CN104798211A - 具有封装阻隔膜的光伏器件 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及封装器件，所述封装器件包括光伏电池和复合膜，所述复合膜重叠所述光伏电池的至少一部分，所述复合膜还包括基底、所述基底的主表面上的基础(共)聚合物层、所述基础(共)聚合物层上的氧化物层，以及所述氧化物层上的衍生自硅烷前体化合物的保护性(共)聚合物层。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2012年8月8日提交的美国临时申请61/681,051的权益，其公开内容以引用方式全文并入本文。
政府权利
根据由能源部批准的合同DE-EE0004739(批号3053)的条款，美国政府可具有本发明的某些权利。
技术领域
本公开涉及包括封装复合膜的光伏器件。更具体地，本公开涉及包括具有气相沉积的保护性(共)聚合物层的多层阻隔膜的光伏器件。
背景技术
无机或杂化无机/有机层已在用于电学、包装和装饰性应用的薄膜中使用。这些层可提供所需的特性，如机械强度、耐热性、耐化学品性、耐磨性、湿气阻隔性和氧气阻隔性。还已经开发出高度透明的多层阻隔涂层以防止敏感材料受到水蒸气的损坏。湿气敏感材料可为电子部件，诸如有机、无机、和杂化的有机/无机半导体器件。多层阻隔涂层可直接沉积在湿气敏感材料上，或者可沉积在柔性透明基底诸如(共)聚合物膜上。
多层阻隔涂层可通过多种生产方法制备。这些方法包括液体涂布技术，诸如溶液涂布、辊涂、浸涂、喷涂、旋涂；以及干涂技术，诸如化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、溅射和用于固体材料热蒸镀的真空方法。用于多层阻隔涂层的一种方法为生产多层氧化物涂层，诸如散布于薄(共)聚合物膜保护层上的氧化铝或氧化硅。每个氧化物/(共)聚合物膜对常常被称为“成对层”，并且交替的氧化物/(共)聚合物多层构造可包含若干成对层以提供对湿气和氧气的充分防护。此类透明多层阻隔涂层和方法的实例可见于例如美国专利5,440,446(Shaw等人)、5,877,895(Shaw等人)；6,010,751(Shaw等人)；7,018,713(Padiyath等人)；和6,413,645(Graff等人)。
发明内容
在一个方面，本公开特征在于封装器件，该封装器件包括光伏电池和复合膜，该复合膜重叠光伏电池的至少一部分，该复合膜还包括基底、该基底的主表面上的基础(共)聚合物层、该基础(共)聚合物层上的氧化物层，以及该氧化物层上的保护性(共)聚合物层。
在一些示例性实施例中，保护性(共)聚合物层包含式RS-N(R5)-C(O)-N(H)-RA的至少一种脲(多)-(甲基)丙烯酸酯(多)-硅烷前体化合物的反应产物。RS为式-R1-[Si(Yp)(R2)3-p]q的含硅烷的基团，其中R1为多价亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团，所述亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团任选地包含一个或多个链中氧原子，每个Y为可水解基团，R2为一价烷基或芳基基团，p为1、2或3，并且q为1-5。另外，RA为式R11-(A)n的含(甲基)丙烯酰基基团的基团，其中R11为多价亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团，所述亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团任选地包含一个或多个链中氧原子，A为具有式X2-C(O)-C(R3)＝CH2的(甲基)丙烯酰基基团，其中X2为-O、-S或–NR3，R3为H或C1-C4，并且n＝1至5。R5为H、C1-C6烷基或环烷基，或RS，前提是以下条件中的至少一个适用：n为2至5，R5为RS，或者q为2至5。
在其它示例性实施例中，保护性(共)聚合物层包含式RS1-N(R4)-C(O)-N(H)-RA1的至少一种脲(多)-(甲基)丙烯酸酯(多)-硅烷前体化合物的反应产物。RS1为式-R1d-Si(Yp)(R2)3-p的含硅烷的基团，其中R1d为二价亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团，所述亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团任选地包含一个或多个链中氧原子，每个Y为可水解基团，R2为一价烷基或芳基基团，并且p为1、2或3。另外，R4为H、C1-C6烷基或C1-C6环烷基。RA1为式R11d-(A)的含(甲基)丙烯酰基的基团，其中R11d为二价亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团，所述亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团任选地包含一个或多个链中氧原子，并且A为具有式X2-C(O)-C(R3)＝CH2的(甲基)丙烯酰基基团，其中X2为-O、-S或–NR3，并且R3为H或C1-C4。
在附加的示例性实施例中，保护性(共)聚合物层包含式RS-N(H)-C(O)-O-RA或RS-O-C(O)-N(H)-RA的至少一种氨基甲酸酯(多)-(甲基)丙烯酸酯(多)-硅烷前体化合物的反应产物。RS为式-R1-[Si(Yp)(R2)3-p]q的含硅烷的基团，其中R1为多价亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团，所述亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团任选地包含一个或多个链中氧原子，每个Y为可水解基团，R2为一价烷基或芳基基团；p为1、2或3，并且q为1-5。另外，RA为式R11-(A)n的含(甲基)丙烯酰基基团的基团，其中R11为多价亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团，所述亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团任选地包含一个或多个链中氧原子，A为包含式X2-C(O)-C(R3)＝CH2的(甲基)丙烯酰基基团，其中X2为-O、-S或-NR3，R3为H或C1-C4，并且n＝1至5。
在附加的示例性实施例中，保护性(共)聚合物层包含式RA-NH-C(O)-N(R4)-R11-[O-C(O)NH-RS]n的至少一种脲(多)-氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-硅烷前体化合物的反应产物。RA为式R11-(A)n的含(甲基)丙烯酰基的基团，其中R11为多价亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团，所述亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团任选地包含一个或多个链中氧原子，A为包含式X2-C(O)-C(R3)＝CH2的(甲基)丙烯酰基基团，其中X2为-O、-S或-NR3，R3独立地为H或C1-C4，并且n＝1至5。另外，R4为H、C1-C6烷基或C1-C6环烷基。RS为式-R1-Si(Yp)(R2)3-p的含硅烷的基团，其中R1为多价亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团，所述亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团任选地包含一个或多个链中氧原子，Y为可水解基团，R2为一价烷基或芳基基团，并且p为1、2或3。
在另一个示例性实施例中，保护性(共)聚合物层包含式RA-NH-C(O)-N(R4)-R11-[O-C(O)NH-RS]n的至少一种脲(多)-氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-硅烷前体化合物的反应产物。RS为式-R1-Si(Yp)(R2)3-p的含硅烷的基团，其中R1为多价亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团，所述亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团任选地包含一个或多个链中氧原子，Y为可水解基团，R2为一价烷基或芳基基团，并且p为1、2或3。另外，R4为H、C1-C6烷基或C1-C6环烷基。RA为式R11-(A)n的含(甲基)丙烯酰基基团的基团，其中R11为多价亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团，所述亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团任选地包含一个或多个链中氧原子，A为式X2-C(O)-C(R3)＝CH2的含(甲基)丙烯酰基的基团，其中X2为-O、-S或-NR3，R3独立地为H或C1-C4，并且n＝1至5。
在另一个示例性实施例中，保护性(共)聚合物层包含式RS-N(H)-C(O)-O-RA或RS-O-C(O)-N(H)-RA的至少一种氨基甲酸酯(多)-(甲基)丙烯酸酯(多)-硅烷前体化合物的反应产物。RS为式-R1-[Si(Yp)(R2)3-p]q的含硅烷的基团，其中R1为多价亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团，所述亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团任选地包含一个或多个链中氧原子，每个Y为可水解基团，R2为一价烷基或芳基基团，p为1、2或3，并且q为1-5。另外，RA为式R11-(A)n的含(甲基)丙烯酰基基团的基团，其中R11为多价亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团，所述亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团任选地包含一个或多个链中氧原子，A为包含式X2-C(O)-C(R3)＝CH2的(甲基)丙烯酰基基团，其中X2为-O、-S或-NR3，R3为H或C1-C4，并且n＝1至5。
在前述示例性实施例的任一个中，每个可水解基团Y独立地选自烷氧基基团、乙酸根基团、芳氧基基团和卤素。在前述示例性实施例的任一个中，可水解基团Y中的至少一些为烷氧基基团。在前述任一个的其它示例性实施例中，可水解基团Y中的至少一些为氯。
在前述实施例的任一个中，该复合膜可包括在基础(共)聚合物层上的氧化物层和保护性(共)聚合物层的多个交替层。在前述示例性实施例的任一个中，基底包括柔性透明(共)聚合物膜，任选地其中基底包含聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、热稳定化PET、热稳定化PEN、聚甲醛、聚乙烯基萘、聚醚醚酮、氟(共)聚合物、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚α-甲基苯乙烯、聚砜、聚苯醚、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚酰胺酰亚胺、聚酰亚胺、聚邻苯二甲酰胺、或它们的组合。
在前述实施例的任一个中，基础(共)聚合物层可包括(甲基)丙烯酸酯平滑层。在前述实施例的任一个中，氧化物层可包含如下物质的氧化物、氮化物、碳化物或硼化物，所述物质是来自IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、IB或IIB族的原子元素，IIIB、IVB或VB族的金属，稀土金属或它们的组合。在前述实施例的任一个中，复合膜还可包括施加到保护性(共)聚合物层的氧化物层，任选地其中该氧化物层包含硅铝氧化物。
本公开的示例性实施例提供了包括封装复合膜的光伏器件，当用于高湿气(例如，湿度)应用中时，所述光伏器件表现出改善的耐湿性。本公开的示例性实施例可使得能够形成封装的光伏器件，封装的光伏器件表现出优异的机械特性，诸如弹性和柔性，并且仍具有低氧气或水蒸气透过率。
根据本公开的包括阻隔膜的光伏器件的示例性实施例优选为可见光和红外光可透过的。根据本公开的示例性阻隔膜也通常是柔性的。根据本公开的示例性阻隔膜一般不表现出可由多层结构中的热应力或收缩而引起的分层或卷曲。本文所公开的阻隔膜的示例性实施例的特性甚至在高温和湿度老化后也通常得以维持。
已汇总了本公开的示例性实施例的各个方面和优点。上文发明内容并非旨在描述本公开的当前某些示例性实施例的每个例示实施例或每种实施方式。随后的附图和具体实施方式更具体地举例说明使用本文所公开的原理的某些优选实施例。
附图说明
附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分，并且与说明书一起阐释本公开的示例性实施例的优点和原理。
图1为示意图，示出了包括示例性耐湿阻隔膜的光伏器件，该阻隔膜具有根据本公开的示例性实施例的气相沉积的粘附促进涂层；以及
图2为示意图，示出了制备根据本公开的示例性实施例的阻隔膜的示例性方法和设备。
附图中类似的参考标号指示类似的元件。本文的附图未按比例绘制，并且在附图中，所示元件的尺寸设定成强调所选择的特征。
具体实施方式
术语表
在整个说明书和权利要求书中使用的某些术语虽然大部分为人们所熟知，但可能仍然需要作一些解释。应当理解，如本文所用，
词语“一种”、“一个”和“所述”与“至少一个”互换使用，以表示一个或多个被描述的元件。
通过对所公开的被涂布制品中的各种元件的位置使用如“顶上”、“上”、“覆盖”、“最上”、“之下”等的取向词，我们相对于水平设置的、面向上的基底说明了元件的相对位置。不旨在所述基底或制品在制造期间或制造后应具有任何特定的空间取向。
通过使用术语“包覆”来描述层相对于本公开的阻隔膜的基底或其它元件的位置，我们是指层在基底或其它元件的顶上，但未必与基底或其它元件邻接。
通过使用术语“由...分隔”来描述(共)聚合物层相对于两个无机阻隔层的位置，我们是指(共)聚合物层在无机阻隔层之间，但未必与任一无机阻隔层邻接。
术语“阻隔膜”或“阻隔层”是指被设计为蒸气、气体或芳香迁移不可渗透的膜或层。可排除的示例性气体和蒸气包括氧气和/或水蒸气。
关于单体、低聚物或化合物的术语“(甲基)丙烯酸酯”意指作为醇与丙烯酸或甲基丙烯酸的反应产物形成的乙烯基官能烷基酯。
术语“聚合物”或“(共)聚合物”包括均聚物和共聚物，以及可在可混溶的共混物中形成的均聚物或共聚物，例如，通过共挤出或通过包括例如酯交换反应的反应。术语“共聚物”包括无规共聚物和嵌段共聚物两者。
术语“固化”是指造成化学变化(例如，经由水的消耗的反应)以使膜层硬化或增加其粘度的方法。
术语“交联的”(共)聚合物是指通过共价化学键而使其(共)聚合物链接合在一起以形成网状(共)聚合物的(共)聚合物，所述共价化学键通常经由分子或基团交联。交联的(共)聚合物的一般特征在于不溶性，但在适当溶剂的存在下可以是溶胀性的。
术语“固化的(共)聚合物”包括交联的和未交联的(共)聚合物两者。
术语“Tg”是指在以块形式而不是以薄膜形式评估时，固化的(共)聚合物的玻璃化转变温度。在其中(共)聚合物仅可以薄膜形式检查的情况下，块形式Tg通常可以适当的精度来评估。块形式Tg值通常通过以下过程确定：使用差示扫描量热法(DSC)评估热流的速率与温度，以确定(共)聚合物的链段移动的起始以及可说是(共)聚合物从玻璃态变化为橡胶态的拐点(通常为二级转变)。块形式Tg值还可使用测量(共)聚合物的模量改变作为温度和振动频率的函数的动态力学热分析(DMTA)技术来评估。
通过使用术语“可见光可透过的”载体、层、组件或器件，我们意指该载体、层、组件或器件对光谱的可见部分具有至少约20％的平均透过率Tvis，沿法向轴测量。
术语“金属”包括纯金属(即，以元素形式的金属，例如银、金、铂等)或金属合金。
术语“气相涂布”或“气相沉积”意指例如通过以下方式将涂层从气相施加到基底表面：将涂层的前体材料或涂层材料本身蒸发并随后沉积到基底表面上。示例性气相涂布方法包括例如物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、以及它们的组合。
现在将具体参照附图描述本公开的各种示例性实施例。本公开的示例性实施例可在不脱离本公开的实质和范围的情况下进行多种修改和更改。因此，应当理解，本公开的实施例不应限于以下所述的示例性实施例，但应受权利要求书及其任何等同物中示出的限制的控制。
待解决的问题的确定
柔性阻隔涂层或膜对于电子器件诸如光伏器件是可取的，该电子器件的部件对水蒸气的侵入敏感。多层阻隔涂层或膜可提供胜过玻璃的优点，因为其为柔性、低重量、耐用的，并且使得能够低成本连续辊到辊加工。
用于生产多层阻隔涂层或膜的已知方法中的每一种均具有限制。化学沉积方法(CVD和PECVD)形成气化金属醇化物前体，当吸附在基底上时，该前体经历反应以形成无机涂层。这些方法一般受限于低沉积速率(并因此造成低线速度)，并且使醇化物前体的使用效率低下(醇化物蒸气中的很多未掺入涂层中)。CVD方法还需要常常在300-500℃范围内的高基底温度，这可能不适于(共)聚合物基底。
真空方法诸如固体材料的热蒸镀(例如，电阻性加热或电子束加热)也提供低金属氧化物沉积速率。对于需要非常均一的涂层(例如，光学涂层)的辊宽幅材应用来说，热蒸镀难以按比例放大并且可能需要基底加热以获得有品质的涂层。另外，蒸发/升华方法可能需要一般限于小区域的离子辅助以改善涂层品质。
还已使用溅射以形成金属氧化物层。虽然用于形成阻隔氧化物层的溅射方法的沉积能量一般较高，但涉及沉积(甲基)丙烯酸酯层的能量一般较低。因此，(甲基)丙烯酸酯层通常不具有与其下的层(例如，无机阻隔氧化物亚层)的良好粘合特性。为了增加保护性(甲基)丙烯酸酯层与阻隔氧化物的粘附力水平，已知硅亚氧化物的薄溅射层可用于本领域中。如果硅亚氧化物层不包含在叠堆中，则保护性(甲基)丙烯酸酯层对阻隔氧化物的初始粘附力较差。硅亚氧化物层溅射方法必须以精确的功率和气体流设定来进行以维持粘附力性能。该沉积方法在历史上易受噪音的影响，从而导致保护性(甲基)丙烯酸酯层的变化的和低的粘附力。因此可取的是消除在最终阻隔构造中对硅亚氧化物层的需要以增强粘附可靠性并降低方法复杂性。
甚至在标准阻隔叠堆的“沉积时”的粘附力初始是可接受的，在暴露于85℃/85％相对湿度(RH)的加速老化条件时，亚氧化物和保护性(甲基)丙烯酸酯层己表现出弱化。该层间弱化可导致阻隔膜与其旨在保护的器件的过早分层。可取的是，该多层构造改善初始粘附力水平并维持在85℃和85％RH下老化时的粘附力水平。
该问题的一个解决方案为使用被称为特定元素的“粘结”层，所述元素如铬、锆、钛、硅等，它们在作为元素或在少量氧气的存在下常常溅射沉积为材料单层或薄层。粘结层元素然后可形成与基底层(氧化物)和覆盖层((共)聚合物)两者的化学键。
粘结层一般用在真空涂层工业中，以实现不同材料层之间的粘附。用于沉积层的方法常常需要微调，以实现粘结层原子的合适层浓度。沉积可受到真空涂层方法中的轻微变化的影响，如真空压力波动、排气，以及来自其它方法的交叉污染，从而导致产品粘附力水平的变化。此外，粘结层在暴露于水蒸气之后常常不保持它们的初始粘附力水平。一种用于改善阻隔膜的粘附力的更可靠的解决方案是可取的。
发现问题的解决方案
我们已令人惊讶地发现，包括包含含有如下文所进一步描述的至少一种硅烷前体化合物的反应产物的保护性(共)聚合物层的复合膜的光伏器件改善了多层复合阻隔膜的粘附力和湿气阻隔性能。这些多层复合阻隔膜在光伏器件、显示器、发光和电子器件市场中作为玻璃封装材料的柔性替代品而具有许多应用。
在本公开的示例性实施例中，为了获得改善的多层复合阻隔膜而对技术问题的所需技术效果和解决方案通过以下方式获得：对用于将保护性(共)聚合物层施加(例如，通过气相涂布)到多层复合阻隔膜以在一些示例性实施例中实现以下效果的方法中所用的组合物进行化学改性：
1)与无机氧化物表面的可靠化学键，
2)通过(共)聚合与(甲基)丙烯酸酯涂层的可靠化学键，以及
3)维持改性分子的一些物理特性(例如，沸点、蒸气压等)，使得它们可与块状(甲基)丙烯酸酯材料共蒸发。
多层复合阻隔膜
因此，在示例性实施例中，本公开描述了多层复合阻隔膜，其包括基底、基底的主表面上的基础(共)聚合物层、基础(共)聚合物层上的氧化物层；以及该氧化物层上的保护性(共)聚合物层，该保护性(共)聚合物层包含硅烷前体化合物的反应产物，如下文所进一步描述。
转向附图，图1为由具有包括单个成对层的耐湿性涂层的示例性阻隔膜10覆盖的光伏器件11的示意图。膜10包括按以下顺序布置的层：基底12；基础(共)聚合物层14；氧化物层16；包含如本文所述的至少一种脲(多)-(甲基)丙烯酸酯(多)-硅烷前体化合物的反应产物的保护性(共)聚合物层18；以及任选的氧化物层20。氧化物层16和保护性(共)聚合物层18一起形成成对层，虽然仅示出了一个成对层，但膜10可包括在基底10与最上面成对层之间的交替氧化层16和保护性(共)聚合物层18的附加成对层。
在某些示例性实施例中，复合阻隔膜在基础(共)聚合物层上包含氧化物层和保护性(共)聚合物层的多个交替层。氧化物层和保护性(共)聚合物层一起形成“成对层”，并且在一些示例性实施例中，阻隔膜可包含多于一个成对层，从而形成多层阻隔膜。多层阻隔膜(即，包含多于一个成对层)中的氧化物层和/或保护性(共)聚合物层中的每一个可相同或不同。可将任选的无机层(其优选为氧化物层)施加在多个交替层或成对层之上。
在一些示例性实施例中，包含至少硅烷前体化合物的反应产物的保护性(共)聚合物层18改善了膜10的耐湿性和保护性(共)聚合物层18与下面的氧化物层的剥离强度粘附力，从而导致在另外的阻隔叠堆层内改善的粘附力和抗分层性，如下文进一步阐释。当前优选的用于阻隔膜10中的材料还在下文以及在实例中进一步确定。
保护性聚合物层
本公开描述了用于复合膜(即，作为阻隔膜)中的保护性(共)聚合物层，该复合膜在用作包装材料例如用于包装电子器件时，在降低氧气和/或水蒸气阻隔透过方面是可用的。每个保护性(共)聚合物层在其制造中包含本文描述为硅烷前体化合物的至少一种物质组合物，其反应产物形成(共)聚合物，如下文所进一步描述。
包含硅烷前体化合物的反应产物的合适保护性(共)聚合物层，以及合适硅烷前体化合物，包括此类(共)聚合物层的多层复合阻隔膜，使用此类硅烷前体化合物以形成适于用作光伏器件的封装多层复合阻隔膜的复合膜，以及它们的实例在全部描述于2012年8月8日提交的共同未决的美国临时专利申请61/681,023；61/681,008；61/681,003；和61/680,995中。
复合膜材料
本公开描述了包含至少硅烷前体化合物与至少一种(甲基)丙烯酸酯单体或低聚物和/或水的反应产物的保护性(共)聚合物层。
基底
基底12可为柔性的、可见光可透过的基底，诸如柔性透光性(共)聚合物膜。在一个当前优选的示例性实施例中，基底基本上是透明的，并且在550nm处可具有至少约50％、60％、70％、80％、90％或甚至最高至约100％的可见光透过率。
示例性柔性透光基底包括热塑性聚合物膜以及热固性膜，所述热塑性聚合物膜包含例如聚酯、聚丙烯酸酯(例如，聚甲基丙烯酸甲酯)、聚碳酸酯、聚丙烯、高或低密度聚乙烯、聚砜、聚醚砜、聚氨酯、聚酰胺、聚乙烯醇缩丁醛、聚氯乙烯、氟聚合物(例如聚偏二氟乙烯、乙烯-四氟乙烯(ETFE)(共)聚合物、四氟乙烯(共)聚合物、六氟丙烯(共)聚合物、聚四氟乙烯、以及它们的共聚物)、聚乙烯硫化物、环烯烃(共)聚合物，所述热固性膜诸如环氧树脂、纤维素衍生物、聚酰亚胺、聚酰亚胺苯并唑和聚苯并唑。
当前优选的聚合物膜包含聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、热稳定化PET、热稳定化PEN、聚甲醛、聚乙烯基萘、聚醚醚酮、氟聚合物、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚α-甲基苯乙烯、聚砜、聚苯醚、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚酰胺酰亚胺、聚酰亚胺、聚邻苯二甲酰胺、或它们的组合。
在一些示例性实施例中，基底也可为多层光学膜(“MOF”)，诸如在美国专利申请公布US 2004/0032658 A1中所描述的那些。在一个示例性实施例中，膜可在包含PET的基底上制备。
所述基底可具有多种厚度，例如，约0.01至约1mm。然而，例如当需要自支承制品时，所述基底可以是相当厚的。还可通过层合或换句话讲将使用柔性基底制成的所公开的膜接合到更厚的、非柔性或柔性较小的补充载体来便利地制成此类制品。
可使用热定形、张力下退火或其它技术来热稳定化(共)聚合物膜，当(共)聚合物膜不受限制时，所述技术将阻止收缩至最高至少热稳定温度。
基础(共)聚合物层
返回到图1，基础(共)聚合物层14可包含适于以薄膜沉积的任何(共)聚合物。在一个方面，例如，基础(共)聚合物层14可由各种前体形成，例如包含丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯的(甲基)丙烯酸酯单体和/或低聚物，诸如氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、异冰片基(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、与苯乙烯共混的环氧(甲基)丙烯酸酯、二-三羟甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、二甘醇二(甲基)丙烯酸酯、1,3-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、五(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化(3)三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化(3)三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、烷氧基化三官能(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化(4)双酚A二(甲基)丙烯酸酯、环己烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、异冰片基(甲基)丙烯酸酯、环二(甲基)丙烯酸酯、三(2-羟乙基)异氰脲酸酯三(甲基)丙烯酸酯、以及由前述丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯形成的(甲基)丙烯酸酯化合物(例如，低聚物或聚合物)。优选地，基础(共)聚合物前体包含(甲基)丙烯酸酯单体。
基础(共)聚合物层14可通过以下方式形成：将单体或低聚物的层施加到基底并使该层交联以原位形成(共)聚合物，例如，通过可辐射交联的单体的闪蒸和气相沉积，随后使用例如电子束设备、UV光源、放电设备或其它合适的器件来交联。可通过使所述基底冷却来改善涂布效率。
也可使用常规涂布方法诸如辊涂(例如，凹版辊涂布)或喷涂(例如，静电喷涂)来将单体或低聚物施加到基底12，然后如上文所述来交联。基础(共)聚合物层14也可通过施加在溶剂中包含低聚物或(共)聚合物的层并干燥这样施加的层以移除溶剂来形成。化学气相沉积(CVD)也可在一些情况下采用。
优选地，基础(共)聚合物层14通过闪蒸和气相沉积，随后原位交联来形成，例如如以下文献中所描述：美国专利4,696,719(Bischoff)、4,722,515(Ham)、4,842,893(Yializis等人)、4,954,371(Yializis)、5,018,048(Shaw等人)、5,032,461(Shaw等人)、5,097,800(Shaw等人)、5,125,138(Shaw等人)、5,440,446(Shaw等人)、5,547,908(Furuzawa等人)、6,045,864(Lyons等人)、6,231,939(Shaw等人)以及6,214,422(Yializis)；PCT国际公布WO 00/26973(德尔塔V技术公司(Delta V Technologies,Inc.))；D.G.Shaw和M.G.Langlois，“ANew Vapor Deposition Process for Coating Paper and Polymer Webs(一种用于涂布纸和聚合物幅材的新气相沉积方法)”，第六次国际真空涂布会议(6th International Vacuum Coating Conference)(1992)中；D.G.Shaw和M.G.Langlois，“A New High Speed Process for VaporDepositing Acrylate Thin Films:An Update”,Society of Vacuum Coaters36th Annual Technical Conference Proceedings(1993)(“用于气相沉积丙烯酸酯薄膜的新高速方法：更新版”，真空镀膜机协会第36次年度技术会议录(1993年))；D.G.Shaw和M.G.Langlois，“Use of VaporDeposited Acrylate Coatings to Improve the Barrier Properties ofMetallized Film(气相沉积丙烯酸酯涂层用于改善金属化膜的阻隔性能的用途)”，真空涂布机协会第37次年度技术会议录(Society of VacuumCoaters 37th Annual Technical Conference Proceedings)(1994)。D.G.Shaw、M.Roehrig、M.G.Langlois和C.Sheehan，“Use of EvaporatedAcrylate Coatings to Smooth the Surface of Polyester and PolypropyleneFilm Substrates(蒸发丙烯酸酯涂层用于平滑聚酯和聚丙烯膜基底的表面的用途)”，国际辐射固化组织(RadTech)(1996)；J.Affinito、P.Martin、M.Gross、C.Coronado和E.Greenwell，“Vacuum DepositedPolymer/Metal Multilayer Films for Optical Application(用于光学应用的真空沉积聚合物/金属多层膜)”，固体薄膜(Thin Solid Films)270，43-48(1995)；以及J.D.Affinito、M.E.Gross、C.A.Coronado、G.L.Graff、E.N.Greenwell和P.M.Martin，“Polymer-Oxide TransparentBarrier Layers(聚合物-氧化物透明阻隔层)”，真空涂布机协会第39次年度技术会议录(Society of Vacuum Coaters 39th Annual TechnicalConference Proceedings)(1996)。
在一些示例性实施例中，基础(共)聚合物层14(以及每个氧化物层16和保护性(共)聚合物层18)的平滑度和连续性及其与下面的基底或层的粘附力可通过适当的预处理而增强。合适的预处理方式的例子包括在合适的反应性或非反应性气氛(例如，等离子体、辉光放电、电晕放电、电介质阻隔放电或大气压放电)的存在下放电；化学预处理或火焰预处理。这些预处理有助于使下面的层的表面更易于接受随后施加的(共)聚合物(或无机)层的形成。等离子体预处理可能是尤其可用的。
在一些示例性实施例中，也可在基底或下面的层的顶上使用可与基础(共)聚合物层14具有不同组成的独立粘附力促进层来改善粘附力。例如，粘附力促进层可为独立的(共)聚合物层或含金属的层，诸如金属层、金属氧化物层、金属氮化物层或金属氧氮化物层。粘附力促进层可具有若干纳米(例如1nm或2nm)至约50nm的厚度，并且可更厚(如果需要)。
基础(共)聚合物层的所需化学组成和厚度将部分地取决于基底的性质和表面形貌特征。该厚度优选足以提供可将后续的氧化物层施加到其上的光滑、无缺陷的表面。例如，基础(共)聚合物层可具有若干纳米(例如2nm或3nm)至约5微米的厚度，并且可更厚(如果需要)。
如在别处所描述，阻隔膜可包括直接沉积在基底(包括湿气敏感器件)上的氧化物层，这是一种常常被称作直接封装的方法。湿气敏感器件可为例如光伏器件，诸如铜铟镓二硒(CIGS)光伏器件。柔性光伏器件可用梯度组成氧化物层直接封装。例如，可将该器件附接到柔性承载基底，并且可沉积掩模以防止电连接受到氧化物层沉积的影响。基础(共)聚合物层14、氧化物层16和保护性(共)聚合物层18可如下文所进一步描述来沉积，并且然后可移除掩膜，从而使电连接暴露。
氧化物层
改善的阻隔膜包括至少一个氧化物层16。该氧化物层优选包含至少一种无机材料。合适的无机材料包括不同原子元素的氧化物、氮化物、碳化物或硼化物。包含在氧化物层中的当前优选的无机材料包括如下物质的氧化物、氮化物、碳化物或硼化物，所述物质是来自IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、IB或IIB族的原子元素，IIIB、IVB或VB族的金属，稀土金属或它们的组合。在一些特定的示例性实施例中，可将无机层(更优选无机氧化物层)施加到最上面的保护性(共)聚合物层。优选地，氧化物层包含硅铝氧化物或铟锡氧化物。
在一些示例性实施例中，氧化物层的组成可在层的厚度方向上变化，即，梯度组成。在此类示例性实施例中，氧化物层优选包含至少两种无机材料，并且这两种无机材料的比率在氧化物层的整个厚度中变化。两种无机材料的比率是指无机材料中每一种的相对比例。该比率可为(例如)质量比、体积比、浓度比、摩尔比、表面积比、或原子比。
所得的梯度氧化物层与均一的单组分层相比是一种改善。当与真空沉积的保护性(共)聚合物薄层组合时，还可实现阻隔和光学特性方面的附加有益效果。可制成多层梯度无机(共)聚合物阻隔叠堆以增强光学特性以及阻隔特性。
阻隔膜可在类似于美国专利5,440,446(Shaw等人)和7,018,713(Padiyath等人)中所描述的系统的辊到辊真空室中通过将各个层沉积到基底上来制造。层的沉积可为内嵌式，并且单次通过系统。在一些情况下，阻隔膜可通过系统若干次，以形成具有若干个成对层的多层阻隔膜。
第一和第二无机材料可为如下物质的氧化物、氮化物、碳化物或硼化物，所述物质是金属或非金属原子元素、或金属或非金属原子元素的组合。所谓“金属或非金属”原子元素，是指选自元素周期表IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、IB、或IIB族的原子元素，IIIB、IVB、或VB族的金属，稀土金属，或它们的组合。合适的无机材料包括(例如)金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属氮氧化物、金属硼氧化物、以及它们的组合，如氧化硅例如二氧化硅、氧化铝例如矾土、氧化钛例如二氧化钛、氧化铟、氧化锡、铟锡氧化物(“ITO”)、氧化钽、氧化锆、氧化铌、氮化铝、氮化硅、氮化硼、氮氧化铝、氮氧化硅、氮氧化硼、硼氧化锆、硼氧化钛、以及它们的组合。ITO是正确选择每种元素组分的相对比例以变得导电的特殊类别陶瓷材料的一个例子。硅铝氧化物和铟锡氧化物是当前优选的形成氧化物层16的无机材料。
出于清晰表述的目的，以下讨论中描述的氧化物层16涉及氧化物的组合物；然而，应当理解，组合物可包含上文所述的氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、氮氧化物、硼氧化物等中的任一种。
在氧化物层16的一个实施例中，第一无机材料为氧化硅，并且第二无机材料为氧化铝。在该实施例中，硅与铝的原子比在整个氧化物层的厚度中变化，例如，在氧化物层的第一表面附近有比铝更多的硅，随着离第一表面的距离增大逐渐变得铝比硅更多。在一个实施例中，硅与铝的原子比可随着离第一表面的距离增大而单调变化，即，该比率随着离第一表面的距离增大而增大或减小，但是该比率不随着离第一表面的距离增大而出现增大和减小两者。在另一个实施例中，该比率不单调增大或减小，即，随着离第一表面的距离增大，该比率可在第一部分中增大，而在第二部分中减小。在该实施例中，随着离第一表面的距离增大，可有若干次该比率的增大和减小，并且该比率是非单调的。在氧化物层16的整个厚度中，从一种氧化物物质至另一种氧化物物质的无机氧化物浓度的变化导致阻隔性能改善，如通过水蒸气透过速率所测量。
除了改善的阻隔特性之外，可将梯度组合物制备成在保持改善的阻隔特性的同时显示具有其它独特的光学特性。层的组合物的梯度变化产生了透过层的折射率的相应变化。可选择材料，使得折射率可从高到低变化，反之亦然。例如，从高折射率至低折射率可允许沿一个方向传播的光能轻易穿透层，而沿相反方向传播的光可被层反射。折射率变化可用于设计层，以增强从受层保护的发光器件提取光。另外，折射率变化可用于让光穿透层并进入捕光器件(例如太阳能电池)。也可将其它光学构造(例如带通滤光器)掺入层中，与此同时保持改善的阻隔特性。
为了促进硅烷与氧化物表面的粘结，可能有利的是在新溅射沉积的二氧化硅(SiO2)层上形成羟基硅醇(Si-OH)基团。多方法真空室内存在的水蒸气量可得到充分控制，以促进在足够高的表面浓度下形成Si-OH基，从而增加粘合位点。在监测残留气体并使用水蒸气源的情况下，真空室内的水蒸气量可得以控制，以确保生成足够的Si-OH基。
制备阻隔层和膜的方法
本公开还描述了用于制备复合膜的方法，该方法包括：(a)向基底的主表面施加基础(共)聚合物层，(b)在基础(共)聚合物层上施加氧化物层，以及(c)在氧化物层上沉积保护性(共)聚合物层，其中该保护性(共)聚合物层包含作为前述硅烷前体化合物中的至少一种的反应产物而形成的(共)聚合物。
在该方法的一些示例性实施例中，硅烷前体化合物发生化学反应以至少部分地在氧化物层上形成保护性(共)聚合物层。任选地，该化学反应选自自由基聚合反应和水解反应。在前述实施例的任一个中，每个可水解基团Y独立地选自烷氧基基团、乙酸根基团、芳氧基基团和卤素。在前述复合膜实施例的一些特定示例性实施例中，可水解基团Y的至少一些为氯和/或烷氧基。
在当前优选的一个示例性实施例中，本公开描述了一种用于制备复合阻隔膜的方法，该方法包括：
(a)在基底的主表面上气相沉积基础(共)聚合物层并固化；
(b)在基础(共)聚合物层上气相沉积氧化物层；以及
(c)在氧化物层上气相沉积保护性(共)聚合物层并固化，该保护性(共)聚合物层包含作为如上所述的前述式RS-N(R5)-C(O)-N(H)-RA或RS1-N(R4)-C(O)-N(H)-RA1的脲(多)-(甲基)丙烯酸酯(多)-硅烷前体化合物中至少一种的反应产物而形成的(共)聚合物。
气相沉积方法通常限于可泵抽的(具有可接受的粘度的液相)、可雾化的(形成液体小滴)、可闪蒸的(在真空条件下足够高的蒸气压)、可冷凝的(蒸气压、分子量)并可在真空中交联的(分子量范围、反应性、官能度)组合物。
图2为系统22的示意图，示出了用于制备阻隔膜10的方法。系统22容纳在惰性环境中并包括用于接纳和移动由膜26表示的基底12(图1)的冷冻转筒24，从而提供在其上形成阻隔层的移动幅材。优选地，可使用任选的氮等离子体处理单元40以对膜26进行等离子体处理或预处理，以便改善基础(共)聚合物层14(图1)与基底12(图1)的粘附力。蒸发器28在转鼓24将膜26以箭头25所示的方向推进时施加基础(共)聚合物前体，其通过固化单元30来固化以形成基础(共)聚合物层14(图1)。氧化物溅射单元32在转鼓24推进膜26时施加氧化物以形成层16(图1)。
对于附加的交替氧化物层16和保护性(共)聚合物层18，转筒24可沿与箭头25相反的逆向旋转，随后再次推进膜26，以施加附加的交替基础(共)聚合物和氧化物层，而且该子过程可针对期望或需要的多个交替层进行重复。一旦基础(共)聚合物和氧化物完成后，转鼓24即进一步推进膜，并且蒸发器36在氧化物层16上沉积硅烷前体化合物(如上所述)，其反应或固化以形成保护性(共)聚合物层18(图1)。在某些当前优选的实施例中，使硅烷前体化合物反应以在氧化物层16上形成保护性(共)聚合物层18至少部分地在氧化物层16上发生。
另外可使用任选的蒸发器34以提供可用于形成保护性(共)聚合物层18(图1)的其它共反应物或共聚单体(例如，附加的保护性(共)聚合物化合物)。对于附加的交替氧化物层16和保护性(共)聚合物层18，转筒24可沿与箭头25相反的逆向旋转，随后再次推进膜26，以施加附加的交替氧化物层16和保护性(共)聚合物层18，并且该子过程可针对期望或需要的多个交替层或成对层进行重复。
氧化物层16可使用膜金属化领域中所采用的诸如溅射(如阴极或平面磁控溅射)、蒸镀(如电阻式或电子束蒸镀)、化学气相沉积、电镀等技术形成。在一个方面，氧化物层16使用溅射(如反应溅射)形成。当氧化物层通过与诸如常规化学气相沉积方法的较低能量技术相比而言的高能量沉积技术诸如溅射而形成时，已经观察到增强的阻隔特性。不受理论的约束，据信正如在溅射过程中所发生，增强的特性是由于到达基底的冷凝物质具有较大动能，这导致由于压实而造成更低的孔隙比率。
在一些示例性实施例中，在存在具有惰性和反应性气体(例如分别为氩气和氧气)的气体氛围的情况下，溅射沉积方法可使用由交流(AC)电源供电的双靶。AC电源交替变换双靶各自的极性，使得对于AC周期的一半来说，一个靶是阴极而另一个靶是阳极。在下一个周期中，极性在双靶之间转换。该转换在设定的频率(例如约40kHz)下进行，然而也可使用其它频率。引入过程中的氧气既在接纳无机组合物的基底上、又在靶的表面上形成氧化物层。介电氧化物可在溅射期间带电，从而中断溅射沉积过程。极性转换可中和从靶溅射的表面材料，并且不仅可使沉积材料均匀、还可提供对沉积材料的更好控制。
在另外的示例性实施例中，用于双AC溅射的每个靶可包含单一金属或非金属元素，或金属和/或非金属元素的混合物。最靠近移动基底的氧化物层的第一部分使用第一组溅射靶进行沉积。然后基底移动靠近第二组溅射靶，并使用第二组溅射靶将氧化物层的第二部分沉积到第一部分的顶部上。氧化物层的组成沿整个层的厚度方向变化。
在附加的示例性实施例中，在存在具有惰性和反应性气体(例如分别为氩气和氧气)的气体氛围的情况下，溅射沉积方法可使用由直流(DC)电源供电的靶。DC电源独立于其它电源向每个阴极靶供电(例如，脉冲电)。在这个方面，每个单独的阴极靶和对应的材料可在不同的功率水平下溅射，从而提供对整个层厚度中的组成的附加控制。DC电源的脉冲方面类似于AC溅射中的频率方面，其允许在存在反应性气体种类(例如氧气)的情况下对高速溅射进行控制。脉冲DC电源允许对极性转换进行控制，可中和从靶溅射的表面材料，并且不仅可使沉积材料均匀、还可提供对沉积材料的更好控制。
在一个特定示例性实施例中，溅射期间的控制改善可通过在每个靶中使用元素的混合物或原子组合物而实现，例如靶可包含铝和硅的混合物。在另一个实施例中，每个靶中元素的相对比例可以是不同的，以容易地提供贯穿氧化物层变化的原子比。在一个实施例中，例如，第一组双AC溅射靶可包含硅和铝的90/10混合物，而第二组双AC溅射靶可包含铝和硅的75/25混合物。在该实施例中，氧化物层的第一部分可用90％Si/10％Al靶沉积，而第二部分可用75％Al/25％Si靶沉积。所得的氧化物层具有梯度组成，该梯度组成在无机层的整个厚度中从约90％Si变化至约25％Si(并且相反地，从约10％Al变化至约75％Al)。
在代表性的双AC溅射中，形成了均匀的氧化物层，但由于层在微米和纳米尺度的缺陷，使得这些均匀氧化物层的阻隔性能受到损失。这些小尺度缺陷的一个原因取决于氧化物生长为晶界结构、然后蔓延至整个膜厚度的固有方式。不受理论的约束，据信若干效应均有助于改善本文描述的梯度组合物阻隔件的阻隔特性。一个效应可为使梯度区域中出现的混合氧化物更为致密化，从而通过该致密化效应阻隔水蒸气可能通过氧化物的任何路径。另一个效应可为通过改变氧化物材料的组成，而中断晶界的形成，这导致膜的微结构也贯穿氧化物层的厚度变化。另一个效应可为一种氧化物的浓度随着另一种氧化物的浓度贯穿厚度增大而逐渐减小，从而降低形成小尺度缺陷部位的概率。缺陷部位的减少可产生具有降低的水渗透透过率的涂层。
在一些示例性实施例中，可使示例性膜接受后处理，诸如热处理、紫外(UV)或真空UV(VUV)处理或等离子体处理。可通过将所述膜通过烘箱或者将所述膜在涂布设备中直接加热(例如，使用红外加热器或直接在转筒上加热)来进行热处理。例如，可在约30℃至约200℃，约35℃至约150℃或约40℃至约70℃的温度下执行热处理。
可加入无机或杂化膜中的其它功能性层或涂层包括使膜更坚硬的一个或多个任选层。膜的最顶层任选地为合适的保护层，诸如任选的无机层20。如果需要，可使用诸如辊涂(例如，凹版辊涂布)、旋涂或喷涂(例如，静电喷涂)的常规涂布方法施加该保护层，然后使用例如UV辐射进行交联。还可通过如上所述的单体的闪蒸、气相沉积和交联来形成保护层。可挥发的(甲基)丙烯酸酯单体适合在此类保护层中使用。在具体的实施例中，采用可挥发的(甲基)丙烯酸酯单体。
意料不到的结果和优点
本公开的包括阻隔膜的示例性光伏器件作为对玻璃封装材料的柔性替代品具有许多应用和优点。因此，本公开的某些示例性实施例提供了阻隔膜，它们在用于湿阻隔应用时表现出改善的耐湿性。在一些示例性实施例中，阻隔膜可直接沉积在包括湿气敏感光伏器件的基底上，这是一种通常被称为直接封装的方法。
所述湿气敏感光伏器件可为(例如)有机、无机或杂化的有机/无机光伏器件，诸如CIGS。柔性光伏器件可采用梯度组合物氧化物层直接封装。例如，可将该器件附接到柔性承载基底，并且可沉积掩模以防止电连接受到氧化物层沉积的影响。如上所述可沉积基础(共)聚合物层和氧化物层，然后可移除该掩模，从而暴露电连接。
所公开的方法的示例性实施例可使得能够形成包括复合多层阻隔膜的光伏器件，它们表现出优异的机械特性诸如弹性和柔性，而仍具有低氧气或水蒸气透过率。该膜具有至少一个无机或杂化有机/氧化物层或可具有附加的无机或杂化有机/氧化物层。在一个实施例中，所公开的膜可具有与有机化合物(例如，(共)聚合物层)交替的无机或杂化层。在另一个实施例中，所述的膜可具有包含无机或杂化材料以及有机化合物的膜。具有使用所公开的方法形成的阻隔膜的基底可具有低于约1cc/m2-天、低于约0.5cc/m2-天或低于约0.1cc/m2-天的氧气透过率(OTR)。具有使用所公开的方法形成的阻隔膜的基底可具有低于约10cc/m2-天、低于约5cc/m2-天或低于约1cc/m2-天的水蒸气透过率(WVTR)。
根据本公开的具有阻隔膜的光伏器件的示例性实施例优选为可见光可透过的和红外光可透过的。如本文所用的术语“可见光和红外光可透过的”可指，沿法向轴测量的对光谱的可见和红外部分具有至少约75％(在一些实施例中至少约80、85、90、92、95、97或98％)的平均透过率。在一些实施例中，可见光和红外光可透过的组件对400nm到1400nm范围的平均透过率至少为约75％(在一些实施例中至少为约80、85、90、92、95、97或98％)。可见光和红外光可透过的组件为不干扰例如光伏电池对可见光和红外光的吸收的那些。
在一些实施例中，可见光和红外光可透过的组件对可用于光伏电池的光的波长范围的平均透过率为至少约75％(在一些实施例中为至少约80、85、90、92、95、97或98％)。可根据折射率和厚度来选择第一和第二(共)聚合物膜基底、压敏粘合剂层以及阻隔膜，以便提高对可见光和红外光的透过率。
根据本公开的包括多层复合阻隔膜的示例性光伏器件通常为柔性的。在此所用的术语“柔性的”指能形成为卷。在一些实施例中，术语“柔性的”指能绕曲率半径至多7.6厘米(cm)(3英寸)、在一些实施例中至多6.4cm(2.5英寸)、5cm(2英寸)、3.8cm(1.5英寸)或2.5cm(1英寸)的卷芯弯曲。在一些实施例中，柔性组件可绕至少0.635cm(1/4英寸)、1.3cm(1/2英寸)或1.9cm(3/4英寸)的曲率半径弯曲。
根据本公开的包括多层复合阻隔膜的示例性光伏器件一般不表现出可能由多层结构中的热应力或收缩而引起的分层或卷曲。在本文中，卷曲是使用Ronald P.Swanson在2006AWEB会议录(工业金属化、涂布与层合、应用幅材处理协会会议录2006(Association of IndustrialMetallizers,Coaters and Laminators,Applied Web Handling ConferenceProceedings 2006))中提出的“幅材卷曲测量(Measurement of WebCurl)”中所述的卷曲规来测量。根据该方法，可测量达到分辨率0.25m-1曲率的卷曲。在一些实施例中，根据本公开的阻隔膜表现出最高至7、6、5、4或3m-1的卷曲。根据固体力学，已知横梁的曲率与施加给它的弯曲力矩成比例。已知弯曲应力的大小又与弯曲力矩成比例。根据这些关系，相对而言，样本的卷曲可用来比较残余应力。通常，即使在高温度和湿度老化后，也能维持本文所公开的阻隔膜的特性。
虽然本说明书详细描述了某些示例性实施例，但应当理解，本领域的技术人员在理解上述内容后，可轻易设想这些实施例的更改形式、变型形式和等同形式。因此，应当理解，本公开不应不当地受限于以上示出的示例性实施例。此外，本文引用的所有出版物、公布的专利申请和公布的专利均以引用方式全文并入本文，正如具体而单独地指出每个单独的出版物或专利都以引用方式并入本文的程度相同。
各种示例性实施例均已进行了描述。这些实施例和其它实施例落在以下列出的公开的实施例和权利要求的范围内。
Claims (14)
1.一种封装器件，其包括：
光伏电池；以及
复合膜，所述复合膜重叠所述光伏电池的至少一部分，所述复合膜还包括：
基底；
所述基底的主表面上的基础(共)聚合物层；
所述基础(共)聚合物层上的氧化物层；以及
所述氧化物层上的保护性(共)聚合物层，其中所述保护性(共)聚合物层包含下式的至少一种脲(多)-(甲基)丙烯酸酯(多)-硅烷前体化合物的反应产物：RS-N(R5)-C(O)-N(H)-RA，其中：
RS为下式的含硅烷的基团：-R1-[Si(Yp)(R2)3-p]q，其中：
R1为多价亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团，所述亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团任选地包含一个或多个链中氧原子，
每个Y为可水解基团，
R2为一价烷基或芳基基团；
p为1、2或3，并且
q为1-5；
RA为下式的含(甲基)丙烯酰基基团的基团：R11-(A)n，其中：
R11为多价亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团，所述亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团任选地包含一个或多个链中氧原子，
A为包含下式的(甲基)丙烯酰基基团：X2-C(O)-C(R3)＝CH2，进一步地，其中：
X2为-O、-S或–NR3，
R3为H或C1-C4，并且
n＝1至5；并且
R5为H、C1-C6烷基或环烷基，或RS，前提是以下条件中的至少一个适用：
n为2至5，R5为RS，或者q为2至5。
2.一种封装器件，其包括：
光伏电池；以及
复合膜，所述复合膜重叠所述光伏电池的至少一部分，所述复合膜还包括：
基底；
所述基底的主表面上的基础(共)聚合物层；
所述基础(共)聚合物层上的氧化物层；以及
所述氧化物层上的保护性(共)聚合物层，其中所述保护性(共)聚合物层包含下式的至少一种脲(多)-(甲基)丙烯酸酯(多)-硅烷前体化合物的反应产物：RS1-N(R4)-C(O)-N(H)-RA1，其中：
RS1为下式的含硅烷的基团：-R1d-Si(Yp)(R2)3-p，进一步地，其中：
R1d为二价亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团，所述亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团任选地包含一个或多个链中氧原子，
每个Y为可水解基团，
R2为一价烷基或芳基基团，并且
p为1、2或3；
R4为H、C1-C6烷基或C1-C6环烷基；并且
RA1为下式的含(甲基)丙烯酰基的基团：R11d-(A)，其中：
R11d为二价亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团，所述亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团任选地包含一个或多个链中氧原子，并且
A为包含下式的(甲基)丙烯酰基基团：X2-C(O)-C(R3)＝CH2，进一步地，其中：
X2为-O、-S或–NR3，并且
R3为H或C1-C4。
3.一种封装器件，其包括：
光伏电池；以及
复合膜，所述复合膜重叠所述光伏电池的至少一部分，所述复合膜还包括：
基底；
所述基底的主表面上的基础(共)聚合物层；
所述基础(共)聚合物层上的氧化物层；以及
所述氧化物层上的保护性(共)聚合物层，其中所述保护性(共)聚合物层包含下式的至少一种氨基甲酸酯(多)-(甲基)丙烯酸酯(多)-硅烷前体化合物的反应产物：RS-N(H)-C(O)-O-RA或RS-O-C(O)-N(H)-RA，其中：
RS为式-R1-[Si(Yp)(R2)3-p]q的含硅烷的基团，进一步地，其中：
R1为多价亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团，所述亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团任选地包含一个或多个链中氧原子，
每个Y为可水解基团，
R2为一价烷基或芳基基团；
p为1、2或3，并且
q为1-5；并且
RA为式R11-(A)n的含(甲基)丙烯酰基基团的基团，其中：
R11为多价亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团，所述亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团任选地包含一个或多个链中氧原子，
A为包含式X2-C(O)-C(R3)＝CH2的(甲基)丙烯酰基基团，进一步地，其中：
X2为-O、-S或–NR3，
R3为H或C1-C4，并且
n＝1至5。
4.一种封装器件，其包括：
光伏电池；以及
复合膜，所述复合膜重叠所述光伏电池的至少一部分，所述复合膜还包括：
基底；
所述基底的主表面上的基础(共)聚合物层；
所述基础(共)聚合物层上的氧化物层；以及
所述氧化物层上的保护性(共)聚合物层，其中所述保护性(共)聚合物层包含下式的至少一种脲(多)-氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-硅烷前体化合物的反应产物：RA-NH-C(O)-N(R4)-R11-[O-C(O)NH-RS]n，其中：
RA为式R11-(A)n的含(甲基)丙烯酰基的基团，进一步地，其中：
R11为多价亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团，所述亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团任选地包含一个或多个链中氧原子，
A为包含式X2-C(O)-C(R3)＝CH2的(甲基)丙烯酰基基团，另外其中：
X2为-O、-S或–NR3，
R3独立地为H或C1-C4，并且
n＝1至5；
R4为H、C1-C6烷基或C1-C6环烷基；
RS为式-R1-Si(Yp)(R2)3-p的含硅烷的基团，其中：
R1为多价亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团，所述亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团任选地包含一个或多个链中氧原子，
Y为可水解基团，
R2为一价烷基或芳基基团，并且
p为1、2或3。
5.一种封装器件，其包括：
光伏电池；以及
复合膜，所述复合膜重叠所述光伏电池的至少一部分，所述复合膜还包括：
复合膜，所述复合膜包括：
基底；
所述基底的主表面上的基础(共)聚合物层；
所述基础(共)聚合物层上的氧化物层；以及
所述氧化物层上的保护性(共)聚合物层，其中所述保护性(共)聚合物层包含下式的至少一种脲(多)-氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-硅烷前体化合物的反应产物：RS-NH-C(O)-N(R4)-R11-[O-C(O)NH-RA]n，其中：
RS为式-R1-Si(Yp)(R2)3-p的含硅烷的基团，其中：
R1为多价亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团，所述亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团任选地包含一个或多个链中氧原子，
Y为可水解基团，
R2为一价烷基或芳基基团，并且
p为1、2或3；
R4为H、C1-C6烷基或C1-C6环烷基；
RA为式R11-(A)n的含(甲基)丙烯酰基基团的基团，进一步地，其中：
R11为多价亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团，所述亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团任选地包含一个或多个链中氧原子，
A为式X2-C(O)-C(R3)＝CH2的含(甲基)丙烯酰基的基团，另外其中：
X2为-O、-S或–NR3，
R3独立地为H或C1-C4；并且
n＝1至5。
6.一种封装器件，其包括：
光伏电池；以及
复合膜，所述复合膜重叠所述光伏电池的至少一部分，所述复合膜还包括：
基底；
所述基底的主表面上的基础(共)聚合物层；
所述基础(共)聚合物层上的氧化物层；以及
所述氧化物层上的保护性(共)聚合物层，其中所述保护性(共)聚合物层包含下式的至少一种氨基甲酸酯(多)-(甲基)丙烯酸酯(多)-硅烷前体化合物的反应产物：RS-N(H)-C(O)-O-RA或RS-O-C(O)-N(H)-RA，其中：
RS为式-R1-[Si(Yp)(R2)3-p]q的含硅烷的基团，进一步地，其中：
R1为多价亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团，所述亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团任选地包含一个或多个链中氧原子，
每个Y为可水解基团，
R2为一价烷基或芳基基团；
p为1、2或3，并且
q为1-5；并且
RA为式R11-(A)n的含(甲基)丙烯酰基基团的基团，其中：
R11为多价亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团，所述亚烷基、亚芳基、亚烷芳基或亚芳烷基基团任选地包含一个或多个链中氧原子，
A为包含式X2-C(O)-C(R3)＝CH2的(甲基)丙烯酰基基团，
进一步地，其中：
X2为-O、-S或–NR3，
R3为H或C1-C4，并且
n＝1至5。
7.根据前述权利要求中任一项所述的封装器件，其中每个可水解基团Y独立地选自烷氧基基团、乙酸根基团、芳氧基基团和卤素。
8.根据权利要求7所述的封装器件，其中所述可水解基团Y的至少一些为烷氧基基团。
9.根据权利要求7所述的封装器件，其中所述可水解基团Y的至少一些为氯。
10.根据前述权利要求中任一项所述的封装器件，其还在所述基础(共)聚合物层上包括所述氧化物层和所述保护性(共)聚合物层的多个交替层。
11.根据前述权利要求中任一项所述的封装器件，其中所述基底包括柔性透明(共)聚合物膜，任选地其中所述基底包含聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、热稳定化PET、热稳定化PEN、聚甲醛、聚乙烯基萘、聚醚醚酮、氟(共)聚合物、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚α-甲基苯乙烯、聚砜、聚苯醚、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚酰胺酰亚胺、聚酰亚胺、聚邻苯二甲酰胺、或它们的组合。
12.根据前述权利要求中任一项所述的封装器件，其中所述基础(共)聚合物层包括(甲基)丙烯酸酯平滑层。
13.根据前述权利要求中任一项所述的封装器件，其中所述氧化物层包含如下物质的氧化物、氮化物、碳化物或硼化物，所述物质是来自IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、IB或IIB族的原子元素，IIIB、IVB或VB族的金属，稀土金属或它们的组合。
14.根据前述权利要求中任一项所述的封装器件，其还包括施加到所述保护性(共)聚合物层的氧化物层，任选地其中所述氧化物层包含硅铝氧化物。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109627977A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-04-16 | 乐凯华光印刷科技有限公司 | 一种有机/无机混合涂布液及其应用 |
| CN113402542A (zh) * | 2021-05-25 | 2021-09-17 | 吉林奥来德光电材料股份有限公司 | 一种封装薄膜用化合物、包含其的油墨组合物及薄膜封装结构 |
| CN113838974A (zh) * | 2021-09-24 | 2021-12-24 | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 | 相变存储器及其制备方法 |
| CN115148860A (zh) * | 2022-09-07 | 2022-10-04 | 华中科技大学 | 一种光伏组件的封装方法及光伏器件 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG11201500946SA (en) | 2012-08-08 | 2015-03-30 | 3M Innovative Properties Co | Articles including a (co)polymer reaction product of a urethane (multi)-(meth)acrylate (multi)-silane |
| US10522771B2 (en) | 2014-12-01 | 2019-12-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Composition, electronic device, and thin film transistor |
| KR102407114B1 (ko) | 2015-05-29 | 2022-06-08 | 삼성전자주식회사 | 절연액, 절연체, 박막 트랜지스터 및 전자 소자 |
| KR102380151B1 (ko) | 2015-08-31 | 2022-03-28 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터, 및 이를 포함하는 전자 장치 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005528250A (ja) * | 2002-04-30 | 2005-09-22 | ヴァイテックス システムズ インコーポレイテッド | バリアコーティング及びその製造方法 |
| WO2009126115A1 (en) * | 2008-04-09 | 2009-10-15 | Agency For Science, Technology And Research | Multilayer film for encapsulating oxygen and/or moisture sensitive electronic devices |
| JP2009246360A (ja) * | 2008-03-13 | 2009-10-22 | Nippon Shokubai Co Ltd | 太陽電池モジュール用バックシート |
| KR20110001334A (ko) * | 2009-06-30 | 2011-01-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
| WO2011093286A1 (ja) * | 2010-01-27 | 2011-08-04 | ダイセル化学工業株式会社 | ガスバリアフィルムとその製造方法、およびそれを用いたデバイス |
Family Cites Families (112)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3600216A (en) | 1968-09-06 | 1971-08-17 | Union Carbide Corp | Process for adhering poly-p-xylylene to substrates using silane primers and articles obtained thereby |
| US3748300A (en) * | 1971-07-02 | 1973-07-24 | Univ Sherbrooke | Polyhydroxysilicate-polymer reaction product |
| US4378250A (en) | 1981-07-31 | 1983-03-29 | Treadway Gerald D | Organosilicone coating compositions |
| US5097800A (en) | 1983-12-19 | 1992-03-24 | Spectrum Control, Inc. | High speed apparatus for forming capacitors |
| US4842893A (en) | 1983-12-19 | 1989-06-27 | Spectrum Control, Inc. | High speed process for coating substrates |
| US5032461A (en) | 1983-12-19 | 1991-07-16 | Spectrum Control, Inc. | Method of making a multi-layered article |
| US5018048A (en) | 1983-12-19 | 1991-05-21 | Spectrum Control, Inc. | Miniaturized monolithic multi-layer capacitor and apparatus and method for making |
| US5125138A (en) | 1983-12-19 | 1992-06-30 | Spectrum Control, Inc. | Miniaturized monolithic multi-layer capacitor and apparatus and method for making same |
| US4722515A (en) | 1984-11-06 | 1988-02-02 | Spectrum Control, Inc. | Atomizing device for vaporization |
| EP0242460A1 (en) | 1985-01-18 | 1987-10-28 | SPECTRUM CONTROL, INC. (a Pennsylvania corporation) | Monomer atomizer for vaporization |
| US4650889A (en) | 1985-11-29 | 1987-03-17 | Dow Corning Corporation | Silane coupling agents |
| JPS62249992A (ja) * | 1986-04-24 | 1987-10-30 | Nippon Kayaku Co Ltd | 新規なシリコンウレタン（メタ）アクリレ−ト，これを用いた樹脂組成物およびコ−テイング剤 |
| US4954371A (en) | 1986-06-23 | 1990-09-04 | Spectrum Control, Inc. | Flash evaporation of monomer fluids |
| JPH0653860B2 (ja) * | 1987-10-26 | 1994-07-20 | 昭和高分子株式会社 | プライマー |
| JPH0627162B2 (ja) | 1988-05-31 | 1994-04-13 | 信越化学工業株式会社 | 光硬化性オルガノポリシロキサン組成物 |
| JP2711456B2 (ja) | 1988-08-08 | 1998-02-10 | 鐘淵化学工業株式会社 | 硬化性樹脂及びその製造法 |
| JPH02133338A (ja) | 1988-11-11 | 1990-05-22 | Nippon Kayaku Co Ltd | 光学ガラスファイバ用コーテイング剤 |
| JPH02130139A (ja) | 1988-11-11 | 1990-05-18 | Unitika Ltd | 蒸着フィルム |
| US4983737A (en) | 1989-03-21 | 1991-01-08 | Ciba-Geigy Corporation | Ethylenically unsaturated compounds containing 1-hydrocarbyloxy-2,2,6,6-tetramethylpiperidine moieties, and polymers, copolymers and stabilized compositions |
| US5359069A (en) | 1989-03-21 | 1994-10-25 | Ciba-Geigy Corporation | Non-migrating 1-hydrocarbyloxy hindered amine derivatives as polymer stabilizers |
| DE4011044A1 (de) | 1990-04-05 | 1991-10-10 | Fraunhofer Ges Forschung | Silane, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung zur herstellung von polymerisaten und polykondensaten |
| JP2825736B2 (ja) | 1993-07-30 | 1998-11-18 | 京セラ株式会社 | 誘電体磁器組成物および半導体素子収容用パッケージ |
| US5384342A (en) | 1993-08-30 | 1995-01-24 | Dsm Desotech, Inc. | Vinyl ether urethane silanes |
| US5440446A (en) | 1993-10-04 | 1995-08-08 | Catalina Coatings, Inc. | Acrylate coating material |
| WO1995010117A1 (en) | 1993-10-04 | 1995-04-13 | Catalina Coatings, Inc. | Cross-linked acrylate coating material useful for forming capacitor dielectrics and oxygen barriers |
| US5888491A (en) * | 1993-12-06 | 1999-03-30 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Optionally crosslinkable coatings, compositions and methods of use |
| US5654084A (en) | 1994-07-22 | 1997-08-05 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Protective coatings for sensitive materials |
| US5696179A (en) | 1994-10-19 | 1997-12-09 | Dsm, N.V. | Silane oligomer and radiation curable coating composition containing the oligomer |
| US6083628A (en) | 1994-11-04 | 2000-07-04 | Sigma Laboratories Of Arizona, Inc. | Hybrid polymer film |
| US5770301A (en) * | 1995-03-14 | 1998-06-23 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | Barrier composite films and a method for producing the same |
| US5877895A (en) | 1995-03-20 | 1999-03-02 | Catalina Coatings, Inc. | Multicolor interference coating |
| GB9507910D0 (en) | 1995-04-13 | 1995-05-31 | Minnesota Mining & Mfg | Adhesion promotion of orthopaedic implants |
| EP0775735A4 (en) | 1995-05-11 | 1998-11-18 | Kanegafuchi Chemical Ind | HARDENABLE COMPOSITION FOR COVER COATING AND ITEM COATED WITH IT |
| US5866651A (en) | 1996-10-31 | 1999-02-02 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Hydroxycarbamoylalkoxysilane-based poly(ether-urethane) sealants having improved paint adhesion and laminates prepared therefrom |
| US6045864A (en) | 1997-12-01 | 2000-04-04 | 3M Innovative Properties Company | Vapor coating method |
| JP2002514004A (ja) | 1998-05-01 | 2002-05-14 | セシュー ビー デス | 化学蒸着によって堆積された酸化物／有機ポリマー多層薄膜 |
| DE69915466T2 (de) | 1998-05-05 | 2005-01-20 | Massachusetts Institute Of Technology, Cambridge | Lichtemittierende polymere und vorrichtungen, die diese enthalten |
| US6335479B1 (en) | 1998-10-13 | 2002-01-01 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Protective sheet for solar battery module, method of fabricating the same and solar battery module |
| CA2353506A1 (en) | 1998-11-02 | 2000-05-11 | 3M Innovative Properties Company | Transparent conductive oxides for plastic flat panel displays |
| US6268695B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-07-31 | Battelle Memorial Institute | Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making |
| US6503564B1 (en) | 1999-02-26 | 2003-01-07 | 3M Innovative Properties Company | Method of coating microstructured substrates with polymeric layer(s), allowing preservation of surface feature profile |
| US6169140B1 (en) | 1999-04-28 | 2001-01-02 | Bayer Corporation | Moisture-curable compositions containing polyisocyanates and polyacrylates having alkoxysilane groups |
| EP1216280B1 (en) | 1999-09-30 | 2004-03-31 | Basf Corporation | Carbamate-functional resins having improved adhesion, method of making the same, and method of improving intercoat adhesion |
| US6413645B1 (en) | 2000-04-20 | 2002-07-02 | Battelle Memorial Institute | Ultrabarrier substrates |
| US6866901B2 (en) | 1999-10-25 | 2005-03-15 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
| US6573652B1 (en) | 1999-10-25 | 2003-06-03 | Battelle Memorial Institute | Encapsulated display devices |
| US6548912B1 (en) | 1999-10-25 | 2003-04-15 | Battelle Memorial Institute | Semicoductor passivation using barrier coatings |
| JP4505698B2 (ja) | 2000-01-17 | 2010-07-21 | 日油株式会社 | ビニル基含有アルコキシアミン、その用途および製造方法 |
| FR2806076B1 (fr) | 2000-03-08 | 2002-09-20 | Saint Gobain Vitrage | Substrat transparent revetu d'une couche polymere |
| JP2001284610A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 太陽電池モジュ−ル用保護シ−トおよびそれを使用した太陽電池モジュ−ル |
| WO2001098393A1 (en) | 2000-06-22 | 2001-12-27 | Basf Corporation | Coating compositions having improved adhesion to aluminum substrates |
| US20020090901A1 (en) | 2000-11-03 | 2002-07-11 | 3M Innovative Properties Company | Flexible abrasive product and method of making and using the same |
| EP1384571B1 (en) | 2001-04-09 | 2008-12-10 | Toppan Printing Co., Ltd. | Laminated body |
| WO2002102812A1 (en) | 2001-06-13 | 2002-12-27 | Konishi Co., Ltd. | Unsaturated organic compounds having hydrolyzable silicon-containing groups, process for producing the same, silicon-containing polymers and emulsions thereof |
| US7068902B2 (en) | 2001-08-17 | 2006-06-27 | Alcatel | Radiation-curable coating composition for optical fibers comprising all-in-one oligomeric system |
| KR100905478B1 (ko) | 2001-10-05 | 2009-07-02 | 가부시키가이샤 브리지스톤 | 투명 전도성 필름 및 터치패널 |
| DE10201703A1 (de) | 2002-01-17 | 2003-08-07 | Consortium Elektrochem Ind | Alkoxysilanterminierte Polymere enthaltende vernetzbare Polymerabmischungen |
| JP3313360B1 (ja) | 2002-02-14 | 2002-08-12 | コニシ株式会社 | 硬化性樹脂組成物とその製造方法並びにそれを用いた接着方法 |
| DE10213036A1 (de) | 2002-03-22 | 2003-10-02 | Clariant Gmbh | Kunststofffolie mit Mehrschicht-Interferenzbeschichtung |
| US6835950B2 (en) | 2002-04-12 | 2004-12-28 | Universal Display Corporation | Organic electronic devices with pressure sensitive adhesive layer |
| JP4076378B2 (ja) | 2002-06-28 | 2008-04-16 | コニシ株式会社 | 硬化性樹脂組成物とその製造方法並びにそれを用いた接着方法 |
| US7215473B2 (en) | 2002-08-17 | 2007-05-08 | 3M Innovative Properties Company | Enhanced heat mirror films |
| US20040185269A1 (en) * | 2003-03-18 | 2004-09-23 | Loper Scott W. | Scratch and mar resistant low VOC coating composition |
| US7018713B2 (en) | 2003-04-02 | 2006-03-28 | 3M Innovative Properties Company | Flexible high-temperature ultrabarrier |
| WO2005007751A1 (ja) | 2003-07-18 | 2005-01-27 | Konishi Co., Ltd. | 硬化性樹脂組成物及び常温硬化接着剤 |
| JP2005122147A (ja) | 2003-09-24 | 2005-05-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 反射防止フィルム、その製造方法、偏光板および画像表示装置 |
| DE10349766A1 (de) | 2003-10-24 | 2005-06-16 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Kieselsäurepolykondensate mit verzweigtkettigen, urethan-, säureamid- und/oder carbonsäureestergruppenhaltigen Resten |
| US7122398B1 (en) * | 2004-03-25 | 2006-10-17 | Nanosolar, Inc. | Manufacturing of optoelectronic devices |
| DE102004024429A1 (de) | 2004-05-14 | 2005-12-08 | Röhm GmbH & Co. KG | Formkörper, enthaltend eine Polymermischung aus schlagzähmodifizierten Poly(meth)-acrylat und Fluorpolymer |
| US20060063015A1 (en) * | 2004-09-23 | 2006-03-23 | 3M Innovative Properties Company | Protected polymeric film |
| WO2006109496A1 (ja) | 2005-04-06 | 2006-10-19 | Jsr Corporation | 放射線硬化性樹脂組成物及び反射防止膜 |
| US20060251901A1 (en) * | 2005-05-09 | 2006-11-09 | Armstrong Sean E | Curable composition and substrates possessing protective layer obtained therefrom |
| US9487631B2 (en) * | 2005-05-21 | 2016-11-08 | University Of Durham | Surface active polymeric systems |
| WO2006132180A1 (ja) | 2005-06-09 | 2006-12-14 | Jsr Corporation | 反射防止積層体 |
| US7781493B2 (en) * | 2005-06-20 | 2010-08-24 | Dow Global Technologies Inc. | Protective coating for window glass |
| US20070020451A1 (en) | 2005-07-20 | 2007-01-25 | 3M Innovative Properties Company | Moisture barrier coatings |
| KR20080101936A (ko) | 2006-01-26 | 2008-11-21 | 시카 테크놀러지 아게 | 우수한 접착성을 갖는 실란 작용기성 폴리머를 함유하는 습기 경화형 조성물 |
| EP1849845A1 (de) | 2006-04-26 | 2007-10-31 | Sika Technology AG | Feuchtigkeitshärtende Zusammensetzungen enthaltend silanfunktionelle Polymere und Aminosilan-Addukte |
| US7615283B2 (en) | 2006-06-13 | 2009-11-10 | 3M Innovative Properties Company | Fluoro(meth)acrylate polymer composition suitable for low index layer of antireflective film |
| EP2048195B1 (en) | 2006-06-20 | 2012-05-02 | Nof Corporation | Inorganic-organic hybrid composition and use thereof |
| JP5426387B2 (ja) | 2006-10-04 | 2014-02-26 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 多層ポリウレタン保護フィルムの製造方法 |
| JP2008111025A (ja) | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Nof Corp | ガスバリヤー材およびガスバリヤー性包装用フィルム |
| KR101274699B1 (ko) | 2006-12-22 | 2013-06-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| US8241713B2 (en) | 2007-02-21 | 2012-08-14 | 3M Innovative Properties Company | Moisture barrier coatings for organic light emitting diode devices |
| WO2008122292A1 (en) | 2007-04-04 | 2008-10-16 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) | Diffusion-barrier coating for protection of moisture and oxygen sensitive devices |
| JP5469837B2 (ja) | 2007-09-12 | 2014-04-16 | 富士フイルム株式会社 | 親水性組成物 |
| JP5344843B2 (ja) | 2008-03-31 | 2013-11-20 | 富士フイルム株式会社 | 重合性組成物および固体撮像素子 |
| KR100929547B1 (ko) | 2008-04-28 | 2009-12-03 | 한국과학기술원 | 올리고실록산 하이브리드 코팅을 이용한 가스 차단막 |
| JP5326341B2 (ja) * | 2008-04-28 | 2013-10-30 | 凸版印刷株式会社 | ガスバリア性積層フィルム |
| WO2010002755A2 (en) | 2008-06-30 | 2010-01-07 | 3M Innovative Properties Company | Method of making inorganic or inorganic/organic hybrid barrier films |
| JP2010023234A (ja) | 2008-07-15 | 2010-02-04 | Jsr Corp | 積層フィルムおよびその製造方法 |
| JP2010044981A (ja) | 2008-08-15 | 2010-02-25 | Fujifilm Corp | 表示装置 |
| JP5577635B2 (ja) * | 2008-10-09 | 2014-08-27 | 日立化成株式会社 | 接着剤組成物、回路接続用接着剤及び回路接続体 |
| JP5579072B2 (ja) | 2008-10-15 | 2014-08-27 | 関西ペイント株式会社 | 重合性官能基を有するシルセスキオキサン化合物 |
| US20110223434A1 (en) * | 2008-11-17 | 2011-09-15 | Roehrig Mark A | Gradient composition barrier |
| JP5713528B2 (ja) | 2008-11-18 | 2015-05-07 | 三菱化学株式会社 | 活性エネルギー線硬化性樹脂組成物、ハードコート用硬化膜及び積層体 |
| JP2010189294A (ja) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 光重合性官能基含有有機ケイ素化合物及びその製造方法 |
| JP5366854B2 (ja) | 2009-02-19 | 2013-12-11 | 三菱レイヨン株式会社 | （メタ）アクリル酸エステル |
| KR101761327B1 (ko) | 2009-06-02 | 2017-07-25 | 에이전시 포 사이언스, 테크놀로지 앤드 리서치 | 다층 장벽 필름 |
| JP5316348B2 (ja) * | 2009-10-06 | 2013-10-16 | 信越化学工業株式会社 | 光硬化性コーティング剤組成物及びその硬化皮膜を有する物品 |
| CN102712730B (zh) | 2010-01-14 | 2014-03-26 | 关西涂料株式会社 | 活性能量射线固化的组合物及涂装物品 |
| US8129205B2 (en) | 2010-01-25 | 2012-03-06 | Micron Technology, Inc. | Solid state lighting devices and associated methods of manufacturing |
| CN102763027A (zh) | 2010-02-17 | 2012-10-31 | 福美化学工业株式会社 | 显示面板用透明保护板和显示装置 |
| CN102892518B (zh) | 2010-04-14 | 2014-10-01 | 关西涂料株式会社 | 用于形成多层涂膜的方法和涂覆物品 |
| US9254506B2 (en) | 2010-07-02 | 2016-02-09 | 3M Innovative Properties Company | Moisture resistant coating for barrier films |
| KR101913870B1 (ko) * | 2010-07-02 | 2018-10-31 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 배리어 조립체 |
| JP4734468B1 (ja) | 2010-09-13 | 2011-07-27 | 日本発條株式会社 | 太陽電池モジュール用基材及びその製造方法 |
| KR101904558B1 (ko) | 2010-12-01 | 2018-10-04 | 도요보 가부시키가이샤 | 적층 필름 |
| US20130323519A1 (en) | 2011-01-31 | 2013-12-05 | 3M Innovative Properties Company | Coatings for barrier films and methods of making and using the same |
| US20130302627A1 (en) | 2011-01-31 | 2013-11-14 | 3M Innovative Properties Company | Vapor-deposited coating for barrier films and methods of making and using the same |
| JP6045096B2 (ja) | 2011-07-13 | 2016-12-14 | 関西ペイント株式会社 | 積層体及び積層体の製造方法 |
| SG11201500946SA (en) | 2012-08-08 | 2015-03-30 | 3M Innovative Properties Co | Articles including a (co)polymer reaction product of a urethane (multi)-(meth)acrylate (multi)-silane |
-
2013
- 2013-03-01 SG SG11201500952VA patent/SG11201500952VA/en unknown
- 2013-03-01 EP EP13828752.9A patent/EP2883248B1/en active Active
- 2013-03-01 JP JP2015526515A patent/JP6276266B2/ja active Active
- 2013-03-01 CN CN201380042036.XA patent/CN104798211B/zh active Active
- 2013-03-01 WO PCT/US2013/028499 patent/WO2014025383A1/en active Application Filing
- 2013-03-01 US US14/419,534 patent/US20150221797A1/en not_active Abandoned
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-
2018
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005528250A (ja) * | 2002-04-30 | 2005-09-22 | ヴァイテックス システムズ インコーポレイテッド | バリアコーティング及びその製造方法 |
| JP2009246360A (ja) * | 2008-03-13 | 2009-10-22 | Nippon Shokubai Co Ltd | 太陽電池モジュール用バックシート |
| WO2009126115A1 (en) * | 2008-04-09 | 2009-10-15 | Agency For Science, Technology And Research | Multilayer film for encapsulating oxygen and/or moisture sensitive electronic devices |
| KR20110001334A (ko) * | 2009-06-30 | 2011-01-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
| WO2011093286A1 (ja) * | 2010-01-27 | 2011-08-04 | ダイセル化学工業株式会社 | ガスバリアフィルムとその製造方法、およびそれを用いたデバイス |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109627977A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-04-16 | 乐凯华光印刷科技有限公司 | 一种有机/无机混合涂布液及其应用 |
| CN109627977B (zh) * | 2018-11-30 | 2021-10-01 | 乐凯华光印刷科技有限公司 | 一种有机/无机混合涂布液及其应用 |
| CN113402542A (zh) * | 2021-05-25 | 2021-09-17 | 吉林奥来德光电材料股份有限公司 | 一种封装薄膜用化合物、包含其的油墨组合物及薄膜封装结构 |
| CN113838974A (zh) * | 2021-09-24 | 2021-12-24 | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 | 相变存储器及其制备方法 |
| CN115148860A (zh) * | 2022-09-07 | 2022-10-04 | 华中科技大学 | 一种光伏组件的封装方法及光伏器件 |
Also Published As
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