TWI555830B - 研磨用組成物及利用其的半導體基板的研磨方法 - Google Patents

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Description

研磨用組成物及利用其的半導體基板的研磨方法
本發明係關於主要於使用研磨墊研磨矽晶圓等半導體基板的用途中所使用之研磨用組成物，以及使用該研磨用組成物而研磨半導體基板之方法。
一般而言，在矽晶圓等半導體基板之研磨中，除了當然的伴隨於半導體裝置之高性能化及高積體密度化之表面品質提升之外，為了因應近年來之需求增加，製造效率之提升亦成為重要的課題。為了因應此課題，例如，專利文獻1所揭示之研磨用組成物中，以提升研磨速度為目的而使用哌嗪(piperazine)。
然而，使用於半導體基板之研磨的研磨墊係因重複使用而容易發生堵塞，因為此堵塞，會引起半導體基板之加工能率降低以及表面品質之惡化。當研磨墊堵塞時，必須中斷研磨並利用修整(dressing)來去除堵塞、或者更換研磨墊，使得半導體基板之製造效率降低。對此，例如專利文獻2所揭示之研磨用組成物中，在防止研磨用組成物中之研磨粒子的凝集及沈降、並且抑制作為研磨用組成物中之研磨促進劑的哌嗪析出之目的下，使用水與醇之混合溶媒。
然而，研磨墊之堵塞不僅因所使用的研磨用組成物中之成分而引起，亦會因半導體基板被研磨而由半導體基板產生之研磨碎屑而引起。此研磨碎屑所造成之研磨墊的堵塞係難以利用專利文獻1及2所揭示之研磨用組成物來防止。
[先前技術文獻]
(專利文獻1)日本專利公開公報特開平05-154760號
(專利文獻2)日本專利公開公報特開2004-335722號
本發明係經過發明人之深入研究，結果發現，藉由使用含有研磨粒、選自碳數2～6之脂肪族醇及碳數3～10之二醇醚的至少一種醇化合物、選自四級胺鹽或鹼金屬鹽之至少一種鹼性化合物的研磨用組成物，可防止因半導體基板產生之研磨碎屑所造成之研磨墊的堵塞，基於此發現而完成本發明，其目的在於提供可更適合使用於半導體基板之研磨的研磨用組成物、以及使用此種研磨用組成物來研磨半導體基板之方法。
為了達成上述目的，本發明之一態樣係提供一種研磨用組成物，其含有研磨粒、選自碳數2～6之脂肪族醇及碳數3～10之二醇醚的至少一種醇化合物、選自四級胺鹽或鹼金屬鹽之至少一種鹼性化合物、以及水，上述研磨粒之平均一次粒徑為5～50nm，研磨用組成物中之上述醇化合物的含有量為0.01～1質量%。
本發明之其他態樣係提供一種使用上述態樣之研磨用組成物而研磨半導體基板表面之方法。
以下，說明本發明之一實施型態。
本實施型態之研磨用組成物係將研磨粒、醇化合物與鹼性化合物混合於水中而調製。因此，研磨用組成物係含有研磨粒、醇化合物、鹼性化合物及水。該研磨用組成物主要係使用於研磨矽晶圓等半導體基板表面之用途，尤其是在精研磨之前對半導體基板表面所進行之一次研磨或二次研磨等之預備研磨。
<研磨粒>
研磨用組成物中所含之研磨粒係發揮物理性研磨半導體基板表面之作用。
可使用的研磨粒之例，可舉例如二氧化矽、氧化鋁、氧化鈰、氧化鋯、鑽石、碳化矽等，但並不限定於此等。其中，在使用膠體矽石、燻矽(fumed silica)、溶膠凝膠法矽石等的二氧化矽之情況，相較於使用其他種類研磨粒之情況，可進一步減低半導體基板表面之粗糙度而較佳。又，在使用膠體矽石或燻矽，尤其是膠體矽石之情況，可減少因研磨而於半導體基板表面發生之刮痕而較佳。研磨粒可單獨使用一種，亦可組合二種以上使用。
所使用之研磨粒可為具有球形形狀者或具有非球形形狀者。非球形形狀之例，可舉例如中央部具有收縮之所謂繭形的形狀，或於表面具有複數突起之球形形狀等，但不限定於此等。在使用非球形形狀之研磨粒的情況，可進一步提升研磨速度而較佳。亦可組合使用形狀不同的二種以上之研磨粒。
所使用之研磨粒，藉由利用氣體吸附所進行之粉體比表面積測定法(BET法)所測定之比表面積，進而求得之平均一次粒徑必須為5nm以上。平均一次粒徑未滿5nm之情況，由於會損及研磨用組成物之安定性，故不實用。
又，研磨粒之平均一次粒徑必須為50nm以下，較佳為35nm以下，更佳為20nm以下。平均一次粒徑超過50nm之情況，研磨粒可能會使研磨墊的堵塞情形惡化。
<醇化合物>
研磨用組成物中所含之醇化合物係選自碳數2～6之脂肪族醇及碳數3～10之二醇醚的至少一種。醇化合物係藉由吸附於研磨中的半導體基板表面，利用研磨用組成物調整半導體基板之研磨速度，藉此發揮抑制半導體基板產生之研磨碎屑所造成的研磨墊堵塞之作用。
碳數2～6之脂肪族醇之例，可舉例如乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、第三丁醇、戊醇、己醇、乙二醇、丙二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、1,6-己二醇、甘油、1,2,4-丁三醇、1,2,6-己三醇、赤藻糖醇、D-蘇糖醇(D-threitol)、L-蘇糖醇、D-阿拉伯糖醇(D-arabinitol)、L-阿拉伯糖醇、核糖醇、木糖醇、甘露糖醇、山梨糖醇等。該等之中，較佳為屬於1～3元醇之乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、戊醇、乙二醇、丙二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、1,6-己二醇、甘油、1,2,4-丁三醇、1,2,6-己三醇，更佳為乙醇、1-丙醇、2-丙醇。又，從提升研磨用組成物之研磨速度的觀點而言，最佳為乙醇，從提升研磨用組成物之漿體安定性之觀點而言，最佳為1-丙醇、2-丙醇。
碳數3～10之二醇醚之例，可舉例如甲基甘醇、甲基二甘醇、甲基三甘醇、異丙基甘醇、異丙基二甘醇、丁基甘醇、丁基二甘醇、丁基三甘醇、異丁基甘醇、異丁基二甘醇、己基甘醇、己基二甘醇、2-乙基己基甘醇、2-乙基己基甘醇、烯丙基甘醇、苯基甘醇、苯基二甘醇、卞甘醇、甲基伸丙基甘醇、甲基伸丙基二甘醇、甲基伸丙基三甘醇、丙基伸丙基甘醇、丙基伸丙基二甘醇、丁基伸丙基甘醇、丁基伸丙基二甘醇、苯基伸丙基甘醇等。該等之中，較佳為甲基甘醇、甲基二甘醇、異丙基甘醇、烯丙基甘醇、甲基伸丙基甘醇，更佳為甲基二甘醇。
碳數3～10之二醇醚相較於碳數2～6之脂肪族醇，在具有提高研磨用組成物之安定性的作用方面係為有利。
碳數1之脂肪族醇的甲醇，由於分子量小，故吸附於半導體基板表面之能力低，因此不具有抑制研磨墊堵塞之作用。又，碳數7以上之脂肪族醇難溶於水，故無法適合使用。
碳數2以下之二醇醚在工業上無法取得。碳數11以上之二醇醚難溶於水，故無法適合使用。
研磨用組成物中之醇化合物的含有量必須為0.01質量%以上，較佳為0.02質量%以上，更佳為0.05質量%以上。在醇化合物之含有量未滿0.01質量%之情況，吸附於研磨中之半導體基板表面的醇化合物之量變少，故利用醇化合物對研磨墊堵塞之抑制不充分。
又，研磨用組成物中之醇化合物之含有量必須為1質量%以下，較佳為0.07質量%以下。在醇化合物之含有量超過1質量%之情況，研磨速度大幅降低，故不實用。
<鹼性化合物>
研磨用組成物中所含之鹼性化合物係選自四級銨鹽或鹼金屬鹽之至少一種。鹼性化合物係發揮化學性研磨半導體基板之作用。又，鹼性化合物係具有使半導體基板產生之研磨碎屑分散的高能力，對於抑制研磨碎屑導致之研磨墊堵塞亦發揮作用。
四級銨鹽之例，可舉例如四級銨鹽之氫氧化物、碳酸鹽、碳酸氫鹽，更具體而言可舉出氫氧化四甲基銨、碳酸四甲基銨、碳酸氫四甲基銨。其中，從提升研磨用組成物之研磨速度的觀點而言，較佳為氫氧化四甲基銨。
鹼金屬鹽之例，可舉例如鹼金屬之氫氧化物、碳酸鹽、碳酸氫鹽，更具體而言可舉出氫氧化鉀、氫氧化鈉、碳酸氫鉀、碳酸鉀、碳酸氫鈉、碳酸鈉。其中，以降低研磨後之半導體基板的金屬污染之目的而言，以鉀鹽為較佳，其中較佳為氫氧化鉀、碳酸氫鉀、碳酸鉀，更佳為氫氧化鉀、碳酸鉀。
組合使用四級銨鹽與鹼金屬鹽之情況，可獲得於提升研磨速度與降低研磨後之半導體基板的金屬污染二者之間取得平衡之研磨用組成物。
研磨用組成物中之鹼性化合物之含有量較佳為0.001質量%以上，更佳為0.15質量%以上。隨著鹼性化合物之含有量變多，可提升研磨用組成物對半導體基板之研磨速度。
又，研磨用組成物中之鹼性化合物之含有量較佳為0.5質量%以下，更佳為0.2質量%以下。隨著鹼性化合物之含有量變少，可減少研磨後之半導體基板的表面粗糙度。
研磨用組成物之pH較佳為8.5以上，更佳為10.0以上。在研磨用組成物之pH為8.5以上之情況，進言之在10.0以上之情況，可容易獲得實用上較佳水準的研磨速度。
又，研磨用組成物之pH較佳為11.5以下，更佳為11.0以下。在研磨用組成物之pH為11.5以下之情況，進言之在11.0以下之情況，可獲得實用上較佳水準的研磨速度。
為了將研磨用組成物之pH調整為所需之值，可使用pH調整劑。鹼性化合物亦可使用作為pH調整劑。
<水>
研磨用組成物中所含之水係發揮溶解或分散研磨用組成物中之其他成分的作用。水中以盡量不含阻礙其他成分之作用的雜質為較佳。具體而言，較佳係使用離子交換樹脂去除雜質離子後，通過過濾器而去除異物之離子交換水，或者純水、超純水或蒸餾水。
使用研磨用組成物研磨之半導體基板之例，可舉例如矽晶圓、鍺晶圓、矽-鍺晶圓、化合物半導體(GaAs、InAs、GaN)晶圓等，但不限定於此等。其中，於研磨容易被鹼性化合物化學性研磨之矽晶圓或鍺晶圓、矽-鍺晶圓、GaAs晶圓的用途，尤其是研磨矽晶圓的用途中，可適合地使用本發明之研磨用組成物。
當使用研磨用組成物研磨半導體基板表面時，係一邊對半導體基板表面供給研磨用組成物，一邊於研磨墊押抵於半導體基板表面之狀態下，使半導體基板及研磨墊旋轉。此時，利用研磨墊與半導體基板表面之間的摩擦、或研磨用組成物中之研磨粒與半導體基板表面之間的摩擦之物理作用，以及研磨用組成物中之鹼性化合物之化學作用，研磨半導體基板表面。
研磨用組成物可為一劑型，亦可為二劑型等多劑型。在二劑型之研磨用組成物的情況，亦可以含有研磨粒及鹼性化合物的第一劑與含有醇化合物的第二劑所構成之套組的型態提供。可事先將第一劑與第二劑互相混合後再供給至研磨裝置，或者亦可將第一劑與第二劑分別供給至研磨裝置。再將第一劑與第二劑分別供給至研磨裝置之情況，較佳係第一劑從基板表面之研磨開始時起、且其後亦持續供給至基板表面，而第二劑則在基板表面之研磨開始後才供給至基板表面。
使用於半導體基板表面之研磨的研磨用組成物亦可回收再利用(循環使用)。更具體而言，亦可將從研磨裝置排出之已使用過的研磨用組成物暫時回收至槽內，從槽內再次供給至研磨裝置。此情況，將已使用過之研磨用組成物作為廢液進行處理之必要減少，故可減低環境負荷及降低成本。
於循環使用研磨用組成物時，亦可進行因使用於半導體基板表面之研磨而消耗或損失之研磨用組成物中的研磨粒、醇化合物及鹼性化合物中之至少任一個的減少份量之補充。此補充可藉由將研磨粒、醇化合物或鹼性化合物添加至已使用過之研磨用組成物而進行，或者亦可將以任意濃度含有研磨粒、醇化合物及鹼性化合物中之至少二個的混合物，添加至已使用過之研磨用組成物中，藉此進行。
根據本實施型態，可獲得以下之優點。
本實施型態之研磨用組成物係含有藉由吸附於研磨中之半導體基板表面而可調整研磨用組成物對半導體基板之研磨速度之醇化合物。又，亦含有具有使半導體基板產生的研磨碎屑分散的高能力之鹼性化合物。因此，根據此研磨用組成物，可抑制因半導體基板產生之研磨碎屑導致的研磨墊之堵塞。故，此研磨用組成物可適合使用於研磨半導體基板表面之用途，尤其是精研磨之前對半導體基板表面所進行之預備研磨。
上述實施型態亦可如下述般變化。
上述實施型態之研磨用組成物亦可進一步含有螯合劑。在含有螯合劑之情況，可抑制研磨用組成物所造成之半導體基板的金屬污染。可使用之螯合劑的例，可舉例如胺基羧酸系螯合劑及有機膦酸系螯合劑。胺基羧酸系螯合劑之例，可舉出伸乙二胺四醋酸、伸乙二胺四醋酸鈉、氮基三醋酸、氮基三醋酸鈉、氮基三醋酸銨、羥基乙基伸乙二胺三醋酸、羥基乙基伸乙二胺三醋酸鈉、二伸乙三胺五醋酸、二伸乙三胺五醋酸鈉、三伸乙四胺六醋酸及三伸乙四胺六醋酸鈉。有機膦酸系螯合劑之例，可舉例如2-胺基乙基膦酸、1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸、胺基三(亞甲基膦酸)、伸乙二胺肆(亞甲基膦酸)、二伸乙三胺五(亞甲基膦酸)、乙烷-1,1,-二膦酸、乙烷-1,1,2-三膦酸、乙烷-1-羥基-1,1-二膦酸、乙烷-1-羥基-1,1,2-三膦酸、乙烷-1,2-二羧基-1,2-二膦酸、甲烷羥基膦酸、2-膦醯基丁烷-1,2-二羧酸、1-膦醯基丁烷-2,3,4-三羧酸及α-甲基膦醯基琥珀酸。
上述實施型態之研磨用組成物亦可視需要進一步含有防腐劑之類的公知添加劑。
上述實施型態之研磨用組成物，於製造時及販賣時亦可為經濃縮的狀態。亦即，上述實施型態之研磨用組成物亦可以研磨用組成物的原液之型式製造及販賣。
上述實施型態之研磨用組成物亦可藉由將研磨用組成物的原液以水稀釋而調製。
使用上述實施型態之研磨用組成物研磨半導體基板表面時所使用之研磨墊，可使用聚胺基甲酸酯型、不織布型、麂皮型等之任一種類的研磨墊，又，可為含有研磨粒者，亦可為不含研磨粒者。
其次，說明本發明之實施例及比較例。
將研磨粒、醇化合物及鹼性化合物與視需要之螯合劑一起於離子交換水中混合，調製實施例1～31之研磨用組成物。將研磨粒、醇化合物、鹼性化合物及螯合劑之全部或一部分於離子交換水中混合，調製比較例1～10之研磨用組成物。實施例1～31及比較例1～10之各研磨用組成物中的水以外之成分詳情係示於表1。
使用實施例1～26、29～31及比較例1～10之各研磨用組成物，以下述第1研磨條件進行研磨。又，使用實施例27、28之各研磨用組成物，以第2研磨條件進行研磨。
<第1研磨條件>
研磨裝置：具備4片陶瓷板之不二越機械工業公司製之單面研磨機SPM-15
研磨對象物：利用蠟以4片為單位固定於各陶瓷板之直徑6吋(約150mm)、傳導型為p-型、結晶方位為<100>、電阻率為0.1Ω‧cm以上且未滿100Ω‧cm之矽晶圓
研磨負重：32kPa
平盤之轉速：38min-1(38rpm)
陶瓷板之轉速：35min-1(35rpm)
研磨墊：使用Rodel公司製之Suba800，完全不修飾
研磨用組成物之使用狀況：以每分鐘0.004m3(4L)之供給速度循環使用
循環使用時之研磨用組成物之pH管理：使用1當量濃度之氫氧化鉀水溶液，將pH保持為10.5
研磨時間：每批次30分鐘
研磨用組成物之保持溫度：27℃
<第2研磨條件>
研磨裝置：與第1研磨條件相同
研磨對象物：與第1研磨條件相同
研磨負重：與第1研磨條件相同
平盤之轉速：與第1研磨條件相同
陶瓷板之轉速：與第1研磨條件相同
研磨墊：與第1研磨條件相同
研磨用組成物之使用狀況：與第1研磨條件相同
循環使用時之研磨用組成物之pH管理：使用含有乙醇1質量%的1當量濃度之氫氧化鉀水溶液，將pH保持為10.5
研磨時間：與第1研磨條件相同
研磨用組成物之保持溫度：與第1研磨條件相同
<研磨速度之算出及評價>
於研磨前及研磨後測定使用實施例1～31及比較例1～10之各研磨用組成物進行研磨的矽晶圓中心部之厚度。然後，將研磨前後之厚度差除以研磨時間(30分鐘)，算出研磨速度。第1批次之研磨時所算出的研磨速度值係示於表1之「研磨速度」欄。將此算出值以A～E五階段評價之結果亦示於同欄。「A」表示研磨速度大於0.8μm/分鐘，「B」表示在0.8μm/分鐘以下且大於0.7μm/分鐘，「C」表示在0.7μm/分鐘以下且大於0.5μm/分鐘，「D」表示在0.5μm/分鐘以下。「×」表示所使用之醇化合物不溶解於研磨用組成物中，因此放棄其後之研磨用組成物的使用，無法評價。
<累積研磨量之算出及評價>
重複批次操作，直至研磨速度降低至第1批次研磨時所算出之研磨速度值的8成為止，算出至此為止所有批次之研磨量之總計。將此算出值示於表1之「累積研磨量」欄。又，將算出值以A～E五階段評價之結果亦示於同欄。「A」表示累積之研磨量大於3000μm，「B」表示在3000μm以下且大於2500μm，「C」表示在2500μm以下且大於1700μm，「D」表示在1700μm以下且大於1500μm，「E」表示在1500μm以下。「×」表示所使用之醇化合物不溶解於研磨用組成物中，因此放棄其後之研磨用組成物的使用，無法評價。研磨速度值隨著重複批次而降低之原因係研磨墊堵塞之進行。因此，累積研磨量之值越大，表示研磨墊堵塞之進行越慢。
<表面粗糙度之測定及評價>
使用Schmitt Measurement Systems. Inc.公司製之TMS-3000-WRC，測定第1批次研磨後之矽晶圓的表面粗糙度。將此測定值示於表1之「表面粗糙度」欄中。又，將測定值以A～E五階段評價之結果亦示於同欄。「A」表示表面粗糙度未滿5.5，「B」表示在5.5以上且未滿6.0，「C」表示在6.0以上且未滿6.5，「D」表示在6.5以上且未滿7.0，「E」表示在7.0以上。「×」表示所使用之醇化合物不溶解於研磨用組成物中，因此放棄其後之研磨用組成物的使用，無法評價。
<安定性之評價>
將實施例1～31及比較例1～10之各研磨用組成物的10倍濃縮物於25℃下保存，於保存1個月後，使用將其以離子交換水稀釋10倍所得之稀釋液，以與上述<研磨速度之算出及評價>欄中記載相同之方法，算出研磨速度之值。然後，將對此算出值以A～E之五階段評價的結果示於表1之「安定性」欄中。「A」表示相對於「研磨速度」欄中記載之值為-10%以上且未滿+10%，「B」為-20%以上且未滿-10%或+10%以上且未滿+20%。「×」表示所使用之醇化合物不溶解於研磨用組成物中，因此放棄其後之研磨用組成物的使用，無法評價。
表1之「研磨粒」欄中所示之研磨粒的平均一次粒徑值，係使用Micromeritics公司製之FlowSorb II 2300所測定之值。又，於該「研磨粒」欄中，「A」表示繭形形狀之研磨粒，「B」表示真球形形狀之研磨粒，「C」表示於表面具有複數突起之球形形狀的研磨粒。
表1之「鹼性化合物」欄中，「TMAH」表示氫氧化四甲基銨，「KOH」表示氫氧化鉀，「K2CO3」表示碳酸鉀，「PIZ」表示無水哌嗪，「TETA」表示三伸乙四胺。
表1之「螯合劑」欄中，「DTPA」表示二伸乙三胺五醋酸，「EDTA」表示伸乙二胺四醋酸，「TTHA」表示三伸乙四胺六醋酸，「EDPTO」表示伸乙二胺肆亞甲基磺酸。
如表1所示，實施例1~31中，不論何種評價項目均獲得A、B或C之實用上可滿足的結果。相對於此，比較例1~10中，一個以上的評價項目係為D、E或×，無法獲得實用上可滿足之結果。
另外，調製實施例1~31及比較例1~10之研磨用組成物組成的10倍之濃縮液，將其以離子交換水稀釋10倍所獲得之稀釋液，其係分別具有與實施例1~31及比較例1~10的研磨用組成物同等之性能。

Claims (10)

  1. 一種研磨用組成物，其特徵為含有：研磨粒；選自碳數2~6之脂肪族醇及碳數3~10之二醇醚的至少一種醇化合物；選自四級胺鹽或鹼金屬鹽之至少一種鹼性化合物；以及水；上述研磨粒之平均一次粒徑為5~50nm；研磨用組成物中之上述醇化合物的含有量為0.02~1質量%。
  2. 如申請專利範圍第1項之研磨用組成物，其中上述鹼性化合物係選自四級胺之氫氧化物、四級胺之碳酸鹽、四級胺之碳酸氫鹽、鹼金屬之氫氧化物、鹼金屬之碳酸鹽或鹼金屬之碳酸氫鹽之至少一種。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之研磨用組成物，其中上述鹼性化合物係選自氫氧化四甲基銨、碳酸四甲基銨、碳酸氫四甲基銨、氫氧化鉀、碳酸鉀或碳酸氫鉀之至少一種。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之研磨用組成物，其中上述研磨粒係具有繭形之形狀或於表面具複數突起之球形的形狀。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之研磨用組成物，其中進一步含有螯合劑。
  6. 一種研磨用組成物套組，其係具備為了獲得研磨用組成物而相互混合之第一劑及第二劑者，上述第一劑係含有研磨粒、選自四級銨鹽或鹼金屬鹽之至少一種鹼性化合物、以及水；上述第二劑係含有選自碳數2~6之脂肪族醇及碳數3~10之二醇醚之至少一種醇化合物；上述研磨粒之平均一次粒徑係5~50nm；上述研磨用組成物中之上述醇化合物的含有量係0.01~1質量%。
  7. 一種使用研磨用組成物而研磨半導體基板表面之方法，其特徵為：上述研磨用組成物含有： 研磨粒；選自碳數2~6之脂肪族醇及碳數3~10之二醇醚的至少一種醇化合物；選自四級胺鹽或鹼金屬鹽之至少一種鹼性化合物；以及水；上述研磨粒之平均一次粒徑為5~50nm；研磨用組成物中之上述醇化合物的含有量為0.02~1質量%。
  8. 如申請專利範圍第7項之方法，其中上述半導體基板表面之研磨係一邊使用研磨裝置將上述研磨用組成物供給至基板表面一邊進行，上述研磨粒與上述鹼性化合物係自上述基板表面之研磨開始時起並且之後亦持續供給至基板表面，另一方面，上述醇化合物係於上述基板表面之研磨開始後才供給至基板表面。
  9. 如申請專利範圍第7或8項之方法，其中循環使用上述研磨用組成物。
  10. 如申請專利範圍第9項之方法，其中於循環使用上 述研磨用組成物時，進行研磨用組成物中之上述研磨粒、上述醇化合物及上述鹼性化合物中之至少任一者的減少量之補充。
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