JP7267088B2 - タンク、基板処理装置、及びタンクの使用方法 - Google Patents

Description

本開示は、タンク、基板処理装置、及びタンクの使用方法に関する。

特許文献１には、被処理体を回転して処理するレジスト処理装置が開示されている。このレジスト処理装置は、処理に用いるレジスト又は現像液を被処理体の被処理面に供給する手段と、処理に用いるレジスト又は現像液の収納容器（タンク）の残量を検出する手段とを備えている。

特開平１－２２０８２７号公報

レジスト又は現像液等の処理液として、発泡しやすい性質を有する薬液が用いられる場合がある。本開示は、被処理体である基板に対して泡が含まれる処理液が供給されることを防ぐことが可能なタンク、基板処理装置、及びタンクの使用方法を提供する。

本開示の一側面に係るタンクは、上壁、側壁、及び底壁を有し、内部に処理液を収容する容器部と、容器部内に収容されている処理液の液面よりも高い位置に設けられた液吐出口を有し、処理液を容器部内に吐出可能な液吐出路と、液面よりも高い位置に設けられたガス吐出口を有し、ガスを容器部内に吐出可能なガス吐出路と、を備える。液吐出路は、側壁の内面のうち液面よりも上方に処理液を当てるように、液吐出口から処理液を吐出可能とされている。ガス吐出路は、容器部の内面のうち液面よりも上方にガスを当てるように、ガス吐出口からガスを吐出可能とされている。

本開示によれば、基板に対して泡が含まれる処理液が供給されることを防ぐことが可能なタンク、基板処理装置、及びタンクの使用方法が提供される。

図１は、基板処理システムの概略構成を例示する模式図である。 図２は、塗布現像装置の内部構成を例示する模式図である。 図３は、塗布ユニットの構成を例示する模式図である。 図４は、液供給部の構成を例示する模式図である。 図５は、タンクの概略構成の一例を模式的に示す斜視図である。 図６（ａ）は、側方から見た場合のタンクの断面構成を例示する模式図である。図６（ｂ）は、上方から見た場合のタンクの断面構成を例示する模式図である。 図７は、液供給部での各種動作の一例を示すタイミングチャートである。 図８は、タンク内への補充手順の一例を示すフローチャートである。 図９は、タンクの使用方法の一例を説明するための模式図である。 図１０（ａ）～図１０（ｄ）は、タンク内の処理液の使用手順の一例を説明するための図である。 図１１は、タンク内の処理液の使用手順の一例を示すフローチャートである。 図１２は、変形例に係るタンクの構成を例示する模式図である。 図１３（ａ）は、側方から見た場合のタンクの断面構成を例示する模式図である。図１３（ｂ）は、上方から見た場合のタンクの断面構成を例示する模式図である。

以下、種々の例示的実施形態について説明する。

本開示の一側面に係るタンクは、上壁、側壁、及び底壁を有し、内部に処理液を収容する容器部と、容器部内に収容されている処理液の液面よりも高い位置に設けられた液吐出口を有し、処理液を容器部内に吐出可能な液吐出路と、液面よりも高い位置に設けられたガス吐出口を有し、ガスを容器部内に吐出可能なガス吐出路と、を備える。液吐出路は、側壁の内面のうち液面よりも上方に処理液を当てるように、液吐出口から処理液を吐出可能とされている。ガス吐出路は、容器部の内面のうち液面よりも上方にガスを当てるように、ガス吐出口からガスを吐出可能とされている。

このタンクでは、容器部の側壁の内面のうち液面よりも上方に液吐出口から吐出される処理液が当たる。また、容器部のうち液面よりも上方にガス吐出口から吐出されるガスが当たる。このため、吐出される処理液及びガスが、既に容器部内に収容されている処理液の液面に直接当たらずに、容器部内に供給される。その結果、液面に処理液及びガスが直接当たることによる処理液の発泡が抑制されるので、基板に対して泡が含まれる処理液が供給されることを防ぐことが可能となる。

液吐出路のうち液吐出口を含む端部の延在方向は、鉛直方向に対して傾いていてもよい。この場合、鉛直方向に沿って下向きに処理液が吐出される場合と比べて、処理液の流速のうち鉛直方向に沿う成分が減少する。このため、液吐出路から供給される処理液が既に容器内に収容されている処理液に当たるときに、鉛直方向下向きに働く力を小さくすることができるため、処理液の吐出に起因する処理液の発泡がより確実に抑制される。

鉛直方向に交差する平面において、側壁の内面の断面は円形状であってもよい。鉛直方向から見て、液吐出路のうち液吐出口を含む端部の延在方向に延びる仮想線、及びガス吐出路のうちガス吐出口を含む端部の延在方向に延びる仮想線の双方は、側壁の内面と直交していなくてもよい。この場合、液吐出口から吐出される処理液及びガス吐出口から吐出されるガスは、側壁の内面に沿って流れる。このため、吐出される処理液及びガスが、容器部内に収容されている処理液の液面に直接当たることがより確実に防がれる。その結果、液面に処理液及びガスが直接当たることによる処理液の発泡がより確実に抑制される。

鉛直方向から見て、液吐出口とガス吐出口とは、容器部内の中心を挟んで互いに対向していてもよい。この場合、液吐出口から吐出された処理液が、ガス吐出口を含むガス吐出路に当たらずに容器部内に供給される。その結果、液吐出口から吐出される処理液が、容器部内の処理液に達するまでに他の部材に当たることに起因した処理液の発泡を防ぐことが可能となる。

タンクは、液面の高さが所定位置に達したことをそれぞれ検出するための複数の液面検出部を更に備えてもよい。複数の液面検出部それぞれが検出する所定位置は、液吐出口、ガス吐出口、液吐出口から吐出される処理液が側壁に当たる位置、及びガス吐出口から吐出されるガスが容器部に当たる位置よりも低くてもよい。この場合、例えば、最も高い所定位置まで処理液が収容されるように設定されることで、容器部内に吐出されるガス及び処理液が液面に直接当たることをより確実に防ぐことが可能となる。

側壁の内面のうちの液吐出口よりも下方に位置する少なくとも一部は、処理液が側壁の内面を伝わって流れるように鉛直方向に対して傾斜していてもよい。この場合、側壁の内面を伝わって流れる処理液が液面に達した際に、処理液の流速の鉛直下向き成分が小さくなる。その結果、側壁を伝わって流れる処理液が液面に当たることに起因した処理液の発泡を抑えることが可能となる。

液吐出路は、液吐出口を含む吐出部と、吐出部まで処理液を送る送出部とを有してもよい。吐出部の流路断面積は、送出部の流路断面積よりも大きくてもよい。この構成では、処理液がタンク内に吐出された直後において、処理液に加わる圧力が開放されることに起因した液の挙動の暴れを防止することが可能となる。

本開示の別の側面に係る基板処理装置は、基板処理に用いられる処理液を一時的に貯留するタンクを有する液供給部と、液供給部から供給される処理液を処理対象の基板に向けて吐出するノズルと、を備える。タンクは、上壁、側壁、及び底壁を有し、内部に処理液を収容する容器部と、容器部内に収容されている処理液の液面よりも高い位置に設けられた液吐出口を有し、処理液を容器部内に吐出可能な液吐出路と、液面よりも高い位置に設けられたガス吐出口を有し、ガスを容器部内に吐出可能なガス吐出路と、を含む。液吐出路は、側壁の内面のうち液面よりも上方に処理液を当てるように、液吐出口から処理液を吐出可能とされている。ガス吐出路は、容器部の内面のうち液面よりも上方にガスを当てるように、ガス吐出口からガスを吐出可能とされている。この場合、上述と同様に、液面に処理液及びガスが直接当たることによる処理液の発泡が抑制される。その結果、基板に対して泡が含まれる処理液が供給されることを防ぐことが可能となる。

基板処理装置は、液供給部を制御する制御装置を更に備えてもよい。液供給部は、ガス吐出路を介してガスをタンクに供給するガス送出管と、ガス送出管に設けられ、容器部内におけるガスによる圧力を調節する圧力調節部とを更に有してもよい。制御装置は、圧力が開放された状態から容器部内を加圧する際に、容器部内の圧力が徐々に上昇するように圧力調節部を制御してもよい。この場合、タンク内に収容されている処理液に対して段階的に圧力が加わっていくので、圧力を加える際の処理液の発泡を防ぐことが可能となる。

本開示のさらに別の側面に係るタンクの使用方法は、上壁、側壁、及び底壁を有し、内部に処理液を収容する容器部と、容器部内に収容されている処理液の液面よりも高い位置に設けられた液吐出口を有し、処理液を容器部内に吐出可能な液吐出路と、液面よりも高い位置に設けられたガス吐出口を有し、ガスを容器部内に吐出可能なガス吐出路と、を備えるタンクの使用方法である。このタンクの使用方法は、側壁の内面のうち液面よりも上方に処理液を当てるように、液吐出口から処理液を吐出することと、容器部の内面のうち液面よりも上方にガスを当てるように、ガス吐出口からガスを吐出することと、を含む。この場合、上述と同様に、液面に処理液及びガスが直接当たることによる処理液の発泡が抑制される。その結果、基板に対して泡が含まれる処理液が供給されることを防ぐことが可能となる。

本開示のさらに別の側面に係るタンクの使用方法は、上壁、側壁、及び底壁を有し、内部に処理液を収容する容器部と、容器部内に収容されている処理液の液面よりも高い位置に設けられた液吐出口を有し、処理液を容器部内に吐出可能な液吐出路と、液面よりも高い位置に設けられたガス吐出口を有し、ガスを容器部内に吐出可能なガス吐出路と、容器部内のガスを排出する排出部と、を備えるタンクの使用方法である。このタンクの使用方法は、排出部から容器部内のガスを排出しつつ、側壁の内面のうち液面よりも上方にガスを当てるように、ガス吐出口からガスを吐出すること、を含む。例えば、容器部内の処理液が減少した際に、側壁の内面に泡が残っていた場合であっても、容器部内にてガス吐出による気流が発生して、側壁内面に残った泡が除去され得る。すなわち、タンク内の消泡を行うことが可能となる。

以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

［基板処理システム］
図１に示される基板処理システム１は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハＷである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、ウェハＷ（基板）上に形成されたレジスト膜（感光性被膜）の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウェハＷ（基板）の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。

［基板処理装置］
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１及び図２に示されるように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、制御装置１００とを備える。

キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのウェハＷの導入及び塗布・現像装置２内からのウェハＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ウェハＷ用の複数のキャリアＣを支持可能であり、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のウェハＷを収容する。搬送装置Ａ１は、キャリアＣからウェハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウェハＷを受け取ってキャリアＣ内に戻す。

処理ブロック５は、複数の処理モジュール１１，１２，１３，１４を有する。処理モジュール１１，１２，１３は、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームを含む搬送装置Ａ３とを内蔵している。

処理モジュール１１は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりウェハＷの表面上に下層膜を形成する。処理モジュール１１の塗布ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をウェハＷ上に塗布する。処理モジュール１１の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１２は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。処理モジュール１２の塗布ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液を下層膜の上に塗布する。処理モジュール１２の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１３は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。処理モジュール１３の塗布ユニットＵ１は、上層膜形成用の液体をレジスト膜の上に塗布する。処理モジュール１３の熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１４は、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１４は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。塗布ユニットＵ１は、露光済みのウェハＷの表面上に現像液を塗布する。また、現像液の塗布処理の次に、塗布ユニットＵ１は、薬液（処理液）を塗布した後に、塗布された現像液をリンス液により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Ｐｏｓｔ Ｂａｋｅ）等が挙げられる。

処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームを含む搬送装置Ａ７が設けられている。搬送装置Ａ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウェハＷを昇降させる。

処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。

インタフェースブロック６は、露光装置３との間でウェハＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。搬送装置Ａ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたウェハＷを露光装置３に渡す。搬送装置Ａ８は、露光装置３からウェハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。

制御装置１００は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。まず制御装置１００は、キャリアＣ内のウェハＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように搬送装置Ａ１を制御し、このウェハＷを処理モジュール１１用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１１内の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このウェハＷの表面上に下層膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、下層膜が形成されたウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１２用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１２内の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このウェハＷの下層膜上にレジスト膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１３内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このウェハＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。

次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを露光装置３に送り出すように搬送装置Ａ８を制御する。その後制御装置１００は、露光処理が施されたウェハＷを露光装置３から受け入れて、棚ユニットＵ１１における処理モジュール１４用のセルに配置するように搬送装置Ａ８を制御する。

次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを処理モジュール１４内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜に、現像液、薬液、及びリンス液の塗布処理を含む現像処理を施すように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このウェハＷをキャリアＣ内に戻すように搬送装置Ａ７及び搬送装置Ａ１を制御する。以上で塗布・現像処理が完了する。

なお、基板処理装置の具体的な構成は、以上に例示した塗布・現像装置２の構成に限られない。基板処理装置は、薬液等の処理液を塗布することが可能な塗布ユニット及び処理液の供給部と、これらを制御可能な制御装置とを備えていればどのようなものであってもよい。

（塗布ユニット）
続いて、図３を参照して、処理モジュール１４における複数の塗布ユニットＵ１のそれぞれの構成の一例を説明する。図３に示される塗布ユニットＵ１は、処理液をウェハＷの表面Ｗａに塗布するように構成されている。この塗布ユニットＵ１は、回転保持部２１と、ノズル２２とを備える。

回転保持部２１は、制御装置１００の動作指示に基づき、ウェハＷを保持して回転させる。回転保持部２１は、保持部２３と、駆動部２４とを備える。保持部２３は、表面Ｗａを上方に向けて水平に配置されたウェハＷの中心部を支持し、当該ウェハＷを吸着（例えば真空吸着）等により保持する。駆動部２４は、例えば電動モータ等を動力源とした回転アクチュエータであり、鉛直な回転軸周りに保持部２３を回転させる。これにより、鉛直な回転軸周りにウェハＷが回転する。

ノズル２２は、ウェハＷの表面Ｗａに処理液を吐出（供給）する。ノズル２２は、ウェハＷの上方に配置され、処理液を下方に吐出する。各塗布ユニットＵ１は、ノズル２２を移動させるノズル移動機構（不図示）を備えていてもよい。ノズル移動機構は、例えば電動モータ等を動力源として、回転軸を通る水平な直線に沿ってノズル２２を移動させる。

（液供給部）
処理モジュール１４は、複数の塗布ユニットＵ１それぞれのノズル２２に処理液を供給する液供給部３０を備える。図４には、一例として３個の塗布ユニットＵ１それぞれのノズル２２（ノズル２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ）に処理液を供給する液供給部３０が模式的に示されている。液供給部３０により供給される処理液としては、現像液の塗布後でありリンス液の塗布前に用いられる薬液が挙げられる。液供給部３０により供給される薬液は、界面活性剤を含んでいてもよいし、水溶性ポリマーを含んでいてもよい。水溶性ポリマーとしては、例えば親水性基を含むビニルモノマーの単独重合体若しくは多元共重合体又は親水性基を有する重縮合体等が挙げられる。液供給部３０により供給される薬液は、発泡性（発泡しやすい性質）を有していてもよい。例えば、液供給部３０により供給される薬液は、現像液及びリンス液の少なくとも一方よりも発泡しやすい性質を有していてもよい。

液供給部３０は、圧送部３２と、送液管路４０とを備える。圧送部３２は、圧力を加えることで処理液を送液管路４０に送出する。送液管路４０は、圧送部３２の下流に設けられており、圧送部３２から送出される処理液をノズル２２に導く。例えば、圧送部３２は、加圧部５０と、複数（ここでは２つ）の送液部６０Ａ，６０Ｂと、液補給部７０とを備える。

加圧部５０は、タンク６１Ａ，６１Ｂ（後述する）内の処理液をノズル２２に向けて加圧する。加圧部５０は、加圧源ＧＳと、加圧管５３，５４Ａ，５４Ｂ（ガス送出管）と、調圧バルブ５２と、バルブ５５Ａ，５５Ｂとを備える。加圧源ＧＳは、加圧管５３，５４Ａ，５４Ｂを介してタンク６１Ａ，６１Ｂにガス（例えば、不活性ガス）を供給可能である。不活性ガスとしては、例えば窒素ガスが挙げられる。加圧管５３の一端は加圧源ＧＳに接続されており、加圧管５３の他端は加圧管５４Ａ，５４Ｂに分岐されている。加圧管５４Ａ，５４Ｂは、それぞれタンク６１Ａ，６１Ｂに接続されている。

調圧バルブ５２は、加圧管５３に設けられている。調圧バルブ５２は、例えば電子バルブであり、制御装置１００の指示に基づいて動作する。調圧バルブ５２は、加圧源ＧＳからタンク６１Ａ，６１Ｂ内へのガスの流量を調節することで、タンク６１Ａ，６１Ｂ内の圧力を調節する。

バルブ５５Ａ，５５Ｂは、加圧管５４Ａ，５４Ｂにそれぞれ設けられている。バルブ５５Ａ，５５Ｂは、例えばエアオペレーションバルブである。バルブ５５Ａ，５５Ｂは、制御装置１００の動作指示に応じて、加圧管５４Ａ，５４Ｂ内の流路を開閉する。バルブ５５Ａ，５５Ｂを閉じることにより、加圧部５０による圧力を遮断することが可能である。

送液部６０Ａ，６０Ｂは、後述の液補給部７０から送液される処理液を一時的に貯留し、加圧された状態の処理液をノズル２２に向けて送出する。送液部６０Ａ及び送液部６０Ｂは、略同一に構成されている。送液部６０Ａ，６０Ｂのうちの送液部６０Ａは、タンク６１Ａと、バルブ６３Ａと、脱気管６６Ａとを備える。

タンク６１Ａは、処理液を一時的に貯留する機能を有する。タンク６１Ａの上部は、加圧管５３，５４Ａを介して調圧バルブ５２に接続されている。これにより、加圧部５０によって、タンク６１Ａ内を加圧することが可能となっている。また、タンク６１Ａの上部は、脱気管６６Ａに接続されている。脱気管６６Ａの端部はタンク６１Ａ外に開放されている。タンク６１Ａの具体例は、後述する。なお、タンク６１Ａは、「リザーバ」又は「リザーバタンク」とも称される。

バルブ６３Ａは、脱気管６６Ａに設けられている。バルブ６３Ａは、例えばエアオペレーションバルブである。バルブ６３Ａは、制御装置１００の動作指示に応じて、脱気管６６Ａ内の流路を開閉する。バルブ６３Ａを開くことにより、タンク６１Ａ内の圧力をタンク６１Ａ外に開放すること（タンク内のガスを排出すること）が可能である。脱気管６６Ａに設けられたバルブ６３Ａを閉じた状態で、バルブ５５Ａを開くことにより、加圧部５０によりタンク６１Ａ内が加圧される。この際、タンク６１Ａ内の圧力が、調圧バルブ５２により調節される。一例として、タンク６１Ａ内の圧力は、数百ｋＰａ（例えば１００ｋＰａ～３００ｋＰａ）に調節されてもよい。タンク６１Ａ内の圧力は、接続される塗布ユニットＵ１の数に応じて調整されてもよい。

送液部６０Ｂは、タンク６１Ｂと、バルブ６３Ｂと、脱気管６６Ｂとを備える。送液部６０Ｂは、送液部６０Ａと同様に構成されているので、詳細な説明を省略する。

液補給部７０は、送液部６０Ａ，６０Ｂに含まれるタンク６１Ａ，６１Ｂに対して処理液を補給する。液補給部７０は、キャニスタタンク７１と、補給管７５と、複数（ここでは２つ）のバルブ７８Ａ，７８Ｂとを備える。加圧部５０は、キャニスタタンク７１内を加圧する機能も有する。キャニスタタンク７１内を加圧することを目的として、加圧部５０は、加圧源ＧＳに接続されている加圧管５８と、加圧管５８に設けられている調圧バルブ５６及びバルブ５７と、をさらに備える。

キャニスタタンク７１は、補給用の処理液を収容する。キャニスタタンク７１の容量は、タンク６１Ａ，６１Ｂの容量よりも大きくてもよい。キャニスタタンク７１の上部は、加圧管５８を介して加圧源ＧＳに接続されている。キャニスタタンク７１は、キャニスタタンク７１内に収容されている処理液が、加圧源ＧＳからのガスにより間接的に加圧されるように構成されていてもよい。キャニスタタンク７１内の処理液は、加圧源ＧＳからの圧力により補給管７５を経てタンク６１Ａ，６１Ｂにそれぞれ圧送される。補給管７５は、キャニスタタンク７１内の底部近傍からキャニスタタンク７１の外に延びた第一部分７６と、第一部分７６から分岐して送液部６０Ａ，６０Ｂ（タンク６１Ａ，６１Ｂ）にそれぞれ接続される第二部分７７Ａ，７７Ｂとを備える。

調圧バルブ５６は、加圧源ＧＳからキャニスタタンク７１へのガスの流量を調節することで、キャニスタタンク７１内の圧力を調節する。キャニスタタンク７１内の加圧時の圧力は、タンク６１Ａ，６１Ｂ内の圧力よりも小さくてもよい。一例として、キャニスタタンク７１内の圧力は、数十ｋＰａ（例えば３０ｋＰａ～５０ｋＰａ）に調節されてもよい。バルブ５７を開くことで、キャニスタタンク７１内が加圧される。

バルブ７８Ａ，７８Ｂは、補給管７５の第二部分７７Ａ，７７Ｂにそれぞれ設けられている。バルブ７８Ａは、制御装置１００の動作指示に応じて、第二部分７７Ａ内の流路を開閉する。バルブ７８Ｂは、バルブ７８Ａと同様の構成及び機能を有する。バルブ７８Ａ，７８Ｂの双方を閉じることにより、キャニスタタンク７１からの処理液の送出を遮断することが可能である。キャニスタタンク７１内が加圧され、バルブ７８Ｂを閉じた状態でバルブ７８Ａを開くことで、キャニスタタンク７１からタンク６１Ａに処理液が補充（補給）される。また、キャニスタタンク７１内が加圧され、バルブ７８Ａを閉じた状態でバルブ７８Ｂを開くことで、キャニスタタンク７１からタンク６１Ｂに処理液が補充（補給）される。

送液管路４０は、圧送部３２から送られる処理液をノズル２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃそれぞれに導く。送液管路４０は、送液管４３と、複数（ここでは２つ）のバルブ４２Ａ，４２Ｂと、脱気モジュール４４と、フィルタ４５と、複数（ここでは３つ）の調圧バルブ４６Ａ～４６Ｃと、複数（ここでは３つ）のバルブ４７Ａ～４７Ｃとを備える。

送液管４３は、送液部６０Ａのタンク６１Ａからノズル２２Ａ～２２Ｃに処理液を導く。また、送液管４３は、送液部６０Ｂのタンク６１Ｂからノズル２２Ａ～２２Ｃに処理液を導く。送液管４３は、タンク６１Ａ，６１Ｂの下部にそれぞれ接続される複数の第一部分４３ａ，４３ｂと、第一部分４３ａ，４３ｂが互いに合流して接続される第二部分４３ｃとを含む。また、送液管４３は、第二部分４３ｃからノズル２２Ａ～２２Ｃに向けてそれぞれ分岐する複数の第三部分４３ｄ～４３ｆを含む。

バルブ４２Ａ，４２Ｂは、送液部６０Ａ，６０Ｂ（タンク６１Ａ，６１Ｂ）にそれぞれ対応している。バルブ４２Ａは、送液管４３の第一部分４３ａに設けられている。バルブ４２Ａは、制御装置１００の動作指示に応じて、第一部分４３ａ内の流路を開閉する。バルブ４２Ｂは、第一部分４３ｂに設けられており、バルブ４２Ｂと同様の構成及び機能を有する。バルブ４２Ａ，４２Ｂの双方を閉じることにより、タンク６１Ａ，６１Ｂの双方からの処理液の送出を遮断することが可能である。バルブ４２Ｂを閉じた状態でバルブ４２Ａを開くことで、タンク６１Ａからノズル２２に向けて処理液が導かれる。バルブ４２Ａを閉じた状態でバルブ４２Ｂを開くことで、タンク６１Ｂからノズル２２に向けて処理液が導かれる。

脱気モジュール４４は、送液管４３の第二部分４３ｃに設けられている。脱気モジュール４４は、第二部分４３ｃ内を流れる処理液に含まれる気泡を取り除く。換言すると、脱気モジュール４４は、処理液内に溶存しているガスを取り除く。脱気モジュール４４は、分離膜を用いて気泡を取り除いてもよく、この分離膜として中空糸膜を含んでいてもよい。この中空糸膜の外側は、真空ポンプ等により減圧されていてもよい。なお、気泡を除去するための構成は上記に限定されない。

フィルタ４５は、送液管４３の第二部分４３ｃにおいて、脱気モジュール４４の下流（ノズル２２に近い側）に設けられている。フィルタ４５は、第二部分４３ｃ内を流れる処理液に含まれるダストを捕集する。フィルタ４５は、加圧濾過方式により処理液内のダストを捕集するように構成されていてもよい。

調圧バルブ４６Ａ，４６Ｂ，４６Ｃは、送液管４３の第三部分４３ｄ，４３ｅ，４３ｆにそれぞれ設けられている。調圧バルブ４６Ａは、ノズル２２Ａから吐出される処理液にかかる圧力を調節する。調圧バルブ４６Ａは、制御装置１００の動作指示に基づいて動作する。調圧バルブ４６Ａは、タンク６１Ａ，６１Ｂのいずれか一方からノズル２２Ａへ導かれる処理液の流量を調節し、処理液にかかる圧力（ノズルからの単位時間当たりの吐出量）を調節する。調圧バルブ４６Ｂ，４６Ｃは、調圧バルブ４６Ａと同様の構成及び機能を有する。

バルブ４７Ａ，４７Ｂ，４７Ｃは、送液管４３の第三部分４３ｄ，４３ｅ，４３ｆにそれぞれ設けられている。バルブ４７Ａは、制御装置１００の動作指示に応じて、第三部分４３ｄ内の流路を開閉する。バルブ４７Ｂ，４７Ｃは、バルブ４７Ａと同様の構成及び機能を有する。バルブ４７Ａ，４７Ｂ，４７Ｃの全てを閉じることにより、ノズル２２Ａ～２２Ｃのいずれからも処理液が吐出されない状態とされる。また、バルブ４７Ａ，４７Ｂ，４７Ｃのいずれかのバルブを開くことにより、当該バルブに応じたノズル２２から処理液がウェハＷに向けて吐出される。

上述のように構成された液供給部３０では、圧送部３２の加圧部５０による加圧によって、キャニスタタンク７１からタンク６１Ａ，６１Ｂの少なくとも一方に処理液が補充される。タンク６１Ａ，６１Ｂでは、補充された処理液が一時的に貯留されつつ、加圧部５０によりタンク内が加圧される。そして、タンク６１Ａ，６１Ｂのいずれかの一方から、当該タンク内で加圧された処理液が送液管路４０を経てノズル２２に向けて供給される。

（タンク）
続いて、図５、図６（ａ）及び図６（ｂ）を参照して、タンク６１Ａ，６１Ｂの構成の一例について説明する。図５には、タンク６１Ａ（タンク６１Ｂ）の模式的な斜視図が示されている。タンク６１Ａは、容器部８１と、液吐出路８５と、ガス吐出路８６と、脱気路８７と、液送出路８８と、複数（ここでは３つ）の液面センサ８９Ｘ，８９Ｙ，８９Ｚとを備える。タンク６１Ａ，６１Ｂは略同一の構成を有しているので、まず、タンク６１Ａについて説明する。

容器部８１は、内部空間Ｓを有しており、内部空間Ｓに処理液を収容する。処理液が収容されている容器部８１の内部空間Ｓ（容器部８１内）には、更にガスが収容される。容器部８１及び内部空間Ｓは、その長手方向が鉛直方向（図５の紙面において上下）に延在している。容器部８１及び内部空間Ｓは、例えば円柱状を呈していてもよい。容器部８１は、内部空間Ｓを形成する上壁８２、側壁８３、及び底壁８４を含む。

内部空間Ｓを形成する側壁８３は、鉛直方向に沿って延びている。側壁８３の内面は、内部空間Ｓの側面を形成する。図５に示す例では、側壁８３は、鉛直方向に直交する方向（水平方向）において、内面の断面形状が円形となるように形成されている。換言すると、側壁８３は円筒状に形成されている。

上壁８２は、水平方向に沿って延びている。上壁８２は、側壁８３の上部に側壁８３から連続して設けられており、側壁８３の上端を覆っている。すなわち、上壁８２の内面は、内部空間Ｓの上面を形成する。上壁８２は、例えば、平板状に形成されている。図５に示す例では、鉛直方向から見て、上壁８２の形状は略正方形であり、側方から見て上壁８２の形状は台形である。鉛直方向から見て、上壁８２の外縁は、側壁８３の外縁を囲っていてもよい。上壁８２の一側面である側面８２ａは、下方に向かうにつれて対向する側面との幅が広がるように傾斜している。側面８２ａ以外の側面は、鉛直方向に沿って延びている。

底壁８４は、水平方向に沿って延びている。底壁８４は、側壁８３の下部に側壁８３から連続して設けられており、側壁８３の下端を塞ぐように設けられている。すなわち、底壁８４の内面は、内部空間Ｓの下面を形成する。底壁８４は、平板状に形成されている。図５に示す例では、鉛直方向から見て、底壁８４の形状は円形である。鉛直方向から見て、底壁８４の外縁は、側壁８３の外縁と略一致する。

液吐出路８５は、処理液を容器部８１まで導く。液吐出路８５は、容器部８１内（内部空間Ｓ）に処理液を吐出可能な構成とされている。液吐出路８５は、容器部８１の上部に設けられている。詳細は後述するが、容器部８１内に上方から下方に向けて所定の角度傾いた方向にて、液吐出路８５から処理液が吐出される。液吐出路８５の一端（容器部８１外に設けられる端部）は、液補給部７０に含まれる補給管７５の第二部分７７Ａに接続される（図４参照）。換言すると、液補給部７０は、液吐出路８５を介して容器部８１内に処理液を補充する。

図６（ａ）及び図６（ｂ）に示されるように、液吐出路８５の他端（上述の一端とは逆側の端部）は、容器部８１内に位置している。液吐出路８５は、外部吐出路８５ａと、内部吐出路８５ｂと、液吐出口８５ｃとを含んでいる。なお、図６（ａ）には、図５に示すタンク６１Ａにおいて、液吐出路８５（の中心）を含む平面の断面図が模式的に示されている。なお、図６（ａ）に示されるタンク６１Ａの上壁８２の形状は図５に示す上壁８２の形状と相違している。図６（ｂ）には、図５に示す例において、上壁８２を除いた状態のタンク６１Ａの水平方向における断面が模式的に示されている。

外部吐出路８５ａは、容器部８１の外部に設けられている。外部吐出路８５ａは、処理液を内部空間Ｓに向けて導くための管状の部材内に形成された流路である。図５に示す例では、外部吐出路８５ａの一端は、上壁８２の側面８２ａに位置している。外部吐出路８５ａを形成する管状部材の大部分は、鉛直方向に沿って延びている。

図６（ａ）に示されるように、内部吐出路８５ｂは、容器部８１の内部に設けられている。内部吐出路８５ｂは、処理液を内部空間Ｓに向けて導く流路であって、外部吐出路８５ａと連通している。内部吐出路８５ｂは、例えば、鉛直方向から傾いた方向に（側面８２ａから上壁８２の下面まで）上壁８２を貫通することで形成される流路であってもよい。内部吐出路８５ｂは、例えば、上壁８２（側面８２ａ）を貫通しつつ、鉛直方向から傾いた方向に延びる管状の部材内に形成される流路であってもよい。内部吐出路８５ｂの一端は、側面８２ａにおいて外部吐出路８５ａの一端と接続されている。内部吐出路８５ｂの他端には、液吐出口８５ｃが設けられている。

液吐出口８５ｃは、液吐出路８５の内部吐出路８５ｂのうち、内部空間Ｓに向けて開口する部分である。すなわち、液吐出路８５（外部吐出路８５ａ及び内部吐出路８５ｂ）内を導かれた処理液は、液吐出口８５ｃから内部空間Ｓに吐出される。液吐出口８５ｃは、例えば上壁８２を貫通することで形成された内部吐出路８５ｂの上壁８２の下面部分に位置する開口であってもよく、内部吐出路８５ｂを形成する管状部材の端部における開口であってもよい。液吐出口８５ｃは、内部空間Ｓに位置している。液吐出口８５ｃを含む内部吐出路８５ｂの端部が延びる方向は、水平方向に対して１０°～４０°程度（一例として２０°）傾いている。なお、液吐出口８５ｃを含む内部吐出路８５ｂの端部とは、液吐出路８５（内部吐出路８５ｂ）のうちの、液吐出口８５ｃから吐出される処理液の吐出方向を規定できる程度の長さを有する部分である。

ガス吐出路８６は、処理液に代えてガスを導く点を除き液吐出路８５と同様に構成されている。すなわち、ガス吐出路８６は、容器部８１までガスを導き、容器部８１内（内部空間Ｓ）に向けてガスを吐出可能な構成とされている。ガス吐出路８６は、容器部８１の上部に設けられている。容器部８１内に上方から下方に向けて所定の角度傾いた方向にて、ガス吐出路８６からガスが吐出される。ガス吐出路８６の一端は、加圧管５４Ａに接続される（図４参照）。換言すると、加圧部５０は、ガス吐出路８６を介して容器部８１内にガスを送出する（容器部８１内を加圧する）。ガス吐出路８６の他端は、容器部８１内に位置している（図６（ａ）及び図６（ｂ）参照）。ガス吐出路８６は、外部吐出路８６ａと、内部吐出路８６ｂと、ガス吐出口８６ｃとを含んでいる。

外部吐出路８６ａは、容器部８１の外部に設けられている。外部吐出路８６ａは、内部空間Ｓに向けてガスを導く管状の部材内に形成された流路である。図５に示す例では、外部吐出路８６ａの一端は、上壁８２の側面８２ａに位置している。外部吐出路８６ａを形成する管状部材の大部分は、鉛直方向に沿って延びている。

内部吐出路８６ｂは、容器部８１の内部に設けられている。内部吐出路８６ｂは、ガスを内部空間Ｓに向けて導く流路であって、外部吐出路８６ａと連通している。内部吐出路８６ｂは、例えば、鉛直方向から傾いた方向に沿って（側面８２ａから上壁８２の下面まで）上壁８２を貫通することで形成される流路であってもよい。内部吐出路８６ｂは、例えば、上壁８２（側面８２ａ）を貫通しつつ、鉛直方向から傾いた方向に延びる管状の部材内に形成された流路であってもよい。内部吐出路８６ｂの一端は、側面８２ａにおいて外部吐出路８６ａの一端と接続されている。内部吐出路８６ｂの他端には、ガス吐出口８６ｃが設けられている。

ガス吐出口８６ｃは、ガス吐出路８６の内部吐出路８６ｂのうち内部空間Ｓに向けて開口する部分である。すなわち、ガス吐出路８６（外部吐出路８５ａ及び内部吐出路８６ｂ）内を導かれたガスは、ガス吐出口８６ｃから内部空間Ｓに吐出される。ガス吐出口８６ｃは、例えば上壁８２内の貫通孔として形成された内部吐出路８６ｂのうちの上壁８２の下面における開口であってもよい。あるいは、ガス吐出口８６ｃは、例えばガス吐出口８６ｃを形成する管状部材の端部における開口であってもよい。ガス吐出口８６ｃは、内部空間Ｓに位置している。ガス吐出口８６ｃを含む内部吐出路８６ｂの端部が延びる方向は、水平方向に対して１０°～４０°程度（一例として２０°）傾いている。なお、ガス吐出口８６ｃを含む内部吐出路８６ｂの端部は、ガス吐出路８６（内部吐出路８６ｂ）のうちの、ガス吐出口８６ｃから吐出されるガスの吐出方向を規定できる程度の長さを有する部分である。

脱気路８７は、ガスを容器部８１の外部に導き、容器部８１内（内部空間Ｓ）からガスを排出する。脱気路８７は、容器部８１の上部（上壁８２）に設けられている。脱気路８７は、容器部８１の外部に向けてガスを導くための管状の部材内に形成された流路である。図５に示す例では、脱気路８７を形成する管状部材は、鉛直方向に沿って延びている。脱気路８７の一端部は、上壁８２を鉛直方向に沿って貫通している。すなわち、脱気路８７の一端部は、内部空間Ｓに接している。脱気路８７の他端は、脱気管６６Ａ（図４参照）に接続されている。

液送出路８８は、ガスによって圧力が加わった状態の処理液を容器部８１の外部に導き、容器部８１内（内部空間Ｓ）から処理液を送出する。液送出路８８は、容器部８１の下部（底壁８４）に設けられている。液送出路８８は、容器部８１の外部に向けて処理液を導くための管状の部材内に形成された流路である。図５に示す例では、液送出路８８を形成する管状部材は、鉛直方向に沿って延びている。液送出路８８の一端部は、底壁８４を鉛直方向に沿って貫通している。すなわち、液送出路８８の一端部は、内部空間Ｓに接している。液送出路８８の他端は、送液管４３の第一部分４３ａ（図４参照）に接続されている。

液面センサ８９Ｘ，８９Ｙ，８９Ｚ（複数の液面検出部）は、容器部８１内に収容されている処理液の液面ＬＳが所定の位置に達しているかどうかを検出する。例えば、液面センサ８９Ｘ，８９Ｙ，８９Ｚは、側壁８３の内面に設けられている。液面センサ８９Ｘ，８９Ｙ，８９Ｚは、鉛直方向において上方から、この順で配置されている。例えば、液面センサ８９Ｘ，８９Ｙ，８９Ｚは、処理液の液面ＬＳが、それぞれの設置位置までに達したときに、所定の位置まで液面ＬＳが達していることをそれぞれ検出する。液面センサ８９Ｘ，８９Ｙ，８９Ｚによる液面ＬＳの検知方法はいずれの方式であってもよく、例えば静電容量の変化により液面ＬＳを検知する方式のセンサが用いられてもよい。液面センサ８９Ｘ，８９Ｙ，８９Ｚは、例えば、所定の位置まで液面ＬＳが達している間、制御装置１００に信号を送信し続けてもよい。

液面センサ８９Ｘは、側壁８３の上端近傍に配置されていてもよい。タンク６１Ａでは、液面センサ８９Ｘの設置位置（液面センサ８９Ｘによる検出位置）まで処理液が収容されてもよい。液面センサ８９Ｚは、側壁８３の下部近傍（底壁８４近傍）に配置されていてもよい。液面センサ８９Ｙは、鉛直方向において、液面センサ８９Ｘと液面センサ８９Ｚとの間に配置されている。例えば、液面センサ８９Ｙは、鉛直方向において、液面センサ８９Ｘ寄りに配置されていてもよい。以降では、液面センサ８９Ｘにより検出される液面ＬＳの液面高さを「第１液面高さ」とし、液面センサ８９Ｙにより検出される液面ＬＳの液面高さを「第２液面高さ」とし、液面センサ８９Ｚにより検出される液面ＬＳの液面高さを「第３液面高さ」として説明する。

タンク６１Ｂは、容器部８１と、液吐出路８５と、ガス吐出路８６と、脱気路８７と、液送出路８８と、複数（ここでは３つ）の液面センサ８９Ｘ，８９Ｙ，８９Ｚとを備える。タンク６１Ｂは、タンク６１Ａと同様に構成されているので、タンク６１Ｂの詳細説明は省略する。なお、タンク６１Ｂの液吐出路８５は、液補給部７０に含まれる補給管７５の第二部分７７Ｂに接続される。また、タンク６１Ｂのガス吐出路８６は、加圧部５０に含まれる加圧管５４Ｂに接続される。さらに、液送出路８８は、送液管４３の第一部分４３ｂに接続される。

以上のような構成を有するタンク６１Ａ，６１Ｂでは、処理液が吐出される液吐出口８５ｃ及びガスが吐出されるガス吐出口８６ｃは、互いに略同じ高さに位置している。液吐出口８５ｃ及びガス吐出口８６ｃは、液面センサ８９Ｘにより検出される第１液面高さよりも高い位置に配置されている。例えば、液吐出口８５ｃ及びガス吐出口８６ｃは、液面センサ８９Ｘよりも高い位置に配置されている。液吐出口８５ｃを含む内部吐出路８５ｂの端部が延びる方向、及びガス吐出口８６ｃを含む内部吐出路８６ｂの端部が延びる方向は、互いに略一致している。液吐出口８５ｃからの処理液及びガス吐出口８６ｃからのガスの双方とも、下方斜め向きに吐出される。鉛直方向から見て、液吐出口８５ｃから吐出される処理液の吐出方向（向き）及びガス吐出口８６ｃから吐出されるガスの吐出方向（向き）は、互いに略同じである（図６（ｂ）の紙面において左から右に向かう向きである）。

タンク６１Ａ，６１Ｂにおける液吐出路８５及びガス吐出路８６の配置について説明する。図６（ｂ）に示す例では、鉛直方向から見て、液吐出路８５（ガス吐出路８６）が延びる方向における液吐出口８５ｃ及びガス吐出口８６ｃの位置は、互いに略同じである。鉛直方向から見て、内部吐出路８５ｂの先端（液吐出口８５ｃ）の外側の角部は、側壁８３の内面に接続されている。液吐出口８５ｃから内部空間Ｓに吐出される処理液は、側壁８３の内面に当たる。具体的には、液吐出口８５ｃから吐出される処理液は、側壁８３の内面のうちの第１液面高さよりも上方に当たる。なお、タンクに処理液を補充する際のキャニスタタンク７１内の圧力は、液吐出口８５ｃから吐出される処理液が側壁８３の上記部分に当たる程度に調節される。

鉛直方向から見て、内部吐出路８６ｂの先端（ガス吐出口８６ｃ）の外側の角部は、側壁８３の内面に接続されている。ガス吐出口８６ｃから内部空間Ｓに吐出されるガスは、容器部８１の内面に当たる。具体的には、ガス吐出口８６ｃから吐出されるガスは、容器部８１（上壁８２及び側壁８３）の内面うちの第１液面高さよりも上方に当たる。例えば、ガス吐出路８６から吐出されるガスは、液吐出路８５と同様に、側壁８３の内面のうちの第１液面高さよりも上方に当たる。なお、ガス吐出口８６ｃから吐出されるガスが容器部８１の上記部分に当たる程度に、調圧バルブ５２によりガスの流量の調節が行われる。

図６（ｂ）に示されるように、鉛直方向から見て、液吐出路８５の内部吐出路８５ｂのうち液吐出口８５ｃを含む端部の延在方向に延びる仮想線Ｌ１は、側壁８３の内面と直交していない。このため、液吐出口８５ｃから吐出された処理液は、側壁８３の内面に沿って旋回しつつ、液面ＬＳに向かって流れる。ガス吐出路８６の内部吐出路８６ｂのうちガス吐出口８６ｃを含む端部の延在方向に延びる仮想線Ｌ２は、側壁８３の内面と直交していない。このため、ガス吐出口８６ｃから吐出されたガスは、側壁８３の内面に沿って旋回しつつ流れる。また、鉛直方向から見て、液吐出口８５ｃとガス吐出口８６ｃとは、容器部８１内の中心ＣＰを挟んで互いに対向している。容器部８１内の中心ＣＰは、鉛直方向と直交する断面における、側壁８３に囲まれる領域の中心位置により構成されており、鉛直方向に延びている。このように、液吐出口８５ｃ及びガス吐出口８６ｃは、中心ＣＰを含む平面によって分割される２つの領域内にそれぞれ位置している。

（制御装置）
制御装置１００は、塗布・現像装置２を部分的又は全体的に制御する。制御装置１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えば制御装置１００は、一つ又は複数のプロセッサ、メモリ、ストレージ、タイマー、及び入出力ポートによって構成される回路を備える。ストレージは、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述のタンクの使用手順を制御装置１００に実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリは、ストレージの記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサによる演算結果を一時的に記憶する。プロセッサは、メモリと協働して上記プログラムを実行する。タイマーは、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。入出力ポートは、プロセッサからの指令に従って、制御対象のユニット又は装置との間で電気信号の入出力を行う。

［タンクの使用方法］
続いて、図７及び図８を参照して、タンク６１Ａ，６１Ｂの使用手順（使用方法）の一例について説明する。図７には、タンク６１Ａ，６１Ｂの使用手順として、液供給部３０での各種動作の一例を示すタイミングチャートが示されている。ここで、図７において、「ｔａｎｋ１」はタンク６１Ａを示しており、「ｔａｎｋ２」はタンク６１Ｂを示している。図７では、タンク６１Ａ，６１Ｂの使用状態がそれぞれ異なる期間Ｔ１～Ｔ５での各種動作が示されている。図７に示す例では、いずれかのノズル２２から、期間Ｔ１において１回目の吐出が行われ、期間Ｔ２において２回目の吐出が行われ、期間Ｔ３において３回目の吐出が行われ、期間Ｔ４において４回目の吐出が行われる。なお、ノズル２２から吐出されるタイミング及び回数は、図７に示す例に限られない。

また、図７において、「Canister Press」は、液補給部７０からタンク６１Ａ，６１Ｂのいずれか一方に処理液を補充するために、キャニスタタンク７１内が加圧される（バルブ５７が開かれている）タイミングを示している。「tank1 Press」，「tank2 Press」は、タンク６１Ａ，６１Ｂ内が加圧される（バルブ５５Ａ，５５Ｂが開かれている）タイミングを示している。「tank1 Drain」，「tank2 Drain」は、タンク６１Ａ，６１Ｂ内の圧力が開放される（バルブ６３Ａ，６３Ｂが開かれている）タイミングを示している。「tank1 In」，「tank2 In」は、タンク６１Ａ，６１Ｂ内に処理液が供給（吐出）される（バルブ７８Ａ，７８Ｂが開かれている）タイミングを示している。「tank1 Out」，「tank2 Out」は、タンク６１Ａ，６１Ｂ内から処理液の送出が可能な状態であるタイミング（バルブ４２Ａ，４２Ｂが開かれているタイミング）を示している。「Dispense」は、いずれかのノズル２２から処理液がウェハＷに向けて吐出されている（バルブ４７Ａ，４７Ｂ，４７Ｃのいずれかが開かれている）タイミングを示している。

さらに、図７には、タンク６１Ａ，６１Ｂ内での処理液の残量を示す液面センサ８９Ｘ，８９Ｙ，８９Ｚの検出結果の推移が示されている。「tank1 H」，「tank2 H」は、それぞれタンク６１Ａ，６１Ｂの液面センサ８９Ｘにより、液面ＬＳが第１液面高さに達していることが検出されるタイミングを示している。「tank1 L」，「tank2 L」は、それぞれタンク６１Ａ，６１Ｂの液面センサ８９Ｙにより、液面ＬＳが第２液面高さに達していることが検出されるタイミングを示している。「tank1 LL」，「tank LL」は、それぞれタンク６１Ａ，６１Ｂの液面センサ８９Ｚにより、液面ＬＳが第３液面高さに達していることが検出されるタイミングを示している。

本実施形態では、制御装置１００は、タンク６１Ａ及びタンク６１Ｂのいずれか一方に収容されている処理液が、ノズル２２に供給されるように液供給部３０を制御する。また、制御装置１００は、タンク６１Ａ，６１Ｂのいずれか一方において、液面ＬＳが所定の位置（例えば、液面センサ８９Ｙが検出する第２液面高さ）まで減少した際に、当該タンクに対して液補給部７０からの処理液の補充が開始されるように液供給部３０を制御する。制御装置１００は、タンク６１Ａ，６１Ｂのいずれか一方に対する処理液の補充を開始するタイミングで、補充対象ではないタンク（他方のタンク）から処理液がノズル２２に供給されるように液供給部３０を制御する。

図７を用いて具体的に説明すると、期間Ｔ１では、タンク６１Ａから処理液がノズル２２に供給され（タンク６１Ａ内の処理液が基板処理に使用され）、タンク６１Ｂからは処理液が供給されない。この際、タンク６１Ａ，６１Ｂの双方において、タンク内は加圧部５０により加圧されている状態が継続されている。この期間Ｔ１において、いずれかのノズル２２からウェハＷに向けた処理液の吐出（１回目の吐出）が行われ、タンク６１Ａ内の処理液の減少により、液面ＬＳが第２液面高さを下回っている。

期間Ｔ２では、制御装置１００は、タンク６１Ａ内にて液面ＬＳが第２液面高さを下回っていることを検出すると、ノズル２２から吐出される処理液の供給元をタンク６１Ａからタンク６１Ｂに切り替える。具体的には、制御装置１００は、タンク６１Ａ内に処理液を補充する一方で、タンク６１Ｂ内からの処理液によりウェハＷに向けて処理液の吐出が可能な状態とするように制御を行う。時刻ｔ１は、このタンクの切り替えを開始するタイミングを示している。制御装置１００は、タンクの切り替えの際、タンク６１Ａへの処理液の補充を開始する前に、タンク６１Ａ内の圧力を開放状態にする（バルブ６３Ａを開く）。これにより、タンク６１Ａ内の圧力がキャニスタタンク７１の圧力よりも高いことに起因する処理液の逆流が防止される。また、タンク６１Ａ内への処理液の補充が終わった後（時刻ｔ２後）、制御装置１００は、タンク６１Ａ内の圧力が徐々に上昇するように液供給部３０の制御を行う。図７において、「tank1 Press」により示されるタイミングチャートの期間Ｔ２の終盤における傾きを有する上昇は、タンク６１Ａ内の圧力を徐々に上昇させていることを示している。期間Ｔ２にノズル２２からウェハＷに処理液が吐出される場合（２回目の吐出が行われる場合）、タンク６１Ｂ内の処理液が使用される。

ここで、期間Ｔ２におけるタンクへの補充手順（補充処理）の一例を、図８のフローチャートを用いて詳細に説明する。まず、制御装置１００は、タンク６１Ａに処理液の補充が必要かどうかを判断する（ステップＳ０１）。例えばステップＳ０１では、制御装置１００が、タンク６１Ａ内の処理液が基準の液面高さを下回るまで待機する。この基準の液面高さは、タンク６１Ａに処理液の補充を開始するタイミングとして、作業員によって予め設定されてもよい。例えば、制御装置１００は、タンク６１Ａ内の液面センサ８９Ｘ，８９Ｙ，８９Ｚにより、液面ＬＳが第２液面高さを下回ったことを検出することで、タンク６１Ａ内の処理液が基準の液面高さを下回ったと判定してもよい（ステップＳ０１：ＹＥＳ）。

次に、制御装置１００は、タンク６１Ｂから処理液がノズル２２に供給可能な状態となるように制御を行う（ステップＳ０２）。ステップＳ０２では、制御装置１００が、バルブ４２Ｂを閉状態から開状態に切り替える。そして、制御装置１００は、タンク６１Ａからノズル２２に処理液を供給できない状態となるように制御を行う（ステップＳ０３）。ステップＳ０３では、制御装置１００が、バルブ４２Ａを開状態から閉状態に切り替える。ステップＳ０２，Ｓ０３が実行されることで、ウェハＷへ吐出される処理液の供給元が、タンク６１Ａからタンク６１Ｂへと切り替えられる。なお、制御装置１００は、ステップＳ０２，Ｓ０３の処理に合わせて、バルブ５７を開状態とすることで、キャニスタタンク７１内を加圧する。

次に、制御装置１００は、タンク６１Ａ内の加圧が開放されるように制御を行う（ステップＳ０４）。ステップＳ０４では、制御装置１００が、バルブ６３Ａを閉状態から開状態に切り替える。これにより、タンク６１Ａ内の圧力が開放される。

次に、制御装置１００は、タンク６１Ａ内に処理液が供給（補充）されるように制御を行う（ステップＳ０５）。ステップＳ０５では、制御装置１００が、タンク６１Ａ内に処理液を供給する制御を行う。具体的には、まず、制御装置１００は、バルブ７８Ａを閉状態から開状態に切り替える（バルブ７８Ａを開く）ことで、タンク６１Ａへの処理液の供給を開始する。換言すると、制御装置１００は、タンク６１Ａ内において、液吐出路８５を介して容器部８１内に処理液が吐出されるように制御を行う。制御装置１００は、タンク６１Ａ内の処理液の液面ＬＳが第１液面高さに達したことを検出すると、タンク６１Ａ内への処理液の供給を停止する。具体的には、バルブ７８Ａ及びバルブ６３Ａを開状態から閉状態に切り替える（バルブ７８Ａ，６３Ａを閉じる）。なお、制御装置１００は、この処理液の供給の停止に合わせて、バルブ５７を閉状態とすることで、キャニスタタンク７１内の加圧を開放する。

次に、制御装置１００は、タンク６１Ａ内が加圧されるように制御を行う（ステップＳ０６，Ｓ０７）。ステップＳ０６では、制御装置１００が、タンク６１Ａ内の加圧を開始する制御を行う。換言すると、制御装置１００は、タンク６１Ａにおいて、ガス吐出路８６を介して容器部８１内にガスを吐出させる制御を開始する。ステップＳ０７では、制御装置１００が、タンク６１Ａ内が所定の圧力となるまで圧力の上昇を継続する。例えば、制御装置１００は、バルブ５５Ａを閉状態から開状態に切り替え（バルブ５５Ａを開き）、調圧バルブ５２によりタンク６１Ａ内の圧力を徐々に上昇させる。あるいは、制御装置１００は、調圧バルブ５２による圧力の設定値を一定にしたまま、バルブ５５Ａを閉状態から徐々に開状態に切り替えることにより、タンク６１Ａ内の圧力を徐々に上昇させる。また、制御装置１００は、調圧バルブ５２による設定値が所定の値となるまでタンク６１Ａ内の圧力の上昇を継続してもよく、バルブ５５Ａが完全に開状態となるまで、タンク６１Ａ内の圧力の上昇を継続してもよい。タンク６１Ａ内を所定の圧力まで上昇させることで、タンク６１Ａへの補充処理が終了する。

図７に戻り、期間Ｔ３では、タンク６１Ｂから処理液がノズル２２に供給され（タンク６１Ｂ内の処理液が基板処理に使用され）、タンク６１Ａからは処理液が供給されない。この期間Ｔ３において、タンク６１Ａ内の処理液は基板処理に使用されないが、タンク６１Ａ内は加圧された状態が継続される。期間Ｔ３において、いずれかのノズル２２からウェハＷに向けた処理液の吐出（３回目の吐出）が行われ、タンク６１Ｂ内の処理液の減少により、液面ＬＳが第２液面高さを下回っている。

制御装置１００は、液面ＬＳが第２液面高さを下回っていることを検出すると、タンク６１Ｂからタンク６１Ａに切り替える（時刻ｔ３）。すなわち、制御装置１００は、期間Ｔ４において、タンク６１Ｂへの補充処理を実行する。タンク６１Ｂへの処理液の補充は、タンク６１Ａへの処理液の補充と同様に行われる。期間Ｔ４内の時刻ｔ４において、タンク６１Ｂ内の加圧を開始する際には、制御装置１００は、タンク６１Ｂ内の圧力を徐々に上昇させる。期間Ｔ４において、いずれかのノズル２２からウェハＷに向けた処理液の吐出（４回目の吐出）には、タンク６１Ａ内の処理液が使用される。

タンク６１Ｂ内への処理液の補充後、期間Ｔ５では、タンク６１Ａから処理液がノズル２２に供給され（タンク６１Ａ内の処理液が基板処理に使用され）、タンク６１Ｂ内は加圧状態となるが、タンク６１Ｂからは処理液が供給されない。すなわち、期間Ｔ５での処理は期間Ｔ１での処理と同様となる。以降、期間Ｔ２～Ｔ４と同様の処理が繰り返される。

［作用］
以上の実施形態に係る塗布・現像装置２が備えるタンク６１Ａ，６１Ｂでは、容器部８１の側壁８３の内面のうち液面ＬＳよりも上方に液吐出口８５ｃから吐出される処理液が当たる。また、容器部８１の内面のうち液面ＬＳよりも上方にガス吐出口８６ｃから吐出されるガスが当たる。このため、吐出される処理液及びガスが、既に容器部８１内に収容されている処理液の液面ＬＳに直接当たらずに、容器部８１内に供給される。これにより、液面ＬＳに処理液及びガスが直接当たることによる処理液の発泡が抑制される。その結果、タンク６１Ａ，６１Ｂを備える液供給部３０において、タンク６１Ａ，６１Ｂの下流にて泡を含む処理液が流れることを防ぐことができるので、ウェハＷに対して泡が含まれる処理液が供給されることを防ぐことが可能となる。

処理液を一時的に貯留するためのタンクとして、鉛直方向に沿って下向きに処理液及びガスを容器部内に吐出するように構成されたものが考えられる。この構成では、容器部内に既に収容されている処理液の液面に対して、吐出される処理液及びガスが直接当たることになる。この場合、容器部内の処理液に物理的な強い力が加わり、発泡してしまうおそれがある。これに対して、タンク６１Ａ，６１Ｂでは、上述したように吐出される処理液及びガスが直接当たらないので、容器部８１内の処理液に加わる力が弱まり、容器部内の処理液の発泡が抑制される。また、タンク６１Ａ，６１Ｂを備える液供給部３０によりノズル２２に処理液を供給することで、ポンプ等により処理液をノズルまで供給する他の供給系と切り離して供給系を構成することが可能となる。

以上の実施形態において、液吐出路８５のうち液吐出口８５ｃを含む端部の延在方向は、鉛直方向に対して傾いている。この場合、鉛直方向に沿って下向きに処理液が吐出される場合と比べて、処理液の流速のうち鉛直方向に沿う成分が減少する。このため、液吐出路８５から供給される処理液が既に容器内に収容されている処理液に当たるときに、鉛直方向下向きに働く力を小さくすることができるため、処理液の吐出に起因する処理液の発泡がより確実に抑制される。なお、上記実施形態では、ガス吐出路８６のうちガス吐出口８６ｃを含む端部の延在方向が、鉛直方向に対して傾いている。この場合、鉛直方向に沿って下向きにガスが吐出される場合と比べて、ガスの流速のうちの鉛直方向に沿う成分が減少するので、ガスの吐出に起因する処理液の発泡がより確実に抑制される。

以上の実施形態において、鉛直方向に交差する平面において、側壁８３の内面の断面は円形状である。また、鉛直方向から見て、液吐出路８５のうち液吐出口８５ｃを含む端部の延在方向、及びガス吐出路８６のうちガス吐出口８６ｃを含む端部の延在方向の双方は、側壁８３の内面と直交していない。このような構成を有することで、液吐出口８５ｃから吐出される処理液及びガス吐出口８６ｃから吐出されるガスは、どちらも側壁８３の内面に沿って旋回しつつ内部空間Ｓを移動する。このため、吐出される処理液及びガスが、容器部８１内に収容されている処理液の液面ＬＳに直接当たることがより確実に防がれる。その結果、液面ＬＳに処理液及びガスが直接当たることによる処理液の発泡がより確実に抑制される。

以上の実施形態において、鉛直方向から見て、液吐出口８５ｃとガス吐出口８６ｃとは、容器部８１内の中心ＣＰを挟んで互いに対向している。この場合、液吐出口８５ｃから吐出された処理液が、ガス吐出口８６ｃを含むガス吐出路８６に当たらずに容器部８１内に供給される。その結果、液吐出口８５ｃから吐出される処理液が、容器部８１内の処理液に達するまでに他の部材に当たることに起因した処理液の発泡を防ぐことが可能となる。

以上の実施形態において、タンク６１Ａ，６１Ｂは、液面ＬＳの高さが所定位置（第１，第２，第３液面高さ）に達したことをそれぞれ検出するための複数の液面センサ８９Ｘ，８９Ｙ，８９Ｚを備える。複数の液面センサ８９Ｘ，８９Ｙ，８９Ｚそれぞれが液面高さを検出する所定位置は、液吐出口８５ｃ、ガス吐出口８６ｃ、液吐出口８５ｃから吐出される処理液が側壁８３に当たる位置、及びガス吐出口８６ｃから吐出されるガスが容器部８１に当たる位置よりも低い。この場合、例えば、第１液面高さまで処理液が収容されるように設定されることで、容器部８１内の処理液の液面高さの容器部８１内に吐出されるガス及び処理液が液面ＬＳに直接当たることをより確実に防ぐことが可能となる。

以上の実施形態において、塗布・現像装置２は、液供給部３０を制御する制御装置１００を備える。液供給部３０は、ガス吐出路８６を介してガスをタンク６１Ａ，６１Ｂに供給する加圧管５３と、加圧管５３に設けられ、容器部８１内におけるガスによる圧力を調節する圧力調節部（例えば調圧バルブ５２）とを有する。制御装置１００は、圧力が開放された状態から容器部８１内を加圧する際に、容器部８１内の圧力が徐々に上昇するように圧力調節部を制御する。この場合、タンク６１Ａ，６１Ｂ内に収容されている処理液に対して段階的に圧力が加わっていくので、圧力を加える際の処理液の発泡を防ぐことが可能となる。

上記で開示された実施形態は全ての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

［変形例］
（タンクの使用方法の変形例１）
図９を参照してタンク６１Ａ，６１Ｂの使用方法に関する変形例を説明する。図９には、変形例１に係るタンクの使用方法として、容器部８１の側壁８３の内面に付着した泡に対する消泡手順が示されている。側壁８３に付着する泡としては、例えば、容器部８１で発生した処理液の泡、または、タンク６１Ａ，６１Ｂの上流のタンクまたは配管で発生した処理液の泡が挙げられる。

変形例１に係る消泡手順では、制御装置１００が、脱気路８７（排出部）から容器部８１内のガスを排出しつつ、側壁８３の内面のうち、液面ＬＳよりも上方にガスを当てるように、ガス吐出口８６ｃからガスを吐出させる。このとき、制御装置１００は、バルブ７８Ａ，７８Ｂを閉じた状態において、バルブ６３Ａ，６３Ｂを開いた状態を継続させつつ、タンク６１Ａ，６１Ｂ（容器部８１）内に弱い圧力（例えば１０ｋＰａ～２０ｋＰａ）でガスを吐出させる。このガスの吐出により、容器部８１内において、側壁８３の内面に沿って旋回しつつ流れる気流ＦＧが発生する。これにより、液面ＬＳよりも上方に位置する側壁８３の一部に付着している泡Ｂが、気流ＦＧと共に脱気路８７（脱気管６６Ａ，６６Ｂ）を介して排出され、あるいは気流ＦＧにより潰されることで、当該泡Ｂが除去される。脱気路８７の脱気口は、上面視において側壁８３に囲われた領域の中央、つまり上壁８２の中央に設けられていてもよい。この場合、脱気路８７から排出される上向きのガスの気流が上面視におけるタンク６１Ａ，６１Ｂ内の中央部に形成され、気流ＦＧと干渉し難い。このため、気流ＦＧが側壁８３に沿って整った状態で形成されやすく、気流ＦＧによって泡Ｂがより確実に除去される。

このタンクの使用方法では、容器部８１内の処理液が減少した際に、側壁８３の内面に泡が残っていた場合であっても、容器部８１内にてガス吐出による気流ＦＧが発生して、側壁８３の内面に残った泡が排出され得る。すなわち、タンク６１Ａ，６１Ｂ内の消泡を行うことが可能となる。

（タンクの使用方法の変形例２）
図１０（ａ）～図１０（ｄ）、及び図１１を参照して、タンクの使用方法に関する別の変形例を説明する。変形例２に係るタンクの使用方法として、タンク６１Ａに対する処理液の補充処理中に、処理液の補充源であるキャニスタタンク７１内の処理液に補給が必要となった場合のタンクの使用手順を説明する。

図１０（ａ）には、タンク６１Ａ，６１Ｂの双方において、処理液が第１液面高さまで満たされている状態が模式的に示されている。タンク６１Ａ内の処理液が使用されて、タンク６１Ａ内の処理液の液面ＬＳが、第２液面高さを下回ると（図１０（ｂ）参照）、制御装置１００は、タンク６１Ａへの補充処理を開始する（ステップＳ１１）。このタンク６１Ａ内の補充処理中に、キャニスタタンク７１内の処理液の補充が必要であると判断されると（ステップＳ１２：ＹＥＳ）、キャニスタタンク７１への補充が開始される（ステップＳ１３）。キャニスタタンク７１内の処理液の補充が開始されることに伴って、制御装置１００はタンク６１Ａ内の処理液の補充処理を停止する。なお、キャニスタタンク７１内の処理液の補充が必要ないと判断されている間（ステップＳ１２：ＮＯ）、タンク６１Ａ内の補充処理は継続される。

キャニスタタンク７１への処理液の補充が行われている間、制御装置１００は、以下のステップＳ１４～Ｓ１６の処理に応じた制御を行う。ステップＳ１４では、制御装置１００が、タンク６１Ｂ内の処理液を使い切るように液供給部３０を制御する。例えば、制御装置１００は、タンク６１Ｂ内の処理液の液面ＬＳが、第３液面高さを下回るまで、タンク６１Ｂ内から処理液をノズル２２に供給し続ける。

タンク６１Ｂ内の処理液が全て使用された後（図１０（ｃ）参照）、制御装置１００は、基板処理に用いる処理液の供給元をタンク６１Ｂからタンク６１Ａへ切り替える（ステップＳ１５）。なお、この際、タンク６１Ａ内の処理液の液面ＬＳは、既に第２液面高さを下回っている。そして、制御装置１００は、タンク６１Ａ内の処理液を使い切るように液供給部３０を制御する（ステップＳ１６）。例えば、制御装置１００は、タンク６１Ａ内の処理液の液面ＬＳが、第３液面高さを下回るまで、タンク６１Ａ内から処理液をノズル２２に供給し続ける。

タンク６１Ａ，６１Ｂの双方の処理液が全て使用された後（図１０（ｄ）参照）、例えば制御装置１００は、キャニスタタンク７１への処理液の補充が完了するまで、塗布ユニットＵ１による塗布処理を一時的に中断する。キャニスタタンク７１へ処理液が補充され、タンク６１Ａ，６１Ｂの少なくとも一方に処理液が補充された後、制御装置１００は、塗布ユニットＵ１による塗布処理を再開する。

このタンクの使用方法では、キャニスタタンク７１に処理液を補充している間、タンク６１Ａ，６１Ｂの双方において処理液が使い切られる。キャニスタタンク７１に処理液を補充している間、タンク６１Ａ及びタンク６１Ｂのいずれか一方に処理液が残っている状態にて補充完了まで待機すると、当該タンク内においてガスが容器部８１内の処理液に過度に溶存してしまうおそれがある。これに対して、上記使用方法では、タンク６１Ａ，６１Ｂの双方において処理液を使い切った状態で補充完了まで待機するので、待機後においてガスが過度に溶存した状態の処理液がノズル２２に向けて供給されることを防ぐことが可能となる。

（タンクの変形例）
図１２を参照してタンク６１Ａ，６１Ｂの液吐出路８５及びガス吐出路８６の変形例について説明する。タンク６１Ａ，６１Ｂそれぞれにおける液吐出路８５及びガス吐出路８６は、図１２に示される別例１～別例５のように構成されていてもよい。別例１に示すように、ガス吐出路８６の内部吐出路８６ｂ（ガス吐出口８６ｃ）は、液吐出路８５の内部吐出路８５ｂ（液吐出口８５ｃ）よりも上方に配置されていてもよい。この場合、ガス吐出路８６から供給されるガスが、液吐出路８５から供給される処理液よりも側壁８３の高い位置に当たることで、側壁８３に付いた液又は泡を除去することができる。その結果、液吐出路８５から吐出される処理液が内部吐出路８６ｂに付着することを防ぐことができる。

別例２に示すように、上下の配置は別例１と同様としたうえで、内部吐出路８５ｂ及びガス吐出口８６ｃの双方が、側壁８３の一側面に寄っていてもよい。換言すると、液吐出口８５ｃ及びガス吐出口８６ｃの双方が、中心ＣＰ（図６（ｂ）参照）を含む平面（鉛直方向に延びる平面）によって分割される２つの領域（以下、「分割領域」という。）のうちの一方に位置していてもよい。

別例３に示すように、液吐出口８５ｃを含む液吐出路８５の端部の延在方向（以下、「第１延在方向」という。）、及びガス吐出口８６ｃを含むガス吐出路８６の端部の延在方向（以下、「第２延在方向」という。）は、水平方向に対して互いに異なる角度にて傾いていてもよい。一例としては、第１延在方向の水平方向に対する傾き角度は、第２延在方向の水平方向に対する傾き角度よりも大きくてもよい。この場合、液吐出口８５ｃから吐出される処理液の側壁８３の内面に沿った旋回流を優先して形成することが可能となる。なお、第２延在方向は、水平方向に沿っていてもよい。

別例４及び別例５に示すように、液吐出路８５から吐出される処理液の吐出方向（向き）と、ガス吐出路８６から吐出されるガスの吐出方向（向き）とは、互いに反対であってもよい。この場合に、別例４のように、内部吐出路８５ｂ及び内部吐出路８６ｂの双方が、分割領域の一方に配置されていてもよい。あるいは、別例５のように、内部吐出路８５ｂ及び内部吐出路８６ｂが、２つの分割領域にそれぞれ配置されていてもよい。別例５に示される構成では、上述した別例１で示される構成と同様に、液吐出路８５から吐出される処理液が内部吐出路８６ｂに付着することを防ぐことができる。

（その他の変形例）
上記以外の各部についても種々の変形が可能である。例えば、ガス吐出口８６ｃから吐出されるガスの吐出方向（向き）は、水平方向又は下方斜め向きに限られない。このガスの吐出方向（向き）は、上方を向いていてもよく、上方斜め向きであってもよい。例えば、内部吐出路８６ｂは、ガス吐出口８６ｃに向かうにつれて上方に位置するように延在していてもよい。また、液吐出路８５及びガス吐出路８６の配置は、上述したように容器部８１の側壁８３の内面のうち液面ＬＳよりも上方に液吐出口８５ｃから吐出される処理液とガス吐出口８６ｃから吐出されるガスとが当たることが可能な範囲で、適宜変更することができる。

図１３（ａ）及び図１３（ｂ）を参照して、変形例に係るタンク６１Ｃについて説明する。図１３（ａ）には、側方から見た場合のタンク６１Ｃの断面構成が模式的に例示されており、図１３（ｂ）には、上方から見た場合のタンク６１Ｃの断面構成が模式的に例示されている。タンク６１Ｃは、側壁８３に代えて側壁８３Ｃを有する点、及び液吐出路８５が吐出部８５ｄ及び送出部８５ｅを有する点で、タンク６１Ａ，６１Ｂと相違する。

側壁８３Ｃの少なくとも一部は、鉛直方向に対して傾斜している。側壁８３Ｃの全体が鉛直方向に対して傾斜していてもよく、側壁８３Ｃのうちの液吐出口８５ｃよりも下方に位置する部分が鉛直方向に対して傾斜していてもよい。側壁８３Ｃは、液吐出口８５ｃから吐出された処理液が側壁８３の内面を伝わって液面ＬＳに向けて流れるように、鉛直方向に対して傾斜した内面を有していればよい。図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示す例では、側壁８３Ｃを含む容器部８１の中心ＣＰが下方に向かうにつれて液吐出口８５ｃから離れるように、側壁８３Ｃの内面は鉛直方向に対して傾いている。なお、中心ＣＰが下方に向かうにつれて移動する位置（方向）は、この例に限られず、液吐出口８５ｃから吐出される処理液が当たる位置に応じて変化してもよい。

側壁８３Ｃは、傾斜面９１ａと傾斜面９１ｂとを有する。傾斜面９１ａは、側壁８３Ｃの内面のうちの上壁８２を除いたときに上方に露出する（鉛直方向から見て目視可能な）部分である。図１３（ａ）に示されるように、傾斜面９１ａの水平面に対する角度は９０°よりも小さい。傾斜面９１ｂは、側壁８３Ｃの内面のうちの上壁８２を除いても上方に露出しない（鉛直方向から見て目視できない）部分である。図１３（ａ）に示されるように、傾斜面９１ｂの水平面に対する角度は９０°よりも大きい。例えば、液吐出口８５ｃから吐出された処理液は、傾斜面９１ａに当たり、傾斜面９１ａ，９１ｂを含む側壁８３Ｃの内面に沿って旋回しつつ流れる。あるいは、液吐出口８５ｃから吐出された処理液は、傾斜面９１ａに当たり、傾斜面９１ａに沿って斜め下方に流れる。なお、傾斜面９１ａに沿って斜め下方に処理液を流す場合、傾斜面９１ａのうちの最も傾斜の角度が緩い（水平面に対する角度が小さい）部分に対応する位置に液吐出口８５ｃが配置されてもよい（図１３（ｂ）の破線で示す液吐出路８５を参照）。

タンク６１Ｃでは、鉛直方向に延びる側壁８３に沿って処理液が流れる場合と比べて、液吐出口８５ｃから吐出され、側壁８３Ｃに沿って流れる処理液の流速を緩やかにすることができる。このため、側壁８３Ｃの内面を伝わって流れる処理液が液面ＬＳに達した際に、処理液の流速の鉛直下向き成分が小さくなる。その結果、側壁８３Ｃの内面を伝わって処理液が液面ＬＳに当たることに起因した処理液の発泡を抑えることが可能となる。

図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示される例では、各高さ位置において、水平面での側壁８３Ｃの内面に囲まれる領域の断面積は略一定である。この構成では、タンク６１Ｃ内の処理液量の管理、及びガスにより液面ＬＳに加える圧力の制御が容易である。あるいは、側壁８３Ｃが傾斜面９１ａを有し、傾斜面９１ｂに対応する側壁８３Ｃの一部が鉛直方向に対して傾斜していなくてもよい。この場合、水平面での側壁８３Ｃの内面に囲まれる領域の断面積が、下方にいくにつれて小さくなっていく。この構成では、液面ＬＳが下がるにつれて、ガスに触れる処理液（液面ＬＳ）の面積が減少するので、ガスの溶存を抑えることが可能となる。

吐出部８５ｄは、液吐出路８５のうちの液吐出口８５ｃを含む部分であり、送出部８５ｅは、液吐出路８５のうちの吐出部８５ｄまで処理液を送る部分である。吐出部８５ｄの処理液が流れる方向に直交する断面積（流路断面積）は、送出部８５ｅの処理液が流れる方向に直交する断面積（流路断面積）よりも大きい。例えば、吐出部８５ｄの径（より詳細には、吐出部８５ｄにより構成される流路の径）は、送出部８５ｅの径（より詳細には、送出部８５ｅにより構成される流路の径）よりも大きい。吐出部８５ｄの径は、略一定であってもよく、液吐出口８５ｃに向かうにつれて徐々に大きくなってもよい。

この構成では、タンク内に吐出される直前の処理液に加わる圧力と、吐出された直後の処理液に加わる圧力との差が小さくなる。このため、処理液がタンク内に吐出された直後において、処理液に加わる圧力が開放されることに起因した液の挙動の暴れ（吐出状態の乱れ）を抑えることが可能となる。なお、吐出部８５ｄは、液吐出口８５ｃに向かうにつれて下方に傾いていてもよい。この場合、液吐出路８５（吐出部８５ｄ）における処理液の滞留が防止される。

なお、液面ＬＳの最上位置よりも下方に液吐出口を設けるタンクの構成も考えられる。例えば、このタンクでは、液吐出口が、タンク６１Ａ等での液面センサ８９Ｘと液面センサ８９Ｙとの間に対応する位置に配置されてもよい。液面ＬＳが液吐出口の下にあるときの処理液の吐出により飛沫が発生し、当該飛沫が側壁８３の内面に付着することが懸念されるが、上記構成のタンクでは、液面ＬＳが液吐出口よりも高くなった場合に、上記飛沫を回収することができる。なお、タンク６１Ａ～６１Ｃにおいて、タンクの使用時には液吐出口８５ｃが液面ＬＳよりも上方に位置し、タンクのメンテナンス時において液面が液吐出口８５ｃの上方に位置するまでタンク内に処理液（洗浄液）が補充されてもよい。

タンク６１Ａ，６１Ｂ内への窒素ガスの加圧方法として、上述の実施形態のようなガスの容器部８１内への供給と併用して、あるいはガスの供給に代えて、ダイアフラムを用いてタンク６１Ａ，６１Ｂ内が加圧されてもよい。当該ダイアフラム内には、窒素ガスが充填されていてもよい。

処理対象の基板は半導体ウェハに限られず、例えばガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）などであってもよい。

上記実施形態で説明した液供給部３０の各部の構成は適宜変更することができる。例えば、複数のノズル２２へ向けて送液する圧送部３２内に２つの送液部６０Ａ，６０Ｂが設けられ、それぞれにタンク６１Ａ，６１Ｂが設けられている構成について説明したが、送液部６０Ａ，６０Ｂは１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。また、タンク６１Ａ，６１Ｂは互いに異なる構造を有していてもよい。さらに、タンク６１Ａ，６１Ｂの一方のみが上記で説明した構成を有していてもよい。

２…塗布・現像装置、２２…ノズル、３０…液供給部、６１Ａ，６１Ｂ…タンク、８１…容器部、８２…上壁、８３…側壁、８４…底壁、８５…液吐出路、８５ｃ…液吐出口、８６…ガス吐出路、８６ｃ…ガス吐出口、８９Ｘ，８９Ｙ，８９Ｚ…液面センサ、Ｕ１…塗布ユニット、ＬＳ…液面。

Claims (11)

1. 内部空間を形成する上壁、側壁、及び底壁を有し、前記内部空間に処理液を収容する容器部と、
   前記内部空間に収容されている前記処理液の液面よりも高い位置に設けられた液吐出口を有し、前記処理液を前記容器部内に吐出可能な液吐出路と、
   前記液面よりも高い位置に設けられたガス吐出口を有し、ガスを前記容器部内に吐出可能なガス吐出路と、
   を備え、
   前記液吐出路は、前記側壁の内面のうち前記液面よりも上方に前記処理液を当てるように、前記液吐出口から前記処理液を吐出可能とされ、
   前記ガス吐出路は、前記側壁の内面のうち前記液面よりも上方に前記ガスを当てるように、前記ガス吐出口から前記ガスを吐出可能とされている、
   タンク。
2. 前記液吐出路のうち前記液吐出口を含む端部の延在方向は、鉛直方向に対して傾いている、請求項１に記載のタンク。
3. 上壁、側壁、及び底壁を有し、内部に処理液を収容する容器部と、
   前記容器部内に収容されている前記処理液の液面よりも高い位置に設けられた液吐出口を有し、前記処理液を前記容器部内に吐出可能な液吐出路と、
   前記液面よりも高い位置に設けられたガス吐出口を有し、ガスを前記容器部内に吐出可能なガス吐出路と、
   を備え、
   前記液吐出路は、前記側壁の内面のうち前記液面よりも上方に前記処理液を当てるように、前記液吐出口から前記処理液を吐出可能とされ、
   前記ガス吐出路は、前記容器部の内面のうち前記液面よりも上方に前記ガスを当てるように、前記ガス吐出口から前記ガスを吐出可能とされており、
   鉛直方向に交差する平面において、前記側壁の内面の断面は円形状であり、
   鉛直方向から見て、前記液吐出路のうち前記液吐出口を含む端部の延在方向に延びる仮想線、及び前記ガス吐出路のうち前記ガス吐出口を含む端部の延在方向に延びる仮想線の双方は、前記側壁の内面と直交していない、タンク。
4. 鉛直方向から見て、前記液吐出口と前記ガス吐出口とは、前記容器部内の中心を挟んで互いに対向している、請求項３に記載のタンク。
5. 前記液面の高さが所定位置に達したことをそれぞれ検出するための複数の液面検出部を更に備え、
   前記複数の液面検出部それぞれが検出する前記所定位置は、前記液吐出口、前記ガス吐出口、前記液吐出口から吐出される前記処理液が前記側壁に当たる位置、及び前記ガス吐出口から吐出される前記ガスが前記容器部に当たる位置よりも低い、請求項１～４のいずれか一項に記載のタンク。
6. 前記側壁の内面のうちの前記液吐出口よりも下方に位置する少なくとも一部は、前記処理液が前記側壁の内面を伝わって流れるように鉛直方向に対して傾斜している、請求項１又は２に記載のタンク。
7. 前記液吐出路は、前記液吐出口を含む吐出部と、前記吐出部まで前記処理液を送る送出部とを有し、
   前記吐出部の流路断面積は、前記送出部の流路断面積よりも大きい、請求項１又は２に記載のタンク。
8. 基板処理に用いられる処理液を一時的に貯留するタンクを有する液供給部と、
   前記液供給部から供給される前記処理液を処理対象の基板に向けて吐出するノズルと、
   を備え、
   前記タンクは、
   内部空間を形成する上壁、側壁、及び底壁を有し、前記内部空間に処理液を収容する容器部と、
   前記内部空間に収容されている前記処理液の液面よりも高い位置に設けられた液吐出口を有し、前記処理液を前記容器部内に吐出可能な液吐出路と、
   前記液面よりも高い位置に設けられたガス吐出口を有し、ガスを前記容器部内に吐出可能なガス吐出路と、を含み、
   前記液吐出路は、前記側壁の内面のうち前記液面よりも上方に前記処理液を当てるように、前記液吐出口から前記処理液を吐出可能とされ、
   前記ガス吐出路は、前記側壁の内面のうち前記液面よりも上方に前記ガスを当てるように、前記ガス吐出口から前記ガスを吐出可能とされている、
   基板処理装置。
9. 前記液供給部を制御する制御装置を更に備え、
   前記液供給部は、前記ガス吐出路を介して前記ガスを前記タンクに供給するガス送出管と、前記ガス送出管に設けられ、前記容器部内における前記ガスによる圧力を調節する圧力調節部とを更に有し、
   前記制御装置は、圧力が開放された状態から前記容器部内を加圧する際に、前記容器部内の圧力が徐々に上昇するように前記圧力調節部を制御する、請求項８に記載の基板処理装置。
10. 内部空間を形成する上壁、側壁、及び底壁を有し、前記内部空間に処理液を収容する容器部と、前記内部空間に収容されている前記処理液の液面よりも高い位置に設けられた液吐出口を有し、前記処理液を前記容器部内に吐出可能な液吐出路と、前記液面よりも高い位置に設けられたガス吐出口を有し、ガスを前記容器部内に吐出可能なガス吐出路と、を備えるタンクの使用方法であって、
    前記側壁の内面のうち前記液面よりも上方に前記処理液を当てるように、前記液吐出口から前記処理液を吐出することと、
    前記側壁の内面のうち前記液面よりも上方に前記ガスを当てるように、前記ガス吐出口から前記ガスを吐出することと、
    を含むタンクの使用方法。
11. 内部空間を形成する上壁、側壁、及び底壁を有し、前記内部空間に処理液を収容する容器部と、前記内部空間に収容されている前記処理液の液面よりも高い位置に設けられた液吐出口を有し、前記処理液を前記容器部内に吐出可能な液吐出路と、前記液面よりも高い位置に設けられたガス吐出口を有し、ガスを前記容器部内に吐出可能なガス吐出路と、前記容器部内のガスを排出する排出部と、を備えるタンクの使用方法であって、
    前記排出部から前記容器部内のガスを排出しつつ、前記側壁の内面のうち前記液面よりも上方に前記ガスを当てるように、前記ガス吐出口から前記ガスを吐出すること、
    を含むタンクの使用方法。

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