WO2017094769A1 - ボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイ - Google Patents
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- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
Definitions
- the present invention relates to a bolometer-type terahertz wave detection element array.
- a support part for supporting the temperature detection part from the circuit board through an air gap and an absorption film for absorbing the terahertz wave formed on the upper surface and extending from the peripheral part of the temperature detection part to the inside and the outside. And comprising.
- the array is configured by arranging such elements in the same direction and vertically and horizontally.
- the detection sensitivity of the bolometer-type terahertz wave detecting element varies depending on the polarization direction of the terahertz wave. Such polarization dependence of detection sensitivity is considered to depend on the frequency of the incident terahertz wave, and causes a large difference in detection sensitivity.
- terahertz imaging is performed using a bolometer-type terahertz wave detection element array having such elements as a camera, proper terahertz imaging cannot be obtained if the terahertz wave or the measurement object has a characteristic polarization dependency.
- the main object of the bolometer type terahertz wave detecting element array of the present invention is to detect a terahertz image more appropriately even when the terahertz wave has polarization dependency or the measurement object has polarization dependency.
- the bolometer type terahertz wave detecting element array of the present invention employs the following means in order to achieve the main object described above.
- the bolometer type terahertz wave detecting element array of the present invention is A bolometer-type terahertz wave detection element array in which bolometer-type terahertz wave detection elements having a temperature detection unit including a bolometer thin film are arranged vertically and horizontally, A group of detection elements formed by arranging the four bolometer type terahertz wave detection elements arranged in two rows and two columns in a direction rotated by 90 degrees about an axis perpendicular to the array as a rotation axis, arranged vertically and horizontally, It is characterized by that.
- the four bolometer-type terahertz wave detecting elements oriented in a direction rotated 90 degrees about an axis perpendicular to the array are arranged in 2 rows and 2 columns. Because the detector elements are aligned vertically and horizontally, the detector elements can function as a single detector even if the terahertz wave has polarization dependency or has a characteristic polarization dependency on the measurement target. Therefore, it is possible to detect well without depending on polarization. As a result, a terahertz image can be detected more appropriately even when the terahertz wave has polarization dependency or the measurement target has polarization dependency.
- the arrangement order of the four elements in the detection element group may be any arrangement order in 2 rows and 2 columns.
- FIG. 1 is a plan view schematically showing a bolometer-type terahertz wave detection element array 10 as one embodiment of the present invention.
- 1 is a cross-sectional view schematically showing an element structure of a bolometer-type terahertz wave detection element 20 constituting a bolometer-type terahertz wave detection element array 10.
- FIG. 2 is a configuration diagram schematically showing a cross-sectional structure of a modeled bolometer-type terahertz wave detecting element 120.
- FIG. 3 is a perspective view schematically showing a three-dimensional view of a metal wiring 150 and a reflective layer 170 of a modeled bolometer-type terahertz wave detecting element 120.
- FIG. 1 is a plan view schematically showing a bolometer type terahertz wave detecting element array 10 as one embodiment of the present invention.
- FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the element structure of the bolometer type terahertz wave detecting element 20 constituting the bolometer type terahertz wave detecting element array 10.
- the bolometer-type terahertz wave detecting element array 10 of the embodiment is directed in four different directions rotated by 90 degrees about an axis perpendicular to the array (axis perpendicular to the paper surface of FIG. 1).
- the four bolometer-type terahertz wave detection elements 20a, 20b, 20c, and 20d are arranged in two rows and two columns and are arranged as a single detection element 12 in vertical and horizontal alignment.
- the bolometer-type terahertz wave detection element array 10 of the embodiment is configured with a pixel pitch of 23.5 ⁇ m and the number of pixels of 320 ⁇ 240 when each bolometer-type terahertz wave detection element 20a, 20b, 20c, 20d is a pixel. Yes.
- the white arrows of the bolometer-type terahertz wave detection elements 20a, 20b, 20c, and 20d constituting the detection element 12 indicate the direction of the element.
- the simple description of the bolometer type terahertz wave detecting element 20 means a case where the direction of the bolometer type terahertz wave detecting elements 20a, 20b, 20c, and 20d is not limited.
- the bolometer-type terahertz wave detecting element 20 includes a circuit board 22 on which a readout circuit 24 such as a CMOS circuit is formed, and a temperature detector 42 including a bolometer thin film 36 formed as a 600 nm vanadium oxide thin film. And a support portion 44 that supports the temperature detection portion 42 from the circuit board 22 so as to have an air gap 46, and a silicon nitride film having a thickness of 200 nm to 600 nm, and extends inward and outward from the peripheral portion of the temperature detection portion 42.
- a readout circuit 24 such as a CMOS circuit
- a temperature detector 42 including a bolometer thin film 36 formed as a 600 nm vanadium oxide thin film.
- a support portion 44 that supports the temperature detection portion 42 from the circuit board 22 so as to have an air gap 46, and a silicon nitride film having a thickness of 200 nm to 600 nm, and extends inward and outward from the peripheral portion
- a well-known bolometer-type terahertz wave detecting element (for example, described in Non-Patent Document 1 above), which is constituted by a ridge 50 and a dielectric layer 48 formed of silicon nitride between the air gap 46 and the circuit board 22. Device).
- a reflective film 26 made of titanium and reflecting the terahertz wave is formed on the upper surface of the circuit substrate 22 .
- the upper surface of the reflective film 26 is a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a silicon oxynitride film.
- the first protective film 28 having a thickness of 100 nm to 500 nm formed by the above method is covered.
- the temperature detector 42 is a second protective film 34 formed of silicon nitride having a thickness of 350 nm, a bolometer thin film 36, and a first layer formed of silicon nitride having a thickness of 350 nm.
- the protective film 38 and the fourth protective film 40 having a thickness of 350 nm formed of silicon nitride are formed in layers.
- the support portion 44 includes, from the air gap 46 side, the second protective film 34 and the third protective film extending from the temperature detecting portion 42, the electrode wiring 32 connected to the bolometer thin film 36, and the fourth extending from the temperature detecting portion 42.
- the protective film 40 is configured.
- the metal wiring 32 is formed of titanium with a thickness of 70 nm.
- the electrode wiring 32 is connected to the readout circuit 24 via a metal wiring connection portion 30 formed of titanium.
- the upper surface of the flange 50 is covered with an absorption film 52 made of titanium alloy (TiAlV) and having a thickness of 10 nm, and a hole 54 is formed at the center.
- the bolometer type terahertz wave detecting elements 20 constituting the bolometer type terahertz wave detecting element array 10 of the embodiment are not symmetrically arranged in the vertical and horizontal directions.
- the dielectric layer 48 provided to increase the spacing of the optical resonant structure between the ridge 50 and the reflective film 26 is not symmetric in FIG. For this reason, polarization dependence is shown with respect to the terahertz wave.
- FIG. 3 is a configuration diagram schematically showing a cross-sectional structure of the modeled bolometer-type terahertz wave detecting element 120.
- FIG. 4 shows a metal wiring 150 and a reflective layer 170 of the modeled bolometer-type terahertz wave detecting element 120.
- the modeled bolometer-type terahertz wave detecting element 120 is similar to the bolometer-type terahertz wave detecting element 20 of the embodiment, and has a pixel pitch of 23.5 ⁇ m, an outermost layer of an absorption layer 130 having a thickness of 10 nm, and a thickness of the next layer.
- the air gap 140 has a thickness of 2 ⁇ m, a dielectric layer 160 having a metal wiring 150 formed therein, a thickness of 6 ⁇ m and a refractive index of 2.1, and a lowermost reflective layer 170.
- the absorption layer 130, the air gap 140, the metal wiring 150, the dielectric layer 160, and the reflective layer 170 in the modeled bolometer-type terahertz wave detecting element 120 in FIG. 3 are the same as those in the bolometer-type terahertz wave detecting element 20 in FIG. It corresponds to the absorption film 52, the air gap 46, the metal wiring connection portion 30, the dielectric layer 48, and the reflection film 26.
- the dielectric constant of the absorption layer 130 was calculated using a titanium alloy (TiAlV) Derude model, and the metal wiring 150 and the reflective layer 170 were calculated using a titanium (Ti) Derude model.
- FIG. 5 shows the result of simulating the relationship between the polarization dependence and the frequency of the modeled bolometer type terahertz wave detecting element 120.
- the modeled bolometer-type terahertz wave detecting element 120 has the same absorption spectrum of x-polarized light and y-polarized light in the frequency region of 2.5 THz or lower, but in the frequency region higher than 2.5 THz, The absorption spectrum of x-polarized light and y-polarized light deviate due to the effect of the terahertz wave becoming close to the element size.
- FIG. 6 shows the result of simulating the relationship between the polarization dependency and the frequency of an example array).
- the modeled bolometer-type terahertz wave detection element 120 is vertically and horizontally aligned as a single detection element with a 2-by-2 detection element group rotated by 90 degrees in the same manner as the bolometer-type terahertz wave detection element array 10 of the embodiment.
- the absorption spectrum indicates the sum of the detection element groups.
- the absorption spectra of x-polarized light and y-polarized light are identical in the frequency range smaller than 1 THz, and the absorption spectra of x-polarized light and y-polarized light are dissociated in a wide frequency range. large.
- the absorption spectra of the x-polarized light and the y-polarized light coincide with each other in all frequency regions, and the polarization dependence is It has been eliminated.
- the bolometer-type terahertz wave detection element 120 has a side of 23.5 ⁇ m, and therefore, a detection element group (element group of 2 rows ⁇ 2 columns) as a single detection element has a side of 47 ⁇ m.
- the resolution determined by diffraction is about the wavelength
- the resolution is not limited for terahertz waves with a wavelength of 47 ⁇ m and terahertz waves up to 6.4 THz when converted to frequencies. Therefore, if a bolometer type terahertz wave detecting element having a side of about 23.5 ⁇ m is used, a detection element group of 2 rows and 2 columns is not a factor that limits the resolution.
- bolometer-type terahertz wave detecting element array 10 of the embodiment described above four bolometer-type terahertz wave detecting elements 20a to 20d oriented in four different directions rotated 90 degrees about an axis perpendicular to the array as a rotation axis. Are arranged in a vertical and horizontal direction as a single detection element 12, even when the terahertz wave has polarization dependency or the measurement target has polarization dependency. A terahertz image can be detected appropriately. Moreover, if the bolometer-type terahertz wave detecting element 20 having a side of about 23.5 ⁇ m is used, even if the detecting element group of 2 rows and 2 columns is used as the single detecting element 12, the resolution is not limited.
- the detection element 12 as a detection element group includes four bolometer-type terahertz waves rotated clockwise by 90 degrees.
- the detection elements 20a to 20d are arranged in the order of 2 rows and 2 columns in this order in the clockwise direction.
- the detection element as the detection element group only needs to be provided with four bolometer-type terahertz wave detection elements 20a to 20d in four directions that are different by 90 degrees, as shown in FIGS. 8B to 8D.
- it may be arranged clockwise 20a, 20d, 20c, 20b, 20a, 20c, 20b, 20d, or 20a, 20c, 20d, 20b.
- the present invention can be used in the manufacturing industry of bolometer-type terahertz wave detection element arrays.
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Abstract
アレイに垂直な軸を回転軸として９０度ずつ回転した４つの異なる方向を向いた４つのボロメータ型テラヘルツ波検出素子２０ａ～２０ｄを２行２列に配置してなる検出素子群を単一の検出素子１２として縦横に整列配置する。これにより、テラヘルツ波に偏光依存性がある場合や測定対象に偏光依存性がある場合でもより適正にテラヘルツイメージを検出することができる。ボロメータ型テラヘルツ波検出素子２０の一辺を２３．５μｍ程度とすれば、２行２列の検出素子群を単一の検出素子１２としても分解能の制限を受けることがない。
Description
本発明は、ボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイに関する。
従来、この種のボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイとしては、ボロメータ薄膜を含む温度検出部を有するボロメータ型テラヘルツ波検出素子を縦横に整列配置したものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。このボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイの素子は、上面にテラヘルツ波を反射する反射膜が形成され内部に読出回路が形成された回路基板と、ボロメータ薄膜を含む温度検出部と、ボロメータ薄膜に接続された電極配線を含むと共に温度検出部を回路基板からエアギャップを介して支持する支持部と、上面にテラヘルツ波を吸収する吸収膜が形成され温度検出部の周縁部から内側と外側に延びた庇と、を備える。そして、アレイは、こうした素子を同方向に向いて縦横に整列配置して構成されている。
また、ボロメータ型テラヘルツ波検出素子としては、庇と反射膜との間の光学的共振構造の間隔を増すためにエアギャップと回路基板との間に誘電体層を備えるものも提案されている（例えば、非特許文献１参照）。
「世界最高感度かつ最大画素数の室温動作テラヘルツカメラの開発に成功 ～非破壊検査や異物検知センサの実用化に向けて大きく前進～ 」，日本電気株式会社，http://jpn.nec.com/press/201411/20141111#01.html，「感度向上と高画素化の概要」，http://jpn.nec.com/press/201411/images/1101-01-01.pdf，２０１５年１１月１９日検索
しかしながら、ボロメータ型テラヘルツ波検出素子は、テラヘルツ波の偏光の方向によって検出感度が異なる。こうした検出感度の偏光依存性は、入射するテラヘルツ波の周波数にも依存すると考えられ、大きな検出感度の差を生じさせる。こうした素子をアレイとしたボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイをカメラとして用いてテラヘルツイメージングを行なう場合、テラヘルツ波や測定対象に特徴的な偏光依存性がある場合、適正なテラヘルツイメージングが取得できない。
本発明のボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイは、テラヘルツ波に偏光依存性がある場合や測定対象に偏光依存性がある場合でもより適正にテラヘルツイメージを検出することを主目的とする。
本発明のボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイは、上述の主目的を達成するために以下の手段を採った。
本発明のボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイは、
ボロメータ薄膜を含む温度検出部を有するボロメータ型テラヘルツ波検出素子を縦横に整列配置したボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイであって、
前記アレイに対して垂直な軸を回転軸として９０度ずつ回転した方向を向いた４つの前記ボロメータ型テラヘルツ波検出素子を２行２列に配置してなる検出素子群を縦横に整列配置した、
ことを特徴とする。
ボロメータ薄膜を含む温度検出部を有するボロメータ型テラヘルツ波検出素子を縦横に整列配置したボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイであって、
前記アレイに対して垂直な軸を回転軸として９０度ずつ回転した方向を向いた４つの前記ボロメータ型テラヘルツ波検出素子を２行２列に配置してなる検出素子群を縦横に整列配置した、
ことを特徴とする。
この本発明のボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイでは、アレイに対して垂直な軸を回転軸として９０度ずつ回転した方向を向いた４つの前記ボロメータ型テラヘルツ波検出素子を２行２列に配置してなる検出素子群を縦横に整列配置したから、テラヘルツ波に偏光依存性がある場合や測定対象に特徴的な偏光依存性がある場合でも、検出素子群を単一の検出素子として機能させることにより偏光依存することなく良好に検出することができる。この結果、テラヘルツ波に偏光依存性がある場合や測定対象に偏光依存性がある場合でもより適正にテラヘルツイメージを検出することができる。ここで、検出素子群における４つの素子の並び順は、２行２列においていかなる並びの順としてもよい。
次に、本発明を実施するための形態を実施例を用いて説明する。
図１は、本発明の一実施例としてのボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイ１０を模式的に示す平面図である。図２は、ボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイ１０を構成するボロメータ型テラヘルツ波検出素子２０の素子構造を模式的に示す断面図である。
実施例のボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイ１０は、図１に示すように、アレイに垂直な軸（図１の紙面に垂直な軸）を回転軸として９０度ずつ回転した４つの異なる方向を向いた４つのボロメータ型テラヘルツ波検出素子２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄを２行２列に配置してなる検出素子群を単一の検出素子１２として縦横に整列配置して構成されている。実施例のボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイ１０は、各ボロメータ型テラヘルツ波検出素子２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄを画素としたときに、画素ピッチが２３．５μｍで画素数３２０×２４０として構成されている。なお、図１中、検出素子１２を構成するボロメータ型テラヘルツ波検出素子２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄの白抜き矢印は、素子の方向を示す。以下の説明では、単にボロメータ型テラヘルツ波検出素子２０と記載する場合は、ボロメータ型テラヘルツ波検出素子２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄの方向を問わない場合を意味する。
ボロメータ型テラヘルツ波検出素子２０は、図２に示すように、ＣＭＯＳ回路等の読出回路２４が形成された回路基板２２と、６００ｎｍの酸化バナジウム薄膜として形成されたボロメータ薄膜３６を含む温度検出部４２と、温度検出部４２を回路基板２２からエアギャップ４６を有するように支持する支持部４４と、シリコン窒化膜により厚みが２００ｎｍ～６００ｎｍとして形成され温度検出部４２の周縁部から内側および外側に延びる庇５０と、エアギャップ４６と回路基板２２との間に窒化ケイ素により形成された誘電体層４８と、により構成された周知のボロメータ型テラヘルツ波検出素子（例えば、上記非特許文献１に記載された素子）として構成されている。
簡単に説明すると、以下の通りである。回路基板２２の上面にはテラヘルツ波を反射するためにチタンにより形成された厚みが５００ｎｍの反射膜２６が形成されており、反射膜２６の上面はシリコン酸化膜やシリコン窒化膜，シリコン酸窒化膜などにより形成された厚みが１００ｎｍ～５００ｎｍの第１保護膜２８により被覆されている。温度検出部４２は、図中下側から（エアギャップ４６側から）、窒化ケイ素により形成された厚みが３５０ｎｍの第２保護膜３４，ボロメータ薄膜３６，窒化ケイ素により形成された厚みが３５０ｎｍの第３保護膜３８，窒化ケイ素により形成された厚みが３５０ｎｍの第４保護膜４０により層状に形成されている。支持部４４は、エアギャップ４６側から、温度検出部４２から延出した第２保護膜３４および第３保護膜，ボロメータ薄膜３６に接続した電極配線３２，温度検出部４２から延出した第４保護膜４０により構成されている。金属配線３２は、チタンにより厚みが７０ｎｍとして形成されている。なお、電極配線３２は、チタンにより形成された金属配線接続部３０を介して読出回路２４に接続されている。庇５０は、上面はチタン合金（ＴｉＡｌＶ）により形成された厚みが１０ｎｍの吸収膜５２で覆われており、中央に穴５４が形成されている。
実施例のボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイ１０を構成するボロメータ型テラヘルツ波検出素子２０は、上下左右が対称に構成されていない。例えば、庇５０と反射膜２６との間の光学的共振構造の間隔を増すために設けられた誘電体層４８では、図２において対称ではない。このため、テラヘルツ波に対して偏光依存性を示す。
実施例のボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイ１０の偏光依存性と周波数との関係を考察するために、ボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイ１０をモデル化してシミュレーションを行なった。図３は、モデル化したボロメータ型テラヘルツ波検出素子１２０の断面構造を模式的に示す構成図であり、図４は、モデル化したボロメータ型テラヘルツ波検出素子１２０の金属配線１５０と反射層１７０とを模式的に立体的に示す斜視図である。モデル化したボロメータ型テラヘルツ波検出素子１２０は、実施例のボロメータ型テラヘルツ波検出素子２０と同様に、画素ピッチが２３．５μｍで、最表層の厚さ１０ｎｍの吸収層１３０と、次層の厚さ２μｍのエアーギャップ１４０と、内部に金属配線１５０が形成され厚さ６μｍで屈折率が２．１の誘電体層１６０と、最下層の反射層１７０と、により構成されている。ここで、図３のモデル化したボロメータ型テラヘルツ波検出素子１２０における吸収層１３０、エアギャップ１４０、金属配線１５０、誘電体層１６０、反射層１７０は、図２のボロメータ型テラヘルツ波検出素子２０における吸収膜５２、エアギャップ４６、金属配線接続部３０、誘電体層４８、反射膜２６に相当する。なお、吸収層１３０の誘電率についてはチタン合金（ＴｉＡｌＶ）のデルーデモデル（Dreude Model）で計算し、金属配線１５０および反射層１７０についてはチタン（Ｔｉ）のデルーデモデル（Dreude Model）で計算した。
モデル化したボロメータ型テラヘルツ波検出素子１２０の偏光依存性と周波数との関係をシミュレーションした結果を図５に示す。モデル化したボロメータ型テラヘルツ波検出素子１２０は、図示するように、２．５ＴＨｚ以下の周波数領域では、ｘ偏光とｙ偏光の吸収スペクトルは一致しているが、２．５ＴＨｚより大きい周波数領域では、テラヘルツ波が素子サイズに近くなってくる影響で、ｘ偏光とｙ偏光の吸収スペクトルが乖離する。
モデル化したボロメータ型テラヘルツ波検出素子１２０を同一方向に配置した２行２列の検出素子群を単一の検出素子として縦横に整列配置した比較例のボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイ（以下、比較例のアレイと称する。）の偏光依存性と周波数との関係をシミュレーションした結果を図６に示す。また、モデル化したボロメータ型テラヘルツ波検出素子１２０を実施例のボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイ１０と同様に９０度ずつ回転した２行２列の検出素子群を単一の検出素子として縦横に整列配置したボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイ（以下、実施例のアレイと称する。）の偏光依存性と周波数との関係をシミュレーションした結果を図７に示す。なお、吸収スペクトルは、検出素子群の総和を示している。比較例のアレイでは、１ＴＨｚより小さい周波数領域でｘ偏光とｙ偏光の吸収スペクトルが一致しているだけで広範囲の周波数領域でｘ偏光とｙ偏光の吸収スペクトルが乖離しており、偏光依存性が大きい。一方、実施例のアレイでは、４つの素子の吸収層の総和（または平均）とすることから、全周波数領域でｘ偏光とｙ偏光の吸収スペクトルが一致しており、偏光依存性は全周波数領域で解消されている。
実施例のアレイでは、ボロメータ型テラヘルツ波検出素子１２０は一辺が２３．５μｍであるから、単一の検出素子とした検出素子群（２行２列の素子群）は一辺が４７μｍとなる。回折によって定める分解能を波長程度とすると、実施例のアレイでは、波長４７μｍのテラヘルツ波、周波数に直すと６．４ＴＨｚまでのテラヘルツ波については分解能の制限は生じないことになる。したがって、一辺が２３．５μｍ程度のボロメータ型テラヘルツ波検出素子とすれば、２行２列の検出素子群を単一の検出素子としても分解能を制限する要因とはならない。
以上説明した実施例のボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイ１０によれば、アレイに垂直な軸を回転軸として９０度ずつ回転した４つの異なる方向を向いた４つのボロメータ型テラヘルツ波検出素子２０ａ～２０ｄを２行２列に配置してなる検出素子群を単一の検出素子１２として縦横に整列配置することにより、テラヘルツ波に偏光依存性がある場合や測定対象に偏光依存性がある場合でもより適正にテラヘルツイメージを検出することができる。しかも、一辺が２３．５μｍ程度のボロメータ型テラヘルツ波検出素子２０とすれば、２行２列の検出素子群を単一の検出素子１２としても分解能の制限を受けることがない。
実施例のボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイ１０では、図１および図８（ａ）に示すように、検出素子群としての検出素子１２は９０度ずつ時計回りに回転させた４つのボロメータ型テラヘルツ波検出素子２０ａ～２０ｄを時計回りにこの順に２行２列となるように配置した。しかし、検出素子群としての検出素子は、９０度ずつ異なる４つの方向の４つのボロメータ型テラヘルツ波検出素子２０ａ～２０ｄが配置されていればよいから、図８（ｂ）～（ｄ）に示すように、時計回りに２０ａ，２０ｄ，２０ｃ，２０ｂと配置したり、２０ａ，２０ｃ，２０ｂ，２０ｄと配置したり、２０ａ，２０ｃ，２０ｄ，２０ｂと配置したりしてもよい。
以上、本発明を実施するための形態について実施例を用いて説明したが、本発明はこうした実施例に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において、種々なる形態で実施し得ることは勿論である。
本発明は、ボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイの製造産業などに利用可能である。
Claims (2)
- ボロメータ薄膜を含む温度検出部を有するボロメータ型テラヘルツ波検出素子を縦横に整列配置したボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイであって、
前記アレイに対して垂直な軸を回転軸として９０度ずつ回転した方向を向いた４つの前記ボロメータ型テラヘルツ波検出素子を２行２列に配置してなる検出素子群を縦横に整列配置した、
ことを特徴とするボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイ。 - 請求項１記載のボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイであって、
前記検出素子群が単一の検出素子として機能させる、
ことを特徴とするボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイ。
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| JP2017101956A (ja) | 2017-06-08 |
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