TW201438312A - 薄膜封裝材料、封裝片以及電子設備 - Google Patents

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Abstract

薄膜封裝材料1，包括對於被黏物具有黏接性的第1與第2黏接性樹脂層11A、11B，以及位於第1黏接性樹脂層11A與第2黏接性樹脂層11B之間的水蒸氣阻隔性樹脂層12，且水蒸氣阻隔性樹脂層12含有橡膠系樹脂。這種薄膜封裝材料1，具有優秀的水蒸氣阻隔性與黏接性。

Description

薄膜封裝材料、封裝片以及電子設備
本發明是關於一種可密封電子元件等的薄膜封裝材料與封裝片，以及電子元件被該薄膜封裝材料及封裝片封裝的電子設備。
電子設備，例如對於具有液晶元件、發光二極管(LED元件)等的顯示裝置模組，或具有太陽能電池片的太陽能電池模組等，為了防止設備內部電子元件因水份或氧氣侵入而受到不良影響，使用玻璃板或樹脂膜以保護電子元件。
並且在玻璃板或樹脂膜與電子元件複合時，使用密封電子元件的薄膜封裝材料。作為封裝材料，例如，如專利文獻1、2等中所述，主要使用乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)與聚乙烯醇縮丁醛(PVB)。
除了上述樹脂以外，例如，專利文獻3中揭示出可使用乙烯-甲基丙烯酸共聚物(EMAA)，專利文獻4中揭示出可使用離聚物樹脂，專利文獻5中揭示出可使用含脂環式構造聚合物。此外，專利文獻6中揭示出由低密度聚乙烯樹脂或直鏈狀低密度聚乙烯樹脂形成的中間層，以及該層兩面包含黏接劑層的3層構造太陽能電池充電器材料片。專利文獻6所述的3層構造太陽能電池充電器材料片，與原有的單層片相較之 下，可防止熱收縮且黏接性優秀。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開平6-177412號公報
【專利文獻2】日本特開平10-233521號公報
【專利文獻3】日本特開2000-252491號公報
【專利文獻4】日本特開2006-66762號公報
【專利文獻5】日本特開2003-59645號公報
【專利文獻6】日本特開2012-216805號公報
不過，近年來備受注目並包括有機電激發光(有機EL)元件的顯示裝置模組、電子紙、有機薄膜太陽能電池等的電子設備，被要求包括更高水蒸氣阻隔性與黏接性的封裝材料，而原有封裝材料的水蒸氣阻隔性仍然不足。再加上，由於原有的封裝材料對玻璃板或樹脂膜的黏接性尚不充分，因此可能會因玻璃板或樹脂膜與封裝材料之間產生水蒸氣的侵入，或因玻璃板或樹脂膜的剝離現象，而對電子元件產生不良影響。
本發明是鑒於這樣的情形而進行，目的在於提供一種黏接性與水蒸氣阻隔性優秀的薄膜封裝材料、封裝片以及電子設備。
為了達成上述目的，第1，本發明提供一種薄膜封 裝材料，包括對被黏物發揮黏接性的第1與第2黏接性樹脂層以及位於上述第1黏接性樹脂層與上述第2黏接性樹脂層之間的水蒸氣阻隔性樹脂層，其特徵在於：上述水蒸氣阻隔性樹脂層含有橡膠系樹脂(發明1)。
上述發明(發明1)所有關的薄膜封裝材料，由於在第1黏接性樹脂層與第2黏接性樹脂層之間，包括了含有橡膠系樹脂的水蒸氣阻隔性樹脂層，因此能發揮優秀的水蒸氣阻隔性與黏接性。
在上述發明(發明1)中，上述橡膠系樹脂優選為聚異丁烯系樹脂(發明2)。
在上述發明中(發明1，2)，上述第1與第2黏接性樹脂層，優選在酸改性聚烯烴系樹脂以及矽烷改性聚烯烴系樹脂中，至少含有1種(發明3)。
在上述發明中(發明1~3)，上述水蒸氣阻隔性樹脂層的厚度比率，優選為上述薄膜封裝材料厚度的10~99%(發明4)。
在上述發明中(發明1~4)，上述第1與第2黏接性樹脂層，優選為直接積層在上述水蒸氣阻隔性樹脂層，並由此組成3層結構(發明5)。
第2，本發明提供一種封裝片，其特徵在於包括上述薄膜封裝材料(發明1~5)，以及在上述薄膜封裝材料的一面上積層的阻氣性膜(發明6)。
第3，本發明提供一種電子設備，其特徵在於由上述薄膜封裝材料(發明1~5)所封裝(發明7)。
第4，本發明提供一種電子設備，其特徵在於由上述封裝片(發明6)所封裝(發明8)。
本發明所有關的薄膜封裝材料，由於包括了在第1黏接性樹脂層與第2黏接性樹脂層之間，含有橡膠系樹脂的水蒸氣阻隔性樹脂層，因此能發揮優秀的水蒸氣阻隔性與黏接性。
1‧‧‧薄膜封裝材料
11A‧‧‧第1黏接性樹脂層
11B‧‧‧第2黏接性樹脂層
12‧‧‧水蒸氣阻隔性樹脂層
2‧‧‧封裝片
21‧‧‧阻氣性膜
3A、3B‧‧‧電子設備
31‧‧‧基板
32‧‧‧電子元件
33‧‧‧封裝部材
【圖1】為本發明第一實施形態所有關的薄膜封裝材料的概略剖面圖。
【圖2】為本發明第一實施形態所有關的封裝片的概略剖面圖。
【圖3】為本發明第一實施形態所有關的電子設備的概略剖面圖。
【圖4】為本發明其他實施形態所有關的電子設備的概略剖面圖。
以下，就本發明的實施形態進行說明。
〔薄膜封裝材料〕
如圖1所示，根據本實施形態的薄膜封裝材料1，包括第1與第2黏接性樹脂層11A、11B，以及位於第1黏接性樹脂層11A與第2黏接性樹脂層11B之間的水蒸氣阻隔性樹脂層12。另外，在本實施形態中，第1與第2黏接性樹脂層11A、11B， 直接積層於水蒸氣阻隔性樹脂層12，而根據本實施形態的薄膜封裝材料1，由此3層結構組成，但本發明並不侷限於此。
(1)黏接性樹脂層
第1黏接性樹脂層11A以及第2黏接性樹脂層11B，為對被黏物具有黏接性的層面，在本實施形態中，形成於薄膜封裝材料1兩面的最外層。
組成第1與第2黏接性樹脂層11A、11B的樹脂，只要對被黏物具有黏接性，就沒有特別侷限，例如、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、能量線硬化型樹脂等。其中，第1與第2黏接性樹脂層11A、11B，由於與水蒸氣阻隔性樹脂層12的密合性優秀，因此最好包含熱可塑性樹脂。
熱可塑性樹脂可列舉酸改性聚烯烴系樹脂、矽烷改性聚烯烴系樹脂、離聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、聚酯系樹脂、聚氨酯系樹脂、聚酯氨酯系樹脂、丙烯系樹脂、醯胺系樹脂、苯乙烯系樹脂等。這些可單獨使用1種，或亦可混合使用2種以上。此外，在本發明專利說明書中，所謂(甲基)丙烯酸皆指丙烯酸與甲基丙烯酸。其他類似用語也是同樣的情形。
上述內容中，第1與第2黏接性樹脂層11A、11B，在酸改性聚烯烴系樹脂以及矽烷改性聚烯烴系樹脂中，應至少含有1種。酸改性聚烯烴系樹脂以及矽烷改性聚烯烴系樹脂，對於玻璃板及樹脂膜，或者在樹脂膜形成有機或無機功能性層的薄膜等，具有很高的黏接力。因此，由於薄膜封裝材料1包 括包含這種樹脂的第1與第2黏接性樹脂層11A、11B，對於玻璃板或樹脂膜等被黏物的黏接性優秀，同時在第1與第2黏接性樹脂層11A、11B以及水蒸氣阻隔性樹脂層12之間的密合性也非常優秀。
酸改性聚烯烴系樹脂，是指在酸性下接枝改性的聚烯烴系樹脂。例如，將聚烯烴系樹脂與不飽和羧酸進行反應，而導入羧基(接枝改性)。另外，本說明書所有關的不飽和羧酸，包含羧酸酐物的概念，而羧基則包含酐羧基的概念。
上述聚烯烴系樹脂，作為構成聚合物的單體成份，為包含烯烴的聚合物(包含共聚物的概念)，單體成份可為僅由1種或2種以上烯烴組成的聚合物，也可為包含1種或2種以上烯烴以及其他單體的聚合物(共聚物)。
上述烯烴優選為碳原子數2~8的α-烯烴，例如，乙烯、丙烯、丁烯、異丁烯、1-己烯等。其中，優選為乙烯與丙烯，特別優選為乙烯。除了上述之外的其他單體，在不妨礙本實施形態所有關的薄膜封裝材料1的目的之下，並無特別限制。例如，可為醋酸乙烯酯、(甲基)丙烯酸酯等。另外，在本說明書中，(甲基)丙烯酸皆指丙烯酸與甲基丙烯酸。其他類似用詞也是同樣的道理。
上述聚烯烴系樹脂，具體可列舉超低密度聚乙烯(VLDPE，密度：880kg/m3以上、未滿910kg/m3)、低密度聚乙烯(LDPE，密度：910kg/m3以上、未滿930kg/m3)、中密度聚乙烯(MDPE，密度：930kg/m3以上、未滿942kg/m3)、高密度聚乙烯(HDPE，密度：942kg/m3以上)、直鏈狀低密度聚乙烯等聚乙 烯樹脂、聚丙烯樹脂(PP)、乙烯-丙烯共聚物、烯烴系彈性體(TPO)、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等。這些可以單獨使用1種，或組合2種以上使用。在上述內容中，優選超低密度聚乙烯、低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯等的聚乙烯樹脂，特別優選為超低密度聚乙烯。
與上述聚烯烴系樹脂進行反應的不飽和羧酸，可列舉馬來酸、丁烯二酸、甲叉丁二酸、檸康酸、戊烯二酸、四氫化鄰苯甲二酸、烏頭酸、馬來酸酐、甲叉丁二酸酐、戊烯二酸酐、檸康酸酐、烏頭酸酐、降冰片烯二羧酸酐、四氫化鄰苯甲二酸酐、(甲基)丙烯酸等。這些可以單獨使用一種或混合兩種以上使用。其中，特別優選為黏接力優秀的馬來酸酐。
上述酸改性聚烯烴系樹脂優選為酐馬來酸改性聚烯烴系樹脂，特別優選酐馬來酸改性聚乙烯樹脂。
與聚烯烴系樹脂進行反應的不飽和羧酸的含量，相對於聚烯烴系樹脂100質量份，優選為0.1~5質量份，特別優選為0.2~3質量份，進一步優選為0.2~1.0質量份。進行反應的不飽和羧酸的含量在上述範圍內，則可得到黏接力優秀的酸改性聚烯烴系樹脂。
酸改性聚烯烴系樹脂的維卡軟化點(Sp)優選為90℃以下，特別優選為30℃~70℃，進一步優選為30℃~60℃，特別進一步優選為30℃~60℃。維卡軟化點若為30℃以上時，在常溫下不會表現黏接性，且薄膜封裝材料1具有優異的可操作性，因此優選。另外，維卡軟化點若在90℃以下，可在較短 時間內以熱壓焊黏接，因此可防止有機元件在熱壓焊時因熱而被熱化，還可高效製造具有有機EL元件的顯示裝置模組、電子紙、有機薄膜太陽能電池等的電子設備。此外，維卡軟化點為基於ASTM D1525所測定的值。
酸改性聚烯烴系樹脂在190℃、荷重20.2N下，黏度之熔流指數(MFR)優選為0.5g~30g/10分，特別優選為1~15g/10分，進一步優選為2~10g/10分。第1與第2黏接性樹脂層11A、11B藉由押出成形而形成時，若黏度之熔流指數(MFR)未滿0.5g/10分，則可能難以押出成形。若黏度之熔流指數(MFR)超過30g/10分，則有可能押出成形而製膜時降低厚度。此外，本說明書所有關的黏度之熔流指數(MFR)為基於ASTM D1238所測定的值。
酸改性聚烯烴系樹脂可使用市販品，市販品可列舉ADMER(登記商標)(三井化學社製)、BondyRam(Polyram社製)、orevac(登記商標)(阿科瑪社製)、MODIC(登記商標)(三菱化學社製)等。
矽烷改性聚烯烴系樹脂為藉由將聚烯烴系樹脂與不飽和矽烷化合物進行反應，而使聚烯烴系樹脂接枝改性。由於矽烷改性聚烯烴系樹脂，特別是以玻璃為被黏物時，可更加堅固黏接，因此為優選。
作為矽烷改性聚烯烴系樹脂的聚烯烴系樹脂，可舉例為在前述酸性下接枝改性的聚烯烴系樹脂。
矽烷改性聚烯烴系樹脂，優選為矽烷改性聚乙烯樹脂以及矽烷改性乙烯-醋酸乙烯酯共聚物，特別優選為矽烷 改性低密度聚乙烯、矽烷改性超低密度聚乙烯、矽烷改性直鏈狀低密度聚乙烯等的矽烷改性聚乙烯樹脂。
與上述聚烯烴系樹脂進行反應的不飽和矽烷化合物，優選為乙烯矽烷化合物，可列舉乙烯三甲矽烷、乙烯三乙矽烷、乙烯三丙矽烷、乙烯三異丙矽烷、乙烯三丁矽烷、乙烯三戊氧矽烷、乙烯三苯矽烷、乙烯三芐矽烷、乙烯三甲二氧矽烷、乙烯三乙二氧矽烷、乙烯丙氧矽烷、乙烯三乙醯氧矽烷、乙烯三羧酸矽烷等。這些可以單獨使用一種，也可以組合兩種以上使用。
與聚烯烴系樹脂進行反應的不飽和矽烷化合物的含量，相對於聚烯烴系樹脂100質量份，優選為0.1~10質量份，特別優選為0.3~7質量份，進一步優選為0.5~5質量份。與聚烯烴系樹脂進行反應的不飽和矽烷化合物含量在上述範圍內，則可得到黏接力優秀的矽烷改性聚烯烴系樹脂。
矽烷改性聚烯烴系樹脂在190℃、荷重20.2N下，黏度之熔流指數(MFR)優選為0.1~30g/10分，特別優選為0.3~15g/10分，進一步優選為0.5~10g/10分。第1與第2黏接性樹脂層11A、11B藉由押出成形而形成時，若黏度之熔流指數(MFR)未滿0.1g/10分，則有可能難以押出成形。若黏度之熔流指數(MFR)超過30g/10分，則有可能押出成形而製膜時降低厚度。
矽烷改性聚烯烴系樹脂可使用市販品，市販品可列舉Linklon(登記商標)(三菱化學社製)等，其中，優選使用低密度聚乙烯系Linklon、直鏈狀低密度聚乙烯系Linklon、超低 密度聚乙烯系Linklon與乙烯-醋酸乙烯酯共聚物系Linklon。
第1與第2黏接性樹脂層11A、11B優選包含50質量%以上的酸改性聚烯烴系樹脂以及/或者矽烷改性聚烯烴系樹脂，特別優選包含70質量%以上。
另外，第1與第2黏接性樹脂層11A、11B除了上述樹脂外，可按照需求包含例如，黏著賦予劑、紫外線吸收劑、紫外線穩定劑、帶電防止劑、顏料、阻燃劑、塑化劑、潤滑劑、防黏結劑、矽烷偶合劑等的各種添加劑。
第1與第2黏接性樹脂層11A、11B的厚度(一層)各別優選為1~100μm，特別優選為3~80μm，進一步優選為5~50μm。若第1與第2黏接性樹脂層11A、11B的厚度未滿1μm，則有可能無法得到所目標的黏接性。另一方面，若第1與第2黏接性樹脂層11A、11B的厚度超過100μm，則由於薄膜封裝材料1的厚度變得過厚，而可能降低透過率或操作性。
另外，第1與第2黏接性樹脂層11A、11B的材料與厚度等，可各別相同或相異。
(2)水蒸氣阻隔性樹脂層
水蒸氣阻隔性樹脂層12，是預防並抑制水蒸氣透過薄膜封裝材料1的樹脂層。水蒸氣阻隔性樹脂層12可為單層，亦可為複數層。
在本實施形態中水蒸氣阻隔性樹脂層12，含有橡膠系樹脂。依此，水蒸氣阻隔性樹脂層12相對於第1與第2黏接性樹脂層11A、11B，具有更優秀的水蒸氣阻隔性，而包括該水蒸氣阻隔性樹脂層12的薄膜封裝材料1，也有優秀的水 蒸氣阻隔性。另外，根據本實施形態的薄膜封裝材料1，在水蒸氣阻隔性樹脂層12的兩面，將前述的第1與第2黏接性樹脂層11A、11B積層之後，對於被黏物的黏接性也變得相當優秀。
橡膠系樹脂，可列舉天然橡膠、將(甲基)丙烯酸烷基酯、苯乙烯以及(甲基)丙烯腈中選擇的1種或2種以上單體接枝聚合於天然橡膠的改性天然橡膠、聚異丁烯系樹脂、丁二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、異戊二烯橡膠、苯乙烯-丁二烯共聚物(SBR)、苯乙烯-異戊二烯共聚物、丙烯腈-丁二烯共聚物(亞硝酸鹽橡膠)、甲基丙烯酸甲基-丁二烯共聚物、氨酯橡膠、苯乙烯-1，3-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS)、苯乙烯-異戊二烯苯乙烯嵌段共聚物(SIS)、乙烯丙烯非共軛二烯烴三元共聚物等。這些橡膠系化合物可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。其中，橡膠系樹脂優選包含聚異丁烯系樹脂。
聚異丁烯系樹脂，指作為單體成份包含異丁烯的聚合物(包含共聚物的概念)。單體成份可為僅由異丁烯組成的單獨聚合物，亦可為聚合不同於異丁烯的其他單體而得出的共聚物。聚異丁烯系樹脂，可為將一部分溴化或氯化的鹵化聚異丁烯系樹脂，亦可為將一部分以羥基、羧基等的官能基所置換。
除上述之外的單體，可列舉異戊二烯、n-丁烯、丁二烯、異戊二烯、苯乙烯等。其他單體可單獨使用或並用2種以上。另外，聚異丁烯系樹脂為共聚物時，在原料單體中異丁烯為做為主成份最大量的單體。
在上述內容中，鑒於聚異丁烯系樹脂具有優秀的 水蒸氣阻隔性，其單體成份優選為僅由異丁烯組成的單獨聚合物，作為單體成份優選為聚合異丁烯與異戊二烯而得出的異丁烯異戊二烯共聚物。
水蒸氣阻隔性樹脂層12中使用的橡膠系樹脂的數平均分子量，鑒於其水蒸氣阻隔性優秀，通常為5萬~500萬，優選為10萬~400萬，進一步優選為15萬~300萬，特別優選為20萬~50萬。另外，橡膠系樹脂的數平均分子量可實施膠體滲透層析儀，以標準聚苯乙烯換算值取得。
橡膠系樹脂亦可使用市販品。例如，ExxonButyl(Japan Butyl社產品)、Vistanex(Exxon Chemical Co.產品)、Hycar(登記商標)(Goodrich社產品)、Oppanol(登記商標)(BASF社產品)、EPHOR(登記商標)(出光興產社產品)等。
水蒸氣阻隔性樹脂層12除了橡膠系樹脂之外，亦可含有樹脂成份。其他樹脂成份可列舉聚乙烯、聚丙烯、乙烯-α烯烴共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等的烯烴系樹脂(但橡膠系樹脂除外)、氨酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚酯氨酯系樹脂、丙烯系樹脂、醯胺系樹脂、苯乙烯系樹脂、矽烷系樹脂等。
水蒸氣阻隔性樹脂層12，優選為僅由橡膠系樹脂組成(含有100質量%的橡膠系樹脂)，但若包含上述其他樹脂成份，則水蒸氣阻隔性樹脂層12優選含有50質量%的橡膠系樹脂，特別優選含有60質量%以上。
水蒸氣阻隔性樹脂層12除了上述橡膠系樹脂外，可按照需求包含例如，黏著賦予劑、紫外線吸收劑、紫外線穩 定劑、帶電防止劑、顏料、阻燃劑、塑化劑、潤滑劑、防黏結劑、矽烷偶合劑等的各種添加劑。另外，為了對橡膠系樹脂或其他樹脂起到架橋作用，亦可添加交聯劑。
水蒸氣阻隔性樹脂層12的厚度優選為5~300μm，進一步優選為10~200μm，特別優選為15~100μm，更進一步優選為20~50μm。若水蒸氣阻隔性樹脂層12的厚度未滿5μm，則可能無法得到水蒸氣阻隔性目標值。另外，若水蒸氣阻隔性樹脂層12的厚度超過300μm，則可能因薄膜封裝材料1的厚度變得過厚，而降低操作性。
另外，相對於薄膜封裝材料1的厚度，水蒸氣阻隔性樹脂層12的厚度比率優選為10~99%，進一步優選為30~95%，特別優選為40~90%，更進一步優選為50~80%。另外，關於薄膜封裝材料1的厚度，將在後面做介紹。若水蒸氣阻隔性樹脂層12的厚度比率未滿10%，則可能達不到水蒸氣阻隔性目標值。另外，水蒸氣阻隔性樹脂層12的厚度比率若超過99%，則可能讓第1與第2黏接性樹脂層11A、11B變得過薄，而達不到黏接性目標值。
(3)薄膜封裝材料的物性等
薄膜封裝材料1的厚度優選為7~500μm，特別優選為15~400μm，進一步優選為20~200μm。若薄膜封裝材料1的厚度未滿7μm，則可能達不到所目標的水蒸氣阻隔性以及/或者黏接性。另外，若薄膜封裝材料1的厚度超過500μm，則可能讓薄膜封裝材料1的厚度變得過厚，例如使用電子設備時，由於電子設備的厚度變得過厚，而可能降低透過率或操作性。
薄膜封裝材料1，在該薄膜封裝材料1的厚度為50μm、溫度40℃、相對溼度90% RH的環境下，水蒸氣透過率優選為10g/m2．day以下，特別優選為7g/m2．day以下，進一步優選為4g/m2．day以下。薄膜封裝材料1的水蒸氣透過率在10g/m2．day以下時，則將有效阻隔外部的水蒸氣進入該薄膜封裝材料1，亦可預防與抑制水蒸氣接觸到封裝對象物，從而讓封裝對象物難以受到水份的不良影響。根據本實施形態的薄膜封裝材料1，由於包括含有上述橡膠系樹脂的水蒸氣阻隔性樹脂層12，可達到如上述的水蒸氣透過率。另外，水蒸氣透過率的值，可從薄膜封裝材料1的厚度換算得出。例如，在厚度Aμm中，若水蒸氣透過率為Bg/(m2．day)的薄膜封裝材料，則可應用厚度為50μm時水蒸氣透過率為B×A/50的公式，由此換算得出。
薄膜封裝材料1，在將第1黏接性樹脂層11A或者第2黏接性樹脂層11B中的一面，以120℃與玻璃板貼合時，對於該玻璃板的黏接力優選為3N/25mm以上，特別優選為5N/25mm以上，進一步優選為10N/25mm以上。黏接力在3N/25mm以上時，可確實封裝其封裝對象物，從而預防與玻璃板或樹脂膜等被黏物之間，發生浮起或剝落等現象。另外，黏接力的測定方法，如後述試驗例所示。根據本實施形態的薄膜封裝材料1，在包括含有上述矽烷改性聚烯烴系樹脂的第1與第2黏接性樹脂層11A、11B時，可達到如上述的黏接力。
(4)薄膜封裝材料的製造方法
薄膜封裝材料1，可按照一般的方式來製造。例如，將第 1黏接性樹脂層11A、水蒸氣阻隔性樹脂層12與第2黏接性樹脂層11B，依次積層而共押出成型的方式，還有各準備作為第1黏接性樹脂層11A的單層膜(第1黏接性樹脂膜)以及作為第2黏接性樹脂層11B的單層膜(第2黏接性樹脂膜)之後，在第1黏接性樹脂膜形成水蒸氣阻隔性樹脂層12，再於該水蒸氣阻隔性樹脂層12積層第2黏接性樹脂膜的方法，另外則是準備作為水蒸氣阻隔性樹脂層12的單層膜(水蒸氣阻隔性樹脂膜)，並在其水蒸氣阻隔性樹脂膜的兩面，形成第1與第2黏接性樹脂層11A、11B的方法，最後還有準備第1黏接性樹脂膜、水蒸氣阻隔性樹脂膜與第2黏接性樹脂膜之後，將此3張樹脂膜依次積層的方法，可根據這些方法等來製作薄膜封裝材料1。另外，在剝離片上形成第1與第2黏接性樹脂層11A、11B之後，分別準備第1與第2黏接性樹脂層11A、11B附著的剝離片，再於預先準備的水蒸氣阻隔性樹脂膜兩面，積層第1與第2黏接性樹脂層11A、11B附著的剝離片，可按此方法製作薄膜封裝材料1。
另外，形成作為第1與第2黏接性樹脂層11A、11B的單層膜(第1黏接性樹脂膜、第2黏接性樹脂膜)以及作為水蒸氣阻隔性樹脂層12的單層膜(水蒸氣阻隔性樹脂膜)的方法，並無特別限制，可列舉熔融押出法、延壓法、乾式法、溶液法等。作為溶液法，將構成上述各層的樹脂溶解於有機溶劑，再將其溶液按告示的塗布方式，塗布取得塗膜，並適當進行乾燥，形成各層即可。
積層第1與第2黏接性樹脂層11A、11B(第1黏接 性樹脂膜、第2黏接性樹脂膜)以及水蒸氣阻隔性樹脂層12(水蒸氣阻隔性樹脂膜)時，優選為加熱的同時積層。加熱溫度優選為第1與第2黏接性樹脂層11A、11B(第1黏接性樹脂膜、第2黏接性樹脂膜)軟化的溫度以上。
(5)薄膜封裝材料的用途
本實施形態所有關的薄膜封裝材料1，具有優秀的水蒸氣阻隔性與黏接性，由此，可使用於各種封裝，特別優選為使用於電子設備中電子元件的封裝。具體可列舉，具有液晶元件、發光二極管(LED元件)、有機電激發光(有機EL)元件等的顯示裝置模組、電子紙、太陽能電池模組等。其中，包含有機EL元件的顯示裝置模組(有機EL模組)與電子紙，須具有較高的水蒸氣阻隔性與黏接性，因此可優選使用本實施形態所有關的薄膜封裝材料1。另外，使用本實施形態所有關的薄膜封裝材料1以密封電子元件的方法，將在後述電子設備項中做說明。
〔封裝片〕
如圖2所示，本實施形態所有關的封裝片2包括上述薄膜封裝材料1與積層於薄膜封裝材料1之一面上的阻氣性膜21。
阻氣性膜21作為薄膜的特色在於難以讓水蒸氣、氧氣等氣體通過。另外，將封裝片2使用於需要透明性的顯示裝置模組、電子紙、太陽能電池模組、後述頂部發光型電子設備等用途時，阻氣性膜21須為透明。阻氣性膜21優選為基材膜，以及與阻氣性層面的積層體。這樣的阻氣性膜21可以使用例如，在基材膜的一面或兩面直接或透過其他層面所形成的阻氣性層，以及在基材膜中間形成的阻氣性層等。其中，阻氣 性膜21優選為在基材膜的一面或兩面，直接或透過其他層面所形成的阻氣性層。
上述基材膜可列舉，聚乙烯、聚丙烯、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等的聚烯烴，聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯等的聚酯，聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚氨酯、聚碳酸酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碸、聚醚碸、聚苯硫醚、聚芳基化物、聚甲基丙烯酸甲基等的丙烯系樹脂，聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯醋酸乙烯酯共聚物、ABS樹脂、離聚物樹脂等由樹脂構成的基材膜或其積層膜等。其中，從強度的觀點考慮，優選為聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯等的聚酯、或由聚碳酸酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碸、聚醚碸、聚苯硫醚、聚芳基化物等構成的基材膜。基材膜可為延伸膜，也可為無延伸膜。此外，基材膜也可包含紫外線吸收劑等的各種添加劑。
基材膜的厚度優選為1~500μm，特別優選為5~300μm，進一步優選為10~100μm。
阻氣性層的積層目的，是在基材膜上賦予阻氣性。關於阻氣性層的材料，只要可以讓阻氣性膜21的阻氣性達到目標水準，則無特別限制。阻氣性層的材料，可列舉二氧化矽、氮氧化矽、二氧化鋁、氮氧化鋁、二氧化鎂、二氧化鋅、二氧化銦、二氧化錫等的無機氧化物，氮化矽、氮化鋁等的無機氮化物，氮氧化矽等的無機氮氧化物等，以及鋁、鎂、鋅、錫等的金屬等。這些可以單獨使用一種，也可以組合兩種以上使用。
另外，阻氣性層可按照告示的方法，使聚矽氮烷化合物轉化於矽膠膜。另外，阻氣性層亦可為在包含聚矽氮烷化合物、聚碳矽烷化合物、聚矽烷化合物、聚有機矽氧烷化合物、四有機矽烷化合物等矽化合物的層面上，透過等離子離子注入而獲得的層面。等離子離子注入時的離子可列舉氬、氦、氖、氪、氙等的非活性氣體，氟碳、氫、氮、氧、二氧化碳、氯、氟、硫等的離子，以及金、銀、銅、白金、鎳、鈀、鉻、鈦、鉬、鈮、鉭、鎢、鋁等的金屬離子等。
阻氣性層的厚度優選為1nm~10μm，進一步優選為10~1000nm，特別優選為20~500nm，更進一步優選為50~200nm。
阻氣性層可為單層，亦可為複數層，但鑒於可得到更高的阻氣性，阻氣性層優選為複數層。
形成阻氣性層的方法，可按使用材料適當選擇。例如，將上述阻氣性層的材料按蒸鍍法、濺射法、離子鍍法、熱CVD法、等離子CVD法等形成於基材膜上的方法，或將上述阻氣性層的材料溶解於有機溶劑的溶液，塗布於基材膜上的方法等。
阻氣性膜21的水蒸氣透過率為，在40℃、90% RH的環境下，優選為0.5g/m2．day以下，特別優選為0.1g/m2．day以下，進一步優選為0.05g/m2．day以下。
為了製作封裝片2，可將薄膜封裝材料1與阻氣性膜21重疊而積層。根據本實施形態的薄膜封裝材料1，由於包括黏接力優秀的第1與第2黏接性樹脂層11A、11B，可讓該 黏接性樹脂層(圖2中為第1黏接性樹脂層11A)與阻氣性膜21堅固黏合。因此，在利用封裝片2來封裝電子設備等的情形下，可有效預防水蒸氣侵入阻氣性膜21與薄膜封裝材料1之間。另外，在阻氣性膜21的一面上具有阻氣性層的情形下，為了讓阻氣性層成為薄膜封裝材料1的一側，最好將阻氣性膜21與薄膜封裝材料1積層。
將薄膜封裝材料1與阻氣性膜21積層時，優選為加熱的同時積層。加熱溫度優選為，薄膜封裝材料1的黏接性樹脂層(圖2中為第1黏接性樹脂層11A)軟化的溫度以上。
根據本實施形態的封裝片2，可用於與前述薄膜封裝材料1相同的用途上，尤其適用於要求高水蒸氣阻隔性與黏接性的電子設備中的電子元件封裝，包括包括有機EL元件等的顯示裝置用模組、電子紙、太陽能電池模組等。用封裝片2封裝時，可將被黏物與阻氣性膜21積層之另一側的黏接性樹脂層(圖2中為第2黏接性樹脂層11B)以熱壓焊密封。
〔電子設備〕
根據本發明第一實施形態的電子設備，由按照上述實施形態的薄膜封裝材料1所封裝。根據本實施形態的電子設備3A，具體來說，如圖3所示，包括基板31、基板31上形成的電子元件32、密封電子元件32的薄膜封裝材料1，以及在薄膜封裝材料1的電子元件32之另一側上積層的封裝部材33。至於封裝部材33，則無特別限制，例如可舉玻璃板等。
另外，根據本發明其他實施形態的電子設備，由按照上述實施形態的封裝片2所封裝。根據本實施形態的電子 設備3B，具體來說，如圖4所示，包括基板31、基板31上形成的電子元件32、以及密封電子元件32的封裝片2。另外，封裝片2為由薄膜封裝材料1與在該薄膜封裝材料1的一面上積層的阻氣性膜21所組成的積層體。
這些電子設備3A、3B，可列舉作為電子元件32包括液晶元件、LED元件、有機EL元件等的顯示裝置用模組，作為電子元件32包括電泳型元件、電子粉粒體型元件、膽固醇型液晶元件等的電子紙，作為電子元件32包括太陽能電池片的太陽能電池模組等，但並不侷限於此。另外，電子設備3A、3B，可為頂部發光型電子設備，亦可為底部發光型電子設備。例如，若電子設備3A、3B為底部發光型，基板31優選為透明基板。另外，若電子設備3A、3B為頂部發光型電子設備，那麼封裝部材33與阻氣性膜21優選為透明。
做為基板31，可根據電子設備3A、3B的種類來做適當選擇，例如優選為玻璃板或樹脂膜。玻璃板材料，可列舉由無鹼玻璃、鈉鈣玻璃、鋅玻璃、矽鋁酸鹽玻璃、硼矽玻璃、鋇硼矽玻璃、鋇鍶玻璃、石英等組成的無機玻璃、混合玻璃等。使用為基板31的樹脂膜，可列舉在阻氣性膜21中舉例的基材膜。
基板31的厚度，應根據電子設備3A、3B的種類來適當設定。
電子設備3A的製造方法並無特別限制。例如，首先用一般的方法，在基板31上形成電子元件32，之後再將薄膜封裝材料1覆蓋於該電子元件32。另外，可將玻璃板等的封 裝部材33置於薄膜封裝材料1上，將其貼合，並封裝電子元件32，而製造電子設備3A。此外，也可以通過得出預先貼合薄膜封裝材料1與封裝部材33的積層體，並將此積層體與電子元件32貼合，而製造電子設備3A。
另外，電子設備3B的製造方法也並無特別限制。例如，將封裝片2覆蓋在形成於基板31的電子元件32，使薄膜封裝材料1成為電子元件32的一側，並將其貼合而封裝電子元件32，即可製造電子設備3B。
封裝可在常壓下進行，亦可在加壓時進行，還可在減壓下進行，或可將其組合進行。另外，貼合薄膜封裝材料1與電子元件32時，優選為加熱(熱壓焊)。加熱可使薄膜封裝材料1與電子元件32、基板31與封裝部材33或阻氣性膜21堅固黏接。
貼合時的加熱溫度，通常優選為使第1與第2黏接性樹脂層11A、11B以及水蒸氣阻隔性樹脂層12軟化的溫度以上。
本實施形態所有關的電子設備3A與3B，由於電子元件32被本實施形態所有關的薄膜封裝材料1覆蓋，因此薄膜封裝材料1的水蒸氣阻隔性樹脂層12可阻隔外部水蒸氣，防止、抑制水蒸氣抵達電子元件32，使得電子元件32難以受到水份的不良影響。另外，由於薄膜封裝材料1具有黏接力優秀的第1與第2黏接性樹脂層11A、11B，薄膜封裝材料1與基板31、薄膜封裝材料1與電子元件32、薄膜封裝材料1與封裝部材33、薄膜封裝材料1與阻氣性膜21黏接相當堅 固，可防止、抑制此之間發生浮起或剝離等現象，亦可防止、抑制水蒸氣滲入。此外，可有效防止、抑制第1黏接性樹脂層11A與水蒸氣阻隔性樹脂層12之間、第2黏接性樹脂層11B與水蒸氣阻隔性樹脂層12之間發生層間剝離現象。
以上說明的實施形態，是為了易於理解本發明而所述，而非為了限定本發明。因此，上述實施形態中所揭示的各要素，旨在包含屬於本發明技術領域的所有設計變更或均等物。
例如，上述薄膜封裝材料1的第1黏接性樹脂層11A以及/或者第2黏接性樹脂層11B，可在水蒸氣阻隔性樹脂層12藉由其他層面積層。另外，在第1黏接性樹脂層11A以及/或者第2黏接性樹脂層11B上，可積層剝離片。此外，剝離片可用於形成黏接性樹脂層時，或以保護黏接性樹脂層為目的而設置，在使用薄膜封裝材料1時被剝離。
【實施例】
以下，通過實施例等對本發明進行進一步具體說明，但本發明的範圍並不受這些實施例等的限定。
〔實施例1〕
<薄膜封裝材料之製作>
如表1所示，將組成黏接性樹脂層與水蒸氣阻隔性樹脂層的材料，用押出機(東洋精機製作所社產品)共押出成形，再將厚度10μm的第1黏接性樹脂層、厚度30μm的水蒸氣阻隔性樹脂膜以及厚度10μm的第2黏接性樹脂層，依次積層而製作出薄膜封裝材料。此外，第1與第2黏接性樹脂層皆使用了構 成相同黏接性樹脂的材料。
<阻氣性膜之製作>
在作為基材的聚對苯二甲酸乙二酯膜(東洋紡社產品，cosmoshine A4100，厚度50μm)上，按照旋轉塗布法將聚矽氮烷化合物(以全氫聚矽氮烷為主成份的覆蓋材料，科萊恩日本社產品，AQAMIKA NL 110-20)塗布之後，在120℃下加熱1分鐘，形成含有厚度150nm的全氫聚矽氮烷的聚矽氮烷層。接著，用等離子離子注入裝置，按下述條件，在聚矽氮烷層的表面上以等離子離子注入氬離子，形成阻氣性層而製作出阻氣性膜A。
為形成上述阻氣性層，所使用的等離子離子注入裝置與等離子離子注入條件如下所述。
〔等離子離子注入裝置〕
RF電源：Jeol社產品，型號號碼「RF」56000
高電壓脈衝電源：Cup-Kurita社產品，「PV-3-HSHV-0835」
[等離子離子注入條件]
等離子生成氣體：Ar
氣體流量：100sccm
Duty比：0.5%
使用電壓：-15kV
RF電源：頻率13.56MHz，使用電力1000W
艙內壓力：0.2Pa
脈衝幅度：5μsec
處理時間(離子注入時間)：200秒
<封裝片A之製作>
將得出的薄膜封裝材料與阻氣性膜A，在120℃下加熱並貼合，即得出封裝片A。
<封裝片B之製作>
另一方面，將所得出的薄膜封裝材料與阻氣性膜B(厚度7μm的鋁箔(阻氣性層)的兩面上，將厚度為12μm的聚對苯二甲酸乙二酯片黏接於氨酯系黏接劑層的積層膜，Asia Alumi社產品)，在120℃下加熱並貼合，即得出封裝片B。
<頂部發光型電子設備之製作>
按下述方法，在玻璃基板上，按照陰極、發光層與陽極的順序積層，而形成了電子元件(有機EL元件)。
首先，將玻璃基板以溶劑洗淨與UV/臭氧處理洗淨後，在0.1nm/S的速度下，將鋁(Al)(高純度化學研究所社產品)蒸鍍100nm而形成陰極。
在所獲得的陰極(Al膜)上，將(8-羥基-quinolinolato)鋰(Luminescence Technology社產品)以10nm，將2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-鄰二氮菲(Luminescence Technology社產品)以10nm，將三(8-羥基-quinolinolato)鋁(Luminescence Technology社產品)以40nm，將N，N'-雙(萘-1-yl)-N，N'-雙(苯基)-對二氨基聯苯)(Luminescence Technology社產品)以60nm，在0.1~0.2nm/s的速度下，依次蒸鍍形成了發光層。
在所獲得的發光層上，按濺射法形成二氧化銦錫 (ITO)膜(厚度：100nm，片電阻值：50Ω/□)，製造陽極而得出有機EL元件。另外，蒸鍍時的真空度皆為1×10-4Pa以下。
另外，將上述封裝片A在氮環境下，使用電爐在120℃下加熱30分鐘進行乾燥，再去除封裝片A中包含的水份後，直接放置冷卻至室溫。並將封裝片A覆蓋在形成於玻璃基板上的有機EL元件，使薄膜封裝材料成為有機EL元件的一側，再將其在100℃下加熱並貼合，封裝有機EL元件而得出頂部發光型電子設備。
<底部發光型電子設備之製作>
按下述方法，在玻璃基板上，按照陽極、發光層與陰極的順序積層，而形成電子元件(有機EL元件)。
首先，在玻璃基板表面上，按濺射法形成二氧化銦錫(ITO)膜(厚度：150nm，片電阻值：30Ω/□)，接著以溶劑洗淨與UV/臭氧處理而製作出陽極。
在所獲得的陽極(ITO膜)上，將N，N'-雙(萘-1-yl)-N，N'雙(苯基)-對二氨基聯苯)(Luminescence Technology社產品)以60nm，將三(8-羥基-quinolinolato)鋁(Luminescence Technology社產品)以40nm，將2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-鄰二氮菲(Luminescence Technology社產品)以10nm，將(8-羥基-quinolinolato)鋰(Luminescence Technology社產品)以10nm，在0.1~0.2nm/s的速度下，依次蒸鍍而形成發光層。
在所獲得的發光層上，將鋁(AL)(高純度化學研究所社產品)在0.1nm/s的速度下，蒸鍍100nm形成陰極，而得 出有機EL元件。另外，蒸鍍時的真空度皆為1×10-4Pa以下。
另外，將上述封裝片B在氮環境下，使用電爐在120℃下加熱30分鐘，去除包含在封裝片B中的水份後，直接放置冷卻至室溫。並將封裝片B覆蓋在形成於玻璃基板上的有機EL元件，使薄膜封裝材料成為有機EL元件的一側，再將其在100℃下加熱並貼合，封裝有機EL元件而得出底部發光型電子設備。
〔實施例2~12〕
除了將組成黏接性樹脂層與水蒸氣阻隔性樹脂層的材料變更為如表1所示以外，試與實施例1同樣的方式製作出薄膜封裝材料。用此薄膜封裝材料，試與實施例1同樣的方式製作出封裝片A與B，得出頂部發光型與底部發光型電子設備。
〔比較例1~3〕
除了將組成黏接性樹脂層與水蒸氣阻隔性樹脂層的材料變更為如表1所示以外，試與實施例1同樣的方式製作出薄膜封裝材料。用此薄膜封裝材料，試與實施例1同樣的方式製作出封裝片A與B，得出頂部發光型與底部發光型電子設備。
〔比較例4~5〕
如表1所示，將組成水蒸氣阻隔性樹脂層的材料，以押出機(東洋精機製作所社產品)共押出成形，製造出厚度為50μm的單層水蒸氣阻隔性樹脂膜。將此水蒸氣阻隔性樹脂膜用為薄膜封裝材料，試與實施例1同樣的方式製作出封裝片A與B，得出頂部發光型與底部發光型電子設備。
〔比較例6~7〕
如表1所示，將組成黏接性樹脂層的材料，以押出機(東洋精機製作所社產品)共押出成形，製造出厚度為50μm的單層黏接性樹脂膜。將此黏接性樹脂層用為薄膜封裝材料，試與實施例1同樣的方式製作出封裝片A與B，得出頂部發光型與底部發光型電子設備。
另外，表1所示的縮寫符號等的詳細內容如下。
[黏接性樹脂層]
．BondyRamTL4110：馬來酸酐改性聚乙烯系樹脂(Polyram社產品，商品名稱「BondyRamTL4110」，在維卡軟化點(Sp)：85℃，190℃．荷重20.2N之下的MFR：1.8g/10分)
．AdmerSE800：馬來酸酐改性聚乙烯系樹脂(三井化學社產品，商品名稱「AdmerSE800」，在維卡軟化點(Sp)：59℃，190℃．荷重20.2N之下的MFR：4.4g/10分)
．AdmerSF731：馬來酸酐改性聚乙烯系樹脂(三井化學社產品，商品名稱「AdmerSF731」，在維卡軟化點(Sp)：43℃，190℃．荷重20.2N之下的MFR：2.6g/10分)
．LINKLON XVF600N：矽烷改性乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(三菱化學社產品，商品名稱「LINKLON XVF600N」，在190℃．荷重20.2N之下的MFR：1.0g/10分)
．LINKLON XCF710N：矽烷改性低密度聚乙烯(三菱化學社產品，商品名稱「LINKLON XCF710N」，在190℃．荷重20.2N之下的MFR：1.2g/10分)
．LINKLON XLE815N：矽烷改性直鏈狀低密度聚乙烯(三菱化學社產品，商品名稱「LINKLON XLE815N」，在190℃ ．荷重20.2N之下的MFR：0.5g/10分)
．EXCELLEN VL EUL731：超低密度聚乙烯(住友化學社產品，商品名稱「EXCELLEN VL EUL731」)
〔水蒸氣阻隔性樹脂層〕
．Exxon Butyl 268：異丁烯異戊二烯共聚物(Japan Butyl社產品，商品名稱「Exxon Butyl 268」，數平均分子量：260，000)
．Exxon Butyl 365：異丁烯異戊二烯共聚物(Japan Butyl社產品，商品名稱「Exxon Butyl 365」，數平均分子量：90，000)
．Oppanol B50：僅由異丁烯組成的單獨聚合物(BASF社產品，商品名稱「Oppanol B50」，數平均分子量：340，000)
．Oppanol B100：僅由異丁烯組成的單獨聚合物(BASF社產品，商品名稱「Oppanol B100」，數平均分子量：250，000)
．EXCELLEN VL EUL731：超低密度聚乙烯(住友化學社產品，商品名稱「EXCELLEN VL EUL731」)
[試驗例1](水蒸氣透過率的測定)
測定出從實施例及比較例中所得薄膜封裝材料(厚度50μm)的水蒸氣透過率。具體來說，用LYSSY社產品的透過率測定機「L80-5000」，在40℃、90% RH的條件下進行測定。其結果如表1所示。
〔試驗例2〕(黏接力的測定)
將從實施例及比較例中所得封裝片B的黏接性樹脂層，與作為被黏體的玻璃板(鈉鈣玻璃，Nippon Sheet Glass社產品) 重疊，在120℃下加熱5分鐘而貼合，由此得出試驗片。
將所獲得的試驗片貼合後，放置24小時在23℃、50% RH的環境，再用拉伸試驗機(Orientec社產品，TENSILON)，以剝離速度300mm/分、剝離角度180度的條件實施剝離試驗，並測定黏接力(N/25mm)，其結果如表1所示。另外，表1中的黏接力為1N/25mm以下時，標示為「<1」。
〔試驗例3〕(電子設備之評價)
將從實施例或比較例中所得的頂部發光型以及底部發光型電子設備，在23℃、50% RH的環境下放置100小時之後，啟動有機EL元件以觀察是否有暗點(非發光處)，再用以下標準進行評價。其結果示於表1。
A：暗點未滿發光面積的5%
B：暗點為發光面積的5%以上，未滿10%
C：暗點為發光面積的10%以上，未滿90%
【表1】
由表1可知，在實施例中得到的薄膜封裝材料，具有優秀的水蒸氣阻隔性與黏接性。此外，透過實施例所得薄膜封裝材料來封裝的有機EL元件，則幾乎看不到暗點，電子設備的性能良好。另一方面，比較例1、2的薄膜封裝材料，由於水蒸氣阻隔性較低，因此在該薄膜封裝材料所封裝的有機EL元件上暗點較多，使電子設備性能減低。另一方面，僅由比較例3的薄膜封裝材料以及比較例4、5的水蒸氣阻隔性樹脂層組成的薄膜封裝材料，並無黏接力，且無法封裝有機EL元件。僅由比較例6、7的黏接性樹脂層組成的薄膜封裝材料，由於水蒸氣阻隔性較低，因此在該薄膜封裝材料所封裝的有機EL元件上暗點較多，使電子設備性能減低。
【產業上可利用性】
本發明所有關的薄膜封裝材料與封裝片，例如適宜使用於有機EL模組以及電子紙。另外，本發明所有關的電子設備，例如適宜為有機EL模組與電子紙。
1‧‧‧薄膜封裝材料
11A‧‧‧第1黏接性樹脂層
11B‧‧‧第2黏接性樹脂層
12‧‧‧水蒸氣阻隔性樹脂層
3A‧‧‧電子設備
31‧‧‧基板
32‧‧‧電子元件
33‧‧‧封裝部材

Claims (8)

  1. 一種薄膜封裝材料，具有對於被黏物顯示出黏接性的第1與第2黏接性樹脂層以及位於上述第1黏接性樹脂層與第2黏接性樹脂層中間的水蒸氣阻隔性樹脂層，其特徵在於：上述水蒸氣阻隔性樹脂層含有橡膠系樹脂。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述的薄膜封裝材料，其中上述橡膠系樹脂為聚異丁烯系樹脂。
  3. 根據申請專利範圍第1項所述的薄膜封裝材料，其中上述第1以及第2黏接性樹脂層，含有酸改性聚烯烴系樹脂以及矽烷改性聚烯烴系樹脂中的至少1種。
  4. 根據申請專利範圍第1項所述的薄膜封裝材料，其中上述水蒸氣阻隔性樹脂層的厚度比率，為上述薄膜封裝材料厚度的10~99%。
  5. 根據申請專利範圍第1項所述的薄膜封裝材料，其中為由上述第1以及第2黏接性樹脂層，以及上述水蒸氣阻隔性樹脂層構成的三層結構，且上述第1以及第2黏接性樹脂層直接積層於上述水蒸氣阻隔性樹脂層。
  6. 一種封裝片，其特徵在於：包括申請專利範圍第1項所述的薄膜封裝材料以及在上述薄膜封裝材料的一面上積層的阻氣性膜。
  7. 一種電子設備，其特徵在於：由申請專利範圍第1項所述薄膜封裝材料所封裝。
  8. 一種電子設備，其特徵在於：由申請專利範圍第6項所述 封裝片所封裝。
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