TWI556877B - 基板處理裝置及吐出頭待機方法 - Google Patents

Description

基板處理裝置及吐出頭待機方法

本發明係關於一種對基板進行處理之基板處理裝置、及基板處理裝置之吐出頭待機方法。

根據習知，於半導體基板(以下，僅稱為「基板」)之製造步驟中，使用基板處理裝置對具有氧化膜等絕緣膜之基板實施各種處理。例如，進行藉由對基板之表面供給洗淨液而將附著於基板之表面上之微粒等去除之洗淨處理。

於國際公開第2007/132609號(文獻1)之基板洗淨裝置中，於位於基板之外側之待機位置之處理用噴嘴附近設置有液滴去除噴嘴，藉由自液滴去除噴嘴對處理用噴嘴吹送氣體，而謀求防止自處理用噴嘴之非意圖之滴液。

於日本專利特開2001-232250號公報(文獻2)中，提出有如下技術：於向基板上吐出塗佈液而形成膜之膜形成裝置中，藉由對塗佈液吐出噴嘴之吐出口噴射洗淨液而去除附著於吐出口之污染物，其後，抽吸噴射至吐出口之洗淨液而排液並且使吐出口乾燥。

於日本專利特開2012-43949號公報(文獻3)中，提出有如下技術：於對基板塗佈處理液而形成塗佈膜之塗佈裝置中，使 自狹縫狀之吐出口吐出處理液之噴嘴待機時，保持在將噴嘴之流路內之處理液替換成該處理液之溶劑之狀態。又，亦提出使將處理液替換成溶劑後之噴嘴之前端浸漬於貯存在殼體內之溶劑中。

另一方面，關於日本專利特開2006-302934號公報(文 獻4)之液體處理裝置，揭示有如下技術：於處理液供給噴嘴待機時，抽吸噴嘴內之處理液而於噴嘴流路之吐出口附近形成空氣層，進而，於將噴嘴前端浸漬於處理液之溶劑中之狀態下進行抽吸，藉此於空氣層之外側形成溶劑層。

然而，作為基板處理裝置，已知有自設置於吐出頭之 複數個微細之吐出口朝向基板吐出處理液之微小液滴而進行對基板之處理的裝置。於此種裝置中，有於吐出頭待機時因吐出口乾燥等而導致堵塞之情況。因此，考慮對吐出口附近賦予處理液以防止乾燥，但有於再次開始使用吐出頭時，附著於吐出頭之處理液落下而附著於基板上(產生所謂之滴液)之虞。

本發明適於對基板進行處理之基板處理裝置，其目的在於防止吐出頭待機時之吐出口之乾燥，並且防止進行基板之處理時之滴液。本發明亦適於基板處理裝置之吐出頭待機方法。

本發明之基板處理裝置係具備有：基板保持部，其對基板進行保持；護罩部，其將上述基板保持部之周圍加以包圍；吐出頭，其於上述護罩部之內側且配置在上述基板保持部之上方，並且自於吐出面所設置之吐出口而朝向上述基板吐出處理液；供給部移動機構，其將上述吐出頭自上述基板保持部之上方移動至上述護罩部之外側之待機位置；貯存槽，其配置在上述護罩部之外側，貯 存有供位於上述待機位置之上述吐出頭之上述吐出面加以浸漬之浸漬液；及液體去除部，其自上述吐出面將上述浸漬液加以去除。 根據該基板處理裝置，可防止吐出頭待機時之吐出口之乾燥，並且防止進行基板之處理時之滴液。

於本發明之一較佳實施形態中，藉由上述供給部移動 機構，使上述吐出頭相對於上述貯存槽以相對之方式向接近之方向移動，將上述吐出頭之上述吐出面浸漬在上述貯存槽內之上述浸漬液中，藉由將上述浸漬液自上述貯存槽加以排出，或藉由利用上述供給部移動機構使上述吐出頭以相對之方式向遠離上述貯存槽之方向移動，而使上述吐出面離開上述浸漬液，且於上述吐出面離開上述浸漬液之後，藉由上述液體去除部將殘留於上述吐出面之浸漬液加以去除。

於本發明之另一較佳實施形態中，在將上述吐出面浸 漬於上述浸漬液中之狀態下，自上述吐出口之上述處理液之吐出口係以持續或者間斷之方式加以進行。

更佳為較上述吐出面離開上述浸漬液為更早之前，停 止自上述吐出口之上述處理液之吐出。

於本發明之又一較佳實施形態中，上述液體去除部係 為朝向上述吐出頭噴出氣體之氣體噴出部。

更佳為上述液體去除部係朝向遠離上述基板保持部 之方向噴出上述氣體。或者，上述液體去除部係在上述貯存槽內而朝向上述吐出頭噴出上述氣體。進而較佳為設置有覆蓋上述貯存槽之上方之蓋部，且於上述蓋部，設置有供上述吐出頭之下端部插入之插入口。

於本發明之又一較佳實施形態中，在將上述吐出面浸 漬於上述浸漬液中之狀態下，向上述貯存槽內之上述浸漬液之供給及自上述貯存槽之上述浸漬液之排出係以持續或者間斷之方式加以進行。

更佳為上述浸漬液係自上述貯存槽之底部加以供 給，並自上述貯存槽之上部加以排出。

於本發明之又一較佳實施形態中，上述吐出頭係具備 有：頭本體部，其於內部將上述處理液加以保持，並且外表面之一部分為上述吐出面；及壓電元件，其安裝於上述頭本體部，藉由對上述頭本體部內之上述處理液賦予振動，而使上述處理液自上述吐出口吐出；且在將上述吐出面浸漬於上述浸漬液中之狀態下，藉由驅動上述壓電元件而對上述貯存槽內之上述浸漬液賦予振動。

於本發明之又一較佳實施形態中，上述浸漬液係為與 上述處理液為相同種類之液體。

於本發明之又一較佳實施形態中，上述吐出面係由對 上述浸漬液之親和性為較高之親液性材料所形成。

於本發明之又一較佳實施形態中，藉由自上述吐出頭 而朝向上述基板所吐出之上述處理液，進行上述基板之洗淨處理。

本發明之吐出頭待機方法係為在具備有吐出頭之基 板處理裝置中使上述吐出頭待機之方法，而該吐出頭係在藉由護罩部將周圍加以包圍之基板保持部之上方，且配置在上述護罩部之內側，並且自於吐出面所設置之吐出口而朝向由上述基板保持部所保持之基板吐出處理液，上述吐出頭待機方法係具備有：a)將上述吐出頭自上述護罩部之內側移動至上述護罩部之外側之步驟；b)使上 述吐出頭相對於貯存有浸漬液之貯存槽以相對之方式向接近之方向移動，並將上述吐出頭之上述吐出面浸漬於上述浸漬液中之步驟；c)藉由自上述貯存槽將上述浸漬液加以排出，或者藉由使上述吐出頭以相對之方式向遠離上述貯存槽之方向移動，而使上述吐出面離開上述浸漬液之步驟；d)將殘留於上述吐出面之浸漬液加以去除之步驟；及e)將上述吐出頭朝向上述護罩部之內側進行移動之步驟。

上述目的及其他目的、特徵、態樣及優點可藉由以下參照隨附圖式而進行之本發明之詳細說明清楚解釋。

1‧‧‧基板處理裝置

3‧‧‧處理液供給部

4‧‧‧頭待機部

6‧‧‧腔室

7‧‧‧控制單元

9‧‧‧基板

21‧‧‧基板保持部

22‧‧‧護罩部

23‧‧‧基板旋轉機構

31‧‧‧吐出頭

32‧‧‧處理液配管

33‧‧‧泵

35‧‧‧供給部移動機構

36‧‧‧保護液供給部

40‧‧‧內部空間

41‧‧‧待機箱

43‧‧‧蓋部

44‧‧‧貯存槽

45‧‧‧浸漬液配管

46‧‧‧浸漬液排出管

47‧‧‧液體去除部

49‧‧‧浸漬液

60‧‧‧內部空間

71‧‧‧處理控制部

76‧‧‧維護控制部

91‧‧‧上表面

220‧‧‧上部開口

311‧‧‧吐出面

312‧‧‧頭本體部

314‧‧‧吐出口

315‧‧‧壓電元件

316‧‧‧處理液保持部

317‧‧‧處理液流路

318‧‧‧處理液供給配管

319‧‧‧處理液回收配管

351‧‧‧臂

352‧‧‧旋轉軸

353‧‧‧頭旋轉機構

354‧‧‧頭升降機構

411‧‧‧間隔壁

431‧‧‧第1開口

432‧‧‧第2開口

441‧‧‧上部開口

S11~S17‧‧‧步驟

圖1係一實施形態之基板處理裝置之前視圖。

圖2係基板處理裝置之俯視圖。

圖3係吐出頭之仰視圖。

圖4係吐出頭之剖面圖。

圖5係表示控制單元之功能之方塊圖。

圖6係頭待機部之俯視圖。

圖7係表示頭待機部及吐出頭之圖。

圖8係表示吐出頭之待機動作之流程之圖。

圖9係表示頭待機部及吐出頭之圖。

圖10係表示頭待機部及吐出頭之圖。

圖11係表示吐出口之堵塞之比率之圖。

圖12係表示頭待機部及吐出頭之圖。

圖13係基板處理裝置之俯視圖。

圖1係本發明之一實施形態之基板處理裝置1之前視圖。圖2係基板處理裝置1之俯視圖。圖2係使基板處理裝置1之朝向自圖1變更而成。基板處理裝置1係對半導體基板9(以下，僅稱為「基板9」)逐片進行處理之單片式裝置。於基板處理裝置1中，對基板9吐出處理液而進行既定之處理。於本實施形態中，藉由將作為處理液之洗淨液之液滴吐出至基板9上，而進行自基板9上去除微粒等之洗淨處理。於基板處理裝置1中，將例如直徑約20μm(微米)之液滴朝向基板9呈噴霧狀地吐出。

如圖1及圖2所示，基板處理裝置1具備：基板保持部21、護罩部22、基板旋轉機構23、處理液供給部3、供給部移動機構35、保護液供給部36、頭待機部4、腔室6、及下述控制單元。腔室6將基板保持部21、護罩部22、基板旋轉機構23、處理液供給部3、供給部移動機構35、保護液供給部36及頭待機部4等構成收容於內部空間60。於圖1及圖2中，利用虛線表示腔室6，對腔室6之內部進行圖示。

基板保持部21於腔室6內以使基板9之一主面91(以下，稱為「上表面91」)朝向上側之狀態保持基板9。於基板9之上表面91形成有電路圖案等微細圖案。護罩部22係包圍基板9及基板保持部21之周圍之大致圓筒狀之構件。基板旋轉機構23配置於基板保持部21之下方。基板旋轉機構23係以通過基板9之中心並且與基板9之上表面91垂直之旋轉軸為中心，使基板9與基板保持部21一併於水平面內旋轉。

處理液供給部3具備：吐出頭31，其朝向下方吐出 處理液；處理液配管32，其連接於吐出頭31；及泵33，其經由處理液配管32朝向吐出頭31壓送自基板處理裝置1之外部之處理液供給源供給之處理液。處理液配管32具備進行對吐出頭31供給處理液之處理液供給配管318(參照圖4)、及進行自吐出頭31回收處理液之處理液回收配管319(參照圖4)。吐出頭31於護罩部22之內側配置於基板保持部21之上方。換言之，吐出頭31之下表面位於護罩部22之上部開口220與基板9之上表面91之間。吐出頭31係自下述複數個吐出口連續地吐出相互分離之微小液滴之裝置。藉由吐出頭31朝向基板9之上表面91吐出處理液之微小液滴。作為處理液，可利用純水(較佳為去離子水(DIW：deionized water))、碳酸水、氨水與過氧化氫水之混合液等液體。自吐出頭31吐出處理液之設計上之吐出方向與上下方向(即，重力方向)大致平行。

圖3係表示吐出頭31之下表面311之仰視圖。於吐 出頭31之下表面311設置有複數個微細之吐出口314。以下，將吐出頭31之下表面311稱為「吐出面311」。複數個吐出口314具備分別沿圖3中之左右方向呈大致直線狀地延伸之4排吐出口列。於各吐出口列中，複數個吐出口314以既定之排列間距排列。各吐出口314之直徑為大致5μm~10μm。於圖3中，將各吐出口314描繪得較實際大，並將吐出口314之個數描繪得較實際少。如下所述，吐出頭31藉由供給部移動機構35而於與基板9對向之位置和與頭待機部4對向之位置之間移動，但吐出頭31之吐出面311無論該移動如何進行均維持為大致水平。

圖4係吐出頭31之縱剖面圖。吐出頭31具備頭本體 部312、及壓電元件315。於頭本體部312之內部設置有作為保持 處理液之空間之處理液保持部316。處理液保持部316之一端部經由處理液供給配管318而連接於對吐出頭31供給處理液之處理液供給源及泵33。處理液保持部316之另一端部經由處理液回收配管319而連接於回收來自吐出頭31之處理液之處理液回收部。該處理液回收部設置於基板處理裝置1之外部。頭本體部312之作為外表面之一部分之下表面為上述吐出面311。複數個吐出口314分別經由處理液流路317而連接於處理液保持部316。壓電元件315安裝於頭本體部312之上表面。藉由利用壓電元件315經由頭本體部312對頭本體部312內之處理液賦予振動，而自複數個吐出口314之各者吐出處理液之微小液滴。

頭本體部312係包含吐出面311在內，而由對下述浸 漬液49(參照圖7)之親和性較高之親液性材料所形成。於利用純水作為浸漬液49之情況下，頭本體部312係包含吐出面311在內係由親水性材料所形成。

如圖1及圖2所示，供給部移動機構35具備臂351、 旋轉軸352、頭旋轉機構353、及頭升降機構354。臂351自旋轉軸352沿水平方向延伸。於臂351之前端部安裝有吐出頭31。頭旋轉機構353使吐出頭31與臂351一併以旋轉軸352為中心於水平方向旋轉。頭升降機構354將吐出頭31與臂351一併於上下方向移動。頭旋轉機構353例如具備電動馬達。頭升降機構354例如具備滾珠螺桿機構及電動馬達。

保護液供給部36係直接或間接地固定於吐出頭31， 並朝向斜下方吐出保護液。於圖1及圖2所示之例中，保護液供給部36安裝於臂351，從而間接地固定於吐出頭31。作為保護液， 與上述處理液同樣地可利用純水(較佳為去離子水)、碳酸水、氨水與過氧化氫水之混合液等液體。保護液可為與處理液相同種類之液體，亦可為不同種類之液體。

於基板處理裝置1中，自保護液供給部36朝向基板 9之上表面91呈液柱狀地吐出之保護液於吐出頭31之下方在基板9上擴散，藉此於吐出頭31之正下方形成既定厚度之保護液之膜(以下，稱為「保護液膜」)。保護液供給部36藉由頭旋轉機構353及頭升降機構354而與吐出頭31一併移動。

圖5係表示控制單元7之功能之方塊圖。於圖5中， 亦一併描繪出控制單元7以外之構成。控制單元7具備處理控制部71、及維護控制部76。

於圖1及圖2所示之基板處理裝置1中進行基板9之 處理時，首先，將基板9搬入至腔室6內並藉由基板保持部21保持。於搬入基板9時，吐出頭31如圖2中兩點鏈線所示，於配置於護罩部22之外側之頭待機部4上待機。於基板9藉由基板保持部21保持時，藉由處理控制部71驅動基板旋轉機構23，使基板9開始旋轉。

繼而，藉由處理控制部71驅動供給部移動機構35之 頭旋轉機構353及頭升降機構354，使吐出頭31及保護液供給部36自頭待機部4上進行上升並旋轉，移動至護罩部22之上方後下降。藉此，吐出頭31及保護液供給部36經由護罩部22之上部開口220移動至護罩部22之內側且為基板保持部21之上方。繼而，開始自保護液供給部36向基板9上供給保護液，形成覆蓋基板9之上表面91之一部分之保護液膜。又，開始自吐出頭31之複數個 吐出口314(參照圖3)朝向形成有保護液膜之基板9之上表面91吐出處理液(即，噴射微小液滴)。保護液膜覆蓋來自複數個吐出口314之處理液於基板9上之設計上之複數個著液點(即，微小液滴之噴附點)。

自吐出頭31朝向保護液膜噴射之大量微小液滴係與 基板9之上表面91上之保護液膜碰撞，並介隔保護液膜間接地與基板9之上表面91碰撞。繼而，附著於基板9之上表面91之微粒等異物因由處理液之微小液滴之碰撞所引起之衝擊而自基板9上被去除。換言之，藉由利用處理液之微小液滴介隔保護液膜間接地對基板9賦予之動能，而進行基板9之上表面91之洗淨處理。

如此，藉由處理液之微小液滴介隔保護液膜而與基板 9碰撞，與微小液滴直接與基板碰撞之情況相比，可一方面防止或抑制對形成於基板9之上表面91之圖案等造成損傷，一方面進行基板9之洗淨處理。又，由於基板9上之要進行洗淨處理之部位由保護液覆蓋，故而可防止或抑制自基板9上去除之微粒等再附著於基板9之上表面91。

於基板處理裝置1中，於保護液及處理液之吐出之同時進行藉由頭旋轉機構353使吐出頭31及保護液供給部36轉動。吐出頭31及保護液供給部36於旋轉中之基板9之中央部之上方與基板9之外緣部之上方之間水平地重複往返移動。藉此，對基板9之上表面91整體進行洗淨處理。供給至基板9之上表面91之保護液及處理液因基板9之旋轉而自基板9之邊緣向外側飛散。自基板9飛散之保護液及處理液由護罩部22承接並進行廢棄或回收。

於利用來自吐出頭31之處理液進行之既定處理(即， 基板9之洗淨處理)結束時，停止保護液及處理液之吐出。吐出頭31及保護液供給部36藉由頭升降機構354而上升至較護罩部22之上部開口220更上側。繼而，藉由頭旋轉機構353自基板保持部21及基板9之上方移動至頭待機部4之上方。

圖6係將頭待機部4放大表示之俯視圖。頭待機部4 具備待機箱41、及液體去除部47。圖7係將待機箱41之外壁等以剖面表示之頭待機部4之縱剖面圖。於圖6及圖7中，一併利用兩點鏈線示出位於頭待機部4之上方之吐出頭31等。圖6及圖7所示之待機箱41為配置於護罩部22(參照圖1及圖2)之外側之大致長方體狀之容器，可於內部貯存液體。具體而言，於配置於待機箱41之內部空間40之貯存槽44內貯存液體49(以下，稱為「浸漬液49」)。

作為浸漬液49，可利用純水(較佳為去離子水(DIW： deionized water))、碳酸水、氨水與過氧化氫水之混合液等液體。浸漬液49可為與自吐出頭31吐出之處理液相同種類之液體，亦可為不同種類之液體。較佳為浸漬液49為與上述處理液相同種類之液體。

待機箱41之內部空間40之上部由蓋部43覆蓋。於 蓋部43設置有分別與吐出頭31及保護液供給部36對應之第1開口431及第2開口432。於圖7中，僅圖示出吐出頭31，而省略保護液供給部36之圖示(圖9、圖10、圖12中亦相同)。

貯存槽44為大致長方體狀之容器，且貯存槽44之上 部係有開口。貯存槽44之上方由上述蓋部43覆蓋，且貯存槽44位於設置於蓋部43之第1開口431之下方。如圖7所示，於貯存槽44之底部連接有浸漬液配管45。浸漬液配管45將自基板處理裝 置1之外部之浸漬液供給源供給之浸漬液49引導至設置於待機箱41之貯存槽44。自貯存槽44之底部供給之浸漬液49藉由於貯存槽44內向上方流動並自貯存槽44之上部開口441溢出而自貯存槽44排出。貯存槽44中之浸漬液49之液面成為與貯存槽44之上部開口441大致相同之高度。自貯存槽44之上部排出之浸漬液49藉由設置於待機箱41之底部之浸漬液排出管46而排出至基板處理裝置1之外部。再者，浸漬液配管45不僅連接於浸漬液供給源，亦連接於抽吸貯存槽44內之液體等之抽吸機構(省略圖示)。

液體去除部47係設置於待機箱41之外側面。由於供 液體去除部47固定之待機箱41之側面亦為貯存槽44之側面，故而亦可理解為液體去除部47設置於貯存槽44之外側面。液體去除部47為大致水平地噴出氮氣等氣體之氣體噴出部。液體去除部47位於較貯存槽44之上部開口441更下方(即，較浸漬液49之液面更下方)，因此可朝向貯存槽44之內部大致水平地噴出上述氣體。 液體去除部47之高度係設定為與浸漬於浸漬液49進行待機中之吐出頭31之吐出面311大致相同之高度。

圖8係表示對基板9之處理結束後之吐出頭31之待 機動作之流程的圖。對基板9之處理結束後之吐出頭31如上所述般藉由供給部移動機構35之頭旋轉機構353及頭升降機構354自護罩部22之內側移動至護罩部22之外側，並位於頭待機部4之上方(步驟S11)。

繼而，藉由利用維護控制部76控制頭升降機構354， 而使吐出頭31朝向待機箱41下降。繼而，如圖9所示，將吐出頭31之下端部經由蓋部43之第1開口431而插入至待機箱41，並收 容於待機箱41內。第1開口431為供吐出頭31之下端部插入之插入口。於以下說明中，將圖9所示之吐出頭31之位置稱為「待機位置」。

位於待機位置之吐出頭31之下端部係於待機箱41內 浸漬在預先貯存於貯存槽44內之浸漬液49中。具體而言，將吐出面311、及吐出頭31之側面中之距吐出面311為約5mm上側之部位以下浸漬於浸漬液49中(步驟S12)。藉此，吐出面311由浸漬液49被覆，從而與腔室6內之環境隔離。待機位置上之吐出頭31之上下方向之位置，即，吐出頭31之吐出面311浸漬於浸漬液49中之狀態下之吐出頭31之上下方向之位置與朝向基板9吐出處理液時之吐出頭31之上下方向之位置(參照圖1)相同。浸漬液49向貯存槽44中之貯存例如於自吐出頭31對基板9吐出處理液之期間進行。

於吐出頭31自圖7所示之位置(即，待機位置之上方 之位置)下降至圖9所示之待機位置，使吐出面311浸漬於貯存槽44內之浸漬液49中時，圖6所示之保護液供給部36亦與吐出頭31一併下降。保護液供給部36經由蓋部43之第2開口432而插入至待機箱41，並收容於待機箱41內。於待機箱41內，收容吐出頭31之下端部之空間與收容保護液供給部36之空間藉由間隔壁411而隔離。於收容保護液供給部36之空間未貯存液體。

吐出頭31在下一次使用前，於圖9所示之待機位置 在吐出面311浸漬於浸漬液49中之狀態下待機。待機中之吐出頭31藉由維護控制部76之控制而持續地進行自複數個吐出口314(參照圖3)吐出處理液(步驟S13)。於待機位置自吐出頭31向浸漬液 49吐出之處理液之流量小於在上述基板9之處理時自吐出頭31朝向基板9吐出之處理液之流量。換言之，於待機位置之吐出頭31進行所謂之慢洩漏(slow leak)。再者，處理液自待機中之吐出頭31之吐出不一定必須持續地進行，亦可間斷地進行。然而，就更進一步抑制複數個吐出口314之堵塞之觀點而言，更佳為處理液自吐出頭31之吐出持續地進行。

於頭待機部4中，於吐出面311浸漬於浸漬液49中 之狀態下，持續地進行自浸漬液配管45向貯存槽44內供給浸漬液49及自貯存槽44之上部開口441排出浸漬液49。藉此，於貯存槽44內一直維持浸漬液49自下側朝向上側之流動。

於再次開始利用吐出頭31進行基板9之處理時，藉 由維護控制部76之控制而停止處理液自吐出頭31之複數個吐出口314之吐出(慢洩漏)(步驟S14)。又，亦停止自浸漬液配管45供給浸漬液49。繼而，驅動連接於浸漬液配管45之上述抽吸機構，將貯存槽44內之浸漬液49經由浸漬液配管45而排出至貯存槽44外。藉此，如圖10所示，吐出頭31之吐出面311離開貯存於貯存槽44內之浸漬液49(步驟S15)。上述自吐出口314之慢洩漏之停止較佳為於吐出面311即將離開浸漬液49前進行。

若吐出面311離開浸漬液49，則吐出面311及液體去 除部47兩者露出至貯存槽44內之環境。繼而，自藉由維護控制部76而控制之液體去除部47朝向位於待機位置之吐出頭31於大致水平方向噴出氣體。利用液體去除部47進行之氣體之噴射係對吐出頭31之吐出面311及吐出面311附近之部位進行，藉此，附著於(即，殘留於)吐出面311及吐出面311附近之浸漬液49被吹飛而去 除(步驟S16)。如上所述，液體去除部47之高度係設定為與浸漬於浸漬液49之過程中之吐出頭31之吐出面311大致相同之高度，因此僅藉由自貯存槽44排出浸漬液49便可自液體去除部47朝向吐出面311直接噴射氣體，而無需使吐出頭31於上下方向移動。因此，氣體自液體去除部47之噴出係於貯存槽44內(即，待機箱41內)進行。

自吐出面311去除浸漬液49後，藉由頭升降機構354使吐出頭31自待機位置上升而移動至待機箱41之外部。繼而，藉由頭旋轉機構353使吐出頭31旋轉而位於基板9之上方，並藉由頭升降機構354而下降，藉此移動至護罩部22之內側(步驟S17)。其後，如上所述般利用吐出頭31進行基板9之處理。

如以上所說明般，於基板處理裝置1中，在吐出頭31待機時，位於待機位置之吐出頭31之吐出面311係浸漬於貯存在貯存槽44內之浸漬液49中。藉此，可防止設置於吐出面311之複數個吐出口314、及與吐出口314連續之處理液流路317之乾燥。其結果，可抑制或防止微細之吐出口314之堵塞。又，亦可防止腔室6內之薄霧等附著於待機中之吐出頭31之吐出面311。

圖11係比較上述基板處理裝置1與比較例之基板處理裝置之待機時之吐出口之堵塞所得之圖。於比較例之基板處理裝置中，未於貯存槽內貯存浸漬液，且將吐出頭之下端部插入至待機箱內，在停止自吐出口吐出處理液之狀態下使吐出頭待機。即，於比較例之基板處理裝置中，吐出頭之吐出面露出至環境中，而自待機開始逐漸乾燥。

另一方面，於本實施形態之基板處理裝置1中，如上 所述，於吐出面311浸漬於貯存在貯存槽44內之浸漬液49中之狀態下使吐出頭31待機。然而，為使得易於與比較例之基板處理裝置進行比較，於該比較試驗中，停止處理液自上述吐出頭31向浸漬液49之吐出(慢洩漏)。圖11中之縱軸表示待機1週後產生堵塞之吐出口數相對於總吐出口數之比率。圖11中之橫軸之編號(1)~(3)表示基板處理裝置1、及比較例之基板處理裝置之各者中用於試驗之相同構造之3個吐出頭。如圖11所示，於比較例之基板處理裝置中，自待機開始1週後，約10%之吐出口產生堵塞，而於基板處理裝置1中，未產生吐出口314之堵塞。

如上所述，於基板處理裝置1中，於再次開始利用吐 出頭31進行基板9之處理時，藉由液體去除部47將附著於吐出面311之浸漬液49去除。藉此，於將吐出頭31移動至基板9上時等，可防止殘留於吐出面311之浸漬液49等液體落下而附著於基板9上(產生所謂之滴液)。如此，於基板處理裝置1中，可防止自吐出頭31之滴液，因此基板處理裝置1之構造尤其適於以保持基板9潔淨較為重要之基板9之洗淨處理。

於基板處理裝置1中，可藉由使吐出頭31朝向貯存 有浸漬液49之貯存槽44下降，而容易地將吐出面311浸漬於浸漬液49中。又，可藉由將浸漬液49自貯存槽44排出，而容易地使吐出面311離開浸漬液49。進而，可藉由於吐出面311離開浸漬液49後驅動液體去除部47，而容易地自吐出面311去除浸漬液49。

如上所述，於頭待機部4中，可藉由自液體去除部 47朝向吐出頭31噴出氣體，而以簡單之構成實現自吐出面311去除浸漬液49。又，藉由於貯存槽44內進行對吐出頭31噴射氣體， 可抑制自吐出面311去除(即，吹飛)之浸漬液49之薄霧等擴散至貯存槽44之外部。藉此，可抑制浸漬液49之薄霧等擴散至頭待機部4之周圍。其結果，可抑制浸漬液49之薄霧等附著於基板9。

進而，藉由設置覆蓋貯存槽44之上方之蓋部43，可 抑制已擴散至貯存槽44之外部之浸漬液49之薄霧等擴散至待機箱41之外部。藉此，可進一步抑制浸漬液49之薄霧等擴散至頭待機部4之周圍。再者，薄霧等自蓋部43之第1開口431之流出藉由插入至第1開口431之吐出頭31而抑制。

於頭待機部4中，利用液體去除部47進行之氣體之 噴射不一定必須對位於貯存槽44內之吐出面311進行。例如，亦可於使吐出頭31自待機位置略微上升而使吐出面311位於待機箱41內且為貯存槽44之上方之狀態下，進行對吐出面311噴射氣體。 於該情況下，亦與上述同樣地可抑制浸漬液49之薄霧等擴散至頭待機部4之周圍。

又，如圖12所示，亦可將液體去除部47配置於待機 箱41之上方，並朝向自待機位置上升而位於待機箱41之上方之吐出頭31之吐出面311噴射氣體。於該情況下，液體去除部47較佳為如圖13所示，以向遠離基板保持部21之方向噴出氣體之方式配置於位於待機位置之吐出頭31與基板保持部21之間。藉此，可抑制自吐出面311去除之浸漬液49之薄霧等向靠近基板保持部21之方向擴散。其結果，可抑制浸漬液49之薄霧等附著於基板9。

如上所述，於基板處理裝置1中，於吐出面311浸漬於浸漬液49中之狀態下，自吐出口314持續或間斷地吐出處理液。藉此，即便於貯存槽44內之浸漬液49中混入有微粒等之情況下， 亦可抑制或防止微粒等附著於吐出面311或自吐出口314進入吐出頭31內。又，較吐出面311離開浸漬液49更早地停止自吐出頭31之複數個吐出口314吐出處理液。藉此，於吐出面311離開浸漬液49時，可使吐出面311之脫液良好，而可減少殘留於吐出面311之浸漬液49之量。其結果，可迅速且容易地進行利用液體去除部47自吐出面311去除浸漬液49。

進而，由於吐出面311係由對浸漬液49之親和性較 高之親液性材料形成，故而於吐出面311離開浸漬液49時，與吐出面311附近之部位接觸之浸漬液49容易移動至吐出頭31之下端即吐出面311。又，聚集於吐出面311之浸漬液49會一齊離開吐出面311。因此，浸漬液49不易殘留於吐出面311上，可更迅速且更容易地進行利用液體去除部47自吐出面311去除浸漬液49。

於頭待機部4中，於吐出面311浸漬於浸漬液49中 之狀態下，持續地進行向貯存槽44內供給浸漬液49及自貯存槽44排出浸漬液49。藉此，可沖去附著於吐出頭31之表面之微粒等。 又，可使貯存槽44內之浸漬液49一直為新的潔淨的狀態。換言之，可抑制貯存槽44內之浸漬液49因懸浮於環境中之微粒或附著於吐出頭31等之微粒等之混入而受到污染。其結果，可抑制或防止微粒等自吐出口314進入吐出頭31內。進而，於貯存槽44中，浸漬液49係自貯存槽44之底部供給，並自貯存槽44之上部排出。藉此，可一直朝向吐出面311供給新的潔淨的浸漬液49。其結果，可進一步抑制或防止微粒等附著於吐出面311、或自吐出口314進入吐出頭31內。再者，亦可間斷地進行向貯存槽44內供給浸漬液49及自貯存槽44排出浸漬液49。然而，就一直將貯存槽44內之浸漬 液49維持於新的潔淨的狀態之觀點而言，較佳為持續地進行向貯存槽44內供給浸漬液49及自貯存槽44排出浸漬液49。

於基板處理裝置1中，如上所述，貯存槽44內之浸 漬液49為與自吐出頭31吐出之處理液相同種類之液體。因此，不存在因浸漬液49與處理液之混合而產生不良影響之虞。又，於吐出頭31待機時，即便浸漬液49進入吐出口314內亦無產生問題之虞。進而，於再次開始使用吐出頭31時，可無需用以排出吐出口314內之浸漬液49之沖洗等動作。

如上所述，於基板處理裝置1中，待機位置上之吐出 頭31之上下方向之位置與朝向基板9吐出處理液時之吐出頭31之上下方向之位置相同。因此，可簡化頭升降機構354之構成及控制。

於基板處理裝置1中，亦可藉由於吐出頭31之吐出 面311浸漬於貯存槽44內之浸漬液49中之狀態下驅動吐出頭31之壓電元件315，而經由頭本體部312對貯存槽44內之浸漬液49賦予振動。藉此，可洗淨吐出頭31之下端部，從而效率良好地去除附著於該下端部之表面(即，吐出面311、及側面中之吐出面311附近之部位)之微粒等。

又，於基板處理裝置1中，步驟S15中之吐出面311自浸漬液49之離開時，不一定必須排出貯存槽44內之浸漬液49。例如，亦可藉由利用供給部移動機構35之頭升降機構354使吐出頭31自待機位置上升至貯存槽44之上方，而使吐出面311離開浸漬液49。於該情況下，可容易地使吐出面311離開浸漬液49。

上述基板處理裝置1可進行各種變更。

吐出面311亦可由對浸漬液49之親和性較低之材料 形成。於該情況下，藉由液體去除部47可容易地自吐出面311吹飛浸漬液49。液體去除部47不一定必須對吐出頭31噴射氣體，例如，亦可將吐出面311上之浸漬液49與吐出面311之周圍之氣體一併抽吸而去除。又，亦可藉由加熱等使附著於吐出面311之浸漬液49蒸發而去除。

浸漬液49向貯存槽44之供給不一定必須自貯存槽 44之底部進行，且浸漬液49自貯存槽44之排出亦不一定必須自貯存槽44之上部開口441進行。浸漬液49之供給位置及排出位置可於貯存槽44上適當選擇。

如上所述，於自吐出頭31吐出之處理液為與浸漬液 49相同種類之液體之情況下，亦可於自浸漬液配管45供給浸漬液49之同時將自吐出頭31吐出之處理液貯存於貯存槽44，或者代替自浸漬液配管45供給浸漬液49而將自吐出頭31吐出之處理液貯存於貯存槽44。

於將吐出面311浸漬於貯存槽44內之浸漬液49中 時，不一定必須使吐出頭31下降，只要吐出頭31向靠近貯存槽44之方向相對移動即可。例如，亦可於吐出頭31停止之狀態下，藉由使貯存有浸漬液49之貯存槽44自吐出頭31之下方上升，而將吐出面311浸漬於浸漬液49中。又，於使吐出面311離開貯存槽44內之浸漬液49時，不一定必須自貯存槽44排出浸漬液49或使吐出頭31上升，例如，亦可於吐出頭31停止之狀態下，藉由使貯存槽44下降而使吐出面311離開貯存槽44內之浸漬液49。換言之，藉由使吐出頭31向遠離貯存槽44之方向相對移動，而使吐出面311離開貯存槽44內之浸漬液49。

於頭待機部4中，亦可將待機箱41之內部空間40之 一部分或整體用作貯存浸漬液49之貯存槽44。

自吐出頭31吐出之處理液未必限定於液滴狀，亦可 自吐出頭31吐出呈液柱狀連續之處理液。基板處理裝置1之構造亦可應用於具備僅設置有1個吐出口之吐出頭的基板處理裝置。

基板處理裝置1可用於除基板9之洗淨以外之各種處 理。又，基板處理裝置1除用於半導體基板以外，亦可用於液晶顯示裝置、電漿顯示器、場發射顯示器(FED，field emission display)等顯示裝置所使用之玻璃基板之處理。或者，基板處理裝置1亦可用於光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板及太陽電池用基板等之處理。

上述實施形態及各變形例中之構成可在不相互矛盾之範圍內適當組合。

已詳細地描寫並說明了發明，但已敍述之說明為例示性而非限定性者。因此，可謂能在不脫離本發明之範圍之情況下實現數種變形或態樣。

31‧‧‧吐出頭

41‧‧‧待機箱

43‧‧‧蓋部

44‧‧‧貯存槽

45‧‧‧浸漬液配管

49‧‧‧浸漬液

311‧‧‧吐出面

431‧‧‧第1開口

441‧‧‧上部開口

Claims (36)

1. 一種基板處理裝置，其為對基板進行處理者，其具備有：基板保持部，其對基板進行保持；護罩部，其將上述基板保持部之周圍加以包圍；吐出頭，其於上述護罩部之內側且配置在上述基板保持部之上方，並且自於吐出面所設置之吐出口而朝向上述基板吐出處理液；供給部移動機構，其將上述吐出頭自上述基板保持部之上方移動至上述護罩部之外側之待機位置；貯存槽，其配置在上述護罩部之外側，貯存有供位於上述待機位置之上述吐出頭之上述吐出面加以浸漬之浸漬液；及液體去除部，其自上述吐出面將上述浸漬液加以去除；在上述吐出面浸漬於上述浸漬液中之狀態下，自上述吐出口之上述處理液之吐出係以持續或者間斷之方式加以進行。
2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，藉由上述供給部移動機構，使上述吐出頭相對於上述貯存槽以相對之方式向接近之方向移動，將上述吐出頭之上述吐出面浸漬在上述貯存槽內之上述浸漬液中，藉由將上述浸漬液自上述貯存槽加以排出，或藉由利用上述供給部移動機構使上述吐出頭以相對之方式向遠離上述貯存槽之方向移動，而使上述吐出面離開上述浸漬液，且於上述吐出面離開上述浸漬液之後，藉由上述液體去除部將殘留於上述吐出面之浸漬液加以去除。
3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中， 上述液體去除部係為朝向上述吐出頭噴出氣體之氣體噴出部。
4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，上述液體去除部係在上述貯存槽內而朝向上述吐出頭噴出上述氣體。
5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，設置有覆蓋上述貯存槽之上方之蓋部，且於上述蓋部，設置有供上述吐出頭之下端部插入之插入口。
6. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，上述液體去除部係朝向遠離上述基板保持部之方向噴出上述氣體。
7. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，在上述吐出面浸漬於上述浸漬液中之狀態下，向上述貯存槽內之上述浸漬液之供給及自上述貯存槽之上述浸漬液之排出係以持續或者間斷之方式加以進行。
8. 如申請專利範圍第7項之基板處理裝置，其中，上述浸漬液係自上述貯存槽之底部加以供給，並自上述貯存槽之上部加以排出。
9. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，較上述吐出面離開上述浸漬液為更早之前，停止自上述吐出口之上述處理液之吐出。
10. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中，在上述吐出面浸漬於上述浸漬液中之狀態下，向上述貯存槽內之上述浸漬液之供給及自上述貯存槽之上述浸漬液之排出係以持續或者間斷之方式加以進行。
11. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中，上述浸漬液係自上述貯存槽之底部加以供給，並自上述貯存槽之上部加以排出。
12. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述液體去除部係為朝向上述吐出頭噴出氣體之氣體噴出部。
13. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，上述液體去除部係在上述貯存槽內而朝向上述吐出頭噴出上述氣體。
14. 如申請專利範圍第13項之基板處理裝置，其中，設置有覆蓋上述貯存槽之上方之蓋部，且於上述蓋部，設置有供上述吐出頭之下端部插入之插入口。
15. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，上述液體去除部係朝向遠離上述基板保持部之方向噴出上述氣體。
16. 如申請專利範圍第1至15項中任一項之基板處理裝置，其中，上述吐出頭係包括有：頭本體部，其於內部將上述處理液加以保持，並且外表面之一部分為上述吐出面；及壓電元件，其安裝於上述頭本體部，藉由對上述頭本體部內之上述處理液賦予振動而使上述處理液自上述吐出口吐出；且在上述吐出面浸漬於上述浸漬液中之狀態下，藉由驅動上述壓電元件而對上述貯存槽內之上述浸漬液賦予振動。
17. 如申請專利範圍第16項之基板處理裝置，其中，上述浸漬液係為與上述處理液為相同種類之液體。
18. 如申請專利範圍第16項之基板處理裝置，其中，上述吐出面係由對上述浸漬液之親和性高之親液性材料所形成。
19. 如申請專利範圍第16項之基板處理裝置，其中，藉由自上述吐出頭而朝向上述基板所吐出之上述處理液，進行上述基板之洗淨處理。
20. 一種基板處理裝置，其為對基板進行處理者，其具備有：基板保持部，其對基板進行保持；護罩部，其將上述基板保持部之周圍加以包圍；吐出頭，其於上述護罩部之內側且配置在上述基板保持部之上方，並且自於吐出面所設置之吐出口而朝向上述基板吐出處理液；供給部移動機構，其將上述吐出頭自上述基板保持部之上方移動至上述護罩部之外側之待機位置；貯存槽，其配置在上述護罩部之外側，貯存有供位於上述待機位置之上述吐出頭之上述吐出面加以浸漬之浸漬液；及液體去除部，其自上述吐出面將上述浸漬液加以去除；上述吐出頭係包括有：頭本體部，其於內部將上述處理液加以保持，並且外表面之一部分為上述吐出面；及壓電元件，其安裝於上述頭本體部，藉由對上述頭本體部內之上述處理液賦予振動而使上述處理液自上述吐出口吐出；且在上述吐出面浸漬於上述浸漬液中之狀態下，藉由驅動上述壓電元件而對上述貯存槽內之上述浸漬液賦予振動。
21. 如申請專利範圍第20項之基板處理裝置，其中，藉由上述供給部移動機構，使上述吐出頭相對於上述貯存槽以相對之方式向接近之方向移動，將上述吐出頭之上述吐出面浸漬在上述貯存槽內之上述浸漬液中，藉由將上述浸漬液自上述貯存槽加以排出，或藉由利用上述供給部移動機構使上述吐出頭以相對之方式向遠離上述貯存槽之方向移動，而使上述吐出面離開上述浸漬液，且於上述吐出面離開上述浸漬液之後，藉由上述液體去除部將殘留於上述吐出面之浸漬液加以去除。
22. 如申請專利範圍第21項之基板處理裝置，其中，上述液體去除部係為朝向上述吐出頭噴出氣體之氣體噴出部。
23. 如申請專利範圍第22項之基板處理裝置，其中，上述液體去除部係在上述貯存槽內而朝向上述吐出頭噴出上述氣體。
24. 如申請專利範圍第23項之基板處理裝置，其中，設置有覆蓋上述貯存槽之上方之蓋部，且於上述蓋部，設置有供上述吐出頭之下端部插入之插入口。
25. 如申請專利範圍第22項之基板處理裝置，其中，上述液體去除部係朝向遠離上述基板保持部之方向噴出上述氣體。
26. 如申請專利範圍第20項之基板處理裝置，其中，上述液體去除部係為朝向上述吐出頭噴出氣體之氣體噴出部。
27. 如申請專利範圍第26項之基板處理裝置，其中，上述液體去除部係在上述貯存槽內而朝向上述吐出頭噴出上述 氣體。
28. 如申請專利範圍第27項之基板處理裝置，其中，設置有覆蓋上述貯存槽之上方之蓋部，且於上述蓋部，設置有供上述吐出頭之下端部插入之插入口。
29. 如申請專利範圍第26項之基板處理裝置，其中，上述液體去除部係朝向遠離上述基板保持部之方向噴出上述氣體。
30. 如申請專利範圍第20項之基板處理裝置，其中，在上述吐出面浸漬於上述浸漬液中之狀態下，向上述貯存槽內之上述浸漬液之供給及自上述貯存槽之上述浸漬液之排出係以持續或者間斷之方式加以進行。
31. 如申請專利範圍第30項之基板處理裝置，其中，上述浸漬液係自上述貯存槽之底部加以供給，並自上述貯存槽之上部加以排出。
32. 如申請專利範圍第1至15及20至31項中任一項之基板處理裝置，其中，上述浸漬液係為與上述處理液為相同種類之液體。
33. 如申請專利範圍第1至15及20至31項中任一項之基板處理裝置，其中，上述吐出面係由對上述浸漬液之親和性高之親液性材料所形成。
34. 如申請專利範圍第1至15及20至31項中任一項之基板處理裝置，其中，藉由自上述吐出頭而朝向上述基板所吐出之上述處理液，進行 上述基板之洗淨處理。
35. 一種吐出頭待機方法，其為在具備有吐出頭之基板處理裝置中使上述吐出頭待機之方法，而該吐出頭係在藉由護罩部將周圍加以包圍之基板保持部之上方，且配置在上述護罩部之內側，並且自於吐出面所設置之吐出口而朝向由上述基板保持部所保持之基板吐出處理液，上述吐出頭待機方法係具備有：a)將上述吐出頭自上述護罩部之內側移動至上述護罩部之外側之步驟；b)使上述吐出頭相對於貯存有浸漬液之貯存槽以相對之方式向接近之方向移動，並將上述吐出頭之上述吐出面浸漬於上述浸漬液中之步驟；c)藉由自上述貯存槽將上述浸漬液加以排出，或者藉由使上述吐出頭以相對之方式向遠離上述貯存槽之方向移動，而使上述吐出面離開上述浸漬液之步驟；d)將殘留於上述吐出面之浸漬液加以去除之步驟；及e)將上述吐出頭朝向上述護罩部之內側進行移動之步驟；於上述b)步驟與上述c)步驟之間，在上述吐出面浸漬於上述浸漬液中之狀態下，自上述吐出口之上述處理液之吐出係以持續或者間斷之方式加以進行。
36. 一種吐出頭待機方法，其為在具備有吐出頭之基板處理裝置中使上述吐出頭待機之方法，而該吐出頭係在藉由護罩部將周圍加以包圍之基板保持部之上方，且配置在上述護罩部之內側，並且自於吐出面所設置之吐出口而朝向由上述基板保持部所保持之基板吐出處理液，上述吐出頭待機方法係具備有： a)將上述吐出頭自上述護罩部之內側移動至上述護罩部之外側之步驟；b)使上述吐出頭相對於貯存有浸漬液之貯存槽以相對之方式向接近之方向移動，並將上述吐出頭之上述吐出面浸漬於上述浸漬液中之步驟；c)藉由自上述貯存槽將上述浸漬液加以排出，或者藉由使上述吐出頭以相對之方式向遠離上述貯存槽之方向移動，而使上述吐出面離開上述浸漬液之步驟；d)將殘留於上述吐出面之浸漬液加以去除之步驟；及e)將上述吐出頭朝向上述護罩部之內側進行移動之步驟；上述吐出頭係包括有：頭本體部，其於內部將上述處理液加以保持，並且外表面之一部分為上述吐出面；及壓電元件，其安裝於上述頭本體部，藉由對上述頭本體部內之上述處理液賦予振動而使上述處理液自上述吐出口吐出；且於上述b)步驟與上述c)步驟之間，在上述吐出面浸漬於上述浸漬液中之狀態下，藉由驅動上述壓電元件而對上述貯存槽內之上述浸漬液賦予振動。