TWI567467B - 顯示基板、製造顯示基板之方法以及具有顯示基板之液晶顯示裝置 - Google Patents
顯示基板、製造顯示基板之方法以及具有顯示基板之液晶顯示裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI567467B TWI567467B TW101121015A TW101121015A TWI567467B TW I567467 B TWI567467 B TW I567467B TW 101121015 A TW101121015 A TW 101121015A TW 101121015 A TW101121015 A TW 101121015A TW I567467 B TWI567467 B TW I567467B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- insulating layer
- electrode
- gate
- contact
- disposed
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 133
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 80
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 72
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 16
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 150000002291 germanium compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 271
- 230000008569 process Effects 0.000 description 69
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 24
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 22
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 15
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- -1 tungsten nitride Chemical class 0.000 description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 7
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 6
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 150000001785 cerium compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000003304 ruthenium compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NNBKCAMHTYOBQS-UHFFFAOYSA-I N(=O)[O-].[Nb+5].N(=O)[O-].N(=O)[O-].N(=O)[O-].N(=O)[O-] Chemical compound N(=O)[O-].[Nb+5].N(=O)[O-].N(=O)[O-].N(=O)[O-].N(=O)[O-] NNBKCAMHTYOBQS-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BCZWPKDRLPGFFZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynecerium Chemical compound [Ce]#N BCZWPKDRLPGFFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JFWLFXVBLPDVDZ-UHFFFAOYSA-N [Ru]=O.[Sr] Chemical compound [Ru]=O.[Sr] JFWLFXVBLPDVDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N azane;chromium Chemical compound N.[Cr] SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N [C].[Si] Chemical compound [C].[Si] HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001622 bismuth compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOQDDXSEBMKHJU-UHFFFAOYSA-N oxomethylideneniobium Chemical compound O=C=[Nb] JOQDDXSEBMKHJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134318—Electrodes characterised by their geometrical arrangement having a patterned common electrode
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/40—Arrangements for improving the aperture ratio
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2011年8月5日提出之韓國專利申請號10-2011-0078089之優先權，其揭露於此全部併入以在此作為參考。
本發明之實施例是關於具有改良配線結構之顯示基板、製造具有改良配線結構之顯示基板之方法以及具有包含改良配線結構之顯示基板之液晶顯示裝置。
液晶顯示裝置可包含具有像素電極之薄膜電晶體陣列基板、具有共用電極之濾光片基板以及設置於其間之液晶層。藉由改變像素電極與共用電極之間產生之電場以依據液晶層中液晶分子之定向而控制光的穿透率，液晶顯示裝置可顯示影像。近來，為了增加側向可見度，已發展具有圖樣化垂直配向(patterned vertical alignment, PVA)模式或面內轉向(in-plane switching, IPS)模式之液晶顯示裝置。然而，具有圖樣化垂直配向模式之液晶顯示裝置可能有例如殘像或在增加側向可見度上之限制之缺點。具有面內轉向模式之液晶顯示裝置可能有例如低亮度之缺點。
考慮上述問題，舉例來說，如韓國專利申請號10-2010-0103010所揭露，已發展出一種液晶顯示裝置，其具有面線轉換(plane to line switching, PLS)模式以增加側向可見度及亮度。具有傳統面線轉換模式之液晶顯示裝置可於資料線與共用電極之間具有一厚的有機絕緣層，故可減少閘極訊號與資料訊號間之耦合電容，以實現穩定之像素電荷。然而，在具有傳統面線轉換模式之液晶顯示裝置中，有機絕緣層於執行於約400℃之相對高溫之接續過程期間可能被破壞，使得於共用電極與資料線間之耦合電容可能發生，且需額外接點以連接像素電極至薄膜電晶體。
一些實施例提供顯示基板，其透過改良例如閘極線、資料線以及電極之配線結構而避免或減少資料線與共用電極間之耦合電容，因而避免訊號延遲並且增加開口比率。
一些實施例提供製造顯示基板之方法，其透過改良配線結構而避免或減少資料線與共用電極間之耦合電容，因而避免訊號延遲並且增加開口比率。
一些實施例提供具有顯示基板之液晶顯示裝置，其透過改良配線結構而避免或減少資料線與共用電極間之耦合電容，因而避免訊號延遲並且增加開口比率。
根據一態樣，係提供一種顯示基板，其包含基板、開關裝置、閘極線、資料線、像素電極以及複數個共用電極。開關裝置可包含於基板上之主動圖樣、閘極絕緣層、閘極電極、源極電極以及汲極電極。主動圖樣可具有第一雜質區域、通道區域以及第二雜質區域。閘極線可電性連接於源極電極。資料線可電性連接於閘極電極。像素電極可電性連接於汲極電極。共用電極可設置於像素電極上。
閘極絕緣層可覆蓋主動圖樣，且閘極線可位於閘極絕緣層上。
顯示裝置可更包含絕緣層於閘極絕緣層上，以覆蓋閘極線及閘極電極。
源極電極於絕緣層上可自第一雜質區域延伸至閘極線。
源極電極之第一部分可電性連接於第一雜質區域，而源極電極之第二部分可電性耦合於閘極線。
源極電極之第一部分可穿過絕緣層及閘極絕緣層，以與設置於第一雜質區域上之第一接點接觸，而源極電極之第二部分可穿過絕緣層，以與於閘極線上之第二接點接觸。
源極電極可與第一接點及第二接點一體成型地形成。
汲極電極之第一部分可電性接觸第二雜質區域，汲極電極之第二部分可延伸於絕緣層上，且像素電極可電性接觸於汲極電極之第二部分。
汲極電極可穿過絕緣層及閘極絕緣層，以與設置於第二雜質區域上之第三接點接觸。
資料線可穿過絕緣層，以與設置於閘極電極上之第四接點接觸。
資料線可與第四接點一體成型地形成。
開關裝置可設置於顯示基板之像素區域之中心部分中，且資料線可設置相鄰於像素區域之中心部分。
開關裝置可設置於相鄰像素區域之周圍部分，且資料線可設置於相鄰像素區域之間。
共用電極可包含複數個第一共用電極及複數個第二共用電極。第一共用電極及第二共用電極可以開關裝置為中心與彼此分隔。
第一共用電極與第二共用電極間之距離可大於相鄰第一共用電極間或相鄰第二共用電極間之距離。
根據另一態樣，係提供一種製造顯示基板之方法。在此方法中，於基板上可形成包含第一雜質區域、通道區域及第二雜質區域之主動圖樣。於基板上可形成閘極絕緣層，以覆蓋主動圖樣。於閘極絕緣層上可形成閘極線及閘極電極。於閘極絕緣層上可形成第一絕緣層，以覆蓋閘極線與閘極電極。於第一絕緣層上可形成源極電極、資料線及汲極電極。源極電極可電性連接於閘極線。資料線可電性連接於閘極電極。汲極電極可電性連接於第二雜質區域。於第一絕緣層上可形成第二絕緣層，以覆蓋源極電極、資料線以及汲極電極。於第二絕緣層上可形成像素電極。像素電極可電性連接於汲極電極。
於源極電極、資料線以及汲極電極之形成中，第一絕緣層及閘極絕緣層可被部分地移除，以形成暴露第一雜質區域之第一接觸孔、形成暴露閘極線之第二接觸孔、形成暴露第二雜質區域之第三接觸孔以及形成暴露閘極電極之第四接觸孔。於第一絕緣層上可形成第一導電層，以填充第一接觸孔、第二接觸孔、第三接觸孔以及第四接觸孔。第一導電層可圖樣化以分別於第一接觸孔、第二接觸孔、第三接觸孔以及第四接觸孔形成第一接點、第二接點、第三接點以及第四接點，且於第一絕緣層上形成源極電極、資料線以及汲極電極。
源極電極、第一接點以及第二接點可同時地形成，汲極電極及第三接點可同時地形成，而資料線及第四接點可同時地形成。
主動圖樣之形成可更包含於基板上形成儲存電容之第一電極，而閘極線及閘極電極之形成可更包含於閘極絕緣層上形成儲存電容之第二電極。
第一絕緣層及第二絕緣層各可使用矽化合物而形成。
於像素電極之形成中，第二絕緣層可部分地移除，以形成暴露汲極電極之第五接觸孔。第二導電層可形成於第二絕緣層上，以填充第五接觸孔。第二導電層可圖樣化，以於第五接觸孔形成第五接點，且於第二絕緣層上形成像素電極。
第三絕緣層可形成於第二絕緣層上，以覆蓋像素電極。複數個第一共用電極及複數個第二共用電極可形成於第三絕緣層上。第一及第二共用電極可對應於像素電極。
根據另一態樣，係提供一種液晶顯示裝置，其包含第一基板、開關裝置、閘極線、資料線、像素電極、複數個共用電極、液晶層、參考電極以及第二基板。開關裝置於基板上可包含主動圖樣、閘極絕緣層、閘極電極、源極電極以及汲極電極。主動圖樣可具有第一雜質區域、通道區域、以及第二雜質區域。閘極線可電性連接於源極電極。資料線可電性連接於閘極電極。像素電極可電性連接於汲極電極。共用電極可設置於像素電極上。液晶層可設置於共用電極上。參考電極可設置於液晶層上。第二基板可設置於參考電極上。
液晶顯示裝置更可包含設置於閘極絕緣層上之絕緣層。絕緣層可覆蓋閘極線及閘極電極。
於絕緣層上之源極電極可自第一雜質區域延伸至閘極線。源極電極之第一部分可電性連接於第一雜質區域，而源極電極之第二部分可電性連接於閘極線。
源極電極之第一部分可穿過絕緣層及閘極絕緣層，以與第一雜質區域上之第一接點接觸，源極電極之第二部分可穿過絕緣層，以與閘極線上之第二接點接觸，而資料線可穿過絕緣層，以與閘極電極上之第四接點接觸。
開關裝置可設置於像素區域之中心部分或相鄰像素區域之周圍部分，且資料線可設置相鄰於像素區域之中心部分或相鄰像素區域之間。
在此將藉由參閱其中顯示一些實施例之附圖而更充份地描述不同之實施例。然而，本發明可以許多不同形式而實施，且不應詮釋為限制於在此所述之實施例。相反地，此些實施例係提供以使得本說明將徹底且完整，且將充分傳達本發明之範疇予所屬領域具有通常知識者。在圖式中，層及區域之尺寸及相對尺寸可為了清晰而誇大。
將理解的是，當一元件或層被稱為在另ㄧ元件或層“上(on)”、“連接於(connected to)”或“耦合於(coupled to)”另一元件或層時，其可直接地位於其他元件或層上、直接地連接於或直接地耦合於另一元件或層，或可存在中介元件或層。相反地，當一元件被稱為“直接地於另ㄧ元件或層上(directly on)”、“直接地連接於(directly connected to)”或“直接地耦合於(directly coupled to)”另一元件或層時，則不存在中介元件或層。全文中相同的參考符號通常表示相同的元件。當在此使用時，術語“及/或(and/or)”包含一或多個相關條列項目之任何及所有組合。
將理解的是，雖然術語“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等可用於此以表示不同之元件、組件、區域、層及/或區段，但此些元件、組件、區域、層及/或區段不應受這些術語所限制。這些術語僅用以自其他區域、層或區段而區分一元件、組件、區域、層或區段。因此，在不脫離本發明之教示下，以下討論之第一元件、組件、區域、層或區段可稱為第二元件、組件、區域、層或區段。
空間相對術語，例如“下(beneath)”、“下(below)”、“下(lower)”、“上(above)”、“上(upper)”等可在此用於便於描述以說明圖式中一元件或特徵與另一元件或特徵之關係。將理解的是，除了圖式中所示之定向外，空間相對術語係旨在涵蓋裝置在使用或操作中的不同定向。舉例來說，若翻轉圖式中裝置，描述為於其他元件或特徵之“下(beneath)”或“下(below)”將接著定位於其他元件或特徵之“上(above)”。因此，例示性術語“下(below)”可涵蓋上或下之定向。裝置可另外定向(旋轉90度或其他定向)，且於此使用之空間相對描述係作對應地解釋。
在此使用之專業用語係僅用以描述特定實施例之目的，且並非旨在為本發明之限制。除非內文有清楚地另行表明，當在此使用時，“一(a)”、“一(an)”、及“此(the)”之單數型式亦旨在包含複數型式。將進一步理解的是，當用於此說明書中時，“包含(comprises)”及/或“包含(comprising)”之術語係指明所述特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件之存在，但並不排除一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其群組之存在或增加。
部份實施例係在此參閱為理想實施例之示意圖(及其中間結構)之剖面圖而說明。如此，作為例如製造技術及/或公差之結果而與圖示之形狀之差異係可預期的。因此，實施例不應詮釋為限於此處所示之區域之特定形狀，而包含例如來自製造結果在形狀上之差異。舉例來說，繪示為矩形之埋植區域將一般具有圓形或曲形特徵及/或在其邊緣之埋植濃度梯度而非從埋植至非埋植區域之二分化改變。同樣地，以埋植形成之埋置區域可造成介於埋置區域及埋植發生通過之表面之區域之間之一些植入。因此，圖式描述之區域係為其自然示意且其形狀並非旨在描述裝置之區域之實際形狀，且非旨在限制本發明之範疇。
除非另行定義，在此使用之所有術語(包含技術及科學上之術語)具有如本發明所屬領域具有通常知識者所通常理解之相同意義。更將理解的是，例如一般常用字典所定義之術語應解釋為具有與相關領域內容之意義相符之意義，且除非在此說明地定義，否則將不以理想化或過度正式性地解釋。
第1圖係為描述顯示基板之實施例之平面圖，而第2圖係為描述顯示基板之實施例之剖面圖。舉例來說，第2圖所繪示之顯示基板可藉由於第1圖之顯示基板截取I-II線段而獲得。
參閱第1圖及第2圖，顯示基板可包含第一基板100、開關裝置、儲存電容、閘極線135、資料線165、複數個絕緣層(即第一絕緣層150、第二絕緣層170以及第三絕緣層180)、像素電極175、第一共用電極185以及第二共用電極190。在一些實施例中，複數個絕緣層可包含例如矽化合物之無機材料。舉例來說，顯示基板可不用包含有機絕緣層，而傳統顯示基板包含至少一有機絕緣層。
第一基板100可包含透明絕緣材料。例如，第一基板100可包含玻璃基板、石英基板、透明樹脂基板、透明陶瓷基板等。
緩衝層105可設置於第一基板100上。緩衝層105可避免於形成顯示基板之接續過程中，金屬原子及/或雜質自第一基板100擴散。此外，在第一基板100之上表面可能不平整時，緩衝層105可改善第一基板100之上表面之平坦度。緩衝層105可具有相對較大之厚度。舉例來說，緩衝層105基於第一基板100之上表面可具有約1000 A至約3000 A之厚度。緩衝層105可具有矽化合物。舉例來說，緩衝層105可包含氧化矽(silicon oxide, SiOx)、氮化矽(silicon nitride, SiNx)、氮氧化矽(silicon oxynitride, SiOxNy)、碳氧化矽(silicon oxycarbide, SiOxCy)、氮碳化矽(silicon carbon nitride, SiCxNy)等。其可單獨或以組合使用。緩衝層105可具有包含矽化合物之單層結構或多層結構。在一些實施例中，依照第一基板100之材料及/或第一基板100之上表面之條件，緩衝層105可不用設置於第一基板100上。
開關裝置及儲存電容可設置於第一基板100或緩衝層105上。開關裝置可以預定距離與儲存電容分隔。開關裝置可包含主動圖樣110、閘極絕緣層130、閘極電極140、源極電極155、以及汲極電極160。儲存電容可包含第一電極115、閘極絕緣層130以及第二電極145。
在一些實施例中，開關裝置可位於顯示基板之像素區域之中心部分。在這樣的實施例中，開關裝置可包含薄膜電晶體(TFT)。開關裝置之主動圖樣110可位於第一基板100或緩衝層105上。儲存電容之第一電極115可設置於第一基板100或緩衝層105上，其中第一電極115可以預定距離與主動圖樣110分隔。
開關裝置之主動圖樣110可包含第一雜質區域118、第二雜質區域120以及通道區域125。主動圖樣110可包含矽。舉例來說，主動圖樣110之通道區域125可包含多晶矽(polysilicon)、非晶矽(amorphous silicon)、部分結晶矽(partially crystallized silicon)、微晶矽(micro crystalline silicon)等。第一及第二雜質區域118及120可包含多晶矽、非晶矽、部分結晶矽、微晶矽，其可摻入n型雜質或p型雜質。第一及第二雜質區域118及120可分別對應於薄膜電晶體之源極區域以及汲極區域。儲存電容之第一電極115也可包含矽。舉例來說，第一電極115可包含多晶矽、非晶矽、部分結晶矽、微晶矽等。在一些實施例中，第一電極115可包含實質上與主動圖樣110相同或實質上相似之材料。在其他實施例中，第一電極115可包含不同於主動圖樣110之材料。主動圖樣110及第一電極115各可具有相對較小之厚度。舉例來說，主動圖樣110及第一電極115各可具有約300A至約700A之厚度。
覆蓋主動圖樣110及第一電極115之閘極絕緣層130可設置於緩衝層105或第一基板100上。閘極絕緣層130可包含矽化合物、金屬氧化物等。舉例來說，閘極絕緣層130可包含氧化矽(silicon oxide)、氧化鉿(hafnium oxide, HfOx)、氧化鋁(aluminum oxide, AlOx)、氧化鈦(titanium oxide, TiOx)、氧化鋯(zirconium oxide, ZrOx)、氧化鉭(tantalum oxide, TaOx)等。其可單獨或以其組合使用。閘極絕緣層130可具有相對較小之厚度。舉例來說，閘極絕緣層130可具有約500A至約1500A之厚度。在一些實施例中，閘極絕緣層130可充分地覆蓋主動圖樣110及第一電極115，且可具有實質上水平之表面。在其他實施例中，閘極絕緣層130可具有階梯部分，其係由主動圖樣110及/或第一電極115之輪廓所致使。
在一些實施例中，閘極線135可電性連接於開關裝置之源極電極155，而資料線165可電性連接於開關裝置之閘極電極140。舉例來說，於顯示基板之像素區域中，閘極線135及資料線165可分別耦合於源極電極155及閘極電極140。更進一步地，於顯示基板之周圍區域，薄膜電晶體之閘極電極140及源極電極155可分別耦合於閘極線135及資料線165。因此，在第一共用電極185、第二共用電極190與資料線165中之耦合電容可顯著地降低，以從而避免資料線165之訊號延遲。更進一步地，可修改資料線165及閘極線135之配置，以改善顯示基板之開口比率。
如第1圖所示，閘極線135可沿著第一方向延伸於閘極絕緣層130上。相鄰於開關裝置之顯示基板的像素區域中，閘極線135之中心部分可以預定角度彎曲。於可實質上覆蓋閘極線135之第一絕緣層150上，資料線165可沿著實質上垂直於第一方向之第二方向延伸。資料線165可位於相鄰於閘極線135之彎曲部分。閘極線135可設置於相鄰於主動圖樣110之閘極絕緣層130上。資料線165可位於其下可設置閘極電極140之第一絕緣層150上。
開關裝置之閘極線135及閘極電極140，以及儲存電容之第二電極145可設置於閘極絕緣層130上。閘極線135及第二電極145可位於閘極絕緣層130上，以閘極電極140為中心與彼此分隔。閘極線135、閘極電極140以及第二電極145各可具有相對較大的厚度。舉例來說，閘極線135、閘極電極140以及第二電極145各可具有範圍約2000A至約4000A之厚度。更進一步地，閘極線135、閘極電極140以及第二電極145各可包含金屬、合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等。舉例來說，閘極線135、閘極電極140以及第二電極145各可包含鉬(Mo)、含鉬之合金、鋁(Al)、含鋁之合金、氮化鋁(aluminum nitride, AlNx)、銀(Ag)、含銀之合金、鎢(W)、氮化鎢(tungsten nitride, WNx)、銅(Cu)、含銅之合金、鎳(Ni)、鉻(Cr)、氮化鉻(chromium nitride, CrNx)、鈦(Ti)、氮化鈦(titanium nitride, TiNx)、鉑(Pt)、鉭(Ta)、氮化鉭(tantalum nitride, TaNx)、釹(Nd), 鈧(Sc), 氧化鍶釕(strontium ruthenium oxide, SRO)、氧化鋅(zinc oxide, ZnOx)、氧化銦錫(indium tin oxide, ITO)、氧化錫(tin oxide, SnOx)、氧化銦(indium oxide, InOx)、氧化鎵(gallium oxide, GaOx)、氧化銦鋅(indium zinc oxide, IZO)等。其可單獨或以其組合使用。在一些實施例中，閘極線135、閘極電極140以及第二電極145可包含實質上相同之材料。在其他實施例中，閘極線135、閘極電極140以及第二電極145可分別包含不同之材料。
覆蓋閘極線135、閘極電極140以及第二電極145之第一絕緣層150可設置於閘極絕緣層130上。第一絕緣層150可具有相對較大的厚度。舉例來說，第一絕緣層150基於閘極絕緣層130之上表面可具有約5000A至約10000A之厚度。第一絕緣層150可包含矽化合物。舉例來說，第一絕緣層150可包含氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、碳氧化矽、氮碳化矽等。其可單獨或以其組合使用。
在一些實施例中，第一絕緣層150可具有包含氧化矽層及氮化矽層之多層結構。在這樣的實施例中，氧化矽層可具有約1000A至約2000A之厚度，而氮化矽層可具有約4000A至約8000A之厚度。更進一步地，第一絕緣層150可具有實質上水平之表面。舉例來說，藉由實施對第一絕緣層150之平坦化製程，可平坦化第一絕緣層150之上表面。
源極電極155、汲極電極160以及資料線165可設置於第一絕緣層150上。源極電極155、汲極電極160以及資料線165各可包含金屬、合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等。舉例來說，源極電極155、汲極電極160以及資料線165各可包含鉬、含鉬之合金、鋁、含鋁之合金、氮化鋁、銀、含銀之合金、鎢、氮化鎢、銅、含銅之合金、鎳、鉻、氮化鉻、鈦、氮化鈦、鉑、鉭、氮化鉭、釹、鈧、氧化鍶釕、氧化鋅、氧化銦錫、氧化錫、氧化銦、氧化鎵、氧化銦鋅等。其可單獨或以其組合方式使用。在一些實施例中，源極電極155、汲極電極160以及資料線165可包含實質上相同之材料。在其他實施例中，源極電極155、汲極電極160以及資料線165可分別包含不同材料。源極電極155、汲極電極160以及資料線165各可具有相對較大之厚度。舉例來說，源極電極155、汲極電極160以及資料線165各可具有範圍約2000A至4000A之厚度。
在一些實施例中，源極電極155可自其下可座落第一雜質區域118之第一絕緣層150之第一部分延伸至其下可定位閘極線135之第一絕緣層150之第二部分。在這樣的實施例中，源極電極155之第一部分可經由第一接點而電性連接於主動圖樣110之第一雜質區域118，而源極電極155之第二部分可經由第二接點而電性連接於閘極線135。舉例來說，源極電極155之第一部分可穿過第一絕緣層150及閘極絕緣層130，以位於設置於第一雜質區域118之第一接點上。源極電極155之第二部分可穿過第一絕緣層150，以位於設置於閘極線135之第二接點上。在一些實施例中，源極電極155可與第一接點及第二接點一體成型地形成。在其他實施例中，源極電極155可直接接觸第一雜質區域118及閘極線135，而不用形成第一及第二接點。
汲極電極160之第一部分可經由第三接點而電性連接於第二雜質區域120。舉例來說，汲極電極160之第一部分可穿過第一絕緣層150及閘極絕緣層130，以位於設置於第二雜質區域120上之第三接點上。在一些實施例中，汲極電極160之第一部分與第三接點可一體成型地形成。在其他實施例中，汲極電極160之第一部分可不用第三接點而直接接觸第二雜質區域120。汲極電極160之第二部分可設置於第一絕緣層150上，以實質上沿著一方向延伸至儲存電容。
資料線165可經由第四接點而電性耦合於開關裝置之閘極電極140。舉例來說，資料線165可貫穿第一絕緣層150，以位於設置於閘極電極140上之第四接點上。在一些實施例中，資料線165可與第四接點一體成型地形成。在其他實施例中，資料線165可不用第四接點直接接觸閘極電極140。如上所述，資料線165可沿著實質上垂直於第一方向之第二方向延伸。當開關裝置位於顯示基板之像素區域之中心部分時，資料線165可位於相鄰於像素區域之中心部分，以實質上跨越像素區域。舉例來說，跨越像素區域之資料線165可位於相鄰於閘極線135之彎曲部分。
覆蓋源極電極155、資料線165以及汲極電極160之第二絕緣層170可設置於第一絕緣層150上。第二絕緣層170可包含矽化合物，例如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、碳氧化矽、氮碳化矽等。第二絕緣層170可具有相對較大之厚度。舉例來說，第二絕緣層170可具有範圍約1000A至3000A之厚度。在一些實施例中，第二絕緣層170沿著源極電極155、資料線165以及汲極電極160之輪廓可具有均勻之厚度。因此，第二絕緣層170可具有相鄰於源極電極155、資料線165以及汲極電極160之階梯部分。
像素電極175可設置於第二絕緣層170上，且可電性連接於汲極電極160。舉例來說，像素電極175可穿過第二絕緣層170，以位於汲極電極160上之第五接點上。在一些實施例中，像素電極175與第五接點可一體成型地形成。在其他實施例中，像素電極175可不用第五接點直接接觸汲極電極160。像素電極175可包含透明導電材料。舉例來說，像素電極175可包含氧化鋅、氧化銦錫、氧化錫、氧化銦、氧化鎵、氧化銦鋅等。其可單獨或以其組合使用。
如第1圖所示，像素電極175可實質上覆蓋顯示基板之像素區域。在一些實施例中，像素電極175可具有中心部分，其實質上相似於閘極線135可以預定角度彎曲。像素電極175可具有相對較小的厚度。舉例來說，像素電極175可具有範圍約350A至約550A之厚度。
覆蓋像素電極175之第三絕緣層180可設置於第二絕緣層170上。第三絕緣層180可具有相對較大的厚度。舉例來說，第三絕緣層180可具有自第二絕緣層170之上表面起測量約1000A至約3000A之厚度。更進一步地，第三絕緣層180可包含矽化合物。舉例來說，第三絕緣層180可包含氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、碳氧化矽、氮碳化矽等。在一些實施例中，第三絕緣層180沿著第二絕緣層170之輪廓可具有均勻之厚度，使得第三絕緣層180可具有由像素電極175之輪廓所致使之階梯部分。
如第1圖所示，實質上相對於像素電極175之第一及第二共用電極185及190可設置於第三絕緣層180上。第一及第二共用電極185及190各可包含透明導電材料。舉例來說，第一及第二共用電極185及190各可包含氧化鋅、氧化銦錫、氧化錫、氧化銦、氧化鎵、氧化銦鋅等。其可單獨或以其組合使用。更進一步地，第一及第二共用電極185及190各可具有相對較小之厚度。舉例來說，第一及第二共用電極185及190可具有約350A至約550A之厚度。
在一些實施例中，顯示基板可包含複數個第一共用電極185及複數個第二共用電極190，且第一共用電極185及第二共用電極190可以像素區域之中心部分為中心與彼此分隔。舉例來說，第一共用電極185可以閘極線135之彎曲部分為中心藉由第一距離而與第二共用電極190分隔。相鄰之第一共用電極185可藉由第二距離而與彼此分隔，而相鄰之第二共用電極190可藉由第三距離而與彼此分隔。在這樣的實施例中，第一距離可實質上大於第二距離及第三距離，且第二距離可實質上相等或相似於第三距離。第一及第二共用電極185及190可設置於第三絕緣層180上，以沿著可實質上相似於閘極線135之方向延伸。
第三圖係為描述顯示基板之實施例之平面圖。除了開關裝置、資料線之配置以及像素電極之形狀之外，第3圖所示之顯示基板可具有與參考第1圖及第2圖所描述之顯示基板實質上相同或實質上相似之構造。
參閱第3圖，顯示基板可包含開關裝置、閘極線235、資料線265、像素電極275、第一共用電極285、第二共用電極290以及儲存電容(圖未示)。
在一些實施例中，開關裝置可位於相鄰像素區域之周圍部分，且資料線265可位於相鄰像素區域之間。舉例來說，開關裝置可自一像素區域之周圍部分延伸至相鄰像素區域之周圍部分。相鄰像素區域可共享開關裝置。
開關裝置可提供於第一基板上(圖未示)。開關裝置可包含主動圖樣210、閘極電極240以及汲極電極260。在這樣的實施例中，主動圖樣210可包含第一雜質區域218、第二雜質區域220以及通道區域。
如第3圖所示，閘極線235可經由第一接點而電性連接於源極電極255，而源極電極255可經由第二接點而電性連接於第一雜質區域218。在一些實施例中，閘極線235及源極電極255可不用第一及第二接點而分別耦合於源極電極255及第一雜質區域218。閘極線235可主要地彎曲於顯示基板之像素區域之中心部分，且可次要地彎曲於相鄰像素區域之間。
像素電極275可經由第三接點而電性連接於汲極電極260。在一些實施例中，像素電極275可不用第三接點直接接觸汲極電極260。像素電極275可實質上覆蓋顯示基板之像素區域。像素電極275可不位於開關裝置之源極電極255上。舉例來說，像素電極275可開放地位於源極電極255上，使得像素電極275可不位於可座落源極電極255之第二絕緣層上(圖未示)。此外，資料線265可經由第四接點而電性耦合於閘極電極240。然而，資料線265可不用第四接點而連接於閘極電極240。第一絕緣層(圖未示)可設置於資料線265與閘極線235之間，使得資料線265可位於閘極線235之彎曲部分上之相鄰像素區域之間。舉例來說，資料線265可跨越顯示基板之相鄰像素區域之間。
在一些實施例中，開關裝置可設置於相鄰像素區域之間，使得像素電極275及/或第一及第二共用電極285及290相對於資料線265可實質上不重疊。因此，可避免及/或顯著地降低資料線265與第一及第二共用電極285及290中之耦合電容。更進一步地，像素電極275可非設置於開關裝置之源極電極255上，使得源極電極255在不用形成介於源極電極255與像素電極275間之額外絕緣層下可不會電性連接於像素電極275。
第4圖至第7圖係為描述製造顯示基板之方法之實施例之剖面圖。藉由第4圖至第7圖所述之方法所製得之顯示基板可具有與參考第2圖所述之顯示基板實質上相同或實質上相似之結構。然而，此方法可被本發明所屬技術領域中具有通常知識者適當且輕易地修改，以製造參考第3圖所述之顯示基板。
參閱第4圖，緩衝層305可形成於第一基板300上。第一基板300可包含透明絕緣材料。舉例來說，第一基板300可使用玻璃、石英、透明樹脂、透明陶瓷等而形成。
緩衝層305可使用矽化合物，例如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、碳氧化矽、氮碳化矽等而形成。更進一步地，緩衝層305可藉由化學氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)製程、電漿促進化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)製程、高密度電漿-化學氣相沉積(high density plasma-chemical vapor deposition, HDP-CVD)製程、旋轉塗布(spin coating)製程等而形成於第一基板300上。在一些實施例中，緩衝層305可具有包含至少一矽化合物層之單層結構或多層結構。在其他實施例中，根據第一基板300中之材料及/或第一基板300之上表面之條件，緩衝層305可不用形成於第一基板300上。
半導體圖樣310及第一電極315可形成於緩衝層305上。半導體圖樣310可以一預定距離與第一電極315分隔。在一些實施例中，半導體層(圖未示)可形成於緩衝層305上，且半導體層可藉由使用額外蝕刻遮罩之微影製程或蝕刻過程而圖樣化，以從而於緩衝層305上形成初步半導體圖樣(圖未示)及初步第一電極(圖未示)。在這樣的實施例中，半導體層可使用非晶矽、摻入雜質之非晶矽等而形成。更進一步地，半導體層可藉由化學氣相沉積製程、電漿促進化學氣相沉積製程、高密度電漿-化學氣相沉積製程、濺鍍(sputtering)製程等而形成。可實施對初步半導體圖樣及初步第一電極之結晶製程，使得半導體圖樣310及第一電極315可提供於緩衝層305上。結晶製程可包含雷射輻射(laser irradiation)製程、熱處理(heat treatment)製程、使用催化劑之熱處理製程等。在此，半導體圖樣310及第一電極315各可包含多晶矽、摻入雜質之多晶矽、部分結晶矽、微晶矽等。
在一些實施例中，半導體層及/或初步半導體圖樣及初步第一電極可形成於緩衝層305上，且可實施對半導體層及/或初步半導體圖樣及初步第一電極之去氫(dehydrogenation)製程。因此，半導體層及/或初步半導體圖樣及初步第一電極中之氫氣濃度可降低，以改善半導體圖樣310及第一電極315之電子特性。
參閱第5圖，閘極絕緣層330可形成於緩衝層305上，以覆蓋半導體圖樣310及第一電極315。閘極絕緣層330可使用矽化合物、金屬氧化物等而形成。更進一步地，閘極絕緣層330可藉由化學氣相沉積製程、旋轉塗布製程、電漿促進化學氣相沉積製程、濺鍍製程、真空蒸鍍(vacuum evaporation)製程、高密度電漿-化學氣相沉積製程、印刷(printing)製程等而形成於緩衝層305上。在一些實施例中，閘極絕緣層330可充分地覆蓋半導體圖樣310及第一電極315，且閘極絕緣層330可具有實質上水平的表面。
閘極線340、閘極電極345以及第二電極350可形成於閘極絕緣層330上。閘極線340、閘極電極345及第二電極350各可使用金屬、合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等而形成。在一些實施例中，第一導電層(圖未示)可形成於閘極絕緣層330上。第一導電層可藉由使用額外蝕刻遮罩之微影製程或蝕刻製程而圖樣化，從而於閘極絕緣層330上形成閘極線340、閘極電極345及第二電極350。在這樣的實施例中，第一導電層可藉由濺鍍製程、化學氣相沉積製程、脈衝雷射沉積(pulsed laser deposition, PLD)製程、真空蒸鍍過程、原子層沉積(atomic layer deposition, ALD)製程等而形成於閘極絕緣層330上。閘極線340及第二電極350可以閘極電極345為中心與彼此分隔。閘極線340可沿著第一方向延伸於閘極絕緣層330上，且閘極線340可以一預定距離與閘極電極345相隔而立。在一些實施例中，閘極線340可以一預定角度彎曲於顯示基板之像素區域之中心部分。
第二電極350可形成於閘極絕緣層330上，使得包含第一電極315、閘極絕緣層330及第二電極350之儲存電容可提供於緩衝層305上。舉例來說，儲存電容可包含第一電極315、閘極絕緣層330之一部份以及第二電極350。
使用閘極電極345作為遮罩，雜質可被植入於半導體圖樣310中，以形成位於緩衝層305上之開關裝置之主動圖樣335。舉例來說，主動圖樣335可包含第一雜質區域、通道區域以及第二雜質區域。第5圖所示之主動圖樣335可具有實質上相同或實質上相似於參考第2圖所示之主動圖樣110之結構。舉例來說，第一雜質區域及第二雜質區域可分別對應於源極區域及汲極區域。在一些實施例中，摻入半導體圖樣310之雜質之導電型可依據開關裝置之導電型而改變。舉例來說，當開關裝置包含N型電晶體時，N型雜質可摻入半導體圖樣310，以形成第一及第二雜質區域。當開關裝置包含P型電晶體時，P型雜質可摻入半導體圖樣310，以形成第一及第二雜質區域。
參照第6圖，第一絕緣層355可形成於閘極絕緣層330上，以覆蓋閘極線340、閘極電極345以及第二電極350。第一絕緣層355可使用氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、碳氧化矽、氮碳化矽等而形成。其可單獨或以其組合使用。舉例來說，第一絕緣層355可具有包含氧化矽層及氮化矽層之多層結構。更進一步地，第一絕緣層355可藉由旋轉塗布製程、化學氣相沉積製程、電漿促進化學氣相沉積製程、高密度電漿-化學氣相沉積製程等而形成於閘極絕緣層330上。在一些實施例中，第一絕緣層355可具有實質上水平之表面。舉例來說，第一絕緣層355可藉由化學機械拋光(chemical mechanical polishing, CMP)製程及/或回蝕(etch-back)製程而平坦化。
第一絕緣層355及閘極絕緣層330可部分地移除，以通過第一絕緣層355形成第一接觸孔至第四接觸孔(圖未示)。第一至第四接觸孔可藉由使用額外蝕刻遮罩之微影製程或蝕刻製程而形成。在一些實施例中，第一接觸孔可形成通過第一絕緣層355及閘極絕緣層330，以部分地暴露主動圖樣335之第一雜質區域。第二接觸孔可形成通過第一絕緣層355，以部分地暴露閘極線340。更進一步地，第三接觸孔可形成通過第一絕緣層355及閘極絕緣層330，以部分地暴露主動圖樣335之第二雜質區域。第四接觸孔可形成通過第一絕緣層355，以部分地暴露閘極電極345。
源極電極360、資料線370以及汲極電極365可形成於第一絕緣層355上。源極電極360、資料線370以及汲極電極365各可使用金屬、合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等而形成。在一些實施例中，第二導電層(圖未示)可形成於第一絕緣層355上，以填充第一至第四接觸孔。第二導電層可圖樣化以分別於第一接觸孔至第四接觸孔形成第一接點至第四接點。源極電極360、汲極電極365以及資料線370可同時地形成於第一絕緣層355上。舉例來說，源極電極360可與第一接點及第二接點同時地形成，而汲極電極365可與第三接點同時地形成。此外，資料線370可與第四接點同時地形成。第二導電層可藉由濺鍍製程、化學氣相沉積製程、脈衝雷射沉積製程、蒸鍍製程、原子層沉積製程、印刷製程等而形成。在一些實施例中，源極電極360、汲極電極365以及資料線370可不用形成第一接點至第四接點而直接形成。
如第6圖所示，源極電極360之第一部分可經由第一接點而電性連接於主動圖樣335之第一雜質區域，而源極電極360之第二部分可經由第二接點而電性連接於閘極線340。舉例來說，源極電極360可自主動圖樣335上延伸至閘極線340上，且閘極線340及源極電極360可經由第二接點彼此電性連接。汲極電極365可經由第三接點與主動圖樣335之第二雜質區域電性接觸。汲極電極365可於第一絕緣層355上沿著一方向延伸至儲存電容。資料線370可經由第四接點而電性連接於閘極電極345。資料線370可沿著實質上垂直於第一方向之第二方向延伸。資料線370可位於相鄰於閘極線340之彎曲部分，且資料線370可座落橫跨顯示基板之像素區域。
源極電極360及汲極電極365可形成於第一絕緣層355上，使得包含主動圖樣335、閘極絕緣層330、閘極電極345、源極電極360及汲極電極365之開關裝置可提供於第一基板300上。至於開關裝置，源極電極360及閘極電極345可分別電性耦合於閘極線340及資料線370。
參閱第7圖，第二絕緣層375可形成於第一絕緣層355上，以覆蓋源極電極360、資料線370及汲極電極365。第二絕緣層375可使用氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、碳氧化矽、氮碳化矽等而形成。其可單獨或以其組合使用。更進一步地，第二絕緣層375可藉由旋轉塗布製程、化學氣相沉積製程、電漿促進化學氣相沉積製程、高密度電漿-化學氣相沉積製程等而形成於第一絕緣層355上。在一些實施例中，第二絕緣層375可沿著源極電極360、資料線370及汲極電極365之輪廓而共形地(conformally)形成於第一絕緣層355上。因此，第二絕緣層375可具有相鄰於源極電極360、資料線370及汲極電極365之階梯部分。
像素電極380可形成於第二絕緣層375上，且像素電極380可電性耦合於汲極電極365。像素電極380可實質上覆蓋顯示基板之像素區域。像素電極380可使用透明導電材料而形成。在一些實施例中，第二絕緣層375可藉由使用額外蝕刻遮罩之微影製程或蝕刻過程而部份地移除，以形成可暴露汲極電極365之延伸部分之第五接觸孔(圖未示)。第三導電層(圖未示)可形成於第二絕緣層375上，以填充第五接觸孔。在這樣的實施例中，第三導電層可藉由濺鍍製程、化學氣相沉積製程、原子層沉積製程、印刷製程、真空蒸鍍製程、脈衝雷射沉積製程等而形成於第二絕緣層375上。第三導電層可圖樣化，以於第二絕緣層375上形成第五接觸孔中之第五接點及像素電極380。像素電極380可與第五接點同時地形成。在一些實施例中，像素電極380可在無形成第五接點下直接地形成於汲極電極365及第二絕緣層375上。
第三絕緣層385可形成於第二絕緣層375上，以覆蓋像素電極380。第三絕緣層385可使用矽化合物，例如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、碳氧化矽、氮碳化矽等而形成。其可單獨或以其組合使用。更進一步地，第三絕緣層385可藉由旋轉塗布製程、化學氣相沉積製程、電漿促進化學氣相沉積製程、高密度電漿-化學氣相沉積製程等而形成於第二絕緣層375上。在一些實施例中，第三絕緣層385可沿著像素電極380之輪廓而共形地形成於第二絕緣層375上。因此，第三絕緣層385可具有階梯部分，其相鄰於像素電極380及第二絕緣層375之階梯部分。
複數個第一共用電極(圖未示)以及複數個第二共用電極(圖未示)可形成於第三絕緣層385上。第一及第二共用電極可實質上相對於像素電極380。第一及第二共用電極各可使用透明導電材料而形成。在一些實施例中，第四導電層(圖未示)可形成於第三絕緣層385上，且後續第四導電層可圖樣化以於第三絕緣層385上形成第一及第二共用電極。第四導電層可藉由濺鍍製程、化學氣相沉積製程、原子層沉積製程、印刷製程、真空蒸鍍製程、脈衝雷射沉積製程等而形成於第三絕緣層385上。第一及第二共用電極可具有與參閱第1圖及第2圖所述之第一及第二共用電極185及190實質上相同或實質上相似之組成。
第8圖係為描述液晶顯示裝置之實施例之剖面圖。第8圖所述之液晶顯示裝置可包含與參閱第2圖所述之顯示基板實質上相同或實質上相似之顯示基板，故實質上相同或實質上相似於第2圖之顯示基板之第8圖所示之顯示基板中元件之詳細描述將予於省略或簡化。更進一步地，第8圖所述之液晶顯示裝置之顯示基板可以實質上相同或實質上相似於參閱第4圖至第7圖所述之製程之製程而製得。
參閱第8圖，液晶顯示裝置可包含顯示基板、液晶層430以及第二基板400。在一些實施例中，顯示基板可包含第一基板100、開關裝置、閘極線135、資料線165、複數個絕緣層(即第一絕緣層150、第二絕緣層170以及第三絕緣層180)、像素電極175、第一共用電極185、第二共用電極190。更進一步地，實質上對應於第一及第二共用電極185及190之參考電極420可設置於第二基板400上。
濾光片405可設置於第二基板400與參考電極420之間，而光阻擋層410可設置於第二基板400與其下可設置開關裝置之參考電極420之間。在一些實施例中，複數個濾光片405可設置於第二基板400上，通過液晶層430之光源(圖未示)所產生之光可被過濾為單色光。舉例來說，濾光片405可包含用於紅色光之紅色濾光片、用於綠色光之綠色濾光片、用於藍色光之藍色濾光片等。
在一些實施例中，第一偏光片可設置於第一基板100之下方。第一偏光片可具有實質上垂直或實質上平行於液晶層430之光軸。更進一步地，實質上對應於第一偏光片之第二偏光片可設置於第二基板400上。第二偏光片可具有實質上垂直或實質上平行於液晶層430之光軸。
覆蓋濾光片405及光阻擋層410之絕緣層415可設置於參考電極420與第二基板400之間。在一些實施例中，依據濾光片405及光阻擋層410之形狀可不用提供絕緣層415。液晶層430可包含複數個液晶分子，而參考電極420可包含透明導電材料。舉例來說，參考電極420可包含氧化鋅、氧化銦錫、氧化錫、氧化銦、氧化鎵、氧化銦鋅等。其可單獨或以其組合使用。
在一些實施例中，液晶顯示裝置可包含在增加其開口比率時能夠降低耦合電容之顯示基板，使得可改善藉由液晶顯示裝置所顯示之影像之亮度、品質及顯示速度。
在顯示基板之實施例中，閘極線可電性連接於開關裝置之源極電極，且資料線可電性耦合於開關裝置之閘極電極。因此，可顯著地降低或避免顯示基板之像素區域中之第一共用電極、第二共用電極及資料線中之耦合電容，以避免資料線之訊號延遲。更進一步地，藉由改變資料線及閘極線之配置，可提升顯示基板之開口比率。當液晶顯示裝置包含顯示基板之實施例時，液晶顯示裝置可確保具有改善之亮度、品質及顯示速度之影像。
上述係部份實施例之描述，且非詮釋為其限制。雖然描述了一些實施例，所屬領域具有通常知識者將輕易察知，在實質上不脫離新穎教示及優點下，許多於實施例中之修改係為可行地。因此，所有這樣的修改係旨在包含於申請專利範圍所定義之實施例的範疇內。在申請專利範圍中，功能手段用語係旨在涵蓋在此描述之作為執行所述功能之結構，以及不僅其結構等效物，而亦涵蓋其等效結構。因此，將理解的是，上述為部份實施例之說明，且非詮釋為限制於所揭露之特定實施例，且對所揭露之實施例之修改及其他實施例係旨在包含於所附申請專利範圍之範疇內。本發明係以下述之申請專利範圍、包含於其中之申請專利範圍之等效物所定義。
135、235、340．．．閘極線
165、265、370．．．資料線
175、275、380．．．像素電極
185、285．．．第一共用電極
190、290．．．第二共用電極
110、210、335．．．主動圖樣
140、240、345．．．閘極電極
155、255、360．．．源極電極
160、260、365．．．汲極電極
118、218．．．第一雜質區域
120、220．．．第二雜質區域
100、300．．．第一基板
105、305．．．緩衝層
115、315．．．第一電極
125．．．通道區域
130、330．．．閘極絕緣層
145、350．．．第二電極
150、355．．．第一絕緣層
170、375．．．第二絕緣層
180、385．．．第三絕緣層
310．．．半導體圖樣
430．．．液晶層
420．．．參考電極
415．．．絕緣層
405．．．濾光片
400．．．第二基板
410．．．光阻擋層
部分實施例可從上述描述結合附圖而更詳細地了解，其中：
第1圖係為描述顯示基板之實施例之平面圖；
第2圖係為描述顯示基板之實施例之剖面圖；
第3圖係為描述顯示基板之實施例之平面圖；
第4圖至第7圖係為描述製造顯示基板之方法之實施例之剖面圖；
第8圖係為描述液晶顯示裝置之實施例之剖面圖。
第1圖係為描述顯示基板之實施例之平面圖；
第2圖係為描述顯示基板之實施例之剖面圖；
第3圖係為描述顯示基板之實施例之平面圖；
第4圖至第7圖係為描述製造顯示基板之方法之實施例之剖面圖；
第8圖係為描述液晶顯示裝置之實施例之剖面圖。
135．．．閘極線
165．．．資料線
175．．．像素電極
185．．．第一共用電極
190．．．第二共用電極
110．．．主動圖樣
140．．．閘極電極
155．．．源極電極
160．．．汲極電極
118．．．第一雜質區域
120．．．第二雜質區域
Claims (27)
- 一種顯示基板，其包含：
一基板；
一開關裝置，係設置於該基板上，該開關裝置包含：
一主動圖樣，係包含一第一雜質區域、一通道區域、及一第二雜質區域，
一閘極絕緣層，
一閘極電極，
一源極電極，及
一汲極電極；
一閘極線，係電性連接於該源極電極；
一資料線，係電性連接於該閘極電極；
一像素電極，係電性耦合於該汲極電極；以及
複數個共用電極，係設置於該像素電極上。 - 如申請專利範圍第1項所述之顯示基板，其中該閘極絕緣層覆蓋該主動圖樣，且該閘極線係於該閘極絕緣層上。
- 如申請專利範圍第2項所述之顯示基板，其更包含一絕緣層設置於該閘極絕緣層上，其中該絕緣層係配置以覆蓋該閘極線及該閘極電極。
- 如申請專利範圍第3項所述之顯示基板，其中該源極電極於該絕緣層上自該第一雜質區域延伸至該閘極線。
- 如申請專利範圍第4項所述之顯示基板，其中該源極電極之一第一部分係電性連接於該第一雜質區域，而該源極電極之一第二部分係電性耦合於該閘極線。
- 如申請專利範圍第5項所述之顯示基板，其中該源極電極之該第一部分穿過該絕緣層及該閘極絕緣層，以與設置於該第一雜質區域上之一第一接點接觸，而該源極電極之該第二部分穿過該絕緣層，以與該閘極線上之一第二接點接觸。
- 如申請專利範圍第6項所述之顯示基板，其中該源極電極係與該第一接點及該第二接點一體成型地形成。
- 如申請專利範圍第3項所述之顯示基板，其中該汲極電極之一第一部分係電性接觸於該第二雜質區域，該汲極電極之一第二部分延伸於該絕緣層上，且該像素電極電性接觸該汲極電極之該第二部分。
- 如申請專利範圍第8項所述之顯示基板，其中該汲極電極穿過該絕緣層及該閘極絕緣層，以與設置於該第二雜質區域上之一第三接點接觸。
- 如申請專利範圍第3項所述之顯示基板，其中該資料線穿過該絕緣層，以與設置於該閘極電極上之一第四接點接觸。
- 如申請專利範圍第10項所述之顯示基板，其中該資料線係與該第四接點一體成型地形成。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示基板，其中該開關裝置係設置於該顯示基板之一像素區域之一中心部分，且該資料線係設置相鄰於該像素區域之該中心部分。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示基板，其中該開關裝置係設置於相鄰像素區域之周圍部分，且該資料線設置於該相鄰像素區域之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示基板，其中該些共用電極包含複數個第一共用電極及複數個第二共用電極，該些第一共用電極及該些第二共用電極圍繞該開關裝置為中心而與彼此分隔。
- 如申請專利範圍第14項所述之顯示基板，其中該些第一共用電極與該些第二共用電極間之距離係大於該些相鄰第一共用電極或該些相鄰第二共用電極間之距離。
- 一種製造顯示基板之方法，其包含：
於一基板上形成一主動圖樣，該主動圖樣包含一第一雜質區域、一通道區域及一第二雜質區域；
於該基板上形成一閘極絕緣層，以覆蓋該主動圖樣；
於該閘極絕緣層上形成一閘極線及一閘極電極；
於該閘極絕緣層上形成一第一絕緣層，以覆蓋該閘極線及該閘極電極；
於該第一絕緣層上形成一源極電極、一資料線及一汲極電極，該源極電極電性連接於該閘極線，該資料線電性連接於該閘極電極，而該汲極電極電性連接於該第二雜質區域；
於該第一絕緣層上形成一第二絕緣層，以覆蓋該源極電極、該資料線及該汲極電極；以及
於該第二絕緣層上形成一像素電極，該像素電極電性連接於該汲極電極。
- 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該源極電極、該資料線及該汲極電極之形成包含：
部分地移除該第一絕緣層及該閘極絕緣層，以形成暴露該第一雜質區域之一第一接觸孔、暴露該閘極線之一第二接觸孔、暴露該第二雜質區域之一第三接觸孔、以及暴露該閘極電極之一第四接觸孔；
於該第一絕緣層上形成一第一導電層，以填充該第一接觸孔、該第二接觸孔、該第三接觸孔及該第四接觸孔；以及
圖樣化該第一導電層，以分別於該第一接觸孔、該第二接觸孔、該第三接觸孔及該第四接觸孔形成一第一接點、一第二接點、一第三接點及一第四接點，且於該第一絕緣層上形成該源極電極、該資料線及該汲極電極。 - 如申請專利範圍第17項所述之方法，其中該源極電極、該第一接點及該第二接點係同時地形成，該汲極電極及該第三接點係同時地形成，而該資料線及該第四接點係同時地形成。
- 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該主動圖樣之形成更包含於該基板上形成一儲存電容之一第一電極，而該閘極線及該閘極電極之形成更包含於該閘極絕緣層上形成該儲存電容之一第二電極。
- 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該第一絕緣層及該第二絕緣層各使用一矽化合物而形成。
- 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該像素電極之形成包含：
部分地移除該第二絕緣層，以形成暴露該汲極電極之一第五接觸孔；
於該第二絕緣層上形成一第二導電層，以填充該第五接觸孔；以及
圖樣化該第二導電層，以於該第五接觸孔形成一第五接點，並於該第二絕緣層上形成該像素電極。 - 如申請專利範圍第16項所述之方法，其更包含：
於該第二絕緣層上形成一第三絕緣層，以覆蓋該像素電極；
於該第三絕緣層上形成複數個第一共用電極及複數個第二共用電極，該些第一共用電極及該些第二共用電極對應於該像素電極。 - 一種液晶顯示裝置，其包含：
一第一基板；
一開關裝置，係設置於該第一基板上，該開關裝置包含一主動圖樣、一閘極絕緣層、一閘極電極、一源極電極及一汲極電極，其中該主動圖樣包含一第一雜質區域、一通道區域、及一第二雜質區域；
一閘極線，係電性連接於該源極電極；
一資料線，係電性連接於該閘極電極；
一像素電極，係電性連接於該汲極電極；
複數個共用電極，係設置於該像素電極上；
一液晶層，係設置於該些共用電極上；
一參考電極，係設置於該液晶層上；以及
一第二基板，係設置於該參考電極上。
- 如申請專利範圍第23項所述之液晶顯示裝置，其更包含一絕緣層設置於該閘極絕緣層上，其中該絕緣層覆蓋該閘極線及該閘極電極。
- 如申請專利範圍第24項所述之液晶顯示裝置，其中位於該絕緣層上之該源極電極自該第一雜質區域延伸至該閘極線，該源極電極之一第一部分係電性連接於該第一雜質區域，而該源極電極之一第二部分係電性連接於該閘極線。
- 如申請專利範圍第25項所述之液晶顯示裝置，其中該源極電極之該第一部分穿過該絕緣層及該閘極絕緣層，以與設置於該第一雜質區域上之一第一接點接觸，該源極電極之該第二部分穿過該絕緣層，以與設置於該閘極線上之一第二接點接觸，而該資料線穿過該絕緣層，以與設置於該閘極電極上之一第四接點接觸。
- 如申請專利範圍第23項所述之液晶顯示裝置，其中該開關裝置係設置於一像素區域之一中心部分或相鄰像素區域之周圍部分，且該資料線設置相鄰於該像素區域之該中心部分或該相鄰像素區域之間。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110078089A KR20130015829A (ko) | 2011-08-05 | 2011-08-05 | 표시 기판, 표시 기판의 제조 방법 및 표시 기판을 포함하는 액정 표시 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201307973A TW201307973A (zh) | 2013-02-16 |
| TWI567467B true TWI567467B (zh) | 2017-01-21 |
Family
ID=47614318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW101121015A TWI567467B (zh) | 2011-08-05 | 2012-06-13 | 顯示基板、製造顯示基板之方法以及具有顯示基板之液晶顯示裝置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8637879B2 (zh) |
| KR (1) | KR20130015829A (zh) |
| CN (1) | CN102916009B (zh) |
| TW (1) | TWI567467B (zh) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8982294B2 (en) * | 2012-07-16 | 2015-03-17 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Liquid crystal display panel |
| CN103915431B (zh) * | 2013-06-17 | 2017-10-20 | 上海天马微电子有限公司 | 一种tft阵列基板、显示装置及阵列基板制作方法 |
| JP6238712B2 (ja) * | 2013-12-05 | 2017-11-29 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタ基板およびその製造方法 |
| CN103941453A (zh) * | 2014-04-09 | 2014-07-23 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板、显示面板和显示装置 |
| TWI548068B (zh) * | 2014-08-19 | 2016-09-01 | 友達光電股份有限公司 | 薄膜電晶體及畫素結構 |
| CN104280951A (zh) * | 2014-09-23 | 2015-01-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
| KR102386196B1 (ko) * | 2014-12-10 | 2022-04-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 편광판, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
| CN105842941B (zh) * | 2015-01-13 | 2019-07-05 | 群创光电股份有限公司 | 显示面板 |
| TWI528090B (zh) * | 2015-02-11 | 2016-04-01 | 友達光電股份有限公司 | 畫素結構以及顯示面板 |
| KR20170040863A (ko) * | 2015-10-05 | 2017-04-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 투광성 도전막 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
| CN105428371B (zh) * | 2015-12-24 | 2019-06-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 显示面板与薄膜晶体管阵列基板 |
| CN106154639B (zh) * | 2016-09-29 | 2020-01-10 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种液晶显示面板及液晶显示装置 |
| CN107797344B (zh) * | 2017-11-14 | 2021-01-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板及其制造方法 |
| CN110379822B (zh) * | 2019-07-22 | 2022-02-18 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置 |
| CN112992937B (zh) * | 2021-02-22 | 2022-07-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示装置、显示基板以及显示装置制备方法 |
| CN112925144A (zh) * | 2021-03-23 | 2021-06-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种像素结构、阵列基板、显示面板以及显示设备 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040085278A1 (en) * | 2002-10-31 | 2004-05-06 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device having improved aperture ratio |
| US20040095543A1 (en) * | 2000-10-13 | 2004-05-20 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd | In-plane switching LCD device having slanted corner portions |
| US20090040449A1 (en) * | 2007-06-22 | 2009-02-12 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display and method for fabricating the same |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004151546A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板および表示装置 |
| CN1702501A (zh) * | 2004-05-21 | 2005-11-30 | 三洋电机株式会社 | 液晶显示装置 |
| CN201000520Y (zh) * | 2006-11-02 | 2008-01-02 | 上海广电光电子有限公司 | 可补偿寄生电容的液晶显示装置 |
| KR101390816B1 (ko) | 2007-10-02 | 2014-05-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법 |
-
2011
- 2011-08-05 KR KR1020110078089A patent/KR20130015829A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-12-14 US US13/325,342 patent/US8637879B2/en active Active
-
2012
- 2012-03-27 CN CN201210084699.5A patent/CN102916009B/zh active Active
- 2012-06-13 TW TW101121015A patent/TWI567467B/zh active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040095543A1 (en) * | 2000-10-13 | 2004-05-20 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd | In-plane switching LCD device having slanted corner portions |
| US20040085278A1 (en) * | 2002-10-31 | 2004-05-06 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device having improved aperture ratio |
| US20090040449A1 (en) * | 2007-06-22 | 2009-02-12 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display and method for fabricating the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102916009B (zh) | 2016-09-28 |
| TW201307973A (zh) | 2013-02-16 |
| KR20130015829A (ko) | 2013-02-14 |
| US20130032827A1 (en) | 2013-02-07 |
| CN102916009A (zh) | 2013-02-06 |
| US8637879B2 (en) | 2014-01-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI567467B (zh) | 顯示基板、製造顯示基板之方法以及具有顯示基板之液晶顯示裝置 | |
| US8501551B2 (en) | Thin film transistor array substrate and method of fabricating the same | |
| JP4567635B2 (ja) | 液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法 | |
| EP1981085A1 (en) | Tft substrate, reflective tft substrate and method for manufacturing such substrates | |
| US9368523B2 (en) | Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and display device | |
| JP6184268B2 (ja) | 薄膜トランジスタアレイ基板およびその製造方法 | |
| TWI538210B (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
| US8884286B2 (en) | Switching element, display substrate and method of manufacturing the same | |
| TWI284986B (en) | Thin film transistor array panel including storage electrode | |
| US10782580B2 (en) | Array substrate, liquid crystal display device having the same, and method for manufacturing array substrate | |
| TW201635555A (zh) | 半導體裝置、顯示裝置以及半導體裝置的製造方法 | |
| TW200402570A (en) | Liquid crystal display device and method for producing the same | |
| CN109661729A (zh) | 有源矩阵基板及其制造方法 | |
| WO2015143818A1 (zh) | 阵列基板及其制造方法、显示装置 | |
| CN101645423A (zh) | 薄膜晶体管基板及其制造方法 | |
| CN106233196B (zh) | 液晶显示面板及其制造方法 | |
| WO2015032135A1 (zh) | 阻挡层及其制备方法、薄膜晶体管、阵列基板 | |
| TWI384626B (zh) | 用於顯示裝置之陣列基板及其製造方法 | |
| US10631417B2 (en) | Display apparatus and method of manufacturing the same | |
| CN109698205A (zh) | 有源矩阵基板及其制造方法 | |
| US9178024B2 (en) | Thin film transistor display panel and manufacturing method thereof | |
| US11832486B2 (en) | Semiconductor device, display panel, and display device including the same | |
| KR20020052562A (ko) | 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR20130030251A (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| US20150048360A1 (en) | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |