CN105161610B - 一种cob光源及其制备工艺 - Google Patents
一种cob光源及其制备工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105161610B CN105161610B CN201510624826.XA CN201510624826A CN105161610B CN 105161610 B CN105161610 B CN 105161610B CN 201510624826 A CN201510624826 A CN 201510624826A CN 105161610 B CN105161610 B CN 105161610B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silica gel
- fluorescent material
- led chip
- heat
- hemispherical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 44
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 57
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims abstract description 57
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 10
- 241000218202 Coptis Species 0.000 claims abstract description 5
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 claims abstract description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 32
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 25
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 25
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 5
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 claims description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000012467 final product Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明公开了一种COB光源及其制备工艺，其特征在于，包括：散热基板（1），所述散热基板（1）上设置有若干LED芯片（2），若干所述LED芯片（2）的外面设置有一圈围挡（3），所述围挡（3）与所述散热基板（1）的上表面相连接；所述围挡（3）中有电极（7）；所述LED芯片（2）与电极（7）之间通过金线（8）连接；所述LED芯片（2）的外面包覆有半球形固化硅胶（6）；所述半球形固化硅胶（6）的外面均匀沉降有一层荧光粉（5）。本发明提供的一种COB光源及其制备工艺，LED芯片周围荧光粉分布均匀，各方向配光均匀，工艺简单，成本低廉，发射角度大，高光效，并且光源色温一致性较好，成品质量一致性好。
Description
技术领域
本发明涉及一种COB光源及其制备工艺，属于光源制作技术领域。
背景技术
常规荧光粉沉淀工艺大多都是简单通过常温静置或离心机加速沉淀来实现，其荧光粉沉淀效果如图1所示，即只有光源芯片的上表面及铜基板的上表面沉积有荧光粉，而LED芯片的侧壁无荧光粉，导致光源芯片配光严重不均匀。如果常温静置，则需要的时间长，生产不方便；如果用离心机设备投资大；两者效果都不理想。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，提供一种配光均匀的COB光源；进一步地，本发明提供一种荧光粉易散热，LED芯片配光均匀，工艺简单，成本低廉，发射角度大，高光效，并且LED色温一致性较好，成品质量一致性好，批间差异小的COB光源的制备工艺。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：
一种COB光源，其特征在于，包括：散热基板，所述散热基板上设置有若干LED芯片，若干所述LED芯片的外面设置有一圈围挡，所述围挡与所述散热基板的上表面相连接；所述围挡中有电极；所述LED芯片与电极之间通过金线连接；所述LED芯片的外面包覆有半球形固化硅胶；所述半球形固化硅胶的外面均匀沉降有一层荧光粉；所述荧光粉的上面为硅胶。
所述散热基板包括铝基板、铜基板或陶瓷基板。
所述围挡的材质为白色硅胶或PC材料。
一种COB光源的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S01，半球形固化硅胶的制备：采用100%-120%的额定功率点亮加热LED芯片，点亮加热的时间为2-10秒；点亮加热后所述LED芯片的外面形成一圈半球形固化硅胶，其余部分为其内分散有荧光粉的呈液态的硅胶，得半固化品；
S02，预热加速沉淀荧光粉：将S01分批次制备的所述半固化品依次放在加热平台上预热；预热温度为低于所述硅胶的固化温度5-10℃，预热的过程中所述荧光粉持续沉降在所述半球形固化硅胶的外表面，得半固化荧光粉沉淀品；
S03，将所述半固化荧光粉沉淀品放入有恒温加热功能的真空箱中，抽真空并保温，时间以荧光粉充分沉淀为准，真空保温温度为S02中的预热温度，真空保温继续沉淀所述荧光粉的同时，真空抽取所述硅胶中的气泡，得半固化脱泡品；
S04，将所述半固化脱泡品放入烤箱中定型，烤箱温度为所述硅胶的固化温度，得成品。
所述半球形固化硅胶内含有少量荧光粉。
一种COB光源的制备工艺，其与一般COB光源制备工艺相同的步骤包括固晶、焊线、配胶、点胶；而后面的步骤S01~S03区别于一般COB光源制备工艺。
本发明可把荧光粉均匀的沉到LED芯片底部及表面，本发明适用于各种瓦数的COB产品。
本发明涉及一种光源的制作工艺，特别是涉及集成光源的制作工艺。较一般的封装工艺区别在于本发明在沉淀前，用额定功率的100%-120%点亮局部快速加热导致LED芯片附近的硅胶呈现半固化状态，然后再移至加热平台使硅胶粘度降低加速沉淀，最后在真空状态下保温巩固沉淀效果。与一般方式下的沉淀效果的区别在于本发明的光源芯片周围环绕一圈荧光粉，发光效率大大提升，发光均匀度明显改善。
荧光粉与透明硅胶荧光粉所发的荧光与LED芯片所发蓝光混合后可构成从暖白到冷白的各种白光。
本发明提供的一种COB光源及其制备工艺，LED芯片的四周均匀沉积有荧光粉，使LED芯片配光均匀，发射角度大，高光效，并且LED光源色温一致性较好；因为硅胶导热系数低，100%-120%的额定功率点亮加热LED芯片的设置，实现了半球形固化硅胶的制备，使荧光粉得以均匀沉降在所述半球形固化硅胶的外表面；加热平台的设置，可以将分批次制备的半固化荧光粉沉淀品预先放置在其上，保证硅胶温度不降低，保证荧光粉完全沉降；恒温加热功能的真空箱的设置，使抽真空同时保温，确保荧光粉的沉淀，使COB光源各批次产品批间差异小，产品质量稳定，一致性好。
附图说明
图1为现有的COB光源的结构示意图；
图2为本发明的COB光源的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作更进一步的说明。
实施例1：
如图2所示， 一种COB光源，其特征在于，包括：散热基板1，所述散热基板1上设置有若干LED芯片2，若干所述LED芯片2的外面设置有一圈围挡3，所述围挡3与所述散热基板1的上表面相连接；所述围挡3中有电极7；所述LED芯片2与电极7之间通过金线8连接；所述LED芯片2的外面包覆有半球形固化硅胶6；所述半球形固化硅胶6的外面均匀沉降有一层荧光粉5；所述荧光粉5的上面为硅胶4。
所述散热基板1为铝基板。
所述围挡3的材质为白色硅胶。
一种COB光源的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S01，半球形固化硅胶的制备：采用100%的额定功率点亮加热LED芯片2，点亮加热的时间为10秒；点亮加热后所述LED芯片2的外面形成一圈半球形固化硅胶6，其余部分为其内分散有荧光粉5的呈液态的硅胶4，得半固化品；
S02，预热加速沉淀荧光粉：将S01分批次制备的所述半固化品依次放在加热平台上预热；预热温度为低于所述硅胶4的固化温度5℃，预热的过程中所述荧光粉5持续沉降在所述半球形固化硅胶6的外表面，得半固化荧光粉沉淀品；
S03，将所述半固化荧光粉沉淀品放入有恒温加热功能的真空箱中，抽真空并保温，时间以荧光粉充分沉淀为准，真空保温温度为S02中的预热温度，真空保温继续沉淀所述荧光粉5的同时，真空抽取所述硅胶4中的气泡，得半固化脱泡品；
S04，将所述半固化脱泡品放入烤箱中定型，烤箱温度为所述硅胶4的固化温度，得成品。
该工艺制备的荧光粉沉淀装置，LED芯片2的四周均匀沉积有荧光粉5，使LED芯片2配光均匀，发射角度大，高光效。
实施例2：
如图2所示， 一种COB光源，其特征在于，包括：散热基板1，所述散热基板1上设置有若干LED芯片2，若干所述LED芯片2的外面设置有一圈围挡3，所述围挡3与所述散热基板1的上表面相连接；所述围挡3中有电极7；所述LED芯片2与电极7之间通过金线8连接；所述LED芯片2的外面包覆有半球形固化硅胶6；所述半球形固化硅胶6的外面均匀沉降有一层荧光粉5；所述荧光粉5的上面为硅胶4。
所述散热基板1为铜基板。
所述围挡3的材质为PC材料。
一种COB光源的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S01，半球形固化硅胶的制备：采用120%的额定功率点亮加热LED芯片2，点亮加热的时间为2秒；点亮加热后所述LED芯片2的外面形成一圈半球形固化硅胶6，其余部分为其内分散有荧光粉5的呈液态的硅胶4，得半固化品；
S02，预热加速沉淀荧光粉：将S01分批次制备的所述半固化品依次放在加热平台上预热；预热温度为低于所述硅胶4的固化温度10℃，预热的过程中所述荧光粉5持续沉降在所述半球形固化硅胶6的外表面，得半固化荧光粉沉淀品；
S03，将所述半固化荧光粉沉淀品放入有恒温加热功能的真空箱中，抽真空并保温，时间以荧光粉充分沉淀为准，真空保温温度为S02中的预热温度，真空保温继续沉淀所述荧光粉5的同时，真空抽取所述硅胶4中的气泡，得半固化脱泡品；
S04，将所述半固化脱泡品放入烤箱中定型，烤箱温度为所述硅胶4的固化温度，得成品。
该工艺制备的荧光粉沉淀装置，LED芯片2的四周均匀沉积有荧光粉5，使LED芯片2配光均匀，发射角度大，高光效。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出：对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (4)
1.一种COB光源，其特征在于，包括：散热基板（1），所述散热基板（1）上设置有若干LED芯片（2），若干所述LED芯片（2）的外面设置有一圈围挡（3），所述围挡（3）与所述散热基板（1）的上表面相连接；所述围挡（3）中有电极（7）；所述LED芯片（2）与电极（7）之间通过金线（8）连接；所述LED芯片（2）的外面包覆有半球形固化硅胶（6）；所述半球形固化硅胶（6）的外面均匀沉降有一层荧光粉（5）；所述荧光粉（5）的上面为硅胶（4）；
在所述半球形固化硅胶（6）外面沉淀所述荧光粉（5）前，用额定功率的100%-120%点亮所述LED芯片（2），局部快速加热导致所述LED芯片（2）附近的硅胶呈现半固化状态，即形成所述半球形固化硅胶（6），然后再移至加热平台使所述硅胶（4）粘度降低，使所述荧光粉（5）加速沉淀，最后在真空状态下保温巩固所述荧光粉（5）的沉淀效果。
2.根据权利要求1所述的一种COB光源，其特征在于：所述散热基板（1）包括铝基板、铜基板或陶瓷基板。
3.根据权利要求1所述的一种COB光源，其特征在于：所述围挡（3）的材质为白色硅胶或PC材料。
4.根据权利要求1~3任一项所述的一种COB光源的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S01，半球形固化硅胶的制备：采用100%-120%的额定功率点亮加热LED芯片（2），点亮加热的时间为2-10秒；点亮加热后所述LED芯片（2）的外面形成一圈半球形固化硅胶（6），其余部分为其内分散有荧光粉（5）的呈液态的硅胶（4），得半固化品；
S02，预热加速沉淀荧光粉：将S01分批次制备的所述半固化品依次放在加热平台上预热；预热温度为低于所述硅胶（4）的固化温度5-10℃，预热的过程中所述荧光粉（5）持续沉降在所述半球形固化硅胶（6）的外表面，得半固化荧光粉沉淀品；
S03，将所述半固化荧光粉沉淀品放入有恒温加热功能的真空箱中，抽真空并保温，时间以荧光粉充分沉淀为准，真空保温温度为S02中的预热温度，真空保温继续沉淀所述荧光粉（5）的同时，真空抽取所述硅胶（4）中的气泡，得半固化脱泡品；
S04，将所述半固化脱泡品放入烤箱中定型，烤箱温度为所述硅胶（4）的固化温度，得成品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510624826.XA CN105161610B (zh) | 2015-09-25 | 2015-09-25 | 一种cob光源及其制备工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510624826.XA CN105161610B (zh) | 2015-09-25 | 2015-09-25 | 一种cob光源及其制备工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105161610A CN105161610A (zh) | 2015-12-16 |
| CN105161610B true CN105161610B (zh) | 2017-08-25 |
Family
ID=54802419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510624826.XA Active CN105161610B (zh) | 2015-09-25 | 2015-09-25 | 一种cob光源及其制备工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105161610B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110931472B (zh) * | 2019-10-23 | 2022-05-20 | 硅能光电半导体(广州)有限公司 | 一种光转换材料快速沉降的cob封装方法及cob器件 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101452986A (zh) * | 2008-12-31 | 2009-06-10 | 广东昭信光电科技有限公司 | 白光发光二极管器件的封装结构和方法 |
| CN101582477A (zh) * | 2009-06-23 | 2009-11-18 | 中山大学 | 一种led芯片的活性封装方法及其封装结构 |
| CN202917539U (zh) * | 2012-11-09 | 2013-05-01 | 南京吉山光电科技有限公司 | Led荧光粉远置透镜 |
| CN203466188U (zh) * | 2013-08-23 | 2014-03-05 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种新型条形cob器件 |
| CN104347778A (zh) * | 2013-07-30 | 2015-02-11 | 惠州市华阳光电技术有限公司 | 一种荧光粉涂覆方法和一种led灯及其支架 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2704219B1 (en) * | 2011-04-26 | 2018-08-08 | Nichia Corporation | Method for producing light-emitting device, and light-emitting device |
-
2015
- 2015-09-25 CN CN201510624826.XA patent/CN105161610B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101452986A (zh) * | 2008-12-31 | 2009-06-10 | 广东昭信光电科技有限公司 | 白光发光二极管器件的封装结构和方法 |
| CN101582477A (zh) * | 2009-06-23 | 2009-11-18 | 中山大学 | 一种led芯片的活性封装方法及其封装结构 |
| CN202917539U (zh) * | 2012-11-09 | 2013-05-01 | 南京吉山光电科技有限公司 | Led荧光粉远置透镜 |
| CN104347778A (zh) * | 2013-07-30 | 2015-02-11 | 惠州市华阳光电技术有限公司 | 一种荧光粉涂覆方法和一种led灯及其支架 |
| CN203466188U (zh) * | 2013-08-23 | 2014-03-05 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种新型条形cob器件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105161610A (zh) | 2015-12-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101592291A (zh) | 一种色温可调的led灯制作方法及led灯 | |
| CN103489996B (zh) | 白光led封装工艺 | |
| CN109273579A (zh) | Led灯珠制备方法 | |
| CN101714598A (zh) | 一种白光led封装过程中荧光粉分层沉淀的方法 | |
| TW201228045A (en) | Light emitting diode packaging structure and method for fabricating the same | |
| CN107808923B (zh) | 一种用于led的荧光薄膜结构的制备方法 | |
| CN103840063A (zh) | Led封装基板及其制作方法 | |
| CN102437255A (zh) | 旋转涂覆法制备白光led用荧光片 | |
| CN107452724B (zh) | 一种led灯丝的制备方法 | |
| CN109830474A (zh) | 彩光led芯片制备方法及彩光led灯珠制备方法 | |
| CN105161610B (zh) | 一种cob光源及其制备工艺 | |
| CN106981482A (zh) | 一种led调光光源及其制备方法 | |
| CN103456871B (zh) | 改善pc-LEDs空间光色度均匀性的荧光粉涂层结构 | |
| CN207353289U (zh) | 一种提高光效的led封装结构及汽车远近光照明系统 | |
| CN109713112A (zh) | 白光led芯片、灯珠及白光led芯片、灯珠制备方法 | |
| CN106505138A (zh) | 一种led封装结构及其制备方法 | |
| CN103367612A (zh) | Led封装结构及工艺 | |
| CN109742220A (zh) | 含液态量子点的白光led及其制备方法 | |
| CN100555694C (zh) | 一种大功率发光二极管减免硅胶的封装方法 | |
| CN205790054U (zh) | Emc倒装支架加一次封装透镜结构 | |
| CN205231108U (zh) | 一种白光led晶片封装结构 | |
| CN102738372A (zh) | 一种新型led 集成光源模组及其制备方法 | |
| CN106898679A (zh) | 一种量子点led背光器件及其制备方法 | |
| CN100414701C (zh) | 发光系统、发光装置及其形成方法 | |
| CN107565004A (zh) | 一种led面光源高显指发光的封装方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20170815 Address after: 211751 Xuyi County of Huaian City, Jiangsu Province town Ma Industrial Zone Development Road and Yingbin Road intersection Patentee after: Huaian Ji Shan Photoelectric Technology Co., Ltd. Address before: 210046 Jiangsu, Qixia District, Nanjing Province, Gan family side, East 108, 1, 4 Patentee before: Beijing Jishan Lighting Technology Co., Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |