TWI602255B - 基板吸附台、基板處理裝置、基板處理方法 - Google Patents

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Description

基板吸附台、基板處理裝置、基板處理方法
本發明係關於對基板施以液體處理時所使用的基板吸附台、基板處理裝置及基板處理方法。
例如在電力元件(power device)等的晶圓製程中，在FZ晶圓的表面形成電晶體，繼之研磨晶圓背面，在研磨後的背面注入離子或形成金屬電極膜。當晶圓經過研磨後的結果晶圓的厚度薄到例如100μm以下時，晶圓會有數mm的翹曲，而無法於離子注入裝置等中運送。
為了抑制晶圓的翹曲，而有保留晶圓外周側數mm僅挖空晶圓內側的方法。維持厚度的外周側部分稱之為環部。最後必須將環部從晶圓切下。為了切下環部，而有利用水柱雷射的方法。所謂的水柱雷射就是導入直徑數十μm高壓水柱中的YAG雷射光。在水柱雷射所用的水中混入了研磨屑。當研磨屑附著在晶圓時，即成為異物或斑的原因而使得良品產率下降。另外，像這樣的水流入平台和晶圓背面之間時，會使得晶圓不脫離平台而使晶圓破裂。
專利文獻1中，揭露了將基板真空吸附的基板吸 附台。
【先行技術文獻】
【專利文獻】
專利文獻1：日本特開2014-086638號公報
對基板施以液體處理的情況下，應該使得液體不會進入基板背面側。因此，考慮將基板以600轉/分以上的旋轉數旋轉，利用離心力將液體甩到外部。但是，水柱雷射的掃描速度為數百mm/秒以下，所以晶圓直徑為200mm時換算成旋轉數的話，係為數十回/分左右。因此，在利用水柱雷射的液體處理中，無法使基板以高速旋轉。不僅是在利用水中雷射的情況下，需要有使得液體不進入基板背面側同時能執行液體處理的技術。
本發明係為了解決上述問題，其目的在於提供使得液體不進入基板背面側同時能執行液體處理的基板吸附台、基板處理裝置及基板處理方法。
本案發明之基板吸附台包括：基板支持部，其具有上面，於內部形成空洞，形成從該空洞到該上面的噴出孔，並形成將該噴出孔和該上面連結的吸附孔；及氣體供給部，將氣體供給至該空洞中；於平面觀看時，該噴出孔包圍該吸附孔；當氣體被供給至該空洞時，該吸附孔的氣體透過該噴出孔被放出至外部。
本案發明的基板處理裝置包括：基板吸附台，其包含：基板支持部，其具有上面，於內部形成空洞，形成從該空 洞到該上面的噴出孔，並形成將該噴出孔和該上面連結的吸附孔；及氣體供給部，將氣體供給至該空洞中；於平面觀看時，該噴出孔包圍該吸附孔；當氣體被供給至該空洞時，該吸附孔的氣體透過該噴出孔被放出至外部；及液體處理裝置，其對該基板吸附台上的基板施以液體處理。
基板處理方法，其包括：將基板載置於基板支持部的上面的步驟；及將氣體從一個氣體供給部供給至該基板支持部內的空洞，藉此使氣體從與該空洞相連接的噴出孔吹到該基板的背面外周部，並且，將氣體從連接該基板支持部的上面和該噴出孔的吸附孔放出使得該基板吸附於該基板支持部的狀態下，對該基板施以液體處理的步驟。
本發明其他特徵明記如後。
依據本發明，藉由一個氣體供給部，能將基板真空吸附於基板支持部，並且將氣體吹到基板的背面外周部，因此，能夠在不使液體進入基板的背面側的同時執行液體處理。
1‧‧‧基板支持部
1A‧‧‧第1部分
1B‧‧‧第2部分
1C‧‧‧上面
1a‧‧‧第1上面
1b‧‧‧第2上面
1c‧‧‧空洞
1d‧‧‧噴出孔
1e‧‧‧吸附孔
5‧‧‧伺服馬達
10‧‧‧氣體供給部
20‧‧‧液體處理裝置
23‧‧‧雷射部
30‧‧‧基板
第1圖為實施形態1的基板吸附台之剖面圖。
第2圖為基板支持部的平面圖。
第3圖為基板支持部之一部分的平面圖。
第4圖為基板支持部的剖面圖。
第5圖為顯示基板處理裝置之圖。
第6圖為顯示將基板設置於基板處理裝置之圖。
第7圖為顯示將基板吸附於基板吸附台之圖。
第8圖為顯示基板的切斷方法之圖。
第9圖為顯示基板的清洗處理之圖。
第10圖為實施形態2之基板支持部的一部份之平面圖。
第11圖為顯示氣體流動之圖。
第12圖為顯示實施形態1之氣體流動的圖。
第13圖為實施形態3的氣體吸附平台之剖面圖。
第14圖為基板支持部的平面圖。
第15圖為第2部分等的平面圖。
第16圖為基板支持部的剖面圖。
第17圖為顯示氣體流動的圖。
參照圖式說明本發明實施形態之基板吸附台、基板處理裝置及基板處理方法。其中對於相同或對應之構成元件標示以相同的符號，並有時省略重複的說明。
實施形態1
第1圖為實施形態1的基板吸附台之剖面圖。基板吸附台具有支撐基板的基板支持部1。基板支持部1具有上面1C。上面1C則包括：第1上面1a、形成為較第1上面1a低的第2上面1b。於基板支持部1的內部形成空洞1c。空洞1c位於基板支持部1之略中央處。
基板支持部1上，形成了從空洞1c到面1C的噴出孔1d、以及連結噴出孔1d和上面1C的吸附孔1e。噴出孔1d與空洞1c連結，並且與第1上面1a和第2上面1b的高低 差部分連結。吸附孔1e形成於第1上面1a。吸附孔1e提供將基板支持部1的上面1C和噴出孔1d連結的流路。剖面觀看時，吸附孔1e係形成為斜向。
基板支持部1具有第1部分1A和第2部分1B。第1部分1A為形成了第1上面1a和吸附孔1e的部分。第2部分1B為具有第2上面1b的部分。第2部分1B的大部分位於第1部分1A之下。由第1部分1A的下面和第2部分1B的上面決定噴出孔1d的形狀。
第2圖為基板支持部1的平面圖。第2上面1b包圍第1上面1a。在基板支持部1的中央部形成複數個吸附孔1e。噴出孔1d係於第1上面1a和第2上面1b的交界處形成為環狀。於平面觀看時，噴出孔1d包圍吸附孔1e。第1部分1A係藉由螺絲2固定在第2部分1B。
第3圖為顯示第1部分1A的一部分、及第2部分1B的平面圖。噴出孔1d的底面形成於第2部分1B。第3圖中標示陰影線的區域係表示噴出孔1d的流路。藉由向遠離空洞1c的方向延伸的8條溝1f、以及與這些溝1f連結的環狀區域而確保此流路。第1部分1A的一部分與第2部分1B接觸，藉此形成窄幅的溝1f。
在第1部分1A和第2部分1B上形成螺孔1g。將前述的螺絲2固定於螺孔1g。第1圖的基板支持部1為第2圖的虛線處的剖面圖。第2、3圖的虛線表示相同位置。此虛線為通過包含溝1f之部分的線。
第4圖為第2圖的一點鏈線處之剖面圖。一點鏈 線為通過沒有溝1f的部分的線。在沒有形成溝1f的部分，第3圖所示之第1部分1A填充在空洞1c和噴出孔1d之間，所以，空洞1c和噴出孔1d沒有連結。另外，第2、3圖的一點鏈線係表示相同。
回到第1圖的說明。在基板支持部1下設有平台旋轉軸3。平台旋轉軸3為藉由伺服馬達5而旋轉的部分。平台旋轉軸3中為空洞3a。此空洞3a與基板支持部1的空洞1c相連結。平台旋轉軸3被固定筒9所包圍。固定筒9具有：上部軸承陪林(bearing)6、下部軸承陪林(bearing)7及旋轉密封圈8。上部軸承陪林(bearing)6和下部軸承陪林(bearing)7為支撐旋轉的平台旋轉軸3之元件。旋轉密封圈8藉由O型環8a和平台旋轉軸3相接。
空洞3a透過設置於平台旋轉軸3和固定筒9側面的孔、以及閥門11與氣體供給部10連結。氣體供給部10將例如惰性氣體等的氣體加壓並供給至空洞3a、1c中。
第5圖為具有上述基板吸附台之基板處理裝置的剖面圖。基板處理裝置具有對基板吸附台上的基板施以液體處理的液體處理裝置20。液體處理裝置20包括：將液體供給至基板的液體供給部26、及雷射部23(將雷射光供給至液體中的YAG雷射振盪器)。雷射光通過光纖25到達水柱混合噴嘴29，液體通過高壓用配管27而到達水柱混合噴嘴29。
另外，為因應以在晶圓外周部有厚環部的挖空晶圓為液體處理對象的情況，設有承接該環部環部座21。環部座21的上面位於較基板支持部1的上面1C低的位置。
繼之，說明使用第5圖所示基板處理裝置的基板處理方法。首先，將基板載置於基板支持部1的第1上面1a。圖6為顯示將基板30載置於基板支持部1的第1上面1a之圖。基板30為，將晶圓的中央部挖空，藉此形成中央部薄而外周部厚的挖空晶圓。外周部的厚部分為環部30a。將薄的中央部載置於第1上面1a，將環部30a載置於環部座21。
繼之，打開閥門11。第7圖為，用箭頭表示將閥門11打開而產生的氣流之圖。當閥門11打開時，加壓後的氣體從氣體供給部10供給至平台旋轉軸3內的空洞3a和基板支持部1的空洞1c。繼之，產生通過作為噴出孔1d一部分的第3圖的溝1f之氣流。從空洞1c到溝1f的截面積漸漸變窄，所以流速增加而產生文土里效應(Venturi Effect)。藉此，在吸附孔1e產生真空，而將基板30吸附到第1上面1a。換言之，當加壓後的氣體供給至空洞1c時，吸附孔1e的氣體經由噴出孔1d而放出到外部。通過噴出孔1d的加壓氣體朝向基板30的背面外周部放出。
像這樣，維持著將基板30吸附在第1上面1a，並將氣體吹向基板30的背面外周部的狀態，同時將基板30切斷。第8圖為說明基板之切斷的圖。將高壓水28從液體供給部26供給至水柱混合噴嘴29。另外，將雷射光從雷射部23通過光纖25而供給至水柱混合噴嘴29。將直徑數十μm的水柱從水柱混合噴嘴29對著基板30的上面噴洗，藉由進入該水柱中的雷射光將基板30切斷。
此時，氣體以放射狀的方式從噴出孔1d吹向基板30的背面外周部，所以，能夠防止含有雷射屑的水31侵入基 板30的背面。為了進行基板30的切斷，藉由例如X-Y平台，使得基板支持部1、伺服馬達5、環部座21一體旋轉。基板30移動的速度為例如數百mm/秒以下。如此一來，藉由將基板30旋轉，將環部30a從基板30切下。
第9圖為說明環部切斷後的動作之圖。當環部30a的切斷完成時，將環部座21降下。繼之，開始清洗程序。如第9圖所示，清洗程序係在將加壓氣體從氣體供給部10供給到空洞3a、1c的狀態下進行。在此狀態下，藉由液體洗去含有附著在基板30表面的雷射屑的水31。具體言之，將清洗液35從清洗液供給部32供給至基板30的上面，藉由伺服馬達5以500旋轉/分以上的旋轉數使基板支持部1旋轉。如此一來，能夠使得基板30上的水31藉由離心力甩開。在適當的時間點關閉閥門33，使得所有的清洗液35都藉由離心力甩開。再者，基板支持部1的旋轉方向係以箭頭37表示。
因為已藉由旋轉密封圈8和O型環8a將平台旋轉軸3的空洞3a密封，所以能夠在平台旋轉軸3的旋轉中將加壓氣體從氣體供給部10供給至空洞1c。因此，能夠將氣體吹到基板30的背面外周部，同時使得離心力作用在基板30上，因此能夠防止水31侵入基板30的背面側。
像這樣，僅以1個氣體供給部10所產生的1系統的加壓氣體流，就能夠產生用於基板吸附的真空、並將氣體吹到基板的背面外周部。因此，不需要真空生成用及氣體吹出用的2系統的氣流。在液體處理中，將氣體吹向基板30的背面外周部，並將液體供給至基板30的上面，因此能夠防止液體 流到基板的背面側。因此，能夠防止弄濕基板30的背面、弄濕基板30的背面而產生斑、以及弄濕基板支持部1的上面1C。
依據本發明的實施形態1的構成，不需要為了防止液體流入基板背面，而將基板高速旋轉。因此，能夠在基板支持部1停止或低速旋轉的狀態下，對基板的上面施以液體處理。在實施形態1中，係採用水柱雷射切斷加工做為液體處理。採用實施形態1的基板吸附台時，將環部座21和第1圖所示基板吸附台分離設置，藉此能夠防止基板處理裝置變成複雜的構造。
實施形態1之發明中的重點為，藉由將氣體從1個氣體供給部10供給到基板吸附台內的空洞1c，使得在將氣體從噴出孔1d吹到基板30的背面外周部的同時，將氣體從吸附孔1e吸出而將基板30吸附到基板吸附台的狀態下，對基板30施以液體處理。上述的基板吸附台、基板處理裝置及基板處理方法在維持此特徵的前提下，可以進行各種的變形。例如，實施形態1中雖已說明將水沖到基板表面同時以雷射光切斷基板的液體處理，但只要是使用液體的處理即可，也可以進行其他的處理。也可以將挖空晶圓以外的基板作為處理對象。依據液體處理的內容，也可以省略用以將基板支持部旋轉的元件。
這些變形可適當應用於後述實施形態的基板吸附台、基板處理裝置及基板處理方法。另外，以下的實施形態之基板吸附台、基板處理裝置及基板處理方法和實施形態1有很多共通點，所以在此以和實施形態1不同之處做為中心進行說明。
實施形態2
第10圖為實施形態2的第2部分1B之平面圖。於平面觀 看時，基板支持部1的第2部分1B形成為圓形。第10圖的第2部分1B，其溝1i的形狀和第3圖的溝1f相異。溝1i在靠近空洞1c的區域是直線的，但在遠離空洞1c的區域則形成為曲線。藉由此曲線的部分，能夠使得從噴出孔1d噴出之氣流，有向第2部分1B的外緣的切線方向行進之分量。
第11圖為，以箭頭顯示將加壓氣體供給至空洞1c時，噴出孔1d內外的氣體流動之圖。箭頭46的方向表示從噴出孔1d噴出之氣體的進行方向，箭頭46的長度則表示氣體的速度。再者，曲線46a表示從噴出孔1d噴出之氣體的速度。從噴出孔1d到曲線46a的距離表示在該位置之氣體的速度。從噴出孔1d到曲線46a的距離在哪個地方都大略是一樣的，所以可得知大略均一流速地氣體吹到基板的背面外周部。
相對於此，以實施形態1的第2部分1B的溝形狀，無法以放射狀的方式幾乎均等地將氣體吹出。第12圖係為以箭頭表示採用實施形態1之溝形狀時的氣體進行方向的圖。箭頭45的方向表示從噴出孔1d噴出之氣體的進行方向，箭頭45的長度表示吹出氣體的速度。曲線45a表示從噴出孔1d噴出之氣體的速度。由曲線45a可以得知，氣體的速度會隨著氣體的流動方向而改變。在被吹出氣流強的位置45b所夾住的位置45c，產生空洞1c方向的氣流。像這樣，從噴出孔1d噴出之氣體的速度不均時，液體有可能會流入基板背面的特定位置。
但是，如同參照第11圖所說明的那樣，藉由設置曲線的溝1f，能夠將大致均一流量的氣體吹到基板的背面外周部全體。藉此，能夠提高防止液體進入基板的背面外周部的效果。
能夠適當改變實施形態2的溝1f之形狀。噴出孔1d可以為任何形狀，只要能夠將氣體以對於基板支持部1的外緣切線之角度小於90°的角度吹出即可。
實施形態3
第13圖為實施形態3的基板吸附台之剖面圖。基板支持部1的第1部分1A具有分隔板50。分隔板50下為噴出孔1d的一部分，在分隔板50上則有吸附孔1e。吸附孔1e由後述構成：和連結於噴出孔1d的噴出孔1d平行延伸的平行流路1k、及連接平行流路1k和基板支持部1的上面1C的連接流路1j。平行流路1k上有空洞1c側的區域、及基板支持部1的外緣側的區域。外緣側的區域與噴出孔1d連結，空洞1c側的區域則與連接流路1j連結。
第14圖為實施形態3的基板吸附台之平面圖。第14圖的虛線處之剖面圖為第13圖。第15圖為實施形態3的第2部分1B和分隔板50的平面圖。藉由分隔板50形成溝50a，此溝50a為噴出孔1d的一部分。第16圖為第14圖的一點鏈線處的剖面圖。將分隔板50做得厚一些，以將空洞1c和噴出孔1d之間的空間填滿。另外，第14圖、第15圖的虛線和一點鏈線表示相同位置。
第17圖為用箭頭表示實施形態3的基板支持部1的內部之氣體流動的圖。使連接流路1j和平行流路1k的空洞1c側的部分連結，藉此可以提高吸附孔1e的真空度。使基板密接於基板支持部1，藉此可以防止在基板旋轉中基板浮起而使基板破裂的狀況發生。
在剖面觀看時，實施形態1的吸附孔1e形成為斜向，所以有可能會有通過噴出孔1d的氣體進入吸附孔1e的「逆流」產生，而使基板的吸附力不穩定的情況發生。相對於此，本發明的實施形態3之基板吸附台中，因為有噴出孔1d和平行流路1k平行延伸的部分，所以能夠防止氣體進入吸附孔1e。
再者，亦可將上述各實施形態的技術特徵適當地組合，以提高本發明的效果。
1‧‧‧基板支持部
1A‧‧‧第1部分
1B‧‧‧第2部分
1C‧‧‧上面
1a‧‧‧第1上面
1b‧‧‧第2上面
1c‧‧‧空洞
1d‧‧‧噴出孔
1e‧‧‧吸附孔
3‧‧‧平台旋轉軸
3a‧‧‧空洞
5‧‧‧伺服馬達
6‧‧‧上部軸承陪林
7‧‧‧下部軸承陪林
8‧‧‧旋轉密封圈
8a‧‧‧O型環
9‧‧‧固定筒
10‧‧‧氣體供給部
11‧‧‧閥門

Claims (10)

  1. 一種基板吸附台，包括：基板支持部，其具有上面，於內部形成空洞，形成從該空洞到該上面的噴出孔，並形成將該噴出孔和該上面連結的吸附孔；及氣體供給部，將氣體供給至該空洞中；於平面觀看時，該噴出孔包圍該吸附孔；當氣體被供給至該空洞時，該吸附孔的氣體透過該噴出孔被放出至外部。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基板吸附台，於剖面觀看時，該吸附孔形成為斜向。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之基板吸附台，其中該基板支持部的該上面具有：形成該吸附孔的第1上面、及形成為包圍該第1上面並較該第1上面低的第2上面；該噴出孔連結該第1上面及該第2上面的高低差部分。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之基板吸附台，其中於平面觀看時，該基板支持部形成為圓形，該噴出孔形成為，以相對於該基板支持部外緣的切線之角度未達90°的角度將氣體吹出。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所述之基板吸附台，其中形成與該噴出孔連接並與該噴出孔平行延伸的平行流路、以及連結該平行流路和該基板支持部的上面之連接流路，以作為該吸附孔；該平行流路中具有該空洞側的區域、及該基板支持部的外 緣側的區域，該外緣側的區域與該噴出孔連接，該空洞側的區域與該連接流路連接。
  6. 一種基板處理裝置，包括：基板吸附台，其包含：基板支持部，其具有上面，於內部形成空洞，形成從該空洞到該上面的噴出孔，並形成將該噴出孔和該上面連結的吸附孔；及氣體供給部，將氣體供給至該空洞中；於平面觀看時，該噴出孔包圍該吸附孔；當氣體被供給至該空洞時，該吸附孔的氣體透過該噴出孔被放出至外部；及液體處理裝置，其對該基板吸附台上的基板施以液體處理。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之基板處理裝置，其中該液體處理裝置包括：將液體供給至基板的液體供給部、及將雷射光提供至該液體中的雷射部。
  8. 一種基板處理方法，包括：將基板載置於基板支持部的上面的步驟；及將氣體從一個氣體供給部供給至該基板支持部內的空洞，藉此使氣體從與該空洞相連接的噴出孔吹到該基板的背面外周部，並且，將氣體從連接該基板支持部的上面和該噴出孔的吸附孔放出使得該基板吸附於該基板支持部的狀態下，對該基板施以液體處理的步驟。
  9. 如申請專利範圍第8所述的基板處理方法，其中於平面觀看時，該基板支持部的上面形成為圓形，以相對於該基板支持部的上面的外緣的切線之角度未達90°的角度，將氣體從該噴出孔吹出，藉此，將氣體吹到該基 板的背面外周部全體。
  10. 如申請專利範圍第8或9所述的基板處理方法，該液體處理係使水觸及該基板的表面同時用雷射光切斷該基板。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6916718B2 (ja) * 2017-11-15 2021-08-11 東レエンジニアリング株式会社 レーザ加工装置
JP6946167B2 (ja) * 2017-12-21 2021-10-06 日本特殊陶業株式会社 基板保持部材
KR102376434B1 (ko) * 2018-01-17 2022-03-22 삼성디스플레이 주식회사 레이저 장치
CN112136362A (zh) * 2018-05-09 2020-12-25 堺显示器制品株式会社 柔性发光器件的制造方法以及制造装置
JP7101549B2 (ja) 2018-06-29 2022-07-15 株式会社パイロットコーポレーション ボールペン用水性インキ組成物、およびそれを用いた筆記具
US11430687B2 (en) * 2019-03-25 2022-08-30 Kla-Tencor Corporation Vacuum hold-down apparatus for flattening bowed semiconductor wafers
CN110323175B (zh) * 2019-04-16 2023-01-06 深圳市正鸿泰科技有限公司 一种具有吸力调节功能的便捷型芯片分拣设备
JP7483369B2 (ja) * 2019-12-19 2024-05-15 株式会社ディスコ 切削装置
CN114346936B (zh) * 2022-01-11 2022-08-26 苏州天准科技股份有限公司 一种高精载物装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100089314A1 (en) * 2004-02-13 2010-04-15 Asm America, Inc. Substrate support system for reduced autodoping and backside deposition
JP2011029593A (ja) * 2009-06-23 2011-02-10 Tokyo Electron Ltd 液処理装置
JP2012084856A (ja) * 2010-09-13 2012-04-26 Tokyo Electron Ltd 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
TW201414549A (zh) * 2007-10-17 2014-04-16 Ebara Corp 基板洗淨裝置
US20140116478A1 (en) * 2012-10-25 2014-05-01 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
TW201441129A (zh) * 2013-02-22 2014-11-01 Oiles Industry Co Ltd 非接觸支持裝置及非接觸支持方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3110341C2 (de) * 1980-03-19 1983-11-17 Hitachi, Ltd., Tokyo Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten eines dünnen Substrats in der Bildebene eines Kopiergerätes
JPS6074626A (ja) * 1983-09-30 1985-04-26 Fujitsu Ltd ウエハー処理方法及び装置
US4949783A (en) * 1988-05-18 1990-08-21 Veeco Instruments, Inc. Substrate transport and cooling apparatus and method for same
JP2911997B2 (ja) * 1989-10-20 1999-06-28 日本電気株式会社 半導体ウェハーへのテープ貼付装置
JPH08503680A (ja) * 1992-07-15 1996-04-23 ミネソタ・マイニング・アンド・マニュファクチュアリング・カンパニー 物品取扱いシステム
US5542559A (en) * 1993-02-16 1996-08-06 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Plasma treatment apparatus
JPH0945750A (ja) * 1995-07-26 1997-02-14 Hitachi Ltd 板状物保持部材およびそれを用いた回転処理装置
JPH1187477A (ja) * 1997-09-09 1999-03-30 Toshiba Corp 基板の保持装置
JP2001070859A (ja) * 1999-09-06 2001-03-21 Takata Corp 薄板円板素材の保持構造
US20030168174A1 (en) * 2002-03-08 2003-09-11 Foree Michael Todd Gas cushion susceptor system
JP2004322168A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
JP4043455B2 (ja) * 2004-05-28 2008-02-06 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
JP2009238986A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US20090280248A1 (en) * 2008-05-06 2009-11-12 Asm America, Inc. Porous substrate holder with thinned portions
JP5205214B2 (ja) * 2008-10-27 2013-06-05 リンテック株式会社 板状部材の支持装置および支持方法
JP6302758B2 (ja) * 2014-06-10 2018-03-28 株式会社ディスコ チャックテーブル

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100089314A1 (en) * 2004-02-13 2010-04-15 Asm America, Inc. Substrate support system for reduced autodoping and backside deposition
TW201414549A (zh) * 2007-10-17 2014-04-16 Ebara Corp 基板洗淨裝置
JP2011029593A (ja) * 2009-06-23 2011-02-10 Tokyo Electron Ltd 液処理装置
JP2012084856A (ja) * 2010-09-13 2012-04-26 Tokyo Electron Ltd 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
US20140116478A1 (en) * 2012-10-25 2014-05-01 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
TW201441129A (zh) * 2013-02-22 2014-11-01 Oiles Industry Co Ltd 非接觸支持裝置及非接觸支持方法

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Publication number Publication date
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