JP2014149297A - 赤外線検出器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板110と、基板110と離隔して配され、入射された赤外線のうち複数の波長で共鳴を起こして、熱を発生させる共振部120と、共振部120を支持しながら、共振部120で発生した熱によって抵抗値が変わるサーミスタ層130と、サーミスタ層130が、基板110から離隔されるように支持しながら、サーミスタ層130と基板110とを電気的に連結させる連結部150と、を備える赤外線検出器である。
【選択図】図1
Description
110 基板、
120 共振部、
122 第1共振器、
122a 第1サブ共振器、
122b 第2サブ共振器、
124 第2共振器、
124a 第3サブ共振器、
124b 第4サブ共振器、
130 サーミスタ層、
150 連結部、
152 支持台、
154 金属パッド、
156 熱画像レッグ、
160 熱隔離層、
170 反射層、
180 絶縁層。
Claims (20)
- 基板と、
前記基板と離隔して配され、入射された赤外線のうち複数の波長で共鳴を起こして、熱を発生させる共振部と、
前記共振部を支持しながら、前記共振部で発生した熱によって抵抗値が変わるサーミスタ層と、
前記サーミスタ層が前記基板から離隔されるように支持すると共に、前記サーミスタ層と前記基板とを電気的に連結させる連結部と、を備える赤外線検出器。 - 前記共振部は、第1波長帯域の赤外線を吸収する第1共振器と、
第2波長帯域の赤外線を吸収する第2共振器と、を備えることを特徴とする請求項1に記載の赤外線検出器。 - 前記第1及び第2共振器のうち少なくとも一つは、
第1偏光を吸収する第1サブ共振器と、
前記第1偏光と垂直な第2偏光を吸収する第2サブ共振器と、を備えることを特徴とする請求項2に記載の赤外線検出器。 - 前記第1及び第2サブ共振器のうち少なくとも一つは、ロッド状であることを特徴とする請求項3に記載の赤外線検出器。
- 前記第1サブ共振器と前記第2サブ共振器は互いに離隔して配されたり、一部領域を共有することを特徴とする請求項3または請求項4に記載の赤外線検出器。
- 前記第1共振器の第1サブ共振器と前記第2共振器の第2サブ共振器は、一部領域を共有することを特徴とする請求項3〜5のいずれか一項に記載の赤外線検出器。
- 前記第1共振器と前記第2共振器は、互いに離隔して配されるか、または一部領域を共有することを特徴とする請求項2〜6のいずれか一項に記載の赤外線検出器。
- 前記第1波長帯域と前記第2波長帯域は、一部が重畳されるか、または完全に異なることを特徴とする請求項2〜7のいずれか一項に記載の赤外線検出器。
- 前記連結部は、
前記サーミスタ層が前記基板から離隔して配されるように、前記基板から突出して形成された支持台と、
前記サーミスタ層と前記支持台を連結させる熱画像レッグと、を備えることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の赤外線検出器。 - 前記熱画像レッグは、メアンダパターンを含むことを特徴とする請求項9に記載の赤外線検出器。
- 前記支持台と前記基板との間に配され、前記支持台と前記基板を電気的に連結させる金属パッドをさらに備えることを特徴とする請求項9または請求項10に記載の赤外線検出器。
- 前記基板と前記サーミスタ層との間に配され、入射される赤外線を反射させる反射板をさらに備えることを特徴とする請求項1〜11のいずれか一項に記載の赤外線検出器。
- 前記反射板は、前記基板と接して配されることを特徴とする請求項12に記載の赤外線検出器。
- 前記反射板は、金属物質で形成され、前記共振器より熱吸収の少ない物質で形成されることを特徴とする請求項12または請求項13に記載の赤外線検出器。
- 前記基板とサーミスタ層との間に配され、前記サーミスタ層から基板への熱伝達を遮断する熱隔離層をさらに備えることを特徴とする請求項1〜14のいずれか一項に記載の赤外線検出器。
- 基板と、
前記基板と離隔して配され、複数の共振波長で共鳴を起こして、赤外線を吸収する複数の共振部と、
前記複数の共振部のそれぞれを支持しながら、前記共振部の温度変化によって抵抗値が変わる複数のサーミスタ層と、
前記複数のサーミスタ層が前記基板から離隔されるように支持すると共に、前記複数のサーミスタ層と前記基板とを電気的に連結させる連結部と、を備える赤外線検出器。 - 前記連結部は、
前記複数のサーミスタ層が前記基板から離隔して配されるように、前記基板から突出して形成された複数の支持台と、
前記複数のサーミスタ層と前記複数の支持台とを連結させる複数の熱画像レッグと、を備えることを特徴とする請求項16に記載の赤外線検出器。 - 前記複数の熱画像レッグは、直列に連結されることを特徴とする請求項17に記載の赤外線検出器。
- 前記複数の共振部のそれぞれは、
第1波長帯域の赤外線を吸収する第1共振器と、
前記第1波長帯域と異なる第2波長帯域の赤外線を吸収する第2共振器と、を備えることを特徴とする請求項16〜18のいずれか一項に記載の赤外線検出器。 - 前記第1及び第2共振器のうち少なくとも一つは、
第1偏光を吸収する第1サブ共振器と、
前記第1偏光と垂直な第2偏光を吸収する第2サブ共振器と、を備えることを特徴とする請求項19に記載の赤外線検出器。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017094769A1 (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | 国立大学法人東京大学 | ボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイ |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012220207A1 (de) * | 2012-11-07 | 2014-05-08 | Robert Bosch Gmbh | Bildpixelvorrichtung zum Erfassen von elektromagnetischer Strahlung, Sensorarray zum Erfassen von elektromagnetischer Strahlung und Verfahren zum Erfassen von elektromagnetischer Strahlung mittels einer Bildpixelvorrichtung |
CN107580673A (zh) | 2015-01-09 | 2018-01-12 | 苹果公司 | 偏振选择性、频率选择性以及宽动态范围检测器,成像阵列,读出集成电路,以及传感器系统 |
CN106158886A (zh) * | 2015-03-30 | 2016-11-23 | 中航(重庆)微电子有限公司 | 带有热敏电阻阵列的集成结构及像元电路 |
JP6093921B1 (ja) * | 2015-04-15 | 2017-03-08 | 三菱電機株式会社 | 電磁波検出器、電磁波検出器アレイ、およびガス分析装置 |
CN105004430B (zh) * | 2015-07-28 | 2019-12-06 | 昆明物理研究所 | 一种非制冷红外焦平面探测器的光电敏感单元 |
WO2017082985A2 (en) * | 2015-08-20 | 2017-05-18 | Northeaslem University | Zero power plasmonic microelectromechanical device |
CN108353136B (zh) * | 2015-09-18 | 2021-06-04 | 菲力尔系统公司 | 对ldr辐射热图像进行用户定义的增强的方法、设备和系统 |
KR102466673B1 (ko) * | 2016-01-13 | 2022-11-14 | 삼성전자주식회사 | 가변 전기광학 필터 |
CN105977335B (zh) * | 2016-05-10 | 2017-09-29 | 武汉光电工业技术研究院有限公司 | 短波光学热探测器及其焦平面阵列器件 |
JP6529679B2 (ja) * | 2017-05-22 | 2019-06-12 | 三菱電機株式会社 | 赤外線撮像素子、赤外線撮像アレイおよび赤外線撮像素子の製造方法 |
WO2019040933A1 (en) * | 2017-08-25 | 2019-02-28 | The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | FAST GRAPHENE OXIDE BOLOMETERS AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
JP6606308B2 (ja) * | 2017-10-30 | 2019-11-13 | Semitec株式会社 | 温度センサ及び温度センサを備えた装置 |
CN108562360B (zh) * | 2018-03-20 | 2020-11-27 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种新型红外传感器结构 |
CN109253743B (zh) * | 2018-11-12 | 2020-09-22 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 等离激元声波谐振双波段红外传感器 |
KR102290343B1 (ko) * | 2020-03-24 | 2021-08-17 | 연세대학교 산학협력단 | 이중 대역 적외선 분광파장 소자 |
CN113624347B (zh) * | 2021-07-14 | 2024-06-07 | 东北师范大学 | 超构材料吸波体长波红外焦平面 |
CN113624348A (zh) * | 2021-07-14 | 2021-11-09 | 东北师范大学 | 一种集成表面等离激元谐振器的红外探测器 |
CN114112058B (zh) * | 2021-11-19 | 2024-05-14 | 深圳迈塔兰斯科技有限公司 | 微桥结构及其制备方法 |
CN114353956B (zh) * | 2022-01-06 | 2024-04-19 | 清华大学 | 谐振型红外传感器、谐振型红外传感器的制备方法及装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060000974A1 (en) * | 2004-07-01 | 2006-01-05 | Lockheed Martin Corporation | Polarization and wavelength-selective patch-coupled infrared photodetector |
WO2013010933A1 (en) * | 2011-07-15 | 2013-01-24 | Centre National De La Recherche Scientifique -Cnrs | Microbolometer array with improved performance |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001272271A (ja) * | 2000-01-17 | 2001-10-05 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線センサ |
US6621083B2 (en) | 2000-12-29 | 2003-09-16 | Honeywell International Inc. | High-absorption wide-band pixel for bolometer arrays |
US7329871B2 (en) | 2005-02-04 | 2008-02-12 | Stc.Unm | Plasmonic enhanced infrared detector element |
WO2007137995A2 (en) | 2006-06-01 | 2007-12-06 | Universite De Liege | A thermal detector |
KR101042601B1 (ko) | 2008-05-14 | 2011-06-20 | 한국전자통신연구원 | 저항성 재질을 이용한 공진형 전자파 흡수체 |
WO2011050165A2 (en) | 2009-10-21 | 2011-04-28 | Stc.Unm | Plasmonic detectors |
JP4964935B2 (ja) * | 2009-10-30 | 2012-07-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体光素子および半導体光装置 |
CN102564601A (zh) * | 2010-12-22 | 2012-07-11 | 精工爱普生株式会社 | 热式光检测装置、电子设备、热式光检测器及其制造方法 |
EP2581721B1 (en) | 2011-10-10 | 2019-05-08 | Samsung Electronics Co., Ltd | Infrared thermal detector and method of manufacturing the same |
-
2013
- 2013-02-01 KR KR1020130011979A patent/KR102040149B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-01-03 US US14/146,820 patent/US9163998B2/en active Active
- 2014-01-22 EP EP14152179.9A patent/EP2762845B1/en active Active
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060000974A1 (en) * | 2004-07-01 | 2006-01-05 | Lockheed Martin Corporation | Polarization and wavelength-selective patch-coupled infrared photodetector |
WO2013010933A1 (en) * | 2011-07-15 | 2013-01-24 | Centre National De La Recherche Scientifique -Cnrs | Microbolometer array with improved performance |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017094769A1 (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | 国立大学法人東京大学 | ボロメータ型テラヘルツ波検出素子アレイ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140217289A1 (en) | 2014-08-07 |
CN103968957B (zh) | 2019-08-09 |
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