TWI567370B - 熱電型紅外線感測器 - Google Patents

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TWI567370B
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Description

熱電型紅外線感測器
本發明關於一種熱電型紅外線感測器,尤其是關於一種在數公尺的範圍內獲得充分的偵測能力之熱電型紅外線感測器。
熱電型紅外線感測器,係紅外線感測器之一種,並具備有於熱電體基板的正面背面設有電極而成之熱電元件,以作為檢測畫素。
熱電體基板的正面存在有自發極化的表面電荷。通常表面電荷會吸引周圍的浮游電荷,因此若熱電體基板周圍的溫度為固定,則熱電體基板正面的電荷保持電中性之狀態。
當熱電體基板周圍的溫度變化時,熱電體基板中的自發極化的狀態隨之變化。自發極化的狀態變化,比存在於熱電體基板周圍的浮游電荷之反應更快,因此在熱電體基板正面中,電中性狀態崩解。其結果,熱電體基板正面上產生表面電荷。從電極將該表面電荷作為輸出訊號取出,藉此可將熱電元件作為感測器使用。大部分的熱電型紅外線感測器,將如上述的熱電元件作為檢測畫素使用,並以由複數的熱電元件所構成之感測器元件群所構成。
作為熱電型紅外線感測器之例,於專利文獻1中揭示了稱為補償單一型之熱電型紅外線感測器。該熱電型紅外線感測器,包含:偵測紅外線之 電極(受光主元件),以及監視周圍的溫度變化來修正溫度變化之電極(溫度補償元件)。
在專利文獻1中,於紅外線濾光器的屏蔽殼(外裝罐)之窗部設有濾光器。此濾光器,係以紅外線僅入射在受光主元件之方式使紅外線透射。溫度補償元件受到遮蔽,以避免受從外部照射的紅外線影響。
又在專利文獻2中,揭示了將分極方向互不相同的2個集電元件串聯或並聯連接之雙重型的紅外線感測器。
[習知技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1:日本實用新案登錄第3043381號公報
專利文獻2:日本特開昭62-187277號公報
專利文獻1以及專利文獻2所揭示之受光主元件以及溫度補償元件之構造(形狀、尺寸),受限於屏蔽殼的大小、以及紅外線所透射的開口部之面積。
例如,若將形成於屏蔽殼頂面部的開口部加大來增加紅外線的照射量,擴大感測器的視角,則有可能紅外線迴繞至溫度補償元件而影響到感測器的感度。另一方面,若縮小開口部,則不僅會限制紅外線的照射範圍或照射量,還會使感測器的視角變得狹小,使感測器輸出降低。
又,只要開口部的面積不改變,當受光主元件與開口部之距離越長,則感測器的視角越狹小;當受光主元件與開口部之距離越短,則感測器的視角變得越寬廣。可是,在開口部與感測器元件的空間配置用以提升感測 器感度之遮光板或聚光鏡時,在屏蔽殼與感測器元件之間需要一定的空間。該空間之存在,乃是在實際的設計中限制視角的可設定範圍之主要原因,會妨礙到感測器的小型化。
因此,本發明的目的在於提供一種小型、廣視角且可得到充分的輸出之熱電型紅外線感測器。
本發明的一實施態樣,係作為第1熱電型紅外線感測器,可得到一熱電型紅外線感測器,其包含:感測器元件、覆蓋該感測器元件之屏蔽殼、紅外線透射濾光器、對該感測器元件的輸出訊號進行阻抗轉換而加以輸出之輸出電路、以及至少1個反射膜。該感測器元件具有至少1個熱電元件。該熱電元件包含:熱電體基板,具有成為受光面之正面以及該正面的相反面即背面;正面電極,設於該正面;以及背面電極,在該背面之中設置於對應該正面電極之位置。該屏蔽殼具有開口部。該開口部以位於該正面電極上方之方式形成。該紅外線透射濾光器設於該開口部。該反射膜使從外部入射的紅外線反射。該反射膜的至少一部分位於該紅外線透射濾光器與該正面電極之間的區域。
在此,由於正面電極與背面電極係挾持熱電體基板而互相對向配置,故形成電容。為了使正面電極因應紅外線的受光量而取得盡量大的表面電荷,宜將電極面積加大。將電極面積加大,因此感測器元件的靜電電容變大,感測器的S/N比提升。
又,因應需要對正面電極的正面塗佈氧化鈦或碳等紅外線吸收膜,因此紅外線的吸收效率提升,亦即,得到熱效率高、對外來雜訊強、高感度的紅外線感測器。
於熱電體基板的背面,除了背面電極之外還設有將感測器的輸出訊號導出之輸出電極。輸出電極,宜配置成盡量遠離正面電極以及背面電極。 因此,可盡量減少由正面電極所吸收的熱之釋放。
屏蔽殼宜使用電磁屏蔽性能高且線膨脹係數低之42鐵鎳合金。可是,作為代替之用,亦可使用以Ni電鍍等對低價的Fe類金屬或非磁性類的金屬施以表面處理者。
紅外線透射濾光器,係在矽或鍺等紅外線透射材料上,多層形成硫化鋅等的層所製成。可透射紅外線透射濾光器的紅外線之波長宜為5μm~15μm左右。如有需要可更加多層形成反射防止膜藉以提升透射率。
輸出電路宜僅以接合型電場效應電晶體所構成。可是,亦可因應需要將電阻值高(數GΩ~數十GΩ左右)的電阻器與感測器元件並聯連接。因此,抑制基準電壓的變動,得到穩定的感測器輸出。
又,根據本發明的另一實施態樣,作為第2熱電型紅外線感測器,可得到一熱電型紅外線感測器,如第1熱電型紅外線感測器,其中,該正面電極具有:至少2個區域,以及連接該2個區域之連接部;該反射膜以與該連接部對向之方式設置。
又,根據本發明的另一實施態樣,作為第3熱電型紅外線感測器,可得到一熱電型紅外線感測器,如第1或第2熱電型紅外線感測器,其中,該反射膜由濺鍍法或真空蒸鍍法所形成。
又,根據本發明的另一實施態樣,作為第4熱電型紅外線感測器,可得到一熱電型紅外線感測器,如第1或第2熱電型紅外線感測器,其中,該反射膜由印刷法、或塗佈、轉印或浸漬工法所形成。
又,根據本發明的另一實施態樣,作為第5熱電型紅外線感測器,可得到一熱電型紅外線感測器,如第1或第2熱電型紅外線感測器,其中,該反射膜形成於薄板的表面;該薄板貼合在該屏蔽殼或該紅外線透射濾光 器上。
再者,將正面電極分割成複數個,將相鄰的正面電極成對連接,因此可將其一方以反射膜加以遮蔽來作為溫度補償電極使用,並將另一方作為紅外線偵測電極使用。因此,感測器元件呈現極性反轉而串聯連接之狀態,可更加減低干擾光線的影響。
再者,亦可將反射膜與上述成對連接的正面電極之導體圖案以互相對向之方式配置。各個感測器元件可偵測紅外線的範圍(視角),係由集電元件的各個電極與反射膜的關係位置所決定。從而,將反射膜與導體圖案以互相對向之方式配置,藉此能以視角不會互相交錯之方式配置。
在本發明的熱電型紅外線感測器中,在紅外線透射濾光器與正面電極之間區域的一部分,設置有使從外部入射的紅外線反射之反射膜。又,紅外線透射濾光器與正面電極之距離相近。其結果,可將反射膜作為紅外線的遮光板使用。亦即,對於必須要有紅外線遮蔽之補償電極,可防止紅外線的迴繞,因此可確實遮蔽補償電極而不受紅外線影響。
再者,本發明的熱電型紅外線感測器,包含具有充分的視角之受光側電極。再者,藉由減少屏蔽殼與感測器元件的間隙,使熱電型紅外線感測器的小型化亦變得容易。
又,令紅外線透射濾光器與正面電極之間的距離為極短(以極近距離配置紅外線透射濾光器與正面電極),因此得到可自由且高精度地變更視角之熱電型紅外線感測器。例如,在雙重型的熱電型紅外線感測器中,將分割成兩個的正面電極互相連接,並以該正面電極分別可偵測的視角不會互相抵消之方式來予以調整,因此可將紅外線受光區域分擔於經分割的各個電極。
採用如此構成,因此可得到相較於以1個電極所構成的視角具有大範圍視角之熱電型紅外線感測器。再者在能以各個受光電極進行偵測之區域中,設置不偵測紅外線的區域(不感帶區域)來偵測來自受光範圍的出入,因此可得到可偵測更狹小範圍中的移動之熱電型紅外線感測器。
又,反射膜亦可由濺鍍法或真空蒸鍍法所形成。使用此等方法因此可使膜厚變薄。膜壓較薄的反射膜其熱容量非常少,使散熱性提升。因此,可減低波及到感測器元件的熱之影響。
又,形成於紅外線透射濾光器上的反射膜,亦可由印刷法、或塗佈、轉印、浸漬工法所形成。藉由此類工法,無須使用濺鍍裝置或真空蒸鍍裝置之類的巨大製造設備便可形成反射膜。亦即,能低價地製造熱電型紅外線感測器。
又,改變上述方法,將表面形成有反射膜之薄板,貼合在屏蔽殼或該紅外線透射濾光器上,因此使熱電型紅外線感測器的製造更為簡便。
藉著參考添附之附圖,並檢討對下述最佳實施形態之說明,應可正確地理解本發明之目的,並對其結構更全面性地理解。
1‧‧‧感測器元件
2a、2b、2c、2d‧‧‧正面電極
3a、3b、3c、3d‧‧‧背面電極
4‧‧‧接合型電場效應電晶體
5‧‧‧導電黏接劑
6‧‧‧電路基板
7‧‧‧紅外線透射濾光器
8‧‧‧屏蔽殼
9‧‧‧反射膜
10‧‧‧開口部
11a、11b‧‧‧視角
圖1係顯示本發明第1實施形態的熱電型紅外線感測器之動作與正面電極的電壓之變化之圖。
圖2係表示圖1熱電型紅外線感測器的感測器元件正面之平面圖。
圖3係表示圖1熱電型紅外線感測器的感測器元件背面之平面圖。
圖4係圖1熱電型紅外線感測器的紅外線透射濾光器之平面圖。
圖5係表示圖1熱電型紅外線感測器的電路之方塊圖。
圖6係顯示本發明第2實施形態的熱電型紅外線感測器之動作與正面電極的電壓之變化之圖。
圖7係表示圖6熱電型紅外線感測器的感測器元件正面之平面圖。
圖8係表示圖6熱電型紅外線感測器的感測器元件背面之平面圖。
圖9係圖6熱電型紅外線感測器的紅外線透射濾光器之平面圖。
圖10係顯示本發明第3實施形態的熱電型紅外線感測器之動作與正面電極的電壓之變化之圖。
圖11係表示圖10熱電型紅外線感測器的感測器元件正面之平面圖。
圖12係表示圖10熱電型紅外線感測器的感測器元件背面之平面圖。
圖13係圖10熱電型紅外線感測器的紅外線透射濾光器之平面圖。
圖14係表示本發明第4實施形態的紅外線感測器的感測器元件正面之平面圖。
圖15係表示本發明第4實施形態的熱電型紅外線感測器的感測器元件背面之平面圖。
圖16係本發明第4實施形態的熱電型紅外線感測器的紅外線透射濾光器之平面圖。
[實施發明的最佳形態]
關於本發明,可藉著多樣變形或各種形態使其實現,作為其一例,就附圖所示之特定實施形態,於以下加以詳細說明。附圖及實施形態,並不限定為本發明在此揭示之特定形態,於添附請求範圍所解釋之範圍內的全部變形例、均等物、替代例等,皆包含於其對象。
(第1實施形態)
本實施形態的紅外線感測器,例如以如下方式所利用。如圖1的上部所示,當測定對象物(人)從圖的左側進入紅外線感測器的視角11a時,正面電極2a附近的電中性狀態崩解,而以Vout的電壓為基準於負極側檢測到電位。進而持續移動而進入視角11b時,正面電極2b附近的電中性狀態崩解,而以Vout的電壓為基準於正極側檢測到電位,因此,紅外線感測器,可作為測定對象物出入時的方向偵測來加以利用。
如圖1所示,本實施形態的紅外線感測器,包含:感測器元件1、屏蔽殼8、紅外線透射濾光器7、以及反射膜9。
如圖2所示,本實施形態的感測器元件1,具有1個熱電元件。熱電元件,包含:具有正面以及背面之熱電體基板、設於正面之正面電極2a以及2b、以及設於背面之背面電極3a以及3b。在此,熱電體基板的正面為受光面。正面電極2a以及2b互相連接,配置於熱電體基板的受光面側(正面)。正面電極2a係作為溫度補償電極使用,正面電極2b係作為受光電極使用。又,如圖3所示,於感測器元件1的背面配置有背面電極3a以及3b。背面電極3a以及3b,係以分別與正面電極2a以及2b對向之方式來安置。
如圖1以及圖3所示,設於背面電極3a以及3b之輸出電極,藉由導電黏接劑5黏接在電路基板6。於電路基板6,安裝有接合型電場效應電晶體4,以作為阻抗轉換電路。如圖5所示,分別是接合型電場效應電晶體4的閘極輸入電極連接背面電極3a,GND連接背面電極3b。接合型電場效應電晶體4,對感測器元件1的輸出訊號進行阻抗轉換而加以輸出。
如圖1所示,電路基板6的外周由屏蔽殼8所覆蓋。屏蔽殼8具有開口部(窗部)10。開口部10,以位於正面電極2a以及2b上方之方式形成。亦即,能通過開口部10來目視確認正面電極2a以及2b。於開口部10固著有紅外線透射濾光器7。如圖4所示,於紅外線透射濾光器7,設有反射紅外線之反射膜9。反射膜9,位於紅外線透射濾光器7與正面電極2a之間的區域。亦即,反射膜9,設於正面電極2a之上方且設於紅外線透射濾光器7之下方。本實施形態的反射膜之一部分,與正面電極2a對向。本實施形態的反射膜9,係厚度0.5μm的Ag膜。
在此,反射膜9,為了不影響到感測器元件的高度,係藉由濺鍍法或真空蒸鍍法等以1μm以下的厚度所形成。反射膜9的熱容量相較於感測器元件1的熱容量為相當的小,因此對感測器元件造成的影響極小。形成該反 射膜的步驟,可在紅外線透射濾光器7的製造步驟中所包含的真空蒸鍍步驟中形成紅外線透射膜之同時,進行之。
又,反射膜9,亦可由印刷法、或塗佈、轉印、浸漬工法之任一者所形成。作為另一方法,亦可將於表面形成有反射膜的薄板裁切成既定形狀,貼附在屏蔽殼或前述紅外線透射濾光器上。根據此等方法,無須使用濺鍍裝置或真空蒸鍍裝置等製造設備便可形成反射膜,因此可低價地製造熱電型紅外線感測器。
可偵測紅外線的視角,係由該反射膜9、屏蔽殼8的開口部10、正面電極2a以及2b之關係位置所決定。反射膜9,亦可配置於屏蔽殼的外側(亦即,紅外線透射濾光器7的頂面)。可是,將反射膜9配置於屏蔽殼8的內側(亦即,紅外線透射濾光器7的底面),藉此令正面電極2a(溫度補償電極)的視角狹小,另一方面,可擴大正面電極2b(受光電極)的視角。因此即使視角重疊時,亦可將感測器輸出相抵消之區域減至極少。其結果,可得到只要在數公尺的範圍內便具有充分的偵測能力之熱電型紅外線感測器。
(第2實施形態)
參照圖6至圖9,本發明第2實施形態的紅外線感測器,包含與第1實施形態相同的感測器元件1。可是,與第1實施形態相異的點在於:正面電極2a以及2b均作為受光電極使用;以及如圖6、圖7以及圖9所示,反射膜9以覆蓋存在於正面電極2a、2b中間的連接圖案之方式所形成。
根據本實施形態之構成,呈現分極方向不同的熱電體2個串聯連接之狀態。假設因外部溫度的變化或外來光線等使兩熱電元件中產生電荷,由於存在於正面電極2a以及2b上的電荷之總量為固定,所以各自的輸出會相抵消。其結果,紅外線以外的影響受到補償。
用圖6來說明本實施形態的熱電型紅外線感測器之動作。如圖6所示,當測定對象物從圖的左側進入視角11b時,正面電極2a附近的電中性狀態 崩解,而以Vout的電壓為基準於負極側檢測到電位。進而持續移動而進入視角11a時,正面電極2b附近的電中性狀態崩解,而以Vout的電壓為基準於正極側檢測到電位,因此,可作為測定對象物出入時的方向偵測來加以利用。又,改變反射膜的寬度,藉此容易形成在各視角未偵測到的中間區域(不感帶區域)。偵測在該不感帶區域與視角之間的出入,因此測定對象物在更狹小的範圍動作時亦可使感測器產生反應。
在本實施形態中,宜隔出一定的間隔來安裝感測器元件1與電路基板6。因此,可減少感測器元件正面電極所吸收的熱之釋放。
又,為預防雜訊,宜將紅外線透射濾光器7固著在屏蔽殼8的開口部,預先將屏蔽殼8與電路基板6的接地電性連接。
可偵測紅外線的視角,係由該反射膜9、屏蔽殼8的開口部10、正面電極2a以及2b之關係位置所決定。以覆蓋接地圖案之方式形成反射膜9,因此正面電極2a的視角與正面電極2b的視角不會重疊,因此感測器輸出不會相抵消。
(第3實施形態)
用圖10來說明第3實施形態的熱電型紅外線感測器之動作。如圖10的上部所示,本實施形態的熱電型紅外線感測器,當測定對象物從圖的左側進入左側的視角11b時,正面電極2a附近的電中性狀態崩解,而以Vout的電壓為基準於負極側檢測到電位。進而持續移動而進入視角11a時,檢測到正極側的電位。進而往右持續移動而進入右側的視角11b時,正面電極2b附近的電中性狀態崩解,從Vout檢測到負極的電位。又,在視角11a與11b之間,建立均不屬於其視野範圍之不感帶區域,藉此可將偵測區域細分化。不僅在穿越各區域時,在進行細微的動作時亦可獲得感測器輸出。
如圖11所示,感測器元件1包含:配置於熱電體基板中央之正面電極2a、以及配置於正面電極2a兩側之正面電極2b。正面電極2a與2個正面 電極2b,係以連接圖案所連接。正面電極2a與正面電極2b係高度相等。正面電極2b的寬度為正面電極2a之約一半。再者,如圖12所示,以挾持熱電體基板且與正面電極2a以及2b對向之方式,配置有背面電極3a以及3b。
如圖13所示,反射膜9,與上述第2實施形態相同,以覆蓋連接正面電極2a以及2b的連接圖案之方式形成。可偵測紅外線的視角,係由該反射膜9、屏蔽殼8的開口部10、正面電極2a以及2b之關係位置所決定。以覆蓋連接圖案之方式形成反射膜9,因此正面電極2a的視角與正面電極2b的視角不會重疊,感測器輸出不會相抵消。
(第4實施形態)
如圖14所示,本發明第4實施形態的紅外線感測器的感測器元件1包含:4個正面電極2a、2b、2c以及2d。正面電極2a、2b、2c以及2d之面積,彼此相等。正面電極2a與正面電極2b互相連接。正面電極2c與正面電極2d互相連接。如圖15所示,於感測器元件1的背面,形成有分別與該正面電極對向所形成之背面電極3a、3b、3c以及3d。正面電極2a、2b係由輸出電極所互相連接,正面電極2c、2d亦由輸出電極所互相連接。如圖16所示,反射膜9,在將紅外線透射濾光器以十字切割為4等分之4個區域之中,設於正面電極2b上方的區域,以及正面電極2c上方的區域。採用此種構成,因此相較於電極為2個之情形,可進行更細微的位置偵測。即使在將需要更細微的偵測之電極複數排列之陣列型元件中,其等亦同樣易於對應。
另,並不限於此等實施例,亦可在申請專利範圍內加上各種手法,亦可因應各種需求來加以變形。
本發明係依據2012年1月27日向日本國專利廳提出之日本特許出願第2012-014984號,參考該內容而構成本說明書之一部分。
雖就本發明之最佳實施形態進行說明,如同在所屬技術領域中具有通常知識者明確可知,不逸脫本發明精神之範圍內可將實施形態變形,如此之實施形態仍屬於本發明之範圍。
1‧‧‧感測器元件
2a、2b‧‧‧正面電極
3a、3b‧‧‧背面電極
4‧‧‧接合型電場效應電晶體
5‧‧‧導電黏接劑
6‧‧‧電路基板
7‧‧‧紅外線透射濾光器
8‧‧‧屏蔽殼
9‧‧‧反射膜
10‧‧‧開口部
11a、11b‧‧‧視角

Claims (5)

  1. 一種熱電型紅外線感測器,包含:感測器元件;屏蔽殼,覆蓋該感測器元件;紅外線透射濾光器;輸出電路,對該感測器元件的輸出訊號進行阻抗轉換,而加以輸出;以及至少一個反射膜;其中該感測器元件具有至少一個熱電元件;且該熱電元件包含:熱電體基板,具有成為受光面之正面以及該正面的相反面即背面;正面電極,設於該正面;以及背面電極,設置於該背面之中對應於該正面電極之位置;且該正面電極由受光電極和溫度補償電極構成;該屏蔽殼具有開口部;且該開口部形成為位於該正面電極之上方;該紅外線透射濾光器設於該開口部;該至少一個反射膜使從外部入射的紅外線反射;且該至少一個反射膜的至少一部分位於該紅外線透射濾光器與該溫度補償電極之間的區域之一部分;該紅外線透射濾光器具有:內側面,和該表面電極對向;外側面,為該內側面之背側的面;該至少一個反射膜僅形成在該內側面。
  2. 如申請專利範圍第1項之熱電型紅外線感測器,其中,該正面電極具有:至少兩個區域,以及連接該兩個區域之連接部。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之熱電型紅外線感測器,其中,該至少一個反射膜由濺鍍法或真空蒸鍍法所形成。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之熱電型紅外線感測器,其中,該至少一個反射膜係由印刷法、或塗佈、轉印或浸漬工法所形成。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之熱電型紅外線感測器,其中,該至少一個反射膜形成於薄板的表面; 該薄板貼合在該屏蔽殼或該紅外線透射濾光器上。
TW101141059A 2012-01-27 2012-11-05 熱電型紅外線感測器 TWI567370B (zh)

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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5531062B2 (ja) * 2012-07-31 2014-06-25 Eizo株式会社 マスクの構造
JP6154633B2 (ja) * 2013-03-19 2017-06-28 旭化成エレクトロニクス株式会社 赤外線検出装置及びそれを備えたディスプレイ並びにパソコン
US9442017B2 (en) * 2014-01-07 2016-09-13 Dale Read Occupancy sensor
WO2015108294A1 (en) * 2014-01-15 2015-07-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Optical sensor and electronic device with the same
DE102015223362A1 (de) * 2015-11-25 2017-06-01 Minimax Gmbh & Co. Kg Explosionsgeschütztes Gehäuse für Mittel zum Senden und Empfangen elektromagnetischer Strahlung
TWI636240B (zh) * 2015-12-31 2018-09-21 群光電能科技股份有限公司 光感測器
WO2017221718A1 (ja) * 2016-06-23 2017-12-28 株式会社村田製作所 赤外線検出素子、および、赤外線検出装置
JP6976045B2 (ja) * 2016-07-20 2021-12-01 株式会社トーキン 焦電型赤外線センサ装置
CN111610699A (zh) * 2019-02-22 2020-09-01 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种掩模对准传感器和光刻机
TWI721826B (zh) * 2020-03-17 2021-03-11 高爾科技股份有限公司 紅外線熱反應式控制面板
JP7446957B2 (ja) * 2020-09-03 2024-03-11 ホシデン株式会社 検知センサ及びこれを備えた検知装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0915040A (ja) * 1995-07-01 1997-01-17 Horiba Ltd 焦電型赤外線検出器
US5962854A (en) * 1996-06-12 1999-10-05 Ishizuka Electronics Corporation Infrared sensor and infrared detector
CN101313202A (zh) * 2005-11-25 2008-11-26 松下电工株式会社 使用半导体光学透镜的红外检测单元
TW201142256A (en) * 2009-12-09 2011-12-01 Panasonic Elec Works Co Ltd Infrared flame detector

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62187277A (ja) 1986-02-12 1987-08-15 Murata Mfg Co Ltd 焦電型赤外線検出装置
US4800278A (en) * 1985-06-06 1989-01-24 Nippon Ceramic Co., Ltd. Pyroelectric infrared sensor
JPS62153532U (zh) * 1986-03-20 1987-09-29
JP2532159Y2 (ja) * 1990-11-30 1997-04-09 株式会社大真空 焦電型赤外線検出器
JPH07104202B2 (ja) 1991-05-24 1995-11-13 株式会社大真空 焦電型赤外線センサ
JPH06331437A (ja) 1993-05-26 1994-12-02 Matsushita Electric Works Ltd デュアル型赤外線人体検出器
JP3304193B2 (ja) 1994-03-05 2002-07-22 株式会社堀場製作所 赤外線検出器における窓材およびその接合方法
JP3043381U (ja) 1997-05-13 1997-11-18 日本セラミック株式会社 焦電型赤外線センサ
CN101246055A (zh) 2008-03-13 2008-08-20 电子科技大学 钽酸锂薄膜红外探测器及制法
JP5246892B2 (ja) * 2008-12-24 2013-07-24 株式会社村田製作所 赤外光線用透過光学部材とその製造方法、光学デバイス、及び光学装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0915040A (ja) * 1995-07-01 1997-01-17 Horiba Ltd 焦電型赤外線検出器
US5962854A (en) * 1996-06-12 1999-10-05 Ishizuka Electronics Corporation Infrared sensor and infrared detector
CN101313202A (zh) * 2005-11-25 2008-11-26 松下电工株式会社 使用半导体光学透镜的红外检测单元
TW201142256A (en) * 2009-12-09 2011-12-01 Panasonic Elec Works Co Ltd Infrared flame detector

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Publication number Publication date
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