TWI587544B - 發光裝置 - Google Patents

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Description

發光裝置
本發明係關於一種可用作顯示裝置、照明器具之光源之發光裝置及其製造方法。
作為顯示裝置或照明裝置之光源，使用有發光二極體(LED，Light Emitting Diode)等半導體發光元件(以下，簡稱為發光元件)之發光裝置之研究不斷取得進展。使用有該發光元件之發光裝置作為代替先前所使用之螢光燈或白熾燈等之新光源而受到關注。尤其，LED因壽命較螢光燈或白熾燈等光源長，又，能以較少之能量發光，故而作為下一代之照明用光源而備受期待。
該等中，尤其是對白色光之發光裝置之需求最迫切，該白色光之發光裝置已知有使用發光元件、及由該發光元件激發而發出成為補色之顏色之光的螢光體而發出白色光者。使用該發光元件與螢光體而構成之發光裝置係藉由以覆蓋發光元件之方式形成螢光體層而製作，對於螢光體層之形成位置或形成方法進行有各種研究。
例如，於專利文獻1中揭示有如下方法：為了減少色差或色偏等，提高光之提取效率，而於已使1次樹脂硬化或半硬化之狀態下，填充含螢光體之2次樹脂，並使螢光體沈澱而形成螢光體層。於利用此種方法製作之發光裝置中，螢光體係遠離發光元件而配置，因此被稱為分離式螢光體(Remote Phosphor)構造或技術。
於專利文獻1中，形成1次樹脂之理由在於欲防止螢光體堆積於導電性金屬線上，從而消除色差或色偏。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2009-94351號公報
然而，專利文獻1所記載之方法對於色差之效果並不充分，且於1次樹脂與2次樹脂之間形成界面而具有樹脂間剝離之虞。
因此，本發明之目的在於提供一種可有效地抑制色差、且不產生樹脂間剝離之可靠性較高之發光裝置之製造方法及發光裝置。
本發明者等人認為於專利文獻1之發光元件中對於色差之效果不充分之理由在於，產生色差之原因除堆積於導電性金屬線上之螢光體以外，亦存在其他原因，並進行了銳意研究後而達成了本發明。
即，本發明之發光裝置之製造方法之特徵在於該發光裝置包括：發光元件；及螢光體層，其吸收自該發光元件出射之光之至少一部分之光並發出波長與所吸收之光不同之光；且該發光裝置之製造方法包括：第1樹脂層形成步驟，其係藉由調整為第1黏度之第1樹脂於上述發光元件之發光面上形成將上述螢光體層規定為特定形狀之第l樹脂層；第2樹脂層形成步驟，其係於使上述第1樹脂層硬化之前，使用包含螢光體且調整為較第1黏度低之第2黏度之第2樹脂於上述第1樹脂層上形成第2樹脂層；以及硬化步驟，其使上述第1樹脂層及上述第2樹脂層硬化。
根據如上所述之製造方法，由於可藉由表面張力使上述第1樹脂 層之表面形成為無角之曲面，且於使第1樹脂硬化之前形成第2樹脂層，故而可使第2樹脂層所包含之螢光體於維持有黏性之第1樹脂之表面形成為均勻之層狀。
即，若如專利文獻1所記載般，於使1次樹脂硬化或半硬化後形成2次樹脂，則即便為曲面形狀，螢光體亦難以黏附於因硬化或半硬化而黏性降低之1次樹脂之周圍，從而難以形成均勻之螢光體層。
又，由於在使第1樹脂硬化之前形成第2樹脂層，故而可防止第1樹脂與第2樹脂之間之樹脂間剝離。
又，本發明之發光裝置之製造方法之特徵在於更包括：第1樹脂黏度調整步驟，其係將上述第1樹脂之第1黏度調整為80Pa．s以上、550Pa．s以下；以及 第2樹脂黏度調整步驟，其係將上述第2樹脂之第2黏度調整為120Pa．s以下。
又，於本發明之發光裝置之製造方法中，亦可基於上述發光面之形狀與第1黏度設定上述第1樹脂層之表面形狀。
又，本發明之發光裝置之製造方法之特徵在於：於上述第1樹脂層形成步驟中，上述第1樹脂層係藉由於上述發光面上滴下上述第1樹脂而形成。
又，於上述第1樹脂層形成步驟中，亦可將上述第1樹脂滴下至上述發光面上之複數個位置。
又，本發明之發光裝置之製造方法之特徵在於：該發光裝置包括安裝上述發光元件之凸狀之安裝部；上述第2樹脂層形成步驟包括如下步驟：於上述安裝部之周圍形成包含填料之第2樹脂層之含填料之樹脂層形成步驟；於上述第1樹脂層上與上述含填料之樹脂層上形成包含螢光體之 第2樹脂層；以及使上述填料上之螢光體優先於填料而沈澱。
又，本發明之發光裝置之特徵在於包括：發光元件；及螢光體層，其吸收自該發光元件出射之光之至少一部分之光而發出波長與所吸收之光不同之光；且於上述發光元件之發光面上，第1樹脂層係以該第1樹脂層之端部與上述發光面之端部實質上一致且上表面成為曲面之方式而形成，上述螢光體層係沿上述第1樹脂層之上表面而形成。
如上述般構成之本發明之發光裝置中，由於螢光體層係以位於發光元件之發光面附近且成為曲面之方式形成，故而可使光通過螢光體層時之光程長度實質上均勻，從而可防止色差。
又，本發明之發光裝置之特徵在於：上述曲面係由上述發光元件之發光面之形狀與使第1樹脂層硬化前之表面張力規定而成。
如上所述，根據本發明，可提供一種能有效地抑制色差、且不產生樹脂間剝離之可靠性較高之發光裝置。
1‧‧‧發光元件
2‧‧‧金屬線
3‧‧‧導線電極
3a‧‧‧導線電極
3b‧‧‧導線電極
4‧‧‧外部連接端子
5‧‧‧封裝體
6‧‧‧第1樹脂層
7‧‧‧第2樹脂層
8a‧‧‧螢光體層
8b‧‧‧螢光體層
18‧‧‧第2樹脂層
18a‧‧‧第1種第2樹脂層(包含填料之第2樹脂層)
18b‧‧‧第2種第2樹脂層(包含螢光體之第2樹脂層)
19‧‧‧填料
20‧‧‧含填料之層
50‧‧‧封裝體
51‧‧‧安裝部
圖1係藉由本發明之實施形態1之製造方法而製作之發光裝置之剖面圖。
圖2(a)-(c)係本發明之實施形態1之製造方法之各步驟之剖面圖。
圖3係藉由本發明之實施形態2之製造方法而製作之發光裝置之剖面圖。
圖4(a)-(d)係本發明之實施形態2之製造方法之各步驟之剖面圖。
以下，一面參照圖式一面對本發明之實施形態之發光裝置之製造方法進行說明。
實施形態1
實施形態1之發光裝置之製造方法係如下發光裝置之製造方法，該發光裝置包括：發光元件1；及螢光體層8a，其吸收自該發光元件1出射之光之至少一部分之光而發出波長與所吸收之光不同之光；根據本製造方法，可使螢光體層8a於第1樹脂層6與第2樹脂層7之間形成為均勻之厚度。
以下，一面參照圖2一面對實施形態1之發光裝置之製造方法進行詳細說明。再者，圖1係經由圖2之步驟而製作之發光裝置之剖面圖。
1.將發光元件1安裝至封裝體內
首先，如圖2(a)所示，將發光元件1以使發光面向上之方式安裝於封裝體5之凹部底面。例如，發光元件1係於矽基板上依序設置p型半導體層、發光層及n型半導體層，且於n型半導體層上表面(發光面)上設置有負電極，藉由金屬線2將該負電極(n側電極)與分別設置於凹部底面之導線電極3a連接。又，發光元件1之正電極(p側電極)係設置於矽基板之下表面，且藉由例如導電性接合劑將該正電極(p側電極)與設置於凹部底面之導線電極3b連接。再者，導線電極3a與一外部連接端子4連接，導線電極3b與另一外部連接端子4連接。
此處，以使用金屬線2將發光元件之正負電極連接至導線電極3a、3b為例進行了說明，但本發明並不限定於此，亦可藉由倒裝晶片接合(flip chip bonding)進行連接。
又，此處，以使用具有凹部之封裝體5為例進行了說明，但本發明並不限定於此，亦可應用於將發光元件安裝於平坦之基板上之發光裝置。
2.第1樹脂之塗佈
其次，如圖2(b)所示，例如藉由滴下(灌注)將調整為特定黏度之 第1樹脂塗佈於發光元件1之發光面。
第1樹脂之黏度係考慮到發光元件之發光面之形狀及該樹脂之表面張力而以第1樹脂層6之表面成為特定形狀之方式進行設定。此處所提到之特定形狀係由於如下述般沿第1樹脂層6之表面形成螢光體層8a，故而為與所需之螢光體層8a之形狀相對應的形狀。
如此，第1樹脂層6形成為曲面狀，於該曲面形狀中，底面之直徑或一邊d與高h較為理想的是以d>h之方式進行設定。
該第1樹脂之調整係除了調整樹脂本身之黏度以外，亦可混入填料而提高黏度，或藉由增減該填料之混入量而進行調整。
又，該第1樹脂之黏度係考慮混入至下述第2樹脂之螢光體之粒徑或使形成第2樹脂後之樹脂硬化為止之螢光體之沈澱時間等而調整為適當之黏度，例如，調整為80Pa．s以上、550Pa．s以下，較佳為150Pa．s以上、200Pa．s以下。
若將第1樹脂之黏度調整為此種範圍，則可容易地形成膜厚均勻之螢光體層，並且可將螢光體之粒徑或平均粒徑設定為可相對容易地調整之範圍，又，可將使形成第2樹脂後之樹脂硬化為止之螢光體之沈澱時間設定得相對較短。
再者，於圖2(b)中表示了於發光面之中央部之一個部位滴下(灌注)第1樹脂之例，但本發明並不限定於此，亦可於發光面之複數個部位滴下(灌注)第1樹脂，例如，亦可於表面形成複數個凸部(分別具有帶弧度之頂部)。
3.第2樹脂之塗佈
其次，於使上述第1樹脂層6硬化之前，如圖2(c)所示，於封裝體之凹部，例如藉由滴下(灌注)將調整為特定黏度、且混入有螢光體粒子之第2樹脂填充至凹部內。
該第2樹脂中混入有螢光體粒子，其黏度係調整為至少低於第1 樹脂之黏度，以使所混入之螢光體粒子易於沈澱。
又，該第2樹脂之黏度係考慮混入至第2樹脂之螢光體之粒徑或使形成第2樹脂後之樹脂硬化為止之螢光體之沈澱時間等而調整為適當之黏度，例如，調整為120Pa．s以下，較佳為2Pa．s以上、10Pa．s以下。
若將第2樹脂之黏度調整為此種範圍，則可容易地形成膜厚均勻之螢光體層，並且可將螢光體之粒徑或平均粒徑設定為可相對容易地調整之範圍，又，可將使形成第2樹脂後之樹脂硬化為止之螢光體之沈澱時間設定地相對較短。
4.自然放置(螢光體粒子之沈澱)
其次，使第2樹脂中所包含之螢光體粒子沈澱，從而於第1樹脂層6之表面形成螢光體層8a。
該自然放置之沈澱時間係考慮第2樹脂之黏度、混入至第2樹脂之螢光體之粒徑等而設定為適當之時間，例如設為第2樹脂中之大部分螢光體粒子已沈澱完畢之程度。
再者，該自然放置可藉由將第2樹脂之黏度設定得較低等而使時間較短，亦可於製造過程之流程中必然會產生之時間內產生沈澱，從而省略該自然放置。又，亦可向發光元件之法線方向(下方，沈澱之方向)施加不損及第1樹脂之形狀之程度之離心力而強制性地使其沈澱。
5.硬化
最後，使第1樹脂及第2樹脂硬化。
根據如上所述之本發明之實施形態1之發光裝置之製造方法，可製造能有效地抑制色差、且不產生第1樹脂層6與第2樹脂層7間之層間剝離之可靠性較高之發光裝置。
即，藉由實施形態1之發光裝置之製造方法而製作之發光裝置由 於在發光元件1之表面形成有包含利用第1樹脂之表面張力之曲面的表面，且於該表面上形成有螢光體層，故而可使自發光元件發出之光通過螢光體層時之光之光程長度相對均勻(可實質上消除光程差)，從而可防止色差。
又，於實施形態1之製造方法中，由於在使第1樹脂硬化之前填充第2樹脂並使螢光體粒子沈澱，故而可使螢光體粒子均勻地沈積於維持有黏性之第1樹脂之表面，從而可形成膜厚均勻之螢光體層。
進而，於實施形態1之製造方法中，由於利用第1樹脂之表面張力而於發光元件之發光面上形成有第1樹脂層1，故而可於發光面之附近形成螢光體層8a，從而可防止由發光元件之配光特性所引起之色差。
又，進而，於實施形態1之製造方法中，由於在使第1樹脂硬化之前形成有第2樹脂，故而可防止第1樹脂層6與第2樹脂層7間之層間剝離，從而可提高發光裝置之可靠性。又，藉由使第1樹脂與第2樹脂除黏度不同以外為相同之組成，而可更有效地防止層間剝離。
以下，對本發明中所使用之發光元件、樹脂之具體例進行說明。
(封裝體或基體)
封裝體係具有收容發光元件之凹部、且支撐2個電極者，且係保護發光元件、並且與電極一體地成形之成形物。封裝體之形狀較佳為於俯視時具有四邊形或與四邊形相近之形狀，但並不特別限定於此，可設為三角形、多邊形或與該等相近之形狀。又，亦可代替具有凹部之封裝體，而設為於平坦之基體上安裝有發光元件之發光裝置。
作為構成該封裝體或基體之材料，較佳為絕緣性構件，又，較佳為來自發光元件之光或外光等難以穿透之構件。又，為具有某種程度之強度者，可使用熱固性樹脂、熱塑性樹脂等，具體而言，可例舉 酚樹脂、玻璃環氧樹脂、BT樹脂(雙馬來醯亞胺三嗪樹脂)、或PPA(聚鄰苯二甲醯胺樹脂)等。尤佳為使用作為熱固性樹脂之三嗪衍生物環氧樹脂。其他熱固性樹脂中，較佳為使用選自由環氧樹脂、改性環氧樹脂、聚矽氧樹脂、改性聚矽氧樹脂、丙烯酸酯樹脂及胺基甲酸酯樹脂所組成之群中之至少1種。又，熱固性樹脂或熱塑性樹脂可含有酸酐、抗氧化劑、脫模材、光反射構件、無機填充材、硬化觸媒、光穩定劑、潤滑劑、顏料等。光反射構件可使用二氧化鈦或二氧化矽。作為其他構成封裝體之材料，可使用氧化鋁、氮化鋁、碳化矽等陶瓷。
(發光元件1)
作為發光元件1，可使用各種發光元件1，例如，可例舉於藍寶石基板上積層氮化物半導體(InXAlYGa1-X-YN，0≦X，0≦Y，X+Y≦1)而成之氮化物半導體發光元件或於該發光元件中去除藍寶石基板而成之氮化物半導體發光元件。該等氮化物半導體發光元件例如可與YAG(Yttrium Aluminium Garnet，釔鋁石榴石)系螢光體等組合而容易地實現白色發光裝置。
又，作為適合於本發明之發光元件，於基板上積層氮化物半導體，例如，氮化物半導體係依序設置p型半導體層、發光層及n型半導體層而成。基板可使用例如包含矽(Si)、Ge、SiC等半導體之半導體基板、或金屬單體基板、或者包含互不固溶或固溶極限較小之2種以上之金屬之複合體的金屬基板。其中，作為金屬單體基板，具體而言，可使用Cu。又，作為金屬基板之材料，具體而言，可使用包含選自Ag、Cu、Au、Pt等高導電性金屬之1種以上之金屬、及選自W、Mo、Cr、Ni等高硬度金屬之1種以上之金屬者。於使用半導體材料之基板之情形時，可設為對其附加有元件功能、例如曾納二極體(zener diode)之基板。又，作為金屬基板，較佳為使用Cu-W或Cu-Mo之複合體。
作為此種發光元件之形成方法之一例，於在藍寶石等半導體成長用基板上依序積層n型半導體層、發光層、p型半導體層而形成半導體積層體後，於p型半導體層之表面依序形成p側電極與金屬化層。於其前後或與其同時地在基板上形成基板側金屬化層，並將形成有基板側金屬化層之基板翻過來而貼合基板側金屬化層與半導體積層體側之金屬化層。其次，自半導體積層體剝離半導體成長用基板，並於藉由剝離而露出之n型半導體層之表面形成n側電極。繼而，將基板側安裝至封裝體或基體。
在藍寶石基板上積層有氮化物半導體之氮化物半導體元件不僅自與安裝面為相反側之面出射較多之光，而且自元件之側面亦出射較多之光，相對於此，此種發光元件係自與安裝面為相反側之面出射較多之光。
又，作為去除藍寶石基板而成之發光元件之另一例，可例舉於封裝體或基體上直接安裝有包含n側電極與p側電極之半導體積層體之發光元件。於此情形時，較佳為封裝體或基體之安裝發光元件之面為於發光元件側凸起之形狀。又，該凸起亦可作為發光元件與封裝體或基體之間之子安裝基板而另行設置。該凸起之高度與上述基板之厚度相當。
(樹脂)
作為用作第1樹脂與第2樹脂之樹脂，使用具有來自發光元件之光可穿透之透光性者。作為具體之材料，可例舉聚矽氧樹脂、環氧樹脂或脲樹脂。關於第1樹脂與第2樹脂，只要第2樹脂之黏度更低則可組合任一材料，又，亦可選擇聚矽氧樹脂作為第1樹脂，選擇黏度低於第1樹脂之聚矽氧樹脂作為第2樹脂，而由相同之材料構成。
(螢光體)
作為螢光體，例如，可例舉(a)主要以Ce等鑭系元素進行活化之 稀土類鋁酸鹽螢光體、(b)體色為黃色之由Y3Al5O12：Ce、(Y0.8Gd0.2)3Al5O12：Ce、Y3(Al0.8Ga0.2)5O12：Ce、(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12之組成式表示之YAG系螢光體。亦可使用上述螢光體以外之螢光體且具有相同之性能、作用、效果之螢光體。
實施形態2
本發明之實施形態2之發光裝置於包含在封裝體50之凹部底面載置發光元件1之安裝部51之方面、及於該安裝部51之周圍形成有包含填料之樹脂層(第1種第2樹脂層)17之方面，與實施形態1之發光裝置不同，其係以如下方式製造。
以下，一面參照圖4一面對實施形態2之發光裝置之製造方法進行詳細說明。再者，圖3係經由圖4之步驟而製作之發光裝置之剖面圖。
(實施形態2之製造方法)
於本製造方法中，首先，如圖4(a)所示，經由凸狀之安裝部51將發光元件1安裝至封裝體50之凹部底面，並連接金屬線。
發光元件1例如係以與實施形態1之發光元件相同之方式構成，藉由導電性接合材將形成於矽基板之下表面之正電極與形成於安裝部51上之導線電極3b連接，且藉由金屬線將形成於發光面之負電極分別與導線電極3a連接。
其次，如圖4(b)所示，於安裝部51之周圍形成包含填料19之第2樹脂層18a(以下，存在稱為第1種第2樹脂層18a之情形)。
繼之，如圖4(c)所示，於發光元件1之發光面上形成第1樹脂層6。
繼而，如圖4(d)所示，藉由滴下(灌注)將混入有螢光體粒子9之第2樹脂層18b(以下，存在稱為第2種第2樹脂層18b之情形)填充至凹部內。
其後，進行自然放置(保持一定時間)，使第2種第2樹脂層18b中 所包含之螢光體粒子9沈澱，而於第1樹脂層6之表面形成螢光體層8a，進而使向安裝部51之周圍之凹部底面沈澱而來的螢光體粒子9沈澱至較填料19更下方(基體上表面側)，從而形成螢光體層8b。可使向安裝部51之周圍之凹部底面沈澱而來之螢光體粒子9沈澱至較填料19更下方(基體上表面側)之原因在於，於第2種第2樹脂層18b中藉由自身重量加速而沈澱(落下)下來之螢光體粒子在通過第1種第2樹脂層18a時推開填料19而沈澱(優先地沈澱)。即，利用第1種第2樹脂層18a中之對螢光體粒子之落下之阻力小於對填料之落下之阻力之情況。
再者，此時第1種第2樹脂層18a中之填料19只要位於較螢光體9更上方即可，例如，亦可於較螢光體更上方沈澱為層狀。
繼而，最後使第1樹脂、第1種第2樹脂、及第2種第2樹脂硬化。
藉由如上所述之製造方法，可獲得如下發光裝置：經由凸狀之安裝部51將發光元件1安裝至封裝體50之凹部，且包含發光元件1上之第1樹脂層6之表面之螢光體層8a、安裝部51之周圍之螢光體層8b、及形成於安裝部之周圍之螢光體層8b上之含填料之層20。
第1種第2樹脂與第2種第2樹脂較佳為使用例如聚矽氧等，設為相同之材料，但只要為可藉由保持一定時間而至少螢光體粒子沈澱至較填料更下方(基體上表面側)之材料，則亦可組合使用不同之材料。再者，於圖3及圖4中說明了第1種第2樹脂層18a與第2種第2樹脂層18b為相同之材料，且於硬化後成為一體之第2樹脂層18之形態。
關於其他具體之材料或黏度或詳細之製造方法，可與實施形態1同樣地加以應用。
藉由如上述般構成之實施形態2之製造方法及利用該製造方法而製作之發光裝置，可抑制色差，不會產生樹脂間剝離且可靠性較高，除此以外亦可防止因來自發光元件1之光照射至沈澱至封裝體50之凹部底面之螢光體層8b而產生之黃色環，故而可提供進一步抑制色差之 發光裝置。
實施例1
將矽基板上依序包含p側電極、p型氮化物半導體、發光層、n型氮化物半導體、n側電極之發光元件安裝至具有凹部之封裝體。其次，以金屬線連接n側電極與封裝體之導線電極，p側電極係通過矽基板而與安裝基板之導線電極電性連接，藉此使各個電極與封裝體下部之外部連接端子電性連接。
其次，作為第1樹脂，將黏度為180Pa．s之聚矽氧藉由灌注而形成於成為發光元件之發光面之n側電極上，藉此形成曲面狀之第1樹脂層。
繼之，作為第2樹脂，將含有包含(Y0.8Gd0.2)3Al5O12：Ce之螢光體、且黏度為3.5Pa．s之聚矽氧藉由灌注而形成於凹部。
此處藉由放置一定時間而使螢光體沈澱，從而於第1樹脂層之表面形成膜厚均勻之螢光體層，並且殘留之螢光體沈澱至凹部底面。
最後，以使第1樹脂與第2樹脂硬化之溫度與時間使第1樹脂及第2樹脂硬化而獲得發光裝置。
藉此，可獲得抑制色差、且不產生樹脂間剝離之可靠性較高之發光裝置。
實施例2
將矽基板上依序包含p側電極、p型氮化物半導體、發光層、n型氮化物半導體、n側電極之發光元件1安裝至具有凹部之封裝體50。於本實施例中，於凹部底面設置有凸狀之安裝部51，經由該安裝部51安裝發光元件1。其次，以金屬線2連接n側電極與封裝體之導線電極3a，並將矽基板之下表面之p側電極連接至形成於安裝部51之上表面之導線電極3b。繼之，作為第1種第2樹脂，形成黏度為3.5Pa．s、且以樹脂：填料為100：33之比例含有成為填料之TiO2之聚矽氧，從而 於凹部底面之安裝部之周圍形成作為含填料之層之第1種第2樹脂層18a。其次，作為第1樹脂，將黏度為180Pa．s之聚矽氧藉由灌注形成於成為發光元件之發光面之n側電極上，藉此形成曲面狀之第1樹脂層6。繼之，作為第2種第2樹脂18b，將含有包含(Y0.8Gd0.2)3Al5O12：Ce之螢光體粒子、且黏度為3.5Pa．s之聚矽氧藉由灌注而形成於凹部。
此處藉由保持一定時間(自然放置)，使螢光體粒子沈澱，而於第1樹脂層6之表面形成膜厚均勻之螢光體層8a，並且使殘留之螢光體粒子沈澱至凹部底面，進而使其沈澱至較填料更下方、亦即凹部底面側。最後，以使第1樹脂、第1種第2樹脂及第2種第2樹脂硬化之溫度與時間使各者硬化而獲得發光裝置。
藉此，可獲得亦抑制黃色環、進一步抑制色差、且不產生樹脂間剝離之可靠性較高之發光裝置。
1‧‧‧發光元件
2‧‧‧金屬線
3a‧‧‧導線電極
3b‧‧‧導線電極
4‧‧‧外部連接端子
5‧‧‧封裝體
6‧‧‧第1樹脂層
7‧‧‧第2樹脂層
8a‧‧‧螢光體層
8b‧‧‧螢光體層

Claims (8)

  1. 一種發光裝置，其特徵在於包括：發光元件；第1樹脂層，其形成於上述發光元件之發光面；螢光體層，其形成於上述第1樹脂層之上表面，且除了上述發光元件之側面之至少一部分外，覆蓋上述發光元件；及透光性之第2樹脂層，其覆蓋上述螢光體層；上述第1樹脂層不含螢光體。
  2. 如請求項1之發光裝置，其中上述第1樹脂層與上述第2樹脂層係包含相同之樹脂而成。
  3. 如請求項1或2之發光裝置，其中上述螢光體層於上述第1樹脂層之表面以均勻厚度形成為層狀。
  4. 如請求項1或2之發光裝置，其中上述發光元件係倒裝晶片安裝用之發光元件。
  5. 如請求項1或2之發光裝置，其中上述第1樹脂層之底面之一邊大於上述第1樹脂層之高度。
  6. 如請求項1或2之發光裝置，上述第2樹脂層具有含有填料之樹脂層。
  7. 如請求項6之發光裝置，其中上述填料係TiO2。
  8. 如請求項6之發光裝置，其中上述螢光體層與上述第1樹脂層之上表面及上述含有填料之樹脂層之表面接觸。
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