TWI594885B - Film packaging materials, packaging films and electronic equipment - Google Patents

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Description

薄膜封裝材料、封裝片與電子設備
本發明是關於一種可密封電子元件等的薄膜封裝材料與封裝片，以及電子元件被該薄膜封裝材料及封裝片密封的電子設備。
以電子設備為例，對於具有液晶元件、發光二極管(LED元件)等的顯示裝置模組、具有太陽能電池片的太陽能電池模組等，為了防止設備內部電子元件因水分或氧氣侵入而受到不良影響，而使用玻璃板與樹脂膜以保護電子元件。
並且在綜合玻璃板、樹脂膜與電子元件時，使用密封電子元件的薄膜封裝材料。作為封裝材料，例如，如專利文獻1、2等中所記述，主要使用乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)與聚乙烯醇縮丁醛(PVB)。
除了上述樹脂以外，例如，專利文獻3中記述了可使用乙烯-甲基丙烯酸共聚物(EMAA)，專利文獻4中記述了可使用離聚物樹脂，專利文獻5中記述了含脂環式構造聚合物。此外，專利文獻6中記述了由低密度聚乙烯樹脂或直鏈狀低密度聚乙烯樹脂形成的中間層以及該層兩面中包含黏接劑層的3層構造太陽能電池充電器材料片。專利文獻6所記載的3層構造太陽能電池充電器材料片與原有的單層片相較之下， 可防止熱收縮且黏接性優秀。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開平6-177412號公報
【專利文獻2】日本特開平10-233521號公報
【專利文獻3】日本特開2000-252491號公報
【專利文獻4】日本特開2006-66762號公報
【專利文獻5】日本特開2003-59645號公報
【專利文獻6】日本特開2012-216805號公報
不過，近年來備受注目並包含有機電激發光(有機EL)元件的顯示裝置模組、電子紙、有機薄膜太陽能電池等的電子設備被要求包括更高水蒸氣阻隔性的封裝材料，原有的封裝材料依然難以充分阻隔水蒸氣。再加上，由於原有的封裝材料尚未充分具有對玻璃板或樹脂膜的黏接性，因此可能會因玻璃板或樹脂膜與封裝材料間產生水蒸氣的侵入，或因玻璃板或樹脂膜的剝離現象而對電子元件產生不良影響。
本發明是鑒於這樣的現狀而進行的，目的在於提供一種水蒸氣阻隔性與黏接性優秀的薄膜封裝材料、封裝片以及電子設備。
為了達成上述目的，第一，本發明提供一種薄膜封裝材料，其特徵在於：包含對被黏物具有黏接性的第1與第 2黏接性樹脂層，以及包含位於上述第1黏接性樹脂層與上述第2黏接性樹脂層之間的環烯烴系樹脂的水蒸氣阻隔性樹脂層(發明1)。
上述發明(發明1)所述的薄膜封裝材料，由於包括包含環烯烴系樹脂的水蒸氣阻隔性樹脂層，因此其水蒸氣阻隔性優秀，此外還因具有其他的黏接性樹脂層，而使得對被黏物帶有優秀的黏接性。
在上述發明(發明1)所述的環烯烴系樹脂，其玻璃轉換溫度優選為20℃~150℃(發明2)。
在上述發明(發明1、發明2)所述的環烯烴系樹脂，優選為不包含親水性基團者(發明3)。
在上述發明(發明1~發明3)所述的環烯烴系樹脂，為以下列結構式(a)： (化學式(a)中，m與n為1以上的整數。R1與R2代表氫原子或烷基，各別可相同，也可相異。R1與R2也可相連結形成環狀結構。)所表示的環烯烴聚合物，以下列結構式(b)： (化學式(b)中，m與n為1以上的整數。R1與R2代表氫原子或烷基，各別可相同，也可相異。R1與R2也可相連結形成環狀結構。)所表示的環烯烴聚合物，以下列結構式(c)： (化學式(c)中，n為1以上的整數。R1與R2代表氫原子或烷基，各別可相同，也可相異。R1與R2也可相連結形成環狀結構。)所表示的環烯烴聚合物，以下列結構式(d)： (化學式(d)中，m與n為1以上的整數。R1與R2代表氫原子或 烷基，各別可相同，也可相異。R1與R2也可相連結形成環狀結構。)
所構成的群中選擇的至少一種為佳(發明4)。
在上述發明(發明1~發明4)中，上述水蒸氣阻隔性樹脂層的厚度比率，優選為上述薄膜封裝材料厚度的10%~99%(發明5)。
在上述發明(發明1~發明5)中，上述第1與第2黏接性樹脂層，優選含有熱可塑性樹脂(發明6)。
在上述發明(發明6)中，上述熱可塑性樹脂，優選為聚烯烴系樹脂或聚酯系樹脂(發明7)。
在上述發明(發明7)中，上述聚烯烴系樹脂，優選含有酸改性聚烯烴系樹脂或矽烷改性聚烯烴系樹脂中至少一種樹脂(發明8)。
在上述發明(發明1~發明8)中，上述第1與第2黏接性樹脂層，優選為直接積層於上述之水蒸氣阻隔性樹脂層，並為3層結構(發明9)。
在上述發明(發明1~發明9)中，將上述薄膜封裝材料的上述第1黏接性樹脂層或上述第2黏接性樹脂層中的任何一面在120℃下貼合於玻璃板時，其黏接力優選為1N/25mm以上(發明10)。
在上述發明(發明1~發明10)中，上述的薄膜封裝材料的厚度為50μm時，且在溫度40℃，相對溼度90%RH的環境下，其水蒸氣透過率優選為7g/m2‧day以下(發明11)。
第二，本發明提供一種封裝片，其特徵在於：上 述薄膜封裝材料(發明1~發明11)與上述薄膜封裝材料的一面，具有積層所形成的阻氣性膜(發明12)。
第三，本發明提供一種電子設備，其特徵在於：由上述薄膜封裝材料(發明1~發明11)所封裝(發明13)。
第四，本發明提供一種電子設備，其特徵在於：由上述封裝片(發明12)所封裝(發明14)。
本發明所述薄膜封裝材料，含有具有環烯烴系樹脂的水蒸氣阻隔性樹脂，因此水蒸氣阻隔性優秀。另外，本發明所述薄膜封裝材料含有其他的黏接性樹脂層，而使得對被黏物也帶有優秀的黏接性。
1‧‧‧薄膜封裝材料
11A‧‧‧第1黏接性樹脂層
11B‧‧‧第2黏接性樹脂層
12‧‧‧水蒸氣阻隔性樹脂層
2‧‧‧封裝片
21‧‧‧阻氣性膜
3A、3B‧‧‧電子設備
31‧‧‧基板
32‧‧‧電子元件
33‧‧‧封裝部材
【圖1】為本發明第1實施形態所有關的薄膜封裝材料的概略剖面圖。
【圖2】為本發明第1實施形態所有關的封裝片的概略剖面圖。
【圖3】為本發明第1實施形態所有關的電子設備的概略剖面圖。
【圖4】為本發明的其他實施形態所有關的電子設備的概略剖面圖。
以下，關於本發明的實施形態進行說明。
〔薄膜封裝材料〕
如圖1所示，本實施形態所有關的薄膜封裝材料1，具有位於第1與第2黏接性樹脂層11A、11B與第1黏接性樹脂層11A與第2黏接性樹脂層11B之間的水蒸氣阻隔性樹脂層12。本實施形態中，第1與第2黏接性樹脂層11A、11B直接積層於水蒸氣阻隔性樹脂層12，本實施形態所有關的薄膜封裝材料1雖然為3層結構，但本發明並未局限於此。
(1)水蒸氣阻隔性樹脂
薄膜封裝材料1的水蒸氣阻隔性樹脂層12為防止、抑制水蒸氣透過的層面。水蒸氣阻隔性樹脂層12可為單層，也可為複數層。
本實施形態所有關的水蒸氣阻隔性樹脂層12，具有環烯烴系樹脂。由此，水蒸氣阻隔性樹脂層12的水蒸氣阻隔性比第1與第2黏接性樹脂層11A、11B優秀，也因此具有該水蒸氣阻隔性樹脂層12的薄膜封裝材料1的水蒸氣阻隔性為優秀。
以單體成分構成聚合物的環烯烴系樹脂，為包含環烯烴的聚合物(包含共聚物的概念)，單體成分可為只包含環烯烴的聚合物，也可為作為單體成分，包含環烯烴以及其他單體的聚合物(共聚物)。上述其他單體在不妨礙本實施形態所有關的薄膜封裝材料1的目的之下，並無特別限制。例如，可列舉乙烯、丙烯等碳原子數為2以上的α-烯烴、(甲基)丙烯酸酯等。此外，本說明書中的(甲基)丙烯酸為丙烯酸以及甲基丙烯酸的兩方，其他的類似用語也同樣。
上述的環烯烴系樹脂，與後述的黏接性樹脂層 11A、11B的密合性為優秀。從可防止薄膜封裝材料1的層間剝離的觀點考慮，作為單體成分優選為包含環烯烴與乙烯的共聚物。
環烯烴系樹脂的玻璃轉換溫度(Tg)，優選為20℃~150℃，特別優選為25℃~130℃，進一步優選為30℃~110℃。若環烯烴系樹脂的玻璃轉換溫度為20℃以上，作為該環烯烴系樹脂中單體成分中的環烯烴含有量將會增加，容易表現水蒸氣阻隔現象。此外，若環烯烴系樹脂的玻璃轉換溫度為150℃以下，水蒸氣阻隔性樹脂層12會對電子元件等的密封對象的段差進行良好追從，並確實的密封對象物質。
環烯烴系樹脂優選為不具有親水性基團，若具有親水性基團，則有水蒸氣阻隔性下降的可能性。親水性基團，可列舉羥基、羧基、氨基、醯胺基、醯亞胺基、磺酸基、巰基等。另一方面，環烯烴系樹脂可具有疏水性基團，若為疏水性基團，則不會有水蒸氣阻隔性下降的可能性。疏水性基團，可列舉烷基、烯丙基等。
環烯烴系樹脂優選為以下列結構式(a)： (化學式(a)中，m與n為1以上的整數。R1與R2代表氫原子或烷基，各別可相同，也可相異。R1與R2也可相連結形成環狀 結構。)
所表示的環烯烴聚合物(作為單體成分，包含環烯烴與乙烯的共聚物；COC)，以下列結構式(b)： (化學式(b)中，m與n為1以上的整數。R1與R2代表氫原子或烷基，各別可相同，也可相異。R1與R2也可相連結形成環狀結構。)
所表示的環烯烴聚合物(作為單體成分，包含環烯烴與乙烯的共聚物；COC)，以下列結構式(c)： (化學式(c)中，n為1以上的整數。R1與R2代表氫原子或烷基，各別可相同，也可相異。R1與R2也可相連結形成環狀結構。)
所表示的環烯烴聚合物(作為單體成分，只包含環烯烴的共聚物；COP)，以下列結構式(d)： (化學式(d)中，m與n為1以上的整數。R1與R2代表氫原子或烷基，各別可相同，也可相異。R1與R2也可相連結形成環狀結構。)
所表示的環烯烴聚合物(作為單體成分，只包含環烯烴的共聚物；COP)。這樣的環烯烴聚合物的水蒸氣阻隔性相當優秀且容易取得。這樣的環烯烴聚合物可單獨使用一種，也可組合兩種以上使用。
環烯烴樹脂聚合物可使用市販品，市販品可列舉ZEONEX(登記商標)(Zeon社產品，降冰片烯系單體的開環複分解聚合物氫化聚合物)，TOPAS(登記商標)(保利塑膠社製，降冰片烯與乙烯的共聚物)，ZEONOR(登記商標)(Zeon社製，二聚環戊二烯與四環戊十二碳烯所開環聚合的共聚物)，Apel(登記商標)(三井化學社製，乙烯與四環十二碳烯的共聚物)，Arton(登記商標)(JSR社製，以二聚環戊二烯與甲基丙烯酸酯為原料並包含極性基團的環狀烯烴樹脂)等。
水蒸氣阻隔性樹脂層12可含有環烯烴系樹脂以外的其他樹脂成分。其他樹脂成分可列舉聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、乙烯-α烯烴共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等的聚烯烴系樹 脂(但不包含環烯烴系樹脂)，以及聚氨酯系樹脂、橡膠性樹脂、聚酯纖維性樹脂、聚酯型聚氨酯、丙烯系樹脂、醯胺系樹脂、苯乙烯系樹脂、矽烷系樹脂等。
水蒸氣阻隔性樹脂層12，優選僅包含環烯烴系樹脂(含有100質量%環烯烴系樹脂)，不過，包含上述其他樹脂時，水蒸氣阻隔性樹脂層12，優選包含50質量%以上的環烯烴系樹脂，特別優選為包含60質量%以上。
除了上述環烯烴系樹脂之外，水蒸氣阻隔性樹脂層12也可根據需要含有黏接賦予劑、紫外線吸收劑、紫外線穩定劑、帶電防止劑、顏料、阻燃劑、塑化劑、潤滑劑、防黏結劑等各種添加劑。
水蒸氣阻隔性樹脂層12的厚度優選為5μm~300μm，特別優選為10μm~200μm，進一步優選為15μm~100μm，特別進一步優選為20μm~40μm。若水蒸氣阻隔性樹脂層12的厚度未滿5μm，則可能無法得到所望的水蒸氣阻隔性。另一方面，若水蒸氣阻隔性樹脂層12的厚度超過300μm，則可能薄膜封裝材料1的厚度過厚，而降低操作性。
另外，相對於薄膜封裝材料1的厚度，水蒸氣阻隔性樹脂層12的厚度比率優選為10%~99%，特別優選為30%~95%，進一步優選為40%~90%，特別進一步優選為50%~80%。此外，關於薄膜封裝材料1的厚度將敘述於之後內容。若水蒸氣阻隔性樹脂層12的厚度比率未滿10%，則可能無法得到所望的水蒸氣阻隔性。另一方面，若水蒸氣阻隔性樹脂層12的厚度比率超過99%，則可能第1與第2黏接性樹脂 層11A、11B厚度過薄，而無法得到所望的黏接性。
(2)黏接性樹脂層
第1黏接性樹脂層11A與第2黏接性樹脂層11B為對被黏物具有黏接性的層面，在本實施形態中，形成於薄膜封裝材料1兩面的最外層。上述水蒸氣阻隔性樹脂層12對被黏物的黏接性較低，且無法僅使用水蒸氣阻隔性樹脂層12為封裝材料，不過，本實施形態所有關的薄膜封裝材料1中，通過在水蒸氣阻隔性樹脂12的兩面將第1與第2黏接性樹脂層11A、11B積層，而使得對被黏物的黏接性也優秀。第1與第2黏接性樹脂層11A、11B各別可為單層，也可為複數層。
構成第1與第2黏接性樹脂層11A、11B的樹脂，若對被黏物具有黏接性，則無特別限制。例如，可為熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、能量線硬化型樹脂等。其中，第1與第2黏接性樹脂層11A、11B優選包含熱可塑性樹脂。熱可塑性樹脂可具有熱黏接性，也可具有感壓黏接性。藉由第1與第2黏接性樹脂層11A、11B包含熱可塑性樹脂，使得薄膜封裝材料1可堅固的黏接於被黏物，也可提高第1與第2黏接性樹脂層11A、11B與水蒸氣阻隔性樹脂層12的密合性。
熱可塑性樹脂可列舉包含藉由聚烯烴系樹脂、金屬陽離子使得分子連結的離聚物、聚酯系樹脂、聚氨酯系樹脂、聚酯氨酯系樹脂、丙烯系樹脂、醯胺系樹脂、苯乙烯系樹脂、矽烷系樹脂、橡膠系樹脂等，其中優選為聚烯烴系樹脂或聚酯系樹脂。熱可塑性樹脂為聚烯烴系樹脂或聚酯系樹脂時，第1與第2黏接性樹脂層11A、11B特別對玻璃板或樹脂膜等 的被黏物具有較高的黏接性。另外，與包含第1與第2黏接性樹脂層11A、11B以及環烯烴系樹脂的水蒸氣阻隔性樹脂12的密合性也優秀。
聚烯烴系樹脂作為構成聚合物的單體成分，為包含烯烴的聚合物(包含共聚物的概念)，單體成分可為僅以烯烴組成的聚合物，也可為作為單體成分包含烯烴單體和其他單體的聚合物(共聚物)。
烯烴優選為碳原子數2~8的α烯烴，例如，乙烯、丙烯、丁烯、異丁烯、1-己烯、苯乙烯等。其中，優選為乙烯與丙烯，特別優選為乙烯。上述其他單體，在不妨礙本實施形態所有關的薄膜封裝材料1的目的之下，並無特別限制。例如，可為醋酸乙烯酯、(甲基)丙烯酸酯等。
聚烯烴系樹脂可列舉為，將超低密度聚乙烯(VLDPE，密度：880kg/m3以上，未滿910kg/m3)、低密度聚乙烯(LDPE，密度：910kg/m3以上，未滿915kg/m3)、中密度聚乙烯(MDPE，密度：915kg/m3以上，未滿942kg/m3)、高密度聚乙烯(HDPE，密度：942kg/m3以上)等的聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂(PP)、乙烯-丙烯共聚物、聚烯烴類熱塑性彈性體(TPO)、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-醋酸乙烯酯-順丁烯二酸酐共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯-順丁烯二酸酐共聚物、將聚烯烴系樹脂用酸改性為酸改性聚烯烴系樹脂，將聚烯烴系樹脂用不飽和矽烷化合物改性的矽烷改性聚烯烴系樹脂等。這些可以單獨使用一種或混合兩種以上使用。其中，從聚烯烴系樹脂對被 黏體的黏接力優秀，以及與水蒸氣阻隔性與樹脂層12的密合性也優秀的觀點考慮，優選含有乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-醋酸乙烯酯-順丁烯二酸酐共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯-馬來酸酐共聚物、酸改性聚烯烴系樹脂或矽烷改性聚烯烴系樹脂。從黏接力的觀點考慮，優選含有乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯-順丁烯二酸酐共聚物、酸改性聚烯烴系樹脂或矽烷改性聚烯烴系樹脂。
本實施形態所有關的聚烯烴系樹脂特別優選為至少包含酸改性聚烯烴系樹脂或矽烷改性聚烯烴系樹脂中的一種。其樹脂對玻璃板或樹脂膜，或樹脂膜上形成有機或無機功能性層面的薄膜等具有較高的黏接力。因此具有包含此類樹脂的第1與第2黏接性樹脂層11A、11B的薄膜封裝材料1，對玻璃板或樹脂膜等被黏物具有更加優秀的黏接性，同時，與第1與第2黏接性樹脂層11A、11B以及水蒸氣阻隔性樹脂12的密合性也更加優秀。
酸改性聚烯烴系樹脂為在酸性下接枝改性的聚烯烴系樹脂，例如，將聚烯烴系樹脂與不飽和羧酸進行反應，而導入羧基(接枝改性)。另外，本說明書所有關的不飽和羧酸包含羧酸酐物的概念，羧基則包含酐羧基的概念。
在酸性下接枝改性的聚烯烴系樹脂可列舉超低密度聚乙烯、低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯等的聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂(PP)，乙烯-丙烯共聚物、烯烴系彈性體(TPO)、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)、 乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等的乙烯-丙烯共聚物。這些可以單獨使用一種或混合兩種以上使用。其中，優選為超低密度聚乙烯、低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯樹脂等的聚乙烯樹脂，特別優選為超低密度聚乙烯的聚丙烯樹脂。
與上述聚烯烴系樹脂進行反應的不飽和羧酸可列舉馬來酸、丁烯二酸、甲叉丁二酸、檸康酸、戊烯二酸、四氫化鄰苯甲二酸、烏頭酸、馬來酸酐、甲叉丁二酸酐、戊烯二酸酐、檸康酸酐、烏頭酸酐、降冰片烯二羧酸酐、四氫化鄰苯甲二酸酐等。這些可以單獨使用一種或混合兩種以上使用。其中，特別優選為黏接力優秀的馬來酸酐。
上述酸改性聚烯烴系樹脂優選為酐馬來酸改性聚烯烴系樹脂，特別優選酐馬來酸改性聚乙烯樹脂。
與聚烯烴系樹脂進行反應的不飽和羧酸的含有量，相對於聚烯烴系樹脂100質量份，優選為0.1質量份~5質量份，特別優選為0.2質量份~3質量份，進一步優選為0.2質量份~1.0質量份。進行反應的不飽和羧酸的含有量在上述範圍內，則可得到黏接力優秀的酸改性聚烯烴系樹脂。
酸改性聚烯烴系樹脂的維卡軟化點(Sp)優選為90℃以下，特別優選為30℃~90℃，進一步優選為30℃~70℃，特別進一步優選為30℃~60℃。維卡軟化點如果為30℃以上，在室溫下不會表現黏接性，薄膜封裝材料1具有優異的可操作性因此優選。維卡軟化點如果為90℃以下，可在較短的時間內以熱壓焊產生黏接，因此可防止有機元件在熱壓焊時因熱而被 熱化，還可有效率的製造含有有機EL元件的顯示裝置模組、電子紙、有機薄膜太陽能電池等的電子設備。此外，維卡軟化點為基於ASTM D1525測定的值。
酸改性聚烯烴系樹脂在190℃、荷重20.2N下，黏度之熔流指數(MFR)優選為0.5g/10分~30g/10分，特別優選為1g/10分~15g/10分，進一步優選為2g/10分~10g/10分。第1與第2黏接性樹脂層11A、11B藉由押出成型而形成時，若黏度之熔流指數未滿0.5g/10分，則可能難以押出成型。若黏度之熔流指數超過30g/10分，則可能因押出成型而在製膜時使得厚度減少的擔憂。此外，本說明書所有關的黏度之熔流指數為基於ASTM D1238測定的值。
酸改性聚烯烴系樹脂可使用市販品，市販品可列舉admer(登記商標)(三井化學社製)，BondyRam(Polyram社製)，orevac(登記商標)(阿科瑪社製)，modic(登記商標)(三菱化學社製)等。
矽烷改性聚烯烴系樹脂為藉由將聚烯烴系樹脂與不飽和矽烷化合物進行反應，而使聚烯烴系樹脂接枝改性。特別是被黏物為玻璃板時，矽烷改性聚烯烴系樹脂更加堅固的黏接。因此為優選。
作為矽烷改性聚烯烴系樹脂的聚烯烴系樹脂，可舉例為在上述的酸性下接枝改性的聚烯烴系樹脂。
與上述聚烯烴系樹脂進行反應的不飽和矽烷化合物，優選為乙烯矽烷化合物，可列舉為乙烯三甲矽烷、乙烯三乙矽烷、乙烯三丙矽烷、乙烯三異丙矽烷、乙烯三丁矽烷、乙 烯三戊氧矽烷、乙烯三苯矽烷、乙烯三芐矽烷、乙烯三甲二氧矽烷、乙烯三乙二氧矽烷、乙烯丙氧矽烷、乙烯三乙醯氧矽烷、乙烯三羧酸矽烷等。這些可以單獨使用一種，也可以組合兩種以上使用。
矽烷改性聚烯烴系樹脂，優選為矽烷改性聚乙烯樹脂或矽烷改性乙烯-醋酸乙烯酯共聚物，特別優選為矽烷改性低密度聚乙烯、矽烷改性超低密度聚乙烯、矽烷改性直鏈狀低密度聚乙烯等的矽烷改性聚乙烯樹脂。
與聚烯烴系樹脂進行反應的不飽和矽烷化合物的含有量，相對於聚烯烴系樹脂100質量份，優選為0.1質量份~10質量份，特別優選為0.3質量份~7質量份，進一步優選為0.5質量份~5質量份。與聚烯烴系樹脂進行反應的不飽和矽烷化合物的含有量在上述範圍內，則可得到黏接力優秀的矽烷改性聚烯烴系樹脂。
矽烷改性聚烯烴系樹脂在190℃，荷重20.2N下，黏度之熔流指數(MFR)優選為0.5g/10分~30g/10分，特別優選為1g/10分~15g/10分，進一步優選為2g/10分~10g/10分。第1與第2黏接性樹脂層11A、11B藉由押出成型而形成時，若黏度之熔流指數未滿0.5g/10分，則有難以押出成型的可能性。若黏度之熔流指數超過30g/10分，則有可能因押出成型而製膜時使得厚度減少。
矽烷改性聚烯烴系樹脂可使用市販品，市販品可列舉Linklon(登記商標)(三菱化學社製)等，其中，優選使用低密度聚乙烯系的Linklon，直鏈狀低密度聚乙烯系的Linklon， 超低密度聚乙烯系的Linklon與乙烯-醋酸乙烯酯共聚物系的Linklon。
另一方面，藉由金屬陽離子結合分子的離聚物，可列舉為聚烯烴系離聚物、氨基甲酸酯系離聚物、苯乙烯系離聚物、氟類離聚物等。其中，由於與含有環烯烴系樹脂的水蒸氣阻隔性樹脂層12的密合性優秀，因此優選使用聚烯烴系離聚物。聚烯烴系離聚物可列舉將其分子間以金屬離子結合的乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物等的聚烯烴系樹脂。聚烯烴系離聚物可列舉以金屬離子結合其分子間的乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-富馬酸共聚物、乙烯-馬來酸共聚物、乙烯-馬來酸單甲基共聚物、乙烯-馬來酸單乙基共聚物等的聚烯烴系樹脂。金屬離子的金屬可列舉如鈉、鋰等鹼金屬，鋅、鎂、鈣等鹼土金屬的多價金屬等。離聚物可單獨使用一種，也可混合兩種以上使用。
作為聚酯系樹脂，只要具有黏接性即可，可使用公告樹脂。
第1與第2黏接性樹脂層11A、11B優選包含60質量%~100質量%的熱可塑性樹脂，特別優選包含70質量%~100質量%，進一步優選包含80質量%~100質量%。
作為熱可塑性樹脂的第1與第2黏接性樹脂層11A、11B，若包含至少一種的酸改性聚烯烴系樹脂或矽烷改性聚烯烴系樹脂，則第1與第2黏接性樹脂層11A、11B優選包含50質量%以上的酸改性聚烯烴系樹脂及/或矽烷改性聚烯烴系樹脂，特別優選包含70質量%以上。
第1與第2黏接性樹脂層11A、11B除了上述的樹 脂外，可按所望包含例如，黏著賦予劑、紫外線吸收劑、紫外線穩定劑、帶電防止劑、顏料、阻燃劑、塑化劑、潤滑劑、防黏結劑等的各種添加劑。
第1與第2黏接性樹脂層11A、11B的厚度(一層)各別優選為1μm~100μm，特別優選為3μm~80μm，進一步優選為5μm~50μm，特別進一步優選為5μm~20μm。若第1與第2黏接性樹脂層11A、11B的厚度未滿1μm，則可能無法得到所望的黏接性。另一方面，若第1與第2黏接性樹脂層11A、11B的厚度超過100μm，則可能薄膜封裝材料1的厚度過厚而降低操作性。
另外，第1與第2黏接性樹脂層11A、11B的材料與厚度等各別可相同，也可相異。
(3)薄膜封裝材料1的物性等
薄膜封裝材料1的厚度優選為7μm~500μm，特別優選為15μm~400μm，進一步優選為20μm~200μm，特別進一步優選為30μm~80μm。若薄膜封裝材料1的厚度未滿7μm，則可能無法得到所望的水蒸氣阻隔性及/或黏接性。另一方面，若薄膜封裝材料1的厚度超過500μm，則可能薄膜封裝材料1的厚度不必要地過厚，例如使用電子設備時，電子設備的厚度過厚，而降低其操作性。
作為薄膜封裝材料1，上述的薄膜封裝材料1的厚度為50μm時，在溫度40℃，相對溼度90%RH的環境下，其水蒸氣透過率優選為7g/m2‧day以下，特別優選為5g/m2‧day以下，特別進一步優選為3g/m2‧day以下。若薄膜封裝材料1 的水蒸氣透過率為7g/m2‧day以下，將可有效地抑制外部水蒸氣滲入該薄膜封裝材料1，而防止、抑制達到密封對象物質，使其密封對象物質難以受到水分的不良影響。本實施形態所有關的薄膜封裝材料1，可藉由具有包含上述環烯烴系樹脂的水蒸氣阻隔性樹脂層12，而達到上述的水蒸氣透過率。另外，可用薄膜封裝材料1的厚度來換算求得水蒸氣透過率，例如，以厚度Aμm的水蒸氣透過率作為Bg/(m2‧day)薄膜封裝材料，厚度為50μm時，水蒸氣透過率可藉由公式B×A/50來換算取得。
薄膜封裝材料1，將第1黏接性樹脂層11A或第2黏接性樹脂層11B中任何一面在120℃下，貼合於玻璃板時，黏接力優選為1N/25mm以上，特別優選為3N/25mm以上，進一步優選為5N/25mm以上，特別進一步優選為20N/25mm以上。若黏接力為1N/25mm以上，將密封對象物質確實密封，即可防止與玻璃板、阻氣膜等與被黏體之間發生浮起或剝離現象。另外，黏接力的測定方式為後述實驗例所顯示。
(4)薄膜封裝材料1的製造方法
薄膜封裝材料1可按通常的方法製造，例如，將第1黏接性樹脂層11A、水蒸氣阻隔性樹脂層12、第2黏接性樹脂層11B，按其順序積層的共押出成型法；先各別準備第1黏接性樹脂層11A的單層膜(第1黏接性樹脂膜)以及第2黏接性樹脂層11B的單層膜(第2黏接性樹脂膜)，第1黏接性樹脂膜形成水蒸氣阻隔性樹脂層12後，在該水蒸氣阻隔性樹脂層12積層第2黏接性樹脂膜的方法；先準備作為水蒸氣阻隔性樹脂層12 的單層膜(水蒸氣阻隔性樹脂膜)，在其水蒸氣阻隔性樹脂膜的兩面形成第1與第2黏接性樹脂層11A、11B的方法；準備第1黏接性樹脂膜、水蒸氣阻隔性樹脂膜、第2黏接性樹脂膜，將這3片樹脂膜按順序相疊而積層的方法等，可製造出薄膜封裝材料1。另外，在剝離片上各別形成第1與第2黏接性樹脂層11A、11B後，準備第1與第2黏接性樹脂層11A、11B附著的各別剝離片，在先準備好的水蒸氣阻隔性樹脂膜兩面上積層第1與第2黏接性樹脂層11A、11B附著的剝離片，按此方法也可製造薄膜封裝材料1。
另外，形成作為第1與第2黏接性樹脂層11A、11B的單層膜(第1黏接性樹脂膜、第2黏接性樹脂膜)、以及作為水蒸氣阻隔性樹脂層12的單層膜的方法，並無特別限制，可列舉熔融押出法、延壓法、乾式法、溶液法等。作為溶液法，將構成上述各層的樹脂溶解於有機溶劑，再將其溶液按公知的塗布方式，塗布取得塗膜，並適當進行乾燥，即可形成各層。
將第1與第2黏接性樹脂層11A、11B(第1黏接性樹脂膜、第2黏接性樹脂膜)以及水蒸氣阻隔性樹脂層12(水蒸氣阻隔性樹脂膜)進行積層時，可在加熱的同時進行積層。加熱溫度優選為使第1與第2黏接性樹脂層11A、11B(第1黏接性樹脂膜、第2黏接性樹脂膜)軟化的溫度以上。
(5)薄膜封裝材料1的用途
本實施形態所有關的薄膜封裝材料1，具有優秀的水蒸氣阻隔性與黏接性，由此，可使用於各種封裝，特別優選為使用於電子設備中電子元件的封裝。具體可列舉，具有液晶元件、 發光二極管(LED元件)、有機電激發光(有機EL)元件等的顯示裝置模組、電子紙、太陽能電池模組等。其中，包含有機EL元件的顯示裝置模組、(有機EL模組)與電子紙，須具有較高的水蒸氣阻隔性，因此可優選使用本實施形態所有關的薄膜封裝材料1。另外，使用本實施形態所有關的薄膜封裝材料1以密封電子元件的方法將敘述於後述電子設備項。
(封裝片)
如圖2所示，本實施形態所有關的封裝片2具有上述薄膜封裝材料1與積層於薄膜封裝材料1中一面的阻氣性膜21。
阻氣性膜21為具有水蒸氣、氧氣等的氣體難以透過的特性的薄膜。另外，將封裝片2使用於需要透明性用途的顯示裝置模組、電子紙、太陽能電池模組、後述頂部發光型等的電子設備等時，阻氣性膜21須為透明。阻氣性膜21優選為基材膜與阻氣性層面的積層體，這樣的阻氣性膜21可以使用例如，透過直接將上述基材膜的一面或兩面，或透過其他層面所形成的阻氣性層面、於上述薄膜中間形成的阻氣性層面等。其中，阻氣性膜21優選為直接將上述薄膜的一面或兩面，或透過其他層面所形成的阻氣性層面。
上述基材膜可列舉，聚乙烯、聚丙烯、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等的聚烯烴，聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯等的聚酯，聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚氨酯、聚碳酸酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碸、聚醚碸、聚苯硫醚、聚芳基化物、聚甲基丙烯酸甲基等的丙烯系樹脂，聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯醋酸乙烯酯共聚物、 ABS樹脂、離聚物樹脂等由樹脂構成的基材膜或其積層膜等。其中，從強度的觀點考慮，優選為聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯等的聚酯、或由聚碳酸酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碸、聚醚碸、聚苯硫醚、聚芳基化物等構成的基材膜。基材膜可為延伸膜，也可為無延伸膜。此外，基材膜也可包含紫外線吸收劑等的各種添加劑。
上述薄膜的厚度優選為1μm~500μm，特別優選為5μm~300μm，進一步優選為10μm~100μm。
阻氣性層面的積層目的為在基材膜上賦予阻氣性。作為阻氣性層面的材料，若為所望程度的阻氣性膜21的阻氣性，即無特別限制。阻氣性層面的材料可列舉二氧化矽、氮氧化矽、二氧化鋁、氮氧化鋁、二氧化鎂、二氧化鋅、二氧化銦、二氧化錫等的無機氧化物，氮化矽、氮化鋁等的無機氮化物，氮氧化矽等的無機氮氧化物等，鋁、鎂、鋅、錫等的金屬等。這些可以單獨使用一種，也可以組合兩種以上使用。
另外，阻氣性層面可按照公知的方法，使聚矽氮烷化合物轉化於矽膠膜。更進一步作為阻氣性層面，可為在包含聚矽氮烷化合物、聚碳矽烷化合物、聚矽烷化合物、聚有機矽氧烷化合物、四有機矽烷化合物等矽化合物的層面上，透過等離子離子注入而獲得的層面。等離子離子注入時的離子可列舉氬、氦、氖、氪、氙等的非活性氣體，氟碳、氫、氮、氧、二氧化碳、氯、氟、硫等的離子，金、銀、銅、白金、鎳、鈀、鉻、鈦、鉬、鈮、鉭、鎢、鋁等的金屬離子等。
上述阻氣性層面的厚度優選為1nm~10μm，特別優 選為10nm~1000nm，進一步優選為20nm~500μm，特別進一步優選為50nm~200nm。
阻氣性層面可為單層，也可為複數層。在可得到更高的阻氣性的觀點下，阻氣性層面優選為複數層。
形成阻氣性層面的方法可按使用材料適當選擇，例如，可使用將上述阻氣性層面的材料按蒸鍍法、濺射法、離子鍍法、熱CVD法、等離子CVD法等形成於基材膜上的方法，或使用將上述阻氣性層面的材料溶解於有機溶劑的溶液塗布於基材膜上的方法等。
阻氣性膜21在40℃、90%RH下，其水蒸氣透過率優選為0.5g/m2‧day以下，特別優選0.1g/m2‧day以下，進一步優選為0.05g/m2‧day以下。
作為封裝片2的製造方法，聚合薄膜封裝材料1與阻氣性膜21而積層即可。本實施形態所有關的薄膜封裝材料1如上所述，由於水蒸氣阻隔性與黏接性優秀，因此薄膜封裝材料1的黏接性樹脂層(圖2中的第1黏接性樹脂層11A)可堅固的黏接於阻氣性膜21。因此，使用封裝片2封裝電子設備等時，總是可以有效的防止水蒸氣滲入阻氣性膜21與薄膜封裝材料1之間。另外，阻氣性膜21在其一面具有阻氣性層面時，阻氣性層面優選為阻氣性膜21與薄膜封裝材料1積層為薄膜封裝材料1。
將薄膜封裝材料1以及阻氣性膜21進行積層時，可在加熱的同時進行積層。加熱溫度優選為使薄膜封裝材料1的黏接性樹脂層(圖2中為第1黏接性樹脂層11A)軟化的溫度 以上。
本實施形態所有關的封裝片2可用於與上述薄膜封裝材料1相同的用途，特別是優選用於需要較高的水蒸氣阻隔性的有機EL元件等的顯示裝置模組、電子紙、太陽能電池模組等電子設備中電子元件的封裝。使用封裝片2進行封裝時，可將阻氣性膜21積層而形成的層面與對側的黏接性樹脂層(圖2中為第2黏接性樹脂層11B)貼合於被黏物而封裝。
(電子設備)
本發明的實施形態1所有關的電子設備，按與上述實施形態相關的薄膜封裝材料1而進行封裝。本實施形態所有關的電子設備3A具體如圖3所示，具有將基板31、在基板31上形成的電子元件32以及將電子元件32密封的薄膜封裝材料1，薄膜封裝材料1的電子元件32則具有在對側形成積層的封裝部材33。封裝部材33並無特別限制，但舉例為玻璃板等。
另外，其他實施形態所有關的電子設備，封裝於上述實施形態所有關的封裝片2。本實施形態所有關的電子設備3B具體如圖4所示，具有將基板31、在基板31上形成的電子元件32以及將電子元件32密封的封裝片2。此外，封裝片2為薄膜封裝材料1與積層於該薄膜封裝材料1中一面上阻氣性膜21的積層體。
作為電子設備3A與3B，例如，作為電子元件32，可為具有液晶元件、LED元件、有機EL元件等的顯示裝置模組，或作為電子元件32，具有電泳型元件、電子粉粒體型元件、膽固醇型液晶元件等的電子紙，或作為電子元件32，具有太陽 能電池片的太陽能電池模組等，不過並未限制於此。另外，電子設備3A與3B可為頂部發光型的電子設備，也可為底部發光型的電子設備。例如，若電子設備3A與3B為底部發光型的電子設備，則基板31優選為透明基板。此外，若電子設備3A與3B為頂部發光型的電子設備，則封裝部材33與阻氣性膜21優選為透明。
作為基板31，可按電子設備3A與3B的種類適當選擇，例如，可優選列舉玻璃板與樹脂膜。玻璃板的材料可列舉無鹼玻璃、蘇打石灰玻璃、鉛玻璃、矽鋁酸鹽玻璃、硼矽玻璃、鋇硼矽玻璃、鋇鍶玻璃、石英等無機玻璃或混合玻璃等。作為基板31所使用的的樹脂膜，可舉例為於阻氣性膜21中舉例的基材膜。
基板31的厚度可按電子設備3A與3B的種類適當設定。
電子設備3A的製造方法並無特別限制，例如，首先，使用通常的方法，可在基板31上形成電子元件32，之後再將薄膜封裝材料1覆蓋於該電子元件32。另外，可將玻璃板等的封裝部材33置於薄膜封裝材料1上，將其貼合，並封裝電子元件32，而製造電子設備3A。此外，也可取得預先貼合的薄膜封裝材料1與封裝部材33，將其積層體與電子元件32貼合，而製造電子設備3A。
另外，電子設備3B的製造方法也並無特別限制，例如，將封裝片2附蓋於形成於基板31的電子元件32，使薄膜封裝材料1為電子元件32側，將其貼合並封裝電子元件32， 即可製造電子設備3B。
封裝可在常壓下進行，也可在加壓下進行，還可在減壓下進行，或可以將其組合而進行。另外，貼合薄膜封裝材料1與電子元件32時，可加熱。加熱可使得薄膜封裝材料1與電子元件32，基板31與封裝部材33或阻氣性膜21堅固的黏接。
貼合時的加熱溫度通常優選為使第1與第2黏接性樹脂層11A、11B以及水蒸氣阻隔性樹脂層12軟化的溫度以上。
本實施形態所有關的電子設備3A與3B，由於其電子元件32被本實施形態所有關的薄膜封裝材料1覆蓋，因此薄膜封裝材料1的水蒸氣阻隔性樹脂層12可阻隔外部水蒸氣，防止、抑制水蒸氣抵達電子元件32，使得電子元件32難以受到水份的不良影響。另外，由於薄膜封裝材料1具有第1與第2黏接性樹脂層11A、11B，因此薄膜封裝材料1與基板31、薄膜封裝材料1與電子元件32、薄膜封裝材料1與封裝部材33、薄膜封裝材料1與水蒸氣阻法隔性樹脂層12黏接的相當堅固，可防止、抑制之間發生浮起或剝離等現象，也可防止、抑制水蒸氣滲入。此外，若第1與第2黏接性樹脂層11A、11B包含黏接力優秀的樹脂(例如，酸改性聚烯烴系樹脂及/或矽烷改性聚烯烴系樹脂)，第1與第2黏接性樹脂層11A、11B的黏接力優秀，將可有效的防止、抑制第1黏接性樹脂層11A與水蒸氣阻隔性樹脂層12、第2黏接性樹脂層11B與水蒸氣阻隔性樹脂層12之間產成層間剝離的現象。
以上說明之實施形態為用於容易理解本發明之記載，非用以限定本發明之記載。因此，上述實施形態所揭示之各要素，其宗旨也包含本發明所屬之技術領域的所有設計變更或均等物。
例如，上述薄膜封裝材料1的第1黏接性樹脂層11A及/或第2黏接性樹脂層11B，可在水蒸氣阻隔性樹脂層12藉由其他層面積層。另外，也可在第1黏接性樹脂層11A及/或第2黏接性樹脂層11B上積層剝離片。此外，剝離片可利用於形成黏接性樹脂層時，或以保護黏接性樹脂層為目的設置，在使用薄膜封裝材料1時被剝離。
【實施例】
以下，通過實施例等進一步對本發明進行具體說明，但是本發明的範圍並不受這些實施例等的限定。
〔實施例1〕
(薄膜封裝材料之製作)
如表1所示，將包含構成黏接性樹脂層的材料的塗液塗布於剝離片上，在100℃下乾燥2分鐘，形成厚度為10μm的黏接性樹脂層，而製造黏接性樹脂層貼附剝離片兩片。另一方面，如表1所示，將構成水蒸氣阻隔性樹脂層的材料，用押出機(Toyo Seiki Sesaku-Sho社產品)押出成形，獲得厚度30μm的水蒸氣阻隔性樹脂膜，接著將所得的水蒸氣阻隔性樹脂膜兩面上，在120℃下加熱並貼合黏接性樹脂層貼附剝離片，然後，剝離其剝離片製造薄膜封裝材料。此外，第1與第2黏接性樹脂層都使用構成相同黏接性樹脂的材料。
(阻氣性膜之製作)
在作為基材的聚對苯二甲酸乙二酯膜(東洋紡社產品，cosmoshine A4100，厚度50μm)上，按照旋轉塗布法將聚矽氮烷化合物(以全氫聚矽氮烷為主成分的覆蓋材料，科萊恩日本社產品，akuamikaNL110-20)塗布之後，在120℃下加熱1分鐘，形成含有厚度150nm的全氫聚矽氮烷的聚矽氮烷層，接著使用等離子離子注入裝置按下述條件下，在聚矽氮烷層的表面上以等離子離子注入氬離子，形成阻氣性層面而製造阻氣性膜A。
為形成上述阻氣性層面，所使用的等離子離子注入裝置與等離子離子注入的條件如下所述。
[等離子離子注入裝置]
RF電源：Jeol社產品，型號號碼「RF」56000
高電壓脈衝電源：栗田製造所社產品，「PV-3-HSHV-0835」
[等離子離子注入條件]
等離子生成氣體：Ar
氣體流量：100sccm
Duty比：0.5%
外加電壓：-15Kv
RF電源：頻率13.56MHz，外加電力1000W
艙內壓力：0.2Pa
脈衝幅度：5μsec
處理時間(離子注入時間)：200秒
(封裝片A之製作)
將獲得的薄膜封裝材料與阻氣性膜A在120℃下加熱並貼合，即可得到封裝片A。
(封裝片B之製作)
另一方面，將所獲得的薄膜封裝材料與阻氣性膜B(厚度7μm的鋁，在剝離片兩面上，將厚度為12μm的聚對苯二甲酸乙二酯片黏接於聚氨酯系黏接劑層的積層膜，Asia Alumi社產品)，在120℃下加熱並貼合，即可獲得封裝片B。
(頂部發光型的電子設備之製作)
按下述方法，在玻璃基板上，按照陰極、發光層與陽極的順序積層，而形成電子元件(有機EL元件)。
首先，將玻璃基板以溶劑洗淨與UV/臭氧處理洗淨後，在0.1nm/S的速度下，將鋁(Al)(Kojundo Chemical Laboratory社產品)蒸鍍100nrn而形成陰極。
在所獲得的陰極(Al膜)上，將(8-羥基-羥基喹林)鋰(Luminescence Technology社產品)以10nm，將2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-鄰二氮菲(Luminescence Technology社產品)以10nm，將三(8-羥基-羥基喹林)鋁(Luminescence Technology社產品)以40nm，將N，N'雙(萘-1-基)-N-N'-雙(苯基-對二氨基聯苯)(Luminescence Technology社產品)以60nm，在0.1nm/s~0.2nm/s的速度下，按順序蒸鍍形成發光層。
在所獲得的發光層上，按濺射法形成二氧化銦錫(ITO)膜(厚度：100nm，片電阻值：50Ω/□)，製造陽極取得有機EL元件。另外，蒸蒸鍍時的真空度全部為1×10-4Pa以下。
另外，將上述封裝片A在氮環境下，使用電爐， 在120℃下加熱30分鐘進行乾燥，去除封裝片A中包含的水分後，直接放置冷卻至室溫。並將封裝片A覆蓋於形成於玻璃基板上的有機EL元件，使薄膜封裝材料成為有機EL元件側，再將其在100℃下加熱並貼合，封裝有機EL元件而獲得頂部發光型的電子設備。
(底部發光型的電子設備之製作)
按下述方法，在玻璃基板上，按照陽極、發光層與陰極的順序積層，而形成電子元件(有機EL元件)。
首先，在玻璃基板表面上，按濺射法形成二氧化銦錫(ITO)膜(厚度：150nm，片電阻值：30Ω/□)，接著以溶劑洗淨與UV/臭氧處理後製作陽極。
在所獲得的陽極(ITO膜)上，將N，N'-雙(萘-1-基)-N，N'雙(苯基-對二氨基聯苯)(Luminescence Technology社產品)以60nm，將三(8-羥基-羥基喹林)鋁(Luminescence Technology社產品)以40nm，將2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-鄰二氮菲(Luminescence Technology社產品)以10nm，將(8-羥基-羥基喹林)鋰(Luminescence Technology社產品)以10nm，在0.1nm/s~0.2nm/s的速度下，按順序蒸鍍形成發光層。
在所獲得的發光層上，將鋁(AL)(Kojundo Chemical Laboratory社產品)在0.1nm/s的速度下，蒸鍍100nm形成陰極，而獲得有機EL元件。另外，蒸鍍時的真空度全部為1×10-4Pa以下。
另外，將上述封裝片B在氮環境下，使用電爐，在120℃下加熱30分鐘，去除封裝片B中包含的水分後，直 接放置冷卻至室溫。並將封裝片B覆蓋於形成於玻璃基板上的有機EL元件，使薄膜封裝材料成為有機EL元件側，再將其在100℃下加熱並貼合，封裝有機EL元件而獲得底部發光型的電子設備。
(實施例2~8)
將構成黏接性樹脂層與水蒸氣阻隔性樹脂層的材料變更為如表1所示以外，與實施例1相同的製造薄膜封裝材料。使用其薄膜封裝材料，與實施例1相同的製造封裝片A與B，獲得頂部發光型與底部發光型的電子設備。
(實施例9~31)
如表1或表2所示，將構成黏接性樹脂層與水蒸氣阻隔性樹脂層的材料以押出機(Toyo Seiki Sesaku-Sho社產品)共押出成型，製造由將厚度為10μm的第1黏接性樹脂層、厚度為30μm的水蒸氣阻隔性樹脂層、厚度為10μm的第2黏接性樹脂層按順序積層所構成的薄膜封裝材料。另外，第1黏接性樹脂層與第2黏接性樹脂層皆使用構成相同黏接性樹脂的材料。使用其薄膜封裝材料，與實施例1相同的製造封裝片A與B，獲得頂部發光型與底部發光型的電子設備。
(比較例1~6，13)
如表1或表2所示，將構成水蒸氣阻隔性樹脂層的材料以押出機(Toyo Seiki Sesaku-Sho社產品)共押出成型，並製造厚度為50μm的單層的水蒸氣阻隔性樹脂膜。使用其水蒸氣阻隔性樹脂膜為薄膜封裝材料，與實施例1相同的製造封裝片A與B，獲得頂部發光型與底部發光型的電子設備。
(比較例7~9，14，15)
如表1或表2所示，將構成黏接性樹脂層的材料以押出機(Toyo Seiki Sesaku-Sho社產品)共押出成型，並製造厚度為50μm的單層的黏接性樹脂膜。使用其黏接性樹脂層膜為薄膜封裝材料，與實施例1相同的製造封裝片A與B，獲得頂部發光型與底部發光型的電子設備。
(比較例10)
如表1所示，將構成黏接性樹脂層的材料塗布於剝離片，在100℃下進行乾燥2分鐘，形成厚度為50μm的黏接性樹脂膜。接著剝離其剝離片後獲得後度為50μm的單層的黏接性樹脂膜。使用其黏接性樹脂膜與實施例1相同的製造封裝片A與B，獲得頂部發光型與底部發光型的電子設備。
(比較例11，12)
如表2所示，將構成黏接性樹脂層與水蒸氣阻隔性樹脂層的材料以押出機(Toyo Seiki Sesaku-Sho社產品)共押出成型，並將厚度為10μm的第1黏接性樹脂層、厚度為30μm的水蒸氣阻隔性樹脂層、厚度為10μm的第2黏接性樹脂層按順序積層，製造薄膜封裝材料。另外，第1黏接性樹脂層與第2黏接性樹脂層皆使用構成相同黏接性樹脂的材料。使用其薄膜封裝材料，與實施例1相同的製造封裝片A與B，獲得頂部發光型與底部發光型的電子設備。
另外，表1與表2所記載的縮寫符號等的詳細情況如下所述。
[黏接性樹脂層]
‧EVA：乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(Tosoh社產品，商品名稱「Ultrasen630」)
‧EMAA：乙烯-甲基丙烯酸共聚物(杜邦-三井聚合化學品社產品，商品名稱「NucrelN1207C」)
‧Ionomer：乙烯系離聚物(Zn型)(杜邦-三井聚合化學品社產品，商品名稱「Himilan1650」)
‧聚酯：飽和聚酯樹脂(日本合成化學社產品，商品名稱「PolyesterSNT」)
‧BondyRam TL4110：酐馬來酸改性聚乙烯系樹脂(Polyram社產品，商品名稱「BondyRamTL4110」，維卡軟化點：85℃，190℃‧荷重20.2N的MFR：1.8g/10分)
‧AdmerSE800：酐馬來酸改性聚乙烯系樹脂(三井化學社產品，商品名稱「AdmerSE800」，維卡軟化點：59℃，190℃‧荷重20.2N的MFR：4.4g/10分)
‧AdmerSF731：酐馬來酸改性聚乙烯系樹脂(三井化學社產品，商品名稱「AdmerSF731」，維卡軟化點：43℃，190℃‧荷重20.2N的MFR：2.6g/10分)
‧LinklonXVF600N：矽烷酸改性乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(三井化學社產品，商品名稱「LinklonXVF600N」，190℃‧荷重20.2N的MFR：1.0g/10分)
‧LinklonXCF710N：矽烷酸改性聚乙烯系樹脂(三井化學社產品，商品名稱「LinklonXCF710N」，190℃‧荷重20.2N的MFR：1.2g/10分)
‧LinklonXLE815N：矽烷酸改性直鏈狀聚乙烯系樹脂(三 井化學社產品，商品名稱「LinklonXLE815N」，190℃‧荷重20.2N的MFR：0.5g/10分)
[水蒸氣阻隔性樹脂層]
‧TOPAS9506X1：上述結構式(a)所示的環烯烴系聚合物，(保利塑膠社產品，商品名稱「TOPAS9506X1」，玻璃轉換度33℃)
‧TOPAS9506F-04：上述結構式(a)所示的環烯烴系聚合物，(保利塑膠社產品，商品名稱「TOPAS9506F-04」，玻璃轉換度65℃)
‧TOPAS8007F-04：上述結構式(a)所示的環烯烴系聚合物，(保利塑膠社產品，商品名稱「TOPAS8007F-04」，玻璃轉換度78℃)
‧TOPAS6013F-04：上述結構式(a)所示的環烯烴系聚合物，(保利塑膠社產品，商品名稱「TOPAS6013F-04」，玻璃轉換度138℃)
‧APL8008T：上述結構式(b)所示的環烯烴系聚合物，(三井化學社產品，商品名稱「Apel8008T」，玻璃轉換度70℃)
‧APL6011T：上述結構式(b)所示的環烯烴系聚合物，(三井化學社產品，商品名稱「Apel6011T」，玻璃轉換度105℃)
‧APL6013T：上述結構式(b)所示的環烯烴系聚合物，(三井化學社產品，商品名稱「Apel6013T」，玻璃轉換度125℃)
‧ZEONOR1060R：上述結構式(d)所示的環烯烴系聚合物，(Zeon社產品，商品名稱「ZEONOR1060R」，玻璃轉換度100℃)
‧SumikatheneL705：低密度聚乙烯(住友化學社產品，商品名稱「SumikatheneL705」，維卡軟化點：86℃)
[試驗例1](水蒸氣透過率的測定)
測定實施例及比較例所製造之薄膜封裝材料(厚度50μm)的水蒸氣透過率，具體為使用LYSSY社產品的透過率測定機「L80-5000」，在40℃、90%RH的條件下進行測定。將結果示於表1。
[試驗例2](黏接力的測定)
將實施例及比較例所製造之封裝片B的黏接性樹脂層，與作為被黏體的玻璃板(蘇打石灰玻璃，Nippon Sheet Glass社產品)聚合，在120℃下加熱5分鐘而貼合，獲得試驗片。
貼合所獲得的試驗片，放置於24小時、23℃、50%RH的環境後，在相同的環境下使用伸長試驗機(Orientec社產品，tensilon)，以剝離速度300mm/分、剝離角度180度的條件實施剝離試驗，測定黏接力(N/25mm)，將結果示於表1。另外，表1中的黏接力為1N/25mm以下時，表示為「<1」。
[試驗例3](電子設備的評價)
將實施例及比較例所製造的頂部發光型與底部發光型的電子設備，在23℃、50%RH的環境下放置100小時後，起動有機EL元件來觀察黑點的有無，將其結果用以下基準進行評價。將結果示於表1。
A：暗點為發光面積的5%以下
B：暗點為發光面積的5%以上10%以下
C：暗點為發光面積的10%以上90%以下
由表1以及表2可知，在實施例所得到的薄膜封裝材料具有優秀的水蒸氣阻隔性與黏接性。此外，透過在實施例所得到的薄膜封裝材料而封裝的有機EL元件幾乎看不到暗點，電子設備的性能良好。另一方面，只由比較例1~6、13的水蒸氣阻隔性樹脂層所構成的薄膜封裝材料並無黏接力，無法封裝有機EL元件。另外，只由比較例11、12的薄膜封裝材料與比較例7~10、14、15的黏接性樹脂層所構成的薄膜封裝材料，其水蒸氣阻隔性較低，因此該薄膜封裝材料所封裝的有機EL元件上暗點較多，使得電子設備的性能減低。
【產業上可利用性】
本發明所有關的薄膜封裝材料與封裝片的水蒸氣阻隔性相當優秀，因此適宜使用於各種封裝，特別是適宜於例如含有液晶元件、發光二極管(LED元件)、有機電激發光(有機EL)元件等的顯示裝置模組(包含有機EL模組)、電子紙、太陽能電池模組等電子設備的電子元件的封裝。另外，本發明所有關的電子設備，例如適宜為有機EL模組與電子紙。
1‧‧‧薄膜封裝材料
11A‧‧‧第1粘接性樹脂層
11B‧‧‧第2粘接性樹脂層
12‧‧‧水蒸氣阻隔性樹脂層
2‧‧‧封裝片
21‧‧‧阻氣性膜
3B‧‧‧電子設備
31‧‧‧基板
32‧‧‧電子素子

Claims (14)

  1. 一種薄膜封裝材料，其特徵在於包括：包含對被黏物具有黏接性的第1與第2黏接性樹脂層，和位於上述第1黏接性樹脂層與上述第2黏接性樹脂層之間的含有環烯烴系樹脂的水蒸氣阻隔性樹脂層。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述的薄膜封裝材料，其中上述環烯烴系樹脂的玻璃轉換溫度為20℃~150℃。
  3. 根據申請專利範圍第1項所述的薄膜封裝材料，其中上述環烯烴系樹脂不包含親水性基團。
  4. 根據申請專利範圍第1項所述的薄膜封裝材料，其中上述環烯烴系樹脂為以下列結構式(a)： (化學式(a)中，m與n為1以上的整數。R1與R2代表氫原子或烷基，各別可相同，也可相異。R1與R2也可相連結形成環狀結構。)所表示的環烯烴聚合物，以下列結構式(b)： (化學式(b)中，m與n為1以上的整數。R1與R2代表氫原子或烷基，各別可相同，也可相異。R1與R2也可相連結形成環狀結構。)所表示的環烯烴聚合物，以下列結構式(c)： (化學式(c)中，n為1以上的整數。R1與R2代表氫原子或烷基，各別可相同，也可相異。R1與R2也可相連結形成環狀結構。)所表示的環烯烴聚合物，以下列結構式(d)： (化學式(d)中，m與n為1以上的整數。R1與R2代表氫原子或烷基，各別可相同，也可相異。R1與R2也可相連結形成環狀結構。)所構成的群中選擇的至少一種。
  5. 根據申請專利範圍第1項所述的薄膜封裝材料，其中上述水蒸氣阻隔性樹脂層的厚度比率為上述薄膜封裝材料厚度的10%~99%。
  6. 根據申請專利範圍第1項所述的薄膜封裝材料，其中上述第1與第2黏接性樹脂層含有熱可塑性樹脂。
  7. 根據申請專利範圍第6項所述的薄膜封裝材料，其中上述熱可塑性樹脂為聚烯烴系樹脂或聚酯系樹脂。
  8. 根據申請專利範圍第7項所述的薄膜封裝材料，其中上述聚烯烴系樹脂含有酸改性聚烯烴系樹脂或矽烷改性聚烯烴系樹脂中的至少一種。
  9. 根據申請專利範圍第1項所述的薄膜封裝材料，其中上述第1與第2黏接性樹脂層為直接積層於上述之水蒸氣阻隔性樹脂層，由3層結構所構成。
  10. 根據申請專利範圍第1項所述的薄膜封裝材料，其中將上述薄膜封裝材料中上述第1黏接性樹脂層或第2黏接性樹脂層中任何一面在120℃下貼合於玻璃板時的黏接力為1N/25mm以上。
  11. 根據申請專利範圍第1項所述的薄膜封裝材料，其中上述薄膜封裝材料的厚度為50μm時，在溫度40℃，相對溼度90%RH的環境下，其水蒸氣透過率為7g/m2‧day以下。
  12. 一種封裝片，其特徵在於：包括在申請專利範圍第1項所述的薄膜封裝材料與上述薄膜封裝材料的一面積層的阻氣性膜。
  13. 一種電子設備，其特徵在於：由申請專利範圍第1項所述的薄膜封裝材料所封裝。
  14. 一種電子設備，其特徵在於：由申請專利範圍第12項所述的封裝片所封裝。
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