基團，此外其中：R1d為二價伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基，該伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基視情況含有一個或多個成鏈氧原子，各Y為可水解基團，R2為單價烷基或芳基，且p為1、2或3；R4為H、C1至C6烷基或C1至C6環烷基；且RA1為式R11d-(A)之含有(甲基)丙烯醯基之基團，其中：R11d為二價伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基，該伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基視情況含有一個或多個成鏈 氧原子，且A為包含式X2-C(O)-C(R3)=CH2之(甲基)丙烯醯基，此外其中：X2為-O、-S或-NR3，且R3為H或C1-C4。
- 一種封裝裝置，其包含：光伏打電池；及覆蓋該光伏打電池之至少一部分上的複合膜，該複合膜進一步包含：基板；該基板之主要表面上之基底(共)聚合物層；該基底(共)聚合物層上之氧化物層；及該氧化物層上之保護性(共)聚合物層，其中該保護性(共)聚合物層包含至少一種式RS-N(H)-C(O)-O-RA或RS-O-C(O)-N(H)-RA之胺基甲酸酯(多)-(甲基)丙烯酸酯(多)-矽烷前驅化合物之反應產物，其中：RS為式-R1-[Si(Yp)(R2)3-p]q之含有矽烷之基團，此外其中：R1為多價伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基，該伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基視情況含有一個或多個成鏈氧原子，各Y為可水解基團，R2為單價烷基或芳基；p為1、2或3，且q為1至5；且RA為式R11-(A)n之含有(甲基)丙烯醯基之基團，其中：R11為多價伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基，該伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基視情況含有一個或多個成鏈 氧原子，A為包含式X2-C(O)-C(R3)=CH2之(甲基)丙烯醯基，此外其中：X2為-O、-S或-NR3，R3為H或C1-C4，且n=1至5。
- 一種封裝裝置，其包含：光伏打電池；及覆蓋該光伏打電池之至少一部分上的複合膜，該複合膜進一步包含：基板；該基板之主要表面上之基底(共)聚合物層；該基底(共)聚合物層上之氧化物層；及該氧化物層上之保護性(共)聚合物層，其中該保護性(共)聚合物層包含至少一種式RA-NH-C(O)-N(R4)-R11-[O-C(O)NH-RS]n之尿素(多)-胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-矽烷前驅化合物之反應產物，其中：RA為式R11-(A)n之含有(甲基)丙烯醯基之基團，此外其中：R11為多價伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基，該伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基視情況含有一個或多個成鏈氧原子，A為包含式X2-C(O)-C(R3)=CH2之(甲基)丙烯醯基，另外其中：X2為-O、-S或-NR3，R3獨立地為H或C1-C4，且n=1至5；R4為H、C1至C6烷基或C1至C6環烷基；RS為式-R1-Si(Yp)(R2)3-p之含有矽烷之基團，其中： R1為多價伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基，該伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基視情況含有一個或多個成鏈氧原子，Y為可水解基團，R2為單價烷基或芳基，且p為1、2或3。
- 一種封裝裝置，其包含：光伏打電池；及覆蓋該光伏打電池之至少一部分上的複合膜，該複合膜進一步包含：複合膜，其包含：基板；該基板之主要表面上之基底(共)聚合物層；該基底(共)聚合物層上之氧化物層；及該氧化物層上之保護性(共)聚合物層，其中該保護性(共)聚合物層包含至少一種式RS-NH-C(O)-N(R4)-R11-[O-C(O)NH-RA]n之尿素(多)-胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-矽烷前驅化合物之反應產物，其中：RS為式-R1-Si(Yp)(R2)3-p之含有矽烷之基團，其中：R1為多價伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基，該伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基視情況含有一個或多個成鏈氧原子，Y為可水解基團，R2為單價烷基或芳基，且p為1、2或3；R4為H、C1至C6烷基或C1至C6環烷基； RA為式R11-(A)n之含有(甲基)丙烯醯基之基團，此外其中：R11為多價伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基，該伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基視情況含有一個或多個成鏈氧原子，A為式X2-C(O)-C(R3)=CH2之含有(甲基)丙烯醯基之基團，另外其中：X2為-O、-S或-NR3，R3獨立地為H或C1-C4；且n=1至5。
- 一種封裝裝置，其包含：光伏打電池；及覆蓋該光伏打電池之至少一部分上的複合膜，該複合膜進一步包含：基板；該基板之主要表面上之基底(共)聚合物層；該基底(共)聚合物層上之氧化物層；及該氧化物層上之保護性(共)聚合物層，其中該保護性(共)聚合物層包含至少一種式RS-N(H)-C(O)-O-RA或RS-O-C(O)-N(H)-RA之胺基甲酸酯(多)-(甲基)丙烯酸酯(多)-矽烷前驅化合物之反應產物，其中：RS為式-R1-[Si(Yp)(R2)3-p]q之含有矽烷之基團，此外其中：R1為多價伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基，該伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基視情況含有一個或多個成鏈氧原子，各Y為可水解基團，R2為單價烷基或芳基； p為1、2或3，且q為1至5；且RA為式R11-(A)n之含有(甲基)丙烯醯基之基團，其中：R11為多價伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基，該伸烷基、伸芳基、伸烷芳基或伸芳烷基視情況含有一個或多個成鏈氧原子，A為包含式X2-C(O)-C(R3)=CH2之(甲基)丙烯醯基，此外其中：X2為-O、-S或-NR3，R3為H或C1-C4，且n=1至5。
- 如請求項1至6中任一項之封裝裝置，其中各可水解基團Y獨立地選自烷氧基、乙酸酯基、芳氧基及鹵素。
- 如請求項7之封裝裝置，其中至少一些可水解基團Y為烷氧基。
- 如請求項7之封裝裝置，其中至少一些可水解基團Y為氯。
- 如請求項1至6中任一項之封裝裝置，其在該基底(共)聚合物層上進一步包含該氧化物層與該保護性(共)聚合物層之複數個交替層。
- 如請求項1至6中任一項之封裝裝置，其中該基板包含可撓性透明(共)聚合膜，視情況其中該基板包含聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、熱穩定PET、熱穩定PEN、聚甲醛、聚乙烯萘、聚醚醚酮、氟(共)聚合物、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚α-甲基苯乙烯、聚碸、聚苯醚、聚醚醯亞胺、聚醚碸、聚醯胺醯亞胺、聚醯亞胺、聚鄰苯二甲醯胺或其組合。
- 如請求項1至6中任一項之封裝裝置，其中該基底(共)聚合物層包含(甲基)丙烯酸酯平滑層。
- 如請求項1至6中任一項之封裝裝置，其中該氧化物層包含選自 以下之原子元素之氧化物、氮化物、碳化物或硼化物：IIA族、IIIA族、IVA族、VA族、VIA族、VIIA族、IB族或IIB族；IIIB族、IVB族或VB族之金屬；稀土金屬；或其組合。
- 如請求項1至6中任一項之封裝裝置，其進一步包含塗覆至該保護性(共)聚合物層之氧化物層，視情況其中該氧化物層包含氧化矽鋁。
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