JP2014149297A - 赤外線検出器 - Google Patents

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Abstract

【課題】赤外線検出器を提供する。
【解決手段】基板110と、基板110と離隔して配され、入射された赤外線のうち複数の波長で共鳴を起こして、熱を発生させる共振部120と、共振部120を支持しながら、共振部120で発生した熱によって抵抗値が変わるサーミスタ層130と、サーミスタ層130が、基板110から離隔されるように支持しながら、サーミスタ層130と基板110とを電気的に連結させる連結部150と、を備える赤外線検出器である。
【選択図】図1

Description

本発明は、赤外線検出器に係わり、さらに詳細には、広帯域の赤外線を吸収できる赤外線検出器に関する。
黒体放射の原理によれば、物体は、その温度によって、特定波長で最大値を表す広帯域の電磁波を放射する。例えば、常温の物体は、約10μmの波長帯域で最大値を表す赤外線を放射する。ボロメータ(bolometer)は、このように、黒体放射の原理によって、放射された赤外線(または、テラヘルツ)帯域の波長を有する電磁波を吸収して熱に変換し、熱による温度変化を感知して、周囲で放射される輻射エネルギーを測定する道具である。
最近、MEMS(Micro Electro Mechanical System)技術の発達によって、多数のマイクロボロメータを2次元アレイに配列した赤外線検出器120bが製作されている。このような赤外線検出器120bは、例えば、熱画像イメージ(Thermoimage)を獲得できる熱画像カメラに利用される。解像度の高い温度精度を有する熱画像カメラを実現するためには、画素サイズの小型化が要求される。しかし、グラウンド平板と熱吸収体がλ/4間隔(ここで、λは、検出しようとする赤外線波長帯域の中心波長)を有するソールズベリスクリーン(Salisbury Screen)方式のボロメータを使用する場合、画素内のスクリーンサイズを小さくすれば、各画素に入射するエネルギー量が減少して、温度変化量が減少し、信号対ノイズ比も、低下する。
ソールズベリスクリーン方式のボロメータの代わりに、局所表面プラズモン共鳴(Localized Surface Plasmon Resonance:LSPR)を利用するボロメータが最近提案されている。表面プルラズモンは、金属の表面で起きる電子の集団的な振動によって発生する一種の電磁波である。プラズモニック吸収体(Plasmonic Cabsorber)を利用するボロメータは、局所表面プラズモン共鳴によって、低い吸収率及び低い信号対ノイズ比の問題を改善させる。
ところで、プラズモニック吸収体は、帯域幅が相対的に狭く、熱画像イメージの獲得が困難であった。それにより、プラズモニック吸収体の共振帯域幅を増大させるための多様な方案が提案されている。
本発明が解決しようとする課題は、プラズモン共鳴を利用して、赤外線を吸収する赤外線検出器を提供することである。
また、本発明が解決しようとする課題は、広帯域の波長に対して吸収率の高い赤外線検出器を提供することである。
前記課題を達成するために、一類型による赤外線検出器は、基板と、前記基板と離隔して配され、入射された赤外線のうち、複数の波長で共鳴を起こして熱を発生させる共振部と、前記共振部を支持しながら、前記共振部で発生した熱によって抵抗値が変わるサーミスタ層と、前記サーミスタ層が前記基板から離隔するように支持すると共に、前記サーミスタ層と前記基板とを電気的に連結させる連結部と、を備える。
そして、前記共振部は、第1波長帯域の赤外線を吸収する第1共振器と、第2波長帯域の赤外線を吸収する第2共振器と、を備える。
また、前記第1及び第2共振器のうち少なくとも一つは、第1偏光を吸収する第1サブ共振器と、前記第1偏光と垂直な第2偏光を吸収する第2サブ共振器と、を備える。
そして、前記第1及び第2サブ共振器のうち少なくとも一つは、ロッド状である。
また、前記第1サブ共振器と前記第2サブ共振器は、互いに離隔して配されるか、または一部領域を共有する。
そして、前記第1共振器の第1サブ共振器と前記第2共振器の第2サブ共振器は、一部領域を共有する。
また、前記第1共振器と前記第2共振器は、互いに離隔して配されるか、または一部領域を共有する。
そして、前記第1波長帯域と前記第2波長帯域は、一部が重畳されるか、または完全に異なる。
また、前記連結部は、前記サーミスタ層が、前記基板から離隔して配されるように、前記基板から突出して形成された支持台と、前記サーミスタ層と前記支持台とを連結させる熱画像レッグと、を備える。
そして、前記熱画像レッグは、メアンダパターンを含む。
また、前記支持台と前記基板との間に配され、前記支持台と前記基板とを電気的に連結させる金属パッドをさらに備える。
そして、前記基板と前記サーミスタ層との間に配され、入射される赤外線を反射させる反射板をさらに備える。
また、前記反射板は、前記基板と接して配される。
そして、前記反射板は、金属物質で形成され、前記共振器より熱吸収の少ない物質で形成される。
また、前記基板とサーミスタ層との間に配され、前記サーミスタ層から基板への熱伝達を遮断する熱隔離層をさらに備える。
一方、他の類型による赤外線検出器は、基板と、前記基板と離隔して配され、複数の共振波長で共鳴を起こして、赤外線を吸収する複数の共振部と、前記複数の共振部のそれぞれを支持しながら、前記共振部の温度変化によって抵抗値が変わる複数のサーミスタ層と、前記複数のサーミスタ層が、前記基板から離隔するように支持すると共に、前記複数のサーミスタ層と前記基板とを電気的に連結させる連結部と、を備える。
そして、前記連結部は、前記複数のサーミスタ層が、前記基板から離隔して配されるように、前記基板から突出して形成された複数の支持台と、前記複数のサーミスタ層と前記複数の支持台とを連結させる複数の熱画像レッグと、を備える。
また、前記複数の熱画像レッグは、直列に連結される。
そして、前記複数の共振部のそれぞれは、第1波長帯域の赤外線を吸収する第1共振器と、前記第1波長帯域と異なる第2波長帯域の赤外線を吸収する第2共振器と、を備える。
そして、前記第1及び第2共振器のうち少なくとも一つは、第1偏光を吸収する第1サブ共振器と、前記第1偏光と垂直な第2偏光を吸収する第2サブ共振器と、を備える。
本発明によれば、赤外線検出器は、多重波長帯域で共振するので、広帯域の赤外線が吸収でき、熱隔離層によって、赤外線検出器の安定性を向上させる。
一実施形態による赤外線検出器の構造を示す斜視図である。 図1の赤外線検出器のA−A’による断面図である。 図1の赤外線検出器のB−B’による断面図である。 図1に示された共振部の平面図である。 図1に示された赤外線検出器内の共振器の吸収スペクトルをシミュレーションした結果を示す図面である。 共振部内の共振器の配列形態を例示的に示す図面である。 共振部内の共振器の配列形態を例示的に示す図面である。 共振部内の共振器の配列形態を例示的に示す図面である。 一実施形態による共振部の他の形態を示す図面である。 一実施形態による共振部の他の形態を示す図面である。 他の実施形態による広帯域の赤外線検出器に配される共振部を示す図面である。 図7Aに示された共振部の吸収スペクトルをシミュレーションした結果を示す図面である。 図8に示された共振部の吸収スペクトルをシミュレーションした結果を示す図面である。 他の実施形態による赤外線検出器を示す平面図である。
以下、添付した図面を参照して、赤外線検出器について詳細に説明する。以下の図面で、同じ参照符号は、同じ構成要素を表し、図面上で、各構成要素のサイズは、説明の明瞭性及び便宜上誇張されている。
図1は、一実施形態による赤外線検出器の構造を示す斜視図であり、図2は、図1の赤外線検出器のA−A’による断面図であり、図3は、図1の赤外線検出器のB−B’による断面図であり、図4は、図1に示された共振部の平面図である。図1ないし図3に示された赤外線検出器が単位ピクセルとなる。
図1ないし図3を参照すれば、赤外線検出器100は、基板110、基板110と離隔して配され、複数の波長でプラズモン共鳴して赤外線を吸収する共振部120と、共振部120を支持しながら、共振部120の温度変化によって抵抗値が変わるサーミスタ層130と、サーミスタ層130が基板110から離隔するように支持しながら、サーミスタ層130と基板110とを電気的に連結する連結部150と、を備える。
図示していないが、基板110には、赤外線検出器100の動作を制御し、検出された赤外線の強度を読み取るための駆動回路及び多様な導電性金属配線が配される。
共振部120は、共鳴現象によって赤外線を吸収して、熱を発生させる。特に、共振部120は、複数の波長で共鳴を起こす。共振部120は、それぞれ異なる波長帯域の赤外線を吸収できる少なくとも二つの共振器を含む。それぞれ異なる波長帯域は、一部重畳されるか、または完全に異なる。赤外線の共振波長は、共振部120及びサーミスタ層130を形成する物質の誘電率、共振部120の形状及びサイズ、サーミスタ層130の厚さによって決定される。
例えば、図4に示したように、共振部120は、第1波長帯域の赤外線を吸収する第1共振器122(122a,122b)、及び第2波長帯域の赤外線を吸収する第2共振器124(124a,124b)を備える。また、第1共振器122及び第2共振器124のそれぞれは、第1偏光を吸収するサブ共振器122a,124a、及び第1偏光と垂直な第2偏光を吸収するサブ共振器122b,124bを備える。具体的に、第1共振器122は、第1波長帯域の赤外線のうち垂直偏光を吸収する第1サブ共振器122aと、第1波長帯域の赤外線のうち水平偏光を吸収する第2サブ共振器122bと、を含み、第2共振器124は、第2波長帯域の赤外線のうち垂直偏光を吸収する第3サブ共振器124aと、第2波長帯域の赤外線のうち水平偏光を吸収する第4サブ共振器124bと、を含む。
第1サブ共振器122a、第2サブ共振器122b、第3サブ共振器124a、第4サブ共振器124bのそれぞれは、ロッド状である。第1サブ共振器122a及び第2サブ共振器122bは、同じサイズであり、相互垂直に離隔して配される。また、第3サブ共振器124a及び第4サブ共振器124bも、同じサイズであり、相互垂直に離隔して配される。また、第1サブ共振器122a及び第2サブ共振器122bのサイズは、第3サブ共振器124a及び第4サブ共振器124bのサイズとそれぞれ異なる。
第1サブ共振器122a、第2サブ共振器122b、第3サブ共振器124a、第4サブ共振器124bのそれぞれは、局部的な表面プラズモン共鳴を通じて、赤外線を吸収するプルラズモン吸収体であるか、またはメタ物質の共鳴現象を利用して、赤外線を吸収できるメタ物質吸収体である。このような第1サブ共振器122a,第2サブ共振器122b,第3サブ共振器124a,第4サブ共振器124bのそれぞれは、金属を含む物質で形成される。例えば、サブ共振器122a,122b,124a,124bは、金、チタン、アルミニウム、銅、白金、銀、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)を含むグループのうち選択された少なくとも一つの金属物質、または金属の合金を含む。局部的な表面プラズモン共振現象を通じて、赤外線とサブ共振器122a,122b,124a,124bとの相互作用が発生すれば、非常に狭い領域に光が集中する。
サーミスタ層130は、共振部120を機械的に支持するだけでなく、共振部120で発生した熱が伝達される。また、サーミスタ層130は、赤外線の一部を直接吸収することもできる。図面に示したように、サーミスタ層130は、その上部に共振部120が配され、平板構造である。サーミスタ層130の面積は、共振部120と同一か、または若干大きい。図1では、サーミスタ層130が共振部120より若干大きく、共振部120と平板型で形成されている。しかし、それに限定されない。
サーミスタ層130は、温度変化によって抵抗値が変わる熱可変抵抗物質を含む。サーミスタ層130は、非晶質(アモルファス)シリコン(a−Si)、酸化バナジウム(Vanadium Oxide:VOx)、酸化ニッケルのように高い抵抗温度係数(Temperature Coefficient of Resistance:TCR)値を有する熱可変抵抗材料、または熱可変抵抗材料と異なる誘電体、例えば、シリコン窒化膜(Silicon Nitride)、シリコン酸化膜(Silicon Oxide)などの複合物質で形成される。
連結部150は、サーミスタ層130が、基板110から離隔して配されるように支持する。それだけでなく、連結部150は、サーミスタ層130と基板110とを電気的に連結させる。連結部150は、サーミスタ層130と基板110とを電気的に連結させるために、導電性物質で形成される。そして、サーミスタ層130と連結部150との間に電流が流れ、基板110内の駆動回路は、吸収された熱による抵抗変化を検出する。
例えば、連結部150は、サーミスタ層130が、基板110から離隔して配されるように、基板110から突出した形状の支持台152、支持台152と基板110との間に配されて、基板110内の駆動回路(図示せず)と支持台152とを電気的に連結させる金属パッド154、及び支持台152とサーミスタ層130とを連結させ、サーミスタ層130の熱が支持台152に伝達されることを最小化させる熱画像レッグ156を備える。図1には、支持台152、金属パッド154及び熱画像レッグ156のそれぞれが、一組設けられている。しかし、それに限定されない。支持台152、金属パッド154及び熱画像レッグ156は、二つ以上である。
支持台152は、基板110上で、共振部120と最大限遠く離隔して配されていることが望ましい。支持台152は、例えば、基板110の対角線方向に一つずつ、基板110上に垂直に突出して配される。支持台152の側部には、熱画像レッグ(Leg)156の端部が、例えば、カンチレバー(Cantilever)状に連結される。例えば、一組の熱画像レッグ156は、基板110に水平に配される。
支持台152の内部は、導電性物質で充填されてもよく、そうでなくてもよい。支持台152の内部が導電性物質で充填されている場合、金属パッド154は、不要である。支持台152だけで、電気的信号を駆動回路に十分に伝達するためである。
また、熱画像レッグ156の他の端部には、サーミスタ層130がそれぞれ連結される。したがって、サーミスタ層130は、熱画像レッグ156及び支持台152を通じて、基板110に離隔するように支持される。サーミスタ層130の両側に、一組の熱画像レッグ156が、それぞれ直列方式で連結される。熱画像レッグ156は、共振部120の熱が基板に伝達されることを防止するために、メアンダ(Meander)パターンを含む。熱画像レッグ156は、熱可変抵抗物質、誘電体、金属薄膜を含む物質で形成される。
熱隔離層160は、基板110とサーミスタ層130との間に配される。熱隔離層160は、共振部120及びサーミスタ層130で発生した熱が、基板110に直接伝達することを最小化する。熱隔離層160は、真空層及び空気層のような低熱導電層のうちいずれか一つで形成される。
一方、赤外線検出器100は、共振部120と基板110との間に配され、入射された赤外線を反射させる反射層170をさらに備える。図1ないし図3で、反射層170は、熱隔離層160と基板110との間に配されていると示されている。しかし、それに限定されない。反射層170は、サーミスタ層130と熱隔離層160との間に配されてもよい。記反射層170は、赤外線を共振部120側に反射させ、共振部120と共にプラズモン共鳴を発生させて、赤外線吸収効率をさらに高める。反射層170は、入射される赤外線が、基板110にほとんど透過しないように、一定の厚さ、例えば、約300〜400nm以上の厚さを有するように形成される。それにより、反射層170の下の基板110は、共鳴現象にほとんど影響を及ぼさない。
共振部120でプラズモン共鳴が発生する場合、反射層170で反射した赤外線では、共振部120で放射される赤外線と相殺干渉を起こして、吸収効率を高める。
図2のように、熱隔離層160が、反射層170とサーミスタ層130との間に位置する場合、反射層170は、基板110上に形成される。そして、反射層170は、共振部120より、赤外線の吸収による熱発生が少ない金属で形成される。それにより、反射層170で熱発生が最小化され、信号の大きさを増大させる。例えば、共振部120は、チタンを含み、反射層170は、金(Au)、銀、アルミニウムのうち少なくともいずれか一つを含む。図2のように、反射層170が基板110上に形成される場合、反射層170で発生した熱は、信号検出に使用されず、損失に当たるためである。
他の例として、反射層170は、サーミスタ層130と熱隔離層160との間に配される。この場合、反射層170は、金属を含み、サーミスタ層130に接するように位置する。反射層170がサーミスタ層130に接する場合、反射層170で発生した熱も、信号検出に使われるので、共振部120は、反射層170より熱発生が多い他の種類であるか、または反射層170と同一種類の金属を含む。
また、赤外線検出器100は、共振部120とサーミスタ層130との間に配され、共振部120とサーミスタ層130とを電気的に絶縁させる絶縁層180をさらに備える。また、絶縁層180は、例えば、シリコン酸化物またはシリコン窒化物で形成される。
前述した構造を有する赤外線検出器100の動作は、次の通りである。
赤外線検出器100に検出しようとする赤外線帯域(例えば、8〜14μm)の電磁波が入射すれば、電磁波のエネルギーによって、共振部120で表面プラズモン共鳴、またはメタ物質の共鳴現象が起きる。共振部120で吸収されない残りの電磁波は、反射板170によって反射されながら、再び共振部120に入射するので、吸収効率が高まる。共振部120で共鳴が起きれば、熱が発生するが、それにより、共振部120と隣接したサーミスタ層130の温度が上昇する。このような温度変化は、サーミスタ層130の抵抗を変化させる。一方、サーミスタ層130の抵抗によって、連結部150の電流が変わる。したがって、基板110上の駆動回路(図示せず)が、連結部150に流れる電流を測定することによって、赤外線検出器100に入射する赤外線の強度を測定する。
一実施形態によれば、共振部120は、検出しようとする赤外線帯域(例えば、8〜14μm)内で、多数の共振波長を有するように設計され、多数の共振モードで共振を起こす。共振部120は、第1波長帯域の赤外線のうち垂直偏光で共振できる第1サブ共振器122a、第1波長帯域の赤外線のうち水平偏光で共振できる第2サブ共振器122b、第2波長帯域の赤外線のうち垂直偏光で共振できる第3サブ共振器124a、及び第2波長帯域の赤外線のうち水平偏光で共振できる第4サブ共振器124bを備える。このように、共振部120が、多様な共振周波数を有するように構成されるので、赤外線検出器100は、広い赤外線帯域で一定に高い検出特性が得られる。
図5は、図1に示された赤外線検出器内の共振器の吸収スペクトルをシミュレーションした結果を示した図面である。第1共振器122の長さ及び幅のそれぞれは、1.4μm、0.5μmにし、第2共振器124の長さ及び幅のそれぞれは、2.2μm、0.5μmに設計した。図5に示されたように、吸収率が90%以上である吸収スペクトルの波長帯域は、約8μmないし12μmであって、大体広いことが確認できる。そして、平均吸収率は、70%以上であることが確認できる。
前述したように、共振部120は、複数の共振波長を有する複数の共振器を備える。図1に示された共振器の配列形態は、一例に過ぎず、配列形態は、多様である。
図6Aないし図6Cは、共振部内の共振器の配列形態を例示的に示した図面である。図6Aに示したように、共振部120a内の第1サブ共振器122a,第2サブ共振器122b,第3サブ共振器124a,第4サブ共振器124bは、相互離隔して配されており、全体的に四角形を形成する。
それだけでなく、複数のサブ共振器のうち少なくとも一部の共振器は、一定領域を互いに共有する。図6Bに示したように、第1サブ共振器122aと第4サブ共振器124bは、一定領域を共有し、第2サブ共振器122bと第3サブ共振器124aは、一定領域を共有する。そして、共振部120bは、全体的に十字形状である。または、図6Cに示したように、第1サブ共振器122aと第4サブ共振器124bが、互いに連結され、第2サブ共振器122bと第3サブ共振器124aが、互いに連結されている。そして、共振部120cは、全体的に四角形である。図6B及び図6Cには、第1サブ共振器122aの端部領域と第4サブ共振器124bの端部領域が共有し、第2サブ共振器122bの端部領域と第3サブ共振器124aの端部領域が共有するとしたが、それに限定されない。共振器の中間領域を共有することもある。
このような共振器の垂直及び水平への配列は、共振の偏光依存性を無くすため、垂直偏光赤外線及び水平偏光赤外線にいずれも共振を起こす。そして、異なる波長で共振する複数のサブ共振器が配されているため、関心波長帯域内での平均吸収率を高める。
また、共振波長は同一であるが、偏光特性が異なる、二つのサブ共振器は、互いに離隔して配されるとしたが、それに限定されない。偏光特性の異なる二つのサブ共振器が、一部領域を互いに共有することもある。
図7A及び図7Bは、一実施形態による共振部の他の形態を示した図面である。図7Aに示したように、共振器は、共振波長が同一であり、かつ偏光特性が異なる二つのサブ共振器221a,221bが連結されて、十字型を形成する。すなわち、二つのサブ共振器221a,221bは、中間領域を共有する。しかし、この場合、二つのサブ共振器の吸収波長帯域が同一であるので、吸収帯域幅が狭くなる。
また、図7Bに示したように、共振器は、二つのサブ共振器221a,221bが非対称的に連結される。例えば、ha<hb、hc<hdである。そして、図7Bの共振器は、共有する領域が一側に偏って、十字型を形成する。この場合、非対称形状によって、共振器は、一つ以上の共振波長を有し、吸収帯域幅が広くなる。
図8は、他の実施形態による広帯域の赤外線検出器に配される共振部を示した図面である。図8に示したように、共振部220は、第1サブ共振器222aと第2サブ共振器222bが端部領域を共有する四つの第1共振器222と、第3サブ共振器224aと第4サブ共振器224bが中間領域を共有する第2共振器224と、を備える。四つの第1共振器222のそれぞれは、サーミスタ層130のコーナー部領域に一つずつ配され、第2共振器224は、サーミスタ層130の中間領域に配される。そして、第1共振器222は、第1波長帯域の赤外線を吸収し、四つの第2共振器224は、第2波長帯域の赤外線を吸収する。
図9は、図7Aに示された共振部の吸収スペクトルをシミュレーションした結果を示した図面であり、図10は、図8に示された共振部の吸収スペクトルをシミュレーションした結果を示した図面である。第1共振器222の長さ及び幅のそれぞれは、2.2μm、0.5μmにし、第2共振器224の長さ及び幅のそれぞれは、3.2μm、0.5μmに設計した。図9に示したように、共振部が単一波長で共振する時、吸収率が90%以上である吸収スペクトルの帯域は、約9.5μmないし10.5μmであった。しかし、図10に示したように、共振部が複数波長で共振する時、吸収率が90%以上である吸収スペクトルの帯域は、約8μmないし12μmであることが確認できた。したがって、多重波長で共振する共振部は、吸収スペクトルの帯域幅が大きく広くなったことが確認できる。そして、平均吸収率は、70%以上であることが確認できる。
前述した赤外線検出器は、一つの共振部を含むと記載されている。しかし、赤外線検出器は、複数の共振部を含んでもよい。図11は、他の実施形態による赤外線検出器を示した平面図である。図11に示したように、赤外線検出器300は、基板310、基板310から離隔して配され、赤外線を吸収して熱を発生させる複数の共振部320、複数の共振部320のそれぞれでの熱を電気的信号に変換させる複数のサーミスタ層330、複数のサーミスタ層330が基板310から離隔して配されるように支持し、複数のサーミスタ層330と基板310とを電気的に連結する連結部350、及び基板310とサーミスタ層330との間に設けられ、基板310への熱伝達を遮断する熱隔離層360を備える。
図11では、4個の共振部320が示されているが、それに限定されない。共振部320の個数は、赤外線検出器300の設計目的によって変わる。そして、複数のサーミスタ層330のそれぞれは、共振部320を一つずつ支持する。サーミスタ層330は、熱質量を最小化するために、共振部320の形状によってパターンされた形態である。
連結部350は、複数のサーミスタ層330が、前記基板310から離隔して配されるように、基板310から突出して形成された一組の支持台352と、複数のサーミスタ層330と一組の支持台352とを連結させる複数の熱画像レッグ356と、を備える。複数の熱画像レッグ356は、直列に連結される。複数の共振部320のそれぞれは、第1波長帯域の第1赤外線を吸収する第1共振器、及び第2波長帯域の第2赤外線を吸収する第2共振器を備え、第1及び第2共振器のそれぞれは、第1偏光を吸収する第1サブ共振器、及び第1偏光と垂直な第2偏光を吸収する第2サブ共振器を備える。
複数のサーミスタ層330及び複数の共振部320が配列される場合、回折損失(Diffraction Loss)を減少させるために、隣接したサーミスタ層330間の間隔を適切に調節する。すなわち、隣接したサーミスタ層330間の間隔d1,d2は、一種の回折スリットの役割を行うが、検出しようとする波長帯域の赤外線が、隣接したサーミスタ層330間の間隔の間で回折すれば、赤外線検出器300の効率が低下する。したがって、サーミスタ層330間の間隔d1,d2は、検出しようとする赤外線帯域の波長より小さく設定することによって、赤外線検出器300に入射する赤外線が、サーミスタ層330間の間隔で回折しないようにする。例えば、サーミスタ層330間の間隔d1,d2は、8μmより小さく、特に、約6μmである。
図11での赤外線検出器300は、共振部320及びサーミスタ層330が複数個設けられており、複数のサーミスタ層330は、熱画像レッグ356に連結されているという特徴を除いては、前述した一実施形態による赤外線検出器100と同一であるので、ここで具体的な説明は、省略する。
実施形態による赤外線検出器は、多重波長帯域で共振するので、広帯域の赤外線が吸収でき、熱隔離層によって、赤外線検出器の安定性を向上させる。
前述した赤外線検出器は、多数の単位画素を2次元アレイに配列した赤外線熱画像カメラに利用されたり、ただ一つの単位ピクセル構造だけで形成された赤外線感知センサー、または熱画像センサーに利用されるたりする。
このような本発明は、理解を助けるために、図面に示された実施形態を参照して説明されたが、それは、例示的なものに過ぎず、当業者ならば、それらから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解するであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲によって決定されねばならない。
本発明の赤外線検出器は、例えば、撮影装置、望遠鏡、医療装置など熱画像を活用する技術分野に好適に適用可能である。
100 赤外線検出器、
110 基板、
120 共振部、
122 第1共振器、
122a 第1サブ共振器、
122b 第2サブ共振器、
124 第2共振器、
124a 第3サブ共振器、
124b 第4サブ共振器、
130 サーミスタ層、
150 連結部、
152 支持台、
154 金属パッド、
156 熱画像レッグ、
160 熱隔離層、
170 反射層、
180 絶縁層。

Claims (20)

  1. 基板と、
    前記基板と離隔して配され、入射された赤外線のうち複数の波長で共鳴を起こして、熱を発生させる共振部と、
    前記共振部を支持しながら、前記共振部で発生した熱によって抵抗値が変わるサーミスタ層と、
    前記サーミスタ層が前記基板から離隔されるように支持すると共に、前記サーミスタ層と前記基板とを電気的に連結させる連結部と、を備える赤外線検出器。
  2. 前記共振部は、第1波長帯域の赤外線を吸収する第1共振器と、
    第2波長帯域の赤外線を吸収する第2共振器と、を備えることを特徴とする請求項1に記載の赤外線検出器。
  3. 前記第1及び第2共振器のうち少なくとも一つは、
    第1偏光を吸収する第1サブ共振器と、
    前記第1偏光と垂直な第2偏光を吸収する第2サブ共振器と、を備えることを特徴とする請求項2に記載の赤外線検出器。
  4. 前記第1及び第2サブ共振器のうち少なくとも一つは、ロッド状であることを特徴とする請求項3に記載の赤外線検出器。
  5. 前記第1サブ共振器と前記第2サブ共振器は互いに離隔して配されたり、一部領域を共有することを特徴とする請求項3または請求項4に記載の赤外線検出器。
  6. 前記第1共振器の第1サブ共振器と前記第2共振器の第2サブ共振器は、一部領域を共有することを特徴とする請求項3〜5のいずれか一項に記載の赤外線検出器。
  7. 前記第1共振器と前記第2共振器は、互いに離隔して配されるか、または一部領域を共有することを特徴とする請求項2〜6のいずれか一項に記載の赤外線検出器。
  8. 前記第1波長帯域と前記第2波長帯域は、一部が重畳されるか、または完全に異なることを特徴とする請求項2〜7のいずれか一項に記載の赤外線検出器。
  9. 前記連結部は、
    前記サーミスタ層が前記基板から離隔して配されるように、前記基板から突出して形成された支持台と、
    前記サーミスタ層と前記支持台を連結させる熱画像レッグと、を備えることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の赤外線検出器。
  10. 前記熱画像レッグは、メアンダパターンを含むことを特徴とする請求項9に記載の赤外線検出器。
  11. 前記支持台と前記基板との間に配され、前記支持台と前記基板を電気的に連結させる金属パッドをさらに備えることを特徴とする請求項9または請求項10に記載の赤外線検出器。
  12. 前記基板と前記サーミスタ層との間に配され、入射される赤外線を反射させる反射板をさらに備えることを特徴とする請求項1〜11のいずれか一項に記載の赤外線検出器。
  13. 前記反射板は、前記基板と接して配されることを特徴とする請求項12に記載の赤外線検出器。
  14. 前記反射板は、金属物質で形成され、前記共振器より熱吸収の少ない物質で形成されることを特徴とする請求項12または請求項13に記載の赤外線検出器。
  15. 前記基板とサーミスタ層との間に配され、前記サーミスタ層から基板への熱伝達を遮断する熱隔離層をさらに備えることを特徴とする請求項1〜14のいずれか一項に記載の赤外線検出器。
  16. 基板と、
    前記基板と離隔して配され、複数の共振波長で共鳴を起こして、赤外線を吸収する複数の共振部と、
    前記複数の共振部のそれぞれを支持しながら、前記共振部の温度変化によって抵抗値が変わる複数のサーミスタ層と、
    前記複数のサーミスタ層が前記基板から離隔されるように支持すると共に、前記複数のサーミスタ層と前記基板とを電気的に連結させる連結部と、を備える赤外線検出器。
  17. 前記連結部は、
    前記複数のサーミスタ層が前記基板から離隔して配されるように、前記基板から突出して形成された複数の支持台と、
    前記複数のサーミスタ層と前記複数の支持台とを連結させる複数の熱画像レッグと、を備えることを特徴とする請求項16に記載の赤外線検出器。
  18. 前記複数の熱画像レッグは、直列に連結されることを特徴とする請求項17に記載の赤外線検出器。
  19. 前記複数の共振部のそれぞれは、
    第1波長帯域の赤外線を吸収する第1共振器と、
    前記第1波長帯域と異なる第2波長帯域の赤外線を吸収する第2共振器と、を備えることを特徴とする請求項16〜18のいずれか一項に記載の赤外線検出器。
  20. 前記第1及び第2共振器のうち少なくとも一つは、
    第1偏光を吸収する第1サブ共振器と、
    前記第1偏光と垂直な第2偏光を吸収する第2サブ共振器と、を備えることを特徴とする請求項19に記載の赤外線検出器。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017094769A1 (ja) * 2015-11-30 2017-06-08 国立大学法人東京大学 ボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイ

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012220207A1 (de) * 2012-11-07 2014-05-08 Robert Bosch Gmbh Bildpixelvorrichtung zum Erfassen von elektromagnetischer Strahlung, Sensorarray zum Erfassen von elektromagnetischer Strahlung und Verfahren zum Erfassen von elektromagnetischer Strahlung mittels einer Bildpixelvorrichtung
CN107580673A (zh) 2015-01-09 2018-01-12 苹果公司 偏振选择性、频率选择性以及宽动态范围检测器,成像阵列,读出集成电路,以及传感器系统
CN106158886A (zh) * 2015-03-30 2016-11-23 中航(重庆)微电子有限公司 带有热敏电阻阵列的集成结构及像元电路
JP6093921B1 (ja) * 2015-04-15 2017-03-08 三菱電機株式会社 電磁波検出器、電磁波検出器アレイ、およびガス分析装置
CN105004430B (zh) * 2015-07-28 2019-12-06 昆明物理研究所 一种非制冷红外焦平面探测器的光电敏感单元
WO2017082985A2 (en) * 2015-08-20 2017-05-18 Northeaslem University Zero power plasmonic microelectromechanical device
CN108353136B (zh) * 2015-09-18 2021-06-04 菲力尔系统公司 对ldr辐射热图像进行用户定义的增强的方法、设备和系统
KR102466673B1 (ko) * 2016-01-13 2022-11-14 삼성전자주식회사 가변 전기광학 필터
CN105977335B (zh) * 2016-05-10 2017-09-29 武汉光电工业技术研究院有限公司 短波光学热探测器及其焦平面阵列器件
JP6529679B2 (ja) * 2017-05-22 2019-06-12 三菱電機株式会社 赤外線撮像素子、赤外線撮像アレイおよび赤外線撮像素子の製造方法
WO2019040933A1 (en) * 2017-08-25 2019-02-28 The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy FAST GRAPHENE OXIDE BOLOMETERS AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
JP6606308B2 (ja) * 2017-10-30 2019-11-13 Semitec株式会社 温度センサ及び温度センサを備えた装置
CN108562360B (zh) * 2018-03-20 2020-11-27 上海集成电路研发中心有限公司 一种新型红外传感器结构
CN109253743B (zh) * 2018-11-12 2020-09-22 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 等离激元声波谐振双波段红外传感器
KR102290343B1 (ko) * 2020-03-24 2021-08-17 연세대학교 산학협력단 이중 대역 적외선 분광파장 소자
CN113624347B (zh) * 2021-07-14 2024-06-07 东北师范大学 超构材料吸波体长波红外焦平面
CN113624348A (zh) * 2021-07-14 2021-11-09 东北师范大学 一种集成表面等离激元谐振器的红外探测器
CN114112058B (zh) * 2021-11-19 2024-05-14 深圳迈塔兰斯科技有限公司 微桥结构及其制备方法
CN114353956B (zh) * 2022-01-06 2024-04-19 清华大学 谐振型红外传感器、谐振型红外传感器的制备方法及装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060000974A1 (en) * 2004-07-01 2006-01-05 Lockheed Martin Corporation Polarization and wavelength-selective patch-coupled infrared photodetector
WO2013010933A1 (en) * 2011-07-15 2013-01-24 Centre National De La Recherche Scientifique -Cnrs Microbolometer array with improved performance

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001272271A (ja) * 2000-01-17 2001-10-05 Mitsubishi Electric Corp 赤外線センサ
US6621083B2 (en) 2000-12-29 2003-09-16 Honeywell International Inc. High-absorption wide-band pixel for bolometer arrays
US7329871B2 (en) 2005-02-04 2008-02-12 Stc.Unm Plasmonic enhanced infrared detector element
WO2007137995A2 (en) 2006-06-01 2007-12-06 Universite De Liege A thermal detector
KR101042601B1 (ko) 2008-05-14 2011-06-20 한국전자통신연구원 저항성 재질을 이용한 공진형 전자파 흡수체
WO2011050165A2 (en) 2009-10-21 2011-04-28 Stc.Unm Plasmonic detectors
JP4964935B2 (ja) * 2009-10-30 2012-07-04 三菱電機株式会社 半導体光素子および半導体光装置
CN102564601A (zh) * 2010-12-22 2012-07-11 精工爱普生株式会社 热式光检测装置、电子设备、热式光检测器及其制造方法
EP2581721B1 (en) 2011-10-10 2019-05-08 Samsung Electronics Co., Ltd Infrared thermal detector and method of manufacturing the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060000974A1 (en) * 2004-07-01 2006-01-05 Lockheed Martin Corporation Polarization and wavelength-selective patch-coupled infrared photodetector
WO2013010933A1 (en) * 2011-07-15 2013-01-24 Centre National De La Recherche Scientifique -Cnrs Microbolometer array with improved performance

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017094769A1 (ja) * 2015-11-30 2017-06-08 国立大学法人東京大学 ボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイ

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