WO2017094280A1 - ボロメータ型テラヘルツ波検出素子およびボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイ - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 22
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 abstract description 10
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 abstract description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
Definitions
- the present invention relates to a bolometer-type terahertz wave detection element and a bolometer-type terahertz wave detection element array. More specifically, the present invention relates to a bolometer-type terahertz wave detection element having a temperature detection unit including a bolometer thin film and such bolometer-type terahertz wave detection elements arranged vertically and horizontally. The present invention relates to a bolometer-type terahertz wave detecting element array.
- a bolometer-type terahertz wave detecting element having a temperature detecting unit including a bolometer thin film
- the elements of this bolometer-type terahertz wave detecting element array are connected to a circuit board having a reflective film reflecting the terahertz wave formed on the upper surface and a readout circuit formed therein, a temperature detecting unit including the bolometer thin film, and the bolometer thin film.
- a support part for supporting the temperature detection part from the circuit board through an air gap and an absorption film for absorbing the terahertz wave formed on the upper surface and extending from the peripheral part of the temperature detection part to the inside and the outside. And comprising.
- the array is configured by arranging such elements in vertical and horizontal directions.
- the detection sensitivity of the bolometer-type terahertz wave detecting element varies depending on the polarization direction of the terahertz wave.
- the polarization dependence of the detection sensitivity is considered to depend on the frequency of the incident terahertz wave, and causes a large difference in detection sensitivity.
- the bolometer-type terahertz wave detection element and the bolometer-type terahertz wave detection element array of the present invention mainly detect a terahertz image more appropriately even when the terahertz wave has polarization dependency or the measurement target has polarization dependency. Objective.
- the bolometer-type terahertz wave detection element array and the bolometer-type terahertz wave detection element array of the present invention employ the following means in order to achieve the main object described above.
- the bolometer type terahertz wave detecting element of the present invention is A temperature detection unit including a bolometer thin film, a circuit board having a reflection film formed on the surface of the bolometer thin film side and having a readout circuit formed therein, and electrode wiring for connecting the bolometer thin film and the readout circuit;
- a bolometer-type terahertz wave detecting element comprising: A dummy member is configured at the intermediate portion between the bolometer thin film and the reflective film so that the symmetry of the planar structure seen from the vertical direction is increased. It is characterized by that.
- a dummy member is formed at the intermediate portion between the bolometer thin film and the reflective film so that the symmetry of the planar structure viewed from the vertical direction is increased.
- optical resonance occurs between the ridge and the reflection film, and therefore, it is considered that the polarization dependence in the detection of the terahertz wave is caused by the structure from the ridge to the reflection film.
- the symmetry from the vertical direction is secured for the superstructure from the bolometer thin film, it depends on the polarization by improving the symmetry seen from the vertical direction of the intermediate part between the bolometer thin film and the reflective film.
- a dummy member is configured in the intermediate portion between the bolometer thin film and the circuit board so that the symmetry of the planar structure viewed from the vertical direction is high, thereby detecting terahertz waves.
- the polarization dependence is suppressed.
- a terahertz image can be detected more appropriately even when the terahertz wave has polarization dependency or the measurement target has polarization dependency.
- the dummy member may be made of the same material as the electrode wiring.
- a dummy member can be formed when the electrode wiring is formed, and an increase in the number of element formation steps for forming the dummy member can be suppressed.
- the dummy member is formed of the same material as the electrode wiring, an air gap and a dielectric layer are formed in the intermediate portion from the temperature detecting portion side,
- the dummy member may be formed on the dielectric layer.
- the electrode wiring is formed so as to connect a plurality of flat plates having different heights in the dielectric layer, and the dummy member includes at least one flat plate of the plurality of flat plates in the electrode wiring. It can also be formed on the same plane. If it carries out like this, when forming a some flat plate, a dummy member can be formed simultaneously.
- the bolometer-type terahertz wave detection element array of the present invention includes the bolometer-type terahertz wave detection element of the present invention according to any one of the above-described aspects, that is, basically a temperature detection unit including a bolometer thin film, and the bolometer thin film side.
- a bolometer-type terahertz wave detection element comprising: a circuit board having a reflection film formed on a surface thereof and a readout circuit formed therein; and an electrode wiring connecting the bolometer thin film and the readout circuit,
- a bolometer type terahertz wave detecting element in which a dummy member is configured to be arranged vertically and horizontally so that the symmetry of the planar structure as viewed from the vertical direction is increased at an intermediate portion between the bolometer thin film and the reflective film.
- This bolometer type terahertz wave detecting element array of the present invention has the same effect as the bolometer type terahertz wave detecting element of the present invention, because the bolometer type terahertz wave detecting elements of the present invention of any aspect are aligned vertically and horizontally. That is, the effect of suppressing the polarization dependence in the detection of the terahertz wave, and as a result, the terahertz image is detected more appropriately even when the terahertz wave has the polarization dependence or the measurement object has the polarization dependence. An effect that can be achieved.
- FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing an element structure of a bolometer-type terahertz wave detecting element 20.
- FIG. 3 is a plan view of a metal wiring connection portion 60 and a dummy member 70 in a dielectric layer 48 as viewed from the vertical direction.
- FIG. 4 is a perspective view showing the structure of a metal wiring connection portion 60 and a dummy member 70 in a dielectric layer 48.
- FIG. It is a top view which shows an example of the top view which looked at the metal wiring connection part 60 in the dielectric material layer 48 of the bolometer type
- FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an element structure of a bolometer type terahertz wave detecting element 20 as one embodiment of the present invention.
- the bolometer type terahertz wave detecting element 20 of the embodiment is configured to have a pixel number of 320 ⁇ 240 when the pixel pitch is 23.5 ⁇ m and an array.
- the bolometer type terahertz wave detecting element 20 of the embodiment includes a circuit substrate 22 on which a readout circuit 24 such as a CMOS circuit is formed, and a bolometer thin film 36 formed as a 600 nm vanadium oxide thin film.
- a detection unit 42 ; a support unit 44 that supports the temperature detection unit 42 from the circuit board 22 so as to have an air gap 46; and a silicon nitride film having a thickness of 200 nm to 600 nm.
- the flange 50 extends outward, the dielectric layer 48 is formed of silicon nitride between the air gap 46 and the circuit board 22, and the dummy member 70 is formed in the dielectric layer 48.
- a reflective film 26 having a thickness of 500 nm made of titanium is formed on the upper surface of the circuit board 22 to reflect terahertz waves.
- the upper surface of the reflective film 26 is formed of a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or the like.
- the first protective film 28 having a thickness of 100 nm to 500 nm is covered.
- the temperature detector 42 is a second protective film 34 formed of silicon nitride having a thickness of 350 nm, a bolometer thin film 36, and a first layer formed of silicon nitride having a thickness of 350 nm.
- the protective film 38 and the fourth protective film 40 having a thickness of 350 nm formed of silicon nitride are formed in layers.
- the support portion 44 extends from the air gap 46 side, the second protective film 34 and the third protective film 38 extending from the temperature detecting portion 42, the electrode wiring 32 connected to the bolometer thin film 36, and the first extending from the temperature detecting portion 42.
- 4 is formed of a protective film 40.
- the metal wiring 32 is formed of titanium with a thickness of 70 nm.
- the upper surface of the flange 50 is covered with an absorption film 52 made of titanium alloy (TiAlV) and having a thickness of 10 nm, and a hole 54 is formed at the center.
- the electrode wiring 32 is connected to the readout circuit 24 via a metal wiring connection portion 60 formed using titanium in the dielectric layer 48.
- the dummy member 70 is also made of titanium, like the metal wiring connection portion 60.
- 2 is a plan view of the metal wiring connection portion 60 and the dummy member 70 in the dielectric layer 48 as viewed from the vertical direction
- FIG. 3 is a plan view of the metal wiring connection portion 60 and the dummy member 70 in the dielectric layer 48. It is a perspective view which shows the structure.
- the metal wiring connecting portion 60 is formed from one side of the pixel (upper left corner in FIG. 2 and upper right corner in FIG. 3) to one side of the pixel (upper left corner in FIG. 2 and upper right corner in FIG. 3).
- the dummy member 70 is flat in the same plane as the flat member 61 on the side where the metal wiring connection portion 60 in the pixel is not formed (the left side and the right side in FIG. 2, the left side and the right side in FIG. 3). It is formed to have the same thickness as the member 61. The reason why the dummy member 70 is formed with the same material and the same thickness as the flat member 61 is to form the dummy member 70 simultaneously with the formation of the flat member 61. By doing so, the process for forming the dummy member 70 can be omitted.
- the bolometer type terahertz wave detecting element 20 of the embodiment has the symmetry of the constituent members in the plane viewed from the vertical direction (including the symmetry viewed from the center in each side direction). It can be seen that the height is higher than that in which the dummy member 70 is not formed (a comparative example of FIG. 4 described later).
- FIG. 4 shows a plan view of the metal wiring connection portion 60 in the dielectric layer 48 of the bolometer type terahertz wave detection element of the comparative example as seen from the vertical direction.
- FIG. 4 corresponds to FIG. 2 of the embodiment.
- the modeled bolometer-type terahertz wave detecting element is similar to the bolometer-type terahertz wave detecting element 20 of the embodiment in that the pixel pitch is 23.5 ⁇ m, the outermost layer is 10 nm thick, and the next layer is 2 ⁇ m thick.
- the dielectric constant of the absorption layer was calculated using a titanium alloy (TiAlV) Derude model, and the metal wiring connection portion, dummy member, and reflective layer were calculated using a titanium (Ti) Derude model.
- FIG. 5 shows the result of simulating the relationship between the polarization dependence of the modeled bolometer-type terahertz wave detecting element and the frequency, and the polarization of the modeled bolometer-type terahertz wave detecting element in the embodiment of FIG.
- the result of simulating the relationship between dependency and frequency is shown in FIG.
- the absorption spectra of X-polarized light and Y-polarized light are greatly different from each other.
- the bolometer-type terahertz wave detecting element of the embodiment having the structure shown in FIG. Although there is a discrepancy in the spectrum, the extent is small compared to the comparative example.
- FIG. 7 is a perspective view showing the structure of the metal wiring connection portion 60 and the dummy member 70B in the dielectric layer 48.
- FIG. FIG. 8 is an explanatory diagram showing the result of simulating the relationship between the polarization dependence and the frequency of the bolometer type terahertz wave detecting element of the modeled embodiment of the structure of FIG.
- the dummy member 70 ⁇ / b> B has a plate-like shape in which the same titanium as the metal wiring connection portion 60 has the same structure as that of the metal wiring connection portion 60 and is arranged in steps different in height direction. It is composed of four flat members 71 to 74 and three column members 76 to 78 provided between the flat members 71 to 74.
- the absorption spectra of the X-polarized light and the Y-polarized light are slightly in the vicinity of 6.5 THz as shown in FIG. Yes.
- the symmetry of the constituent members in the plane seen from the vertical direction between the bolometer thin film 36 and the reflective film 26 (the symmetry seen from the center to each side direction). It is understood that the difference between the absorption spectra of the X-polarized light and the Y-polarized light with respect to the terahertz wave can be reduced by increasing (including).
- the metal in the same plane as the flat member 61 constituting the metal wiring connecting portion 60 in the dielectric layer 48 between the bolometer thin film 36 and the reflective film 26.
- the divergence between the absorption spectra of the X-polarized light and the Y-polarized light with respect to the terahertz wave can be reduced.
- polarization dependence in the detection of terahertz waves can be suppressed.
- the bolometer-type terahertz wave detection elements 20 of the embodiment are arranged in an array, the terahertz image is more appropriately obtained even when the terahertz wave has polarization dependency or the measurement target has polarization dependency. Can be detected.
- the dummy member is formed so that the symmetry of the constituent member in the plane viewed from the vertical direction between the bolometer thin film 36 and the reflective film 26 is higher, the difference between the absorption spectra of the X-polarized light and the Y-polarized light with respect to the terahertz wave is increased. Can be reduced.
- the dummy member 70 is formed on the same plane as the flat member 61 in the structure of FIG. 3, and the dummy member 70B is the same structure as the metal wiring connection portion 60 in the structure of FIG.
- an intermediate structure between the structure of FIG. 3 and the structure of FIG. 7 may be used.
- the dummy member is formed on the same plane as the flat member 63, the dummy member is formed on the same plane as the flat member 64, or the dummy member is any one of the three planes on which the flat members 62 to 64 are formed. Two or three members may be formed on two or three planes.
- the present invention can be used in the manufacturing industry of bolometer-type terahertz wave detection element arrays.
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Abstract
ボロメータ薄膜３６と反射膜２６との間の誘電体層４８内の金属配線接続部６０を構成する平部材６１と同一平面の金属配線接続部６０が形成されていない辺にダミー部材７０を設けることにより、ダミー部材７０を設けない比較例に比して、ボロメータ薄膜３６と反射膜２６との間における垂直方向から見た平面における構成部材の中心からの対称性を高くして、テラヘルツ波に対するＸ偏光とＹ偏光の吸収スペクトルの乖離を小さくすることができる。この結果、テラヘルツ波の検出における偏光依存を抑制することができる。
Description
本発明は、ボロメータ型テラヘルツ波検出素子およびボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイに関し、詳しくは、ボロメータ薄膜を含む温度検出部を備えるボロメータ型テラヘルツ波検出素子およびこうしたボロメータ型テラヘルツ波検出素子を縦横に整列配置してなるボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイに関する。
従来、この種のボロメータ型テラヘルツ波検出素子としては、ボロメータ薄膜を含む温度検出部を有するボロメータ型テラヘルツ波検出素子が提案されている（例えば、特許文献１参照）。このボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイの素子は、上面にテラヘルツ波を反射する反射膜が形成され内部に読出回路が形成された回路基板と、ボロメータ薄膜を含む温度検出部と、ボロメータ薄膜に接続された電極配線を含むと共に温度検出部を回路基板からエアギャップを介して支持する支持部と、上面にテラヘルツ波を吸収する吸収膜が形成され温度検出部の周縁部から内側と外側に延びた庇と、を備える。そして、アレイは、こうした素子を縦横に整列配置して構成されている。
また、ボロメータ型テラヘルツ波検出素子としては、庇と反射膜との間の光学的共振構造の間隔を増すためにエアギャップと回路基板との間に誘電体層を備えるものも提案されている（例えば、非特許文献１参照）。
「世界最高感度かつ最大画素数の室温動作テラヘルツカメラの開発に成功 ～非破壊検査や異物検知センサの実用化に向けて大きく前進～ 」，日本電気株式会社，http://jpn.nec.com/press/201411/20141111#01.html，「感度向上と高画素化の概要」，http://jpn.nec.com/press/201411/images/1101-01-01.pdf，２０１５年１１月１９日検索
しかしながら、ボロメータ型テラヘルツ波検出素子は、テラヘルツ波の偏光の方向によって検出感度が異なる。検出感度の偏光依存性は、入射するテラヘルツ波の周波数にも依存すると考えられ、大きな検出感度の差を生じさせる。こうした素子を縦横に整列配置したボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイをカメラとして用いてテラヘルツイメージングを検出すると、テラヘルツ波や測定対象に特徴的な偏光依存性がある場合には、適正なテラヘルツイメージングが取得できない。
本発明のボロメータ型テラヘルツ波検出素子およびボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイは、テラヘルツ波に偏光依存性がある場合や測定対象に偏光依存性がある場合でもより適正にテラヘルツイメージを検出することを主目的とする。
本発明のボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイおよびボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイは、上述の主目的を達成するために以下の手段を採った。
本発明のボロメータ型テラヘルツ波検出素子は、
ボロメータ薄膜を含む温度検出部と、前記ボロメータ薄膜側の表面に反射膜が形成されていると共に内部に読出回路が形成された回路基板と、前記ボロメータ薄膜と前記読出回路とを接続する電極配線と、を備えるボロメータ型テラヘルツ波検出素子であって、
前記ボロメータ薄膜と前記反射膜との間の中間部に、垂直方向から見た平面構造の対称性が高くなるようにダミー部材を構成した、
ことを特徴とする。
ボロメータ薄膜を含む温度検出部と、前記ボロメータ薄膜側の表面に反射膜が形成されていると共に内部に読出回路が形成された回路基板と、前記ボロメータ薄膜と前記読出回路とを接続する電極配線と、を備えるボロメータ型テラヘルツ波検出素子であって、
前記ボロメータ薄膜と前記反射膜との間の中間部に、垂直方向から見た平面構造の対称性が高くなるようにダミー部材を構成した、
ことを特徴とする。
本発明のボロメータ型テラヘルツ波検出素子では、ボロメータ薄膜と反射膜との間の中間部に、垂直方向から見た平面構造の対称性が高くなるようにダミー部材を構成する。ボロメータ型テラヘルツ波検出素子では、庇と反射膜との間で光学的共振が生じるため、庇から反射膜までの構造によりテラヘルツ波の検出における偏光依存が生じると考えられる。また、ボロメータ薄膜から上部構造については垂直方向から見た対称性が確保されているから、ボロメータ薄膜と反射膜との間の中間部の垂直方向から見た対称性を良好にすることにより偏光依存を抑制することができると考えられる。本発明では、こうした考察に基づき、ボロメータ薄膜と回路基板との間の中間部に、垂直方向から見た平面構造の対称性が高くなるようにダミー部材を構成することにより、テラヘルツ波の検出における偏光依存を抑制している。この結果、テラヘルツ波に偏光依存性がある場合や測定対象に偏光依存性がある場合でもより適正にテラヘルツイメージを検出することができる。
本発明のボロメータテラヘルツ波検出素子において、前記ダミー部材は、前記電極配線と同一の材料により形成されているものとすることもできる。こうすれば、電極配線の形成時にダミー部材を形成することができ、ダミー部材を形成するために素子の形成工程が増加するのを抑制することができる。
ダミー部材を電極配線と同一の材料により形成する態様の本発明のボロメータ型テラヘルツ波検出素子において、前記中間部には、前記温度検出部側からエアギャップと誘電体層とが形成されており、前記ダミー部材は、前記誘電体層に形成されているものとすることもできる。こうすれば、光学的共振構造の間隔を増加することができると共にダミー部材を容易に形成することができる。この場合、前記電極配線は、前記誘電体層内では高さの異なる複数の平板を連結するように形成されており、前記ダミー部材は、前記電極配線における前記複数の平板の少なくとも１つの平板と同一平面に形成されているものとすることもできる。こうすれば、複数の平板を形成する際に同時にダミー部材を形成することができる。
本発明のボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイは、上述のいずれかの態様の本発明のボロメータ型テラヘルツ波検出素子、即ち、基本的には、ボロメータ薄膜を含む温度検出部と、前記ボロメータ薄膜側の表面に反射膜が形成されていると共に内部に読出回路が形成された回路基板と、前記ボロメータ薄膜と前記読出回路とを接続する電極配線と、を備えるボロメータ型テラヘルツ波検出素子であって、前記ボロメータ薄膜と前記反射膜との間の中間部に、垂直方向から見た平面構造の対称性が高くなるようにダミー部材を構成したボロメータ型テラヘルツ波検出素子を縦横に整列配置してなることを要旨とする。
この本発明のボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイは、いずれかの態様の本発明のボロメータ型テラヘルツ波検出素子を縦横に整列配置しているから、本発明のボロメータ型テラヘルツ波検出素子と同一の効果、即ち、テラヘルツ波の検出における偏光依存を抑制することができる効果や、その結果としてテラヘルツ波に偏光依存性がある場合や測定対象に偏光依存性がある場合でもより適正にテラヘルツイメージを検出することができる効果を奏することができる。
次に、本発明を実施するための形態を実施例を用いて説明する。
図１は、本発明の一実施例としてのボロメータ型テラヘルツ波検出素子２０の素子構造を模式的に示す断面図である。実施例のボロメータ型テラヘルツ波検出素子２０は、画素ピッチが２３．５μｍでアレイとしたときには画素数３２０×２４０となるように構成されている。実施例のボロメータ型テラヘルツ波検出素子２０は、図１に示すように、ＣＭＯＳ回路等の読出回路２４が形成された回路基板２２と、６００ｎｍの酸化バナジウム薄膜として形成されたボロメータ薄膜３６を含む温度検出部４２と、温度検出部４２を回路基板２２からエアギャップ４６を有するように支持する支持部４４と、シリコン窒化膜により厚みが２００ｎｍ～６００ｎｍとして形成され温度検出部４２の周縁部から内側および外側に延びる庇５０と、エアギャップ４６と回路基板２２との間に窒化ケイ素により形成された誘電体層４８と、誘電体層４８内に形成されたダミー部材７０と、により構成されている。
回路基板２２の上面にはテラヘルツ波を反射するためにチタンによる厚みが５００ｎｍの反射膜２６が形成されており、反射膜２６の上面はシリコン酸化膜やシリコン窒化膜，シリコン酸窒化膜などにより形成された厚みが１００ｎｍ～５００ｎｍの第１保護膜２８により被覆されている。温度検出部４２は、図中下側から（エアギャップ４６側から）、窒化ケイ素により形成された厚みが３５０ｎｍの第２保護膜３４，ボロメータ薄膜３６，窒化ケイ素により形成された厚みが３５０ｎｍの第３保護膜３８，窒化ケイ素により形成された厚みが３５０ｎｍの第４保護膜４０により層状に形成されている。支持部４４は、エアギャップ４６側から、温度検出部４２から延出した第２保護膜３４および第３保護膜３８，ボロメータ薄膜３６に接続した電極配線３２，温度検出部４２から延出した第４保護膜４０により構成されている。金属配線３２は、チタンにより厚みが７０ｎｍとして形成されている。庇５０は、上面はチタン合金（ＴｉＡｌＶ）により形成された厚みが１０ｎｍの吸収膜５２で覆われており、中央に穴５４が形成されている。
電極配線３２は、誘電体層４８内にチタンを用いて形成された金属配線接続部６０を介して読出回路２４に接続されている。なお、ダミー部材７０も、金属配線接続部６０と同様にチタンにより形成されている。図２は、誘電体層４８内の金属配線接続部６０とダミー部材７０とを垂直方向から見た平面図であり、図３は、誘電体層４８内の金属配線接続部６０とダミー部材７０の構造を示す斜視図である。金属配線接続部６０は、画素の対角の両角（図２中左上角と右下角、図３中左上奥の角と右上前の角）から画素の一辺（図２中上辺と下辺、図３中前の辺と後ろの辺）に沿って互いに平行となるように形成されており、階段状に高さ方向が異なるよう配置された平板状の４つの平部材６１～６４と、各平部材６１～６４の間に設けられた３つの柱部材６６～６８とにより構成されている。ダミー部材７０は、画素における金属配線接続部６０が形成されていない辺（図２中左の辺と右の辺、図３中左の辺と右の辺）に平部材６１と同一平面に平部材６１と同一の厚さとなるように形成されている。ダミー部材７０を平部材６１と同一材料により同一平面に同一厚さとなるように形成するのは、平部材６１の形成と同時にダミー部材７０を形成するためである。こうすることにより、ダミー部材７０を形成するための工程を省くことができる。
実施例のボロメータ型テラヘルツ波検出素子２０は、図２に示すように、垂直方向から見た平面における構成部材の対称性（中心から各辺方向に見た対称性を含む）は、ダミー部材７０を形成することにより、このダミー部材７０が形成されていないもの（後述する図４の比較例）に比して高くなっているのが解る。
実施例のボロメータ型テラヘルツ波検出素子２０の偏光依存性と周波数との関係を考察するために、実施例のボロメータ型テラヘルツ波検出素子２０と比較例とをモデル化してシミュレーションを行なった。比較例のボロメータ型テラヘルツ波検出素子は、ダミー部材７０が形成されていない点を除いて実施例のボロメータ型テラヘルツ波検出素子２０と同一の構成である。比較例のボロメータ型テラヘルツ波検出素子の誘電体層４８内の金属配線接続部６０を垂直方向から見た平面図を図４に示す。この図４は、実施例の図２に相当する。モデル化したボロメータ型テラヘルツ波検出素子は、実施例のボロメータ型テラヘルツ波検出素子２０と同様に、画素ピッチが２３．５μｍで、最表層の厚さ１０ｎｍの吸収層と、次層の厚さ２μｍのエアーギャップと、内部に金属配線接続部とダミー部材とが形成され厚さ７．３μｍで屈折率が２．１の誘電体層と、最下層の反射層と、により構成されている。なお、吸収層の誘電率についてはチタン合金（ＴｉＡｌＶ）のデルーデモデル（Dreude Model）で計算し、金属配線接続部やダミー部材，反射層についてはチタン（Ｔｉ）のデルーデモデル（Dreude Model）で計算した。
モデル化した比較例のボロメータ型テラヘルツ波検出素子の偏光依存性と周波数との関係をシミュレーションした結果を図５に示し、モデル化した図３の構造の実施例のボロメータ型テラヘルツ波検出素子の偏光依存性と周波数との関係をシミュレーションした結果を図６に示す。比較例のボロメータ型テラヘルツ波検出素子では、Ｘ偏光とＹ偏光の吸収スペクトルは大きく乖離しているが、図３の構造の実施例のボロメータ型テラヘルツ波検出素子では、Ｘ偏光とＹ偏光の吸収スペクトルは、乖離は生じているものの、その程度は比較例に比して小さい。
図７は、誘電体層４８内の金属配線接続部６０とダミー部材７０Ｂの構造を示す斜視図である。図８は、モデル化した図７の構造の実施例のボロメータ型テラヘルツ波検出素子の偏光依存性と周波数との関係をシミュレーションした結果を示す説明図である。図７の構造の実施例では、ダミー部材７０Ｂは、金属配線接続部６０と同一のチタンにより金属配線接続部６０と同一の構造として、階段状に高さ方向が異なるよう配置された平板状の４つの平部材７１～７４と、各平部材７１～７４の間に設けられた３つの柱部材７６～７８とにより構成されている。図７の構造の実施例のボロメータ型テラヘルツ波検出素子では、Ｘ偏光とＹ偏光の吸収スペクトルは、図８に示すように、６．５ＴＨｚ近傍でわずかに乖離するものの、全体として極めて一致している。図３の構造および図７の構造とそのシミュレーション結果から、ボロメータ薄膜３６と反射膜２６との間における垂直方向から見た平面における構成部材の対称性（中心から各辺方向に見た対称性を含む）を高くすることにより、テラヘルツ波に対するＸ偏光とＹ偏光の吸収スペクトルの乖離を小さくすることができるのが解る。
以上説明した実施例のボロメータ型テラヘルツ波検出素子２０によれば、ボロメータ薄膜３６と反射膜２６との間の誘電体層４８内の金属配線接続部６０を構成する平部材６１と同一平面の金属配線接続部６０が形成されていない辺にダミー部材７０，７０Ｂを設けることにより、ダミー部材７０，７０Ｂを設けない比較例に比して、ボロメータ薄膜３６と反射膜２６との間における垂直方向から見た平面における構成部材の対称性（中心から各辺方向に見た対称性を含む）を高くして、テラヘルツ波に対するＸ偏光とＹ偏光の吸収スペクトルの乖離を小さくすることができる。この結果、テラヘルツ波の検出における偏光依存を抑制することができる。これらにより、実施例のボロメータ型テラヘルツ波検出素子２０を縦横に整列配置したアレイとすれば、テラヘルツ波に偏光依存性がある場合や測定対象に偏光依存性がある場合でもより適正にテラヘルツイメージを検出することができる。また、ボロメータ薄膜３６と反射膜２６との間における垂直方向から見た平面における構成部材の対称性が高くなるようにダミー部材を形成するほど、テラヘルツ波に対するＸ偏光とＹ偏光の吸収スペクトルの乖離を小さくすることができる。
実施例のボロメータ型テラヘルツ波検出素子２０では、図３の構造ではダミー部材７０を平部材６１と同一平面に形成するものとし、図７の構造ではダミー部材７０Ｂを金属配線接続部６０と同一構造としたが、図３の構造と図７の構造との中間の構造としてもよい。この場合、ダミー部材を平部材６３と同一平面に形成したり、ダミー部材を平部材６４と同一平面に形成したり、ダミー部材を平部材６２～６４が形成された３平面のうちのいずれか２平面や３平面に２部材や３部材として形成してもよい。
以上、本発明を実施するための形態について実施例を用いて説明したが、本発明はこうした実施例に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において、種々なる形態で実施し得ることは勿論である。
本発明は、ボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイの製造産業などに利用可能である。
Claims (5)
- ボロメータ薄膜を含む温度検出部と、前記ボロメータ薄膜側の表面に反射膜が形成されていると共に内部に読出回路が形成された回路基板と、前記ボロメータ薄膜と前記読出回路とを接続する電極配線と、を備えるボロメータ型テラヘルツ波検出素子であって、
前記ボロメータ薄膜と前記反射膜との間の中間部に、垂直方向から見た平面構造の対称性が高くなるようにダミー部材を構成した、
ことを特徴とするボロメータテラヘルツ波検出素子。 - 請求項１記載のボロメータ型テラヘルツ波検出素子であって、
前記ダミー部材は、前記電極配線と同一の材料により形成されている、
ボロメータ型テラヘルツ波検出素子。 - 請求項２記載のボロメータ型テラヘルツ波検出素子であって、
前記中間部には、前記温度検出部側からエアギャップと誘電体層とが形成されており、
前記ダミー部材は、前記誘電体層に形成されている、
ボロメータ型テラヘルツ波検出素子。 - 請求項３記載のボロメータ型テラヘルツ波検出素子であって、
前記電極配線は、前記誘電体層内では高さの異なる複数の平板を連結するように形成されており、
前記ダミー部材は、前記電極配線における前記複数の平板の少なくとも１つの平板と同一平面に形成されている、
ボロメータ型テラヘルツ波検出素子。 - 請求項１ないし４のうちのいずれか１つの請求項に記載のボロメータ型テラヘルツ波検出素子を縦横に整列配置してなるボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017553643A JP6814442B2 (ja) | 2015-11-30 | 2016-06-27 | ボロメータ型テラヘルツ波検出素子およびボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイ |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015-234061 | 2015-11-30 | ||
| JP2015234061 | 2015-11-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2017094280A1 true WO2017094280A1 (ja) | 2017-06-08 |
Family
ID=58796737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2016/069020 WO2017094280A1 (ja) | 2015-11-30 | 2016-06-27 | ボロメータ型テラヘルツ波検出素子およびボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6814442B2 (ja) |
| WO (1) | WO2017094280A1 (ja) |
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- 2016-06-27 WO PCT/JP2016/069020 patent/WO2017094280A1/ja active Application Filing
- 2016-06-27 JP JP2017553643A patent/JP6814442B2/ja active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2017094280A1 (ja) | 2018-09-13 |
| JP6814442B2 (ja) | 2021-01-20 |
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|
| NENP | Non-entry into the national phase |
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|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
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