TWI554409B - 防塵薄膜組件的貼附方法以及使用於該方法的貼附裝置 - Google Patents

防塵薄膜組件的貼附方法以及使用於該方法的貼附裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI554409B
TWI554409B TW103138632A TW103138632A TWI554409B TW I554409 B TWI554409 B TW I554409B TW 103138632 A TW103138632 A TW 103138632A TW 103138632 A TW103138632 A TW 103138632A TW I554409 B TWI554409 B TW I554409B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
pellicle
mask substrate
attaching
load
mask
Prior art date
Application number
TW103138632A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201532836A (zh
Inventor
濱田裕一
Original Assignee
信越化學工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 信越化學工業股份有限公司 filed Critical 信越化學工業股份有限公司
Publication of TW201532836A publication Critical patent/TW201532836A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI554409B publication Critical patent/TWI554409B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/12—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/14—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers
    • B32B37/16—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers with all layers existing as coherent layers before laminating
    • B32B37/18—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers with all layers existing as coherent layers before laminating involving the assembly of discrete sheets or panels only
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B41/00—Arrangements for controlling or monitoring lamination processes; Safety arrangements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70983—Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2559/00—Photographic equipment or accessories
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Lining Or Joining Of Plastics Or The Like (AREA)

Description

防塵薄膜組件的貼附方法以及使用於該方法的貼附 裝置
本發明涉及LSI，超LSI等的半導體裝置或液晶表示板製造時的光刻用遮罩的防塵裝置，光刻用防塵薄膜組件的貼附方法以及使用該方法的貼附裝置。
LSI，超LSI等的半導體製造或液晶表示板等的製造中，要對半導體晶片或液晶用原版僅光照射以進行圖案的製作，該場合使用曝光原版如有灰塵附著，該灰塵就會吸收光，或使光彎曲，轉印的圖案就會變形，邊不就會不齊，並且就會基底烏黑，從而產生尺寸，品質，外觀等受損的問題。此外，本發明中，所謂「曝光原版」，為光刻用遮罩以及中間遮罩的總稱。
因此，這樣的作業通常在無塵室中進行，但即使如此，也難免曝光原版的經常的清潔，因此，一般使用在曝光原版的表面貼附刻以使曝光用的光良好通過的防塵薄膜組件。該場合，灰塵不在曝光原版的表面上直接附著，而是在防塵薄膜上附著，由此，只要在光刻時將焦點對準曝光原版的圖案，防塵薄膜上的灰 塵就和轉印無關系了。
這樣的防塵薄膜組件的基本構造，為在防塵薄膜組件框架以及在其上繃緊設置的防塵薄膜構成。該防塵薄膜為可以良好地使曝光使用光(g線，i線，248nm，193nm，157nm等)透過硝化纖維素，醋酸纖維素，氟系聚合物等。另外，防塵薄膜組件框架，有進行了黑色防氧化膜處理等地A7075，A6061，A5052等的鋁合金，不銹鋼，聚乙烯等製成。
在防塵薄膜組件框架的上部，塗佈防塵薄膜的良溶媒，將防塵薄膜風乾接著，或通過丙烯酸樹脂，環氧樹脂和氟樹脂等的接著劑來進行接著。在，防塵薄膜組件框架的下部，為了要進行曝光原版地安裝，要設置由聚丁烯樹脂，聚醋酸乙烯基樹脂，丙烯酸樹脂以及矽氧烷樹脂等組成地黏著層以及以黏著層的保護為目的設置中間遮罩黏著劑保護用襯層。
如此製作的防塵薄膜組件，以將曝光原版的表面所形成的圖案領域包圍的方式設置，該防塵薄膜組件，是為了防止在曝光原版上有灰塵附著而設置的，該圖案領域和防塵薄膜組件外部被隔離開，以不使防塵薄膜組件外部的塵埃在圖案面附著。
近年，LSI的設計規則正在向微米以下的細微化前進，由此，曝光光源的短波長化也在前進，即，曝光光源從至今為止作為主流的水銀燈的g線(436nm)，i線(365nm)變為KrF準分子雷射(248nm)，ArF準分子雷射(193nm)，F2雷射(157nm)等。由此，細微化的結果，防塵薄膜組件貼附的遮罩基板圖案面的平 坦度被嚴格地管理，由此對防塵薄膜組件在遮罩上貼附時發生的遮罩基板的扭曲的抑制的必要性就增加了。
特別是，防塵薄膜組件的貼附造層的遮罩的扭曲，在很大程度上，依存於防塵薄膜組件框架的平坦度，防塵薄膜組件遮罩貼附用黏著劑的材質(柔軟度)以及形狀。由此，至今為止都是對將黏著劑的形狀進行了平坦加工的防塵薄膜組件和框架的平坦度進行管理，並且作為黏著劑的材質，為了抑制貼附時的遮罩扭曲採用柔軟的黏著劑等，進行了一定的改善。
例如，在專利文獻1中，公開了將防塵薄膜組件的黏著劑的形狀控制在平坦度15μm以下的平坦面的防塵薄膜組件。但是，即使進行這些對策，也難於完全將貼附了防塵薄膜組件的遮罩的扭曲。
【先有技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2009-25560號
因此，本發明的目的，有鑑於上述情況，提供一種在將防塵薄膜組件貼附於遮罩基板時能夠將遮罩基板的扭曲變形減低的防塵薄膜組件的貼附方法以及實施該方法的貼附裝置。
本發明者為了達到上述目的進行了深入地的研究，得知在將防塵薄膜組件貼附於遮罩基板時，如將黏著劑層和遮罩基板進行加熱，黏著劑的柔軟度就會增加，由此就可以用更弱的負荷壓力來將防塵薄膜組件貼附於遮罩基板上，來減少貼附時的遮罩 基板的扭曲變形，從而得到了本發明。
即，本發明，是將在防塵薄膜組件框架的一個端面通過接著劑將防塵薄膜繃緊設置，在另一個端面設置黏著層的光刻用防塵薄膜組件貼附於遮罩基板的貼附方法，其特徵為將黏著劑層和遮罩基板加熱。該場合的加熱溫度優選35℃以上80℃以下。
另外，本發明的另一特徵為貼附負荷在100N以下進行防塵薄膜組件在遮罩基板上的貼附，在該場合，優選在達到貼附負荷的時間為1分以上。
進一步，本發明中，以至少分為1個以上的加壓步驟，使貼附負荷斷續上升為特徵，在該場合，優選在各加壓步驟的之間，設置將繃緊負荷進行釋放的時間，優選該釋放時間設為30秒以上。
本發明的貼附裝置，為實施上述防塵薄膜組件的貼附方法之物，其包括將遮罩基板以及防塵薄膜組件的黏著層加熱的熱源、將防塵薄膜組件貼附於遮罩基板的負荷裝置、對至少1個以上的加壓步驟的貼附負荷，負荷時間以及負荷釋放時間進行控制的控制裝置。
根據本發明，可以使防塵薄膜組件在遮罩基板上貼附時的遮罩基板的扭曲變形減低，從而防止遮罩基板的PID的變差。
1‧‧‧防塵薄膜
2‧‧‧防塵薄膜接著劑
3‧‧‧防塵薄膜組件框架
4‧‧‧遮罩黏著劑
5‧‧‧遮罩或中間遮罩
6‧‧‧氣壓調整用孔(通氣口)
7‧‧‧除塵用過濾器
10‧‧‧防塵薄膜組件
圖1為表示防塵薄膜組件的基本構造的概要圖。
以下，對本發明的實施的方式進行說明，但是本發明不限於這些實施的方式。
本發明的方法的特徵為，將在防塵薄膜組件框架的一端面通過接著劑繃緊設置防塵薄膜，在防塵薄膜組件的另一端面設置遮罩黏著層的光刻用防塵薄膜組件在遮罩基板上貼附時，對黏著層和遮罩基板進行加熱。
本發明中使用的防塵薄膜組件10的基本的構造為，如圖1所示。在該防塵薄膜組件10中，防塵薄膜組件框架3的上端面上，防塵薄膜1被通過接著劑2繃緊設置。另一方面，在防塵薄膜組件框架3的下端面，設置將防塵薄膜組件10黏著在遮罩基板或中間遮罩5(曝光原版)的遮罩黏著劑4。另外，在該黏著劑4的下端面，通常，黏附可以剝離的襯層(未圖示)，進一步，氣壓調整用孔6(通氣口)被在防塵薄膜組件框架3上設置，根據需要，設置除塵用過濾器7。
這樣的防塵薄膜組件10的構成部材的大小，與通常的防塵薄膜組件，例如半導體光刻用防塵薄膜組件和大型液晶表示板製造光刻工程用防塵薄膜組件等同樣，其材質，可以採用上述公 知的材質。
防塵薄膜1的種類沒有特別的限制，可以使用例如準分子雷射用的非晶質氟聚合物等。作為該非晶質氟聚合物，例如可以使用CYTOP(旭硝子公司的商品的名稱)，特氟隆(註冊商標)AF(杜邦公司的商品的名稱)等。這樣的聚合物，可以在防塵薄膜1製作時，根據必要溶解於溶媒中使用，例如可以用氟系溶媒等進行適宜溶解。
作為防塵薄膜組件框架3的材質，可以使用通常使用的鋁合金，優選使用JIS A7075，JIS A6061，JIS A5052材料，在使用鋁合金材的場合，只要作為防塵薄膜組件框架3的強度能得到保障，就沒有特別的限制。防塵薄膜組件框架3的表面，在設置聚合物被膜前，優選進行噴砂以及化學研磨來進行粗化，該防塵薄膜組件框架3的表面的粗化方法，可以使用公知的方法。特別是，對於鋁合金，優選在用不銹鋼，碳化矽以及玻璃珠等進行表面噴砂處理後，進一步用NaOH等進行化學研磨，由此來使表面粗化。
作為黏著層4中使用的接著劑，可以適宜地選擇各種的接著劑，但是，以丙烯酸接著劑和矽氧烷系接著劑優選。另外，作為黏著劑的形狀，優選貼附於遮罩基板的面為平坦面。
本發明中，在將防塵薄膜組件貼附於遮罩基板時，為了減輕遮罩基板的扭曲等的影響，有必要對貼附的殘餘應力進行抑制，防塵薄膜組件10優選進行貼附時變形的少的平坦加工。
以下，對本發明的防塵薄膜組件的貼附方法，按照具體例進行說明。
首先，將防塵薄膜組件10安裝在防塵薄膜組件貼附裝置的臺子上的防塵薄膜組件托上，使遮罩黏著劑向上，將黏著劑保護膜剝離後，將遮罩基板安裝，使防塵薄膜組件貼附面向下，如按下開始按鈕，使貼附裝置的加熱器通電，使防塵薄膜組件框架和遮罩基板開始加熱。防塵薄膜組件框架和遮罩基板的溫度上升到設定溫度時，使遮罩基板慢慢地落在防塵薄膜組件框架上，使遮罩基板由其自重按壓在防塵薄膜組件框架上。
在這樣的防塵薄膜組件的貼附工程中，溫度的影響非常大，防塵薄膜組件框架和遮罩基板的溫度要用照射溫度計那樣的儀器進行測定，優選設定35℃~80℃的溫度條件，這是由於要使遮罩黏著劑適度軟化，在不會給遮罩基板不好的影響的範圍的低負荷就可以進行貼附。然後，在實際進行貼附操作的場合，有必要對防塵薄膜組件框架和遮罩基板的溫度是否安定地處於設定溫度進行確認。如比該溫度範圍低，遮罩黏著劑不會軟化，不能使防塵薄膜組件貼附負荷充分下降，但是，如比該溫度範圍高，遮罩黏著劑會變質，有發生氣體的可能性，所以這種情況是不優選的。
本發明的貼附工程中，優選貼附負荷為100N以下，使該貼附負荷用1分以上到達。貼附負荷超過100N時，會給予遮罩基板多餘的應力，使防塵薄膜組件貼附時有遮罩平坦性變差的可能性，所以不優選。另外，如該貼附負荷1分未滿，短時間到達時， 會給遮罩基板局部應力，其結果會對遮罩平面均一性有阻礙的可能性，所以不優選。因此，具體的貼附工程中，1分鐘左右經過後，通過貼附裝置的上部的加壓部對遮罩基板的裏面外周部加壓。第1的加壓步驟中，其設定值到達時間為1分以上，保持30秒，然後將加壓壓力釋放，30秒靜置。其後，在第2的加壓步驟中，再用加壓部加壓，到達設定值的時間為1分以上，30秒保持，防塵薄膜組件的貼附工程終了。此外，在需要的場合，第1以及第2的加壓步驟之外，也可以追加同樣的加壓步驟，將防塵薄膜組件進行貼附。
另外，在貼附工程中，在用至少1個以上的加壓步驟方式中，優選加壓力依次上升，這比一下就加到目標的設定值要好，這樣防塵薄膜組件的貼附造成的遮罩基板的殘餘應力要小。進一步，優選在至少1個以上的加壓步驟的各加壓步驟的之間，設置加壓力釋放時間，可以使由於防塵薄膜組件貼附所造成的遮罩基板的殘餘應力降低。進一步，該釋放時間，設定為30秒以上優選，如果比30秒短，遮罩基板的殘餘應力不能充分減低。
本發明的貼附方法中，通過將加壓力降低到極限來貼附防塵薄膜組件，目的是使防塵薄膜組件貼附時的遮罩基板的扭曲變形減低，藉由將使用的防塵薄膜組件框架的平坦度和用於遮罩基板貼附的黏著劑面的平坦性，進而黏著劑的柔軟度最優化，可以得到PID的良好的防塵薄膜組件的貼附工程。
以下，對本發明的貼附裝置進行說明。該貼附裝置，由 於使在本發明的貼附方法中使用的裝置，要具備對防塵薄膜組件框架和遮罩基板(曝光原版)的黏著層進行加熱的加熱裝置。另外，在具有將黏著劑保護膜剝離的剝離裝置的同時，要具有使遮罩基板在防塵薄膜組件框架上緩慢升降，將遮罩基板通過自重壓附在防塵薄膜組件框架上的升降裝置和使遮罩基板的裏面外周部進行加壓的加壓部等的加壓裝置。
另外，在所述貼附裝置中，為了進行防塵薄膜組件框架和遮罩基板的前述那樣的貼附工程，要具備在至少1個以上的加壓步驟的加壓過程中對加壓力．加壓時間．加壓力釋放時間等進行程序控制的控制裝置。
【實施例】
以下，對本發明的實施例進行具體說明。此外，在實施例以及比較例中用“遮罩”來作為“曝光原版”的例子進行說明，對於中間遮罩也同樣適用。
<實施例1>
實施例1中，首先，準備鋁合金製的防塵薄膜組件框架(外形尺寸149mmx115mmx3.5mm厚2mm，遮罩基板貼附用黏著劑的塗布端面側的平坦度為15μm)，將其精密洗浄後，15μm側的端面將信越化學工業株式會社製的矽氧烷黏著劑(製品名；X-40-3264)進行塗布，60分室溫靜置。其後，平坦度5μm的鋁板上設置分離片，同時將塗布黏著劑的防塵薄膜組件框架放置，使黏著劑向下，在黏著劑的表面與平坦的分離片接觸，將黏 著劑的表面進行平坦加工。
另外，鋁板上的防塵薄膜組件框架放入60℃的烘箱60分鐘，將黏著劑硬化後，將該防塵薄膜組件框架與鋁板一起取出，將剝離片剝離。其後，在黏著劑的塗布的端面的反對側端面上塗布旭硝子株式會社製的接著劑(商品名；CYTOPCTX-A)，將該防塵薄膜組件框架在130℃加熱，使接著劑硬化。最後，將用比上述防塵薄膜組件框架更大的鋁框製得的防塵薄膜在該防塵薄膜組件框架的接著劑端面側貼附，將比防塵薄膜組件框架大的外側的部分除去，製得防塵薄膜組件。
接著將6英寸□，0.25英寸厚的基板「6025」的遮罩基板加以準備，對該遮罩基板的平坦度進行測定，得知為0.25μm。測定後，其該遮罩基板設置在防塵薄膜組件貼附裝置上，用加熱裝置將遮罩基板加熱至35℃，同時，將先前製作的防塵薄膜組件設置於貼附裝置上，用60秒將貼附負荷到達100N的設定負荷，用該貼附負荷進行30秒加壓，將該防塵薄膜組件貼附於加熱到35℃的遮罩基板。
然後，對防塵薄膜組件貼附後的遮罩基板的平坦度進行測定，得知雖然平坦度從貼附前的0.25μm變為0.32μm，但是，由於防塵薄膜組件貼附造成的遮罩基板的扭曲量的變化為0.07μm，可以說抑制到了充分小的值。
該實施例1和後述的實施例2~4以及比較例1~4的防塵薄膜組件的貼附前後的遮罩基板的平坦度和變化量的結果以及防 塵薄膜組件的貼附條件，表示於下表。
<實施例2>
實施例2中，以與實施例1同樣的方法製作防塵薄膜組件。然後，將「6025」的遮罩基板加以準備，對該遮罩基板的平坦度進行測定，得知為0.26μm。另外，將該遮罩基板設置在防塵薄膜組件貼附裝置上，將遮罩基板的溫度加熱至80℃，同時，將先前製作的防塵薄膜組件設置在貼附裝置上，貼附負荷為100N(用60秒得到設定負荷)，用該負荷進行30秒加壓，將防塵薄膜組件貼附於加熱為80℃的遮罩基板上。
然後，對防塵薄膜組件貼附後的遮罩基板的平坦度進行 測定，雖然平坦度從貼附前的0.26μm變為0.30μm，由於防塵薄膜組件貼附造成的遮罩的扭曲量的變化為0.04μm，可以說抑制到了充分小的值。
<實施例3>
實施例3中，用與實施例1同樣的方法製作防塵薄膜組件。然後，準備「6025」的遮罩基板，對該遮罩基板的平坦度進行測定，得知為0.25μm。另外，將該遮罩基板設置在防塵薄膜組件貼附裝置上，將遮罩基板的溫度加熱至35℃，同時，將先前製作的防塵薄膜組件設置在貼附裝置上，先用貼附負荷50N(用60秒達到設定負荷)加壓30秒，然後將負荷釋放，30秒放置，進一步用貼附負荷100N(用60秒達到設定負荷)，30秒加壓，將防塵薄膜組件貼附於35℃加熱遮罩基板上。
然後，對防塵薄膜組件貼附後的遮罩基板的平坦度進行測定，雖然從貼附前的平坦度0.25μm變為0.30μm，但是由於防塵薄膜組件貼附所造成的遮罩的扭曲量的變化為0.05μm，所以可以說已經抑制到了充分小值。
<實施例4>
實施例4中，用與實施例1同樣的方法製作防塵薄膜組件。然後，準備「6025」的遮罩基板，對該遮罩基板的平坦度進行測定，得知為0.25μm。另外，將該遮罩基板設置在防塵薄膜組件貼附裝置上，將遮罩基板的溫度加熱到80℃，同時將先前製作的防塵薄膜組件設置在貼附裝置上，先用貼附負荷50N(用60秒得到 設定負荷)加壓30秒，然後將負荷釋放，30秒鐘放置，進一步用貼附負荷100N(用60秒達到設定負荷)，30秒加壓，將防塵薄膜組件貼附於80℃加熱的遮罩基板上。
然後，對防塵薄膜組件貼附後的遮罩基板的平坦度進行測定，得知平坦度從貼附前的0.25μm變為0.28μm，但是，由於防塵薄膜組件貼附造成的遮罩的扭曲量的變化為0.03μm，可以說已經抑制到了充分小的值。
<比較例1>
比較例1中，用與實施例1同樣的方法製作防塵薄膜組件。然後，準備「6025」的遮罩基板，對該遮罩基板的平坦度進行測定，得知為0.25μm。另外，將該遮罩基板設置在防塵薄膜組件貼附裝置上，不對遮罩基板加熱，置於室溫(25℃)的狀態，將先前製作的防塵薄膜組件設置在貼附裝置上，先用貼附負荷50N(用60秒達到設定負荷)進行30秒加壓，然後將負荷釋放，30秒放置，進一步用貼附負荷100N(用60秒達到設定負荷)，30秒加壓，將室溫狀態的防塵薄膜組件貼附於遮罩基板。
然後，對防塵薄膜組件貼附後的遮罩基板的平坦度進行測定，得知平坦度從貼附前的0.25μm變為0.36μm，由於由防塵薄膜組件貼附造成的遮罩的扭曲量的變化為0.11μm之大，可以說沒有抑制到期待的範圍內。
<比較例2>
比較例2中，用與實施例1同樣的方法製作防塵薄膜組件。 然後，準備「6025」的遮罩基板，對該遮罩基板的平坦度進行測定，得知為0.26μm。另外，將該遮罩基板設置在防塵薄膜組件貼附裝置上，將遮罩基板的溫度加熱到100℃，同時，將先前製作的防塵薄膜組件設置在貼附裝置上，先用貼附負荷50N(用60秒達到設定負荷)加壓30秒，然後將負荷釋放，30秒放置，進一步用貼附負荷100N(用60秒達到設定負荷)，加壓30秒，將防塵薄膜組件貼附於100℃加熱的遮罩基板上。
然後，對防塵薄膜組件貼附後的遮罩基板的平坦度進行測定，平坦度從貼附前的0.26μm變為0.28μm，由防塵薄膜組件貼附造成的遮罩的扭曲量的變化為0.02μm，被抑制為小值，但是，由於遮罩基板的加熱溫度為100℃，過高，在黏著劑的貼附付近的遮罩基板上，有雲發生，可以說從而作為防塵薄膜組件的貼附條件有問題。
<比較例3>
比較例3中，用與實施例1相同的方法製作防塵薄膜組件。然後，準備「6025」的遮罩基板，對該遮罩基板的平坦度進行測定，得知為0.25μm。另外，將該遮罩基板設置在防塵薄膜組件貼附裝置上，將遮罩基板加熱到80℃，同時，將先前製作的防塵薄膜組件設置在貼附裝置上，先用貼附負荷50N(用5秒達到設定負荷)加壓30秒，然後將負荷釋放，放置30秒，進一步用100N(用15秒達到設定負荷)30秒加壓，將防塵薄膜組件貼附於加熱為80℃遮罩基板上。
然後，對防塵薄膜組件貼附後的遮罩基板的平坦度進行測定，平坦度從貼附前的0.25μm變為0.37μm，由於防塵薄膜組件貼附造成的遮罩的扭曲量的變化為0.12μm，大，可以說沒有抑制到期待的範圍。
<比較例4>
比較例4中，用與實施例1同樣的方法製作防塵薄膜組件。然後，準備「6025」的遮罩基板，對該遮罩基板的平坦度進行測定，為0.25μm。另外，將該遮罩基板設置在防塵薄膜組件貼附裝置上，將遮罩基板加熱到80℃，同時，將先前製作防塵薄膜組件設置在貼附裝置上，首先，用貼附負荷50N(用60秒達到設定負荷)加壓30秒，然後將負荷釋放，30秒放置，進一步用150N(用60秒達到設定負荷)，30秒加壓，將防塵薄膜組件貼附於加熱為80℃的遮罩基板。
然後，對防塵薄膜組件貼附後的遮罩基板的平坦度進行測定，平坦度從貼附前的0.25μm變為0.38μm，由防塵薄膜組件貼附造成的遮罩的扭曲量的變化為0.13μm，大，可以說沒有抑制到期待的範圍內。
1‧‧‧防塵薄膜
2‧‧‧防塵薄膜接著劑
3‧‧‧防塵薄膜組件框架
4‧‧‧遮罩黏著劑
5‧‧‧遮罩或中間遮罩
6‧‧‧氣壓調整用孔(通氣口)
7‧‧‧除塵用過濾器
10‧‧‧防塵薄膜組件

Claims (7)

  1. 一種防塵薄膜組件的貼附方法，其為將在防塵薄膜組件框架的一個端面通過接著劑將防塵薄膜繃緊設置，且在防塵薄膜組件框架的另一端面設有黏著層的光刻用防塵薄膜組件貼附於遮罩基板的方法，其特徵在於：所述黏著層和所述遮罩基板被加熱，並且防塵薄膜組件被以100N以下的貼附負荷貼附於所述遮罩基板。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的防塵薄膜組件的貼附方法，其中，所述加熱溫度為35℃以上80℃以下。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的防塵薄膜組件的貼附方法，其中，到達所述貼附負荷的時間為1分以上。
  4. 如申請專利範圍第3項的防塵薄膜組件的貼附方法，其中，分為至少1個以上的加壓步驟來使所述貼附負荷斷續上升。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的防塵薄膜組件的貼附方法，其中，在所述至少1個以上的加壓步驟之間，設有負荷釋放時間。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的防塵薄膜組件的貼附方法，其中，所述負荷釋放時間為30秒以上。
  7. 一種防塵薄膜組件的貼附裝置，其為實施如申請專利範圍第1項~第6項的任一個所述的防塵薄膜組件的貼附方法的貼附裝置，其特徵在於：具有將遮罩基板以及防塵薄膜組件的黏著劑層加熱的熱源、將防塵薄膜組件貼附於遮罩基板的負荷裝置以及對至少1個以上的加壓步驟的貼附負荷、負荷時間以及負荷釋放時間進行控制的控制裝置。
TW103138632A 2013-11-11 2014-11-07 防塵薄膜組件的貼附方法以及使用於該方法的貼附裝置 TWI554409B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013232807A JP6025178B2 (ja) 2013-11-11 2013-11-11 ペリクルの貼り付け方法及びこの方法に用いる貼り付け装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201532836A TW201532836A (zh) 2015-09-01
TWI554409B true TWI554409B (zh) 2016-10-21

Family

ID=51900172

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103138632A TWI554409B (zh) 2013-11-11 2014-11-07 防塵薄膜組件的貼附方法以及使用於該方法的貼附裝置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9645487B2 (zh)
EP (1) EP2871521B1 (zh)
JP (1) JP6025178B2 (zh)
KR (2) KR20150054662A (zh)
CN (1) CN104635420B (zh)
TW (1) TWI554409B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6632057B2 (ja) 2016-01-07 2020-01-15 信越化学工業株式会社 ペリクル
KR101768214B1 (ko) 2016-12-15 2017-08-30 주식회사 네오세미텍 포토마스크와 펠리컬프레임의 부착 장치 및 방법
EP3404486B1 (en) * 2017-05-15 2021-07-14 IMEC vzw A method for forming a pellicle
CN111983888A (zh) * 2019-05-24 2020-11-24 长鑫存储技术有限公司 掩膜版及其制造方法
CN110632824A (zh) * 2019-09-11 2019-12-31 中国科学院光电技术研究所 一种提高模板转印柔性衬底微结构位置精度的方法
CN111580359B (zh) * 2020-04-29 2021-06-18 中国科学院光电技术研究所 一种用于超分辨光刻精密掩模的智能校正装置控制系统
WO2023182186A1 (ja) * 2022-03-23 2023-09-28 三井化学株式会社 粘着層付きペリクル枠の製造方法、保護フィルム付きペリクル枠、粘着層付きペリクル枠、ペリクル及びペリクル付きフォトマスク

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050048376A1 (en) * 2003-08-26 2005-03-03 Intel Corporation Mounting a pellicle to a frame
TW201211675A (en) * 2010-04-02 2012-03-16 Shinetsu Chemical Co A photomask unit comprising a photomask and a pellicle attached to the photomask and a method for fabricating a photomask unit
US20120200921A1 (en) * 2011-02-08 2012-08-09 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Pellicle frame

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63284551A (ja) * 1987-05-15 1988-11-21 Mitsubishi Electric Corp フォトマスクペリクル装着方法
JPS6413152A (en) * 1987-07-06 1989-01-18 Mitsubishi Electric Corp Fitting method for photomask pellicle
JPH04212958A (ja) * 1990-12-07 1992-08-04 Nikon Corp ペリクルフレーム装着方法
US6841312B1 (en) * 2001-04-11 2005-01-11 Dupont Photomasks, Inc. Method and apparatus for coupling a pellicle assembly to a photomask
US7264853B2 (en) * 2003-08-26 2007-09-04 Intel Corporation Attaching a pellicle frame to a reticle
US20060269847A1 (en) * 2005-05-25 2006-11-30 International Business Machines Corporaton Binding of hard pellicle structure to mask blank and method
JP4931717B2 (ja) 2007-07-19 2012-05-16 信越化学工業株式会社 リソグラフィー用ペリクルの製造方法
KR101070792B1 (ko) * 2009-06-10 2011-10-10 엘지이노텍 주식회사 펠리클이 부착된 마스크 및 펠리클과 마스크의 부착 방법
JP5142297B2 (ja) * 2009-06-19 2013-02-13 信越化学工業株式会社 ペリクル
JP2011017833A (ja) * 2009-07-08 2011-01-27 Toppan Printing Co Ltd ペリクル貼付装置およびペリクル貼付方法、ペリクル付マスク
KR20110011959A (ko) * 2009-07-29 2011-02-09 주식회사 하이닉스반도체 포토마스크와 펠리클 부착 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050048376A1 (en) * 2003-08-26 2005-03-03 Intel Corporation Mounting a pellicle to a frame
TW201211675A (en) * 2010-04-02 2012-03-16 Shinetsu Chemical Co A photomask unit comprising a photomask and a pellicle attached to the photomask and a method for fabricating a photomask unit
US20120200921A1 (en) * 2011-02-08 2012-08-09 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Pellicle frame

Also Published As

Publication number Publication date
US20150129103A1 (en) 2015-05-14
TW201532836A (zh) 2015-09-01
JP6025178B2 (ja) 2016-11-16
EP2871521A3 (en) 2015-06-24
JP2015094800A (ja) 2015-05-18
EP2871521A2 (en) 2015-05-13
KR20150054662A (ko) 2015-05-20
KR102332802B1 (ko) 2021-12-01
CN104635420A (zh) 2015-05-20
CN104635420B (zh) 2019-04-26
KR20210128984A (ko) 2021-10-27
US9645487B2 (en) 2017-05-09
EP2871521B1 (en) 2023-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI554409B (zh) 防塵薄膜組件的貼附方法以及使用於該方法的貼附裝置
JP5478463B2 (ja) リソグラフィー用ペリクル
JP5189614B2 (ja) ペリクル及びその取り付け方法、並びにペリクル付マスク及びマスク
JP4931717B2 (ja) リソグラフィー用ペリクルの製造方法
TWI411874B (zh) 防塵薄膜組件
JP2008065258A (ja) リソグラフィー用ペリクル
TWI815825B (zh) 防護薄膜框架及防護薄膜組件
TWI707196B (zh) Ｅｕｖ曝光用防塵薄膜組件、附防塵薄膜組件之曝光原版及半導體裝置或液晶顯示板之製造方法
TWI409581B (zh) 防塵薄膜組件之製造方法、微影用防塵薄膜組件框架及微影用防塵薄膜組件
TWI593770B (zh) 防塵薄膜組件用接著劑以及使用其的防塵薄膜組件
JP7456526B2 (ja) ペリクルの製造方法、ペリクル付フォトマスクの製造方法、露光方法、半導体デバイスの製造方法、液晶ディスプレイの製造方法及び有機ｅｌディスプレイの製造方法
JP2018077412A (ja) グラフェン膜の製造方法及びこれを用いたペリクルの製造方法
JP2006323178A (ja) リソグラフィ用ペリクル及びその製造方法
TWI567484B (zh) 防塵薄膜組件
JP2011095556A (ja) リソグラフィ用ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル
JP5113801B2 (ja) ペリクルの剥離方法及びこの方法に用いる剥離装置
US10962877B2 (en) Method of separating pellicle and device for separating pellicle
JP2009271196A (ja) 半導体リソグラフィー用ペリクルおよびその製造方法
JP6293045B2 (ja) リソグラフィー用ペリクルの作製方法
TWI431413B (zh) 微影用防塵薄膜組件
KR20230164123A (ko) 펠리클 프레임, 펠리클, 펠리클 부착 포토마스크, 노광 방법, 반도체 디바이스의 제조 방법 및 액정 디스플레이의 제조 방법
JP2001228600A (ja) ペリクルフレーム、これを用いたペリクル及びペリクルの製造方法