JP2620096B2 - 塗布装置 - Google Patents

塗布装置

Info

Publication number
JP2620096B2
JP2620096B2 JP63047701A JP4770188A JP2620096B2 JP 2620096 B2 JP2620096 B2 JP 2620096B2 JP 63047701 A JP63047701 A JP 63047701A JP 4770188 A JP4770188 A JP 4770188A JP 2620096 B2 JP2620096 B2 JP 2620096B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tank
resist
coating liquid
semiconductor wafer
coating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP63047701A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH01220827A (ja
Inventor
雅司 森山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP63047701A priority Critical patent/JP2620096B2/ja
Publication of JPH01220827A publication Critical patent/JPH01220827A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2620096B2 publication Critical patent/JP2620096B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、塗布装置に関する。
(従来の技術) 被処理体例えば半導体ウエハに対してレジストを塗布
処理する場合、半導体ウエハの被塗布面を上側に向けて
ウエハチャックで真空吸着し、被塗布面の中心部にレジ
ストを滴下して上記半導体ウエハをウエハチャックに接
続したモータで高速回転させることにより遠心力でレジ
ストを被塗布面に拡げていく方式が行なわれている。例
えば特開昭52−144971号公報には、塗布剤を滴下してウ
エハ状物体を回転することにより、塗布膜を形成する回
転塗布装置が開示されている。
また、被処理体例えば半導体ウエハ表面のパターン露
光されたレジスト膜を現像処理する場合、半導体ウエハ
の被現像面を上側に向けてウエハチャックで真空吸着
し、ウエハチャックに接続したモータで停止又は低速回
転中の半導体ウエハ被現像面に現像液をスプレーノズル
等で供給して、その後、半導体ウエハをモータで高速回
転させることにより遠心力で現像液を排除する方式が行
なわれている。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら上記説明の従来の技術では、レジストや
現像液を半導体ウエハの被処理面に供給して処理を行う
が、これらレジストや現像液はタンク内に収容されてい
て、タンク内残量を時々作業員が確認してタンクの交換
を行っていた。
しかし、これらレジストや現像液を収納した容器やタ
ンクの交換時期を適切に行えない場合は、滴下するレジ
ストや現像液中に気泡が混じったり、所望の量のレジス
トや現像液を提供できず、所望のレジスト膜厚や現像パ
ターンが得られなかったり、膜厚の均一性や現像の均一
性を得られず、不良品が大量発生して歩留まりが大幅に
低下するという問題があった。また、タンク内に未使用
のレジストや現像液を多く残したまま交換すると、レジ
ストや現像液は非常に高価であるので、処理のランニン
グコストが上昇するという問題があった。
本発明は上記点に対処してなされたもので、供給する
レジストや現像液中に気泡が混じることがなく、しか
も、レジストや現像液の収納容器の交換等を適切に行
い、歩留まりの向上およびコストを低下し、生産性を向
上することのできる塗布装置を提供するものである。
(課題を解決するための手段) 請求項1の発明は、第一のタンクに収納された塗布液
をポンプを介して基板の表面に供給し、基板を回転させ
ることにより前記塗布液を前記基板の表面全域に広げる
塗布装置において、前記第一のタンクと前記ポンプとの
間の塗布液供給路に設けられた第二のタンクと、この第
二のタンクの内部の上面に設けられた傾斜部と、この傾
斜部に設けられ前記第一のタンク方向から前記塗布液を
供給する供給口と、この供給口よりも下方位置に設けら
れ前記第二のタンクから前記ポンプ方向に前記塗布液を
流出させる流出口と、前記第二のタンク上面の前記供給
口よりも上方位置に設けられ、前記第二のタンク内の塗
布液の泡を排出する排出口と、前記第二のタンクに収納
された塗布液の液量を検出するセンサと、を具備した塗
布装置である。
この請求項1の塗布装置において、請求項2に記載し
たように、前記排出口を例えば前記第二のタンク上面の
最上部に設けることが好ましい。そして、請求項3に記
載したように、例えば前記第二のタンクに収納された塗
布液の液量を、複数のセンサーにより検出するように構
成しても良い。また、請求項4に記載したように、例え
ば前記複数のセンサーにより検出された検出値に基づい
て複数の警報を発するように構成しても良い。更に、請
求項5に記載したように、前記第二のタンク内の塗布液
の泡を排出口からドレインボックスに排出しても良い。
(作用) 本発明によれば、第二のタンクにおいて泡抜きを行う
ことにより、塗布液中の泡を取り除くことができる。こ
の場合、塗布液の液面に浮上した泡を、第二のタンクに
塗布液を満たすことによって、タンク上面の傾斜面に沿
って上方に集めることができ、そのようにして集めた塗
布液の泡を塗布液の供給口よりも上方の例えば第二のタ
ンク上面の最上部などに配置した排出口を介して効率よ
く排出することが可能となる。この場合、排出口から排
出させた塗布液の泡は、例えばドレインボックスなどに
回収すればよい。また、塗布液の供給口よりも上方にお
いて泡抜きを行っているので、第二のタンク内の塗布液
が排出口から外部に直接排出される心配がない。
更に本発明によれば、第二のタンクに収納された塗布
液の液量をセンサによって常に検出しているので、第二
のタンク内において塗布液が空の状態になるのを防ぐこ
とができ、常に流出口よりも上方の位置に塗布液の液面
を維持することができる。
従って、本発明によれば基板に供給するレジストや現
像液中に気泡が混入するのを防止できて、常に泡の無い
状態で塗布液を供給できるので、所望のレジスト膜厚や
現像パターンを得ることができ、膜厚や現像の不均一の
発生も防止できる。また、第二のタンクに収納された塗
布液の液量をセンサで検出することによって、第一のタ
ンクの交換時期が適切化され、高価な未使用のレジスト
や現像液を多量に廃棄してしまうことも防止できるよう
になる。
(実施例) 以下、本発明を半導体製造工程における半導体ウェハ
のレジスト塗布装置に適用した実施例につき、図面を参
照して説明する。
先ず、レジスト塗布装置の構成を説明する。
被処理体例えば半導体ウェハ(1)を保持例えば吸着
保持可能に例えば樹脂製円板状ウェハチャック(2)が
設けられている。このウェハチャック(2)は出力軸
(3)を介してスピンモータ(4)例えばACサーボモー
タに連設しており、例えば回転数が0〜8000rpmの所望
の回転数に回転可能に設けられている。このウエハチャ
ック(2)により保持した半導体ウエハ(1)を囲繞す
る如く例えば樹脂製又はSUS製の円筒状カップ(5)が
設けられており、このカップ(5)は上記半導体ウエハ
(1)表面の延長面と交わる近辺の部分を角度A(A≠
90゜)として傾斜させて設けられている。このカップ
(5)の底部には例えば円筒状排出管(6a)が設けられ
ており、この排出管(6a)と接続し上下動可能な円筒状
排出管(6b)を介して使用後のレジストを収容する例え
ば塩化ビニル製立方形状ドレインボックス(7)に連設
している。更に、このカップ(5)の底部には、このカ
ップ(5)内の排気を行うための図示しない排気機構に
連設した例えば円筒状排気管(8)が設けられている。
また、上記半導体ウエハ(1)の中心軸上に設定され
たレジストを、上記半導体ウエハ(1)表面に滴下可能
な如く例えば四弗化エチレン樹脂製又はSUS製のレジス
ト滴下ノズル(9)が設けられており、これはレジスト
温調自在例えば恒温水により温調を行う例えば円筒管状
熱交換器(10)にレジスト滴下位置まで接している。こ
の熱交換器(10)は、例えばウレタン樹脂又はゴム製の
管(11a,11b)により第1の温調器(12)に接続されて
いて、第1の温調器(12)により温調した恒温水を熱交
換器(10)に循環可能となっている。
そして、ノズル(9)は、例えば四弗化エチレン樹脂
製又はSUS製の管(13a,13b,13c)とレジストの逆流を防
止する逆止弁(14)と例えばエアシリンダ等を用いたポ
ンプ駆動機構(15)を具備した例えばベローズやダイア
フラムを用いたポンプ(16)と、非接触の液面センサ
(17)例えば静電容量センサ等を2個備えた例えば四弗
化樹脂製円筒状タンク(18)とを介してレジストの収納
容器例えばレジストタンク(19)に接続されていて、半
導体ウエハ上にレジストを供給可能となっている。即
ち、ノズル(9)と管(13a,13b,13c)と逆止弁(14)
とポンプ駆動機構(15)とポンプ(16)とレジストタン
ク(19)は処理に用いるレジストを被処理体の被処理面
に供給する手段を構成し、液面センサ(17)とタンク
(18)は処理に用いるレジストの残量を検出する手段を
構成している。
このレジストの残量を検出する手段は、第2図に示す
如く、レジストタンク(19)から管(13c)を介してタ
ンク(18)内に供給され管(13b)を介してポンプ(1
6)に送出されるレジストの液面を液面センサ(17)で
検知することによりレジストタンク(19)を含めた供給
する手段のレジスト残量を検出可能な構成となってい
る。そして、液面センサ(17)で検知されたレジスト残
量の信号はケーブル(25)を介して図示しない制御部へ
送られる。また、タンク(18)の最上部には、第2図の
如く、泡抜き部(26)を設けて、レジストタンク(19)
交換後にタンク(18)内をレジストで満たしてタンク
(18)内の泡を抜いた方がレジスト中に気泡が混入しな
い。この泡抜き部(26)は四弗化エチレン製又はSUS製
の管(27)を介してドレインボックス(7)と接続する
と、泡抜き時にタンク(18)から流出したレジストを容
易に排出できる。
ここで、カップ(5)は螺着等により例えばAl製方形
板状の台(20)に支持されており、同様に、スピンモー
タ(4)も螺着等によりAl製円形板状のモータ取付板
(21)を介して台(20)に固着支持されている。このモ
ータ取付板(21)は第2の温調器(22)からの恒温水を
例えばウレタン樹脂又はゴム製の管(23a,23b)を介し
て循環温調可能となっていて、スピンモータ(4)の駆
動軸即ち出力軸(3)を伝わる熱及びスピンモータ
(4)からの輻射熱をコントロールする手段を形成して
いる。
即ち、第3図に示す如く、台(20)に支持され、スピ
ンモータ(4)を固着したモータ取付板(21)内部に例
えば円環状に設けられた孔(30)に、管(23a,23b)を
介して恒温水を循環することによりモータ取付板(21)
を所望の温度にコントロール可能となっていて、このこ
とによりスピンモータからの輻射熱をコントロール可能
となっている。また、出力軸(3)とモータ取付板(2
1)の間には、モータ取付板(21)の温度コントロール
により出力軸(3)を伝わる熱をコントロール可能な如
く、熱伝導性の例えば焼結合金製円柱状軸受(31)が設
けられている。
また、上記構成の半導体ウエハ処理装置は図示しない
制御部で動作制御及び設定制御される。
次に、上述した半導体ウエハ処理装置による半導体ウ
エハのレジスト塗布方法を説明する。
被処理基板例えば半導体ウエハ(1)を図示しない搬
送機構例えばベルト搬送によりウエハチャック(2)上
に搬送し、上記半導体ウエハ(1)の中心と上記ウエハ
チャック(2)の中心を合わせてウエハチャック(2)
上に載置する。この中心合わせは予めカップ(5)外の
図示しない機構で行なってもよい。そして、この載置し
た半導体ウエハ(1)をウエハチャック(2)により図
示しない真空機構により吸着保持する。
この時、上記半導体ウエハ(1)の搬送を容易にする
ために、予めカップ(5)が支持する台(20)に対して
下降しており、保持した後に上昇する如くしてもよい。
この保持された半導体ウエハ(1)の中心部にレジス
ト滴下ノズル(9)からレジストを滴下する。このレジ
ストはレジストタンク(19)からポンプ(16)とポンプ
駆動機構(15)の働きで管(13a)を介してノズル
(9)に供給され、この供給されたレジストはポンプ
(16)に設けられた逆止弁(14)により逆流することは
ない。ここで、ポンプ(16)とレジストタンク(19)間
には、管(13b,13c)を介して液面センサ(17)を具備
したタンク(18)が設けられていて、このタンク(18)
内のレジスト量を検出することによりレジスト残量を検
出している。この様にレジスト残量を検出するので、レ
ジスト残量が少なくなった時にレジスト中に気泡が混じ
り、不良品が大量発生し歩留りが大幅に低下するのを防
止でき、また、供給するレジスト量が所望の量となら
ず、所望のレジスト膜厚が得られない場合や膜厚の均一
性を得られない場合を防止でき、歩留り及び生産性が向
上する。しかも、完全にレジスト残量がなくなって、ま
ったく処理できなかった半導体ウエハ(1)が次工程に
誤まって流される事も防止できる。また、事前に作業工
程の中にレジストタンク(19)の交換作業等を組み込め
るので、作業の効率化を計れるという効果もある。
それに、レジストタンク(19)内に高価な未使用のレ
ジストを多く残したままレジストタンク(19)を交換す
るのを防止できるので、効率的で安いランニングコスト
による処理を実現できる。
そして、レジスト残量を検知する手段は、ポンプ駆動
機構(15)の作動回数とポンプ(16)容量から算定する
如くしてもよく、レジストタンク(19)の重量を重量セ
ンサ例えばひずみセンサで感知してレジスト残量を検知
してもよく、レジストの残量を検知できれば何れの方法
でも良いことは言うまでもない。
また、液面センサ(17)からの信号によりブザー音や
光による表示を行ない、作業者にレジストタンク(19)
の交換時期を知らせる様にしてもよく、2個の液面セン
サ(17)を用いて2段階に警報を出す様にしてもよく、
しかも上側の液面センサ(17)を用いて泡抜きの確認を
行なってもよい。
ここで、このレジストをレジスト滴下ノズル(9)に
供給する時既に、ノズル(9)内のレジストは熱交換器
(10)へ管(11a,11b)と第1の温調器(12)により循
環した恒温水で所望の温度例えば20℃〜30℃程度となっ
ている。この様に、滴下するレジストを例えば2重管構
造の熱交換で温調することにより、レジストの温度変化
をなくした状態で半導体ウエハ(1)表面にレジスト塗
布を行なうことができ、膜厚の不均一やロット間の不均
一を防止でき、歩留りを向上することができる。
また、この時既に、スピンモータ(4)は所望の回転
数例えば4000〜6000rpm程度で所望の加速度例えば10000
〜50000rpm/secで回転している。この回転時にスピンモ
ータ(4)から熱が生じ、この熱が出力軸(3)を伝わ
ったり、直接スピンモータ(4)から輻射熱として放出
され、半導体ウエハ(1)やウエハチャック(2)に熱
影響を与えるが、スピンモータ(4)上面を固着支持す
るモータ取付板(21)内部の孔(30)に、管(23a,23
b)を介して第2の温調器(22)より恒温水を循環する
ことにより、モータ取付板(21)温度をコントロールす
る。このことにより、スピンモータ(4)の駆動軸即ち
出力軸(3)を伝わる熱を軸受(31)を介してモータ取
付板(21)でコントロールでき、また、スピンモータ
(4)からの輻射熱もモータ取付板(21)でコントロー
ルできる。そこで、スピンモータ(4)の出力軸(3)
を伝わる熱及びスピンモータ(4)の輻射熱を断線する
如くコントロールして、ウエハチャック(2)や半導体
ウエハ(1)の温度の不均一を防止し、レジスト膜厚均
一性を向上し、処理の均一性により歩留りを向上するこ
とができる。また、レジスト塗布時に半導体ウエハ
(1)中央の温度が少し高く半導体ウエハ(1)周縁の
温度が少し低くなる如く、モータ取付板(21)温度をコ
ントロールしてスピンモータ(4)の出力軸(3)を伝
わる熱及びスピンモータ(4)の輻射熱をコントロール
すると、回転する半導体ウエハ(1)表面各部の周速の
違いにより生じる周辺雰囲気中へのレジスト溶媒の揮発
速度の差をなくすことができるので、レジスト膜厚均一
性を向上させることができ、歩留り及び生産性も向上す
る。
次に、レジストを半導体ウエハ(1)上に滴下し、遠
心力により半導体ウエハ(1)表面に拡散する。この半
導体ウェハ(1)を更に回転させて、上記拡散されたレ
ジストを乾燥させる。このような処理中、図示しない制
御部に予め設定されたプログラムによりカップ(5)内
の排気を図示しない排気機構により排気管(8)を介し
て行なう。また、上記半導体ウエハ(1)の回転により
飛散したレジストは、カップ(5)の内側即ち半導体ウ
エハ(1)の表面の延長面と交わる近辺の部分を角度A
(A≠90゜)として傾斜させて設けられた部分により半
導体ウエハ(1)表面へのはね返り防止が行なわれて周
縁部に付着し落下する。そして、この飛散したレジスト
は排出管(6a,6b)を介して使用後のレジストを収容す
るドレインボックス(7)に収容する。ここで、排出管
(6a)と接続した排出管(6b)が矢印方向に上下動可能
となっているので、排出管(6b)を上昇させた状態でド
レインボックス(7)が容易に水平方向に移動可能とな
り、ドレインボックス(7)の交換が短時間で行うこと
ができ、装置の稼働効率が向上する。このドレインボッ
クス(7)の交換は、ドレインボックス(7)内の使用
後のレジスト量を検出したり、ドレインボックス(7)
の重量を検出することにより、自動的に排出管(6b)を
上昇させて交換する様にしてもよい。
そして、処理済みの半導体ウエハを図示しない搬送機
構で搬出することにより処理が終了する。
上記実施例では半導体製造工程における半導体ウエハ
のレジスト塗布に適用して説明したが、半導体ウエハ表
面のパターン露光されたレジスト膜を現像処理する場合
に適用してもよく、この現像処理の場合に現像液残量を
検出するので、現像液中に気泡が混じったり、所望の量
の現像液を供給できず、所望の現像パターンや現像の均
一性が悪化するのを防止でき、歩留り及び生産性を向上
できる。また、高価な未使用の現像液を多く残したまま
現像液を収容したタンクを交換するのを防止できるの
で、効率的で安いランニングコストによる処理を行なえ
る。しかも、レジスト塗布に適用した場合に説明した効
果も同様に生じることは言うまでもなく被処理体を回転
して処理するレジスト処理装置であれば何れにでも適用
できることは当然である。
また、上記実施例ではタンクからポンプを用いてノズ
ルにレジストを供給する様に説明したが、処理に用いる
レジスト又は現像液を被処理体の被処理面に供給できれ
ばよく、空気圧を利用してレジスト又は現像液を供給し
てもよく、何れの方法でもよいことは言うまでもない。
しかも、上記実施例ではレジスト又は現像液を収容し
たタンクを交換する場合について説明したが、レジスト
又は現像液を収容するタンクに処理に用いるレジスト又
は現像液を自動的に例えば空気圧等を利用して供給して
もよく、この自動供給の時期の適切化に用いてもよい。
以上述べたようにこの実施例によれば、ウエハチャッ
ク上の半導体ウエハをスピンモータで回転し、半導体ウ
エハ上にレジスト等を滴下し処理する場合、この処理に
用いるレジスト又は現像液等を半導体ウエハの被処理面
に供給する手段と、このレジスト又は現像液収納容器の
残量を検出する手段を具備したので、所望のレジスト膜
厚や現像パターンを得ることができ、膜厚や現像の不均
一の発生が防止でき、しかも、未使用のレジストや現像
液を多量に廃棄するのを防止できる。
(発明の効果) 本発明によれば、基板に供給するレジストや現像液中
に気泡が混入するのを防止でき、常に泡の無い状態で塗
布液を供給できるので、所望のレジスト膜厚や現像パタ
ーンを得ることができ、膜厚や現像の不均一の発生も防
止できる。また、第二のタンクに収納された塗布液の液
量をセンサで検出することによって、第一のタンクの交
換時期が適切化され、高価な未使用のレジストや現像液
を多量に廃棄してしまうことも防止できるようになる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明装置の一実施例を説明するための構成
図、第2図は第1図の処理に用いるレジストの残量の検
出を説明する為の図、第3図は第1図のスピンモータ及
びモータ取付板を説明するための図である。 図において、 1……半導体ウエハ、2……スピンチャック 3……出力軸、4……スピンモータ 16……ポンプ、17……液面センサ 18……タンク、26……泡抜き部

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第一のタンクに収納された塗布液をポンプ
    を介して基板の表面に供給し、基板を回転させることに
    より前記塗布液を前記基板の表面全域に広げる塗布装置
    において、 前記第一のタンクと前記ポンプとの間の塗布液供給路に
    設けられた第二のタンクと、この第二のタンクの内部の
    上面に設けられた傾斜部と、この傾斜部に設けられ前記
    第一のタンク方向から前記塗布液を供給する供給口と、
    この供給口よりも下方位置に設けられ前記第二のタンク
    から前記ポンプ方向に前記塗布液を流出させる流出口
    と、前記第二のタンク上面の前記供給口よりも上方位置
    に設けられ、前記第二のタンク内の塗布液の泡を排出す
    る排出口と、前記第二のタンクに収納された塗布液の液
    量を検出するセンサと、を具備した塗布装置。
  2. 【請求項2】前記排出口を前記第二のタンク上面の最上
    部に設けた請求項1に記載の塗布装置。
  3. 【請求項3】前記第二のタンクに収納された塗布液の液
    量は、複数のセンサーにより検出される請求項1または
    2に記載の塗布装置。
  4. 【請求項4】前記複数のセンサーにより検出された検出
    値に基づいて複数の警報を発するように構成された請求
    項3に記載の塗布装置。
  5. 【請求項5】前記第二のタンク内の塗布液の泡を排出口
    からドレインボックスに排出する請求項1、2、3また
    は4の何れかに記載の塗布装置。
JP63047701A 1988-02-29 1988-02-29 塗布装置 Expired - Lifetime JP2620096B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63047701A JP2620096B2 (ja) 1988-02-29 1988-02-29 塗布装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63047701A JP2620096B2 (ja) 1988-02-29 1988-02-29 塗布装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01220827A JPH01220827A (ja) 1989-09-04
JP2620096B2 true JP2620096B2 (ja) 1997-06-11

Family

ID=12782601

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63047701A Expired - Lifetime JP2620096B2 (ja) 1988-02-29 1988-02-29 塗布装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2620096B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5015655B2 (ja) * 2007-05-09 2012-08-29 ルネサスエレクトロニクス株式会社 液体材料供給装置およびこれを用いた液体材料供給方法
TWI379998B (en) * 2008-07-18 2012-12-21 Inotera Memories Inc Photoresist solution dispensing volume monitoring method
JP7267088B2 (ja) 2019-05-10 2023-05-01 東京エレクトロン株式会社 タンク、基板処理装置、及びタンクの使用方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56128420A (en) * 1980-03-13 1981-10-07 Yuushin:Kk Level gauge
JPS59135322A (ja) * 1983-01-21 1984-08-03 Niles Parts Co Ltd 液面計
JPS60117727A (ja) * 1983-11-30 1985-06-25 Canon Hanbai Kk フオトレジスト供給装置
JPH0311885Y2 (ja) * 1985-08-30 1991-03-20
JPS62294914A (ja) * 1987-06-19 1987-12-22 Hitachi Ltd 極低温冷媒液面計

Also Published As

Publication number Publication date
JPH01220827A (ja) 1989-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11203094B2 (en) Substrate cleaning device, substrate processing apparatus, substrate cleaning method and substrate processing method
US8512478B2 (en) Cleaning and drying-preventing method, and cleaning and drying-preventing apparatus
US5374312A (en) Liquid coating system
US20040137823A1 (en) Polishing apparatus
JP2000315671A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US10335836B2 (en) Method and apparatus for treating substrate
JP2005046694A (ja) 塗布膜形成方法及び塗布装置
KR101579509B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US8858755B2 (en) Edge bevel removal apparatus and method
JP2620096B2 (ja) 塗布装置
JP2886382B2 (ja) 塗布装置
JP2893146B2 (ja) 塗布装置
JP2000140505A (ja) 脱気装置及び脱気方法
JPH0555133A (ja) 液体供給ノズル
JP2940620B2 (ja) 液処理装置
JP2003178944A (ja) 現像処理方法及び現像処理装置
JPH1133467A (ja) 飛散防止カップの洗浄方法及び塗布装置
KR102387540B1 (ko) 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법
JP2000271524A (ja) 処理装置及び処理方法
JPH0576814A (ja) 塗布装置
JPH1012540A (ja) 処理装置
JP2557932Y2 (ja) ノズル洗浄機構付き薬液供給ノズル
JP2651719B2 (ja) 現像処理装置
JPH0262549A (ja) スピンデベロッパ、レジスト処理装置及びレジスト処理方法
JP2906001B2 (ja) 処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term